JPH11202787A - Liquid crystal display device - Google Patents
Liquid crystal display deviceInfo
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- JPH11202787A JPH11202787A JP10004891A JP489198A JPH11202787A JP H11202787 A JPH11202787 A JP H11202787A JP 10004891 A JP10004891 A JP 10004891A JP 489198 A JP489198 A JP 489198A JP H11202787 A JPH11202787 A JP H11202787A
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- crystal display
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に係
り、特に表示部のケースにネジを用いることなく液晶表
示モジュールを取り付けることにより、外形寸法を小さ
くした液晶表示装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly to a liquid crystal display device having a reduced external dimension by attaching a liquid crystal display module without using a screw in a case of a display unit.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ノート型コンピュータやコンピュータモ
ニター用の高精細表示が可能な液晶表示装置では、液晶
パネルおよびこの液晶パネルを駆動する駆動回路基板と
前記液晶パネルを背面から照明する光源（所謂、バック
ライト）を積層して上フレームと下フレームとで挟み込
んで固定して液晶表示モジュールとし、これを上記ノー
ト型コンピュータやコンピュータモニターの表示部ケー
スに固定している。2. Description of the Related Art In a liquid crystal display device capable of high-definition display for a notebook computer or a computer monitor, a liquid crystal panel, a driving circuit board for driving the liquid crystal panel, and a light source for illuminating the liquid crystal panel from behind (a so-called back light). (Lights) are laminated, sandwiched and fixed between an upper frame and a lower frame to form a liquid crystal display module, which is fixed to the display case of the notebook computer or the computer monitor.
【０００３】上記表示部のケースへの液晶表示モジュー
ルの固定は、液晶表示モジュールの平行する二辺に突設
したタブにネジ穴を形成し、このネジ穴とケースに形成
したボスとにネジを介して固定するのが一般的である。[0003] To fix the liquid crystal display module to the case of the display section, a screw hole is formed in a tab protruding from two parallel sides of the liquid crystal display module, and a screw is formed between the screw hole and a boss formed in the case. It is common to fix via
【０００４】図２２は従来の液晶表示装置における液晶
表示モジュールの固定構造を説明する表示部の平面図、
図２３は図２２のＡ−Ａ線に沿った部分断面図であっ
て、ノート型コンピュータの表示部を例としたものであ
る。FIG. 22 is a plan view of a display section for explaining a fixing structure of a liquid crystal display module in a conventional liquid crystal display device.
FIG. 23 is a partial cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 22 and illustrates a display unit of a notebook computer as an example.
【０００５】図２２と図２３において、表示部は底面を
囲む側壁を有するケースＣＡＳＥとこのケースＣＡＳＥ
内に実装した液晶表示モジュールＭＤＬとから構成され
る。液晶表示モジュールＭＤＬは、第１の基板ＳＵＢ１
と第２の基板ＳＵＢ２の間に液晶層を挟持し、表面と裏
面のそれぞれに貼付した偏光板ＰＯＬ１，ＰＯＬ２から
なる液晶パネルＰＮＬと、この液晶パネルＰＮＬの背面
に設置したバックライトＢＬを上フレームＳＨＤ１と下
フレームＳＨＤ２とでゴムクッションＧＣ等のスペーサ
を介して固定してなる。なお、液晶パネルを駆動するた
めの回路を搭載した駆動回路基板等は図示を省略してあ
る。In FIGS. 22 and 23, the display unit has a case CASE having a side wall surrounding a bottom surface, and the case CASE.
And a liquid crystal display module MDL mounted therein. The liquid crystal display module MDL includes a first substrate SUB1
A liquid crystal panel PNL composed of polarizing plates POL1 and POL2 with a liquid crystal layer sandwiched between the first substrate and the second substrate SUB2 and adhered to the front and rear surfaces, respectively, and a backlight BL installed on the rear surface of the liquid crystal panel PNL as an upper frame. The SHD1 and the lower frame SHD2 are fixed via a spacer such as a rubber cushion GC. A drive circuit board and the like on which a circuit for driving the liquid crystal panel is mounted are not shown.
【０００６】そして、この液晶表示モジュールＭＤＬの
対向する平行な二辺のそれぞれに上フレームＳＨＤ１と
下フレームＳＨＤから突設したネジ穴を有する４個のタ
ブＴＡＢ１，ＴＡＢ２とＴＡＢ３，ＴＡＢ４を備え、こ
の４個のタブをケースＣＡＳＥの底面に形成したボスＢ
ＯＳに形成したネジ受け穴とを合わせ、ネジＳＣＲ１，
ＳＣＲ２，ＳＣＲ３，ＳＣＲ４で固定してある。The liquid crystal display module MDL is provided with four tabs TAB1, TAB2, TAB3, and TAB4 having screw holes protruding from the upper frame SHD1 and the lower frame SHD on each of two opposing parallel sides thereof. Boss B with four tabs formed on the bottom of case CASE
Align the screw receiving holes formed in the OS with the screws SCR1,
Fixed at SCR2, SCR3, SCR4.
【０００７】なお、ＨＮＧ１，ＨＮＧ２はノート型コン
ピュータの本体の回動可能に取り付けるためのヒンジで
ある。HNG1 and HNG2 are hinges for rotatably mounting the main body of the notebook computer.
【０００８】バックライトは液晶に生成した画像を可視
化するための背面照明装置であり、薄型化が要求される
ノート型コンピュータでは、バックライトとして導光板
の側縁に線状光源を配置した、所謂サイドエッジ型が採
用されており、またモニター用液晶表示装置でも奥行き
を短縮するためにはサイドエッジ型が用いられる。A backlight is a backlighting device for visualizing an image generated on a liquid crystal. In a notebook computer which is required to be thin, a so-called backlight in which a linear light source is arranged on a side edge of a light guide plate is used. A side edge type is employed, and a side edge type is also used in a liquid crystal display device for a monitor in order to reduce the depth.
【０００９】しかし、コンピュータモニター等の大型の
液晶表示装置では、さらに高輝度照明光を得るために直
下型バックライトを採用する場合が多い。However, large-sized liquid crystal display devices such as a computer monitor often employ a direct-type backlight to obtain higher-luminance illumination light.
【００１０】何れの形式のバックライトも、液晶パネル
と共にモジュール化し、これを表示部のケースに収納し
て固定している。[0010] Each type of backlight is modularized together with a liquid crystal panel, and is housed and fixed in a case of a display unit.
【００１１】上記したように、この種の液晶表示装置
は、基本的には少なくとも一方が透明なガラス等からな
る二枚の基板の間に液晶層を挟持した所謂液晶パネルを
構成し、この液晶パネルの周縁に組み込んだ駆動回路か
ら上記液晶パネルを構成する二枚の基板の一方または双
方に形成した画素形成用の各種電極に所要の電圧等を印
加することで画像表示を行う。As described above, this type of liquid crystal display device basically constitutes a so-called liquid crystal panel in which a liquid crystal layer is sandwiched between two substrates at least one of which is made of transparent glass or the like. Image display is performed by applying a required voltage or the like to various electrodes for pixel formation formed on one or both of the two substrates constituting the liquid crystal panel from a driving circuit incorporated in the periphery of the panel.
【００１２】この画像形成は、上記液晶パネルの基板に
形成した画素形成用の各種電極に選択的に電圧を印加し
て所定画素の点灯と消灯を行う形式、上記各種電極と画
素選択用のアクティブ素子を形成してこのアクティブ素
子を選択することにより所定画素の点灯と消灯を行う形
式とに分類される。This image formation is performed by selectively applying a voltage to various electrodes for pixel formation formed on the substrate of the liquid crystal panel to turn on and off a predetermined pixel. By forming an element and selecting this active element, the method is classified into a type of turning on and off a predetermined pixel.
【００１３】後者の形式の液晶表示装置はアクティブマ
トリクス型と称し、コントラスト性能、高速表示性能等
から液晶表示装置の主流となっている。従来のアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置は、一方の基板に形成した
電極と他方の基板に形成した電極との間に液晶層の配向
方向を変えるための電界を印加する、所謂縦電界方式を
採用していた。The latter type of liquid crystal display device is called an active matrix type, and is the mainstream of the liquid crystal display device because of its contrast performance, high-speed display performance and the like. A conventional active matrix type liquid crystal display device employs a so-called vertical electric field method in which an electric field for changing the orientation direction of a liquid crystal layer is applied between an electrode formed on one substrate and an electrode formed on the other substrate. I was
【００１４】また、近年、液晶層に印加する電界の方向
を基板面とほぼ平行な方向とする、所謂横電界方式（Ｉ
ＰＳ方式とも言う）の液晶表示装置が実現された。この
横電界方式の液晶表示装置としては、二枚の基板の一方
に櫛歯電極を用いて非常に広い視野角を得るようにした
ものが知られている（特公昭６３−２１９０７号公報、
米国特許第４３４５２４９号明細書）。In recent years, the direction of an electric field applied to a liquid crystal layer is set to a direction substantially parallel to the substrate surface.
A liquid crystal display device of the PS type is also realized. As this in-plane switching mode liquid crystal display device, a device in which a very wide viewing angle is obtained by using a comb electrode on one of two substrates is known (Japanese Patent Publication No. 63-21907,
U.S. Pat. No. 4,345,249).
【００１５】[0015]
【発明が解決しようとする課題】このような液晶パネル
は年々画面サイズが大型化しており、限られた表示部の
ケース内に収納するために、その所謂額縁の狭幅化が要
望されている。The screen size of such a liquid crystal panel has been increasing year by year, and a so-called narrow frame has been demanded in order to accommodate the liquid crystal panel in a limited display case. .
【００１６】前記図２０、図２１に示した従来の固定構
造では、取り付け強度の点から、一般的にＭ３．０やＭ
３．５のネジが使用されている。このため、限られたサ
イズの表示部に液晶表示モジュールを取り付けるための
タブの大きさを小さくすることには制限があり、結果と
して額縁の幅をある程度以下とすることができないとい
う問題があった。In the conventional fixing structure shown in FIGS. 20 and 21, from the viewpoint of mounting strength, M3.0 or M3.0 is generally used.
3.5 screws are used. For this reason, there is a limitation in reducing the size of the tab for attaching the liquid crystal display module to the display unit of a limited size, and as a result, there has been a problem that the width of the picture frame cannot be reduced to some extent. .
【００１７】また、従来のネジを用いるものでは、当該
ネジを受けるボスの強度を確保する必要があるために、
薄型化が困難であるという問題もあった。In the case of using a conventional screw, it is necessary to ensure the strength of the boss receiving the screw.
There is also a problem that it is difficult to reduce the thickness.
【００１８】本発明の目的は、上記従来技術の問題を解
消し、ネジを用いることなく液晶表示モジュールを表示
部のケースに固定することにより、液晶パネルが画面が
大型化した場合にも額縁の狭幅化で対応できるようにし
た液晶表示装置を提供することにある。An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art, and to fix the liquid crystal display module to the case of the display unit without using screws, so that even if the liquid crystal panel becomes large in size, the frame can be formed. It is an object of the present invention to provide a liquid crystal display device that can respond to the narrowing.
【００１９】[0019]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、液晶表示モジュールの平行する二辺に
外方にネジ穴を有しないタブを突設すると共に、表示部
のケース、またはケース内に設置した補強部材の前記タ
ブに対応する位置にタブ受け穴を形成して、上記タブを
タブ受け穴に係合することにより、ネジ無しで液晶表示
モジュールを固定する構造とした。In order to achieve the above object, according to the present invention, a tab having no screw holes is provided on two parallel sides of a liquid crystal display module, and a case of a display unit, Alternatively, a tab receiving hole is formed at a position corresponding to the tab of the reinforcing member installed in the case, and the tab is engaged with the tab receiving hole, thereby fixing the liquid crystal display module without screws.
【００２０】すなわち、本発明は、下記（１）〜（３）
の構成としたことに特徴を有する。 （１）対向配置された少なくとも一方に画素選択用の電
極を有する一対の透明基板の間に液晶層を挟持してなる
液晶パネルと、前記パネルに表示信号に応じた電圧を印
加するための駆動回路手段と、前記液晶パネルの背面に
設置されたバックライトとを上フレームおよびこの上フ
レームと連接する下フレームにより固定してなる液晶表
示モジュールを表示部を構成するケースに実装した液晶
表示装置において、前記液晶表示モジュールは、前記上
フレームと下フレームの何れか一方または双方の平行す
る二辺に外方に突設した少なくとも各１つのタブを備
え、前記ケースは、底面とこの底面に臨んだタブ受け穴
を形成した少なくとも一対の対向側壁を有し、前記タブ
受け穴に前記タブを係合させることによって、前記液晶
表示モジュールを前記ケースに固定したことを特徴とす
る。That is, the present invention provides the following (1) to (3)
It is characterized by having the configuration of (1) A liquid crystal panel having a liquid crystal layer sandwiched between a pair of transparent substrates having a pixel selection electrode on at least one of them opposed to each other, and a drive for applying a voltage according to a display signal to the panel. A liquid crystal display device in which a liquid crystal display module in which a circuit means and a backlight installed on the back of the liquid crystal panel are fixed by an upper frame and a lower frame connected to the upper frame is mounted on a case forming a display unit. The liquid crystal display module includes at least one tab protruding outward on two parallel sides of one or both of the upper frame and the lower frame, and the case faces the bottom surface and the bottom surface. The liquid crystal display module has at least a pair of opposing side walls formed with tab receiving holes. Characterized by being fixed to the case.
【００２１】なお、上記タブは各辺あたり１個でもよい
が、２個形成することで確実な固定ができる。また、こ
のタブは各辺当たり３個、あるいは一方の辺と他方の辺
とでタブの数を異ならせてもよい。The number of the tabs may be one per each side, but by forming two tabs, reliable fixing can be achieved. Further, the number of the tabs may be three on each side, or the number of tabs may be different between one side and the other side.
【００２２】この構成では、ケースの弾性を利用して外
側に湾曲させた応対で液晶表示モジュールのタブを当該
ケースに形成したタブ受け穴に係合させればよい。In this configuration, the tab of the liquid crystal display module may be engaged with the tab receiving hole formed in the case by a response curved outward using the elasticity of the case.
【００２３】これにより、液晶パネルが画面が大型化し
た場合にも額縁の狭幅化で対応でき、部品点数を削減し
て組立て工程を簡素化した液晶表示装置を提供できる。Accordingly, even when the screen size of the liquid crystal panel becomes large, it is possible to cope with the narrow frame, and it is possible to provide a liquid crystal display device in which the number of parts is reduced and the assembling process is simplified.
【００２４】（２）対向配置された少なくとも一方に画
素選択用の電極を有する一対の透明基板の間に液晶層を
挟持してなる液晶パネルと、前記パネルに表示信号に応
じた電圧を印加するための駆動回路手段と、前記液晶パ
ネルの背面に設置されたバックライトとを上フレームお
よびこの上フレームと連接する下フレームにより固定し
てなる液晶表示モジュールを表示部を構成するケースに
実装した液晶表示装置において、前記液晶表示モジュー
ルは、前記上フレームと下フレームの何れか一方または
双方の平行する二辺に外方に突設した少なくとも１つの
タブを備え、前記ケースは、底面とこの底面に臨んだ側
壁を有すると共に、その１つの側壁にタブ受け穴を備
え、前記タブ受け穴を備えた側壁と前記底面を挟んで対
向する側壁の内側に、タブ受け穴を備えて前記ケースに
固定した補強部材を有し、前記側壁のタブ受け穴と前記
補強部材のタブ受け穴に前記液晶表示モジュールのタブ
を係合させることによって、前記液晶表示モジュールを
前記ケースに固定したことを特徴とする。(2) A liquid crystal panel having a liquid crystal layer sandwiched between a pair of transparent substrates having a pixel selection electrode on at least one of them facing each other, and applying a voltage corresponding to a display signal to the panel. Liquid crystal display module comprising a liquid crystal display module in which a driving circuit means for fixing a liquid crystal display module and a backlight installed on the back of the liquid crystal panel are fixed by an upper frame and a lower frame connected to the upper frame. In the display device, the liquid crystal display module includes at least one tab projecting outward on two sides parallel to one or both of the upper frame and the lower frame, and the case has a bottom surface and a bottom surface. A side wall provided with a tab receiving hole on one side wall, and a side wall provided with the tab receiving hole and an inner side wall opposed to each other across the bottom surface. The liquid crystal display module has a reinforcing member fixed to the case with a tab receiving hole, and the tab of the liquid crystal display module is engaged with the tab receiving hole of the side wall and the tab receiving hole of the reinforcing member. It is characterized by being fixed to the case.
【００２５】なお、上記タブは（１）と同様に、各辺あ
たり１個でもよいが、２個形成することで確実な固定が
できる。また、このタブは各辺当たり３個、あるいは一
方の辺と他方の辺とでタブの数を異ならせてもよい。The number of the tabs may be one for each side as in the case of (1), but by forming two tabs, the tab can be securely fixed. Further, the number of the tabs may be three on each side, or the number of tabs may be different between one side and the other side.
【００２６】この構成では、先にケースに組み込む前の
補強部材のタブ受け穴に液晶表示モジュールの一方の辺
側のタブを係合させた後、ケースに形成したタブ受け穴
に他方の辺側のタブを係合させ、補強部材を固定する。In this configuration, the tab on one side of the liquid crystal display module is engaged with the tab receiving hole of the reinforcing member before being incorporated in the case first, and then the other side is inserted into the tab receiving hole formed in the case. And the reinforcing member is fixed.
【００２７】これにより、液晶パネルが画面が大型化し
た場合にも額縁の狭幅化で対応でき、部品点数を削減し
て組立て工程を簡素化した液晶表示装置を提供できる。This makes it possible to provide a liquid crystal display device which can cope with an increase in the size of the screen of the liquid crystal panel by reducing the frame width, simplifying the assembling process by reducing the number of parts.
【００２８】（３）対向配置された少なくとも一方に画
素選択用の電極を有する一対の透明基板の間に液晶層を
挟持してなる液晶パネルと、前記パネルに表示信号に応
じた電圧を印加するための駆動回路手段と、前記液晶パ
ネルの背面に設置されたバックライトとを上フレームお
よびこの上フレームと連接する下フレームにより固定し
てなる液晶表示モジュールを表示部を構成するケースに
実装した液晶表示装置において、前記液晶表示モジュー
ルは、前記上フレームと下フレームの何れか一方または
双方の平行する各側面のそれぞれに突設した少なくとも
１つのタブを備え、前記底面を挟んで対向する平行な側
壁の内側にタブ受け穴を備えて前記ケースに固定した一
対の補強部材を有し、前記一対の補強部材のタブ受け穴
に前記液晶表示モジュールのタブを係合させることによ
って、前記液晶表示モジュールを前記ケースに固定した
ことを特徴とする。(3) A liquid crystal panel having a liquid crystal layer sandwiched between a pair of transparent substrates having a pixel selection electrode on at least one of them facing each other, and applying a voltage corresponding to a display signal to the panel. Liquid crystal display module comprising a liquid crystal display module in which a driving circuit means for fixing a liquid crystal display module and a backlight installed on the back of the liquid crystal panel are fixed by an upper frame and a lower frame connected to the upper frame. In the display device, the liquid crystal display module includes at least one tab protruding from each of parallel side surfaces of one or both of the upper frame and the lower frame, and has parallel side walls facing each other with the bottom surface interposed therebetween. A pair of reinforcing members fixed to the case with tab receiving holes provided inside the case, and the liquid crystal display module is provided in the tab receiving holes of the pair of reinforcing members. By engaging the tab of Yuru, characterized in that fixing the liquid crystal display module to said casing.
【００２９】なお、上記タブは（１）（２）と同様に、
各辺あたり１個でもよいが、２個形成することで確実な
固定ができる。また、このタブは各辺当たり３個、ある
いは一方の辺と他方の辺とでタブの数を異ならせてもよ
い。The tabs are similar to the tabs (1) and (2).
One piece may be provided for each side, but two pieces can be securely fixed. Further, the number of the tabs may be three on each side, or the number of tabs may be different between one side and the other side.
【００３０】この構成では、先にケースに組み込む前の
補強部材のタブ受け穴に液晶表示モジュールの各辺のタ
ブを係合させた後、ケースに補強部材を固定する。In this configuration, the tabs on each side of the liquid crystal display module are engaged with the tab receiving holes of the reinforcing member before being incorporated into the case, and then the reinforcing member is fixed to the case.
【００３１】これにより、液晶パネルが画面が大型化し
た場合にも額縁の狭幅化で対応でき、部品点数を削減し
て組立て工程を簡素化した液晶表示装置を提供できる。This makes it possible to provide a liquid crystal display device which can cope with the case where the screen of the liquid crystal panel has a large screen by reducing the width of the frame, reduce the number of parts, and simplify the assembling process.
【００３２】[0032]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につ
き、実施例を参照して詳細に説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to examples.
【００３３】図１は本発明による液晶表示装置第１実施
例における液晶表示モジュールの固定構造を説明する表
示部の平面図、図２は図１のＡ−Ａ線に沿った部分断面
図であって、ノート型コンピュータの表示部に本発明を
適用したものである。FIG. 1 is a plan view of a display unit for explaining a fixing structure of a liquid crystal display module in a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a partial cross-sectional view taken along line AA of FIG. The present invention is applied to a display portion of a notebook computer.
【００３４】図１と図２において、表示部は前記従来例
と同様に底面を囲む側壁を有するケースＣＡＳＥとこの
ケースＣＡＳＥ内に実装した液晶表示モジュールＭＤＬ
とから構成される。液晶表示モジュールＭＤＬは、第１
の基板ＳＵＢ１と第２の基板ＳＵＢ２の間に液晶層を挟
持し、表面と裏面のそれぞれに貼付した偏光板ＰＯＬ
１，ＰＯＬ２からなる液晶パネルＰＮＬと、この液晶パ
ネルＰＮＬの背面に設置したバックライトＢＬを上フレ
ームＳＨＤ１と下フレームＳＨＤ２とでゴムクッション
ＧＣ等のスペーサを介して固定してなる。なお、液晶パ
ネルを駆動するための回路を搭載した駆動回路基板等は
図示を省略してある。In FIGS. 1 and 2, the display unit has a case CASE having a side wall surrounding the bottom surface as in the conventional example, and a liquid crystal display module MDL mounted in the case CASE.
It is composed of The liquid crystal display module MDL has the first
Polarizer POL having a liquid crystal layer sandwiched between the substrate SUB1 and the second substrate SUB2, and attached to the front and back surfaces, respectively.
A liquid crystal panel PNL comprising POL1 and POL2 and a backlight BL installed on the back of the liquid crystal panel PNL are fixed to the upper frame SHD1 and the lower frame SHD2 via a spacer such as a rubber cushion GC. A drive circuit board and the like on which a circuit for driving the liquid crystal panel is mounted are not shown.
【００３５】そして、この液晶表示モジュールＭＤＬの
対向する平行な二辺のそれぞれに上フレームＳＨＤ１と
下フレームＳＨＤから突設した４個のタブＴＡＢ１，Ｔ
ＡＢ２とＴＡＢ３，ＴＡＢ４を備えている。この４個の
タブをある程度柔軟性を持つ材料から構成したケースＣ
ＡＳＥの内壁に形成したタブ受け穴ＡＬＣに係合して固
定する。Then, four tabs TAB1 and TAB1 protruding from the upper frame SHD1 and the lower frame SHD on each of two opposite parallel sides of the liquid crystal display module MDL.
AB2, TAB3, and TAB4 are provided. Case C in which these four tabs are made of a material having some flexibility
The ASE is engaged with and fixed to the tab receiving hole ALC formed in the inner wall of the ASE.
【００３６】本実施例のタブＴＡＢ１，ＴＡＢ２とＴＡ
Ｂ３，ＴＡＢ４は従来のネジ孔を必要としないため、そ
の突出長さを従来よりも短くすることができ、例えば従
来のタブが約７ｍｍ程度であったものに対し、約３ｍｍ
程度にすることができる。The tabs TAB1, TAB2 and TA of this embodiment
Since B3 and TAB4 do not require a conventional screw hole, their protruding length can be made shorter than before. For example, the conventional tab has a diameter of about 7 mm, which is about 3 mm.
Degree.
【００３７】なお、ＨＮＧ１，ＨＮＧ２はノート型コン
ピュータの本体を回動可能に取り付けるためのヒンジで
ある。HNG1 and HNG2 are hinges for rotatably mounting the main body of the notebook computer.
【００３８】この実施例では、ケースＣＡＳＥの内壁に
形成したタブ受け穴ＡＬＣと液晶表示モジュールＭＤＬ
のタブＴＡＢの係合は、当該ケースＣＡＳＥのタブ受け
穴ＡＬＣの片方に液晶表示モジュールＭＤＬの一方側の
タブＴＡＢを係合させ、次にケースＣＡＳＥを背面側に
湾曲させ、ケースＣＡＳＥの柔軟性を利用して液晶表示
モジュールＭＤＬの残りの側のタブＴＡＢを液晶表示モ
ジュールＭＤＬの他方に係合させる。In this embodiment, the tab receiving hole ALC formed in the inner wall of the case CASE and the liquid crystal display module MDL
The tab TAB of the liquid crystal display module MDL is engaged with one of the tab receiving holes ALC of the case CASE, and then the case CASE is bent to the rear side, and the flexibility of the case CASE is adjusted. The tab TAB on the remaining side of the liquid crystal display module MDL is engaged with the other side of the liquid crystal display module MDL using the above.
【００３９】これにより、液晶パネルが画面が大型化し
た場合にも額縁の狭幅化で対応でき、部品点数を削減し
て組立て工程を簡素化した液晶表示装置を提供できる。This makes it possible to provide a liquid crystal display device in which the frame width can be reduced even when the size of the screen of the liquid crystal panel is increased, and the number of components is reduced and the assembly process is simplified.
【００４０】図３は本発明による液晶表示装置第２実施
例における液晶表示モジュールの固定構造を説明する表
示部の平面図、図４は図３のＢ−Ｂ線に沿った部分断面
図であって、第１実施例と同様に、ノート型コンピュー
タの表示部に本発明を適用したものである。なお、図３
のＡ−Ａ線断面は図２と同様である。FIG. 3 is a plan view of a display unit for explaining a fixing structure of a liquid crystal display module in a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a partial cross-sectional view taken along line BB of FIG. As in the first embodiment, the present invention is applied to a display unit of a notebook computer. Note that FIG.
2 is the same as FIG.
【００４１】図３と図４において、液晶表示モジュール
ＭＤＬの基本構成は第１実施例と同様であるので説明は
省略する。この実施例では、ケースＣＡＳＥの一方の側
壁（図の右側）の内方に前記図２と同様のタブ受け穴を
形成し、他方の側壁（図の左側）には補強部材ＳＴ２を
備え、この補強部材ＳＴ２にタブ受け穴ＡＬＣを形成し
てある。補強部材ＳＴ２に形成したタブ受け穴ＡＬＣは
貫通穴として示してあるが、貫通しない穴としてもよ
い。In FIGS. 3 and 4, the basic configuration of the liquid crystal display module MDL is the same as that of the first embodiment, and a description thereof will be omitted. In this embodiment, a tab receiving hole similar to that of FIG. 2 is formed inside one side wall (right side in the figure) of the case CASE, and a reinforcing member ST2 is provided in the other side wall (left side in the figure). A tab receiving hole ALC is formed in the reinforcing member ST2. Although the tab receiving holes ALC formed in the reinforcing member ST2 are shown as through holes, they may be holes that do not penetrate.
【００４２】また、液晶表示モジュールＭＤＬの対向す
る平行な二辺のそれぞれに上フレームＳＨＤ１から突設
した４個のタブＴＡＢ１，ＴＡＢ２とＴＡＢ３，ＴＡＢ
４を備えている。この４個のタブの一方側のタブＴＡＢ
１，ＴＡＢ２はケースＣＡＳＥの一方の側壁に形成した
タブ受け穴に係合させ、他方のタブＴＡＢ３，ＴＡＢ４
は補強部材ＳＴ２に形成したタブ受け穴ＡＬＣに係合さ
せる。Also, four tabs TAB1, TAB2 and TAB3, TAB protruding from the upper frame SHD1 on two opposite parallel sides of the liquid crystal display module MDL.
4 is provided. Tab TAB on one side of these four tabs
1, TAB2 is engaged with a tab receiving hole formed on one side wall of the case CASE, and the other tabs TAB3, TAB4
Is engaged with the tab receiving hole ALC formed in the reinforcing member ST2.
【００４３】この実施例では、最初に補強部材ＳＴ２の
タブ受け穴ＡＬＣに液晶表示モジュールＭＤＬのタブＴ
ＡＢ３，ＴＡＢ４を係合させ後、タブＴＡＢ１，ＴＡＢ
２をケースＣＡＳＥに形成したタブ受け穴に係合させ、
補強部材ＳＴ２をケースＣＡＳＥに固定する。In this embodiment, first, the tab T of the liquid crystal display module MDL is inserted into the tab receiving hole ALC of the reinforcing member ST2.
After engaging AB3 and TAB4, tabs TAB1 and TAB
2 is engaged with the tab receiving hole formed in the case CASE,
The reinforcing member ST2 is fixed to the case CASE.
【００４４】この実施例によっても、液晶パネルが画面
が大型化した場合にも額縁の狭幅化で対応でき、部品点
数を削減して組立て工程を簡素化した液晶表示装置を提
供できる。According to this embodiment, even when the size of the screen of the liquid crystal panel is increased, the frame width can be reduced, and the number of components can be reduced and the assembly process can be simplified to provide a liquid crystal display device.
【００４５】図５は本発明による液晶表示装置第３実施
例における液晶表示モジュールの固定構造を説明する表
示部の平面図、図６は図５のＡ−Ａ線に沿った部分断面
図であって、第１および第２実施例と同様に、ノート型
コンピュータの表示部に本発明を適用したものである。FIG. 5 is a plan view of a display portion for explaining a fixing structure of a liquid crystal display module in a liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a partial cross-sectional view taken along line AA of FIG. As in the first and second embodiments, the present invention is applied to the display unit of a notebook computer.
【００４６】図５と図６において、液晶表示モジュール
ＭＤＬの基本構成は第１実施例と同様であるので説明は
省略する。この実施例では、ケースＣＡＳＥの一方の側
壁（図の右側）の内方と他方の側壁（図の左側）の内方
とに補強部材ＳＴ１，ＳＴ２を備え、この補強部材ＳＴ
１とＳＹ２にタブ受け穴ＡＬＣを形成してある。なお、
補強部材ＳＴ１，ＳＴ２に形成したタブ受け穴ＡＬＣは
貫通穴として示してあるが、貫通しない穴としてもよ
い。In FIGS. 5 and 6, the basic structure of the liquid crystal display module MDL is the same as that of the first embodiment, and the description is omitted. In this embodiment, reinforcing members ST1 and ST2 are provided inside one side wall (right side in the figure) and inside the other side wall (left side in the figure) of the case CASE.
1 and SY2 are formed with tab receiving holes ALC. In addition,
Although the tab receiving holes ALC formed in the reinforcing members ST1 and ST2 are shown as through holes, they may be holes that do not penetrate.
【００４７】また、液晶表示モジュールＭＤＬの対向す
る平行な二辺のそれぞれに上フレームＳＨＤ１から突設
した４個のタブＴＡＢ１，ＴＡＢ２とＴＡＢ３，ＴＡＢ
４を備えている。この４個のタブＴＡＢ１，ＴＡＢ２と
タブＴＡＢ３，ＴＡＢ４を補強部材ＳＴ１，ＳＴ２に形
成したタブ受け穴ＡＬＣにそれぞれ係合させた後、両補
強部材ＳＴ１，ＳＴ２をケースＣＡＳＥに固定する。Also, four tabs TAB1, TAB2 and TAB3, TAB protruding from the upper frame SHD1 on each of two opposing parallel sides of the liquid crystal display module MDL.
4 is provided. After the four tabs TAB1, TAB2 and the tabs TAB3, TAB4 are respectively engaged with the tab receiving holes ALC formed in the reinforcing members ST1, ST2, the two reinforcing members ST1, ST2 are fixed to the case CASE.
【００４８】この実施例によっても、液晶パネルが画面
が大型化した場合にも額縁の狭幅化で対応でき、部品点
数を削減して組立て工程を簡素化した液晶表示装置を提
供できる。According to this embodiment, even when the size of the screen of the liquid crystal panel is increased, the width of the frame can be reduced, and the number of components can be reduced and the assembly process can be simplified to provide a liquid crystal display device.
【００４９】なお、上記各実施例におけるタブの形状は
任意であり、それを上フレームか下フレーム、または上
下フレームの何れかに形成することができ、各実施例を
組み合わせて適用できる。The shape of the tab in each of the above embodiments is arbitrary, and it can be formed on either the upper frame, the lower frame, or the upper and lower frames, and the embodiments can be combined and applied.
【００５０】このように、本発明の各実施例によれば、
表示部のケースに液晶表示モジュールを固定する際にネ
ジを使用しないため、ネジおよびネジ穴の形成に必要な
スペースを不要とし、額縁の狭幅化、あるいは同一画面
サイズでは小型化が容易となると共に、表示部の薄型化
も達成できる。As described above, according to each embodiment of the present invention,
Since no screws are used when fixing the liquid crystal display module to the display case, the space required for forming screws and screw holes is not required, making it easier to reduce the width of the frame or reduce the size of the same screen size. At the same time, the display portion can be made thinner.
【００５１】図７は本発明による液晶表示装置の全体例
を説明するノート型コンピュータの斜視図である。FIG. 7 is a perspective view of a notebook computer for explaining an overall example of a liquid crystal display device according to the present invention.
【００５２】このノート型コンピュータ（可搬型パソコ
ン）はキーボード部（本体部）と、このキーボード部に
ヒンジで連結した表示部から構成される。キーボード部
にはキーボードとホスト（ホストコンピュータ）、ＣＰ
Ｕ等の信号生成機能を収納し、表示部には液晶パネルＰ
ＮＬを有し、その周辺に駆動回路基板ＰＣＢ１，ＰＣＢ
２、コントロールチップＴＣＯＮを搭載したＰＣＢ３、
およびバックライト電源であるインバータ電源基板など
が実装される。This notebook computer (portable personal computer) comprises a keyboard section (main body section) and a display section connected to the keyboard section by a hinge. Keyboard and host (host computer), CP
U and other signal generation functions, and the display unit has a liquid crystal panel P
NL, and drive circuit boards PCB1 and PCB
2, PCB3 with control chip TCON,
In addition, an inverter power supply board serving as a backlight power supply is mounted.
【００５３】そして、上記液晶表示パネルＰＮＬ、各種
回路基板ＰＣＢ１，ＰＣＢ２，ＰＣＢ３、インバータ電
源基板、およびバックライトを一体化した液晶表示モジ
ュールを前記した各実施例の何れかの構造で固定してあ
る。これにより、額縁の狭幅化を図ったノート型コンピ
ュータが得られる。Then, the liquid crystal display panel PNL, the various circuit boards PCB1, PCB2, PCB3, the inverter power supply board, and the liquid crystal display module integrated with the backlight are fixed by any one of the structures of the above embodiments. . Thus, a notebook computer with a narrower frame can be obtained.
【００５４】次に、本発明の液晶表示装置の詳細を図８
〜図２１により説明する。Next, the details of the liquid crystal display device of the present invention are shown in FIG.
This will be described with reference to FIG.
【００５５】図８は本発明の液晶表示装置の一例である
アクティブ・マトリクス方式カラー液晶表示装置の一画
素とブラックマトリクスＢＭの遮光領域およびその周辺
を示す平面図である。FIG. 8 is a plan view showing one pixel of an active matrix type color liquid crystal display device which is an example of the liquid crystal display device of the present invention, a light shielding region of the black matrix BM, and its periphery.
【００５６】図８に示すように、各画素は走査信号配線
（ゲート信号線又は水平信号線）ＧＬと、対向電圧信号
線（対向電極配線）ＣＬと、隣接する２本の映像信号配
線（ドレイン信号線又は垂直信号線）ＤＬとの交差領域
内（４本の信号線で囲まれた領域内）に配置されてい
る。As shown in FIG. 8, each pixel has a scanning signal line (gate signal line or horizontal signal line) GL, a counter voltage signal line (counter electrode line) CL, and two adjacent video signal lines (drain). The signal line or the vertical signal line) is arranged in an intersecting region with the DL (in a region surrounded by four signal lines).
【００５７】各画素は薄膜トランジスタＴＦＴ、蓄積容
量Ｃｓｔｇ、画素電極ＰＸ及び対向電極ＣＴを含む。走
査信号線ＧＬ、対向電圧信号線ＣＬは、同図では左右方
向に延在し、上下方向に複数本配置されている。映像信
号線ＤＬは上下方向に延在し、左右方向に複数本配置さ
れている。画素電極ＰＸは薄膜トランジスタＴＦＴと接
続され、対向電極ＣＴは対向電圧信号線ＣＬと一体にな
っている。Each pixel includes a thin film transistor TFT, a storage capacitor Cstg, a pixel electrode PX, and a counter electrode CT. The scanning signal lines GL and the counter voltage signal lines CL extend in the left-right direction in FIG. The video signal lines DL extend in the up-down direction, and a plurality of video signal lines DL are arranged in the left-right direction. The pixel electrode PX is connected to the thin film transistor TFT, and the counter electrode CT is integrated with the counter voltage signal line CL.
【００５８】画素電極ＰＸと対向電極ＣＴは互いに対向
し、各画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間の電界により
液晶ＬＣの配向状態を制御し、透過光を変調して表示を
制御する。画素電極ＰＸと対向電極ＣＴは櫛歯状に構成
され、それぞれ同図の上下方向に長細い電極となってい
る。The pixel electrode PX and the counter electrode CT are opposed to each other, and the alignment state of the liquid crystal LC is controlled by the electric field between each pixel electrode PX and the counter electrode CT, and the transmitted light is modulated to control the display. The pixel electrode PX and the counter electrode CT are formed in a comb-like shape, and each is an electrode that is elongated in the vertical direction in FIG.
【００５９】１画素内の対向電極ＣＴの本数Ｏ（櫛歯の
本数）は、画素電極ＰＸの本数Ｐ（櫛歯の本数）とＯ＝
Ｐ＋１の関係を必ず持つように構成する（本実施例で
は、Ｏ＝２、Ｐ＝１）。これは、対向電極ＣＴと画素電
極ＰＸを交互に配置し、かつ、対向電極ＣＴを映像信号
線ＤＬに必ず隣接させるためである。The number O (the number of comb teeth) of the counter electrode CT in one pixel is equal to the number P (the number of comb teeth) of the pixel electrode PX and O =
It is configured to always have the relationship of P + 1 (O = 2, P = 1 in this embodiment). This is because the counter electrode CT and the pixel electrode PX are alternately arranged, and the counter electrode CT is always adjacent to the video signal line DL.
【００６０】これにより、対向電極ＣＴと画素電極ＰＸ
の間の電界が、映像信号線ＤＬから発生する電界から影
響を受けないように、対向電極ＣＴで映像信号線ＤＬか
らの電気力線をシールドすることができる。Thus, the counter electrode CT and the pixel electrode PX are
The electric field lines from the video signal line DL can be shielded by the counter electrode CT so that the electric field between them is not affected by the electric field generated from the video signal line DL.
【００６１】対向電極ＣＴは、対向電圧信号線ＣＬによ
り常に外部から電位を供給されているため、電位は安定
している。そのため、映像信号線ＤＬに隣接しても、電
位の変動が殆どない。又、これにより、画素電極ＰＸの
映像信号線ＤＬからの幾何学的な位置が遠くなるので、
画素電極ＰＸと映像信号線ＤＬの間の寄生容量が大幅に
減少し、画素電極電位Ｖｓの映像信号電圧による変動も
制御できる。Since the potential of the counter electrode CT is always supplied from the outside by the counter voltage signal line CL, the potential is stable. Therefore, there is almost no change in potential even adjacent to the video signal line DL. In addition, since the geometric position of the pixel electrode PX from the video signal line DL becomes farther,
The parasitic capacitance between the pixel electrode PX and the video signal line DL is greatly reduced, and the fluctuation of the pixel electrode potential Vs due to the video signal voltage can be controlled.
【００６２】これらにより、上下方向に発生するクロス
トーク（縦スミアと呼ばれる画質不良）を抑制すること
ができる。Thus, it is possible to suppress crosstalk (defective image quality called vertical smear) occurring in the vertical direction.
【００６３】画素電極ＰＸと対向電極ＣＴの電極幅Ｗ
ｐ，Ｗｃはそれぞれ６μｍとし、後述の液晶層の最大設
定厚みを超える４．５μｍよりも十分大きく設定する。
製造上の加工ばらつきを考慮すると２０％以上のマージ
ンを持った方が好ましいので、望ましくは５．４μｍよ
りも十分大きくしたほうが良い。The electrode width W between the pixel electrode PX and the counter electrode CT
Each of p and Wc is set to 6 μm, which is set sufficiently larger than 4.5 μm which exceeds the maximum set thickness of the liquid crystal layer described later.
It is preferable to have a margin of 20% or more in consideration of processing variations in manufacturing. Therefore, it is preferable that the margin be sufficiently larger than 5.4 μm.
【００６４】これにより、液晶層に印加される基板面に
平行な電界成分が基板面に垂直な方向の電界成分よりも
大きくなり、液晶を駆動する電圧の上昇を抑制すること
ができる。又、各電極の電極幅Ｗｐ，Ｗｃの最大値は、
画素電極ＰＸと対向電極ＣＴの間の間隔Ｌよりも小さい
事が好ましい。Thus, the electric field component applied to the liquid crystal layer parallel to the substrate surface becomes larger than the electric field component in the direction perpendicular to the substrate surface, and it is possible to suppress an increase in the voltage for driving the liquid crystal. The maximum value of the electrode width Wp, Wc of each electrode is
It is preferable that the distance be smaller than the distance L between the pixel electrode PX and the counter electrode CT.
【００６５】これは、電極の間隔が小さすぎると電気力
線の湾曲が激しくなり、基板面に平行な電界成分よりも
基板面に垂直な電界成分の方が大きい領域が増大するた
め、基板面に平行な電界成分を効率良く液晶層に印加で
きないからである。従って、画素電極ＰＸと対向電極Ｃ
Ｔの間の間隔Ｌはマージンを２０％とると７．２μｍよ
り大きいことが必要である。本実施例では、対角約１
４．５ｃｍ（５．７インチ）で６４０×４８０ドットの
解像度で構成したので、画素ピッチは約６０μｍであ
り、画素を２分割することにより、間隔Ｌ＞７．２μｍ
を実現した。This is because, if the distance between the electrodes is too small, the curvature of the lines of electric force becomes severe, and the area where the electric field component perpendicular to the substrate surface is larger than the electric field component parallel to the substrate surface increases. This is because an electric field component parallel to the above cannot be efficiently applied to the liquid crystal layer. Therefore, the pixel electrode PX and the counter electrode C
The interval L between T needs to be larger than 7.2 μm if the margin is 20%. In this embodiment, the diagonal is about 1
Since the pixel pitch is about 60 μm because the resolution is 4.5 cm (5.7 inches) and the resolution is 640 × 480 dots, the distance L> 7.2 μm by dividing the pixel into two.
Was realized.
【００６６】又、映像信号線ＤＬの電極幅は断線を防止
するために、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴに比較して若
干広い８μｍとし、映像信号線ＤＬと対向電極ＣＴとの
間隔は短絡を防止するために約１μｍの間隔を開けると
共に、ゲート絶縁膜の上側に映像信号線DLを下側に対向
電極ＣＴを形成して、異層になるように配置している。The electrode width of the video signal line DL is set to 8 μm, which is slightly wider than the pixel electrode PX and the counter electrode CT in order to prevent disconnection, and the interval between the video signal line DL and the counter electrode CT is short-circuited. In order to prevent this, an interval of about 1 μm is provided, a video signal line DL is formed on the upper side of the gate insulating film, and a counter electrode CT is formed on the lower side.
【００６７】一方、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴの間の
電極間隔は、用いる液晶材料によって変える。これは、
液晶材料によって最大透過率を達成する電界強度が異な
るため、電極間隔を液晶材料に応じて設定し、用いる映
像信号駆動回路（信号側ドライバ）の耐圧で設定される
信号電圧の最大振幅の範囲で、最大透過率が得られるよ
うにするためである。後述の液晶材料を用いると電極間
隔は、約１５μｍとなる。On the other hand, the electrode interval between the pixel electrode PX and the counter electrode CT changes depending on the liquid crystal material used. this is,
Since the electric field strength that achieves the maximum transmittance varies depending on the liquid crystal material, the electrode spacing is set according to the liquid crystal material, and within the range of the maximum amplitude of the signal voltage set by the withstand voltage of the video signal driving circuit (signal side driver) used. , So that the maximum transmittance can be obtained. When a liquid crystal material described later is used, the electrode interval is about 15 μm.
【００６８】本構成例では、平面的に、ブラックマトリ
クスＢＭがゲート配線ＧＬ上、対向電圧信号線ＣＬ、薄
膜トランジスタＴＦＴ上、ドレイン配線ＤＬ上、ドレイ
ン配線ＤＬと対向電極ＣＴ間に形成している。In this configuration example, the black matrix BM is formed on the gate line GL, the counter voltage signal line CL, the thin film transistor TFT, the drain line DL, and between the drain line DL and the counter electrode CT in plan view.
【００６９】《マトリクス部（画素部）の断面構造》図
９は図８のＦーＦ切断線における薄膜トランジスタＴＦ
Ｔの断面図、図１０は図８のＧーＧ切断線における蓄積
容量Ｃｓｔｇの断面図、図１１は横電界方式の液晶表示
基板の画像表示領域における１画素の電極近傍の断面図
と基板周辺部の断面図である。<< Cross-Sectional Structure of Matrix (Pixel) >> FIG. 9 shows a thin film transistor TF taken along the line FF in FIG.
FIG. 10 is a cross-sectional view of the storage capacitor Cstg taken along the line GG in FIG. 8, and FIG. 11 is a cross-sectional view of the vicinity of an electrode of one pixel in an image display area of a horizontal electric field type liquid crystal display substrate and the periphery of the substrate It is sectional drawing of a part.
【００７０】図１１に示すように、液晶層ＬＣを基準に
して下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側には薄膜トランジス
タＴＦＴ、蓄積容量Ｃｓｔｇ（図示せず）及び電極群Ｃ
Ｔ、ＰＸが形成され、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２側に
はカラーフィルタＦＩＬ、遮光用ブラックマトリクスＢ
Ｍのパターンが形成されている。尚、公知ではないが、
同一出願人による、特願平７ー１９８３４９号に提案さ
れたように、遮光用ブラックマトリクスＢＭのパターン
を下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側に形成することも可能
である。As shown in FIG. 11, a thin film transistor TFT, a storage capacitor Cstg (not shown) and an electrode group C are provided on the lower transparent glass substrate SUB1 side with respect to the liquid crystal layer LC.
T, PX are formed, and a color filter FIL and a black matrix B for shading are formed on the upper transparent glass substrate SUB2 side.
An M pattern is formed. Although not publicly known,
As proposed in Japanese Patent Application No. 7-198349 by the same applicant, it is also possible to form the pattern of the light-shielding black matrix BM on the lower transparent glass substrate SUB1 side.
【００７１】又、透明ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の
それぞれの内側（液晶ＬＣ側）の表面には、液晶の初期
配向を制御する配向膜ＯＲＩ１１、ＯＲＩ１２が設けら
れており、透明ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２のそれぞ
れの外側の表面には、偏光軸が直交して配置（クロスニ
コル配置）された偏光板ＰＯＬ１、ＰＯＬ２が設けられ
ている。On the inner surface (on the liquid crystal LC side) of each of the transparent glass substrates SUB1 and SUB2, there are provided alignment films ORI11 and ORI12 for controlling the initial alignment of the liquid crystal, and the transparent glass substrates SUB1 and SUB2 are provided with alignment films ORI11 and ORI12. Polarizing plates POL1 and POL2 whose polarization axes are orthogonally arranged (crossed Nicol arrangement) are provided on the outer surfaces of each.
【００７２】次に、下側透明ガラス基板ＳＵＢ１側（Ｔ
ＦＴ基板）の構成を詳しく説明する。Next, the lower transparent glass substrate SUB1 side (T
The configuration of the FT substrate will be described in detail.
【００７３】ＴＦＴ基板 《薄膜トランジスタ》薄膜トランジスタＴＦＴは、ゲー
ト電極ＧＴに正のバイアスを印加すると、ソース−ドレ
イン間のチャネル抵抗が小さくなり、バイアスを零にす
ると、チャネル抵抗は大きくなるように動作する。 TFT Substrate << Thin Film Transistor >> The thin film transistor TFT operates so that the channel resistance between the source and the drain decreases when a positive bias is applied to the gate electrode GT, and the channel resistance increases when the bias is set to zero.
【００７４】薄膜トランジスタＴＦＴは、図１０に示す
ように、ゲート電極ＧＴ、ゲート絶縁膜ＧＩ、ｉ型（真
性：ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ、導電型決定不純物がドープさ
れていない）非晶質シリコン（Ｓｉ）からなるｉ型半導
体層ＡＳ、一対のソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ
２を有する。As shown in FIG. 10, the thin-film transistor TFT has a gate electrode GT, a gate insulating film GI, and an i-type (intrinsic, not doped with a conductivity type determining impurity) amorphous silicon (Si) film. Type semiconductor layer AS, a pair of source electrode SD1, drain electrode SD
2
【００７５】尚、ソース、ドレインは本来その間のバイ
アス極性によって決まるもので、この液晶表示装置の回
路ではその極性は動作中反転するので、ソース、ドレイ
ンは動作中入れ替わると理解されたい。しかし、以下の
説明では、便宜上一方をソース、他方をドレインと固定
して表現する。It should be understood that the source and the drain are originally determined by the bias polarity between them, and in the circuit of this liquid crystal display device, the polarity is inverted during the operation, so that the source and the drain are understood to be switched during the operation. However, in the following description, one is fixed and the other is fixed as a drain for convenience.
【００７６】《ゲート電極ＧＴ》ゲート電極ＧＴは走査
信号線ＧＬと連続して形成されており、走査信号線GLの
一部の領域がゲート電極ＧＴとなるように構成されてい
る。このゲート電極ＧＴは薄膜トランジスタＴＦＴの能
動領域を超える部分であり、ｉ型半導体層ＡＳを完全に
覆うよう（下方から見て）それより大きめに形成されて
いる。<< Gate Electrode GT >> The gate electrode GT is formed continuously with the scanning signal line GL, and a part of the scanning signal line GL is configured as the gate electrode GT. The gate electrode GT is a portion exceeding the active region of the thin film transistor TFT, and is formed larger than that so as to completely cover the i-type semiconductor layer AS (as viewed from below).
【００７７】これにより、ゲート電極ＧＴはそれ自身の
役割の他に、ｉ型半導体層ＡＳに外光やバックライト光
が当たらないように工夫されている。本例では、ゲート
電極ＧＴは単層の導電膜ｇ１で形成されている。この導
電膜ｇ１としては、例えばスパッタで形成されたアルミ
ニウム（Ａｌ）膜が用いられ、その上にはＡｌの陽極酸
化膜ＡＯＦが設けられている。Thus, in addition to the role of the gate electrode GT itself, the gate electrode GT is designed so that external light and backlight do not hit the i-type semiconductor layer AS. In this example, the gate electrode GT is formed of a single-layer conductive film g1. As the conductive film g1, for example, an aluminum (Al) film formed by sputtering is used, and an anodic oxide film AOF of Al is provided thereon.
【００７８】《走査信号線ＧＬ》走査信号線ＧＬは導電
膜ｇ１で構成されている。この走査信号線ＧＬの導電膜
ｇ１はゲート電極ＧＴの導電膜ｇ１と同一製造工程で形
成され、かつ、一体に構成されている。この走査信号線
ＧＬにより、外部回路からゲート電圧Ｖｇをゲート電極
ＧＴに供給する。<< Scanning Signal Line GL >> The scanning signal line GL is formed of the conductive film g1. The conductive film g1 of the scanning signal line GL is formed in the same manufacturing process as the conductive film g1 of the gate electrode GT, and is integrally formed. Through this scanning signal line GL, a gate voltage Vg is supplied from an external circuit to the gate electrode GT.
【００７９】又、走査信号線ＧＬ上にもＡｌの陽極酸化
膜ＡＯＦが設けられている。尚、映像信号線ＤＬと交差
する部分は映像信号線ＤＬとの短絡の確率を小さくする
ため細くし、又、短絡してもレーザトリミングで切り離
すことができるように二股にしている。An anodic oxide film AOF of Al is also provided on the scanning signal line GL. The portion that intersects with the video signal line DL is made thin to reduce the probability of short-circuit with the video signal line DL, and is made bifurcated so that even if it is short-circuited, it can be separated by laser trimming.
【００８０】《対向電極ＣＴ》対向電極ＣＴはゲート電
極ＧＴ及び走査信号線ＧＬと同層の導電膜ｇ１で構成さ
れている。又、対向電極ＣＴ上にもＡｌの陽極酸化膜Ａ
ＯＦが設けられている。対向電極ＣＴは、陽極酸化膜Ａ
ＯＦで完全に覆われていることから、映像信号線と限り
なく近づけても、それらが短絡してしまうことがなくな
る。<< Counter Electrode CT >> The counter electrode CT is formed of the same conductive film g1 as the gate electrode GT and the scanning signal line GL. Also, an anodic oxide film A of Al is formed on the counter electrode CT.
An OF is provided. The counter electrode CT has an anodic oxide film A
Since they are completely covered with the OF, even if they are brought as close as possible to the video signal lines, they will not be short-circuited.
【００８１】又、それらを交差させて構成させることも
できる。対向電極ＣＴには対向電圧Ｖｃｏｍが印加され
るように構成されている。本実施例では、対向電圧Ｖｃ
ｏｍは映像信号線ＤＬに印加される最小レベルの駆動電
圧Ｖｄｍｉｎと最大レベルの駆動電圧Ｖｄｍａｘとの中
間直流電位から、薄膜トランジスタ素子ＴＦＴをオフ状
態にするときに発生するフィードスルー電圧ΔＶｓ分だ
け低い電位に設定されるが、映像信号駆動回路で使用さ
れる集積回路の電源電圧を約半分に低減したい場合は、
交流電圧を印加すれば良い。Further, they may be configured to cross each other. The counter electrode CT is configured to apply a counter voltage Vcom. In this embodiment, the counter voltage Vc
om is a potential lower than an intermediate DC potential between the minimum level drive voltage Vdmin and the maximum level drive voltage Vdmax applied to the video signal line DL by a feedthrough voltage ΔVs generated when the thin film transistor element TFT is turned off. However, if you want to reduce the power supply voltage of the integrated circuit used in the video signal drive circuit to about half,
An AC voltage may be applied.
【００８２】《対向電圧信号線ＣＬ》対向電圧信号線Ｃ
Ｌは導電膜ｇ１で構成されている。この対向電圧信号線
ＣＬの導電膜ｇ１はゲート電極ＧＴ、走査信号線ＧＬ及
び対向電極ＣＴの導電膜ｇ１と同一製造工程で形成さ
れ、かつ、対向電極ＣＴと一体に構成されている。<< Counter Voltage Signal Line CL >> Counter Voltage Signal Line C
L is composed of the conductive film g1. The conductive film g1 of the counter voltage signal line CL is formed in the same manufacturing process as the conductive film g1 of the gate electrode GT, the scanning signal line GL, and the counter electrode CT, and is formed integrally with the counter electrode CT.
【００８３】この対向電圧信号線ＣＬにより、外部回路
から対向電圧Ｖｃｏｍを対向電極ＣＴに供給する。又、
対向電圧信号線ＣＬ上にもＡｌの陽極酸化膜ＡＯＦが設
けられている。尚、映像信号線ＤＬと交差する部分は、
走査信号線ＧＬと同様に映像信号線ＤＬとの短絡の確率
を小さくするため細くし、又、短絡しても、レーザトリ
ミングで切り離すことができるように二股にすることも
できる。The counter voltage Vcom is supplied from the external circuit to the counter electrode CT through the counter voltage signal line CL. or,
An anodic oxide film AOF of Al is also provided on the counter voltage signal line CL. Note that the portion that intersects with the video signal line DL is
Like the scanning signal line GL, it may be made thinner to reduce the probability of short-circuiting with the video signal line DL, or it may be split into two parts so that even if it is short-circuited, it can be separated by laser trimming.
【００８４】《絶縁膜ＧＩ》絶縁膜ＧＩは、薄膜トラン
ジスタＴＦＴにおいて、ゲート電極ＧＴと共に半導体層
ＡＳに電界を与えるためのゲート絶縁膜として使用され
る。絶縁膜ＧＩはゲート電極ＧＴ及び走査信号線ＧＬの
上層に形成されている。<< Insulating Film GI >> The insulating film GI is used as a gate insulating film for applying an electric field to the semiconductor layer AS together with the gate electrode GT in the thin film transistor TFT. The insulating film GI is formed above the gate electrode GT and the scanning signal line GL.
【００８５】絶縁膜ＧＩとしては例えばプラズマＣＶＤ
で形成された窒化シリコン膜が選ばれ、１２０〜２７０
ｎｍの厚さに（本実施例では、２４０ｎｍ）形成され
る。As the insulating film GI, for example, plasma CVD
The silicon nitride film formed by
It is formed to a thickness of nm (240 nm in this embodiment).
【００８６】このゲート絶縁膜ＧＩは、マトリクス部Ａ
Ｒの全体を囲むように形成され、周辺部は外部接続端子
ＤＴＭ、ＧＴＭを露出するよう除去されている。また、
絶縁膜ＧＩは走査信号線ＧＬ及び対向電圧信号線ＣＬと
映像信号線ＤＬの電気的絶縁にも寄与している。The gate insulating film GI is formed in the matrix portion A
R is formed so as to surround the entirety of R, and the peripheral portion is removed so as to expose the external connection terminals DTM and GTM. Also,
The insulating film GI also contributes to electrical insulation between the scanning signal lines GL and the counter voltage signal lines CL and the video signal lines DL.
【００８７】《ｉ型半導体層ＡＳ》ｉ型半導体層ＡＳ
は、非晶質シリコンで、２０〜２２０ｎｍの厚さ（本例
では、２００ｎｍ程度の膜厚）で形成される。層ｄ０は
オーミックコンタクト用のリン（Ｐ）をドープしたＮ
（＋）型非晶質シリコン半導体層であり、下側にｉ型半
導体層ＡＳが存在し、上側に導電膜ｄ１（ｄ２）が存在
するところのみに残されている。<< i-type semiconductor layer AS >> i-type semiconductor layer AS
Is amorphous silicon and is formed with a thickness of 20 to 220 nm (in this example, a thickness of about 200 nm). The layer d0 is made of N doped with phosphorus (P) for ohmic contact.
This is a (+) type amorphous silicon semiconductor layer, which is left only where the i-type semiconductor layer AS exists below and the conductive film d1 (d2) exists above.
【００８８】ｉ型半導体層ＡＳは走査信号線ＧＬ及び対
向信号線ＣＬと映像信号線ＤＬとの交差部の両者間にも
設けられている。この交差部のｉ型半導体層ＡＳは交差
部における走査信号線ＧＬ及び対向信号線ＣＬと映像信
号線ＤＬとの短絡を低減する。The i-type semiconductor layer AS is also provided between the scanning signal line GL and the intersection of the opposite signal line CL and the video signal line DL. The i-type semiconductor layer AS at the intersection reduces a short circuit between the scanning signal line GL and the opposing signal line CL and the video signal line DL at the intersection.
【００８９】《ソース電極ＳＤＩ、ドレイン電極ＳＤ
２》ソース電極ＳＤＩ、ドレイン電極ＳＤ２のそれぞれ
は、Ｎ（＋）型半導体層ｄ０に接触する導電膜ｄ１とそ
の上に形成された導電膜ｄ２とから構成されている。<< Source electrode SDI, drain electrode SD
2 >> Each of the source electrode SDI and the drain electrode SD2 is composed of a conductive film d1 in contact with the N (+) type semiconductor layer d0 and a conductive film d2 formed thereon.
【００９０】導電膜ｄ１はスパッタで形成したクロム
（Ｃｒ）膜を用い、５０〜１００ｎｍの厚さに（本実施
例では、６０ｎｍ程度）で形成される。Ｃｒ膜は膜厚を
厚く形成するとストレスが大きくなるので、２００ｎｍ
程度の膜厚を越えない範囲で形成する。Ｃｒ膜はＮ
（＋）型半導体層ｄ０との接着性を良好にし、導電膜ｄ
２のＡｌがＮ（＋）型半導体層ｄ０に拡散することを防
止する、所謂バリア層の目的で使用される。The conductive film d1 is formed with a thickness of 50 to 100 nm (about 60 nm in this embodiment) using a chromium (Cr) film formed by sputtering. Since the stress increases when the Cr film is formed to have a large thickness, the Cr film has a thickness of 200 nm.
It is formed in a range that does not exceed a certain thickness. Cr film is N
To improve the adhesion to the (+) type semiconductor layer d0,
2 is used for the purpose of a so-called barrier layer that prevents Al from diffusing into the N (+) type semiconductor layer d0.
【００９１】導電膜ｄ１として、Ｃｒ膜の他に高融点金
属（Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ）膜、高融点金属シリサイド
（ＭｏＳｉ2 、ＴｉＳｉ2 、ＴａＳｉ2 、ＷＳｉ2 ）膜
を用いても良い。As the conductive film d1, a refractory metal (Mo, Ti, Ta, W) film or a refractory metal silicide (MoSi 2 , TiSi 2 , TaSi 2 , WSi 2 ) film may be used in addition to the Cr film. .
【００９２】導電膜ｄ２はＡｌのスパッタリングで３０
０〜５００ｎｍの厚さに（４００ｎｍ程度）形成され
る。Ａｌ膜はＣｒ膜に比べてストレスが小さく、厚い膜
厚に形成することが可能で、ソース電極ＳＤ１、ドレイ
ン電極ＳＤ２および映像信号線ＤＬの抵抗値を低減した
り、ゲート電極ＧＴやｉ型半導体層ＡＳに起因する段差
乗り越えを確実にする（ステップカバレージを良くす
る）働きがある。The conductive film d2 has a thickness of 30
It is formed to a thickness of about 0 to 500 nm (about 400 nm). The Al film has a smaller stress than the Cr film and can be formed to have a large thickness, and can reduce the resistance values of the source electrode SD1, the drain electrode SD2 and the video signal line DL, and can reduce the gate electrode GT and the i-type semiconductor. There is a function of ensuring the overcoming of the step caused by the layer AS (improving the step coverage).
【００９３】導電膜ｄ１、導電膜ｄ２を同じマスクパタ
ーンでパターニングした後、同じマスクを用いて、或い
は導電膜ｄ１、導電膜ｄ２をマスクとして、Ｎ（＋）型
半導体層ｄ０が除去される。つまり、ｉ型半導体層ＡＳ
上に残っているＮ（＋）型半導体層ｄ０は導電膜ｄ１、
導電膜ｄ２以外の部分がセルフアラインで除去される。
このとき、Ｎ（＋）型半導体層ｄ０はその厚さ分は全て
除去されるようエッチングされるので、ｉ型半導体層Ａ
Ｓも若干その表面部分がエッチングされるが、その程度
はエッチング時間で制御すればよい。After patterning the conductive films d1 and d2 with the same mask pattern, the N (+) type semiconductor layer d0 is removed using the same mask or using the conductive films d1 and d2 as a mask. That is, the i-type semiconductor layer AS
The remaining N (+) type semiconductor layer d0 is a conductive film d1,
Portions other than the conductive film d2 are removed by self-alignment.
At this time, since the N (+)-type semiconductor layer d0 is etched so as to completely remove its thickness, the i-type semiconductor layer A is removed.
Although the surface portion of S is also slightly etched, its degree may be controlled by the etching time.
【００９４】《映像信号線ＤＬ》映像信号線ＤＬはソー
ス電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２と同層の第２導電膜
ｄ２、第３導電膜ｄ３で構成されている。又、映像信号
線ＤＬはドレイン電極ＳＤ２と一体に形成されている。<< Video Signal Line DL >> The video signal line DL is composed of the second conductive film d2 and the third conductive film d3 in the same layer as the source electrode SD1 and the drain electrode SD2. The video signal line DL is formed integrally with the drain electrode SD2.
【００９５】《画素電極ＰＸ》画素電極ＰＸはソース電
極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２と同層の第２導電膜ｄ
２、第３導電膜ｄ３で構成されている。又、画素電極Ｐ
Ｘはソース電極ＳＤ１と一体に形成されている。<< Pixel Electrode PX >> The pixel electrode PX is a second conductive film d of the same layer as the source electrode SD1 and the drain electrode SD2.
2, the third conductive film d3. Also, the pixel electrode P
X is formed integrally with the source electrode SD1.
【００９６】《蓄積容量Ｃｓｔｇ》画素電極ＰＸは、薄
膜トランジスタＴＦＴと接続される端部と反対側の端部
において、対向電圧信号線ＣＬと重なるように形成され
ている。この重ね合せは、図１０からも明らかなよう
に、画素電極ＰＸを一方の電極ＰＬ２とし、対向電圧信
号線ＣＬを他方の電極ＰＬ１とする蓄積容量（静電容量
素子）Ｃｓｔｇを構成する。この蓄積容量Ｃｓｔｇの誘
電体膜は、薄膜トランジスタＴＦＴのゲート絶縁膜とし
て使用される絶縁膜ＧＩ及び陽極酸化膜ＡＯＦで構成さ
れている。<< Storage Capacitor Cstg >> The pixel electrode PX is formed so as to overlap the counter voltage signal line CL at the end opposite to the end connected to the thin film transistor TFT. This superposition constitutes a storage capacitor (capacitance element) Cstg having the pixel electrode PX as one electrode PL2 and the counter voltage signal line CL as the other electrode PL1, as is apparent from FIG. The dielectric film of the storage capacitor Cstg includes an insulating film GI used as a gate insulating film of the thin film transistor TFT and an anodic oxide film AOF.
【００９７】図８に示したように、平面的には蓄積容量
Ｃｓｔｇは対向電圧信号線ＣＬの導電膜ｇ１の部分に形
成されている。As shown in FIG. 8, the storage capacitor Cstg is formed in the conductive film g1 of the counter voltage signal line CL in plan view.
【００９８】この場合、この蓄積容量Ｃｓｔｇは、その
絶縁膜ＧＩに対して下側に位置づけられる電極の材料が
Ａｌで形成され、かつ、その表面が陽極化成されたもの
であることから、ＡＬの所謂ヒロック等が原因する点欠
陥（上側に位置づけられる電極との短絡）による弊害を
発生し難くくする蓄積容量を得ることができる。In this case, the storage capacitor Cstg is made of Al because the material of the electrode positioned below the insulating film GI is made of Al and the surface is anodized. It is possible to obtain a storage capacitor which is less likely to cause adverse effects due to a point defect (short-circuit with an electrode positioned on the upper side) caused by a so-called hillock or the like.
【００９９】《保護膜ＰＳＶ１》薄膜トランジスタＴＦ
Ｔ上には保護膜ＰＳＶ１が設けられている。保護膜ＰＳ
Ｖ１は主に薄膜トランジスタＴＦＴを湿気等から保護す
るために形成されており、透明性が高くしかも耐湿性の
良いものを使用する。この保護膜ＰＳＶ１は例えばプラ
ズマＣＶＤ装置で形成した酸化シリコン膜や窒化シリコ
ン膜で形成されており、５００ｎｍ程度の膜厚で形成す
る。<< Protective Film PSV1 >> Thin Film Transistor TF
On T, a protective film PSV1 is provided. Protective film PS
V1 is formed mainly to protect the thin film transistor TFT from moisture and the like, and uses a material having high transparency and good moisture resistance. The protective film PSV1 is formed of, for example, a silicon oxide film or a silicon nitride film formed by a plasma CVD apparatus, and has a thickness of about 500 nm.
【０１００】保護膜ＰＳＶ１は、マトリクス部ＡＲの全
体を囲むように形成され、周辺部は外部接続端子ＤＴ
Ｍ、ＧＴＭを露出するよう除去されている。この保護膜
ＰＳＶ１とゲート絶縁膜ＧＩの厚さ関係に関しては、前
者は保護効果を考え厚くされ、後者はトランジスタの相
互コンダクタンスｇｍを考慮して薄くされる。The protective film PSV1 is formed so as to surround the entire matrix part AR, and the peripheral part is connected to the external connection terminal DT.
M and GTM have been removed to expose. Regarding the thickness relationship between the protective film PSV1 and the gate insulating film GI, the former is made thicker in consideration of the protective effect, and the latter is made thinner in consideration of the transconductance gm of the transistor.
【０１０１】カラーフィルタ基板 次に、図１１、図１４により上側透明ガラス基板ＳＵＢ
２側（カラーフィルタ基板）の構成を詳しく説明する。[0102] The color filter substrate Next, FIG. 11, the upper transparent glass substrate SUB by 14
The configuration of the two sides (color filter substrate) will be described in detail.
【０１０２】《遮光膜ＢＭ》上部透明ガラス基板ＳＵＢ
２側には、不要な間隙部（画素電極ＰＸと対向電極ＣＴ
の間以外の隙間）からの透過光が表示面側に出射して、
コントラスト比等を低下させないように遮光膜ＢＭ（所
謂、ブラックマトリクス）を形成している。遮光膜ＢＭ
は、外部光又はバックライト光がｉ型半導体層ＡＳに入
射しないようにする役割も果たしている。即ち、薄膜ト
ランジスタＴＦＴのｉ型半導体層ＡＳは上下にある遮光
膜ＢＭ及び大きめのゲート電極ＧＴによってサンドイッ
チにされ、外部の自然光やバックライト光が当たらなく
なる。<< Light shielding film BM >> Upper transparent glass substrate SUB
On the second side, an unnecessary gap (pixel electrode PX and counter electrode CT)
Transmitted light from the gap other than the gap between
A light-shielding film BM (a so-called black matrix) is formed so as not to lower the contrast ratio and the like. Light shielding film BM
Also serves to prevent external light or backlight light from entering the i-type semiconductor layer AS. That is, the i-type semiconductor layer AS of the thin film transistor TFT is sandwiched between the upper and lower light-shielding films BM and the large gate electrode GT, so that external natural light or backlight does not shine.
【０１０３】図８に示す遮光膜ＢＭの閉じた角形の輪郭
線は、その内側が遮光膜ＢＭが形成されない開口を示し
ている。この輪郭線のパターンは１例である。The closed rectangular outline of the light shielding film BM shown in FIG. 8 indicates an opening on the inside of which the light shielding film BM is not formed. This contour pattern is an example.
【０１０４】横電界方式の液晶表示装置では、可能な限
り高抵抗なブラックマトリクスが適していることから、
一般に樹脂組成物を用いる。この抵抗規格については、
公知ではないが、同一出願人による特願平７−１９１９
９４号に記載がある。即ち、液晶組成物ＬＣの比抵抗値
が１０のＮ乗を10N と記述すると10N Ω・ｃｍ以上、か
つ、ブラックマトリクスＢＭの比抵抗値が１０のＭ乗を
10M と記述すると10MΩ・ｃｍ以上とし、かつ、Ｎ≧
９、Ｍ≧６を満足する関係とする。或いは、Ｎ≧１３、
Ｍ≧７を満足する関係とすることが望ましい。In a horizontal electric field type liquid crystal display device, a black matrix having the highest possible resistance is suitable.
Generally, a resin composition is used. For this resistance standard,
Although it is not publicly known, Japanese Patent Application No. 7-1919 filed by the same applicant
No. 94. That is, if the specific resistance of the liquid crystal composition LC is described as 10 N as 10 N , then the specific resistance of the black matrix BM is 10 N Ω · cm or more, and the specific resistance of the black matrix BM is 10 M
When written as 10 M and 10 M Ω · cm or more and, N ≧
9, a relationship that satisfies M ≧ 6. Alternatively, N ≧ 13,
It is desirable that the relationship satisfy M ≧ 7.
【０１０５】又、液晶表示装置の表面反射を低減する目
的からも、ブラックマトリクスの形成材料に樹脂組成物
を用いることが望ましい。Further, from the viewpoint of reducing the surface reflection of the liquid crystal display device, it is desirable to use a resin composition as a material for forming the black matrix.
【０１０６】さらに、Ｃｒ等の金属膜をブラックマトリ
クスに用いる場合と比較して、金属膜のエッチング工程
が不要なため、カラーフィルタ基板の製造工程を簡略化
できる。金属膜を使用する場合の製造工程は、１）金属
膜成膜、２）レジスト塗布、３）露光、４）現像、５）
金属膜エッチング、６）レジスト剥離、である。Further, as compared with the case where a metal film such as Cr is used for the black matrix, the step of etching the metal film is unnecessary, so that the manufacturing process of the color filter substrate can be simplified. When a metal film is used, the manufacturing steps are: 1) metal film formation, 2) resist coating, 3) exposure, 4) development, 5)
Metal film etching, 6) resist stripping.
【０１０７】一方、樹脂を使用する場合の製造工程は、
１）樹脂塗布、２）露光、３）現像、であり、著しく工
程を短縮できる。On the other hand, when a resin is used, the manufacturing process is as follows.
1) resin application, 2) exposure, and 3) development, and the process can be significantly shortened.
【０１０８】しかし、樹脂組成物は金属膜と比較して遮
光性が低い。樹脂の膜厚を厚くすると遮光性は向上する
が、ブラックマトリクスの膜厚ばらつきは増加する。こ
れは、例えば±１０％の膜厚ばらつきがある場合、ブラ
ックマトリクスの膜厚が１．０μｍ時は±０．１μｍ、
２μｍ時は±０．２μｍになるためである。However, the resin composition has a lower light-shielding property than the metal film. Increasing the thickness of the resin improves the light-shielding properties, but increases the variation in the thickness of the black matrix. This means that, for example, when there is a thickness variation of ± 10%, when the thickness of the black matrix is 1.0 μm, ± 0.1 μm,
This is because when it is 2 μm, it becomes ± 0.2 μm.
【０１０９】又、ブラックマトリクスの膜厚を厚くする
と、カラーフィルタ基板の膜厚ばらつきが増加し、液晶
表示基板のギャップ精度を向上することが困難になる。
以上の理由により、樹脂の膜厚は、２μｍ以下にするこ
とが望ましい。When the thickness of the black matrix is increased, the variation in the thickness of the color filter substrate increases, and it becomes difficult to improve the gap accuracy of the liquid crystal display substrate.
For the above reasons, it is desirable that the thickness of the resin is 2 μm or less.
【０１１０】膜厚１μｍでＯＤ値を約４．０以上にする
ためには、例えばカーボンの含有量を増加して黒色化す
る場合、ブラックマトリクスＢＭの比抵抗値は約１０6
Ω・ｃｍ以下となり、現状では使用できない。尚、ＯＤ
値は、吸光係数に膜厚を掛けた値と定義できる。In order to increase the OD value to about 4.0 or more at a film thickness of 1 μm, for example, when blackening is performed by increasing the carbon content, the specific resistance value of the black matrix BM is about 10 6
Ω · cm or less and cannot be used at present. OD
The value can be defined as the value obtained by multiplying the extinction coefficient by the film thickness.
【０１１１】このため、本実施例では、この遮光膜ＢＭ
の材料として、黒色の無機顔料をレジスト材に混入した
樹脂組成物を用い、１．３±０．１μｍ程度の厚さで形
成している。無機顔料の例としては、パラジウムや無電
解メッキしたＮｉなどがある。更に、ブラックマトリク
スＢＭの比抵抗値は約１０9 Ω・ｃｍとし、ＯＤ値約
２．０とした。For this reason, in this embodiment, the light shielding film BM
Is formed of a resin composition obtained by mixing a black inorganic pigment into a resist material, and is formed to a thickness of about 1.3 ± 0.1 μm. Examples of the inorganic pigment include palladium and electroless plated Ni. Further, the specific resistance of the black matrix BM was set to about 10 9 Ω · cm, and the OD value was set to about 2.0.
【０１１２】この樹脂組成物ブラックマトリクスＢＭを
使用した場合の光透過量の計算結果を下記に示す。The calculation result of the light transmission amount when this resin composition black matrix BM is used is shown below.
【０１１３】ＯＤ値＝ｌｏｇ（１００／Ｙ） Ｙ＝∫Ａ（λ）・Ｂ（λ）・Ｃ（λ）ｄλ／∫Ａ（λ）
・Ｃ（λ）ｄλ ここで、Ａは視感度、Ｂは透過率、Ｃは光源スペクト
ル、λは入射光の波長を示す。OD value = log (100 / Y) Y = ∫A (λ) · B (λ) · C (λ) dλ / ∫A (λ)
C (λ) dλ Here, A is the visibility, B is the transmittance, C is the light source spectrum, and λ is the wavelength of the incident light.
【０１１４】ＯＤ値２．０の膜で遮光した場合は、上記
数１から、Ｙ＝１％を得て、入射光強度４０００ｃｄ／
ｍ2 を仮定すると、約４０ｃｄ／ｍ2 の光が透過してく
ることになる。この光強度は、十分に人間が視認できる
明るさである。When light is shielded by a film having an OD value of 2.0, Y = 1% is obtained from the above equation (1), and the incident light intensity is 4000 cd /
Assuming m 2 , about 40 cd / m 2 of light will be transmitted. This light intensity is sufficiently bright to be visually recognized by humans.
【０１１５】遮光膜ＢＭは周辺部にも額縁状に形成さ
れ、そのパターンはドット状に複数の開口を設けた図８
に示すマトリクス部のパターンと連続して形成されてい
る。The light-shielding film BM is also formed in a frame shape at the peripheral portion, and its pattern is a pattern shown in FIG.
Are formed continuously with the pattern of the matrix section shown in FIG.
【０１１６】《カラーフィルタＦＩＬ》カラーフィルタ
ＦＩＬは画素に対向する位置に赤、緑、青の繰り返しで
ストライプ状に形成される。カラーフィルタＦＩＬは遮
光膜ＢＭのエッジ部分と重なるように形成されている。<< Color Filter FIL >> The color filter FIL is formed in a stripe shape by repeating red, green, and blue at positions facing the pixels. The color filter FIL is formed so as to overlap the edge portion of the light shielding film BM.
【０１１７】本発明では、この重なる部分の平面レイア
ウトを規定するものである。詳細は後述する。In the present invention, the plane layout of the overlapping portion is defined. Details will be described later.
【０１１８】カラーフィルタＦＩＬは例えば次のように
形成することができる。まず、上部透明ガラス基板ＳＵ
Ｂ２の表面にアクリル系樹脂等の染色基材を形成し、フ
ォトリソグラフィ技術で赤色フィルタ形成領域以外の染
色基材を除去する。この後、染色基材を赤色染料で染
め、固着処理を施して赤色フィルタＲを形成する。次
に、同様な工程を施すことによって、緑色フィルタＧ、
青色フィルタＢを順次形成する。The color filter FIL can be formed, for example, as follows. First, the upper transparent glass substrate SU
A dye base such as an acrylic resin is formed on the surface of B2, and the dye base other than the red filter formation region is removed by photolithography. Thereafter, the dyed base material is dyed with a red dye and subjected to a fixing treatment to form a red filter R. Next, the green filter G,
Blue filters B are sequentially formed.
【０１１９】《オーバーコート膜ＯＣ》オーバーコート
膜ＯＣはカラーフィルタＦＩＬの染料の液晶ＬＣへの漏
洩を防止、及びカラーフィルタＦＩＬ、遮光膜ＢＭによ
る段差の平坦化のために設けられている。オーバーコー
ト膜ＯＣは例えばアクリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明
樹脂材料で形成される。<< Overcoat Film OC >> The overcoat film OC is provided to prevent the dye of the color filter FIL from leaking to the liquid crystal LC, and to flatten the steps formed by the color filter FIL and the light shielding film BM. The overcoat film OC is formed of, for example, a transparent resin material such as an acrylic resin or an epoxy resin.
【０１２０】液晶層及び偏光板 次に、液晶層、配向膜、偏光板等について説明する。[0120] The liquid crystal layer and the polarizing plate Subsequently, the liquid crystal layer, orientation film, described polarizing plate or the like.
【０１２１】《液晶層》液晶材料ＬＣとしては、誘電率
異方性△εが正でその値が１３．２、屈折率異方性△ｎ
が０．０８１（５８９ｎｍ、２０°Ｃ）のネマチック液
晶と、誘電率異方性△εが負でその値が−７．３、屈折
率異方性△ｎが０．０５３（５８９ｎｍ、２０°Ｃ）の
ネマチック液晶を用いた。<< Liquid Crystal Layer >> As the liquid crystal material LC, the dielectric anisotropy Δ △ is positive and the value is 13.2, and the refractive index anisotropy Δn
Is 0.081 (589 nm, 20 ° C.), a dielectric anisotropy Δ △ is negative and the value is −7.3, and a refractive index anisotropy Δn is 0.053 (589 nm, 20 ° C.). The nematic liquid crystal of C) was used.
【０１２２】液晶層の厚み（ギャップ）は、誘電率異方
性△εが正の場合２．８μｍ超４．５μｍ未満とした。
これは、リターデションΔｎ・ｄは０．２５μｍ超０．
３２μｍ未満の時、可視光の範囲内で波長依存性が殆ど
ない誘電率特性が得られ、誘電率異方性△εが正を有す
る液晶の大部分が複屈折率異方性△ｎが０．０７超０．
０９未満であるためである。The thickness (gap) of the liquid crystal layer was more than 2.8 μm and less than 4.5 μm when the dielectric anisotropy Δε was positive.
This is because the retardation Δn · d exceeds 0.25 μm.
When it is less than 32 μm, a dielectric constant characteristic having almost no wavelength dependence within the visible light range is obtained, and most of the liquid crystal having a positive dielectric anisotropy Δ △ has a birefringence anisotropy Δn of 0. 0.07 or more
This is because it is less than 09.
【０１２３】一方、誘電率異方性△εが負の場合は、液
晶層の厚み（ギャップ）は、４．２μｍ超８．０μｍ未
満とした。これは誘電率異方性△εが正の液晶と同様
に、リターデションΔｎ・ｄを０．２５μｍ超０．３２
μｍ未満に抑えるためで、誘電率異方性△εが負を有す
る液晶の大部分が複屈折異方性△ｎが０．０４超０．０
６未満であるためである。On the other hand, when the dielectric anisotropy Δ △ was negative, the thickness (gap) of the liquid crystal layer was set to more than 4.2 μm and less than 8.0 μm. This is because, like the liquid crystal having a positive dielectric anisotropy Δε, the retardation Δn · d exceeds 0.25 μm by 0.32 μm.
Most of the liquid crystal having a negative dielectric anisotropy Δ △ has a birefringence anisotropy Δn of more than 0.04 to suppress the dielectric anisotropy Δ △ is negative.
This is because it is less than 6.
【０１２４】又、後述の配向膜と偏光板の組み合わせに
より、液晶分子がラビング方向から電界方向に４５°回
転したとき最大透過率を得ることができる。尚、液晶層
の厚み（ギャップ）はポリマビーズで制御している。Further, the maximum transmittance can be obtained when the liquid crystal molecules are rotated by 45 ° from the rubbing direction to the electric field direction by a combination of an alignment film and a polarizing plate described later. The thickness (gap) of the liquid crystal layer is controlled by polymer beads.
【０１２５】又、液晶材料ＬＣは、ネマチック液晶であ
れば、特に限定したものではない。誘電率異方性△ε
は、その値が大きいほうが、駆動電圧が低減でき、屈折
率異方性△ｎは小さいほうが液晶層の厚み（ギャップ）
を厚くでき、液晶の封入時間が短縮され、かつギャップ
ばらつきを少なくすることができる。The liquid crystal material LC is not particularly limited as long as it is a nematic liquid crystal. Dielectric anisotropy △ ε
The larger the value, the lower the driving voltage, and the smaller the refractive index anisotropy Δn, the smaller the thickness (gap) of the liquid crystal layer.
Can be made thicker, the liquid crystal filling time can be shortened, and the gap variation can be reduced.
【０１２６】《配向膜》配向膜ＯＲＩとしてはポリイミ
ドを用いる。ラビング方向ＲＤＲは上下基板で互いに平
行にし、かつ、印加電界方向ＥＤＲとのなす角度φＬＣ
は７５°とする。図１２にその関係を示す。<< Orientation Film >> Polyimide is used as the orientation film ORI. The rubbing direction RDR is parallel to each other between the upper and lower substrates, and the angle φLC between the applied electric field direction EDR and the angle φLC.
Is 75 °. FIG. 12 shows the relationship.
【０１２７】尚、ラビング方向ＲＤＲと印加電界方向Ｅ
ＤＲとのなす角度は、液晶材料の誘電率異方性△εが正
であれば、４５°以上９０°未満、誘電率異方性△εが
負であれば、０°を超え４５°以下であれば良い。The rubbing direction RDR and the applied electric field direction E
The angle with DR is 45 ° or more and less than 90 ° when the dielectric anisotropy △ ε of the liquid crystal material is positive, and is more than 0 ° and 45 ° or less when the dielectric anisotropy △ ε is negative. Is fine.
【０１２８】《偏光板》偏光板ＰＯＬとしては、日東電
工社製Ｇ１２２０ＤＵ（商品名）を用い、図１０に示し
たように、下側の偏光板ＰＯＬ１の偏光透過軸ＭＡＸ１
をラビング方向ＲＤＲと一致させ、上側の偏光板ＰＯＬ
２の偏光透過軸ＭＡＸ２をそれに直交させる。<< Polarizing Plate >> As the polarizing plate POL, G1220DU (trade name) manufactured by Nitto Denko Corporation was used. As shown in FIG. 10, the polarization transmission axis MAX1 of the lower polarizing plate POL1 was used.
With the rubbing direction RDR, and the upper polarizer POL
The polarization transmission axis MAX2 is orthogonal to it.
【０１２９】これにより、本発明の画素に印加される電
圧（画素電極ＰＸと対向電極ＣＴの間の電圧）を増加さ
せるに伴い、透過率が上昇するノーマリークローズ特性
を得ることができる。As a result, it is possible to obtain a normally closed characteristic in which the transmittance increases as the voltage applied to the pixel of the present invention (the voltage between the pixel electrode PX and the counter electrode CT) increases.
【０１３０】更に、本発明で開示される横電界方式と称
される液晶表示装置では、上側の基板ＳＵＢ２側の表面
の外部から静電気等の高い電位が加わった場合に、表示
の異常が発生する。このため、上側の偏光板ＰＯＬ２の
更に上側或いは表面にシート抵抗が１×１０8 Ω／□以
下の透明導電膜の層を形成すること、或いは偏光板と前
記透明基板の間にシート抵抗１×１０8 Ω／□以下のＩ
ＴＯ等の透明導電膜の層を形成すること、或いは偏光板
の粘着層にＩＴＯ、ＳｎＯ2 、Ｉｎ2 Ｏ3 等の導電性粒
子を混ぜ、シート抵抗を１×１０8 Ω／□以下とするこ
とが必要になる。この対策については、公知ではないが
同一出願人による特願平７−２６４４４３号において、
シールド機能向上につき詳しい記載がある。Further, in the liquid crystal display device referred to as the in-plane switching method disclosed in the present invention, when a high potential such as static electricity is applied from the outside of the surface on the upper substrate SUB2 side, display abnormality occurs. . Therefore, a layer of a transparent conductive film having a sheet resistance of 1 × 10 8 Ω / □ or less is formed further above or on the surface of the upper polarizing plate POL2, or a sheet resistance of 1 × is provided between the polarizing plate and the transparent substrate. I of 10 8 Ω / □ or less
Forming a layer of a transparent conductive film such as TO, or mixing conductive particles such as ITO, SnO 2 , and In 2 O 3 with the adhesive layer of the polarizing plate to reduce the sheet resistance to 1 × 10 8 Ω / □ or less. It becomes necessary. Regarding this measure, it is not publicly known, but in Japanese Patent Application No. 7-264443 filed by the same applicant,
There is a detailed description of the improvement of the shield function.
【０１３１】《マトリクス周辺の構成》図１３は上下の
ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２を含む表示パネルＰＮＬ
のマトリクス（ＡＲ）周辺の要部平面図である。又、図
１４は左側に走査回路が接続された外部接続端子ＧＴＭ
付近の断面図である。<< Configuration around Matrix >> FIG. 13 shows a display panel PNL including upper and lower glass substrates SUB1 and SUB2.
2 is a plan view of a main part around a matrix (AR) of FIG. FIG. 14 shows an external connection terminal GTM to which a scanning circuit is connected on the left side.
It is sectional drawing of a vicinity.
【０１３２】このパネルの製造では、小さいサイズであ
ればスループット向上のため１枚のガラス基板では複数
個分のデバイスを同時に加工してから分割し、大きいサ
イズであれば製造設備の共用のため、どの品種でも標準
化された大きさのガラス基板を加工してから各品種に合
ったサイズに小さくし、いずれの場合も一通りの工程を
経てからガラスを切断する。In the manufacture of this panel, if the size is small, a plurality of devices are simultaneously processed on a single glass substrate and then divided in order to improve the throughput. If the size is large, manufacturing equipment is shared. For each type, a glass substrate of a standardized size is processed and then reduced to a size suitable for each type. In each case, the glass is cut after passing through a single process.
【０１３３】図１３、図１４は後者の例を示すもので、
図１３、図１４の両図とも上下基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２
の切断後を表わしており、ＬＮは両基板の切断前の縁を
示す。いずれの場合も、完成状態では外部接続端子群Ｔ
ｇ、Ｔｄ及び端子ＣＴＭが存在する（図で上辺と左辺
の）部分はそれらを露出するように上側基板ＳＵＢ２の
大きさが下側基板ＳＵＢ１よりも内側に制限されてい
る。FIGS. 13 and 14 show examples of the latter.
13 and 14, the upper and lower substrates SUB1 and SUB2 are used.
LN indicates the edge of both substrates before cutting. In any case, in the completed state, the external connection terminal group T
The size of the upper substrate SUB2 is limited to the inside of the lower substrate SUB1 so that g, Td, and the terminal CTM are present (the upper side and the left side in the figure) so as to expose them.
【０１３４】端子群Ｔｇ、Ｔｄは、それぞれ後述する走
査回路接続用端子ＧＴＭ、映像信号回路接続用端子ＤＴ
Ｍとそれらの引出し配線部を集積回路チップＣＨＩが搭
載されたテープキャリアパッケージＴＣＰ（図１５、図
１６参照）の単位に複数本まとめて名付けたものであ
る。The terminal groups Tg and Td are respectively a scanning circuit connection terminal GTM and a video signal circuit connection terminal DT described later.
M and a plurality of lead wiring portions are collectively named for a unit of a tape carrier package TCP (see FIGS. 15 and 16) on which the integrated circuit chip CHI is mounted.
【０１３５】各群のマトリクス部から外部接続端子部に
至るまでの引出し配線は、両端に近づくにつれ傾斜して
いる。これは、パッケージＴＣＰの配列ピッチ及び各パ
ッケージＴＣＰにおける接続端子ピッチに表示パネルＰ
ＮＬの端子ＤＴＭ、ＧＴＭに合わせるためである。The lead wiring from the matrix section of each group to the external connection terminal section is inclined as approaching both ends. This is because the display panel P is set in the arrangement pitch of the package TCP and the connection terminal pitch in each package TCP.
This is for adjusting to the terminals DTM and GTM of the NL.
【０１３６】又、対向電極端子ＣＴＭは、対向電極ＣＴ
に対向電圧を外部から与えるための端子である。マトリ
クス部の対向電極信号線ＣＬは、走査回路用端子ＧＴＭ
の反対側（図では右側）に引出し、各対向電圧信号線を
共通バスラインＣＢで一纏めにして、対向電極端子ＣＴ
Ｍに接続している。The counter electrode terminal CTM is connected to the counter electrode CT.
Is a terminal for applying a counter voltage from the outside. The counter electrode signal line CL in the matrix portion is connected to a scanning circuit terminal GTM.
, And the common voltage signal lines are grouped together by a common bus line CB to form a common electrode terminal CT
M.
【０１３７】透明ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の間に
は、その縁に沿って、液晶封入口ＩＮＪを除き、液晶Ｌ
Ｃを封止するようにシールパターンＳＬが形成される。
シール材は例えばエポキシ樹脂から成る。Between the transparent glass substrates SUB1 and SUB2, along the edge thereof, except for the liquid crystal filling port INJ, the liquid crystal L
A seal pattern SL is formed so as to seal C.
The sealing material is made of, for example, an epoxy resin.
【０１３８】配向膜ＯＲＩ１、ＯＲＩ２の層は、シール
パターンＳＬの内側に形成される。偏光板ＰＯＬ１、Ｐ
ＯＬ２はそれぞれ下部透明ガラス基板ＳＵＢ１、上部透
明ガラス基板ＳＵＢ２の外側の表面に構成されている。The layers of the alignment films ORI1 and ORI2 are formed inside the seal pattern SL. Polarizing plates POL1, P
OL2 is formed on the outer surfaces of the lower transparent glass substrate SUB1 and the upper transparent glass substrate SUB2, respectively.
【０１３９】エッチングＬＣは液晶分子の向きを設定す
る下部配向膜ＯＲＩ１と上部配向膜ＯＲＩ２との間でシ
ールパターンＳＬで仕切られた領域に封入されている。
下部配向膜ＯＲＩ１は下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側の
保護膜ＰＳＶ１の上部に形成される。The etching LC is sealed in a region partitioned by the seal pattern SL between the lower alignment film ORI1 and the upper alignment film ORI2 for setting the direction of the liquid crystal molecules.
The lower alignment film ORI1 is formed above the protective film PSV1 on the lower transparent glass substrate SUB1 side.
【０１４０】この液晶表示装置は、下部透明ガラス基板
ＳＵＢ１側、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２側で別個に種
々の層を積み重ね、シールパターンＳＬを基板ＳＵＢ２
側に形成し、下部透明ガラス基板ＳＵＢ１と上部透明ガ
ラス基板ＳＵＢ２とを重ね合わせ、シールパターンＳＬ
の開口部ＩＮＪから液晶ＬＣを注入し、注入口ＩＮＪを
エポキシ樹脂などで封止し、上下基板を切断することに
よって組み立てられる。In this liquid crystal display device, various layers are separately stacked on the lower transparent glass substrate SUB1 side and the upper transparent glass substrate SUB2 side, and the seal pattern SL is formed on the substrate SUB2.
Side, the lower transparent glass substrate SUB1 and the upper transparent glass substrate SUB2 are overlapped with each other to form a seal pattern SL
The liquid crystal LC is injected from the opening INJ, the inlet INJ is sealed with an epoxy resin or the like, and the upper and lower substrates are cut to be assembled.
【０１４１】《表示装置全体等価回路》図１６は本発明
による液晶表示装置の周辺回路の概要説明図であって、
同図に示すように、液晶表示基板は画像表示部がマトリ
クス状に配置された複数の画素の集合により構成され、
各画素は前記液晶表示基板の背部に配置されたバックラ
イトからの透過光を独自に変調制御できるように構成さ
れている。<< Equivalent Circuit of Entire Display Device >> FIG. 16 is a schematic explanatory diagram of peripheral circuits of a liquid crystal display device according to the present invention.
As shown in the figure, the liquid crystal display substrate is constituted by a set of a plurality of pixels in which an image display unit is arranged in a matrix,
Each pixel is configured to independently control the modulation of transmitted light from a backlight disposed behind the liquid crystal display substrate.
【０１４２】液晶表示基板の構成要素の１つであるアク
ティブ・マトリクス基板ＳＵＢ１上には、有効画素領域
ARにｘ方向（行方向）に延在し、ｙ方向（列方向）に並
設されたゲート信号線ＧＬと対向電圧信号線ＣＬとそれ
ぞれ絶縁されてｙ方向に延在し、ｘ方向に並設されたド
レイン信号線ＤＬが形成されている。An active pixel area is provided on an active matrix substrate SUB1, which is one of the components of the liquid crystal display substrate.
The gate signal line GL and the counter voltage signal line CL, which extend in the x direction (row direction) and are arranged in parallel in the y direction (column direction), extend in the y direction while being insulated from the AR, and extend in the x direction. The provided drain signal line DL is formed.
【０１４３】ここで、ゲート信号線ＧＬ、対向電圧信号
線ＣＬ、ドレイン信号線ＤＬのそれぞれによって囲まれ
る矩形状の領域に単位画素が形成される。Here, a unit pixel is formed in a rectangular area surrounded by each of the gate signal line GL, the counter voltage signal line CL, and the drain signal line DL.
【０１４４】液晶表示基板には、その外部回路として垂
直走査回路Ｖ及び映像信号駆動回路Ｈが備えられ、前記
垂直走査回路Ｖによって前記ゲート信号線ＧＬのそれぞ
れに順次走査信号（電圧）が供給され、そのタイミング
に合わせて映像信号駆動回路Ｈからドレイン信号線ＤＬ
に映像信号（電圧）を供給するようになっている。The liquid crystal display substrate is provided with a vertical scanning circuit V and a video signal driving circuit H as external circuits, and the vertical scanning circuit V sequentially supplies a scanning signal (voltage) to each of the gate signal lines GL. From the video signal drive circuit H to the drain signal line DL in accordance with the timing.
Is supplied with a video signal (voltage).
【０１４５】尚、垂直走査回路Ｖ及び映像信号駆動回路
Ｈは、液晶駆動電源回路３から電源が供給されるととも
に、ＣＰＵ１からの画像情報がコントローラ２によって
それぞれ表示データ及び制御信号に分けられて入力され
るようになっている。The vertical scanning circuit V and the video signal driving circuit H are supplied with power from the liquid crystal driving power supply circuit 3 and input image information from the CPU 1 after being divided into display data and control signals by the controller 2. It is supposed to be.
【０１４６】《駆動方法》図１７は本発明の液晶表示装
置の駆動波形図である。対向電圧をＶＣＨとＶＣＬの２
値の交流矩形波にし、それに同期させて走査信号ＶＧ
（ｉ−１）、ＶＧ（ｉ）の非選択電圧を１走査期間毎
に、ＶＣＨとＶＣＬの２値で変化させる。対向電圧の振
幅幅と非選択電圧の振幅値は同一にする。<< Driving Method >> FIG. 17 is a driving waveform diagram of the liquid crystal display device of the present invention. The opposite voltage is VCH and VCL.
Value AC rectangular wave and the scanning signal VG
(I-1) The non-selection voltage of VG (i) is changed by two values of VCH and VCL every scanning period. The amplitude width of the counter voltage and the amplitude value of the non-selection voltage are the same.
【０１４７】映像信号電圧は、液晶層に印加したい電圧
から、対向電圧の振幅の１／２を差し引いた電圧であ
る。The video signal voltage is a voltage obtained by subtracting half of the amplitude of the counter voltage from the voltage to be applied to the liquid crystal layer.
【０１４８】対向電圧は直流でも良いが、交流化するこ
とで映像信号電圧の最大振幅を低減でき、映像信号駆動
回路（信号側ドライバ）に耐圧の低いものを用いること
が可能になる。The counter voltage may be DC, but by converting it to AC, the maximum amplitude of the video signal voltage can be reduced, and a video signal drive circuit (signal side driver) having a low withstand voltage can be used.
【０１４９】《蓄積容量Ｃｓｔｇの働き》蓄積容量Ｃｓ
ｔｇは、画素に書き込まれた（薄膜トランジスタＴＦＴ
がオフした後の）映像情報を長く蓄積するために設けら
れる。<< Function of Storage Capacitance Cstg >> Storage Capacitance Cs
tg is written to the pixel (thin film transistor TFT
Is provided for long storage of video information (after the power is turned off).
【０１５０】本発明で用いている電界を基板面と平行に
印加する方式では、電界を基板面に垂直に印加する方式
と異なり、画素電極と対向電極で構成される容量（所謂
液晶容量）が殆ど無いため、蓄積Ｃｓｔｇは必須の構成
要素である。In the method of applying an electric field parallel to the substrate surface used in the present invention, unlike the method of applying the electric field perpendicular to the substrate surface, the capacitance (the so-called liquid crystal capacitance) formed by the pixel electrode and the counter electrode is different. Since there is almost no storage, the storage Cstg is an essential component.
【０１５１】又、蓄積容量Ｃｓｔｇは、薄膜トランジス
タＴＦＴがスイッチングするとき、画素電極電位Ｖｓに
対するゲート電位変化△Ｖｇの影響を低減するようにも
働く。この様子を式で表わすと次のようになる。The storage capacitor Cstg also functions to reduce the effect of the gate potential change ΔVg on the pixel electrode potential Vs when the thin film transistor TFT switches. This situation is represented by the following equation.
【０１５２】△Ｖｓ＝［Ｃｇｓ／（Ｃｇｓ＋Ｃｓｔｇ＋
Ｃｐｉｘ）］×ΔＶｇ ここで、Ｃｇｓは薄膜トランジスタＴＦＴのゲート電極
ＧＴとソース電極ＳＤＩとの間に形成される寄生容量、
Ｃｐｉｘは画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間に形成さ
れる容量、△ＶｓはΔＶｇによる画素電極電位の変化
分、所謂フィードスルー電圧を表わす。ΔVs = [Cgs / (Cgs + Cstg +
Cpix)] × ΔVg where Cgs is a parasitic capacitance formed between the gate electrode GT and the source electrode SDI of the thin film transistor TFT,
Cpix represents a capacitance formed between the pixel electrode PX and the counter electrode CT, and ΔVs represents a change in pixel electrode potential due to ΔVg, a so-called feedthrough voltage.
【０１５３】この変化分△Ｖｓは液晶ＬＣに加わる直流
成分の原因となるが、保持容量Ｃｓｔｇを大きくする
程、その値を小さくすることができる。The change ΔVs causes a DC component applied to the liquid crystal LC, but the value can be reduced as the storage capacitance Cstg is increased.
【０１５４】液晶ＬＣに印加される直流成分の低減は、
液晶ＬＣの寿命を向上し、液晶表示画面の切り替え時に
前の画像が残る所謂焼き付きを低減することができる。The reduction of the DC component applied to the liquid crystal LC is as follows.
It is possible to improve the life of the liquid crystal LC and reduce so-called burn-in in which a previous image remains when the liquid crystal display screen is switched.
【０１５５】前述したように、ゲート電極ＧＴはｉ型半
導体層ＡＳを完全に覆うよう大きくされている分、ソー
ス電極ＳＤＩ、ドレイン電極ＳＤ２とのオーバーラップ
面積が増え、従って寄生容量Ｃｇｓが大きくなり、画素
電極電位Ｖｓはゲート（走査）信号Ｖｇの影響を受けや
すくなるという逆効果が生じる。しかし、蓄積容量Ｃｓ
ｔｇを設けることによりこのデメリットも解消する。As described above, since the gate electrode GT is made large so as to completely cover the i-type semiconductor layer AS, the area of overlap with the source electrode SDI and the drain electrode SD2 increases, and therefore the parasitic capacitance Cgs increases. The pixel electrode potential Vs has an adverse effect of being easily affected by the gate (scanning) signal Vg. However, the storage capacity Cs
By providing tg, this disadvantage is also eliminated.
【０１５６】《製造方法》次に、上述した液晶表示装置
の基板SUB1側の製造方法について説明する。<< Manufacturing Method >> Next, a method of manufacturing the liquid crystal display device on the substrate SUB1 side will be described.
【０１５７】図１８、図１９および図２０は本発明によ
る液晶表示装置の製造工程の説明図であって、同図にお
いて、中央の文字は工程名の略称であり、図中左側は図
９に示した薄膜トランジスタＴＦＴ部分、右側は図ゲー
ト端子付近の断面形状でみた加工の流れを示す。また、
工程Ｂ、工程Ｄを除き工程Ａ〜工程Ｉは各写真処理（フ
ォトリソグラフィ）に対応して区分けしたもので、各工
程のいずれの断面図も写真処理後の加工が終わりフォト
レジストを除去した段階を示している。FIG. 18, FIG. 19 and FIG. 20 are explanatory views of the manufacturing process of the liquid crystal display device according to the present invention. In FIG. 18, the central letter is the abbreviation of the process name, and the left side in FIG. The right side of the thin film transistor TFT portion shown in the drawing shows the flow of processing viewed from the cross-sectional shape near the gate terminal. Also,
Except for Step B and Step D, Step A to Step I are divided corresponding to each photographic process (photolithography), and any cross-sectional view of each process is a stage where the processing after the photographic process is completed and the photoresist is removed. Is shown.
【０１５８】尚、写真処理とは本発明ではフォトレジス
トの塗布からマスクを使用した選択露光を経て、それを
現像するまでの一連作業を示すものとし、繰り返しの説
明は避ける。以下区分けした工程に従って説明する。In the present invention, photographic processing refers to a series of operations from application of a photoresist, through selective exposure using a mask to development of the photoresist, and a repetitive description will be omitted. Description will be given below according to the divided steps.
【０１５９】工程Ａ（図１８） ＡＮ６３５ガラス（商品名）からなる下部透明ガラス基
板ＳＵＢ１上に膜厚が３００ｎｍのＡｌ−Ｐｄ、Ａｌ−
Ｗ、Ａｌ−Ｔａ、Ａｌ−Ｔｉ−Ｔａ等からなる導電膜ｇ
１をスパッタリングにより設ける。写真処理後、リン酸
と哨酸と氷酢酸との混酸液で導電膜ｇ１を選択的にエッ
チングする。それによって、ゲート電極ＧＴ、走査信号
線ＧＬ、対向電極ＣＴ、対向電圧信号線ＣＬ、電極ＰＬ
１、ゲート端子ＧＴＭ、共通バスラインＣＢの第１導電
層、対向電極端子ＣＴＭの第１導電層、ゲート端子ＧＴ
Ｍを接続する陽極酸化バスラインＳＨｇ（図示せず）及
び陽極酸化バスラインＳＨｇに接続された陽極酸化パッ
ド（図示せず）を形成する。Step A (FIG. 18) A 300 nm thick Al-Pd or Al-Pd film is formed on a lower transparent glass substrate SUB1 made of AN635 glass (trade name).
Conductive film g made of W, Al-Ta, Al-Ti-Ta, etc.
1 is provided by sputtering. After the photographic processing, the conductive film g1 is selectively etched with a mixed acid solution of phosphoric acid, acid and glacial acetic acid. Thereby, the gate electrode GT, the scanning signal line GL, the counter electrode CT, the counter voltage signal line CL, and the electrode PL
1, gate terminal GTM, first conductive layer of common bus line CB, first conductive layer of counter electrode terminal CTM, gate terminal GT
An anodizing bus line SHg (not shown) connecting M and an anodizing pad (not shown) connected to the anodizing bus line SHg are formed.
【０１６０】工程Ｂ（図１８） 直接描画による陽極酸化マスクＡＯの形成後、３％酒石
酸をアンモニアによりＰＨ６．２５±０．０５に調整し
た溶液をエチレングリコール液で１：９に希釈した液か
らなる陽極酸化液中に基板ＳＵＢ１を浸漬し、化成電流
密度が０．５ｍＡ／ｃｍ2 になるように調整する（定電
流化成）。Step B (FIG. 18) After the formation of the anodic oxidation mask AO by direct writing, a solution in which 3% tartaric acid was adjusted to PH 6.25 ± 0.05 with ammonia and diluted 1: 9 with ethylene glycol solution was used. The substrate SUB1 is immersed in an anodic oxidizing solution to adjust the formation current density to 0.5 mA / cm 2 (constant current formation).
【０１６１】次に、所定のアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）の膜
厚が得られるのに必要な化成電圧１２５Ｖに達するまで
陽極酸化を行う。その後、この状態で数１０分保持する
ことが望ましい（定電圧化成）。これは均一なＡｌ2 Ｏ
3 膜を得る上で大事なことである。それによって、導電
膜ｇ１が陽極酸化され、ゲート電極ＧＴ、走査信号線Ｇ
Ｌ、対向電極ＣＴ、対向電圧信号線ＣＬ及び電極ＰＬ１
上に膜厚が１８０ｂｎｍの陽極酸化膜ＡＯＦが形成され
る。Next, anodic oxidation is performed until the formation voltage 125 V necessary for obtaining a predetermined alumina (Al 2 O 3 ) film thickness is reached. Thereafter, it is desirable to maintain this state for several tens of minutes (constant voltage formation). This is a uniform Al 2 O
This is important for obtaining three films. Thereby, the conductive film g1 is anodized, and the gate electrode GT and the scanning signal line G
L, counter electrode CT, counter voltage signal line CL and electrode PL1
An anodic oxide film AOF having a thickness of 180 bnm is formed thereon.
【０１６２】工程Ｃ（図１８） 膜厚が１４０ｎｍのＩＴＯ膜からなる透明導電膜ｇ２を
スパッタリングにより設ける。写真処理後、エッチング
液として塩酸と硝酸との混酸液で透明導電膜ｇ２を選択
的にエッチングすることにより、ゲート端子ＧＴＭの最
上層、ドレイン端子ＤＴＭ及び対向電極端子ＣＴＭの第
２導電膜を形成する。Step C (FIG. 18) A transparent conductive film g2 made of an ITO film having a thickness of 140 nm is provided by sputtering. After the photographic processing, the transparent conductive film g2 is selectively etched with a mixed acid solution of hydrochloric acid and nitric acid as an etchant, thereby forming the uppermost layer of the gate terminal GTM, the drain terminal DTM, and the second conductive film of the counter electrode terminal CTM. I do.
【０１６３】工程Ｄ（図１９） プラズマＣＶＤ装置にアンモニアガス、シランガス、窒
素ガスを導入して、膜厚が２２０ｎｍの窒化Ｓｉ膜を設
け、プラズマＣＶＤ装置にシランガス、水素ガスを導入
して、膜厚が２００ｎｍのｉ型非晶質Ｓｉ膜を設けた
後、プラズマＣＶＤ装置にシランガス、水素ガス、ホス
フィンガスを導入して、膜厚が３０ｎｍのＮ（＋）型非
晶質Ｓｉ膜を設ける。Step D (FIG. 19) Ammonia gas, silane gas, and nitrogen gas are introduced into the plasma CVD apparatus to provide a 220-nm-thick Si nitride film, and silane gas and hydrogen gas are introduced into the plasma CVD apparatus to form a film. After an i-type amorphous Si film having a thickness of 200 nm is provided, a silane gas, a hydrogen gas, and a phosphine gas are introduced into a plasma CVD apparatus to form an N (+)-type amorphous Si film having a thickness of 30 nm.
【０１６４】工程Ｅ（図１９） 写真処理後、ドライエッチングガスとしてＳＦ６を使用
してＮ（＋）型非晶質Ｓｉ膜、ｉ型非晶質Ｓｉ膜を選択
的にエッチングすることにより、ｉ型半導体層ＡＳの島
を形成する。Step E (FIG. 19) After the photographic processing, the N (+)-type amorphous Si film and the i-type amorphous Si film are selectively etched using SF6 as a dry etching gas, whereby i An island of the type semiconductor layer AS is formed.
【０１６５】工程Ｆ（図１９） 写真処理後、ドライエッチングガスとしてＳＦ６を使用
して、窒化Ｓｉ膜を選択的にエッチングする。Step F (FIG. 19) After the photographic processing, the Si nitride film is selectively etched using SF6 as a dry etching gas.
【０１６６】工程Ｇ（図２０） 膜厚が６０ｎｍのＣｒからなる導電膜ｄ１をスパッタリ
ングにより設け、さらに膜厚が４００ｎｍのＡｌ−Ｐ
ｄ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｔａ、Ａｌ−Ｔｉ−Ｔａ等から
なる導電膜ｄ２をスパッタリングにより設ける。写真処
理後、導電膜ｄ２を工程Ａと同様の液でエッチングし、
導電膜ｄ１を硝酸第２セリウムアンモニウム溶液でエッ
チングし、映像信号線ＤＬ、ソース電極ＳＤ１、ドレイ
ン電極ＳＤ２、画素電極ＰＸ、電極ＰＬ２、共通バスラ
インＣＢの第２導電層、第３導電層及びドレイン端子Ｄ
ＴＭを短絡するバスラインＳＨｄ（図示せず）を形成す
る。次に、ドライエッチング装置にＳＦ６を導入して、
Ｎ（＋）型非晶質Ｓｉ膜をエッチングすることにより、
ソースとドレイン間のＮ（＋）型半導体層ｄ０を選択的
に除去する。Step G (FIG. 20) A conductive film d1 made of Cr and having a thickness of 60 nm is provided by sputtering, and an Al-P film having a thickness of 400 nm is further formed.
A conductive film d2 made of d, Al-Si, Al-Ta, Al-Ti-Ta, or the like is provided by sputtering. After the photographic processing, the conductive film d2 is etched with the same liquid as in Step A,
The conductive film d1 is etched with a ceric ammonium nitrate solution, and the video signal line DL, the source electrode SD1, the drain electrode SD2, the pixel electrode PX, the electrode PL2, the second conductive layer, the third conductive layer and the drain of the common bus line CB are formed. Terminal D
A bus line SHd (not shown) for short-circuiting TM is formed. Next, SF6 is introduced into the dry etching apparatus,
By etching the N (+) type amorphous Si film,
The N (+) type semiconductor layer d0 between the source and the drain is selectively removed.
【０１６７】工程Ｈ（図２０） プラズマＣＶＤ装置にアンモニアガス、シランガス、窒
素ガスを導入して、膜厚が５００ｎｍの窒化Ｓｉ膜を設
ける。写真処理後、ドレインエッチングガスとしてＳＦ
６を使用した写真蝕刻技術で窒化Ｓｉ膜を選択的にエッ
チングすることによって、保護膜ＰＳＶ１を形成する。Step H (FIG. 20) An ammonia gas, a silane gas, and a nitrogen gas are introduced into a plasma CVD apparatus to form a 500-nm-thick Si nitride film. After photographic processing, SF is used as the drain etching gas.
The protective film PSV1 is formed by selectively etching the Si nitride film by a photolithography technique using No. 6.
【０１６８】《表示パネルＰＮＬと駆動回路基板ＰＣＢ
１》図２１は図１３に示した表示パネルＰＮＬと図１６
の映像信号駆動回路Ｈと垂直走査回路Ｖを接続した状態
を示す上面図である。<< Display Panel PNL and Drive Circuit Board PCB
1 >> FIG. 21 shows the display panel PNL shown in FIG. 13 and FIG.
FIG. 2 is a top view showing a state in which a video signal driving circuit H and a vertical scanning circuit V are connected.
【０１６９】ＣＨ１は表示パネルＰＮＬを駆動させる駆
動ＩＣチップ（下側の５個は垂直走査回路側の駆動ＩＣ
チップ、左側の１０個の映像信号駆動回路側の駆動ＩＣ
チップ）である。ＴＣＰは図１４、図１５に示したよう
に駆動用ＩＣチップＣＨ１がテープ・オートメイティッ
ド・ボンディング（ＴＡＢ）法により実装されたテープ
キャリアパッケージ、ＰＣＢ１は上記ＴＣＰやコンデン
サ等が実装された駆動回路基板で、映像信号駆動回路用
と走査信号駆動回路用の２つに分割されている。CH1 is a driving IC chip for driving the display panel PNL (the lower five are driving ICs on the vertical scanning circuit side).
Chip, drive ICs on the left side of the 10 video signal drive circuits
Chip). TCP is a tape carrier package in which the driving IC chip CH1 is mounted by a tape automated bonding (TAB) method as shown in FIGS. 14 and 15, and PCB1 is a driving circuit in which the above-described TCP, capacitors, etc. are mounted. The substrate is divided into two, one for a video signal drive circuit and one for a scan signal drive circuit.
【０１７０】ＦＧＰはフレームグランドパッドであり、
シールドケースＳＨＤに切り込んで設けられたバネ状の
破片が半田付けされる。ＦＣは下側の駆動回路基板ＰＣ
Ｂ１と左側の駆動回路基板ＰＣＢ１を電気的に接続する
フラットケーブルである。FGP is a frame ground pad.
A spring-shaped fragment provided by cutting into the shield case SHD is soldered. FC is the lower drive circuit board PC
This is a flat cable for electrically connecting B1 to the left drive circuit board PCB1.
【０１７１】フラットケーブルＦＣとしては図に示すよ
うに、複数のリード線（りん青銅の素材にＳｎ鍍金を施
したもの）をストライプ状のポリエチレン層とポリビニ
ルアルコール層とでサンドイッチして支持したものを使
用する。As shown in the figure, the flat cable FC is formed by sandwiching and supporting a plurality of lead wires (phosphor bronze material plated with Sn) with a striped polyethylene layer and a polyvinyl alcohol layer. use.
【０１７２】《ＴＣＰの接続構造》前記した図１５は、
走査信号駆動回路Ｖや映像信号駆動回路Ｈを構成する集
積回路チップＣＨＩがフレキシブル配線基板に搭載され
たテープキャリアパッケージの断面構造を示す図であ
り、図１４はそれを液晶表示パネルの、本例では走査信
号回路用端子ＧＴＭに接続した状態を示す要部断面図で
ある。<< Connection Structure of TCP >> FIG.
FIG. 14 is a diagram showing a cross-sectional structure of a tape carrier package in which an integrated circuit chip CHI constituting a scanning signal driving circuit V and a video signal driving circuit H is mounted on a flexible wiring board, and FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view of a main part showing a state connected to a scanning signal circuit terminal GTM.
【０１７３】同図において、ＴＴＢは集積回路ＣＨＩの
入力端子・配線部であり、ＴＴＭは集積回路ＣＨＩの出
力端子・配線部であって、例えばＣｕから成り、それぞ
れの内側の先端部（通称インナーリード）には集積回路
ＣＨＩのボンディングパッドＰＡＤが所謂フェースダウ
ンボンディング法により接続される。In the figure, TTB is an input terminal / wiring portion of the integrated circuit CHI, and TTM is an output terminal / wiring portion of the integrated circuit CHI, which is made of, for example, Cu. The bonding pads PAD of the integrated circuit CHI are connected to the leads by a so-called face-down bonding method.
【０１７４】端子ＴＴＢ、ＴＴＭの外側の先端部（通称
アウターリード）はそれぞれ半導体集積回路チップＣＨ
Ｉの入力及び出力に対応し、半田付け等によりＣＲＴ／
ＴＦＴ変換回路・電源回路ＳＵＰに、異方性導電膜ＡＣ
Ｆによって液晶表示パネルＰＮＬに接続される。The outer ends (commonly called outer leads) of the terminals TTB and TTM are respectively connected to the semiconductor integrated circuit chips CH
Corresponds to input and output of I, CRT /
Anisotropic conductive film AC for TFT conversion circuit / power supply circuit SUP
F connects to the liquid crystal display panel PNL.
【０１７５】パッケージＴＣＰは、その先端部がパネル
ＰＮＬ側の接続端子ＧＴＭを露出した保護膜ＰＳＶ１を
覆うようにパネルにＰＮＬに接続されている。従って、
外側接続端子ＧＴＭ（ＤＴＭ）は保護膜ＰＳＶ１かパッ
ケージＴＣＰの少なくとも一方で覆われるので電触に対
して強くなる。The package TCP is connected to the panel so that the leading end thereof covers the protective film PSV1 exposing the connection terminal GTM on the panel PNL side. Therefore,
Since the outer connection terminal GTM (DTM) is covered with at least one of the protective film PSV1 and the package TCP, the outer connection terminal GTM (DTM) is resistant to electric contact.
【０１７６】ＢＦ１はポリイミド等からなるベースフィ
ルムであり、ＳＲＳは半田付けの際、半田が余計な所へ
付かないようにマスクするためのソルダレジスト膜であ
る。シールパターンＳＬの外側の上下ガラス基板の隙間
は、洗浄後にエポキシ樹脂ＥＰＸ等により保護され、パ
ッケージＴＣＰと上側基板ＳＵＢ２の間には更にシリコ
ン樹脂ＳＩＬが充填されて保護が多重化されている。BF1 is a base film made of polyimide or the like, and SRS is a solder resist film for masking so that the solder does not stick to unnecessary portions during soldering. The gap between the upper and lower glass substrates outside the seal pattern SL is protected by an epoxy resin EPX or the like after cleaning, and the space between the package TCP and the upper substrate SUB2 is further filled with a silicon resin SIL to multiplex protection.
【０１７７】《駆動回路基板ＰＣＢ２》駆動回路基板Ｐ
ＣＢ２は、ＩＣ、コンデンサ、抵抗等の電子部品が搭載
されている。この駆動回路基板ＰＣＢ２には、１つの電
圧源から複数の分圧した安定化された電圧源を得るため
の電源回路や、ホスト（上位演算処理装置）からのＣＲ
Ｔ（陰極線管）用の情報をＴＦＴ液晶表示装置用の情報
に変換する回路を含む回路ＳＵＰが搭載されている。Ｃ
Ｊは外部と接続される図示しないコネクタが接続される
コネクタ接続部である。<< Drive Circuit Board PCB2 >> Drive Circuit Board P
The CB2 has electronic components such as an IC, a capacitor, and a resistor mounted thereon. The drive circuit board PCB2 includes a power supply circuit for obtaining a plurality of divided and stabilized voltage sources from one voltage source, and a CR (Crystal Control Unit) from a host (upper processing unit).
A circuit SUP including a circuit for converting information for T (cathode ray tube) into information for a TFT liquid crystal display device is mounted. C
J is a connector connection portion to which a connector (not shown) connected to the outside is connected.
【０１７８】駆動回路基板ＰＣＢ１と駆動回路基板ＰＣ
Ｂ２とはフラットケーブルＦＣ等のジョイナーＪＮによ
り電気的に接続されている。Drive circuit board PCB1 and drive circuit board PC
B2 is electrically connected by a joiner JN such as a flat cable FC.
【０１７９】なお、本発明による液晶表示装置は、上記
のようなディスクトップ型モニターに限らず、ノート型
等の可搬型パソコンの表示デバイスにも使用できること
は言うまでもない。It is needless to say that the liquid crystal display device according to the present invention can be used not only for the above-mentioned desktop monitor but also for a display device of a portable personal computer such as a notebook type.
【０１８０】また、繰り返しになるが、本発明は上記し
た横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置に
限って適用されるものではなく、縦電界方式、あるいは
単純マトリクス方式の液晶表示装置における配向膜の液
晶配向制御能不要方法および装置としても同様に適用可
能である。Also, it should be noted that the present invention is not limited to the above-mentioned horizontal electric field type active matrix type liquid crystal display device, but is applicable to a vertical electric field type or simple matrix type liquid crystal display device. The present invention can be similarly applied to a method and an apparatus which do not require the liquid crystal alignment control ability.
【０１８１】[0181]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ネジを用いることなく液晶表示モジュールを表示部のケ
ースに固定することにより、液晶パネルが画面が大型化
した場合にも額縁の狭幅化で対応できるようにした液晶
表示装置を提供することができる。As described above, according to the present invention,
By fixing the liquid crystal display module to the case of the display portion without using a screw, it is possible to provide a liquid crystal display device that can cope with a case where a liquid crystal panel has a large screen by narrowing a frame. .
【図１】本発明による液晶表示装置第１実施例における
液晶表示モジュールの固定構造を説明する表示部の平面
図である。FIG. 1 is a plan view of a display unit for explaining a fixing structure of a liquid crystal display module in a first embodiment of a liquid crystal display device according to the present invention.
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿った部分断面図である。FIG. 2 is a partial sectional view taken along line AA of FIG.
【図３】本発明による液晶表示装置第２実施例における
液晶表示モジュールの固定構造を説明する表示部の平面
図である。FIG. 3 is a plan view of a display unit for explaining a fixing structure of a liquid crystal display module in a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention.
【図４】図３のＡ−Ａ線に沿った部分断面図である。FIG. 4 is a partial sectional view taken along the line AA of FIG. 3;
【図５】本発明による液晶表示装置第３実施例における
液晶表示モジュールの固定構造を説明する表示部の平面
図である。FIG. 5 is a plan view of a display unit illustrating a fixing structure of a liquid crystal display module in a liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention.
【図６】図５のＡ−Ａ線に沿った部分断面図である。FIG. 6 is a partial sectional view taken along line AA of FIG. 5;
【図７】本発明による液晶表示装置を実装したノート型
コンピュータの外観図である。FIG. 7 is an external view of a notebook computer on which the liquid crystal display device according to the present invention is mounted.
【図８】本発明のアクティブ・マトリクス方式カラー液
晶表示装置の一画素とブラックマトリクスＢＭの遮光領
域およびその周辺を示す平面図である。FIG. 8 is a plan view showing one pixel of an active matrix type color liquid crystal display device of the present invention, a light shielding region of a black matrix BM, and its periphery.
【図９】図８のＦーＦ切断線における薄膜トランジスタ
ＴＦＴの断面図である。9 is a cross-sectional view of the thin film transistor TFT taken along the line FF in FIG.
【図１０】図８のＧーＧ切断線における蓄積容量Ｃｓｔ
ｇの断面図である。FIG. 10 shows a storage capacitance Cst along a section line GG in FIG. 8;
It is sectional drawing of g.
【図１１】横電界方式の液晶表示基板の画像表示領域に
おける１画素の電極近傍の断面図と基板周辺部の断面図
である。11A and 11B are a cross-sectional view of the vicinity of an electrode of one pixel and a cross-sectional view of a peripheral portion of the substrate in an image display area of a liquid crystal display substrate of a horizontal electric field type.
【図１２】配向膜のラビング方向と印加電界方向ＥＤＲ
とのなす角度の説明図である。FIG. 12 shows a rubbing direction of an alignment film and an applied electric field direction EDR.
FIG. 4 is an explanatory diagram of an angle formed by
【図１３】上下の基板を含む表示パネルのマトリクス周
辺の要部平面図である。FIG. 13 is a plan view of a main part around a matrix of a display panel including upper and lower substrates.
【図１４】左側に走査回路が接続された外部端子付近の
断面図である。FIG. 14 is a cross-sectional view near an external terminal to which a scanning circuit is connected on the left side.
【図１５】ゲートＴＣＰの出力側および入力側の断面構
造の説明図である。FIG. 15 is an explanatory diagram of a cross-sectional structure of an output side and an input side of a gate TCP.
【図１６】本発明による液晶表示装置の周辺回路の概要
説明図である。FIG. 16 is a schematic explanatory diagram of a peripheral circuit of a liquid crystal display device according to the present invention.
【図１７】本発明の液晶表示装置の駆動波形図である。FIG. 17 is a driving waveform diagram of the liquid crystal display device of the present invention.
【図１８】本発明による液晶表示装置の製造工程の説明
図である。FIG. 18 is an explanatory diagram of the manufacturing process of the liquid crystal display device according to the present invention.
【図１９】本発明による液晶表示装置の製造工程の図１
９に続く説明図である。FIG. 19 is a view showing a manufacturing process of the liquid crystal display device according to the present invention;
It is explanatory drawing following 9.
【図２０】本発明による液晶表示装置の製造工程の図２
０に続く説明図である。FIG. 20 is a view showing a manufacturing process of the liquid crystal display device according to the present invention;
It is explanatory drawing following 0.
【図２１】図１７に示した表示パネルＰＮＬと映像信号
駆動回路Ｈと垂直走査回路Ｖを接続した状態を示す上面
図である。21 is a top view illustrating a state where the display panel PNL, the video signal driving circuit H, and the vertical scanning circuit V illustrated in FIG. 17 are connected.
【図２２】従来の液晶表示装置における液晶表示モジュ
ールの固定構造を説明する表示部の平面図である。FIG. 22 is a plan view of a display unit for explaining a fixing structure of a liquid crystal display module in a conventional liquid crystal display device.
【図２３】図２２のＡ−Ａ線に沿った部分断面図であ
る。FIG. 23 is a partial sectional view taken along line AA of FIG. 22;
ＳＵＢ１ 第１の基板 ＳＵＢ２ 第２の基板 ＣＡＳＥ ケース ＭＤＬ 液晶表示モジュール ＰＯＬ１，ＰＯＬ２ 偏光板 ＢＬ バックライト ＳＨＤ１ 上フレーム ＳＨＤ２ 下フレーム ＧＣ ゴムクッション ＰＮＬ 液晶パネル ＴＡＢ１〜ＴＡＢ４ タブ ＳＴ１，ＳＴ２ 補強部材 ＡＬＣ タブ受け孔 ＨＮＧ ヒンジ。 SUB1 First substrate SUB2 Second substrate CASE Case MDL Liquid crystal display module POL1, POL2 Polarizer BL Backlight SHD1 Upper frame SHD2 Lower frame GC Rubber cushion PNL Liquid crystal panel TAB1 to TAB4 Tab ST1, ST2 Reinforcement member ALC Tab receiving hole HNG Hinges.
Claims (3)
択用の電極を有する一対の透明基板の間に液晶層を挟持
してなる液晶パネルと、前記パネルに表示信号に応じた
電圧を印加するための駆動回路手段と、前記液晶パネル
の背面に設置されたバックライトとを上フレームおよび
この上フレームと連接する下フレームにより固定してな
る液晶表示モジュールを表示部を構成するケースに実装
した液晶表示装置において、 前記液晶表示モジュールは、前記上フレームと下フレー
ムの何れか一方または双方の平行する二辺に外方に突設
した少なくとも各１つのタブを備え、 前記ケースは、底面とこの底面に臨んだタブ受け穴を形
成した少なくとも一対の対向側壁を有し、 前記タブ受け穴に前記タブを係合させることによって、
前記液晶表示モジュールを前記ケースに固定したことを
特徴とする液晶表示装置。1. A liquid crystal panel having a liquid crystal layer sandwiched between a pair of transparent substrates having a pixel selection electrode on at least one of them opposed to each other, and applying a voltage corresponding to a display signal to the panel. A liquid crystal display module in which a liquid crystal display module in which a driving circuit means of the above and a backlight provided on the back of the liquid crystal panel are fixed by an upper frame and a lower frame connected to the upper frame is mounted on a case constituting a display section. In the device, the liquid crystal display module includes at least one tab protruding outward on two parallel sides of one or both of the upper frame and the lower frame, and the case has a bottom surface and a bottom surface. By having at least a pair of opposed side walls formed with a facing tab receiving hole, by engaging the tab with the tab receiving hole,
A liquid crystal display device, wherein the liquid crystal display module is fixed to the case.
択用の電極を有する一対の透明基板の間に液晶層を挟持
してなる液晶パネルと、前記パネルに表示信号に応じた
電圧を印加するための駆動回路手段と、前記液晶パネル
の背面に設置されたバックライトとを上フレームおよび
この上フレームと連接する下フレームにより固定してな
る液晶表示モジュールを表示部を構成するケースに実装
した液晶表示装置において、 前記液晶表示モジュールは、前記上フレームと下フレー
ムの何れか一方または双方の平行する二辺に外方に突設
した少なくとも１つのタブを備え、 前記ケースは、底面とこの底面に臨んだ側壁を有すると
共に、その１つの側壁にタブ受け穴を備え、 前記タブ受け穴を備えた側壁と前記底面を挟んで対向す
る側壁の内側に、タブ受け穴を備えて前記ケースに固定
した補強部材を有し、 前記側壁のタブ受け穴と前記補強部材のタブ受け穴に前
記液晶表示モジュールのタブを係合させることによっ
て、前記液晶表示モジュールを前記ケースに固定したこ
とを特徴とする液晶表示装置。2. A liquid crystal panel having a liquid crystal layer sandwiched between a pair of transparent substrates having a pixel selection electrode on at least one of them opposed to each other, and applying a voltage corresponding to a display signal to the panel. A liquid crystal display module in which a liquid crystal display module in which a driving circuit means of the above and a backlight provided on the back of the liquid crystal panel are fixed by an upper frame and a lower frame connected to the upper frame is mounted on a case constituting a display section. In the device, the liquid crystal display module includes at least one tab projecting outward on two sides parallel to one or both of the upper frame and the lower frame, and the case faces the bottom surface and the bottom surface. A tab receiving hole in one of the side walls, and a side wall facing the side wall provided with the tab receiving hole and the bottom surface interposed therebetween. The liquid crystal display module has a reinforcing member fixed to the case with a support hole, and the tab of the liquid crystal display module is engaged with the tab receiving hole of the side wall and the tab receiving hole of the reinforcing member. A liquid crystal display device fixed to the case.
択用の電極を有する一対の透明基板の間に液晶層を挟持
してなる液晶パネルと、前記パネルに表示信号に応じた
電圧を印加するための駆動回路手段と、前記液晶パネル
の背面に設置されたバックライトとを上フレームおよび
この上フレームと連接する下フレームにより固定してな
る液晶表示モジュールを表示部を構成するケースに実装
した液晶表示装置において、 前記液晶表示モジュールは、前記上フレームと下フレー
ムの何れか一方または双方の平行する各側面のそれぞれ
に突設した少なくとも１つのタブを備え、 前記底面を挟んで対向する平行な側壁の内側にタブ受け
穴を備えて前記ケースに固定した一対の補強部材を有
し、 前記一対の補強部材のタブ受け穴に前記液晶表示モジュ
ールのタブを係合させることによって、前記液晶表示モ
ジュールを前記ケースに固定したことを特徴とする液晶
表示装置。3. A liquid crystal panel having a liquid crystal layer sandwiched between a pair of transparent substrates having a pixel selection electrode on at least one of them opposed to each other, and applying a voltage according to a display signal to the panel. A liquid crystal display module in which a liquid crystal display module in which a driving circuit means of the above and a backlight provided on the back of the liquid crystal panel are fixed by an upper frame and a lower frame connected to the upper frame is mounted on a case constituting a display section. In the device, the liquid crystal display module includes at least one tab protruding from each of parallel sides of one or both of the upper frame and the lower frame; A pair of reinforcing members fixed to the case with tab receiving holes provided on an inner side thereof; and the liquid crystal display module is provided in the tab receiving holes of the pair of reinforcing members. The liquid crystal display module is fixed to the case by engaging a tab of a ruler.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10004891A JPH11202787A (en) | 1998-01-13 | 1998-01-13 | Liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10004891A JPH11202787A (en) | 1998-01-13 | 1998-01-13 | Liquid crystal display device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11202787A true JPH11202787A (en) | 1999-07-30 |
Family
ID=11596309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10004891A Pending JPH11202787A (en) | 1998-01-13 | 1998-01-13 | Liquid crystal display device |
Country Status (1)
| Country | Link |
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