JPH11195513A - Laser trimmed resistor device and production thereof - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a higher resistance by reducing the width of a conductive passage specifically through laser trimming of a resistance element. SOLUTION: A laser trimmed resistor 320 comprises two copper contacts 322 and a laser trimmed resistance element 324. The element 324 is formed by subjecting a resistance material to laser trimming 326 several times. Residual resistance material 328 is isolated from an electric passage between the contacts 322. Since the resistance depends on the size and profile of the element 324, a high resistance is attained. When an untrimmed resistance element of 400 μm width is provided, a conductive passage of 10-100 μm wide is formed, and that width corresponds to 2.5-25% that of the untrimmed resistance element. A resistance element which is as narrow in conductive passage as 200 μm corresponds to 5-50% that of the untrimmed resistance element.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザーを用いて
抵抗体を形状加工し、基材上に形成された抵抗体に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resistor formed on a substrate by forming a resistor using a laser.

【０００２】[0002]

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】プリン
ト配線ボード用途の抵抗体は、一般に、標準的なフォト
リソグラフィープロセス又は標準的なスクリーン印刷プ
ロセスを用いて形成される。フォトリソグラフィーの抵
抗体形成プロセスにおいては、抵抗材料が誘電体の上に
堆積される。フォトレジスト層が抵抗材料を覆ってプリ
ントされ、不要な抵抗材料がエッチング除去される。残
存する抵抗材料が、プリント配線ボードの上に抵抗体を
形成する。スクリーン印刷プロセスにおいては、抵抗ペ
ーストが誘電体の上に印刷され、所望の抵抗体を直接形
成する。BACKGROUND OF THE INVENTION Resistors for printed wiring board applications are typically formed using a standard photolithography process or a standard screen printing process. In a photolithographic resistor formation process, a resistive material is deposited over a dielectric. A photoresist layer is printed over the resistive material and the unwanted resistive material is etched away. The remaining resistive material forms a resistor on the printed wiring board. In a screen printing process, a resistive paste is printed on the dielectric to directly form the desired resistive element.

【０００３】これらの通常のプロセスによって形成され
る抵抗体の最小限の物理的サイズは、多くは、フォトリ
ソグラフィー／エッチングとスクリーン印刷のプロセス
の能力によって制限される。一般に、これらのプロセス
は、幅又は長さが約４００μｍより小さい抵抗体を信頼
性よく形成することができない。このようなサイズの抵
抗体は、ある最大限の抵抗を有する。より高い抵抗値を
形成するため、抵抗体はより一層長くされる必要があ
り、このため、プリント配線ボードの大きい面積を無駄
に使う。[0003] The minimum physical size of resistors formed by these conventional processes is often limited by the capabilities of photolithography / etching and screen printing processes. In general, these processes do not reliably form resistors having a width or length less than about 400 μm. A resistor of such a size has a certain maximum resistance. In order to produce higher resistance values, the resistors need to be made longer, which wastes a large area of the printed wiring board.

【０００４】従来技術の抵抗体形成プロセスによって得
られる抵抗体が図１に略図で示されており、代表的な従
来技術の抵抗体100 が示されている。従来技術におい
て、抵抗体100 は、一般に銅またはその他の導電性材料
からなる２つの接点102 と、抵抗エレメント104 を備え
る。接点102 と抵抗エレメント104 は、フォトリソグラ
フィーまたはスクリーン印刷のプロセスによって形成さ
れる。一般に、長さ５０００μｍと幅４００μｍの抵抗
体が信頼性よく形成されることができる。このような抵
抗体は、一般に、１０〜１５％の抵抗の変動を有する。
このレベルの抵抗の変動は、多くの用途にとって大き過
ぎる。この抵抗の変動は、各抵抗体の抵抗値をレーザー
トリミングすることによって低下させることができる。
抵抗体をレーザートリミングするため、オーム計106 が
抵抗体100 を渡って接続され、抵抗エレメント104 に１
つ以上のレーザーカット108 が入れられる。レーザーカ
ットがなされると、抵抗体の抵抗値が変化し、オーム計
106 に表示される。所望の変動の中の抵抗体値が得られ
ると、レーザーカットが停止される。もう１つの代表的
な従来技術のレーザートリミングされた抵抗体が、図２
に略図で示されている。A resistor obtained by the prior art resistor formation process is schematically illustrated in FIG. 1, and a typical prior art resistor 100 is shown. In the prior art, the resistor 100 comprises two contacts 102, typically of copper or other conductive material, and a resistive element 104. Contacts 102 and resistive elements 104 are formed by a photolithographic or screen printing process. Generally, a resistor having a length of 5000 μm and a width of 400 μm can be formed with high reliability. Such resistors typically have a resistance variation of 10-15%.
This level of resistance variation is too large for many applications. This variation in resistance can be reduced by laser trimming the resistance value of each resistor.
To laser trim the resistor, an ohmmeter 106 is connected across resistor 100 and one
One or more laser cuts 108 are inserted. When laser cutting is performed, the resistance of the resistor changes and the ohmmeter
Displayed at 106. When the resistor value within the desired variation is obtained, the laser cut is stopped. Another exemplary prior art laser trimmed resistor is shown in FIG.
Is shown schematically.

【０００５】従来技術において、抵抗エレメント104 の
全寸法が、フォトリソグラフィー又はスクリーン印刷の
プロセスを用いて形成される。レーザートリミングは、
抵抗体の基本的寸法は変化させないが、その他の方法で
可能であろうよりも小さい変動に抵抗値が調節されるの
を可能にするに過ぎない。これらの通常のプロセスによ
って形成される抵抗体の最小の物理的サイズは、多く
は、フォトリソグラフィー／エッチングとスクリーン印
刷のプロセスの能力によって制限される。一般に、これ
らのプロセスは、幅又は長さが約４００μｍより小さい
抵抗体を信頼性よく形成することができない。このよう
なサイズの抵抗体は、ある最大の抵抗を有する。より高
い抵抗値を形成するため、抵抗体はより一層長くされる
必要があり、このため、プリント配線ボードの大きい面
積を無駄に使う。[0005] In the prior art, the overall dimensions of resistive element 104 are formed using a photolithographic or screen printing process. Laser trimming is
The basic dimensions of the resistor do not change, but only allow the resistance to be adjusted to smaller variations than would otherwise be possible. The minimum physical size of resistors formed by these conventional processes is often limited by the capabilities of photolithography / etching and screen printing processes. In general, these processes do not reliably form resistors having a width or length less than about 400 μm. A resistor of such size has a certain maximum resistance. In order to produce higher resistance values, the resistors need to be made longer, which wastes a large area of the printed wiring board.

【０００６】薄膜抵抗体の抵抗は、次の式によって与え
られる。 Ｒ＝Ｒ_S Ｎ ここで、Ｒ＝抵抗値（Ω） Ｒ_S ＝抵抗材料によるシート抵抗（Ω／正方形） Ｎ＝正方形の数 Ｎ＝Ｌ／Ｗ ここで、Ｌ＝抵抗体の長さ Ｗ＝抵抗体の幅 ゆえに、Ｒ＝Ｒ_S Ｌ／Ｗ 長さ５０００μｍ×幅４００μｍの通常の抵抗体は、１
００Ω／方形の標準的な抵抗材料を使用する。抵抗体の
得られる抵抗値は１２５０Ωである。抵抗体の幅を２０
０μｍまで小さくしても、抵抗体の値はわずか２５００
Ωであろう。従来技術において、より高い抵抗値を与え
ることは、抵抗体の長さの増加を必要とする。また、従
来技術において、２００μｍのような狭い抵抗体は、信
頼性よく製造することが困難でコストが高い。[0006] The resistance of a thin film resistor is given by the following equation: R = R _S N where R = resistance value (Ω) R _S = sheet resistance by resistance material (Ω / square) N = number of squares N = L / W where L = length of resistor W = R = R _S L / W Therefore, a typical resistor having a length of 5000 μm × a width of 400 μm has a width of 1 μm.
A standard resistance material of 00Ω / square is used. The obtained resistance value of the resistor is 1250Ω. Set the resistor width to 20
Even down to 0 μm, the value of the resistor is only 2500
Ω. In the prior art, providing a higher resistance value requires increasing the length of the resistor. Further, in the prior art, a resistor as narrow as 200 μm is difficult to manufacture with high reliability and is expensive.

【０００７】トリミングカットを用いて抵抗値を大きく
高めることは可能であろうが、そのようにすることは実
用的ではない。レーザートリミングカット（図１に示さ
れたようなカット108 ）がなされる場合、抵抗エレメン
トのカットの端と反対側の間にチョーク箇所110 が形成
される。高められた抵抗値は、主として、このチョーク
箇所の小さくされた導電性経路の幅による。抵抗値が大
きく高められる場合、チョーク箇所は大きな付加的抵抗
を提供しなければならず、このことは、抵抗体によって
消費される電力の殆どが、このチョーク箇所によって消
費されることに帰結する。一般的なレーザーカットは約
１０μｍの幅に過ぎないため、チョーク箇所は約１０μ
ｍの長さに過ぎないであろう。このようなチョーク箇所
は、非常に小さな面積を有し、一般に、抵抗体の定格電
力の消費を担うことができず、抵抗体の損傷をもたら
す。また、このチョーク箇所は比較的狭く形成されるた
め、抵抗が急速に高くなる。非常に狭いチョーク箇所
は、乏しい抵抗公差をもたらすであろう。Although it would be possible to greatly increase the resistance value by using a trimming cut, it is not practical to do so. When a laser trimming cut (cut 108 as shown in FIG. 1) is made, a choke location 110 is formed between the end of the resistive element and the opposite end. The increased resistance is mainly due to the reduced width of the conductive path at this choke point. If the resistance is greatly increased, the choke point must provide a large additional resistance, which results in that most of the power consumed by the resistor is consumed by this choke point. A typical laser cut is only about 10μm wide, so the choke is about 10μm.
m. Such choke points have a very small area and generally cannot contribute to the rated power consumption of the resistor, resulting in damage to the resistor. Further, since the choke portion is formed relatively narrow, the resistance rapidly increases. Very narrow choke locations will result in poor resistance tolerances.

【０００８】プリント配線ボード上に抵抗体が形成され
ることができ、小さいサイズでありながらも高い抵抗値
であることができる抵抗体を提供するプロセスに対し、
ニーズが高まっている。A process for providing a resistor that can be formed on a printed wiring board and that can have a high resistance value while being small in size.
Needs are growing.

【０００９】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明は、高い抵抗値と
小さいサイズを有する１つの抵抗体と複数の抵抗体の形
成プロセス、及びそれによって得られた抵抗体に関す
る。所与の抵抗値について、本発明によって形成された
抵抗体は、プリント回路ボード上に比較的小さいスペー
スを占め、このような抵抗体又はその他の構成部分の数
が増加されることを可能にする。同様に、所与の大きさ
のスペースについて、より高い抵抗値を有する抵抗体が
形成されることができ、より高い抵抗値を必要とする回
路が、より容易に且つ安価に構成されることを可能にす
る。また、より高い最大抵抗値は、回路パラメーターが
より大きい範囲にわたって調節されることを可能にす
る。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to a process for forming one resistor and a plurality of resistors having a high resistance value and a small size, and a resistor obtained by the process. For a given resistance value, the resistor formed according to the present invention occupies relatively little space on the printed circuit board, allowing the number of such resistors or other components to be increased. . Similarly, for a given amount of space, a resistor having a higher resistance can be formed, and a circuit requiring a higher resistance can be configured more easily and cheaply. to enable. Also, a higher maximum resistance value allows the circuit parameters to be adjusted over a larger range.

【００１０】本発明の１つの局面によると、ある長さと
幅を有する形状加工前の抵抗エレメントを備え、ベース
誘電体の上に配置された形状加工前(undimensioned) の
抵抗体を提供することによって、抵抗体が形成される。
その形状加工前の抵抗エレメントの幅の２．５％〜５０
％の導電性経路の幅を有する形状加工後(dimensioned)
の抵抗エレメントを形成するように、その形状加工前の
抵抗エレメントがレーザーカットされる。In accordance with one aspect of the present invention, by providing an unshaped resistor having a length and width of an unshaped resistive element disposed on a base dielectric. A resistor is formed.
2.5% to 50% of the width of the resistive element before its shape processing
% Dimensioned with conductive path widths (dimensioned)
The resistive element before the shape processing is laser cut so as to form the resistive element.

【００１１】本発明のもう１つの局面によると、ベース
誘電体の上に配置された抵抗材料の層を提供することに
より、複数の抵抗体が形成される。複数の形状加工前の
抵抗体は、抵抗材料の層から形成される。各々の形状加
工前の抵抗体は、ある長さと幅を有する形状加工前の抵
抗エレメントを備える。その形状加工前の抵抗エレメン
トの幅の２．５％〜５０％の導電性経路の幅を有する形
状加工後の抵抗エレメントを形成するように、その形状
加工前の抵抗エレメントがレーザーカットされる。In accordance with another aspect of the present invention, a plurality of resistors are formed by providing a layer of resistive material disposed over a base dielectric. The plurality of resistors before shaping are formed from layers of resistive material. Each pre-formed resistor comprises a pre-formed resistive element having a length and width. The shaped resistive element is laser cut so as to form a shaped resistive element having a conductive path width of 2.5% to 50% of the unshaded resistive element width.

【００１２】本発明のもう１つの局面によると、抵抗体
は、ベース誘電体の上に配置された形状加工後の抵抗エ
レメントを備える。その形状加工後の抵抗エレメント
は、ある長さと幅を有する形状加工前の抵抗エレメント
から形成される。その形状加工後の抵抗エレメントは、
形状加工前の抵抗エレメントの幅の２．５％〜５０％の
導電性経路の幅を有する。２つの接点が、形状加工後の
抵抗エレメントに電気接続される。According to another aspect of the invention, a resistor comprises a shaped resistive element disposed on a base dielectric. The shaped resistive element is formed from an unshaped resistive element having a certain length and width. The resistance element after the shape processing is
It has a conductive path width of 2.5% to 50% of the width of the resistive element before shaping. Two contacts are electrically connected to the shaped resistive element.

【００１３】本発明のもう１つの局面によると、回路ボ
ードアセンブリは、ベース誘電体の上に配置された複数
の抵抗体を備える。各抵抗体は、形状加工後の抵抗エレ
メントを備え、ある長さと幅を有する形状加工前の抵抗
エレメントから形成される。各々の形状加工後の抵抗エ
レメントは、形状加工前の抵抗エレメントの幅の２．５
％〜５０％の導電性経路の幅を有する。According to another aspect of the present invention, a circuit board assembly includes a plurality of resistors disposed over a base dielectric. Each resistor comprises a shaped resistive element and is formed from an unshaped resistive element having a certain length and width. Each shaped resistive element has a width of 2.5 mm of the resistive element before shaping.
% To 50% of the width of the conductive path.

【００１４】[0014]

【発明の実施の形態及び発明の効果】本発明の詳細は、
その構造と作用の双方について、添付の図面を参照する
ことによって最も的確に理解されることができる。図面
において、同様な参照数字と記号は、同様なエレメント
を表示する。本発明において、抵抗体がレーザーで形状
加工され、１００μｍ以下の幅を有する抵抗体を信頼性
よく且つ安価に製造する能力を提供する。１００μｍの
幅にレーザーで形状加工された長さ５０００μｍの抵抗
体は、このため、従来技術で得られる値の２倍の抵抗値
を有する。１００μｍ未満の幅においては、さらに一層
高い抵抗値が得られる。本発明においては、１０μｍま
で下げた幅が達成可能である。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Both its structure and operation can be best understood by referring to the accompanying drawings. In the drawings, like reference numerals and symbols indicate like elements. In the present invention, the resistor is shaped by a laser, and the ability to reliably and inexpensively manufacture a resistor having a width of 100 μm or less is provided. A 5000 μm long resistor shaped with a laser to a width of 100 μm therefore has twice the resistance value obtained with the prior art. With a width of less than 100 μm, an even higher resistance value is obtained. In the present invention, widths down to 10 μm can be achieved.

【００１５】本発明による抵抗体形成プロセスが図３と
４に示されており、これらの図は、プロセスの各工程で
形成される抵抗体を示す図５〜２２と併せて最も的確に
吟味される。このプロセスは、図５で示された基材又は
ベース誘電体302 が提供される工程202 から始まる。例
えば、ＦＲ−４、ＢＴ−ガラス、又はある形態のポリテ
トラフルオロエチレンのような通常のプリント配線ボー
ドの誘電体が使用されることができる。工程204 におい
て、図６に示された抵抗材料304 が、ベース誘電体上に
堆積される。ＮｉＣｒ、ＴａＮ又はＮｉＰ（カリフォル
ニア州のカルバーシティにあるオメガテクノロジィズ社
製のオメガ層、パーツＮｏ．５Ａ１００ＴＨＥにみられ
るような）のような通常の抵抗材料が使用されることが
できる。スパッター堆積、蒸着又は無電解堆積のような
通常の堆積技術を用い、抵抗材料を堆積させることがで
きる。本発明において、全ての抵抗体が抵抗材料のこの
単一層から形成されることが好ましい。工程206 におい
て、図７に示された銅層306 が抵抗材料304 の上に堆積
される。この銅層は、スパッター堆積、無電解堆積又は
電着のような通常の堆積技術を用いて堆積させることが
できる。The resistor formation process according to the present invention is shown in FIGS. 3 and 4, which are most closely examined in conjunction with FIGS. 5-22, which show the resistors formed at each step of the process. You. The process begins at step 202 where a substrate or base dielectric 302 shown in FIG. 5 is provided. For example, conventional printed wiring board dielectrics such as FR-4, BT-glass, or some form of polytetrafluoroethylene can be used. In step 204, the resistive material 304 shown in FIG. 6 is deposited on the base dielectric. Conventional resistive materials such as NiCr, TaN or NiP (as found in Omega Technologies, Inc., Culver City, Calif., Part No. 5A100THE) can be used. Conventional deposition techniques such as sputter deposition, evaporation or electroless deposition can be used to deposit the resistive material. In the present invention, it is preferred that all resistors are formed from this single layer of resistive material. In step 206, the copper layer 306 shown in FIG. This copper layer can be deposited using conventional deposition techniques such as sputter deposition, electroless deposition or electrodeposition.

【００１６】工程204 と206 の代わりとして、その上に
堆積された抵抗材料を有する銅ホイルを、通常のラミネ
ーション技術を用いてベース誘電体にラミネートさせる
ことができる。ラミネートされたホイル（例えば、カリ
フォルニア州のカルバーシティにあるオメガテクノロジ
ィズ社製のオメガ層、パーツＮｏ．５Ａ１００ＴＨＥ、
方形材料あたり１００Ω）が使用されることができる。As an alternative to steps 204 and 206, a copper foil having a resistive material deposited thereon can be laminated to the base dielectric using conventional lamination techniques. Laminated foil (e.g., Omega layers, Part No. 5A100THE, manufactured by Omega Technologies, Inc., Culver City, CA;
100Ω per square material) can be used.

【００１７】工程208 において、図８に示されたフォト
レジスト308 が銅層306 の上に堆積される。ＶＧ０８
（モートンエレクトロニックマテリアルズ社から入手）
のような通常のドライフィルムレジスト又は通常の液体
レジストが使用されることができる。フォトレジスト
は、ラミネーション、スクリーン印刷又はスプレーコー
ティングによって堆積させることができる。工程210 に
おいて、図９に示されたように、フォトレジストが結像
・現像される。ＯＲＣ＃７１５７型（ＢＥＣグループの
１部門のＯＲＣエレクトロニックプロダクツから入手）
のような通常のフォトリソグラフィー画像装置が使用さ
れることができる。フォトレジストメーカーによる指定
の標準的なＮａＯＨ又はＫＯＨ現像剤又はその他の現像
剤が使用されることができる。工程212 において、図１
０に示されたように、フォトレジストによって露出され
た銅を除去するため、アセンブリがエッチングされる。
エッチングは、Atotech Sigma Series Cupric Chloride
System のような通常の銅エッチング装置を用い、Ｃｕ
Ｃｌ₂ 浴又はその他の適当な物質中で行われることがで
きる。工程214 において、露出した抵抗材料を除去する
ためにアセンブリがエッチングされ、それにより、図１
１に示されたように、抵抗材料310 の個別領域を形成す
る。抵抗材料の個別領域は、電気的に孤立され、個々の
抵抗体を形成するために使用されることができる。抵抗
材料は、ＣｕＳＯ₄ ／Ｈ₂ ＳＯ₄ 、ＨＣｌ、ＨＦ−ＨＮ
Ｏ₃ 又はその他の適当な物質（使用される抵抗材料によ
って決まる）を含む浴を用い、エッチングされることが
できる。工程216 において、フォトレジストが除去され
る。水酸化物のような標準的なレジスト除去剤又はその
他の適当な物質が使用されることができる。In step 208, the photoresist 308 shown in FIG. VG08
(Obtained from Morton Electronic Materials)
Ordinary dry film resists or ordinary liquid resists can be used. Photoresists can be deposited by lamination, screen printing, or spray coating. In step 210, the photoresist is imaged and developed, as shown in FIG. ORC # 7157 (obtained from ORC Electronic Products, a division of the BEC Group)
Conventional photolithographic imaging equipment such as can be used. Standard NaOH or KOH developers or other developers specified by the photoresist manufacturer can be used. In step 212, FIG.
As shown at 0, the assembly is etched to remove the copper exposed by the photoresist.
Etching is Atotech Sigma Series Cupric Chloride
Use a normal copper etching system such as
It can be performed in a Cl ₂ bath or other suitable material. In step 214, the assembly is etched to remove the exposed resistive material, thereby removing
As shown in FIG. 1, discrete regions of resistive material 310 are formed. Individual regions of resistive material are electrically isolated and can be used to form individual resistors. The resistance material is CuSO ₄ / H ₂ SO ₄ , HCl, HF-HN
It can be etched using a bath containing O ₃ or other suitable material (depending on the resistive material used). At step 216, the photoresist is removed. Standard resist removers such as hydroxides or other suitable materials can be used.

【００１８】図４の工程218 において、図１３に示され
たフォトレジストの第２層312 が、工程208 と同様な仕
方で銅層306 の上に堆積される。工程220 において、図
１４に示されたように、工程210 と同様な仕方でフォト
レジストが結像・現像される。工程222 において、例え
ば、抵抗材料を損傷させないアルカリエッチング用腐食
液を用い、図１５に示されたように、フォトレジストに
よって露出された銅を除去するためにアセンブリがエッ
チングされる。例えば、Atotech Sigma SeriesAlkaline
Etch System （Ａｔｏｔｅｃｈ ＵＳＡ社から入手）
のような装置が使用されることができる。工程224 にお
いて、工程216 と同様な仕方でフォトレジストが除去さ
れる。この時点で、図１６に示された形状加工前の抵抗
体314 のような個々の形状加工前の抵抗体が形成され
る。全ての抵抗体が単一層の上に形成される。各々の未
完成の抵抗体は、抵抗材料310 の領域と２つの銅接点31
6 を備える。例としての形状加工前の抵抗体が、図１７
の側面図と図１８の平面図で単独で示されている。In step 218 of FIG. 4, a second layer of photoresist 312 shown in FIG. 13 is deposited on copper layer 306 in a manner similar to step 208. In step 220, the photoresist is imaged and developed in a manner similar to step 210, as shown in FIG. In step 222, the assembly is etched to remove the copper exposed by the photoresist, for example, using an alkaline etchant that does not damage the resistive material, as shown in FIG. For example, Atotech Sigma Series Alkaline
Etch System (obtained from Atotech USA)
Such a device can be used. In step 224, the photoresist is removed in a manner similar to step 216. At this point, individual unshape resistors such as unshape resistor 314 shown in FIG. 16 are formed. All resistors are formed on a single layer. Each unfinished resistor comprises an area of resistive material 310 and two copper contacts 31
6 is provided. FIG. 17 shows an example of a resistor before shape processing.
And the plan view of FIG. 18 alone.

【００１９】図４の工程226 において、形状加工前の抵
抗体が、完成された抵抗体にレーザーで形状加工され
る。レーザー形状加工工程は、通常のレーザー装置（例
えば、オレゴン州のポートランドにあるエレクトロサイ
エンティフィックインダトスリィズ社から入手のＥＳＩ
レーザー４５７０型）を用いて行われる。ここで、本発
明において、レーザー装置は、抵抗エレメントの通常の
レーザートリミングを行うのではなく、抵抗エレメント
をレーザーで形状加工するようにプログラムされる。例
えば、図１９に、レーザーで形状加工された抵抗体320
が示されている。抵抗体320 は、２つの銅接点322 と、
レーザーで形状加工された抵抗エレメント324 を備え
る。抵抗エレメント324 は、最初の形状加工前の抵抗材
料を通していくつかのレーザーカット326 を行うことに
よって形状加工される。残存する抵抗材料328 は、こう
して接点322 の間の電気経路から孤立される。抵抗エレ
メント324 のサイズと形状が、得られる抵抗値を定め、
従来技術で得ることができるよりも高い抵抗値が得られ
ることを可能にする。In step 226 of FIG. 4, the resistor before shaping is shaped into a completed resistor by laser. The laser shaping process is performed using conventional laser equipment (eg, ESI available from Electro Scientific Indato Series, Inc., Portland, Oregon).
Laser 4570). Here, in the present invention, the laser device is programmed not to perform the normal laser trimming of the resistive element, but to shape the resistive element with a laser. For example, FIG. 19 shows a resistor 320 that has been shaped by a laser.
It is shown. Resistor 320 has two copper contacts 322,
It has a resistive element 324 shaped by laser. The resistive element 324 is shaped by making several laser cuts 326 through the resistive material prior to the initial shaping. The remaining resistive material 328 is thus isolated from the electrical path between the contacts 322. The size and shape of the resistor element 324 determine the resulting resistance value,
It allows higher resistance values to be obtained than can be obtained with the prior art.

【００２０】レーザーで形成された抵抗体330 のもう１
つの例が図２０に示されている。抵抗体330 は、２つの
銅接点332 と、レーザーカット336 によって形状加工さ
れたレーザー加工抵抗エレメント334 を備える。残存す
る抵抗材料338 は、接点332の間の電気経路から孤立さ
れる。図１９と２０から理解できるように、高められた
抵抗値は、極めて小さいチョーク箇所からでなく、かな
りの長さと面積の狭められた抵抗エレメントから生じ
る。例えば、図２０において、狭められた抵抗エレメン
トは、全抵抗体の長さのかなりの割合である導電性経路
の長さを有し、また、図１９において、狭められた抵抗
エレメントの導電性経路の長さは、全抵抗体よりも実際
に長い。図２１において、抵抗エレメントは、蛇行パタ
ーンを形成するようにレーザーで形状加工されている。
このパターンは、全抵抗体よりも相当に長い導電性経路
を有する。Another of the resistor 330 formed by the laser
Two examples are shown in FIG. The resistor 330 includes two copper contacts 332 and a laser-cut resistance element 334 shaped by a laser cut 336. The remaining resistive material 338 is isolated from the electrical path between contacts 332. As can be seen from FIGS. 19 and 20, the increased resistance results not from a very small choke point, but from a resistive element of considerable length and area. For example, in FIG. 20, the narrowed resistive element has a conductive path length that is a significant percentage of the total resistor length, and in FIG. 19, the conductive path of the narrowed resistive element. Is actually longer than the total resistor. In FIG. 21, the resistive element is laser-shaped to form a meandering pattern.
This pattern has a significantly longer conductive path than the total resistor.

【００２１】このように、本発明は、従来技術で得られ
たよりも狭い導電性経路の長さを有する抵抗体を信頼性
よく製造する能力を提供する。抵抗体そのものよりも長
い導電性経路の長さを有する抵抗エレメントを製造する
本発明の能力と組み合わされた、より狭くできる経路幅
は、従来技術で得られたよりも短い抵抗体が製造される
ことを可能にする。Thus, the present invention provides the ability to reliably manufacture resistors having a narrower conductive path length than obtained in the prior art. The narrower path width, combined with the ability of the present invention to produce a resistive element having a conductive path length longer than the resistor itself, results in a shorter resistor being produced than was obtained in the prior art. Enable.

【００２２】抵抗エレメントは、ここで例示した以外の
形状に加工されることができる。そのような形状は、大
なり小なり複雑であることができ、さらに一層高い抵抗
値が得られることを可能にすると同時に、温度の感度の
ような物理的特性が調節されるのを可能にする。レーザ
ーで形状加工された抵抗エレメントの導電性経路の長さ
と幅は、得られる抵抗値を決める。導電性経路の幅を減
らすこと及び／又は導電性経路の長さを増やすことは、
高められた抵抗値を提供する。The resistance element can be processed into a shape other than those exemplified here. Such a shape can be more or less complex, allowing even higher resistance values to be obtained, while allowing physical properties such as temperature sensitivity to be adjusted. . The length and width of the conductive path of the resistive element shaped by the laser determine the resulting resistance. Reducing the width of the conductive path and / or increasing the length of the conductive path may include:
Provides increased resistance.

【００２３】例えば、長さ３１２０μｍ×幅１９１μｍ
の形状加工前の抵抗エレメントを有する抵抗体が、図２
０に示されたと同様なパターンで、３０μｍの導電性経
路の幅に形状加工された。これにより、約１００００Ω
の抵抗値を有する抵抗体が得られた。これに対して、長
さ３１２０μｍ×幅１９１μｍの従来技術の抵抗体は、
わずか約１６００Ωの抵抗値を有するに過ぎないであろ
う。For example, length 3120 μm × width 191 μm
FIG. 2 shows a resistor having a resistive element before shaping.
In the same pattern as shown in FIG. 0, the shape of the conductive path was processed to a width of 30 μm. Thereby, about 10,000Ω
Was obtained. In contrast, a prior art resistor having a length of 3120 μm and a width of 191 μm is:
It will have a resistance of only about 1600Ω.

【００２４】ここで、本発明は、この例に限定されるも
のではない。本発明によると、１０〜１００μｍの範囲
の導電性経路の幅が形成されることができる。この下限
は本発明の限定ではなく、現状のレーザーカット技術か
らの制約である。レーザー装置の位置調整公差と、一般
的なレーザーが約３０μｍの幅のカットを与えることに
より、現状の装置で約１０μｍの幅よりも狭い導電性経
路の幅を提供することは難しい。改良されたレーザーカ
ット技術は、より狭い導電性経路の幅が得られることを
可能にするであろう。Here, the present invention is not limited to this example. According to the present invention, the width of the conductive path in the range of 10 to 100 μm can be formed. This lower limit is not a limitation of the present invention, but is a constraint from the current laser cutting technology. Due to the alignment tolerances of laser devices and the fact that typical lasers provide cuts of about 30 μm width, it is difficult for current devices to provide conductive path widths less than about 10 μm width. Improved laser cutting techniques will allow narrower conductive path widths to be obtained.

【００２５】４００μｍの幅を有する一般的な未形状加
工の抵抗エレメントが与えられたとすると、１０〜１０
０μｍの範囲の導電性経路の幅は、導電性経路の幅が形
状加工前の抵抗エレメントの幅の２．５〜２５％である
ことに帰着する。２００μｍのように狭い抵抗エレメン
トは、形状加工前の抵抗エレメントの幅の５〜５０％の
導電性経路の幅に帰着する。Given a typical unshaped resistance element having a width of 400 μm, 10 to 10
A conductive path width in the range of 0 μm results in a conductive path width of 2.5 to 25% of the width of the resistive element before shaping. Resistive elements as narrow as 200 μm result in a width of the conductive path of 5-50% of the width of the resistive element before shaping.

【００２６】当然ながら、導電性経路の幅の選択は、所
望の抵抗値、所望の電力消費、及び所望の抵抗体サイズ
のようないろいろな因子によって決まる。例えば、２
０、３０、４０、５０、６０、７０、８０又は９０μ
ｍ、あるいはそれらの中間範囲の導電性経路の幅が望ま
れることがある。多くの用途にとって、３０〜７０μｍ
の範囲の導電性経路の幅が好ましく、これは、形状加工
前の抵抗エレメントの幅の約７〜１８％である。Of course, the choice of the width of the conductive path depends on various factors, such as the desired resistance, the desired power consumption, and the desired resistor size. For example, 2
0, 30, 40, 50, 60, 70, 80 or 90μ
m, or a width of the conductive path in the middle range thereof may be desired. 30-70 μm for many applications
Is preferred, which is about 7-18% of the width of the resistive element before shaping.

【００２７】導電性経路の長さもまた、所望の抵抗値、
所望の電力消費、及び所望の抵抗体サイズのような因子
に基づいて選択されることができる。例えば、図２０に
示された形状加工後の抵抗エレメントは、形状加工前の
抵抗エレメントの長さの１００％に及ぶ導電性経路の長
さを有することができる。導電性経路の長さは、極めて
短くされることができるが、導電性経路の長さは、形状
加工前の抵抗エレメントの長さの少なくとも５０％であ
ることが好ましい。図１９に示された形状加工後の抵抗
エレメントは、形状加工前の抵抗エレメントの長さを上
回る導電性経路の長さを有し、一方で、図２１に示され
た蛇行に形状加工された抵抗エレメントは、形状加工前
の抵抗エレメントの長さをかなり上回る導電性経路の長
さを有する。所与の抵抗体サイズについて、より高い抵
抗値の抵抗体が製造されることができる。例えば、長さ
５０００μｍ×幅４００μｍの一般的な未形状加工の抵
抗エレメントと、１００μｍの導電性経路の幅及び１０
μｍのレーザーカットの幅が与えられたとすると、約１
８０００μｍの導電性経路の長さが得られることができ
る。これは、形状加工前の抵抗エレメントの長さの３倍
を上回る。このような抵抗体は、約１８０００Ωの抵抗
値を有するであろう。１０μｍの導電性経路の幅を用い
ると、約１０００００μｍの導電性経路の長さが得られ
ることができる。これは、形状加工前の抵抗エレメント
の長さの約２０倍である。このような抵抗体は、１００
００００Ωの抵抗値を有するであろう。The length of the conductive path also depends on the desired resistance,
The choice can be based on factors such as the desired power consumption and the desired resistor size. For example, the shaped resistive element shown in FIG. 20 can have a conductive path length that can be 100% of the length of the resistive element before shaping. The length of the conductive path can be very short, but preferably the length of the conductive path is at least 50% of the length of the resistive element before shaping. The shaped resistive element shown in FIG. 19 has a conductive path length that is greater than the length of the resistive element before shaping, while the serpentine shape shown in FIG. 21 was formed. The resistive element has a conductive path length that is significantly greater than the length of the resistive element before shaping. For a given resistor size, higher resistance resistors can be manufactured. For example, a typical unshaped resistive element 5000 μm long × 400 μm wide, with a conductive path width of 100 μm and
Given a laser cut width of μm, about 1
A length of the conductive path of 8000 μm can be obtained. This is more than three times the length of the resistive element before shaping. Such a resistor would have a resistance of about 18000Ω. Using a conductive path width of 10 μm, a conductive path length of about 100000 μm can be obtained. This is about 20 times the length of the resistive element before shaping. Such a resistor is 100
Will have a resistance of 0000Ω.

【００２８】また、より小さいサイズの抵抗体が製造さ
れることができる。例えば、４００μｍ×４００μｍの
ように小さい形状加工前の抵抗エレメントを有する抵抗
体が、容易に形成されることができる。従来技術におい
て、このような抵抗体は、わずか１００Ωの抵抗値を有
するであろう。本発明によると、１００μｍの導電性経
路の幅を有する図２１に示されたような抵抗エレメント
が作成されたならば、そのような抵抗体は、１０００Ω
を上回る抵抗値を有するであろう。１０μｍの導電性経
路の幅では、約８００００Ωの抵抗値が得られることが
できよう。Also, smaller size resistors can be manufactured. For example, a resistor having a small resistance element such as 400 μm × 400 μm before shape processing can be easily formed. In the prior art, such a resistor would have a resistance of only 100Ω. According to the present invention, if a resistive element as shown in FIG. 21 was created having a conductive path width of 100 μm, such a resistor would have a resistance of 1000Ω.
Will have a resistance greater than With a conductive path width of 10 μm, a resistance value of about 80000Ω could be obtained.

【００２９】多くの用途にとって、レーザーで形状加工
された抵抗体は、許容できる抵抗の変動を有することが
できる。ここで、いくつかの用途において、格別に小さ
い抵抗の変動が必要とされる。そのような用途につい
て、図４のオプション工程228が行われることができ
る。工程228 において、レーザーで形状加工された抵抗
体が、抵抗の変動を改良するためにレーザーでトリミン
グされる。このレーザートリミング工程は、通常のレー
ザートリミングに類似であるが、本発明においては、図
２１に示されたように、レーザーで形状加工された抵抗
エレメントが、レーザーでトリミングされる。For many applications, laser shaped resistors can have acceptable resistance variations. Here, in some applications, exceptionally small resistance variations are required. For such an application, optional step 228 of FIG. 4 can be performed. In step 228, the laser shaped resistor is laser trimmed to improve resistance variation. This laser trimming step is similar to ordinary laser trimming, but in the present invention, as shown in FIG. 21, a resistive element shaped by laser is trimmed by laser.

【００３０】上記のプロセスは、プリント配線ボードの
上に多数の抵抗体が形成されるのを可能にする。例え
ば、図２３に、抵抗体342 のような多数の抵抗体がその
上に形成された回路ボードアセンブリ340 が示されてい
る。回路ボードアセンブリ340は、ベース誘電体341
と、抵抗体342 のような１つ以上の抵抗体を備える。回
路ボードアセンブリ340 は、接触パッド344 、配線346
、及びバイア348 のような別な回路エレメントをさら
に備えることができる。抵抗体の形成プロセスの説明か
ら理解されるように、回路ボードアセンブリ340 の上の
全ての抵抗体は、ベース誘電体341 の上に堆積、ラミネ
ート、又はその他により配置された抵抗材料の同じ層か
ら形成されることができる。The above process allows a number of resistors to be formed on a printed wiring board. For example, FIG. 23 shows a circuit board assembly 340 having a number of resistors, such as resistor 342, formed thereon. The circuit board assembly 340 includes a base dielectric 341
And one or more resistors, such as resistor 342. The circuit board assembly 340 includes contact pads 344, wiring 346
, And other circuit elements, such as vias 348. As will be appreciated from the description of the resistor formation process, all resistors on the circuit board assembly 340 are from the same layer of resistive material deposited, laminated, or otherwise placed on the base dielectric 341. Can be formed.

【００３１】抵抗エレメントは、図２４に示されたレー
ザー装置400 を用い、レーザーで形状加工されることが
できる。レーザー装置400 は、レーザー光学装置を通し
て導かれるレーザービーム402aを出力するレーザー源40
2 を備える。この光学装置は、ミラー404 と406 、及び
焦点合わせされたビームをＸ−Ｙ位置調整テーブル414
の上に配置された加工物412 に導く焦点合わせレンズ40
8 を備える。焦点合わせされたビームは、マスク410 の
下にある基板上に焦点スポットを形成する。焦点スポッ
トは、円形又は長円形の形状であることができる。加工
物412 は、ベース誘電体と、抵抗層と導電性接点を備え
た抵抗体を含むラミネートされた基材である。The resistive element can be shaped by laser using a laser device 400 shown in FIG. The laser device 400 includes a laser source 40 that outputs a laser beam 402a guided through a laser optical device.
2 is provided. The optical system includes mirrors 404 and 406, and the focused beam is transferred to an XY position adjustment table 414.
Focusing lens 40 leading to a workpiece 412 positioned above
8 is provided. The focused beam forms a focal spot on the substrate under the mask 410. The focal spot can be circular or oval in shape. Workpiece 412 is a laminated substrate that includes a base dielectric and a resistor with a resistive layer and conductive contacts.

【００３２】レーザー装置400 は、加工物412 に対して
レーザービームの焦点スポットの位置をコントロールす
る、コンピューター416 のようなコントロールデバイス
を備える。コンピューター416 は、焦点スポットの位置
調整機構にコントロール信号を発することにより、焦点
スポットの位置調整をコントロールする。このような機
構の例はアクチュエーター418 と420 である。コンピュ
ーター416 は、アクチュエーター418 にコントロール信
号S1を発し、それがレンズ408 をＸ方向に動かす。コン
ピューター416 は、アクチュエーター420 にコントロー
ル信号S2をさらに発し、それが位置調整テーブル414 を
Ｙ方向に動かす。組み合わされたＸとＹの動きが、コン
ピューター416 によってプログラムされた仕方で装置40
0 がレーザービームを動かすことを可能にし、所望の型
のバイアを形成する。The laser device 400 includes a control device such as a computer 416 for controlling the position of the focal spot of the laser beam with respect to the workpiece 412. The computer 416 controls the focus spot position adjustment by issuing a control signal to the focus spot position adjustment mechanism. Examples of such mechanisms are actuators 418 and 420. Computer 416 issues a control signal S1 to actuator 418, which moves lens 408 in the X direction. Computer 416 further issues a control signal S2 to actuator 420, which moves position adjustment table 414 in the Y direction. The combined X and Y movements are combined in a
0 allows the laser beam to move, forming the desired type of via.

【００３３】焦点スポットの位置調整機構のもう１つの
例は、ミラー404 と406 の位置をコントロールするため
に検流計を使用することである。このタイプの検流計
は、市販されており、市販のレーザー装置に装着される
ことができる。いずれの場合も、コンピューター416
は、ビームスポットの運動パターンを確立して所望のバ
イアを形成させるように、予めプログラムされることが
できる。また、コンピューター416 は、方向、ビーム経
路の速度（ｍｍ／秒）、パルス反復速度、及び電力のよ
うなレーザー光のパラメーターを確立するため、レーザ
ー源402 に操作上連絡される。Another example of a focal spot position adjustment mechanism is to use a galvanometer to control the position of mirrors 404 and 406. Galvanometers of this type are commercially available and can be mounted on commercially available laser devices. In each case, the computer 416
Can be pre-programmed to establish the movement pattern of the beam spot to form the desired via. Computer 416 is also in operative communication with laser source 402 to establish laser light parameters such as direction, beam path speed (mm / s), pulse repetition rate, and power.

【００３４】コンピューター416 からの出力である信号
S3が、レーザー源402 のパルス反復速度をコントロール
し、それが、平均電力とパルス／秒の変化、及びナノ秒
（ｎｓ）単位のパルス特存時間の双方によってピーク電
力に影響を及ぼす。このことは、電子的又は音響光学的
Ｑスイッチングによりパルス間隔を変化させることによ
って最も的確に行われる。また、電力／パルスは、アー
クランプの場合のようにレーザー励起源への電流を調節
することによって変化させることができる。これは、や
はりコンピューター416 からの出力である信号S4によっ
てコントロールされる。The signal which is the output from the computer 416
S3 controls the pulse repetition rate of the laser source 402, which affects peak power both by average power and pulse / second variation, and pulse duration in nanoseconds (ns). This is best done by varying the pulse interval by electronic or acousto-optic Q-switching. Also, the power / pulse can be varied by adjusting the current to the laser excitation source, as in an arc lamp. This is controlled by signal S4, also output from computer 416.

【００３５】代表的なコントロールコンピューター416
が図２５に示されている。コンピューター416 は、ラン
ダムアクセスメモリー（ＲＡＭ）452 に接続される中央
処理ユニット（ＣＰＵ）450 、読み出し専用メモリー
（ＲＯＭ）454 、信号インターフェース456 、及び記憶
デバイス460 を備える。ＣＰＵ450 は、一般に、ＩＮＴ
ＥＬ ＰＥＮＴＩＵＭ（登録商標）プロセッサーのよう
なマイクロプロセッサーを備える。ＲＡＭ452 とＲＯＭ
454 は、ＣＰＵ450 によって実行されるプログラム命令
と、プログラム実行の際に使用されるデータを記憶す
る。信号インターフェース456 は、ＣＰＵ450 からのコ
マンドに応答し、図２４に示したように、S1、S2、S3を
出力する。Representative control computer 416
Is shown in FIG. The computer 416 includes a central processing unit (CPU) 450 connected to a random access memory (RAM) 452, a read-only memory (ROM) 454, a signal interface 456, and a storage device 460. The CPU 450 generally has an INT
A microprocessor such as an EL PENTIUM® processor is provided. RAM452 and ROM
454 stores program instructions to be executed by CPU 450 and data used when executing the program. The signal interface 456 responds to the command from the CPU 450 and outputs S1, S2, and S3 as shown in FIG.

【００３６】記憶デバイス460 は、位置調整ルーチン46
2 とパルス反復速度ルーチン464 を備える。位置調整ル
ーチン462 は、信号S1とS2の発生をコントロールし、そ
れらが焦点スポット位置調整機構をコントロールする。
パルス反復速度ルーチン464は、信号S3の発生をコント
ロールし、それがレーザー源402 のパルス反復速度をコ
ントロールする。ベース誘電体材料は、ＦＲ−４やＢＴ
−ガラスのような任意の通常のプリント配線ボードの誘
電体であることができ、あるいは、好ましい態様におい
て、接着剤とフィラーのフィルム材料が使用されること
ができる。好ましいフィルム材料は、ポリマー基材の初
期空隙体積の結果として、多量のフィラーと熱硬化性又
は熱可塑性接着剤で含浸された多孔質の不織基材であ
る。とりわけ米国特許第３９５３５６６号と同４４８２
５１６号（それぞれ本願でも参考にして取り入れられて
いる）に記載の多孔質延伸膨張ポリテトラフルオロエチ
レンが、好ましい態様において使用されることができ、
エレクトロニクス工業その他の用途の複合材料を提供す
るため、接着剤とフィラーのペースト混合物で含浸され
る。多孔質ポリエチレンや多孔質延伸膨張ポリプロピレ
ンのようなその他の高度に多孔質の材料も使用可能であ
る。The storage device 460 stores the position adjustment routine 46
2 and a pulse repetition rate routine 464. The position adjustment routine 462 controls the generation of signals S1 and S2, which control the focal spot position adjustment mechanism.
Pulse repetition rate routine 464 controls the generation of signal S3, which controls the pulse repetition rate of laser source 402. Base dielectric material is FR-4 or BT
-It can be any conventional printed wiring board dielectric such as glass, or, in a preferred embodiment, an adhesive and filler film material can be used. A preferred film material is a porous nonwoven substrate impregnated with a large amount of filler and a thermosetting or thermoplastic adhesive as a result of the initial void volume of the polymer substrate. In particular, U.S. Patent Nos. 3,953,566 and 4,482.
No. 516, each of which is incorporated herein by reference, may be used in a preferred embodiment,
Impregnated with a paste mixture of adhesive and filler to provide a composite material for the electronics industry and other applications. Other highly porous materials such as porous polyethylene and porous expanded polypropylene can also be used.

【００３７】フィラー入り接着剤フィルムを調製するた
め、微粒子フィラーが溶媒又は水溶液又は溶融接着剤に
混入され、微細に分散された混合物を与える。微粒子形
態のフィラーは、通常４０μｍ未満のサイズであり、好
ましくは、１〜１０μｍの平均粒子サイズを有する。ポ
リテトラフルオロエチレンの結節とフィブリルの構造の
平均気孔サイズは、微粒子の十分な侵入を可能にするよ
うに十分大きいことが必要である。基材が延伸膨張ポリ
テトラフルオロエチレンの場合、米国特許第４４８２５
１６号に教示のものと同様な構造が望ましい。望ましく
は、平均流量気孔サイズ（ＭＦＰＳ）は、最大粒子サイ
ズの約２〜５倍又はそれ以上であるべきであり、フィラ
ーのそれの約２．４倍を上回るＭＦＰＳがとりわけ好ま
しい。ここで、適切な複合材料は、平均粒子サイズに対
する平均流量気孔サイズ（ＭＦＰＳ）の比を１．４を上
回るように選択することによって調製可能である。ま
た、平均粒子サイズに対する最小気孔サイズの比が少な
くとも０．８を上回る、又は最大粒子サイズに対する最
小気孔サイズの比が少なくとも０．４を上回るとき、満
足できる複合材料が調製可能である。粒子サイズに対す
るＭＦＰＳの比は、マイクロトラックＦＲＡ分析器を用
いて測定される。To prepare the filled adhesive film, the particulate filler is mixed with a solvent or aqueous solution or molten adhesive to give a finely dispersed mixture. The filler in particulate form is usually less than 40 μm in size, and preferably has an average particle size of 1-10 μm. The average pore size of the polytetrafluoroethylene nodule and fibril structures needs to be large enough to allow sufficient penetration of the microparticles. If the substrate is expanded polytetrafluoroethylene, US Pat.
A structure similar to that taught in No. 16 is desirable. Desirably, the average flow pore size (MFPS) should be about 2-5 times or more of the maximum particle size, with MFPS greater than about 2.4 times that of the filler being particularly preferred. Here, suitable composites can be prepared by selecting the ratio of average flow pore size (MFPS) to average particle size to be greater than 1.4. Also, satisfactory composites can be prepared when the ratio of minimum pore size to average particle size is at least greater than 0.8, or when the ratio of minimum pore size to maximum particle size is greater than at least 0.4. The ratio of MFPS to particle size is measured using a Microtrac FRA analyzer.

【００３８】あるいは、相対的な気孔と粒子のサイズを
評価するもう１つのメカニズムは、最小気孔サイズが最
大粒子サイズの約１．４倍以上であるとして計算される
ことができる。表１は、基材の平均流量気孔サイズ（Ｍ
ＦＰＳ）と粒子サイズの関係の効果を示す。平均流量気
孔サイズ（ＭＦＰＳ）の最大粒子サイズに対する比が
１．４以下であると、劣った結果が見られる。この場
合、均一な複合材料が観察されず、フィラー粒子の殆ど
は、微細多孔質の基材に均一には侵入しない。平均流量
気孔サイズ（ＭＦＰＳ）の最大粒子サイズに対する比が
約２．０を上回ると、均一な複合材料が得られる。ま
た、平均流量気孔サイズの最大粒子サイズに対する比が
大きい程、均一な分散系が微細多孔質基材の中に入り込
む相対的な割合が高いことが観察される。Alternatively, another mechanism for assessing relative pore and particle size can be calculated as the minimum pore size being about 1.4 times or more the maximum particle size. Table 1 shows the average flow pore size (M
2 shows the effect of the relationship between FPS) and particle size. Poor results are seen when the ratio of average flow pore size (MFPS) to maximum particle size is 1.4 or less. In this case, no uniform composite material is observed, and most of the filler particles do not uniformly penetrate the microporous substrate. When the ratio of mean flow pore size (MFPS) to maximum particle size is greater than about 2.0, a uniform composite is obtained. It is also observed that the greater the ratio of average flow pore size to maximum particle size, the higher the relative proportion of the uniform dispersion entering the microporous substrate.

【００３９】[0039]

【表１】 [Table 1]

【００４０】開口フィルムは、微粒子フィラー入り樹脂
に容易に入り込まれる。この場合、現状で空気を含む空
隙体積の全て又は一部が、微粒子フィラー入り樹脂／接
着剤で置き換えられる。空気の空隙体積の一部のみが樹
脂で置き換えられる場合、最終的な複合材料は、優れた
接着性、良好な厚みコントロール、及び優れた可撓性と
圧縮適性を有して、非常に薄い空隙のない複合材料に、
その場所で圧縮可能である。即ち、この仕方において、
従来得られなかった、比類なく薄い良好に厚さがコント
ロールされる並外れて高度に充填された接着剤を製造す
ることができる。The aperture film easily enters the resin containing the fine particle filler. In this case, all or part of the void volume containing air at present is replaced by the resin / adhesive containing the particulate filler. If only a portion of the air void volume is replaced by resin, the final composite will have very thin voids, with good adhesion, good thickness control, and good flexibility and compressibility. Without composite materials
It can be compressed in place. That is, in this way,
It is possible to produce an exceptionally highly filled adhesive with an unparalleled thickness and good thickness control, which was not previously obtained.

【００４１】図５は、本発明に使用可能な好ましい複合
材料である。フィブリルＣによって相互に接続された結
節Ｂと、接着剤Ｄと粒子Ｅを含む接着剤フィルムＡが、
少なくとも１層の金属Ｆに取り付けられる。この構造
は、プリント配線ボード基板、埋込キャパシタ、熱ヒー
トシンク材料などとして有用な種々の用途を提供する。
また、金属層が、この材料の相対する側に施され、サン
ドイッチ構造を提供することもできる。FIG. 5 shows a preferred composite material usable in the present invention. A nodule B interconnected by fibrils C, an adhesive film A comprising an adhesive D and particles E,
Attached to at least one layer of metal F. This structure provides a variety of applications that are useful as printed wiring board substrates, embedded capacitors, heat sink materials, and the like.
Also, metal layers can be applied on opposite sides of the material to provide a sandwich structure.

【００４２】以下は、本発明に使用され得る特定の複合
材料の例である。The following are examples of specific composite materials that can be used in the present invention.

【００４３】[0043]

【実施例】例１ ２８１．６ｇのＴｉＯ₂ （ＴＩ Ｐｕｒｅ Ｒ−９０
０、デュポン社）を、ＭＥＫ中の難燃化されたジシアン
アミド／2-メチルイミダゾール触媒のビスフェノールＡ
を基剤とするポリグリシジルエーテル（Ｎｅｌｃｏ Ｎ
−４００２−５，ネルコ社）の２０重量％溶液中に混ぜ
入れることによって微細な分散系を調製した。均一性を
保証するため、この分散系を絶えず攪拌した。次いで延
伸膨張ＰＴＦＥの小片をこの樹脂混合物の中に浸した。
可撓性のある複合材料を得るため、このウェブを張力下
で１６５℃にて１分間乾燥した。このようにして得られ
た部分硬化した接着剤複合材料は、５７重量％のＴｉＯ
₂ 、１３重量％のＰＴＦＥ、及び３０重量％のエポキシ
接着剤を含んだ。この接着剤シートの数層を銅箔の間に
配置し、真空を利用した液圧プレスにより２２５℃の温
度で９０分間６００ｐｓｉでプレスし、次いで圧力下で
冷却した。これにより１９．０の誘電率を有する銅ラミ
ネートが得られ、１００μｍ（０．００３９インチ
（３．９ミル））の誘電体ラミネート厚さの平均層厚さ
において、２８０℃のハンダ衝撃に３０秒間耐えた。EXAMPLE 1 281.6 g of TiO ₂ (TI Pure R-90)
0, DuPont) with the flame retarded dicyanamide / 2-methylimidazole catalyzed bisphenol A in MEK
Based on polyglycidyl ether (Nelco N
-4002-5 (Nelco) in a 20% by weight solution to prepare a fine dispersion. The dispersion was constantly stirred to ensure homogeneity. A small piece of expanded PTFE was then dipped into the resin mixture.
The web was dried at 165 ° C. for 1 minute under tension to obtain a flexible composite. The partially cured adhesive composite obtained in this way has a TiO content of 57% by weight.
₂ , containing 13% by weight PTFE, and 30% by weight epoxy adhesive. Several layers of this adhesive sheet were placed between copper foils and pressed at 600 psi for 90 minutes at a temperature of 225 ° C. by a hydraulic press using vacuum, then cooled under pressure. This resulted in a copper laminate having a dielectric constant of 19.0, which was subjected to a 280 ° C. solder impact for 30 seconds at an average layer thickness of 100 μm (0.0039 inch (3.9 mil)) dielectric laminate thickness. I endured.

【００４４】例２ フェニルトリメトキシシラン（０４３３０、Ｈｕｌｓ／
Ｐｅｔｒａｒｃｈ）で前処理した３８６ｇのＳｉＯ
₂ （ＨＷ−１１−８９，Ｈａｒｂｉｓｏｎ Ｗａｌｋｅ
ｒ社）を、２００ｇのビスマレイミドトリアジン樹脂
（ＢＴ２０６ＯＢＪ、三菱ガス化学社）と３８８ｇのＭ
ＥＫのマンガン触媒溶液に混ぜ入れることによって微細
な分散系を調製した。均一性を保証するため、この分散
系を絶えず攪拌した。次いで厚さ０．０００２インチの
延伸膨張ＰＴＦＥの小片をこの樹脂混合物の中に浸し、
取り出し、次いで可撓性のある複合材料を得るため、張
力下で１６５℃にて１分間乾燥した。このプリプレグの
数層を銅箔の間に配置し、真空を利用した液圧プレスに
より２２５℃の温度で２５０ｐｓｉで９０分間プレス
し、次いで圧力下で冷却した。このようにして得られた
この生成した誘電体は、５３重量％のＳｉＯ₂ 、５重量
％のＰＴＦＥ、及び４２重量％の接着剤を含み、銅に対
する良好な接着性、３．３の誘電率（１０ＧＨｚ）、及
び０．００５の誘電正接（１０ＧＨｚ）を示した。Example 2 Phenyltrimethoxysilane (04330, Huls /
Petrarch) 386 g SiO
₂ (HW-11-89, Harbison Walke
r) with 200 g of bismaleimide triazine resin (BT206OBJ, Mitsubishi Gas Chemical Company) and 388 g of M
A fine dispersion was prepared by mixing in a manganese catalyst solution of EK. The dispersion was constantly stirred to ensure homogeneity. A 0.0002 inch thick piece of expanded PTFE is then dipped into the resin mixture,
Removed and then dried under tension at 165 ° C. for 1 minute to obtain a flexible composite. Several layers of this prepreg were placed between copper foils and pressed by a hydraulic press using vacuum at a temperature of 225 ° C. at 250 psi for 90 minutes and then cooled under pressure. The resulting dielectric thus obtained contains 53% by weight of SiO ₂ , 5% by weight of PTFE, and 42% by weight of adhesive, has good adhesion to copper, a dielectric constant of 3.3 (10 GHz) and a dielectric loss tangent (10 GHz) of 0.005.

【００４５】例３ ２７４．７ｇのビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ２
０６０ＢＪ、三菱ガス化学社）と４８５ｇのＭＥＫのマ
ンガン触媒溶液の中に４８３ｇのＳｉＯ₂ （ＨＷ−１１
−８９）を混ぜ入れることによって微細な分散系を調製
した。均一性を保証するため、この分散系を絶えず攪拌
した。次いで厚さ０．０００２インチの延伸膨張ＰＴＦ
Ｅの小片をこの樹脂混合物の中に浸し、取り出し、次い
で可撓性のある複合材料を得るため、張力下で１６５℃
にて１分間乾燥した。このプリプレグの数層を銅箔の間
に配置し、真空を利用した液圧プレスにより２２５℃の
温度で９０分間にわたって２５０ｐｓｉでプレスし、次
いで圧力下で冷却した。このようにして得られた生成し
た誘電体は、５７重量％のＳｉＯ₂ 、４重量％のＰＴＦ
Ｅ、及び３９重量％の接着剤を含み、銅に対する良好な
接着性、３．２の誘電率（１０ＧＨｚ）、及び０．００
５の誘電正接（１０ＧＨｚ）を示した。Example 3 274.7 g of bismaleimide triazine resin (BT2
060BJ, Mitsubishi Gas Chemical Co.) and 485g of MEK of 483g in manganese catalyst solution SiO ₂ (HW-11
-89) to give a fine dispersion. The dispersion was constantly stirred to ensure homogeneity. Then a 0.0002 inch thick expanded PTF
A piece of E was dipped into this resin mixture, removed, and then 165 ° C. under tension to obtain a flexible composite.
For 1 minute. Several layers of this prepreg were placed between copper foils, pressed at 250 psi for 90 minutes at a temperature of 225 ° C. by a hydraulic press using vacuum, and then cooled under pressure. The resulting dielectric thus obtained comprises 57% by weight of SiO ₂ , 4% by weight of PTF
E, and 39% by weight adhesive, good adhesion to copper, a dielectric constant of 3.2 (10 GHz), and 0.00
A dielectric loss tangent of 5 (10 GHz) was shown.

【００４６】例４ １５．４４ｋｇのＴｉＯ₂ 粉末（ＴＩ Ｐｕｒｅ Ｒ−
９００、デュポン社）を、３．３０ｋｇのビスマレイミ
ドトリアジン樹脂（ＢＴ２０６ＯＢＨ、三菱ガス化学
社）と１５．３８ｋｇのＭＥＫのマンガン触媒溶液の中
に混ぜ入れることによって微細な分散系を調製した。こ
の分散系を、均一性を保証するように絶えず攪拌した。
ＴｉＯ₂ を充填した厚さ０．０００４インチの延伸膨張
ＰＴＦＥ（ＴｉＯ₂ の充填率が４０％であって膜を最後
に圧縮しなかった以外は、モルチマーの米国特許第４９
８５２９６号の教示にしたがって充填した）の小片を、
次いでこの樹脂混合物の中に浸し、取り出し、次いで可
撓性のある複合材料を得るため、張力下で１６５℃にて
１分間乾燥した。このようにして得られた部分硬化した
接着剤複合材料は、７０重量％のＴｉＯ₂ 、９重量％の
ＰＴＦＥ、及び２１重量％の接着剤を含んだ。このプリ
プレグの数層を銅箔の間に配置し、真空を利用した液圧
プレスにより２２０℃の温度で５００ｐｓｉにて９０分
間プレスし、次いで圧力下で冷却した。この得られた誘
電体は、銅に対する良好な接着性、１０．０の誘電率、
及び０．００８の誘電正接を示した。Example 4 15.44 kg of TiO ₂ powder (TI Pure R-
900, DuPont) into a manganese catalyst solution of 3.30 kg of bismaleimide triazine resin (BT206OBH, Mitsubishi Gas Chemical) and 15.38 kg of MEK to prepare a fine dispersion. The dispersion was constantly agitated to ensure homogeneity.
Except that expanded PTFE (TiO ₂ filling rate of thickness 0.0004 inches filled with TiO ₂ was not compressed at the end of a the membrane is 40%, the U.S. Patent of Moruchima 49
(Filled according to the teachings of No. 85296)
It was then dipped into the resin mixture, removed, and then dried under tension at 165 ° C. for 1 minute to obtain a flexible composite. The partially cured adhesive composite thus produced comprised contained 70 wt% of TiO _2, 9% by weight of PTFE, and 21 wt% of the adhesive. Several layers of this prepreg were placed between copper foils and pressed in a hydraulic press using vacuum at a temperature of 220 ° C. at 500 psi for 90 minutes and then cooled under pressure. The resulting dielectric has good adhesion to copper, a dielectric constant of 10.0,
And a dielectric tangent of 0.008.

【００４７】例５ ７．３５ｋｇのＳｉＯ₂ （ＡＤＭＡＴＥＣＨＳ ＳＯ−
Ｅ２、タツモリＬＴＤ）に７．３５ｋｇのＭＥＫと７
３．５ｇのカップリング剤、即ち、3-グリシジルオキシ
プロピルトリメトキシシラン（Ｄｙｎａｓｙｌａｎ Ｇ
ＬＹＭＯ（Ｐｅｔｒａｃｈ Ｓｙｓｔｅｍｓ））を混合
することによって微細分散系を調製した。ＳＯ−Ｅ２
は、メーカーによると０．４〜０．６μｍの粒子直径、
４〜８ｍ² ／ｇの比表面積、０．２〜０．４ｇ／ｃｃ
（ルース）の嵩密度を有する高い球形性のシリカと説明
されている。Example 5 7.35 kg of SiO ₂ (ADMATECHS SO-
E2, Tsutsumori LTD) with 7.35kg MEK and 7
3.5 g of coupling agent, namely 3-glycidyloxypropyltrimethoxysilane (Dynasylan G
A fine dispersion was prepared by mixing LYMO (Petrach Systems). SO-E2
Has a particle diameter of 0.4-0.6 μm according to the manufacturer,
Specific surface area of 4 to 8 m ² / g, 0.2 to 0.4 g / cc
It is described as a highly spherical silica having a (loose) bulk density.

【００４８】この分散系に、メチルエチルケトン（ＭＥ
Ｋ）中のシアン化フェノール樹脂のプリマセットＰＴ−
３０（ロンザ社）の５０重量％溶液の９３２ｇ、ＭＥＫ
中のＲＳＬ１４６２（シェルレジンズ社（ＣＡＳ＃２５
０６８−３８−６））の５０重量％溶液の８９６ｇ、Ｍ
ＥＫ中のＢＣ−５８（グレートレークス社）の５０重量
％溶液の３８０ｇ、ＭＥＫ中のビスフェノールＡ（アル
ドリッチ社）の５０％溶液の５４ｇ、１２．６ｇのイル
ガノックス１０１０（チバガイギー社）、マンガン-2-
エチルヘキサノエート（Ｍｎ ＨＥＸ−ＣＥＭ（ＯＭＧ
社））の０．６％溶液の３．１ｇ、及び２．４０ｋｇの
ＭＥＫを添加した。この分散系を、約１〜３ガロン／分
の速度で約２０分間にわたってＭｉｓｏｎｉｃｓ連続フ
ローセルによる超音波攪拌に供した。このようにして得
られた微細分散系を、固形分１１．９重量％の全浴濃度
(overall bath concentration)までさらに希釈した。In this dispersion, methyl ethyl ketone (ME
Primerset PT- of cyanated phenolic resin in K)
30 (Lonza), 932 g of a 50% by weight solution, MEK
RSL1462 (Shell Resins (CAS # 25)
896-38-6)), 896 g of a 50% by weight solution of
380 g of a 50% by weight solution of BC-58 (Great Lakes) in EK, 54 g of a 50% solution of bisphenol A (Aldrich) in MEK, 12.6 g of Irganox 1010 (Ciba Geigy), manganese- 2-
Ethyl hexanoate (Mn HEX-CEM (OMG
3.1 g of a 0.6% solution of the above) and 2.40 kg of MEK were added. The dispersion was subjected to ultrasonic agitation with a Misonics continuous flow cell at a rate of about 1-3 gal / min for about 20 minutes. The fine dispersion thus obtained was subjected to a total bath concentration of 11.9% by weight of solids.
(overall bath concentration).

【００４９】この微細分散系を含浸浴に注ぎ入れた。図
２７の結節とフィブリルの構造と次の特性を有する延伸
膨張ポリテトラフルオロエチレンのウェブが使用され
た。[0049] The fine dispersion was poured into an impregnation bath. An expanded polytetrafluoroethylene web having the knot and fibril structure of FIG. 27 and the following properties was used.

【００５０】[0050]

【表２】 [Table 2]

【００５１】フレージャー数は、評価される材料の空気
透過率に関係する。空気透過率は、空気の流れの測定の
ために約６平方インチの円形領域を有するガスケット付
固定具にウェブを締めつけることによって測定される。
上流側は、乾燥圧縮空気の供給源に直列の流量計に接続
された。サンプル固定具の下流側は大気に開放された。
テストは、サンプルの上流側に水柱０．５インチの圧力
を加え、直列の流量計（流量計に接続されたボール浮遊
式ローターメーター）を通過する空気の流速を記録する
ことによって行われる。The Frazier number is related to the air permeability of the material being evaluated. Air permeability is measured by clamping the web to a gasket fixture having a circular area of about 6 square inches for measurement of air flow.
The upstream side was connected to a flow meter in series with a supply of dry compressed air. The downstream side of the sample fixture was open to the atmosphere.
The test is performed by applying a pressure of 0.5 inch of water to the upstream side of the sample and recording the flow rate of air through a series flow meter (ball-floating rotor meter connected to the flow meter).

【００５２】ボール破裂強度は、破壊の最大値を測定す
ることによってサンプルの相対的な強度を評価するテス
トである。ウェブは、２枚のプレートの間に締めつけら
れながら、直径１インチのボールで攻撃される。Ｃｈａ
ｔｉｌｌｏｎフォースゲージボール破裂試験を使用し
た。媒体が測定装置にぴんと張って配置され、破裂プロ
ーブのボールに接触してウェブを持ち上げることによっ
て圧力が加えられる。破断時の圧力が記録される。Ball rupture strength is a test that evaluates the relative strength of a sample by measuring the maximum value of rupture. The web is attacked with a 1 inch diameter ball, clamped between two plates. Cha
A tillon force gauge ball burst test was used. The media is placed taut on the measuring device and pressure is applied by lifting the web against the ball of the rupture probe. The pressure at break is recorded.

【００５３】上記のウェブは、均一性を保証するため、
３フィート／分又は約３フィート／分の速度で常時攪拌
した含浸浴の中を通した。含浸されたウェブは、溶媒の
全て又は殆どを除去するため直ちに加熱オーブンを通過
させ、ロール上に集められる。このプリプレグの数層を
銅箔の間に配置し、真空を利用した液圧プレスで２２０
℃の温度で９０分間にわたって２００ｐｓｉでプレス
し、次いで圧力下で冷却した。得られた誘電体は、銅に
対する良好な接着性、３．０の誘電率（１０ＧＨｚ）、
及び０．００８５の誘電正接（１０ＧＨｚ）を示した。The above-mentioned web is to ensure uniformity,
It was passed through a constantly stirred impregnation bath at a rate of 3 feet / minute or about 3 feet / minute. The impregnated web is immediately passed through a heating oven to remove all or most of the solvent and collected on rolls. Several layers of this prepreg were placed between copper foils and 220 pressed with a vacuum hydraulic press.
Pressed at 200 psi for 90 minutes at a temperature of ° C. and then cooled under pressure. The resulting dielectric has good adhesion to copper, a dielectric constant of 3.0 (10 GHz),
And a dielectric loss tangent (10 GHz) of 0.0085.

【００５４】例２と例５で使用した粒子状フィラーの物
理的特性を下記に比較する。The physical properties of the particulate fillers used in Examples 2 and 5 are compared below.

【００５５】[0055]

【表３】 [Table 3]

【００５６】例６ 溶融ケイ素の蒸気燃焼によって調製したＳｉＯ₂ を主成
分とするフィラーと接着剤の含浸された混合物を含む延
伸膨張ポリテトラフルオロエチレン（ｅＰＴＦＥ）マト
リックスを次のようにして調製した。最初に２つの前駆
体混合物を調製した。１つは、例３に類似のシラン処理
シリカを含むスラリーの形態であり、もう１つは、樹脂
と他の成分の触媒添加されていない配合物である。 −混合物Ｉ− シリカスラリーは、ＭＥＫ中の例３のＳＯ−Ｅ２シリカ
の５０／５０配合物であり、本シリカは、シリカの１重
量％に等しいシランのコーティングを含んだ。５ガロン
の容器に１７．５ポンドのＭＥＫと７９ｇのシランを添
加し、ＭＥＫ中のシランの均一な分散を保証するよう
に、２つの成分を混合した。次いで例３のシリカの１
７．５ポンドを添加した。ＭＥＫ・シリカ・シラン混合
物の２つの５ガロン容器を反応器に加え、その内容物、
即ちスラリーを、約１時間にわたって超音波分散器によ
って再循環させ、存在し得る全てのシリカ凝集物を破壊
した。超音波攪拌を終え、内容物を連続的に混合しなが
ら、反応器の内容物を約１時間約８０℃に加熱した。次
いで反応した混合物を１０ガロンの容器に移した。 −混合物ＩＩ− 所望の樹脂配合物の生成物は、約６０％の固形分を含有
する触媒添加されていない樹脂配合物（接着剤）を含む
ＭＥＫを基剤とした混合物であり、その固形分は、正確
には、４１．２％のＰＴ−３０シアン化フェノール樹
脂、３９．５％のＲＳＬ１４６２エポキシ樹脂、１６．
７％のＢＣ５８難燃剤、１．５％のＩｒｇａｎｏｘ１０
１０安定剤、及び１％のビスフェノールＡ共触媒の混合
物であり、％はいずれも重量基準である。EXAMPLE 6 An expanded polytetrafluoroethylene (ePTFE) matrix containing an impregnated mixture of SiO ₂ -based filler and adhesive prepared by steam combustion of molten silicon was prepared as follows. First, two precursor mixtures were prepared. One is in the form of a slurry containing silanized silica similar to Example 3, and the other is an uncatalyzed blend of resin and other components. -Mixture I-The silica slurry was a 50/50 blend of the SO-E2 silica of Example 3 in MEK, the silica containing a coating of silane equal to 1% by weight of the silica. To a 5 gallon container was added 17.5 pounds of MEK and 79 g of silane, and the two components were mixed to ensure uniform distribution of the silane in the MEK. Then one of the silicas of Example 3
7.5 pounds were added. Add two 5 gallon containers of the MEK / silica / silane mixture to the reactor and add the contents,
That is, the slurry was recirculated by an ultrasonic disperser for about one hour to destroy any silica agglomerates that may be present. The ultrasonic agitation was terminated and the reactor contents were heated to about 80 ° C. for about 1 hour while continuously mixing the contents. The reacted mixture was then transferred to a 10 gallon container. -Mixture II-The product of the desired resin formulation is a MEK-based mixture comprising an uncatalyzed resin formulation (adhesive) containing about 60% solids, Is precisely 41.2% PT-30 cyanated phenolic resin, 39.5% RSL1462 epoxy resin, 16.
7% BC58 flame retardant, 1.5% Irganox 10
A mixture of 10 stabilizers and 1% bisphenol A cocatalyst, all percentages are by weight.

【００５７】１０ガロンの容器の中に１４．８ポンドの
ＰＴ−３０と１５〜２０ポンドのＭＥＫを添加し、ＰＴ
−３０を完全に溶媒和するように激しく攪拌した。次い
で６ポンドのＢＣ５８を秤量し、ＭＥＫ／ＰＴ−３０の
溶液に添加し、ＢＣ５８を溶媒和するために激しく攪拌
した。安定剤の２４４．５ｇのＩｒｇａｎｏｘ１０１
０、及びビスフェノールＡの１６３ｇを添加した。１０
ガロンの容器を再度秤量し、１４．２２ポンドのＲＳＬ
１４６２を添加した。追加のＭＥＫを添加し、混合物の
重量を６０ポンドにした。次いで約１〜２時間にわたっ
て、又は固体成分を完全に溶かすのに必要なだけ長くそ
の内容物を激しく攪拌した。In a 10 gallon container, add 14.8 pounds of PT-30 and 15-20 pounds of MEK and add
-30 was stirred vigorously to completely solvate. Six pounds of BC58 was then weighed and added to the MEK / PT-30 solution and stirred vigorously to solvate BC58. 244.5 g of Irganox 101 as stabilizer
0 and 163 g of bisphenol A were added. 10
Reweigh the gallon container and weigh 14.22 pounds RSL
1462 was added. Additional MEK was added to bring the mixture to a weight of 60 pounds. The contents were then vigorously stirred for about 1-2 hours or as long as necessary to completely dissolve the solid components.

【００５８】所望の生成物は、シランで処理したシリ
カ、触媒添加されていない樹脂配合物、及びＭＥＫの混
合物であり、その固形分の６８重量％がシリカであり、
全固形分は混合物の５〜５０重量％である。正確な固形
分濃度は実験ごとに変わり、一部は含浸される膜によっ
て決まる。触媒レベルは、ＰＴ−３０とＲＳＬ１４６２
の合計に対して１０ｐｐｍである。The desired product is a mixture of silane treated silica, an uncatalyzed resin formulation, and MEK, of which 68% by weight of solids is silica;
Total solids is 5-50% by weight of the mixture. The exact solids concentration will vary from experiment to experiment, and will depend in part on the membrane being impregnated. Catalyst levels were PT-30 and RSL1462.
Is 10 ppm with respect to the sum of

【００５９】混合物ＩとＩＩの固形分を、前駆体の正確
性を実証するため、及び生じた全ての溶媒の飛散を補償
するために測定した。次いで混合物Ｉを１０ガロンの容
器に添加し、１２ポンドの固体分、例えば、２３．４８
ポンドの混合物Ｉ中の５１．５％の固形分を得た。次い
で混合物ＩＩをその容器に添加し、５．６４ポンドの固
体分、例えば、９．４６ポンドの混合物ＩＩ中の５９．
６％の固形分を得た。マンガン触媒溶液（ミネラルスピ
リット中の０．６％）の３．４５ｇを混合物Ｉと混合物
ＩＩの混合物に添加し、十分に混合し、高い固形分の混
合物を作成した。The solids content of Mixtures I and II were measured to verify the accuracy of the precursor and to compensate for any solvent splatter that occurred. Mixture I is then added to a 10 gallon container and has 12 pounds of solids, for example, 23.48.
51.5% solids in pounds of Mixture I was obtained. Mixture II was then added to the vessel and 5.64 pounds of solids, for example, 59.46 pounds of 9.46 pounds of mixture II.
6% solids were obtained. 3.45 g of manganese catalyst solution (0.6% in mineral spirits) was added to the mixture of Mixture I and Mixture II and mixed well to make a high solids mixture.

【００６０】その高固形分の混合物に十分なＭＥＫを添
加して６３ポンドの全重量にすることによって、ｅＰＴ
ＦＥマトリックスを含浸するための固形分２８％の混合
物の浴混合物を調製した。次に、ｅＰＴＦＥマトリック
スをこの浴混合物で含浸し、誘電体材料を作成した。By adding sufficient MEK to the high solids mixture to a total weight of 63 pounds, the ePT
A bath mixture of a 28% solids mixture was prepared for impregnating the FE matrix. Next, an ePTFE matrix was impregnated with the bath mixture to create a dielectric material.

【００６１】例７ ２６．８ｇのファーネフブラック（ニュージャージ州の
リッジフィールドパークにあるデグッサ社より入手のＳ
ｐｅｃｉａｌ Ｓｃｈｗａｒｚ １００）、及び７９ｇ
のカップリング剤（Ｄｙｎａｓｌａｎ ＧＬＹＭＯ Ｃ
ＡＳ ＃２５３０−８３−８、3-グリシジルオキシプロ
ピル- トリメトキシシラン（Ｐｅｔｒａｃｈ Ｓｙｓｔ
ｅｍｓ））を混合することによって微細分散系を調製し
た。この分散系を１分間にわたって超音波攪拌に供し、
次いで予め超音波攪拌しておいた１７．５ポンドのＭＥ
Ｋ中の１７．５ポンドのＳｉＯ₂(ＳＯ−Ｅ２）の攪拌中
の分散系に添加した。還流で１時間絶えず頂部からの混
合をしながら最終的な分散系を加熱して次いでこれを室
温まで放冷した。Example 7 26.8 g Furneff Black (S obtained from Degussa, Ridgefield Park, NJ)
special Schwarz 100), and 79 g
Coupling agent (Dynaslan GLYMO C)
AS # 2530-83-8, 3-glycidyloxypropyl-trimethoxysilane (Petrach Syst)
ems)) to prepare a fine dispersion. This dispersion is subjected to ultrasonic stirring for 1 minute,
Then 17.5 pounds of ME previously ultrasonically stirred.
It was added to the dispersion during stirring 17.5 pounds SiO ₂ (SO-E2) in K. The final dispersion was heated at reflux with constant top mixing for 1 hour and then allowed to cool to room temperature.

【００６２】これとは別に、ＭＥＫ中のプリマセットＰ
Ｔ−３０の５７．５重量％混合物の３４１３ｇ、ＭＥＫ
中のＲＳＬ１４６２の７６．８重量％混合物の２４５６
ｇ、ＭＥＫ中のＢＣ５８（グレートレークス社）の５
３．２重量％溶液の１４９５ｇ、ＭＥＫ中のビスフェノ
ールＡ（アルドリッチ社）の２３．９重量％溶液の２０
０ｇ、７１．５ｇのＩｒｇａｎｏｘ１０１０、ミネラル
スピリット中のＭｎ ＨＥＸ−ＣＥＭ（ＯＭＧ社）の
０．６重量％溶液の３．２１ｇ、及び２．４０ｋｇのＭ
ＥＫを加えることによって接着剤ワニスを調製した。Separately, Primaset P in MEK
3413 g of a 57.5% by weight mixture of T-30, MEK
Of a 76.8% by weight mixture of RSL1462 in
g, 5 of BC58 (Great Lakes) in MEK
1495 g of a 3.2 wt% solution, 20 of a 23.9 wt% solution of bisphenol A (Aldrich) in MEK
0 g, 71.5 g of Irganox 1010, 3.21 g of a 0.6 wt% solution of Mn HEX-CEM (OMG) in mineral spirits, and 2.40 kg of M
An adhesive varnish was prepared by adding EK.

【００６３】別な容器の中に、上記の分散系の３７３９
ｇ、及び０．０２３３ｇのファーネスブラック（ニュー
ジャージ州のリッジフィールドパークにあるデグッサ社
より入手のＳｐｅｃｉａｌ Ｓｃｈｗａｒｚ １０
０）、１３２８ｇの上記の接着剤ワニス、及び３８．３
ポンドのＭＥＫを添加した。この混合物を含浸浴に注ぎ
入れ、３フィート／分又は約３フィート／分の速度でｅ
ＰＴＦＥウェブを含浸浴の中に通した。均一性を保証す
るため、この分散系を絶えず攪拌した。含浸されたウェ
ブは、溶媒の全て又は殆どを除去するために直ちに加熱
オーブンを通過させ、ロール上に集めた。In a separate container, 3739 of the above dispersion
g and 0.0233 g of furnace black (Special Schwarz 10 from Degussa, Ridgefield Park, NJ)
0), 1328 g of the above adhesive varnish, and 38.3
Pounds of MEK were added. Pour the mixture into the impregnation bath and e at a rate of 3 feet / minute or about 3 feet / minute.
The PTFE web was passed through the impregnation bath. The dispersion was constantly stirred to ensure homogeneity. The impregnated web was immediately passed through a heating oven to remove all or most of the solvent and collected on rolls.

【００６４】このプリプレグの数層を銅箔の間に配置
し、真空を利用した液圧プレスで２００℃の温度で９０
分間にわたって２００ｐｓｉでプレスし加圧下に冷却し
た。得られた誘電体は、銅に対する良好な接着性を示し
た。 例８ ＭＥＫ中のプリマセットＰＴ−３０（ＰＭＮ Ｐ−８８
−１５９１）の５７．５重量％溶液の３４１３ｇ、ＭＥ
Ｋ中のＲＳＬ１４６２の７６．８重量％溶液の２４５６
ｇ、ＭＥＫ中のＢＣ−５８（グレートレークス社）の５
３．２重量％溶液の１４９５ｇ、ＭＥＫ中のビスフェノ
ールＡ（アルドリッチ社）の２３．９重量％溶液の２０
０ｇ、７１．５ｇのＩｒｇａｎｏｘ１０１０、ミネラル
スピリット中のＭｎ ＨＥＸ−ＣＥＭの０．６重量％溶
液の３．２１ｇ、及び２．４０ｋｇのＭＥＫを加えるこ
とによって接着剤ワニスを調製した。Several layers of this prepreg were placed between copper foils and pressed at 200 ° C. by a hydraulic press using vacuum.
Pressed at 200 psi for minutes and cooled under pressure. The resulting dielectric exhibited good adhesion to copper. Example 8 Primaset PT-30 in MEK (PMN P-88
3413 g of a 57.5% by weight solution of
2456 of a 76.8% by weight solution of RSL1462 in K
g, 5 of BC-58 (Great Lakes) in MEK
1495 g of a 3.2 wt% solution, 20 of a 23.9 wt% solution of bisphenol A (Aldrich) in MEK
An adhesive varnish was prepared by adding 0 g, 71.5 g Irganox 1010, 3.21 g of a 0.6% by weight solution of Mn HEX-CEM in mineral spirits, and 2.40 kg MEK.

【００６５】別な容器の中に、上記の接着剤ワニスの１
３２８ｇ、４２．３ポンドのＭＥＫ、６．４０ｇのファ
ーネスブラック（ニュージャージ州のリッジフィールド
パークにあるデグッサ社より入手のＳｐｅｃｉａｌ Ｓ
ｃｈｗａｒｚ １００）、及び１８６０．９ｇのＳｉＯ
₂(ＳＯ−Ｅ２）を共に加えた。この混合物を含浸浴に注
ぎ入れ、３フィート／分又は約３フィート／分の速度で
ｅＰＴＦＥウェブを含浸浴の中を通した。均一性を保証
するため、この分散系を絶えず攪拌した。含浸されたウ
ェブは、溶媒の全て又は殆どを除去するため直ちに加熱
オーブンを通過させ、ロール上に集めた。In a separate container, place one of the above adhesive varnishes
328g, 42.3lb MEK, 6.40g Furnace Black (Special S from Degussa, Ridgefield Park, NJ)
chwarz 100) and 1860.9 g of SiO
₂ (SO-E2) was added together. The mixture was poured into the impregnation bath and the ePTFE web was passed through the impregnation bath at a rate of 3 feet / minute or about 3 feet / minute. The dispersion was constantly stirred to ensure homogeneity. The impregnated web was immediately passed through a heating oven to remove all or most of the solvent and collected on rolls.

【００６６】このプリプレグの数層を銅箔の間に配置
し、真空を利用した液圧プレスで２２０℃の温度で９０
分間にわたって２００ｐｓｉでプレスし加圧下に冷却し
た。得られた誘電体は、銅に対する良好な接着性を示し
た。 例９ ＭＥＫ中のプリマセットＰＴ−３０（ＰＭＮ Ｐ−８８
−１５９１）の５７．７重量％溶液の３４１３ｇ、ＭＥ
Ｋ中のＲＳＬ１４６２の７６．８重量％溶液の２４５６
ｇ、ＭＥＫ中のＢＣ−５８の５３．２重量％溶液の１４
９５ｇ、ＭＥＫ中のビスフェノールＡ（アルドリッチ
社）の２３．９重量％溶液の２００ｇ、７１．５ｇのＩ
ｒｇａｎｏｘ１０１０、ミネラルスピリット中のＭｎ
ＨＥＸ−ＣＥＭの０．６重量％溶液の３．２１ｇ、及び
２．４０ｋｇのＭＥＫを加えることによって接着剤ワニ
スを調製した。Several layers of this prepreg are placed between copper foils and pressed at 220 ° C. at 90 ° C. by a hydraulic press using vacuum.
Pressed at 200 psi for minutes and cooled under pressure. The resulting dielectric exhibited good adhesion to copper. Example 9 Primaset PT-30 in MEK (PMN P-88
3413 g of a 57.7% by weight solution of
2456 of a 76.8% by weight solution of RSL1462 in K
g, 14 of a 53.2% by weight solution of BC-58 in MEK
95 g, 200 g of a 23.9 wt% solution of bisphenol A (Aldrich) in MEK, 71.5 g of I
rganox1010, Mn in mineral spirits
An adhesive varnish was prepared by adding 3.21 g of a 0.6% by weight solution of HEX-CEM and 2.40 kg of MEK.

【００６７】これとは別に、３ｇのファーネスブラック
（ニュージャージ州のリッジフィールドパークにあるデ
グッサ社より入手のＳｐｅｃｉａｌ Ｓｃｈｗａｒｚ
１００）と、ＫＲ５５（ニュージャージ州のＢａｙｏｎ
ｎｅにあるケンリッチペトロケミカルズ社の（2,2 ジア
リロキシメチル）ブチルジ（ジトリデシル）ホスフィッ
トチタネート、ＣＡＤ６４１５７−１４８）の５．０重
量％混合物の０．１２ｇ、及び２０ｇのＭＥＫを混合す
ることによって微細なブラックディスパージョンを調製
し、次いでそのディスパージョンを１分間の超音波攪拌
に供した。Separately, 3 g of furnace black (Special Schwarz, available from Degussa, Ridgefield Park, NJ)
100) and KR55 (Bayon, NJ)
mixing 0.12 g of a 5.0% by weight mixture of (2,2 diallyloxymethyl) butyldi (ditridecyl) phosphite titanate from Kenrich Petrochemicals, Inc. To prepare a fine black dispersion, which was then subjected to ultrasonic stirring for 1 minute.

【００６８】別な容器の中で、１８ｇのＳｉＯ₂ （ＡＤ
ＭＡＴＥＣＨＳ ＳＯ−Ｅ２、タツモリＬＴＤ）、ＫＲ
５５（ニュージャージ州のＢａｙｏｎｎｅにあるケンリ
ッチ社、ＣＡＳ６４１５７−１４−８）である 2,2（ジ
アリロキシメチル）ブチルジ（ジトリデシル）ホスフィ
ットチタネートの５．０重量％混合物の０．７２ｇ、上
記の接着剤ワニスの８．５６ｇ、及びワニス中のドライ
接着剤の重量を基準に０．８重量％のカーボンブラック
を与えるのに十分な上記の微細なブラックディスパージ
ョンを混合し、超音波攪拌に１分間にわたって供した。
このようにして得られた微細ディスパージョンを、直径
３インチのｅＰＴＦＥ小片の上に注いだ。この含浸工程
を、いくつかの直径３インチのｅＰＴＦＥ小片について
繰り返した。このようにして得られた薄い接着剤シート
を、１６３℃の強制空気オーブン中で１．５分間加熱
し、次いで室温まで放冷した。In a separate container, 18 g of SiO ₂ (AD
MATECHS SO-E2, Tsutsumori LTD), KR
0.72 g of a 5.0% by weight mixture of 2,2 (diaryloxymethyl) butyl di (ditridecyl) phosphite titanate, which is 55 (Kenrich Company, Bayonne, NJ, CAS 64157-14-8), as described above. 8.56 g of adhesive varnish and the above fine black dispersion sufficient to give 0.8% by weight of carbon black, based on the weight of dry adhesive in the varnish, are mixed, and 1 part of ultrasonic stirring is performed. Served for minutes.
The fine dispersion thus obtained was poured on a small piece of ePTFE having a diameter of 3 inches. This impregnation step was repeated for several 3 inch diameter pieces of ePTFE. The thin adhesive sheet thus obtained was heated in a forced air oven at 163 ° C. for 1.5 minutes and then allowed to cool to room temperature.

【００６９】例１０ ＭＥＫ中のプリマセットＰＴ−３０（ＰＭＮ Ｐ−８８
−１５９１）の５７．５重量％溶液の３４１３ｇ、ＭＥ
Ｋ中のＲＳＬ１４６２の７６．８重量％溶液の２４５６
ｇ、ＭＥＫ中のＢＣ−５８の５３．２重量％溶液の１４
９５ｇ、ＭＥＫ中のビスフェノールＡ（アルドリッチ
社）の２３．９重量％溶液の２００ｇ、７１．５ｇのＩ
ｒｇａｎｏｘ１０１０、ミネラルスピリット中のＭｎ
ＨＥＸ−ＣＥＭの０．６重量％溶液の３．２１ｇ、及び
２．４０ｋｇのＭＥＫを加えることによって接着剤ワニ
スを調製した。Example 10 Primaset PT-30 (PMN P-88) in MEK
3413 g of a 57.5% by weight solution of
2456 of a 76.8% by weight solution of RSL1462 in K
g, 14 of a 53.2% by weight solution of BC-58 in MEK
95 g, 200 g of a 23.9 wt% solution of bisphenol A (Aldrich) in MEK, 71.5 g of I
rganox1010, Mn in mineral spirits
An adhesive varnish was prepared by adding 3.21 g of a 0.6% by weight solution of HEX-CEM and 2.40 kg of MEK.

【００７０】１８．５ｇのＭＥＫと１．８５ｇのヘキサ
メチルジシラザン（ＣＡＳ＃９９９−９７−３，Ｈｕｌ
ｓ Ａｍｅｒｉｃａ＃Ｈ７３００）の混合物に１８．４
８ｇのＳｉＯ₂ （ＳＯ−Ｅ２）を添加することによって
ディスパージョンを調製し、超音波攪拌に１分間にわた
って供した。最後に、上記の接着剤ワニスの１０．２８
ｇを本ディスパージョンに添加し、このようにして得ら
れた物を直径３インチのｅＰＴＦＥ小片の上に注いだ。
この含浸工程を、いくつかの直径３インチのｅＰＴＦＥ
小片について繰り返した。このようにして得られた薄い
接着剤シートを、１６３℃の強制空気オーブン中で１．
５分間加熱し、次いで室温まで放冷した。18.5 g of MEK and 1.85 g of hexamethyldisilazane (CAS # 999-97-3, Hul
18.4 to the mixture of America (H.
The dispersion was prepared by adding SiO ₂ (SO-E2) of 8 g, was subjected for 1 minute to ultrasonic agitation. Finally, 10.28 of the above adhesive varnish
g was added to the dispersion and the so obtained was poured onto a 3 inch diameter piece of ePTFE.
This impregnation step is performed using several 3 inch diameter ePTFE.
Repeated for small pieces. The thin adhesive sheet thus obtained was placed in a forced air oven at 163 ° C. for 1.
Heated for 5 minutes and then allowed to cool to room temperature.

【００７１】例１１ マンガン触媒のシアネートエステルビストリアジン接着
剤ワニス（ＢＴ２０６０ＢＪ）の６１重量％溶液の２４
９．８ｇと５２８ｇのＭＥＫに、アモルファスコロイド
状シリカ粉末の２５２．３ｇ（ＣＡＳ＃７６３１−８６
−９，ＧｅｌＴｅｃｈ＃１．５μｍ）を添加した。得ら
れたディスパージョンを２分間の超音波攪拌に供した。
このようにして得られた微細ディスパージョンを円筒状
容器に注ぎ入れ、刺繍用の輪の中に入れられたｅＰＴＦ
Ｅの直径１０インチの小片を含浸浴の中に沈めた。この
含浸工程を、刺繍用の輪の中に入れられたｅＰＴＦＥの
いくつかの直径１０インチのｅＰＴＦＥ小片について繰
り返した。このようにして得られた薄い接着剤シート
を、１６３℃の強制空気オーブン中で１．５分間加熱
し、次いで室温まで放冷した。Example 11 Manganese catalyzed cyanate ester bistriazine adhesive varnish (BT2060BJ) 24 of a 61% by weight solution
To 9.8 g and 528 g of MEK, 252.3 g of an amorphous colloidal silica powder (CAS # 7631-86)
-9, GelTech # 1.5 μm). The resulting dispersion was subjected to ultrasonic stirring for 2 minutes.
The fine dispersion thus obtained is poured into a cylindrical container and the ePTF placed in an embroidery loop
A 10 inch diameter piece of E was submerged in the impregnation bath. This impregnation process was repeated for several 10 inch diameter ePTFE pieces of ePTFE placed in an embroidery hoop. The thin adhesive sheet thus obtained was heated in a forced air oven at 163 ° C. for 1.5 minutes and then allowed to cool to room temperature.

【００７２】例１２ ＭＥＫ中のプリマセットＰＴ−３０（ＰＭＮ Ｐ−８８
−１５９１）の５７．５重量％溶液の３４１３ｇ、ＭＥ
Ｋ中のＲＳＬ１４６２の７６．８重量％溶液の２４５６
ｇ、ＭＥＫ中のＢＣ−５８の５３．２重量％溶液の１４
９５ｇ、ＭＥＫ中のビスフェノールＡの２３．９重量％
溶液の２００ｇ、７１．５ｇのＩｒｇａｎｏｘ１０１
０、ミネラルスピリット中のＭｎ ＨＥＸ−ＣＥＭの
０．６重量％溶液の３．２１ｇ、及び２．４０ｋｇのＭ
ＥＫを加えることによって接着剤ワニスを調製した。Example 12 Primaset PT-30 (PMN P-88) in MEK
3413 g of a 57.5% by weight solution of
2456 of a 76.8% by weight solution of RSL1462 in K
g, 14 of a 53.2% by weight solution of BC-58 in MEK
95g, 23.9% by weight of bisphenol A in MEK
200 g of solution, 71.5 g of Irganox 101
0, 3.21 g of a 0.6% by weight solution of Mn HEX-CEM in mineral spirits, and 2.40 kg of M
An adhesive varnish was prepared by adding EK.

【００７３】これとは別に、５．０９ｇのファーネスブ
ラック（Ｓｐｅｃｉａｌ Ｓｃｈｗａｒｚ １００）、
ジイソプロピル（オレイル）−アセトアセチルアルミネ
ート（ＫＲ３２２，Ｋｅｎｒｉｃｈ７）の５．０重量％
溶液の２．０８ｇ、及び４５．０６ｇのＭＥＫを混合す
ることによって微細なブラックディスパージョンを調製
した。このようにして得られた微細ディスパージョンを
３０秒間にわたって超音波攪拌に供した。Separately, 5.09 g of furnace black (Special Schwarz 100),
5.0% by weight of diisopropyl (oleyl) -acetoacetylaluminate (KR322, Kenrich 7)
A fine black dispersion was prepared by mixing 2.08 g of the solution and 45.06 g of MEK. The fine dispersion thus obtained was subjected to ultrasonic stirring for 30 seconds.

【００７４】別な容器の中に、３４．５３ｇのＳｉＯ₂
（ＳＯ−Ｅ２）と、ジイソプロピル（オレイル）アセト
アセチルアルミネートの５．０重量％溶液の１３．８８
ｇを一緒に添加し、３０秒間の超音波攪拌に供した。攪
拌しながら、上記の接着剤ワニスの１９．８１ｇと上記
の微細ブラックディスパージョンの１．６６ｇを添加し
た。このようにした得られた微細ディスパージョンを超
音波攪拌に３０秒間にわたって供し、次いで直径３イン
チのｅＰＴＦＥ小片の上に注いだ。この含浸工程を、い
くつかの直径３インチのｅＰＴＦＥ小片について繰り返
した。このようにして得られた薄い接着剤シートを、１
６３℃の強制空気オーブン中で１．５分間加熱し、次い
で室温まで放冷した。In a separate container, 34.53 g of SiO ₂
13.88 of a 5.0 wt% solution of (SO-E2) and diisopropyl (oleyl) acetoacetylaluminate.
g were added together and subjected to ultrasonic stirring for 30 seconds. While stirring, 19.81 g of the above adhesive varnish and 1.66 g of the above fine black dispersion were added. The resulting fine dispersion thus obtained was subjected to ultrasonic agitation for 30 seconds and then poured onto a 3 inch diameter piece of ePTFE. This impregnation step was repeated for several 3 inch diameter pieces of ePTFE. The thin adhesive sheet thus obtained was
Heated in a forced air oven at 63 ° C. for 1.5 minutes, then allowed to cool to room temperature.

【００７５】本発明の特定の態様を本願で例示し、説明
してきたが、本発明はこのような例示や説明に限定され
るべきでない。いろいろな変化や変更が、特許請求の範
囲の中で本発明の一部として取り入れられ、具体化され
得ることは明らかであろう。Although particular embodiments of the present invention have been illustrated and described herein, the present invention should not be limited to such illustrations and descriptions. It will be apparent that various changes and modifications can be made and embodied as part of the present invention in the claims.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】従来技術の抵抗体形成プロセスから得られる抵
抗体の例を示す。FIG. 1 shows an example of a resistor obtained from a prior art resistor formation process.

【図２】従来技術の抵抗体形成プロセスから得られる抵
抗体のもう１つの例を示す。FIG. 2 shows another example of a resistor obtained from a prior art resistor formation process.

【図３】本発明による抵抗体形成プロセスのフロー図で
ある。FIG. 3 is a flowchart of a resistor forming process according to the present invention.

【図４】本発明による抵抗体形成プロセスのフロー図で
ある。FIG. 4 is a flowchart of a resistor forming process according to the present invention.

【図５】図３と図４に示されたプロセスを用いた抵抗体
の形成と、そのようにして形成された代表的な抵抗体の
例示である。FIG. 5 is an illustration of the formation of a resistor using the process shown in FIGS. 3 and 4, and a representative resistor so formed.

【図６】図３と図４に示されたプロセスを用いた抵抗体
の形成と、そのようにして形成された代表的な抵抗体の
例示である。FIG. 6 is an illustration of the formation of a resistor using the process shown in FIGS. 3 and 4, and a representative resistor so formed.

【図７】図３と図４に示されたプロセスを用いた抵抗体
の形成と、そのようにして形成された代表的な抵抗体の
例示である。FIG. 7 is an illustration of the formation of a resistor using the process shown in FIGS. 3 and 4, and a representative resistor so formed.

【図８】図３と図４に示されたプロセスを用いた抵抗体
の形成と、そのようにして形成された代表的な抵抗体の
例示である。FIG. 8 is an illustration of the formation of a resistor using the process shown in FIGS. 3 and 4, and a representative resistor so formed.

【図９】図３と図４に示されたプロセスを用いた抵抗体
の形成と、そのようにして形成された代表的な抵抗体の
例示である。FIG. 9 is an illustration of forming a resistor using the process shown in FIGS. 3 and 4, and a representative resistor so formed.

【図１０】図３と図４に示されたプロセスを用いた抵抗
体の形成と、そのようにして形成された代表的な抵抗体
の例示である。FIG. 10 is an illustration of formation of a resistor using the process shown in FIGS. 3 and 4, and a representative resistor so formed.

【図１１】図３と図４に示されたプロセスを用いた抵抗
体の形成と、そのようにして形成された代表的な抵抗体
の例示である。FIG. 11 is an illustration of formation of a resistor using the process shown in FIGS. 3 and 4, and a representative resistor so formed.

【図１２】図３と図４に示されたプロセスを用いた抵抗
体の形成と、そのようにして形成された代表的な抵抗体
の例示である。FIG. 12 is an illustration of formation of a resistor using the process shown in FIGS. 3 and 4, and a representative resistor so formed.

【図１３】図３と図４に示されたプロセスを用いた抵抗
体の形成と、そのようにして形成された代表的な抵抗体
の例示である。FIG. 13 is an illustration of formation of a resistor using the process shown in FIGS. 3 and 4, and a representative resistor so formed.

【図１４】図３と図４に示されたプロセスを用いた抵抗
体の形成と、そのようにして形成された代表的な抵抗体
の例示である。FIG. 14 is an illustration of the formation of a resistor using the process shown in FIGS. 3 and 4, and a representative resistor so formed.

【図１５】図３と図４に示されたプロセスを用いた抵抗
体の形成と、そのようにして形成された代表的な抵抗体
の例示である。FIG. 15 is an illustration of forming a resistor using the process shown in FIGS. 3 and 4, and a representative resistor so formed.

【図１６】図３と図４に示されたプロセスを用いた抵抗
体の形成と、そのようにして形成された代表的な抵抗体
の例示である。FIG. 16 is an illustration of forming a resistor using the process shown in FIGS. 3 and 4, and a representative resistor so formed.

【図１７】図３と図４に示されたプロセスを用いた抵抗
体の形成と、そのようにして形成された代表的な抵抗体
の例示である。FIG. 17 is an illustration of forming a resistor using the process shown in FIGS. 3 and 4, and a representative resistor so formed.

【図１８】図３と図４に示されたプロセスを用いた抵抗
体の形成と、そのようにして形成された代表的な抵抗体
の例示である。FIG. 18 is an illustration of the formation of a resistor using the processes shown in FIGS. 3 and 4, and a representative resistor so formed.

【図１９】図３と図４に示されたプロセスを用いた抵抗
体の形成と、そのようにして形成された代表的な抵抗体
の例示である。FIG. 19 is an illustration of forming a resistor using the process shown in FIGS. 3 and 4, and a representative resistor so formed.

【図２０】図３と図４に示されたプロセスを用いた抵抗
体の形成と、そのようにして形成された代表的な抵抗体
の例示である。FIG. 20 is an illustration of formation of a resistor using the process shown in FIGS. 3 and 4, and a representative resistor so formed.

【図２１】図３と図４に示されたプロセスを用いた抵抗
体の形成と、そのようにして形成された代表的な抵抗体
の例示である。FIG. 21 is an illustration of the formation of a resistor using the process shown in FIGS. 3 and 4, and a representative resistor so formed.

【図２２】図３と図４に示されたプロセスを用いた抵抗
体の形成と、そのようにして形成された代表的な抵抗体
の例示である。FIG. 22 is an illustration of forming a resistor using the processes shown in FIGS. 3 and 4, and a representative resistor so formed.

【図２３】本発明による抵抗体を備えた回路ボードアセ
ンブリの例示である。FIG. 23 is an illustration of a circuit board assembly with a resistor according to the present invention.

【図２４】図３と図４に示されたプロセスを用いて、抵
抗体をレーザーで形成するために使用され得る代表的な
レーザー装置の構成図である。FIG. 24 is a block diagram of an exemplary laser device that can be used to laser form a resistor using the process shown in FIGS. 3 and 4.

【図２５】図２４に示された代表的な制御コンピュータ
ーの構成図である。FIG. 25 is a configuration diagram of the representative control computer shown in FIG. 24.

【図２６】本発明による金属の層に接着された好ましい
複合フィルムを例示する。FIG. 26 illustrates a preferred composite film adhered to a layer of metal according to the present invention.

【図２７】ペーストを入れ込む前のｅＰＴＦＥ基材の走
査型電子顕微鏡写真を例示する。FIG. 27 illustrates a scanning electron micrograph of an ePTFE substrate before injecting a paste.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１００…抵抗体 １０２…接点 ３０２…基材 ３０４…抵抗材料 ３０６…銅層 ３０８…フォトレジスト ３４０…回路ボードアセンブリ ４００…レーザー装置 REFERENCE SIGNS LIST 100 resistive element 102 contact point 302 base material 304 resistive material 306 copper layer 308 photoresist 340 circuit board assembly 400 laser device

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 マイケル ディー．フリーバーグ アメリカ合衆国，ウィスコンシン 54730, コルファックス，エイトハンドレッドテン ス アベニュー イー9891 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Michael Dee. Freeburg, United States, Wisconsin 54730, Colfax, Eight Hundredth Avenue A 9891

Claims (45)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 ある長さと幅を有してベース誘電体の上
に配置された形状加工前の抵抗エレメントを含んでなる
形状加工前の抵抗体を提供し、 その形状加工前の抵抗エレメントの幅の２．５％〜５０
％の導電性経路の幅を有する形状加工後の抵抗エレメン
トを形成するように、形状加工前の抵抗エレメントをレ
ーザーカットする、 各工程を含む、抵抗体の製造方法。1. A pre-shaping resistor comprising a pre-shape resistive element having a length and a width and disposed on a base dielectric, wherein the resistive element before shaping is provided. 2.5% to 50% of width
%. A method of manufacturing a resistor, comprising the steps of: laser cutting a resistive element before shaping so as to form a resistive element after shaping having a width of a conductive path of%. 【請求項２】 導電性経路の幅が、形状加工前の抵抗エ
レメントの幅の７％〜１８％である請求項１に記載の方
法。2. The method according to claim 1, wherein the width of the conductive path is between 7% and 18% of the width of the resistive element before shaping. 【請求項３】 形状加工前の抵抗エレメントの幅が、約
２００μｍ以上である請求項１に記載の方法。3. The method according to claim 1, wherein the width of the resistive element before shaping is about 200 μm or more. 【請求項４】 導電性経路の幅が、形状加工前の抵抗エ
レメントの幅の５％〜５０％である請求項３に記載の方
法。4. The method according to claim 3, wherein the width of the conductive path is between 5% and 50% of the width of the resistive element before shaping. 【請求項５】 形状加工前の抵抗エレメントの幅が、約
４００μｍである請求項１に記載の方法。5. The method of claim 1, wherein the width of the resistive element before shaping is about 400 μm. 【請求項６】 導電性経路の幅が、形状加工前の抵抗エ
レメントの幅の２．５％〜２５％である請求項５に記載
の方法。6. The method according to claim 5, wherein the width of the conductive path is 2.5% to 25% of the width of the resistive element before shaping. 【請求項７】 導電性経路の幅が、形状加工前の抵抗エ
レメントの幅の７％〜１８％である請求項５に記載の方
法。7. The method of claim 5, wherein the width of the conductive path is between 7% and 18% of the width of the resistive element before shaping. 【請求項８】 形状加工後の抵抗エレメントが、ある導
電性経路の長さをさらに有する請求項１に記載の方法。8. The method of claim 1, wherein the shaped resistive element further has a length of a conductive path. 【請求項９】 導電性経路の長さが、形状加工前の抵抗
エレメントの長さの５０％〜５００％である請求項８に
記載の方法。9. The method according to claim 8, wherein the length of the conductive path is 50% to 500% of the length of the resistive element before shaping. 【請求項１０】 導電性経路の長さが、形状加工前の抵
抗エレメントの長さを上回る請求項８に記載の方法。10. The method of claim 8, wherein the length of the conductive path exceeds the length of the resistive element before shaping. 【請求項１１】 導電性経路の長さが、形状加工前の抵
抗エレメントの長さの約３倍を下回る請求項１０に記載
の方法。11. The method of claim 10, wherein the length of the conductive path is less than about three times the length of the resistive element before shaping. 【請求項１２】 ベース誘電体の上に配置された抵抗材
料の層を提供し、 その抵抗材料の層から、それぞれがある長さと幅を有す
る形状加工前の抵抗エレメントを含んでなる複数の形状
加工前の抵抗体を作成し、 それぞれの形状加工前の抵抗エレメントから、その形状
加工前の抵抗エレメントの幅の２．５％〜５０％の導電
性経路幅を有する形状加工後の抵抗エレメントを形成す
るように、それぞれの形状加工前の抵抗エレメントをレ
ーザーカットする、 各工程を含む、複数の抵抗体の製造方法。12. A method for providing a layer of resistive material disposed on a base dielectric, the plurality of shapes comprising a pre-shaped resistive element each having a length and width from the layer of resistive material. A resistance element before processing is created. From each resistance element before shape processing, a resistance element after shape processing having a conductive path width of 2.5% to 50% of the width of the resistance element before shape processing is extracted. A method of manufacturing a plurality of resistors, including a step of laser cutting each of the resistive elements before shaping so as to form. 【請求項１３】 導電性経路の幅が、形状加工前の抵抗
エレメントの幅の７％〜１８％である請求項１２に記載
の方法。13. The method of claim 12, wherein the width of the conductive path is between 7% and 18% of the width of the resistive element before shaping. 【請求項１４】 形状加工前の抵抗エレメントの幅が、
約２００μｍ以上である請求項１２に記載の方法。14. The width of a resistance element before shaping is defined as
13. The method according to claim 12, which is at least about 200 [mu] m. 【請求項１５】 導電性経路の幅が、形状加工前の抵抗
エレメントの幅の５％〜５０％である請求項１４に記載
の方法。15. The method of claim 14, wherein the width of the conductive path is between 5% and 50% of the width of the resistive element before shaping. 【請求項１６】 形状加工前の抵抗エレメントの幅が、
約４００μｍである請求項１２に記載の方法。16. The width of the resistance element before shaping is set as follows:
13. The method according to claim 12, which is about 400 [mu] m. 【請求項１７】 導電性経路の幅が、形状加工前の抵抗
エレメントの幅の２．５％〜２５％である請求項１６に
記載の方法。17. The method of claim 16, wherein the width of the conductive path is 2.5% to 25% of the width of the resistive element before shaping. 【請求項１８】 導電性経路の幅が、形状加工前の抵抗
エレメントの幅の７％〜１８％である請求項１６に記載
の方法。18. The method of claim 16, wherein the width of the conductive path is between 7% and 18% of the width of the resistive element before shaping. 【請求項１９】 形状加工後の抵抗エレメントが、ある
導電性経路の長さをさらに有する請求項１２に記載の方
法。19. The method of claim 12, wherein the shaped resistive element further has a length of a conductive path. 【請求項２０】 導電性経路の長さが、形状加工前の抵
抗エレメントの長さの５０％〜５００％である請求項１
９に記載の方法。20. The length of the conductive path is 50% to 500% of the length of the resistance element before shaping.
10. The method according to 9. 【請求項２１】 導電性経路の長さが、形状加工前の抵
抗エレメントの長さを上回る請求項１９に記載の方法。21. The method of claim 19, wherein the length of the conductive path exceeds the length of the resistive element before shaping. 【請求項２２】 導電性経路の長さが、形状加工前の抵
抗エレメントの長さの約３倍を下回る請求項２１に記載
の方法。22. The method of claim 21, wherein the length of the conductive path is less than about three times the length of the resistive element before shaping. 【請求項２３】 ベース誘電体の上に配置された形状加
工後の抵抗エレメントであって、ある長さと幅を有する
形状加工前の抵抗エレメントから作成され、その形状加
工前の抵抗エレメントの幅の２．５％〜５０％の導電性
経路の幅を有する形状加工後の抵抗エレメント、及びそ
の抵抗エレメントに接続された２つの接点、 を含んでなる抵抗体。23. A shaped resistive element disposed on a base dielectric, the resistive element having a certain length and width, being formed from a resistive element before shaping, and having a width equal to or less than the width of the resistive element before shaping. A resistive element comprising: a shaped resistive element having a conductive path width of 2.5% to 50%; and two contacts connected to the resistive element. 【請求項２４】 導電性経路の幅が、形状加工前の抵抗
エレメントの幅の７％〜１８％である請求項２３に記載
の抵抗体。24. The resistor according to claim 23, wherein the width of the conductive path is 7% to 18% of the width of the resistance element before shaping. 【請求項２５】 形状加工前の抵抗エレメントの幅が、
約２００μｍ以上である請求項２３に記載の抵抗体。25. The width of the resistance element before shaping is set as follows:
24. The resistor according to claim 23, which is about 200 µm or more. 【請求項２６】 導電性経路の幅が、形状加工前の抵抗
エレメントの幅の５％〜５０％である請求項２５に記載
の抵抗体。26. The resistor according to claim 25, wherein the width of the conductive path is 5% to 50% of the width of the resistance element before shaping. 【請求項２７】 形状加工前の抵抗エレメントの幅が、
約４００μｍである請求項２３に記載の抵抗体。27. The width of the resistance element before shaping is
24. The resistor of claim 23, which is about 400 [mu] m. 【請求項２８】 導電性経路の幅が、形状加工前の抵抗
エレメントの幅の２．５％〜２５％である請求項２７に
記載の抵抗体。28. The resistor according to claim 27, wherein the width of the conductive path is 2.5% to 25% of the width of the resistance element before shaping. 【請求項２９】 導電性経路の幅が、形状加工前の抵抗
エレメントの幅の７％〜１８％である請求項２７に記載
の抵抗体。29. The resistor according to claim 27, wherein the width of the conductive path is 7% to 18% of the width of the resistance element before shaping. 【請求項３０】 形状加工後の抵抗エレメントが、ある
導電性経路の長さをさらに有する請求項２３に記載の抵
抗体。30. The resistor of claim 23, wherein the shaped resistive element further has a length of a conductive path. 【請求項３１】 導電性経路の長さが、形状加工前の抵
抗エレメントの長さの５０％〜５００％である請求項３
０に記載の抵抗体。31. The length of the conductive path is 50% to 500% of the length of the resistive element before shaping.
The resistor according to 0. 【請求項３２】 導電性経路の長さが、形状加工前の抵
抗エレメントの長さを上回る請求項３０に記載の抵抗
体。32. The resistor according to claim 30, wherein the length of the conductive path exceeds the length of the resistance element before shaping. 【請求項３３】 導電性経路の長さが、形状加工前の抵
抗エレメントの長さの約３倍を下回る請求項３２に記載
の抵抗体。33. The resistor of claim 32, wherein the length of the conductive path is less than about three times the length of the resistive element before shaping. 【請求項３４】 ベース誘電体、及びそのベース誘電体
の上に配置された複数の抵抗体であって、それぞれが、
ある長さと幅を有する形状加工前の抵抗エレメントから
形成された形状加工後の抵抗エレメントを備え、それぞ
れの形状加工後のエレメントが、形状加工前の抵抗エレ
メントの幅の２．５％〜５０％の導電性経路の幅を有す
る複数の抵抗体、を含んでなるアセンブリ。34. A base dielectric and a plurality of resistors disposed on the base dielectric, each comprising:
A shaped resistive element having a length and a width, formed from unshaped resistive elements, wherein each of the shaped elements is 2.5% to 50% of the width of the resistive element before shaping; A plurality of resistors having a width of the conductive path. 【請求項３５】 導電性経路の幅が、形状加工前の抵抗
エレメントの幅の７％〜１８％である請求項３４に記載
のアセンブリ。35. The assembly of claim 34, wherein the width of the conductive path is between 7% and 18% of the width of the resistive element before shaping. 【請求項３６】 形状加工前の抵抗エレメントの幅が、
約２００μｍ以上である請求項３４に記載のアセンブ
リ。36. The width of the resistance element before shaping is set as follows:
35. The assembly of claim 34, wherein the assembly is at least about 200 [mu] m. 【請求項３７】 導電性経路の幅が、形状加工前の抵抗
エレメントの幅の５％〜５０％である請求項３６に記載
のアセンブリ。37. The assembly according to claim 36, wherein the width of the conductive path is between 5% and 50% of the width of the resistive element before shaping. 【請求項３８】 形状加工前の抵抗エレメントの幅が約
４００μｍである請求項３４に記載のアセンブリ。38. The assembly according to claim 34, wherein the width of the resistive element before shaping is about 400 μm. 【請求項３９】 導電性経路の幅が、形状加工前の抵抗
エレメントの幅の２．５％〜２５％である請求項３８に
記載のアセンブリ。39. The assembly according to claim 38, wherein the width of the conductive path is 2.5% to 25% of the width of the resistive element before shaping. 【請求項４０】 導電性経路の幅が、形状加工前の抵抗
エレメントの幅の７％〜１８％である請求項３８に記載
のアセンブリ。40. The assembly of claim 38, wherein the width of the conductive path is between 7% and 18% of the width of the resistive element before shaping. 【請求項４１】 形状加工後の抵抗エレメントが、ある
導電性経路の長さをさらに有する請求項３４に記載のア
センブリ。41. The assembly of claim 34, wherein the shaped resistive element further has a length of a conductive path. 【請求項４２】 導電性経路の長さが、形状加工前の抵
抗エレメントの長さの５０％〜５００％である請求項４
１に記載のアセンブリ。42. The length of the conductive path is 50% to 500% of the length of the resistance element before shaping.
The assembly of claim 1. 【請求項４３】 導電性経路の長さが、形状加工前の抵
抗エレメントの長さを上回る請求項４１に記載のアセン
ブリ。43. The assembly of claim 41, wherein the length of the conductive path is greater than the length of the resistive element before shaping. 【請求項４４】 導電性経路の長さが、形状加工前の抵
抗エレメントの長さの約３倍を下回る請求項４３に記載
のアセンブリ。44. The assembly of claim 43, wherein the length of the conductive path is less than about three times the length of the resistive element before shaping. 【請求項４５】 複数の抵抗体が、抵抗材料の単一層か
ら形成された請求項３４に記載のアセンブリ。45. The assembly of claim 34, wherein the plurality of resistors are formed from a single layer of a resistive material.