JPH11203735A - Laser cutting device - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To perform miniaturization, to reduce weight and to improve cutting accuracy by using a semiconductor laser for emitting the laser beam of the photosensitive wavelength of a photosensitive material layer for forming latent images as a light source for emitting the laser beam for recording. SOLUTION: This device is provided with a semiconductor laser chip 2 for emitting the laser beam of the photosensitive wavelength of a resist layer 31 formed on a glass substrate 30 rotated in the direction of an arrow A. The oscillation wavelength of the semiconductor laser chip 2 is 300-450 nm, it is small-sized and light in weight and the entire optical system to an objective lens 3 for converging the laser beam for recording from the semiconductor laser chip 2 is integrated on a moving optical table 11 moved in a radial direction indicated by the arrow B. Also, since the large amount of cooling water for cooling heat generated by the semiconductor laser chip 2 is not required and the optical path length of the optical system from the semiconductor laser chip 2 to the resist layer 31 is shortened, the fluctuation of the beam light axis of the laser beam for recording by the vibration of the cooling water is suppressed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、所定のパターンを
有するディスク原盤（以下、スタンパと称する。）を作
製する際に用いられるレーザカッティング装置に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser cutting apparatus used for producing a master disk (hereinafter, referred to as a stamper) having a predetermined pattern.

【０００２】[0002]

【従来の技術】記録媒体として、ディスク基板の表面に
情報信号を示すピット等が形成され、このピット等が形
成されたディスク基板にＡｌ反射膜や保護膜が形成され
てなる光ディスクが普及している。2. Description of the Related Art As a recording medium, an optical disk having a pit or the like indicating an information signal formed on the surface of a disk substrate and an Al reflective film or a protective film formed on the disk substrate having the pit or the like has been widely used. I have.

【０００３】この光ディスクのディスク基板は、主とし
て、射出成形法により成形されている。射出成形法は、
例えば一対の金型のキャビティ内に、ディスク基板のピ
ット等とは反転パターンの凹凸形状が形成されたスタン
パを配設し、この金型のキャビティに加熱溶融したディ
スク材料を射出し、ディスク基板を成形する方法であ
る。The disk substrate of this optical disk is mainly formed by an injection molding method. The injection molding method
For example, in a cavity of a pair of molds, a stamper in which the pits and the like of the disk substrate are formed with a concavo-convex shape of a reversal pattern is disposed, and a disk material heated and melted is injected into the cavity of the mold, and the disk substrate is removed. It is a molding method.

【０００４】そして、この射出成形法に用いられるスタ
ンパは、以下に示すように形成される。[0004] A stamper used in this injection molding method is formed as follows.

【０００５】先ず、直径が約２００ｍｍ、厚さが数ｍｍ
の表面が精密研磨された円盤状のガラス基板の主面に、
密着補強剤等を介して、記録用レーザ光源の波長に十分
な感度を有するフォトレジストが、膜厚０．１μｍ程度
で均一に塗布される。そして、このフォトレジストの有
機溶剤が揮発され、ガラス基板上にフォトレジスト層が
形成される。First, the diameter is about 200 mm and the thickness is several mm.
On the main surface of a disc-shaped glass substrate whose surface is precisely polished,
A photoresist having sufficient sensitivity to the wavelength of the recording laser light source is uniformly applied to a thickness of about 0.1 μm via an adhesion reinforcing agent or the like. Then, the organic solvent of the photoresist is volatilized, and a photoresist layer is formed on the glass substrate.

【０００６】次に、フォトレジスト層が形成されたガラ
ス基板が、レーザカッティング装置にセットされる。そ
して、このレーザカッティング装置により、記録用レー
ザ光が、０．５μｍ程度のスポットサイズでガラス基板
のフォトレジスト上に集光される。Next, the glass substrate on which the photoresist layer has been formed is set in a laser cutting device. Then, the laser beam for recording is focused on the photoresist on the glass substrate with a spot size of about 0.5 μm by the laser cutting device.

【０００７】レーザカッティング装置は、このレーザ光
をＯＮ／ＯＦＦさせて、ガラス基板のレジスト層上をス
パイラル状に走査し、レジスト層に、所定のピット、グ
ルーブに対応した凹凸パターンの潜像を形成する。The laser cutting device turns on / off this laser beam, scans the resist layer of the glass substrate in a spiral manner, and forms a latent image of a concavo-convex pattern corresponding to predetermined pits and grooves on the resist layer. I do.

【０００８】次に、潜像が形成されたレジスト層が、ア
ルカリ性の現像液により現像され、所定のピット、グル
ーブに対応した凹凸パターンを有するレジスト原盤が形
成される。Next, the resist layer on which the latent image is formed is developed with an alkaline developer to form a resist master having an uneven pattern corresponding to predetermined pits and grooves.

【０００９】次に、レジスト原盤の凹凸パターンを有す
る主面に、スパッタリング法、蒸着法、無電解メッキ法
等の方法で、銀またはニッケル等の金属被膜が形成され
る。Next, a metal film such as silver or nickel is formed on the main surface of the resist master having an uneven pattern by a method such as sputtering, vapor deposition, or electroless plating.

【００１０】次に、金属被膜が形成されたレジスト原盤
が、電気メッキ装置にセットされ、金属被膜を電極とし
て、電気メッキが行われることにより、レジスト原盤の
主面上に、電気メッキ層が形成される。Next, the resist master on which the metal coating is formed is set in an electroplating apparatus, and electroplating is performed using the metal coating as an electrode to form an electroplating layer on the main surface of the resist master. Is done.

【００１１】次に、金属被膜及び電気メッキ層からレジ
スト原盤が剥離され、余分な金属被膜がプレス除去さ
れ、スタンパが完成する。Next, the resist master is peeled off from the metal film and the electroplating layer, and the excess metal film is removed by pressing to complete the stamper.

【００１２】ところで、上述したスタンパ作製工程にお
いて用いられるレーザカッティング装置１００は、図６
に示すように、記録用レーザ光として波長が４１３ｎｍ
のＫｒイオンレーザを出射する光源１０１と、この光源
１０１から出射される記録用レーザ光の出力を制御する
出力制御部（ＡＰＣ：Auto Power Controll）１０２
と、記録用レーザ光の変調を行う音響光学変調器（ＡＯ
Ｍ：Acousto-optic modulator）１０３と、記録用レー
ザ光の位置補正を行う位置補正機構１０４と、記録用レ
ーザ光を集光してレジスト層１３１上に照射させる対物
レンズ１０５と、対物レンズ１０５に入射される記録用
レーザ光のビーム径を拡大させるビームエキスパンダ１
０６とを備えている。By the way, the laser cutting apparatus 100 used in the stamper manufacturing process described above is shown in FIG.
As shown in the figure, the wavelength of the recording laser light is 413 nm.
A light source 101 for emitting a Kr ion laser, and an output control unit (APC: Auto Power Control) 102 for controlling an output of a recording laser beam emitted from the light source 101
And an acousto-optic modulator (AO) for modulating a recording laser beam
M: Acousto-optic modulator 103, a position correction mechanism 104 for correcting the position of the recording laser beam, an objective lens 105 for condensing the recording laser beam and irradiating the resist layer 131, and an objective lens 105. Beam expander 1 for expanding the beam diameter of incident recording laser light
06.

【００１３】そして、このレーザカッティング装置１０
０においては、光源１０１から位置補正機構１０４まで
の光学系が固定された光学定盤上に搭載されており、対
物レンズ１０５とビームエキスパンダ１０６とが、ガラ
ス基板１３０の径方向に移動操作される移動光学テーブ
ル上に搭載されている。The laser cutting device 10
At 0, the optical system from the light source 101 to the position correction mechanism 104 is mounted on a fixed optical surface plate, and the objective lens 105 and the beam expander 106 are moved in the radial direction of the glass substrate 130 to operate. It is mounted on a moving optical table.

【００１４】また、レジスト層１３１が形成されたガラ
ス基板１３０は、高回転精度で回転するエアースピンド
ル上にチャッキングされる。The glass substrate 130 on which the resist layer 131 is formed is chucked on an air spindle that rotates with high rotational accuracy.

【００１５】そして、上記光学定盤や移動光学テーブ
ル、エアースピンドル等は、全て設置場所の外部振動の
影響を受けないように、エアー定盤上に搭載されてい
る。The optical surface plate, the movable optical table, the air spindle, and the like are all mounted on the air surface plate so as not to be affected by external vibration at the installation place.

【００１６】以上のように構成されるレーザカッティン
グ装置１００は、レーザカッティングを行う際は、まず
光源１０１から波長が４１３ｎｍのＫｒイオンレーザ
（記録用レーザ光）を出射する。When performing laser cutting, the laser cutting apparatus 100 configured as described above first emits a Kr ion laser (recording laser light) having a wavelength of 413 nm from the light source 101.

【００１７】光源から出射された記録用レーザ光は、出
力制御部１０２を構成する電気光学素子（ＥＯＭ：Elec
trooptic modulator）１０７及び偏光ビームスプリッタ
（ＰＢＳ：Polarization beam splitter）１０８を透過
し、一部がハーフミラー１０９により反射され、一部が
ハーフミラー１０９を透過して記録用レーザ光の出力を
検出するための光検出器１１０に入射される。The recording laser light emitted from the light source is applied to an electro-optical element (EOM: Elec)
trooptic modulator 107 and a polarization beam splitter (PBS) 108, a part of which is reflected by the half mirror 109, and a part of which passes through the half mirror 109 to detect the output of the recording laser light. To the photodetector 110.

【００１８】電気光学素子１０７は、光検出器１１０に
よりフィードバックされる情報に基づいて、透過する記
録用レーザ光の偏光角を変える。これにより、偏光ビー
ムスプリッタ１０８を透過する記録用レーザ光の出力
は、常に一定になるように調整される。The electro-optical element 107 changes the polarization angle of the transmitted recording laser beam based on the information fed back by the photodetector 110. As a result, the output of the recording laser light passing through the polarization beam splitter 108 is adjusted to be always constant.

【００１９】ハーフミラー１０９により反射された記録
用レーザ光は、集光レンズ１１１を透過して変調素子１
０３に入射する。この変調素子１０３は、入射した記録
用レーザ光を一定方向に回折して、記録用レーザ光の変
調を行う。The recording laser light reflected by the half mirror 109 passes through the condenser lens 111 and passes through the modulator 1
03. The modulation element 103 modulates the recording laser light by diffracting the incident recording laser light in a certain direction.

【００２０】変調素子１０３により変調された記録用レ
ーザ光は、集光レンズ１１２を透過して、位置補正機構
１０４を構成する第１の位置補正板１１３及び第２の位
置補正板１１４に順次入射する。これら第１及び第２の
位置補正板１１３，１１４は、それぞれ記録用レーザ光
の光軸に直交する方向に対して所定量傾斜して配設され
ることにより、記録用レーザ光の光軸を傾斜量に応じた
分だけＸ方向またはＹ方向にシフトさせる。The recording laser light modulated by the modulation element 103 passes through the condenser lens 112 and sequentially enters the first position correction plate 113 and the second position correction plate 114 constituting the position correction mechanism 104. I do. The first and second position correction plates 113 and 114 are disposed at a predetermined angle with respect to a direction orthogonal to the optical axis of the recording laser light, so that the optical axis of the recording laser light is adjusted. The shift is performed in the X direction or the Y direction by an amount corresponding to the amount of inclination.

【００２１】位置補正機構１０４により位置補正が行わ
れた記録用レーザ光は、一部がハーフミラー１１５によ
り反射され、一部がハーフミラー１１５を透過してビー
ム位置を検出するための光検出器１１６に入射される。
光検出器１１６は、入射した記録用レーザ光の位置に関
する情報を位置補正機構１０４にフィードバックする。
そして、位置補正機構１０４が光検出器１１６より供給
される情報に基づいて、第１及び第２の位置補正板１１
３，１１４の傾斜量を変えることにより、記録用レーザ
光の光軸が常に正しい位置にあるように制御されてい
る。The recording laser light whose position has been corrected by the position correcting mechanism 104 is partially reflected by the half mirror 115 and partially transmitted through the half mirror 115 to detect a beam position. It is incident on 116.
The photodetector 116 feeds back information on the position of the incident recording laser light to the position correction mechanism 104.
Then, the position correcting mechanism 104 performs the first and second position correcting plates 11 based on the information supplied from the photodetector 116.
By changing the amount of inclination of 3,114, the optical axis of the recording laser beam is controlled to be always at the correct position.

【００２２】ハーフミラー１１５により反射された記録
用レーザ光は、１／４波長板１１７に入射し、円偏光の
光とされる。The recording laser light reflected by the half mirror 115 is incident on the quarter-wave plate 117 and is converted into circularly polarized light.

【００２３】そして、１／４波長板１１７により円偏光
の光とされた記録用レーザ光は、ビームエキスパンダ１
０６を構成する第１のレンズ１１８及び第２のレンズ１
１９に順次入射し、これら第１のレンズ１１８及び第２
のレンズ１１９により、ビーム径が拡大される。The recording laser light converted into circularly polarized light by the １ ／ wavelength plate 117 is transmitted to the beam expander 1.
06 and the first lens 118 and the second lens 1
19, the first lens 118 and the second lens
The lens 119 enlarges the beam diameter.

【００２４】ビームエキスパンダ１０６によりビーム径
が拡大された記録用レーザ光は、折り返しミラー１２０
により光路が曲折され、レジスト層１３１が形成された
ガラス基板１３０の主面に対向するように配設された対
物レンズ１０５に入射する。The recording laser light whose beam diameter has been expanded by the beam expander 106 is reflected by a turning mirror 120.
As a result, the optical path is bent, and the light enters the objective lens 105 disposed so as to face the main surface of the glass substrate 130 on which the resist layer 131 is formed.

【００２５】対物レンズ１０５に入射した記録用レーザ
光は、この対物レンズ１０５により集光され、エアース
ピンドルの回転にともなって図５中矢印Ｄ方向に回転す
るガラス基板１３０のレジスト層１３１上に照射され
る。The recording laser light incident on the objective lens 105 is condensed by the objective lens 105 and is irradiated on the resist layer 131 of the glass substrate 130 which rotates in the direction of arrow D in FIG. 5 with the rotation of the air spindle. Is done.

【００２６】そして、レーザカッティング装置１００
は、記録レーザ光のＯＮ／ＯＦＦの切り換えを行いなが
ら、対物レンズ１０５及びビームエキスパンダが搭載さ
れた移動光学テーブルをガラス基板１３０の径方向に移
動操作させることにより、ガラス基板１３０のレジスト
層１３１上をスパイラル状に走査し、レジスト層１３１
に、所定のピット、グルーブに対応した凹凸パターンの
潜像を形成する。Then, the laser cutting device 100
Moves the moving optical table on which the objective lens 105 and the beam expander are mounted in the radial direction of the glass substrate 130 while switching ON / OFF of the recording laser light, thereby obtaining the resist layer 131 of the glass substrate 130. The upper part is spirally scanned, and the resist layer 131
Then, a latent image having a concavo-convex pattern corresponding to predetermined pits and grooves is formed.

【００２７】なお、このレーザカッティング装置１００
は、ガラス基板１３０のレジスト層１３１上に照射され
た記録用レーザ光の反射光を複数の折り返しミラー１２
１，１２２，１２３、集光レンズ１２４を介してＣＣＤ
カメラ１２５により取り込み、レジスト層１３１上に照
射された記録用レーザ光の集光状態をモニターするよう
にしている。The laser cutting device 100
The reflection light of the recording laser light irradiated on the resist layer 131 of the glass substrate
CCD through 1, 122, 123 and condenser lens 124
The focusing state of the recording laser light captured by the camera 125 and irradiated onto the resist layer 131 is monitored.

【００２８】[0028]

【発明が解決しようとする課題】以上のように構成され
るレーザカッティング装置１００は、上述したように、
光源１０１として、波長が４１３ｎｍのＫｒイオンレー
ザを出射するイオンレーザ型のガスレーザを用いてお
り、例えばその長さが１ｍを超えるなど、大型となって
いる。As described above, the laser cutting apparatus 100 configured as described above has the following features.
As the light source 101, an ion laser type gas laser that emits a Kr ion laser having a wavelength of 413 nm is used, and its size is large, for example, its length exceeds 1 m.

【００２９】さらに、レーザカッティング装置１００
は、光源１０１から対物レンズ１０５までの間に配設さ
れる光学素子の数が多く、構成も複雑で、全体の光路長
が長くなり、光源１０１のレーザ出射窓から対物レンズ
１０５までの距離が１ｍ前後となる例も多い。Further, the laser cutting device 100
Has a large number of optical elements disposed between the light source 101 and the objective lens 105, has a complicated configuration, has a long overall optical path length, and has a small distance from the laser emission window of the light source 101 to the objective lens 105. In many cases, it is around 1 m.

【００３０】また、レーザカッティング装置１００は、
光源１０１や出力制御部１０２等を重量の大きな光学定
盤上に搭載しているため大重量とならざるを得ず、例え
ば総重量が２ｔを超える場合も多かった。Further, the laser cutting device 100
Since the light source 101, the output control unit 102, and the like are mounted on a heavy optical surface plate, the weight must be large. For example, the total weight often exceeds 2t.

【００３１】また、光源１０１として用いられるイオン
レーザ型のガスレーザは、大きな電流を印可するので、
大量の熱発生を伴い、この熱を冷却するために大量の冷
却水を必要としていた。そして、レーザカッティング装
置１００においては、この冷却水の振動が原因となっ
て、記録レーザ光のビーム光軸の揺らぎが発生し、カッ
ティング精度の劣化を招いていた。さらに、レーザカッ
ティング装置１００は、上述したように光路長が長いた
めに、記録レーザ光の光軸の揺らぎが大きくなってしま
っていた。The ion laser type gas laser used as the light source 101 applies a large current.
A large amount of heat was generated, and a large amount of cooling water was required to cool this heat. In the laser cutting apparatus 100, the vibration of the cooling water causes fluctuations in the beam optical axis of the recording laser light, resulting in deterioration of the cutting accuracy. Furthermore, in the laser cutting apparatus 100, the fluctuation of the optical axis of the recording laser light is increased due to the long optical path length as described above.

【００３２】特に、近年、光ディスクの記録密度が益々
向上し、レーザカッティング装置に対して高いカッティ
ング精度が要求されているが、従来のレーザカッティン
グ装置１００では、記録レーザ光のビーム光軸の揺らぎ
が大きいため、このような要求に応えられなくなってき
ている。In particular, in recent years, the recording density of an optical disk has been increasingly improved, and high cutting accuracy has been required for a laser cutting apparatus. However, in the conventional laser cutting apparatus 100, the fluctuation of the beam optical axis of the recording laser light is limited. Due to its large size, it is becoming impossible to meet such demands.

【００３３】そこで、本発明は、小型化を実現すると共
に、ビーム光軸の揺らぎを抑制して、カッティング精度
を向上させるレーザカッティング装置を提供することを
目的とする。Accordingly, an object of the present invention is to provide a laser cutting apparatus which realizes downsizing, suppresses fluctuation of a beam optical axis, and improves cutting accuracy.

【００３４】[0034]

【課題を解決するための手段】本発明に係るレーザカッ
ティング装置は、円形基板上に形成された感光材層の感
光波長のレーザ光を出射する半導体レーザと、この半導
体レーザから出射されたレーザ光を感光材層上に集光さ
せる光学系とを備えている。A laser cutting apparatus according to the present invention comprises a semiconductor laser for emitting laser light having a photosensitive wavelength of a photosensitive material layer formed on a circular substrate, and a laser light emitted from the semiconductor laser. And an optical system for condensing light on the photosensitive material layer.

【００３５】半導体レーザから出射されるレーザ光は、
光学系を介して円形基板上に形成された感光材層上に集
光照射される。そして、感光材層は、レーザ光が照射さ
れた箇所に、所定のパターンの潜像が形成される。The laser light emitted from the semiconductor laser is
The light is condensed and irradiated onto a photosensitive material layer formed on a circular substrate via an optical system. Then, a latent image having a predetermined pattern is formed on the photosensitive material layer at a location irradiated with the laser beam.

【００３６】本発明に係るレーザカッティング装置は、
レーザ光を出射する光源として、一般に小型かつ軽量で
ある半導体レーザを用いることにより、光源としてイオ
ンレーザ型のガスレーザを用いた場合に比べて、装置全
体の大幅な小型化及び軽量化が図られている。The laser cutting device according to the present invention comprises:
By using a semiconductor laser, which is generally small and light, as a light source for emitting laser light, the size and weight of the entire apparatus can be significantly reduced as compared with a case where an ion laser type gas laser is used as a light source. I have.

【００３７】なお、半導体レーザの発振波長は、３００
〜４５０ｎｍの範囲内とされていることが望ましい。The oscillation wavelength of the semiconductor laser is 300
It is desirable that the thickness be in the range of 450 nm.

【００３８】半導体レーザから出射されるレーザ光の波
長が３００ｎｍよりも短いと、一般的に用いられている
感光材の感光が困難となり、また、半導体レーザから出
射されるレーザ光の波長が４５０ｎｍよりも長いと、感
光材の感度が下がる。If the wavelength of the laser light emitted from the semiconductor laser is shorter than 300 nm, it becomes difficult to sensitize a generally used photosensitive material, and the wavelength of the laser light emitted from the semiconductor laser is shorter than 450 nm. Longer, the sensitivity of the photosensitive material decreases.

【００３９】レーザカッティング装置は、光源として発
振波長が３００〜４５０ｎｍの範囲内の半導体レーザを
適用することにより、感光材層に適切に潜像を形成する
ことができる。The laser cutting device can appropriately form a latent image on the photosensitive material layer by using a semiconductor laser having an oscillation wavelength in the range of 300 to 450 nm as a light source.

【００４０】また、本発明に係るレーザカッティング装
置は、光学系として、半導体レーザから出射されたレー
ザ光を近接場で感光材層上に集光させる対物レンズを備
えることが望ましい。Further, the laser cutting apparatus according to the present invention desirably includes, as an optical system, an objective lens for condensing the laser light emitted from the semiconductor laser on the photosensitive material layer in a near field.

【００４１】レーザカッティング装置は、レーザ光を近
接場で感光材層上に集光させる対物レンズを備えること
により、感光材層上に照射されるレーザ光のスポット径
を小さくすることができ、記録密度の高い光ディスクの
ピット等に対応した潜像を形成することが可能となる。The laser cutting device is provided with an objective lens for condensing the laser light on the photosensitive material layer in a near field, so that the spot diameter of the laser light irradiated on the photosensitive material layer can be reduced, and the recording can be performed. It is possible to form a latent image corresponding to pits or the like of a high-density optical disk.

【００４２】また、本発明に係るレーザカッティング装
置は、対物レンズと感光材層との間の距離を一定に保つ
ためのフォーカシング制御手段を備えることが望まし
い。Further, it is desirable that the laser cutting apparatus according to the present invention is provided with a focusing control means for keeping the distance between the objective lens and the photosensitive material layer constant.

【００４３】レーザカッティング装置は、フォーカシン
グ制御手段を備えることにより、レーザ光を常に感光材
層上に集光させることが可能となり、精度良く潜像を形
成することができる。Since the laser cutting device is provided with the focusing control means, the laser beam can be always focused on the photosensitive material layer, and a latent image can be formed with high accuracy.

【００４４】また、本発明に係るレーザカッティング装
置は、対物レンズが、感光材層上を所定の浮上量で浮上
する浮上スライダ上に搭載されていることが望ましい。In the laser cutting apparatus according to the present invention, it is preferable that the objective lens is mounted on a flying slider that floats on the photosensitive material layer by a predetermined flying height.

【００４５】レーザカッティング装置は、対物レンズが
浮上スライダ上に搭載されていることにより、円形基板
の回転数等を調整することにより、対物レンズと感光材
層との間の距離を容易に一定に保つことが可能となる。In the laser cutting apparatus, since the objective lens is mounted on the flying slider, the distance between the objective lens and the photosensitive material layer can be easily made constant by adjusting the number of revolutions of the circular substrate. It is possible to keep.

【００４６】また、本発明に係るレーザカッティング装
置は、半導体レーザに印可する電圧または電流を直接調
節することにより、半導体レーザから出射されるレーザ
光の出力を制御する出力制御手段を備えることが望まし
い。Further, the laser cutting apparatus according to the present invention desirably includes output control means for controlling the output of laser light emitted from the semiconductor laser by directly adjusting the voltage or current applied to the semiconductor laser. .

【００４７】レーザカッティング装置は、このような出
力制御手段を備えることにより、簡素な構成で、半導体
レーザから出射されるされるレーザ光の出力を常に一定
に保つことが可能となる。By providing such an output control means, the laser cutting device can keep the output of the laser light emitted from the semiconductor laser constant at all times with a simple configuration.

【００４８】また、本発明に係るレーザカッティング装
置は、半導体レーザに印可する電圧または電流を変調す
ることにより、半導体レーザから出射されるレーザ光の
出力を変調する出力変調手段を備えることが望ましい。The laser cutting apparatus according to the present invention preferably includes an output modulating means for modulating the voltage or current applied to the semiconductor laser to thereby modulate the output of the laser light emitted from the semiconductor laser.

【００４９】レーザカッティング装置は、このような出
力変調手段を備えることにより、ＡＯＭ等の変調素子を
用いた場合のように、変調帯域が変調素子中を伝達する
超音波の速度により制限されることがなく、例えば１０
０ＭＨｚ程度の変調帯域を有することができるので、露
光時の線速度を向上させて、生産性の向上を図ることが
可能となる。Since the laser cutting device is provided with such an output modulation means, the modulation band is limited by the speed of the ultrasonic wave transmitted through the modulation element, as in the case of using a modulation element such as an AOM. Without, for example, 10
Since a modulation band of about 0 MHz can be provided, it is possible to improve the linear velocity at the time of exposure and improve productivity.

【００５０】また、本発明に係るレーザカッティング装
置は、半導体レーザの熱を吸収する温度制御手段を備え
ることが望ましい。Further, it is desirable that the laser cutting device according to the present invention has a temperature control means for absorbing heat of the semiconductor laser.

【００５１】レーザカッティング装置は、半導体レーザ
の熱を吸収する温度制御手段を備えることにより、半導
体レーザから常に安定したレーザ光を出射させることが
可能となる。Since the laser cutting device is provided with a temperature control means for absorbing heat of the semiconductor laser, it is possible to always emit a stable laser beam from the semiconductor laser.

【００５２】[0052]

【発明の実施の形態】本発明に係るレーザカッティング
装置は、例えばピットやグルーブ等を有する光ディスク
等のディスク状記録媒体のディスク基板を射出成形する
際に用いられるスタンパを作製するためのものであり、
ガラス基板上に形成されたレジスト層上にレーザ光を照
射させて、レジスト層に光ディスクのピットやグルーブ
に対応した所定パターンの潜像を形成するためのもので
ある。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A laser cutting apparatus according to the present invention is for producing a stamper used for injection molding a disk substrate of a disk-shaped recording medium such as an optical disk having pits and grooves. ,
This is for irradiating a laser beam onto the resist layer formed on the glass substrate to form a latent image of a predetermined pattern corresponding to pits and grooves of the optical disc on the resist layer.

【００５３】以下、このレーザカッティング装置の第１
及び第２の実施の形態を図面を参照して説明する。Hereinafter, the first of this laser cutting apparatus will be described.
The second embodiment will be described with reference to the drawings.

【００５４】（第１の実施の形態）第１の実施の形態の
レーザカッティング装置１は、図１に示すように、記録
用レーザ光を出射する半導体レーザチップ２から記録用
レーザ光を集光してガラス基板３０上に形成されたレジ
スト層３１上に照射させる対物レンズ３までの光学系
が、全て移動光学テーブル１１上に集積されて構成され
ている。(First Embodiment) As shown in FIG. 1, a laser cutting device 1 according to a first embodiment focuses a recording laser beam from a semiconductor laser chip 2 that emits the recording laser beam. The optical system up to the objective lens 3 for irradiating the resist layer 31 formed on the glass substrate 30 with the objective lens 3 is all integrated on the movable optical table 11.

【００５５】そして、このレーザカッティング装置１
は、記録レーザ光のＯＮ／ＯＦＦの切り換えを行いなが
ら、移動光学テーブル１１を、図示しないエアースピン
ドルにチャッキングされ、図１中矢印Ａ方向に回転する
エアースピンドルに伴い回転するガラス基板３０の図１
中矢印Ｂで示す径方向に移動操作させることにより、ガ
ラス基板３０上に形成されたレジスト層３１上をスパイ
ラル状に走査し、レジスト層３１に、所定のピット、グ
ルーブに対応した凹凸パターンの潜像を形成する。Then, this laser cutting device 1
1 is a diagram of a glass substrate 30 which is chucked by an air spindle (not shown) and rotates with an air spindle rotating in the direction of arrow A in FIG. 1
By moving in the radial direction indicated by the middle arrow B, the resist layer 31 formed on the glass substrate 30 is scanned in a spiral manner, and the resist layer 31 has a latent pattern having a concave and convex pattern corresponding to predetermined pits and grooves. Form an image.

【００５６】このレーザカッティング装置１は、記録用
レーザ光を出射する光源として、レジスト層３１の感光
波長のレーザ光を出射する半導体レーザチップ２を備え
ている。この半導体レーザチップ２は、一般的に、ガス
レーザ等に比べて非常に小型で、且つ軽量である。The laser cutting device 1 includes a semiconductor laser chip 2 for emitting laser light having a photosensitive wavelength of the resist layer 31 as a light source for emitting recording laser light. The semiconductor laser chip 2 is generally very small and light as compared with a gas laser or the like.

【００５７】特にレーザカッティング装置１に適用する
半導体レーザチップ２の発振波長として適しているの
は、３００〜４５０ｎｍの範囲内である。半導体レーザ
チップ２から出射されるレーザ光の波長が３００ｎｍよ
りも短いと、一般的に用いられているレジスト層３１の
感光が困難となり、また、半導体レーザチップ２から出
射されるレーザ光の波長が４５０ｎｍよりも長いと、レ
ジスト層３１の感度が下がる。なお、半導体レーザにお
いても、発振波長の短波長化が進んできており、従来ガ
スレーザ等でしか得られなかったレーザカッティングに
適した波長のレーザ光を出射することが可能になってき
ている。The range suitable for the oscillation wavelength of the semiconductor laser chip 2 applied to the laser cutting device 1 is in the range of 300 to 450 nm. If the wavelength of the laser light emitted from the semiconductor laser chip 2 is shorter than 300 nm, it is difficult to expose the generally used resist layer 31 and the wavelength of the laser light emitted from the semiconductor laser chip 2 is reduced. If it is longer than 450 nm, the sensitivity of the resist layer 31 decreases. In semiconductor lasers as well, the oscillation wavelength has been shortened, and it has become possible to emit laser light having a wavelength suitable for laser cutting, which was conventionally obtained only with a gas laser or the like.

【００５８】レーザカッティング装置１は、光源として
発振波長が３００〜４５０ｎｍの範囲内の半導体レーザ
チップ２を用いることにより、レジスト層３１に適切に
潜像を形成することができる。ここでは、波長が４１０
ｎｍの青色レーザを出射する半導体レーザチップ２を用
いている。The laser cutting device 1 can appropriately form a latent image on the resist layer 31 by using a semiconductor laser chip 2 having an oscillation wavelength in the range of 300 to 450 nm as a light source. Here, the wavelength is 410
A semiconductor laser chip 2 that emits a blue laser of nm is used.

【００５９】半導体レーザチップ２から出射される記録
用レーザ光の光路上には、半導体レーザチップ２から出
射された記録用レーザ光を平行光にするコリメータレン
ズ４と、コリメータレンズ４を透過した記録用レーザ光
の一部を反射させ、残りを透過させるビームスプリッタ
５と、ビームスプリッタ５を透過した記録用レーザ光の
光路を折り曲げて、レジスト層３１に対向配置された対
物レンズ３に入射させる折り返しミラー６とが設けられ
ている。On the optical path of the recording laser light emitted from the semiconductor laser chip 2, a collimator lens 4 for converting the recording laser light emitted from the semiconductor laser chip 2 into parallel light, and a recording transmitted through the collimator lens 4. A beam splitter 5 that reflects a part of the laser light for transmission and transmits the rest of the laser light, and an optical path of the recording laser light that has passed through the beam splitter 5 is bent so as to be incident on the objective lens 3 disposed opposite to the resist layer 31. A mirror 6 is provided.

【００６０】半導体レーザチップ２から出射される記録
用レーザ光は、コリメータレンズ４により平行光とさ
れ、ビームスプリッタ５に入射する。そして、ビームス
プリッタ５により反射されずにこのビームスプリッタ５
を透過した記録用レーザ光が、折り返しミラー６により
光路が曲折され、対物レンズ３に入射する。The recording laser light emitted from the semiconductor laser chip 2 is collimated by the collimator lens 4 and enters the beam splitter 5. Then, without being reflected by the beam splitter 5, the beam splitter 5
The optical path of the recording laser light that has passed through is reflected by the folding mirror 6 and enters the objective lens 3.

【００６１】対物レンズ３に入射した記録用レーザ光
は、この対物レンズ３により集光されて、回転するガラ
ス基板３０上のレジスト層３１に照射される。The recording laser light incident on the objective lens 3 is condensed by the objective lens 3 and irradiates the resist layer 31 on the rotating glass substrate 30.

【００６２】一方、ビームスプリッタ５により反射され
た記録用レーザ光の一部は、第１の光検出器７に入射
し、この第１の光検出器７により受光される。On the other hand, a part of the recording laser light reflected by the beam splitter 5 enters the first photodetector 7 and is received by the first photodetector 7.

【００６３】第１の光検出器７は、半導体レーザの出力
を制御するための図示しない出力制御部に接続されてい
る。そして、レーザカッティング装置１は、出力制御部
が、第１の光検出器７から供給される受光信号に基づい
て、半導体レーザチップ２の設定出力と実際の出力との
偏差を算出して、半導体レーザチップ２の印可電圧また
は電流に直接フィードバックをかけることにより、半導
体レーザチップ２の出力を一定に保つようにしている。The first photodetector 7 is connected to an output controller (not shown) for controlling the output of the semiconductor laser. In the laser cutting device 1, the output control unit calculates a deviation between the set output of the semiconductor laser chip 2 and the actual output based on the light receiving signal supplied from the first photodetector 7, and The output of the semiconductor laser chip 2 is kept constant by directly applying feedback to the applied voltage or current of the laser chip 2.

【００６４】レーザカッティング装置１は、このよう
に、出力制御部が半導体レーザチップ２に印可する電圧
または電流を直接調節して、半導体レーザチップ２の出
力を制御することにより、簡素な構成で半導体レーザチ
ップ２から出射される記録用レーザ光の出力を常に一定
に保つことができる。As described above, the laser cutting device 1 controls the output of the semiconductor laser chip 2 by directly adjusting the voltage or the current applied to the semiconductor laser chip 2 by the output control unit, so that the semiconductor cutting device 1 has a simple configuration. The output of the recording laser light emitted from the laser chip 2 can always be kept constant.

【００６５】また、出力制御部は、半導体レーザチップ
２に印可する電圧または半導体レーザチップ２に供給す
る電流を直接変調して、半導体レーザチップ２から出射
される記録用レーザ光の出力を変調する。The output controller directly modulates the voltage applied to the semiconductor laser chip 2 or the current supplied to the semiconductor laser chip 2 to modulate the output of the recording laser light emitted from the semiconductor laser chip 2. .

【００６６】レーザカッティング装置１は、このよう
に、出力制御部が半導体レーザチップ２に印可する電圧
または半導体レーザチップ２に供給する電流を直接変調
して、半導体レーザチップ２の出力を変調することによ
り、ＡＯＭ等の変調素子を用いた場合のように、変調帯
域が変調素子中を伝達する超音波の速度に制限されるこ
とがなく、例えば１００ＭＨｚ程度の変調帯域を有する
ことができるので、露光時の線速度を向上させて、スタ
ンパの生産性の向上を図ることが可能となる。In the laser cutting device 1, the output control unit directly modulates the voltage applied to the semiconductor laser chip 2 or the current supplied to the semiconductor laser chip 2 to modulate the output of the semiconductor laser chip 2. Therefore, unlike the case where a modulation element such as an AOM is used, the modulation band is not limited by the speed of the ultrasonic wave transmitted through the modulation element, and can have a modulation band of, for example, about 100 MHz. By improving the linear velocity at the time, the productivity of the stamper can be improved.

【００６７】なお、このレーザカッティング装置１は、
半導体レーザチップ２に隣接して、この半導体レーザチ
ップ２の発する熱を吸収する温度制御素子８を備えてい
ることが望ましい。この温度制御素子８は、例えばペル
チエ素子等から構成され、例えば供給される電流の大き
さに応じて温度を下げ、隣接する半導体レーザチップ２
の発する熱を吸収する。Note that this laser cutting device 1
It is desirable that a temperature control element 8 that absorbs heat generated by the semiconductor laser chip 2 be provided adjacent to the semiconductor laser chip 2. The temperature control element 8 is composed of, for example, a Peltier element, and lowers the temperature in accordance with, for example, the magnitude of the supplied current.
Absorb the heat generated by

【００６８】レーザカッティング装置１は、このように
温度制御素子８を備えることにより、半導体レーザチッ
プ２から常に安定した記録用レーザ光を出射させるよう
にしている。The laser cutting device 1 is provided with the temperature control element 8 in this manner, so that the semiconductor laser chip 2 always emits a stable recording laser beam.

【００６９】また、レーザカッティング装置１には、記
録用レーザ光の光路上に、半導体レーザチップ２の構造
により生じる非点収差を補正するための、図示しないア
ナモフィックプリズム等の収差補正光学素子を設けるこ
とが望ましい。The laser cutting device 1 is provided with an aberration correcting optical element such as an anamorphic prism (not shown) for correcting astigmatism caused by the structure of the semiconductor laser chip 2 on the optical path of the recording laser beam. It is desirable.

【００７０】レジスト層３１上に照射された記録用レー
ザ光は、その一部がレジスト層３１により反射される。
レーザカッティング装置１は、このレジスト層３１によ
り反射された戻り光を検出して、対物レンズ３とレジス
ト層３１との間の距離を一定に保つようにしている。A part of the recording laser beam irradiated on the resist layer 31 is reflected by the resist layer 31.
The laser cutting device 1 detects the return light reflected by the resist layer 31, and keeps the distance between the objective lens 3 and the resist layer 31 constant.

【００７１】すなわち、レーザカッティング装置１は、
レジスト層３１からの戻り光をビームスプリッタ５によ
り反射させ、ビームスプリッタ５により反射された戻り
光を、その光路上に設けられた第２の光検出器９に入射
させるようになされている。That is, the laser cutting device 1
The return light from the resist layer 31 is reflected by the beam splitter 5, and the return light reflected by the beam splitter 5 is made incident on a second photodetector 9 provided on the optical path.

【００７２】第２の光検出器９は、例えば４分割された
受光部を有し、それぞれの受光部により受光された戻り
光を受光信号として、図示しない信号処理部に供給する
ようになされている。The second photodetector 9 has, for example, a four-divided light receiving unit, and supplies the return light received by each light receiving unit as a light receiving signal to a signal processing unit (not shown). I have.

【００７３】信号処理部は、第２の光検出器９から供給
された受光信号に基づいて、例えば非点収差法により、
対物レンズ３とレジスト層３１との間の距離のずれ、す
なわちフォーカスずれ量を検出する。The signal processing unit performs, for example, by the astigmatism method based on the light receiving signal supplied from the second photodetector 9,
The shift of the distance between the objective lens 3 and the resist layer 31, that is, the amount of focus shift is detected.

【００７４】そして、レーザカッティング装置１は、信
号処理部により検出されたフォーカスずれ量に応じて、
対物レンズ３をレジスト層３１に接離する方向に移動操
作することにより、対物レンズ３とレジスト層３１との
間の距離を一定に保つようにしている。Then, the laser cutting device 1 changes the focus shift amount detected by the signal processing unit.
By moving the objective lens 3 toward and away from the resist layer 31, the distance between the objective lens 3 and the resist layer 31 is kept constant.

【００７５】なお、このように非点収差法を用いてフォ
ーカスずれ量を検出する場合は、第２の光検出器に入射
する戻り光の光路上に、この戻り光に非点収差を生じさ
せるためのマルチレンズ１０を設ける。When the amount of defocus is detected using the astigmatism method, astigmatism is generated in the return light on the optical path of the return light incident on the second photodetector. Multi-lens 10 is provided.

【００７６】なお、以上説明したレーザカッティング装
置１の光学系の構成は、本発明に係るレーザカッティン
グ装置の光学系の一例であり、作製するスタンパの形状
や使用するレジスト材料の種類等に応じて、適宜、光学
素子を変更、追加、削除するようにしても良い。The configuration of the optical system of the laser cutting apparatus 1 described above is an example of the optical system of the laser cutting apparatus according to the present invention, and it depends on the shape of the stamper to be manufactured and the type of the resist material to be used. The optical element may be changed, added, or deleted as appropriate.

【００７７】ここで、レーザカッティング装置１が備え
る対物レンズ３の一構成例について説明する。Here, a configuration example of the objective lens 3 provided in the laser cutting device 1 will be described.

【００７８】この対物レンズ３は、例えば図２に示すよ
うに、レジスト層３１に臨む位置に配設された第１のレ
ンズ（以下、先玉レンズ３ａと称する。）と、この先玉
レンズ３ａと光軸を一致して配設された第２のレンズ
（以下、後玉レンズ３ｂと称する。）とを有している。
そして、対物レンズ３は、これら先玉レンズ３ａ及び後
玉レンズ３ｂが、それぞれ図示しないレンズホルダに支
持されて、レジスト層３１上を移動可能に配設されてい
る。As shown in FIG. 2, for example, the objective lens 3 includes a first lens (hereinafter, referred to as a front lens 3a) provided at a position facing the resist layer 31, and the front lens 3a. A second lens (hereinafter, referred to as a rear lens 3b) disposed so as to have the same optical axis.
The front lens 3a and the rear lens 3b of the objective lens 3 are supported by lens holders (not shown), and are movably disposed on the resist layer 31.

【００７９】先玉レンズ３ａは、例えば屈折率の高いガ
ラスが半球状に成形されてなり、平面部分をレジスト層
３１への対向面としている。そして、先玉レンズ３ａ
は、平面部分の略中央部にレジスト層３１側に突出する
突出部１２を有しており、記録用レーザ光をこの突出部
１２を透過させてレジスト層３１上に照射するようにな
されている。The front lens 3 a is made of, for example, glass having a high refractive index and is formed in a hemispherical shape, and has a plane portion facing the resist layer 31. And the front lens 3a
Has a protruding portion 12 protruding toward the resist layer 31 at a substantially central portion of the plane portion, and irradiates the resist layer 31 with the recording laser beam through the protruding portion 12. .

【００８０】後玉レンズ３ｂは、例えば非球面レンズか
らなり、先玉レンズ３ａの球面部分と対向するよう配置
されている。The rear lens 3b is composed of, for example, an aspherical lens, and is arranged so as to face the spherical portion of the front lens 3a.

【００８１】そして、対物レンズ３は、先玉レンズ３ａ
のレジスト層３１との対向面の先端部、すなわち、記録
用レーザ光が透過する箇所である突出部１２のレジスト
層３１との対向面とレジスト層３１との間の距離Ｈが約
５０ｎｍ以下となるようにレジスト層３１上に配設され
ている。The objective lens 3 is a front lens 3a.
The distance H between the resist layer 31 and the front end of the surface facing the resist layer 31, that is, the portion where the recording laser light is transmitted, between the surface facing the resist layer 31 and the resist layer 31 is about 50 nm or less. It is provided on the resist layer 31 so as to be as follows.

【００８２】レーザカッティング装置１は、このよう
に、対物レンズ３を半導体レーザチップ２から出射され
るレーザ光の波長以下の離間距離でレジスト層３１に対
向させて配置することにより、エヴァネッセント波を利
用することが可能となり、いわゆる近接場の作用によ
り、対物レンズ３の開口数を１以上とすることができ
る。In the laser cutting apparatus 1, the evanescent wave is provided by arranging the objective lens 3 so as to face the resist layer 31 with a separation distance not more than the wavelength of the laser beam emitted from the semiconductor laser chip 2. Can be used, and the numerical aperture of the objective lens 3 can be set to 1 or more by the action of a so-called near field.

【００８３】以上のように構成される対物レンズ３は、
記録用レーザ光をまず後玉レンズ３ｂにより集光して先
玉レンズ３ａに入射させ、この記録用レーザ光を先玉レ
ンズ３ａによりさらに集光してスポット径を小さくてレ
ジスト層３１上に照射させる。The objective lens 3 configured as described above is
The recording laser light is first condensed by the rear lens 3b and made incident on the front lens 3a. The recording laser light is further condensed by the front lens 3a to irradiate the resist layer 31 with a smaller spot diameter. Let it.

【００８４】なお、この対物レンズ３は、先玉レンズ３
ａの平面部分の中央部に突出部１２が形成され、先玉レ
ンズ３ａの平面部分の外周側がレジスト層３１からやや
離間した状態とされているので、光軸の倒れ等が生じた
場合であっても、先玉レンズ３ａがレジスト層３１と衝
突してしまうという不都合を回避することができる。The objective lens 3 is a front lens 3
Since the protruding portion 12 is formed at the center of the flat portion of the lens a, and the outer peripheral side of the flat portion of the front lens 3a is slightly separated from the resist layer 31, the optical axis may fall down. However, the inconvenience of the front lens 3a colliding with the resist layer 31 can be avoided.

【００８５】レーザカッティング装置１は、以上のよう
な対物レンズ３を備えることにより、レジスト層３１上
に照射させる記録用レーザ光のスポット径を小さくし
て、レジスト層３１上に記録密度の高い光ディスクのピ
ットやグルーブに対応した潜像を形成することが可能と
なる。The laser cutting device 1 is provided with the objective lens 3 as described above, so that the spot diameter of the recording laser beam irradiated on the resist layer 31 is reduced, and the optical disc having a high recording density is formed on the resist layer 31. Pits and grooves can be formed.

【００８６】なお、以上は、第２の光検出器９がレジス
ト層３１上に照射された記録用レーザ光の戻り光を受光
して受光信号を信号処理部に供給し、信号処理回路がこ
の受光信号に基づいてフォーカスずれ量を検出するよう
にした例について説明したが、本発明に係るレーザカッ
ティング装置は、この例に限定されるものではなく、例
えば光ファイバーセンサを用いてフォーカスずれ量を検
出するようにしても良い。In the above description, the second photodetector 9 receives the return light of the recording laser beam irradiated on the resist layer 31 and supplies the received light signal to the signal processing unit. Although the example in which the focus shift amount is detected based on the light receiving signal has been described, the laser cutting device according to the present invention is not limited to this example. For example, the laser cutting device detects the focus shift amount using an optical fiber sensor. You may do it.

【００８７】このフォーカスずれ量検出に用いられる光
ファイバーセンサ１３は、図３に示すように、一端側が
二方に分岐された光ファイバーケーブル１４と、この光
ファイバーケーブル１４の一端側の二分された一方の端
部に接続された光源１５と、光ファイバーケーブル１４
の一端側の二分された他方の端部に接続された受光部１
６とを備えて構成される。As shown in FIG. 3, the optical fiber sensor 13 used for detecting the amount of defocusing includes, as shown in FIG. 3, an optical fiber cable 14 having one end branched into two sides, and one half of one end of the optical fiber cable 14. Light source 15 connected to the optical fiber cable 14
Light receiving section 1 connected to the other half of one end
6 is provided.

【００８８】光ファイバーケーブル１４は、図４（ａ）
に示すように、出力光を伝達する出力用光ファイバー１
４ａと、レジスト層３１にて反射された戻り光を伝達す
る受光用光ファイバー１４ｂとが結束されてなる。そし
て、光ファイバーケーブル１４の一端側は、出力用光フ
ァイバー１４ａと受光用光ファイバー１４ｂとがそれぞ
れ分離されて結束されて二分されており、図４（ｂ）に
示す出力用光ファイバー１４ａが結束された一方の端部
に光源１５が接続され、図４（ｃ）に示す受光用光ファ
イバー１４ｂが結束された他方の端部に受光部１６が接
続されている。The optical fiber cable 14 is shown in FIG.
As shown in FIG. 1, an output optical fiber 1 for transmitting output light
4a and a light receiving optical fiber 14b for transmitting the return light reflected by the resist layer 31 are bundled. At one end of the optical fiber cable 14, the output optical fiber 14a and the light receiving optical fiber 14b are separated and bundled into two, and one of the output optical fibers 14a shown in FIG. The light source 15 is connected to one end, and the light receiving unit 16 is connected to the other end where the light receiving optical fiber 14b shown in FIG.

【００８９】なお、図４（ａ）は図３におけるＡ−Ａ線
断面図であり、図４（ｂ）は図３におけるＢ−Ｂ線断面
図であり、図４（ｃ）は図３におけるＣ−Ｃ線断面図で
ある。4A is a sectional view taken along line AA in FIG. 3, FIG. 4B is a sectional view taken along line BB in FIG. 3, and FIG. 4C is a sectional view taken along line BB in FIG. It is CC sectional drawing.

【００９０】そして、この光ファイバーセンサ１３は、
例えば光ファイバーケーブル１４の他端側が先玉レンズ
３ａに設けた貫通孔１６に挿通され、その先端部が先玉
レンズ３ａの平面部分からレジスト層３１に臨むように
して配設される。The optical fiber sensor 13 is
For example, the other end of the optical fiber cable 14 is inserted into a through hole 16 provided in the front lens 3a, and the distal end thereof is disposed so as to face the resist layer 31 from a plane portion of the front lens 3a.

【００９１】この光ファイバーセンサ１３によりフォー
カスずれ量を検出する際は、まず光源１５から光が出射
される。光源１５から出射された光は、光ファイバーケ
ーブル１４の出力用光ファイバー１４ａを通って光ファ
イバーケーブル１４の他端側の先端部からレジスト層３
１に向けて放出される。そして、レジスト層３１の表面
にて反射した反射光が光ファイバーケーブル１４の受光
用光ファイバー１４ｂを通って、受光部１６に受光され
る。光ファイバーセンサ１３は、この受光部１６により
受光された反射光の光量から、対物レンズ３とレジスト
層３１との間の距離を検出し、フォーカスずれ量を検出
するようにしている。When the amount of defocus is detected by the optical fiber sensor 13, light is first emitted from the light source 15. The light emitted from the light source 15 passes through the output optical fiber 14 a of the optical fiber cable 14, and from the tip on the other end side of the optical fiber cable 14 to the resist layer 3.
Released towards 1. Then, the light reflected on the surface of the resist layer 31 passes through the light receiving optical fiber 14 b of the optical fiber cable 14 and is received by the light receiving unit 16. The optical fiber sensor 13 detects the distance between the objective lens 3 and the resist layer 31 based on the amount of reflected light received by the light receiving unit 16 to detect the amount of focus shift.

【００９２】以上のように構成されるレーザカッティン
グ装置１は、記録用レーザ光を出射する光源として、レ
ジスト層３１の感光波長のレーザ光を出射する半導体レ
ーザチップ２を用い、また半導体レーザチップ２から対
物レンズ３に至る光学系が簡素な構成とされ、移動光学
テーブル１１上に集積されているので、小型化及び軽量
化が実現されている。The laser cutting apparatus 1 configured as described above uses the semiconductor laser chip 2 that emits laser light of the photosensitive wavelength of the resist layer 31 as a light source that emits recording laser light. Since the optical system from to the objective lens 3 has a simple configuration and is integrated on the moving optical table 11, the miniaturization and weight reduction are realized.

【００９３】また、レーザカッティング装置１は、光源
としてイオンレーザ型のガスレーザを用いた場合のよう
に、大量の冷却水を必要とせず、また光学系の光路長も
短くされているので、冷却水の振動による記録用レーザ
光のビーム光軸の揺らぎ等が抑制されて、高いカッティ
ング精度を得ることができる。Further, the laser cutting apparatus 1 does not require a large amount of cooling water as in the case of using an ion laser type gas laser as a light source, and the optical path length of the optical system is shortened. Fluctuation of the beam optical axis of the recording laser beam due to the vibration of the laser beam is suppressed, and high cutting accuracy can be obtained.

【００９４】（第２の実施の形態）第２の実施の形態の
レーザカッティング装置は、光学系の基本構成を第１の
実施の形態のレーザカッティング装置１と同様とし、対
物レンズと折り返しミラーとが、レジスト層上を所定の
浮上量で浮上する浮上スライダ上に搭載されていること
を特徴としている。以下、第１の実施の形態に係るレー
ザカッティング装置１と同様の光学系については、詳細
な説明を省略する。(Second Embodiment) A laser cutting device according to a second embodiment has the same basic configuration of the optical system as the laser cutting device 1 according to the first embodiment. Are mounted on a flying slider that floats on the resist layer by a predetermined flying height. Hereinafter, a detailed description of the same optical system as that of the laser cutting device 1 according to the first embodiment will be omitted.

【００９５】この第２の実施の形態のレーザカッティン
グ装置２０は、図５に示すように、半導体レーザチップ
等の光学素子が集積された光学ブロック２１と、対物レ
ンズとこの対物レンズに記録用レーザ光を導く折り返し
ミラーとが搭載された浮上スライダ２２と、一端側にて
浮上スライダ２２を支持する支持アーム２３と、支持ア
ーム２３の他端側が取り付けられ、この支持アーム２３
を移動操作する移動機構２４とを備えている。As shown in FIG. 5, a laser cutting device 20 according to the second embodiment comprises an optical block 21 on which optical elements such as semiconductor laser chips are integrated, an objective lens, and a laser beam for recording on the objective lens. A flying slider 22 on which a reflecting mirror for guiding light is mounted, a support arm 23 that supports the flying slider 22 at one end, and the other end of the support arm 23 are attached.
And a moving mechanism 24 for moving the.

【００９６】光学ブロック２１は、記録用レーザ光を出
射する半導体レーザチップと、半導体レーザチップから
出射された記録用レーザ光を平行光にするコリメータレ
ンズと、コリメータレンズを透過した記録用レーザ光の
一部を反射させ、残りを透過させるビームスプリッタ
と、ビームスプリッタにより反射された記録用レーザ光
を受光し半導体レーザチップの出力を制御するための第
１の光検出器と、ビームスプリッタにより反射された戻
り光に非点収差を与えるマルチレンズと、マルチレンズ
を透過した戻り光を受光する第２の光検出器とが集積さ
れてなる。The optical block 21 includes a semiconductor laser chip that emits a recording laser beam, a collimator lens that converts the recording laser beam emitted from the semiconductor laser chip into parallel light, and a recording laser beam that has passed through the collimator lens. A beam splitter that partially reflects and transmits the rest, a first photodetector for receiving the recording laser light reflected by the beam splitter and controlling the output of the semiconductor laser chip, and a first photodetector reflected by the beam splitter. A multi-lens for providing astigmatism to the returned light, and a second photodetector for receiving the returned light transmitted through the multi-lens are integrated.

【００９７】この光学ブロック２１は、レーザカッティ
ング装置２０内の所定の位置に固定された状態とされて
いる。The optical block 21 is fixed at a predetermined position in the laser cutting device 20.

【００９８】なお、この光学ブロック２１は、半導体レ
ーザチップに隣接して、この半導体レーザチップの発す
る熱を吸収するペルチエ素子等の温度制御素子を備えて
いることが望ましい。The optical block 21 preferably has a temperature control element such as a Peltier element adjacent to the semiconductor laser chip for absorbing the heat generated by the semiconductor laser chip.

【００９９】また、光学ブロック２１は、記録用レーザ
光の光路上に、半導体レーザチップの構造により生じる
非点収差を補正するための、アナモフィックプリズム等
の収差補正光学素子を設けることが望ましい。The optical block 21 is preferably provided with an aberration correcting optical element such as an anamorphic prism for correcting astigmatism caused by the structure of the semiconductor laser chip on the optical path of the recording laser beam.

【０１００】なお、以上は、光学ブロック２１の一構成
例であり、作製するスタンパの形状や使用するレジスト
材料の種類等に応じて、適宜、光学素子を変更、追加、
削除するようにしても良い。The above is an example of the configuration of the optical block 21. The optical element may be appropriately changed, added,
You may delete it.

【０１０１】浮上スライダ２２は、例えば合成樹脂等が
上面及び底面にて開口するレンズ収容部を有する所定の
形状に成形されてなる。そして、浮上スライダ２２に
は、そのレンズ収容部内に、底面開口部から外方を臨む
ように対物レンズ３が取り付けられている。また、浮上
スライダ２２には、その上面に、記録用レーザ光の光路
を折り曲げて対物レンズ３に導くための折り返しミラー
６が取り付けられている。The flying slider 22 is formed, for example, of a synthetic resin or the like into a predetermined shape having a lens accommodating portion opened at the top and bottom surfaces. The objective lens 3 is attached to the flying slider 22 so as to face outward from the bottom opening in the lens accommodating portion. On the upper surface of the flying slider 22, a folding mirror 6 for folding the optical path of the recording laser light and guiding the same to the objective lens 3 is attached.

【０１０２】そして、この浮上スライダ２２は、対物レ
ンズ３がレジスト層３１と対向するように、支持アーム
２３に支持されてレジスト層３１上を移動可能に配設さ
れる。そして、この浮上スライダ２２は、エアースピン
ドル３２にチャッキングされたガラス基板３０が回転操
作されると、ガラス基板３０の回転に伴う空気流を受け
て、レジスト層３１上を所定の浮上量で浮上する。The flying slider 22 is supported by the support arm 23 and movably disposed on the resist layer 31 so that the objective lens 3 faces the resist layer 31. When the glass substrate 30 chucked by the air spindle 32 is rotated, the flying slider 22 receives an airflow accompanying the rotation of the glass substrate 30 and floats on the resist layer 31 at a predetermined flying height. I do.

【０１０３】支持アーム２３は、長尺の薄板状を呈し、
その一端側に浮上スライダ２２が取り付けられている。
また、支持アーム２３の他端側は、移動機構２４に取り
付けられている。The support arm 23 has a long thin plate shape.
The flying slider 22 is attached to one end side.
The other end of the support arm 23 is attached to the moving mechanism 24.

【０１０４】移動機構２４は、例えば電磁駆動力により
支持アーム２３を移動操作する。The moving mechanism 24 moves the support arm 23 by, for example, an electromagnetic driving force.

【０１０５】支持アーム２３の一端側に取り付けられた
浮上スライダ２２は、支持アーム２３が移動機構２４に
より移動操作されることにより、ガラス基板３０の径方
向に移動するようになされている。The flying slider 22 attached to one end of the support arm 23 is moved in the radial direction of the glass substrate 30 by moving the support arm 23 by the moving mechanism 24.

【０１０６】なお、このレーザカッティング装置２０
は、小型化を図りながら十分な記録用レーザ光の光路長
を確保するために、光学ブロック２１と浮上スライダ２
２に取り付けられた対物レンズ３との間に、記録用レー
ザ光の光路を折り曲げる光路曲折ミラー２５を設けるこ
とが望ましい。The laser cutting device 20
In order to secure a sufficient optical path length of the recording laser beam while reducing the size, the optical block 21 and the flying slider 2
It is desirable to provide an optical path bending mirror 25 that bends the optical path of the recording laser light between the objective lens 3 attached to the objective lens 2.

【０１０７】また、このレーザカッティング装置２０
は、第１の実施の形態のレーザカッティング装置１と同
様に、半導体レーザチップの出力を制御するための出力
制御部を備え、この出力制御部が、第１の光検出器から
供給される受光信号に基づいて、半導体レーザチップの
設定出力と実際の出力との偏差を算出して、半導体レー
ザチップの印可電圧または電流に直接フィードバックを
かけることにより、半導体レーザチップの出力を一定に
保つようにすることが望ましい。The laser cutting device 20
Includes an output control unit for controlling the output of the semiconductor laser chip, similarly to the laser cutting device 1 of the first embodiment, and the output control unit is configured to receive light supplied from the first photodetector. Based on the signal, the deviation between the set output of the semiconductor laser chip and the actual output is calculated, and the output of the semiconductor laser chip is kept constant by directly applying feedback to the applied voltage or current of the semiconductor laser chip. It is desirable to do.

【０１０８】レーザカッティング装置２０は、このよう
に、出力制御部が半導体レーザチップに印可する電圧ま
たは電流を直接調節して、半導体レーザチップの出力を
制御することにより、簡素な構成で半導体レーザチップ
から出射される記録用レーザ光の出力を常に一定に保つ
ことができる。As described above, the laser cutting device 20 has a simple configuration by controlling the output of the semiconductor laser chip by directly adjusting the voltage or current applied to the semiconductor laser chip by the output control unit. The output of the recording laser beam emitted from the laser beam can always be kept constant.

【０１０９】また、レーザカッティング装置２０は、第
１の実施の形態のレーザカッティング装置１と同様に、
出力制御部が、半導体レーザチップに印可する電圧また
は電流を直接変調して、半導体レーザチップから出射さ
れる記録用レーザ光の出力を変調することが望ましい。The laser cutting device 20 is the same as the laser cutting device 1 of the first embodiment.
It is desirable that the output controller directly modulates the voltage or current applied to the semiconductor laser chip to modulate the output of the recording laser light emitted from the semiconductor laser chip.

【０１１０】レーザカッティング装置２０は、このよう
に、出力制御部が半導体レーザチップに印可する電圧ま
たは電流を直接変調して、半導体レーザチップの出力を
変調することにより、ＡＯＭ等の変調素子を用いた場合
のように、変調帯域が変調素子中を伝達する超音波の速
度に制限されることがなく、例えば１００ＭＨｚ程度の
変調帯域を有することができるので、露光時の線速度を
向上させて、スタンパの生産性の向上を図ることが可能
となる。As described above, the output control section directly modulates the voltage or current applied to the semiconductor laser chip by the output control section to modulate the output of the semiconductor laser chip. As in the case where the modulation band is not limited to the velocity of the ultrasonic wave transmitted through the modulation element, for example, it can have a modulation band of about 100 MHz, thereby improving the linear velocity at the time of exposure, It is possible to improve the productivity of the stamper.

【０１１１】また、レーザカッティング装置２０は、第
１の実施の形態のレーザカッティング装置１と同様に、
対物レンズ３を先玉レンズ３ａと後玉レンズ３ｂとから
構成し、先玉レンズ３ａとレジスト層３１との間の距離
が５０ｎｍ以下となるように、レジスト層３１上を浮上
させるようにしても良い。The laser cutting device 20 is similar to the laser cutting device 1 of the first embodiment.
The objective lens 3 is composed of a front lens 3a and a rear lens 3b, and is floated on the resist layer 31 so that the distance between the front lens 3a and the resist layer 31 is 50 nm or less. good.

【０１１２】レーザカッティング装置２０は、このよう
な対物レンズ３を備えることにより、レジスト層３１上
に照射させる記録用レーザ光のスポット径を小さくし
て、レジスト層３１上に記録密度の高い光ディスクのピ
ットやグルーブに対応した潜像を形成することが可能と
なる。The laser cutting device 20 having such an objective lens 3 reduces the spot diameter of the recording laser beam irradiated on the resist layer 31 so that the optical disc having a high recording density can be formed on the resist layer 31. A latent image corresponding to a pit or a groove can be formed.

【０１１３】以上のように構成されるレーザカッティン
グ装置２０は、記録レーザ光のＯＮ／ＯＦＦの切り換え
を行いながら、移動機構２４が支持アーム２３を移動操
作し、レジスト層３１状を所定の浮上量で浮上する浮上
スライダ２２を、図５中矢印Ｃ方向に回転するガラス基
板３０の径方向に移動操作させることにより、ガラス基
板３０上に形成されたレジスト層３１上をスパイラル状
に走査し、レジスト層３１に、所定のピット、グルーブ
に対応した凹凸パターンの潜像を形成する。In the laser cutting apparatus 20 configured as described above, the moving mechanism 24 moves the support arm 23 while switching ON / OFF of the recording laser light, and moves the resist layer 31 to a predetermined floating height. By moving the flying slider 22 floating in the radial direction of the glass substrate 30 rotating in the direction of arrow C in FIG. 5, the resist layer 31 formed on the glass substrate 30 is scanned spirally, On the layer 31, a latent image having a concavo-convex pattern corresponding to predetermined pits and grooves is formed.

【０１１４】このレーザカッティング装置２０は、記録
用レーザ光を出射する光源としてレジスト層３１の感光
波長のレーザ光を出射する半導体レーザチップを用い、
また半導体レーザチップから対物レンズ３に至る光学系
が簡素な構成とされているので、小型化及び軽量化が実
現されている。This laser cutting device 20 uses a semiconductor laser chip which emits laser light having a photosensitive wavelength of the resist layer 31 as a light source for emitting laser light for recording.
Further, since the optical system from the semiconductor laser chip to the objective lens 3 has a simple configuration, miniaturization and weight reduction are realized.

【０１１５】また、レーザカッティング装置２０は、光
源としてイオンレーザ型のガスレーザを用いた場合のよ
うに、大量の冷却水を必要とせず、また光学系の光路長
も短くされているので、冷却水の振動による記録用レー
ザ光のビーム光軸の揺らぎ等が抑制されて、高いカッテ
ィング精度を得ることができる。The laser cutting device 20 does not require a large amount of cooling water as in the case of using an ion laser type gas laser as a light source, and the optical path length of the optical system is shortened. Fluctuation of the beam optical axis of the recording laser beam due to the vibration of the laser beam is suppressed, and high cutting accuracy can be obtained.

【０１１６】また、レーザカッティング装置２０は、対
物レンズ３が、ガラス基板３０が回転する際の空気流を
受けてレジスト層３１上を浮上する浮上スライダ２２に
設けられているので、ガラス基板３０の回転数等を調節
することにより、簡便に対物レンズ３とレジスト層３１
との間の距離を一定に保つことができる。In the laser cutting device 20, the objective lens 3 is provided on the flying slider 22 which floats on the resist layer 31 by receiving an air flow when the glass substrate 30 rotates. By adjusting the rotation speed and the like, the objective lens 3 and the resist layer 31 can be easily formed.
Distance can be kept constant.

【０１１７】[0117]

【発明の効果】本発明に係るレーザカッティング装置
は、記録用レーザ光を出射する光源として、潜像を形成
する感光材層の感光波長のレーザ光を出射する半導体レ
ーザが備えられているので、小型化及び軽量化が実現さ
れている。The laser cutting apparatus according to the present invention is provided with a semiconductor laser for emitting laser light having a photosensitive wavelength of a photosensitive material layer for forming a latent image as a light source for emitting recording laser light. A reduction in size and weight has been realized.

【０１１８】また、このレーザカッティング装置は、記
録用レーザ光を出射する光源として半導体レーザが備え
られているので、光源の発する熱を冷却するための大量
の冷却水を必要とせず、ビーム光軸の揺らぎが抑制され
て、カッティング精度が向上する。Further, since this laser cutting device is provided with a semiconductor laser as a light source for emitting a recording laser beam, it does not require a large amount of cooling water for cooling the heat generated by the light source, and does not require a beam optical axis. Fluctuation is suppressed, and cutting accuracy is improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明に係るレーザカッティング装置の概略構
成を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of a laser cutting device according to the present invention.

【図２】同レーザカッティング装置に用いられる対物レ
ンズの模式図である。FIG. 2 is a schematic view of an objective lens used in the laser cutting device.

【図３】光ファイバーセンサの模式図である。FIG. 3 is a schematic diagram of an optical fiber sensor.

【図４】光ファイバーケーブルの断面図であり、（ａ）
は図３におけるＡ−Ａ線断面図であり、（ｂ）は図３に
おけるＢ−Ｂ線断面図であり、（ｃ）は図３におけるＣ
−Ｃ線断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view of an optical fiber cable, (a)
3 is a sectional view taken along line AA in FIG. 3, (b) is a sectional view taken along line BB in FIG. 3, and (c) is a sectional view taken along line C in FIG. 3.
FIG. 4 is a sectional view taken along line C of FIG.

【図５】本発明に係る他のレーザカッティング装置の概
略構成を示す斜視図である。FIG. 5 is a perspective view showing a schematic configuration of another laser cutting device according to the present invention.

【図６】従来のレーザカッティング装置の概略を説明す
る平面図である。FIG. 6 is a plan view schematically illustrating a conventional laser cutting device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１，２０ レーザカッティング装置、２ 半導体レー
ザ、３ 対物レンズ、３ａ 先玉レンズ、３ｂ 後玉レ
ンズ、８ 温度制御素子、１２ 光ファイバセンサ、２
１ 光学ブロック、２２ 浮上スライダ1,20 laser cutting device, 2 semiconductor laser, 3 objective lens, 3a front lens, 3b rear lens, 8 temperature control element, 12 optical fiber sensor, 2
1 optical block, 22 flying slider

Claims (13)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 感光材層が形成された基板上にレーザ光
を照射して、この感光材層に所定のパターンの潜像を形
成するレーザカッティング装置において、 上記感光材層の感光波長のレーザ光を出射する半導体レ
ーザと、 上記半導体レーザから出射されたレーザ光を上記感光材
層上に集光させる光学系とを備えることを特徴とするレ
ーザカッティング装置。1. A laser cutting apparatus for irradiating a laser beam onto a substrate on which a photosensitive material layer is formed to form a latent image having a predetermined pattern on the photosensitive material layer. A laser cutting device, comprising: a semiconductor laser that emits light; and an optical system that focuses laser light emitted from the semiconductor laser on the photosensitive material layer. 【請求項２】 上記半導体レーザの発振波長は、３００
〜４５０ｎｍの範囲内とされていることを特徴とする請
求項１記載のレーザカッティング装置。2. The oscillation wavelength of the semiconductor laser is 300
The laser cutting device according to claim 1, wherein the laser cutting device has a wavelength within a range from 450 nm to 450 nm. 【請求項３】 上記光学系として、上記感光材層に対し
て上記レーザ光の波長以下の離間距離で対向し、上記感
光材層上に上記レーザ光を集光させる対物レンズを備え
ることを特徴とする請求項１記載のレーザカッティング
装置。3. The optical system according to claim 1, further comprising an objective lens facing the photosensitive material layer at a separation distance equal to or less than a wavelength of the laser light and condensing the laser light on the photosensitive material layer. The laser cutting device according to claim 1, wherein 【請求項４】 上記対物レンズの開口数が１．０以上と
されていることを特徴とする請求項３記載のレーザカッ
ティング装置。4. The laser cutting device according to claim 3, wherein the numerical aperture of the objective lens is 1.0 or more. 【請求項５】 上記対物レンズと上記感光材層との間の
距離を一定に保つためのフォーカシング制御手段を備え
ることを特徴とする請求項３記載のレーザカッティング
装置。5. The laser cutting apparatus according to claim 3, further comprising a focusing control unit for keeping a distance between said objective lens and said photosensitive material layer constant. 【請求項６】 上記対物レンズと上記感光材層との間の
距離を検出する距離検出手段を備え、 上記フォーカシング制御手段は、上記距離検出手段によ
り検出された検出結果に基づいて、上記対物レンズと上
記感光材層との間の距離を一定に保つ制御を行うことを
特徴とする請求項５記載のレーザカッティング装置。6. A distance detecting means for detecting a distance between the objective lens and the photosensitive material layer, wherein the focusing control means detects the distance of the objective lens based on a detection result detected by the distance detecting means. 6. The laser cutting apparatus according to claim 5, wherein control is performed to keep the distance between the photosensitive material layer and the photosensitive material layer constant. 【請求項７】 上記距離検出手段は、先端部が上記感光
材層に臨む位置に配設された光ファイバーセンサを備え
ることを特徴とする請求項６記載のレーザカッティング
装置。7. The laser cutting device according to claim 6, wherein the distance detecting means includes an optical fiber sensor disposed at a position where a tip portion faces the photosensitive material layer. 【請求項８】 上記光学系は、上記基板の半径方向に移
動可能に配設された支持手段に支持されていることを特
徴とする請求項１記載のレーザカッティング装置。8. The laser cutting apparatus according to claim 1, wherein said optical system is supported by a support means movably disposed in a radial direction of said substrate. 【請求項９】 上記対物レンズは、上記感光材層上を所
定の浮上量で浮上する浮上スライダに搭載されているこ
とを特徴とする請求項３記載のレーザカッティング装
置。9. The laser cutting device according to claim 3, wherein the objective lens is mounted on a flying slider that floats on the photosensitive material layer by a predetermined flying height. 【請求項１０】 上記浮上スライダは、上記基板の回転
により生じる空気圧により、上記感光材層上を浮上する
ことを特徴とする請求項９記載のレーザカッティング装
置。10. The laser cutting device according to claim 9, wherein the flying slider floats on the photosensitive material layer by air pressure generated by rotation of the substrate. 【請求項１１】 上記半導体レーザに印可する電圧また
は上記半導体レーザに供給する電流を直接調節すること
により、上記半導体レーザから出射されるレーザ光の出
力を制御する出力制御手段を備えることを特徴とする請
求項１記載のレーザカッティング装置。11. An output control means for controlling an output of laser light emitted from the semiconductor laser by directly adjusting a voltage applied to the semiconductor laser or a current supplied to the semiconductor laser. The laser cutting device according to claim 1, wherein 【請求項１２】 上記半導体レーザに印可する電圧また
は上記半導体レーザに供給する電流を変調することによ
り、上記半導体レーザから出射されるレーザ光の出力を
変調する出力変調手段を備えることを特徴とする請求項
１記載のレーザカッティング装置。12. An output modulation means for modulating a voltage applied to the semiconductor laser or a current supplied to the semiconductor laser, thereby modulating an output of laser light emitted from the semiconductor laser. The laser cutting device according to claim 1. 【請求項１３】 上記半導体レーザを冷却する冷却手段
を備えることを特徴とする請求項１記載のレーザカッテ
ィング装置。13. The laser cutting apparatus according to claim 1, further comprising cooling means for cooling said semiconductor laser.