JPH11202326A - 反射型液晶表示素子及び反射型液晶表示素子用の基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 画素電極又は反射層に光拡散パターンを有し
ており、そのために前面の景色の映り込みを防止でき、
画像のコントラストも高い反射型液晶表示素子におい
て、当該画素電極及び反射層を簡単な方法で製作できる
ようにする。 【解決手段】 反射型液晶表示素子の裏面側基板を構成
する透明基板２２ａの内面に、紫外線硬化型樹脂等の樹
脂を型押しすることによって下地層２８を形成し、同時
に、下地層２８の表面には、画素サイズに比較して微細
な凹凸パターン３１を形成する。この下地層２８の上に
は、真空蒸着法やスパッタ法などで、電極材料を均一な
厚みに堆積させ、各画素領域毎に画素電極２９を形成す
る。画素電極２９の表面には、下地層２８の凹凸パター
ン３１が浮き上がることによって、外光を散乱反射させ
るための光拡散パターン３２が形成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、反射型液晶表示素
子及び反射型液晶表示素子用の基板に関する。具体的に
いうと、本発明は、反射型液晶表示素子における反射光
特性の改善に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示素子は、ガラス基板やフィルム
基板等の１対の透明基板間に形成された液晶セルと呼ば
れる空間に、液晶分子を封入して液晶層を形成したもの
であって、液晶層内の液晶分子に電圧を印加して液晶分
子の状態を変化させることにより、各画素毎に液晶セル
の光学的屈折率を変化させて画像を得ている。

【０００３】また、液晶表示素子自体は、低消費電力で
あるという特徴を有しているため、携帯用アプリケーシ
ョン（例えば、携帯電話の表示部等）への応用が積極的
に進められている。また、このような液晶表示素子に
は、大別して、透過型の液晶表示素子と反射型の液晶表
示素子とが知られている。

【０００４】ところが、光源としてバックライトを利用
し、液晶表示素子の背面に配置されたバックライト光源
で発光した光を液晶表示素子に透過させ、それによって
画像を生成する透過型液晶表示素子では、せっかく液晶
表示素子で消費電力を抑えても、光源であるバックライ
トで多くの電力を消費してしまう。そのため、全体とし
ての電力消費が大きくなり、液晶表示素子の特徴が生か
せなくなるという欠点がある。

【０００５】そこで、携帯用など電力消費が問題となる
用途では、液晶表示素子に入射する外光を利用する反射
型液晶表示素子を用いることが多い。このような反射型
液晶表示素子における外光反射方式としては、大きく分
けて２つの方式がある。一方の方式の反射型液晶表示素
子１（例えば、ＴＮ型ＬＣＤ）は、図１に示すように、
液晶層３を封入している２枚の透明基板２ａ，２ｂのう
ち、前面側透明基板２ｂの内面にカラーフィルタ４及び
透明電極５を形成し、裏面側透明基板２ａの内面にも透
明電極６を形成し、両透明基板２ａ，２ｂの外面側に偏
光板７ａ，７ｂを配置し、裏面側において偏光板７ａの
外側に反射板８を貼り付けたものである。この方式の反
射型液晶表示素子１においては、明るい画素部分では、
前面から裏面へ向けて液晶表示素子１を透過した外光を
裏面側の反射板８で反射させ、再び液晶表示素子１の裏
面側から前面へ反射光を透過させる。

【０００６】もう一方の方式の反射型液晶表示素子９
（例えば、ＥＣＢ型ＬＣＤ）は、図２に示すように、液
晶層３を封入している２枚の透明基板２ａ，２ｂのう
ち、前面側透明基板２ｂの内面にカラーフィルタ４及び
透明電極５を形成し、裏面側透明基板２ａの内面にアル
ミニウム等によって表面反射率の高い画素電極１０を形
成し、前面側透明基板２ｂの外面側に偏光板７ｂを配置
したものである。この方式の液晶表示素子９において
は、明るい画素部分では、前面側の透明基板２ｂから入
射した外光を画素電極１０で反射させ、再び液晶表示素
子９の前面へ反射光を戻すようになっている。

【０００７】前者の方式では、製造コストは安価になる
が、明るい画素部分で、液晶表示素子１に入射した外光
は、表裏の偏光板７ａ，７ｂを往復合わせて４回透過
し、透明基板２ａ，２ｂも往復合わせて４回通過しなけ
ればならない。ここで、偏光板７ａ，７ｂの理想的な透
過率は５０％であり、実際には４３〜４５％まで低下す
ることもあり、透明基板２ａ，２ｂもガラス基板を用い
た場合でも、透過率は可視光の平均で９８％以上にはな
らない。このため、前者の方式の反射型液晶表示素子１
では、入射した外光のうち反射して前面側へ戻ってくる
反射光の光量が極めて少なくなり、画像のコントラスト
が著しく低下するという問題がある。

【０００８】また、後者の方式では、前者の方式に比べ
て製造工数が増加し、コストも高くつくが、外光が偏光
板７ｂを透過する回数は２回、透明基板２ｂを透過する
回数も２回となるので、外光のロスが少なく、画像のコ
ントラストが高く、明るく見やすい表示が得られる。

【０００９】しかし、反射型液晶表示素子では、外光の
反射率が低いと画像のコントラストが低く、見にくくな
り、実用化が困難であるため、後者のように液晶表示素
子内で外光を反射させる方式が主流となっている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】従来の反射型液晶表示
素子では、上記のように、液晶セルの内部で外光を反射
させるものが主流となっている。しかし、外光を反射さ
せる反射板として働く画素電極１０が平坦であると、図
３に示すように、外光（つまり、正面の景色など）が液
晶表示素子９に映り込んだり、外光の正反射方向から外
れた方向では画像のコントラストが低下したりして、良
好な視認性を得られないという問題があった。特に、入
射光の強度が強い場合には、視認性が極端に悪くなって
いた。

【００１１】このため、反射型の液晶表示素子に用いら
れている反射板（画素電極）には、ある程度の拡散性が
必要とされている。実際には、図４に示すように、画素
電極１０の表面に、丸みを有するなだらかな凹凸状の光
拡散パターン１１を形成することにより、光拡散性を持
たせ、図５に示すように視野角を広げている。

【００１２】光拡散パターンを有する画素電極を形成す
る従来方法としては、ベースとなる透明基板の上に、真
空蒸着法やスパッタ法等によってアルミニウムのような
電極材料を堆積させる際、所望の光拡散パターンとなる
ように電極材料被膜の堆積厚を細かく変化させることに
より、光拡散パターンを有する画素電極を形成する方法
がある。具体的には、マスクの開口を通過した電極材料
を透明電極の上に堆積させるようにし、このマスクの移
動速度を加速したり減速したりしてその移動速度を細か
く制御することにより電極材料被膜の厚みを微細に変化
させ、それによって電極材料被膜の表面に光拡散パター
ンを形成し、その後、エッチングによって電極材料被膜
を各画素毎に分割して画素電極を形成する。

【００１３】あるいは、ベースとなる透明基板の上に、
アルミニウムのような電極材料を厚く堆積させた後、レ
ジストを用いて電極材料被膜の表面をエッチングし、微
細な凹凸状をした光拡散パターンを画素電極に形成して
いる。

【００１４】従来にあっては、上記のように堆積厚を細
かく変化させながら電極材料を透明基板上に堆積させた
り、透明基板上に電極材料を厚く堆積させた後、エッチ
ングにより電極材料被膜に凹凸加工を施したりしている
が、いずれの方法にあっても、透明基板１枚１枚に光拡
散性を有する画素電極を形成するのに時間が掛かり過
ぎ、製造効率が悪かった。また、製造効率も悪いため、
コストも高くついていた。

【００１５】さらに、エッチングによって電極材料被膜
の表面に凹凸を施す後者の方法では、透明基板１枚ごと
にエッチングを施して画素電極の表面に光拡散パターン
を形成するが、エッチングは例えば温度やガスなどの雰
囲気が均一かどうかによって多大の影響を受け易く、大
面積の透明基板に画素電極を形成するには不向きであっ
た。

【００１６】本発明は、上記従来例の欠点に鑑みてなさ
れたものであり、その目的とするところは、光拡散パタ
ーンを有する画素電極又は反射層を簡単な製作方法によ
って付与することができる反射型液晶表示素子と当該表
示素子用の基板を提供することにある。

【００１７】

【発明の開示】請求項１に記載の反射型液晶表示素子
は、透明電極を形成した前面側の透明基板と画素電極を
形成した裏面側の基板とを対向させ、両基板間に液晶を
封入した反射型液晶表示素子において、前記裏面側基板
に画素サイズよりも微細な凹凸パターンを形成し、各画
素領域において当該凹凸パターンの上に光反射性の画素
電極を形成したことを特徴としている。

【００１８】請求項１に記載の液晶表示素子にあって
は、裏面側基板の表面に画素サイズよりも微細な凹凸パ
ターンが形成されているから、この上に均一な厚みの画
素電極を形成すれば、画素電極の表面に光拡散パターン
が形成される。前面側から反射型液晶表示素子内に入射
した外光は、画素電極によって反射されるが、画素電極
の表面に光拡散パターンが形成されているために、反射
光は散乱される。従って、外光が正反射されなくなり、
前面側の景色の映り込みが防止され、反射型液晶表示素
子のコントラストが良好となり、画面が見やすくなる。

【００１９】しかも、下地層の上には、画素電極を均一
な膜厚に形成すれば良いので、基板上に堆積した電極材
料にエッチングを施して光拡散パターンを形成したり、
マスクの移動速度を制御して電極材料の堆積厚を変化さ
せることによって光拡散パターンを形成したりする従来
方法と比較して、画素電極の製作が極めて簡単になる。
なお、下地層は樹脂の型押しなどによって容易に製作で
きる。

【００２０】請求項３に記載した反射型液晶表示素子用
の基板は、液晶を封入するための基板と、当該基板の表
面に形成された、表示素子の画素サイズよりも微細な凹
凸パターンとから構成されているから、この凹凸パター
ンの上に光反射性の画素電極を形成することにより、請
求項１の反射型液晶表示素子の裏面側の基板を容易に製
作することができる。

【００２１】請求項２に記載の反射型液晶表示素子は、
透明電極を形成した前面側の透明基板と画素電極を形成
した裏面側の基板とを対向させ、両基板間に液晶を封入
した反射型液晶表示素子において、前記裏面側基板に画
素サイズよりも微細な凹凸パターンを形成し、各画素領
域において当該凹凸パターンの上に光反射層を形成し、
当該光反射層に対応させて透明な画素電極を形成したこ
とを特徴としている。

【００２２】請求項２に記載の反射型液晶表示素子にあ
っても、下地層の凹凸パターンの上に均一な厚みの反射
層を形成すれば、反射層の表面に光拡散パターンが形成
される。従って、反射型液晶表示素子内に入射した外光
が散乱反射され、前面側の景色の映り込みが防止され、
反射型液晶表示素子のコントラストが良好となり、画面
が見やすくなる。

【００２３】しかも、この場合も、下地層の上に反射層
を均一な膜厚に形成すれば良いので、反射層や画素電極
の製作が極めて簡単になる。

【００２４】請求項４に記載した反射型液晶表示素子用
の基板は、液晶を封入するための基板と、当該基板の表
面に形成された、表示素子の画素サイズよりも微細な凹
凸パターンと、当該凹凸パターンの表面に形成された反
射層とから構成されているから、この反射層に対応させ
て透明な画素電極を形成することにより、請求項２の反
射型液晶表示素子の裏面側の基板を容易に製作すること
ができる。

【００２５】

【発明の実施の形態】図６は本発明の一実施形態による
反射型液晶表示素子２１の構造を示す一部破断した断面
図である。この反射型液晶表示素子２１にあっては、一
対の透明基板２２ａ，２２ｂ間に液晶層２３が封入され
ており、各透明基板２２ａ，２２ｂとしてはガラス基板
やフィルム基板等が用いられる。前面側透明基板２２ｂ
の内面には、カラーフィルタ２４、透明電極２５及び配
向膜２６が形成され、前面側透明基板２２ｂの外面には
偏光板２７が設けられ、裏面側透明基板２２ａの内面に
は、下地層２８、画素電極２９及び配向膜３０が形成さ
れている。

【００２６】裏面側に配置される透明基板２２ａの構造
（１画素分）を図７に詳細に示す。ガラス板やプラスチ
ックフィルム等からなる透明基板２２ａの上には、各画
素領域毎に合成樹脂からなる下地層２８が形成されてお
り、各下地層２８の表面には、図８に示すように多数の
微細な凹凸を均一に、かつ整然と配列した凹凸パターン
３１が形成されている。この下地層２８の凹凸パターン
３１の上には、均一な膜厚を有するアルミニウム等の画
素電極２９が形成されている。この画素電極２９は反射
板の機能を兼ねており、しかも、画素電極２９の表面に
は、下地層２８の凹凸パターン３１のため、微細な凹凸
からなる光拡散パターン３２が形成されている。また、
下地層２８及び画素電極２９は、表示画素に対応して設
けられており、隣接する各画素領域の下地層２８どうし
及び画素電極２９どうしは互いに分離している。

【００２７】この裏面側の透明基板２２ａには、画素電
極２９の上から、透明基板２２ａ全体に、ポリイミド、
ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリスチレン、エポキ
シアクリレート又はポリウレタン等の有機高分子からな
る配向膜３０を均一に塗布し、布やブラシでラビングさ
れる。同様に、表面にカラーフィルタ２４及び透明電極
２５を形成された前面側の透明基板２２ｂにも、透明電
極２５の上から配向膜２６を塗布しラビング処理され
る。ついで、両透明基板２２ａ，２２ｂ間に液晶層２３
を封入するようにして反射型液晶表示素子２１が組み立
てられる。

【００２８】このような反射型液晶表示素子２１にあっ
ては、暗い画素部分では、偏光板２７を通って前面から
外光が入射し、画素電極２９で反射して偏光板２７へ戻
ってきた光は、偏光面が９０°旋光しているため偏光板
２７を透過できず、暗くなる。これに対し、明るい画素
部分では、偏光板２７を通って前面から入射した外光
は、画素電極２９の表面で反射し、再び液晶表示素子２
１の前面から抜け出る。しかも、入射した外光は画素電
極２９によって反射され、さらに、表面の光拡散パター
ン３２によって散乱反射されるので、液晶表示素子２１
の画面が明るくなり、画像のコントラストも良好とな
る。また、景色の映り込みなども解消される。

【００２９】しかも、この反射型液晶表示素子２１にあ
っては、透明基板２２ａの表面に、樹脂の型押し等によ
って下地層２８を形成した後、下地層２８の上に均一な
厚みの画素電極２９を形成するだけでよいから、画素電
極２９の製作を容易にすることができ、コストも安価に
なる。

【００３０】（下地層及び画素電極の形成方法）つぎ
に、紫外線照射により硬化する紫外線硬化型樹脂を用い
た、いわゆる２Ｐ（Photo-Polymerization）法により透
明基板２２ａの上に下地層２８を成形する方法を説明す
る。図９（ａ）（ｂ）に示すように、透明基板２２ａの
上に流動性のある透明な紫外線硬化型樹脂３３を供給し
た後、紫外線硬化型樹脂３３の上から透明基板２２ａへ
向けてスタンパ３４を降下させる［図９（ｃ）］。この
スタンパ３４の下面には、下地層２８の凹凸パターン３
１と合致する反転パターン３５が画素ピッチと同じピッ
チで複数形成されている。このスタンパ３４を透明基板
２２ａに十分に押し付けてスタンパ３４と透明基板２２
ａの間に紫外線硬化型樹脂３３を挟み込み、スタンパ３
４の反転パターン３５で紫外線硬化型樹脂３３を型押し
した後、そのままの状態で、透明基板２２ａを通して紫
外線硬化型樹脂３３に紫外線ランプ等によって紫外線
（ＵＶ光）を照射する［図９（ｄ）］。紫外線を照射さ
れた紫外線硬化型樹脂３３は、紫外線を浴びると硬化反
応を起こして硬化するので、紫外線硬化型樹脂３３にス
タンパ３４の反転パターン３５が転写成形され、硬化し
た紫外線硬化型樹脂３３によって透明基板２２ａ上に下
地層２８が形成されると共に下地層２８の表面に凹凸パ
ターン３１が成形される［図９（ｅ）］。こうして下地
層２８が形成されると、その凹凸パターン３１の上に真
空蒸着法やスパッタ法等によってアルミニウム等の電極
材料３６を均一な厚みに堆積させる［図９（ｆ）］。つ
いで、電極材料３６の堆積層を画素電極２９のパターン
に合わせてエッチングすることによってパターニング
し、各画素領域毎に電極材料を分離して画素電極２９を
形成する［図９（ｇ）］。このとき、画素電極２９の表
面には、下地層２８の凹凸パターン３１が浮き出て光拡
散パターン３２となる。

【００３１】このようにして下地層２８及び画素電極２
９を形成すれば、スタンパ３４を用いて透明基板２２ａ
の上に簡単に下地層２８及び画素電極２９を形成するこ
とができ、しかも、紫外線照射によって紫外線硬化型樹
脂３３を硬化させて下地層２８を成形することにより、
樹脂硬化のための養生時間も必要なく、簡単な工程で、
しかも短時間で下地層２８を形成することができ、画素
電極２９も均一な厚みに堆積させるだけでよいので、量
産に適している。

【００３２】この理由を以下に詳しく述べる。２Ｐ法に
よれば、スタンパ３４の反転パターン３５を紫外線硬化
型樹脂３３に転写させることによって微細な凹凸パター
ン３１を有する下地層２８を容易に形成することがで
き、微細な凹凸パターン３１を有する下地層２８の上に
均一な厚みの電極材料を堆積させることにより、光拡散
パターン３２を有する画素電極２９を容易に製作するこ
とができる。特に、比較的粘性の低い紫外線硬化型樹脂
３３を用い、スタンパ３４で型押しした後、紫外線を照
射して硬化させれば、精度よくスタンパ３４の反転パタ
ーン３５を転写することができ、正確な複製を大量に行
える。さらに、２Ｐ法では紫外線照射光源を透明基板２
２ａの全体に一括露光するだけで下地層２８が形成さ
れ、処理工程が１回で済む。

【００３３】これに対し、エッチング法では、同じマス
クと同じ設定条件（例えば温度、ガス雰囲気、時間な
ど）を用いても、そのときの光の当たり方、温度やガス
雰囲気濃度の密度分布等によりバラツキが大きくなって
しまう。これでは０.０１ｍｍオーダーで高さをシビア
に制御しなければならない液晶表示素子用には適さな
い。また、従来のように、マスクを用いてその移動速度
を制御することにより複雑な形状の画素電極を形成しよ
うとすれば、非常に複雑なマスク制御を必要とし、処理
時間が非常に長くなる。

【００３４】また、スタンパ３４で型押しした後、紫外
線照射して紫外線硬化型樹脂３３を硬化させるだけで下
地層２８を形成できるので、熱硬化性樹脂を用いる方法
やエッチング法などに比べ、透明基板１枚あたりの処理
時間が短くて済む。基板１枚あたりの処理時間は、従来
の例えばエッチング法を用いるかぎり、原理的に時間が
掛かるのはやむを得ず、工業的に量産性を考えた場合、
大きなネックとなっていた。

【００３５】また、従来法では画素電極自体の厚みが不
均一となるため、液晶表示素子の駆動法を工夫しない
と、場合によっては画素内にムラが生じることがある。
これに対し、本発明の液晶表示素子２１では、画素電極
２９の厚みを均一にすることができるので、このような
問題を解消できる。

【００３６】よって、本発明によれば、液晶表示素子２
１の広視野角化の要求に大きく貢献し、かつ、画素電極
２９表面の滑らかさが液晶表示素子２１としての要求を
十分満たす、画素電極付きの基板を容易かつ大量に製造
することが可能となる。また、本発明によれば、製造上
のバラツキ（同一液晶表示素子２１内でのバラツキ、液
晶表示素子２１間でのバラツキ）が少ないため、上記効
果（例えば広視野角化など）を安定して得ることがで
き、工業生産性に優れる。

【００３７】なお、本発明にかかる２Ｐ法でも、画素電
極のパターニングにはエッチング法を用いるが、画素電
極の平面パターンを得るために用いるに過ぎず、画素電
極の厚みをエッチングにより加工する場合のような問題
がない。特に、画素電極のパターニングは、透明基板全
面に対し十分大きな寸法のマスクを用いて一括してエッ
チングできるので、大きな工数増とはならない。

【００３８】（スタンパの製造方法）上記スタンパ３４
の製造方法を図１０に示す。まず、図１０（ａ）に示す
ような平板状をしたガラス板３７を用意し、図１１に示
すようにガラス板３７の表面に、結像レンズ３８で集光
させたレーザー光を照射し、レーザー加工（レーザーリ
トグラフイ）により２点鎖線（３９）で示す深さまでガ
ラス板３７を蒸発除去し、ガラス板３７の表面に所望の
凹凸パターン３９（すなわち、下地層２８の凹凸パター
ン３１と同じ形状であって、予めレーザー加工装置を制
御するコンピュータに記憶させている）を形成する。ガ
ラス板３７の表面に所望の凹凸パターン３９を形成して
ガラス板３７からなる原盤４０を作製した後、原盤４０
の上にニッケルを堆積させ、ニッケル電鋳法により原盤
４０の反転型であるニッケルマスタ４１を作製し［図１
０（ｃ）］、ニッケルマスタ４１を原盤４０から剥離す
る［図１０（ｄ）］。ニッケル電鋳法によりニッケルマ
スタ４１を作製する際には、その準備として原盤４０を
例えば蒸着法あるいは無電解メッキ法で導電化してお
き、導電化された原盤４０の表面を陰極とし、例えばス
ルファミン酸ニッケル浴で電気メッキしてニッケルマス
タ４１を作製する。

【００３９】こうして得られたニッケルマスタ４１でも
スタンパ３４の反転パターン３５と同じパターン４２を
有しているから、ニッケルマスタ４１をスタンパ３４と
して使用できるが、通常は（工業的には）このニッケル
マスタ４１をさらにニッケル電鋳法で複製したものをス
タンパ３４とする。ニッケルマスタ４１を複製する場合
には、ニッケルマスタ４１の表面に例えば重クロム酸カ
リ溶液で酸化膜を作った後、再びニッケル電鋳法により
凸凹が反転したマザー４３（原盤の複製）を作製し［図
１０（ｅ）］、さらにニッケル電鋳法によりマザー４３
の反転した型を作製し、ニッケルマスタ４１の複製であ
るスタンパ３４を作製する［図１０（ｆ）］。従って、
スタンパ３４が摩耗した場合には、マザー４３から再度
複製することができる。

【００４０】また、スタンパ３４を作製するには、図１
２（ａ）〜（ｆ）に示すように、ガラス板３７の表面に
塗布されたレジスト４４をレーザー加工することによっ
て原盤４０を作製してもよい。レジスト４４を使用する
場合には、ガラス板３７とレジスト４４の密着剤とし
て、例えばシランカップリング剤をガラス板３７の表面
に塗布しておき、レーザー加工した後、露光、現像及び
洗浄の工程を経て、レジスト４４による凹凸パターン３
９がガラス板３７の表面に形成される［図１２（ａ）
（ｂ）］。この後の処理は、図１０（ｃ）以下と同様に
行う［図１２（ｃ）〜（ｆ）］。

【００４１】（第２の実施形態）図９の実施形態では、
下地層２８の各凹凸パターン３１を構成している凸部ど
うしは分離しているように見える（実際には、０.５〜
２μｍ程度の薄い樹脂層が存在する）。図１３に示すも
のは、下地層２８の厚みを大きくし（例えば数１０μｍ
程度）、凹凸パターン３１の凸部どうしが連続するよう
にしたものである。

【００４２】また、各画素領域に設けられている下地層
２８どうしも図１４に示すように連続していてもよい。
ただし、画素電極２９は画素領域毎に分割されている。

【００４３】このような形状の下地層２８を形成する場
合には、図１５（ａ）〜（ｇ）に示すように、十分な量
の紫外線硬化型樹脂３３を透明基板２２ａの上に供給
し、スタンパ３４を下降させる下限位置を設定すること
によって、下降したスタンパ３４と透明基板２２ａの間
に所定のスペースを残すようにすればよい。

【００４４】また、下地層２８を２Ｐ法によって透明基
板２２ａの上に転写成形する際、成形された下地層２８
はスタンパ３４から剥離しにくいので、透明基板２２ａ
から剥がれる恐れがある。そのため、下地層２８の、ス
タンパ３４からの離形性を良好にするには、下地層２
８を形成するための紫外線硬化型樹脂３３にあらかじめ
離型剤（剥離剤）４５を混入させておけばよい（図１
６）。あるいは、透明基板２２ａの表面に、透明基板
２２ａと下地層２８との密着性を良好にする働きのある
薬品（プライマー、カップリング剤）４６をあらかじめ
塗布しておいてもよい（図１７）。あるいは、との
方法を併用してもよい。

【００４５】（第３の実施形態）図１８は本発明のさら
に別な実施形態による反射型液晶表示素子に用いられる
裏面側の透明基板２２ａの構造を示す一部破断した断面
図である。この実施形態では、透明基板２２ａの上に下
地層２８を形成した後、蒸着法やスパッタ法などによっ
て下地層２８の凹凸パターン３１の上にアルミニウム又
はアルミニウム合金等を均一な膜厚に堆積させて各画素
領域毎に反射層４７を形成している。従って、反射層４
７の表面には、凹凸パターン３１が浮き出て凹凸状をし
た光拡散パターン４８が生じている。さらに、反射層４
７の上に均一な厚みとなるようにＩＴＯ等の透明な画素
電極（透明電極）４９を形成している。なお、この場合
も、図１９に示すように、各画素領域の下地層２８が連
続していてもよい。

【００４６】また、反射層４７を用いる場合には、図２
０に示すように、透明基板２２ａの外面に下地層２８を
形成し、各画素領域において下地層２８の凹凸パターン
３１の上にアルミニウム又はアルミニウム合金からなる
反射層４７を形成し、反射層４７と対向させて透明基板
２２ａの内面にＩＴＯ等の透明な画素電極４９を平坦に
形成してもよい。

【００４７】なお、上記各実施形態では、透明基板の表
面に２Ｐ法等によって下地層を形成することによって透
明基板表面に下地層を形成する場合を説明したが、例え
ばプラスチックフィルムからなる透明基板の表面に加熱
型を押し付けて下地層を一体成形したり、ガラス板から
なる透明基板の表面にエッチング等で凹状部を形成して
もよい。しかし、前者の方法では、形状の安定性が悪く
て変形し易く、微細な加工も困難である。また、後者の
方法では、ガラス板のエッチングは精度（形状、高さお
よび平坦性など）がさらに悪く、よい方法とは言えな
い。従って、紫外線硬化型樹脂を用いて透明基板の表面
に下地層を形成する２Ｐ法がもっとも優れているといえ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来例の反射型液晶表示素子を示す概略断面図
である。

【図２】別な従来例の反射型液晶表示素子を示す概略断
面図である。

【図３】平坦な反射板による入射光の反射を示す概略図
である。

【図４】光拡散パターンを有する画素電極を形成された
透明基板を示す断面図である。

【図５】光拡散パターンを有する画素電極を用いた液晶
表示装置において、外光を散乱反射するようすを示す断
面図である。

【図６】本発明の一実施形態による反射型液晶表示素子
を示す一部破断した断面図である。

【図７】同上の透明基板上に形成された下地層及び画素
電極を示す拡大断面図である。

【図８】同上の下地層の凹凸パターンを示す平面図であ
る。

【図９】（ａ）〜（ｇ）は透明基板上に下地層及び画素
電極を形成する方法を説明する概略図である。

【図１０】（ａ）〜（ｆ）は下地層を成形するためのス
タンパの製造方法を説明する図である。

【図１１】ガラス板をレーザー加工する様子を示す図で
ある。

【図１２】（ａ）〜（ｆ）は下地層を成形するためのス
タンパの別な製造方法を説明する図である。

【図１３】本発明の別な実施形態における、透明基板上
に形成された下地層及び画素電極を示す断面図である。

【図１４】本発明のさらに別な実施形態における、透明
基板上に形成された下地層及び画素電極を示す断面図で
ある。

【図１５】（ａ）〜（ｇ）は透明基板上に同上の下地層
及び画素電極を形成する方法を説明する概略図である。

【図１６】スタンパと下地層との離型性を良好にする方
法を説明する図である。

【図１７】スタンパと下地層との離型性を良好にする別
な方法を説明する図である。

【図１８】本発明のさらに別な実施形態における、透明
基板上に形成された下地層、反射層及び透明な画素電極
を示す断面図である。

【図１９】本発明のさらに別な実施形態における、透明
基板上に形成された下地層、反射層及び透明な画素電極
を示す断面図である。

【図２０】本発明のさらに別な実施形態における、透明
基板上に形成された下地層、反射層及び透明な画素電極
を示す断面図である。

【符号の説明】

２２ａ，２２ｂ 透明基板 ２８ 下地層 ２９ 画素電極 ３１ 凹凸パターン ３２ 画素電極の光拡散パターン ３３ 紫外線硬化型樹脂 ３４ スタンパ ４７ 反射層 ４８ 反射層の光拡散パターン ４９ 画素電極（透明電極）

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 透明電極を形成した前面側の透明基板と
   画素電極を形成した裏面側の基板とを対向させ、両基板
   間に液晶を封入した反射型液晶表示素子において、 前記裏面側基板に画素サイズよりも微細な凹凸パターン
   を形成し、各画素領域において当該凹凸パターンの上に
   光反射性を有する画素電極を形成したことを特徴とする
   反射型液晶表示素子。
2. 【請求項２】 透明電極を形成した前面側の透明基板と
   画素電極を形成した裏面側の基板とを対向させ、両基板
   間に液晶を封入した反射型液晶表示素子において、 前記裏面側基板に画素サイズよりも微細な凹凸パターン
   を形成し、各画素領域において当該凹凸パターンの上に
   光反射層を形成し、当該光反射層に対応させて透明な画
   素電極を形成したことを特徴とする反射型液晶表示素
   子。
3. 【請求項３】 液晶を封入するための基板と、当該基板
   の表面に形成された、表示素子の画素サイズよりも微細
   な凹凸パターンとからなることを特徴とする反射型液晶
   表示素子用の基板。
4. 【請求項４】 液晶を封入するための基板と、当該基板
   の表面に形成された、表示素子の画素サイズよりも微細
   な凹凸パターンと、当該凹凸パターンの表面に形成され
   た反射層とからなることを特徴とする反射型液晶表示素
   子用の基板。