JPH11214282A - Manufacture of x-ray mask - Google Patents
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- JPH11214282A JPH11214282A JP946098A JP946098A JPH11214282A JP H11214282 A JPH11214282 A JP H11214282A JP 946098 A JP946098 A JP 946098A JP 946098 A JP946098 A JP 946098A JP H11214282 A JPH11214282 A JP H11214282A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｘ線マスクの製造
方法に関し、具体的にはＸ線マスク用基板上に成膜され
る各種の膜の応力を小さくできるＸ線マスクの製造方法
に関するものである。The present invention relates to a method of manufacturing an X-ray mask, and more particularly to a method of manufacturing an X-ray mask capable of reducing the stress of various films formed on an X-ray mask substrate. It is.
【０００２】[0002]
【従来の技術】これまで、それほど集積度の高くない半
導体記憶装置におけるパターンの転写には、主に紫外線
によるリソグラフィ技術が用いられてきた。しかし、半
導体記憶装置の高集積化が進み、たとえばＤＲＡＭ（Dy
namic Random Access Memory）において１Ｇｂｉｔ（ギ
ガビット）のようにＧｂｉｔ級となると、配線などの各
パターンがデバイスルールに従って極微細になるため、
より解像度の高いパターンの転写が必要となる。2. Description of the Related Art Hitherto, a lithography technique using an ultraviolet ray has been mainly used for transferring a pattern in a semiconductor memory device having a not so high integration degree. However, as the degree of integration of semiconductor memory devices increases, for example, DRAM (Dy
In the case of a Gbit class such as 1 Gbit (gigabit) in a dynamic random access memory, each pattern such as wiring becomes extremely fine according to device rules.
Transfer of a pattern with higher resolution is required.
【０００３】このような微細パターンの転写を行なう技
術として、Ｘ線によるリソグラフィ技術が期待されてい
る。このＸ線リソグラフィ技術では、露光光となるＸ線
の波長（軟Ｘ線：λ＝５〜２０ｎｍ）が紫外線に比べ短
波長となるため、紫外線によるリソグラフィよりも解像
度の高いパターンの転写が可能となる。As a technique for transferring such a fine pattern, a lithography technique using X-rays is expected. In this X-ray lithography technology, since the wavelength of the X-rays (soft X-rays: λ = 5 to 20 nm) serving as exposure light is shorter than that of ultraviolet light, it is possible to transfer a pattern with higher resolution than lithography using ultraviolet light. Become.
【０００４】このようなＸ線リソグラフィ技術に用いら
れるＸ線マスクの製造方法は、たとえば本願出願人の出
願にかかる特開平８−５１０６６号公報に示されてい
る。以下、この公報に示されたＸ線マスクの製造方法を
従来例として説明する。A method of manufacturing an X-ray mask used in such an X-ray lithography technique is disclosed in, for example, JP-A-8-51066 filed by the present applicant. Hereinafter, a method of manufacturing an X-ray mask disclosed in this publication will be described as a conventional example.
【０００５】図５は、上記公報に示された従来のＸ線マ
スクの製造方法を示す図である。図５を参照して、まず
裏面にサポートリング４が取り付けられ、かつ軽元素よ
りなるメンブレン２が表面に成膜されたＸ線マスク製造
用シリコン基板（以下、Ｘ線マスク用基板と称する）１
と、表面にメンブレン２が成膜されたモニタウエハ用シ
リコン基板（以下、モニタウエハ用基板と称する）１と
が準備される（ステップＳ１０１）。この状態でモニタ
ウエハの初期の反りが計測される（ステップＳ１０
２）。FIG. 5 is a view showing a conventional method for manufacturing an X-ray mask disclosed in the above publication. Referring to FIG. 5, first, a support substrate 4 is attached to the back surface, and a membrane 2 made of a light element is formed on the surface.
Then, a monitor wafer silicon substrate 1 (hereinafter, referred to as a monitor wafer substrate) 1 having a membrane 2 formed on its surface is prepared (step S101). In this state, the initial warpage of the monitor wafer is measured (step S10).
2).
【０００６】そしてＸ線マスクとモニタウエハとの各メ
ンブレン２上には、同一装置および同一バッチでたとえ
ばＷ−ＴｉよりなるＸ線吸収体３が成膜される（ステッ
プＳ１０３）。そしてＸ線吸収体３が成膜された後のモ
ニタウエハの反りが計測される（ステップＳ１０４）。An X-ray absorber 3 made of, for example, W-Ti is formed on the membrane 2 of the X-ray mask and the monitor wafer by the same apparatus and the same batch (Step S103). Then, the warpage of the monitor wafer after the X-ray absorber 3 is formed is measured (Step S104).
【０００７】この後、モニタウエハにアニールが施され
（ステップＳ１０５）、再度モニタウエハの反りが計測
され（ステップＳ１０６）、これら計測結果からＸ線吸
収体３の応力が０となる最終アニール温度が決定され
る。この最終アニール温度の決定に関し、Ｗ−ＴｉのＸ
線吸収体３ではアニール温度と応力変化とが比例するた
め最終アニール温度の決定は容易である。Thereafter, the monitor wafer is annealed (step S105), and the warpage of the monitor wafer is measured again (step S106). From these measurement results, the final annealing temperature at which the stress of the X-ray absorber 3 becomes zero is determined. It is determined. Regarding the determination of the final annealing temperature, X of W-Ti
In the line absorber 3, the final annealing temperature is easy to determine because the annealing temperature is proportional to the stress change.
【０００８】このようにして決定された最終アニール温
度でＸ線マスクにアニールが施される（ステップＳ１０
７）。これにより、Ｘ線マスクにおけるＸ線吸収体３の
平均膜応力が実質的に０とされ、低応力のＸ線吸収体３
を有するＸ線マスクを得ることができる。The X-ray mask is annealed at the final annealing temperature determined in this way (step S10).
7). As a result, the average film stress of the X-ray absorber 3 in the X-ray mask is made substantially zero, and the low-stress X-ray absorber 3 is reduced.
Can be obtained.
【０００９】この後、たとえばＸ線吸収体３が所定の形
状にパターニングされてＸ線マスクが完成する。Thereafter, for example, the X-ray absorber 3 is patterned into a predetermined shape to complete the X-ray mask.
【００１０】[0010]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
Ｘ線マスクの製造方法においては、モニタウエハ用基板
１がＸ線マスク用基板１よりも薄い場合、および同じ膜
厚の場合のいずれの場合にも、パターンの位置精度が低
下するなどの問題点があった。以下、そのことについて
詳細に説明する。However, in the conventional method of manufacturing an X-ray mask, the monitor wafer substrate 1 has a smaller thickness than the X-ray mask substrate 1 and has the same thickness. Also, there is a problem that the positional accuracy of the pattern is reduced. Hereinafter, this will be described in detail.
【００１１】（１） モニタウエハ用基板１がＸ線マス
ク用基板１より薄い場合 この場合には、モニタウエハ用基板１は、Ｘ線マスク用
基板１よりも薄いため、熱容量が小さく、すぐに加熱さ
れる。このため、モニタウエハ用基板１とＸ線マスク用
基板１とを同一条件で成膜しても、モニタウエハ用基板
１はＸ線マスク用基板１よりもスパッタプラズマによる
温度上昇が速くなる。よって、Ｘ線吸収体３の成膜時の
加熱により、モニタウエハ用基板１はＸ線マスク用基板
１よりも膨張する。したがって、成膜終了後に室温に冷
却されたときの収縮量もモニタウエハ用基板１の方がＸ
線マスク用基板１よりも大きくなる。(1) When the monitor wafer substrate 1 is thinner than the X-ray mask substrate 1 In this case, since the monitor wafer substrate 1 is thinner than the X-ray mask substrate 1, the heat capacity is small and Heated. For this reason, even if the substrate 1 for the monitor wafer and the substrate 1 for the X-ray mask are formed under the same conditions, the temperature rise of the monitor wafer substrate 1 by the sputter plasma becomes faster than that of the substrate 1 for the X-ray mask. Therefore, the monitor wafer substrate 1 expands more than the X-ray mask substrate 1 due to the heating of the X-ray absorber 3 during film formation. Accordingly, the amount of shrinkage when cooled to room temperature after the film formation is completed is smaller for the monitor wafer substrate 1 than for the monitor wafer substrate 1.
It is larger than the line mask substrate 1.
【００１２】モニタウエハ用基板１とＸ線マスク用基板
１とで収縮量が異なるため、モニタウエハ用基板１上の
Ｘ線吸収体３とＸ線マスク用基板１上のＸ線吸収体３と
で応力が異なることになる。このため、図５においてモ
ニタウエハのＸ線吸収体３の応力を０とするアニール温
度を決定しても、そのアニール温度ではＸ線マスクのＸ
線吸収体３の応力を０にすることはできない。つまり、
モニタウエハはモニタとしての役割を果たせなくなる。Since the amount of shrinkage differs between the monitor wafer substrate 1 and the X-ray mask substrate 1, the X-ray absorber 3 on the monitor wafer substrate 1 and the X-ray absorber 3 on the X-ray mask substrate 1 The stress will be different. Therefore, even if the annealing temperature at which the stress of the X-ray absorber 3 of the monitor wafer is set to 0 in FIG.
The stress of the line absorber 3 cannot be reduced to zero. That is,
The monitor wafer cannot serve as a monitor.
【００１３】（２） モニタウエハ用基板がＸ線マスク
用基板と同じ厚みの場合 （ａ） Ｘ線マスク用基板１が２ｍｍ程度と比較的厚い
場合 成膜時のウエハ（シリコン基板１）面内の温度差を生じ
にくくし、また外力による変形量を少なくしてマスクの
パターン位置精度を向上させるために、Ｘ線マスクには
通常、２ｍｍ程度の厚いウエハ（シリコン基板１）が用
いられる。しかし、モニタウエハ用基板１の厚みをＸ線
マスク用基板１と同じ厚さにすると、モニタウエハ用基
板１が厚くなるため、その反り量が少なくなり、応力測
定精度が低下する。このため、図５においてＸ線マスク
にアニールを施してもＸ線マスクのＸ線吸収体３の膜応
力を減少させることが難しくなる。したがって、Ｘ線マ
スクのＸ線吸収体３をパターニングした場合に、Ｘ線吸
収体３内の膜応力によってパターンの位置ずれが生じ、
パターンの位置精度が低下する。(2) The case where the substrate for the monitor wafer has the same thickness as the substrate for the X-ray mask (a) The case where the substrate 1 for the X-ray mask is relatively thick, about 2 mm, within the wafer (silicon substrate 1) surface during film formation In order to make it difficult to generate a temperature difference and to improve the pattern position accuracy of the mask by reducing the amount of deformation due to external force, a thick wafer (silicon substrate 1) of about 2 mm is usually used for the X-ray mask. However, if the thickness of the monitor wafer substrate 1 is the same as that of the X-ray mask substrate 1, the monitor wafer substrate 1 becomes thicker, so that the amount of warpage is reduced and the stress measurement accuracy is reduced. Therefore, it is difficult to reduce the film stress of the X-ray absorber 3 of the X-ray mask even if the X-ray mask is annealed in FIG. Therefore, when the X-ray absorber 3 of the X-ray mask is patterned, a positional shift of the pattern occurs due to a film stress in the X-ray absorber 3,
The position accuracy of the pattern decreases.
【００１４】（ｂ） Ｘ線マスク用基板１が比較的薄い
場合 また、モニタウエハの測定精度を上げるために、Ｘ線マ
スク用基板１とモニタウエハ用基板１とをともに薄くす
ると、今度は基板１が加熱・冷却されやすくなるため基
板面内での温度むらが発生しやすくなる。たとえばＸ線
吸収体３の成膜時には基板１はホルダ上に載置される
が、その基板１とホルダとの接触点では基板１の他の部
分よりも温度が低くなりやすく、基板面内での温度むら
が発生する。また、その接触点は各基板１ごとに異なる
ため、モニタウエハ用基板１とＸ線マスク用基板１とで
基板面内での温度むらに差が生じる。この温度むらの差
によって、モニタウエハ用基板１上のＸ線吸収体３とＸ
線マスク用基板１上のＸ線吸収体３とで膜の面内応力む
らが異なることになる。このため、モニタウエハのＸ線
吸収体３の応力を０にできる条件でＸ線マスクにアニー
ルを施してもＸ線マスクのＸ線吸収体３の応力を０にす
ることができなくなる。よって、この状態でＸ線マスク
のＸ線吸収体３のパターニングを行なうと、Ｘ線吸収体
３内の応力によってパターンの位置ずれが生じ、パター
ンの位置精度が低下する。(B) When the X-ray mask substrate 1 is relatively thin In order to improve the measurement accuracy of the monitor wafer, if both the X-ray mask substrate 1 and the monitor wafer substrate 1 are made thin, the substrate 1 is easily heated and cooled, so that temperature unevenness in the substrate surface easily occurs. For example, when the X-ray absorber 3 is formed, the substrate 1 is placed on the holder. However, the temperature of the contact point between the substrate 1 and the holder tends to be lower than that of the other parts of the substrate 1 and the substrate 1 Temperature unevenness occurs. In addition, since the contact points are different for each substrate 1, a difference occurs in the temperature unevenness in the substrate surface between the monitor wafer substrate 1 and the X-ray mask substrate 1. Due to the difference in temperature unevenness, the X-ray absorbers 3 on the monitor wafer substrate 1
The in-plane stress unevenness of the film is different from that of the X-ray absorber 3 on the line mask substrate 1. Therefore, even if the X-ray mask is annealed under the condition that the stress of the X-ray absorber 3 of the monitor wafer can be reduced to zero, the stress of the X-ray absorber 3 of the X-ray mask cannot be reduced to zero. Therefore, if patterning of the X-ray absorber 3 of the X-ray mask is performed in this state, a positional shift of the pattern occurs due to stress in the X-ray absorber 3, and the positional accuracy of the pattern decreases.
【００１５】本発明は、上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、モニタウエハを用いることで優
れたパターンの位置精度を有するＸ線マスクの製造方法
を提供することである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and it is an object of the present invention to provide a method for manufacturing an X-ray mask having excellent pattern positional accuracy by using a monitor wafer.
【００１６】[0016]
【課題を解決するための手段】本発明のＸ線マスクの製
造方法は以下の工程を備えている。The method of manufacturing an X-ray mask according to the present invention comprises the following steps.
【００１７】まずＸ線マスク用基板とＸ線マスク用基板
より薄いモニタ基板とが準備される。そしてモニタ基板
の第１の反りが測定される。そしてモニタ基板の裏面に
補助基板を貼り合わせて、モニタ基板と補助基板とから
なる複合基板の厚みがＸ線マスク用基板の厚みと実質的
に同じとされる。そしてＸ線マスク用基板と複合基板と
の各表面上に薄膜が形成される。そしてモニタ基板から
補助基板が取り外される。そして薄膜が形成された状態
でのモニタ基板の第２の反りが測定される。そしてモニ
タ基板の反りを第２の反りから第１の反りに調整できる
処理の条件が決定される。そしてその条件にて、薄膜が
形成された状態のＸ線マスク用基板に処理が施される。First, an X-ray mask substrate and a monitor substrate thinner than the X-ray mask substrate are prepared. Then, the first warpage of the monitor substrate is measured. Then, an auxiliary substrate is attached to the back surface of the monitor substrate, and the thickness of the composite substrate including the monitor substrate and the auxiliary substrate is made substantially the same as the thickness of the X-ray mask substrate. Then, a thin film is formed on each surface of the X-ray mask substrate and the composite substrate. Then, the auxiliary board is removed from the monitor board. Then, the second warpage of the monitor substrate in a state where the thin film is formed is measured. Then, processing conditions for adjusting the warp of the monitor substrate from the second warp to the first warp are determined. Then, under such conditions, the X-ray mask substrate with the thin film formed thereon is processed.
【００１８】本発明のＸ線マスクの製造方法では、第１
の反り測定時には、補助基板を貼り合わせずに薄いモニ
タ基板で測定が行なわれる。このため、第１の反りの測
定時における応力の計測精度を高くすることができる。In the method of manufacturing an X-ray mask according to the present invention, the first
When measuring the warpage, the measurement is performed on a thin monitor substrate without bonding the auxiliary substrate. For this reason, the measurement accuracy of the stress at the time of measuring the first warpage can be increased.
【００１９】また、薄膜成膜時には、モニタ基板に補助
基板を貼り合わせ、複合基板とし、その複合基板の厚み
をＸ線マスク用基板の厚みと同一とすることで、補助基
板とＸ線マスク用基板との熱容量を同一にすることがで
きる。これにより、薄膜成膜時の加熱による複合基板と
Ｘ線マスク用基板との熱膨張量を同じとすることができ
るため、複合基板上とＸ線マスク用基板上とに成膜され
た両薄膜の膜応力を同じにすることができる。したがっ
て、モニタ基板はモニタとしての役割を果たし得る。When forming a thin film, an auxiliary substrate is bonded to a monitor substrate to form a composite substrate, and the thickness of the composite substrate is made equal to the thickness of the X-ray mask substrate. The heat capacity with the substrate can be made the same. This makes it possible to make the thermal expansion of the composite substrate and the X-ray mask substrate the same due to the heating during the thin film formation, so that both the thin films formed on the composite substrate and the X-ray mask substrate are formed. Can have the same film stress. Therefore, the monitor board can serve as a monitor.
【００２０】また、複合基板とされることで基板の厚み
が厚くなっているため、薄膜成膜時に、基板とホルダと
の接触点での温度は低くなり難い。このため、ホルダに
接触することによる基板面内での温度むらが発生しにく
い。よって、その基板上に形成される薄膜にも面内応力
むらは発生し難くなり、その薄膜をパターニングしても
パターンの位置精度は良好である。Further, since the thickness of the substrate is increased due to the composite substrate, the temperature at the contact point between the substrate and the holder during the formation of a thin film does not easily decrease. For this reason, uneven temperature in the substrate surface due to contact with the holder is unlikely to occur. Therefore, in-plane stress unevenness is less likely to occur in the thin film formed on the substrate, and the pattern position accuracy is good even when the thin film is patterned.
【００２１】また、第２の反り測定時には、複合基板か
ら補助基板が取り外されて薄いモニタ基板で測定が行な
われている。このため、第２の反りの測定時における応
力の計測精度を高くすることができる。At the time of the second warpage measurement, the auxiliary substrate is removed from the composite substrate, and the measurement is performed with a thin monitor substrate. For this reason, the measurement accuracy of the stress at the time of measuring the second warpage can be increased.
【００２２】上記のＸ線マスクの製造方法において好ま
しくは、モニタ基板の反りと実質的に同じ反りを有する
補助基板が貼り合わせられる。In the above method of manufacturing an X-ray mask, an auxiliary substrate having substantially the same warpage as the monitor substrate is preferably bonded.
【００２３】これにより、補助基板の貼り合わせによる
余計な応力がモニタ基板に生じることはなく、優れた応
力の計測精度を得ることができる。As a result, unnecessary stress due to the bonding of the auxiliary substrate does not occur on the monitor substrate, and excellent stress measurement accuracy can be obtained.
【００２４】上記のＸ線マスクの製造方法において好ま
しくは、補助基板をモニタ基板と貼り合わせる前に補助
基板の第３の反りが測定される。そしてモニタ基板の反
りを第２の反りから第１の反りに調整できる処理の条件
を決定する工程は、第１の反りと第３の反りとから、モ
ニタ基板と補助基板とを貼り合わせた後のモニタ基板内
の第１の応力を算出する工程と、第１の反りと第２の反
りとから、モニタ基板から補助基板を取り外した後のモ
ニタ基板内の第２の応力を算出する工程と、第２の応力
と第１の応力とから薄膜を成膜したことによりモニタ基
板に与えられた第３の応力を算出する工程と、第３の応
力を０にできる処理の条件を決定する工程とを有してい
る。In the above method of manufacturing an X-ray mask, preferably, the third warpage of the auxiliary substrate is measured before the auxiliary substrate is bonded to the monitor substrate. Then, the step of determining the processing conditions for adjusting the warpage of the monitor board from the second warp to the first warp is performed after the monitor board and the auxiliary board are bonded from the first warp and the third warp. Calculating the first stress in the monitor board, and calculating the second stress in the monitor board after removing the auxiliary board from the monitor board, from the first warp and the second warp. Calculating a third stress applied to the monitor substrate by forming a thin film from the second stress and the first stress, and determining a condition for processing capable of reducing the third stress to zero And
【００２５】これにより、互いに異なる反りを有する補
助基板とモニタ基板とを貼り合わせても、薄膜の成膜に
より生ずる応力を正確に導出することが可能となる。Thus, even if the auxiliary substrate and the monitor substrate having different warpages are bonded to each other, it is possible to accurately derive the stress generated by the formation of the thin film.
【００２６】上記のＸ線マスクの製造方法において好ま
しくは、処理は、アニール、イオン注入、エッチング、
成膜、酸化および還元よりなる群より選ばれる１以上の
処理である。In the above method of manufacturing an X-ray mask, preferably, the treatment includes annealing, ion implantation, etching,
This is one or more processes selected from the group consisting of film formation, oxidation, and reduction.
【００２７】これにより、薄膜により生ずる多種多様な
応力分布に対応することが可能となる。Thus, it is possible to cope with various stress distributions generated by the thin film.
【００２８】上記のＸ線マスクの製造方法において好ま
しくは、薄膜は、Ｘ線吸収体、Ｘ線吸収体のパターニン
グ時にエッチングストッパとして働く膜、およびＸ線吸
収体のパターニング時にエッチングマスクとして働く膜
よりなる群から選ばれる１以上の膜である。In the above method of manufacturing an X-ray mask, preferably, the thin film is made of an X-ray absorber, a film that functions as an etching stopper when patterning the X-ray absorber, and a film that functions as an etching mask when patterning the X-ray absorber. One or more films selected from the group consisting of:
【００２９】これにより、薄膜としての各膜の応力を調
整することが可能となる。Thus, it is possible to adjust the stress of each film as a thin film.
【００３０】[0030]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図に基づいて説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００３１】実施の形態１ 図１は、本発明の実施の形態１におけるＸ線マスクの製
造方法を示す図である。図１を参照して、たとえばシリ
コンよりなるＸ線マスク用基板１とモニタウエハ用基板
１との各表面上に軽元素よりなるメンブレン２が成膜さ
れる（ステップＳ１）。この後、モニタウエハの初期の
反りが計測される（ステップＳ２）。 Embodiment 1 FIG. 1 is a diagram showing a method for manufacturing an X-ray mask according to Embodiment 1 of the present invention. Referring to FIG. 1, a membrane 2 made of a light element is formed on each surface of an X-ray mask substrate 1 and a monitor wafer substrate 1 made of, for example, silicon (Step S1). Thereafter, the initial warpage of the monitor wafer is measured (Step S2).
【００３２】この後、モニタウエハ用基板１の裏面に補
助基板１１が貼り合わせられる（ステップＳ３）。これ
により、補助基板１１とモニタウエハ用基板１とからな
る複合基板の厚みが、Ｘ線マスク用基板１の厚みと同一
となるように調整される。また補助基板１１は、熱伝導
性の良い材質、たとえばシリコンよりなっている。Thereafter, the auxiliary substrate 11 is bonded to the back surface of the monitor wafer substrate 1 (step S3). Thereby, the thickness of the composite substrate including the auxiliary substrate 11 and the monitor wafer substrate 1 is adjusted to be the same as the thickness of the X-ray mask substrate 1. The auxiliary substrate 11 is made of a material having good heat conductivity, for example, silicon.
【００３３】この後、Ｘ線マスク用基板１上と複合基板
１、１１上とに、同一装置および同一バッチで、Ｘ線吸
収体３が成膜される（ステップＳ４）。Thereafter, the X-ray absorber 3 is formed on the X-ray mask substrate 1 and the composite substrates 1 and 11 with the same apparatus and the same batch (step S4).
【００３４】この後、モニタウエハ用基板１から補助基
板１１が取り外され（ステップＳ５）、モニタウエハの
反りが計測される（ステップＳ６）。Thereafter, the auxiliary substrate 11 is removed from the monitor wafer substrate 1 (Step S5), and the warpage of the monitor wafer is measured (Step S6).
【００３５】この成膜後の反りが、初期の反りと異なる
場合には、たとえばアニール（温度、時間）やイオン注
入などの応力調整処理（ステップＳ７）と、反り計測
（ステップＳ８）とが繰返される。これにより、成膜後
の反りを初期の反りと同一にできる応力処理条件、つま
りＸ線吸収体３の応力が０となる応力処理条件が決定さ
れる。If the warpage after the film formation differs from the initial warpage, stress adjustment processing such as annealing (temperature and time) and ion implantation (step S7) and warpage measurement (step S8) are repeated. It is. As a result, the stress processing conditions that can make the warpage after the film formation the same as the initial warpage, that is, the stress processing conditions under which the stress of the X-ray absorber 3 becomes zero are determined.
【００３６】そしてこの決定された条件に基づいてＸ線
マスクに応力調整処理としてのアニール、イオン注入な
どが施される（ステップＳ９）。Based on the determined conditions, the X-ray mask is subjected to a stress adjustment process such as annealing and ion implantation (step S9).
【００３７】この後、Ｘ線吸収体３上にエッチングマス
クを成膜する工程、エッチングマスク上にレジストパタ
ーンを形成する工程、そのレジストパターンをマスクと
してエッチングマスクおよびＸ線吸収体３をパターニン
グする工程、レジストパターンとエッチングマスクとを
除去する工程、シリコン基板１をバックエッチする工
程、バッチエッチ後のシリコン基板１にサポートリング
４を接着する工程などが行なわれて図２に示すＸ線マス
クが完成する。Thereafter, a step of forming an etching mask on the X-ray absorber 3, a step of forming a resist pattern on the etching mask, and a step of patterning the etching mask and the X-ray absorber 3 using the resist pattern as a mask 2, the step of removing the resist pattern and the etching mask, the step of back-etching the silicon substrate 1, the step of bonding the support ring 4 to the silicon substrate 1 after the batch etching, and the like are performed to complete the X-ray mask shown in FIG. I do.
【００３８】本実施の形態では、図１において、初期の
反り測定時には、補助基板１１が貼り合わせられておら
ず、薄いモニタウエハ用基板１のままで測定が行なわれ
る。このため、初期の反りの測定時における応力の計測
精度を高くすることができる。In the present embodiment, in FIG. 1, during the initial warpage measurement, the auxiliary substrate 11 is not bonded, and the measurement is performed with the thin monitor wafer substrate 1 as it is. For this reason, the measurement accuracy of the stress at the time of measuring the initial warpage can be increased.
【００３９】また、Ｘ線吸収体３の成膜時には、モニタ
ウエハ用基板１に補助基板１１が貼り合わせられ、その
複合基板１、１１の厚みがＸ線マスク用基板１の厚みと
同一とされている。このため、複合基板１、１１とＸ線
マスク用基板１との熱容量を同一にすることができる。
これにより、Ｘ線吸収体３の成膜時の加熱による複合基
板１、１１とＸ線マスク用基板１との熱膨張量を同じと
することができ、複合基板１、１１上とＸ線マスク用基
板１上とに成膜されたＸ線吸収体３の膜応力を同じにす
ることができる。よって、モニタウエハのＸ線吸収体３
の膜応力を０にできる条件でＸ線マスクのＸ線吸収体３
の膜応力を０にすることができる。したがって、モニタ
ウエハはモニタとしての役割を果たし得る。When forming the X-ray absorber 3, an auxiliary substrate 11 is bonded to the monitor wafer substrate 1, and the composite substrates 1 and 11 have the same thickness as the X-ray mask substrate 1. ing. For this reason, the heat capacity of the composite substrates 1 and 11 and the X-ray mask substrate 1 can be made the same.
Thereby, the amounts of thermal expansion of the composite substrates 1 and 11 and the X-ray mask substrate 1 caused by heating during the film formation of the X-ray absorber 3 can be made equal, and the composite substrate 1 and the X-ray mask The film stress of the X-ray absorber 3 formed on the substrate 1 can be made the same. Therefore, the X-ray absorber 3 of the monitor wafer
X-ray absorber 3 of the X-ray mask under the condition that the film stress of
Can be reduced to zero. Therefore, the monitor wafer can serve as a monitor.
【００４０】また、モニタウエハ用基板１に補助基板１
１が貼り合わせられることでモニタウエハの基板の厚み
が厚くなっている。このため、Ｘ線吸収体３の成膜時
に、基板１、１１とホルダとの接触点での温度は低くな
り難い。このため、ホルダに接触することによる基板面
内での温度むらが発生しにくい。よって、その基板１、
１１上に形成されるＸ線吸収体３にも面内応力むらは発
生し難くなる。したがって、そのＸ線吸収体３をパター
ニングしてもパターンの位置精度は良好である。The auxiliary substrate 1 is attached to the monitor wafer substrate 1.
The thickness of the substrate of the monitor wafer is increased by laminating 1. For this reason, at the time of film formation of the X-ray absorber 3, the temperature at the contact point between the substrates 1 and 11 and the holder does not easily decrease. For this reason, uneven temperature in the substrate surface due to contact with the holder is unlikely to occur. Therefore, the substrate 1,
The X-ray absorber 3 formed on the surface 11 is also less likely to have in-plane stress unevenness. Therefore, even if the X-ray absorber 3 is patterned, the positional accuracy of the pattern is good.
【００４１】また、Ｘ線吸収体３の成膜後の反り測定時
には、補助基板１１が取り外されて薄いモニタウエハ用
基板１で反りの測定が行なわれる。このため、成膜後の
測定時における応力の計測精度を高くすることができ
る。When measuring the warpage of the X-ray absorber 3 after the film formation, the auxiliary substrate 11 is removed and the thin monitor wafer substrate 1 is used to measure the warpage. For this reason, the accuracy of stress measurement during measurement after film formation can be increased.
【００４２】なお、図示は省略してあるが、メンブレン
２とＸ線吸収体３との間には、Ｘ線吸収体３のパターニ
ング時におけるエッチングストッパ層兼反射防止膜（以
下、単に反射防止膜と称する）となる膜が形成されても
よい。Although not shown, an etching stopper layer and an anti-reflection film (hereinafter simply referred to as an anti-reflection film) between the membrane 2 and the X-ray absorber 3 when patterning the X-ray absorber 3 are provided. ) May be formed.
【００４３】また、本実施の形態ではＸ線吸収体３の応
力を減少させる方法について記述しているが、本実施の
形態の方法は、Ｘ線吸収体３とメンブレン２との間に形
成される反射防止膜、Ｘ線吸収体３上に形成されるエッ
チングマスクやレジストなどの各種の膜の応力を減少さ
せることに用いることもできる。Although the present embodiment describes a method for reducing the stress of the X-ray absorber 3, the method of the present embodiment is formed between the X-ray absorber 3 and the membrane 2. It can also be used to reduce the stress of various films such as an anti-reflection film, an etching mask and a resist formed on the X-ray absorber 3.
【００４４】また、応力調整処理（スッテップＳ７）
は、アニール、イオン注入以外に、エッチング、成膜、
酸化、還元であってもよく、またこれらの組合せであっ
てもよい。Further, a stress adjustment process (Step S7)
Means, besides annealing and ion implantation, etching, film formation,
Oxidation and reduction may be used, or a combination thereof may be used.
【００４５】またこのように応力を減少させたい薄膜の
成膜の際には、Ｘ線マスクとモニタウエハとで同じ条件
で成膜することが好ましい。すなわち、サンプルの高
さ、ターゲット基板間距離、公転中心からの距離などを
同一にする必要がある。なお、モニタウエハとＸ線マス
クとにおいて、成膜される膜の応力が下地に依存するの
であれば、モニタウエハ用基板１および補助基板１１
を、Ｘ線マスク用基板１と同一の材質にする必要があ
る。しかし、成膜される膜が下地に依存しないのであれ
ば、モニタウエハ用基板１および補助基板１１は、Ｘ線
マスク用基板１と同一材質である必要は必ずしもなく、
単に薄いシリコンウエハであってもよい。When forming a thin film whose stress is to be reduced in this manner, it is preferable to form the film on the X-ray mask and the monitor wafer under the same conditions. That is, the height of the sample, the distance between the target substrates, the distance from the center of revolution, and the like must be the same. If the stress of the film to be formed on the monitor wafer and the X-ray mask depends on the base, the monitor wafer substrate 1 and the auxiliary substrate 11
Must be made of the same material as the X-ray mask substrate 1. However, if the film to be formed does not depend on the base, the substrate 1 for the monitor wafer and the auxiliary substrate 11 are not necessarily required to be the same material as the substrate 1 for the X-ray mask.
It may be simply a thin silicon wafer.
【００４６】なお、本実施の形態では、補助基板１１の
上にモニタウエハ用基板１を載せることとなるため、２
つの基板（ウエハ）１、１１の密着度が高いことが要求
される。それは、密着度が悪いと２つの基板１、１１は
面内で数点でしか接触していないことがあり、その結
果、接触点と非接触点では温度むらが発生し、それによ
る応力むらが発生するためである。そのため全面接触が
望ましい。具体的には、モニタウエハ用基板１の裏面も
ミラー研磨し、補助基板１１表面もミラー研磨して接触
させると、この２枚の基板１、１１の密着度はかなり向
上する。また、真空グリスを薄く全面に塗ることによっ
て密着度を高めることもできる。In this embodiment, since the monitor wafer substrate 1 is mounted on the auxiliary substrate 11,
One substrate (wafer) 1 or 11 is required to have a high degree of adhesion. If the degree of adhesion is poor, the two substrates 1 and 11 may come into contact with each other only at a few points in the plane, and as a result, temperature unevenness occurs at the contact point and the non-contact point, resulting in uneven stress. Because it occurs. Therefore, full contact is desirable. Specifically, if the back surface of the monitor wafer substrate 1 is mirror-polished and the surface of the auxiliary substrate 11 is also mirror-polished and brought into contact, the degree of adhesion between the two substrates 1 and 11 is considerably improved. Further, the degree of adhesion can be increased by applying a thin layer of vacuum grease on the entire surface.
【００４７】実施の形態２ 図３は、本発明の実施の形態２におけるＸ線マスクの製
造方法を示す図である。図３を参照して、本実施の形態
は、モニタウエハ用基板１と同じ反りを有する補助基板
１１を貼り合わせる点（ステップＳ１３）において実施
の形態１と異なる。 Embodiment 2 FIG. 3 shows a method for manufacturing an X-ray mask according to Embodiment 2 of the present invention. Referring to FIG. 3, the present embodiment is different from the first embodiment in that auxiliary substrate 11 having the same warpage as monitor wafer substrate 1 is bonded (step S13).
【００４８】なお、それ以外の工程については上述した
実施の形態１とほぼ同じであるため、同一の部材および
工程については同一の符号を付し、その説明を省略す
る。Since the other steps are almost the same as those in the first embodiment, the same members and steps are denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted.
【００４９】モニタウエハ用基板１と補助基板１１との
反りが異なっている場合、両基板１、１１は局部的にし
か接触しない。このため基板１、１１に温度むらが発生
し、その結果、Ｘ線吸収体３に応力むらが生じるためモ
ニタウエハをモニタとして使用することができない。When the warpage of the monitor wafer substrate 1 and that of the auxiliary substrate 11 are different from each other, the substrates 1 and 11 come into contact only locally. For this reason, temperature unevenness occurs in the substrates 1 and 11, and as a result, stress unevenness occurs in the X-ray absorber 3, so that the monitor wafer cannot be used as a monitor.
【００５０】そのため、基板１、１１を全面接触させる
必要がある。この場合、モニタウエハ用基板１の方が補
助基板１１よりも薄いため、主にモニタウエハ用基板１
は補助基板１１の反りに沿って変形する。この複合基板
１、１１上にＸ線吸収体３を成膜し、その後に補助基板
１１を取り外すと、補助基板１１との接触によるモニタ
ウエハ用基板１の反りが解放される。このため、Ｘ線吸
収体３には、この解放された反りによる応力が乗り移る
ことになる。この応力が乗り移った分だけモニタウエハ
のＸ線吸収体３の応力はＸ線マスクのＸ線吸収体３の応
力と異なることになるため、このモニタウエハをモニタ
として使用することができなくなる。Therefore, it is necessary to bring the substrates 1 and 11 into full contact. In this case, since the monitor wafer substrate 1 is thinner than the auxiliary substrate 11, the monitor wafer substrate 1 is mainly used.
Are deformed along the warp of the auxiliary substrate 11. When the X-ray absorber 3 is formed on the composite substrates 1 and 11 and then the auxiliary substrate 11 is removed, the warpage of the monitor wafer substrate 1 due to the contact with the auxiliary substrate 11 is released. For this reason, the stress due to the released warp is transferred to the X-ray absorber 3. Since the stress of the X-ray absorber 3 of the monitor wafer differs from the stress of the X-ray absorber 3 of the X-ray mask by an amount corresponding to the transfer of the stress, the monitor wafer cannot be used as a monitor.
【００５１】つまり、モニタウエハ用基板１と補助基板
１１との反りが異なっている場合、両基板１と１１とを
局部的に接触させても全体的に接触させてもモニタウエ
ハをモニタとして使用することが困難になる。That is, when the monitor wafer substrate 1 and the auxiliary substrate 11 have different warpages, the monitor wafer can be used as a monitor regardless of whether the two substrates 1 and 11 are in local or overall contact. It becomes difficult to do.
【００５２】そこで本実施の形態では、モニタウエハ用
基板１と補助基板１１との反りの差によって余分な応力
がＸ線吸収体３にかかるのを防ぐため、始めからモニタ
ウエハ用基板１と補助基板１１との反りが同じにされて
いる。これにより、補助基板１１の貼り合わせによる余
計な応力がＸ線吸収体３に乗り移ることはなく、モニタ
ウエハをモニタとして使用し得るとともに、優れた応力
の計測精度を得ることができる。Therefore, in the present embodiment, in order to prevent an extra stress from being applied to the X-ray absorber 3 due to a difference in warpage between the monitor wafer substrate 1 and the auxiliary substrate 11, the monitor wafer substrate 1 and the auxiliary The warp with the substrate 11 is made the same. Thus, unnecessary stress due to the bonding of the auxiliary substrate 11 does not transfer to the X-ray absorber 3, and the monitor wafer can be used as a monitor, and excellent stress measurement accuracy can be obtained.
【００５３】実施の形態３ 図４は、本発明の実施の形態３におけるＸ線マスクの製
造方法を示す図である。図４を参照して、本実施の形態
では、モニタウエハ用基板１と補助基板１１との反りが
異なる場合の応力調整処理条件の導出方法を示してい
る。 Third Embodiment FIG. 4 is a diagram showing a method of manufacturing an X-ray mask according to a third embodiment of the present invention. Referring to FIG. 4, this embodiment shows a method of deriving stress adjustment processing conditions when warpage of monitor wafer substrate 1 and auxiliary substrate 11 is different.
【００５４】上述したようにモニタウエハ用基板１と補
助基板１１との反りが異なる場合には、Ｘ線吸収体３成
膜後に補助基板１１を取り外すと、Ｘ線吸収体３に余分
な応力が乗り移ってしまう。そこで、本実施の形態は、
この乗り移る応力をも考慮にいれることでＸ線吸収体３
の成膜により生ずる真の応力を算出する。以下、その詳
細について説明する。As described above, when the monitor wafer substrate 1 and the auxiliary substrate 11 have different warpages, if the auxiliary substrate 11 is removed after the X-ray absorber 3 is formed, extra stress is applied to the X-ray absorber 3. I will change. Therefore, in the present embodiment,
The X-ray absorber 3 is taken into account by taking into account the stress that is transferred.
The true stress generated by the film formation of is calculated. Hereinafter, the details will be described.
【００５５】図４を参照して、Ｘ線マスク用基板１とそ
れよりも薄いモニタウエハ用基板１との各表面上に、同
一装置および同一バッチでメンブレン２が成膜され、ま
た補助基板１１が準備される（ステップＳ２１）。そし
てメンブレン２が成膜された状態でのモニタウエハ用基
板１の初期の反りＷ0 と、補助基板１１の初期の反りＷ
とが、たとえばレーザ干渉などにより測定される（ステ
ップＳ２２ａ、Ｓ２２ｂ）。Referring to FIG. 4, membrane 2 is formed on each surface of X-ray mask substrate 1 and monitor wafer substrate 1 which is thinner by the same apparatus and in the same batch. Is prepared (step S21). Then, the initial warp W 0 of the monitor wafer substrate 1 in a state where the membrane 2 is formed, and the initial warp W of the auxiliary substrate 11.
Are measured by, for example, laser interference (steps S22a and S22b).
【００５６】この後、モニタウエハ用基板１に補助基板
１１が貼り合わせられる（ステップＳ２３）。そして、
モニタウエハ用基板１を補助基板１１に貼り合わせるこ
とによってモニタウエハ用基板１に乗り移る応力Ｆ
0 が、計測した反りＷ0 とＷとから算出される（ステッ
プＳ２４）。この応力Ｆ0 は、通常、関数Ｆ0 ＝ｆ（Ｗ
0、Ｗ）で求めることができる。Thereafter, the auxiliary substrate 11 is bonded to the monitor wafer substrate 1 (step S23). And
The stress F that transfers to the monitor wafer substrate 1 by bonding the monitor wafer substrate 1 to the auxiliary substrate 11
0 is calculated from the warp W 0 and W measured (step S24). This stress F 0 is usually given by the function F 0 = f (W
0 , W).
【００５７】この後、Ｘ線マスク用基板１上とモニタウ
エハ用基板１上とに、同一装置、同一バッチでＸ線吸収
体３が成膜される（ステップＳ２５）。そしてモニタウ
エハ用基板１から補助基板１１が取り外され（ステップ
Ｓ２６）、モニタウエハの反りＷ1 が計測される（ステ
ップＳ２７）。Thereafter, the X-ray absorber 3 is formed on the substrate 1 for the X-ray mask and the substrate 1 for the monitor wafer by the same apparatus and the same batch (step S25). The auxiliary substrate 11 is removed from the substrate for the monitor wafers 1 (step S26), the warp W 1 of the monitor wafer is measured (step S27).
【００５８】この反りＷ1 と初期の反りＷ0 とから、上
記と同様の関数を用いて、補助基板１１が取り除かれた
後のモニタウエハ用基板１の応力Ｆ1 が算出される（ス
テップＳ２８）。つまりこの応力Ｆ1 には、Ｘ線吸収体
３の成膜によって生じた応力と、補助基板１１を貼り合
わせることで乗り移った応力とが含まれている。From the warp W 1 and the initial warp W 0 , the stress F 1 of the monitor wafer substrate 1 after the removal of the auxiliary substrate 11 is calculated using the same function as described above (step S 28). ). That is, the stress F 1 includes a stress generated by the film formation of the X-ray absorber 3 and a stress transferred by bonding the auxiliary substrate 11.
【００５９】このため、補助基板１１を貼り合わせるこ
とで乗り移った応力Ｆ0 をこの応力Ｆ1 から引くことに
より、Ｘ線吸収体３の成膜によって生じた真の応力Ｆ
（＝Ｆ 1 −Ｆ0 ）が算出される（ステップＳ２９）。For this reason, the auxiliary substrate 11 is
And the stress F0With this stress F1To pull from
Thus, the true stress F caused by the film formation of the X-ray absorber 3
(= F 1-F0) Is calculated (step S29).
【００６０】次にこの真の応力Ｆが０でないときはアニ
ールやイオン注入などの応力調整処理（ステップＳ３
０）と、その処理後のモニタウエハ用基板１の反りＷn
の計測工程（ステップＳ３１）と、反りＷ0 とＷn とか
ら応力Ｆn を算出する工程（ステップＳ３２）と、真の
応力Ｆを計算する工程（ステップＳ３３）と、その真の
応力Ｆが０となるか否かを判断する工程（ステップＳ３
４）とが繰返されて、Ｘ線吸収体３の応力が０となる応
力調整処理の条件が決定される。そしてこの決定された
条件に基づいてＸ線マスクに応力調整処理が施される
（ステップＳ３５）。Next, if the true stress F is not 0, a stress adjustment process such as annealing or ion implantation (step S3)
0) and the warpage W n of the monitor wafer substrate 1 after the processing.
And the measurement process (step S31), and calculating a stress F n and a warp W 0 and W n (step S32), and calculating a true stress F (step S33), its true stress F 0 (step S3)
4) is repeated to determine the condition of the stress adjustment process that makes the stress of the X-ray absorber 3 zero. Then, a stress adjustment process is performed on the X-ray mask based on the determined conditions (step S35).
【００６１】さらにこの後、実施の形態１で説明したと
同様な後工程を経ることにより、Ｘ線吸収体３の膜応力
が０でパターンの位置精度が良好な図２に示すようなＸ
線マスクが製造される。Further, thereafter, through the same post-process as described in the first embodiment, the X-ray absorber 3 shown in FIG.
A line mask is manufactured.
【００６２】本実施の形態では、モニタウエハ用基板１
（Ｗ0 ）と補助基板１１（Ｗ）との反りの差からモニタ
ウエハ用基板１上に成膜される膜（たとえばＸ線吸収体
３）に乗り移る応力Ｆ0 が計算されているが、これはモ
ニタウエハ用基板１を補助基板１１上に密着させて反り
を測った値Ｗmix とＷ0 とを用いて計算されてもよい。In the present embodiment, the monitor wafer substrate 1
From the difference in warpage between (W 0 ) and the auxiliary substrate 11 (W), the stress F 0 that transfers to a film (for example, the X-ray absorber 3) formed on the monitor wafer substrate 1 is calculated. May be calculated using the values W mix and W 0 obtained by measuring the warpage by bringing the monitor wafer substrate 1 into close contact with the auxiliary substrate 11.
【００６３】なお、本方式では補助基板がある程度の厚
さがあるため反りの測定精度が若干低下する（Ｘ線マス
ク基板よりは薄いため、反り精度は良い）。このため、
複数の薄い補助基板の反りを測定し、その複数の補助基
板を貼り合わせて、１つの補助基板とすることも可能で
ある。In this method, the accuracy of warpage measurement is slightly reduced because the auxiliary substrate has a certain thickness (the warpage accuracy is good because it is thinner than the X-ray mask substrate). For this reason,
It is also possible to measure the warpage of a plurality of thin auxiliary substrates and bond the plurality of auxiliary substrates to form one auxiliary substrate.
【００６４】本実施の形態では、このような工程を経る
ことにより、互いに異なる反りを有するモニタウエハ用
基板１と補助基板１１とを貼り合わせても、Ｘ線吸収体
３の成膜により生ずる応力を正確に導出し、その応力が
０となるような条件で応力調整工程を施すことにより、
パターンの位置精度のない良好なＸ線マスクを得ること
ができる。In the present embodiment, through such a process, even if the monitor wafer substrate 1 and the auxiliary substrate 11 having different warpages are bonded to each other, the stress generated by the film formation of the X-ray absorber 3 can be obtained. Is accurately derived and subjected to a stress adjustment step under the condition that the stress becomes 0,
A good X-ray mask without pattern position accuracy can be obtained.
【００６５】今回開示された実施の形態はすべての点で
例示であって制限的なものではないと考えられるべきで
ある。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求
の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味お
よび範囲内でのすべての変更が含まれることが意図され
る。The embodiments disclosed this time are to be considered in all respects as illustrative and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.
【００６６】[0066]
【発明の効果】本発明のＸ線マスクの製造方法では、第
１の反り測定時には、補助基板を貼り合わせずに薄いモ
ニタ基板で測定が行なわれる。このため、第１の反りの
測定時における応力の計測精度を高くすることができ
る。According to the method of manufacturing an X-ray mask of the present invention, at the time of the first warpage measurement, the measurement is performed on a thin monitor substrate without bonding an auxiliary substrate. For this reason, the measurement accuracy of the stress at the time of measuring the first warpage can be increased.
【００６７】また、薄膜成膜時には、モニタ基板に補助
基板を貼り合わせ、複合基板とし、その複合基板の厚み
をＸ線マスク用基板の厚みと同一とすることで、補助基
板とＸ線マスク用基板との熱容量を同一にすることがで
きる。これにより、薄膜成膜時の加熱による複合基板と
Ｘ線マスク用基板との熱膨張量を同じとすることができ
るため、複合基板上とＸ線マスク用基板上とに成膜され
た両薄膜の膜応力を同じにすることができる。したがっ
て、モニタ基板はモニタとしての役割を果たし得る。When a thin film is formed, an auxiliary substrate is attached to a monitor substrate to form a composite substrate, and the thickness of the composite substrate is made equal to the thickness of the X-ray mask substrate. The heat capacity with the substrate can be made the same. This makes it possible to make the thermal expansion of the composite substrate and the X-ray mask substrate the same due to the heating during the thin film formation, so that both the thin films formed on the composite substrate and the X-ray mask substrate are formed. Can have the same film stress. Therefore, the monitor board can serve as a monitor.
【００６８】また、複合基板とされることで基板の厚み
が厚くなっているため、薄膜成膜時に、基板とホルダと
の接触点での温度は低くなり難い。このため、ホルダに
接触することによる基板面内での温度むらが発生しにく
い。よって、その基板上に形成される薄膜にも面内応力
むらは発生し難くなり、その薄膜をパターニングしても
パターンの位置精度は良好である。Further, since the thickness of the substrate is increased by forming the composite substrate, the temperature at the contact point between the substrate and the holder during the formation of a thin film does not easily decrease. For this reason, uneven temperature in the substrate surface due to contact with the holder is unlikely to occur. Therefore, in-plane stress unevenness is less likely to occur in the thin film formed on the substrate, and the pattern position accuracy is good even when the thin film is patterned.
【００６９】また、第２の反り測定時には、複合基板か
ら補助基板が取り外されて薄いモニタ基板で測定が行な
われている。このため、第２の反りの測定時における応
力の計測精度を高くすることができる。In the second warpage measurement, the auxiliary substrate is removed from the composite substrate, and the measurement is performed with a thin monitor substrate. For this reason, the measurement accuracy of the stress at the time of measuring the second warpage can be increased.
【００７０】上記のＸ線マスクの製造方法において好ま
しくは、モニタ基板の反りと実質的に同じ反りを有する
補助基板が貼り合わせられる。In the method of manufacturing an X-ray mask described above, preferably, an auxiliary substrate having substantially the same warpage as the monitor substrate is bonded.
【００７１】これにより、補助基板の貼り合わせによる
余計な応力がモニタ基板に生じることはなく、優れた応
力の計測精度を得ることができる。As a result, unnecessary stress due to the bonding of the auxiliary substrate does not occur on the monitor substrate, and excellent stress measurement accuracy can be obtained.
【００７２】上記のＸ線マスクの製造方法において好ま
しくは、補助基板をモニタ基板と貼り合わせる前に補助
基板の第３の反りが測定される。そしてモニタ基板の反
りを第２の反りから第１の反りに調整できる処理の条件
を決定する工程は、第１の反りと第３の反りとから、モ
ニタ基板と補助基板とを貼り合わせた後のモニタ基板内
の第１の応力を算出する工程と、第１の反りと第２の反
りとから、モニタ基板から補助基板を取り外した後のモ
ニタ基板内の第２の応力を算出する工程と、第２の応力
と第１の応力とから薄膜を成膜したことによりモニタ基
板に与えられた第３の応力を算出する工程と、第３の応
力を０にできる処理の条件を決定する工程とを有してい
る。In the method of manufacturing an X-ray mask described above, preferably, the third warpage of the auxiliary substrate is measured before the auxiliary substrate is bonded to the monitor substrate. Then, the step of determining the processing conditions for adjusting the warpage of the monitor board from the second warp to the first warp is performed after the monitor board and the auxiliary board are bonded from the first warp and the third warp. Calculating the first stress in the monitor board, and calculating the second stress in the monitor board after removing the auxiliary board from the monitor board, from the first warp and the second warp. Calculating a third stress applied to the monitor substrate by forming a thin film from the second stress and the first stress, and determining a condition of a process capable of reducing the third stress to zero And
【００７３】これにより、互いに異なる反りを有する補
助基板とモニタ基板とを貼り合わせても、薄膜の成膜に
より生ずる応力を正確に導出することが可能となる。As a result, even when the auxiliary substrate and the monitor substrate having different warpages are bonded to each other, it is possible to accurately derive the stress generated by the formation of the thin film.
【００７４】上記のＸ線マスクの製造方法において好ま
しくは、処理は、アニール、イオン注入、エッチング、
成膜、酸化および還元よりなる群より選ばれる１以上の
処理である。Preferably, in the above method of manufacturing an X-ray mask, the processing includes annealing, ion implantation, etching,
This is one or more processes selected from the group consisting of film formation, oxidation, and reduction.
【００７５】これにより、薄膜により生ずる多種多様な
応力分布に対応することが可能となる。As a result, it is possible to cope with various stress distributions caused by the thin film.
【００７６】上記のＸ線マスクの製造方法において好ま
しくは、薄膜は、Ｘ線吸収体、Ｘ線吸収体のパターニン
グ時にエッチングストッパとして働く膜、およびＸ線吸
収体のパターニング時にエッチングマスクとして働く膜
よりなる群から選ばれる１以上の膜である。In the above method of manufacturing an X-ray mask, preferably, the thin film is made of an X-ray absorber, a film that functions as an etching stopper when patterning the X-ray absorber, and a film that functions as an etching mask when patterning the X-ray absorber. One or more films selected from the group consisting of:
【００７７】これにより、薄膜としての各膜の応力を調
整することが可能となる。Thus, the stress of each film as a thin film can be adjusted.
【図１】 本発明の実施の形態１におけるＸ線マスクの
製造方法を示す図である。FIG. 1 is a diagram illustrating a method for manufacturing an X-ray mask according to a first embodiment of the present invention.
【図２】 本発明の実施の形態１におけるＸ線マスクの
製造方法によって製造されたＸ線マスクの構成を示す概
略断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of an X-ray mask manufactured by a method for manufacturing an X-ray mask according to Embodiment 1 of the present invention.
【図３】 本発明の実施の形態２におけるＸ線マスクの
製造方法を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a method for manufacturing an X-ray mask according to a second embodiment of the present invention.
【図４】 本発明の実施の形態３におけるＸ線マスクの
製造方法を示す図である。FIG. 4 is a diagram illustrating a method of manufacturing an X-ray mask according to a third embodiment of the present invention.
【図５】 従来のＸ線マスクの製造方法を示す図であ
る。FIG. 5 is a diagram showing a conventional method for manufacturing an X-ray mask.
１ シリコン基板、２ メンブレン、３ Ｘ線吸収体。 1. Silicon substrate, 2 membrane, 3 X-ray absorber.
フロントページの続き (72)発明者 炭谷 博昭 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内Continued on the front page (72) Inventor Hiroaki Sumiya 2-3-2 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo Mitsubishi Electric Corporation
Claims (5)
り薄いモニタ基板とを準備する工程と、 前記モニタ基板の第１の反りを測定する工程と、 前記モニタ基板の裏面に補助基板を貼り合わせて、前記
モニタ基板と前記補助基板とからなる複合基板の厚みを
前記Ｘ線マスク用基板の厚みと実質的に同じとする工程
と、 前記Ｘ線マスク用基板と前記複合基板との各表面上に薄
膜を形成する工程と、 前記モニタ基板から前記補助基板を取り外す工程と、 前記薄膜が形成された状態での前記モニタ基板の第２の
反りを測定する工程と、 前記モニタ基板の反りを前記第２の反りから前記第１の
反りに調整できる処理の条件を決定する工程と、 前記条件にて、前記薄膜が形成された状態の前記Ｘ線マ
スク用基板に前記処理を施す工程とを備えた、Ｘ線マス
クの製造方法。A step of preparing an X-ray mask substrate and a monitor substrate thinner than the X-ray mask substrate; a step of measuring a first warp of the monitor substrate; and attaching an auxiliary substrate to a back surface of the monitor substrate. In addition, a step of making the thickness of the composite substrate composed of the monitor substrate and the auxiliary substrate substantially the same as the thickness of the X-ray mask substrate; and the respective surfaces of the X-ray mask substrate and the composite substrate Forming a thin film thereon, removing the auxiliary substrate from the monitor substrate, measuring a second warp of the monitor substrate in a state where the thin film is formed, and measuring the warp of the monitor substrate. Determining a process condition that can be adjusted from the second warp to the first warp; and performing the process on the X-ray mask substrate with the thin film formed under the condition. Equipped, X Method of manufacturing a mask.
りを有する前記補助基板を貼り合わせる、請求項１に記
載のＸ線マスクの製造方法。2. The method of manufacturing an X-ray mask according to claim 1, wherein the auxiliary substrate having substantially the same warpage as the monitor substrate is bonded.
わせる前に前記補助基板の第３の反りを測定する工程を
さらに備え、 前記モニタ基板の反りを前記第２の反りから前記第１の
反りに調整できる処理の条件を決定する前記工程は、 前記第１の反りと前記第３の反りとから、前記モニタ基
板と前記補助基板とを貼り合わせた後の前記モニタ基板
内の第１の応力を算出する工程と、 前記第１の反りと前記第２の反りとから、前記モニタ基
板から前記補助基板を取り外した後の前記モニタ基板内
の第２の応力を算出する工程と、 前記第２の応力と前記第１の応力とから前記薄膜を成膜
したことにより前記モニタ基板に与えられた第３の応力
を算出する工程と、 前記第３の応力を０にできる処理の条件を決定する工程
とを有している、請求項１に記載のＸ線マスクの製造方
法。3. The method according to claim 1, further comprising measuring a third warp of the auxiliary substrate before bonding the auxiliary substrate to the monitor substrate, wherein the warp of the monitor substrate is changed from the second warp to the first warp. The step of determining the condition of the process that can be adjusted to the first step includes, based on the first warp and the third warp, a first stress in the monitor substrate after bonding the monitor substrate and the auxiliary substrate. Calculating the second stress in the monitor board after removing the auxiliary board from the monitor board, from the first warp and the second warp; and Calculating a third stress applied to the monitor substrate by forming the thin film from the first stress and the first stress, and determining a condition of a process capable of reducing the third stress to zero. And a process. A method for fabricating an X-ray mask according.
ッチング、成膜、酸化および還元よりなる群より選ばれ
る１以上の処理である、請求項１に記載のＸ線マスクの
製造方法。4. The method for manufacturing an X-ray mask according to claim 1, wherein the processing is at least one processing selected from the group consisting of annealing, ion implantation, etching, film formation, oxidation and reduction.
体のパターニング時にエッチングストッパとして働く
膜、および前記Ｘ線吸収体のパターニング時にエッチン
グマスクとして働く膜よりなる群より選ばれる１以上の
膜である、請求項１に記載のＸ線マスクの製造方法。5. The thin film is at least one selected from the group consisting of an X-ray absorber, a film acting as an etching stopper when patterning the X-ray absorber, and a film acting as an etching mask when patterning the X-ray absorber. The method for manufacturing an X-ray mask according to claim 1, wherein the film is a film.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP946098A JPH11214282A (en) | 1998-01-21 | 1998-01-21 | Manufacture of x-ray mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP946098A JPH11214282A (en) | 1998-01-21 | 1998-01-21 | Manufacture of x-ray mask |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11214282A true JPH11214282A (en) | 1999-08-06 |
Family
ID=11720907
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP946098A Withdrawn JPH11214282A (en) | 1998-01-21 | 1998-01-21 | Manufacture of x-ray mask |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11214282A (en) |
-
1998
- 1998-01-21 JP JP946098A patent/JPH11214282A/en not_active Withdrawn
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