JPH11204549A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- Die Bonding (AREA)
Abstract
リフローハンダ付け行程で、配線基板と接着剤の界面の
気泡にPBGA内部の水分が気化膨張して吹き出すこと
で配線基板と接着剤の界面に剥離が発生する。 【解決手段】 本発明の製造方法は、樹脂成分を主たる
構成材料とする配線基板3上に半導体集積回路チップ7
を実装し、マザーボードと接続するためのハンダボール
端子11を有し、さらに半導体集積回路チップ7の周囲
を樹脂封止10した構造を有するプラスチック・ボール
・グリッド・アレイ12の製造方法であって、配線基板
6に半導体集積回路チップ7を接着剤8を用いて固着す
る行程の直前に、配線基板6表面に付着した水分を除去
する行程を有する。
Description
法に関し、より詳しくは半導体集積回路チップを配線基
板のおもて面に実装し、さらに半導体集積回路チップを
樹脂封止し、そのうえ配線基板のうら面にマザーボード
と接続するためのハンダボール端子を備えるプラスチッ
ク・ボール・グリッド・アレイの製造方法に関する。
体パッケージに封止して使用する。この半導体パッケー
ジの役割は半導体集積回路チップの各電極とマザーボー
ドとの電気的接続と、半導体集積回路チップの放熱と保
護などである。
チック・ボール・グリッド・アレイ(以下PBGAと記
載する)は樹脂成分を主たる構成材料とする配線基板上
に半導体集積回路チップを実装し、マザーボードと接続
するためのハンダボール端子を有し、さらに半導体集積
回路チップの周囲を樹脂封止した構造をもつ。
と電気特性と実装歩留まりの点で他に比べて有利な構造
を備えており、携帯型電話やポケットベルや携帯型電子
計算機などの分野で採用されている。
PBGAの製造工程について説明する。図1は従来のP
BGA12の構造を示す断面図であり、図2は樹脂基板
1上の銅パターンを示す平面図である。
ほぼ四角形で、板厚が0.3mm程度の樹脂材料からな
る。樹脂基板1の材料としてはエポキシ樹脂やポリイミ
ド樹脂などの樹脂材料があげられるが、望ましくはガラ
ス繊維を含浸した熱硬化性のエポキシ樹脂である。
半硬化状態のうちに、おもて面とうら面とに厚さ18μ
m程度の銅箔を貼る。
とうら面とを加圧しながら同時に加熱し熱硬化性エポキ
シ樹脂の硬化を完了させることで樹脂基板1のおもて面
とうら面に銅箔を固着する。
ルなどの穴あけ手段により設ける。さらにスルーホール
2の壁面を含む樹脂基板1表面を洗浄し、樹脂基板1の
全面に無電界メッキ処理および電解メッキ処理により銅
メッキ層を設ける。このメッキ層はスルーホール2内面
まで施す。
す膜層を設けた樹脂基板1にエッチングマスクとエッチ
ング液を用いてエッチング処理を行う。このエッチング
処理により、図2に示すように樹脂基板1のおもて面に
半導体集積回路チップ7の各電極と電気的に接続するた
めの基板電極3と電気的経路を銅パターンとして設け
る。
程で固着する半導体集積回路チップ7の外周を取り囲む
ようにして設ける。
基板1のおもて面に基板電極3とスルーホール2を電気
的に接続するための電気的経路を銅パターンとして設け
る。
基板1のうら面にハンダボール端子11をハンダ付けす
るためのパッド電極4を銅パターンとして設ける。その
うえ樹脂基板1のうら面にパッド電極4とスルーホール
2を電気的に接続するための図示しない電気的経路を銅
パターンとして設ける。
銅パターンを設けた樹脂基板1のおもて面とうら面に、
電気的経路を保護するための樹脂絶縁膜5を設ける。樹
脂絶縁膜5の材料としてはアクリル変成エポキシなどの
感光性樹脂組成物があげられる。
物を用いた場合は、露光現像処理を行うことで、樹脂基
板1のおもて面の基板電極3の部分は露出し、その他の
銅パターンは被服するように樹脂絶縁膜5を設ける。
を行うことで、パッド電極4の部分は露出し、その他の
銅パターンは被服するように樹脂絶縁膜5を設ける。
6はおもて面に基板電極3と樹脂絶縁膜5を有してい
る。さらに配線基板6はうら面にパッド電極4と樹脂絶
縁膜5を有している。また配線基板6はおもて面の基板
電極3とうら面のパッド電極4とをスルーホール2と銅
パターンからなる電気的経路とを介して電気的に接続し
ている。
樹脂絶縁膜5から露出している銅パターンの表面に、2
μmから5μm程度のニッケル(Ni)メッキ層を設
け、その上層に0.5μm程度の導通性の優れる金(A
u)メッキ層を設ける。
性の樹脂組成物からなる接着剤8を加熱硬化すること
で、配線基板6のほぼ中央に固着する。接着剤8の材料
としては熱硬化性のエポキシ樹脂組成物があげられる。
と基板電極3を接続ワイヤー9を用いて電気的に接続す
る。接続ワイヤー9の材料として望ましいのは導通性の
優れる金(Au)ワイヤーである。
保護を行うために、半導体集積回路チップ7と接続ワイ
ヤー9を熱硬化性の封止樹脂10を用いたトランスファ
ー・モールド成型方法により樹脂封止する。
ハンダボールを供給し、加熱炉で加熱することにより、
ハンダボール端子11を設ける。このハンダボール端子
11は図示しないマザーボードの電極と電気的に接続す
るために用いる。図1に示す従来技術のPBGA12は
以上説明したような製造工程によって製造する。なお、
PBGA12は、半導体集積回路チップ7の各電極とハ
ンダボール端子11とを接続ワイヤー9と配線基板6を
介して電気的に接続している。
2は半導体パッケージの小型化と電気特性と実装歩留ま
りの点で、他に比べて有利な構造を備えている。
体加熱することによって、ハンダボール端子11を溶融
し、マザーボードの電極と電気的に接続する。このリフ
ローハンダ付けの際にPBGA12の接着剤8と配線基
板6を接着した部分で発生する剥離が問題となってい
る。
て半導体集積回路チップ7を配線基板6に固着する行程
で、配線基板6の表面に吸着した水分が接着剤8の硬化
温度の150℃程度に加熱されることで気化し、配線基
板6と接着剤8の界面に気泡が残る。
に実装するリフローハンダ付け行程で、この配線基板6
と接着剤8の界面の気泡にPBGA12内の水分が気化
膨張して吹き出すことで配線基板6と接着剤8の界面に
剥離が発生する。
半導体パッケージは、熱膨張係数や弾性率などの材料特
性が異なる種々の材料を積層した構造からなる。とくに
熱膨張係数の材料間の差のため、リフローハンダ付けの
行程でPBGA12本体の温度が200℃以上に達する
と、積層した各材料の界面にせん断力が生じ、界面の密
着力が弱い場合は剥離が起きる。
面に気泡があると、接着剤8の有効接着面積が減少し、
結果として界面の密着力が弱くなる。したがって、前述
のリフローハンダ付けの行程で配線基板6と接着剤8の
界面でせん断力による剥離が起きる。
が無い箇所でも、配線基板6と接着剤8の間に吸着水分
の層が介在するため密着力が弱くなる。したがって、前
述のリフローハンダ付けの行程で配線基板6と接着剤8
の吸着水分の層を介した接着面でせん断力による剥離が
起きる。
により、配線基板6がマザーボード側に膨れ実装が不可
能になったり、PBGA12内部の電気的経路が断線す
るなどの故障が発生し、半導体装置の信頼性を損なう致
命的な問題がある。
記課題を解決して、半導体集積回路チップの剥離が無
く、耐湿性に優れた半導体装置の製造方法を提供するこ
とである。
め、本発明においては、下記記載の半導体装置の製造方
法を採用する。
分を主たる構成材料とする配線基板の表面に付着した水
分を除去する行程と、この配線基板に半導体集積回路チ
ップを接着剤を用いて固着する行程と、半導体集積回路
チップの各電極と配線基板に設ける基板電極とを導電性
のワイヤーで接続する行程と、半導体集積回路チップと
接続ワイヤーと基板電極を樹脂封止する行程と、配線基
板のうら面にマザーボードと接続するためのハンダボー
ルを設ける行程とを有することを特徴とする。
は、樹脂成分を主たる構成材料とする配線基板の表面に
付着した水分を加熱除去する行程と、この配線基板に半
導体集積回路チップを接着剤を用いて固着する行程と、
半導体集積回路チップの各電極と配線基板に設ける基板
電極とを導電性のワイヤーで接続する行程と、半導体集
積回路チップと接続ワイヤーと基板電極を樹脂封止する
行程と、配線基板のうら面にマザーボードと接続するた
めのハンダボールを設ける行程とを有することを特徴と
する。
は、樹脂成分を主たる構成材料とする配線基板の表面に
付着した水分を除去する行程と、この行程の終了後60
分以内に前記配線基板に半導体集積回路チップを接着剤
を用いて固着する行程と、半導体集積回路チップの各電
極と配線基板に設ける基板電極とを導電性のワイヤーで
接続する行程と、半導体集積回路チップと接続ワイヤー
と基板電極を樹脂封止する行程と、配線基板のうら面に
マザーボードと接続するためのハンダボールを設ける行
程とを有することを特徴とする。
分を主たる構成材料とする配線基板の表面に付着した水
分を加熱除去する行程と、この行程の終了後60分以内
に前記配線基板に半導体集積回路チップを接着剤を用い
て固着する行程と、半導体集積回路チップの各電極と配
線基板に設ける基板電極とを導電性のワイヤーで接続す
る行程と、半導体集積回路チップと接続ワイヤーと基板
電極を樹脂封止する行程と、配線基板のうら面にマザー
ボードと接続するためのハンダボールを設ける行程を有
することを特徴とする。
は、樹脂成分を主たる構成材料とする配線基板上に半導
体集積回路チップを接着剤を用いて固着する行程の直前
に、配線基板表面に付着した水分を除去する行程を有し
ている。
路チップを配線基板に固着する行程で、配線基板の表面
に吸着した水分が接着剤の硬化温度の150℃程度に加
熱されることで気化し、配線基板と接着剤の界面に気泡
が残ることがない。したがって、PBGAをマザーボー
ドに実装するリフローハンダ付け行程で、前述の界面の
気泡にPBGA内の水分が気化膨張して吹き出すことが
なく、配線基板と接着剤の界面に剥離が発生しない。
配線基板表面に付着した水分を除去する行程の終了後6
0分以内に、配線基板上に半導体集積回路チップを接着
剤を用いて固着する。
に再び水分が付着する前に、半導体集積回路チップの固
着を完了する。このため接着剤の加熱硬化の行程で接着
剤と配線基板の界面に気泡が残留することがない。した
がって、PBGAをマザーボードに実装するリフローハ
ンダ付け行程で、前述の界面の気泡にPBGA内の水分
が気化膨張して吹き出すことがなく、配線基板と接着剤
の界面に剥離が発生しない。
留していないため、接着剤の有効接着面積を多く確保で
き、結果として界面の良好な密着力が得られる。このた
め、リフローハンダ付けの行程でPBGAを全体加熱し
ても、配線基板と接着剤の界面でせん断力による剥離が
発生しない。
分の層が介在しない密着の良好な接着が可能になる。こ
のため、リフローハンダ付けの行程でPBGAを全体加
熱しても、配線基板と接着剤の界面でせん断力による剥
離が発生しない。
方法の最適な実施形態について説明する。図1は本発明
の製造方法を採用する半導体装置の構造を示す断面図で
ある。
ほぼ四角形で、板厚が0.3mm程度の樹脂材料からな
る。樹脂基板1の材料としてはエポキシ樹脂やポリイミ
ド樹脂などの樹脂材料があげられるが、望ましくはガラ
ス繊維を含浸した熱硬化性のエポキシ樹脂である。この
樹脂基板1の熱硬化性エポキシ樹脂が半硬化状態のうち
に、おもて面とうら面とに厚さ18μm程度の銅箔を貼
る。
とうら面とを加圧しながら同時に加熱し熱硬化性エポキ
シ樹脂の硬化を完了させることで樹脂基板1のおもて面
とうら面に銅箔を固着する。
ルなどの穴あけ手段により設ける。さらにスルーホール
2の壁面を含む樹脂基板1表面を洗浄し、樹脂基板1の
全面に無電界メッキ処理および電解メッキ処理により銅
メッキ層を設ける。このメッキ層はスルーホール2内面
まで施す。
す膜層を設けた樹脂基板1にエッチングマスクとエッチ
ング液を用いてエッチング処理を行う。このエッチング
処理により、図2に示すように樹脂基板1のおもて面に
半導体集積回路チップ7の各電極と電気的に接続するた
めの基板電極3と電気的経路を銅パターンとして設け
る。
程で固着する半導体集積回路チップ7の外周を取り囲む
ようにして設ける。
基板1のおもて面に基板電極3とスルーホール2を電気
的に接続するための電気的経路を銅パターンとして設け
る。さらに、このエッチング処理により、樹脂基板1の
うら面にハンダボール端子11をハンダ付けするための
パッド電極4を銅パターンとして設ける。そのうえ樹脂
基板1のうら面にパッド電極4とスルーホール2を電気
的に接続するための図示しない電気的経路を銅パターン
として設ける。
銅パターンを設けた樹脂基板1のおもて面とうら面に、
電気的経路を保護するための樹脂絶縁膜5を設ける。樹
脂絶縁膜5の材料としてはアクリル変成エポキシなどの
感光性樹脂組成物があげられる。
物を用いた場合は、露光現像処理を行うことで、樹脂基
板1のおもて面の基板電極3の部分は露出し、その他の
銅パターンは被服するように樹脂絶縁膜5を設ける。ま
た、樹脂基板1のうら面も露光現像処理を行うことで、
パッド電極4の部分は露出し、その他の銅パターンは被
服するように樹脂絶縁膜5を設ける。
6はおもて面に基板電極3と樹脂絶縁膜5を有してい
る。さらに配線基板6はうら面にパッド電極4と樹脂絶
縁膜5を有している。また配線基板6はおもて面の基板
電極3とうら面のパッド電極4とをスルーホール2と銅
パターンからなる電気的経路とを介して電気的に接続し
ている。
樹脂絶縁膜5から露出している銅パターンの表面に、2
μmから5μm程度のニッケル(Ni)メッキ層を設
け、その上層に0.5μm程度の導通性の優れる金(A
u)メッキ層を設ける。
ら30分加熱することで、表面に付着している水分を除
去する。加熱には熱風オーブンや赤外線ヒーターのベル
ト炉などを用いる。
熱除去する場合、加熱温度は水分が気化する100℃以
上が望ましい。また200℃以上に長時間加熱すると配
線基板6が劣化する。したがって望ましい加熱温度は1
50℃程度である。
を供給し、さらに半導体集積回路チップ7を配線基板6
の中央に位置合わせして、接着剤8の厚みが50μm程
度になるように押さえつける。
せる。接着剤8の材料に熱硬化性のエポキシ樹脂組成物
を用いる場合は150℃で60分程度加熱硬化を行う。
また、配線基板6上に半導体集積回路チップ7を接着剤
8を用い、加熱硬化して固着する行程は、配線基板6表
面に付着した水分を加熱除去する行程の終了後60分以
内に完了する必要がある。
配線基板6表面に付着した水分を加熱除去する行程の終
了後60分以内に完了しない場合は、再び配線基板6に
水分が付着し、本発明の効果が得られない。
変化を示す。図3から明らかなように配線基板6は15
0℃投入後、表面に吸着している水分が脱離するため重
量が減少する。また、図4に配線基板6の150℃乾燥
終了後、半導体装置を組み立てるために雰囲気が管理さ
れたクリーンルーム(温度22から25℃,湿度30か
ら65%)に放置した場合の重量変化を示す。
ム内に放置すると、再び表面に水分が付着するため重量
が時間とともに増加し、60分後にほとんど乾燥前の重
量にもっどっていることが解る。
実施前後の可逆的重量変化により、空気中の水分の付着
と脱離が、可逆的に起きていることが解る。したがっ
て、配線基板6上に半導体集積回路チップ7を接着剤8
を用い、加熱硬化して固着する行程は、配線基板6表面
に付着した水分を除去する行程の終了後60分以内に完
了する必要がある。
型エポキシ樹脂と2エチル4メチルイミダゾールとジシ
アンジアミドをそれぞれ90対5対5の重量比で混合し
て調整した熱硬化性の接着剤8を用いて、乾燥工程を行
わない配線基板6上に5mm角の半導体集積回路チップ
7を150℃60分の加熱硬化により接着した場合のせ
ん断方向の接着力は5.8kgfであった。
30分の表面乾燥工程を行なった直後の配線基板6上に
5mm角の半導体集積回路チップ7を150℃60分の
加熱硬化により接着した場合のせん断方向の接着力は
9.8kgfであった。
30分の表面乾燥工程を行なった後クリーンルーム内に
60分放置した配線基板6上に5mm角の半導体集積回
路チップ7を150℃60分の加熱硬化により接着した
場合のせん断方向の接着力は5.9kgfであった。
する行程を、配線基板6表面に付着した水分を加熱除去
する行程の終了後60分以内に完了しない場合は、再び
配線基板6に水分が付着し、配線基板6と半導体集積回
路チップ7との良好な接着が得られない。
7との良好な接着を得るためには、接着剤8を加熱硬化
して固着する行程を、配線基板6表面に付着した水分を
加熱除去する行程の終了直後に完了することが望まし
い。
去する方法としては前述の基板加熱の他に、配線基板6
を減圧雰囲気に放置して除去する方法があげられる。こ
の方法でも、接着剤8を加熱硬化して接着する行程を、
配線基板6表面に付着した水分を減圧除去する行程の終
了後60分以内に完了しない場合は、再び配線基板6に
水分が付着し、配線基板6と半導体集積回路チップ7と
の良好な接着が得られない。
7との良好な接着を得るためには、接着剤8を加熱硬化
して固着する行程を、配線基板6表面に付着した水分を
減圧除去する行程の終了直後に完了することが望まし
い。
法は、配線基板6上に半導体集積回路チップ7を接着剤
8を用いて固着する行程の直前に、配線基板6表面に付
着した水分を除去する行程を有している。
回路チップ7を配線基板6に固着する工程で、配線基板
6が接着剤8の硬化温度である150℃程度に加熱され
ても表面に吸着した水分が除去されているため、水分の
気化による気泡が配線基板6と接着剤8の界面に残らな
い。
に実装するリフローハンダ付け行程で、前述の界面の気
泡にPBGA12内の水分が気化膨張して吹き出すこと
がなく、配線基板6と接着剤8の界面に剥離が発生しな
い。
が残留していないため、接着剤8の有効接着面積を多く
確保でき、結果として界面の良好な密着力が得られる。
このため、リフローハンダ付けの行程でPBGA12を
全体加熱しても、配線基板6と接着剤8の界面でせん断
力による剥離が発生しない。
分の層が介在しない密着の良好な接着が可能になる。こ
のため、リフローハンダ付けの行程でPBGA12を全
体加熱しても、配線基板と接着剤の界面でせん断力によ
る剥離が発生しない。
と基板電極3を接続ワイヤー9を用いて電気的に接続す
る。接続ワイヤー9の材料として望ましいのは導通性の
優れる金(Au)ワイヤーである。
保護を行うために、半導体集積回路チップ7と接続ワイ
ヤー9を熱硬化性の封止樹脂10を用いたトランスファ
ー・モールド成型方法により樹脂封止する。
にハンダボールを供給し、加熱炉で加熱することによっ
て、ハンダボール端子11を設ける。このハンダボール
端子11は図示しないマザーボードの電極と電気的に接
続するために用いる。なお、PBGA12は、半導体集
積回路チップ7の各電極とハンダボール端子11とを、
接続ワイヤー9と配線基板6を介して電気的に接続して
いる。
は、配線基板6上に半導体集積回路チップ7を接着剤8
を用いて固着する行程の直前に、配線基板6表面に付着
した水分を除去する行程を有している。
回路チップ7を配線基板6に固着する行程で、配線基板
6の表面に吸着した水分が接着剤8の硬化温度の150
℃程度に加熱されることで気化し、配線基板6と接着剤
8の界面に気泡が残ることがない。したがって、接着剤
8の加熱硬化の行程で接着剤8と配線基板6の界面に気
泡が残留することがない。したがって、PBGA12を
マザーボードに実装するリフローハンダ付け行程で、前
述の界面の気泡にPBGA12内の水分が気化膨張して
吹き出すことがなく、配線基板6と接着剤8の界面に剥
離が発生しない。
配線基板6表面に付着した水分を除去する行程の終了後
60分以内に、配線基板6上に半導体集積回路チップ7
を接着剤8を用いて固着する。
面に再び水分が付着する前に、半導体集積回路チップ7
の固着を完了する。このため接着剤8の加熱硬化の行程
で接着剤8と配線基板6の界面に気泡が残留することが
ない。したがって、PBGA12をマザーボードに実装
するリフローハンダ付け行程で、前述の界面の気泡にP
BGA12内の水分が気化膨張して吹き出すことがな
く、配線基板6と接着剤8の界面に剥離が発生しない。
が残留していないため、接着剤8の有効接着面積を多く
確保でき、結果として界面の良好な密着力が得られる。
このため、リフローハンダ付けの行程でPBGA12を
全体加熱しても、配線基板6と接着剤8の界面でせん断
力による剥離が発生しない。
分の層が介在しない密着の良好な接着が可能になる。こ
のため、リフローハンダ付けの行程でPBGA12を全
体加熱しても、配線基板6と接着剤8の界面でせん断力
による剥離が発生しない。
の剥離により、配線基板6がマザーボード側に膨れ実装
が不可能になったり、PBGA12内部の電気的経路が
断線するなどの故障を生じない。したがって半導体集積
回路チップ下部の剥離により、配線基板がマザーボード
側に膨れ実装が不可能になったり、PBGA内部の電気
的経路が断線するなどの故障を発生することがなく、耐
湿性に優れた半導体装置が得られる。
の半導体装置の製造方法においては、PBGAの完成
後、マザーボードに実装するリフローハンダ付け行程
で、配線基板と接着剤の界面の気泡にPBGA内部の水
分が気化膨張して吹き出すことで配線基板と接着剤の界
面に剥離が発生することはない。
法のPBGAの構造を示す断面図である。
法のPBGAにおける樹脂基板おもて面の銅パターンを
示す平面図である。
法の配線基板の乾燥中の重量変化を示すグラフである。
法の乾燥終了後の配線基板の重量変化を示すグラフであ
る。
Claims (4)
- 【請求項1】 樹脂成分を主たる構成材料とする配線基
板の表面に付着した水分を除去する行程と、 この配線基板に半導体集積回路チップを接着剤を用いて
固着する行程と、 半導体集積回路チップの各電極と配線基板に設ける基板
電極とを導電性のワイヤーで接続する行程と、 半導体集積回路チップと接続ワイヤーと基板電極を樹脂
封止する行程と、 配線基板のうら面にマザーボードと接続するためのハン
ダボールを設ける行程とを有することを特徴とするプラ
スチック・ボール・グリッド・アレイの半導体装置の製
造方法。 - 【請求項2】 樹脂成分を主たる構成材料とする配線基
板の表面に付着した水分を加熱除去する行程と、 この配線基板に半導体集積回路チップを接着剤を用いて
固着する行程と、 半導体集積回路チップの各電極と配線基板に設ける基板
電極とを導電性のワイヤーで接続する行程と、 半導体集積回路チップと接続ワイヤーと基板電極を樹脂
封止する行程と、 配線基板のうら面にマザーボードと接続するためのハン
ダボールを設ける行程とを有することを特徴とするプラ
スチック・ボール・グリッド・アレイの半導体装置の製
造方法。 - 【請求項3】 樹脂成分を主たる構成材料とする配線基
板の表面に付着した水分を除去する行程と、 この行程の終了後60分以内に前記配線基板に半導体集
積回路チップを接着剤を用いて固着する行程と、 半導体集積回路チップの各電極と配線基板に設ける基板
電極とを導電性のワイヤーで接続する行程と、 半導体集積回路チップと接続ワイヤーと基板電極を樹脂
封止する行程と、 配線基板のうら面にマザーボードと接続するためのハン
ダボールを設ける行程とを有することを特徴とするプラ
スチック・ボール・グリッド・アレイの半導体装置の製
造方法。 - 【請求項4】 樹脂成分を主たる構成材料とする配線基
板の表面に付着した水分を加熱除去する行程と、 この行程の終了後60分以内に前記配線基板に半導体集
積回路チップを接着剤を用いて固着する行程と、 半導体集積回路チップの各電極と配線基板に設ける基板
電極とを導電性のワイヤーで接続する行程と、 半導体集積回路チップと接続ワイヤーと基板電極を樹脂
封止する行程と、 配線基板のうら面にマザーボードと接続するためのハン
ダボールを設ける行程とを有することを特徴とするプラ
スチック・ボール・グリッド・アレイの半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP469798A JPH11204549A (ja) | 1998-01-13 | 1998-01-13 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP469798A JPH11204549A (ja) | 1998-01-13 | 1998-01-13 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11204549A true JPH11204549A (ja) | 1999-07-30 |
Family
ID=11591093
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP469798A Pending JPH11204549A (ja) | 1998-01-13 | 1998-01-13 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11204549A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20010051976A (ko) * | 1999-11-30 | 2001-06-25 | 가네꼬 히사시 | 패키지 그룹 몰드 및 다이싱법으로 제조되는 반도체 장치 |
US6472749B1 (en) * | 1999-02-15 | 2002-10-29 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device having a shortened wiring length to reduce the size of a chip |
-
1998
- 1998-01-13 JP JP469798A patent/JPH11204549A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6472749B1 (en) * | 1999-02-15 | 2002-10-29 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device having a shortened wiring length to reduce the size of a chip |
US6838767B2 (en) | 1999-02-15 | 2005-01-04 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
KR20010051976A (ko) * | 1999-11-30 | 2001-06-25 | 가네꼬 히사시 | 패키지 그룹 몰드 및 다이싱법으로 제조되는 반도체 장치 |
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