JPH11176816A - Vertical plasma reactor - Google Patents
Vertical plasma reactorInfo
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- JPH11176816A JPH11176816A JP9361749A JP36174997A JPH11176816A JP H11176816 A JPH11176816 A JP H11176816A JP 9361749 A JP9361749 A JP 9361749A JP 36174997 A JP36174997 A JP 36174997A JP H11176816 A JPH11176816 A JP H11176816A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、縦型プラズマリア
クターに関するものであり、詳しくは、ウェーハにエッ
チングやＣＶＤなどの乾式処理を施すプラズマリアクタ
ーであって、反応容器の内部を極めて容易に保守管理で
きる縦型プラズマリアクターに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vertical plasma reactor, and more particularly, to a plasma reactor for subjecting a wafer to a dry process such as etching or CVD, in which the inside of a reaction vessel is extremely easily maintained and managed. The present invention relates to a vertical plasma reactor that can be used.
【０００２】[0002]
【従来の技術】プラズマリアクターは、ウェーハに対す
るドライエッチング、イオンエッチング、アッシング、
プラズマ蒸着などの種々の乾式処理に使用される。斯か
るプラズマリアクターは、概略、減圧可能に構成され且
つプラズマ用ガスが供給される円筒状の反応容器を備
え、反応容器の外周に配置された電極に電力を供給し且
つ反応容器の内部に電界を形成することにより、反応容
器に供給されたガスをプラズマ化して上記の様な処理を
行う装置である。2. Description of the Related Art In a plasma reactor, dry etching, ion etching, ashing,
Used for various dry processes such as plasma deposition. Such a plasma reactor is generally configured to be capable of reducing pressure and includes a cylindrical reaction vessel to which a plasma gas is supplied, supplies electric power to an electrode disposed on the outer periphery of the reaction vessel, and generates an electric field inside the reaction vessel. Is an apparatus for converting the gas supplied to the reaction vessel into plasma to perform the above-described processing.
【０００３】上記プラズマリアクターの構造としては、
反応容器の内部に配置された金属製円筒体を内部電極と
して使用する同軸給電型や、金属製円筒体をエッチトン
ネルとして使用する対向電極型などの構造が挙げられ
る。また、ウェーハの処理方式によって、反応容器に装
填された多数枚のウェーハを１回に処理するバッチ方式
や反応容器の下方の処理室で１枚毎に処理する枚葉方式
などに区分される。そして、何れの構造のリアクターに
おいても、その多くは、反応容器を垂直に配置すること
により設置スペースを少なくしている。[0003] The structure of the plasma reactor is as follows:
Examples include a coaxial power supply type using a metal cylindrical body disposed inside the reaction vessel as an internal electrode, and a counter electrode type using a metal cylindrical body as an etch tunnel. In addition, according to the processing method of the wafer, a batch method in which a large number of wafers loaded in the reaction vessel are processed at one time, a single wafer processing method in which a plurality of wafers are processed one by one in a processing chamber below the reaction vessel, and the like. In most of the reactors having any structures, the installation space is reduced by vertically disposing the reaction vessels.
【０００４】ところで、プラズマリアクターの反応容器
は、通常、石英ガラスで構成されるが、その内壁や内部
の金属製円筒体などは、プラズマによって徐々に損傷を
受け、微小な析出物が発生する。また、プラズマ処理に
おいては、ウェーハから種々の反応生成物が発生し、反
応容器の内壁などに付着する。従って、反応容器の内部
や処理室は、清浄な状態を維持し、パーティクルの発生
を防止するため、適宜に保守管理する必要がある。な
お、反応容器の内部の清掃などは、通常は反応容器の上
端を開放して行い、また、必要に応じて架台から取り外
す等、一部解体して行う。[0004] The reaction vessel of the plasma reactor is usually made of quartz glass, but the inner wall and the inner metal cylinder are gradually damaged by the plasma, and fine precipitates are generated. In the plasma treatment, various reaction products are generated from the wafer and adhere to the inner wall of the reaction vessel. Therefore, it is necessary to appropriately maintain and manage the inside of the reaction vessel and the processing chamber in order to maintain a clean state and prevent generation of particles. Cleaning of the inside of the reaction vessel is usually performed with the upper end of the reaction vessel opened, and partly disassembled such as removal from the gantry as necessary.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】上記の様なプラズマリ
アクターにおける清掃作業などは、反応容器が縦方向に
長いために極めて手間であり、また、反応容器の解体作
業は、その付帯機器も含めると総重量が大きいために極
めて大掛りな作業である。すなわち、本発明の目的は、
反応容器などの内部を極めて容易に保守管理できる縦型
プラズマリアクターを提供することにある。The cleaning work in the plasma reactor as described above is extremely troublesome because the reaction vessel is long in the longitudinal direction, and the dismantling work of the reaction vessel includes the accompanying equipment. This is an extremely large-scale operation due to the large total weight. That is, the object of the present invention is:
An object of the present invention is to provide a vertical plasma reactor in which the inside of a reaction vessel and the like can be maintained and managed very easily.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明の縦型プラズマリアクターは、ウェーハにプ
ラズマ処理を施すプラズマリアクターであって、減圧可
能に構成され且つプラズマ用ガスが供給される円筒状の
反応容器と、当該反応容器を垂直に支持する架台として
の水平なベースプレートとを備え、前記反応容器は、当
該反応容器の外周側であって且つ前記ベースプレート又
はその近傍に設けられた支点を中心に水平方向に旋回可
能に構成されていることを特徴とする。In order to solve the above problems, a vertical plasma reactor of the present invention is a plasma reactor for performing a plasma process on a wafer, and is configured to be capable of reducing pressure and supplied with a plasma gas. Cylindrical reaction vessel, and a horizontal base plate as a gantry that vertically supports the reaction vessel, and the reaction vessel is provided on the outer peripheral side of the reaction vessel and at or near the base plate. It is characterized in that it is configured to be able to turn in the horizontal direction about the fulcrum.
【０００７】上記の縦型プラズマリアクターにおいて、
反応容器の特定の旋回構造は、反応容器を旋回させるこ
とにより、反応容器の下端を開放し、反応容器の内部に
対する下方からの清浄作業などを可能にする。[0007] In the above vertical plasma reactor,
The specific swirl structure of the reaction vessel opens the lower end of the reaction vessel by swirling the reaction vessel, and enables the inside of the reaction vessel to perform a cleaning operation from below.
【０００８】[0008]
【発明の実施の形態】本発明に係る縦型プラズマリアク
ターの実施形態を図面に基づいて説明する。図１は、本
発明に係る縦型プラズマリアクターの全体構造の一例を
示す側面図である。以下、実施形態の説明においては、
縦型プラズマリアクターを「リアクター」と略記する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of a vertical plasma reactor according to the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a side view showing an example of the entire structure of the vertical plasma reactor according to the present invention. Hereinafter, in the description of the embodiment,
The vertical plasma reactor is abbreviated as “reactor”.
【０００９】本発明のリアクターは、図１に示す様に、
ウェーハにプラズマ処理を施す装置であり、減圧可能に
構成され且つプラズマ用ガスが供給される円筒状の反応
容器（１）と、当該反応容器を垂直に支持する架台とし
ての水平なベースプレート（１０）とを備え、また、反
応容器（１）の外周には、外部電極（２）が略密着する
状態で配置され、反応容器（１）の内部には、当該反応
容器と同軸に金属製円筒体（４）が配置される。本発明
のリアクターは、金属製円筒体（４）を接地することに
より内部電極として利用した同軸給電型または金属製円
筒体（４）を接地することなくエッチトンネルとして利
用した対向電極型の何れでもよい。[0009] The reactor of the present invention, as shown in FIG.
An apparatus for performing a plasma process on a wafer, a cylindrical reaction vessel (1) configured to be capable of reducing pressure and supplied with a plasma gas, and a horizontal base plate (10) serving as a base for vertically supporting the reaction vessel. In addition, an external electrode (2) is arranged on the outer periphery of the reaction vessel (1) so as to be in close contact with the reaction vessel (1). (4) is arranged. The reactor of the present invention may be either a coaxial power supply type in which the metal cylindrical body (4) is used as an internal electrode by grounding or a counter electrode type in which the metal cylindrical body (4) is used as an etch tunnel without grounding. Good.
【００１０】反応容器（１）は、通常、石英ガラスで形
成されており、軸線を鉛直方向に向けてボトムプレート
（７）を介してベースプレート（１０）上に配置され
る。反応容器（１）の下端は、ボトムプレート（７）に
搭載されており、外周に配置されたシールフランジ
（６）によって気密が保持される。ボトムプレート
（７）の中央部には、ウェーハを多段に保持する所謂ウ
ェハーボート（１６）（鎖線で一部図示）が通過し得る
程度の直径の円形開口部が反応容器（１）と同軸に設け
られる。また、反応容器（１）の上端は、トッププレー
ト（５）で封止されており、外周に配置されたシールフ
ランジ（６）によって気密が保持される。トッププレー
ト（５）の中央部には、処理後の放熱を行うため、開閉
可能な上蓋（５２）が設けられる。[0010] The reaction vessel (1) is usually formed of quartz glass, and is disposed on a base plate (10) via a bottom plate (7) with its axis directed vertically. The lower end of the reaction vessel (1) is mounted on a bottom plate (7), and airtightness is maintained by a seal flange (6) arranged on the outer periphery. In the center of the bottom plate (7), a circular opening having a diameter such that a so-called wafer boat (16) (partially shown by chain lines) for holding wafers in multiple stages can pass therethrough is coaxial with the reaction vessel (1). Provided. The upper end of the reaction vessel (1) is sealed with a top plate (5), and airtightness is maintained by a seal flange (6) arranged on the outer periphery. At the center of the top plate (5), an openable / closable upper lid (52) is provided to release heat after processing.
【００１１】トッププレート（５）は、下端側のシール
フランジ（６）を介してボトムプレート（７）に立設さ
れた複数の支持ロッド（８，８）により、上端側のシー
ルフランジ（６）を介して支持される。支持ロッド
（８，８）は、トッププレート（５）の荷重を支持する
と共に、反応容器（１）を減圧した際にトッププレート
（５）とボトムプレート（７）の間に生じる軸線方向の
吸引力に対向する。The top plate (5) is provided with a plurality of support rods (8, 8) erected on the bottom plate (7) via the lower end seal flange (6) to form an upper end seal flange (6). Supported through. The support rods (8, 8) support the load of the top plate (5), and suction in the axial direction generated between the top plate (5) and the bottom plate (7) when the pressure in the reaction vessel (1) is reduced. Oppose the force.
【００１２】反応容器（１）には、プラズマ用ガスを導
入するため、長手方向に沿って多数のガス噴出孔（図示
せず）を有するガス導入管（１３）が上方から挿入され
る。また、反応容器（１）の上方からは、長手方向に沿
って多数のガス吸引孔（図示せず）を有するガス排出管
（１５）が挿入されており、真空系の駆動により、反応
容器（１）の内部を所定の真空度に減圧し且つ反応排ガ
スを系外に排気する様になされている。A gas introduction pipe (13) having a large number of gas ejection holes (not shown) is inserted from above into the reaction vessel (1) in order to introduce a plasma gas. A gas exhaust pipe (15) having a number of gas suction holes (not shown) is inserted from above the reaction vessel (1) along the longitudinal direction, and the reaction vessel (1) is driven by a vacuum system. The pressure in (1) is reduced to a predetermined degree of vacuum, and the reaction exhaust gas is exhausted out of the system.
【００１３】外部電極（２）は、通常、アルミニウム又
は銅などの導電性材料によって円筒状に構成され、そし
て、インピーダンス調整用のマッチング装置（整合回
路）を介して高周波電源（図示せず）に接続される。ま
た、金属製円筒体（４）は、通常、表面処理されたアル
ミニュウム合金などで構成され、ウェハーボート（１
６）を挿通し得る程度の直径に形成される。金属製円筒
体（４）の周壁には、プラズマ成分を流入させるための
多数の小孔が均一なピッチで設けられる。The external electrode (2) is usually made of a conductive material such as aluminum or copper in a cylindrical shape, and is connected to a high-frequency power supply (not shown) via a matching device (matching circuit) for impedance adjustment. Connected. The metal cylinder (4) is usually made of a surface-treated aluminum alloy or the like, and is made of a wafer boat (1).
6) is formed to a diameter that can be inserted. On the peripheral wall of the metal cylinder (4), a large number of small holes for allowing a plasma component to flow are provided at a uniform pitch.
【００１４】また、反応容器（１）の外周側には、温度
制御機構（１４）が４〜６基設けられる。温度制御機構
（１４）は、例えば、遠赤外線ヒーター等の熱源（３
０）および輻射熱を利用するためのリフレクター（３
２）から構成される。なお、温度制御機構としては、プ
ラズマの影響を受けることのないセラミックヒーター等
の熱源を金属製円筒体（４）の内周側に配置し、一層近
距離から内部のウェーハを加熱する機構を採用すること
も出来る。On the outer peripheral side of the reaction vessel (1), four to six temperature control mechanisms (14) are provided. The temperature control mechanism (14) includes, for example, a heat source (3
0) and a reflector (3) for utilizing radiant heat.
It consists of 2). As a temperature control mechanism, a mechanism is used in which a heat source such as a ceramic heater which is not affected by plasma is arranged on the inner peripheral side of the metal cylinder (4) and the internal wafer is heated from a closer distance. You can do it.
【００１５】上記ボトムプレート（７）と共に反応容器
（１）を支持する架台は、例えば、下部ベース（１２）
に立設された支柱（９，９）でベースプレート（１０）
を支持して構成される。一方、ベースプレート（１０）
には、ボトムプレート（７）の開口部と同軸に幾分大径
の円形開口部が設けられている。ベースプレート（１
０）及びボトムプレート（７）の円形開口部は、垂直断
面が凸状に形成され且つベースプレート（１０）の下方
で昇降可能に構成されたた反応容器下蓋（１７）により
気密に封止される。The base supporting the reaction vessel (1) together with the bottom plate (7) is, for example, a lower base (12).
Base plate (10) with columns (9, 9) standing upright
It is configured to support. On the other hand, base plate (10)
Has a somewhat larger diameter circular opening coaxial with the opening of the bottom plate (7). Base plate (1
0) and a circular opening of the bottom plate (7) are hermetically sealed by a reaction vessel lower lid (17) having a convex vertical cross section and capable of moving up and down below the base plate (10). You.
【００１６】反応容器下蓋（１７）の上には、上記ウェ
ハーボート（１６）が搭載され、ウェハーボート（１
６）は、反応容器下蓋（１７）の昇降により、ベースプ
レート（１０）及びボトムプレート（７）の円形開口部
を介して金属製円筒体（４）の内部に装入される様にな
されている。周知の通り、ウェハーボート（１６）は、
複数の切欠を設けた石英製支柱をウェーハの外周に倣っ
て適宜に立設して構成され、装填される多数枚のウェー
ハを前記切欠により上下方向に所定間隔で多段に保持す
る保持部材である。The wafer boat (16) is mounted on the lower lid (17) of the reaction vessel.
(6) is such that the lower lid (17) of the reaction vessel is loaded into the metal cylindrical body (4) through the circular openings of the base plate (10) and the bottom plate (7) by elevating the lower lid (17). I have. As is well known, the wafer boat (16)
A holding member configured by appropriately standing up a quartz support provided with a plurality of cutouts along the outer periphery of the wafer, and holding a plurality of wafers to be loaded at predetermined intervals in the vertical direction by the cutouts. .
【００１７】反応容器下蓋（１７）を昇降させる機構と
しては、例えば、支柱（９）に沿って設けられたリニア
ガイド（図示せず）に反応容器下蓋（１７）を水平に取
り付け、サーボモータで回動するボール螺子またはシリ
ンダ装置によって反応容器下蓋（１７）を昇降させる機
構が挙げられる。斯かる昇降機構により、反応容器下蓋
（１７）は、ウェハーボート（１６）へのウェーハの装
填および排出に伴って上方または下方に間欠移動する様
に構成される。As a mechanism for raising and lowering the lower lid of the reaction vessel (17), for example, the lower lid (17) of the reaction vessel is mounted horizontally on a linear guide (not shown) provided along the column (9), A mechanism for raising and lowering the lower lid (17) of the reaction container by a ball screw or a cylinder device rotated by a motor is used. With such an elevating mechanism, the lower lid (17) of the reaction vessel is configured to intermittently move upward or downward with the loading and unloading of wafers into and from the wafer boat (16).
【００１８】一般に、プラズマ処理を多く行った場合、
反応容器（１）の内壁や金属製円筒体（４）などには、
それらの母材やウェーハなどから微小な析出物が発生す
る。そこで、本発明のリアクターにおいては、反応容器
（１）の内部を簡単に保守管理するため、反応容器
（１）は、当該反応容器の外周側であって且つベースプ
レート（１０）に設けられた支点を中心に水平方向に旋
回可能に構成される。Generally, when a large amount of plasma processing is performed,
The inner wall of the reaction vessel (1) and the metal cylinder (4)
Fine precipitates are generated from such base materials and wafers. Therefore, in the reactor of the present invention, in order to easily maintain and manage the inside of the reaction vessel (1), the reaction vessel (1) is provided on a fulcrum provided on the outer peripheral side of the reaction vessel and on the base plate (10). Is configured to be able to turn in the horizontal direction around the center.
【００１９】具体的には、反応容器（１）の下端のボト
ムプレート（７）は、架台側のベースプレート（１０）
の側縁部に設けられたジャッキ（３）に枢支される。す
なわち、ベースプレート（１０）の側縁部には、当該ベ
ースプレートの下面側からジャッキ（３）が取り付けら
れる。ジャッキ（３）の伸縮ロッドは、ベースプレート
（１０）の側縁部を貫通し、前記の伸縮ロッドの先端
は、ボトムプレート（７）の側縁部に下面側から没入し
ている。そして、ボトムプレート（７）の側縁部は、ジ
ャッキ（３）の伸縮ロッドの先端に対して回動自在に係
止される。Specifically, the bottom plate (7) at the lower end of the reaction vessel (1) is connected to the base plate (10) on the gantry side.
Is pivotally supported by a jack (3) provided at the side edge of the. That is, the jack (3) is attached to the side edge of the base plate (10) from the lower surface side of the base plate. The telescopic rod of the jack (3) penetrates the side edge of the base plate (10), and the distal end of the telescopic rod is inserted into the side edge of the bottom plate (7) from the lower surface side. The side edge of the bottom plate (7) is rotatably locked to the distal end of the telescopic rod of the jack (3).
【００２０】ジャッキ（３）としては、十分なリフト能
力を確保するため、螺子機構を利用した螺子ジャッキ、
ラックハンドルで歯車を回転させるラック駆動ジャッ
キ、あるいは、油送ポンプを作動させてラムを押し上げ
る油圧ジャッキ等が好ましく、また、ジャッキ（３）の
リフト量は、３〜１０ｍｍ程度あればよい。更に、ボト
ムプレート（７）とベースプレート（１０）の間は、ベ
ースプレート（１０）の円形開口部の周囲に配置された
パッキン（図示省略）によって気密にシールされる。As the jack (3), a screw jack using a screw mechanism to secure a sufficient lifting capacity,
A rack drive jack for rotating gears by a rack handle, or a hydraulic jack for pushing up a ram by operating an oil feed pump is preferable, and the lift amount of the jack (3) may be about 3 to 10 mm. Further, the space between the bottom plate (7) and the base plate (10) is hermetically sealed by a packing (not shown) arranged around the circular opening of the base plate (10).
【００２１】本発明のリアクターによるプラズマ処理に
おいては、先ず、反応容器下蓋（１７）上のウェハーボ
ート（１６）にウェーハを配置して金属製円筒体（４）
の内部に装填する。次いで、ガス排出管（１５）を通じ
て所要の真空度に反応容器（１）の内部を減圧した後、
その真空度を維持しつつガス導入管（１３）を通じてプ
ラズマ用ガスを供給し且つ高周波電源から外部電極
（２）に高周波電力を供給する。In the plasma treatment by the reactor of the present invention, first, a wafer is placed on a wafer boat (16) on a lower lid (17) of a reaction vessel, and a metal cylinder (4) is placed.
Load inside. Next, the pressure inside the reaction vessel (1) is reduced to a required degree of vacuum through the gas discharge pipe (15).
While maintaining the degree of vacuum, a plasma gas is supplied through the gas introduction pipe (13), and high frequency power is supplied from the high frequency power supply to the external electrode (2).
【００２２】その結果、外部電極（２）と金属製円筒体
（４）の間に電界が生じ、反応容器（１）に供給された
ガスがプラズマ化し、そして、金属製円筒体（４）の内
部に流入したラジカル等のプラズマ成分によりウェーハ
が処理される。なお、プラズマ用ガスとしては、例え
ば、アッシング処理の場合、酸素、水素、アルゴン、水
などが用いられ、また、エッチング処理の場合、フッ
素、臭素、塩素などが用いられる。As a result, an electric field is generated between the external electrode (2) and the metal cylinder (4), the gas supplied to the reaction vessel (1) is turned into plasma, and the gas is supplied to the metal cylinder (4). The wafer is processed by plasma components such as radicals flowing into the inside. In addition, as a plasma gas, for example, oxygen, hydrogen, argon, water, or the like is used in an ashing process, and fluorine, bromine, chlorine, or the like is used in an etching process.
【００２３】本発明のリアクターは、反応容器（１）の
内部を簡単に保守管理できる。例えば、反応容器（１）
の内部を清掃する場合、先ず、ジャッキ（３）を起動
し、ジャッキ（３）のロッドを伸長させることにより、
ボトムプレート（７）と共に反応容器（１）を持ち上げ
る。次いで、例えば、１つの支柱（８）に手を掛け、手
動操作して反応容器（１）を約１８０°旋回させる。そ
の結果、反応容器（１）の下端から身体の一部を入れて
内部を清掃をできる。また、最初の状態に復帰する場合
は、初めの位置まで反応容器（１）を旋回させた後、ジ
ャッキ（３）のロッドを後退させてボトムプレート
（７）をベースプレート（１０）に載せる。The reactor of the present invention can easily maintain the inside of the reaction vessel (1). For example, a reaction vessel (1)
When cleaning the inside of the jack, first, the jack (3) is activated and the rod of the jack (3) is extended,
Lift the reaction vessel (1) together with the bottom plate (7). Next, for example, a hand is put on one of the columns (8), and the reaction vessel (1) is rotated by about 180 ° by manual operation. As a result, the inside of the reaction vessel (1) can be cleaned by inserting a part of the body from the lower end. When returning to the initial state, the reaction vessel (1) is turned to the initial position, and then the rod of the jack (3) is retracted to put the bottom plate (7) on the base plate (10).
【００２４】すなわち、反応容器（１）の特定の旋回構
造は、反応容器（１）を旋回させることにより、反応容
器（１）の下端を完全に開放でき、反応容器（１）の内
部に対する下方からの清浄作業などを可能にする。換言
すれば、本発明のリアクターは、反応容器（１）の内部
に上端側から身体を入れて作業したり、解体などする必
要がなく、清掃作業や修理などの反応容器（１）の内部
の保守管理を下端の開口部から極めて容易に且つ安全に
実施できる。That is, in the specific swirl structure of the reaction vessel (1), the lower end of the reaction vessel (1) can be completely opened by swirling the reaction vessel (1), and the lower part with respect to the inside of the reaction vessel (1). Cleaning work from the factory. In other words, the reactor of the present invention does not need to work or disassemble by putting the body inside the reaction vessel (1) from the upper end side. Maintenance can be performed very easily and safely from the opening at the lower end.
【００２５】なお、上記の実施形態において、反応容器
（１）は、ベースプレート（１０）の近傍の架台の他の
部材に設けられた支点を中心に旋回可能に構成されてい
てもよい。また、上記の実施形態は、ベースプレートに
設けられた開口（円形開口部）を介してウェーハが下方
から反応容器に装填される構造を備えたいわゆるバッチ
方式の縦型プラズマリアクターにおける形態であるが、
本発明は、ベースプレートに設けられた開口を介して連
続する処理室がベースプレートの下方に配置され、か
つ、ウェーハが処理室に装填される構造を備えたいわゆ
る枚葉方式の縦型プラズマリアクターにおいても同様に
適用できる。特に、枚葉方式の縦型プラズマリアクター
に適用した場合には、反応容器を旋回させることによ
り、サセプターを含む処理室の保守管理も極めて容易に
実施できる。また、本発明は、反応容器の外周に螺旋共
振コイルが配置された共振型のリアクターにも同様に適
用できる。In the above embodiment, the reaction vessel (1) may be configured to be pivotable about a fulcrum provided on another member of the gantry near the base plate (10). Further, the above embodiment is a so-called batch type vertical plasma reactor having a structure in which a wafer is loaded into a reaction vessel from below through an opening (a circular opening) provided in a base plate.
The present invention is also directed to a so-called single-wafer type vertical plasma reactor having a structure in which a processing chamber continuous through an opening provided in a base plate is arranged below the base plate and a wafer is loaded into the processing chamber. The same applies. In particular, when the present invention is applied to a single-wafer type vertical plasma reactor, maintenance of a processing chamber including a susceptor can be performed extremely easily by rotating the reaction vessel. Further, the present invention can be similarly applied to a resonance type reactor in which a spiral resonance coil is arranged on the outer periphery of a reaction vessel.
【００２６】[0026]
【発明の効果】以上説明した様に、本発明の縦型プラズ
マリアクターによれば、反応容器を旋回させて下端を開
放できるため、清掃作業や修理など、反応容器の内部な
どの保守管理を下端の開口部から極めて容易に且つ安全
に実施できる。As described above, according to the vertical plasma reactor of the present invention, the lower end can be opened by turning the reaction vessel, so that the maintenance management of the inside of the reaction vessel such as cleaning work and repair can be performed at the lower end. Very easily and safely through the opening.
【図１】本発明に係る縦型プラズマリアクターの全体構
造の一例を示す側面図FIG. 1 is a side view showing an example of the entire structure of a vertical plasma reactor according to the present invention.
１ ：反応容器 ２ ：外部電極 ３ ：温度制御機構 ４ ：金属製円筒体 ５ ：トッププレート ６ ：シールフランジ ７ ：ボトムプレート ８ ：支持ロッド １３：ガス導入管 １５：ガス排出管 １６：ウェハーボート 1: Reaction vessel 2: External electrode 3: Temperature control mechanism 4: Metal cylinder 5: Top plate 6: Seal flange 7: Bottom plate 8: Support rod 13: Gas introduction pipe 15: Gas exhaust pipe 16: Wafer boat
Claims (3)
リアクターであって、減圧可能に構成され且つプラズマ
用ガスが供給される円筒状の反応容器と、当該反応容器
を垂直に支持する架台としての水平なベースプレートと
を備え、前記反応容器は、当該反応容器の外周側であっ
て且つ前記ベースプレート又はその近傍に設けられた支
点を中心に水平方向に旋回可能に構成されていることを
特徴とする縦型プラズマリアクター。1. A plasma reactor for performing a plasma treatment on a wafer, comprising: a cylindrical reaction vessel configured to be capable of reducing pressure and supplied with a plasma gas; and a horizontal reactor as a gantry for vertically supporting the reaction vessel. And a base plate, wherein the reaction vessel is configured to be capable of turning horizontally around a fulcrum provided on the outer peripheral side of the reaction vessel and at or near the base plate. Plasma reactor.
ーであって、ベースプレートに設けられた開口を介して
ウェーハが下方から反応容器に装填される構造を備えた
バッチ方式の縦型プラズマリアクター。2. The vertical plasma reactor according to claim 1, wherein the vertical plasma reactor has a structure in which a wafer is loaded into a reaction vessel from below through an opening provided in a base plate.
ーであって、ベースプレートに設けられた開口を介して
連続する処理室が前記ベースプレートの下方に配置さ
れ、かつ、ウェーハが前記処理室に装填される構造を備
えた枚葉方式の縦型プラズマリアクター。3. The vertical plasma reactor according to claim 1, wherein a processing chamber continuous through an opening provided in the base plate is disposed below the base plate, and a wafer is loaded into the processing chamber. Single-wafer type vertical plasma reactor with the structure described below.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9361749A JPH11176816A (en) | 1997-12-10 | 1997-12-10 | Vertical plasma reactor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9361749A JPH11176816A (en) | 1997-12-10 | 1997-12-10 | Vertical plasma reactor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11176816A true JPH11176816A (en) | 1999-07-02 |
Family
ID=18474740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9361749A Pending JPH11176816A (en) | 1997-12-10 | 1997-12-10 | Vertical plasma reactor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11176816A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017010624A (en) * | 2015-06-17 | 2017-01-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Plasma processing device |
| JP2020035753A (en) * | 2019-10-28 | 2020-03-05 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Plasma processing device |
-
1997
- 1997-12-10 JP JP9361749A patent/JPH11176816A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017010624A (en) * | 2015-06-17 | 2017-01-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Plasma processing device |
| JP2020035753A (en) * | 2019-10-28 | 2020-03-05 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Plasma processing device |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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