JPH11218256A - Solenoid valve diagnosing device - Google Patents
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- JPH11218256A JPH11218256A JP2116398A JP2116398A JPH11218256A JP H11218256 A JPH11218256 A JP H11218256A JP 2116398 A JP2116398 A JP 2116398A JP 2116398 A JP2116398 A JP 2116398A JP H11218256 A JPH11218256 A JP H11218256A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、電磁弁のソレノイ
ド部に生じたショート故障が確実に検出できるようにし
た電磁弁診断装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a solenoid valve diagnostic device capable of reliably detecting a short-circuit failure occurring in a solenoid portion of a solenoid valve.
【０００２】[0002]
【従来の技術】雪道などの滑りやすい路面を走行する車
両をスリップ事故から護るアンチロックブレーキ装置
は、車輪ごとに装着されたホイールセンサにより計測さ
れる車輪速信号に基づき、コントローラが車輪ロックの
可能性を検出し、車輪ロックが発生しそうな場合に、油
圧回路内の電磁弁を介して油圧ブレーキ機構を制御する
構成とされている。この種のアンチロックブレーキ制御
装置に用いる電磁弁は、高速でオンオフ制御する必要が
あり、オンオフ制御のためのドライバであるソレノイド
部にショート故障があってはならない。2. Description of the Related Art An anti-lock brake device that protects a vehicle traveling on a slippery road surface such as a snowy road from a slip accident is configured such that a controller controls a wheel lock based on a wheel speed signal measured by a wheel sensor mounted on each wheel. It is configured to detect the possibility and control the hydraulic brake mechanism via an electromagnetic valve in the hydraulic circuit when wheel lock is likely to occur. An electromagnetic valve used in this type of antilock brake control device needs to be turned on and off at a high speed, and a short-circuit failure must not occur in a solenoid portion which is a driver for the on / off control.
【０００３】図３に示す電磁弁診断装置１は、ブレーキ
用油圧配管に組み込まれた電磁弁２のソレノイド部２ｓ
にスイチング素子として接続されてトランジスタＱを診
断パルスにより導通させ、ソレノイド部２ｓにショート
故障が発生しているか否かを診断する装置である。電磁
弁２のソレノイド部２ｓは、一端がバッテリ電源＋Ｂに
接続され、他端がトランジスタＱを介して接地されてい
る。トランジスタＱはエミッタ接地されており、コレク
タとエミッタ間に保護素子であるバリスタＲｖが接続し
てある。さらに、トランジスタＱのベースには、ベース
抵抗Ｒｂを介して診断パルス発生回路３が接続してあ
り、例えば運転者が車両のイグニッションスイッチを投
入した時点で診断パルスを発する構成とされている。４
は、ショート故障検出回路であり、ソレノイド部２ｓと
トランジスタＱのコレクタを結ぶ線路に分岐接続してあ
り、分岐接続点の電圧を診断電圧Ｖｓとして取り込む。[0003] The solenoid valve diagnostic device 1 shown in FIG. 3 is a solenoid valve 2 s of a solenoid valve 2 incorporated in a brake hydraulic pipe.
This is a device that is connected as a switching element to make the transistor Q conductive by a diagnostic pulse and diagnoses whether or not a short-circuit failure has occurred in the solenoid 2s. The solenoid 2s of the solenoid valve 2 has one end connected to the battery power source + B and the other end grounded via the transistor Q. The transistor Q has an emitter grounded, and a varistor Rv as a protection element is connected between the collector and the emitter. Further, a diagnostic pulse generating circuit 3 is connected to a base of the transistor Q via a base resistor Rb, and is configured to emit a diagnostic pulse when a driver turns on an ignition switch of the vehicle, for example. 4
Is a short-circuit failure detection circuit, which is branch-connected to a line connecting the solenoid unit 2s and the collector of the transistor Q, and takes in the voltage at the branch connection point as a diagnostic voltage Vs.
【０００４】ショート故障検出回路４は、分圧抵抗Ｒ
１，Ｒ２と平滑コンデンサＣからなる充放電回路４ａを
前記分岐接続点に接続し、平滑コンデンサＣの端子電圧
をリミッタ回路４ｂを介して判定回路４ｃに取り込む構
成としてある。リミッタ回路４ｂは、カソードが電源Ｖ
ｃｃに接続された上部クリップ用ダイオードＤ１とアノ
ードが接地された下部クリップ用ダイオードＤ２を直列
接続し、その接続点を判定回路４ｃと充放電回路４ａと
に接続してある。The short-circuit failure detection circuit 4 includes a voltage dividing resistor R
1, a charging / discharging circuit 4a composed of R2 and a smoothing capacitor C is connected to the branch connection point, and a terminal voltage of the smoothing capacitor C is taken into a determination circuit 4c via a limiter circuit 4b. In the limiter circuit 4b, the cathode is the power supply V.
An upper clipping diode D1 connected to cc and a lower clipping diode D2 whose anode is grounded are connected in series, and the connection point is connected to the determination circuit 4c and the charging / discharging circuit 4a.
【０００５】ところで、診断パルス発生回路３３が、図
４（Ａ）に示す診断パルスを発生し、トランジスタＱを
導通させたとする。このとき、電磁弁２のソレノイド部
２ｓにショート故障が発生していないものとすると、ト
ランジスタＱのコレクタ・エミッタ間電圧Ｖｓａｔは、
例えば約０．６Ｖとソレノイド部２ｓの両端に印加され
る電圧（ほぼ、バッテリ電源＋Ｂの出力電圧）に比べは
るかに小さい。このため、図４（Ｂ）に実線で示したよ
うに、ショート故障判定回路４が取り込む診断電圧Ｖｓ
はＶｓａｔと低く、判定回路４ｃの入力電圧すなわち充
放電回路４ａの出力電圧Ｖｊは、判定回路４ｃに設定さ
れた図４（Ｃ）に示すしきい値電圧Ｖｒ以下であり、シ
ョート故障が発生していないことが判る。By the way, it is assumed that the diagnostic pulse generating circuit 33 generates a diagnostic pulse shown in FIG. 4A and turns on the transistor Q. At this time, assuming that no short-circuit fault has occurred in the solenoid portion 2s of the solenoid valve 2, the collector-emitter voltage Vsat of the transistor Q becomes
For example, the voltage is about 0.6 V, which is much smaller than the voltage applied to both ends of the solenoid 2s (approximately the output voltage of the battery power supply + B). For this reason, as indicated by the solid line in FIG.
Is lower than Vsat, the input voltage of the determination circuit 4c, that is, the output voltage Vj of the charging / discharging circuit 4a is equal to or lower than the threshold voltage Vr shown in FIG. 4C set in the determination circuit 4c, and a short-circuit fault occurs. You can see that it is not.
【０００６】これに対し、電磁弁２のソレノイド部２ｓ
にショート故障が発生している場合は、診断パルスを発
生してトランジスタＱを導通させたときに、トランジス
タＱには大電流が流れる。その結果、このため、トラン
ジスタＱのコレクタ・エミッタ間電圧Ｖｓａｔが上昇
し、トランジスタのコレクタ端子電圧すなわち診断電圧
Ｖｓは、図４（Ｂ）に点線で示したように、７Ｖ程度と
ソレノイド部２ｓが正常であった時（約０．６Ｖ）に比
べ、十数倍程度高い値を示す。その結果、ショート故障
判定回路４内の判定回路４ｃに入力される判定電圧Ｖｊ
が、図４（Ｃ）に示したように、しきい値電圧Ｖｒを越
え、ショート故障が検出される。On the other hand, the solenoid 2s of the solenoid valve 2
When a short-circuit fault has occurred, a large current flows through the transistor Q when the transistor Q is turned on by generating a diagnostic pulse. As a result, the collector-emitter voltage Vsat of the transistor Q rises, and the collector terminal voltage of the transistor Q, that is, the diagnostic voltage Vs is about 7 V as shown by a dotted line in FIG. It shows a value about ten times higher than normal (about 0.6 V). As a result, the determination voltage Vj input to the determination circuit 4c in the short failure determination circuit 4
However, as shown in FIG. 4C, the voltage exceeds the threshold voltage Vr, and a short-circuit failure is detected.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】上記従来の電磁弁診断
装置１は、電磁弁２のソレノイド部２ｓを駆動するスイ
ッチング素子としてトランジスタＱを用いているが、こ
のトランジスタＱをＭＯＳ ＦＥＴ（金属酸化膜電界効
果トランジスタ）に置き換えた場合、ショート故障を正
確に判定できない恐れがあった。これは、ＭＯＳ ＦＥ
Ｔの導通抵抗が非常に小さいために、仮にソレノイド部
２ｓのショート発生とともに大電流が流れたとしても、
ソレノイド部２ｓのショートインピーダンスによって
は、ショート故障判定回路４に取り込まれる診断電圧Ｖ
ｓに前述したような顕著なレベル差が表れないからであ
った。具体的には、図５（Ａ）〜（Ｃ）に実線と点線で
示したように、診断電圧Ｖｓにも或いは判定電圧Ｖｊに
も顕著な差異が見られず、判定電圧Ｖｊがしきい値電圧
Ｖｒ以下となってしまい、ショート故障を判定できない
のであった。また、診断パルスを発生してＭＯＳ ＦＥ
Ｔを導通させたときに、充放電回路４ａの平滑コンデン
サＣの充電時定数が存在するため、判定電圧Ｖｊが安定
するまで、ある程度の時間に亙って診断パルスを出力し
続ける必要があり、診断目的であるとは言え、必要以上
にソレノイド部２ｓに通電させる結果を招く等の課題を
抱えるものであった。The conventional solenoid valve diagnostic device 1 uses a transistor Q as a switching element for driving the solenoid 2s of the solenoid valve 2. The transistor Q is a MOS FET (metal oxide film). When it is replaced with a field-effect transistor, there is a risk that a short-circuit failure cannot be accurately determined. This is MOS FE
Since the conduction resistance of T is very small, even if a large current flows when the short-circuit of the solenoid portion 2s occurs,
Depending on the short impedance of the solenoid unit 2s, the diagnostic voltage V taken into the short failure determination circuit 4
This is because a remarkable level difference as described above does not appear in s. Specifically, as shown by the solid line and the dotted line in FIGS. 5A to 5C, there is no remarkable difference between the diagnosis voltage Vs and the judgment voltage Vj, and the judgment voltage Vj is not larger than the threshold voltage. As a result, the voltage becomes lower than the voltage Vr, and a short circuit failure cannot be determined. In addition, a diagnostic pulse is generated and MOS FE
When T is made conductive, there is a charging time constant of the smoothing capacitor C of the charging / discharging circuit 4a. Therefore, it is necessary to continuously output a diagnostic pulse for a certain period of time until the determination voltage Vj is stabilized. Although it is for the purpose of diagnosis, there is a problem that the solenoid unit 2s is energized more than necessary.
【０００８】本発明は、上記課題を解決したものであ
り、電磁弁のソレノイド部に生じたショート故障が確実
に検出できるようにすることを目的とするものである。An object of the present invention is to solve the above-mentioned problem, and an object of the present invention is to make it possible to reliably detect a short-circuit failure occurring in a solenoid portion of a solenoid valve.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、スイッチング素子によりソレノイド部への通電を制
御される電磁弁と、前記スイッチング素子に診断パルス
を供給して導通させ、該診断パルスの消滅時点で前記ソ
レノイド部に発生する逆起電圧をしきい値判別し、予め
設定した基準電圧以上の逆起電圧が発生しない場合は、
前記ソレノイド部にショート故障が発生していると判定
するショート故障検出手段とを具備することを特徴とす
るものである。In order to achieve the above object, an electromagnetic valve whose power supply to a solenoid is controlled by a switching element, a diagnostic pulse is supplied to the switching element to make it conductive, and the diagnostic pulse is extinguished. At a point in time, the back electromotive voltage generated in the solenoid portion is determined as a threshold value, and if no back electromotive voltage higher than a preset reference voltage is generated,
And a short-circuit failure detecting means for determining that a short-circuit failure has occurred in the solenoid unit.
【００１０】[0010]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図１，
２を参照して説明する。図１は、本発明の電磁弁診断装
置の一実施形態を示す回路構成図、図２は、図１に示し
た回路各部の信号波形図である。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG.
This will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a circuit configuration diagram showing an embodiment of the solenoid valve diagnostic device of the present invention, and FIG. 2 is a signal waveform diagram of each part of the circuit shown in FIG.
【００１１】図１に示す電磁弁診断装置１１は、電磁弁
１２のソレノイド部１２ｓを駆動するスイッチング素子
としてＭＯＳ ＦＥＴ（Ｑｆ）を用いた場合の回路構成
例を示すものであり、ソース接地された電界効果トラン
ジスタＱｆのドレインがバッテリ電源＋Ｂに接続してあ
る。電界効果トランジスタＱｆは、そのゲートがゲート
抵抗Ｒｇを介して診断パルス発生回路１３に接続してあ
る。電界効果トランジスタＱｆのドレインとゲートを結
んで接続したツェナーダイオードＺＤとダイオーＤは、
電界効果トランジスタＱｆを過電圧から保護するダイナ
ミック・クランプ回路１５を構成している。The solenoid valve diagnostic device 11 shown in FIG. 1 shows an example of a circuit configuration when a MOS FET (Qf) is used as a switching element for driving a solenoid 12s of a solenoid valve 12, and the source is grounded. The drain of the field effect transistor Qf is connected to the battery power supply + B. The gate of the field effect transistor Qf is connected to the diagnostic pulse generating circuit 13 via the gate resistor Rg. The Zener diode ZD and the diode D, which are connected by connecting the drain and the gate of the field effect transistor Qf,
A dynamic clamp circuit 15 that protects the field effect transistor Qf from overvoltage is configured.
【００１２】ところで、電磁弁１２のソレノイド部１２
ｓと電界効果トランジスタＱｆのドレインとを結ぶ線路
には、ショート故障検出回路１４が分岐接続してある。
このショート故障検出回路１４は、ソレノイド部１２ｓ
に対する通電を断ったときにソレノイド部１２ｓに発生
する逆起電圧Ｖｘをしきい値判別してショート故障の有
無を判定するものであり、上記分岐接続点に接続した分
圧抵抗Ｒ１１，Ｒ１２の分圧点をコンパレータ１４ｃの
比較入力端子（反転入力端子）に接続し、コンパレータ
１４ｃの出力端子を判定出力回路１４ｄに接続した構成
をなす。コンパレータの基準入力端子（非反転入力端
子）には、電源電圧Ｖｃｃを分圧抵抗Ｒ１３，Ｒ１４に
より分圧して得られる基準電圧Ｖｒが与えられている。
本実施形態では、この基準電圧Ｖｒは、電界効果トラン
ジスタＱｆを遮断した時にソレノイド部１２ｓに発生す
る逆起電圧Ｖｘによって出力極性が反転するような値に
設定してある。抵抗Ｒ１５は、コンパレータ１４ｃの非
反転入力端子と出力端子の間に接続したヒステリシス設
定抵抗であり、抵抗Ｒ１６は、コンパレータ１４ｃの出
力端子と直流電源Ｖｃｃの間に接続したプルアップ抵抗
である。The solenoid 12 of the solenoid valve 12
A short-circuit fault detection circuit 14 is branched and connected to a line connecting s and the drain of the field-effect transistor Qf.
The short-circuit failure detection circuit 14 includes a solenoid unit 12s
The threshold value of the back electromotive voltage Vx generated in the solenoid portion 12s when the power supply to the power supply is cut off is used to determine the presence or absence of a short-circuit failure, and is determined by the voltage dividing resistors R11 and R12 connected to the branch connection point. The pressure point is connected to the comparison input terminal (inverting input terminal) of the comparator 14c, and the output terminal of the comparator 14c is connected to the determination output circuit 14d. A reference voltage Vr obtained by dividing the power supply voltage Vcc by the voltage dividing resistors R13 and R14 is supplied to a reference input terminal (non-inverting input terminal) of the comparator.
In the present embodiment, the reference voltage Vr is set to a value such that the output polarity is inverted by the back electromotive voltage Vx generated in the solenoid 12s when the field effect transistor Qf is shut off. The resistor R15 is a hysteresis setting resistor connected between the non-inverting input terminal and the output terminal of the comparator 14c, and the resistor R16 is a pull-up resistor connected between the output terminal of the comparator 14c and the DC power supply Vcc.
【００１３】ここで、診断パルス発生回路１３が、図２
（Ａ）に示したように、診断パルスとして一定時間に亙
って持続するゲート電圧を供給したとする。電磁弁１２
が正常であれば、ショート故障検出回路１４内のコンパ
レータ１４ｃの反転端子に印加される判定電圧Ｖｊは、
非反転入力端子に設定された基準電圧Ｖｒよりも低く、
コンパレータ１４ｃの出力はハイレベルをとる。しかし
ながら、一定時間が経過して診断パルスが消滅したとき
に、インダクタンス負荷であるソレノイド部１２ｓが逆
起電圧Ｖｘを発生すると、電界効果トランジスタＱｆの
ドレイン電圧は急激に上昇し、図２（Ｂ）に実線で示し
たように、ダイナミッククランプ回路１５のクランプ電
圧Ｖｃにクランプされる。その結果、コンパレータ１４
ｃの反転入力端子に印加される判定電圧Ｖｊが非反転入
力端子に印加される基準電圧Ｖｒを上回り、コンパレー
タ１４ｃの出力電圧はロウレベルに反転する。これによ
り、ショート故障検出回路１４内の判定出力回路１４ｄ
から、負荷ショートが発生していないことを示す判定出
力が得られる。Here, the diagnostic pulse generating circuit 13 is configured as shown in FIG.
As shown in FIG. 3A, it is assumed that a gate voltage that is maintained over a certain period of time is supplied as a diagnostic pulse. Solenoid valve 12
Is normal, the judgment voltage Vj applied to the inverting terminal of the comparator 14c in the short failure detection circuit 14 is
Lower than the reference voltage Vr set at the non-inverting input terminal,
The output of the comparator 14c takes a high level. However, when the diagnostic pulse disappears after a certain period of time and the solenoid unit 12s, which is an inductance load, generates the back electromotive voltage Vx, the drain voltage of the field effect transistor Qf sharply increases, and FIG. Is clamped to the clamp voltage Vc of the dynamic clamp circuit 15 as shown by the solid line in FIG. As a result, the comparator 14
The judgment voltage Vj applied to the inverting input terminal of c exceeds the reference voltage Vr applied to the non-inverting input terminal, and the output voltage of the comparator 14c is inverted to a low level. Thereby, the judgment output circuit 14d in the short fault detection circuit 14
Thus, a determination output indicating that no load short has occurred is obtained.
【００１４】なお、コンパレータ１４ｃはヒステリシス
付きであるから、診断期間としては、図２（Ｃ）に示し
たように、判定電圧Ｖｊが基準電圧Ｖｒを越えて上昇す
る時点と、判定電圧Ｖｊが基準電圧Ｖｒよりもヒステリ
シス電圧ΔＶｈだけ低い電圧（Ｖｒ−ΔＶｈ）を横切っ
て下降する時点までの間となる。このため、ヒステリシ
ス幅ΔＶｈを大に設定することで、判定出力回路１４ｄ
が判定結果を出力までの時間を十分に確保し、確実な判
定を下すことができる。Since the comparator 14c is provided with hysteresis, as shown in FIG. 2C, the diagnostic period includes a time when the judgment voltage Vj rises above the reference voltage Vr and a time when the judgment voltage Vj is higher than the reference voltage Vr. This is until the time when the voltage drops across the voltage (Vr-ΔVh) lower than the voltage Vr by the hysteresis voltage ΔVh. Therefore, by setting the hysteresis width ΔVh large, the judgment output circuit 14d
Can secure a sufficient time until the output of the determination result, and can make a reliable determination.
【００１５】一方、電磁弁１２のソレノイド部１２ｓが
ショート故障を引き起こした場合、診断パルス発生回路
１３が診断パルスを発生して電界効果トランジスタＱｆ
を導通させ、コンパレータ１１出力はハイレベルをと
る。ただし、一定時間が経過して診断パルスが消滅して
も、本来であればインダクタンス負荷である筈のソレノ
イド部１２ｃは逆起電圧Ｖｘを発生しない。このため、
図２（Ｂ）に点線で示したように、電界効果トランジス
タＱｆのドレイン電圧が急上昇することはなく、ショー
ト故障検出回路１４内のコンパレータ１４ｃの反転端子
に印加される判定電圧Ｖｊは非反転端子に印加されてい
る基準電圧Ｖｒに満たない。その結果、診断パルスが消
滅しても、図２（Ｄ）に示したように、コンパレータ１
４ｃの出力電圧はハイレベルのままであり、ショート故
障検出回路１４によりソレノイド部１２ｓのショート故
障が検出される。On the other hand, when the solenoid 12s of the solenoid valve 12 causes a short-circuit failure, the diagnostic pulse generating circuit 13 generates a diagnostic pulse to generate a field effect transistor Qf.
, And the output of the comparator 11 takes a high level. However, even if the diagnostic pulse disappears after a certain period of time, the solenoid 12c, which should be an inductance load, does not generate the back electromotive voltage Vx. For this reason,
As shown by the dotted line in FIG. 2B, the drain voltage of the field-effect transistor Qf does not rise sharply, and the judgment voltage Vj applied to the inverting terminal of the comparator 14c in the short-circuit failure detecting circuit 14 is the non-inverting terminal. Is less than the reference voltage Vr applied. As a result, even if the diagnostic pulse disappears, as shown in FIG.
The output voltage of 4c remains at the high level, and the short-circuit failure detection circuit 14 detects a short-circuit failure of the solenoid 12s.
【００１６】このように、上記電磁弁診断装置１１は、
電磁弁１２のソレノイド部１２ｓへの通電をスイッチン
グ制御する電界効果トランジスタＱｆを診断パルスによ
り一定時間に亙って導通させ、診断パルスの消滅に合わ
せてソレノイド部１２ｓに発生する逆起電圧Ｖｘをしき
い値判別し、ソレノイド部１２ｓのショート故障の有無
を判定する構成としたから、スイッチング素子として導
通抵抗の低いＭＯＳＦＥＴを用いていても、診断パルス
の供給時点で観測されるソレノイド部１２ｓと電界効果
トランジスタＱｆの接続点における微妙な電圧変化では
なく、診断パルスの消滅時点でソレノイド部１２ｓに発
生する逆起電圧Ｖｆの有無に応じてソレノイド部１２ｓ
のショート故障を適確に判定することができ、従ってス
イッチング素子の種類によらない電磁弁１２の診断が可
能である。また、診断パルスが消滅した時点で診断を行
うため、診断パルスのパルス持続時間の長短は問題では
なく、従って診断パルスの持続時間を必要最小限に止
め、診断目的とは言え、ソレノイド部１２ｓに対し必要
以上に通電しないで済ませることができる。As described above, the solenoid valve diagnostic device 11 is
The field effect transistor Qf, which controls the energization of the solenoid portion 12s of the solenoid valve 12, is turned on by a diagnostic pulse for a certain period of time, and a counter electromotive voltage Vx generated in the solenoid portion 12s in accordance with the disappearance of the diagnostic pulse. The threshold value is determined to determine the presence or absence of a short-circuit failure of the solenoid unit 12s. Therefore, even if a MOSFET having a low conduction resistance is used as a switching element, the solenoid unit 12s and the electric field effect observed at the time of supply of the diagnostic pulse are used. Rather than a subtle voltage change at the connection point of the transistor Qf, the solenoid unit 12s is controlled according to the presence or absence of the back electromotive voltage Vf generated in the solenoid unit 12s at the time when the diagnostic pulse disappears.
Can be accurately determined, and the diagnosis of the solenoid valve 12 can be performed regardless of the type of the switching element. Further, since the diagnosis is performed at the time when the diagnostic pulse disappears, the length of the pulse duration of the diagnostic pulse is not a problem. Therefore, the duration of the diagnostic pulse is minimized. On the other hand, it is not necessary to energize more than necessary.
【００１７】[0017]
【発明の効果】以上説明したように、本発明はによれ
ば、電磁弁のソレノイド部への通電をスイッチング制御
するスイッチング素子を診断パルスにより一定時間に亙
って導通させ、診断パルスの消滅に合わせてソレノイド
部に発生する逆起電圧をしきい値判別し、ソレノイド部
のショート故障の有無を判定する構成としたから、スイ
ッチング素子として導通抵抗の低いＭＯＳ ＦＥＴを用
いていても、診断パルスの供給時点で観測されるソレノ
イド部とスイッチング素子の接続点における微妙な電圧
変化ではなく、診断パルスの消滅時点でソレノイド部に
発生する逆起電圧の有無に応じてソレノイド部のショー
ト故障を適確に判定することができ、スイッチング素子
の種類によらない電磁弁の診断が可能であり、診断パル
スが消滅した時点で診断を行うため、診断パルスのパル
ス持続時間の長短は問題ではなく、従って診断パルスの
持続時間を必要最小限に止め、診断目的とは言え、ソレ
ノイド部に対し必要以上に通電しないで済む等の優れた
効果を奏する。As described above, according to the present invention, the switching element for controlling the energization of the solenoid portion of the solenoid valve is turned on by the diagnostic pulse for a certain period of time, and the diagnostic pulse is extinguished. In addition, since the back electromotive voltage generated in the solenoid unit is determined as a threshold value to determine the presence / absence of a short-circuit failure of the solenoid unit, even if a MOS FET having a low conduction resistance is used as a switching element, a diagnosis pulse is not generated. Correctly detects a short-circuit failure of the solenoid part according to the presence or absence of a back electromotive voltage generated in the solenoid part at the time of the disappearance of the diagnostic pulse, instead of the subtle voltage change at the connection point between the solenoid part and the switching element observed at the time of supply. The solenoid valve can be diagnosed irrespective of the type of switching element, and can be diagnosed when the diagnostic pulse disappears. The duration of the diagnostic pulse is not a problem, and therefore the duration of the diagnostic pulse is not necessary, so that the purpose of the diagnosis is not to supply power to the solenoid more than necessary. It has excellent effects.
【図１】本発明の電磁弁診断装置の一実施形態を示す回
路構成図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of a solenoid valve diagnostic device according to the present invention.
【図２】図１に示した回路各部の信号波形図である。FIG. 2 is a signal waveform diagram of each section of the circuit shown in FIG.
【図３】従来の電磁弁診断装置の一例を示す回路構成図
である。FIG. 3 is a circuit diagram showing an example of a conventional solenoid valve diagnostic device.
【図４】図３に示した回路各部の信号波形図である。4 is a signal waveform diagram of each section of the circuit shown in FIG.
【図５】スイッチング素子をＭＯＳ ＦＥＴで構成した
場合の図３に示した回路各部の信号波形図である。5 is a signal waveform diagram of each section of the circuit shown in FIG. 3 when a switching element is configured by a MOS FET.
１１ 電磁弁診断装置 １２ 電磁弁 １２ｓ ソレノイド部 １３ 診断パルス発生回路 １４ ショート故障検出回路 １４ｃ コンパレータ １４ｄ 判定出力回路 １５ ダイナミッククランプ回路 Ｑｆ 電界効果トランジスタ DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Solenoid valve diagnostic device 12 Solenoid valve 12s Solenoid part 13 Diagnosis pulse generation circuit 14 Short fault detection circuit 14c Comparator 14d Judgment output circuit 15 Dynamic clamp circuit Qf Field effect transistor
Claims (1)
の通電を制御される電磁弁と、前記スイッチング素子に
診断パルスを供給して導通させ、該診断パルスの消滅時
点で前記ソレノイド部に発生する逆起電圧をしきい値判
別し、予め設定した基準電圧以上の逆起電圧が発生しな
い場合は、前記ソレノイド部にショート故障が発生して
いると判定するショート故障検出手段とを具備すること
を特徴とする電磁弁診断装置。An electromagnetic valve controlled by a switching element to supply current to a solenoid unit, and a diagnostic pulse is supplied to the switching element to make the switching element conductive, and a counter electromotive voltage generated in the solenoid unit when the diagnostic pulse disappears. And a short failure detecting means for determining that a short failure has occurred in the solenoid unit when a back electromotive voltage equal to or higher than a preset reference voltage is not generated. Solenoid valve diagnostic device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2116398A JPH11218256A (en) | 1998-02-02 | 1998-02-02 | Solenoid valve diagnosing device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2116398A JPH11218256A (en) | 1998-02-02 | 1998-02-02 | Solenoid valve diagnosing device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11218256A true JPH11218256A (en) | 1999-08-10 |
Family
ID=12047255
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2116398A Pending JPH11218256A (en) | 1998-02-02 | 1998-02-02 | Solenoid valve diagnosing device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11218256A (en) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002324710A (en) * | 2000-12-28 | 2002-11-08 | Komatsu Ltd | Method and device for judging abnormal inductive load |
| KR100405692B1 (en) * | 2000-12-26 | 2003-11-14 | 현대자동차주식회사 | A diagnosis method of the variable force solenoid valve |
| KR100599331B1 (en) | 2005-07-15 | 2006-07-19 | 씨멘스 오토모티브 주식회사 | Simulating apparatus for diagonising error of solenode valve |
| WO2009059079A3 (en) * | 2007-10-31 | 2009-07-16 | Kelsey Hayes Co | Method to detect shorted solenoid coils |
| JP2010073705A (en) * | 2008-09-16 | 2010-04-02 | Mikuni Corp | Plunger position detecting device and solenoid valve |
| CN104066626A (en) * | 2012-01-25 | 2014-09-24 | 罗伯特·博世有限公司 | Method and device for detecting a usability of a control device |
| JPWO2017130669A1 (en) * | 2016-01-29 | 2018-08-16 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | Electromagnetic load drive device, in-vehicle control system |
-
1998
- 1998-02-02 JP JP2116398A patent/JPH11218256A/en active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100405692B1 (en) * | 2000-12-26 | 2003-11-14 | 현대자동차주식회사 | A diagnosis method of the variable force solenoid valve |
| JP2002324710A (en) * | 2000-12-28 | 2002-11-08 | Komatsu Ltd | Method and device for judging abnormal inductive load |
| KR100599331B1 (en) | 2005-07-15 | 2006-07-19 | 씨멘스 오토모티브 주식회사 | Simulating apparatus for diagonising error of solenode valve |
| WO2009059079A3 (en) * | 2007-10-31 | 2009-07-16 | Kelsey Hayes Co | Method to detect shorted solenoid coils |
| US7609069B2 (en) | 2007-10-31 | 2009-10-27 | Kelsey-Hayes Company | Method to detect shorted solenoid coils |
| JP2010073705A (en) * | 2008-09-16 | 2010-04-02 | Mikuni Corp | Plunger position detecting device and solenoid valve |
| CN104066626A (en) * | 2012-01-25 | 2014-09-24 | 罗伯特·博世有限公司 | Method and device for detecting a usability of a control device |
| JP2015504024A (en) * | 2012-01-25 | 2015-02-05 | ローベルト ボッシュ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | Method and apparatus for detecting the availability of a control device |
| US10507779B2 (en) | 2012-01-25 | 2019-12-17 | Robert Bosch Gmbh | Method and device for detecting a usability of a control device |
| JPWO2017130669A1 (en) * | 2016-01-29 | 2018-08-16 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | Electromagnetic load drive device, in-vehicle control system |
| US10770886B2 (en) | 2016-01-29 | 2020-09-08 | Hitachi Automotive Systems, Ltd. | Electromagnetic load drive device and in-vehicle control system |
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