JPH11185940A - Ceramic heater for manufacturing semiconductor element - Google Patents
Ceramic heater for manufacturing semiconductor elementInfo
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- JPH11185940A JPH11185940A JP35692897A JP35692897A JPH11185940A JP H11185940 A JPH11185940 A JP H11185940A JP 35692897 A JP35692897 A JP 35692897A JP 35692897 A JP35692897 A JP 35692897A JP H11185940 A JPH11185940 A JP H11185940A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明が属する技術分野】本発明は、半導体素子製造装
置、とりわけＰＶＤ等の薄膜形成プロセス等に使われ
る、円板状のセラミックヒータに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device manufacturing apparatus, and more particularly to a disk-shaped ceramic heater used for a thin film forming process such as PVD.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来より、半導体素子製造装置の各種プ
ロセスにおいて、半導体ウェハを均一な温度に保つため
に、通常、円板状のセラミック絶縁基板の内部に発熱抵
抗体を埋設したセラミックヒータが用いられている。図
４（ａ）は、発熱抵抗体のパターンを示す一例であり、
（ｂ）はセラミックヒータの断面図である。図４によれ
ば、セラミック絶縁基板３１の内部に埋設された発熱抵
抗体３２は、通常、絶縁基板３１のほぼ中心部に設けら
れた、直流電源部（図示せず）と接続された１対の電極
３３、３４を有し、発熱抵抗体３２は、電極３３と一旦
が接続された抵抗線が略同心円状に引き回された後、電
極３４と接続された直列回路のパターンによって構成さ
れている。2. Description of the Related Art Conventionally, in various processes of a semiconductor device manufacturing apparatus, in order to keep a semiconductor wafer at a uniform temperature, a ceramic heater having a heating resistor embedded in a disk-shaped ceramic insulating substrate is usually used. Have been. FIG. 4A is an example showing a pattern of a heating resistor,
(B) is a sectional view of the ceramic heater. According to FIG. 4, a heating resistor 32 embedded in a ceramic insulating substrate 31 is usually connected to a DC power supply (not shown) provided at a substantially central portion of the insulating substrate 31. The heating resistor 32 is constituted by a pattern of a series circuit connected to the electrode 34 after the resistance wire once connected to the electrode 33 is routed substantially concentrically. I have.
【０００３】また、このようなセラミックヒータは、発
熱抵抗体の単位長さ当りの発熱量を調整するために、抵
抗線の厚みを一定とし、その線幅を調整して半導体ウエ
ハ載置面の温度分布が均一になるように設計されてい
る。例えば、載置面温度が低くなりやすい周辺部に位置
する抵抗線を中央付近の抵抗線の幅よりも狭くすること
により等温性を保つように調整される。また、加熱温度
の調整は、隣接する略同心円の抵抗線間の距離を制御す
ることによっても行うことができる。Further, in such a ceramic heater, in order to adjust the amount of heat generated per unit length of the heating resistor, the thickness of the resistance wire is fixed, and the line width is adjusted to adjust the heating width of the semiconductor wafer mounting surface. The temperature distribution is designed to be uniform. For example, the resistance is adjusted so as to maintain isothermal properties by making the resistance wire located in the peripheral portion where the mounting surface temperature tends to be lower than the width of the resistance wire near the center. The adjustment of the heating temperature can also be performed by controlling the distance between adjacent substantially concentric resistance lines.
【０００４】さらに、このセラミックヒータは、図４
（ｂ）に示すように、ヒータを支持するための支持体３
５が、半導体ウエハ載置面とは反対側の中央部に取り付
けられている。なお、この支持体３５は、一般には円筒
体からなり、その内部にはヒータの電極３３、３４と直
流電源とを接続するための接続線３６等が収納されてい
る。Further, this ceramic heater is shown in FIG.
As shown in (b), a support 3 for supporting the heater
5 is attached to the central portion on the opposite side to the semiconductor wafer mounting surface. The support 35 is generally formed of a cylindrical body, and houses therein a connection line 36 for connecting the electrodes 33 and 34 of the heater and a DC power supply.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来のセラミックヒータでは、プロセス中にヒータ回りの
ガス流の条件が変化したり、ウェハの設置直後等の過渡
的な条件においてはセラミックヒータの載置面の温度が
変化して温度分布が不均一となり、分布を均一化するた
めのタイムラグが必然的に発生するために、導体ウエハ
載置面を精度良い温度分布の均一性を実現するのは難し
いものであった。However, in the above-described conventional ceramic heater, the mounting of the ceramic heater is not performed under transient conditions such as a change in the gas flow around the heater during the process or immediately after the installation of the wafer. Since the temperature of the surface changes and the temperature distribution becomes non-uniform, and a time lag for making the distribution uniform occurs inevitably, it is difficult to realize accurate uniformity of the temperature distribution on the conductor wafer mounting surface. Was something.
【０００６】しかも、上記環境の変動や過渡的条件下で
温度分布の不均一性を短時間で等温状態に戻すために
は、例えば、温度センサによって検知された値に基づい
て、抵抗体回路に流れる電流を制御し均一化することも
可能であるが、その場合、複数の温度測定センサの設
置、制御回路の設置などによってセラミックヒータが高
価になる等の問題がある。Further, in order to return the non-uniformity of the temperature distribution to the isothermal state in a short time under the above-mentioned environmental fluctuations and transient conditions, for example, a resistor circuit is required based on a value detected by a temperature sensor. Although it is possible to control and equalize the flowing current, in such a case, there is a problem that the ceramic heater becomes expensive due to the installation of a plurality of temperature measurement sensors and the installation of a control circuit.
【０００７】従って、本発明は、温度センサ等を設置す
ることなく、プロセス中の載置面の温度に変化が生じた
場合においても、精度よく半導体ウエハ載置面の温度分
布の均一性を保つことのできるセラミックヒータ提供す
ることを目的とするものである。Accordingly, the present invention maintains the uniformity of the temperature distribution on the semiconductor wafer mounting surface with high accuracy even when the temperature of the mounting surface changes during the process without installing a temperature sensor or the like. It is an object of the present invention to provide a ceramic heater which can be used.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明のセラミックヒー
タは、半導体ウエハ載置面を有する円板状のセラミック
ス絶縁基板と、該絶縁基板内部に略同心円状に抵抗線を
配列してなる発熱抵抗体と、を具備してなる半導体素子
製造用セラミックヒータにおいて、前記発熱抵抗体を正
の温度係数の抵抗体により形成するとともに、該発熱抵
抗体の回路パターンの少なくとも一部に、半径方向に同
心円状に配列された複数の抵抗線同士を並列接続してな
る並列回路を形成することによって上記目的を達成する
ものである。SUMMARY OF THE INVENTION A ceramic heater according to the present invention comprises a disk-shaped ceramic insulating substrate having a semiconductor wafer mounting surface, and a heating resistor having substantially concentrically arranged resistance wires inside the insulating substrate. And a body, wherein the heating resistor is formed of a resistor having a positive temperature coefficient, and at least a part of a circuit pattern of the heating resistor is concentric in a radial direction. The above object is achieved by forming a parallel circuit formed by connecting a plurality of resistance wires arranged in a parallel manner.
【０００９】また、本発明のセラミックヒータは、絶縁
基板のウエハ載置面の反対側の中心部に取付けられた支
持体を具備すること、並列回路に対して定電圧が印加さ
れることを特徴とするものである。Further, the ceramic heater according to the present invention is provided with a support attached to the center of the insulating substrate opposite to the wafer mounting surface, and a constant voltage is applied to the parallel circuit. It is assumed that.
【００１０】[0010]
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面をもとに説明
する。図１は、本発明のセラミックヒータの概略断面図
であり、図２は、図１のセラミックヒータにおける発熱
抵抗体の回路パターンを説明するためのパターン図であ
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic sectional view of a ceramic heater of the present invention, and FIG. 2 is a pattern diagram for explaining a circuit pattern of a heating resistor in the ceramic heater of FIG.
【００１１】図１によれば、本発明のセラミックヒータ
１は、円板状のセラミック絶縁基板２と、その絶縁基板
２の内部に埋設された発熱抵抗体３を具備するものであ
る。そして、セラミック絶縁基板２の表面は、半導体ウ
エハを載置するための載置面４を構成している。Referring to FIG. 1, a ceramic heater 1 according to the present invention includes a disk-shaped ceramic insulating substrate 2 and a heating resistor 3 embedded inside the insulating substrate 2. The surface of the ceramic insulating substrate 2 forms a mounting surface 4 on which the semiconductor wafer is mounted.
【００１２】また、セラミックヒータ１の半導体ウエハ
載置面４の反対側には、セラミックヒータを薄膜形成装
置などの半導体素子製造装置内にて支持するための支持
体５が取り付けられている。この支持体５は中空のセラ
ミックあるいは金属部材から構成され、セラミックヒー
タ１に対して周知のメタライズ等によって接合されてい
る。A support 5 for supporting the ceramic heater in a semiconductor device manufacturing apparatus such as a thin film forming apparatus is mounted on the side of the ceramic heater 1 opposite to the semiconductor wafer mounting surface 4. The support 5 is made of a hollow ceramic or metal member, and is joined to the ceramic heater 1 by well-known metallization or the like.
【００１３】また、セラミックヒータ１内の発熱抵抗体
３は、セラミック絶縁基板２の中心部の下部に形成され
た一対の電極６、７を経由して、外部の直流電源８と接
続線９により電気的に接続されており、直流電源８を制
御する制御装置１０により発熱抵抗体３への電流を制御
することによりセラミックヒータ１の発熱抵抗体３を所
定温度に発熱させて半導体ウエハ載置面４を所定温度に
均一加熱する。The heating resistor 3 in the ceramic heater 1 is connected to an external DC power supply 8 and a connection line 9 via a pair of electrodes 6 and 7 formed below the center of the ceramic insulating substrate 2. The heating device 3 of the ceramic heater 1 is heated to a predetermined temperature by controlling the current to the heating resistor 3 by a control device 10 which is electrically connected and controls a DC power supply 8, so that the semiconductor wafer mounting surface is controlled. 4 is uniformly heated to a predetermined temperature.
【００１４】本発明のセラミックヒータ１における発熱
抵抗体３は、正の温度係数、即ち、温度が高いほど抵抗
が高く電流が流れにくく、温度が低いほど抵抗が低く電
流が流れやすい性質を有する発熱抵抗体材料によって形
成される。The heating resistor 3 in the ceramic heater 1 of the present invention has a positive temperature coefficient, that is, the higher the temperature, the higher the resistance and the lower the flow of current, and the lower the temperature, the lower the resistance and the flow of the current. It is formed by a resistor material.
【００１５】そして、この発熱抵抗体３は、図２の例で
は、円板状のセラミック絶縁基板２内に同心円状に８層
の抵抗線１１が配列されている。なお、この抵抗線１１
は、想定した電流値のもとで、セラミックヒータの端部
や中心部に接合された支持体５による熱引けなどに考慮
して、温度分布の均一性を高めるために抵抗線の幅や間
隔が調整されている。In the example of FIG. 2, the heating resistor 3 has eight layers of resistance wires 11 concentrically arranged in a disk-shaped ceramic insulating substrate 2. Note that this resistance line 11
In order to improve the uniformity of the temperature distribution, the width and the interval of the resistance wire are taken into consideration under the assumed current value in consideration of the heat dissipation by the support 5 joined to the end and the center of the ceramic heater. Has been adjusted.
【００１６】本発明における大きな特徴は、この発熱抵
抗体３の回路パターンの少なくとも一部に、半径方向に
同心円状に配列された複数の抵抗線同士を並列接続して
なる並列回路を具備する点にある。A major feature of the present invention is that at least a part of the circuit pattern of the heating resistor 3 is provided with a parallel circuit formed by connecting a plurality of resistance wires arranged concentrically in a radial direction in parallel. It is in.
【００１７】即ち、図２によれば、中心部に設けられ、
直流電源と電気的に接続される正電極端子１２、１４、
負電極端子１３、１５から、放射状に正給電線１６、１
８、負給電線１７、１９が設けられ、略同心円状に配列
された抵抗線１１と電気的に接続されている。その結
果、抵抗線１１のうち、内側の４層の抵抗線１１のう
ち、例えば、正給電線１６と負給電線１７によって挟ま
れた領域の４層の抵抗線１１は、正給電線１６と負給電
線１７によって並列接続されて、並列回路が形成され
る。That is, according to FIG. 2, it is provided at the center,
Positive electrode terminals 12, 14, electrically connected to a DC power supply
From the negative electrode terminals 13, 15, the positive feeder lines 16, 1,
8, negative power supply lines 17 and 19 are provided, and are electrically connected to the resistance lines 11 arranged substantially concentrically. As a result, of the four resistance layers 11 on the inner side of the resistance wires 11, for example, the four resistance layers 11 in a region sandwiched between the positive power supply line 16 and the negative power supply line 17 are connected to the positive power supply line 16. A parallel connection is formed by the negative power supply line 17 to form a parallel circuit.
【００１８】また、外側４層の抵抗線１１は、例えば、
正給電線１６と負給電線１７によって挟まれた領域の抵
抗線１１は、その中間部分で分断されており、その分断
箇所には、正給電線２０、負給電線２１が分断された４
層の抵抗線と電気的に接続されている。そして、正給電
線２０と負給電線２１は、正電極部２２、負電極部２３
および接続線２４、２５を経由して中心部に設けられた
負電極端子１３、正電極端子１４と接続されている。そ
の結果、外側の４層の抵抗線１１のうち、例えば、正給
電線１６と負給電線２１によって挟まれた領域の４層の
抵抗線１１は、正給電線１６と負給電線２１によって並
列に接続されて、並列回路が形成されている。The four outer resistance layers 11 are, for example,
The resistance wire 11 in a region sandwiched between the positive power supply line 16 and the negative power supply line 17 is divided at an intermediate portion thereof, and the positive power supply line 20 and the negative power supply line 21 are divided at the divided portion.
It is electrically connected to the resistance wire of the layer. The positive power supply line 20 and the negative power supply line 21 are connected to the positive electrode portion 22 and the negative electrode portion 23.
In addition, they are connected to the negative electrode terminal 13 and the positive electrode terminal 14 provided at the center via connection lines 24 and 25. As a result, of the four outer-layer resistance wires 11, for example, the four-layer resistance wires 11 in a region sandwiched between the positive power supply line 16 and the negative power supply line 21 are paralleled by the positive power supply line 16 and the negative power supply line 21. To form a parallel circuit.
【００１９】なお、上記接続線２４、２５は、できるだ
け同一の長さを持ち、回転対象形が保たれるように引き
回されて、接続線２４、２５の熱伝導及び導体による若
干の発熱が回転対象形を保つように図２に示すように接
続されている。The connecting wires 24 and 25 have the same length as much as possible, and are routed so as to maintain the symmetrical shape of rotation. They are connected as shown in FIG. 2 so as to maintain the symmetrical shape of rotation.
【００２０】上記と同様な接続形態によって、図２の抵
抗体のパターン図によれば、図３に示すように、各線分
で囲まれた領域が１つの並列回路ブロックを形成してお
り、合計１２ブロックの並列回路Ａ〜Ｌにより構成され
ている。According to the connection pattern similar to the above, according to the pattern diagram of the resistor shown in FIG. 2, as shown in FIG. 3, the region surrounded by each line segment forms one parallel circuit block. It is composed of 12 blocks of parallel circuits A to L.
【００２１】また、上記個々の並列回路Ａ〜Ｌは、同一
あるいは異なる定電圧によって制御されることが望まし
く、それぞれの並列回路Ａ〜Ｌは、与えられた電圧条件
に従って、単位長さ当りの発熱量が同一となるようにそ
の抵抗線の幅、厚み及び長さが調整されている。The individual parallel circuits A to L are desirably controlled by the same or different constant voltages. Each of the parallel circuits A to L generates heat per unit length according to a given voltage condition. The width, thickness, and length of the resistance wire are adjusted so that the amounts are the same.
【００２２】上記の複数の並列回路から構成される発熱
抵抗体は、正の温度係数を持つ抵抗体材料によって形成
されているために、各並列回路内において、ウエハ載置
面の温度が低くなった部分の抵抗線は並列に接続されて
いる他の抵抗線より抵抗が低くなり電流量が増加する結
果、発熱量が増加して載置面の温度を上昇させ、逆に、
温度が上昇した部分の抵抗線は抵抗が高くなるため、電
流量が減少して発熱量が減少して載置面の温度をを低下
させることができるため、セラミックヒータの周辺部な
いしは中心部などで温度変動によって発生した温度の乱
れを自動的に補正する機能を有するものである。Since the heating resistor composed of the plurality of parallel circuits is formed of a resistor material having a positive temperature coefficient, the temperature of the wafer mounting surface in each parallel circuit decreases. As a result, the resistance of the part of the resistance wire becomes lower than that of the other resistance wires connected in parallel, and the amount of current increases.As a result, the amount of heat generated increases and the temperature of the mounting surface rises.
Since the resistance of the resistance wire at the portion where the temperature has increased has a high resistance, the amount of current decreases, the amount of heat generated decreases, and the temperature of the mounting surface can be reduced. And has a function of automatically correcting temperature fluctuations caused by temperature fluctuations.
【００２３】上記の並列回路は、図２に示したように、
セラミック絶縁基板２内に埋設された発熱抵抗体３のす
べてを並列回路によって形成することが望ましく、ま
た、並列回路のブロック数を増加させるほど、細かな温
度補正が可能となる。逆に、ブロック数が少なすぎる
と、温度変化が生じていない部分まで発熱量を変化させ
てしまう場合があることから、その状況に応じて並列回
路を設けることが必要である。The above parallel circuit, as shown in FIG.
It is desirable that all of the heating resistors 3 embedded in the ceramic insulating substrate 2 be formed by a parallel circuit, and the more the number of blocks of the parallel circuit is increased, the finer the temperature can be corrected. Conversely, if the number of blocks is too small, the amount of heat generated may change to a portion where the temperature does not change. Therefore, it is necessary to provide a parallel circuit according to the situation.
【００２４】また、場合によっては、温度変化の激しい
部分のみを並列回路によって構成し、その他の部分は直
列回路の引回しによって構成することも当然可能であ
る。例えば、ヒータ周辺部は、セラミックヒータの周囲
のガス流及び輻射によって温度勾配が出来やすいことか
ら、抵抗体パターンを中心部から放射状に細かく分断し
て並列回路を形成することが望ましい。In some cases, it is naturally possible to configure only a portion where the temperature changes drastically by a parallel circuit, and to configure the other portions by routing a series circuit. For example, since a temperature gradient is likely to be formed in the peripheral portion of the heater due to gas flow and radiation around the ceramic heater, it is desirable to form a parallel circuit by radially and finely dividing the resistor pattern from the central portion.
【００２５】また、図１に示したように支持体５が接合
されている場合には、支持体５が接合された中心部付近
では、支持体５によって熱が逃げる結果、温度の低下が
発生しやすいため、その場合には、中心部付近を放射状
に細かく分断して並列回路を形成することが望ましい。When the support 5 is joined as shown in FIG. 1, the heat is released by the support 5 near the center where the support 5 is joined, so that the temperature decreases. In this case, it is preferable to form a parallel circuit by radially and finely dividing the vicinity of the central portion.
【００２６】このように、本発明によれば、セラミック
絶縁基板内に埋設される発熱抵抗体のパターン形状にお
いて、並列回路を形成することにより、その部分での温
度変化に対して、定電圧下での抵抗体の抵抗変化に伴う
発熱量の変化によって、その温度変化を自動的に補正し
て、ウエハ載置面の温度分布を精度よく均一に維持する
ことが可能となる。As described above, according to the present invention, by forming a parallel circuit in the pattern of the heating resistor buried in the ceramic insulating substrate, a constant voltage with respect to a temperature change at that portion is obtained. The temperature change is automatically corrected by the change in the amount of heat generated by the change in the resistance of the resistor in step (1), and the temperature distribution on the wafer mounting surface can be accurately and uniformly maintained.
【００２７】特に、半導体素子製造プロセス中のヒータ
回りのガス流の条件の変化や、ウェハの設置直後等の過
渡的な条件において発生するセラミックヒータのウエハ
載置面の部分的な温度変化を温度センサ等を用いること
なく、短時間で補正することができる。In particular, a change in gas flow conditions around the heater during the semiconductor device manufacturing process and a partial temperature change on the wafer mounting surface of the ceramic heater which occurs under transient conditions such as immediately after the installation of the wafer are measured. The correction can be performed in a short time without using a sensor or the like.
【００２８】しかも、温度変化は、主として円板状のセ
ラミックヒータの中心部と、外周部間で生じることか
ら、同心円状に配列した複数の抵抗線間を並列接続して
並列回路を形成することにより、それらの温度変化を有
効的に補正できる。In addition, since the temperature change mainly occurs between the central portion and the outer peripheral portion of the disk-shaped ceramic heater, a parallel circuit is formed by connecting a plurality of concentrically arranged resistance wires in parallel. Thus, those temperature changes can be effectively corrected.
【００２９】本発明のセラミックヒータにおいて、セラ
ミック絶縁基板は、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｓｉ3 Ｎ4 、炭化珪
素、ＡｌＮなどのセラミック材料が用いられ、特に均熱
性を図る上では、熱伝導率が８０Ｗ／ｍ・Ｋ以上のセラ
ミック材料によって形成することが望ましい。In the ceramic heater according to the present invention, the ceramic insulating substrate is made of a ceramic material such as Al 2 O 3 , Si 3 N 4 , silicon carbide, or AlN. / M · K or more of a ceramic material.
【００３０】また、発熱抵抗体としては、正の温度係数
を有するとともに、セラミック絶縁基板内に埋設される
ことから、セラミック絶縁基板と同時焼成可能な抵抗体
が望ましく、例えば、タングステン、モリブデン等が挙
げられる。The heating resistor has a positive temperature coefficient and is embedded in the ceramic insulating substrate. Therefore, the heating resistor is desirably co-fired with the ceramic insulating substrate. For example, tungsten, molybdenum, or the like is preferable. No.
【００３１】なお、前記発熱抵抗体に電圧を印加する場
合、すべての抵抗体に対して定電圧を印加するように設
計してもよいが、抵抗体幅ができるだけ同じになるよう
に図３のように区分する際の並列接続のブロックサイズ
を調節して電圧を印加してもよい。When a voltage is applied to the heating resistors, a design may be made so that a constant voltage is applied to all the resistors. The voltage may be applied by adjusting the block size of the parallel connection at the time of division.
【００３２】[0032]
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の半導体素子
製造用セラミックヒータによれば、半導体素子製造プロ
セス中のヒータ回りのガス流の条件の変化や、ウェハの
設置直後等の過渡的な条件において発生するウエハ載置
面の部分的な温度変化、あるいは支持体による熱引けに
起因する温度変化に対して、格別な温度センサ等を用い
ることなく、温度変化に対する抵抗体自体の抵抗変化に
よってその発熱量を自動的に制御することができる結
果、精度のよい温度分布の均一化を図ることができる。As described in detail above, according to the ceramic heater for manufacturing a semiconductor device of the present invention, a change in gas flow conditions around the heater during a semiconductor device manufacturing process or a transient condition such as immediately after the installation of a wafer. The temperature change caused by the partial temperature change of the wafer mounting surface under the condition or the temperature change caused by the heat release by the support can be obtained by the resistance change of the resistor itself against the temperature change without using a special temperature sensor. As a result of being able to automatically control the calorific value, accurate and uniform temperature distribution can be achieved.
【図１】本発明のセラミックヒータの概略断面図であ
る。FIG. 1 is a schematic sectional view of a ceramic heater of the present invention.
【図２】図１のセラミックヒータにおける発熱抵抗体の
回路パターンを説明するための図である。FIG. 2 is a diagram for explaining a circuit pattern of a heating resistor in the ceramic heater of FIG.
【図３】図２の回路パターンによる並列回路のブロック
を説明するための図である。FIG. 3 is a diagram for explaining blocks of a parallel circuit based on the circuit pattern of FIG. 2;
【図４】従来のセラミックヒータを説明するための図で
あり、（ａ）は発熱抵抗体のパターン図、（ｂ）はその
概略断面図である。4A and 4B are views for explaining a conventional ceramic heater, wherein FIG. 4A is a pattern diagram of a heating resistor, and FIG. 4B is a schematic sectional view thereof.
１ セラミックヒータ ２ セラミック絶縁基板 ３ 発熱抵抗体 ４ 半導体ウエハ載置面 ５ 支持体 ６、７ 電極 ８ 直流電源 ９ 接続線 １０ 制御装置 １１ 抵抗線 １２、１４ 正電極端子 １３、１５ 負電極端子 １６、１８、２０ 正給電線 １７、１９、２１ 負給電線 ２２ 正電極部 ２３ 負電極部 ２４、２５ 接続線 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Ceramic heater 2 Ceramic insulating substrate 3 Heating resistor 4 Semiconductor wafer mounting surface 5 Support 6, 7 Electrode 8 DC power supply 9 Connection line 10 Controller 11 Resistance wire 12, 14 Positive electrode terminal 13, 15 Negative electrode terminal 16, 18, 20 Positive feed line 17, 19, 21 Negative feed line 22 Positive electrode part 23 Negative electrode part 24, 25 Connection line
Claims (3)
ミックス絶縁基板と、該絶縁基板内部に略同心円状に抵
抗線を配列してなる発熱抵抗体と、を具備してなる半導
体素子製造用セラミックヒータにおいて、前記発熱抵抗
体を正の温度係数の抵抗体により形成するとともに、該
発熱抵抗体の回路パターンの少なくとも一部に、半径方
向に同心円状に配列された複数の抵抗線同士を並列接続
してなる並列回路を具備することを特徴とする半導体素
子製造用セラミックヒータ。1. A semiconductor device manufacturing method comprising: a disk-shaped ceramic insulating substrate having a semiconductor wafer mounting surface; and a heating resistor having resistance wires arranged substantially concentrically inside the insulating substrate. In the ceramic heater for use, the heating resistor is formed of a resistor having a positive temperature coefficient, and at least a part of a circuit pattern of the heating resistor includes a plurality of resistance wires arranged concentrically in a radial direction. A ceramic heater for manufacturing a semiconductor device, comprising a parallel circuit connected in parallel.
心部に取付けられた支持体を具備することを特徴とする
請求項１記載の半導体素子製造用セラミックヒータ。2. The ceramic heater for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, further comprising a support attached to a center portion of said insulating substrate opposite to a wafer mounting surface.
ている請求項１記載の半導体素子製造用セラミックヒー
タ。3. The ceramic heater according to claim 1, wherein a constant voltage is applied to said parallel circuit.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35692897A JPH11185940A (en) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | Ceramic heater for manufacturing semiconductor element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35692897A JPH11185940A (en) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | Ceramic heater for manufacturing semiconductor element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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|---|---|---|---|---|
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-
1997
- 1997-12-25 JP JP35692897A patent/JPH11185940A/en active Pending
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