JPH1117508A - パワーモジュール及び電力変換装置 - Google Patents

パワーモジュール及び電力変換装置

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JPH1117508A
JPH1117508A JP9163607A JP16360797A JPH1117508A JP H1117508 A JPH1117508 A JP H1117508A JP 9163607 A JP9163607 A JP 9163607A JP 16360797 A JP16360797 A JP 16360797A JP H1117508 A JPH1117508 A JP H1117508A
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power module
circuit
failure
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semiconductor switch
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Kimihiro Hoshi
公弘 星
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/18Modifications for indicating state of switch
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
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    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/08Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • H03K17/082Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
    • H03K17/0828Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in composite switches

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Abstract

(57)【要約】 【課題】IPMから制御装置への故障を連絡するための
信号線の本数を格段に少なくし、稼働率や信頼性の高い
IPMまたは電力変換装置を提供すること。 【解決手段】13aは例えば1ms間、10khzのパ
ルスを発生するパルス発生回路である。例えば、過電圧
が発生すれば、OV8が検出し、パルス発生回路13a
が1ms間に10発パルスを発生する。そして制御装置
で1ms間のパルスをカウントすれば10発カウントで
き、過電圧が発生したことを検出できる。同じようにI
GBT1aで過電流が発生すればOC7が検出し、パル
ス発生回路13bは1ms間に20発パルスを発生す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、パワーモジュール
及びこれを含む電力変換装置に関する。
【0002】
【従来の技術】IGBT等の半導体スイッチを具備した
パワーモジュールのうち、半導体スイッチを収納したモ
ジュールの中に、さらに保護回路やゲート回路まで収納
したものは、インテリジェントパワーモジュール(以
下、IPM)と呼ばれている。このような構成を採用す
るようになった理由には、半導体スイッチのスイッチン
グスピードが早く半導体スイッチを保護するためには制
御装置から保護動作をしていては間に合わないことや制
御装置に保護回路やゲート回路を設置するより小型、安
価になるメリットもある。
【0003】一般的なIPMの回路については例えば文
献「インテリジェントパワーIC(IPI)/インテリ
ジェントパワーモジュール(IPM)実装設計技術(ミ
マツデータシステム:平成8年3月28日発行)」のp
ー183〜pー202に記述されている。また「特開平
7ー297358半導体パワーモジュールおよび電力変
換装置」などにも記載されている。これらの文献が述べ
ている一般的な保護回路を示すと図10のようになる。
1aはIGBT、2はツエナーダイオードZD、3aは
抵抗でZD2と抵抗3aで過電圧保護回路(OV)8を
形成している。1a0は電流検出のためのセンスIGB
T、3bは抵抗、4はトランジスタ、5はダイオードで
ある。センスIGBT1bと抵抗3b、トランジスタ4
とダイオード5で過電流保護回路(OC)9を形成して
いる。6はIGBTの異常温度を検出する過熱保護回路
(OH)である。7はゲート回路の電圧の異常を検出す
る不足電圧保護回路(UV)である。10はIPMであ
り、12はIPM10によって構成される電力変換装置
の制御装置である。
【0004】図11は保護回路だけを取り出したもの
で、このような回路構成によって過電圧保護回路(O
V)8、過電流保護回路(OC)9、過熱保護回路(O
H)6、ゲート電圧不足電圧保護回路(UV)8が構成
されている。12はOR回路でこれらの4つの保護回路
の出力を一つに纏めて制御装置11に伝達している。図
10では保護回路の出力すなわち故障信号を個々に送信
している場合を示したものである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記パ
ワーモジュール及び電力変換装置には、次のような問題
が存在する。パワーモジュールで動作した保護回路がど
の保護回路であったか、つまり故障の種類が不明な点で
ある。故障の種類が判明することは保守にとって大変重
要なことである。電力変換装置において使用されるパワ
ーモジュールの数は非常に多くなる結果、パワーモジュ
ールから保護回路の数だけ制御装置に信号線をひくと、
膨大な数の信号線を電力変換装置や制御装置の中に収納
されなければならず、また信号線の送受信のバッファー
回路も同じ数だけ必要になる。
【0006】そこで、本発明は、上記問題点を鑑み、パ
ワーモジュールの故障の種類を識別し、かつなるべく少
ない信号線で制御装置に送信でき、故障の重要度を区別
して重要度に応じて保護動作ができるパワーモジュール
およびこのパワーモジュールを含む電力制御装置を提供
することを目的とする。
【0007】また、これらのパワーモジュールを用いた
電力変換装置は故障の種類の識別が容易になるので、保
守、修理が容易で稼働率あるいは信頼性の高い電力変換
装置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1記載の発明は、半導体スイッチと該半導体
スイッチを保護する複数の保護回路とを収納するパワー
モジュールにおいて、該複数の保護回路で検出した故障
信号を判別し、その判別信号を出力する判別回路を具備
することを特徴とする。
【0009】請求項2記載の発明は、該判別回路が、該
複数の保護回路の故障信号の区別を周波数の違いによっ
て判別することを特徴とする。請求項3記載の発明は、
該判別回路が、該複数の保護回路の故障信号の区別を電
圧値の違いによって判別することを特徴とする。
【0010】請求項4記載の発明は、該判別回路が、該
複数の保護回路の故障信号の区別を信号の時間幅の違い
によって判別することを特徴とする。請求項5記載の発
明は、該判別回路が、該保護回路で検出した故障信号の
重要度に応じて、該重要度毎に判別することを特徴とす
る。
【0011】請求項6記載の発明は、該判別回路が、該
保護回路で検出した故障信号の重要度に応じて、該故障
信号の正負に基づいて該重要度毎に判別することを特徴
とする。
【0012】請求項7記載の発明は、該パワーモジュー
ル内に、該複数の保護回路の故障信号に基づき、該故障
の種類を認知させる電気的または機械的な表示回路を具
備したことを特徴とする。
【0013】請求項8記載の発明は、最初に動作した該
保護回路の故障信号を検出した場合、その他の保護回路
の故障信号をブロックするブロック回路を具備したこと
を特徴とする。
【0014】請求項9記載の発明は、該パワーモジュー
ル内の判別回路の出力に基づき、該半導体スイッチに制
御信号を供給する制御装置と、を具備することを特徴と
する。以上の各発明によれば、パワーモジュールまたは
電力変換装置の故障の識別が容易になり、その結果、稼
働率、信頼性が向上の実現を図ることができる。
【0015】
【発明の実施の形態】本発明の第1の実施の形態につい
て図1を用いて説明する。図1において従来技術の説明
で使用した記号と同一のものは同一の機能を有する。1
3aは例えば1ms間、10khzのパルスを発生する
パルス発生回路である。13bは1ms間、20kh
z、13cは30khz、13dは40khzのパルス
を発生するパルス発生回路である。
【0016】図1のような手段を用いれば、例えば過電
圧が発生すれば、OV8が検出し、パルス発生回路13
aが1ms間に10発パルスを発生する。そして制御装
置で1ms間のパルスをカウントすれば10発カウント
でき、過電圧が発生したことを検出できる。同じように
IGBT1aで過電流が発生すればOC7が検出し、パ
ルス発生回路13bは1ms間に20発パルスを発生す
る。制御装置で1ms間パルスをカウントして20発カ
ウントするので過電流が発生したことを検出できる。O
H8の場合は1ms間に30発、UV9の場合は40発
検出するので1本の信号線の中を送信されても、それぞ
れどの種類の故障が発生したか区別ができる。
【0017】よって本実施例を用いれば1本の信号線を
用いて制御装置はIPMで発生した故障の区別ができる
効果がある。本発明の第2の実施の形態について図2を
用いて説明する。
【0018】14aは1Vの電圧値のパルスを発生する
パルス発生回路である。14bは2Vの、14cは3
V、14dは4Vのパルスを発生するパルス発生回路で
ある。例えばIGBT1aで過電圧が発生するとOV8
が過電圧を検出してパルス発生回路14aに信号を送
る。それに基づきパルス発生回路14aは1Vの電圧値
をもつパルスを発生する。制御装置はIPMから1Vの
電圧値を持つパルスが送られてきてIGBT1aで過電
圧が発生したことを検出する。同じようにIGBT1a
で過電流が発生すればOC7が過電流を検出してパルス
発生器14bに送信し、パルス発生器14bは2Vの電
圧値のパルスを発生する。よって制御装置は2Vのパル
スを受信してIPMで過電流が発生したことを検出でき
る。同じように過熱の場合は3V、ゲート電圧低下の場
合は4Vのパルスを受信して過熱、ゲート電圧低下を区
別できる。
【0019】この実施例でも1本の信号線を通して制御
装置はIPMで発生した故障の種類の区別ができる効果
がある。本発明の第3の実施の形態について図3を用い
て説明する。
【0020】15aは幅1msのパルスを発生するパル
ス発生回路、15bは幅2ms、15cは3ms、15
dは4msのパルスを発生するパルス発生回路である。
例えばIGBT1aで過電圧が発生するとOV8が過電
圧を検出してパルス発生回路15aが1msのパルスを
発生する。制御装置11はIPM10から1msのパル
スが送信されてくるのでIPM10に過電圧が発生した
ことを検知できる。同じようにIGBT1aで過電流が
発生するとOC7が動作してパルス発生回路15bが2
msのパルスを発生する。制御装置11は2msのパル
スを受け取ることによりIGBT1aに過電流が発生し
たことを検知する。UV9やOH8も同じようにそれぞ
れ3ms、4msのパルス幅によって故障の違いを識別
できる。
【0021】この実施例でも1本の信号線を通して制御
装置11はIPM10に発生した故障の種類を識別でき
る。本発明の第4の実施の形態について図4を用いて説
明する。
【0022】16a、16b、16c、16dはフリッ
プフロップ(FF)である。17a、17b、17c、
17dは表示用のLEDである。例えばIGBT1aで
過電圧が発生するとOV8が動作して故障信号を出力す
る。この信号によってFF16aはセットされLED1
7aが点灯する。LED17aが点灯すればIGBT1
aに過電圧が発生したことが一目瞭然で判断できる。同
じようにOC7が動作すればFF16bがセットされL
ED17bが点灯してIGBT1aに過電流が発生した
ことがわかる。FF16cおよびLED17cではIG
BT1aが過熱したことが判別でき、FF16dおとび
LED17dではIGBT1aにゲート電圧が不足電圧
になったことが判断できる。この場合FF16やLED
17の電源は強化して電源消滅のため表示が不明になる
こと防止する方策をとることは当然である。
【0023】この発明を用いればIPMの故障の種類を
一目瞭然で判断できる。以上の説明では記憶装置の一例
としてフリップフロップを表示装置としてLEDを使用
した電気的保持機構を用いた。
【0024】本発明の第5の実施の形態について図5を
用いて説明する。次に機械的保持機構を用いた場合の実
施例について図5を用いて説明する。図5において、1
8は電磁石、19は支え板で、表示器20が落下して表
示することを防止してるが、電磁石に電気が通電して励
磁されると支え板19は引き寄せられて表示器20が表
示をする機構になっている。この場合は電源が無くなっ
ても機械機構なので表示が消滅することはない長所があ
る。
【0025】本発明の第6の実施の形態について図6を
用いて説明する。21a、21b、21c、21dはA
ND回路、22はNOT回で回路ある。例えばIGBT
1aで過電圧が発生するとOV8が動作して過電圧が発
生した場合について説明する。過電圧の故障信号が発生
するとAND回路21aを通過してFF16aがセット
され、さらにOR回路30をとおして上位の制御保護装
置に伝達される。一方OR回路30の出力はNOT回路
22をとおしてAND回路21b、21c、21dの入
力条件にフィードバックされOC7、OH8、UV9の
故障信号をブロックする。ここでは過電圧が最初に発生
した場合について説明したが、過電流や過熱が最初に発
生した場合も同じように作用する。
【0026】このように最初に発生した故障信号のみを
有効とすることにより、最初に発生した故障によって引
き起こされる従属した故障を無効することができ、故障
の原因究明に迷いを生じることがなくなり故障の原因究
明、復旧および再発防止対策に有効である。
【0027】以上の説明では制御装置に最初に発生した
故障のみを受け付ける回路を設置した例である。本発明
の第7の実施の形態について図7を用いて説明する。
【0028】30aおよび30bはOR回路である。故
障にも重大な故障と軽微な故障があり、その保護動作に
は違いが必要である。
【0029】通常変換器では重大な故障の場合、半導体
スイッチを直ちにゲートブロックするが、この保護方法
は変換器にとっても変換器の負荷にとっても、ショック
の大きな保護方法であり、時には変換器や負荷を破壊し
てしまうこともある。よって軽微な故障のときや重大だ
が時間的に余裕のある故障のときには、ゆっくり停止さ
せる保護方法をとるべきであり、重大な故障と同じ保護
方法をとるのは無意味であり危険でもある。
【0030】よって過電流、過電圧、ゲート電源不足電
圧のような重大な故障はOR回路30aで集約して直ち
にゲートブロックのような保護方法をとる。一方半導体
スイッチの過熱のように重大だが時間をかけても良い故
障や軽微な故障の場合はOR回路30bで集約して変換
器をゆっくりと通常の運転停止のように停止させる。
【0031】このようにすれば変換器や負荷に無用の危
険を及ぼす心配がなくなる。以上の説明ではランクづけ
を2種類に分割した例について説明したが、例えば重故
障、中故障、軽故障など3種類、さらには4種類と保護
方式の必要に応じていくらでもランク付けしても同じよ
うにできる。
【0032】故障のランクづけができることにより、緊
急にゲートブロックする停止して装置を破壊から防止で
きたり、あるいはゆっくりとソフトに変換装置を停止し
て負荷や変換装置にショックを与えたりしないで停止で
きるなど最適の保護停止方式が適用できる効果がある。
【0033】本発明の第8の実施の形態について図8を
用いて説明する。23a、23bは一例として15V電
源、24は3点スイッチである。故障の無いときはスイ
ッチ24の接点はEにあり、制御装置には0電圧を送信
して、IPMの故障なしを連絡し、重故障の場合はスイ
ッチ24の接点はPを選択して+15Vを送信する。こ
のことによって制御装置はIPMの重故障を検知する。
軽故障の時はスイッチ24の接点はNを選択し、これに
よって制御装置はIPMの軽故障を検知する。
【0034】このようにIPMから制御装置への信号
を、電圧の正、負によって識別すれば、一本の信号線で
IPMの重故障、軽故障を識別でき、信号線の本数を減
らすことができる。
【0035】なおIPMという名称が一般的であるので
使用しているが、第1から第8の実施の形態までに対し
て、ボンデングタイプの半導体チップをプラスチックパ
ッケージに納めた半導体素子だけでなく、圧接タイプの
半導体チップで構成される半導体素子対しても同じ効果
が得られる。
【0036】本発明の第9の実施の形態について図9を
用いて説明する。本実施例は、電力変換装置が単相イン
バータを一例として挙げたものである。10a、10
b,10c,10dはIPMである。
【0037】IPM10a.10b,10c,10dに
よって単相インバータが構成されている。11は単相イ
ンバータの制御装置である。図9から明らかなように各
IPMから故障を知らせる信号線は一本しかでていな
い。しかし、第1〜第8の実施の形態におけるIPMを
用いているので複数の故障の種類を識別できるし、また
故障の表示も保持されている。
【0038】この結果、少ない信号線で故障の種類を識
別可能になり、また故障表示も保持された状態で一目瞭
然なので修理や保守が容易になり、稼働率の向上信頼性
の工場の効果が得られる。
【0039】本実施例では単相インバータの例について
説明したが、3相インバータでもチョッパ装置でも共振
型変換装置でもIPMを使用した電力変換装置に本発明
を適用できる。
【0040】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
パワーモジュールから制御装置への故障を連絡するため
の信号線の本数を格段に少なくすることができ、パワー
モジュールを構成要素とする電力変換装置を用いれば、
保守や修理が容易になり、稼働率や信頼性の高い電力変
換装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態における電力変換装
置の構成図。
【図2】本発明の第2の実施の形態における電力変換装
置の構成図。
【図3】本発明の第3の実施の形態における電力変換装
置の構成図。
【図4】本発明の第4の実施の形態におけるIPMの構
成図。
【図5】本発明の第5の実施の形態におけるIPMの構
成図。
【図6】本発明の第6の実施の形態におけるIPMの構
成図。
【図7】本発明の第7の実施の形態における電力変換装
置の構成図。
【図8】本発明の第8の実施の形態における電力変換装
置の構成図。
【図9】本発明の第9の実施の形態における電力変換装
置の構成図。
【図10】従来の電力変換装置の構成図。
【図11】従来の電力変換装置の構成図。
【符号の説明】
1 IGBT 2 ツエナーダイオード 3 抵抗 4 過電圧保護回路 5 トランジスタ 6 ダイオード 7 過電流保護回路 8 加熱保護回路 9 不足電圧保護回路 10 IPM 11 制御装置 12、30 OR回路 13、14、15 パルス発生回路 16 フリップフロップ 17 LED 18 電磁石 19 支え板 20 表示器 21 AND回路 22 NOT回路 23 15V電源 24 3点スイッチ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H02M 1/00 H01L 29/78 657F

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体スイッチと前記半導体スイッチを保
    護する複数の保護回路とを収納するパワーモジュールに
    おいて、 前記複数の保護回路で検出した故障信号を判別し、その
    判別信号を出力する判別回路を具備することを特徴とす
    るパワーモジュール。
  2. 【請求項2】前記判別回路が、前記複数の保護回路の故
    障信号の区別を周波数の違いによって判別することを特
    徴とする請求項1記載のパワーモジュール。
  3. 【請求項3】前記判別回路が、前記複数の保護回路の故
    障信号の区別を電圧値の違いによって判別することを特
    徴とする請求項1記載のパワーモジュール。
  4. 【請求項4】前記判別回路が、前記複数の保護回路の故
    障信号の区別を信号の時間幅の違いによって判別するこ
    とを特徴とする請求項1記載の電力変換装置。
  5. 【請求項5】前記判別回路が、前記保護回路で検出した
    故障信号の重要度に応じて、前記重要度毎に判別するこ
    とを特徴とする請求項1記載のパワーモジュール。
  6. 【請求項6】前記判別回路が、前記保護回路で検出した
    故障信号の重要度に応じて、前記故障信号の正負に基づ
    いて前記重要度毎に判別することを特徴とする請求項1
    記載のパワーモジュール。
  7. 【請求項7】半導体スイッチと前記半導体スイッチを保
    護する複数の保護回路とを収納するパワーモジュールに
    おいて、 前記パワーモジュール内に、前記複数の保護回路の故障
    信号に基づき、前記故障の種類を認知させる電気的また
    は機械的な表示回路を具備したことを特徴とするパワー
    モジュール。
  8. 【請求項8】半導体スイッチと前記半導体スイッチを保
    護する複数の保護回路とを収納するパワーモジュールに
    おいて、 最初に動作した前記保護回路の故障信号を検出した場
    合、その他の保護回路の故障信号をブロックするブロッ
    ク回路を具備したことを特徴とするパワーモジュール。
  9. 【請求項9】請求項1記載のパワーモジュールと、 前記パワーモジュール内の判別回路の出力に基づき、前
    記半導体スイッチに制御信号を供給する制御装置と、 を具備することを特徴とする電力変換装置。
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