JPH11186483A - 半導体装置用リードフレーム - Google Patents
半導体装置用リードフレームInfo
- Publication number
- JPH11186483A JPH11186483A JP35328097A JP35328097A JPH11186483A JP H11186483 A JPH11186483 A JP H11186483A JP 35328097 A JP35328097 A JP 35328097A JP 35328097 A JP35328097 A JP 35328097A JP H11186483 A JPH11186483 A JP H11186483A
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- JP
- Japan
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- lead frame
- layer
- heat treatment
- plating
- semiconductor device
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 チップ搭載時やモード樹脂硬化時の熱処理に
よって発生するＰｄの酸化物を極端に減少させ、またＡ
ｕやＡｇなどの貴金属をＰｄ層上に設けることなく、Ｐ
ｄめっき層も薄く、半田濡れ性が熱処理工程によっても
劣化しない、経済的で信頼性の高い半導体装置用リード
フレームを提供すること。 【解決手段】（１） リードフレーム素材上に、中間層
としてニッケル（Ｎｉ）またはニッケル合金層、最上層
としてパラジウム（Ｐｄ）−ヨウ素（Ｉ）合金層からな
ることを特徴とする半導体装置用リードフレーム。 （２） 最上層のＰｄ−Ｉ合金めっきは、その厚みが
０．００５〜１．０μｍであり、ヨウ素（Ｉ）含有率が
０．１〜５０重量％である。
よって発生するＰｄの酸化物を極端に減少させ、またＡ
ｕやＡｇなどの貴金属をＰｄ層上に設けることなく、Ｐ
ｄめっき層も薄く、半田濡れ性が熱処理工程によっても
劣化しない、経済的で信頼性の高い半導体装置用リード
フレームを提供すること。 【解決手段】（１） リードフレーム素材上に、中間層
としてニッケル（Ｎｉ）またはニッケル合金層、最上層
としてパラジウム（Ｐｄ）−ヨウ素（Ｉ）合金層からな
ることを特徴とする半導体装置用リードフレーム。 （２） 最上層のＰｄ−Ｉ合金めっきは、その厚みが
０．００５〜１．０μｍであり、ヨウ素（Ｉ）含有率が
０．１〜５０重量％である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣの枠構造を形
成する半導体装置用リードフレームに関するものであ
る。
成する半導体装置用リードフレームに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】リードフレームは、ＩＣ、ＬＳＩ個別半
導体などのリードを支えている枠構造である。図２に示
すように、ＩＣチップを搭載するパット部、ワイヤーボ
ンディングをするインナーリード部、プリント配線基板
へはんだ付けをするアウターリード部から成っている。
導体などのリードを支えている枠構造である。図２に示
すように、ＩＣチップを搭載するパット部、ワイヤーボ
ンディングをするインナーリード部、プリント配線基板
へはんだ付けをするアウターリード部から成っている。
【０００３】従来、半導体装置用リードフレームには、
リードフレームのチップ搭載部とワイヤーボンディング
部の最上層にＡｇまたはＡｇ合金めっきが設けられ、ま
たアウターリード部の最上層にはＳｎまたはＳｎ合金層
が設けられている。このような構造のリードフレームを
作るにはめっきマスクが必要であるため、製造工程が複
雑になり、製造コストも高くなる。
リードフレームのチップ搭載部とワイヤーボンディング
部の最上層にＡｇまたはＡｇ合金めっきが設けられ、ま
たアウターリード部の最上層にはＳｎまたはＳｎ合金層
が設けられている。このような構造のリードフレームを
作るにはめっきマスクが必要であるため、製造工程が複
雑になり、製造コストも高くなる。
【０００４】このため、これに代るものとしてリードフ
レーム全面に中間層としてＮｉめっき、また最外層とし
てＰｄめっきを施したリードフレームが、特公昭６３−
４９３８２号公報に開示されている。しかし、この構造
のリードフレームも、熱処理工程を経ると表面層のＰｄ
が酸化し、半田濡れ性を劣化させる。
レーム全面に中間層としてＮｉめっき、また最外層とし
てＰｄめっきを施したリードフレームが、特公昭６３−
４９３８２号公報に開示されている。しかし、この構造
のリードフレームも、熱処理工程を経ると表面層のＰｄ
が酸化し、半田濡れ性を劣化させる。
【０００５】また、このＰｄの酸化防止層として、Ａｕ
やＡｇのめっき皮膜をＰｄ上に設ける構造のものが、特
開平４−１１５５５８号公報に開示されている。しか
し、この構造のリードフレームは、貴金属であるＡｕや
Ａｇをリードフレーム全面にメッキするために製造コス
トが高くなる。
やＡｇのめっき皮膜をＰｄ上に設ける構造のものが、特
開平４−１１５５５８号公報に開示されている。しか
し、この構造のリードフレームは、貴金属であるＡｕや
Ａｇをリードフレーム全面にメッキするために製造コス
トが高くなる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、チッ
プ搭載時やモード樹脂硬化時の熱処理によって発生する
Ｐｄの酸化物を極端に減少させ、またＡｕやＡｇなどの
貴金属をＰｄ層上に設けることなく、Ｐｄめっき層も薄
くて、半田濡れ性が熱処理工程によって劣化しなくな
り、経済的で信頼性の高い半導体装置用リードフレーム
を提供することにある。
プ搭載時やモード樹脂硬化時の熱処理によって発生する
Ｐｄの酸化物を極端に減少させ、またＡｕやＡｇなどの
貴金属をＰｄ層上に設けることなく、Ｐｄめっき層も薄
くて、半田濡れ性が熱処理工程によって劣化しなくな
り、経済的で信頼性の高い半導体装置用リードフレーム
を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、下記の事項を
その特徴としている。 （１） リードフレーム素材上に、中間層としてニッケ
ル（Ｎｉ）またはニッケル合金層、最上層としてパラジ
ウム（Ｐｄ）−ヨウ素（Ｉ）合金層からなることを特徴
とする半導体装置用リードフレーム。 （２） 最上層のＰｄ−Ｉ合金めっきは、その厚みが
０．００５〜１．０μｍであり、ヨウ素（Ｉ）含有率が
０．１〜５０重量％であることを特徴とする前記（１）
に記載の半導体装置用リードフレーム。
その特徴としている。 （１） リードフレーム素材上に、中間層としてニッケ
ル（Ｎｉ）またはニッケル合金層、最上層としてパラジ
ウム（Ｐｄ）−ヨウ素（Ｉ）合金層からなることを特徴
とする半導体装置用リードフレーム。 （２） 最上層のＰｄ−Ｉ合金めっきは、その厚みが
０．００５〜１．０μｍであり、ヨウ素（Ｉ）含有率が
０．１〜５０重量％であることを特徴とする前記（１）
に記載の半導体装置用リードフレーム。
【０００８】以下に、本発明を詳細に説明する。本発明
のリードフレームは、図１に示すように、リードフレー
ム素材１上の全面もしくは必要部分に、中間層２、およ
び最上層３が順次形成されている。各々のめっき層は、
電解めっき方法、無電解めっき方法のいずれの方法によ
っても良い。
のリードフレームは、図１に示すように、リードフレー
ム素材１上の全面もしくは必要部分に、中間層２、およ
び最上層３が順次形成されている。各々のめっき層は、
電解めっき方法、無電解めっき方法のいずれの方法によ
っても良い。
【０００９】リードフレーム素材としては、純Ｃｕ、Ｃ
ｕ−Ｓｎ合金、Ｃｕ−Ｚｒ合金、Ｃｕ−Ｆｅ合金、Ｃｕ
−Ｚｎ合金、純Ｆｅ、Ｆｅ−Ｎｉ合金、普通銅、Ａｌク
ラッド材、第三元素を添加した三元合金などが用いられ
る。
ｕ−Ｓｎ合金、Ｃｕ−Ｚｒ合金、Ｃｕ−Ｆｅ合金、Ｃｕ
−Ｚｎ合金、純Ｆｅ、Ｆｅ−Ｎｉ合金、普通銅、Ａｌク
ラッド材、第三元素を添加した三元合金などが用いられ
る。
【００１０】中間層となるＮｉやＮｉ合金層は、リード
フレーム素材金属元素が最上層のＰｄ−Ｉ合金層に拡散
することを抑制するために設けられた層である。
フレーム素材金属元素が最上層のＰｄ−Ｉ合金層に拡散
することを抑制するために設けられた層である。
【００１１】最上層のＰｄ−Ｉ合金めっき層の厚みは、
０．００５μｍ〜１．０μｍが好通である。これは、
０．００５μｍより薄いとワイヤーボンディング性及び
半田濡れ性が劣化し、１．０μｍ以上では貴金属を使用
するのでコスト高となるからである。
０．００５μｍ〜１．０μｍが好通である。これは、
０．００５μｍより薄いとワイヤーボンディング性及び
半田濡れ性が劣化し、１．０μｍ以上では貴金属を使用
するのでコスト高となるからである。
【００１２】また、ヨウ素（Ｉ）含有率は０．１〜５０
重量％が好適であり、０．１重量％未満では熱処理後の
半田濡れ性が劣化し、５０重量％より多いとワイヤーボ
ンディング性が劣化する。
重量％が好適であり、０．１重量％未満では熱処理後の
半田濡れ性が劣化し、５０重量％より多いとワイヤーボ
ンディング性が劣化する。
【００１３】本発明のリードフレームは、めっき後その
まま半導体装置用リードフレームとして良いし、まため
っき後熱処理を行なって半導体装置用リードフレームと
しても良い。
まま半導体装置用リードフレームとして良いし、まため
っき後熱処理を行なって半導体装置用リードフレームと
しても良い。
【００１４】本発明のリードフレームは、熱処理工程を
経ても半田濡れ性の劣化が極めて少ない。その理由は、
ヨウ素未含有のＰｄ皮膜では、熱処理後Ｐｄ酸化層が形
成され、このＰｄ酸化層は通常用いられている非活性フ
ラックスでは酸化膜除去できず半田濡れ性不良が発生す
るのに対して、Ｐｄ−Ｉめっき皮膜では熱処理後でも酸
化層の発生がほとんどなく、非活性フラックスでも半田
濡れ不良を起こさないからである。
経ても半田濡れ性の劣化が極めて少ない。その理由は、
ヨウ素未含有のＰｄ皮膜では、熱処理後Ｐｄ酸化層が形
成され、このＰｄ酸化層は通常用いられている非活性フ
ラックスでは酸化膜除去できず半田濡れ性不良が発生す
るのに対して、Ｐｄ−Ｉめっき皮膜では熱処理後でも酸
化層の発生がほとんどなく、非活性フラックスでも半田
濡れ不良を起こさないからである。
【００１５】
【実施例】以下に、本発明を実施例および比較例に基づ
いてさらに説明する。実施例１、比較例１ 銅合金基材のリードフレームの表面に、常法により脱脂
及び活性化を行った後、全面に中間層として厚さ１μｍ
のＮｉめっきを施し、次に厚さ０．１μｍ、ヨウ素
（Ｉ）含有率１１％のＰｄ−Ｉめっきを施してリードフ
レームを得た（実施例１）。
いてさらに説明する。実施例１、比較例１ 銅合金基材のリードフレームの表面に、常法により脱脂
及び活性化を行った後、全面に中間層として厚さ１μｍ
のＮｉめっきを施し、次に厚さ０．１μｍ、ヨウ素
（Ｉ）含有率１１％のＰｄ−Ｉめっきを施してリードフ
レームを得た（実施例１）。
【００１６】また比較例１として、実施例１におけるＰ
ｄ−Ｉめっきの替わりにＰｄめっき０．１μｍをして、
リードフレームを製作した。
ｄ−Ｉめっきの替わりにＰｄめっき０．１μｍをして、
リードフレームを製作した。
【００１７】得られたリードフレームについて、ワイヤ
ーボンディング性評価と半田濡れ性評価を行なった。ワ
イヤボンディング性評価試験は、直径２５μｍの金線を
用いて、荷重１２０ｇ、温度２００℃、超音波９５０ｍ
ｗ（ミリワット）、９０ｍｓ（ミリ秒）にてワイヤーボ
ンディングを行ない、ピールゲージで引張強度を測定し
た。
ーボンディング性評価と半田濡れ性評価を行なった。ワ
イヤボンディング性評価試験は、直径２５μｍの金線を
用いて、荷重１２０ｇ、温度２００℃、超音波９５０ｍ
ｗ（ミリワット）、９０ｍｓ（ミリ秒）にてワイヤーボ
ンディングを行ない、ピールゲージで引張強度を測定し
た。
【００１８】半田濡れ性評価試験は、めっき後、３３０
℃で６０秒、３６０℃で６０秒の各加熱処理後にメニス
コケラフ法により行なった。半田付け条件は、ロンジ系
非活性型のαメタル社のＲ−１００フラックスを浸漬塗
布して２３０±１℃の６３％Ｓｎ−３７％Ｐｄ半田浴に
浸漬して、ゼロクロス時間を測定した。
℃で６０秒、３６０℃で６０秒の各加熱処理後にメニス
コケラフ法により行なった。半田付け条件は、ロンジ系
非活性型のαメタル社のＲ−１００フラックスを浸漬塗
布して２３０±１℃の６３％Ｓｎ−３７％Ｐｄ半田浴に
浸漬して、ゼロクロス時間を測定した。
【００１９】各種試験に供したリードフレームの構成
を、表１に示す。また、ボンディング性評価試験結果及
び半田濡れ性評価試験結果を、表２に示す。表２におい
て、評価Ａは優れたもの、Ｂはやや良いもの、Ｃはやや
悪いもの、Ｄは悪いものを示す。
を、表１に示す。また、ボンディング性評価試験結果及
び半田濡れ性評価試験結果を、表２に示す。表２におい
て、評価Ａは優れたもの、Ｂはやや良いもの、Ｃはやや
悪いもの、Ｄは悪いものを示す。
【００２０】また、実施例１と比較例１のリードフレー
ムの３３０℃６０秒加熱処理前後におけるオージェ分析
装置による表面分析結果を、表３及び図３〜図６に示
す。これによると、本発明実施例のＰｄ−Ｉめっきの熱
処理前（図３）と、熱処理後（図４）を比較すると、Ｐ
ｄと酸素は殆んど変化がない。すなわち、３６０℃×６
０秒の熱処理を施しても表面状態は変化していない。こ
れに対し、比較例のＰｄめっき（Ｉを含んでいない）の
熱処理前（図５）と熱処理後（図６）を比較すると、熱
処理によりＰｄは大幅に減少し、逆に酸素は増加してい
る。このことは、Ｉを含んでいないＰｄめっきを３６０
℃×６０秒の熱処理を行うと、Ｐｄの酸化物層が出来て
表面状態が変化し、耐熱性が劣ることとなる。
ムの３３０℃６０秒加熱処理前後におけるオージェ分析
装置による表面分析結果を、表３及び図３〜図６に示
す。これによると、本発明実施例のＰｄ−Ｉめっきの熱
処理前（図３）と、熱処理後（図４）を比較すると、Ｐ
ｄと酸素は殆んど変化がない。すなわち、３６０℃×６
０秒の熱処理を施しても表面状態は変化していない。こ
れに対し、比較例のＰｄめっき（Ｉを含んでいない）の
熱処理前（図５）と熱処理後（図６）を比較すると、熱
処理によりＰｄは大幅に減少し、逆に酸素は増加してい
る。このことは、Ｉを含んでいないＰｄめっきを３６０
℃×６０秒の熱処理を行うと、Ｐｄの酸化物層が出来て
表面状態が変化し、耐熱性が劣ることとなる。
【００２１】実施例２、比較例２ 銅合金基材のリードフレームの表面に、常法により脱脂
及び活性化を行なった後、全面に中間層として厚さ１μ
ｍのＮｉめっき、次に厚さ０．０５μｍ、ヨウ素（Ｉ）
含有率３％のＰｄ−Ｉめっきを施してリードフレームを
得た（実施例２）。
及び活性化を行なった後、全面に中間層として厚さ１μ
ｍのＮｉめっき、次に厚さ０．０５μｍ、ヨウ素（Ｉ）
含有率３％のＰｄ−Ｉめっきを施してリードフレームを
得た（実施例２）。
【００２２】また、比較例２として、実施例２における
Ｐｄ−Ｉめっきに替わりにＰｄめっき０．０５μｍをし
て、リードフレームを製作した。
Ｐｄ−Ｉめっきに替わりにＰｄめっき０．０５μｍをし
て、リードフレームを製作した。
【００２３】得られたリードフレームについて、実施例
１と同様に、ワイヤーボンディング性評価と半田濡れ性
評価を行った。その結果を、表２に示す。
１と同様に、ワイヤーボンディング性評価と半田濡れ性
評価を行った。その結果を、表２に示す。
【００２４】実施例３、比較例３ 銅合金基材のリードフレームの表面に、常法により脱脂
及び活性化を行なった後、全面に中間層として厚さ１μ
ｍのＮｉめっき、次に厚さ０．３μｍでヨウ素（Ｉ）含
有率０．１％のＰｄ−Ｉめっきを施してリードフレーム
を得た（実施例３）。
及び活性化を行なった後、全面に中間層として厚さ１μ
ｍのＮｉめっき、次に厚さ０．３μｍでヨウ素（Ｉ）含
有率０．１％のＰｄ−Ｉめっきを施してリードフレーム
を得た（実施例３）。
【００２５】また、比較例３として、実施例３における
Ｐｄ−Ｉめっきに替わりにＰｄめっき０．３μｍをし
て、リードフレームを製作した。
Ｐｄ−Ｉめっきに替わりにＰｄめっき０．３μｍをし
て、リードフレームを製作した。
【００２６】得られたリードフレームについて、実施例
３と同様に、ワイヤボンディング性評価と半田濡れ性評
価を行なった。その結果を、表２に示す。
３と同様に、ワイヤボンディング性評価と半田濡れ性評
価を行なった。その結果を、表２に示す。
【００２７】表２に示すように、本発明の実施例のリー
ドフレームは熱処理工程を経ても半田濡れ性が良好であ
るが、ヨウ素を含まない比較例のものは半田濡れ不良が
発生している。
ドフレームは熱処理工程を経ても半田濡れ性が良好であ
るが、ヨウ素を含まない比較例のものは半田濡れ不良が
発生している。
【００２８】
【表１】
【００２９】
【表２】
【００３０】
【表３】
【００３１】
【発明の効果】本発明のリードフレームは、従来品に比
べ耐熱性があり、半田濡れ性が優れており、かつ製造工
程が単純であり、経済性と信頼性が大きい。
べ耐熱性があり、半田濡れ性が優れており、かつ製造工
程が単純であり、経済性と信頼性が大きい。
【図１】本発明の半導体装置用リードフレームの製造を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】一般的な半導体装置用リードフレームの枠構造
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図３】本発明の実施例１（１）の熱処理前の試料につ
いてのオージン分析装置による表面分析結果を示すグラ
フである。
いてのオージン分析装置による表面分析結果を示すグラ
フである。
【図４】本発明の実施例１（２）の熱処理後の試料につ
いてのオージン分析装置による表面分析結果を示すグラ
フである。
いてのオージン分析装置による表面分析結果を示すグラ
フである。
【図５】比較例１（１）の熱処理前の試料についてのオ
ージン分析装置による表面分析結果を示すグラフであ
る。
ージン分析装置による表面分析結果を示すグラフであ
る。
【図６】比較例１（２）の熱処理後の試料についてのオ
ージン分析装置による表面分析結果を示すグラフであ
る。
ージン分析装置による表面分析結果を示すグラフであ
る。
１ 素材 ２ 中間層 ３ 最上層 ４ パッド部 ５ インナーリード部 ６ アウターリード部 ７ ダムバー ８ ガイドレール
Claims (2)
- 【請求項１】リードフレーム素材上に、中間層としてニ
ッケル（Ｎｉ）またはニッケル合金層、最上層としてパ
ラジウム（Ｐｄ）−ヨウ素（Ｉ）合金層からなることを
特徴とする、半導体装置用リードフレーム。 - 【請求項２】最上層であるパラジウム−ヨウ素合金層
は、その厚みが０．００５〜１．０μｍであり、ヨウ素
含有率が０．１〜５０重量％であることを特徴とする請
求項１に記載の半導体装置用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35328097A JPH11186483A (ja) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | 半導体装置用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35328097A JPH11186483A (ja) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | 半導体装置用リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11186483A true JPH11186483A (ja) | 1999-07-09 |
Family
ID=18429773
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35328097A Pending JPH11186483A (ja) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | 半導体装置用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11186483A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005311353A (ja) * | 2004-04-16 | 2005-11-04 | Samsung Techwin Co Ltd | リードフレーム及びその製造方法 |
| JP2012241260A (ja) * | 2011-05-23 | 2012-12-10 | Kanto Gakuin | 電解パラジウム−リン合金めっき液、めっき被膜及びめっき製品 |
-
1997
- 1997-12-22 JP JP35328097A patent/JPH11186483A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005311353A (ja) * | 2004-04-16 | 2005-11-04 | Samsung Techwin Co Ltd | リードフレーム及びその製造方法 |
| JP2012241260A (ja) * | 2011-05-23 | 2012-12-10 | Kanto Gakuin | 電解パラジウム−リン合金めっき液、めっき被膜及びめっき製品 |
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