JPH11214312A - Apparatus for manufacturing semiconductor - Google Patents
Apparatus for manufacturing semiconductorInfo
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- JPH11214312A JPH11214312A JP10012497A JP1249798A JPH11214312A JP H11214312 A JPH11214312 A JP H11214312A JP 10012497 A JP10012497 A JP 10012497A JP 1249798 A JP1249798 A JP 1249798A JP H11214312 A JPH11214312 A JP H11214312A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、金属材料を腐食さ
せる性質を有する気体を用いて半導体を製造する半導体
製造装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus for manufacturing a semiconductor using a gas having a property of corroding a metal material.
【０００２】[0002]
【従来の技術】例えば半導体装置の基板となるウェーハ
の表面に所望の薄膜を形成する半導体製造装置として
は、ウェーハを収納して成膜するための反応炉を備えた
ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉ
ｔｉｏｎ）装置や拡散炉等のチューブ型半導体製造装置
が使用されている。図４は、縦型減圧ＣＶＤ装置の一例
の反応炉を示す平面図である。この反応炉１０は、反応
管１１、この反応管１１を支持するチューブ受けフラン
ジ１２及び反応管１１に対しウェーハ１が収納されたボ
ート１３を出し入れするボートフランジ１４で大略構成
されている。2. Description of the Related Art For example, as a semiconductor manufacturing apparatus for forming a desired thin film on the surface of a wafer serving as a substrate of a semiconductor device, a CVD (Chemical Vapor Deposition) equipped with a reactor for accommodating a wafer and forming a film is used.
tube type semiconductor manufacturing apparatuses such as a Tion apparatus and a diffusion furnace. FIG. 4 is a plan view showing a reaction furnace as an example of a vertical reduced pressure CVD apparatus. The reaction furnace 10 is generally constituted by a reaction tube 11, a tube receiving flange 12 supporting the reaction tube 11, and a boat flange 14 for putting a boat 13 containing the wafer 1 into and out of the reaction tube 11.
【０００３】反応管１１は、異なる径の円筒形状に形成
された例えば石英ガラスで成るインナーチューブ１１ａ
及びアウターチューブ１１ｂで構成されている。インナ
ーチューブ１１ａは両端が開放され、アウターチューブ
１１ｂは一端が閉じられ、他端が開放されており、イン
ナーチューブ１１ａはアウターチューブ１１ｂ内に挿入
されて二重管として構成されている。チューブ受けフラ
ンジ１２は、円環形状に形成された例えばステンレスで
成るフランジ部１２ａ及びこのフランジ部１２ａに配設
されているガス導入管１２ｂ、１２ｃ、ガス排出管１２
ｄで構成されている。[0003] A reaction tube 11 is an inner tube 11a made of, for example, quartz glass formed into a cylindrical shape having a different diameter.
And the outer tube 11b. Both ends of the inner tube 11a are open, one end of the outer tube 11b is closed, and the other end is open. The inner tube 11a is inserted into the outer tube 11b to form a double tube. The tube receiving flange 12 includes an annular flange portion 12a made of, for example, stainless steel, and gas introduction pipes 12b and 12c and a gas exhaust pipe 12 provided in the flange portion 12a.
d.
【０００４】フランジ部１２ａは、一端面がインナーチ
ューブ１１ａとアウターチューブ１１ｂの各開放端と密
着して反応管１１を縦方向に支持するように構成されて
いる。ガス導入管１２ｂ、１２ｃ、ガス排出管１２ｄ
は、フランジ部１２ａの外周面と内周面との間を貫通し
ており、ガス導入管１２ｂはインナーチューブ１１ａと
アウターチューブ１１ｂとの間にガスを導入し、ガス導
入管１２ｃはインナーチューブ１１ａ内にガスを導入
し、ガス排出管１２ｄはインナーチューブ１１ａとアウ
ターチューブ１１ｂとの間のガスを排出するように構成
されている。The flange portion 12a is configured so that one end surface thereof is in close contact with each open end of the inner tube 11a and the outer tube 11b to support the reaction tube 11 in the vertical direction. Gas introduction pipes 12b and 12c, gas discharge pipe 12d
Penetrates between the outer peripheral surface and the inner peripheral surface of the flange portion 12a, the gas introduction pipe 12b introduces gas between the inner tube 11a and the outer tube 11b, and the gas introduction pipe 12c The gas is introduced into the inside, and the gas discharge pipe 12d is configured to discharge the gas between the inner tube 11a and the outer tube 11b.
【０００５】ボート１３は、例えば石英ガラスで形成さ
れており、複数のウェーハ１を所定の間隔で積層支持で
きるように構成されている。ボートフランジ１４は、円
盤形状に形成された例えばステンレスで成るフランジ部
１４ａ及びこのフランジ部１４ａ上に固定されている円
柱形状に形成された例えば石英ガラスで成る支持部１４
ｂで構成されている。そして、ボートフランジ１４は、
図示しない駆動手段により図示矢印ａ，ｂ方向に移動可
能に構成されている。フランジ部１４ａは、一端面にＯ
リング１４ｃが配設されており、チューブ受けフランジ
１２のフランジ部１２ａの他端面と接触して密着するよ
うに構成されている。支持部１４ｂは、一端面にウェー
ハ１が収納されたボート１３を載置するように構成され
ている。[0005] The boat 13 is formed of, for example, quartz glass, and is configured to be able to stack and support a plurality of wafers 1 at predetermined intervals. The boat flange 14 includes a disk-shaped flange portion 14a made of, for example, stainless steel, and a cylindrical support member 14 made of, for example, quartz glass fixed on the flange portion 14a.
b. And the boat flange 14
The drive means (not shown) is configured to be movable in the directions indicated by arrows a and b. The flange portion 14a has an O
A ring 14c is provided, and is configured to be in contact with and in close contact with the other end surface of the flange portion 12a of the tube receiving flange 12. The support portion 14b is configured to place the boat 13 in which the wafer 1 is stored on one end surface.
【０００６】このような構成において、ウェーハ１の表
面に所望の薄膜を形成する場合には、先ず、複数のウェ
ーハ１をボートフランジ１４の支持部１４ｂ上に載置さ
れているボート１３に所定の間隔で積層する。そして、
ボートフランジ１４を図示矢印ａ方向に移動させて、ボ
ート１３を反応管１１のインナーチューブ１１ａ内に挿
入する。ボートフランジ１４のフランジ部１４ａの一端
面をチューブ受けフランジ１２のフランジ部１２ａの他
端面に接触させ、反応管１１とボートフランジ１４の間
をＯリング１４ｃにより密閉してインナーチューブ１１
ａ内に反応室を形成する。In such a configuration, when a desired thin film is formed on the surface of the wafer 1, first, a plurality of wafers 1 are placed on a boat 13 mounted on a support portion 14b of a boat flange 14 in a predetermined manner. Laminate at intervals. And
The boat flange 14 is moved in the direction of the arrow a in the drawing to insert the boat 13 into the inner tube 11 a of the reaction tube 11. One end surface of the flange portion 14 a of the boat flange 14 is brought into contact with the other end surface of the flange portion 12 a of the tube receiving flange 12, and the space between the reaction tube 11 and the boat flange 14 is sealed with an O-ring 14 c to form the inner tube 11.
A reaction chamber is formed in a.
【０００７】次に、図示しない加熱手段により反応室内
を加熱すると共に、ガス排出管１２ｄに接続されている
ゲートバルブ１５を開けポンプ１６を駆動して反応室内
を減圧する。そして、例えば窒素等の不活性ガスをガス
導入管１２ｂから反応管１１のインナーチューブ１１ａ
とアウターチューブ１１ｂとの間を介して反応室内に導
入すると共に、薄膜材料を構成する元素から成る例えば
塩素等のハロゲン系ガスをガス導入管１２ｃから反応室
内に導入する。Next, the reaction chamber is heated by a heating means (not shown), and the gate valve 15 connected to the gas discharge pipe 12d is opened to drive the pump 16 to reduce the pressure in the reaction chamber. Then, an inert gas such as nitrogen is supplied from the gas introduction tube 12b to the inner tube 11a of the reaction tube 11.
And the outer tube 11b are introduced into the reaction chamber, and a halogen-based gas such as chlorine, which is an element constituting the thin film material, is introduced into the reaction chamber from the gas introduction pipe 12c.
【０００８】これにより、気相またはウェーハ１の表面
で化学反応が起こり、ウェーハ１の表面に所望の薄膜を
形成させることができる。その後、反応室内を冷却する
と共に常圧に戻し、ボートフランジ１４を図示矢印ｂ方
向に移動させて、ボート１３を反応管１１のインナーチ
ューブ１１ａ外へ出し、ウェーハ１をボート１３から取
出す。As a result, a chemical reaction occurs in the gas phase or on the surface of the wafer 1, and a desired thin film can be formed on the surface of the wafer 1. Thereafter, the reaction chamber is cooled and returned to normal pressure, the boat flange 14 is moved in the direction of arrow b in the drawing, the boat 13 is taken out of the inner tube 11a of the reaction tube 11, and the wafer 1 is taken out of the boat 13.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
製造装置である縦形減圧ＣＶＤ装置１０においては、そ
の反応室内での化学反応後に、残留しているハロゲン系
ガスやその副生成物が、反応管１１、チューブ受けフラ
ンジ１２、ボート１３、ボートフランジ１４等に吸着・
付着する。このハロゲン系ガスや副生成物は金属材料を
腐食させる性質を有するが、反応管１１やボート１３
は、例えば石英ガラス等の非腐食性材料が使用されてい
るため、特に問題は生じない。In the above-described vertical low-pressure CVD apparatus 10, which is a conventional semiconductor manufacturing apparatus, after the chemical reaction in the reaction chamber, the remaining halogen-based gas and its by-products react. Adsorbed to pipe 11, tube receiving flange 12, boat 13, boat flange 14, etc.
Adhere to. Although the halogen-based gas and by-products have a property of corroding metal materials, the reaction tube 11 and the boat 13
Does not cause any particular problem because a non-corrosive material such as quartz glass is used.
【００１０】ところが、チューブ受けフランジ１２やボ
ートフランジ１４は、反応室内の気密性及び反応管１１
やボート１３の加重上の耐性を持たせるため、例えばス
テンレス等の金属材料が使用されている。従って、ハロ
ゲン系ガスやその副生成物が、チューブ受けフランジ１
２やボートフランジ１４に吸着・付着すると、ウェーハ
１を取出す際に大気中の水分と反応し、チューブ受けフ
ランジ１２やボートフランジ１４の腐食を進行させる。
そして、チューブ受けフランジ１２やボートフランジ１
４に錆が発生し、縦形減圧ＣＶＤ装置１０の反応系内が
金属汚染されるおそれがあるという問題があった。[0010] However, the tube receiving flange 12 and the boat flange 14 are not provided with airtightness in the reaction chamber and the reaction tube 11.
In order to provide the weight resistance of the boat 13 and the boat 13, for example, a metal material such as stainless steel is used. Therefore, the halogen-based gas and its by-products are not transferred to the tube receiving flange
When the wafer 1 is taken out and adhered to the tube 2 and the boat flange 14, the wafer 1 reacts with moisture in the atmosphere when the wafer 1 is taken out, and the corrosion of the tube receiving flange 12 and the boat flange 14 proceeds.
Then, the tube receiving flange 12 and the boat flange 1
No. 4, there was a problem that rust was generated and the inside of the reaction system of the vertical type reduced pressure CVD apparatus 10 might be contaminated with metal.
【００１１】本発明は、上述した事情から成されたもの
であり、金属材料を腐食させる性質を有する気体を用い
る反応系内の金属汚染を防止することができる半導体製
造装置を提供することを目的とする。The present invention has been made under the above circumstances, and has as its object to provide a semiconductor manufacturing apparatus capable of preventing metal contamination in a reaction system using a gas having a property of corroding a metal material. And
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明にあ
っては、金属材料を腐食させる性質を有する気体を用い
て半導体を製造する半導体製造装置において、前記気体
が触れる構成部品のうち金属材料で成る構成部品の表面
を覆う非腐食性材料で成る被覆部を備えることにより達
成される。また、上記目的は、本発明にあっては、金属
材料を腐食させる性質を有する気体を用いて半導体を製
造する半導体製造装置において、前記気体が触れる構成
部品のうち回転機構を伴う金属材料で成る構成部品の全
体を覆う非腐食性材料で成る被覆部を備えることにより
達成される。According to the present invention, there is provided a semiconductor manufacturing apparatus for manufacturing a semiconductor using a gas having a property of corroding a metal material. This is achieved by providing a coating of non-corrosive material over the surface of the component made of material. Further, according to the present invention, in the present invention, in a semiconductor manufacturing apparatus for manufacturing a semiconductor using a gas having a property of corroding a metal material, the semiconductor device includes a metal material having a rotating mechanism among components touched by the gas. This is achieved by providing a coating of non-corrosive material over the entire component.
【００１３】上記構成によれば、反応系内で露出してい
る金属部材を被覆しているので、その金属部材の腐食を
防止することができ、反応系内の金属汚染を防止して不
純物を含まない半導体を製造することができる。According to the above configuration, since the metal member exposed in the reaction system is covered, corrosion of the metal member can be prevented, and metal contamination in the reaction system can be prevented to prevent impurities. It is possible to manufacture a semiconductor that does not contain any.
【００１４】[0014]
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施形態を
添付図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下に述べ
る実施形態は、本発明の好適な具体例であるから、技術
的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範
囲は、以下の説明において、特に本発明を限定する旨の
記載がない限り、これらの形態に限られるものではな
い。Preferred embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. Note that the embodiments described below are preferred specific examples of the present invention, and therefore, various technically preferable limitations are added. However, the scope of the present invention is not limited to the following description in the following description. It is not limited to these forms unless otherwise stated.
【００１５】図１は、本発明の半導体製造装置の実施形
態を示す断面図である。この半導体製造装置１００は、
縦型減圧ＣＶＤ装置であり、反応炉１１０と、ウェーハ
１が入っているカセット１２１を収納するカセット収納
部（バッファ棚）１２０、カセット収納部１２０からカ
セット移載棚１３０へカセット１２１を搬送するカセッ
ト搬送部１４０及びカセット移載棚１３０のカセット１
２１からウェーハ１を取出してボート１１３へ移載する
ウェーハ移載機１５０で大略構成されている。FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention. This semiconductor manufacturing apparatus 100
A vertical reduced-pressure CVD apparatus, which includes a reaction furnace 110, a cassette storage section (buffer shelf) 120 for storing a cassette 121 containing wafers 1, and a cassette for transferring the cassette 121 from the cassette storage section 120 to a cassette transfer shelf 130. The cassette 1 of the transport unit 140 and the cassette transfer shelf 130
A wafer transfer device 150 that takes out the wafer 1 from 21 and transfers it to the boat 113 is generally configured.
【００１６】図２は、上記反応炉１１０の一例を示す断
面平面図である。この反応炉１１０は、反応管１１１、
この反応管１１１を支持するチューブ受けフランジ１１
２、反応管１１１に対しウェーハ１が収納されたボート
１１３を出し入れするボートフランジ１１４及び反応管
１１１内で露出するチューブ受けフランジ１１２とボー
トフランジ１１４の部分をそれぞれ覆うカバープレート
１１５、１１６で大略構成されている。反応管１１１
は、異なる径の円筒形状に形成された例えば石英ガラス
で成るインナーチューブ１１１ａ及びアウターチューブ
１１１ｂで構成されている。FIG. 2 is a sectional plan view showing an example of the reaction furnace 110. The reaction furnace 110 includes a reaction tube 111,
Tube receiving flange 11 supporting this reaction tube 111
2. Roughly composed of a boat flange 114 for taking in and out the boat 113 containing the wafer 1 with respect to the reaction tube 111, a tube receiving flange 112 exposed in the reaction tube 111, and cover plates 115 and 116 for covering the boat flange 114, respectively. Have been. Reaction tube 111
Is composed of an inner tube 111a and an outer tube 111b made of, for example, quartz glass and formed in cylindrical shapes having different diameters.
【００１７】インナーチューブ１１１ａは両端が開放さ
れ、アウターチューブ１１１ｂは一端が閉じられ、他端
が開放されており、インナーチューブ１１１ａはアウタ
ーチューブ１１１ｂ内に挿入されて二重管として構成さ
れている。チューブ受けフランジ１１２は、円環形状に
形成された例えばステンレスで成るフランジ部１１２ａ
及びこのフランジ部１１２ａに配設されているガス導入
管１１２ｂ、１１２ｃ、ガス排出管１１２ｄで構成され
ている。Both ends of the inner tube 111a are open, one end of the outer tube 111b is closed, and the other end is open. The inner tube 111a is inserted into the outer tube 111b to form a double tube. The tube receiving flange 112 has a flange portion 112a formed of, for example, stainless steel and formed in an annular shape.
And gas introduction pipes 112b and 112c and a gas discharge pipe 112d provided on the flange 112a.
【００１８】フランジ部１１２ａは、一端面がインナー
チューブ１１１ａとアウターチューブ１１１ｂの各開放
端と密着して反応管１１１を縦方向に支持するように構
成されている。ガス導入管１１２ｂ、１１２ｃ、ガス排
出管１１２ｄは、フランジ部１１２ａの外周面と内周面
との間を貫通しており、ガス導入管１１２ｂはインナー
チューブ１１１ａとアウターチューブ１１１ｂとの間に
ガスを導入し、ガス導入管１１２ｃはインナーチューブ
１１１ａ内にガスを導入し、ガス排出管１１２ｄはイン
ナーチューブ１１１ａとアウターチューブ１１１ｂとの
間のガスを排出するように構成されている。The flange portion 112a is configured such that one end surface thereof is in close contact with the open ends of the inner tube 111a and the outer tube 111b to support the reaction tube 111 in the vertical direction. The gas introduction pipes 112b and 112c and the gas discharge pipe 112d penetrate between the outer peripheral surface and the inner peripheral surface of the flange portion 112a, and the gas introduction pipe 112b supplies gas between the inner tube 111a and the outer tube 111b. The gas is introduced into the inner tube 111a through the gas introduction tube 112c, and the gas exhaust tube 112d is configured to exhaust the gas between the inner tube 111a and the outer tube 111b.
【００１９】ボートフランジ１１４は、円盤形状に形成
された例えばステンレスで成るフランジ部１１４ａ、こ
のフランジ部１１４ａの中心に配設された例えばステン
レスで成る磁気シールユニット１１４ｂ、この磁気シー
ルユニット１１４ｂに支持された円盤形状に形成された
例えばステンレスで成る載置部１１４ｃ、この載置部１
１４ｃ上に載置された棒形状に形成された例えば石英ガ
ラスで成る断熱板ホルダ１１４ｄ及び円筒形状に形成さ
れた例えば石英ガラスで成る保温筒１１４ｅで構成され
ている。The boat flange 114 has a disk-shaped flange portion 114a made of, for example, stainless steel, a magnetic seal unit 114b made of, for example, stainless steel provided at the center of the flange portion 114a, and is supported by the magnetic seal unit 114b. Mounting portion 114c made of, for example, stainless steel formed in a disc shape, and this mounting portion 1
It is composed of a heat insulating plate holder 114d made of, for example, quartz glass formed in a bar shape and placed on the 14c, and a heat retaining tube 114e made of, for example, quartz glass formed in a cylindrical shape.
【００２０】そして、ボートフランジ１１４は、図示し
ない駆動手段により図示矢印ａ，ｂ方向に移動可能に構
成されており、載置部１１４ｃは、図示しない駆動手段
により図示矢印ｒ方向に回転可能に構成されている。フ
ランジ部１１４ａは、一端面にＯリング１１４ｆが配設
されており、チューブ受けフランジ１１２のフランジ部
１１２ａの他端面と接触して密着するように構成されて
いる。The boat flange 114 is configured to be movable in the directions of arrows a and b by drive means (not shown), and the mounting portion 114c is rotatable in the direction of arrow r by drive means (not shown). Have been. The flange portion 114a has an O-ring 114f provided on one end surface thereof, and is configured so as to be in contact with and in close contact with the other end surface of the flange portion 112a of the tube receiving flange 112.
【００２１】磁気シールユニット１１４ｂは、載置部１
１４ｃの中心に固定されている回転軸１１４ｂａ、この
回転軸１１４ｂａを支持する軸受け１１４ｂｂ及びこれ
らを外側から覆うユニット１１４ｂｃで構成されてい
る。載置部１１４ｃは、断熱板ホルダ１１４ｄ及び保温
筒１１４ｅを載置して固定できるように構成されてい
る。断熱板ホルダ１１４ｄは、複数の断熱板１１４ｄａ
の中心部及び外周の一部を固定して所定の間隔で積層支
持できるように構成されている。保温筒１１４ｅは、反
応室内の均熱性を維持するように、断熱板ホルダ１１４
ｄの外側を覆うように構成されている。The magnetic seal unit 114b is mounted on the receiver 1
It comprises a rotating shaft 114ba fixed at the center of 14c, a bearing 114bb for supporting the rotating shaft 114ba, and a unit 114bc for covering these from outside. The mounting portion 114c is configured to mount and fix the heat insulating plate holder 114d and the heat retaining cylinder 114e. The heat insulating plate holder 114d includes a plurality of heat insulating plates 114da.
And a part of the outer periphery of the rim is fixed and can be stacked and supported at predetermined intervals. The heat retaining cylinder 114e is provided with a heat insulating plate holder 114 so as to maintain a uniform temperature in the reaction chamber.
It is configured to cover the outside of d.
【００２２】カバープレート１１５は、内径部分に段差
を有する円環形状に形成され、ボートフランジ１１４の
フランジ部１１４ａの一端面上に載置されて、そのフラ
ンジ部１１４ａの一端面及びチューブ受けフランジ１１
２のフランジ部１１２ａの内周面を覆う例えば石英ガラ
ス等の非腐食性材料で成る被覆部として構成されてい
る。カバープレート１１６は、円環形状に形成されボー
トフランジ１１４の載置部１１４ｃの一端面上に載置さ
れて、その載置部１１４ｃの一端面を覆う例えば石英ガ
ラス等の非腐食性材料で成る被覆部として構成されてい
る。The cover plate 115 is formed in an annular shape having a step in the inner diameter portion, and is placed on one end surface of the flange portion 114a of the boat flange 114, and one end surface of the flange portion 114a and the tube receiving flange 11 are provided.
The second flange portion 112a is configured as a coating portion made of a non-corrosive material such as quartz glass to cover the inner peripheral surface thereof. The cover plate 116 is formed in an annular shape, is mounted on one end surface of the mounting portion 114c of the boat flange 114, and is made of a non-corrosive material such as quartz glass that covers one end surface of the mounting portion 114c. It is configured as a covering part.
【００２３】このような構成において、ウェーハ１の表
面に所望の薄膜を形成する場合には、先ず、カセット搬
送部１４０を駆動してカセット収納部１２０から所定の
カセット１２１を取出し、そのカセット１２１をカセッ
ト移載棚１３０へ搬送する。そして、ウェーハ移載機１
５０を駆動してカセット移載棚１３０に搬送されたカセ
ット１２１からウェーハ１を取出し、ボートフランジ１
１４の保温筒１１４ｅ上に載置されているボート１１３
へ移載する。In such a configuration, when a desired thin film is formed on the surface of the wafer 1, first, the cassette transfer section 140 is driven to take out a predetermined cassette 121 from the cassette storage section 120, and the cassette 121 is removed. The sheet is transported to the cassette transfer shelf 130. And the wafer transfer machine 1
The wafer 50 is taken out of the cassette 121 conveyed to the cassette transfer shelf 130 by driving the
The boat 113 mounted on the 14 heat retaining tubes 114e
Transfer to.
【００２４】複数のウェーハ１をボート１１３に所定の
間隔で積層したら、ボートフランジ１１４を図示矢印ａ
方向に移動させて、ボート１１３を反応管１１１のイン
ナーチューブ１１１ａ内に挿入する。そして、ボートフ
ランジ１１４のフランジ部１１４ａの一端面をチューブ
受けフランジ１１２のフランジ部１１２ａの他端面に接
触させ、反応管１１１とボートフランジ１１４の間をＯ
リング１１４ｄにより密閉してインナーチューブ１１１
ａ内に反応室を形成する。After a plurality of wafers 1 are stacked on the boat 113 at a predetermined interval, the boat flange 114 is moved
The boat 113 is inserted into the inner tube 111a of the reaction tube 111 by moving the boat 113 in the direction. Then, one end surface of the flange portion 114 a of the boat flange 114 is brought into contact with the other end surface of the flange portion 112 a of the tube receiving flange 112, and the space between the reaction tube 111 and the boat flange 114 is closed.
The inner tube 111 is sealed by a ring 114d.
A reaction chamber is formed in a.
【００２５】次に、図示しない加熱手段により反応室内
を加熱すると共に、ガス排出管１１２ｄに接続されてい
るゲートバルブを開けポンプを駆動して反応室内を減圧
する。そして、例えば窒素等の不活性ガスをガス導入管
１１２ｂから反応管１１１のインナーチューブ１１１ａ
とアウターチューブ１１１ｂとの間を介して反応室内に
導入すると共に、薄膜材料を構成する元素から成る例え
ば塩素等のハロゲン系ガスをガス導入管１１２ｃから反
応室内に導入する。Next, the reaction chamber is heated by a heating means (not shown), and a gate valve connected to the gas discharge pipe 112d is opened to drive a pump to reduce the pressure in the reaction chamber. Then, an inert gas such as nitrogen is supplied from the gas introduction tube 112b to the inner tube 111a of the reaction tube 111.
And the outer tube 111b are introduced into the reaction chamber, and a halogen-based gas such as chlorine, which is an element constituting the thin film material, is introduced into the reaction chamber from the gas introduction pipe 112c.
【００２６】これにより、気相またはウェーハ１の表面
で化学反応が起こり、ウェーハ１の表面に所望の薄膜を
形成させることができる。その後、反応室内を冷却する
と共に常圧に戻し、ボートフランジ１１４を図示矢印ｂ
方向に移動させて、ボート１１３を反応管１１１のイン
ナーチューブ１１ａ外へ出し、ウェーハ１をボート１１
３から取出す。As a result, a chemical reaction occurs in the gas phase or on the surface of the wafer 1, and a desired thin film can be formed on the surface of the wafer 1. Thereafter, the reaction chamber is cooled and the pressure is returned to normal pressure.
The wafer 113 is moved out of the inner tube 11a of the reaction tube 111 so that the wafer 1 is
Take out from 3.
【００２７】以上の構成の縦形減圧ＣＶＤ装置１００に
よれば、その反応室内での化学反応後に、残留している
ハロゲン系ガスやその副生成物は、チューブ受けフラン
ジ１１２やボートフランジ１１４等に直接吸着・付着せ
ず、カバープレート１１５、１１６に吸着・付着する
が、これらのカバープレート１１５、１１６は、例えば
石英ガラス等の非腐食性材料が使用されているため、特
に問題は生じない。従って、チューブ受けフランジ１１
２やボートフランジ１１４における錆の発生を防止する
ことができ、縦形減圧ＣＶＤ装置１００の反応系内にお
ける金属汚染及びダスト発生を防止することができる。According to the vertical reduced-pressure CVD apparatus 100 having the above-described structure, the halogen-based gas and its by-products remaining after the chemical reaction in the reaction chamber are directly transferred to the tube receiving flange 112, the boat flange 114 and the like. It does not adsorb and adhere but adheres and adheres to the cover plates 115 and 116. However, since the cover plates 115 and 116 are made of a non-corrosive material such as quartz glass, for example, no particular problem occurs. Therefore, the tube receiving flange 11
2 and the boat flange 114 can be prevented from being generated, and metal contamination and dust generation in the reaction system of the vertical reduced pressure CVD apparatus 100 can be prevented.
【００２８】さらに、カバープレート１１５、１１６の
着脱が容易であるので、メンテナンス時にはカバープレ
ート１１５、１１６を丸ごと水洗して、付着したハロゲ
ン系ガスやその副生成物を容易に洗い流すことができ
る。また、例えばステンレス等の金属材料で成るチュー
ブ受けフランジ１１２やボートフランジ１１４の長寿命
化、即ち交換頻度の低減化を図ることができる。Further, since the cover plates 115 and 116 can be easily attached and detached, the entire cover plates 115 and 116 can be washed with water at the time of maintenance so that the attached halogen-based gas and its by-products can be easily washed away. Further, the life of the tube receiving flange 112 and the boat flange 114 made of a metal material such as stainless steel can be extended, that is, the frequency of replacement can be reduced.
【００２９】図３は、上記反応炉１１０の別の一例を図
２に対応させて示す断面平面図であり、同一構成個所は
同符号を付して詳細説明を省略する。この反応炉１１０
は、反応管１１１、この反応管１１１を支持するチュー
ブ受けフランジ１１２、反応管１１１に対しウェーハ１
が収納されたボート１１３を出し入れするボートフラン
ジ１１４及び反応管１１１内で露出するチューブ受けフ
ランジ１１２とボートフランジ１１４の全体を覆うカバ
ープレート１１７で大略構成されている。FIG. 3 is a cross-sectional plan view showing another example of the reaction furnace 110 corresponding to FIG. 2, and the same components are denoted by the same reference numerals and detailed description is omitted. This reactor 110
Is a reaction tube 111, a tube receiving flange 112 supporting the reaction tube 111, and a wafer 1 with respect to the reaction tube 111.
Is generally constituted by a boat flange 114 for taking in and out the boat 113 in which is stored, a tube receiving flange 112 exposed in the reaction tube 111, and a cover plate 117 covering the entire boat flange 114.
【００３０】このカバープレート１１７は、チューブ受
けフランジ１１２、ボート１１３及びボートフランジ１
１４の全体を覆う円筒形状に形成された例えば石英ガラ
ス等の非腐食性材料で成る保温筒１１４ｅを兼ねた被覆
部として構成されている。このような構成のカバープレ
ート１１７を備えることにより、上記効果のみならず、
特にボートフランジ１１４の回転機構である磁気シール
ユニット１１４ｂ付近を保護することができ、縦形減圧
ＣＶＤ装置１００の反応系内における金属汚染の防止効
果をさらに向上させることができると共に、導入ガスを
整流して反応効率や均一性を向上させることができる。The cover plate 117 includes the tube receiving flange 112, the boat 113, and the boat flange 1.
It is configured as a covering part that also serves as a heat retaining cylinder 114e formed of a non-corrosive material such as quartz glass and formed in a cylindrical shape that covers the entirety of 14. By providing the cover plate 117 having such a configuration, not only the above effects, but also
In particular, it is possible to protect the vicinity of the magnetic seal unit 114b, which is a rotation mechanism of the boat flange 114, to further improve the effect of preventing metal contamination in the reaction system of the vertical reduced pressure CVD apparatus 100, and to rectify the introduced gas. Reaction efficiency and uniformity can be improved.
【００３１】[0031]
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、金属材
料を腐食させる性質を有する気体を用いる反応系内の金
属汚染を防止することができ、純度の高い半導体を得る
ことができる。As described above, according to the present invention, metal contamination in a reaction system using a gas having a property of corroding a metal material can be prevented, and a semiconductor with high purity can be obtained.
【図１】本発明の半導体製造装置の実施形態を示す平面
図。FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of a semiconductor manufacturing apparatus of the present invention.
【図２】図１の半導体製造装置の主要部の詳細例を示す
平面図。FIG. 2 is a plan view showing a detailed example of a main part of the semiconductor manufacturing apparatus of FIG. 1;
【図３】図１の半導体製造装置の主要部の別の詳細例を
示す平面図。FIG. 3 is a plan view showing another detailed example of a main part of the semiconductor manufacturing apparatus of FIG. 1;
【図４】従来の半導体製造装置の主要部の一例を示す平
面図。FIG. 4 is a plan view showing an example of a main part of a conventional semiconductor manufacturing apparatus.
【符号の説明】 １・・・ウェーハ、１００・・・半導体製造装置、１１
０・・・反応炉、１１１・・・反応管、１１１ａ・・・
インナーチューブ、１１１ｂ・・・アウターチューブ、
１１２・・・チューブ受けフランジ、１１２ａ・・・フ
ランジ部、１１２ｂ、１１２ｃ・・・ガス導入管、１１
２ｄ・・・ガス排出管、１１３・・・ボート、１１４・
・・ボートフランジ、１１４ａ・・・フランジ部、１１
４ｂ・・・シールユニット、１１４ｃ・・・載置部、１
１４ｄ・・・断熱板ホルダ、１１４ｄａ・・・断熱板、
１１４ｅ・・・保温筒、１１５、１１６、１１７・・・
カバープレート、１２０・・・カセット収納部、１２１
・・・カセット、１３０・・・カセット移載棚、１４０
・・・カセット搬送部、１５０・・・ウェーハ移載機[Description of Signs] 1 ... Wafer, 100 ... Semiconductor manufacturing equipment, 11
0: reaction furnace, 111: reaction tube, 111a ...
Inner tube, 111b ... outer tube,
112: tube receiving flange, 112a: flange portion, 112b, 112c: gas introduction pipe, 11
2d gas exhaust pipe, 113 boat, 114
..Boat flanges, 114a... Flange portions, 11
4b: seal unit, 114c: mounting unit, 1
14d: heat insulating plate holder, 114da: heat insulating plate,
114e ... heat insulation cylinder, 115, 116, 117 ...
Cover plate, 120: cassette storage section, 121
... cassette, 130 ... cassette transfer shelf, 140
... Cassette conveyor, 150 ... Wafer transfer machine
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/285 Ｈ０１Ｌ 21/285 Ｃ ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI H01L 21/285 H01L 21/285 C
Claims (4)
を用いて半導体を製造する半導体製造装置において、 前記気体が触れる構成部品のうち金属材料で成る構成部
品の表面を覆う非腐食性材料で成る被覆部を備えたこと
を特徴とする半導体製造装置。1. A semiconductor manufacturing apparatus for manufacturing a semiconductor using a gas having a property of corroding a metal material, comprising a non-corrosive material covering a surface of a component made of a metal material among components touched by the gas. A semiconductor manufacturing apparatus comprising a coating part.
体を反応させる反応室内の構成部品である請求項１に記
載の半導体製造装置。2. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the component made of the metal material is a component in a reaction chamber for reacting the gas.
を用いて半導体を製造する半導体製造装置において、 前記気体が触れる構成部品のうち回転機構を伴う金属材
料で成る構成部品の全体を覆う非腐食性材料で成る被覆
部を備えたことを特徴とする半導体製造装置。3. A semiconductor manufacturing apparatus for manufacturing a semiconductor using a gas having a property of corroding a metal material, wherein a non-corrosion covering the entirety of a component made of a metal material with a rotating mechanism among components touched by the gas. A semiconductor manufacturing apparatus comprising a coating portion made of a conductive material.
部品が、前記気体を反応させる反応室内の構成部品であ
る請求項３に記載の半導体製造装置。4. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 3, wherein the component made of a metal material with the rotating mechanism is a component in a reaction chamber for reacting the gas.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10012497A JPH11214312A (en) | 1998-01-26 | 1998-01-26 | Apparatus for manufacturing semiconductor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10012497A JPH11214312A (en) | 1998-01-26 | 1998-01-26 | Apparatus for manufacturing semiconductor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11214312A true JPH11214312A (en) | 1999-08-06 |
Family
ID=11807021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10012497A Pending JPH11214312A (en) | 1998-01-26 | 1998-01-26 | Apparatus for manufacturing semiconductor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11214312A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6391116B2 (en) | 1998-04-03 | 2002-05-21 | Nec Corporation | Semiconductor device manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method |
| JP2006269646A (en) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Substrate processor |
| CN110767567A (en) * | 2018-07-25 | 2020-02-07 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | Reaction chamber and semiconductor heat treatment equipment |
| JPWO2021156987A1 (en) * | 2020-02-05 | 2021-08-12 |
-
1998
- 1998-01-26 JP JP10012497A patent/JPH11214312A/en active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6391116B2 (en) | 1998-04-03 | 2002-05-21 | Nec Corporation | Semiconductor device manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method |
| JP2006269646A (en) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Substrate processor |
| CN110767567A (en) * | 2018-07-25 | 2020-02-07 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | Reaction chamber and semiconductor heat treatment equipment |
| CN110767567B (en) * | 2018-07-25 | 2022-03-22 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | Reaction chamber and semiconductor heat treatment equipment |
| JPWO2021156987A1 (en) * | 2020-02-05 | 2021-08-12 |
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