JPH11214723A - 太陽電池素子の製造方法 - Google Patents
太陽電池素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH11214723A JPH11214723A JP10017088A JP1708898A JPH11214723A JP H11214723 A JPH11214723 A JP H11214723A JP 10017088 A JP10017088 A JP 10017088A JP 1708898 A JP1708898 A JP 1708898A JP H11214723 A JPH11214723 A JP H11214723A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- electrode
- solar cell
- glass layer
- surface electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 浅いＮ層上に電極を形成すると電極材料中の
ガラスフフリットがＮ層中に侵入してＮ層を突き抜け、
太陽電池を形成した場合にリーク電流が発生するという
問題があった。 【解決手段】 Ｐ型シリコン基板の一主面側にＮ層と表
面電極を形成すると共に、他の主面側に裏面電極を形成
する太陽電池素子の製造方法において、前記シリコン基
板の一主面側にＮ層を形成する際に生成する燐ガラス層
を残したまま電極材料を塗布して焼き付けることによっ
て前記表面電極を形成する。
ガラスフフリットがＮ層中に侵入してＮ層を突き抜け、
太陽電池を形成した場合にリーク電流が発生するという
問題があった。 【解決手段】 Ｐ型シリコン基板の一主面側にＮ層と表
面電極を形成すると共に、他の主面側に裏面電極を形成
する太陽電池素子の製造方法において、前記シリコン基
板の一主面側にＮ層を形成する際に生成する燐ガラス層
を残したまま電極材料を塗布して焼き付けることによっ
て前記表面電極を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は太陽電池素子の製造
方法に関し、特にシリコン基板内にＰ−Ｎ接合部を有す
る太陽電池素子の製造方法に関する。
方法に関し、特にシリコン基板内にＰ−Ｎ接合部を有す
る太陽電池素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】シリ
コン基板を用いて形成される太陽電池素子は、第２図に
示すように、シリコンウェハー２１に内部電場を形成す
るためのＰ−Ｎ接合部２２と、入射した光によって発生
した少数荷電担体を集める表面電極２３と裏面電極２４
とから構成されている。さらに、必要に応じてシリコン
ウェハー２１の受光面に反射防止膜２５が形成される。
コン基板を用いて形成される太陽電池素子は、第２図に
示すように、シリコンウェハー２１に内部電場を形成す
るためのＰ−Ｎ接合部２２と、入射した光によって発生
した少数荷電担体を集める表面電極２３と裏面電極２４
とから構成されている。さらに、必要に応じてシリコン
ウェハー２１の受光面に反射防止膜２５が形成される。
【０００３】このような太陽電池素子においては、短波
長側の分光感度を向上させて高い光電変換特性を得るた
めに、第３図に示すように、Ｐ−Ｎ接合部２２を浅く形
成して表面電極２３とシリコンウェハー２１のＮ層２１
ａが接合する領域にＮ型ドープ剤であるリンなどが高濃
度となるＮ+ 領域２１ａ′を形成することが知られてい
る。
長側の分光感度を向上させて高い光電変換特性を得るた
めに、第３図に示すように、Ｐ−Ｎ接合部２２を浅く形
成して表面電極２３とシリコンウェハー２１のＮ層２１
ａが接合する領域にＮ型ドープ剤であるリンなどが高濃
度となるＮ+ 領域２１ａ′を形成することが知られてい
る。
【０００４】即ち、Ｎ層２１ａ中に低濃度ドープ領域２
１ａと高濃度ドープ領域２１ａ′とが結合するＨ／Ｌ
（ハイロー）接合である。このＨ／Ｌ接合は、少数荷電
担体の寿命を向上させるために、光が照射されるＮ層領
域２１ａを適当な抵抗値に設定し、かつ短波長側の分光
感度を向上させるために、Ｐ−Ｎ接合部２２を浅く形成
するとともに、電極２３と接合するＮ+ 領域２１ａ′を
低抵抗値に設定して電極２３とシリコンウェハー２１と
のオーミックコンタクトを達成することで高い光電変換
効率を得るものである。
１ａと高濃度ドープ領域２１ａ′とが結合するＨ／Ｌ
（ハイロー）接合である。このＨ／Ｌ接合は、少数荷電
担体の寿命を向上させるために、光が照射されるＮ層領
域２１ａを適当な抵抗値に設定し、かつ短波長側の分光
感度を向上させるために、Ｐ−Ｎ接合部２２を浅く形成
するとともに、電極２３と接合するＮ+ 領域２１ａ′を
低抵抗値に設定して電極２３とシリコンウェハー２１と
のオーミックコンタクトを達成することで高い光電変換
効率を得るものである。
【０００５】上述のＨ／Ｌ接合したＮ層２１ａを有する
太陽電池素子を生産性よく製造する方法としては、特開
昭５９−７９５８０号公報に開示されている方法があ
る。これはＰ−Ｎ接合部２２を形成する際に、シリコン
ウェハー２１の外表面に形成される燐ガラス層２６を再
利用するものである。
太陽電池素子を生産性よく製造する方法としては、特開
昭５９−７９５８０号公報に開示されている方法があ
る。これはＰ−Ｎ接合部２２を形成する際に、シリコン
ウェハー２１の外表面に形成される燐ガラス層２６を再
利用するものである。
【０００６】つまり、オキシ塩化リン（ＰＯＣｌ3 ）を
用いてリン原子を拡散することによって、Ｐ型シリコン
ウェハー２１にＮ層２１ａを形成するとき、シリコンウ
ェハー２１の外表面にリン原子を含むガラス層２６が形
成される（図４（ａ））。この燐ガラス層２６をレジス
ト膜と所定のエッチング液を用いて表面電極２３が被着
される部分のみを残して９００℃程度で加熱処理を行う
（図４（ｂ））。これにより残存する燐ガラス層２６の
リン原子がＮ層２１ａ中に再拡散され、Ｎ＋領域２１
ａ′が形成される（図４（ｃ））。その後、燐ガラス層
２６及びシリコンウェハー２１の側面及び裏面の不要な
Ｎ層２１ａを除去して（図４（ｄ））、反射防止膜４、
表面電極２、及び裏面電極３を形成する（図２）。
用いてリン原子を拡散することによって、Ｐ型シリコン
ウェハー２１にＮ層２１ａを形成するとき、シリコンウ
ェハー２１の外表面にリン原子を含むガラス層２６が形
成される（図４（ａ））。この燐ガラス層２６をレジス
ト膜と所定のエッチング液を用いて表面電極２３が被着
される部分のみを残して９００℃程度で加熱処理を行う
（図４（ｂ））。これにより残存する燐ガラス層２６の
リン原子がＮ層２１ａ中に再拡散され、Ｎ＋領域２１
ａ′が形成される（図４（ｃ））。その後、燐ガラス層
２６及びシリコンウェハー２１の側面及び裏面の不要な
Ｎ層２１ａを除去して（図４（ｄ））、反射防止膜４、
表面電極２、及び裏面電極３を形成する（図２）。
【０００７】しかし乍ら、かかる製造方法では、燐ガラ
ス層２６をパターニングしてＮ+ 領域２１ａ′を高温工
程で形成し、燐ガラス層２６を除去した後に、さらにこ
のＮ+ 領域２１ａ′上に電極材料を塗布して焼き付ける
ことによって表面電極２３（図３参照）を形成しなけれ
ばならないことから、９００℃程度の極めて高温工程が
必要で製造工程が煩雑であるとともに、製造が極めて困
難であるという問題があった。
ス層２６をパターニングしてＮ+ 領域２１ａ′を高温工
程で形成し、燐ガラス層２６を除去した後に、さらにこ
のＮ+ 領域２１ａ′上に電極材料を塗布して焼き付ける
ことによって表面電極２３（図３参照）を形成しなけれ
ばならないことから、９００℃程度の極めて高温工程が
必要で製造工程が煩雑であるとともに、製造が極めて困
難であるという問題があった。
【０００８】このような問題を解決するために、Ｎ層２
１ａのシート抵抗を例えば４０Ω／□程度に下げて、こ
のＮ層２１ａに直接表面電極２３を形成することも考え
られるが、Ｎ層２１ａのシート抵抗を下げると、発電す
る電流値も下がり、変換効率が低下するという問題を誘
発する。
１ａのシート抵抗を例えば４０Ω／□程度に下げて、こ
のＮ層２１ａに直接表面電極２３を形成することも考え
られるが、Ｎ層２１ａのシート抵抗を下げると、発電す
る電流値も下がり、変換効率が低下するという問題を誘
発する。
【０００９】さらに、Ｎ層２１ａのシート抵抗を例えば
６０Ω／□程度に上げて、このＮ層２１ａに直接表面電
極２３を形成すると、表面電極２３を形成する際に、電
極材料のペースト中のガラスフリットなどがＮ層２１ａ
を突き抜けてＰ層２１ｂまで到達し、太陽電池素子を形
成した場合に、リーク電流が増大して出力特性が低下す
るという問題があった。特に、電流値を向上させるため
に、シート抵抗を大きくしようとすると、Ｎ層２１ａは
浅く形成せざるを得ず、電極材料を焼き付ける際に電極
材料中のガラスフリットがＮ層２１ａを突き抜ける可能
性は大きくなる。
６０Ω／□程度に上げて、このＮ層２１ａに直接表面電
極２３を形成すると、表面電極２３を形成する際に、電
極材料のペースト中のガラスフリットなどがＮ層２１ａ
を突き抜けてＰ層２１ｂまで到達し、太陽電池素子を形
成した場合に、リーク電流が増大して出力特性が低下す
るという問題があった。特に、電流値を向上させるため
に、シート抵抗を大きくしようとすると、Ｎ層２１ａは
浅く形成せざるを得ず、電極材料を焼き付ける際に電極
材料中のガラスフリットがＮ層２１ａを突き抜ける可能
性は大きくなる。
【００１０】本発明はこのような従来方法の問題点に鑑
みてなされたものであり、Ｎ層が比較的高抵抗でも、こ
のＮ層上にこのＮ層を破壊することなく電極を形成する
ことができる太陽電池素子の製造方法を提供することを
目的とする。
みてなされたものであり、Ｎ層が比較的高抵抗でも、こ
のＮ層上にこのＮ層を破壊することなく電極を形成する
ことができる太陽電池素子の製造方法を提供することを
目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る太陽電池素子の製造方法では、Ｐ型シ
リコン基板の一主面側にＮ層と表面電極を形成すると共
に、他の主面側に裏面電極を形成する太陽電池素子の製
造方法において、前記シリコン基板の一主面側にＮ層を
形成する際に生成する燐ガラス層を残したまま電極材料
を塗布して焼き付けることによって前記表面電極を形成
することを特徴とする。
に、本発明に係る太陽電池素子の製造方法では、Ｐ型シ
リコン基板の一主面側にＮ層と表面電極を形成すると共
に、他の主面側に裏面電極を形成する太陽電池素子の製
造方法において、前記シリコン基板の一主面側にＮ層を
形成する際に生成する燐ガラス層を残したまま電極材料
を塗布して焼き付けることによって前記表面電極を形成
することを特徴とする。
【００１２】また、本発明に係る太陽電池素子の製造方
法では、前記シリコン基板の一主面側にＮ層を形成する
際に生成する燐ガラス層のうち、前記表面電極を形成す
る領域だけ残して、この燐ガラス層上に前記電極材料を
塗布して焼き付けることによって前記表面電極を形成す
ることが望ましい。
法では、前記シリコン基板の一主面側にＮ層を形成する
際に生成する燐ガラス層のうち、前記表面電極を形成す
る領域だけ残して、この燐ガラス層上に前記電極材料を
塗布して焼き付けることによって前記表面電極を形成す
ることが望ましい。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明を添付図面に基づい
て詳細に説明する。図１は本発明の太陽電池素子の製造
方法を示す工程図である。Ｐ型を呈する多結晶シリコン
ウェハー１を拡散炉中に配置して、オキシ塩化リン（Ｐ
ＯＣｌ3 ）中で加熱することによって、ウェハー１の表
面部分にリン原子を拡散させてＮ層２を形成し、Ｐ−Ｎ
接合部３を形成する。この熱拡散により、ウェハー１の
外表面にはリン原子を合む燐ガラス層４が形成される。
なお、５はシリコンウェハー中のＰ領域を示す（図１
（ａ））。
て詳細に説明する。図１は本発明の太陽電池素子の製造
方法を示す工程図である。Ｐ型を呈する多結晶シリコン
ウェハー１を拡散炉中に配置して、オキシ塩化リン（Ｐ
ＯＣｌ3 ）中で加熱することによって、ウェハー１の表
面部分にリン原子を拡散させてＮ層２を形成し、Ｐ−Ｎ
接合部３を形成する。この熱拡散により、ウェハー１の
外表面にはリン原子を合む燐ガラス層４が形成される。
なお、５はシリコンウェハー中のＰ領域を示す（図１
（ａ））。
【００１４】次に、シリコンウェハー１の一主面側にレ
ジスト膜６を塗布して弗酸（ＨＦ）と硝酸（Ｎ２Ｏ）を
主成分とするエッチング液に浸漬して、シリコンウェハ
ー１の側面部と他の主面側の燐ガラス層４およびＮ層２
を除去した後、シリコンウェハー１の一主面側のレジス
ト膜６を除去し、純水で洗浄する（図１（ｂ）
（ｃ））。
ジスト膜６を塗布して弗酸（ＨＦ）と硝酸（Ｎ２Ｏ）を
主成分とするエッチング液に浸漬して、シリコンウェハ
ー１の側面部と他の主面側の燐ガラス層４およびＮ層２
を除去した後、シリコンウェハー１の一主面側のレジス
ト膜６を除去し、純水で洗浄する（図１（ｂ）
（ｃ））。
【００１５】次に、シリコンウェハー１の一主面側の表
面電極が形成される領域にレジスト膜７を塗布して、弗
酸（ＨＦ）の水溶液中に浸漬することによって、Ｎ層２
の表面部に残存する燐ガラス層４を除去する（図１
（ｄ）（ｅ））。なお、表面電極を形成する領域の燐ガ
ラス層４は除去しない。この場合、Ｎ層２は０．３μｍ
程度までの厚みに形成し、シート抵抗が６０Ω／□以上
になるように形成する。
面電極が形成される領域にレジスト膜７を塗布して、弗
酸（ＨＦ）の水溶液中に浸漬することによって、Ｎ層２
の表面部に残存する燐ガラス層４を除去する（図１
（ｄ）（ｅ））。なお、表面電極を形成する領域の燐ガ
ラス層４は除去しない。この場合、Ｎ層２は０．３μｍ
程度までの厚みに形成し、シート抵抗が６０Ω／□以上
になるように形成する。
【００１６】次に、残存した燐ガラス層４上に電極材料
をスクリーン印刷法などで印刷塗布して、７００℃程度
の温度で焼き付けることによって、表面電極８を形成す
る（図１（ｆ））。電極材料は銀粉末、ガラスフリッ
ト、バインダー、溶剤などを含有して構成される。この
ような電極材料を７００℃程度の温度で焼き付けると、
電極材料中のバインダーと溶剤は揮発し、銀粉末とガラ
スフリットだけが電極として残る。また、電極材料は燐
ガラス層４上に塗布されることから、この電極材料が加
熱されても、電極材料中のガラスフリットは燐ガラスに
固着するだけで、シリコン基板１中に侵入することはな
い。したがって、電極材料中のガラスフリットでＮ層２
が破壊されることもない。
をスクリーン印刷法などで印刷塗布して、７００℃程度
の温度で焼き付けることによって、表面電極８を形成す
る（図１（ｆ））。電極材料は銀粉末、ガラスフリッ
ト、バインダー、溶剤などを含有して構成される。この
ような電極材料を７００℃程度の温度で焼き付けると、
電極材料中のバインダーと溶剤は揮発し、銀粉末とガラ
スフリットだけが電極として残る。また、電極材料は燐
ガラス層４上に塗布されることから、この電極材料が加
熱されても、電極材料中のガラスフリットは燐ガラスに
固着するだけで、シリコン基板１中に侵入することはな
い。したがって、電極材料中のガラスフリットでＮ層２
が破壊されることもない。
【００１７】次に、シリコンウェハー１の一主面側に反
射防止膜１０を形成する（図１（ｇ））。反射防止膜１
０はシランとアンモニアとの混合ガスをプラズマＣＶＤ
法を用いて形成する。表面電極パターン８部分の反射防
止膜１０を除去して、純水で洗浄する（図１（ｇ））。
射防止膜１０を形成する（図１（ｇ））。反射防止膜１
０はシランとアンモニアとの混合ガスをプラズマＣＶＤ
法を用いて形成する。表面電極パターン８部分の反射防
止膜１０を除去して、純水で洗浄する（図１（ｇ））。
【００１８】最後に、シリコンウェハーの他の主面側
に、アルミニウム（Ａｌ）ぺーストを印刷焼成して裏面
電極１１を形成した後、半田デップ法により、表面電極
８と裏面電極１１の表面を半田層１２、１３で被覆する
（図１（ｈ））。
に、アルミニウム（Ａｌ）ぺーストを印刷焼成して裏面
電極１１を形成した後、半田デップ法により、表面電極
８と裏面電極１１の表面を半田層１２、１３で被覆する
（図１（ｈ））。
【００１９】尚、上述の実施例では電極３をＡｌぺース
トを用いて厚膜手法で形成したが、真空蒸着法、メッキ
法などの薄膜手法で形成してもよく、また反射肪止膜を
電極形成後に被着しても構わない。
トを用いて厚膜手法で形成したが、真空蒸着法、メッキ
法などの薄膜手法で形成してもよく、また反射肪止膜を
電極形成後に被着しても構わない。
【００２０】
【実施例】表面電極部分の燐ガラス層を残したまま、表
面電極を焼き付けた本発明の実施形態の方法による太陽
電池素子と、燐ガラス層を全て除去して表面電極を焼き
付けた従来の構造の太陽電池素子を形成して、それぞぞ
れの特性を測定した。なお、Ｎ層部分のシート抵抗は６
０Ω／□に設定したものである。その結果を表１に示
す。
面電極を焼き付けた本発明の実施形態の方法による太陽
電池素子と、燐ガラス層を全て除去して表面電極を焼き
付けた従来の構造の太陽電池素子を形成して、それぞぞ
れの特性を測定した。なお、Ｎ層部分のシート抵抗は６
０Ω／□に設定したものである。その結果を表１に示
す。
【００２１】
【表１】
【００２２】表１から明らかなように、本発明方法によ
る太陽電池素子では、従来方法による太陽電池素子に比
較して、解放電圧（Ｖoc）が５２ｍＶ向上し、曲線因子
（Ｆ．Ｆ．）が０．２２６向上し、変換効率（Ｅｆｆ
ｉ）が５．３％向上する。
る太陽電池素子では、従来方法による太陽電池素子に比
較して、解放電圧（Ｖoc）が５２ｍＶ向上し、曲線因子
（Ｆ．Ｆ．）が０．２２６向上し、変換効率（Ｅｆｆ
ｉ）が５．３％向上する。
【００２３】
【発明の効果】上述したように、本発明に係る太陽電池
素子の製造方法によれば、シリコン基板の一主面側にＮ
層を形成する際に生成する燐ガラス層を残したまま電極
材料を塗布して焼き付けることによって表面電極を形成
することから、Ｎ層を破壊することなく表面電極を形成
することができ、リーク電流が低減されて、曲線因子や
開放電圧が改善される太陽電池素子の製造方法を提供す
ることができる。
素子の製造方法によれば、シリコン基板の一主面側にＮ
層を形成する際に生成する燐ガラス層を残したまま電極
材料を塗布して焼き付けることによって表面電極を形成
することから、Ｎ層を破壊することなく表面電極を形成
することができ、リーク電流が低減されて、曲線因子や
開放電圧が改善される太陽電池素子の製造方法を提供す
ることができる。
【図１】本発明に係る太陽電池素子の製造方法の一実施
形態を示す工程図である。
形態を示す工程図である。
【図２】従来の太陽電池素子を示す断面図である。
【図３】従来の太陽電池素子を示す部分拡大断面図であ
る。
る。
【図４】従来の太陽電池素子の製造方法を示す工程図で
ある。
ある。
１‥‥‥シリコンウェハー、２‥‥‥Ｎ層、３‥‥‥Ｐ
−Ｎ接合部、４‥‥‥燐ガラス層、５‥‥‥Ｐ領域、８
‥‥‥表面電極、９‥‥‥Ｎ+ 領域、１０‥‥‥反射防
止膜、１１‥‥‥裏面電極
−Ｎ接合部、４‥‥‥燐ガラス層、５‥‥‥Ｐ領域、８
‥‥‥表面電極、９‥‥‥Ｎ+ 領域、１０‥‥‥反射防
止膜、１１‥‥‥裏面電極
Claims (3)
- 【請求項１】 Ｐ型シリコン基板の一主面側にＮ層と表
面電極を形成すると共に、他の主面側に裏面電極を形成
する太陽電池素子の製造方法において、前記シリコン基
板の一主面側にＮ層を形成する際に生成する燐ガラス層
を残したまま電極材料を塗布して焼き付けることによっ
て前記表面電極を形成することを特徴とする太陽電池素
子の製造方法。 - 【請求項２】 前記シリコン基板の一主面側にＮ層を形
成する際に生成する燐ガラス層のうち、前記表面電極を
形成する領域だけ残して、この燐ガラス層上に前記電極
材料を塗布して焼き付けることによって前記表面電極を
形成することを特徴とする請求項１に記載の太陽電池素
子の製造方法。 - 【請求項３】 前記シリコン基板の一主面側に形成され
るＮ層が６０Ω／□以上のシート抵抗を有することを特
徴とする請求項１又は請求項２に記載の太陽電池素子の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10017088A JPH11214723A (ja) | 1998-01-29 | 1998-01-29 | 太陽電池素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10017088A JPH11214723A (ja) | 1998-01-29 | 1998-01-29 | 太陽電池素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11214723A true JPH11214723A (ja) | 1999-08-06 |
Family
ID=11934242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10017088A Pending JPH11214723A (ja) | 1998-01-29 | 1998-01-29 | 太陽電池素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11214723A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008109164A (ja) * | 2008-01-17 | 2008-05-08 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池及び太陽電池モジュール |
| CN102509746A (zh) * | 2011-11-03 | 2012-06-20 | 湖南红太阳新能源科技有限公司 | 晶体硅太阳能电池的扩散工艺 |
| JP2014501456A (ja) * | 2010-12-29 | 2014-01-20 | ジーティーエイティー・コーポレーション | 薄い半導体膜上に支持要素を構築することによって装置を形成するための方法 |
-
1998
- 1998-01-29 JP JP10017088A patent/JPH11214723A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008109164A (ja) * | 2008-01-17 | 2008-05-08 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池及び太陽電池モジュール |
| JP4506838B2 (ja) * | 2008-01-17 | 2010-07-21 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池及び太陽電池モジュール |
| JP2014501456A (ja) * | 2010-12-29 | 2014-01-20 | ジーティーエイティー・コーポレーション | 薄い半導体膜上に支持要素を構築することによって装置を形成するための方法 |
| CN102509746A (zh) * | 2011-11-03 | 2012-06-20 | 湖南红太阳新能源科技有限公司 | 晶体硅太阳能电池的扩散工艺 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5609694A (en) | Solar cell and a method of manufacturing thereof | |
| KR101083204B1 (ko) | 백 컨택 태양전지 및 그 제조방법 | |
| KR100927725B1 (ko) | 태양 전지 및 이의 제조 방법 | |
| US8450602B2 (en) | Solar cell and manufacturing method thereof | |
| KR101225978B1 (ko) | 태양전지 및 그 제조방법 | |
| US7816167B2 (en) | Method of fabricating a differential doped solar cell | |
| JP2002329880A (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
| JP2007184580A (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
| KR19990063990A (ko) | 부분적으로 깊게 확산된 에미터가 있는 자가조정식(salde) 태양 전지 및 그 제조 방법 | |
| CN108666376B (zh) | 一种p型背接触太阳电池及其制备方法 | |
| KR20130007639A (ko) | 이면 전극형 태양전지 및 이면 전극형 태양전지의 제조방법 | |
| WO2010001473A1 (ja) | 光起電力装置およびその製造方法 | |
| JP4974756B2 (ja) | 太陽電池素子の製造方法 | |
| JP2010074126A (ja) | 相違性ドーピングソーラバッテリのワンステップ拡散製造方法 | |
| JPH02177569A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| KR20130050720A (ko) | 태양 전지 및 이의 제조 방법 | |
| JP2005183469A (ja) | 太陽電池セル | |
| JP2016051767A (ja) | 太陽電池素子の製造方法 | |
| JP2928433B2 (ja) | 光電変換素子の製造方法 | |
| JP2003273379A (ja) | 太陽電池素子 | |
| JPH11214723A (ja) | 太陽電池素子の製造方法 | |
| JP2004281569A (ja) | 太陽電池素子の製造方法 | |
| JP2001135834A (ja) | 光電変換素子およびその製造方法 | |
| JPS5979580A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JP2003273378A (ja) | 太陽電池素子 |