JPH11183378A - Early fire detecting method for semiconductor bulb - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an early fire detecting method for a water-cooled semiconductor bulb capable of early detecting an overheat occurring at any portion of the bulb and installed with sampling heads at positions easy for maintenance. SOLUTION: Sampling heads detecting fine particles are installed on a suction port 8 on the side wall of a bulb hole and at positions apart in the horizontal direction from the suction port 8 on the side wall of the bulb hole. Fine particles generated at the lower section of a bulb apart from the suction port 8 and difficult to detect in the past pass near the side wall on the AC side or DC side and reach the side wall having the suction port 8 then reach the suction port 8, thereby the fine particles can be detected by sampling heads 13-1, 13-2 installed at the positions apart in the horizontal direction from the suction port 8 before they are detected by a sampling head 12 on the suction port 8.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は直流送電などに用い
る半導体バルブの火災検出方法、特にバルブホールに収
納された水冷半導体バルブの早期火災検出方法に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for detecting a fire in a semiconductor valve used for DC power transmission and the like, and more particularly to a method for detecting an early fire in a water-cooled semiconductor valve stored in a valve hole.

【０００２】[0002]

【従来の技術】直流送電システムなどに用いる水冷式半
導体バルブは、保守のしやすさなどの点から、気中絶縁
方式とするのが一般的である。以下の説明では、半導体
バルブの例としてサイリスタバルブにより説明するが、
ＧＴＯサイリスタやその他のバルブデバイスを用いたバ
ルブにも適用可能である。2. Description of the Related Art A water-cooled semiconductor valve used in a DC power transmission system or the like is generally of an air-insulated type in view of easy maintenance. In the following description, a thyristor valve will be described as an example of a semiconductor valve.
It is also applicable to valves using GTO thyristors and other valve devices.

【０００３】気中絶縁では、装置が設置される環境（温
度、湿度、汚損など）により、その特性が大きく影響さ
れるため、特に定格電圧が高い場合にはバルブを密閉し
た部屋（以下、バルブホールと呼ぶ。）に設置し、外部
の環境の影響を少なくし、バルブホール内を清浄に維持
すると共に、バルブホール内の空気を循環して、温度、
湿度の調整を行う。The characteristics of air insulation are greatly affected by the environment in which the device is installed (temperature, humidity, contamination, etc.). To reduce the influence of the external environment, keep the inside of the valve hole clean, circulate the air inside the valve hole,
Adjust the humidity.

【０００４】バルブホール内の空気を循環する方法とし
ては、床から吹き上げて側壁から吸い込む方式が一般的
に行われている。循環する空気の速度は、サイリスタバ
ルブが空気中に放熱する損失量に比例する。水冷式なの
で空気中に放熱される損失量は小さく、循環する空気の
速度は０．５ｍ／秒以下とかなり遅いのが一般的でああ
る。As a method of circulating air in a valve hole, a method of blowing air from a floor and sucking it from a side wall is generally used. The speed of the circulating air is proportional to the amount of loss that the thyristor valve releases into the air. Since it is a water-cooled type, the loss amount radiated into the air is small, and the speed of the circulating air is generally as slow as 0.5 m / sec or less.

【０００５】一方、サイリスタバルブは、大きな電圧と
電流を取り扱うため、また、多量の有機材料や、コンデ
ンサには油が使用されているので、導体の接続不良、異
物の残置あるいは使用部品の異常などが火災の原因とな
る。On the other hand, thyristor valves handle large voltages and currents, and because a large amount of organic material and oil are used for capacitors, poor connection of conductors, residue of foreign matters, and abnormalities of parts used. May cause a fire.

【０００６】このような原因を除去するために、過熱し
た有機材料から発生する多量の微粒子を検出することに
より、実際に火災に至る前に異常を検知する技術が開発
されている。検出方法の一つは、サンプリングした空気
を霧箱に導き、微粒子に水蒸気を凝縮させて粒径を大き
くし、その個数を数える方式が実用化されている。他の
方法として、サンプリングした空気をレーザーなどの光
量が所定の強度で発光されている空間に導くことで、光
量の減衰により微粒子の量を判定する方式もある。どち
らの方式でも実際に発火する前の段階で異常を発見でき
るため、被害を最小限にとどめることが可能になる。こ
うした早期火災検出システムは空気をサンプリングして
検出するため、エアサンプリング方式と呼ばれている。In order to eliminate such a cause, there has been developed a technique of detecting a large amount of fine particles generated from an overheated organic material to detect an abnormality before actually causing a fire. As one of the detection methods, a method of introducing sampled air into a fog chamber, condensing water vapor into fine particles, increasing the particle diameter, and counting the number of the particles has been put to practical use. As another method, there is a method in which the amount of fine particles is determined by attenuating the amount of light by guiding the sampled air to a space where the amount of light from a laser or the like is emitted at a predetermined intensity. Both methods can detect anomalies before they actually ignite, so that damage can be minimized. Since such an early fire detection system samples and detects air, it is called an air sampling system.

【０００７】エアサンプリング方式では、空気をサンプ
リングするサンプリングヘッドの設置位置が検出速度に
大きな影響を与え、微粒子の発生源の位置とバルブホー
ル内の空気の流れ具合および微粒子の浮遊の仕方によ
り、最適なサンプリングヘッドの設置位置が決まってく
る。In the air sampling method, the installation position of the sampling head for sampling air has a great influence on the detection speed, and is optimal depending on the position of the source of the fine particles, the flow of air in the valve hole, and the manner of floating the fine particles. The installation position of the proper sampling head is decided.

【０００８】従来のバルブホールにおけるサンプリング
ヘッドの位置とバルブホールの空調の関係を図面を参照
して説明する。図３は代表的なサイリスタバルブの適用
例として直流送電用変換装置の単純化した結線図であ
る。１は変換装置用変圧器で連系する交流電圧を変換装
置に都合のよい電圧に変換する。２−１〜２−３は三相
ブリッジ結線を実現するためのサイリスタバルブであ
り、接続される交流の相にあわせてＲ相用バルブ、Ｓ相
用バルブ、Ｔ相用バルブと呼ぶ。この三相ブリッジ回路
で直流に変換された電力は直流リアクトル３を介して相
手端へと送電される。バルブホール６内には一点鎖線で
囲んだ機器が設置され、外部機器との接続は交流側ブッ
シング４−１〜４−３及び直流側ブッシング５−１、５
−２で行われる。The relationship between the position of the sampling head in a conventional valve hole and the air conditioning of the valve hole will be described with reference to the drawings. FIG. 3 is a simplified connection diagram of a DC power transmission converter as a typical application example of a thyristor valve. 1 converts the AC voltage connected to the converter transformer into a voltage convenient for the converter. Reference numerals 2-1 to 2-3 denote thyristor valves for realizing a three-phase bridge connection, which are called an R-phase valve, an S-phase valve, and a T-phase valve in accordance with the connected AC phase. The power converted to DC by the three-phase bridge circuit is transmitted to the other end via the DC reactor 3. In the valve hole 6, devices surrounded by alternate long and short dash lines are installed, and connection with external devices is made by AC bushings 4-1 to 4-3 and DC bushings 5-1 and 5-1.
-2.

【０００９】次にバルブホール内の機器の配置の平面図
を図４（ａ）に側面図を図４（ｂ）に示す。図におい
て、図３と同一要素には同一符号を付す。図４におい
て、バルブホール６の側面には側面通風室７が設置さ
れ、この側面通風室７は空気吸込口８でバルブホールと
つながっている。また、バルブホール６および側面通風
室７の下部には、地下通風路９が設けられている。そし
て、循環用ファン１０により空気は循環用ファン１０−
地下通風路９−バルブホール６−空気吸込口８−循環用
ファン１０の経路で循環する。実際には側面通風室７の
適当な位置に熱交換器を配置して循環している空気の温
度、湿度を制御するがここでは省略する。Next, FIG. 4A is a plan view showing the arrangement of devices in the valve hole, and FIG. 4B is a side view thereof. In the figure, the same elements as those in FIG. 3 are denoted by the same reference numerals. In FIG. 4, a side ventilation chamber 7 is provided on a side surface of the valve hole 6, and the side ventilation chamber 7 is connected to the valve hole through an air inlet 8. An underground ventilation path 9 is provided below the valve hole 6 and the side ventilation chamber 7. Then, air is circulated by the circulation fan 10-
It circulates in the path of underground ventilation path 9-valve hole 6-air suction port 8-circulation fan 10. Actually, a heat exchanger is arranged at an appropriate position in the side ventilation chamber 7 to control the temperature and humidity of the circulating air, but this is omitted here.

【００１０】サンプリングヘッド１１−１〜１１−３
は、各バルブの上部、バルブホールの天井に設置され、
また、空気吸込口８にもサンプリングヘッド１２が設置
される。そして、バルブで発生した有機材料からの微粒
子は、当該バルブの上部に設置されたサンプリングヘッ
ド１１−１〜１１−３で検出されるか、あるいは空気吸
込口８に設置されたサンプリングヘッド１２で検出され
る。[0010] Sampling heads 11-1 to 11-3
Is installed at the top of each valve, on the ceiling of the valve hall,
In addition, a sampling head 12 is provided at the air inlet 8. Fine particles from the organic material generated in the valve are detected by sampling heads 11-1 to 11-3 provided above the valve, or detected by sampling head 12 provided in air suction port 8. Is done.

【００１１】[0011]

【発明が解決しようとする課題】従来の早期火災検出方
法では、吸込口から遠いバルブの下部から発生した微粒
子は当該バルブの上部に設置されたサンプリングヘッド
では検出が遅れる。従来の方式で検出が遅れる理由をバ
ルブホール内の気流解析で確認した結果を基に以下に示
す。図５（ａ），（ｂ）は解析に使用したバルブ、バル
ブホール及び空気吸込口の関係を示す。尚、図５（ｂ）
の破線で示した部分は、解析対象が対称であるため解析
を簡便にするために解析上は省略した部分である。In the conventional early fire detection method, the detection of fine particles generated from the lower part of the valve far from the suction port is delayed by the sampling head installed above the valve. The reason why the detection is delayed by the conventional method is shown below based on the result confirmed by the air flow analysis in the valve hole. FIGS. 5A and 5B show the relationship between the valve, the valve hole, and the air inlet used in the analysis. In addition, FIG.
The portion indicated by the broken line is a portion that is omitted from the analysis to simplify the analysis because the analysis target is symmetric.

【００１２】図５において、Ａ〜Ｉは微粒子の発生位置
を示す。空気吸込口８−１〜８−３は右側側壁上部の中
央付近に３カ所設けている。また、空調用の空気の循環
として、バルブホールへの空気の吹上げを各バルブの下
部から行っていると想定し、風速は空気吸込口の近傍で
概略０．５ｍ／秒程度とする。In FIG. 5, A to I indicate positions where fine particles are generated. The air inlets 8-1 to 8-3 are provided at three places near the center of the upper part of the right side wall. In addition, assuming that air is blown up to the valve hole from the lower part of each valve to circulate air for air conditioning, the wind speed is approximately 0.5 m / sec near the air inlet.

【００１３】図６は、吸込口８から近いＴ相バルブの上
部、図５（ａ）のＧで微粒子が発生した場合の微粒子の
動きを解析した結果を示している。これでは、微粒子は
概略真っ直ぐ上部に達し、その後吸込口８へと移動して
いる様子がわかる。FIG. 6 shows a result of analyzing the movement of the fine particles when the fine particles are generated in the upper part of the T-phase valve close to the suction port 8, G in FIG. Here, it can be seen that the fine particles reach the upper part substantially straight and then move to the suction port 8.

【００１４】一方、図７は、図５（ａ）のＣで微粒子が
発生した場合の微粒子の動きを解析した結果を示してい
る。ここでは、微粒子は真っ直ぐ上昇せず交流側ブッシ
ングがある壁側にドリフトしてから吸込口８の方へ移動
していく様子がわかる。On the other hand, FIG. 7 shows the result of analyzing the movement of the fine particles when the fine particles are generated at C in FIG. 5A. Here, it can be seen that the fine particles do not rise straight but drift toward the wall where the AC side bushing is located, and then move toward the suction port 8.

【００１５】図５（ａ）のＣで示したような吸込口から
遠くまたバルブ下部で発生した微粒子は真っ直ぐに上昇
しないで交流側または直流側の壁際を通って吸込口があ
る側壁に沿って吸込口に到達していることがわかる。こ
れはバルブ上部に設置したサンプリングヘッドが役にた
っていないことを示している。このため、発生している
微粒子を早期に検出できないのである。The fine particles generated at a location farther from the suction port and at the lower portion of the valve as shown by C in FIG. 5A do not rise straight but pass along the AC or DC wall and along the side wall where the suction port is located. It can be seen that it has reached the inlet. This indicates that the sampling head installed above the valve is not useful. For this reason, the generated fine particles cannot be detected early.

【００１６】サンプリングヘッドは定期的にフィルタの
交換が必要であるが、バルブ上部は接近が困難であるた
め、作業に時間がかかるという問題もあった。よって、
本発明は、バルブのどの部分で発生した過熱も早期に検
出が可能で、更にサンプリングヘッドが保守の容易な位
置に設置された水冷半導体バルブの早期火災検出方法を
提供することを目的とする。[0016] The sampling head requires a regular replacement of the filter. However, it is difficult to access the upper part of the valve, so that there is a problem that the operation takes a long time. Therefore,
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a method for early detection of a fire of a water-cooled semiconductor valve in which overheating generated in any part of the valve can be detected at an early stage and a sampling head is installed at a position where maintenance is easy.

【００１７】[0017]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の請求項１に係る半導体バルブの早期火災検
出方法では、微粒子を検出するサンプリングヘッドをバ
ルブホールの側壁の吸込口とバルブホールの側壁の吸込
口から水平方向に離れた位置に設置する。これにより、
従来検出が難しかった吸込口から遠いバルブの下部で発
生した微粒子は、交流側あるいは直流側の側壁に近いと
ころを通って、吸込口のある側壁に到達した後吸込口に
達するので、吸込口のサンプリングヘッドが検出する前
に、吸込口から水平方向に離れた位置に設置したサンプ
リングヘッドで微粒子を検出可能となる。According to a first aspect of the present invention, there is provided a method for detecting an early fire of a semiconductor valve, comprising the steps of: providing a sampling head for detecting fine particles; It is installed horizontally away from the suction port on the side wall of the hall. This allows
Particles generated in the lower part of the valve far from the suction port, which were difficult to detect in the past, pass near the AC or DC side wall, reach the side wall with the suction port, and then reach the suction port. Before the detection by the sampling head, the fine particles can be detected by the sampling head installed at a position horizontally separated from the suction port.

【００１８】本発明の請求項２に係る半導体バルブの早
期火災検出方法では、半導体バルブ上部のバルブホール
天井部にもサンプリングヘッドを設置する。これによ
り、吸込口から遠いバルブの下部で発生した微粒子は、
請求項１のように吸込口から水平方向に離れた位置に設
置したサンプリングヘッドで微粒子を検出可能であり、
各バルブの上部で発生した微粒子は、各バルブ上部に設
けられたサンプリングヘッドでいち早く検出することが
でき、想定されるあらゆる場所で発生した微粒子を最短
で検出が可能となる。In the method for detecting an early fire of a semiconductor valve according to the second aspect of the present invention, a sampling head is also installed on the ceiling of the valve hole above the semiconductor valve. As a result, fine particles generated in the lower part of the valve far from the suction port
Fine particles can be detected by a sampling head installed at a position horizontally separated from the suction port as in claim 1,
The fine particles generated in the upper part of each valve can be detected quickly by the sampling head provided in the upper part of each valve, and the fine particles generated in every supposed place can be detected in the shortest time.

【００１９】[0019]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。図１は、本発明の第１の実
施の形態の水冷半導体バルブの早期火災検出方法を示
す。ここでは、図３と同一要素については同一符号を付
して説明を省略し、異なる点についてのみ説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows an early fire detection method for a water-cooled semiconductor valve according to a first embodiment of the present invention. Here, the same elements as those in FIG. 3 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted. Only different points will be described.

【００２０】図３に示した従来と異なる点は、サンプリ
ングヘッド１３−１と１３−２を吸込口８のある側壁上
部に設置し、各バルブ上部に設置されていたサンプリン
グヘッド１１−１〜１１−３を削除した点である。The difference from the prior art shown in FIG. 3 is that the sampling heads 13-1 and 13-2 are installed above the side wall having the suction port 8, and the sampling heads 11-1 to 11 which are installed above the respective valves. -3 has been deleted.

【００２１】図７からわかるように、吸込口８から遠い
Ｒ相バルブの下部で発生した微粒子は、交流側あるいは
直流側の側壁に近いところを通って、吸込口８のある側
壁に到達した後吸込口８に達する。このため、従来のよ
うに吸込口８のサンプリングヘッド１２と、各バルブ上
部に設置されていたサンプリングヘッド１１−１〜１１
−３を備えた構成では、一番近いバルブ上部に設置され
ていたサンプリングヘッドでは検出されず、一番遠い吸
込口８のサンプリングヘッドでしか検出されなかった。As can be seen from FIG. 7, the fine particles generated in the lower part of the R-phase valve far from the suction port 8 pass through a portion close to the AC or DC side wall and reach the side wall where the suction port 8 is located. Reach the inlet 8. For this reason, the sampling head 12 of the suction port 8 and the sampling heads 11-1 to 11-
In the configuration provided with -3, it was not detected by the sampling head located at the top of the nearest valve, and was detected only by the sampling head of the suction port 8 farthest.

【００２２】そこで、本実施の形態のように、サンプリ
ングヘッド１３−１と１３−２を吸込口８のある側壁上
部に設置すれば、吸込口８のサンプリングヘッド１２が
検出する前に、サンプリングヘッド１３−１または１３
−２で微粒子を検出可能である。Therefore, if the sampling heads 13-1 and 13-2 are installed on the upper portion of the side wall having the suction port 8 as in the present embodiment, the sampling heads are detected before the sampling head 12 of the suction port 8 detects them. 13-1 or 13
At -2, fine particles can be detected.

【００２３】従って、早期に有機材料の過熱を検出で
き、被害を最小にすることができる。また、サンプリン
グヘッドの定期検査などでサンプリングヘッドに近付く
必要があるときでも、従来のようにサンプリングヘッド
の下部に障害物があることはないので、比較的容易に近
付くことができる図２は、本発明の第２の実施の形態の
水冷半導体バルブの早期火災検出方法を示す。ここで
は、図１同一要素については同一符号を付して説明を省
略し、異なる点についてのみ説明する。Therefore, overheating of the organic material can be detected at an early stage, and damage can be minimized. Further, even when it is necessary to approach the sampling head for a periodic inspection of the sampling head, there is no obstacle below the sampling head as in the related art. 9 shows a method for detecting an early fire of a water-cooled semiconductor valve according to a second embodiment of the present invention. Here, the same elements as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted. Only different points will be described.

【００２４】図１に示した第１の実施の形態と異なる点
は、各バルブ上部にサンプリングヘッド１４−１〜１４
−３を設けた点である。本実施の形態では、吸込口８か
ら遠いＲ相バルブの下部で発生した微粒子は、第１の実
施の形態のようにサンプリングヘッド１３−１または１
３−２で微粒子を検出可能であり、各バルブの上部で発
生した微粒子は、各バルブ上部に設けられたサンプリン
グヘッド１４−１〜１４−３でいち早く検出することが
でき、想定されるあらゆる場所で発生した微粒子を最短
で検出が可能となる。The difference from the first embodiment shown in FIG. 1 is that sampling heads 14-1 to 14-14 are provided above each valve.
-3 is provided. In the present embodiment, the fine particles generated in the lower part of the R-phase valve far from the suction port 8 are supplied to the sampling head 13-1 or 1 as in the first embodiment.
Fine particles can be detected in 3-2, and fine particles generated in the upper part of each valve can be quickly detected by the sampling heads 14-1 to 14-3 provided in the upper part of each valve. Can be detected in the shortest time.

【００２５】尚、上記実施の形態は、従来で述べたサン
プリングした空気を霧箱に導き、微粒子に水蒸気を凝縮
させて粒径を大きくし、その個数を数える方式や、サン
プリングした空気をレーザーなどの光量が所定の強度で
発光されている空間に導くことで、光量の減衰により微
粒子の量を判定する方式のどちらにでも適用することが
でき、また、それに限らず微粒子を検出することにより
火災を検出する方式であれば適用することができる。In the above-described embodiment, the above-described method in which the sampled air is guided to a fog chamber and water vapor is condensed into fine particles to increase the particle size, and the number of the particles is counted. By guiding the amount of light to the space where the light intensity is emitted at a predetermined intensity, the method can be applied to both methods of determining the amount of fine particles by attenuating the amount of light. Any method can be applied as long as the method detects.

【００２６】[0026]

【発明の効果】以上詳述したように、本発明の請求項１
に記載の半導体バルブの早期火災検出方法では、少ない
サンプリングヘッドで迅速な材料の過熱を検出可能で、
また、サンプリングヘッドの保守・点検が容易となる。
本発明の請求項２に記載の半導体バルブの早期火災検出
方法では、想定されるバルブホール内の全ての場所にお
ける材料の過熱を迅速に検出可能となる。As described in detail above, claim 1 of the present invention
The early fire detection method for semiconductor valves described in (1) enables rapid detection of material overheating with a small number of sampling heads.
Further, maintenance and inspection of the sampling head are facilitated.
According to the early fire detection method for a semiconductor valve according to the second aspect of the present invention, it is possible to quickly detect overheating of a material at all locations within an assumed valve hole.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】 （ａ）は本発明の第１の実施の形態の平面
図。（ｂ）は第１の実施の形態の側面図。FIG. 1A is a plan view of a first embodiment of the present invention. (B) is a side view of the first embodiment.

【図２】 （ａ）は本発明の第２の実施の形態の平面
図。（ｂ）は第２の実施の形態の側面図。FIG. 2A is a plan view of a second embodiment of the present invention. (B) is a side view of the second embodiment.

【図３】 直流送電用変換装置の結線図。FIG. 3 is a connection diagram of a DC power transmission converter.

【図４】 （ａ）は従来の火災検出方法を示す平面図。
（ｂ）は従来の火災検出方法を示す側面図。FIG. 4A is a plan view showing a conventional fire detection method.
(B) is a side view which shows the conventional fire detection method.

【図５】 （ａ）は気流解析に用いたバルブホールの構
成を示す側面図。（ｂ）は気流解析に用いたバルブホー
ルの構成を示す平面図。FIG. 5A is a side view showing a configuration of a valve hole used for airflow analysis. (B) is a plan view showing the configuration of a valve hole used for airflow analysis.

【図６】 （ａ）はＴ相バルブの最上部から発生した微
粒子の軌跡の解析結果を示す側面図。（ｂ）はＴ相バル
ブの最上部から発生した微粒子の軌跡の解析結果を示す
平面図。（ｃ）はＴ相バルブの最上部から発生した微粒
子の軌跡の解析結果を示す正面図。FIG. 6A is a side view showing an analysis result of a trajectory of fine particles generated from the uppermost part of a T-phase valve. (B) is a plan view showing the analysis result of the trajectory of the fine particles generated from the uppermost part of the T-phase valve. (C) is a front view showing the analysis result of the trajectory of the fine particles generated from the uppermost part of the T-phase valve.

【図７】 （ａ）はＲ相バルブの最下部から発生した微
粒子の軌跡の解析結果を示す側面図。（ｂ）はＲ相バル
ブの最下部から発生した微粒子の軌跡の解析結果を示す
平面図。（ｃ）はＲ相バルブの最下部から発生した微粒
子の軌跡の解析結果を示す正面図。FIG. 7A is a side view showing an analysis result of a trajectory of fine particles generated from the lowermost part of the R-phase valve. (B) is a plan view showing the analysis result of the trajectory of the fine particles generated from the lowermost part of the R-phase valve. (C) is a front view showing the analysis result of the trajectory of the fine particles generated from the lowermost part of the R-phase valve.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

２−１〜２−３・・・バルブ ４−１〜４−３・・・交流側ブッシング ５−１、５−２・・・直流側ブッシング ６・・・バルブホール ８・・・空気吸込口 １２、１３−１、１３−２、１４−１〜１４−３・・・
サンプリングヘッド2-1 to 2-3: Valve 4-1 to 4-3: AC side bushing 5-1, 5-2: DC side bushing 6: Valve hole 8: Air suction port 12, 13-1, 13-2, 14-1 to 14-3 ...
Sampling head

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 バルブホール内の空気の温度及び湿度を
調整するために空気を床部から吹上げ側壁の吸込口から
吸い込むように循環させるバルブホールに収納された半
導体バルブが過熱されたときに発生する微粒子を検出す
ることで火災を検出する半導体バルブの早期火災検出方
法において、微粒子を検出するサンプリングヘッドを前
記側壁の吸込口と前記側壁の吸込口から水平方向に離れ
た位置に設置したことを特徴とする半導体バルブの早期
火災検出方法。When a semiconductor valve housed in a valve hole is heated, the air is blown up from a floor and circulated so as to be sucked from a suction port of a side wall in order to adjust temperature and humidity of air in the valve hole. In the early fire detection method of a semiconductor valve for detecting a fire by detecting generated fine particles, a sampling head for detecting fine particles is installed at a position horizontally separated from the suction port of the side wall and the suction port of the side wall. An early fire detection method for a semiconductor valve. 【請求項２】 請求項１記載の半導体バルブの早期火災
検出方法において、半導体バルブ上部のバルブホール天
井部にサンプリングヘッドを設置したことを特徴とする
半導体バルブの早期火災検出方法。2. A method according to claim 1, wherein a sampling head is provided on a ceiling of a valve hole above the semiconductor valve.