JPH11191206A - Thin film magnetic head - Google Patents
Thin film magnetic headInfo
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- JPH11191206A JPH11191206A JP2555598A JP2555598A JPH11191206A JP H11191206 A JPH11191206 A JP H11191206A JP 2555598 A JP2555598 A JP 2555598A JP 2555598 A JP2555598 A JP 2555598A JP H11191206 A JPH11191206 A JP H11191206A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク装置
等の磁気記録装置に使用される薄膜磁気ヘッドに係り、
特に、強磁性体に特有の磁気抵抗効果を利用して磁気記
録媒体から信号を検出するのに使用するに好適な薄膜磁
気ヘッドに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thin-film magnetic head used for a magnetic recording device such as a magnetic disk device.
In particular, the present invention relates to a thin-film magnetic head suitable for use in detecting a signal from a magnetic recording medium using a magnetoresistance effect peculiar to a ferromagnetic material.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの
中で、シールド型薄膜磁気ヘッドにおいては、磁気記録
媒体に対する浮上面に、センサであるＭＲ（磁気抵抗効
果：Magnetoresistance）膜が露出している構造となっ
ている。ＭＲ膜の上下には、それぞれ上部ギャップ膜，
下部ギャップ膜を挟んで、上部シールド膜，下部シール
ド膜が配置されている。2. Description of the Related Art Among conventional magnetoresistive thin film magnetic heads, in a shield type thin film magnetic head, an MR (Magnetoresistance) film serving as a sensor is exposed on an air bearing surface with respect to a magnetic recording medium. It has a structure. Above and below the MR film, an upper gap film,
An upper shield film and a lower shield film are arranged with the lower gap film interposed therebetween.
【０００３】なお、近年、従来のＭＲ膜よりも大きな磁
気抵抗効果を得られるＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果：Gian
t Magnetoresistance）膜も開発されている。In recent years, GMR (giant magnetoresistance effect: Giant magnetoresistance effect) which can obtain a magnetoresistance effect larger than that of a conventional MR film.
t Magnetoresistance) films have also been developed.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ここで、上下シールド
膜の間隔，即ち、磁気ギャップ長が、再生信号の分解能
に影響する。分解能を高めるためには、上下ギャップ膜
を薄くして、上下シールド膜の間隔を小さくする必要が
ある。しかしながら、上下シールド膜の間隔を小さくす
ると、ＭＲ膜と上下シールド膜との間の絶縁耐圧が低下
して、薄膜磁気ヘッドの信頼性が低下するという問題が
あった。Here, the distance between the upper and lower shield films, that is, the magnetic gap length affects the resolution of the reproduced signal. In order to increase the resolution, it is necessary to reduce the thickness of the upper and lower gap films and reduce the distance between the upper and lower shield films. However, when the distance between the upper and lower shield films is reduced, there is a problem that the withstand voltage between the MR film and the upper and lower shield films is reduced, and the reliability of the thin film magnetic head is reduced.
【０００５】また、センサとして、ＧＭＲ膜を用いる場
合、薄膜磁気ヘッドの製造工程において、ＧＭＲ膜の端
部がレジスト剥離液や洗浄液によってエッチングされる
という問題点もあった。In the case where a GMR film is used as a sensor, there is another problem that the end of the GMR film is etched by a resist stripping solution or a cleaning solution in a manufacturing process of the thin film magnetic head.
【０００６】本発明の第１の目的は、磁気抵抗効果膜と
上下シールド膜との間の絶縁耐圧を向上させ、信頼性の
向上した薄膜磁気ヘッドを提供することにある。A first object of the present invention is to provide a thin-film magnetic head in which the withstand voltage between the magnetoresistive film and the upper and lower shield films is improved and the reliability is improved.
【０００７】本発明の第２の目的は、レジスト剥離液や
洗浄液によってＧＭＲ膜端部がエッチングされることの
ないＧＭＲ膜を用いた薄膜磁気ヘッドを提供することに
ある。A second object of the present invention is to provide a thin-film magnetic head using a GMR film in which the edge of the GMR film is not etched by a resist stripping solution or a cleaning solution.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】（１）上記第１の目的を
達成するために、本発明は、下部シールド膜と、この下
部シールド膜の上に下部ギャップ膜を介して形成された
磁気抵抗効果膜と、この磁気抵抗効果膜の上に上部ギャ
ップ膜を介して設けられた上部シールド膜とを有し、上
記磁気抵抗効果膜が浮上面に露出している薄膜磁気ヘッ
ドにおいて、上記浮上面部分における上記磁気抵抗効果
膜と上記上部シールド膜との距離を、上記浮上面部分か
ら離れた側における上記磁気抵抗効果膜と上記上部シー
ルド膜との距離よりも小さくするようにしたものであ
る。かかる構成により、分解能を高めるために、磁気抵
抗効果膜と上下シールド膜との距離を小さくした場合に
も、磁気抵抗効果膜と上下シールド膜との間の絶縁耐圧
を向上させ、信頼性を向上し得るものとなる。(1) In order to achieve the first object, the present invention provides a lower shield film and a magnetoresistive film formed on the lower shield film via a lower gap film. A thin film magnetic head having an effect film and an upper shield film provided on the magnetoresistive effect film via an upper gap film, wherein the magnetoresistive effect film is exposed on the air bearing surface; The distance between the magnetoresistive effect film and the upper shield film in the portion is made smaller than the distance between the magnetoresistive effect film and the upper shield film on the side remote from the air bearing surface portion. With this configuration, even when the distance between the magnetoresistive film and the upper and lower shield films is reduced to increase the resolution, the withstand voltage between the magnetoresistive film and the upper and lower shield films is improved, and the reliability is improved. Can be done.
【０００９】（２）上記第１の目的を達成するために、
本発明は、下部シールド膜と、この下部シールド膜の上
に下部ギャップ膜を介して形成された磁気抵抗効果膜
と、この磁気抵抗効果膜の上に上部ギャップ膜を介して
設けられた上部シールド膜とを有し、上記磁気抵抗効果
膜が浮上面に露出している薄膜磁気ヘッドにおいて、上
記磁気抵抗効果膜の両端に接続されたバイアス膜と、こ
のバイアス膜に接続された電極膜とを備え、上記バイア
ス膜を上記電極膜よりも小さく形成するとともに、上記
電極膜と上記下部ギャップ膜の間に絶縁膜を形成し、こ
の絶縁膜により、上記浮上面部分から離れた側の上記磁
気抵抗効果膜及び上記バイアス膜の端部を覆うようにし
たものである。かかる構成により、バイアス膜を備える
磁気ヘッドにおいて、分解能を高めるために、磁気抵抗
効果膜と上下シールド膜との距離を小さくした場合に
も、磁気抵抗効果膜と上下シールド膜との間の絶縁耐圧
を向上させ、信頼性を向上し得るものとなる。(2) In order to achieve the first object,
The present invention relates to a lower shield film, a magnetoresistive film formed on the lower shield film via a lower gap film, and an upper shield film provided on the magnetoresistive film via an upper gap film. A bias film connected to both ends of the magnetoresistive film, and an electrode film connected to the bias film. The bias film is formed smaller than the electrode film, and an insulating film is formed between the electrode film and the lower gap film. With this insulating film, the magnetoresistance on the side remote from the air bearing surface portion is formed. The effect film and the end portion of the bias film are covered. With this configuration, in a magnetic head including a bias film, even when the distance between the magnetoresistive film and the upper and lower shield films is reduced to increase the resolution, the dielectric strength between the magnetoresistive film and the upper and lower shield films is reduced. And reliability can be improved.
【００１０】（３）上記第２の目的を達成するために、
本発明は、下部シールド膜と、この下部シールド膜の上
に下部ギャップ膜を介して形成された磁気抵抗効果膜
と、この磁気抵抗効果膜の上に上部ギャップ膜を介して
設けられた上部シールド膜とを有し、上記磁気抵抗効果
膜が浮上面に露出している薄膜磁気ヘッドにおいて、上
記磁気抵抗効果膜として、巨大磁気抵抗効果膜を用い、
上記浮上面部分から離れた側における上記巨大磁気抵抗
効果膜の端部を覆うようにダメージ防止膜を形成したも
のである。かかる構成により、レジスト剥離液や洗浄液
によって巨大磁気抵抗効果膜端部がエッチングされるこ
とがなくなり、巨大磁気抵抗効果膜のダメージを防止し
得るものとなる。(3) In order to achieve the second object,
The present invention relates to a lower shield film, a magnetoresistive film formed on the lower shield film via a lower gap film, and an upper shield film provided on the magnetoresistive film via an upper gap film. In a thin film magnetic head having a film and the magnetoresistive film is exposed on the air bearing surface, a giant magnetoresistive film is used as the magnetoresistive film,
A damage prevention film is formed so as to cover an end of the giant magnetoresistive film on a side remote from the air bearing surface. With this configuration, the edge of the giant magnetoresistive film is not etched by the resist stripping solution or the cleaning solution, and damage to the giant magnetoresistive film can be prevented.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】以下、図１〜図６を用いて、本発
明の一実施形態による薄膜磁気ヘッドの構成について説
明する。最初に、図１を用いて、本実施形態による薄膜
磁気ヘッドの平面構成について説明する。なお、図１に
おいては、平面形状を理解し易くするために、上部ギャ
ップ膜及び上部シールド膜及び本実施形態による絶縁膜
が形成される前の状態を示している。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The structure of a thin-film magnetic head according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. First, the plane configuration of the thin-film magnetic head according to the present embodiment will be explained with reference to FIG. Note that FIG. 1 shows a state before the upper gap film, the upper shield film, and the insulating film according to the present embodiment are formed in order to easily understand the planar shape.
【００１２】下部シールド膜２０は、基板の上に形成さ
れている。基板は、厚さ２ｍｍのアルミニウム（Ａｌ）
とチタン（Ｔｉ）と炭素（Ｃ）の合金（アルチック）を
用いている。基板の上に、厚さ１０μｍのアルミナ（Ａ
ｌ2Ｏ3）膜をスパッタリングで形成した後、厚さ２μの
下部シールド膜２０がスパッタリング若しくはメッキに
より形成される。下部シールド膜２０は、コバルト（Ｃ
ｏ）とニオブ（Ｎｂ）とジルコニウム（Ｚｒ）との合金
から構成される。下部シールド膜２０としては、他に、
鉄（Ｆｅ）とアルミニウム（Ａｌ）とシリコン（Ｓｉ）
の合金を用いることもできる。The lower shield film 20 is formed on a substrate. The substrate is 2mm thick aluminum (Al)
And an alloy (altic) of titanium (Ti) and carbon (C). On a substrate, a 10 μm-thick alumina (A
After the l 2 O 3 ) film is formed by sputtering, a lower shield film 20 having a thickness of 2 μm is formed by sputtering or plating. The lower shield film 20 is made of cobalt (C
o), an alloy of niobium (Nb) and zirconium (Zr). In addition, as the lower shield film 20,
Iron (Fe), aluminum (Al), and silicon (Si)
Can also be used.
【００１３】下部シールド膜２０の上に、下部ギャップ
膜３０が形成される。下部ギャップ膜３０は、スパッタ
リングにより形成され、その厚さは、５０ｎｍである。
下部ギャップ膜３０は、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）と二酸化
シリコン（ＳｉＯ2）からなる絶縁膜である。On the lower shield film 20, a lower gap film 30 is formed. The lower gap film 30 is formed by sputtering, and has a thickness of 50 nm.
The lower gap film 30 is an insulating film made of alumina (Al 2 O 3 ) and silicon dioxide (SiO 2 ).
【００１４】下部ギャップ膜３０の上に、ＧＭＲ膜４０
が形成される。ＧＭＲ膜４０は、スパッタリング若しく
はＣＶＤにより形成され、その厚さは、５０ｎｍであ
る。ＧＭＲ膜４０は、タンタル（Ｔａ）、パーマロイ
（ＮｉＦｅ合金）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、コ
バルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）・マンガン（Ｍｎ）・
プラチナ（Ｐｔ）が順次積層されて形成される。この中
で、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）が、エッチングによ
って腐食されやすい材料である。On the lower gap film 30, a GMR film 40 is formed.
Is formed. The GMR film 40 is formed by sputtering or CVD, and has a thickness of 50 nm. The GMR film 40 is made of tantalum (Ta), permalloy (NiFe alloy), cobalt (Co), copper (Cu), cobalt (Co), chromium (Cr), manganese (Mn).
Platinum (Pt) is formed by sequentially laminating. Among them, cobalt (Co) and copper (Cu) are materials that are easily corroded by etching.
【００１５】ＧＭＲ膜４０の両端部の上に、ＧＭＲ膜４
０に対する電極膜８０が形成される。電極膜８０は、ス
パッタリング若しくはＣＶＤにより形成され、その厚さ
は、５０ｎｍ以上である。電極膜８０は、クロム（Ｃ
ｒ）、コバルト（Ｃｏ）とクロム（Ｃｒ）とプラチナ
（Ｐｔ）の合金、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）を
順次積層して形成される。ここで、第３層目（最上層
側）のクロム（Ｃｒ）の代わりに、タンタル（Ｔａ）と
タングステン（Ｗ）の合金を用いることもできる。ま
た、最上層のタンタル（Ｔａ）の代わりに、金（Ａｕ）
を用いることもできる。On both ends of the GMR film 40, a GMR film 4
The electrode film 80 for the zero is formed. The electrode film 80 is formed by sputtering or CVD, and has a thickness of 50 nm or more. The electrode film 80 is made of chromium (C
r), an alloy of cobalt (Co), chromium (Cr), and platinum (Pt), chromium (Cr), and tantalum (Ta) are sequentially laminated. Here, an alloy of tantalum (Ta) and tungsten (W) can be used instead of chromium (Cr) in the third layer (uppermost layer side). Also, instead of tantalum (Ta) in the uppermost layer, gold (Au) is used.
Can also be used.
【００１６】さらに、電極膜８０の上に、電極膜９０が
形成される。電極膜９０は、スパッタリングにより形成
され、その厚さは、２００ｎｍである。電極膜９０は、
金（Ａｕ）が用いられる。Further, an electrode film 90 is formed on the electrode film 80. The electrode film 90 is formed by sputtering, and has a thickness of 200 nm. The electrode film 90
Gold (Au) is used.
【００１７】さらに、図１においては、図示していない
が、電極膜９０の上には、上部ギャップ膜と、上部シー
ルド膜が順次形成される。上部シールド膜が形成された
後、Ｂ−Ｂ’において切断され、その端面が研磨され
る。この切断研磨によって、ＧＭＲ膜４０は、磁気記録
媒体に対する浮上面に露出して、シールド型薄膜磁気ヘ
ッドが完成する。Further, although not shown in FIG. 1, an upper gap film and an upper shield film are sequentially formed on the electrode film 90. After the upper shield film is formed, it is cut at BB 'and its end face is polished. By this cutting and polishing, the GMR film 40 is exposed on the air bearing surface for the magnetic recording medium, and the shield type thin film magnetic head is completed.
【００１８】なお、図２を用いて後述するように、電極
膜８０の形成後であって、その上の電極膜９０の形成前
に、本実施形態による絶縁膜が形成される。絶縁膜の形
成される位置は、図１に矢印Ｘで示すように、ＧＭＲ膜
４０の浮上面と反対側の端部である。絶縁膜が形成され
た後、上側の電極膜９０と、上部ギャップ膜と、上部シ
ールド膜が順次形成される。As will be described later with reference to FIG. 2, after the formation of the electrode film 80 and before the formation of the electrode film 90 thereon, the insulating film according to the present embodiment is formed. The position where the insulating film is formed is the end of the GMR film 40 on the side opposite to the air bearing surface, as indicated by the arrow X in FIG. After the insulating film is formed, an upper electrode film 90, an upper gap film, and an upper shield film are sequentially formed.
【００１９】次に、図２を用いて、本実施形態による薄
膜磁気ヘッドの断面構造について説明する。図２は、図
１のＢ−Ｂ’において切断研磨した状態におけるＡ−
Ａ’断面を示している。Next, the sectional structure of the thin-film magnetic head according to the present embodiment will be explained with reference to FIG. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line A-B 'of FIG.
An A ′ cross section is shown.
【００２０】基板１０の上には、下部シールド膜２０が
形成され、さらに、下部ギャップ膜３０及びＧＭＲ膜４
０が順次形成される。On the substrate 10, a lower shield film 20 is formed, and further, a lower gap film 30 and a GMR film 4 are formed.
0 are sequentially formed.
【００２１】ＧＭＲ膜４０の端部であって、薄膜磁気ヘ
ッドの浮上面から離れた側の端部を覆うように、絶縁膜
５０が形成される。絶縁膜５０は、スパッタリングによ
り形成され、その厚さは、５０ｎｍである。絶縁膜５０
は、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）と二酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏ2）からなる。絶縁膜５０として、アルミナ（Ａｌ2Ｏ
3）と二酸化シリコン（ＳｉＯ2）を用いることにより、
アルカリ液によりエッチングする際にも、エッチングさ
れることはない。また、ＧＭＲ膜４０の端部も絶縁膜に
より覆われているため、エッチングされることはないも
のである。An insulating film 50 is formed so as to cover the end of the GMR film 40, which is on the side remote from the air bearing surface of the thin-film magnetic head. The insulating film 50 is formed by sputtering, and has a thickness of 50 nm. Insulating film 50
Are alumina (Al 2 O 3 ) and silicon dioxide (Si
O 2 ). As the insulating film 50, alumina (Al 2 O)
3 ) and using silicon dioxide (SiO 2 )
Even when etching with an alkaline solution, there is no etching. Further, since the end of the GMR film 40 is also covered with the insulating film, it is not etched.
【００２２】ＧＭＲ膜４０及び絶縁膜５０の上に、上部
ギャップ膜６０が形成される。上部ギャップ膜６０は、
スパッタリングにより形成され、その厚さは、５０ｎｍ
である。上部ギャップ膜６０は、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）
と二酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなる絶縁膜である。An upper gap film 60 is formed on the GMR film 40 and the insulating film 50. The upper gap film 60 is
It is formed by sputtering and has a thickness of 50 nm.
It is. The upper gap film 60 is made of alumina (Al 2 O 3 )
And an insulating film made of silicon dioxide (SiO 2 ).
【００２３】上部ギャップ膜６０の上に、厚さ２〜３μ
ｍの上部シールド膜７０がスパッタリング若しくはメッ
キにより形成される。上部シールド膜７０は、パーマロ
イ（ＮｉＦｅ合金）から構成される。On top of the upper gap film 60, a thickness of 2-3 μm
m upper shield film 70 is formed by sputtering or plating. The upper shield film 70 is made of permalloy (NiFe alloy).
【００２４】ここで、ＧＭＲ膜４０の下面と下部シール
ド膜２０の間の距離Ｇ１は、下部ギャップ膜３０の膜厚
によって規定される。また、下部シールド膜２０の上に
形成される下部ギャップ膜３０の膜厚は均一であるた
め、ＧＭＲ膜４０の下面と下部シールド膜２０の間の絶
縁距離Ｉ11，Ｉ12は、いずれの場所でも等しく、５０ｎ
ｍとなっている。Here, the distance G1 between the lower surface of the GMR film 40 and the lower shield film 20 is defined by the thickness of the lower gap film 30. In addition, since the thickness of the lower gap film 30 formed on the lower shield film 20 is uniform, the insulation distances I11 and I12 between the lower surface of the GMR film 40 and the lower shield film 20 are equal at any location. , 50n
m.
【００２５】一方、ＧＭＲ膜４０の上面と上部シールド
膜７０の間の距離Ｇ２は、上部ギャップ膜６０の膜厚に
よって規定される。上部シールド膜７０と下部シールド
膜２０の間の距離Ｇ３が、磁気ギャップ長であり、これ
は、下部ギャップ膜３０の膜厚Ｇ１と上部ギャップ膜６
０の膜厚と、ＧＭＲ膜４０の膜厚によって規定される。On the other hand, the distance G 2 between the upper surface of the GMR film 40 and the upper shield film 70 is defined by the thickness of the upper gap film 60. The distance G3 between the upper shield film 70 and the lower shield film 20 is the magnetic gap length, which is determined by the thickness G1 of the lower gap film 30 and the upper gap film 6.
0 and the thickness of the GMR film 40.
【００２６】また、下部シールド膜２０の上に形成され
る下部ギャップ膜３０の膜厚は均一であるため、ＧＭＲ
膜４０の下面と下部シールド膜２０の間の絶縁距離Ｉ1
1，Ｉ12は、いずれの場所でも等しく、５０ｎｍとなっ
ている。従って、ＧＭＲ膜４０の下面と下部シールド膜
２０の間の絶縁耐圧は、絶縁距離Ｉ11，Ｉ12によって定
まるものである。Further, since the lower gap film 30 formed on the lower shield film 20 has a uniform thickness,
Insulation distance I1 between lower surface of film 40 and lower shield film 20
1 and I12 are the same everywhere and are 50 nm. Therefore, the withstand voltage between the lower surface of the GMR film 40 and the lower shield film 20 is determined by the insulation distances I11 and I12.
【００２７】さらに、ＧＭＲ膜４０の上面と上部シール
ド膜７０の間の絶縁距離は、ＧＭＲ膜４０の上に、直接
上部ギャップ膜６０が形成される部分（浮上面に近い側
の部分）では、Ｉ21であり、これは、上部ギャップ膜６
０の膜厚に等しい５０ｎｍである。一方、ＧＭＲ膜４０
の浮上面から離れた側の部分においては、Ｉ22であり、
これは、絶縁膜５０の膜厚に上部ギャップ膜６０の膜厚
を加えたものとなる。ＧＭＲ膜４０の浮上面から離れた
部分における絶縁膜５０の膜厚は、５０ｎｍよりも薄く
なっている。これは、下部ギャップ膜３０の平面に対し
て、ＧＭＲ膜４０が５０ｎｍの膜厚で形成されており、
このＧＭＲ膜４０の端部の上に、絶縁膜５０を形成する
ため、その部分の膜厚が５０ｎｍより薄くなるためであ
る。また、この部分における上部ギャップ膜６０の膜厚
も５０ｎｍよりも薄くなる。しかしながら、ＧＭＲ膜４
０の浮上面から離れた側の端部における絶縁距離Ｉ22
は、絶縁膜５０の膜厚に上部ギャップ膜６０の膜厚を加
えたものとなるため、５０ｎｍ以上の厚さを確保するこ
とができる。即ち、本実施形態においては、絶縁膜５０
を用いることにより、浮上面側におけるＧＭＲ膜４０と
上部シールド膜７０の距離Ｉ21を、浮上面側から離れた
位置におけるＧＭＲ膜４０と上部シールド膜７０の距離
Ｉ22よりも小さくしている。Further, the insulation distance between the upper surface of the GMR film 40 and the upper shield film 70 is such that the portion where the upper gap film 60 is formed directly on the GMR film 40 (the portion closer to the air bearing surface) I21, which is the upper gap film 6
The thickness is 50 nm, which is equal to the thickness of 0. On the other hand, the GMR film 40
I22 in the part of the side away from the air bearing surface,
This is obtained by adding the thickness of the upper gap film 60 to the thickness of the insulating film 50. The thickness of the insulating film 50 at a portion of the GMR film 40 away from the air bearing surface is smaller than 50 nm. This is because the GMR film 40 is formed with a thickness of 50 nm with respect to the plane of the lower gap film 30.
This is because the insulating film 50 is formed on the end portion of the GMR film 40, so that the thickness of the portion is smaller than 50 nm. In addition, the thickness of the upper gap film 60 in this portion is also smaller than 50 nm. However, the GMR film 4
Insulation distance I22 at the end on the side away from the air bearing surface
Is obtained by adding the thickness of the upper gap film 60 to the thickness of the insulating film 50, so that a thickness of 50 nm or more can be secured. That is, in the present embodiment, the insulating film 50
The distance I21 between the GMR film 40 and the upper shield film 70 on the air bearing surface side is made smaller than the distance I22 between the GMR film 40 and the upper shield film 70 at a position away from the air bearing surface side.
【００２８】従来、絶縁膜５０を用いない場合には、上
部ギャップ膜６０の膜厚を５０ｎｍで形成した場合で
も、ＧＭＲ膜４０の浮上面から離れた側の端部における
上部ギャップ膜６０の膜厚は、４０ｎｍ以下であった。
従って、ＧＭＲ膜４０と上部シールド膜７０の間の絶縁
耐圧は、ＧＭＲ膜４０の浮上面から離れた側の端部にお
ける上部ギャップ膜６０の膜厚によって制限されてい
た。このときの絶縁耐圧は、４０Ｖ以下であった。Conventionally, when the insulating film 50 is not used, even when the thickness of the upper gap film 60 is 50 nm, the thickness of the upper gap film 60 at the end of the GMR film 40 on the side away from the air bearing surface. The thickness was 40 nm or less.
Therefore, the withstand voltage between the GMR film 40 and the upper shield film 70 is limited by the thickness of the upper gap film 60 at the end of the GMR film 40 on the side away from the air bearing surface. The withstand voltage at this time was 40 V or less.
【００２９】それに対して、本実施形態では、ＧＭＲ膜
４０と上部シールド膜７０の間の絶縁耐圧は、ＧＭＲ膜
４０の浮上面側と上部シールド膜７０の距離Ｉ21によっ
て決まるため、５０ｎｍを確保することができる。この
ときの絶縁耐圧は、５０Ｖとすることができる。従っ
て、本実施形態では、絶縁耐圧を向上させ、信頼性を向
上することができる。On the other hand, in the present embodiment, the withstand voltage between the GMR film 40 and the upper shield film 70 is determined by the distance I21 between the air bearing surface side of the GMR film 40 and the upper shield film 70, so that 50 nm is ensured. be able to. The withstand voltage at this time can be set to 50V. Therefore, in this embodiment, the withstand voltage can be improved, and the reliability can be improved.
【００３０】また、浮上面側から離れた位置におけるＧ
ＭＲ膜４０と上部シールド膜７０の距離Ｉ22を大きくで
きることにより、磁気記録媒体からＧＭＲ膜４０に入っ
た磁界が、上部シールド膜７０に入り難くなるため、Ｇ
ＭＲ膜４０中での抵抗変化が大きくなり、出力が向上す
る。G at a position distant from the air bearing surface side
Since the distance I22 between the MR film 40 and the upper shield film 70 can be increased, the magnetic field that has entered the GMR film 40 from the magnetic recording medium is less likely to enter the upper shield film 70.
The resistance change in the MR film 40 increases, and the output is improved.
【００３１】次に、図３を用いて、本実施形態による薄
膜磁気ヘッドを他の方向から見た場合の断面構造につい
て説明する。図３は、図１のＢ−Ｂ’断面を示してい
る。Next, the sectional structure of the thin-film magnetic head according to the present embodiment when viewed from another direction will be described with reference to FIG. FIG. 3 shows a BB ′ cross section of FIG.
【００３２】基板１０の上には、下部シールド膜２０が
形成され、さらに、下部ギャップ膜３０及びＧＭＲ膜４
０が順次形成される。On the substrate 10, a lower shield film 20 is formed, and further, a lower gap film 30 and a GMR film 4 are formed.
0 are sequentially formed.
【００３３】ＧＭＲ膜４０の両端部には、ＧＭＲ膜４０
と導通するように、電極膜８０が形成される。ＧＭＲ膜
４０と電極膜８０を同時に所定の形状に形成できるマス
クを使用し、リフトオフ法のレジストパターンが形成さ
れる。このレジストパターンを用いて、ＧＭＲ膜４０と
電極膜８０を同時に所定の形状に形成できる。At both ends of the GMR film 40, the GMR film 40
The electrode film 80 is formed so as to conduct with the electrode film 80. Using a mask that can simultaneously form the GMR film 40 and the electrode film 80 into a predetermined shape, a resist pattern is formed by a lift-off method. Using this resist pattern, the GMR film 40 and the electrode film 80 can be simultaneously formed into a predetermined shape.
【００３４】その後、図２において説明したように、Ｇ
ＭＲ膜４０の端部を覆うように絶縁膜５０が形成され、
電極膜８０の上には、図１に示したように、電極膜９０
が形成される。Thereafter, as described with reference to FIG.
An insulating film 50 is formed to cover an end of the MR film 40,
On the electrode film 80, as shown in FIG.
Is formed.
【００３５】さらに、ＧＭＲ膜４０，絶縁膜５０，電極
膜８０，９０の全体の上に、上部ギャップ膜６０と、上
部シールド膜７０が順次形成される。Further, an upper gap film 60 and an upper shield film 70 are sequentially formed on the entire GMR film 40, insulating film 50, electrode films 80 and 90.
【００３６】ここで、図４及び図５を用いて、絶縁膜と
２層の電極膜との関係について説明する。図４及び図５
は、図１のＣ−Ｃ’断面を示している。Here, the relationship between the insulating film and the two-layered electrode film will be described with reference to FIGS. 4 and 5
Shows a cross section taken along the line CC ′ of FIG.
【００３７】図４に示すように、基板１０の上には、下
部シールド膜２０が形成され、さらに、下部ギャップ膜
３０が順次形成される。As shown in FIG. 4, a lower shield film 20 is formed on a substrate 10, and a lower gap film 30 is sequentially formed.
【００３８】下部ギャップ膜３０の上に、ＧＭＲ膜と、
電極膜８０が形成される。On the lower gap film 30, a GMR film,
The electrode film 80 is formed.
【００３９】その後、電極膜８０の端部及びＧＭＲ膜の
端部を覆うように絶縁膜５０が形成され、電極膜８０の
上には、電極膜９０が形成される。Thereafter, an insulating film 50 is formed so as to cover the end of the electrode film 80 and the end of the GMR film, and an electrode film 90 is formed on the electrode film 80.
【００４０】さらに、図５に示すように、ＧＭＲ膜，絶
縁膜５０，電極膜８０，９０の全体の上に、上部ギャッ
プ膜６０と、上部シールド膜７０が順次形成される。Further, as shown in FIG. 5, an upper gap film 60 and an upper shield film 70 are sequentially formed on the entire GMR film, insulating film 50, and electrode films 80 and 90.
【００４１】図５において、矢印（ａ），（ｂ），
（ｃ），（ｄ）で示す部分においては、電極膜８０の端
部に絶縁膜５０が形成され、さらに、その上に、上部ギ
ャップ膜６０及び上部シールド膜７０が形成されてい
る。従って、電極膜８０の上部から上部シールド膜７０
の下面までの距離が、絶縁膜５０が無い場合に比べて大
きくできるため、電極と上部シールド膜間の絶縁耐圧を
向上することができる。In FIG. 5, arrows (a), (b),
In the portions (c) and (d), the insulating film 50 is formed at the end of the electrode film 80, and the upper gap film 60 and the upper shield film 70 are further formed thereon. Therefore, the upper shield film 70 is moved from the upper portion of the electrode film 80 to the upper shield film 70.
Since the distance to the lower surface of the electrode can be made larger than that without the insulating film 50, the withstand voltage between the electrode and the upper shield film can be improved.
【００４２】次に、図６を用いて、本実施形態による薄
膜磁気ヘッドの全体の製造プロセスについて説明する。
なお、図６の（Ｂ−１）〜（Ｂ−３）は、図１のＡ−
Ａ’断面を示し、図６の（Ａ−１）〜（Ａ−３）は、図
１のＢ−Ｂ’断面を示している。また、図６の（Ａ−
１）〜（Ａ−３）は、図２とは異なり、Ｂ−Ｂ’の面に
おいて切断される前の状態，即ち、図１におけるＡ−
Ａ’断面そのものを示している。Next, the entire manufacturing process of the thin-film magnetic head according to the present embodiment will be explained with reference to FIG.
Note that (B-1) to (B-3) in FIG.
FIG. 6A shows a cross section, and FIGS. 6A-1 to 6A-3 show BB 'cross sections in FIG. In addition, FIG.
1) to (A-3) are different from FIG. 2 in a state before cutting along the plane BB ′, that is, A- in FIG.
The A 'section itself is shown.
【００４３】図６（Ｂ−１），（Ａ−１）に示すよう
に、厚さ２ｍｍのアルミニウム（Ａｌ）とチタン（Ｔ
ｉ）と炭素（Ｃ）の合金（アルチック）からなる基板１
０の上には、厚さ１０μｍのアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）膜を
スパッタリングで形成した後、厚さ２μのコバルト（Ｃ
ｏ）とニオブ（Ｎｂ）とジルコニウム（Ｚｒ）とからな
る下部シールド膜２０が、スパッタリング若しくはメッ
キにより形成される。As shown in FIGS. 6 (B-1) and (A-1), aluminum (Al) and titanium (T
Substrate 1 made of an alloy (altic) of i) and carbon (C)
On 0, after forming the alumina (Al 2 O 3) film having a thickness of 10μm by the sputtering, the thickness of 2μ cobalt (C
o), a lower shield film 20 made of niobium (Nb) and zirconium (Zr) is formed by sputtering or plating.
【００４４】下部シールド膜２０の上に、厚さが５０ｎ
ｍのアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）と二酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏ2）からなる下部ギャップ膜３０が、スパッタリング
により形成される。On the lower shield film 20, a thickness of 50 n
m of alumina (Al 2 O 3 ) and silicon dioxide (Si
A lower gap film 30 made of O 2 ) is formed by sputtering.
【００４５】下部ギャップ膜３０の上に、タンタル（Ｔ
ａ）、パーマロイ（ＮｉＦｅ合金）、コバルト（Ｃ
ｏ）、銅（Ｃｕ）、コバルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）
・マンガン（Ｍｎ）・プラチナ（Ｐｔ）が順次積層され
て厚さが５０ｎｍのＧＭＲ膜４０が、スパッタリング若
しくはＣＶＤにより形成される。On the lower gap film 30, a tantalum (T
a), permalloy (NiFe alloy), cobalt (C
o), copper (Cu), cobalt (Co), chromium (Cr)
A manganese (Mn) / platinum (Pt) layer is sequentially stacked to form a 50 nm thick GMR film 40 by sputtering or CVD.
【００４６】さらに、（Ｂ−１）に示すように、ＧＭＲ
膜４０の両端部の上に、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃ
ｏ）とクロム（Ｃｒ）とプラチナ（Ｐｔ）の合金、クロ
ム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）を順次積層して厚さが５
０ｎｍの電極膜８０が、スパッタリング若しくはＣＶＤ
により形成される。電極膜８０は、レジストの下側にア
ンダーカットを入れたリフトオフ法のレジストパターン
を用いて形成される。次に、ＧＭＲ膜４０の不要部分
が、イオンミリングによって除去される。Further, as shown in (B-1), GMR
On both ends of the film 40, chromium (Cr), cobalt (C
o), an alloy of chromium (Cr) and platinum (Pt), chromium (Cr), and tantalum (Ta) are sequentially laminated to a thickness of 5
0 nm electrode film 80 is formed by sputtering or CVD.
Formed by The electrode film 80 is formed using a lift-off resist pattern in which an undercut is formed below the resist. Next, unnecessary portions of the GMR film 40 are removed by ion milling.
【００４７】次に、（Ａ−２）に示すように、ＧＭＲ膜
４０の端部であって、電極膜８０が形成される側に対し
て直交する側の端部を覆うように、厚さが５０ｎｍのア
ルミナ（Ａｌ2Ｏ3）と二酸化シリコン（ＳｉＯ2）から
なる絶縁膜５０が、スパッタリングにより形成される。Next, as shown in (A-2), the thickness of the end portion of the GMR film 40 so as to cover the end portion orthogonal to the side on which the electrode film 80 is formed is formed. The insulating film 50 made of alumina (Al 2 O 3 ) and silicon dioxide (SiO 2 ) having a thickness of 50 nm is formed by sputtering.
【００４８】絶縁膜５０の形成後、ＧＭＲ膜４０と電極
膜８０の形成に用いたリフトオフ法のレジストが、レジ
スト剥離液を用いて除去され、さらに、基板は、レジス
ト剥離後、洗浄液により洗浄される。ここで、ＧＭＲ膜
４０の端部は、絶縁膜５０により覆われているため、ア
ルカリ性のレジスト剥離液によりレジストの除去が行わ
れても、ＧＭＲ膜４０中のコバルト（Ｃｏ）や銅（Ｃ
ｕ）が腐食されることがなくなり、ＧＭＲ膜４０のダメ
ージを防止できるものである。After the formation of the insulating film 50, the resist of the lift-off method used for forming the GMR film 40 and the electrode film 80 is removed using a resist stripper, and the substrate is washed with a cleaning solution after the resist is stripped. You. Here, since the end of the GMR film 40 is covered with the insulating film 50, even if the resist is removed by an alkaline resist stripper, the cobalt (Co) or copper (C) in the GMR film 40 is removed.
u) is not corroded, and damage to the GMR film 40 can be prevented.
【００４９】次に、図１に示したように、電極膜８０の
上に、厚さが２００ｎｍの金（Ａｕ）からなる電極膜９
０が、スパッタリングにより形成される。Next, as shown in FIG. 1, an electrode film 9 made of gold (Au) having a thickness of 200 nm is formed on the electrode film 80.
0 is formed by sputtering.
【００５０】さらに、（Ｂ−３），（Ａ−３）に示すよ
うに、ＧＭＲ膜４０，絶縁膜５０，電極膜８０，９０を
覆うように、厚さが５０ｎｍのアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）と
二酸化シリコン（ＳｉＯ2）からなる上部ギャップ膜６
０が、スパッタリングにより形成される。Further, as shown in (B-3) and (A-3), alumina (Al 2 O 3) having a thickness of 50 nm covers the GMR film 40, the insulating film 50, and the electrode films 80 and 90. ) And silicon dioxide (SiO 2 ) upper gap film 6
0 is formed by sputtering.
【００５１】上部ギャップ膜６０の上に、厚さ２〜３μ
ｍのパーマロイ（ＮｉＦｅ合金）からなる上部シールド
膜７０が、スパッタリング若しくはメッキにより形成さ
れる。On the upper gap film 60, a thickness of 2 to 3 μm
The upper shield film 70 made of m permalloy (NiFe alloy) is formed by sputtering or plating.
【００５２】上部シールド膜７０の形成後、図１におけ
るＢ−Ｂ’において切断され、その切断面を研磨するこ
とによって、センサであるＧＭＲ膜４０が、浮上面に露
出した構造のシールド型薄膜磁気ヘッドを構成すること
ができる。After the upper shield film 70 is formed, it is cut along the line BB 'in FIG. 1 and the cut surface is polished, so that the GMR film 40 as a sensor is exposed on the air bearing surface to form a shield type thin film magnetic film. A head can be configured.
【００５３】本実施形態においては、ＧＭＲ膜４０の上
面と上部シールド膜７０の間の絶縁距離は、ＧＭＲ膜４
０の浮上面から離れた側の部分においては、絶縁膜５０
の膜厚に上部ギャップ膜６０の膜厚を加えたものとな
り、５０ｎｍ以上の厚さを確保することができる。即
ち、本実施形態においては、絶縁膜５０を用いることに
より、浮上面側におけるＧＭＲ膜４０と上部シールド膜
７０の距離を、浮上面側から離れた位置におけるＧＭＲ
膜４０と上部シールド膜７０の距離よりも小さくしてい
る。これによって、本実施形態では、絶縁耐圧を向上さ
せ、信頼性を向上することができる。In the present embodiment, the insulation distance between the upper surface of the GMR film 40 and the upper shield film 70 is
In the portion on the side away from the air bearing surface of the
The thickness of the upper gap film 60 is added to the thickness of the upper gap film 60, and a thickness of 50 nm or more can be secured. That is, in the present embodiment, by using the insulating film 50, the distance between the GMR film 40 and the upper shield film 70 on the air bearing surface side is increased, so that
The distance between the film 40 and the upper shield film 70 is made smaller. Thus, in the present embodiment, the withstand voltage can be improved, and the reliability can be improved.
【００５４】また、ＧＭＲ膜４０の端部であって、浮上
面側から離れた側の端部を絶縁膜５０で覆うようにして
いるため、レジストの除去の際にも、ＧＭＲ膜４０中の
コバルト（Ｃｏ）や銅（Ｃｕ）が腐食されることがなく
なるものである。Since the end of the GMR film 40, which is on the side remote from the air bearing surface, is covered with the insulating film 50, the resist in the GMR film 40 is removed even when the resist is removed. This prevents corrosion of cobalt (Co) and copper (Cu).
【００５５】なお、以上の説明では、磁気抵抗効果膜と
して、ＧＭＲ膜４０を用いるものとして説明したが、Ｇ
ＭＲ膜に代えて、ＭＲ膜を用いても同様に構成すること
ができる。ＭＲ膜を用いる場合には、図６（Ｂ−１），
（Ａ−１）に示す工程において、下部ギャップ膜３０の
上に、ＮｉＦｅを含む合金、タンタル（Ｔａ）、パーマ
ロイ（ＮｉＦｅ合金）、タンタル（Ｔａ）が順次積層さ
れて厚さが５０ｎｍのＭＲ膜が、スパッタリング若しく
はＣＶＤにより形成される。In the above description, the GMR film 40 is used as the magnetoresistance effect film.
The same configuration can be obtained by using an MR film instead of the MR film. In the case of using the MR film, FIG.
In the step shown in (A-1), an MR film having a thickness of 50 nm is formed by sequentially laminating an alloy containing NiFe, tantalum (Ta), permalloy (NiFe alloy), and tantalum (Ta) on the lower gap film 30. Is formed by sputtering or CVD.
【００５６】ＭＲ膜を用いる場合にも、ＭＲ膜の浮上面
側から離れた端部には、（Ａ−２）に示すように絶縁膜
が形成されるため、ＭＲ膜の上面と上部シールド膜７０
の間の絶縁距離は、ＭＲ膜の浮上面から離れた側の部分
においては、絶縁膜５０の膜厚に上部ギャップ膜６０の
膜厚を加えたものとなり、５０ｎｍ以上の厚さを確保す
ることができる。即ち、絶縁膜５０を用いることによ
り、浮上面側におけるＭＲ膜と上部シールド膜７０の距
離を、浮上面側から離れた位置におけるＭＲ膜と上部シ
ールド膜７０の距離よりも小さくしている。これによっ
て、本実施形態では、絶縁耐圧を向上させ、信頼性を向
上することができる。When an MR film is used, an insulating film is formed at an end of the MR film remote from the air bearing surface side as shown in FIG. 2A, so that the upper surface of the MR film and the upper shield film are formed. 70
In the portion on the side away from the air bearing surface of the MR film, the insulation distance between the above is the thickness of the insulating film 50 plus the thickness of the upper gap film 60, and a thickness of 50 nm or more should be secured. Can be. That is, by using the insulating film 50, the distance between the MR film and the upper shield film 70 on the air bearing surface side is made smaller than the distance between the MR film and the upper shield film 70 at a position away from the air bearing surface side. Thus, in the present embodiment, the withstand voltage can be improved, and the reliability can be improved.
【００５７】なお、ＭＲ膜においては、アルカリ性のレ
ジスト剥離液によってエッチングされるようなコバルト
（Ｃｏ）や銅（Ｃｕ）は含まれていないため、耐エッチ
ング性が高まることはないものである。Since the MR film does not contain cobalt (Co) or copper (Cu) which is etched by an alkaline resist stripping solution, the etching resistance does not increase.
【００５８】次に、図７を用いて、本発明の第２の実施
形態のよる薄膜磁気ヘッドについて説明する。なお、図
７は、第１の実施形態における図２に対応する図であ
り、図２と同一符号は、同一部分を示している。また、
本実施形態による薄膜磁気ヘッドの平面構成は、図１に
示したものと同様であり、図７は、図１のＢ−Ｂ’にお
いて切断研磨した状態におけるＡ−Ａ’断面を示してい
る。Next, a thin film magnetic head according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 7 is a diagram corresponding to FIG. 2 in the first embodiment, and the same reference numerals as those in FIG. 2 indicate the same parts. Also,
The planar configuration of the thin-film magnetic head according to the present embodiment is the same as that shown in FIG. 1, and FIG. 7 shows an AA 'section taken along a line BB' in FIG.
【００５９】基板１０の上には、下部シールド膜２０が
形成され、さらに、下部ギャップ膜３０及びＧＭＲ膜４
０が順次形成される。基板１０，下部シールド膜２０，
下部ギャップ膜３０及びＧＭＲ膜４０の材質，厚さ，及
び成膜方法は、第１の実施形態と同様である。On the substrate 10, a lower shield film 20 is formed, and further, a lower gap film 30 and a GMR film 4 are formed.
0 are sequentially formed. Substrate 10, lower shield film 20,
The material, thickness, and method of forming the lower gap film 30 and the GMR film 40 are the same as in the first embodiment.
【００６０】図７には示されていないが、図３に示した
ように、ＧＭＲ膜４０の両端部には、ＧＭＲ膜４０と導
通するように、電極膜８０が形成され、電極膜８０の上
には、図１に示したように、電極膜９０が形成される。
電極膜８０，９０の材質，厚さ，及び成膜方法は、第１
の実施形態と同様である。Although not shown in FIG. 7, as shown in FIG. 3, an electrode film 80 is formed at both ends of the GMR film 40 so as to be electrically connected to the GMR film 40. An electrode film 90 is formed thereon, as shown in FIG.
The material, thickness, and film forming method of the electrode films 80 and 90 are as follows.
This is the same as the embodiment.
【００６１】ＧＭＲ膜４０，下部ギャップ膜３０及び電
極膜８０，９０の上に、上部ギャップ膜６０Ａが形成さ
れる。上部ギャップ膜６０Ａは、スパッタリングにより
形成され、その厚さは、５０ｎｍである。上部ギャップ
膜６０Ａは、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）と二酸化シリコン
（ＳｉＯ2）からなる絶縁膜である。An upper gap film 60A is formed on the GMR film 40, the lower gap film 30, and the electrode films 80 and 90. The upper gap film 60A is formed by sputtering, and has a thickness of 50 nm. The upper gap film 60A is an insulating film made of alumina (Al 2 O 3 ) and silicon dioxide (SiO 2 ).
【００６２】上部ギャップ膜６０Ａは、ＧＭＲ膜４０の
上の部分において、凸部を形成しているため、この凸部
の端部を覆うようにして、絶縁膜５０Ａを形成する。絶
縁膜５０Ａは、スパッタリングにより形成され、その厚
さは、５０ｎｍである。絶縁膜５０Ａは、アルミナ（Ａ
ｌ2Ｏ3）と二酸化シリコン（ＳｉＯ2）からなる。Since the upper gap film 60A has a convex portion on the portion above the GMR film 40, the insulating film 50A is formed so as to cover the end of the convex portion. The insulating film 50A is formed by sputtering, and has a thickness of 50 nm. The insulating film 50A is made of alumina (A
l 2 O 3 ) and silicon dioxide (SiO 2 ).
【００６３】上部ギャップ膜６０Ａ及び絶縁膜５０Ａの
上に、厚さ２〜３μｍの上部シールド膜７０がスパッタ
リング若しくはメッキにより形成される。An upper shield film 70 having a thickness of 2 to 3 μm is formed on the upper gap film 60A and the insulating film 50A by sputtering or plating.
【００６４】以上のようにして、上部ギャップ膜の上
に、絶縁膜を形成するようにしても、ＧＭＲ膜４０の上
面と上部シールド膜７０の間の絶縁距離は、ＧＭＲ膜４
０の上に、直接上部ギャップ膜６０が形成される部分
（浮上面に近い側の部分）では、上部ギャップ膜６０の
膜厚に等しい５０ｎｍとなり、ＧＭＲ膜４０の浮上面か
ら離れた側の部分においては、上部ギャップ膜６０Ａの
膜厚に絶縁膜５０Ａの膜厚を加えたものとなる。従っ
て、ＧＭＲ膜４０の浮上面から離れた側の端部における
絶縁距離は、上部ギャップ膜６０Ａの膜厚に絶縁膜５０
Ａの膜厚を加えたものとなるため、５０ｎｍ以上の厚さ
を確保することができる。即ち、本実施形態において
は、絶縁膜５０Ａを用いることにより、浮上面側におけ
るＧＭＲ膜４０と上部シールド膜７０の距離を、浮上面
側から離れた位置におけるＧＭＲ膜４０と上部シールド
膜７０の距離よりも小さくしている。これによって、本
実施形態では、絶縁耐圧を向上させ、信頼性を向上する
ことができる。As described above, even if an insulating film is formed on the upper gap film, the insulating distance between the upper surface of the GMR film 40 and the upper shield film 70 is not changed.
In the portion where the upper gap film 60 is directly formed (the portion closer to the air bearing surface) on the surface of the GMR film 40, the thickness is 50 nm, which is equal to the thickness of the upper gap film 60, and the portion of the GMR film 40 on the side away from the air bearing surface. In this case, the thickness of the insulating film 50A is added to the thickness of the upper gap film 60A. Therefore, the insulation distance at the end of the GMR film 40 on the side remote from the air bearing surface is equal to the thickness of the upper gap film 60A.
Since the film thickness of A is added, a thickness of 50 nm or more can be secured. That is, in the present embodiment, by using the insulating film 50A, the distance between the GMR film 40 and the upper shield film 70 on the air bearing surface side is increased, and the distance between the GMR film 40 and the upper shield film 70 at a position away from the air bearing surface side. Smaller than. Thus, in the present embodiment, the withstand voltage can be improved, and the reliability can be improved.
【００６５】次に、図８〜図１２を用いて、本発明の第
３の実施形態のよる薄膜磁気ヘッドについて説明する。
なお、図８は、第１の実施形態における図３に対応する
図であり、図３と同一符号は、同一部分を示している。
また、本実施形態による薄膜磁気ヘッドの平面構成は、
図１に示したものと同様であり、図８は、図１のＢ−
Ｂ’において切断研磨した状態におけるＡ−Ａ’断面を
示している。Next, a thin-film magnetic head according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
FIG. 8 is a diagram corresponding to FIG. 3 in the first embodiment, and the same reference numerals as those in FIG. 3 indicate the same parts.
The planar configuration of the thin-film magnetic head according to the present embodiment is as follows.
FIG. 8 is similar to that shown in FIG.
A section taken along the line AA 'in the state of cutting and polishing is shown at B'.
【００６６】本実施形態においては、図３に示した構成
に加えて、バイアス膜８５を備えている。バイアス膜８
５は、導電性であり、ＧＭＲ膜４０の両端に接続され
て、ＧＭＲ膜４０にバイアス磁界を与える。バイアス膜
８５は、電極膜８０に接続される。In this embodiment, a bias film 85 is provided in addition to the configuration shown in FIG. Bias film 8
Numeral 5 is conductive and connected to both ends of the GMR film 40 to apply a bias magnetic field to the GMR film 40. The bias film 85 is connected to the electrode film 80.
【００６７】バイアス膜８５の大きさは、従来のバイア
ス膜に比べて小さくしている。即ち、従来のバイアス膜
は、例えば、図１に示した電極膜８０とほぼ同じ大きさ
となっている。それに対して、本実施形態におけるバイ
アス膜８５は、図１０，図１１を用いて後述するよう
に、浮上面に直交する方向（図１のＡ−Ａ’方向）にお
ける幅を、ＧＭＲ膜４０とほぼ同じものとしている。The size of the bias film 85 is smaller than that of the conventional bias film. That is, the conventional bias film has substantially the same size as, for example, the electrode film 80 shown in FIG. On the other hand, as described later with reference to FIGS. 10 and 11, the bias film 85 in the present embodiment has a width in a direction perpendicular to the air bearing surface (AA ′ direction in FIG. 1) different from that of the GMR film 40. They are almost the same.
【００６８】バイアス膜８５の大きさが、電極膜８０と
ほぼ同じ大きさの場合、バイアス膜８５と下部シールド
膜２０の間は、下部ギャップ膜３０で絶縁されている
が、磁気ヘッドの分解能を高めるために、ギャップ長Ｇ
Ｌを小さくし、上下ギャップ膜，特に、下部ギャップ膜
３０を薄くすると、下部シールド膜２０の上に付着して
下部ギャップ膜３０と下部シールド膜２０の間に残存し
た異物や下部ギャップ膜３０に形成されるピンホールの
影響によって、絶縁耐圧が低下することになる。When the size of the bias film 85 is substantially the same as the size of the electrode film 80, the gap between the bias film 85 and the lower shield film 20 is insulated by the lower gap film 30. To increase the gap length G
When L is reduced and the upper and lower gap films, particularly the lower gap film 30, are thinned, foreign matter and the lower gap film 30 that adhere to the lower shield film 20 and remain between the lower gap film 30 and the lower shield film 20 are removed. Due to the effect of the formed pinhole, the dielectric strength is reduced.
【００６９】そこで、バイアス膜８５の大きさを小さく
することにより、異物やピンホールによる絶縁耐圧の低
下の確率を低下させるようにしている。また、バイアス
膜８５の大きさを小さくするだけでは、電極膜８０が下
部ギャップ膜３０と接触することになるので、電極膜８
０と下部ギャップ膜３０の間には、図１１を用いて後述
するように、絶縁膜５０を形成するようにしている。こ
の絶縁膜５０は、浮上面部分から離れた側におけるバイ
アス膜８５の端部を覆うように形成される。Therefore, by reducing the size of the bias film 85, the probability of a decrease in dielectric strength due to foreign matter or pinholes is reduced. In addition, if the size of the bias film 85 is merely reduced, the electrode film 80 comes into contact with the lower gap film 30.
Between the zero and the lower gap film 30, an insulating film 50 is formed as described later with reference to FIG. The insulating film 50 is formed so as to cover the end of the bias film 85 on the side remote from the air bearing surface.
【００７０】図８に示すように、基板１０の上には、下
部シールド膜２０が形成されている。基板１０は、厚さ
２ｍｍのアルミニウム（Ａｌ）とチタン（Ｔｉ）と炭素
（Ｃ）の合金（アルチック）を用いている。基板１０の
上に、厚さ１０μｍのアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）膜をスパッ
タリングで形成した後、厚さ２μｍの下部シールド膜２
０がスパッタリング若しくはメッキにより形成される。
下部シールド膜２０は、コバルト（Ｃｏ）と、ニオブ
（Ｎｂ）と、ジルコニウム（Ｚｒ）の合金から構成され
る。下部シールド膜２０としては、他に、鉄（Ｆｅ），
アルミニウム（Ａｌ），シリコン（Ｓｉ）の合金（セン
ダスト）や、パーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ）を用いることも
できる。As shown in FIG. 8, a lower shield film 20 is formed on a substrate 10. The substrate 10 is made of an alloy (Altic) of aluminum (Al), titanium (Ti), and carbon (C) having a thickness of 2 mm. After forming an alumina (Al 2 O 3 ) film having a thickness of 10 μm on the substrate 10 by sputtering, the lower shield film 2 having a thickness of 2 μm is formed.
0 is formed by sputtering or plating.
The lower shield film 20 is made of an alloy of cobalt (Co), niobium (Nb), and zirconium (Zr). Other examples of the lower shield film 20 include iron (Fe),
An alloy (sendust) of aluminum (Al) and silicon (Si) or permalloy (Ni-Fe) can also be used.
【００７１】下部シールド膜２０の上に、下部ギャップ
膜３０が形成される。下部ギャップ膜３０は、スパッタ
リング若しくはＣＶＤにより形成され、その厚さは、７
０〜８０ｎｍである。下部ギャップ膜３０は、アルミナ
（Ａｌ2Ｏ3）と二酸化シリコン（ＳｉＯ2）からなる絶
縁膜である。下部ギャップ膜３０としては、ＡｌＮ，ダ
イヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）のような熱伝導率
の良い絶縁材料を用いることもできる。On the lower shield film 20, a lower gap film 30 is formed. The lower gap film 30 is formed by sputtering or CVD, and has a thickness of 7
0 to 80 nm. The lower gap film 30 is an insulating film made of alumina (Al 2 O 3 ) and silicon dioxide (SiO 2 ). As the lower gap film 30, an insulating material having good thermal conductivity such as AlN or diamond-like carbon (DLC) can be used.
【００７２】下部ギャップ膜３０の上に、ＧＭＲ膜４０
が形成される。ＧＭＲ膜４０は、スパッタリング若しく
はＣＶＤにより形成され、その厚さは、５０ｎｍであ
る。ＧＭＲ膜４０は、タンタル（Ｔａ）、パーマロイ
（ＮｉＦｅ合金）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、コ
バルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）・マンガン（Ｍｎ）・
プラチナ（Ｐｔ）が順次積層されて形成される。この中
で、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）が、エッチングによ
って腐食されやすい材料である。On the lower gap film 30, a GMR film 40
Is formed. The GMR film 40 is formed by sputtering or CVD, and has a thickness of 50 nm. The GMR film 40 is made of tantalum (Ta), permalloy (NiFe alloy), cobalt (Co), copper (Cu), cobalt (Co), chromium (Cr), manganese (Mn).
Platinum (Pt) is formed by sequentially laminating. Among them, cobalt (Co) and copper (Cu) are materials that are easily corroded by etching.
【００７３】ＧＭＲ膜４０の両端部の上に、ＧＭＲ膜４
０に対するバイアス膜８５が形成される。バイアス膜８
５は、スパッタリングにより形成され、その厚さは、５
０ｎｍである。バイアス膜８５は、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔの
ような硬磁性材料を用いている。バイアス膜８５として
は、Ｆｅ−Ｍｎのような反強磁性材料を用いることもで
きる。バイアス膜８５は、ＧＭＲ膜４０にバイアス磁界
を与える。On both ends of the GMR film 40, the GMR film 4
A bias film 85 for 0 is formed. Bias film 8
5 is formed by sputtering and has a thickness of 5
0 nm. The bias film 85 is made of a hard magnetic material such as Co-Cr-Pt. As the bias film 85, an antiferromagnetic material such as Fe-Mn can be used. The bias film 85 applies a bias magnetic field to the GMR film 40.
【００７４】バイアス膜８５の上に、電極膜８０が形成
される。電極膜８０は、スパッタリング若しくはＣＶＤ
により形成され、その厚さは、７０ｎｍである。電極膜
８０は、タンタル（Ｔａ），タングステン（Ｗ），モリ
ブデン（Ｍｏ），金（Ａｕ），アルミニウム（Ａｌ），
銅（Ｃｕ）のような抵抗率の低い材料を用いる。The electrode film 80 is formed on the bias film 85. The electrode film 80 is formed by sputtering or CVD.
And its thickness is 70 nm. The electrode film 80 is made of tantalum (Ta), tungsten (W), molybdenum (Mo), gold (Au), aluminum (Al),
A material with low resistivity such as copper (Cu) is used.
【００７５】ＧＭＲ膜４０及び電極膜８０の上に、上部
ギャップ膜６０が形成される。上部ギャップ膜６０は、
スパッタリング若しくはＣＶＤにより形成され、その厚
さは、７０〜８０ｎｍである。上部ギャップ膜６０は、
アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）と二酸化シリコン（ＳｉＯ2）か
らなる絶縁膜である。上部ギャップ膜８０としては、Ａ
ｌＮ，ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）のような
熱伝導率の良い絶縁材料を用いることもできる。The upper gap film 60 is formed on the GMR film 40 and the electrode film 80. The upper gap film 60 is
It is formed by sputtering or CVD, and has a thickness of 70 to 80 nm. The upper gap film 60 is
The insulating film is made of alumina (Al 2 O 3 ) and silicon dioxide (SiO 2 ). As the upper gap film 80, A
An insulating material having good thermal conductivity such as 1N or diamond-like carbon (DLC) can also be used.
【００７６】上部ギャップ膜６０の上に、厚さ２μｍの
上部シールド膜７０がスパッタリング若しくはメッキに
より形成される。上部シールド膜７０は、パーマロイ
（ＮｉＦｅ合金）から構成される。An upper shield film 70 having a thickness of 2 μm is formed on upper gap film 60 by sputtering or plating. The upper shield film 70 is made of permalloy (NiFe alloy).
【００７７】上部シールド膜７０が形成された後、図１
に示したＢ−Ｂ’（浮上面）において切断され、その端
面が研磨される。この切断研磨によって、ＧＭＲ膜４０
は、磁気記録媒体に対する浮上面に露出して、シールド
型薄膜磁気ヘッドが完成する。After the upper shield film 70 is formed, FIG.
Is cut at BB '(floating surface) shown in FIG. By this cutting and polishing, the GMR film 40
Is exposed on the air bearing surface for the magnetic recording medium, and the shield type thin film magnetic head is completed.
【００７８】なお、図９〜図１１を用いて後述するよう
に、電極膜８０の形成後であって、上部ギャップ膜６０
の形成前に、本実施形態による絶縁膜が形成される。絶
縁膜の形成される位置は、ＧＭＲ膜４０及びバイアス膜
８５の浮上面と反対側の端部である。絶縁膜が形成され
た後、上部ギャップ膜６０と、上部シールド膜７０が順
次形成される。As will be described later with reference to FIGS. 9 to 11, after the formation of the electrode film 80, the upper gap film 60 is formed.
Before the formation, the insulating film according to the present embodiment is formed. The position where the insulating film is formed is the end of the GMR film 40 and the bias film 85 opposite to the air bearing surface. After the insulating film is formed, the upper gap film 60 and the upper shield film 70 are sequentially formed.
【００７９】次に、図９〜図１１を用いて、本発明の第
３の実施形態のよる薄膜磁気ヘッドに用いた絶縁膜につ
いて説明する。なお、図９は、図８のＡ−Ａ’断面を示
し、図１０は、図８のＤ−Ｄ’断面を示し、図１１は、
図８のＥ−Ｅ’断面を示している。Next, an insulating film used for the thin-film magnetic head according to the third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 9 shows an AA ′ section of FIG. 8, FIG. 10 shows a DD ′ section of FIG. 8, and FIG.
FIG. 10 illustrates a cross section taken along line EE ′ of FIG. 8.
【００８０】図９〜図１１に示すように、基板１０の上
には、下部シールド膜２０が形成され、さらに、下部ギ
ャップ膜３０が順次形成される。さらに、図９に示すよ
うに、下部ギャップ膜３０の上には、ＧＭＲ膜４０が形
成され、次に、図１０及び図１１に示すように、ＧＭＲ
膜４０の両側にバイアス膜８５が形成される。As shown in FIGS. 9 to 11, a lower shield film 20 is formed on a substrate 10, and a lower gap film 30 is sequentially formed. Further, as shown in FIG. 9, a GMR film 40 is formed on the lower gap film 30, and then, as shown in FIGS.
Bias films 85 are formed on both sides of the film 40.
【００８１】次に、図９に示すように、ＧＭＲ膜４０の
端部であって、薄膜磁気ヘッドの浮上面から離れた側の
端部を覆うように、また、図１０及び図１１に示すよう
に、バイアス膜８５の端部であって、薄膜磁気ヘッドの
浮上面から離れた側の端部を覆うように、絶縁膜５０が
形成される。絶縁膜５０は、スパッタリングにより形成
され、その厚さは、５０〜１００ｎｍである。即ち、Ｇ
ＭＲ膜４０と同じ膜厚からＧＭＲ膜４０の２倍の膜厚の
範囲としている。絶縁膜５０の膜厚は、絶縁材料の絶縁
性能や、段差端部でのつきまわりを考慮して決められる
ものであり、下部ギャップ膜３０や上部ギャップ膜６０
のように磁気抵抗効果型ヘッドを設計する上で、膜厚を
厳しく制限しなければならない膜ではなく、絶縁性能を
保てる膜厚があればよいものである。Next, as shown in FIG. 9, an end of the GMR film 40 which is away from the air bearing surface of the thin-film magnetic head is covered, and as shown in FIGS. 10 and 11. As described above, the insulating film 50 is formed so as to cover the end of the bias film 85 on the side remote from the air bearing surface of the thin-film magnetic head. The insulating film 50 is formed by sputtering, and has a thickness of 50 to 100 nm. That is, G
The thickness ranges from the same thickness as the MR film 40 to twice the thickness of the GMR film 40. The thickness of the insulating film 50 is determined in consideration of the insulating performance of the insulating material and the throwing power at the end of the step, and the lower gap film 30 and the upper gap film 60 are formed.
In designing a magnetoresistive head as described above, it is not necessary that the film thickness be strictly limited, but it is sufficient that the film has a film thickness that can maintain insulation performance.
【００８２】絶縁膜５０は、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）と二
酸化シリコン（ＳｉＯ2）から構成されている。絶縁膜
５０として、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）と二酸化シリコン
（ＳｉＯ2）を用いることにより、アルカリ液によりエ
ッチングする際にも、エッチングされることはないもの
である。また、ＧＭＲ膜４０の端部も絶縁膜５０により
覆われているため、エッチングされることはないもので
ある。なお、絶縁膜５０としては、窒化アルミニウム
（ＡｌＮ）や、窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）や、ダイヤモ
ンドライクカーボン（ＤＬＣ）のような熱伝導率の良い
絶縁材料を用いることもできる。The insulating film 50 is made of alumina (Al 2 O 3 ) and silicon dioxide (SiO 2 ). By using alumina (Al 2 O 3 ) and silicon dioxide (SiO 2 ) as the insulating film 50, it is not etched even when etching with an alkaline solution. Further, since the end of the GMR film 40 is also covered with the insulating film 50, it is not etched. The insulating film 50 may be formed of an insulating material having good thermal conductivity, such as aluminum nitride (AlN), silicon nitride (Si 3 N 4 ), or diamond-like carbon (DLC).
【００８３】次に、図１０及び図１１に示すように、バ
イアス膜８５の上に、電極膜８０が形成される。さら
に、図９〜図１１に示すように、ＧＭＲ膜４０，絶縁膜
５０及び電極膜８０の上に、上部ギャップ膜６０が形成
される。Next, as shown in FIGS. 10 and 11, on the bias film 85, an electrode film 80 is formed. Further, as shown in FIGS. 9 to 11, an upper gap film 60 is formed on the GMR film 40, the insulating film 50, and the electrode film 80.
【００８４】また、図９〜図１１に示すように、上部ギ
ャップ膜６０の浮上面から離れた位置には、厚さ０．５
〜１μｍの上部絶縁膜５５がスパッタリングにより形成
される。上部絶縁膜５５は、図１１に示すように、電極
膜８０と上部シールド膜７０の間の距離を大きくして、
絶縁耐圧を向上されるために備えられている。As shown in FIGS. 9 to 11, the upper gap film 60 has a thickness of 0.5 mm away from the air bearing surface.
An upper insulating film 55 having a thickness of about 1 μm is formed by sputtering. The upper insulating film 55 increases the distance between the electrode film 80 and the upper shield film 70 as shown in FIG.
It is provided to improve the dielectric strength.
【００８５】図９〜図１１に示すように、上部ギャップ
膜６０及び上部絶縁膜５５の上に、厚さ２μｍの上部シ
ールド膜７０がスパッタリング若しくはメッキにより形
成される。上部シールド膜７０は、パーマロイ（ＮｉＦ
ｅ合金）から構成される。As shown in FIGS. 9 to 11, an upper shield film 70 having a thickness of 2 μm is formed on upper gap film 60 and upper insulating film 55 by sputtering or plating. The upper shield film 70 is made of permalloy (NiF
e alloy).
【００８６】ここで、図１１に示すように、本実施形態
においては、電極膜８０と下部シールド膜２０の間の距
離Ｇ４は、絶縁性を有する下部ギャップ膜３０及び絶縁
膜５０の膜厚によって規定される。従来の磁気ヘッドに
おいては、絶縁膜５０が用いられておらず、電極膜８０
の下には、電極膜８０とほぼ同じ面積のバイアス膜が設
けられていたため、バイアス膜と下部シールド膜２０
は、下部ギャップ膜３０によって絶縁されているだけで
ある。従って、磁気ヘッドの分解能を高めるために、ギ
ャップ長ＧＬを小さくし、下部ギャップ膜３０を薄くす
ると、下部シールド膜２０の上に付着して下部ギャップ
膜３０と下部シールド膜２０の間に残存した異物や下部
ギャップ膜３０に形成されるピンホールの影響によっ
て、絶縁耐圧が低下することになる。Here, as shown in FIG. 11, in the present embodiment, the distance G4 between the electrode film 80 and the lower shield film 20 depends on the thickness of the lower gap film 30 and the insulating film 50 having an insulating property. Stipulated. In the conventional magnetic head, the insulating film 50 is not used, and the electrode film 80 is not used.
Since the bias film having substantially the same area as the electrode film 80 is provided under the bias film, the bias film and the lower shield film 20 are formed.
Are merely insulated by the lower gap film 30. Therefore, when the gap length GL is reduced and the lower gap film 30 is thinned in order to increase the resolution of the magnetic head, the lower gap film 30 is attached to the lower shield film 20 and remains between the lower gap film 30 and the lower shield film 20. The dielectric strength decreases due to the influence of foreign matter and pinholes formed in the lower gap film 30.
【００８７】そこで、本実施形態においては、バイアス
膜８５の面積を小さくすることにより、異物やピンホー
ルによる絶縁耐圧の低下の確率を低下させるようにして
いる。また、バイアス膜８５の大きさを小さくするだけ
では、電極膜８０が下部ギャップ膜３０と接触すること
になるので、電極膜８０と下部ギャップ膜３０の間に
は、図１１に示したように、絶縁膜５０を形成してい
る。従って、電極膜８０と下部シールド膜２０の間の距
離は、Ｇ４となり、絶縁耐圧を向上することができる。Therefore, in the present embodiment, the area of the bias film 85 is reduced, so that the probability of a decrease in dielectric strength due to foreign matter or pinholes is reduced. In addition, simply reducing the size of the bias film 85 causes the electrode film 80 to come into contact with the lower gap film 30, so that there is a gap between the electrode film 80 and the lower gap film 30 as shown in FIG. , An insulating film 50 is formed. Accordingly, the distance between the electrode film 80 and the lower shield film 20 is G4, and the withstand voltage can be improved.
【００８８】また、絶縁膜５０は、図１０に示すよう
に、浮上面部分から離れた側におけるバイアス膜８５の
端部を覆うように形成しているので、バイアス膜８５の
端部から上部シールド膜７０までの絶縁距離Ｉ32を大き
くすることができ、バイアス膜８５と上部シールド膜７
０の間の絶縁耐圧を大きくすることができる。Further, as shown in FIG. 10, the insulating film 50 is formed so as to cover the end of the bias film 85 on the side remote from the air bearing surface, so that the upper shield is formed from the end of the bias film 85. The insulation distance I32 to the film 70 can be increased, and the bias film 85 and the upper shield film 7
The insulation withstand voltage between 0 can be increased.
【００８９】さらに、図２に示した実施形態において説
明し、また、図９に示したように、絶縁膜５０を用いる
ことにより、浮上面側におけるＧＭＲ膜４０と上部シー
ルド膜７０の絶縁距離Ｉ21を、浮上面側から離れた位置
におけるＧＭＲ膜４０と上部シールド膜７０の距離絶縁
Ｉ22よりも小さくすることにより、絶縁耐圧を向上さ
せ、信頼性を向上することができる。Further, as described in the embodiment shown in FIG. 2, and as shown in FIG. 9, by using the insulating film 50, the insulating distance I21 between the GMR film 40 and the upper shield film 70 on the air bearing surface side is obtained. Is smaller than the distance insulation I22 between the GMR film 40 and the upper shield film 70 at a position distant from the air bearing surface side, so that the withstand voltage can be improved and the reliability can be improved.
【００９０】次に、図１２を用いて、本実施形態による
薄膜磁気ヘッドの製造プロセスについて説明する。な
お、図１２において、左側の図（ａ），（ｃ），
（ｄ），（ｅ），（ｇ），（ｈ），（ｊ）は、磁気媒体
対向面に相当する位置から見た時のプロセス図であり、
右側の図（ｂ），（ｆ），（ｉ），（ｋ）は、左側のプ
ロセス図（ａ），（ｅ），（ｈ），（ｊ）を上から見た
図である。Next, the manufacturing process of the thin-film magnetic head according to the present embodiment will be explained with reference to FIG. Note that, in FIG. 12, the left-side diagrams (a), (c),
(D), (e), (g), (h), (j) are process diagrams when viewed from a position corresponding to the magnetic medium facing surface,
The right side diagrams (b), (f), (i), and (k) are top view diagrams of the left side process diagrams (a), (e), (h), and (j).
【００９１】図１２（ａ）に示すように、図示しない基
板の上に、下部シールド膜２０を形成する。その上に下
部ギャップ膜３０を形成し、さらに、その上にＧＭＲ膜
４０を形成する。さらに、ハードバイアス構造の場合、
バイアス膜を形成するためにステンシル状のレジストパ
ターンＲＰ１を形成する。レジストパターンＲＰ１は、
図１２（ｂ）に示すように、バイアス膜を形成する領域
が、開口しているパターンである。As shown in FIG. 12A, a lower shield film 20 is formed on a substrate (not shown). A lower gap film 30 is formed thereon, and a GMR film 40 is further formed thereon. Furthermore, in the case of a hard bias structure,
A stencil-shaped resist pattern RP1 is formed to form a bias film. The resist pattern RP1 is
As shown in FIG. 12B, the region where the bias film is formed is an open pattern.
【００９２】次に、図１２（ｃ）に示すように、レジス
トパターンＲＰ１をマスクとして、イオンミリングＩＭ
等により、バイアス膜を形成する領域のＧＭＲ膜４０を
取り除く。ＧＭＲ膜４０Ｂは、最終的に磁気ヘッドのセ
ンサとして用いる部分であり、ＧＭＲ膜４０Ａ，４０Ｃ
は、以降の工程で取り除かれる。Next, as shown in FIG. 12C, the ion milling IM is performed using the resist pattern RP1 as a mask.
Thus, the GMR film 40 in the region where the bias film is to be formed is removed. The GMR film 40B is a portion which is finally used as a sensor of the magnetic head, and
Is removed in the subsequent steps.
【００９３】次に、図１２（ｄ）に示すように、レジス
トパターンＲＰ１をマスクとして、バイアス膜８５をス
パッタリングにより形成する。バイアス膜８５Ａ，８５
Ｂが、以降の工程で最終的にバイアス膜として用いられ
る。バイアス膜の形成後、レジスト剥離液を用いて、レ
ジストパターンＲＰ１と、このレジストパターンＲＰ１
の上面に形成されたバイアス膜８５を除去する。Next, as shown in FIG. 12D, a bias film 85 is formed by sputtering using the resist pattern RP1 as a mask. Bias films 85A, 85
B is finally used as a bias film in the subsequent steps. After forming the bias film, the resist pattern RP1 and the resist pattern RP1 are
The bias film 85 formed on the upper surface of the substrate is removed.
【００９４】次に、図１２（ｅ）及び（ｆ）に示すよう
に、ＧＭＲ膜４０Ｂを所定のセンサ形状に成形するため
に、ステンシル状のレジストパターンＲＰ２を形成す
る。レジストパターンＲＰ２は、図１２（ｆ）に示すよ
うに、残すべきＧＭＲ膜４０Ｂとバイアス膜８５Ａ，８
５Ｂを覆う形状としている。Next, as shown in FIGS. 12E and 12F, a stencil-shaped resist pattern RP2 is formed in order to form the GMR film 40B into a predetermined sensor shape. As shown in FIG. 12 (f), the resist pattern RP2 includes the GMR film 40B to be left and the bias films 85A and 85A.
5B.
【００９５】そして、図１２（ｇ）に示すように、レジ
ストパターンＲＰ２をマスクとして、イオンミリングＩ
Ｍ等を用いて、最終的な形状を有するＧＭＲ膜４０とバ
イアス膜８５の部分を残して、余分な部分を除去する。Then, as shown in FIG. 12 (g), the ion milling I is performed using the resist pattern RP2 as a mask.
Using M or the like, an extra portion is removed except for the GMR film 40 and the bias film 85 having the final shapes.
【００９６】その後、図１２（ｈ），（ｉ）に示すよう
に、このレジストパターンＲＰ２を再度用いて、絶縁膜
５０を形成する。絶縁膜５０は、ＧＭＲ膜４０及びバイ
アス膜８５の外周，即ち、図９及び図１０において説明
したように、ＧＭＲ膜４０及びバイアス膜８５の浮上面
から離れた側の端部を覆うように形成される。従って、
磁気抵抗効果型ヘッドを形成するプロセス中の溶液によ
って腐食され易いＣｕ，Ｃｏなどの材料が露出するＧＭ
Ｒ膜４０の端部は、ＧＭＲ膜４０をイオンミリングによ
って成形した後すぐに絶縁膜５０が形成されるため、プ
ロセス中の溶液に触れることがなく、従って、ＧＭＲ膜
４０が腐食することなしに磁気抵抗効果型ヘッドを作製
することができる。Thereafter, as shown in FIGS. 12H and 12I, an insulating film 50 is formed by using the resist pattern RP2 again. The insulating film 50 is formed so as to cover the outer periphery of the GMR film 40 and the bias film 85, that is, the ends of the GMR film 40 and the bias film 85 on the side away from the air bearing surface, as described with reference to FIGS. Is done. Therefore,
A GM that exposes materials such as Cu and Co that are easily corroded by a solution during the process of forming a magnetoresistive head.
Since the insulating film 50 is formed immediately after the GMR film 40 is formed by ion milling, the end of the R film 40 does not come into contact with the solution during the process, and therefore, the GMR film 40 does not corrode. A magnetoresistive head can be manufactured.
【００９７】絶縁膜５０の形成後、レジスト剥離液を用
いて、レジストパターンＲＰ２とレジストパターンＲＰ
２の上に形成された余分な絶縁膜５０Ａを除去すること
により、図１２（ｉ）に示すように、ＧＭＲ膜４０の両
側にバイアス膜８５が形成され、それらの周囲の表面が
絶縁膜５０に覆われた構成とすることができる。After the formation of the insulating film 50, the resist pattern RP2 and the resist pattern RP are
By removing the excess insulating film 50A formed on the GMR film 2, bias films 85 are formed on both sides of the GMR film 40, as shown in FIG. It can be set as the structure covered with.
【００９８】次に、図１２（ｊ），（ｋ）に示すよう
に、ＧＭＲ膜４０を端子と接続するための、電極膜８０
がバイアス膜８５の上に形成される。電極膜８０は、そ
の一端においてバイアス膜８５と導通しているが、その
大部分は、絶縁膜５０の上に形成される。従って、電極
膜８０の大部分は、その下に、絶縁膜５０と下部ギャッ
プ膜３０が形成されており、下部シールド膜２０との間
の絶縁耐圧を向上することができる。Next, as shown in FIGS. 12 (j) and 12 (k), an electrode film 80 for connecting the GMR film 40 to a terminal.
Is formed on the bias film 85. The electrode film 80 is electrically connected to the bias film 85 at one end, but is mostly formed on the insulating film 50. Therefore, the insulating film 50 and the lower gap film 30 are formed under most of the electrode film 80, and the withstand voltage between the lower shield film 20 and the insulating film 50 can be improved.
【００９９】その後、図９〜図１１において説明したよ
うに、上部ギャップ膜６０，上部絶縁膜５５及び上部シ
ールド膜７０が順次形成される。そして、図１２（ｋ）
に示すＢ−Ｂ’に沿って切断され、その切断面を研磨し
て、磁気ヘッドが形成される。図１２（ｋ）のＡ−Ａ’
の断面構造は、図９に示したとおりであり、図１２
（ｋ）のＤ−Ｄ’の断面構造は、図１０に示したとおり
であり、図１２（ｋ）のＥ−Ｅ’の断面構造は、図１１
に示したとおりである。Thereafter, as described with reference to FIGS. 9 to 11, the upper gap film 60, the upper insulating film 55, and the upper shield film 70 are sequentially formed. Then, FIG.
Is cut along the line BB 'shown in FIG. 1 and the cut surface is polished to form a magnetic head. AA ′ of FIG.
Is as shown in FIG. 9 and FIG.
The cross-sectional structure taken along the line DD ′ in FIG. 12K is as shown in FIG. 10, and the cross-sectional structure taken along the line EE ′ in FIG.
As shown in FIG.
【０１００】以上説明したように、本実施形態によれ
ば、バイアス膜８５を電極膜８０よりも小さくするとと
もに、電極膜８０と下部ギャップ膜３０の間に絶縁膜５
０を備えるようにしているため、電極膜８０と下部シー
ルド膜２０との間の絶縁耐圧を向上することができる。As described above, according to the present embodiment, the bias film 85 is made smaller than the electrode film 80 and the insulating film 5 is formed between the electrode film 80 and the lower gap film 30.
Since 0 is provided, the withstand voltage between the electrode film 80 and the lower shield film 20 can be improved.
【０１０１】また、バイアス膜８５の浮上面から離れた
側の端部を絶縁膜５０で覆うようにしているため、バイ
アス膜８５と上部シールド膜７０の間の絶縁耐圧を向上
することができる。Since the end of the bias film 85 on the side remote from the air bearing surface is covered with the insulating film 50, the withstand voltage between the bias film 85 and the upper shield film 70 can be improved.
【０１０２】さらに、絶縁膜５０を用いることにより、
浮上面側におけるＧＭＲ膜４０と上部シールド膜７０の
距離を、浮上面側から離れた位置におけるＧＭＲ膜４０
と上部シールド膜７０の距離よりも小さくしているの
で、絶縁耐圧を向上させ、信頼性を向上することができ
る。Further, by using the insulating film 50,
The distance between the GMR film 40 and the upper shield film 70 on the air bearing surface side is changed to the GMR film 40 at a position away from the air bearing surface side.
Since the distance is smaller than the distance between the upper shield film 70 and the upper shield film 70, the withstand voltage can be improved and the reliability can be improved.
【０１０３】また、ＧＭＲ膜４０の端部であって、浮上
面側から離れた側の端部を絶縁膜５０で覆うようにして
いるため、レジストの除去の際にも、ＧＭＲ膜４０中の
コバルト（Ｃｏ）や銅（Ｃｕ）が腐食されることがなく
なるものである。Further, the end of the GMR film 40, which is on the side remote from the air bearing surface, is covered with the insulating film 50. Therefore, even when the resist is removed, the end of the GMR film 40 is removed. This prevents corrosion of cobalt (Co) and copper (Cu).
【０１０４】なお、以上の説明では、磁気抵抗効果膜と
して、ＧＭＲ膜４０を用いるものとして説明したが、Ｇ
ＭＲ膜に代えて、ＭＲ膜を用いても同様に構成すること
ができる。ＭＲ膜を用いる場合には、下部ギャップ膜３
０の上に、ＮｉＦｅを含む合金、タンタル（Ｔａ）、パ
ーマロイ（ＮｉＦｅ合金）、タンタル（Ｔａ）が順次積
層されて厚さが５０ｎｍのＭＲ膜が、スパッタリング若
しくはＣＶＤにより形成される。In the above description, the GMR film 40 is used as the magnetoresistance effect film.
The same configuration can be obtained by using an MR film instead of the MR film. When an MR film is used, the lower gap film 3
An alloy film containing NiFe, tantalum (Ta), permalloy (NiFe alloy), and tantalum (Ta) are sequentially laminated on 0, and an MR film having a thickness of 50 nm is formed by sputtering or CVD.
【０１０５】ＭＲ膜を用いる場合にも、ＭＲ膜の浮上面
側から離れた端部には、絶縁膜が形成されるため、絶縁
耐圧を向上させ、信頼性を向上することができる。Even when an MR film is used, an insulating film is formed at an end of the MR film remote from the air bearing surface, so that the withstand voltage can be improved and the reliability can be improved.
【０１０６】次に、図１３〜図１６を用いて、本発明の
第４の実施形態のよる薄膜磁気ヘッドについて説明す
る。Next, a thin-film magnetic head according to a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
【０１０７】なお、図１３は、第３の実施形態における
図９に対応する図であり、図９と同一符号は、同一部分
を示しており、図１４は、図１０に対応する図であり、
図１０と同一符号は、同一部分を示しており、図１５
は、図１１に対応する図であり、図１１と同一符号は、
同一部分を示している。FIG. 13 is a diagram corresponding to FIG. 9 in the third embodiment. The same reference numerals as in FIG. 9 indicate the same parts, and FIG. 14 is a diagram corresponding to FIG. ,
10 denote the same parts, and FIG.
Is a diagram corresponding to FIG. 11, and the same reference numerals as in FIG.
The same parts are shown.
【０１０８】図１３〜図１５に示すように、厚さ２ｍｍ
のアルミニウム（Ａｌ）とチタン（Ｔｉ）と炭素（Ｃ）
の合金（アルチック）からなる基板１０の上には、下部
シールド膜２０が形成される。下部シールド膜２０は、
厚さ２μｍであり、スパッタリング若しくはメッキによ
り形成される。下部シールド膜２０は、コバルト（Ｃ
ｏ）と、ニオブ（Ｎｂ）と、ジルコニウム（Ｚｒ）の合
金から構成される。下部シールド膜２０としては、他
に、鉄（Ｆｅ），アルミニウム（Ａｌ），シリコン（Ｓ
ｉ）の合金（センダスト）や、パーマロイ（Ｎｉ−Ｆ
ｅ）を用いることもできる。As shown in FIG. 13 to FIG.
Aluminum (Al), titanium (Ti) and carbon (C)
The lower shield film 20 is formed on the substrate 10 made of the alloy (Altic). The lower shield film 20
It has a thickness of 2 μm and is formed by sputtering or plating. The lower shield film 20 is made of cobalt (C
o), niobium (Nb), and zirconium (Zr). The lower shield film 20 may be made of iron (Fe), aluminum (Al), silicon (S
i) alloy (Sendust) or permalloy (Ni-F)
e) can also be used.
【０１０９】下部シールド膜２０の上には、下部ギャッ
プ膜３０が形成される。下部ギャップ膜３０は、スパッ
タリング若しくはＣＶＤにより形成され、その厚さは、
７０〜８０ｎｍである。下部ギャップ膜３０は、アルミ
ナ（Ａｌ2Ｏ3）と二酸化シリコン（ＳｉＯ2）からなる
絶縁膜である。下部ギャップ膜３０としては、ＡｌＮ，
ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）のような熱伝導
率の良い絶縁材料を用いることもできる。A lower gap film 30 is formed on the lower shield film 20. The lower gap film 30 is formed by sputtering or CVD, and has a thickness of
70-80 nm. The lower gap film 30 is an insulating film made of alumina (Al2O3) and silicon dioxide (SiO2). As the lower gap film 30, AlN,
An insulating material having good thermal conductivity such as diamond-like carbon (DLC) can also be used.
【０１１０】さらに、図１３に示すように、下部ギャッ
プ膜３０の上には、ＧＭＲ膜４０が形成される。ＧＭＲ
膜４０は、スパッタリング若しくはＣＶＤにより形成さ
れ、その厚さは、５０ｎｍである。ＧＭＲ膜４０は、タ
ンタル（Ｔａ）、パーマロイ（ＮｉＦｅ合金）、コバル
ト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、コバルト（Ｃｏ）、クロム
（Ｃｒ）・マンガン（Ｍｎ）・プラチナ（Ｐｔ）が順次
積層されて形成される。Further, as shown in FIG. 13, a GMR film 40 is formed on the lower gap film 30. GMR
The film 40 is formed by sputtering or CVD, and has a thickness of 50 nm. The GMR film 40 is formed by sequentially stacking tantalum (Ta), permalloy (NiFe alloy), cobalt (Co), copper (Cu), cobalt (Co), chromium (Cr), manganese (Mn), and platinum (Pt). It is formed.
【０１１１】次に、図１４及び図１５に示すように、Ｇ
ＭＲ膜４０の両端部にバイアス膜８５が形成される。バ
イアス膜８５は、スパッタリングにより形成され、その
厚さは、５０ｎｍである。バイアス膜８５は、Ｃｏ−Ｃ
ｒ−Ｐｔのような硬磁性材料を用いている。バイアス膜
８５としては、Ｆｅ−Ｍｎのような反強磁性材料を用い
ることもできる。バイアス膜８５は、ＧＭＲ膜４０にバ
イアス磁界を与える。Next, as shown in FIG. 14 and FIG.
Bias films 85 are formed at both ends of the MR film 40. The bias film 85 is formed by sputtering, and has a thickness of 50 nm. The bias film 85 is made of Co-C
A hard magnetic material such as r-Pt is used. As the bias film 85, an antiferromagnetic material such as Fe-Mn can be used. The bias film 85 applies a bias magnetic field to the GMR film 40.
【０１１２】さらに、図１４及び図１５に示すように、
バイアス膜８５の上に、第１の電極膜８０が形成され
る。第１の電極膜８０は、スパッタリング若しくはＣＶ
Ｄにより形成され、その厚さは、７０ｎｍである。第１
の電極膜８０は、エレクトロンマイグレーションの観点
からタンタル（Ｔａ），タングステン（Ｗ），モリブデ
ン（Ｍｏ）などの高融点金属を用いる。また、これらの
金属の合金を用いたり、これらの金属を順次積層しても
よいものである。また、金（Ａｕ），アルミニウム（Ａ
ｌ）のような抵抗率の低い材料を用いることもできる。Further, as shown in FIGS. 14 and 15,
On the bias film 85, a first electrode film 80 is formed. The first electrode film 80 is formed by sputtering or CV.
D, and its thickness is 70 nm. First
The electrode film 80 uses a high melting point metal such as tantalum (Ta), tungsten (W), molybdenum (Mo) from the viewpoint of electron migration. Further, an alloy of these metals may be used, or these metals may be sequentially laminated. Gold (Au), aluminum (A
A material having low resistivity such as l) can be used.
【０１１３】次に、図１３に示すように、ＧＭＲ膜４０
の端部であって、薄膜磁気ヘッドの浮上面から離れた側
の端部を覆うように、また、図１４及び図１５に示すよ
うに、バイアス膜８５及び第１の電極膜８０の端部であ
って、薄膜磁気ヘッドの浮上面から離れた側の端部を覆
うように、絶縁膜５０が形成される。絶縁膜５０は、ス
パッタリングにより形成され、その厚さは、５０〜１０
０ｎｍである。即ち、ＧＭＲ膜４０と同じ膜厚からＧＭ
Ｒ膜４０の２倍の膜厚の範囲としている。絶縁膜５０の
膜厚は、絶縁材料の絶縁性能や、段差端部でのつきまわ
りを考慮して決められるものであり、下部ギャップ膜３
０や上部ギャップ膜６０のように磁気抵抗効果型ヘッド
を設計する上で、膜厚を厳しく制限しなければならない
膜ではなく、絶縁性能を保てる膜厚があればよいもので
ある。Next, as shown in FIG.
Of the bias film 85 and the first electrode film 80 so as to cover the end of the thin film magnetic head on the side remote from the air bearing surface, and as shown in FIGS. The insulating film 50 is formed so as to cover the end of the thin film magnetic head on the side remote from the air bearing surface. The insulating film 50 is formed by sputtering, and has a thickness of 50 to 10
0 nm. That is, from the same thickness as the GMR film 40, the GM
The thickness is set to be twice the thickness of the R film 40. The thickness of the insulating film 50 is determined in consideration of the insulating performance of the insulating material and the throwing power at the step edge.
When designing a magnetoresistive head like the zero or upper gap film 60, it is not necessary that the film thickness be strictly limited, but it is sufficient that the film has a film thickness that can maintain insulation performance.
【０１１４】絶縁膜５０は、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）と二
酸化シリコン（ＳｉＯ2）から構成されている。絶縁膜
５０として、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）と二酸化シリコン
（ＳｉＯ2）を用いることにより、アルカリ液によりエ
ッチングする際にも、エッチングされることはないもの
である。また、ＧＭＲ膜４０の端部も絶縁膜５０により
覆われているため、エッチングされることはないもので
ある。なお、絶縁膜５０としては、窒化アルミニウム
（ＡｌＮ）や、窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）や、ダイヤモ
ンドライクカーボン（ＤＬＣ）のような熱伝導率の良い
絶縁材料を用いることもできる。The insulating film 50 is made of alumina (Al 2 O 3) and silicon dioxide (SiO 2). By using alumina (Al2O3) and silicon dioxide (SiO2) as the insulating film 50, it is not etched even when etching with an alkaline solution. Further, since the end of the GMR film 40 is also covered with the insulating film 50, it is not etched. The insulating film 50 may be made of an insulating material having good thermal conductivity such as aluminum nitride (AlN), silicon nitride (Si3N4), or diamond-like carbon (DLC).
【０１１５】次に、図１４に示すように、第１の電極膜
８０の上に、第２の電極膜９０が形成される。第２の電
極膜９０は、スパッタリング若しくはＣＶＤにより形成
され、その厚さは、２００ｎｍである。第２の電極膜８
０は、金（Ａｕ），アルミニウム（Ａｌ），銅（Ｃｕ）
のような抵抗率の低い材料を用いており、素子全体の抵
抗率を低くしている。Next, as shown in FIG. 14, a second electrode film 90 is formed on the first electrode film 80. The second electrode film 90 is formed by sputtering or CVD, and has a thickness of 200 nm. Second electrode film 8
0 is gold (Au), aluminum (Al), copper (Cu)
A material having a low resistivity such as described above is used to reduce the resistivity of the entire device.
【０１１６】図１３〜図１５に示すように、ＧＭＲ膜４
０及び第２の電極膜９０の上に、上部ギャップ膜６０が
形成される。上部ギャップ膜６０は、スパッタリング若
しくはＣＶＤにより形成され、その厚さは、７０〜８０
ｎｍである。上部ギャップ膜６０は、アルミナ（Ａｌ2
Ｏ3）と二酸化シリコン（ＳｉＯ2）からなる絶縁膜であ
る。上部ギャップ膜８０としては、ＡｌＮ，ダイヤモン
ドライクカーボン（ＤＬＣ）のような熱伝導率の良い絶
縁材料を用いることもできる。As shown in FIGS. 13 to 15, the GMR film 4
An upper gap film 60 is formed on the zero and second electrode films 90. The upper gap film 60 is formed by sputtering or CVD, and has a thickness of 70 to 80.
nm. The upper gap film 60 is made of alumina (Al2
An insulating film made of O3) and silicon dioxide (SiO2). As the upper gap film 80, an insulating material having good thermal conductivity such as AlN or diamond-like carbon (DLC) can be used.
【０１１７】また、図１３〜図１５に示すように、上部
ギャップ膜６０の浮上面から離れた位置には、厚さ０．
５〜１μｍの上部絶縁膜５５がスパッタリングにより形
成される。上部絶縁膜５５を備えることにより、第２の
電極膜９０と上部シールド膜７０の間の距離を大きくし
て、絶縁耐圧を向上している。As shown in FIGS. 13 to 15, at a position apart from the air bearing surface of the upper gap film 60, the thickness of the upper gap film 60 is set to 0.1 mm.
An upper insulating film 55 of 5 to 1 μm is formed by sputtering. By providing the upper insulating film 55, the distance between the second electrode film 90 and the upper shield film 70 is increased, and the withstand voltage is improved.
【０１１８】さらに、図１３〜図１５に示すように、上
部ギャップ膜６０及び上部絶縁膜５５の上に、厚さ２μ
ｍの上部シールド膜７０がスパッタリング若しくはメッ
キにより形成される。上部シールド膜７０は、パーマロ
イ（ＮｉＦｅ合金）から構成される。As shown in FIGS. 13 to 15, a 2 μm thick film is formed on the upper gap film 60 and the upper insulating film 55.
m upper shield film 70 is formed by sputtering or plating. The upper shield film 70 is made of permalloy (NiFe alloy).
【０１１９】次に、図１６を用いて、本実施形態による
薄膜磁気ヘッドの製造プロセスについて説明する。な
お、図１６において、左側の図（ａ），（ｃ），
（ｄ），（ｅ），（ｇ），（ｈ），（ｊ）は、磁気媒体
対向面に相当する位置から見た時のプロセス図であり、
右側の図（ｂ），（ｆ），（ｉ），（ｋ）は、左側のプ
ロセス図（ａ），（ｅ），（ｈ），（ｊ）を上から見た
図である。Next, the process for fabricating the thin-film magnetic head according to the present embodiment will be explained with reference to FIG. Note that, in FIG. 16, the left side diagrams (a), (c),
(D), (e), (g), (h), (j) are process diagrams when viewed from a position corresponding to the magnetic medium facing surface,
The right side diagrams (b), (f), (i), and (k) are top view diagrams of the left side process diagrams (a), (e), (h), and (j).
【０１２０】図１６（ａ）に示すように、図示しない基
板の上に、下部シールド膜２０を形成する。その上に下
部ギャップ膜３０を形成し、さらに、その上にＧＭＲ膜
４０を形成する。さらに、ハードバイアス構造の場合、
バイアス膜を形成するためにステンシル状のレジストパ
ターンＲＰ１を形成する。レジストパターンＲＰ１は、
図１６（ｂ）に示すように、バイアス膜を形成する領域
が、開口しているパターンである。As shown in FIG. 16A, a lower shield film 20 is formed on a substrate (not shown). A lower gap film 30 is formed thereon, and a GMR film 40 is further formed thereon. Furthermore, in the case of a hard bias structure,
A stencil-shaped resist pattern RP1 is formed to form a bias film. The resist pattern RP1 is
As shown in FIG. 16B, the region where the bias film is to be formed is an open pattern.
【０１２１】次に、図１６（ｃ）に示すように、レジス
トパターンＲＰ１をマスクとして、イオンミリングＩＭ
等により、バイアス膜を形成する領域のＧＭＲ膜４０を
取り除く。ＧＭＲ膜４０Ｂは、最終的に磁気ヘッドのセ
ンサとして用いる部分であり、ＧＭＲ膜４０Ａ，４０Ｃ
は、以降の工程で取り除かれる。Next, as shown in FIG. 16C, ion milling IM is performed using the resist pattern RP1 as a mask.
Thus, the GMR film 40 in the region where the bias film is to be formed is removed. The GMR film 40B is a portion that is finally used as a sensor of the magnetic head, and is used as a GMR film 40A, 40C.
Is removed in the subsequent steps.
【０１２２】次に、図１６（ｄ）に示すように、レジス
トパターンＲＰ１をマスクとして、バイアス膜８５をス
パッタリングにより形成し、次に、第１の電極膜８０を
形成する。バイアス膜８５Ａ，８５Ｂが、以降の工程で
最終的にバイアス膜として用いられ、また、電極膜８０
Ａ，８０Ｂが、以降の工程で最終的に第１の電極膜とし
て用いられる。第１の電極膜の形成後、レジスト剥離液
を用いて、レジストパターンＲＰ１と、このレジストパ
ターンＲＰ１の上面に形成されたバイアス膜８５及び第
１の電極膜８０を除去する。Next, as shown in FIG. 16D, a bias film 85 is formed by sputtering using the resist pattern RP1 as a mask, and then a first electrode film 80 is formed. The bias films 85A and 85B are finally used as bias films in the subsequent steps.
A and 80B are finally used as a first electrode film in the subsequent steps. After the formation of the first electrode film, the resist pattern RP1, the bias film 85 and the first electrode film 80 formed on the upper surface of the resist pattern RP1 are removed using a resist stripper.
【０１２３】次に、図１６（ｅ）及び（ｆ）に示すよう
に、ＧＭＲ膜４０Ｂを所定のセンサ形状に成形するため
に、ステンシル状のレジストパターンＲＰ３を形成す
る。レジストパターンＲＰ３は、図１６（ｆ）に示すよ
うに、残すべきＧＭＲ膜４０Ｂと第１の電極膜８０Ａ，
８０Ｂを覆う形状としている。Next, as shown in FIGS. 16E and 16F, a stencil-shaped resist pattern RP3 is formed in order to form the GMR film 40B into a predetermined sensor shape. As shown in FIG. 16F, the resist pattern RP3 includes a GMR film 40B to be left and a first electrode film 80A,
80B.
【０１２４】そして、図１６（ｇ）に示すように、レジ
ストパターンＲＰ３をマスクとして、イオンミリングＩ
Ｍ等を用いて、最終的な形状を有するＧＭＲ膜４０とバ
イアス膜８５と第１の電極膜８０の部分を残して、余分
な部分を除去する。Then, as shown in FIG. 16G, the ion milling I is performed using the resist pattern RP3 as a mask.
Using M or the like, the remaining portions of the GMR film 40, the bias film 85, and the first electrode film 80 having the final shape are removed, and an extra portion is removed.
【０１２５】その後、図１６（ｈ），（ｉ）に示すよう
に、このレジストパターンＲＰ３を再度用いて、絶縁膜
５０を形成する。絶縁膜５０は、ＧＭＲ膜４０及びバイ
アス膜８５及び第１の電極膜８０の外周，即ち、図１４
及び図１５において説明したように、ＧＭＲ膜４０及び
バイアス膜８５及び第１の電極膜８０の浮上面から離れ
た側の端部を覆うように形成される。従って、磁気抵抗
効果型ヘッドを形成するプロセス中の溶液によって腐食
され易いＣｕ，Ｃｏなどの材料が露出するＧＭＲ膜４０
の端部は、ＧＭＲ膜４０をイオンミリングによって成形
した後すぐに絶縁膜５０が形成されるため、プロセス中
の溶液に触れることがなく、従って、ＧＭＲ膜４０が腐
食することなしに磁気抵抗効果型ヘッドを作製すること
ができる。Thereafter, as shown in FIGS. 16H and 16I, an insulating film 50 is formed using this resist pattern RP3 again. The insulating film 50 is formed on the outer periphery of the GMR film 40, the bias film 85, and the first electrode film 80, that is, FIG.
As described with reference to FIG. 15, the GMR film 40, the bias film 85, and the first electrode film 80 are formed so as to cover the ends of the first electrode film 80 on the side away from the air bearing surface. Accordingly, the GMR film 40 exposing materials such as Cu and Co that are easily corroded by the solution during the process of forming the magnetoresistive head.
Since the insulating film 50 is formed immediately after the GMR film 40 is formed by ion milling, the end of the GMR film 40 does not come into contact with the solution during the process, and therefore, the magnetoresistive effect does not occur without the GMR film 40 being corroded. A mold head can be made.
【０１２６】絶縁膜５０の形成後、レジスト剥離液を用
いて、レジストパターンＲＰ３とレジストパターンＲＰ
３の上に形成された余分な絶縁膜５０Ａを除去すること
により、図１６（ｉ）に示すように、ＧＭＲ膜４０の両
側にバイアス膜８５を覆う第１の電極膜８０が形成さ
れ、それらの周囲の表面が絶縁膜５０に覆われた構成と
することができる。After the formation of the insulating film 50, the resist pattern RP3 and the resist pattern RP
By removing the surplus insulating film 50A formed on the gate electrode 3, the first electrode film 80 covering the bias film 85 is formed on both sides of the GMR film 40, as shown in FIG. Can be configured such that the surface around the surface is covered with the insulating film 50.
【０１２７】次に、図１６（ｊ），（ｋ）に示すよう
に、ＧＭＲ膜４０を端子と接続するための、第２の電極
膜９０が第１の電極膜８０の上に形成される。第２の電
極膜９０は、その一端において第１の電極膜８０と導通
しているが、その大部分は、絶縁膜５０の上に形成され
る。従って、第２の電極膜９０の大部分は、その下に、
絶縁膜５０と下部ギャップ膜３０が形成されており、下
部シールド膜２０との間の絶縁耐圧を向上することがで
きる。Next, as shown in FIGS. 16 (j) and 16 (k), a second electrode film 90 for connecting the GMR film 40 to a terminal is formed on the first electrode film 80. . The second electrode film 90 is electrically connected to the first electrode film 80 at one end, but is mostly formed on the insulating film 50. Therefore, most of the second electrode film 90 has
Since the insulating film 50 and the lower gap film 30 are formed, the withstand voltage between the insulating film 50 and the lower shield film 20 can be improved.
【０１２８】その後、図１３〜図１５において説明した
ように、上部ギャップ膜６０，上部絶縁膜５５及び上部
シールド膜７０が順次形成される。そして、図１６
（ｋ）に示すＢ−Ｂ’に沿って切断され、その切断面を
研磨して、磁気ヘッドが形成される。図１６（ｋ）のＡ
−Ａ’の断面構造は、図１３に示したとおりであり、図
１６（ｋ）のＤ−Ｄ’の断面構造は、図１４に示したと
おりであり、図１６（ｋ）のＥ−Ｅ’の断面構造は、図
１５に示したとおりである。Thereafter, as described with reference to FIGS. 13 to 15, the upper gap film 60, the upper insulating film 55, and the upper shield film 70 are sequentially formed. And FIG.
The magnetic head is formed by cutting along the line BB 'shown in (k) and polishing the cut surface. A in FIG. 16 (k)
The cross-sectional structure of -A 'is as shown in FIG. 13, and the cross-sectional structure of DD' of FIG. 16 (k) is as shown in FIG. 14, and EE of FIG. 16 (k). The cross-sectional structure of 'is as shown in FIG.
【０１２９】以上説明したように、本実施形態によれ
ば、バイアス膜８５を第２の電極膜９０よりも小さくす
るとともに、第２の電極膜９０と下部ギャップ膜３０の
間に絶縁膜５０を備えるようにしているため、第２の電
極膜９０と下部シールド膜２０との間の絶縁耐圧を向上
することができる。As described above, according to the present embodiment, the bias film 85 is made smaller than the second electrode film 90, and the insulating film 50 is formed between the second electrode film 90 and the lower gap film 30. With this configuration, the withstand voltage between the second electrode film 90 and the lower shield film 20 can be improved.
【０１３０】また、バイアス膜８５の浮上面から離れた
側の端部及び第１の電極膜８０の浮上面から離れた側の
端部を絶縁膜５０で覆うようにしているため、バイアス
膜８５と上部シールド膜７０及び第１の電極８０と上部
シールド膜７０の間の絶縁耐圧を向上することができ
る。Further, the end of the bias film 85 on the side remote from the air bearing surface and the end of the first electrode film 80 on the side remote from the air bearing surface are covered with the insulating film 50. And the upper shield film 70 and the dielectric strength between the first electrode 80 and the upper shield film 70 can be improved.
【０１３１】さらに、絶縁膜５０を用いることにより、
浮上面側におけるＧＭＲ膜４０と上部シールド膜７０の
距離を、浮上面側から離れた位置におけるＧＭＲ膜４０
と上部シールド膜７０の距離よりも小さくしているの
で、絶縁耐圧を向上させ、信頼性を向上することができ
る。Further, by using the insulating film 50,
The distance between the GMR film 40 and the upper shield film 70 on the air bearing surface side is changed to the GMR film 40 at a position away from the air bearing surface side.
Since the distance is smaller than the distance between the upper shield film 70 and the upper shield film 70, the withstand voltage can be improved and the reliability can be improved.
【０１３２】また、ＧＭＲ膜４０の端部であって、浮上
面側から離れた側の端部を絶縁膜５０で覆うようにして
いるため、レジストの除去の際にも、ＧＭＲ膜４０中の
コバルト（Ｃｏ）や銅（Ｃｕ）が腐食されることがなく
なるものである。Since the end of the GMR film 40, which is on the side remote from the air bearing surface, is covered with the insulating film 50, even when the resist is removed, the end of the GMR film 40 is removed. This prevents corrosion of cobalt (Co) and copper (Cu).
【０１３３】なお、以上の説明では、磁気抵抗効果膜と
して、ＧＭＲ膜４０を用いるものとして説明したが、Ｇ
ＭＲ膜に代えて、ＭＲ膜を用いても同様に構成すること
ができる。ＭＲ膜を用いる場合には、下部ギャップ膜３
０の上に、ＮｉＦｅを含む合金、タンタル（Ｔａ）、パ
ーマロイ（ＮｉＦｅ合金）、タンタル（Ｔａ）が順次積
層されて厚さが５０ｎｍのＭＲ膜が、スパッタリング若
しくはＣＶＤにより形成される。In the above description, the GMR film 40 is used as the magnetoresistive effect film.
The same configuration can be obtained by using an MR film instead of the MR film. When an MR film is used, the lower gap film 3
An alloy film containing NiFe, tantalum (Ta), permalloy (NiFe alloy), and tantalum (Ta) are sequentially laminated on 0, and an MR film having a thickness of 50 nm is formed by sputtering or CVD.
【０１３４】ＭＲ膜を用いる場合にも、ＭＲ膜の浮上面
側から離れた端部には、絶縁膜が形成されるため、絶縁
耐圧を向上させ、信頼性を向上することができる。Even when an MR film is used, an insulating film is formed at an end of the MR film remote from the air bearing surface, so that the withstand voltage can be improved and the reliability can be improved.
【０１３５】次に、図１７を用いて、上述した各実施形
態による磁気ヘッドを用いた磁気記憶装置の構成につい
て説明する。Next, the configuration of the magnetic storage device using the magnetic head according to each of the above embodiments will be described with reference to FIG.
【０１３６】図１７に示す磁気記憶装置は、上述した各
実施形態による磁気抵抗効果型磁気ヘッド特性確認に用
いられるとともに、磁気記憶装置としての特性確認等も
用いられるものである。The magnetic storage device shown in FIG. 17 is used for checking the characteristics of the magneto-resistance effect type magnetic head according to the above-described embodiments, and also for checking the characteristics of the magnetic storage device.
【０１３７】磁気記憶装置２００の薄膜磁気記録媒体２
１０は、媒体ノイズの少なく、かつ、高保磁力の電磁変
換特性に優れた極めて高い面記録密度が記録可能なもの
である。薄膜磁気記録媒体２１０は、スピンドルモータ
２２０によって、記録方向に駆動される。The thin-film magnetic recording medium 2 of the magnetic storage device 200
Numeral 10 is a medium capable of recording an extremely high areal recording density with a low medium noise and an excellent electromagnetic conversion characteristic of a high coercive force. The thin-film magnetic recording medium 210 is driven in the recording direction by a spindle motor 220.
【０１３８】磁気抵抗効果型ヘッド２３０は、記録部
と、上述した各実施形態に示した磁気抵抗効果型の再生
部とを備えており、ガイドアーム２４０によって、磁気
記録媒体２１０に対して相対運動をされる。記録再生信
号処理回路２５０は、磁気抵抗効果型ヘッド２１０への
信号入力と磁気抵抗効果型ヘッド２１０からの出力信号
再生を行うものである。The magneto-resistive head 230 includes a recording unit and the magneto-resistive reproducing unit described in each of the above-described embodiments. Will be. The recording / reproducing signal processing circuit 250 performs signal input to the magnetoresistive head 210 and reproduction of an output signal from the magnetoresistive head 210.
【０１３９】以上のように構成されている磁気記憶装置
２００を用いて、磁気抵抗効果型ヘッド２３０の特性を
確認した。なお、磁気記憶装置２００としては、複数の
磁気記録媒体２１０を有し、ガイドアーム２４０に複数
の磁気抵抗効果型ヘッド２３０を有した構成としてもよ
りものである。The characteristics of the magnetoresistive head 230 were confirmed using the magnetic storage device 200 having the above-described configuration. Note that the magnetic storage device 200 has a configuration in which a plurality of magnetic recording media 210 are provided, and a plurality of magnetoresistive heads 230 are provided in a guide arm 240.
【０１４０】また、本発明による磁気記憶装置を構成す
る磁気抵抗効果型ヘッド２３０は、巨大磁気抵抗効果
（ＧＭＲ）を利用したスピンバルブ型ＭＲヘッドだけで
なく、異方性磁気抵抗効果（ＡＭＲ）を用いたＭＲヘッ
ドにも適用できるものである。The magnetoresistive head 230 constituting the magnetic memory device according to the present invention is not limited to a spin-valve MR head utilizing the giant magnetoresistance effect (GMR), but also to an anisotropic magnetoresistance effect (AMR). Can also be applied to MR heads using.
【０１４１】[0141]
【発明の効果】本発明によれば、薄膜磁気ヘッドにおけ
る磁気抵抗効果膜と上下シールド膜との間の絶縁耐圧を
向上させ、信頼性を向上できる。According to the present invention, the withstand voltage between the magnetoresistive film and the upper and lower shield films in the thin-film magnetic head can be improved, and the reliability can be improved.
【０１４２】また、薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗効果膜と
して、ＧＭＲ膜を用いる際に、レジスト剥離液や洗浄液
によってＧＭＲ膜端部がダメージを受けることを防止で
きる。Further, when the GMR film is used as the magnetoresistive film of the thin film magnetic head, it is possible to prevent the edge of the GMR film from being damaged by the resist stripping solution or the cleaning solution.
【図１】本発明の一実施形態による薄膜磁気ヘッドの部
分平面図である。FIG. 1 is a partial plan view of a thin-film magnetic head according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の一実施形態による薄膜磁気ヘッドの断
面構造を示す図であり、図１のＡ−Ａ’断面図である。FIG. 2 is a diagram showing a cross-sectional structure of the thin-film magnetic head according to one embodiment of the present invention, which is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 1;
【図３】本発明の一実施形態による薄膜磁気ヘッドの断
面構造を示す図であり、図１のＢ−Ｂ’断面図である。FIG. 3 is a diagram showing a cross-sectional structure of the thin-film magnetic head according to one embodiment of the present invention, which is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of FIG. 1;
【図４】本発明の一実施形態による薄膜磁気ヘッドの断
面構造を示す図であり、図１のＣ−Ｃ’断面図である。FIG. 4 is a diagram showing a cross-sectional structure of the thin-film magnetic head according to one embodiment of the present invention, which is a cross-sectional view taken along the line CC ′ of FIG. 1;
【図５】本発明の一実施形態による薄膜磁気ヘッドの断
面構造を示す図であり、図１のＣ−Ｃ’断面図である。FIG. 5 is a diagram showing a cross-sectional structure of the thin-film magnetic head according to one embodiment of the present invention, which is a cross-sectional view taken along the line CC ′ of FIG. 1;
【図６】本発明の一実施形態による薄膜磁気ヘッドの製
造プロセスを示す工程図である。FIG. 6 is a process chart showing a manufacturing process of the thin-film magnetic head according to one embodiment of the present invention.
【図７】本発明の第２の実施形態による薄膜磁気ヘッド
の断面構造を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a cross-sectional structure of a thin-film magnetic head according to a second embodiment of the present invention.
【図８】本発明の第３の実施形態による薄膜磁気ヘッド
の断面構造を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a cross-sectional structure of a thin-film magnetic head according to a third embodiment of the present invention.
【図９】図８のＡ−Ａ’断面図である。FIG. 9 is a sectional view taken along line A-A ′ of FIG. 8;
【図１０】図８のＤ−Ｄ’断面図である。FIG. 10 is a sectional view taken along line D-D 'of FIG.
【図１１】図８のＥ−Ｅ’断面図である。11 is a sectional view taken along line E-E 'of FIG.
【図１２】本発明の第３の実施形態による薄膜磁気ヘッ
ドの製造プロセスを示す工程図である。FIG. 12 is a process chart showing a manufacturing process of the thin-film magnetic head according to the third embodiment of the present invention.
【図１３】本発明の第４の実施形態による薄膜磁気ヘッ
ドの第１の切断面における断面構造を示す図である。FIG. 13 is a view showing a cross-sectional structure of a thin-film magnetic head according to a fourth embodiment of the present invention, taken along a first cut surface.
【図１４】本発明の第４の実施形態による薄膜磁気ヘッ
ドの第２の切断面における断面構造を示す図である。FIG. 14 is a diagram showing a cross-sectional structure of a thin-film magnetic head according to a fourth embodiment of the present invention at a second cut surface.
【図１５】本発明の第４の実施形態による薄膜磁気ヘッ
ドの第３の切断面における断面構造を示す図である。FIG. 15 is a diagram showing a cross-sectional structure of a thin-film magnetic head according to a fourth embodiment of the present invention, taken along a third section.
【図１６】本発明の第４の実施形態による薄膜磁気ヘッ
ドの製造プロセスを示す工程図である。FIG. 16 is a process chart showing a manufacturing process of the thin-film magnetic head according to the fourth embodiment of the present invention.
【図１７】本発明の各実施形態による磁気ヘッドを用い
た磁気記憶装置の構成を示す斜視図である。FIG. 17 is a perspective view showing a configuration of a magnetic storage device using a magnetic head according to each embodiment of the present invention.
１０…基板 ２０…下部シールド膜 ３０…下部ギャップ膜 ４０…ＧＭＲ膜 ５０，５０Ａ，５５…絶縁膜 ６０，６０Ａ…上部ギャップ膜 ７０…上部シールド膜 ８０，９０…電極膜 ８５…バイアス膜 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Substrate 20 ... Lower shield film 30 ... Lower gap film 40 ... GMR film 50, 50A, 55 ... Insulating film 60, 60A ... Upper gap film 70 ... Upper shield film 80, 90 ... Electrode film 85 ... Bias film
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 尾臺 城康 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内 (72)発明者 今中 律 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Joyasu Odai 2880 Kozu, Kozuhara-shi, Kanagawa Prefecture, Ltd.Storage Systems Division, Hitachi, Ltd. Hitachi Storage Systems Division
Claims (3)
上に下部ギャップ膜を介して形成された磁気抵抗効果膜
と、この磁気抵抗効果膜の上に上部ギャップ膜を介して
設けられた上部シールド膜とを有し、上記磁気抵抗効果
膜が浮上面に露出している薄膜磁気ヘッドにおいて、 上記浮上面部分における上記磁気抵抗効果膜と上記上部
シールド膜との距離を、上記浮上面部分から離れた側に
おける上記磁気抵抗効果膜と上記上部シールド膜との距
離よりも小さくしたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。1. A lower shield film, a magnetoresistive effect film formed on the lower shield film via a lower gap film, and an upper portion provided on the magnetoresistive effect film via an upper gap film. A thin film magnetic head having a shield film and the magnetoresistive effect film being exposed on the air bearing surface, wherein a distance between the magnetoresistive effect film and the upper shield film in the air bearing surface portion is set at a distance from the air bearing surface portion. A thin-film magnetic head characterized in that the distance between the magnetoresistive film and the upper shield film on the distant side is made smaller.
上に下部ギャップ膜を介して形成された磁気抵抗効果膜
と、この磁気抵抗効果膜の上に上部ギャップ膜を介して
設けられた上部シールド膜とを有し、上記磁気抵抗効果
膜が浮上面に露出している薄膜磁気ヘッドにおいて、 上記磁気抵抗効果膜の両端に接続されたバイアス膜と、 このバイアス膜に接続された電極膜とを備え、 上記バイアス膜を上記電極膜よりも小さく形成するとと
もに、 上記電極膜と上記下部ギャップ膜の間に絶縁膜を形成
し、 この絶縁膜により、上記浮上面部分から離れた側の上記
磁気抵抗効果膜及び上記バイアス膜の端部を覆ったこと
を特徴とする薄膜磁気ヘッド。2. A lower shield film, a magnetoresistive film formed on the lower shield film via a lower gap film, and an upper film provided on the magnetoresistive film via an upper gap film. A thin film magnetic head having a shield film, wherein the magnetoresistive film is exposed on the air bearing surface; a bias film connected to both ends of the magnetoresistive film; an electrode film connected to the bias film; The bias film is formed smaller than the electrode film, and an insulating film is formed between the electrode film and the lower gap film. A thin-film magnetic head covering an end portion of the resistance effect film and the bias film.
上に下部ギャップ膜を介して形成された磁気抵抗効果膜
と、この磁気抵抗効果膜の上に上部ギャップ膜を介して
設けられた上部シールド膜とを有し、上記磁気抵抗効果
膜が浮上面に露出している薄膜磁気ヘッドにおいて、 上記磁気抵抗効果膜として、巨大磁気抵抗効果膜を用
い、 上記浮上面部分から離れた側における上記巨大磁気抵抗
効果膜の端部を覆うようにダメージ防止膜を形成したこ
とを特徴とする薄膜磁気ヘッド。3. A lower shield film, a magnetoresistive film formed on the lower shield film via a lower gap film, and an upper film provided on the magnetoresistive film via an upper gap film. A thin film magnetic head having a shield film and the magnetoresistive film exposed on the air bearing surface, wherein a giant magnetoresistive film is used as the magnetoresistive effect film, and A thin-film magnetic head, wherein a damage prevention film is formed so as to cover an end of the giant magnetoresistive film.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2555598A JPH11191206A (en) | 1997-10-22 | 1998-02-06 | Thin film magnetic head |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28988997 | 1997-10-22 | ||
| JP9-289889 | 1997-10-22 | ||
| JP2555598A JPH11191206A (en) | 1997-10-22 | 1998-02-06 | Thin film magnetic head |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11191206A true JPH11191206A (en) | 1999-07-13 |
Family
ID=26363183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2555598A Pending JPH11191206A (en) | 1997-10-22 | 1998-02-06 | Thin film magnetic head |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11191206A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6879462B2 (en) | 2001-02-14 | 2005-04-12 | Alps Electric Co., Ltd. | Magnetic head capable of being increased in shape freedom of support and magnetic head device using the magnetic head |
| US7134183B2 (en) | 2002-12-19 | 2006-11-14 | Tdk Corporation | Method of making a thin-film magnetic head |
| JP2007179657A (en) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | Magnetic head and its manufacturing method |
| JP2007234093A (en) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | Magnetic head slider |
-
1998
- 1998-02-06 JP JP2555598A patent/JPH11191206A/en active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6879462B2 (en) | 2001-02-14 | 2005-04-12 | Alps Electric Co., Ltd. | Magnetic head capable of being increased in shape freedom of support and magnetic head device using the magnetic head |
| US7134183B2 (en) | 2002-12-19 | 2006-11-14 | Tdk Corporation | Method of making a thin-film magnetic head |
| US7352539B2 (en) | 2002-12-19 | 2008-04-01 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head having a covered insulating layer |
| JP2007179657A (en) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | Magnetic head and its manufacturing method |
| JP2007234093A (en) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | Magnetic head slider |
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