JPH11176637A

JPH11176637A - 偏光子及び磁気光学素子

Info

Publication number: JPH11176637A
Application number: JP34661997A
Authority: JP
Inventors: Tadao Katsuragawa; 忠雄桂川
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1997-12-16
Filing date: 1997-12-16
Publication date: 1999-07-02

Abstract

(57)【要約】【課題】光透過率が高くて透明性に優れた偏光子、さ
らには、このような透明性に優れた偏光子を用いること
でコントラストの高い画像表示が可能な磁気光学素子を
提供する。【解決手段】透明基板表面に半導体材料による０．１
〜０．５μｍオーダのピッチと深さよりなる直線状の周
期構造を有する一対の偏光子２，３と透明磁性層４との
サンドイッチ構造の磁気光学素子１とすることで、偏光
子２，３の光透過率が格段に向上するので、透明磁性層
４に磁気的に記録された画像を透明性の高い偏光子２，
３を通して高いコントラストで表示できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、透明性の高い偏光
子及び磁気光学素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】磁性体を磁化し、磁化方向に平行に直線
偏光を入射させると、その直線偏光は磁性体を通過する
ことにより光の偏光面が回転されることはファラデー効
果として知られている。このようなファラデー効果を有
する材料を用いて磁気記録媒体（磁気光学素子）などが
作られている。また、ディスプレイ等への応用を考慮し
た分野では、液晶ディスプレイ等の場合と同様に、偏光
子を併用することが考えられており、例えば、市販のフ
ィルム偏光子が用いられる。このフィルム偏光子は、直
線偏光の一方をほぼ吸収しそれに直交する直線偏光を殆
ど吸収しない分子の配向による複屈折性の材料の性質を
利用した偏光子である。一般には、ヨウ素を吸収させた
ポリビニルアルコール薄膜を一方向に伸ばして分子を平
行に並べ、それをアセチルブチルセルローズでサンドイ
ッチした構成とされている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
市販のフィルム偏光子は、可視光全体に対して４０％程
度の光透過率を示すに過ぎず、５０％以上の光透過率を
持たせるのは原理的に不可能とされている。この結果、
ディスプレイ等に応用した場合、透明性が不十分でコン
トラストに欠ける画像表示となってしまう。

【０００４】そこで、本発明は、光透過率が高くて透明
性に優れた偏光子を提供することを目的とする。また、
このような透明性に優れた偏光子を用いることでコント
ラストの高い画像表示が可能な磁気光学素子を提供する
ことを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明の偏
光子は、透明基板表面に半導体材料による０．１〜０．
５μｍオーダのピッチと深さよりなる直線状の周期構造
を有する。従って、所謂回折格子構造からなるが、周期
構造のピッチが用いる光の波長と同等又はそれ以下程度
に小さければ、Ｐ偏光とＳ偏光との光透過率が大幅に異
なることで偏光度の高い偏光子としての機能が確保され
る。この際、直線状の周期構造は半導体材料よりなるた
め、周期構造中の電子が１方向にのみ光の電場で動かさ
れることにより周期構造の溝方向に垂直な偏光成分の光
を通すため、可視光の特定波長域に限られるものの、高
い光透過率が得られ、透明性の高い偏光子となる。

【０００６】請求項２記載の発明の偏光子は、透明基板
表面に透明な有機材料による０．１〜０．５μｍオーダ
のピッチと深さよりなる直線状の周期構造を有し、この
周期構造の表面全面に周期構造に従う金属薄膜又は半導
体薄膜を有する。従って、所謂回折格子構造からなる
が、周期構造のピッチが用いる光の波長と同等又はそれ
以下程度に小さければ、Ｐ偏光とＳ偏光との光透過率が
大幅に異なることで偏光度の高い偏光子としての機能が
確保される。この際、直線状の周期構造は透明な有機材
料をベースとしてその表面に金属薄膜又は半導体薄膜を
形成してなるため、周期構造中の電子が１方向にのみ光
の電場で動かされることにより周期構造の溝方向に垂直
な偏光成分の光を通すため、可視光の特定波長域に限ら
れるものの、高い光透過率が得られ、透明性の高い偏光
子となる。特に、周期構造のベースは透明な有機材料に
荷わせ、電界の吸収は極めて薄い金属薄膜又は半導体薄
膜に荷わせているので、光透過率を向上させやすい構造
となる。

【０００７】請求項３記載の発明の偏光子は、透明基板
表面に透明導電膜による０．１〜０．５μｍオーダのピ
ッチと深さよりなる直線状の周期構造を有する。従っ
て、所謂回折格子構造からなるが、周期構造のピッチが
用いる光の波長と同等又はそれ以下程度に小さければ、
Ｐ偏光とＳ偏光との光透過率が大幅に異なることで偏光
度の高い偏光子としての機能が確保される。この際、直
線状の周期構造は透明導電膜よりなるため、周期構造中
の電子が１方向にのみ光の電場で動かされることにより
周期構造の溝方向に垂直な偏光成分の光を通すため、可
視光の特定波長域に限られるものの、高い光透過率が得
られ、周期構造自身も透明なため、透明性の高い偏光子
となる。

【０００８】請求項４記載の発明は、請求項１又は２記
載の偏光子の半導体がシリコン又はゲルマニウムであ
る。従って、光の吸収性と屈折率の上で好ましく、良好
なる偏光機能が発揮される。

【０００９】請求項５記載の発明の磁気光学素子は、請
求項１，２，３又は４記載の一対の偏光子と、これらの
偏光子間に挾持された透明磁性層とを備える。従って、
透明磁性層に磁気的に記録された画像を上記の透明性の
高い偏光子を通して高いコントラストで表示し得る透過
型ディスプレイとなる。

【００１０】請求項６記載の発明の磁気光学素子は、請
求項１，２，３又は４記載の１枚の偏光子と、反射板
と、これらの偏光子と反射板との間に挾持された透明磁
性層とを備える。従って、透明磁性層に磁気的に記録さ
れた画像を上記の透明性の高い偏光子を通して高いコン
トラストで表示し得る反射型ディスプレイとなる。この
際、透明磁性層の磁化部のファラデー回転角度は反射に
より往復することで２倍となるため、よりコントラスト
の高い表示が可能となる。

【００１１】請求項７記載の発明は、請求項６記載の磁
気光学素子がさらに反射板の裏面側に磁気ヘッドを有す
る。従って、一体化された磁気ヘッドにより透明磁性層
に対して高速で画像を順次形成・消去し得るため、動的
表示も可能となる。

【００１２】請求項８記載の発明は、請求項５，６又は
７記載の磁気光学素子の偏光子と透明磁性層とが、用い
る光の波長依存性が合わせられている。従って、偏光子
だけでなく、透明磁性層も一般に波長によってファラデ
ー回転角が変化する波長依存性を有するが、これらの波
長依存性が合わせられており、可視光の特定波長域に限
られるものの、偏光子の光透過率と偏光度とが最大とな
る状態で利用でき、極めてコントラストの高い表示が可
能となる。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態を図面に基
づいて説明する。図１は本実施の形態の磁気光学素子１
の基本的構成例を模式的に示すもので、一対の偏光子
２，３と、これらの偏光子２，３間に挾持された透明磁
性層４とのサンドイッチ構造とされている。

【００１４】偏光子２，３はともに同じ構成であり、こ
こでは、偏光子２を例に採り図２を参照して説明する。
偏光子２は透明基板５の表面に微細なグレーティング形
状による直線状の周期構造６が形成された、所謂、回折
格子構造とされている。ここで、周期構造６は、例えば
図２（ａ）に示すように凹凸の繰返しによる矩形波状で
あってもよいが、例えば図２（ｂ）に示すように山形形
状のものであってもよく、その形状は特に問わない。何
れにしても、周期構造６のピッチＬは０．２〜０．５μ
ｍオーダ、厚み（溝の深さ）ｔは０．１〜０．５μｍオ
ーダとされている。透明基板５としては例えばＳｉＯ₂
基板等が用いられ、周期構造６はアモルファス‐シリコ
ン、結晶シリコン、アモルファス‐ゲルマニウム、結晶
ゲルマニウム等の半導体材料を用いて形成される。この
他、Ｂ，Ｃ，Ｐ，Ｓｅ，Ａｓ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｔｅ，Ｂ
ｉ，Ｐｏ，Ａｔ等の半導体材料であってもよいが、特
に、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）によれ
ば、光の吸収性と屈折率の点で好ましい。また、一般に
フォトグラフィーでレジスト材料として用いられるもの
のうちで透明性の高い有機材料のような絶縁体を用いて
周期構造６を形成する場合には、例えば、図２（ｃ）に
示すように、有機材料７による周期構造６の表面全面に
５０〜１００Åの極薄い金属薄膜又は半導体薄膜８を形
成することで電子移動可能な構成としてもよい。さらに
は、導電性高分子やＩＴＯ膜のような透明導電膜を利用
して周期構造６を形成することで、透明性と導電性とを
両立させるようにしてもよい。周期構造６のピッチＬと
厚さｔとは相関があり、これらのピッチＬと厚さｔとの
組合せを適宜選定することにより、偏光子２の光透過率
Ｔ₁ （Ｓ偏光の光透過率）、Ｔ₂ （Ｐ偏光の光透過率）
と偏光度（（Ｔ₁−Ｔ₂）／（Ｔ₁＋Ｔ₂））とをともに高
くすることができる。

【００１５】即ち、図２に例示するような偏光子２の構
造は、一般には、回折格子構造と称されるものである
が、特に、周期構造６のピッチＬを用いる可視光の波長
又はその波長以下とすることによって、Ｐ偏光とＳ偏光
との光透過率が大幅に異なってくるため、偏光子として
の機能を確保できる。このとき、直線状の周期構造６に
おける溝部分と平行な偏光成分を持つ光は８０％程度通
すが、溝部分に直交する方向の偏光成分を持つ光は殆ど
通さないようになる。つまり、本実施の形態のような偏
光子２の場合、可視光の特定波長域に限定されるもの
の、その波長域においては、８０％といった極めて高い
光透過率が得られ、８５％以上もの偏光度が得られるこ
とになる。もちろん、偏光子３でも同様である。よっ
て、偏光子２，３は極めて透明性の高いものである。

【００１６】ここで、偏光子２，３の透明基板５として
は、前述したＳｉＯ₂ 基板に限らず、例えば、以下のよ
うなものを用い得る。即ち、ＭＭＡ樹脂、ＰＭＭＡ樹
脂、ポリカーボネート樹脂、ポリプロピレン樹脂、アク
リル系樹脂、スチレン系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ポリアリレ
ート、ポリスチレン、ポリサルフォン、ポリエーテルサ
ルフォン、エポキシ樹脂、ポリ‐４‐メチルベンテン‐
１、フッ素化ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、フエノキシ
樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ジエチレングリコールビ
スアリルカーボネート、ナイロン樹脂、フルオレン系ポ
リマー等の透明プラスチックに代表される有機物や、ガ
ラス、石英、アルミナ等の無機透明材料を用い得る。

【００１７】次に、透明磁性層４について説明する。透
明磁性層４も特定波長域に機能するものであり、偏光子
２，３側の波長依存性と合わせる必要がある点を考慮す
ると、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ又はこれらの合金膜又は微粒子
を含む膜構成とすれば、波長によってファラデー回転角
が変化するという波長依存性が少ないので、偏光子２，
３の特性（光透過率及び偏光度が最大になる）に合わせ
ることが容易となり、好ましい。加えて、これらの材料
による場合、平均粒子径１００Åとすれば、光透過率も
良好で保磁力も粒子径によって制御し得る利点がある。
もっとも、波長依存性が大きい一般的な磁気光学材料で
あっても、ファラデー回転角が最大になる波長と偏光子
特性が最大となる波長さえ合わせれば、特に支障なく用
い得る。例えば、ＢｎＢｉ，ＹＦｅＯ₃ ，ＦｅＦ₃ ，γ
‐Ｆｅ₂Ｏ₃，Ｆｅ₃Ｏ₄，ＦｅＮ_x，Ｂａフェライト、Ｃ
ｏフェライト等のフェライト、希土類鉄ガーネット、等
の比較的透明な強磁性体を用い得る。

【００１８】このような磁気光学素子１中の透明磁性層
４に対する画像情報の記録（磁化）は、所謂、磁気ヘッ
ドと称されるものを用いて行えばよい。具体的には、垂
直磁気ヘッド、リングヘッドと称される磁気誘導型ヘッ
ド、永久磁石を丸棒状に切り出してペン状に加工したも
の等を用い得る。このような磁気ヘッドを磁気光学素子
１に対して取外し自在とし、記録後には磁気ヘッドを取
外すようにすればよい。

【００１９】もっとも、透過型の磁気光学素子１に代え
て、反射型の磁気光学素子９として、図３に示すよう
に、偏光子２と透明磁性層４と反射層（反射板）１０と
を積層してなる構成とする場合であれば、反射層１０の
裏面側に磁気ヘッド１１をも一体化させて構成してもよ
い。図示例の磁気ヘッド１１はヘッド基板１２上に多数
のパーマロイ１３（１４は巻線）を２次元的に配列して
なる。この場合、反射層１０としては、Ｃｕ，Ａｌ，Ａ
ｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｒｈ，ＴｅＯ_x ，ＴｅＣ，ＳｅＡｓ，
ＴｅＡｓ，ＴｉＮ，ＴｏＮ，ＣｒＮ等を真空蒸着法、ス
パッタリング法、イオンプレーティング法等により膜厚
５００〜１００００Å程度に付着させることにより形成
される。

【００２０】これらの磁気光学素子１又は９に関して、
透明磁性層４の画像（磁気的な記録）を消去するには、
スピンの向きを全て同一に揃えるように磁石を用いて磁
気光学素子１又は９全体を均一に磁化するか、或は、交
流磁場を用いてスピンをランダムな方向に向ける消去法
を用いればよい。

【００２１】

【実施例】以下、上述した基本的構成例に基づく具体的
な構成例を実施例１〜５として、比較例１３とともに説
明する。

【００２２】＜実施例１＞１ｍｍ厚の透明な石英基板
（透明基板２）上に、２００ｎｍ厚のアモルファス‐シ
リコン層を真空蒸着法を用いて作製した。次に、スピン
コーティング法を用いて、７０ｎｍ厚にＰＭＭＡの膜を
レジスト膜として成膜し、このＰＭＭＡ膜に対して電子
ビームフォトリソグラフィー法を用いて、ラインとスペ
ースとの比率が１：１となるようにして、ピッチ（周
期）が２６０ｎｍの格子を描画した。現像処理後、その
上に、Ｃｒを真空蒸着してリフトオフした。次いで、マ
スクを用いてアモルファス‐シリコン層に対して反応性
イオンエッチングを施した。Ｃｌ₂ ，ＳｉＣｌ₄ ，Ａｒ
の各フローレートは、２０SCCM，７．５SCCM，４０SCCM
であった。ガス圧は５０mＴorrで、パワー密度は０．３
２Ｗ／ｃｍ² であった。反応性イオンエッチングの後、
Ｃｒマスクを取り除いた。周期構造６のグレーティング
形状は図２（ｂ）に示す如く山形状の傾斜を有してい
た。光透過率の波長依存性は、波長５２０ｎｍ付近にブ
ロードなピークを持ち、波長５２０ｎｍに対する光透過
率は８６％であり、偏光度は９５％であった。全く同様
にして、２枚の偏光子２，６を作製した。

【００２３】続いて、ＲＦスパッタ装置を用い、ターゲ
ットをＢｉ₂Ｇｄ₁Ｆｅ_3.8Ａｌ_1.2Ｏ₁₂として、偏光子２
の加工面のない方の面に、９００ｎｍの膜厚のガーネッ
ト膜（透明磁性層４）を作製した。ガーネット膜を成膜
後、７００℃で１時間、空気中で加熱した。膜組成は、
Ｂｉ_1.2Ｇｄ_1.1Ｆｅ_4.1Ａｌ_1.6Ｏ₁₂であった。保磁力は
６２０Ｏｅであった。ファラデー回転角の波長依存性を
測定したところ、４４０ｎｍと５２０ｎｍとにピークを
有し、５２０ｎｍでの回転角は１０ｋガウスの印加磁界
で６．２°であった。これにより、偏光子２とガーネッ
ト膜とのピーク波長（波長依存性）を合わせることがで
きた。そこで、直径１ｍｍで表面磁束が３ｋＧの棒磁石
の先端でガーネット膜に対して文字画像を磁化により書
き込んだ後、もう１枚の偏光子３を用いてガーネット膜
を挾むことで磁気光学素子１を完成させた。このような
磁気光学素子１に波長５２０ｎｍの光を照射させた場
合、コントラスト３．１の文字像を目視で確認すること
ができたものである。

【００２４】＜比較例１＞実施例１の場合と同様にＲＦ
スパッタ装置を用いて石英基板上にガーネット層を作製
した後、これを、可視光に対する平均的光透過率が約３
８％、偏光度９９％以上の市販の２枚のフィルム偏光子
で挾んで磁気光学素子を作製し、ガーネット層に書き込
んだ磁気記録像を観察したところ、コントラストは１．
９と低かったものである。

【００２５】＜比較例２＞基本的に、実施例１と同様で
あるが、アモルファス‐シリコンに代えて、Ｓｅを用い
る点のみを変更して、２枚の偏光子とガーネット層との
サンドイッチ構造よりなる磁気光学素子を作製した。こ
の場合の偏光子の波長５２０ｎｍに対する光透過率は５
０％以上ではあるが６７％に留まり、偏光度は８９％で
あった。ガーネット層に記録した磁気記録像を観察した
ところ、コントラストは１．１に留まったものである。

【００２６】＜実施例２＞実施例１の場合と同様にし
て、１枚だけの偏光子２の加工のない面側に、９００ｎ
ｍの膜厚のガーネット膜を作製した。作製したガーネッ
ト膜上にアルミニウム膜（反射層１０）を２０００Åの
膜厚で成膜した。このアルミニウム膜側から、実施例１
の場合と同様、ガーネット膜に磁気的に文字を書き込ん
だ。このような磁気光学素子に波長５２０ｎｍの光を照
射させた場合、コントラスト２．２の文字像を目視で確
認することができたものである。

【００２７】＜比較例３＞実施例２のような構造におい
て、偏光子２に代えて比較例１の場合と同様なフィルム
偏光子を用いた構成として、ガーネット層に書き込まれ
た画像を観察したところ、コントラストは１．３に留ま
ったものである。

【００２８】＜実施例３＞実施例２の構成の磁気光学素
子のアルミニウム膜に、垂直方向に強い磁場を発生する
磁気ヘッド１１（コアは直径１００μｍの棒状のパーマ
ロイ１３、そのＡｕ巻線の巻数は１５ターン、電流値
Ａ）を配設した図３に例示したような構造の反射型の磁
気光学素子９とした。このような構成で、磁気ヘッド１
１を用いてガーネット膜に対してデジタル信号に基づく
画像を磁気的に記録し、光を照射してその画像を観察し
たところ、コントラストは２．０の画像を目視で確認で
きたものである。

【００２９】＜実施例５＞１ｍｍ厚の透明な石英基板
（透明基板２）上にスピンコーティング法を用いて、２
００ｎｍ厚にＰＭＭＡ膜（有機材料７）を形成した。こ
のＰＭＭＡ膜に対して電子ビームリソグラフィー法を用
いて、ラインとスペースとの比率が１：１となるように
してピッチ（周期）が２６０ｎｍの格子を描画した。現
像処理して有機材料７による周期構造６を形成した後、
その表面全面に９ｎｍ厚のゲルマニウムを真空蒸着して
半導体薄膜８を形成した。このような構造の偏光子２の
波長５２０ｎｍに対する光透過率は８３％であり、偏光
度は９４％であった。このような偏光子を２枚作製し
て、実施例１の場合と同様に、ガーネット膜とのサンド
イッチ構造よりなる磁気光学素子１を作製した。そこ
で、実施例１の場合と同様に、ガーネット膜に対して文
字画像を磁化により書き込み、このような磁気光学素子
１に波長５２０ｎｍの光を照射させた場合、コントラス
ト２．８の文字像を目視で確認することができたもので
ある。

【００３０】＜実施例５＞１ｍｍ厚の透明な石英基板
（透明基板２）上にスパッタリング法を用いて２００ｎ
ｍ厚にＩＴＯ膜（透明導電膜）を形成し、実施例１の場
合と同様に、ＩＴＯ膜部分に周期構造６を形成したとこ
ろ、波長５２０ｎｍの光に対する光透過率は９１％で偏
光度は９６％であった。そこで、実施例１の場合と同様
にこのような２枚の偏光子とガーネット膜とのサンドイ
ッチ構造よりなる磁気光学素子１を作製した。そこで、
実施例１の場合と同様に、ガーネット膜に対して文字画
像を磁化により書き込み、このような磁気光学素子１に
波長５２０ｎｍの光を照射させた場合、コントラスト
３．４の文字像を目視で確認することができたものであ
る。

【００３１】

【発明の効果】請求項１記載の発明の偏光子によれば、
透明基板表面に半導体材料による０．１〜０．５μｍオ
ーダのピッチと深さよりなる直線状の周期構造を有し、
請求項２記載の発明の偏光子によれば、透明基板表面に
透明な有機材料による０．１〜０．５μｍオーダのピッ
チと深さよりなる直線状の周期構造を有し、この周期構
造の表面全面に周期構造に従う金属薄膜又は半導体薄膜
を有し、請求項３記載の発明の偏光子によれば、透明基
板表面に透明導電膜による０．１〜０．５μｍオーダの
ピッチと深さよりなる直線状の周期構造を有するので、
所謂回折格子構造からなるが、周期構造のピッチが用い
る光の波長と同等又はそれ以下程度に小さければ、Ｐ偏
光とＳ偏光との光透過率が大幅に異なることで偏光度の
高い偏光子としての機能を確保することができ、この
際、直線状の周期構造は半導体材料、金属薄膜又は半導
体薄膜、或は透明導電膜よりなるため、周期構造中の電
子が１方向にのみ光の電場で動かされることにより周期
構造の溝方向に垂直な偏光成分の光を通すため、可視光
の特定波長域に限られるものの、高い光透過率を得るこ
とができ、透明性の高い偏光子を提供することができ、
ディスプレイ等へ応用する上で有利となる。

【００３２】請求項４記載の発明によれば、請求項１又
は２記載の偏光子の半導体をシリコン又はゲルマニウム
としているので、光の吸収性と屈折率の上で好ましく、
良好なる偏光機能を発揮させることができる。

【００３３】請求項５記載の発明の磁気光学素子によれ
ば、請求項１，２，３又は４記載の一対の偏光子と、こ
れらの偏光子間に挾持された透明磁性層とを備えるの
で、透明磁性層に磁気的に記録された画像を上記の透明
性の高い偏光子を通して高いコントラストで表示し得る
透過型ディスプレイを提供することができる。

【００３４】請求項６記載の発明の磁気光学素子によれ
ば、請求項１，２，３又は４記載の１枚の偏光子と、反
射板と、これらの偏光子と反射板との間に挾持された透
明磁性層とを備えるので、透明磁性層に磁気的に記録さ
れた画像を上記の透明性の高い偏光子を通して高いコン
トラストで表示し得る反射型ディスプレイを提供するこ
とができ、特に、透明磁性層の磁化部のファラデー回転
角度は反射により往復することで２倍となるため、より
コントラストの高い表示を可能にすることができる。

【００３５】請求項７記載の発明によれば、請求項６記
載の磁気光学素子がさらに反射板の裏面側に磁気ヘッド
を有するので、一体化された磁気ヘッドにより透明磁性
層に対して高速で画像を順次形成・消去し得るため、動
的なデジタル画像表示が可能となる。

【００３６】請求項８記載の発明によれば、請求項５，
６又は７記載の磁気光学素子の偏光子と透明磁性層とが
用いる光の波長依存性が合わせられているので、偏光子
だけでなく、透明磁性層も一般に波長によってファラデ
ー回転角が変化する波長依存性を有するが、これらの波
長依存性が合わせられており、可視光の特定波長域に限
られるものの、偏光子の光透過率と偏光度とが最大とな
る状態で利用でき、極めてコントラストの高い表示が可
能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態の磁気光学素子の基本的
構成例を示す模式的断面図である。

【図２】偏光子の周期構造例を示す模式的断面図であ
る。

【図３】反射型の磁気光学素子の基本的構成例を示す模
式的断面図である。

【符号の説明】

１磁気光学素子２，３偏光子４透明磁性層５透明基板６周期構造７有機材料８金属薄膜又は半導体薄膜９磁気光学素子１０反射板１１磁気ヘッド

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透明基板表面に半導体材料による０．１
〜０．５μｍオーダのピッチと深さよりなる直線状の周
期構造を有する偏光子。
【請求項２】透明基板表面に透明な有機材料による
０．１〜０．５μｍオーダのピッチと深さよりなる直線
状の周期構造を有し、この周期構造の表面全面に周期構
造に従う金属薄膜又は半導体薄膜を有する偏光子。
【請求項３】透明基板表面に透明導電膜による０．１
〜０．５μｍオーダのピッチと深さよりなる直線状の周
期構造を有する偏光子。
【請求項４】半導体がシリコン又はゲルマニウムであ
る請求項１又は２記載の偏光子。
【請求項５】請求項１，２，３又は４記載の一対の偏
光子と、これらの偏光子間に挾持された透明磁性層と、を備える
磁気光学素子。
【請求項６】請求項１，２，３又は４記載の１枚の偏
光子と、反射板と、これらの偏光子と反射板との間に挾持された
透明磁性層と、を備える磁気光学素子。
【請求項７】反射板の裏面側に磁気ヘッドを有する請
求項６記載の磁気光学素子。
【請求項８】偏光子と透明磁性層とは、用いる光の波
長依存性が合わせられている請求項５，６又は７記載の
磁気光学素子。