JPH11186551A - Semiconductor device and manufacture thereof - Google Patents
Semiconductor device and manufacture thereofInfo
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- JPH11186551A JPH11186551A JP36505597A JP36505597A JPH11186551A JP H11186551 A JPH11186551 A JP H11186551A JP 36505597 A JP36505597 A JP 36505597A JP 36505597 A JP36505597 A JP 36505597A JP H11186551 A JPH11186551 A JP H11186551A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明が属する技術分野】本願発明は同一基板上に形成
された複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を組み合わせ
て構成された半導体装置（半導体回路や電気光学装置な
ど）及びその様な半導体装置を搭載した電子機器の構成
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device (such as a semiconductor circuit or an electro-optical device) formed by combining a plurality of thin film transistors (TFTs) formed on the same substrate and an electronic device on which such a semiconductor device is mounted. Related to the configuration of the device.
【０００２】なお、本明細書中において半導体装置と
は、半導体特性を利用して機能する装置全般を意味して
おり、上述の半導体回路や電気光学装置だけでなく、電
子機器をも半導体装置の範疇に含むものとする。[0002] In this specification, the term "semiconductor device" means any device that functions by utilizing semiconductor characteristics. In addition to the above-described semiconductor circuits and electro-optical devices, electronic devices are also used for semiconductor devices. It shall be included in the category.
【０００３】[0003]
【従来の技術】近年、ガラス基板上において複数のＴＦ
Ｔを組み合わせ、画素マトリクス回路と駆動回路とを構
成した液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）が注目されている。
液晶ディスプレイはＣＲＴに替わる次世代ディスプレイ
として期待される。2. Description of the Related Art Recently, a plurality of TFs have been formed on a glass substrate.
Attention has been focused on a liquid crystal display (LCD) in which a pixel matrix circuit and a driving circuit are combined by combining T.
Liquid crystal displays are expected to replace CRTs as next-generation displays.
【０００４】その一方で液晶ディスプレイはノートパソ
コンのモニタやプロジェクターの画像表示デバイスとし
て利用されるが、非常に温度に弱いという特質を有す
る。これはＴＦＴ自体の特性が温度に影響されること
と、液晶が温度で特性を変えてしまうことに起因してい
る。On the other hand, a liquid crystal display is used as an image display device of a monitor or a projector of a notebook personal computer, but has a characteristic that it is very sensitive to temperature. This is due to the fact that the characteristics of the TFT itself are affected by temperature, and that the liquid crystal changes its characteristics with temperature.
【０００５】従って、温度変動の小さな環境で用いるこ
とが望ましいのであるが、液晶ディスプレイは非常に熱
に晒されやすい環境で用いられる。[0005] Therefore, although it is desirable to use the liquid crystal display in an environment with small temperature fluctuations, the liquid crystal display is used in an environment that is very easily exposed to heat.
【０００６】その一つは回路を構成するＴＦＴの自己発
熱であり、避けることのできない熱源となってしまう。
局部的に数百℃にも達する発熱源が百万個以上も集積化
された液晶ディスプレイは非常に高熱を発する。One of them is self-heating of TFTs constituting a circuit, which is an unavoidable heat source.
A liquid crystal display in which more than one million heat sources locally reaching several hundred degrees Celsius are integrated generates extremely high heat.
【０００７】また、液晶ディスプレイに対して照射され
るバックライト光が熱に変換されてしまい、大きな熱源
となりうる。外部光を用いることができるほど光利用効
率が向上すればバックライトレスといった方式も採用で
きるが、現状の技術ではバックライトに頼らざるを得な
い。Further, the backlight light applied to the liquid crystal display is converted into heat, which can be a large heat source. If the light use efficiency is improved as the external light can be used, a method such as a backlightless method can be adopted, but the current technology has to rely on the backlight.
【０００８】この様に日常の使用条件下においてさえ
も、液晶ディスプレイは非常に熱に晒される機会が多
く、耐熱性を高めることが信頼性の高い製品を得るため
にも必要不可欠な構成となっている。As described above, even under daily use conditions, a liquid crystal display is often exposed to heat, and it is indispensable to increase the heat resistance to obtain a highly reliable product. ing.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】本願発明では、ＴＦＴ
と同一の基板上に設けられた放熱層（以下、ヒートシン
クと呼ぶ）を用いて効率よく熱を発散させ、ＴＦＴや液
晶材料の熱による劣化を防ぎ、信頼性の高い液晶ディス
プレイを実現することを課題とする。SUMMARY OF THE INVENTION According to the present invention, a TFT
Using a heat radiation layer (hereinafter referred to as a heat sink) provided on the same substrate as above, efficiently dissipates heat, prevents deterioration of TFT and liquid crystal material due to heat, and realizes a highly reliable liquid crystal display. Make it an issue.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】本明細書で開示する発明
の構成は、同一基板上に形成された複数のＴＦＴでなる
半導体回路を有する半導体装置であって、前記半導体回
路の少なくとも一部は、当該半導体回路が形成された基
板上に設けられた遮光膜で覆われ、前記遮光膜で遮光さ
れた領域内に選択的にアモルファスカーボン膜が形成さ
れていることを特徴とする。An embodiment of the invention disclosed in this specification is a semiconductor device having a semiconductor circuit including a plurality of TFTs formed on the same substrate, wherein at least a part of the semiconductor circuit is provided. The semiconductor circuit is covered with a light-shielding film provided on the substrate, and an amorphous carbon film is selectively formed in a region shielded by the light-shielding film.
【００１１】また、他の発明の構成は、同一基板上に形
成された複数のＴＦＴでなる半導体回路を有する半導体
装置であって、前記半導体回路の上には所定箇所を遮光
する様にブラックマスクが設けられており、当該ブラッ
クマスクは遮光膜とアモルファスカーボン膜との積層構
造からなることを特徴とする。According to another aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device having a semiconductor circuit comprising a plurality of TFTs formed on the same substrate, wherein a black mask is provided on the semiconductor circuit so as to shield a predetermined portion from light. Is provided, and the black mask has a stacked structure of a light-shielding film and an amorphous carbon film.
【００１２】上記構成において、所定箇所とはＴＦＴ及
び／又は電極配線が形成された領域を指す。即ち、画像
表示領域として利用できない場所を意味する。In the above configuration, the predetermined location refers to a region where a TFT and / or an electrode wiring is formed. That is, it means a place that cannot be used as an image display area.
【００１３】また、他の発明の構成は、同一基板上にお
いてマトリクス状に配列された複数の画素電極を有する
画素マトリクス回路を含む半導体装置であって、前記画
素電極は絶縁膜上に設けられた反射性を有する導電膜か
らなり、且つ、前記絶縁膜と前記画素電極との間にはア
モルファスカーボン膜が設けられていることを特徴とす
る。According to another aspect of the invention, there is provided a semiconductor device including a pixel matrix circuit having a plurality of pixel electrodes arranged in a matrix on the same substrate, wherein the pixel electrodes are provided on an insulating film. It is made of a conductive film having reflectivity, and an amorphous carbon film is provided between the insulating film and the pixel electrode.
【００１４】本願発明ではヒートシンク（放熱層）とし
てアモルファスカーボン膜を用いるにあたって、アモル
ファスカーボン膜の透過率に影響されない構成を提供す
る。即ち、アモルファスカーボン膜でなるヒートシンク
の配置を、ブラックマスクや配線等によって遮光される
領域（画像表示に利用できない領域）と一致させること
で、透過率を問題とすることなくアモルファスカーボン
膜を利用することが可能となる。The present invention provides a structure which is not affected by the transmittance of the amorphous carbon film when using the amorphous carbon film as a heat sink (heat radiation layer). In other words, the arrangement of the heat sink made of the amorphous carbon film is matched with the region shielded by the black mask, wiring, and the like (the region that cannot be used for image display), so that the amorphous carbon film can be used without causing a problem in transmittance. It becomes possible.
【００１５】本願発明で利用するアモルファスカーボン
膜はダイヤモンドとグラファイトとの中間の特性を示す
物質である。本明細書中では特にダイヤモンドに近い特
性を有するものはダイヤモンドライクカーボン（以下、
ＤＬＣと略記する）と呼び、グラファイトに近い特性を
有するものはグラファイトライクカーボン（ＧＬＣと略
記する）と呼ぶ。The amorphous carbon film used in the present invention is a substance exhibiting intermediate characteristics between diamond and graphite. In this specification, those having characteristics close to diamond are particularly diamond-like carbon (hereinafter, referred to as diamond-like carbon).
DLC) and those having characteristics close to graphite are called graphite-like carbon (GLC).
【００１６】なお、ＤＬＣ膜とＧＬＣ膜との明確な境界
はなく、一般的にＤＬＣ膜はダイヤモンドの如き物性を
示す炭素または炭素を主成分とし、ｓｐ3 結合を主体と
する薄膜と定義されている。本願発明ではアモルファス
カーボン膜をＤＬＣ膜とＧＬＣ膜とに明確に区別する必
要はなく、低摩擦係数、高硬度、耐摩耗性といったＤＬ
Ｃ特有の効果を期待する場合のみ注意すれば良い。Note that there is no clear boundary between the DLC film and the GLC film, and the DLC film is generally defined as a thin film mainly composed of carbon or carbon exhibiting physical properties like diamond and mainly composed of sp 3 bonds. I have. In the present invention, it is not necessary to clearly distinguish the amorphous carbon film into the DLC film and the GLC film.
Attention should be paid only when an effect specific to C is expected.
【００１７】これらのアモルファスカーボン膜は高い熱
伝導性を有するためヒートシンクとして利用しうるが、
膜質がＧＬＣ膜に近づくにつれて透過率が低下してしま
うことが知られている。また、透過率の比較的高いＤＬ
Ｃ膜でも膜厚が厚くなるにしたがって透過率が低下する
傾向にある。Although these amorphous carbon films have high thermal conductivity, they can be used as heat sinks.
It is known that the transmittance decreases as the film quality approaches the GLC film. Also, DL having a relatively high transmittance
Even with the C film, the transmittance tends to decrease as the film thickness increases.
【００１８】本願発明はこの様に透過率が低い膜質のア
モルファスカーボン膜をヒートシンクとして有効に活用
するための技術である。即ち、本願発明の構成とするこ
とで膜厚５nm〜１μｍ（代表的には 100〜300 nm、ただ
しＤＬＣ膜の場合には50〜100 nmが好ましい）の範囲で
アモルファスカーボン膜をヒートシンクとして利用する
ことが可能となる。The present invention is a technique for effectively utilizing such an amorphous carbon film having a low transmittance as a heat sink. That is, by adopting the structure of the present invention, an amorphous carbon film is used as a heat sink in a range of 5 nm to 1 μm (typically 100 to 300 nm, preferably 50 to 100 nm in the case of a DLC film). It becomes possible.
【００１９】また、本願発明はどの様な構造及び特性を
有するＴＦＴを用いた半導体装置に対しても有効であ
る。なお、本願発明の効果が顕著に現れるのはＴＦＴの
動作性能が高く、ＴＦＴの自己発熱が激しい場合であ
る。The present invention is also effective for a semiconductor device using a TFT having any structure and characteristics. Note that the effect of the present invention is remarkable when the TFT has high operation performance and self-heating of the TFT is severe.
【００２０】例えば、本発明者らが特開平９−３１２２
６０号公報に開示した様な極めて動作速度の速いＴＦＴ
を半導体回路の構成にあたって使用すると、発生する熱
量も大きなものとなる。For example, the present inventors disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-3122.
Extremely fast operation TFT as disclosed in Japanese Patent Publication No. 60
When this is used in the construction of a semiconductor circuit, the amount of heat generated is also large.
【００２１】また、公知のスマートカット法を利用した
ＵＭＩＢＯＮＤ基板や酸素イオン注入を利用したＳＩＭ
ＯＸ基板などを用いて単結晶シリコン薄膜で構成される
ＴＦＴを作製した場合には、非常に動作速度の速いＴＦ
Ｔが得られる。A UMIBOND substrate using a known smart cut method or a SIM using oxygen ion implantation
When a TFT composed of a single-crystal silicon thin film is manufactured using an OX substrate or the like, a TF having a very high operating speed is used.
T is obtained.
【００２２】これらの様に、ＴＦＴの動作速度が速くな
るに従って発生する熱量も増大し、熱劣化も激しくな
る。今後、液晶ディスプレイ等の性能が向上するにつれ
てこの様な問題は深刻化していくことが容易に予想でき
る。As described above, the amount of heat generated increases as the operation speed of the TFT increases, and the thermal deterioration increases. It is easily expected that such problems will become more serious as the performance of liquid crystal displays and the like improves in the future.
【００２３】本願発明はこの様な熱劣化に対する対策と
して、非常に簡易かつ効果的な手段であり、蓄熱による
ＴＦＴや液晶層の劣化を防ぐことができる。The present invention is a very simple and effective means as a countermeasure against such thermal deterioration, and can prevent the TFT and the liquid crystal layer from deteriorating due to heat storage.
【００２４】また、上記構成を得るにあたって、他の発
明の構成は、複数のＴＦＴ上に形成された絶縁膜上にア
モルファスカーボン膜と遮光膜とを順次積層する工程
と、前記アモルファスカーボン膜及び遮光膜を連続的に
エッチングして同一形状にパターン形成する工程と、を
有することを特徴とする。Further, in obtaining the above configuration, another configuration of the present invention includes a step of sequentially laminating an amorphous carbon film and a light shielding film on an insulating film formed on a plurality of TFTs; Continuously etching the film to form a pattern in the same shape.
【００２５】また、他の発明の構成は、複数のＴＦＴ上
に形成された絶縁膜上において、前記ＴＦＴの上方にの
みアモルファスカーボン膜からなるパターンを形成する
工程と、前記アモルファスカーボン膜を覆って遮光膜か
らなるパターンを形成する工程と、を有することを特徴
とする。In another aspect of the invention, a step of forming a pattern made of an amorphous carbon film only above the TFT on the insulating film formed on the plurality of TFTs, and a step of covering the amorphous carbon film with Forming a pattern made of a light-shielding film.
【００２６】また、他の発明の構成は、同一基板上にお
いてマトリクス状に配列された複数の画素ＴＦＴを構成
に含む半導体装置の作製方法であって、前記複数の画素
ＴＦＴの各々が有するドレイン電極上において、当該複
数の画素ＴＦＴを覆う絶縁膜に開口部を設ける工程と、
前記開口部を覆ってアモルファスカーボン膜と導電性を
有する遮光膜とで構成される積層膜を形成する工程と、
を有し、前記ドレイン電極と前記遮光膜とで前記アモル
ファスカーボン膜を誘電体とする補助容量を形成するこ
とを特徴とする。According to another aspect of the invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device including a plurality of pixel TFTs arranged in a matrix on the same substrate, wherein the drain electrode of each of the plurality of pixel TFTs is provided. Forming an opening in an insulating film covering the plurality of pixel TFTs;
Forming a laminated film composed of an amorphous carbon film and a light-shielding film having conductivity by covering the opening;
Wherein the drain electrode and the light-shielding film form an auxiliary capacitor using the amorphous carbon film as a dielectric.
【００２７】[0027]
【発明の実施の形態】本願発明の実施の形態に関する詳
細について、以下に記載する実施例でもって説明を行う
こととする。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The details of the embodiments of the present invention will be described with reference to the following examples.
【００２８】[0028]
【実施例】〔実施例１〕本実施例の構成について図１を
用いて説明する。図１（Ａ）に示すのは透過型液晶ディ
スプレイの画素マトリクス回路の断面図である。ただ
し、ＴＦＴを形成する側の基板（アクティブマトリクス
基板）の構成のみを説明する。[Embodiment 1] The configuration of this embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 1A is a cross-sectional view of a pixel matrix circuit of a transmission type liquid crystal display. However, only the configuration of the substrate on which the TFT is formed (active matrix substrate) will be described.
【００２９】１０１は絶縁表面を有する基板であり、１
０２、１０３は画素マトリクス回路を構成する画素ＴＦ
Ｔを示している。Reference numeral 101 denotes a substrate having an insulating surface.
02 and 103 are pixels TF forming a pixel matrix circuit
T is shown.
【００３０】画素ＴＦＴ１０２、１０３はそれぞれ公知
のＴＦＴ構造を採用して構わない。即ち、本実施例の構
成ではＴＦＴ構造自体が直接発明の効果に影響すること
はないのであらゆる構造のＴＦＴを用いることが可能で
ある。Each of the pixel TFTs 102 and 103 may have a known TFT structure. That is, in the configuration of the present embodiment, the TFT structure itself does not directly affect the effects of the invention, so that any structure TFT can be used.
【００３１】画素ＴＦＴ１０２、１０３は第１の層間絶
縁膜１０４で覆われ、その上にブラックマスクが設けら
れる。本実施例の特徴はこのブラックマスクがアモルフ
ァスカーボン膜１０５と遮光膜１０６との積層構造で構
成される点にある。The pixel TFTs 102 and 103 are covered with a first interlayer insulating film 104, and a black mask is provided thereon. The feature of this embodiment is that this black mask has a laminated structure of an amorphous carbon film 105 and a light shielding film 106.
【００３２】本実施例ではアモルファスカーボン膜１０
５としてＤＬＣ膜を用いる。ＤＬＣ膜を用いる場合、そ
の膜厚は５〜300 μｍ（好ましくは50〜100nm ）の範囲
とすることが好ましい。なお、詳細な成膜方法および成
膜装置等については本発明者らによる特公平３−７２７
１１号公報、特公平４−２７６９０号公報、特公平４−
２７６９１号公報に開示してあるので説明は省略する。In this embodiment, the amorphous carbon film 10
5 is a DLC film. When a DLC film is used, its thickness is preferably in the range of 5 to 300 μm (preferably 50 to 100 nm). The detailed film forming method and the film forming apparatus are described in Japanese Patent Publication No. 3-727 by the present inventors.
No. 11, Japanese Patent Publication No. 4-27690, Japanese Patent Publication No. 4-27690
The description is omitted because it is disclosed in Japanese Patent No. 27691.
【００３３】ＤＬＣ膜の形成するにあたって膜厚が５nm
以下では均一な成膜が困難であり、ヒートシンクとして
の効果もあまり期待できない。効果的に放熱するには50
nm以上の膜厚が好ましい。また、膜厚300 nmを超えると
後に大きな段差を形成してしまうので好ましくない。こ
の事はアモルファスカーボン膜としてＧＬＣ膜を用いる
場合にも同様である。When forming the DLC film, the thickness is 5 nm.
Below, uniform film formation is difficult, and the effect as a heat sink cannot be expected much. 50 for effective heat dissipation
A film thickness of at least nm is preferred. On the other hand, when the thickness exceeds 300 nm, a large step is formed later, which is not preferable. This is the same when the GLC film is used as the amorphous carbon film.
【００３４】しかしながら、ＤＬＣ膜を用いる場合に
は、ＤＬＣ膜が極めて硬い物質であるため膜厚を厚くす
ると割れやすくなるという問題も考慮しなければならな
い。そのため、ＤＬＣ膜をヒートシンクとして用いるに
は50〜100nm 程度の膜厚とすることが望ましい（ＧＬＣ
膜はＤＬＣ膜よりも柔らかいのでこの様な制約はあまり
気にする必要はない）。However, in the case of using a DLC film, it is necessary to consider a problem that the DLC film is extremely hard, and thus, the thicker the film, the more likely it is to break. Therefore, in order to use the DLC film as a heat sink, it is desirable to have a film thickness of about 50 to 100 nm (GLC film).
Such constraints do not need to be taken into account as the film is softer than the DLC film).
【００３５】また、ＤＬＣ膜１０５は膜厚が薄ければほ
ぼ透明であるが、厚さが増すか、グラファイト組成に近
づくにつれて次第に褐色（または黄色）を帯び、透過率
が低下していく。そのため、本実施例の様に透過型液晶
ディスプレイのヒートシンクとして用いるには、画像表
示に利用しない領域（遮光領域）に選択的に形成する必
要がある。The DLC film 105 is almost transparent when the thickness is small, but gradually becomes brown (or yellow) as the thickness increases or approaches the graphite composition, and the transmittance decreases. Therefore, in order to use it as a heat sink of a transmissive liquid crystal display as in this embodiment, it is necessary to selectively form the heat sink in a region not used for image display (light shielding region).
【００３６】本実施例では、この様な構成を遮光膜１０
６と積層してＤＬＣ膜１０５を設けるという構成で実現
している。In the present embodiment, such a structure is used for the light shielding film 10.
6 and the DLC film 105 is provided.
【００３７】なお、遮光膜１０６としては黒色顔料やグ
ラファイトを分散させた有機樹脂膜（以下、黒色樹脂膜
と呼ぶ）や、遮光性を有する導電膜など、通常ブラック
マスクとして用いられる薄膜を用いることができる。膜
厚は50〜200 nmの範囲で選択すれば良い。As the light-shielding film 106, an organic resin film in which a black pigment or graphite is dispersed (hereinafter referred to as a black resin film) or a thin film which is usually used as a black mask, such as a light-shielding conductive film, is used. Can be. The thickness may be selected in the range of 50 to 200 nm.
【００３８】また、図１（Ａ）の様な積層構造は、まず
ＤＬＣ膜と遮光膜とを順次積層成膜し、続いて連続的に
エッチングして同一形状にパターン形成することで形成
できる。ＤＬＣ膜１０５は酸素プラズマ、水素プラズ
マ、イオンミリング等によりエッチングすることが可能
である。The laminated structure as shown in FIG. 1A can be formed by first forming a DLC film and a light-shielding film sequentially, and then successively etching to form a pattern in the same shape. The DLC film 105 can be etched by oxygen plasma, hydrogen plasma, ion milling, or the like.
【００３９】また、遮光膜１０６は黒色樹脂膜ならば酸
素プラズマエッチングを行えば良く、遮光性を有する導
電膜ならば塩素系またはフッ素系エッチングガスを用い
て容易にエッチングが可能である。If the light-shielding film 106 is a black resin film, oxygen plasma etching may be performed. If the light-shielding film 106 is a conductive film having a light-shielding property, etching can be easily performed using a chlorine-based or fluorine-based etching gas.
【００４０】なお、遮光膜１０６として導電膜（代表的
にはチタン、クロム、アルミニウムなどの金属膜）を用
いる場合、遮光膜１０６をマスクとして自己整合的にＤ
ＬＣ膜１０５のパターン形成が行えるので開口率の向上
には有効である。When a conductive film (typically, a metal film such as titanium, chromium, or aluminum) is used as the light-shielding film 106, the light-shielding film 106 is used as a mask in a self-aligned manner.
Since the pattern formation of the LC film 105 can be performed, it is effective in improving the aperture ratio.
【００４１】以上の様にしてＤＬＣ膜１０５と遮光膜１
０６との積層構造で構成されるブラックマスクが形成さ
れる。本実施例ではブラックマスクの下層がＤＬＣ膜１
０５であるので、ブラックマスクとしての機能にヒート
シンクとしての機能をも付加することができる。As described above, the DLC film 105 and the light shielding film 1
A black mask having a layered structure with No. 06 is formed. In this embodiment, the lower layer of the black mask is the DLC film 1
05, the function as a heat sink can be added to the function as a black mask.
【００４２】ここで図１（Ａ）の構成を有する画素マト
リクス回路を一部拡大したものを図１（Ｂ）に示す。１
１０はＴＦＴが形成されている基板（ＴＦＴは略記す
る）、１０４は第１の層間絶縁膜である。Here, FIG. 1B shows a partially enlarged pixel matrix circuit having the configuration shown in FIG. 1A. 1
Reference numeral 10 denotes a substrate on which a TFT is formed (TFT is abbreviated), and 104 denotes a first interlayer insulating film.
【００４３】第１の層間絶縁膜１０４上にはソース配
線、ゲイト配線、画素ＴＦＴ上を遮光する様な配置でブ
ラックマスクが形成される。そして、このブラックマス
クがＤＬＣ膜１０５と遮光膜１０６との積層構造で構成
される。On the first interlayer insulating film 104, a black mask is formed so as to shield the source wiring, the gate wiring, and the pixel TFT from light. The black mask has a laminated structure of the DLC film 105 and the light shielding film 106.
【００４４】さらに、図１（Ａ）に示す様にブラックマ
スクを第２の層間絶縁膜１０７で覆い、その上に透明導
電膜（代表的にはＩＴＯ）でなる画素電極１０８をパタ
ーン形成する。画素電極の形成は公知の手段を用いれば
良い。Further, as shown in FIG. 1A, a black mask is covered with a second interlayer insulating film 107, and a pixel electrode 108 made of a transparent conductive film (typically, ITO) is pattern-formed thereon. Known means may be used for forming the pixel electrode.
【００４５】この時、遮光膜１０６が導電膜ならば遮光
膜１０６と画素電極１０８との間で補助容量を形成して
も良い。この場合、誘電体は第２の層間絶縁膜となるの
で、第２の層間絶縁膜の膜厚は平坦性と形成容量との兼
ね合いから決定する。At this time, if the light-shielding film 106 is a conductive film, an auxiliary capacitance may be formed between the light-shielding film 106 and the pixel electrode 108. In this case, since the dielectric becomes the second interlayer insulating film, the thickness of the second interlayer insulating film is determined based on a balance between flatness and formation capacitance.
【００４６】また、第１の層間絶縁膜１０４は画素ＴＦ
Ｔ１０２、１０３の段差を吸収しうる様に平坦性の高い
有機樹脂膜を用いることが好ましい。有機樹脂膜として
はスピンコート法で形成できるポリイミド、ポリアミ
ド、ポリイミドアミド、アクリルが好適である。The first interlayer insulating film 104 is formed of the pixel TF
It is preferable to use an organic resin film having high flatness so as to absorb a step of T102 and T103. As the organic resin film, polyimide, polyamide, polyimide amide, and acrylic which can be formed by a spin coating method are preferable.
【００４７】なお、アモルファスカーボン膜は有機樹脂
膜と非常に相性が良く、密着性が高い。従って、有機樹
脂膜上にＤＬＣ膜を設けるという構造はＤＬＣ膜の膜剥
がれ（ピーリング）を防ぐためにも有効である。The amorphous carbon film is very compatible with the organic resin film and has high adhesion. Therefore, the structure in which the DLC film is provided on the organic resin film is also effective for preventing the peeling of the DLC film.
【００４８】以上の様な構成でなる本実施例を実施した
場合、ヒートシンクとして機能するＤＬＣ膜とブラック
マスクとして機能する遮光膜とを同一のパターン形状と
して重ねることで、画像表示領域の透過率を損ねること
なく効果的に放熱効果を得ることができる。When the present embodiment having the above configuration is implemented, the transmittance of the image display area is reduced by overlapping the DLC film functioning as a heat sink and the light shielding film functioning as a black mask in the same pattern. A heat radiation effect can be obtained effectively without impairment.
【００４９】また、ＤＬＣ膜１０５の下地（第１の層間
絶縁膜１０４）として有機樹脂膜を用いれば、高い歩留
りでＤＬＣ膜を形成することができる。When an organic resin film is used as a base of the DLC film 105 (first interlayer insulating film 104), a DLC film can be formed with a high yield.
【００５０】〔実施例２〕実施例１では画素マトリクス
回路に注目して説明したが、画素マトリクス回路に一体
形成されるドライバー回路上にブラックマスクを設ける
場合においても実施例１の構成を利用することは可能で
ある。[Embodiment 2] Although the embodiment 1 has been described focusing on the pixel matrix circuit, the configuration of the embodiment 1 is also used when a black mask is provided on a driver circuit formed integrally with the pixel matrix circuit. It is possible.
【００５１】ドライバー回路をも含めて本願発明を実施
した場合には、アクティブマトリクス基板の断面は図２
に示す様な構成となる。When the present invention is implemented including the driver circuit, the cross section of the active matrix substrate is shown in FIG.
The configuration is as shown in FIG.
【００５２】図２において、２０１は絶縁表面を有する
基板、２０２はＮチャネル型ＴＦＴ（ＮＴＦＴ）、２０
３はＰチャネル型ＴＦＴ（ＰＴＦＴ）であり、両者を相
補的に組み合わせてＣＭＯＳ回路を構成し、このＣＭＯ
Ｓ回路を利用してドライバー回路が構成される。また、
２０４は画素マトリクス回路を構成する画素ＴＦＴであ
る。In FIG. 2, reference numeral 201 denotes a substrate having an insulating surface; 202, an N-channel TFT (NTFT);
Reference numeral 3 denotes a P-channel type TFT (PTFT), which is complementarily combined to form a CMOS circuit.
A driver circuit is configured using the S circuit. Also,
Reference numeral 204 denotes a pixel TFT forming a pixel matrix circuit.
【００５３】本実施例の場合においても、ＴＦＴ上を遮
光するブラックマスクはアモルファスカーボン２０５と
遮光膜２０６との積層構造で構成される。ドライバー回
路では画素マトリクス回路の様な開口率を考慮する必要
がないので、図２に示す様にドライバー回路全体を覆っ
ても良い。Also in the case of the present embodiment, the black mask for shielding light on the TFT has a laminated structure of the amorphous carbon 205 and the light shielding film 206. Since the driver circuit does not need to consider the aperture ratio unlike the pixel matrix circuit, the entire driver circuit may be covered as shown in FIG.
【００５４】また、ドライバー回路を構成する個々のＴ
ＦＴ毎にブラックマスクを設けても良い。即ち、ＴＦＴ
が配置される箇所以外にはブラックマスク（ヒートシン
ク含む）を設けない構成でも良い。The individual Ts constituting the driver circuit
A black mask may be provided for each FT. That is, TFT
A configuration may be adopted in which a black mask (including a heat sink) is not provided except for a portion where is disposed.
【００５５】特に遮光膜２０６として導電膜を用いる場
合には下方の配線との間で寄生容量を形成する可能性も
あり、それを低減するためにもＴＦＴの上方など必要箇
所のみに選択的に設ける構成が有効である。In particular, when a conductive film is used as the light-shielding film 206, there is a possibility that a parasitic capacitance may be formed between the light-shielding film 206 and the wiring below the light-shielding film 206. The configuration provided is effective.
【００５６】また、基本的にドライバー回路の発熱源は
主にＴＦＴ自身であるので、ヒートシンク（アモルファ
スカーボン膜）は少なくともＴＦＴ上に設けられていれ
ば効果を得ることができる。Further, since the heat source of the driver circuit is mainly the TFT itself, the effect can be obtained if the heat sink (amorphous carbon film) is provided at least on the TFT.
【００５７】ドライバー回路はＴＦＴを高速動作させる
必要があるため、個々のＴＦＴの発熱量も大きい。特
に、本発明者らが特開平９−３１２２６０号公報に開示
した様な高性能なＴＦＴを用いた場合において本実施例
の構成は極めて有効である。Since the driver circuit needs to operate the TFTs at high speed, the heat generation of each TFT is large. In particular, the configuration of this embodiment is extremely effective when a high-performance TFT as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-313260 by the present inventors is used.
【００５８】〔実施例３〕本実施例では、画素マトリク
ス回路において画素ＴＦＴの上部のみに選択的にアモル
ファスカーボン膜を設ける構成について図３を用いて説
明する。[Embodiment 3] In this embodiment, a configuration in which an amorphous carbon film is selectively provided only above pixel TFTs in a pixel matrix circuit will be described with reference to FIG.
【００５９】図３は画素マトリクス回路を一部拡大した
図であり、３０１は画像表示領域、３０２はブラックマ
スクである。ブラックマスク３０２は黒色樹脂膜や金属
膜などの遮光膜からなり、画素ＴＦＴ、ゲイト配線及び
ソース配線を遮光する様に配置されている。FIG. 3 is a partially enlarged view of the pixel matrix circuit. Reference numeral 301 denotes an image display area, and 302 denotes a black mask. The black mask 302 is made of a light-shielding film such as a black resin film or a metal film, and is arranged so as to shield the pixel TFT, the gate wiring, and the source wiring from light.
【００６０】本実施例の構成では、画素ＴＦＴが配置さ
れる領域の上方のみに選択的にアモルファスカーボン膜
３０３を設けてＴＦＴから発した熱を放出する。従っ
て、本実施例ではブラックマスクとしての遮光膜３０２
と、ヒートシンクとしてのアモルファスカーボン膜３０
３とを別々に形成する。In the structure of this embodiment, the amorphous carbon film 303 is selectively provided only above the region where the pixel TFT is arranged, and the heat generated from the TFT is released. Therefore, in this embodiment, the light shielding film 302 as a black mask is used.
And an amorphous carbon film 30 as a heat sink
And 3 are formed separately.
【００６１】この様に配線部にはヒートシンクを設けな
い構成とすると、配線部に生じる段差を低減することが
できるので、ディスクリネーション（液晶の配向不良に
起因する表示不良）の発生を抑えることができる。When the wiring portion is not provided with a heat sink as described above, a step generated in the wiring portion can be reduced, so that the occurrence of disclination (display defect due to defective alignment of liquid crystal) can be suppressed. Can be.
【００６２】なお、本実施例の様に個々のＴＦＴの上部
に対応してアモルファスカーボン膜を設けるという構成
はドライバー回路に対しても適用できることは言うまで
もない。It is needless to say that the configuration in which an amorphous carbon film is provided on the upper part of each TFT as in this embodiment can be applied to a driver circuit.
【００６３】〔実施例４〕本実施例では、反射型液晶デ
ィスプレイに対してアモルファスカーボン膜を用いたヒ
ートシンクを設ける構成について図４を用いて説明す
る。[Embodiment 4] In this embodiment, a configuration in which a heat sink using an amorphous carbon film is provided for a reflection type liquid crystal display will be described with reference to FIG.
【００６４】反射型液晶ディスプレイは画素電極が反射
性を有する導電膜（アルミニウムを主成分とする材料
等）で形成されるため、透過型液晶ディスプレイの様に
開口率という概念がない。即ち、画素電極の下は完全に
デッドスペースとなり、自由に利用しうる領域となる。The reflection type liquid crystal display does not have the concept of the aperture ratio unlike the transmission type liquid crystal display because the pixel electrode is formed of a reflective conductive film (a material mainly composed of aluminum or the like). In other words, a dead space completely below the pixel electrode is a region that can be freely used.
【００６５】従って、反射型液晶ディスプレイを作製す
るにあたってはアモルファスカーボン膜の透過率を考慮
する必要がないため、図４に示す様に画素電極の下全面
に設ける様な構成も可能となる。Therefore, it is not necessary to consider the transmittance of the amorphous carbon film when fabricating the reflection type liquid crystal display, so that a structure in which the reflection type liquid crystal display is provided on the entire lower surface of the pixel electrode as shown in FIG. 4 is also possible.
【００６６】即ち、図４に示す様に、画素ＴＦＴ４０
１、４０２を覆う様にして形成された第１の層間絶縁膜
４０３の上には遮光膜のみでなるブラックマスク４０４
が所定の位置に配置され、それを覆って第２の層間絶縁
膜４０５が形成される。That is, as shown in FIG.
On the first interlayer insulating film 403 formed so as to cover the first and the second masks 402, a black mask 404 made of only a light-shielding film is provided.
Is disposed at a predetermined position, and a second interlayer insulating film 405 is formed so as to cover it.
【００６７】なお、第２の層間絶縁膜４０５としてはＤ
ＬＣ膜との密着性及びコンタクトホール形成時の加工性
を考慮すると有機樹脂膜が好ましい。The second interlayer insulating film 405 is made of D
An organic resin film is preferable in consideration of the adhesion to the LC film and the workability in forming the contact hole.
【００６８】そして、第２の層間絶縁膜４０５にアモル
ファスカーボン膜４０６を形成する。透過率を考慮する
必要がないので膜厚を厚くしても問題はない。従って、
膜剥がれが起こらない程度に厚く形成し、熱伝導効果を
高めることが好ましいと言える。実際には50〜200 nm
（代表的には 100〜150 nm）の膜厚とすれば良い。Then, an amorphous carbon film 406 is formed on the second interlayer insulating film 405. Since there is no need to consider the transmittance, there is no problem even if the film thickness is increased. Therefore,
It can be said that it is preferable to form the film so thick that the film does not peel off and enhance the heat conduction effect. Actually 50-200 nm
(Typically 100 to 150 nm).
【００６９】こうして第２の層間絶縁膜４０５上にアモ
ルファスカーボン膜４０６を形成したら、パターニング
によってコンタクトホールを形成する。コンタクトホー
ルを形成する際は、まずアモルファスカーボン膜４０６
を酸素プラズマ処理により開孔する。After the amorphous carbon film 406 is formed on the second interlayer insulating film 405, a contact hole is formed by patterning. When forming a contact hole, first, an amorphous carbon film 406 is formed.
Is opened by oxygen plasma treatment.
【００７０】そして、第２の層間絶縁膜４０５が有機樹
脂膜であればそのまま連続的に酸素プラズマ処理によっ
て画素ＴＦＴ４０１、４０２に達するまで開孔を形成す
ることが可能である。勿論、第２の層間絶縁膜として酸
化珪素膜等の無機膜を用いる場合にはフッ酸系のエッチ
ャント等を適宜使用すれば良い。Then, if the second interlayer insulating film 405 is an organic resin film, it is possible to continuously form openings by oxygen plasma treatment until the pixel TFTs 401 and 402 are reached. Of course, when an inorganic film such as a silicon oxide film is used as the second interlayer insulating film, a hydrofluoric acid-based etchant or the like may be used as appropriate.
【００７１】こうしてコンタクトホールを形成したら反
射性を有する導電膜を成膜してパターニングを行い、画
素電極４０７を形成する。画素電極４０７としては表面
反射率の高いアルミニウムまたはアルミニウムを主成分
とする材料が好適である。After the contact holes are formed in this way, a reflective conductive film is formed and patterned to form a pixel electrode 407. As the pixel electrode 407, aluminum having a high surface reflectance or a material mainly containing aluminum is preferable.
【００７２】以上の様にして、図４に示す様な構造のア
クティブマトリクス基板が実現する。この様な構成とす
ると、ＴＦＴの活性層で生じた熱の放出と、画素電極が
吸収した光による熱の放出とを効率よく行うことができ
る。As described above, an active matrix substrate having a structure as shown in FIG. 4 is realized. With such a configuration, it is possible to efficiently release heat generated in the active layer of the TFT and release heat due to light absorbed by the pixel electrode.
【００７３】画素電極の表面では入射光（光源からの
光）のごく一部が反射されずに吸収され、画素電極自体
が熱を持つ様になる。本実施例の構成では、こうして発
熱した画素電極にアモルファスカーボン膜を密着させて
設けることで、画素電極の蓄熱をも防ぐことが可能とな
る。On the surface of the pixel electrode, a very small part of the incident light (light from the light source) is absorbed without being reflected, and the pixel electrode itself has heat. In the configuration of the present embodiment, by providing an amorphous carbon film in close contact with the pixel electrode that has generated heat in this way, it is possible to prevent heat accumulation in the pixel electrode.
【００７４】〔実施例５〕本実施例では、遮光膜とアモ
ルファスカーボン膜との積層構造で構成されるブラック
マスクを補助容量として利用する構成について図５を用
いて説明する。[Embodiment 5] In this embodiment, a configuration in which a black mask having a laminated structure of a light shielding film and an amorphous carbon film is used as an auxiliary capacitor will be described with reference to FIG.
【００７５】図５（Ａ）において、５０１は画素ＴＦＴ
であり、その上に有機樹脂膜でなる第１の層間絶縁膜５
０２が形成されている。第２の層間絶縁膜５０２はドレ
イン電極５０３が露出する様に開口部が設けられ、開口
部を覆う様にアモルファスカーボン膜５０４と遮光膜５
０５とで構成されるブラックマスクをパターン形成す
る。In FIG. 5A, reference numeral 501 denotes a pixel TFT
And a first interlayer insulating film 5 made of an organic resin film thereon.
02 is formed. An opening is provided in the second interlayer insulating film 502 so that the drain electrode 503 is exposed, and the amorphous carbon film 504 and the light shielding film 5 are formed so as to cover the opening.
The pattern of the black mask composed of the pattern 05 is formed.
【００７６】なお、本実施例ではアモルファスカーボン
膜５０４を補助容量の誘電体として利用するので、絶縁
性の高い膜質が要求される。そのため、抵抗率の高いＤ
ＬＣ膜を用いることが好ましい。In this embodiment, since the amorphous carbon film 504 is used as a dielectric of an auxiliary capacitor, a film having high insulating properties is required. Therefore, D
It is preferable to use an LC film.
【００７７】また、本実施例では遮光膜５０５として導
電性を有する材料を用いる必要がある。代表的にはチタ
ン、クロムなど、抵抗率及び反射率の低い金属膜である
ことが好ましい。その他、チタンとアルミニウム合金と
を積層するなどして抵抗率を下げることも有効である。In this embodiment, it is necessary to use a material having conductivity as the light shielding film 505. Typically, a metal film with low resistivity and low reflectance, such as titanium or chromium, is preferable. In addition, it is also effective to reduce the resistivity by laminating titanium and an aluminum alloy.
【００７８】そして、第２の層間絶縁膜５０６を形成し
た後、コンタクトホールを形成して画素電極５０７を形
成する。ここで画素電極５０７を透明導電膜とすれば透
過型液晶ディスプレイとなる。After forming the second interlayer insulating film 506, a contact hole is formed to form a pixel electrode 507. Here, if the pixel electrode 507 is a transparent conductive film, a transmissive liquid crystal display is obtained.
【００７９】図５（Ａ）に示した構造でなる本実施例の
特徴は、ドレイン電極５０３を下部電極、遮光膜５０５
を上部電極とし、アモルファスカーボン膜５０４を誘電
体とする補助容量５０８を形成する点にある。そのた
め、アモルファスカーボン膜５０４はできるだけ比誘電
率が高く、絶縁耐圧が高い膜質となる様な条件で成膜す
ることが望ましい。The feature of this embodiment having the structure shown in FIG. 5A is that the drain electrode 503 is
Is used as an upper electrode and an auxiliary capacitor 508 is formed using the amorphous carbon film 504 as a dielectric. Therefore, it is preferable that the amorphous carbon film 504 be formed under such conditions that the dielectric constant is as high as possible and the withstand voltage is high.
【００８０】なお、透過型液晶ディスプレイの場合には
図５（Ａ）に示す様にドレイン電極５０３をＴＦＴに重
なる様に設けることで、開口率を犠牲にすることなく補
助容量の形成面積を増やすことができる。In the case of a transmission type liquid crystal display, the drain electrode 503 is provided so as to overlap the TFT as shown in FIG. 5A, so that the area for forming the auxiliary capacitance can be increased without sacrificing the aperture ratio. be able to.
【００８１】一方、反射型液晶ディスプレイ（図５
（Ｂ））の場合には、画素電極５０９の下がデッドスペ
ースとなっているので画素領域全体にドレイン電極５１
０を広げて形成し、その上にアモルファスカーボン膜５
１１と遮光膜５１２との積層構造で構成されるブラック
マスクを形成する。On the other hand, a reflection type liquid crystal display (FIG. 5)
In the case of (B)), since the space below the pixel electrode 509 is a dead space, the drain electrode 51 is formed over the entire pixel region.
And an amorphous carbon film 5 is formed thereon.
Then, a black mask having a laminated structure of the light-shielding film 512 and the light-shielding film 512 is formed.
【００８２】この様に、反射型液晶ディスプレイの場
合、画素面積を最大限に活用して補助容量５１３を形成
することができる。As described above, in the case of the reflection type liquid crystal display, the auxiliary capacitance 513 can be formed by making the most of the pixel area.
【００８３】以上の様に、アモルファスカーボン膜と遮
光膜との積層構造で構成されるブラックマスクは、ブラ
ックマスクとしての機能とヒートシンクとしての機能以
外に、さらに補助容量を形成する機能をも兼ねることが
できる。As described above, the black mask having the laminated structure of the amorphous carbon film and the light shielding film has not only the function as the black mask and the function as the heat sink but also has the function of forming an auxiliary capacitance. Can be.
【００８４】〔実施例６〕本実施例では実施例１〜５に
示した構成を含むアクティブマトリクス基板を用いてＡ
ＭＬＣＤを構成した場合の例について説明する。ここで
本実施例のＡＭＬＣＤの外観を図６に示す。[Embodiment 6] In this embodiment, an active matrix substrate having the structure shown in Embodiments 1 to 5 is used and A
An example in which an MLCD is configured will be described. Here, the appearance of the AMLCD of this embodiment is shown in FIG.
【００８５】図６において、６０１はアクティブマトリ
クス基板であり、画素マトリクス回路６０２、ソース側
駆動回路６０３、ゲイト側駆動回路６０４が形成されて
いる。駆動回路はＮＴＦＴとＰＴＦＴとを相補的に組み
合わせたＣＭＯＳ回路で構成することが好ましい。ま
た、６０５は対向基板である。In FIG. 6, reference numeral 601 denotes an active matrix substrate on which a pixel matrix circuit 602, a source side drive circuit 603, and a gate side drive circuit 604 are formed. It is preferable that the driving circuit is configured by a CMOS circuit in which NTFT and PTFT are complementarily combined. 605 is a counter substrate.
【００８６】図６に示すＡＭＬＣＤはアクティブマトリ
クス基板６０１と対向基板６０５とが端面を揃えて貼り
合わされている。ただし、ある一部だけは対向基板６０
５を取り除き、露出したアクティブマトリクス基板に対
してＦＰＣ（フレキシブル・プリント・サーキット）６
０６を接続してある。このＦＰＣ６０６によって外部信
号を回路内部へと伝達する。In the AMLCD shown in FIG. 6, an active matrix substrate 601 and a counter substrate 605 are bonded together with their end faces aligned. However, only a part of the counter substrate 60
5 and remove the FPC (flexible print circuit) 6 from the exposed active matrix substrate.
06 is connected. The FPC 606 transmits an external signal to the inside of the circuit.
【００８７】また、６０９はＣＭＯＳ回路を基本として
構成されるロジック回路であり、画像信号の変換や補正
等の処理を行う信号処理回路である。具体的には、Ａ／
Ｄコンバータ回路、γ補正回路、メモリ回路などが含ま
れる。Reference numeral 609 denotes a logic circuit basically formed of a CMOS circuit, which is a signal processing circuit for performing processing such as conversion and correction of an image signal. Specifically, A /
It includes a D converter circuit, a γ correction circuit, a memory circuit, and the like.
【００８８】勿論、本願発明を利用した電気光学装置は
図６に示した構成に限定されるものではなく、他の構成
としても良い。Of course, the electro-optical device using the present invention is not limited to the configuration shown in FIG. 6, but may have another configuration.
【００８９】〔実施例７〕本願発明の構成は、ＡＭＬＣ
Ｄ以外にも他の様々な電気光学装置や半導体回路に適用
することができる。[Embodiment 7] The construction of the present invention is similar to that of the AMLC
In addition to D, the present invention can be applied to various other electro-optical devices and semiconductor circuits.
【００９０】ＡＭＬＣＤ以外の電気光学装置としてはＥ
Ｌ（エレクトロルミネッセンス）表示装置やイメージセ
ンサ等を挙げることができる。As an electro-optical device other than AMLCD, E
Examples include an L (electroluminescence) display device and an image sensor.
【００９１】また、半導体回路としては、ＩＣチップで
構成されるマイクロプロセッサの様な演算処理回路、携
帯機器の入出力信号を扱う高周波モジュール（ＭＭＩＣ
など）が挙げられる。The semiconductor circuit includes an arithmetic processing circuit such as a microprocessor constituted by an IC chip, and a high-frequency module (MMIC) for handling input / output signals of a portable device.
Etc.).
【００９２】この様に本願発明はＴＦＴで構成される半
導体回路によって機能する全ての半導体装置に対して適
用することが可能である。As described above, the present invention can be applied to all semiconductor devices functioning with a semiconductor circuit composed of TFTs.
【００９３】〔実施例８〕実施例６、７に示した電気光
学装置や半導体回路は、様々な電子機器のディスプレイ
として利用される。なお、本実施例に挙げる電子機器と
は、アクティブマトリクス型液晶表示装置を搭載した製
品と定義する。[Embodiment 8] The electro-optical devices and semiconductor circuits described in Embodiments 6 and 7 are used as displays of various electronic apparatuses. Note that an electronic device described in this embodiment is defined as a product equipped with an active matrix liquid crystal display device.
【００９４】その様な電子機器としては、ビデオカメ
ラ、スチルカメラ、プロジェクター、プロジェクション
ＴＶ、ヘッドマウントディスプレイ、カーナビゲーショ
ン、パーソナルコンピュータ（ノート型を含む）、携帯
情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話等）などが
挙げられる。それらの一例を図７に示す。Examples of such electronic devices include a video camera, a still camera, a projector, a projection TV, a head-mounted display, a car navigation, a personal computer (including a notebook type), and a portable information terminal (a mobile computer, a mobile phone, etc.). Is mentioned. One example is shown in FIG.
【００９５】図７（Ａ）は携帯電話であり、本体２００
１、音声出力部２００２、音声入力部２００３、表示装
置２００４、操作スイッチ２００５、アンテナ２００６
で構成される。本願発明は音声出力部２００２、音声入
力部２００３、表示装置２００４等に適用することがで
きる。FIG. 7A shows a mobile phone, and a main body 200.
1, audio output unit 2002, audio input unit 2003, display device 2004, operation switch 2005, antenna 2006
It consists of. The present invention can be applied to the audio output unit 2002, the audio input unit 2003, the display device 2004, and the like.
【００９６】図７（Ｂ）はビデオカメラであり、本体２
１０１、表示装置２１０２、音声入力部２１０３、操作
スイッチ２１０４、バッテリー２１０５、受像部２１０
６で構成される。本願発明は表示装置２１０２、音声入
力部２１０３、受像部２１０６に適用することができ
る。FIG. 7B shows a video camera,
101, display device 2102, audio input unit 2103, operation switch 2104, battery 2105, image receiving unit 210
6. The present invention can be applied to the display device 2102, the sound input unit 2103, and the image receiving unit 2106.
【００９７】図７（Ｃ）はモバイルコンピュータ（モー
ビルコンピュータ）であり、本体２２０１、カメラ部２
２０２、受像部２２０３、操作スイッチ２２０４、表示
装置２２０５で構成される。本願発明は受像部２２０
３、表示装置２２０５等に適用できる。FIG. 7C shows a mobile computer (mobile computer), which includes a main body 2201 and a camera section 2.
202, an image receiving unit 2203, operation switches 2204, and a display device 2205. The present invention is applied to the image receiving section 220.
3. Applicable to the display device 2205 and the like.
【００９８】図７（Ｄ）はヘッドマウントディスプレイ
であり、本体２３０１、表示装置２３０２、バンド部２
３０３で構成される。本発明は表示装置２３０２に適用
することができる。FIG. 7D shows a head mounted display, which includes a main body 2301, a display device 2302, and a band 2
303. The present invention can be applied to the display device 2302.
【００９９】図７（Ｅ）はリア型プロジェクターであ
り、本体２４０１、光源２４０２、表示装置２４０３、
偏光ビームスプリッタ２４０４、リフレクター２４０
５、２４０６、スクリーン２４０７で構成される。本発
明は表示装置２４０３に適用することができる。FIG. 7E shows a rear type projector, which includes a main body 2401, a light source 2402, a display device 2403,
Polarizing beam splitter 2404, reflector 240
5, 2406 and a screen 2407. The invention can be applied to the display device 2403.
【０１００】図７（Ｆ）はフロント型プロジェクターで
あり、本体２５０１、光源２５０２、表示装置２５０
３、光学系２５０４、スクリーン２５０５で構成され
る。本発明は表示装置２５０３に適用することができ
る。FIG. 7F shows a front type projector, which includes a main body 2501, a light source 2502, and a display device 250.
3. It comprises an optical system 2504 and a screen 2505. The invention can be applied to the display device 2503.
【０１０１】以上の様に、本願発明の適用範囲は極めて
広く、あらゆる分野の電子機器に適用することが可能で
ある。また、他にも電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレ
イなどにも活用することができる。As described above, the applicable range of the present invention is extremely wide, and can be applied to electronic devices in various fields. In addition, the present invention can be used for an electronic bulletin board, a display for advertising, and the like.
【０１０２】[0102]
【発明の効果】本願発明を実施することで、ＴＦＴの自
己発熱やバックライト光の照射によって発生した熱を効
率よく外部へ放出し、熱の蓄積によるＴＦＴの熱劣化お
よび液晶材料の熱劣化を防ぐことができる。By implementing the present invention, the heat generated by the self-heating of the TFT and the irradiation of the backlight is efficiently released to the outside, and the thermal degradation of the TFT and the thermal degradation of the liquid crystal material due to the accumulation of the heat are prevented. Can be prevented.
【０１０３】その結果、信頼性の高い電気光学装置や半
導体回路並びにそれらを搭載した電子機器を実現するこ
とが可能である。As a result, it is possible to realize a highly reliable electro-optical device and semiconductor circuit and an electronic apparatus equipped with them.
【図１】 アクティブマトリクス基板の構成を示す
図。FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of an active matrix substrate.
【図２】 アクティブマトリクス基板の構成を示す
図。FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration of an active matrix substrate.
【図３】 画素マトリクス回路の構成を示す図。FIG. 3 illustrates a structure of a pixel matrix circuit.
【図４】 アクティブマトリクス基板の構成を示す
図。FIG. 4 is a diagram showing a configuration of an active matrix substrate.
【図５】 アクティブマトリクス基板の構成を示す
図。FIG. 5 is a diagram showing a configuration of an active matrix substrate.
【図６】 液晶ディスプレイの構成を示す図。FIG. 6 illustrates a configuration of a liquid crystal display.
【図７】 電子機器の構成を示す図。FIG. 7 illustrates a structure of an electronic device.
Claims (15)
る半導体回路を有する半導体装置であって、 前記半導体回路の少なくとも一部は、当該半導体回路が
形成された基板上に設けられた遮光膜で覆われ、 前記遮光膜で遮光された領域内に選択的にアモルファス
カーボン膜が形成されていることを特徴とする半導体装
置。1. A semiconductor device having a semiconductor circuit including a plurality of TFTs formed on the same substrate, wherein at least a part of the semiconductor circuit is provided on a substrate on which the semiconductor circuit is formed. A semiconductor device, wherein an amorphous carbon film is selectively formed in a region covered with a film and shielded from light by the light-shielding film.
ボン膜と前記遮光膜とは同一形状のパターンであること
を特徴とする半導体装置。2. The semiconductor device according to claim 1, wherein said amorphous carbon film and said light-shielding film have the same pattern.
る半導体回路を有する半導体装置であって、 前記半導体回路の上には所定箇所を遮光する様にブラッ
クマスクが設けられており、当該ブラックマスクは遮光
膜とアモルファスカーボン膜との積層構造からなること
を特徴とする半導体装置。3. A semiconductor device having a semiconductor circuit comprising a plurality of TFTs formed on the same substrate, wherein a black mask is provided on the semiconductor circuit so as to shield a predetermined portion from light. A semiconductor device, wherein the black mask has a laminated structure of a light shielding film and an amorphous carbon film.
Ｔ及び／又は電極配線が形成された領域であることを特
徴とする半導体装置。4. The method according to claim 3, wherein the predetermined location is TF
A semiconductor device characterized by being a region where T and / or electrode wiring is formed.
膜とは黒色樹脂膜または導電膜であることを特徴とする
半導体装置。5. The semiconductor device according to claim 1, wherein the light shielding film is a black resin film or a conductive film.
ルファスカーボン膜はｓｐ3 結合を主体とする炭素また
は炭素を主成分とする材料であることを特徴とする半導
体装置。6. A semiconductor device according to claim 1, wherein said amorphous carbon film is made of carbon mainly containing sp 3 bonds or a material mainly containing carbon.
れた複数の画素電極を有する画素マトリクス回路を含む
半導体装置であって、 前記画素電極は絶縁膜上に設けられた反射性を有する導
電膜からなり、且つ、前記絶縁膜と前記画素電極との間
にはアモルファスカーボン膜が設けられていることを特
徴とする半導体装置。7. A semiconductor device including a pixel matrix circuit having a plurality of pixel electrodes arranged in a matrix on the same substrate, wherein the pixel electrode is formed of a reflective conductive film provided on an insulating film. A semiconductor device, wherein an amorphous carbon film is provided between the insulating film and the pixel electrode.
れた複数の画素ＴＦＴを構成に含む半導体装置であっ
て、 前記画素ＴＦＴ上の層間絶縁膜には開口部が設けられ、
当該開口部はアモルファスカーボン膜と導電性を有する
遮光膜とで構成された積層膜で覆われ、 前記画素ＴＦＴのドレイン電極と前記遮光膜とで前記ア
モルファスカーボン膜を誘電体とする補助容量を形成し
ていることを特徴とする半導体装置。8. A semiconductor device including a plurality of pixel TFTs arranged in a matrix on the same substrate, wherein an opening is provided in an interlayer insulating film on the pixel TFTs.
The opening is covered with a laminated film composed of an amorphous carbon film and a light-shielding film having conductivity, and a drain electrode of the pixel TFT and the light-shielding film form an auxiliary capacitance using the amorphous carbon film as a dielectric. A semiconductor device characterized in that:
ミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、アクリルから選
ばれた一種または複数種の材料からなる有機樹脂膜であ
ることを特徴とする半導体装置。9. The semiconductor device according to claim 8, wherein the insulating film is an organic resin film made of one or more materials selected from polyimide, polyamide, polyimide amide, and acrylic.
ーボン膜はｓｐ3 結合を主体とする炭素または炭素を主
成分とする材料であることを特徴とする半導体装置。10. The semiconductor device according to claim 8, wherein said amorphous carbon film is made of carbon mainly containing sp 3 bonds or a material mainly containing carbon.
アモルファスカーボン膜と遮光膜とを順次積層する工程
と、 前記アモルファスカーボン膜及び遮光膜を連続的にエッ
チングして同一形状にパターン形成する工程と、 を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。11. A step of sequentially laminating an amorphous carbon film and a light-shielding film on an insulating film formed on a plurality of TFTs, and forming the same shape by continuously etching the amorphous carbon film and the light-shielding film. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:
おいて、前記ＴＦＴの上方にのみアモルファスカーボン
膜からなるパターンを形成する工程と、 前記アモルファスカーボン膜を覆って遮光膜からなるパ
ターンを形成する工程と、 を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。12. A step of forming a pattern made of an amorphous carbon film only above the TFT on an insulating film formed on a plurality of TFTs, and forming a pattern made of a light shielding film covering the amorphous carbon film. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:
された複数の画素ＴＦＴを構成に含む半導体装置の作製
方法であって、 前記複数の画素ＴＦＴの各々が有するドレイン電極上に
おいて、当該複数の画素ＴＦＴを覆う絶縁膜に開口部を
設ける工程と、 前記開口部を覆ってアモルファスカーボン膜と導電性を
有する遮光膜とで構成される積層膜を形成する工程と、 を有し、 前記ドレイン電極と前記遮光膜とで前記アモルファスカ
ーボン膜を誘電体とする補助容量を形成することを特徴
とする半導体装置の作製方法。13. A method of manufacturing a semiconductor device including a plurality of pixel TFTs arranged in a matrix on the same substrate, wherein the plurality of pixel TFTs are formed on a drain electrode of each of the plurality of pixel TFTs. Providing an opening in an insulating film covering the TFT; and forming a laminated film comprising an amorphous carbon film and a light-shielding film having conductivity covering the opening, comprising: A method for manufacturing a semiconductor device, comprising forming an auxiliary capacitor using the amorphous carbon film as a dielectric with the light-shielding film.
記絶縁膜とはポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミ
ド、アクリルから選ばれた一種または複数種の材料から
なる有機樹脂膜であることを特徴とする半導体装置の作
製方法。14. A semiconductor according to claim 11, wherein said insulating film is an organic resin film made of one or more materials selected from polyimide, polyamide, polyimide amide and acrylic. Method for manufacturing the device.
記アモルファスカーボン膜はｓｐ3 結合を主体とする炭
素または炭素を主成分とする材料であることを特徴とす
る半導体装置の作製方法。15. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 11, wherein the amorphous carbon film is made of carbon mainly containing sp 3 bonds or a material mainly containing carbon.
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|---|---|---|---|
| JP36505597A JP4076613B2 (en) | 1997-12-19 | 1997-12-19 | Semiconductor device |
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| JP36505597A JP4076613B2 (en) | 1997-12-19 | 1997-12-19 | Semiconductor device |
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| JP36505597A Expired - Lifetime JP4076613B2 (en) | 1997-12-19 | 1997-12-19 | Semiconductor device |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4076613B2 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002208478A (en) * | 2000-12-23 | 2002-07-26 | Lg Philips Lcd Co Ltd | Electroluminescent element |
| JP2011232764A (en) * | 2011-06-07 | 2011-11-17 | Panasonic Corp | El display device |
| JP2013068964A (en) * | 2012-11-30 | 2013-04-18 | Panasonic Corp | El display device |
-
1997
- 1997-12-19 JP JP36505597A patent/JP4076613B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002208478A (en) * | 2000-12-23 | 2002-07-26 | Lg Philips Lcd Co Ltd | Electroluminescent element |
| US7495390B2 (en) | 2000-12-23 | 2009-02-24 | Lg Display Co., Ltd. | Electro-luminescence device with improved thermal conductivity |
| JP2011232764A (en) * | 2011-06-07 | 2011-11-17 | Panasonic Corp | El display device |
| JP2013068964A (en) * | 2012-11-30 | 2013-04-18 | Panasonic Corp | El display device |
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| JP4076613B2 (en) | 2008-04-16 |
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