JPH11199372A - 単結晶の引き上げ装置および落下防止装置およびこれらの方法 - Google Patents

単結晶の引き上げ装置および落下防止装置およびこれらの方法

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JPH11199372A
JPH11199372A JP10498A JP10498A JPH11199372A JP H11199372 A JPH11199372 A JP H11199372A JP 10498 A JP10498 A JP 10498A JP 10498 A JP10498 A JP 10498A JP H11199372 A JPH11199372 A JP H11199372A
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crystal
seed crystal
seed
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JP10498A
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Kazuhiro Mimura
和弘 三村
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Komatsu Ltd
Original Assignee
Komatsu Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】ワイヤの伸びをバランスよく補正するための微
妙な巻き取り制御や、調心機構の追加の必要をなくする
とともに、高い建屋を必要とせず、長大で外径の大きい
ベローズを不要とすることで、コストの低減を図るとと
もに、装置のコンパクト化、建屋のコンパクト化を図
る。 【解決手段】第1の昇降手段13によって、種子結晶12を
把持する種子結晶把持部材11が、種子結晶12が融液5に
接触する融液接触位置まで下降される。そして、第1の
昇降手段13によって、種子結晶把持部材11が、少なくと
も、融液接触位置から単結晶6に被係合部8が形成される
被係合部形成位置までのストロークの間だけ上昇され
る。ここで、第2の昇降手段20によって、1本の索状体15
によって吊り下げられ、被係合部8に係合され得る係合
部材17が、被係合部形成位置まで被係合部8に係合する
よう下降される。そして、第2の昇降手段20によって、
この被係合部形成位置から単結晶6の引き上げ終了位置
までのストロークの間まで、1本の索状体15を巻き上げ
ることにより係合部材15が上昇される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、融液に種子結晶を
接触させてからこの種子結晶を融液から引き上げること
によって単結晶を成長させる際に使用される単結晶の引
き上げ装置または単結晶引き上げ時の落下を防止する落
下防止装置およびこれら引き上げ、落下防止の方法に関
する。
【0002】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】近年
の超LSIの進歩に伴い、超LSIを製造する際のコス
トダウンが要請されている。このコストダウンを実現す
るには、シリコンウエハの大口径化が不可欠である。大
口径のウエハを数多く効率よく採取するためには、半導
体シリコン単結晶を、いわゆるチョクラルスキー法(C
Z法)によって単結晶を引き上げ成長させる際に、結晶
径を太くすればするほど、長くすればするほどよいこと
がわかっている。
【0003】ただし、無転位の良質な単結晶を引き上
げ、成長させることが前提となる。
【0004】このために、通常、種子結晶から所望の結
晶径にシリコン単結晶を太らせる前に、種子結晶から成
長させた結晶の径を一度細く絞るネッキングと呼ばれる
操作が行われる。
【0005】ここで、無転位化を実現するためのネッキ
ングの太さ、つまりダッシュズネック部の太さには上限
があり、この上限の太さのダッシュズネック部の径をも
って単結晶を引き上げるには、引張り強度の点からいっ
て問題があった。
【0006】すなわち、大きな結晶径で大重量となって
いるシリコン単結晶を引き上げるときに、径が細く機械
的強度が不足しているダッシュズネック部(以下、適
宜、ネック部という)が破損してしまい、単結晶を引き
上げ、成長させるという所期の目的が達成できなくなる
虞がある。
【0007】そこで、こうした事態を回避するために、
図12に示すように、単結晶6のネック部7の下に、こ
ぶ状の部分を形成し、機械的強度として余裕のある、く
びれ形状の被係合部8を形成し、この被係合部8を、主
ワイヤ10と干渉せぬように結晶中心軸6cに対してオ
フセットして設けられた2本のワイヤ15R、15Lの
先端に設けた係合部材17の係合爪17aで係合しつ
つ、この2本のワイヤ15R、15Lを引き上げるとい
う方法が、提案されている。なお、17Eは、主ワイヤ
10を挿通させるために係合部材17Eに設けられた穴
である。
【0008】この場合、最初は、2本のワイヤ15R、
15Lは、架台3のワイヤ巻取部20によりJ1方向に
巻き上げられており、係合部材17は、炉体2内の融液
5の表面5aから離れた場所で待機している。そして、
主ワイヤ10がワイヤ巻取部13により巻き下げられる
ことで、主ワイヤ10によりシードチャック11を介し
て吊り下げられた種子結晶12が融液5に接触され、そ
の後、主ワイヤ10が巻き上げられることで、ネック部
7が形成される。ついで被係合部8が形成された時点
で、2本のワイヤ15R、15Lに吊り下げられた係合
部材17の係合爪17aが単結晶6の被係合部8に係合
されるように、2本のワイヤ15R、15LがJ2方向
に巻き下げられる。こうして係合部材17の係合爪17
aによって単結晶6が係合された後は、係合部材17に
よって単結晶6を把持しつつ、上記主ワイヤ10ととも
に2本のワイヤ15R、15LをJ1方向に上昇させ、
単結晶6を引き上げるようにしている。
【0009】このように、従来の技術にあっては、シー
ドチャック11を吊り下げた主ワイヤ10が、結晶中心
軸6cと同軸上に配置されているため、係合部材17を
吊り下げるべきワイヤとしては、主ワイヤ10との干渉
を避けるために、結晶中心軸6cに対してオフセットさ
せて2本以上(ワイヤ15R、15L)設ける必要があ
った。
【0010】しかし、こうした2本のワイヤ15R、1
5Lを用いて、被係合部8が形成された位置から単結晶
成長終了位置までの区間を、大重量となっている単結晶
6を引き上げるときには、ワイヤの巻取りの制御を微妙
に行わればならないという問題が招来する。さらに、引
き上げ時に、単結晶6の中心軸を鉛直軸に一致させるた
めに、係合部材17の傾きを修正する、いわゆる心だし
制御を行う必要があった。
【0011】すなわち、被係合部8が形成された位置か
ら単結晶成長終了位置までの区間では、引き上げられる
べき単結晶6が大重量となっているために、2本のワイ
ヤ15R、15Lが伸びてしまい、しかもこれらの伸び
量が左右のワイヤで異なってしまうことがある。
【0012】そこで、2本のワイヤの伸び量をバランス
よく補正して係合部材17が傾くことなく上昇できるよ
うに微妙な巻き取り制御を行わればならない。さらに
は、上記心だし制御を行うために、別途に調心機構を設
ける必要があった。
【0013】しかし、巻き取り制御の精度を高めたり、
別途に調心機構を設けることは、高コストを招来する。
【0014】そこで、こうしたワイヤの伸びをバランス
よく補正するための微妙な巻き取り制御や、調心機構の
追加の必要のない引上装置が、図13に示すように提案
されている。
【0015】図12と同一符号は同一のものとして適宜
説明を省略する。
【0016】図13の装置では、ワイヤ15R、15L
の代わりに、伸びの発生の問題のない剛体の昇降部材1
5´が使用される。
【0017】この剛体の昇降部材15´の上端は、架台
3に固定されており、この架台3全体を、テーブル22
を介して昇降用アクチュエータ20のロッド20aによ
り上昇または下降させることによって、係合部材17が
昇降される。
【0018】すなわち、この図13の装置では、係合部
材17を、被係合部8が形成された位置から単結晶成長
終了位置までの長い区間を移動させるために、昇降用ア
クチュエータ20のロッド20aを非常に大きく伸長さ
せて、架台3全体を非常に高い位置まで上昇させる必要
がある。
【0019】このため、引上装置自体が大型化するとと
もに、架台3が天井に届かないようにすべく高い建家を
必要とする。
【0020】さらに、炉体2に対する架台3の相対的移
動を行うために、炉体2と架台3との間に、外気と遮断
でき伸縮自在のベローズ19´を設ける必要があるが、
このベローズ19´とても、架台3全体を非常に高く上
昇させるべく、長大で、成長終了時の単結晶6の外径
(直胴部9の外径)よりも大きなものを用意しなければ
ならない。
【0021】しかし、ベローズ自体はコストは元々高
く、長大で外径の大きなベローズ19´であれば、さら
に高コストを招来することになる。
【0022】このように図13に示した引上装置を採用
したにしても、高い建屋を必要とし、長大で外径の大き
いベローズ19´を必要とするため、高コストを招来す
るともに、装置の大型化、建屋の大型化を招来してしま
うという問題があった。
【0023】本発明は、こうした実状に鑑みてなされた
ものであり、ワイヤの伸びをバランスよく補正するため
の微妙な巻き取り制御や、調心機構の追加の必要をなく
するとともに、高い建屋を必要とせず、長大で外径の大
きいベローズを不要とすることで、コストの低減を図る
とともに、装置のコンパクト化、建屋のコンパクト化を
図ることを解決課題とするものである。
【0024】
【課題を解決するための手段および効果】そこで、この
発明の第1発明では、融液に種子結晶を接触させてから
前記種子結晶を前記融液から引き上げることによって単
結晶を成長させる際に使用される単結晶の引き上げ装置
において、前記種子結晶を把持する種子結晶把持部材
を、昇降させる第1の昇降手段と、1本の索状体によっ
て吊り下げられ、前記単結晶の被係合部に係合され得る
係合部材を、前記1本の索状体を巻き上げまたは巻き下
げることにより昇降させる第2の昇降手段とを具えるよ
うにしている。
【0025】すなわち、第1発明によれば、図2、図7
に示すように、第1の昇降手段13によって、種子結晶
12を把持する種子結晶把持部材11が、種子結晶12
が融液5に接触する融液接触位置まで下降される。
【0026】そして、第1の昇降手段13によって、種
子結晶把持部材11が、図3、図8に示すように、少な
くとも、融液接触位置から単結晶6に被係合部8が形成
される被係合部形成位置までのストロークの間だけ上昇
される。
【0027】ここで、図4、図9に示すように、第2の
昇降手段20によって、1本の索状体15によって吊り
下げられ、被係合部8に係合され得る係合部材17が、
被係合部形成位置まで被係合部8に係合するよう下降さ
れる。
【0028】そして、図5、図10に示すように、第2
の昇降手段20によって、この被係合部形成位置から単
結晶6の引き上げ終了位置までのストロークの間まで、
1本の索状体15を巻き上げることにより係合部材15
が上昇される。
【0029】このように第1発明では、1本の索状体1
5によって、単結晶6の重量が大重量となる被係合部形
成位置から単結晶6の引き上げ終了位置までの区間を、
引き上げるようにしたので、従来のように、2本のワイ
ヤの伸びがばらつくというような事態は招来せず、2本
のワイヤの伸びをバランスよく補正するための微妙な巻
き取り制御が不要になるとともに、調心機構の追加も不
要となる。
【0030】しかも、このように、被係合部形成位置か
ら単結晶6の引き上げ終了位置までの長い区間を、第2
の昇降手段20(巻取部)により、1本の索状体15を
固定位置(架台3に固定)から巻き上げることにより単
結晶6を引き上げているので、従来技術(図13)のよ
うに架台3全体を非常に高く上昇させることで単結晶6
を引き上げた場合のように、引上装置自体が高くなるよ
うなことはなく、高い建屋も不要となる。そして、長大
で外径の大きいベローズも不要となる。
【0031】特に、図1に示すように、第1の昇降手段
13を、巻取部で構成した場合には、1本の索状体15
に対してオフセットされた2本のワイヤ10R、10L
で種子結晶12が引き上げられることになるが、ワイヤ
10R、10Lのみで単結晶6を引き上げている区間
は、被係合部形成位置(図3)までの区間であり、この
区間では引き上げるべき単結晶6は、未だ軽量であり、
2本のワイヤ10R、10Lの伸びがばらつくことは少
ない。よって、第1の昇降手段13について、巻き取り
制御を微妙に行うことは不要であり、調心機構の追加も
不要となる。
【0032】また、特に、図6に示すように、第1の昇
降手段13を、直動アクチュエータで構成した場合に
は、昇降部材10´で種子結晶12が引き上げられるこ
とになるが、この昇降部材10´のみで単結晶6を引き
上げている区間は、被係合部形成位置(図8)までの区
間であり、この区間は短く、この区間を移動させるに要
する直動アクチュエータ13のロッド13aのストロー
クは短くて済む。
【0033】したがって、架台3全体は上昇するもの
の、従来技術(図13)のように、単結晶6の成長が終
了するまで架台3全体を上昇させた場合ほど、引上装置
自体が高くなるようなことはなく、それ程高い建屋も不
要となる。そして、ベローズ19についても短くでき、
結果として直胴部9までベローズ19を下方に延設する
必要がなくなるので(図10)、直胴部9よりも大きい
外径にする必要はなく、ベローズのコンパクト化を図る
ことができる。
【0034】以上のように、第1発明によれば、ワイヤ
の伸びをバランスよく補正するための微妙な巻き取り制
御や、調心機構の追加の必要がなくなり、高い建屋が不
要となり、長大で外径の大きいベローズも不要となった
ので、コストが低減されるとともに、装置のコンパクト
化、建屋のコンパクト化を図ることができる。
【0035】また、第2発明では、第1発明において、
図1、図6に示すように1本の索状体15は、単結晶6
の中心軸6cと同軸上に配置される。
【0036】すなわち、第2発明によれば、1本の索状
体15の軸上に単結晶6の重心が位置されながら、単結
晶6が引き上げられるので、調心機構を要せずとも、正
確に心だし制御を行うことができる。
【0037】また、第3発明では、第1発明、第2発明
において、前記係合部材は、前記種子結晶把持部材が遊
挿され得る遊挿部を有しており、種子結晶把持部材は、
前記1本の索状体に対してオフセットされた少なくとも
2本の索状体によって吊り下げられている。
【0038】第3発明によれば、図1、図6に示すよう
に、係合部材17は、種子結晶把持部材11(21)が
遊挿され得る遊挿部17Qを有しており、種子結晶把持
部材11(21)は、1本の索状体15(結晶中心軸6
c)に対してオフセットされた少なくとも2本の索状体
10R、10L(10´R、10´L)によって吊り下
げられている。このため、種子結晶把持部材11と、係
合部材17が、昇降に際して、同一高さになったとして
も、これら両者の干渉を防止できるとともに、これらを
吊り下げている1本の索状体15と、少なくとも2本の
索状体10R、10Lとの干渉も防止することができ
る。
【0039】また、第4発明では、第1発明において、
前記第1の昇降手段は、索状体により前記種子結晶把持
部材が吊り下げられている。
【0040】第4発明によれば、図1に示すように、た
とえば1本の索状体15に対してオフセットされた2本
の索状体10R、10Lで種子結晶12が引き上げられ
る。これら2本の索状体10R、10Lのみで単結晶6
を引き上げている区間は、被係合部形成位置(図3)ま
での区間であり、この区間では引き上げるべき単結晶6
は、未だ軽量であり、2本の索状体10R、10Lの伸
びがばらつくことは少ない。よって、第1の昇降手段1
3について、巻き取り制御を微妙に行うことは不要であ
り、調心機構の追加も不要となる。
【0041】また、第5発明では、前記種子結晶把持部
材は、当該種子結晶把持部材を、分離自在に支承する昇
降部材を介して吊り下げられている。
【0042】また、第6発明では、第5発明において、
前記第1の昇降手段は、前記昇降部材を、前記種子結晶
把持部材が吊り下げられた状態で、前記種子結晶が前記
融液接触位置に達するまで下降させるとともに、この融
液接触位置から前記被係合部形成位置に達するまで上昇
させるものであり、前記第2の昇降手段は、前記係合部
材を、前記被係合部形成位置まで下降させるとともに、
この被係合部形成位置から前記単結晶の引き上げ終了位
置までの区間では、前記係合部材を、前記昇降部材から
分離された前記種子結晶把持部材とともに上昇させるも
のである。
【0043】第5発明、第6発明によれば、図6に示す
ように、種子結晶把持部材11(21)を、分離自在に
支承する昇降部材10´を介して吊り下げるようにし、
被係合部形成位置(図9)から単結晶6の引き上げ終了
位置(図10)までの区間では、第2の昇降手段20
で、係合部材17を、昇降部材10´から分離された種
子結晶把持部材11(21)とともに上昇させるように
したので、第1の昇降手段13で、昇降部材10´を引
き上げる区間は、被係合部形成位置(図8)までの区間
だけでよい。
【0044】第1の昇降手段13を、直動アクチュエー
タで構成した場合には、昇降部材10´のみで単結晶6
を引き上げている区間は、被係合部形成位置(図8)ま
での区間であり、この区間は短く、この区間を移動させ
るに要する直動アクチュエータ13のロッド13aのス
トロークは短くて済む。
【0045】したがって、架台3全体は上昇するもの
の、従来技術(図13)のように、単結晶6の成長が終
了するまで架台3全体を上昇させた場合ほど、引上装置
自体が高くなるようなことはなく、それ程高い建屋も不
要となる。そして、ベローズ19についても短くでき、
結果として直胴部9までベローズ19を下方に延設する
必要がなくなるので(図10)、直胴部9よりも大きい
外径にする必要はなく、ベローズのコンパクト化を図る
ことができる。
【0046】また、第7発明では、第5発明、第6発明
において、昇降部材10´は、剛体とされる。
【0047】このため、引き上げに際して伸びの問題が
招来せず、微妙な昇降制御が不要になるとともに、心だ
し機構の追加についても不要となる。
【0048】また、第8発明では、融液に種子結晶を接
触させてから前記種子結晶を前記融液から引き上げるこ
とによって単結晶を成長させる際に使用される単結晶の
引き上げ方法において、前記種子結晶を把持する種子結
晶把持部材を、前記種子結晶が前記融液に接触する融液
接触位置まで下降させる行程と、前記種子結晶把持部材
を、前記単結晶に被係合部が形成される被係合部形成位
置に達するまで上昇させる行程と、1本の索状体によっ
て吊り下げられ、前記被係合部に係合され得る係合部材
を、前記被係合部形成位置まで前記被係合部に係合する
よう下降させる行程と、前記係合部材を、前記被係合部
形成位置から前記単結晶の引き上げ終了位置まで、前記
1本の索状体を巻き上げることにより上昇させる行程と
を具えるようにしている。
【0049】本第8発明の方法の発明によれば、第1発
明の装置の発明と同様の効果が得られる。
【0050】また、上記第1発明〜第8発明のうち、第
5発明、第6発明、第7発明を除いた発明は、単結晶6
を索状体10R、10Lによって引き上げるときに、単
結晶6が落下してしまうことを防止するための装置、方
法に適用することができる。
【0051】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明に係
る装置、方法の実施形態について説明する。
【0052】・第1の実施形態 図1は、本実施形態の単結晶引上装置1(単結晶成長装
置)の構成を示している。図1(b)は図1(a)の矢
視A図である。なお、本実施形態では、単結晶として、
シリコン(Si)単結晶を想定している。
【0053】図1は、索状体を巻き上げることで種子結
晶を引き上げる第1の実施形態を示している。
【0054】同図1に示すように、本実施形態装置は、
大きくは、炉体2と、この炉体2に上部にある架台3と
から成っている。
【0055】炉体2内には、シリコン融液5が内部に満
たされているルツボ4が配設されている。なお、図面で
は、シリコン融液5を溶融するヒータ、ルツボ4を回転
させる機構等は省略している。そして、炉体2内は、数
10torr程度まで真空引きされており、アルゴンガスが
満たされている。このように、炉体2内は、ほぼ真空に
近く、高温の状態となっている。
【0056】この炉体2内で、単結晶6が成長される。
この単結晶6の中心軸6c(結晶中心軸)は、炉体2の
中心軸、あるいは架台3の中心軸に一致している。
【0057】この単結晶6は、索状体としての2本のワ
イヤ10R、10Lによって引き上げられ、成長され
る。なお、ワイヤ10R、10Lの代わりに他の索状
体、たとえばチェーンなどを使用してもよい。
【0058】すなわち、2本のワイヤ10R、10Lの
下端には、バー形状のシードチャック吊下げ部材21が
吊り下げられており、さらに、ワイヤないしは剛体の部
材10を介して、種子結晶12を固定保持するシードチ
ャック11が吊り下げられている。種子結晶12を引き
上げることにより単結晶6が成長される。
【0059】架台3内には、上記2本のワイヤ10R、
10Lを巻き取るワイヤ巻取部13が配設されている。
このワイヤ巻取部13により、2本のワイヤ10R、1
0Lが巻き上げられ、また巻き下げられることにより、
シードチャック11およびシードチャック吊下げ部材2
1がJ1方向に上昇され、またJ2方向に下降される。
【0060】また、架台3内には、1本の索状体として
の1本のワイヤ15を巻き取るワイヤ巻取部20が配設
されている。この1本のワイヤ15の代わりに他の索状
体、たとえばチェーンなどを使用してもよい。
【0061】この1本のワイヤ15は、結晶中心軸6c
と同軸上になるように配置されている。上述した2本の
ワイヤ10R、10Lは、1本のワイヤ15(結晶中心
軸6c)に対してオフセットされて配置されている。
【0062】上記1本のワイヤ15の下端には、単結晶
6に形成された被係合部8に係合する係合部材17が吊
り下げられている。したがって、上記ワイヤ巻取部20
により、1本のワイヤ15が巻き上げられ、また巻き下
げられることにより、係合部材17がJ1方向に上昇さ
れ、またJ2方向に下降される。
【0063】係合部材17は、コの字状のフレーム17
Fと、このフレーム17Fの下端の開口部に配設された
一対の係合爪17a、17aとから構成されている。こ
の係合爪17aは、軸17bを回転軸として、回転初期
位置から上方向(左回り)であるE方向のみに回転可能
となっており、下方向への回転を規制する回転止めが設
けられている。そして、この係合爪17aは、図4
(b)に示すように、係合部材17が下降したときに、
単結晶6の表面に沿って、E方向に回転しながら下方F
へ移動でき、被係合部8に位置されたときに、上記回転
初期位置に復帰できるような形状となっている。
【0064】したがって、係合爪17aが、単結晶6の
被係合部8に位置された状態で単結晶6が引き上げられ
ると、係合爪17aは上記回転止めによって、上記回転
初期位置に固定され、被係合部8に確実に係合されるこ
とになる。
【0065】係合部材17は、上記シードチャック11
およびシードチャック吊下げ部材21が1)が遊挿され
得る遊挿部17Qを有している。そして、図1(b)の
図1(a)の矢視A図に示すように、2本のワイヤ10
R、10Lは、係合部材17のフレーム17Fを挟むよ
うに、1本のワイヤ15に対してオフセットされて配置
されている。
【0066】このため、シードチャック11、シードチ
ャック吊下げ部材21と、係合部材17とが、昇降に際
して、同一高さになったとしても、これら両者の干渉を
防止することができるとともに、これらを吊り下げてい
る1本のワイヤ15と、2本のワイヤ10R、10Lと
の干渉についても防止することができる。
【0067】なお、シードチャック11と、シードチャ
ック吊下げ部材21とを、一体形成してもよい。つま
り、一体の種子結晶把持部材を、2本のワイヤ10R、
10Lにより昇降させてもよい。
【0068】また、図1では、2本のワイヤ10R、1
0Lによりシードチャック吊下げ部材21を昇降させる
ようにしているが、3本以上のワイヤを使用してもよ
い。
【0069】また、図1では、係合部材17を、コの字
状のフレーム17Fで構成しているが、強度を高めるた
めに、ストラットバーを設けるなどして適宜、補強を行
う実施も可能である。
【0070】また、係合部材17の形状は、任意であ
り、図11の斜視図に示すような係合部材17´を使用
する実施も可能である。
【0071】同図11に示す係合部材17´は、1本の
ワイヤ15に吊り下げられたコの字状のフレーム17C
と、このコの字状のフレーム17Cの下端に接続された
円形状のフレーム17Dとからなっており、この円形状
のフレーム17Dの内周面に、単結晶6の被係合部8を
係合する一対の係合爪17a、17aが設けられる。
【0072】円形状のフレーム17Dの開口部の直径
(一対の係合爪17a、17a間の距離)は、この開口
部を、シードチャック吊下げ部材21が挿通できるよう
に、シードチャック吊下げ部材21の長手方向の長さ以
上となっている。
【0073】なお、図1において、架台3は、図示せぬ
旋回機構によって、結晶中心軸6c回りに(旋回方向
B)、旋回されるようになっている。
【0074】したがって、かかる旋回機構が作動される
と、係合部材17、シードチャック11(種子結晶1
2)は、架台3とともに旋回される。
【0075】つぎに、かかる単結晶引上装置1で、単結
晶6を成長させる場合の処理について説明する。
【0076】・第1の行程(図2参照) まず、ワイヤ巻取部13によって、ワイヤ10R、10
Lが巻き下げられ、ワイヤ10R、10L先端のシード
チャック11に保持された種子結晶12が、融液5に接
触する位置までJ2方向に下降される。
【0077】つぎに、ワイヤ巻取部13によって、ワイ
ヤ10R、10Lが巻き上げられ、種子結晶12が、融
液5の表面5aからJ1方向に上昇される。
【0078】なお、単結晶成長開始から単結晶成長終了
まで、架台3は、図示せぬ旋回機構によって、結晶中心
軸6c回りに反時計方向Bに回転している。
【0079】したがって、ワイヤ10R、10L、ワイ
ヤ15、およびこれらに吊り下げられた単結晶6は、単
結晶成長開始から単結晶成長終了まで、同方向Bに回転
される。
【0080】こうして、まず、ネック部7が形成され
る。
【0081】・第2の行程(図3参照) ついで、このネック部7に下に、こぶ状の部分を形成す
ることで、ネック部7よりも、径が大きく機械的強度の
大きい、くびれ形状の被係合部8が形成される。
【0082】このくびれ形状の被係合部8は、くびれ部
分のうち径として最小となっている最小径部8bと、こ
の最小径部8bの上部にあるくびれ上部8aとからなっ
ている。つまり、被係合部8は、最小径部8bから上に
いくほど徐々に径が大きくなっていく逆円錐形状になっ
ている。
【0083】いま、ワイヤ巻取部20は、1本のワイヤ
15を完全に巻き上げた状態にするよう作動しており、
1本のワイヤ15に吊り下げられた係合部材17は、単
結晶6の被係合部8から離れた上方位置に待避されてい
る。
【0084】・第3の行程(図4参照) そこで、単結晶6に被係合部8が形成された時点で、ワ
イヤ巻取部20は、1本のワイヤ15を巻き下げるよう
に作動される。そして、係合部材17は、その係合爪1
7aが単結晶6の被係合部8に係合する位置まで矢印J
2方向に下降される。この下降の際に、係合部材17の
遊挿部17Qの中に、シードチャック吊下げ部材21等
が遊挿されるので、これらシードチャック吊下げ部材2
1等と、係合部材17との干渉が防止される。また、2
本のワイヤ10R、10Lは、係合部材17のフレーム
17Fを挟むように、1本のワイヤ15に対してオフセ
ットされて配置されているので、これらワイヤ同士が絡
まる等の干渉についても防止される。
【0085】図4(b)は、係合部材17の係合爪17
aが、単結晶6の被係合部8に係合する様子を示す図で
ある。
【0086】同図4(b)に示すように、係合部材17
の下降に伴い、係合爪17aは、単結晶6の表面に沿っ
て、E方向に回転しながら下方Fへ移動される。そし
て、被係合部8の最小径部8bに位置されたときに、係
合爪17aは回転初期位置に復帰される。
【0087】・第4の行程(図5参照) こうして係合部材17の係合爪17aが、単結晶6の被
係合部8に位置された時点で、ワイヤ巻取部20は、1
本のワイヤ15を巻き上げるように作動される。
【0088】このとき、1本のワイヤ15は、ワイヤ巻
取部13による2本のワイヤ10R、10Lの巻き上げ
動作に同期して、上昇される。このため、係合部材17
は、シードチャック11に同期して矢印J1方向に上昇
される。
【0089】こうして係合爪17aが単結晶6の被係合
部8の最小径部8bに位置された状態から、係合部材1
7が上昇されると、やがて係合爪17aは最小径部8b
よりも上部のくびれ上部8aで、上記回転止めによっ
て、上記回転初期位置に固定される。つまり、係合爪1
7aは被係合部8に確実に係合される。
【0090】したがって、係合部材17の係合爪17a
が被係合部8に確実に係合された状態で、単結晶6を引
き上げることができる。
【0091】このように係合部材17が、機械的強度の
大きいくびれ形状の被係合部8に係合して、単結晶6が
引き上げられるので、単結晶6のネック部7で破損を生
じさせることなく、単結晶6を成長させることができ
る。
【0092】なお、上記くびれ形状の被係合部8の形成
についで、肩付けがなされ、直胴部9が形成される。や
がて、テール部絞りが行われ、単結晶6の引き上げ処理
が終了する(単結晶成長が終了する)。
【0093】以上のように本第1の実施形態によれば、
1本のワイヤ15によって、単結晶6の重量が大重量と
なる被係合部形成位置(図4参照)から単結晶6の引き
上げ終了位置(図5参照:なお、図5では単結晶の直胴
部形成時点までを示している)までの区間を、引き上げ
るようにしたので、図12に示す従来技術のように、2
本のワイヤの伸びがばらつくというような事態は招来せ
ず、2本のワイヤの伸びをバランスよく補正するための
微妙な巻き取り制御が不要になるとともに、調心機構の
追加も不要となる。
【0094】特に、第1の実施形態では、1本のワイヤ
15は、単結晶6の中心軸6cと同軸上に配置されてお
り、1本のワイヤ15の軸上に単結晶6の重心が位置さ
れながら、単結晶6が引き上げられるので、調心機構を
要せずとも、正確に心だし制御を行うことができる。
【0095】しかも、このように、被係合部形成位置か
ら単結晶6の引き上げ終了位置までの長い区間を、ワイ
ヤ巻取部20により、1本のワイヤ15を架台3の固定
位置から巻き上げることにより単結晶6を引き上げてい
るので、図13に示す従来技術のように架台3全体を非
常に高く上昇させることで単結晶6を引き上げた場合の
ように、引上装置1自体が高くなるようなことはなく、
高い建屋も不要となる。そして、長大で外径の大きいベ
ローズも不要となる。
【0096】ただし、シードチャック11(種子結晶1
2)については、2本のワイヤ10R、10Lで引き上
げられているが、2本のワイヤ10R、10Lのみで単
結晶6を引き上げている区間は、被係合部形成位置(図
3)までの区間であり、この区間では引き上げるべき単
結晶6は、未だ軽量であり、2本のワイヤ10R、10
Lの伸びがばらつくことは少ない。よって、ワイヤ巻取
部13について、巻き取り制御を微妙に行うことは不要
であり、調心機構の追加も不要となる。
【0097】以上のように、この第1の実施形態によれ
ば、ワイヤの伸びをバランスよく補正するための微妙な
巻き取り制御や、調心機構の追加の必要がなくなり、高
い建屋が不要となり、長大で外径の大きいベローズも不
要となったので、コストが低減されるとともに、装置の
コンパクト化、建屋のコンパクト化を図ることができ
る。
【0098】・第2の実施形態 さて、上述した第1の実施形態では、索状体10R、1
0Lを巻き上げることで種子結晶12を引き上げるよう
にしているが、直動アクチュエータの伸縮に応じて種子
結晶12を引き上げる実施も可能である。
【0099】図6は、種子結晶12を引き上げるアクチ
ュエータとして、直動アクチュエータ13が使用される
第2の実施形態を説明する図である。
【0100】図1に示す単結晶引上装置1と同一符号の
ものは、同一の機能のものであるとして適宜、説明を省
略する。
【0101】図6に示すように、本第2の実施形態装置
は、大きくは、炉体2と、この炉体2に対して相対的に
上下方向位置が変化し得る架台3とから成っている。
【0102】架台3は、伸縮自在のベローズ19を介し
て炉体2に連結されている。このベローズ19は、炉体
2内を外気と遮断するために設けられている。
【0103】架台3は、磁気シール18を介して炉体2
に対して上下方向(J1、J2方向)に移動自在に、また
結晶中心軸6c回りに旋回自在に(旋回方向B)に、配
設されている。
【0104】直動アクチュエータたる昇降用アクチュエ
ータ13は、シードチャック11およびこれに固定保持
された種子結晶12を、上記架台3とともに、J1方向
に上昇させ、またJ2方向に下降させるためのアクチュ
エータである。
【0105】すなわち、昇降用アクチュエータ13のロ
ッド13a先端は、テーブル22に接続されている。架
台3は、このテーブル22に対して、図示せぬ旋回機構
によって、結晶中心軸6c回りに(旋回方向B)、旋回
されるようになっている。
【0106】架台3の固定位置からは、剛体である昇降
部材10´が吊り下げられている。そして、この昇降部
材10´によって、上方向に分離自在にシードチャック
吊下げ部材21が支承されており、このシードチャック
吊下げ部材21に、剛体の部材10Tを介して、種子結
晶12を固定保持したシードチャック11が吊り下げら
れている。したがって、上記架台3を旋回させる旋回機
構が作動されると、シードチャック11(種子結晶1
2)が、架台3とともにB方向に旋回される(係合部材
17についても旋回される)。
【0107】そして、上記昇降用アクチュエータ13の
ロッド13aが伸長され、また縮退されるに応じて、シ
ードチャック11(種子結晶12)がJ1方向に上昇さ
れ、またJ2方向に下降される。
【0108】つぎに、かかる単結晶引上装置1で、単結
晶6を成長させる場合の処理について説明する。
【0109】・第1の行程(図7参照) まず、昇降用アクチュエータ13のロッド13aが縮退
されることによって、昇降部材10´が下降され、これ
に伴い昇降部材10´下端のシードチャック11に保持
された種子結晶12が、融液5に接触する位置までJ2
方向に下降される。
【0110】つぎに、昇降用アクチュエータ13のロッ
ド13aが伸長されることによって、昇降部材10´が
上昇され、これに伴い種子結晶12が、融液5の表面5
aからJ1方向に上昇される。
【0111】なお、単結晶成長開始から単結晶成長終了
まで、架台3は、図示せぬ旋回機構によって、結晶中心
軸6c回りに反時計方向Bに回転している。
【0112】したがって、昇降部材10´、1本のワイ
ヤ15、およびこれらに吊り下げられた単結晶6は、単
結晶成長開始から単結晶成長終了まで、同方向Bに回転
される。
【0113】こうして、まず、ネック部7が形成され
る。
【0114】・第2の行程(図8参照) ついで、このネック部7の下に、こぶ状の部分を形成す
ることで、ネック部7よりも、径が大きく機械的強度の
大きい、くびれ形状の被係合部8が形成される。
【0115】このくびれ形状の被係合部8は、くびれ部
分のうち径として最小となっている最小径部8bと、こ
の最小径部8bの上部にあるくびれ上部8aとからなっ
ている。つまり、被係合部8は、最小径部8bから上に
いくほど徐々に径が大きくなっていく逆円錐形状になっ
ている。
【0116】いま、ワイヤ巻取部20は、1本のワイヤ
15を完全に巻き上げた状態にするよう作動しており、
1本のワイヤ15に吊り下げられた係合部材17は、単
結晶6の被係合部8から離れた上方位置に待避されてい
る。
【0117】・第3の行程(図9参照) そこで、単結晶6に被係合部8が形成された時点で、ワ
イヤ巻取部20は、1本のワイヤ15を巻き下げるよう
に作動される。そして、係合部材17は、その係合爪1
7aが単結晶6の被係合部8に係合する位置まで矢印J
2方向に下降される。この下降の際に、係合部材17の
遊挿部17Qの中に、シードチャック吊下げ部材21等
が遊挿されるので、これらシードチャック吊下げ部材2
1等と、係合部材17との干渉が防止される。また、昇
降部材10´を構成する2本の線状の部材10´R、1
0´Lは、係合部材17のフレーム17Fを挟むよう
に、1本のワイヤ15に対してオフセットされて配置さ
れているので、これらワイヤ15と2本の線状の部材1
0´R、10´Lとの干渉についても防止される。
【0118】係合部材17の係合爪17aは、第1の実
施形態と同様に図4(b)に示すごとく単結晶6の被係
合部8に係合される。
【0119】・第4の行程(図10参照) こうして係合部材17の係合爪17aが、単結晶6の被
係合部8に位置された時点で、ワイヤ巻取部20は、1
本のワイヤ15を巻き上げるように作動される。
【0120】このため、係合部材17は、矢印J1方向
に上昇される。
【0121】こうして係合爪17aが単結晶6の被係合
部8の最小径部8bに位置された状態から、係合部材1
7が上昇されると、やがて係合爪17aは最小径部8b
よりも上部のくびれ上部8aで、上記回転止めによっ
て、上記回転初期位置に固定される。つまり、係合爪1
7aは被係合部8に確実に係合される。
【0122】したがって、係合部材17の係合爪17a
が被係合部8に確実に係合された状態で、単結晶6を引
き上げることが可能となる。
【0123】この第2の実施形態では、第1の実施例と
異なり、以降は1本のワイヤ15を上昇させるだけで、
単結晶6が引き上げられる。
【0124】すなわち、シードチャック吊下げ部材21
は、上方向に分離自在に昇降部材10´によって吊り下
げられているので、係合部材17の上昇に伴い、昇降部
材10´から上方向にシードチャック吊下げ部材21が
分離され、係合部材17は、この分離したシードチャッ
ク吊下げ部材21(シードチャック11、種子結晶1
2)とともに上昇される。
【0125】こうして、係合部材17が、機械的強度の
大きいくびれ形状の被係合部8に係合しながら単結晶6
が引き上げられるので、単結晶6のネック部7で破損を
生じさせることなく、単結晶6を成長させることができ
る。
【0126】なお、上記くびれ形状の被係合部8の形成
についで、肩付けがなされ、直胴部9が形成される。や
がて、テール部絞りが行われ、単結晶6の引き上げ処理
が終了する(単結晶成長が終了する)。
【0127】以上のように本第2の実施形態によれば、
第1の実施形態と同様に、1本のワイヤ15によって、
単結晶6の重量が大重量となる被係合部形成位置(図9
参照)から単結晶6の引き上げ終了位置(図10参照)
までの区間を、引き上げるようにしたので、図12に示
す従来技術のように、2本のワイヤの伸びがばらつくと
いうような事態は招来せず、2本のワイヤの伸びをバラ
ンスよく補正するための微妙な巻き取り制御が不要にな
るとともに、調心機構の追加も不要となる。
【0128】特に、第2の実施形態では、1本のワイヤ
15は、単結晶6の中心軸6cと同軸上に配置されてお
り、1本のワイヤ15の軸上に単結晶6の重心が位置さ
れながら、単結晶6が引き上げられるので、調心機構を
要せずとも、正確に心だし制御を行うことができる。
【0129】しかも、このように、被係合部形成位置か
ら単結晶6の引き上げ終了位置までの長い区間を、ワイ
ヤ巻取部20により、1本のワイヤ15を架台3の固定
位置から巻き上げることにより単結晶6を引き上げてい
るので、図13に示す従来技術のように架台3全体を非
常に高く上昇させることで単結晶6を引き上げた場合の
ように、引上装置1自体が高くなるようなことはなく、
高い建屋も不要となる。そして、長大で外径の大きいベ
ローズも不要となる。
【0130】本第2の実施形態では、シードチャック吊
下げ部材21を、上方向に分離自在に支承する昇降部材
10´を介して吊り下げるようにし、被係合部形成位置
(図9)から単結晶6の引き上げ終了位置(図10)ま
での区間では、1本のワイヤ15を巻き上げ、係合部材
17を、昇降部材10´から分離されたシードチャック
吊下げ部材21とともに上昇させるようにしたので、直
動アクチュエータ13を作動させて、昇降部材10´を
引き上げる区間は、被係合部形成位置(図8)までの区
間だけでよい。
【0131】つまり、昇降部材10´を上昇させて単結
晶6を引き上げている区間は、被係合部形成位置(図
8)までの区間であり、この区間は短く、この区間を移
動させるに要する直動アクチュエータ13のロッド13
aのストロークは短くて済む。
【0132】したがって、この区間では、架台3全体は
上昇するものの、従来技術(図13)のように、単結晶
6の成長が終了するまで架台3全体を上昇させた場合ほ
ど、引上装置自体が高くなるようなことはなく、それ程
高い建屋も不要となる。そして、ベローズ19について
も短くでき、結果として直胴部9までベローズ19を下
方に延設する必要がなくなるので(図10)、直胴部9
よりも大きい外径にする必要はなく、ベローズのコンパ
クト化を図ることができる。
【0133】とりわけ、昇降部材10´を、剛体とした
場合には、引き上げに際して伸びの問題が招来せず、微
妙な昇降制御が不要になるとともに、心だし機構の追加
についても不要となるという効果が得られる。なお、昇
降部材10´としては、剛体以外のものであってもよ
い。
【0134】以上のように、この第2の実施形態によれ
ば、ワイヤの伸びをバランスよく補正するための微妙な
巻き取り制御や、調心機構の追加の必要がなくなり、高
い建屋が不要となり、長大で外径の大きいベローズも不
要となったので、コストが低減されるとともに、装置の
コンパクト化、建屋のコンパクト化を図ることができ
る。
【0135】なお、第1の実施形態では、2本のワイヤ
10R、10Lにより種子結晶12を引き上げるように
しているが、動滑車を介して1本のワイヤ10により種
子結晶12を引き上げるようにしてもよい。
【0136】図14は、1本のワイヤ10(索状体1
0)で種子結晶12を引き上げる第3の実施形態を例示
したものである。第1の実施形態と共通する構成要素に
ついては同一符号を付与してあり、これらについての説
明は省略する。
【0137】同図14に示すように、種子結晶12を固
定保持するシードチャック11が固定された軸受け31
には、動滑車30が軸31aを回転軸として回動自在に
支承されている(図14(a)の矢視C図を示す図14
(c)参照)。動滑車30には1本のワイヤ10が懸架
されており、このワイヤ10の一端は、ワイヤ巻取部1
3により巻き取られるようになっている。ワイヤ10の
他端は、架台3の所定箇所に固定されている。
【0138】ここで、図14(a)の矢視A図を示す図
14(b)に示すように、動滑車30を懸架したワイヤ
10の両端10-1、10-2は、係合部材17のフレーム
17Fを挟むように、1本のワイヤ15に対してオフセ
ットされて配置されている。
【0139】このようにして、ワイヤ巻取部13により
ワイヤ10が巻き上げられまた巻き下げられることによ
り、シードチャック11に固定保持された種子結晶12
が上昇または下降される。
【0140】この場合、動滑車30を用いて昇降される
ので、ワイヤ巻取部13によるワイヤ10の上昇ストロ
ーク(下降ストローク)に対して、シードチャック11
および種子結晶12の上昇ストローク(下降ストロー
ク)は、その半分となる(分解能が2倍になる)。この
結果、単結晶6の引き上げ制御の精度、具体的にはワイ
ヤ巻取部13の巻取り制御の精度が第1の実施形態の装
置よりも向上することになる。
【0141】また、第1の実施形態のように、2本のワ
イヤ10R、10Lのそれぞれを巻き取ることはせずに
1本のワイヤ10を巻き取るようにしているので、2本
のワイヤの伸びがばらつくということもなく、さらに制
御の精度が向上する。
【0142】また、動滑車30の回動に伴う発塵が単結
晶6の品質に及ぼす影響を最小に抑えるべく、動滑車3
0全体をカバー32にて覆うようにしてもよい。
【0143】なお、第1の実施形態、第3の実施形態で
は、1本のワイヤ15に吊り下げられた係合部材17に
積極的に単結晶6を係合させて、2本のワイヤ10R、
10L(あるいは1本のワイヤ10)よりも1本のワイ
ヤ15を主として引き上げる場合を想定したが、本発明
としては、2本のワイヤ10R、10L(あるいは1本
のワイヤ10)を主として単結晶6を引き上げる際に、
単結晶6が落下してしまうことを防止するために、1本
のワイヤ15を使用してもよい。
【0144】すなわち、これを第1の実施形態において
説明すれば、単結晶6は、2本のワイヤ10R、10L
により吊り下げらており、これら2本のワイヤ10R、
10Lを巻き上げることによって、引き上げられる。こ
の引き上げ中に、たとえば、単結晶6のネック部7が破
損したとしても、そのネック部7よりも下部の被係合部
8を係合し得る位置に、係合部材17の係合爪17aが
位置されているので、ネック部7よりも下の部分が落下
するようなことはなく、単結晶6の被係合部8に、係合
部材17の係合爪17aが確実に係合されたまま引き上
げを継続することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は本発明の第1の実施形態の単結晶引上装
置の構成を示す図である。
【図2】図2は第1の実施形態の第1の行程を示す図で
ある。
【図3】図3は第1の実施形態の第2の行程を示す図で
ある。
【図4】図4は第1の実施形態の第3の行程を示す図で
ある。
【図5】図5は第1の実施形態の第4の行程を示す図で
ある。
【図6】図6は本発明の第2の実施形態の単結晶引上装
置の構成を示す図である。
【図7】図7は第2の実施形態の第1の行程を示す図で
ある。
【図8】図8は第2の実施形態の第2の行程を示す図で
ある。
【図9】図9は第2の実施形態の第3の行程を示す図で
ある。
【図10】図10は第2の実施形態の第4の行程を示す
図である。
【図11】図11は係合部材の変形例を示す斜視図であ
る。
【図12】図12は従来の単結晶引上装置の構成を示す
図である。
【図13】図13は図12とは異なる従来の単結晶引上
装置の構成を示す図である。
【図14】図14は本発明の第3の実施形態の単結晶引
上装置の構成を示す図である。
【符号の説明】
5 融液 5a 融液表面 6 単結晶 6c 結晶中心軸 8 被係合部 10R、10L ワイヤ 10´ 昇降部材 11 シードチャック 12 種子結晶 13 ワイヤ巻取部 15 1本のワイヤ(1本の索状体) 17 係合部材 17a 係合爪 20 昇降用アクチュエータ(ワイヤ巻取部) 21 シードチャック吊下げ部材

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 融液に種子結晶を接触させてから前
    記種子結晶を前記融液から引き上げることによって単結
    晶を成長させる際に使用される単結晶の引き上げ装置に
    おいて、 前記種子結晶を把持する種子結晶把持部材を、昇降させ
    る第1の昇降手段と、 1本の索状体によって吊り下げられ、前記単結晶の被係
    合部に係合され得る係合部材を、前記1本の索状体を巻
    き上げまたは巻き下げることにより昇降させる第2の昇
    降手段とを具えた単結晶の引き上げ装置。
  2. 【請求項2】 前記1本の索状体は、前記単結晶の
    中心軸と同軸上に配置されている請求項1記載の単結晶
    の引き上げ装置。
  3. 【請求項3】 前記係合部材は、前記種子結晶把持
    部材が遊挿され得る遊挿部を有しており、前記種子結晶
    把持部材は、前記1本の索状体に対してオフセットされ
    た少なくとも2本の索状体によって吊り下げられている
    請求項1または2記載の単結晶の引き上げ装置。
  4. 【請求項4】 前記第1の昇降手段は、索状体によ
    り前記種子結晶把持部材が吊り下げられている請求項1
    記載の単結晶の引き上げ装置。
  5. 【請求項5】 前記種子結晶把持部材は、当該種子
    結晶把持部材を、分離自在に支承する昇降部材を介して
    吊り下げられている請求項1記載の単結晶の引き上げ装
    置。
  6. 【請求項6】 前記第1の昇降手段は、前記昇降部
    材を、前記種子結晶把持部材が吊り下げられた状態で、
    前記種子結晶が前記融液に接触する融液接触位置に達す
    るまで下降させるとともに、この融液接触位置から前記
    単結晶に被係合部が形成される被係合部形成位置に達す
    るまで上昇させるものであり、 前記第2の昇降手段は、前記係合部材を、前記被係合部
    形成位置まで下降させるとともに、この被係合部形成位
    置から前記単結晶の引き上げ終了位置までの区間では、
    前記係合部材を、前記昇降部材から分離された前記種子
    結晶把持部材とともに上昇させるものである、 請求項5記載の単結晶の引き上げ装置。
  7. 【請求項7】 前記昇降部材は、剛体である請求項5
    または請求項6記載の単結晶の引き上げ装置。
  8. 【請求項8】 融液に種子結晶を接触させてから前
    記種子結晶を前記融液から引き上げることによって単結
    晶を成長させる際に使用される単結晶の引き上げ方法に
    おいて、 前記種子結晶を把持する種子結晶把持部材を、前記種子
    結晶が前記融液に接触する融液接触位置まで下降させる
    行程と、 前記種子結晶把持部材を、前記単結晶に被係合部が形成
    される被係合部形成位置に達するまで上昇させる行程
    と、 1本の索状体によって吊り下げられ、前記被係合部に係
    合され得る係合部材を、前記被係合部形成位置まで前記
    被係合部に係合するよう下降させる行程と、 前記係合部材を、前記被係合部形成位置から前記単結晶
    の引き上げ終了位置まで、前記1本の索状体を巻き上げ
    ることにより上昇させる行程とを具えた単結晶の引き上
    げ方法。
  9. 【請求項9】 融液に種子結晶を接触させてから前
    記種子結晶を前記融液から引き上げることによって単結
    晶を成長させる際に、当該単結晶の落下を防止する単結
    晶の落下防止装置において、 前記種子結晶を把持する種子結晶把持部材を、昇降させ
    る第1の昇降手段と、 1本の索状体によって吊り下げられ、前記単結晶の被係
    合部に係合され得る係合部材を、前記1本の索状体を巻
    き上げまたは巻き下げることにより昇降させる第2の昇
    降手段とを具えた単結晶の落下防止装置。
  10. 【請求項10】 前記1本の索状体は、前記単結晶
    の中心軸と同軸上に配置されている請求項9記載の単結
    晶の落下防止装置。
  11. 【請求項11】 前記係合部材は、前記種子結晶把
    持部材が遊挿され得る遊挿部を有しており、前記種子結
    晶把持部材は、前記1本の索状体に対してオフセットさ
    れた少なくとも2本の索状体によって吊り下げられてい
    る請求項9または10記載の単結晶の落下防止装置。
  12. 【請求項12】 前記第1の昇降手段は、索状体に
    より前記種子結晶把持部材が吊り下げられている請求項
    9記載の単結晶の落下防止装置。
  13. 【請求項13】 融液に種子結晶を接触させてから
    前記種子結晶を前記融液から引き上げることによって単
    結晶を成長させる際に、当該単結晶の落下を防止する単
    結晶の落下防止方法において、 前記種子結晶を把持する種子結晶把持部材を、前記種子
    結晶が前記融液に接触する融液接触位置まで下降させる
    行程と、 前記種子結晶把持部材を、前記単結晶に被係合部が形成
    される被係合部形成位置に達するまで上昇させる行程
    と、 1本の索状体によって吊り下げられ、前記被係合部に係
    合され得る係合部材を、前記被係合部形成位置まで前記
    被係合部に係合され得るよう下降させる行程と、 前記係合部材を、前記被係合部形成位置から前記単結晶
    の引き上げ終了位置まで、前記1本の索状体を巻き上げ
    ることにより上昇させるとともに、前記種子結晶把持部
    材を、前記1本の索状体の巻き上げに同期させつつ前記
    単結晶の引き上げ終了位置まで上昇させる行程とを具え
    た単結晶の落下防止方法。
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