JPH11186623A - 磁気センサ - Google Patents
磁気センサInfo
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- JPH11186623A JPH11186623A JP9357425A JP35742597A JPH11186623A JP H11186623 A JPH11186623 A JP H11186623A JP 9357425 A JP9357425 A JP 9357425A JP 35742597 A JP35742597 A JP 35742597A JP H11186623 A JPH11186623 A JP H11186623A
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- magnetic
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- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
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- G01R33/035—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using superconductive devices
- G01R33/0354—SQUIDS
- G01R33/0358—SQUIDS coupling the flux to the SQUID
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10N60/0941—Manufacture or treatment of Josephson-effect devices comprising high-Tc ceramic materials
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高性能及び低コストの磁気センサを提供す
る。 【解決手段】 本磁気センサは、サファイア基板２ｓ上
に形成された超電導薄膜２ｆを有する磁束トランス２
と、磁束トランス２上に対向配置されたＳＱＵＩＤ１と
を備える。本磁気センサによれば、大型のものを得るこ
とができるサファイア基板２ｓを磁束トランス２に用い
るので、ＳＱＵＩＤ１を小型化しても磁束トランス２か
らＳＱＵＩＤ１に導入される磁束を増加させて有効磁束
捕獲面積を増加させることができ、検出性能を向上させ
るとともに、ＳＱＵＩＤ１の小型化によって製造コスト
を低減させることができる。
る。 【解決手段】 本磁気センサは、サファイア基板２ｓ上
に形成された超電導薄膜２ｆを有する磁束トランス２
と、磁束トランス２上に対向配置されたＳＱＵＩＤ１と
を備える。本磁気センサによれば、大型のものを得るこ
とができるサファイア基板２ｓを磁束トランス２に用い
るので、ＳＱＵＩＤ１を小型化しても磁束トランス２か
らＳＱＵＩＤ１に導入される磁束を増加させて有効磁束
捕獲面積を増加させることができ、検出性能を向上させ
るとともに、ＳＱＵＩＤ１の小型化によって製造コスト
を低減させることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、超電導体を利用し
た磁気センサに関する。
た磁気センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のＳＱＵＩＤ（超電導量子干渉デバ
イス）を用いた磁気センサは、例えば、「Jpn.J.Appl.P
hys. vol.32 p.662-664 (1993)」に記載されている。Ｓ
ＱＵＩＤの磁場分解能を向上させるためには、ＳＱＵＩ
Ｄが有効に磁束を捕獲する面積（有効磁束捕獲面積）を
増加させる必要がある。このため、同文献ではＳＱＵＩ
Ｄの寸法を大きくすることによって有効磁束捕獲面積を
増加させている。
イス）を用いた磁気センサは、例えば、「Jpn.J.Appl.P
hys. vol.32 p.662-664 (1993)」に記載されている。Ｓ
ＱＵＩＤの磁場分解能を向上させるためには、ＳＱＵＩ
Ｄが有効に磁束を捕獲する面積（有効磁束捕獲面積）を
増加させる必要がある。このため、同文献ではＳＱＵＩ
Ｄの寸法を大きくすることによって有効磁束捕獲面積を
増加させている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＳＱＵ
ＩＤの寸法を増加させると、単一ウエハ基板から製造で
きるＳＱＵＩＤの数が減少する。すなわち、２０ｍｍ角
の基板上には５ｍｍ角のＳＱＵＩＤを９個製造すること
ができるが、１７ｍｍ角のＳＱＵＩＤであれば１つしか
製造することができず、製造コストが９倍に増加する。
そこで、「Appl.Phys. Lett. vol.63 p.3630-3632 (199
3)」では、ＳＱＵＩＤに検出磁束を導入するための単層
磁束トランスを対向させることにより有効磁束捕獲面積
を増加させている。同文献ではＹＢＣＯ超電導薄膜をＹ
ＳＺ基板上に形成することにより磁束トランスを形成し
ている。しかしながら、ＹＳＺ基板は高価なため、磁束
トランスを大型化して有効磁束捕獲面積を増加し、高性
能及び低コストの磁気センサを実現することはできなか
った。本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであ
り、高性能及び低コストの磁気センサを提供することを
目的とする。
ＩＤの寸法を増加させると、単一ウエハ基板から製造で
きるＳＱＵＩＤの数が減少する。すなわち、２０ｍｍ角
の基板上には５ｍｍ角のＳＱＵＩＤを９個製造すること
ができるが、１７ｍｍ角のＳＱＵＩＤであれば１つしか
製造することができず、製造コストが９倍に増加する。
そこで、「Appl.Phys. Lett. vol.63 p.3630-3632 (199
3)」では、ＳＱＵＩＤに検出磁束を導入するための単層
磁束トランスを対向させることにより有効磁束捕獲面積
を増加させている。同文献ではＹＢＣＯ超電導薄膜をＹ
ＳＺ基板上に形成することにより磁束トランスを形成し
ている。しかしながら、ＹＳＺ基板は高価なため、磁束
トランスを大型化して有効磁束捕獲面積を増加し、高性
能及び低コストの磁気センサを実現することはできなか
った。本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであ
り、高性能及び低コストの磁気センサを提供することを
目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係る磁気センサは、サファイア基板上に形
成された超電導薄膜を有する磁束トランスと、磁束トラ
ンス上に対向配置されたＳＱＵＩＤとを備える。本磁気
センサによれば、大型で安価なものを得ることができる
サファイア基板を磁束トランスに用いるので、ＳＱＵＩ
Ｄを小型化しても磁束トランスからＳＱＵＩＤに導入さ
れる磁束を増加させて有効磁束捕獲面積を増加させるこ
とができ、検出性能を向上させるとともに、ＳＱＵＩＤ
の小型化によって製造コストを低減させることができ
る。なお、超電導薄膜は製造コストの観点からは単層で
あることが望ましい。
め、本発明に係る磁気センサは、サファイア基板上に形
成された超電導薄膜を有する磁束トランスと、磁束トラ
ンス上に対向配置されたＳＱＵＩＤとを備える。本磁気
センサによれば、大型で安価なものを得ることができる
サファイア基板を磁束トランスに用いるので、ＳＱＵＩ
Ｄを小型化しても磁束トランスからＳＱＵＩＤに導入さ
れる磁束を増加させて有効磁束捕獲面積を増加させるこ
とができ、検出性能を向上させるとともに、ＳＱＵＩＤ
の小型化によって製造コストを低減させることができ
る。なお、超電導薄膜は製造コストの観点からは単層で
あることが望ましい。
【０００５】また、本願発明者らがサファイア基板上に
形成可能な超電導材料を鋭意検討した結果、サファイア
基板上に超電導薄膜としてＨｏ系酸化物超電導体が形成
できることを見出した。特に、超電導薄膜がＨｏＢａＣ
ｕＯ薄膜からなり、これを酸化セリウム層を介してサフ
ァイア基板上に形成すると、その結晶状態及び特性は良
好なものとなる。上記のように磁束トランスをサファイ
ア基板上に形成すると、ＳＱＵＩＤを小型化することが
できる。すなわち、ＳＱＵＩＤは超電導材料からなる環
状部位を有するワッシャ形状のものであることが好まし
く、ＳＱＵＩＤの環状部位は外径が５ｍｍ以下であるこ
とが好ましい。この環状部位は磁気トランスからの磁束
をその開口で検出することができる。なお、ＳＱＵＩＤ
の環状部位の外径とは、ＳＱＵＩＤの超電導閉ループを
構成する部分、すなわち環状部位の面積の平方根で規定
するものとする。
形成可能な超電導材料を鋭意検討した結果、サファイア
基板上に超電導薄膜としてＨｏ系酸化物超電導体が形成
できることを見出した。特に、超電導薄膜がＨｏＢａＣ
ｕＯ薄膜からなり、これを酸化セリウム層を介してサフ
ァイア基板上に形成すると、その結晶状態及び特性は良
好なものとなる。上記のように磁束トランスをサファイ
ア基板上に形成すると、ＳＱＵＩＤを小型化することが
できる。すなわち、ＳＱＵＩＤは超電導材料からなる環
状部位を有するワッシャ形状のものであることが好まし
く、ＳＱＵＩＤの環状部位は外径が５ｍｍ以下であるこ
とが好ましい。この環状部位は磁気トランスからの磁束
をその開口で検出することができる。なお、ＳＱＵＩＤ
の環状部位の外径とは、ＳＱＵＩＤの超電導閉ループを
構成する部分、すなわち環状部位の面積の平方根で規定
するものとする。
【０００６】また、環状部位の所定部分は、その下を横
断する段差を覆うことによりジョセフソン接合を形成し
ていることが望ましい。本発明のジョセフソン接合は、
超電導材料が段差を覆うことによって段差部に形成され
る弱結合を利用して形成されている。環状部位中にこの
ような段差型ジョセフソン接合を含むと、超電導の巨視
的量子効果に起因する量子力学的干渉効果が生じ、検出
磁界感度を増加させることができる。
断する段差を覆うことによりジョセフソン接合を形成し
ていることが望ましい。本発明のジョセフソン接合は、
超電導材料が段差を覆うことによって段差部に形成され
る弱結合を利用して形成されている。環状部位中にこの
ような段差型ジョセフソン接合を含むと、超電導の巨視
的量子効果に起因する量子力学的干渉効果が生じ、検出
磁界感度を増加させることができる。
【０００７】また、本発明の磁気センサにおいては、環
状部位の所定部分はジョセフソン接合を形成しており、
環状部位は環状部位の外縁所定地点と内縁所定地点との
間の位置に向かって外縁の上記外縁所定地点とは異なる
地点から切り込まれたスリットを有し、ジョセフソン接
合はスリットを規定する稜線の上記内縁所定地点側と環
状部位の内縁との間を横断しており、磁束トランスの超
電導薄膜は被検出体の磁束を取り込むピックアップコイ
ル及びピックアップコイルに結合したインプットコイル
を有し、インプットコイルはＳＱＵＩＤの環状部位に対
向配置されると共にスリットの全領域を覆っていること
が好ましい。
状部位の所定部分はジョセフソン接合を形成しており、
環状部位は環状部位の外縁所定地点と内縁所定地点との
間の位置に向かって外縁の上記外縁所定地点とは異なる
地点から切り込まれたスリットを有し、ジョセフソン接
合はスリットを規定する稜線の上記内縁所定地点側と環
状部位の内縁との間を横断しており、磁束トランスの超
電導薄膜は被検出体の磁束を取り込むピックアップコイ
ル及びピックアップコイルに結合したインプットコイル
を有し、インプットコイルはＳＱＵＩＤの環状部位に対
向配置されると共にスリットの全領域を覆っていること
が好ましい。
【０００８】ジョセフソン接合による弱結合は、段差を
用いて超電導薄膜内に粒界を形成することによって形成
されるが、その弱結合を更に良好に形成するためには、
上記の如くスリットを形成し、ジョセフソン接合の幅を
狭めることが好ましい。磁気トランスのインプットコイ
ルはピックアップコイルに結合しているので、ピックア
ップコイルで検出された磁束はインプットコイル内に濃
縮され、インプットコイルに対向配置されたＳＱＵＩＤ
環状部位に導入される。スリットは基端側が開放してい
るため、インプットコイルからＳＱＵＩＤ環状部位の開
口内に導入されるはずの磁場の一部がスリットから漏れ
てしまう。そこで、本発明では上記のように、インプッ
トコイルがＳＱＵＩＤの環状部位に対向配置されると共
にスリットの全領域を覆うことにより、上記漏れ現象を
抑制して検出感度を向上させる構成とした。
用いて超電導薄膜内に粒界を形成することによって形成
されるが、その弱結合を更に良好に形成するためには、
上記の如くスリットを形成し、ジョセフソン接合の幅を
狭めることが好ましい。磁気トランスのインプットコイ
ルはピックアップコイルに結合しているので、ピックア
ップコイルで検出された磁束はインプットコイル内に濃
縮され、インプットコイルに対向配置されたＳＱＵＩＤ
環状部位に導入される。スリットは基端側が開放してい
るため、インプットコイルからＳＱＵＩＤ環状部位の開
口内に導入されるはずの磁場の一部がスリットから漏れ
てしまう。そこで、本発明では上記のように、インプッ
トコイルがＳＱＵＩＤの環状部位に対向配置されると共
にスリットの全領域を覆うことにより、上記漏れ現象を
抑制して検出感度を向上させる構成とした。
【０００９】さらに、インプットコイルの内径が環状部
位の外径よりも大きい場合には、上記スリットの場合と
同様に磁束の一部が外部に漏洩する場合がある。そこ
で、本発明においては、磁束トランスの超電導薄膜が被
検出体の磁束を取り込むピックアップコイル及びピック
アップコイルに結合したインプットコイルを有し、イン
プットコイルがＳＱＵＩＤの環状部位に対向配置される
と共にインプットコイルの内径が環状部位の外径よりも
小さいこととし、漏洩を抑制してより多くの磁場がＳＱ
ＵＩＤに導入される構成とした。なお、インプットコイ
ルの内径とは、その開口部の面積の平方根で規定するも
のとする。
位の外径よりも大きい場合には、上記スリットの場合と
同様に磁束の一部が外部に漏洩する場合がある。そこ
で、本発明においては、磁束トランスの超電導薄膜が被
検出体の磁束を取り込むピックアップコイル及びピック
アップコイルに結合したインプットコイルを有し、イン
プットコイルがＳＱＵＩＤの環状部位に対向配置される
と共にインプットコイルの内径が環状部位の外径よりも
小さいこととし、漏洩を抑制してより多くの磁場がＳＱ
ＵＩＤに導入される構成とした。なお、インプットコイ
ルの内径とは、その開口部の面積の平方根で規定するも
のとする。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、実施の形態に係る磁気セン
サについて説明する。同一要素又は同一機能を有する要
素には同一符号を用いるものとし、重複する説明は省略
する。
サについて説明する。同一要素又は同一機能を有する要
素には同一符号を用いるものとし、重複する説明は省略
する。
【００１１】（第１実施形態）図１は、実施の形態に係
る磁気センサを示す斜視図である。本磁気センサは、サ
ファイア基板２ｓ上に形成された超電導薄膜２ｆを有す
る磁束トランス２と、磁束トランス２上に対向配置され
たＳＱＵＩＤ１とを備えている。磁束トランス２の超電
導薄膜２ｆは、被検出体の磁束を取り込むピックアップ
コイル２ｆｐ及びピックアップコイル２ｆｐに電磁気的
に結合したインプットコイル２ｆｉを有し、インプット
コイル２ｆｉはＳＱＵＩＤ１の環状部位１ｃに対向配置
されている。なお、環状部位１ｃはワッシャ形状のワッ
シャ部を構成している。
る磁気センサを示す斜視図である。本磁気センサは、サ
ファイア基板２ｓ上に形成された超電導薄膜２ｆを有す
る磁束トランス２と、磁束トランス２上に対向配置され
たＳＱＵＩＤ１とを備えている。磁束トランス２の超電
導薄膜２ｆは、被検出体の磁束を取り込むピックアップ
コイル２ｆｐ及びピックアップコイル２ｆｐに電磁気的
に結合したインプットコイル２ｆｉを有し、インプット
コイル２ｆｉはＳＱＵＩＤ１の環状部位１ｃに対向配置
されている。なお、環状部位１ｃはワッシャ形状のワッ
シャ部を構成している。
【００１２】磁気トランス２のインプットコイル２ｆｉ
はピックアップコイル２ｆｐに結合しているので、ピッ
クアップコイル２ｆｐで検出された磁束はインプットコ
イル２ｆｉ内に濃縮され、インプットコイル２ｆｉに対
向配置されたＳＱＵＩＤ環状部位１ｃの開口内に導入さ
れる。環状部位１ｃは、磁気トランス２からの磁束をそ
の開口で検出することができる。
はピックアップコイル２ｆｐに結合しているので、ピッ
クアップコイル２ｆｐで検出された磁束はインプットコ
イル２ｆｉ内に濃縮され、インプットコイル２ｆｉに対
向配置されたＳＱＵＩＤ環状部位１ｃの開口内に導入さ
れる。環状部位１ｃは、磁気トランス２からの磁束をそ
の開口で検出することができる。
【００１３】ＳＱＵＩＤ１は、ＳｒＴｉＯ3からなる基
板１ｓと、基板１ｓ上に形成されたＨｏ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ
7-X超電導薄膜１ｆ（ｘは任意実数）とから構成されて
いる。ＳＱＵＩＤ環状部位１ｃはＨｏＢａＣｕＯ超電導
薄膜１ｆの一部分であり、したがって、超電導材料から
なる。また、環状部位１ｃの開口中心はインプットコイ
ル２ｆｉの中心に略一致している。環状部位１ｃは超電
導閉ループを構成し、環状部位１ｃの所定部分Ｊは、そ
の下を横断する基板１ｓの段差を覆うことによりジョセ
フソン接合を形成している。換言すれば、本ジョセフソ
ン接合は、超電導材料が段差を覆うことによって段差部
に形成される弱結合を利用して形成されている。この段
差型ジョセフソン接合は、２０ｍｍ角の基板１ｓの表面
に１５０ｎｍの段差を形成し、段差を覆うように膜厚２
００ｎｍの超電導薄膜１ｆを堆積して形成する。なお、
この形成においてはレーザ蒸着法を用いる。
板１ｓと、基板１ｓ上に形成されたＨｏ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ
7-X超電導薄膜１ｆ（ｘは任意実数）とから構成されて
いる。ＳＱＵＩＤ環状部位１ｃはＨｏＢａＣｕＯ超電導
薄膜１ｆの一部分であり、したがって、超電導材料から
なる。また、環状部位１ｃの開口中心はインプットコイ
ル２ｆｉの中心に略一致している。環状部位１ｃは超電
導閉ループを構成し、環状部位１ｃの所定部分Ｊは、そ
の下を横断する基板１ｓの段差を覆うことによりジョセ
フソン接合を形成している。換言すれば、本ジョセフソ
ン接合は、超電導材料が段差を覆うことによって段差部
に形成される弱結合を利用して形成されている。この段
差型ジョセフソン接合は、２０ｍｍ角の基板１ｓの表面
に１５０ｎｍの段差を形成し、段差を覆うように膜厚２
００ｎｍの超電導薄膜１ｆを堆積して形成する。なお、
この形成においてはレーザ蒸着法を用いる。
【００１４】環状部位１ｃから構成される超電導閉ルー
プ中に上記段差型ジョセフソン接合が含まれていると、
超電導の巨視的量子効果に起因する量子力学的干渉効果
が生じ、インプットコイル２ｆｉから導入される磁束を
効率的に検出することができる。本例では超電導閉ルー
プ中に２箇所のジョセフソン素子Ｊを含むため、環状部
位１ｃの開口内にインプットコイル２ｆｉから外部磁束
が導入されると、ループの両端に接続された端子１ｔか
ら取り出される電圧値が変化し、高精度に外部磁束を検
出することができる。すなわち、本実施の形態に係る磁
気センサにおいては、磁束トランス２の大型のピックア
ップコイル２ｆｐで検出した磁束を小型のインプットコ
イル２ｆｉ内に濃縮し、外部磁束としてＳＱＵＩＤ１の
環状部位１ｃ内に導入し、ＳＱＵＩＤ１の出力電圧を観
測することにより磁気検出を行う。なお、ジョセフソン
素子Ｊは１個であっても検出を行うことはできる。
プ中に上記段差型ジョセフソン接合が含まれていると、
超電導の巨視的量子効果に起因する量子力学的干渉効果
が生じ、インプットコイル２ｆｉから導入される磁束を
効率的に検出することができる。本例では超電導閉ルー
プ中に２箇所のジョセフソン素子Ｊを含むため、環状部
位１ｃの開口内にインプットコイル２ｆｉから外部磁束
が導入されると、ループの両端に接続された端子１ｔか
ら取り出される電圧値が変化し、高精度に外部磁束を検
出することができる。すなわち、本実施の形態に係る磁
気センサにおいては、磁束トランス２の大型のピックア
ップコイル２ｆｐで検出した磁束を小型のインプットコ
イル２ｆｉ内に濃縮し、外部磁束としてＳＱＵＩＤ１の
環状部位１ｃ内に導入し、ＳＱＵＩＤ１の出力電圧を観
測することにより磁気検出を行う。なお、ジョセフソン
素子Ｊは１個であっても検出を行うことはできる。
【００１５】図２は、対向配置されたＳＱＵＩＤ環状部
位１ｃ及びインプットコイル２ｆｉ部分の拡大図であ
る。上述のように環状部位１ｃの所定部分はジョセフソ
ン接合Ｊを形成している。環状部位１ｃは環状部位１c
の外縁所定地点Ｘと内縁所定地点Ｙとの間の位置に向か
って外縁の上記外縁所定地点Ｘとは異なる地点Ｚから切
り込まれたスリットＳを有している。なお、スリットＳ
は、その先端が環状部位１ｃの開口を幅方向を挟む地点
に位置するように２つ切り込まれ、それぞれのスリット
Ｓに対応してジョセフソン接合Ｊが設けられている。
位１ｃ及びインプットコイル２ｆｉ部分の拡大図であ
る。上述のように環状部位１ｃの所定部分はジョセフソ
ン接合Ｊを形成している。環状部位１ｃは環状部位１c
の外縁所定地点Ｘと内縁所定地点Ｙとの間の位置に向か
って外縁の上記外縁所定地点Ｘとは異なる地点Ｚから切
り込まれたスリットＳを有している。なお、スリットＳ
は、その先端が環状部位１ｃの開口を幅方向を挟む地点
に位置するように２つ切り込まれ、それぞれのスリット
Ｓに対応してジョセフソン接合Ｊが設けられている。
【００１６】個々のジョセフソン接合Ｊは個々のスリッ
トＳを規定する稜線の上記内縁所定地点Ｙ側と環状部位
１ｃの内縁との間を横断している。段差型ジョセフソン
接合Ｊによる弱結合は、段差を用いて超電導薄膜内で粒
界を形成することによって形成されているが、上記の如
くスリットＳを形成して環状部位１ｃのループ通路幅を
狭めることにより、その結合が更に良好に形成されてい
る。なお、ジョセフソン接合の幅は３μｍ、スリットＳ
の幅は１０μｍ、環状部位１ｃの矩形状開口の幅は６μ
ｍ、長さは１００μｍ、環状部位１ｃの外径寸法は２ｍ
ｍ角である。また、ピックアップコイル２ｆｐの外径寸
法は１７ｍｍ角、内径寸法は１１ｍｍ角であり、コイル
幅は３ｍｍである。さらに、インプットコイル２ｆｉの
外径寸法は３．５ｍｍ角、内径寸法は１．５ｍｍ角であ
り、コイル幅は１ｍｍである。なお、ＳＱＵＩＤ１の環
状部位１ｃの外径とは、ＳＱＵＩＤ１の超電導閉ループ
を構成する部分、すなわち環状部位１ｃの面積の平方根
で規定するものとし、インプットコイル２ｆｉの内径
は、その開口面積の平方根で規定するものとする。
トＳを規定する稜線の上記内縁所定地点Ｙ側と環状部位
１ｃの内縁との間を横断している。段差型ジョセフソン
接合Ｊによる弱結合は、段差を用いて超電導薄膜内で粒
界を形成することによって形成されているが、上記の如
くスリットＳを形成して環状部位１ｃのループ通路幅を
狭めることにより、その結合が更に良好に形成されてい
る。なお、ジョセフソン接合の幅は３μｍ、スリットＳ
の幅は１０μｍ、環状部位１ｃの矩形状開口の幅は６μ
ｍ、長さは１００μｍ、環状部位１ｃの外径寸法は２ｍ
ｍ角である。また、ピックアップコイル２ｆｐの外径寸
法は１７ｍｍ角、内径寸法は１１ｍｍ角であり、コイル
幅は３ｍｍである。さらに、インプットコイル２ｆｉの
外径寸法は３．５ｍｍ角、内径寸法は１．５ｍｍ角であ
り、コイル幅は１ｍｍである。なお、ＳＱＵＩＤ１の環
状部位１ｃの外径とは、ＳＱＵＩＤ１の超電導閉ループ
を構成する部分、すなわち環状部位１ｃの面積の平方根
で規定するものとし、インプットコイル２ｆｉの内径
は、その開口面積の平方根で規定するものとする。
【００１７】インプットコイル２ｆｉの内径が環状部位
１ｃの外径よりも大きい場合には、磁束の一部が外部に
漏洩する。そこで、本例では、インプットコイル２ｆｉ
がＳＱＵＩＤ１の環状部位１ｃに対向配置されると共に
インプットコイル２ｆｉの内径が環状部位１ｃの外径よ
りも小さいこととし、漏洩を抑制してより多くの磁束が
ＳＱＵＩＤ１の開口内に導入される構成としてある。な
お、インプットコイル２ｆｉの形状は次図のように変形
してもよい。
１ｃの外径よりも大きい場合には、磁束の一部が外部に
漏洩する。そこで、本例では、インプットコイル２ｆｉ
がＳＱＵＩＤ１の環状部位１ｃに対向配置されると共に
インプットコイル２ｆｉの内径が環状部位１ｃの外径よ
りも小さいこととし、漏洩を抑制してより多くの磁束が
ＳＱＵＩＤ１の開口内に導入される構成としてある。な
お、インプットコイル２ｆｉの形状は次図のように変形
してもよい。
【００１８】図３は、対向配置されたＳＱＵＩＤ環状部
位１ｃ及び変形されたインプットコイル２ｆｉ部分の拡
大図である。磁気トランス２のインプットコイル２ｆｉ
はピックアップコイル２ｆｐに結合しているので、ピッ
クアップコイル２ｆｐで検出された磁束はインプットコ
イル２ｆｉ内に濃縮され、インプットコイル２ｆｉに対
向配置されたＳＱＵＩＤ環状部位１ｃに導入される。ス
リットＳは基端側が開放しているため、図２の構成では
インプットコイル２ｆｉからＳＱＵＩＤ環状部位１ｃの
開口内に導入されるはずの磁場の一部がスリットから漏
れてしまう。そこで、本例では、インプットコイル２ｆ
ｉがＳＱＵＩＤ１の環状部位１ｃに対向配置されると共
にスリットＳの全領域を覆うことにより、上記漏れ現象
を抑制して検出感度を向上させる構成とした。すなわ
ち、インプットコイル２ｆｉは外環部から内部に向けて
突出した矩形状突出領域２ｆｒを有しており、突出領域
２ｆｒの幅は０．５ｍｍ、長さは１ｍｍである。
位１ｃ及び変形されたインプットコイル２ｆｉ部分の拡
大図である。磁気トランス２のインプットコイル２ｆｉ
はピックアップコイル２ｆｐに結合しているので、ピッ
クアップコイル２ｆｐで検出された磁束はインプットコ
イル２ｆｉ内に濃縮され、インプットコイル２ｆｉに対
向配置されたＳＱＵＩＤ環状部位１ｃに導入される。ス
リットＳは基端側が開放しているため、図２の構成では
インプットコイル２ｆｉからＳＱＵＩＤ環状部位１ｃの
開口内に導入されるはずの磁場の一部がスリットから漏
れてしまう。そこで、本例では、インプットコイル２ｆ
ｉがＳＱＵＩＤ１の環状部位１ｃに対向配置されると共
にスリットＳの全領域を覆うことにより、上記漏れ現象
を抑制して検出感度を向上させる構成とした。すなわ
ち、インプットコイル２ｆｉは外環部から内部に向けて
突出した矩形状突出領域２ｆｒを有しており、突出領域
２ｆｒの幅は０．５ｍｍ、長さは１ｍｍである。
【００１９】図４は、超電導薄膜２ｆ側から見た磁束ト
ランス２の平面図である。磁束トランス２について詳説
すれば、サファイア基板２ｓ上に形成された超電導薄膜
２ｆは、矩形環状の薄膜ピックアップコイル２ｆｐと、
これに電磁気的に結合した矩形環状の薄膜インプットコ
イル２ｆｉとからなる。上記のようにピックアップコイ
ル２ｆｐの開口面積はインプットコイル２ｆｉの開口面
積よりも大きく、幅も広い。
ランス２の平面図である。磁束トランス２について詳説
すれば、サファイア基板２ｓ上に形成された超電導薄膜
２ｆは、矩形環状の薄膜ピックアップコイル２ｆｐと、
これに電磁気的に結合した矩形環状の薄膜インプットコ
イル２ｆｉとからなる。上記のようにピックアップコイ
ル２ｆｐの開口面積はインプットコイル２ｆｉの開口面
積よりも大きく、幅も広い。
【００２０】図５は、図４に示した磁束トランス２のＩ
−Ｉ矢印断面図である。上記磁気トランス２に用いるサ
ファイア基板２ｓ上に形成可能な超電導材料を鋭意検討
したところ、超電導薄膜２ｆとしてはＨｏ系酸化物超電
導体が良好に形成できることが判明した。サファイア基
板２ｓは、大型のものを安価に入手することができるの
で、磁束トランス２を大型化することができる。したが
って、ＳＱＵＩＤ１を小型化しても磁束トランス２から
ＳＱＵＩＤ１に導入される磁束を増加させて有効磁束捕
獲面積を増加させることができ、検出性能を向上させる
とともに、ＳＱＵＩＤ１の小型化によって製造コストを
低減させることができる。
−Ｉ矢印断面図である。上記磁気トランス２に用いるサ
ファイア基板２ｓ上に形成可能な超電導材料を鋭意検討
したところ、超電導薄膜２ｆとしてはＨｏ系酸化物超電
導体が良好に形成できることが判明した。サファイア基
板２ｓは、大型のものを安価に入手することができるの
で、磁束トランス２を大型化することができる。したが
って、ＳＱＵＩＤ１を小型化しても磁束トランス２から
ＳＱＵＩＤ１に導入される磁束を増加させて有効磁束捕
獲面積を増加させることができ、検出性能を向上させる
とともに、ＳＱＵＩＤ１の小型化によって製造コストを
低減させることができる。
【００２１】すなわち、本実施の形態に係る磁気センサ
のＳＱＵＩＤ環状部位１ｃの外径は５ｍｍ以下であるこ
とが好ましい。特に、磁気トランス２の超電導薄膜２ｆ
をＨｏ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-x薄膜から構成し、バッファ層と
しての酸化セリウム層（ＣｅＯ2）２ｂを介してサファ
イア基板２ｓ上に形成すると、その結晶状態及び特性は
良好なものとなる。なお、磁束トランス２のＨｏＢａＣ
ｕＯ超電導薄膜２ｆは製造コストの観点からは単層であ
ることが望ましい。
のＳＱＵＩＤ環状部位１ｃの外径は５ｍｍ以下であるこ
とが好ましい。特に、磁気トランス２の超電導薄膜２ｆ
をＨｏ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-x薄膜から構成し、バッファ層と
しての酸化セリウム層（ＣｅＯ2）２ｂを介してサファ
イア基板２ｓ上に形成すると、その結晶状態及び特性は
良好なものとなる。なお、磁束トランス２のＨｏＢａＣ
ｕＯ超電導薄膜２ｆは製造コストの観点からは単層であ
ることが望ましい。
【００２２】また、磁束トランス２はＳＱＵＩＤ１のよ
うにジョセフソン接合を含まないので、磁束トランス２
の歩留まりはＳＱＵＩＤ１よりも高い。また、小型のＳ
ＱＵＩＤの方が１基板中に生産できる素子数が多い。し
たがって、本実施の形態の磁気センサによれば、サファ
イア基板２ｓを用いることにより大型の磁束トランス２
を高い歩留まりで製造できるため、ＳＱＵＩＤ１を小型
化することができ、検出精度を劣化させることなく磁気
センサの生産性を向上させることができる。
うにジョセフソン接合を含まないので、磁束トランス２
の歩留まりはＳＱＵＩＤ１よりも高い。また、小型のＳ
ＱＵＩＤの方が１基板中に生産できる素子数が多い。し
たがって、本実施の形態の磁気センサによれば、サファ
イア基板２ｓを用いることにより大型の磁束トランス２
を高い歩留まりで製造できるため、ＳＱＵＩＤ１を小型
化することができ、検出精度を劣化させることなく磁気
センサの生産性を向上させることができる。
【００２３】次に磁気トランス２の製造方法及び特性に
ついて説明する。まず、ＳＱＵＩＤ１を、続いて磁束ト
ランス２を製造し、これらを組み合わせて磁気センサを
製造し、その特性を評価した。
ついて説明する。まず、ＳＱＵＩＤ１を、続いて磁束ト
ランス２を製造し、これらを組み合わせて磁気センサを
製造し、その特性を評価した。
【００２４】図６は、ＳＱＵＩＤ１（ＳＱＵＩＤ１1〜
１9）の形成されたＳｒＴｉＯ3基板１ｓの平面図であ
る。ＳＱＵＩＤ１の製造にあたっては、まず、図６に示
すように、図１に示した基板１ｓを縦横３つずつ、計９
つ内包可能な２０ｍｍ角のＳｒＴｉＯ3基板１ｓを用意
し、ジョセフソン接合用の１５０ｎｍの段差を形成した
後、その上に膜厚２００ｎｍのＨｏ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-X薄
膜１ｆを形成した。薄膜１ｆはレーザ蒸着法を用いて形
成した。しかる後、形成された薄膜１ｆをフォトリソグ
ラフィ技術を用いてパターニングした。最後に、各ＳＱ
ＵＩＤ１1〜１9を図中点線に沿ってダイシングし、９つ
のＳＱＵＩＤ１1〜１9を分離した。
１9）の形成されたＳｒＴｉＯ3基板１ｓの平面図であ
る。ＳＱＵＩＤ１の製造にあたっては、まず、図６に示
すように、図１に示した基板１ｓを縦横３つずつ、計９
つ内包可能な２０ｍｍ角のＳｒＴｉＯ3基板１ｓを用意
し、ジョセフソン接合用の１５０ｎｍの段差を形成した
後、その上に膜厚２００ｎｍのＨｏ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-X薄
膜１ｆを形成した。薄膜１ｆはレーザ蒸着法を用いて形
成した。しかる後、形成された薄膜１ｆをフォトリソグ
ラフィ技術を用いてパターニングした。最後に、各ＳＱ
ＵＩＤ１1〜１9を図中点線に沿ってダイシングし、９つ
のＳＱＵＩＤ１1〜１9を分離した。
【００２５】図７は、コイル２ｆｐ，２ｆｓを含む磁束
トランス２（磁束トランス２1〜２4）の形成されたサフ
ァイア基板２ｓの平面図である。磁束トランス２の製造
にあたっては、まず、図７に示すように、図１に示した
基板２ｓを縦横２つずつ、計４つ内包可能な４０ｍｍ角
のサファイア基板２ｓを用意し、その上に膜厚１０ｎｍ
のＣｅＯ2バッファ層２ｂ、膜厚２００ｎｍのＨｏ1Ｂａ
2Ｃｕ3Ｏ7-X薄膜２ｆを順次形成した。薄膜２ｆはレー
ザ蒸着法を用いて形成した。しかる後、形成された薄膜
をフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングした。
なお、それぞれのインプットコイル２ｆｉの幅は、ピッ
クアップコイル２ｆｐの幅よりも狭いので、全てのイン
プットコイル２ｆｉが薄膜の質の劣化の少ない基板２ｓ
中央部寄りに位置するようにパターニングした。最後
に、各磁束トランス２1〜２4を図中点線に沿ってダイシ
ングし、４つの磁束トランス２1〜２4を分離した。
トランス２（磁束トランス２1〜２4）の形成されたサフ
ァイア基板２ｓの平面図である。磁束トランス２の製造
にあたっては、まず、図７に示すように、図１に示した
基板２ｓを縦横２つずつ、計４つ内包可能な４０ｍｍ角
のサファイア基板２ｓを用意し、その上に膜厚１０ｎｍ
のＣｅＯ2バッファ層２ｂ、膜厚２００ｎｍのＨｏ1Ｂａ
2Ｃｕ3Ｏ7-X薄膜２ｆを順次形成した。薄膜２ｆはレー
ザ蒸着法を用いて形成した。しかる後、形成された薄膜
をフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングした。
なお、それぞれのインプットコイル２ｆｉの幅は、ピッ
クアップコイル２ｆｐの幅よりも狭いので、全てのイン
プットコイル２ｆｉが薄膜の質の劣化の少ない基板２ｓ
中央部寄りに位置するようにパターニングした。最後
に、各磁束トランス２1〜２4を図中点線に沿ってダイシ
ングし、４つの磁束トランス２1〜２4を分離した。
【００２６】上記の如く形成されたＳＱＵＩＤ１と磁束
トランス２とを、図１に示すようにインプットコイル２
ｆｉがＳＱＵＩＤ１の環状部位１ｃ上に重なるようにス
ペーサを介して接着し、磁気センサを製造した。この磁
気センサを液体窒素中に浸し、磁気計測を行った。本磁
気センサの有効磁束捕獲面積は０．１６ｍｍ2であり、
磁場分解能は１０Ｈｚにおいて１２０ｆＴ/√Ｈｚであ
った。
トランス２とを、図１に示すようにインプットコイル２
ｆｉがＳＱＵＩＤ１の環状部位１ｃ上に重なるようにス
ペーサを介して接着し、磁気センサを製造した。この磁
気センサを液体窒素中に浸し、磁気計測を行った。本磁
気センサの有効磁束捕獲面積は０．１６ｍｍ2であり、
磁場分解能は１０Ｈｚにおいて１２０ｆＴ/√Ｈｚであ
った。
【００２７】（第２実施形態）次に、図３に示した変形
型インプットコイル２ｆｉを有する磁束トランス２を第
１実施形態と同様に製造してＳＱＵＩＤ１と組み合わ
せ、磁気センサを製造した。この磁気センサを液体窒素
中に浸し、磁気計測を行った。本磁気センサの有効磁束
捕獲面積は０．２４ｍｍ2であり、磁場分解能は１０Ｈ
ｚにおいて８０ｆＴ/√Ｈｚであった。
型インプットコイル２ｆｉを有する磁束トランス２を第
１実施形態と同様に製造してＳＱＵＩＤ１と組み合わ
せ、磁気センサを製造した。この磁気センサを液体窒素
中に浸し、磁気計測を行った。本磁気センサの有効磁束
捕獲面積は０．２４ｍｍ2であり、磁場分解能は１０Ｈ
ｚにおいて８０ｆＴ/√Ｈｚであった。
【００２８】（第３実施形態）さらに、ピックアップコ
イル２ｆｐの外径寸法を１７ｍｍ角から３７ｍｍ角に変
更し、他の構成は図３に示したものと同様である磁束ト
ランス２を第１実施形態と同様に製造してＳＱＵＩＤ１
と組み合わせ、磁気センサを製造した。この磁気センサ
を液体窒素中に浸し、磁気計測を行った。本磁気センサ
の有効磁束捕獲面積は０．５ｍｍ2であり、磁場分解能
は１０Ｈｚにおいて４０ｆＴ/√Ｈｚであった。
イル２ｆｐの外径寸法を１７ｍｍ角から３７ｍｍ角に変
更し、他の構成は図３に示したものと同様である磁束ト
ランス２を第１実施形態と同様に製造してＳＱＵＩＤ１
と組み合わせ、磁気センサを製造した。この磁気センサ
を液体窒素中に浸し、磁気計測を行った。本磁気センサ
の有効磁束捕獲面積は０．５ｍｍ2であり、磁場分解能
は１０Ｈｚにおいて４０ｆＴ/√Ｈｚであった。
【００２９】（第４実施形態）また、インプットコイル
２ｆｉを多数巻きにして、さらに検出性能を向上させる
ことができる。すなわち、本例ではサファイア基板２ｓ
上にインプットコイル２ｆｉが多数巻きの磁束トランス
２を作製した。ピックアップコイル２ｆｐの寸法は第１
実施形態のものと同様とし、インプットコイル２ｆｉの
巻き数は２０ターン、ライン幅は１０μｍ、ライン間ス
ペースは５μｍとした。この場合、コイルの渦巻き中心
から外部へ出力を引き出す配線部位では、インプットコ
イル２ｆｉが、コイル用超電導薄膜／絶縁膜／配線用超
電導薄膜の３層構造を有する。これらの超電導薄膜とし
てはＨｏ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-Xを用い、絶縁膜としてはＣｅ
Ｏ2を用いた。
２ｆｉを多数巻きにして、さらに検出性能を向上させる
ことができる。すなわち、本例ではサファイア基板２ｓ
上にインプットコイル２ｆｉが多数巻きの磁束トランス
２を作製した。ピックアップコイル２ｆｐの寸法は第１
実施形態のものと同様とし、インプットコイル２ｆｉの
巻き数は２０ターン、ライン幅は１０μｍ、ライン間ス
ペースは５μｍとした。この場合、コイルの渦巻き中心
から外部へ出力を引き出す配線部位では、インプットコ
イル２ｆｉが、コイル用超電導薄膜／絶縁膜／配線用超
電導薄膜の３層構造を有する。これらの超電導薄膜とし
てはＨｏ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-Xを用い、絶縁膜としてはＣｅ
Ｏ2を用いた。
【００３０】１層目のコイル用超電導薄膜は第１実施形
態と同様にして作製し、膜厚は２００ｎｍとした。絶縁
薄膜の厚さは１５０ｎｍ、２層目の配線用超電導薄膜の
厚さは２００ｎｍとし、それぞれレーザ蒸着法で形成
し、形成されたそれぞれの層を第１実施形態と同様の方
法でパターニングすることにより上記３層構造のインプ
ットコイル２ｆｉを製造した。
態と同様にして作製し、膜厚は２００ｎｍとした。絶縁
薄膜の厚さは１５０ｎｍ、２層目の配線用超電導薄膜の
厚さは２００ｎｍとし、それぞれレーザ蒸着法で形成
し、形成されたそれぞれの層を第１実施形態と同様の方
法でパターニングすることにより上記３層構造のインプ
ットコイル２ｆｉを製造した。
【００３１】こうして作製した多数巻きのインプットコ
イル２ｆｉを有する磁束トランス２を第１実施形態と同
様に製造したＳＱＵＩＤ１と組み合わせ、磁気センサを
製造した。この磁気センサを液体窒素中に浸し、磁気計
測を行った。本磁気センサの有効磁束捕獲面積は１．６
ｍｍ2であり、磁場分解能は１０Ｈｚにおいて１２ｆＴ/
√Ｈｚであった。
イル２ｆｉを有する磁束トランス２を第１実施形態と同
様に製造したＳＱＵＩＤ１と組み合わせ、磁気センサを
製造した。この磁気センサを液体窒素中に浸し、磁気計
測を行った。本磁気センサの有効磁束捕獲面積は１．６
ｍｍ2であり、磁場分解能は１０Ｈｚにおいて１２ｆＴ/
√Ｈｚであった。
【００３２】以上、説明したように、上記実施の形態に
係る磁気センサは、サファイア基板２ｓ上に形成された
超電導薄膜２ｆを有する磁束トランス２と、磁束トラン
ス２上に対向配置されたＳＱＵＩＤ１とを備える。本磁
気センサによれば、大型のものを得ることができるサフ
ァイア基板２ｓを磁束トランス２に用いるので、ＳＱＵ
ＩＤ１を小型化しても磁束トランス２からＳＱＵＩＤ１
に導入される磁束を増加させて有効磁束捕獲面積を増加
させることができ、検出性能を向上させるとともに、Ｓ
ＱＵＩＤ１の小型化によって製造コストを低減させるこ
とができる。なお、ＳＱＵＩＤ１や磁束トランス２の超
電導薄膜１ｆ，２ｆとしてはＹＢＣＯ等の他の酸化物高
温超電導材料を用いることができる。
係る磁気センサは、サファイア基板２ｓ上に形成された
超電導薄膜２ｆを有する磁束トランス２と、磁束トラン
ス２上に対向配置されたＳＱＵＩＤ１とを備える。本磁
気センサによれば、大型のものを得ることができるサフ
ァイア基板２ｓを磁束トランス２に用いるので、ＳＱＵ
ＩＤ１を小型化しても磁束トランス２からＳＱＵＩＤ１
に導入される磁束を増加させて有効磁束捕獲面積を増加
させることができ、検出性能を向上させるとともに、Ｓ
ＱＵＩＤ１の小型化によって製造コストを低減させるこ
とができる。なお、ＳＱＵＩＤ１や磁束トランス２の超
電導薄膜１ｆ，２ｆとしてはＹＢＣＯ等の他の酸化物高
温超電導材料を用いることができる。
【００３３】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明に係る磁
気センサは、サファイア基板を磁束トランスに用いるの
で、検出性能を向上させるとともに、ＳＱＵＩＤの小型
化によって製造コストを低減させることができる。
気センサは、サファイア基板を磁束トランスに用いるの
で、検出性能を向上させるとともに、ＳＱＵＩＤの小型
化によって製造コストを低減させることができる。
【図１】実施の形態に係る磁気センサの一部分を分解し
て示す斜視図。
て示す斜視図。
【図２】対向配置されたＳＱＵＩＤ環状部位１ｃ及びイ
ンプットコイル２ｆｉ部分の拡大図。
ンプットコイル２ｆｉ部分の拡大図。
【図３】対向配置されたＳＱＵＩＤ環状部位１ｃ及び変
形インプットコイル２ｆｉ部分の拡大図。
形インプットコイル２ｆｉ部分の拡大図。
【図４】超電導薄膜２ｆ側から見た磁束トランス２の平
面図。
面図。
【図５】図４に示した磁束トランス２のＩ−Ｉ矢印断面
図。
図。
【図６】ＳＱＵＩＤ１1〜１9の形成されたＳｒＴｉＯ3
基板１ｓの平面図。
基板１ｓの平面図。
【図７】磁束トランス２1〜２4の形成されたサファイア
基板２ｓの平面図。
基板２ｓの平面図。
２ｓ・・・サファイア基板、２ｆ・・・超電導薄膜、２・・・磁
束トランス、１・・・ＳＱＵＩＤ。
束トランス、１・・・ＳＱＵＩＤ。
Claims (9)
- 【請求項１】 サファイア基板上に形成された超電導薄
膜を有する磁束トランスと、前記磁束トランス上に対向
配置されたＳＱＵＩＤと、を備えることを特徴とする磁
気センサ。 - 【請求項２】 前記磁気トランスの前記超電導薄膜は、
単層であることを特徴とする請求項１に記載の磁気セン
サ。 - 【請求項３】 前記磁気トランスの前記超電導薄膜は、
Ｈｏ系酸化物超電導体からなることを特徴とする請求項
１に記載の磁気センサ。 - 【請求項４】 前記磁気トランスの前記超電導薄膜は、
ＨｏＢａＣｕＯ薄膜からなり、酸化セリウム層を介して
前記サファイア基板上に形成されていることを特徴とす
る請求項３に記載の磁気センサ。 - 【請求項５】 前記ＳＱＵＩＤは、超電導材料からなる
環状部位を有し、前記環状部位はワッシャ形状であるこ
とを特徴とする請求項１に記載の磁気センサ。 - 【請求項６】 前記ＳＱＵＩＤは、超電導材料からなる
環状部位を有し、前記環状部位は外径が５ｍｍ以下であ
ることを特徴とする請求項１に記載の磁気センサ。 - 【請求項７】 前記環状部位の所定部分は、その下を横
断する段差を覆うことによりジョセフソン接合を形成し
ていることを特徴とする請求項５又は６に記載の磁気セ
ンサ。 - 【請求項８】前記環状部位の所定部分はジョセフソン接
合を形成しており、前記環状部位は前記環状部位の外縁
所定地点と内縁所定地点との間の位置に向かって前記外
縁の前記外縁所定地点とは異なる地点から切り込まれた
スリットを有し、前記ジョセフソン接合は前記スリット
を規定する稜線の前記内縁所定地点側と前記環状部位の
内縁との間を横断しており、前記磁束トランスの前記超
電導薄膜は被検出体の磁束を取り込むピックアップコイ
ル及び前記ピックアップコイルに結合したインプットコ
イルを有し、前記インプットコイルは前記ＳＱＵＩＤの
前記環状部位に対向配置されると共に前記スリットの全
領域を覆っていることを特徴とする請求項５又は６に記
載の磁気センサ。 - 【請求項９】 前記磁束トランスの前記超電導薄膜は被
検出体の磁束を取り込むピックアップコイル及び前記ピ
ックアップコイルに結合したインプットコイルを有し、
前記インプットコイルは前記ＳＱＵＩＤの前記環状部位
に対向配置されると共に前記インプットコイルの内径は
前記環状部位の外径よりも小さいことを特徴とする請求
項５又は６に記載の磁気センサ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9357425A JPH11186623A (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | 磁気センサ |
| US09/189,801 US6226538B1 (en) | 1997-12-25 | 1998-11-12 | Magnetic sensor with squid and having superconducting coils formed on sapphire substrate |
| EP98122155A EP0926508B1 (en) | 1997-12-25 | 1998-11-25 | Magnetic sensor utilizing a superconductor |
| DE69838208T DE69838208T2 (de) | 1997-12-25 | 1998-11-25 | Magnetsensor mit Supraleiter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9357425A JPH11186623A (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | 磁気センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11186623A true JPH11186623A (ja) | 1999-07-09 |
Family
ID=18454063
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9357425A Pending JPH11186623A (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | 磁気センサ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6226538B1 (ja) |
| EP (1) | EP0926508B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11186623A (ja) |
| DE (1) | DE69838208T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002094132A (ja) * | 2000-09-13 | 2002-03-29 | Seiko Instruments Inc | 超伝導量子干渉素子 |
| JP2012530895A (ja) * | 2009-06-20 | 2012-12-06 | フォルシュングスツェントルム・ユーリッヒ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | 時間変動する磁場又は磁場勾配を測定するための測定機器、電気抵抗素子及び測定システム |
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