JPH1117248A - High reflecting film structure for semiconductor laser and semiconductor laser - Google Patents
High reflecting film structure for semiconductor laser and semiconductor laserInfo
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- JPH1117248A JPH1117248A JP16839997A JP16839997A JPH1117248A JP H1117248 A JPH1117248 A JP H1117248A JP 16839997 A JP16839997 A JP 16839997A JP 16839997 A JP16839997 A JP 16839997A JP H1117248 A JPH1117248 A JP H1117248A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、高出力半導体レー
ザ用高反射膜構造および高出力半導体レーザに関する。The present invention relates to a high-reflection film structure for a high-power semiconductor laser and a high-power semiconductor laser.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、レーザ後端面に高反射膜を備えた
半導体レーザが種々提案されている。このような半導体
レーザによれば、ＧａＡｓ基板上に積層されたＧａＡｓ
／ＡｌＧａＡｓ，ＩｎＧａＰを活性層とした０．６〜
０．８μｍ帯のレーザは光情報記録、光情報記録再生に
用いられている。さらには、光情報記録の記録密度を上
げるために半導体レーザの短波長化が求められており、
ＺｎＳｅ系、ＧａＮ系活性層を有する短波長レーザが提
案されている。また近年、ＧａＡｓ基板上に積層された
ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ歪量子井戸層を活性層とした
０．８から１．１μｍまでの波長帯のレーザはＥＤＦＡ
およびＰＤＦＡファイバーアンプ用の励起光源として用
いられるようになっている。これらのレーザには高出力
化が求められており、このため効率良くレーザ前端面方
向に光を出射させるためにレーザ後端面に高反射膜を備
えた構成としている。しかし、高出力動作においても十
分な信頼性を有する半導体レーザが得にくいという問題
があった。2. Description of the Related Art Conventionally, various semiconductor lasers having a highly reflective film on the rear end face of a laser have been proposed. According to such a semiconductor laser, GaAs laminated on a GaAs substrate
/ AlGaAs, InGaP having an active layer of 0.6 to
The 0.8 μm band laser is used for optical information recording and optical information recording / reproduction. Furthermore, in order to increase the recording density of optical information recording, a shorter wavelength of a semiconductor laser is required,
A short wavelength laser having a ZnSe-based or GaN-based active layer has been proposed. In recent years, a laser in a wavelength band from 0.8 to 1.1 μm using an InGaAs / GaAs strained quantum well layer stacked on a GaAs substrate as an active layer is an EDFA.
And an excitation light source for a PDFA fiber amplifier. These lasers are required to have a high output. Therefore, in order to efficiently emit light toward the front end face of the laser, a high reflection film is provided on the rear end face of the laser. However, there is a problem that it is difficult to obtain a semiconductor laser having sufficient reliability even in a high output operation.
【０００３】半導体レーザの劣化姿態についてはこれま
でいくつかの検討が行われてきている。これらの劣化の
うちでとりわけ短波長レーザで顕著に見られるものとし
てレーザ後端面に備えた高反射膜に起因した劣化が挙げ
られている。この高反射膜に起因した劣化の一つは半導
体レーザの後端面での発熱による活性層内の転位欠陥の
発生、それに伴うダークライン劣化である。このため、
高反射膜、とりわけ半導体レーザに接する第一の低屈折
率層にはＡｌ2 Ｏ3 などの高い放熱性を示す材料が用い
られていた。高反射膜に起因した劣化の二つ目は低屈折
率層と高屈折率層を交互に積層し構成している高反射膜
の高屈折率層がレーザ光に対して吸収媒体になっている
ことによる。これは高反射膜の反射率は低屈折率層と高
屈折率層の屈折率差が大きいほど大きくなるため非晶質
シリコン（ａ−Ｓｉ）のように屈折率は大きいがレーザ
光に対して吸収を持つ材料を用いるためである。この高
屈折率層のレーザ光の吸収は発熱を伴い、高屈折率層自
体の変質による高反射膜の反射率の変化、半導体レーザ
後端面の劣化に結び付く。Several studies have been made on the state of deterioration of a semiconductor laser. Among these deteriorations, the deterioration caused by the high reflection film provided on the rear end face of the laser is particularly noticeable in the short wavelength laser. One of the deteriorations caused by the high reflection film is the generation of dislocation defects in the active layer due to heat generation at the rear end face of the semiconductor laser, and the dark line deterioration accompanying the generation. For this reason,
A material exhibiting high heat dissipation, such as Al 2 O 3, has been used for the high reflection film, especially for the first low refractive index layer in contact with the semiconductor laser. The second deterioration caused by the high-reflection film is that the low-refractive-index layer and the high-refractive-index layer are alternately stacked, and the high-refractive-index layer of the high-reflection film is an absorption medium for laser light. It depends. This is because the higher the refractive index difference between the low-refractive-index layer and the high-refractive-index layer becomes, the larger the refractive index of the high-reflection film becomes. This is because a material having absorption is used. The absorption of the laser beam by the high refractive index layer involves heat generation, which leads to a change in the reflectivity of the high reflection film due to deterioration of the high refractive index layer itself and deterioration of the rear end face of the semiconductor laser.
【０００４】これまでの高反射膜は低屈折率層としてＡ
ｌ2 Ｏ3 を用い、高屈折率層としてａ−Ｓｉを用いる層
構成のものが主に用いられてきた（図９参照）。図９に
おいて、１は半導体レーザ、２はＡｌ2 Ｏ3 第一の低屈
折率層、３はａ−Ｓｉ第一の高屈折率層、４はＡｌ2 Ｏ
3 第二の低屈折率層、５は非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）
第二の高屈折率層を示す。この高反射膜には上述の吸収
の問題を含んでいるが、放熱性には優れていたためこれ
までの光出力レベルではさほど問題とならずにこれまで
来ていた。しかし、高出力レーザの開発が進むにつれ、
高反射膜の吸収の問題が表面化するようになってきてい
る。[0004] Conventionally, a high reflection film has a low refractive index layer of A
Layers using l 2 O 3 and a-Si as the high refractive index layer have been mainly used (see FIG. 9). In FIG. 9, 1 is a semiconductor laser, 2 is a first low refractive index layer of Al 2 O 3 , 3 is a first high refractive index layer of a-Si, and 4 is Al 2 O
3 Second low refractive index layer, 5 is amorphous silicon (a-Si)
3 shows a second high refractive index layer. Although this high-reflection film has the above-mentioned problem of absorption, it has been excellent in heat dissipation, so that it has not been a serious problem at the conventional light output level. However, with the development of high power lasers,
The problem of absorption of a highly reflective film has come to the surface.
【０００５】これまでのもう一つの高反射膜として低屈
折率層としてＳｉＯ2 を用い、高屈折率層としてＴｉＯ
2 を用いる層構成のものも用いられている。この高反射
膜は主にＩｎＰ基板を用いて作製される１．３μｍ以上
の長波長帯レーザに用いられている。ここで用いられて
いる高屈折率層はレーザ光に対する吸収がないため高出
力レーザに対しても上述の吸収の問題の解決を与えるも
のと考えられる。As another conventional high reflection film, SiO 2 is used as a low refractive index layer, and TiO is used as a high refractive index layer.
A layer configuration using 2 is also used. This high reflection film is mainly used for a long wavelength band laser of 1.3 μm or more manufactured using an InP substrate. Since the high refractive index layer used here does not absorb laser light, it is considered that the above-mentioned problem of the absorption can be solved even for a high output laser.
【０００６】また、高反射膜にとってもう一つ重要な問
題は応力である。この高反射膜から発生する応力によっ
て半導体層内に転位欠陥が発生し、ダークライン劣化の
原因ともなっている。この半導体層に働く応力は高反射
膜内の歪・膜厚に依存する。高反射膜の反射率は低屈折
率層、高屈折率層の繰り返し数が多ければ多いほど大き
くなって行くが、半導体層に働く応力も大きくなって行
くため低屈折率層、高屈折率層の繰り返し数も制限され
ている。Another important problem for a highly reflective film is stress. Dislocation defects occur in the semiconductor layer due to the stress generated from the high reflection film, which causes dark line degradation. The stress acting on the semiconductor layer depends on the strain and the film thickness in the highly reflective film. The reflectivity of the high-reflection film increases as the number of repetitions of the low-refractive-index layer and the high-refractive-index layer increases, but the stress acting on the semiconductor layer also increases. Is also limited.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の高出力
半導体レーザ用高反射膜構造のうちで低屈折率層として
Ａｌ2 Ｏ3 を用い、高屈折率層としてａ−Ｓｉを用いる
層構成の場合、優れた放熱性を備えているため、半導体
レーザの後端面での発熱による劣化の防止には効果があ
る。しかし、高屈折率層自体のレーザ光の吸収に起因し
た発熱により高屈折率層自体の変質による反射率の変
化、半導体レーザ後端面の劣化をもたらすという欠点を
有していた。このため高屈折率層をレーザ光に対して吸
収の無いＴｉＯ2 とすることで吸収を防ぐ試みがなされ
ている（図１０参照）。図１０において、１は半導体レ
ーザ、２はＡｌ2 Ｏ3 第一の低屈折率層、６はＴｉＯ2
第一の高屈折率層、４はＡｌ2 Ｏ3 第二の低屈折率層、
７はＴｉＯ2 第二の高屈折率層を示す。In the above-described conventional high-reflection film structure for a high-power semiconductor laser, a layer structure in which Al 2 O 3 is used as a low-refractive-index layer and a-Si is used as a high-refractive-index layer. In this case, since the semiconductor laser has excellent heat dissipation, it is effective in preventing deterioration due to heat generation at the rear end face of the semiconductor laser. However, there is a drawback that the heat generated by the absorption of the laser beam by the high refractive index layer itself causes a change in the reflectance due to the deterioration of the high refractive index layer itself and the deterioration of the rear end face of the semiconductor laser. For this reason, attempts have been made to prevent the absorption by making the high refractive index layer TiO 2 that does not absorb laser light (see FIG. 10). In FIG. 10, 1 is a semiconductor laser, 2 is a first low refractive index layer of Al 2 O 3 , and 6 is TiO 2
A first high refractive index layer, 4 is Al 2 O 3 second low refractive index layer,
Reference numeral 7 denotes a TiO 2 second high refractive index layer.
【０００８】しかし、この層構成では低屈折率層と高屈
折率層の屈折率差が小さいため、十分な反射率が得られ
ないという欠点を有していた。図１１に図１０の場合の
反射率の波長依存性を示す。反射率のピーク値として約
７６％と低い値を示している。この層構成でさらに反射
率を上げるためには低屈折率層、高屈折率層の繰り返し
数を増やすことで容易に行えるが、半導体層に働く応力
も大きくなるため応力によって半導体層内に転位欠陥が
発生し、ダークライン劣化をもたらすという欠点を有し
ていた。However, this layer configuration has a disadvantage that a sufficient reflectance cannot be obtained because the difference in refractive index between the low refractive index layer and the high refractive index layer is small. FIG. 11 shows the wavelength dependence of the reflectance in the case of FIG. The peak value of the reflectance is as low as about 76%. In order to further increase the reflectance in this layer configuration, it is easy to increase the number of repetitions of the low refractive index layer and the high refractive index layer. However, since the stress acting on the semiconductor layer also increases, dislocation defects are generated in the semiconductor layer due to the stress. And the disadvantage of causing dark line degradation.
【０００９】従来の高出力半導体レーザ用高反射膜構造
のうちで低屈折率層としてＳｉＯ2を用い、高屈折率層
としてＴｉＯ2 を用いる層構成の場合、レーザ光に対す
る吸収がないため高出力レーザに対しても上述の吸収の
問題の解決を与えるものがある。さらに低屈折率層と高
屈折率層間に十分な屈折率差があるため、２程度の低屈
折率層、高屈折率層の繰り返し数であっても十分な反射
率が得られている。しかし、ＳｉＯ2 は放熱性が悪いた
め半導体レーザの後端面での発熱にたいしては低減する
効果が少なく、高出力動作時には半導体レーザの後端面
での発熱による活性層内の転位欠陥の発生、それに伴う
ダークライン劣化引き起こされるという欠点を有してい
た。In the conventional high-reflection film structure for a high-power semiconductor laser, a low-refractive-index layer using SiO 2 and a high-refractive-index layer using TiO 2 has no high absorption because it does not absorb laser light. Some lasers also provide a solution to the absorption problem described above. Furthermore, since there is a sufficient difference in the refractive index between the low refractive index layer and the high refractive index layer, a sufficient reflectance is obtained even when the number of repetition of the low refractive index layer and the high refractive index layer is about 2. However, since SiO 2 has poor heat dissipation, it has little effect on reducing heat generation at the rear end face of the semiconductor laser. At the time of high power operation, dislocation defects occur in the active layer due to heat generation at the rear end face of the semiconductor laser. It had the disadvantage of causing dark line degradation.
【００１０】よって、本発明は、上述した欠点のない、
新規な高出力半導体レーザ用高反射膜構造およびそれを
備えた半導体レーザを提案せんとするものである。Thus, the present invention is free of the above-mentioned disadvantages,
A novel high-reflection film structure for a high-power semiconductor laser and a semiconductor laser having the same are proposed.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】前記課題を解決する半導
体レーザ用高反射膜構造および半導体レーザの発明は以
下により特定されるものである。 （１）［請求項１］の半導体レーザ用高反射膜構造の発
明は、低屈折率層と高屈折率層を交互に積層し構成する
半導体レーザ用高反射膜構造において、半導体レーザに
接する第一の低屈折率層が少なくともＳｉＯ2 よりも放
熱性の高い材料から構成され、次いで半導体レーザに近
い第二の低屈折率層以降の低屈折率層が該第一の低屈折
率層より屈折率の低い材料から構成されていることを特
徴とする。The invention of a high-reflection film structure for a semiconductor laser and a semiconductor laser which solves the above-mentioned problems is specified below. (1) The invention of a high-reflection film structure for a semiconductor laser according to claim 1 is a semiconductor laser high-reflection film structure in which a low-refractive-index layer and a high-refractive-index layer are alternately laminated. One low-refractive-index layer is made of a material having a higher heat-radiating property than at least SiO 2 , and then the low-refractive-index layers subsequent to the second low-refractive-index layer close to the semiconductor laser are refracted by the first low-refractive-index layer. It is characterized by being composed of a material having a low rate.
【００１２】（２）［請求項２］の発明は、前記［請求
項１］において、第一の低屈折率層がＡｌ2 Ｏ3 から構
成され、第二の低屈折率層以降の低屈折率層がＳｉＯ2
から構成されていることを特徴とする。(2) In the invention of [claim 2], in the above [claim 1], the first low refractive index layer is made of Al 2 O 3, and the low refractive index after the second low refractive index layer. The rate layer is SiO 2
It is characterized by being comprised from.
【００１３】（３）［請求項３］の発明は、低屈折率層
と高屈折率層を交互に積層し構成する半導体レーザ用高
反射膜構造において、低屈折率層が少なくとも一つのＡ
ｌ2 Ｏ3 層と少なくとも一つのＳｉＯ2 層とから構成さ
れていることを特徴とする。(3) The invention according to claim 3 is a high-reflection film structure for a semiconductor laser constituted by alternately stacking low-refractive-index layers and high-refractive-index layers, wherein the low-refractive-index layer has at least one A layer.
It is characterized by comprising an l 2 O 3 layer and at least one SiO 2 layer.
【００１４】（４）前記［請求項４］の発明は、請求項
１から３の半導体レーザ用高反射膜構造において、高屈
折率層がＴｉＯ2 から構成されていることを特徴とす
る。(4) The invention of [Claim 4] is characterized in that, in the high reflection film structure for a semiconductor laser according to any one of claims 1 to 3, the high refractive index layer is made of TiO 2 .
【００１５】（５）［請求項５］の半導体レーザの発明
は、［請求項１］から［請求項４］に記載の高反射構成
膜を備えていることを特徴とする。(5) According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a semiconductor laser comprising the high reflection constituent film according to the first to fourth aspects.
【００１６】［作用］本発明による半導体レーザ用高反
射膜構造および半導体レーザによれば、従来の半導体レ
ーザ用高反射膜構造のように、高屈折率層としてａ−Ｓ
ｉを用いていないため、高屈折率層自体のレーザ光の吸
収に起因した発熱により高屈折率層自体の変質による反
射率の変化、半導体レーザ後端面の劣化を防止すること
が可能である。また低屈折率層としてＡｌ2 Ｏ3 を用
い、高屈折率層としてＴｉＯ2 を用いる場合のように、
低屈折率層と高屈折率層の屈折率差が小さいために、十
分な反射率が得られないという欠点も回避できる。図１
に本発明の試験例１による図２の場合の反射率の波長依
存性を示す。試験例１の高反射膜構造の断面を示す図２
において、符号１は半導体レーザ、２はＡｌ2 Ｏ3 第一
の低屈折率層、６はＴｉＯ2 第一の高屈折率層、８はＳ
ｉＯ2 第二の低屈折率層、７はＴｉＯ2 第二の高屈折率
層を各々図示する。反射率のピーク値として約８３％と
十分な値を示している。また、図３に本発明の試験例２
による図４の場合の反射率の波長依存性を示す。試験例
２の高反射膜構造の断面を示す図４において、符号１は
半導体レーザ、９は第一の低屈折率層Ａｌ2 Ｏ3 部、１
０は第一の低屈折率層ＳｉＯ2 部、６はＴｉＯ2 第一の
高屈折率層、８はＳｉＯ2 第二の低屈折率層、７はＴｉ
Ｏ2 第二の高屈折率層を各々図示する。反射率のピーク
値として８５％以上の十分な値を示している。[Operation] According to the high-reflection film structure for a semiconductor laser and the semiconductor laser according to the present invention, as in the conventional high-reflection film structure for a semiconductor laser, a high refractive index layer is aS
Since i is not used, it is possible to prevent a change in reflectance due to deterioration of the high-refractive-index layer itself due to heat generation due to absorption of laser light by the high-refractive-index layer itself, and deterioration of the rear end face of the semiconductor laser. Also, as in the case of using Al 2 O 3 as the low refractive index layer and using TiO 2 as the high refractive index layer,
Since the difference in refractive index between the low-refractive-index layer and the high-refractive-index layer is small, the disadvantage that a sufficient reflectivity cannot be obtained can be avoided. FIG.
2 shows the wavelength dependence of the reflectance in the case of FIG. 2 according to Test Example 1 of the present invention. FIG. 2 showing a cross section of the high reflection film structure of Test Example 1
In the figure, reference numeral 1 denotes a semiconductor laser, 2 denotes a first low refractive index layer of Al 2 O 3 , 6 denotes a first high refractive index layer of TiO 2 , and 8 denotes S
iO 2 second low refractive index layer, 7 respectively illustrates the TiO 2 second high refractive index layer. It shows a sufficient value of about 83% as the peak value of the reflectance. FIG. 3 shows Test Example 2 of the present invention.
5 shows the wavelength dependence of the reflectance in the case of FIG. In FIG. 4 showing a cross section of the high reflection film structure of Test Example 2, reference numeral 1 denotes a semiconductor laser, 9 denotes a first low refractive index layer Al 2 O 3 part,
0 is a first low refractive index layer of SiO 2 , 6 is TiO 2 first high refractive index layer, 8 is SiO 2 second low refractive index layer, 7 is Ti
Each of the O 2 second high refractive index layers is illustrated. A sufficient value of 85% or more is shown as the peak value of the reflectance.
【００１７】本発明による半導体レーザ用高反射膜構造
および半導体レーザによれば、従来の高出力半導体レー
ザ用高反射膜構造のうちで低屈折率層としてＳｉＯ2 を
用いる層構成の場合のように、放熱性の悪いＳｉＯ2 を
半導体レーザに接する第一の低屈折率層としていないた
め、半導体レーザの後端面での発熱にたいしては低減す
る効果が少なく、高出力動作時においても半導体レーザ
の後端面での発熱による活性層内の転位欠陥の発生、そ
れに伴うダークライン劣化が引き起こされるという欠点
のない、信頼性の高い高出力半導体レーザを提供する事
ができる。According to the high-reflection film structure for a semiconductor laser and the semiconductor laser according to the present invention, as in the case of the conventional high-reflection semiconductor laser high-reflection film structure having a low refractive index layer made of SiO 2. In addition, since SiO 2 having poor heat dissipation is not used as the first low refractive index layer in contact with the semiconductor laser, the effect of reducing heat generation at the rear end face of the semiconductor laser is small. It is possible to provide a high-reliability high-output semiconductor laser free from the drawback that dislocation defects are generated in the active layer due to heat generated in the active layer and dark line deterioration is caused.
【００１８】[0018]
【実施例】次に、本発明の好適な実施例を図面を参照し
て説明するが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。Next, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings, but the present invention is not limited thereto.
【００１９】［実施例１］図５は、本発明の第一の実施
例による半導体レーザの積層構造の断面図である。図５
において、符号１１はｎ+ −ＧａＡｓ基板、１２はｎ−
ＧａＡｓバッファ層、１３はｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド
層、１４および１８はＡｌＧａＡｓガイド層、１５およ
び１７はＡｌＧａＡｓＳＣＨ(Separate Confinement He
terostructure)層、１６はＩｎＧａＡｓ歪量子井戸活性
層、１９はｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層、２０はｐ+ −
ＧａＡｓコンタクト層を各々図示する。この構造を実現
するために、エピタキシャル結晶成長装置（ＭＯＣＶＤ
法：有機金属気相成長装置あるいはＭＢＥ法：分子線エ
ピタキシー法）により、ｎ+ −ＧａＡｓ基板１１上にエ
ピ層２から１１まで成長する。ＭＯＶＰＥ法では、半導
体薄膜成長用の原料としてトリメチルインジウム（ＴＭ
Ｉ）、トリエチルガリウム（ＴＥＧ）、トリメチルアル
ミニウム（ＴＭＡ）、アルシン（ＡｓＨ3 ）を、ｎ型ド
ーパントとして硫化セレン（Ｈ2 Ｓｅ）、ｐ型ドーパン
トとしてジエチルジンク（ＤＥＺｎ）を利用した。エピ
タキシャル成長温度は約７００℃、成長圧力は約０．１
気圧、キャリヤガスは水素である。ＭＢＥ法では原料と
して金属ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、アル
ミニウム（Ａｌ）、砒素（Ａｓ固体）を、ｎ型ドーパン
トとしてシリコン（Ｓｉ）、ｐ型ドーパントとして亜鉛
（Ｚｎ）を利用した。エピタキシャル成長温度は約６５
０℃、成長圧力は約１０-5Torrとしている。Embodiment 1 FIG. 5 is a sectional view of a laminated structure of a semiconductor laser according to a first embodiment of the present invention. FIG.
In the figure, reference numeral 11 denotes an n + -GaAs substrate, and 12 denotes an n-
GaAs buffer layer, 13 is an n-AlGaAs cladding layer, 14 and 18 are AlGaAs guide layers, 15 and 17 are AlGaAs SCH (Separate Confinement He
terostructure) layer, 16 is an InGaAs strained quantum well active layer, 19 is a p-AlGaAs cladding layer, 20 is p + −
Each of the GaAs contact layers is illustrated. In order to realize this structure, an epitaxial crystal growth apparatus (MOCVD
Method: a metalorganic vapor phase epitaxy apparatus or MBE method: molecular beam epitaxy method) to grow epi layers 2 to 11 on an n + -GaAs substrate 11. In the MOVPE method, trimethyl indium (TM) is used as a raw material for growing a semiconductor thin film.
I), triethyl gallium (TEG), trimethyl aluminum (TMA), arsine (AsH 3), selenium sulfide as n-type dopant (H 2 Se), using diethyl zinc (DEZn) as p-type dopant. The epitaxial growth temperature is about 700 ° C. and the growth pressure is about 0.1
Atmospheric pressure, carrier gas is hydrogen. In the MBE method, metallic gallium (Ga), indium (In), aluminum (Al), and arsenic (As solid) were used as raw materials, silicon (Si) as an n-type dopant, and zinc (Zn) as a p-type dopant. Epitaxial growth temperature is about 65
At 0 ° C., the growth pressure is about 10 −5 Torr.
【００２０】成長後、ＧａＡｓコンタクト層２０並びに
クラッド層１９を加工して、幅１．５〜３μｍ程度のリ
ッジを形成する。そのためにフォトリソグラフィーでレ
ジストパターニングし、これをマスクにウエットあるい
はドライエッチングで２０，１９層をエッチングする。
リッジ形成後、スパッタリング等で絶縁膜２１（ＳｉＯ
2 等）を表面全体に形成し、リッジ上部のＳｉＯ2 をエ
ッチオフした後、Ｃｒ／ＡｕあるいはＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ
等のｐ電極２２、ＡｕＧｅＮｉ等のｎ電極２３を形成す
る。その後、オーミックシンターし電極部を形成する。
図６は、本発明の第一の実施例による半導体レーザの共
振器方向の断面図である。After the growth, the GaAs contact layer 20 and the cladding layer 19 are processed to form a ridge having a width of about 1.5 to 3 μm. For this purpose, resist patterning is performed by photolithography, and using this as a mask, the 20 and 19 layers are etched by wet or dry etching.
After forming the ridge, the insulating film 21 (SiO
2 ) is formed on the entire surface and SiO 2 on the ridge is etched off, and then Cr / Au or Ti / Pt / Au
Are formed, and an n-electrode 23 such as AuGeNi is formed. Thereafter, ohmic sintering is performed to form an electrode portion.
FIG. 6 is a sectional view of a semiconductor laser according to the first embodiment of the present invention in a cavity direction.
【００２１】次いで、へき開により共振器長のピッチで
レーザの端面を形成する。その後、レーザ前端面にはＡ
ｌ2 Ｏ3 反射防止膜を形成し、レーザ後端面にはＥＣＲ
スパッタ法によりＡｌ2 Ｏ3 第一の低屈折率層、ＴｉＯ
2 第一の高屈折率層、ＳｉＯ 2 第二の低屈折率層、Ｔｉ
Ｏ2 第二の高屈折率層からなる図２に記載した構成の高
反射膜を形成した。ここで各層の厚さｄは以下の式で表
わされる値とした。 ｄ＝λ／４ｎ ここで、λは発振波長、ｎは各層の屈折率である。Next, by cleavage, at the pitch of the resonator length
Form the end face of the laser. Then, A
lTwoOThreeAn anti-reflection film is formed, and ECR is
Al by sputteringTwoOThreeFirst low refractive index layer, TiO
TwoFirst high refractive index layer, SiO TwoSecond low refractive index layer, Ti
OTwoThe height of the configuration shown in FIG. 2 comprising the second high refractive index layer
A reflective film was formed. Here, the thickness d of each layer is expressed by the following equation.
Value. d = λ / 4n Here, λ is the oscillation wavelength, and n is the refractive index of each layer.
【００２２】本発明の実施例１によるレーザは同一ウエ
ハを用いて高反射膜を低屈折率層としてＡｌ2 Ｏ3 を用
い、高屈折率層としてａ−Ｓｉを用いる層構成の従来の
レーザと比較して同等の発光強度を示していた。このこ
とは本実施例の高反射膜の反射率が従来の高反射膜と比
較して十分な反射率であることを示している。さらに本
実施例のレーザは従来のレーザと比較して劣化率の小さ
い安定な動作が可能である。たとえば、５０℃、１５０
ｍＷで出力一定の条件で、駆動電流の増加率は従来のレ
ーザでは約５×１０-5ｈ-1であるのに対して本実施例の
レーザは１×１０-5ｈ-1以下の増加率を示していた。こ
れは、高屈折率層としてａ−Ｓｉを用いていないため、
高屈折率層自体のレーザ光の吸収に起因した発熱により
高屈折率層自体の変質による反射率の変化、半導体レー
ザ後端面の劣化を防止できたためである。The laser according to the first embodiment of the present invention uses the same wafer as the conventional laser having a layer structure in which a high-reflection film uses Al 2 O 3 as a low-refractive-index layer and a-Si as a high-refractive-index layer. In comparison, the same luminescence intensity was shown. This indicates that the reflectivity of the high-reflection film of this embodiment is more than that of the conventional high-reflection film. Further, the laser of the present embodiment can perform a stable operation with a small deterioration rate as compared with the conventional laser. For example, 50 ° C, 150
Under the condition that the output is constant at mW, the increase rate of the driving current is about 5 × 10 −5 h −1 in the conventional laser, whereas the increase in the laser of the present embodiment is 1 × 10 −5 h −1 or less. Rate was showing. This is because a-Si is not used as the high refractive index layer,
This is because a change in reflectivity due to deterioration of the high-refractive-index layer itself due to heat generation due to absorption of laser light by the high-refractive-index layer itself and deterioration of the rear end face of the semiconductor laser could be prevented.
【００２３】［実施例２］図７は、本発明の第二の実施
例による半導体レーザの積層構造の断面図である。図７
において、符号２４はｎ+ −ＧａＡｓ基板、２５はｎ−
ＧａＡｓバッファ層、２６はｎ−ＩｎＧａＡｌＰクラッ
ド層、２７および２９はＩｎＧａＡｌＰガイド層、２８
はＩｎＧａＰ／ＩｎＧａＡｌＰ歪多重量子井戸活性層、
３０はｐ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層、３１はｐ+ −Ｇ
ａＡｓコンタクト層を各々図示する。[Embodiment 2] FIG. 7 is a sectional view of a laminated structure of a semiconductor laser according to a second embodiment of the present invention. FIG.
In the figure, reference numeral 24 denotes an n + -GaAs substrate, and 25 denotes an n-
GaAs buffer layer, 26 is an n-InGaAlP cladding layer, 27 and 29 are InGaAlP guide layers, 28
Is an InGaP / InGaAlP strained multiple quantum well active layer;
30 is a p-InGaAlP cladding layer, 31 is p + -G
Each of the aAs contact layers is illustrated.
【００２４】この構造を実現するために、エピタキシャ
ル結晶成長装置（ＭＯＣＶＤ法：有機金属気相成長装置
あるいはＭＢＥ法：分子線エピタキシー法）により、ｎ
+ −ＧａＡｓ基板２４上にエピ層２から１１まで成長す
る。ＭＯＶＰＥ法では、半導体薄膜成長用の原料として
トリメチルインジウム（ＴＭＩ）、トリエチルガリウム
（ＴＥＧ）、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、ホス
フィン（ＰＨ3 ）を、ｎ型ドーパントとして硫化セレン
（Ｈ2 Ｓｅ）、ｐ型ドーパントとしてジエチルジンク
（ＤＥＺｎ）を利用した。エピタキシャル成長温度は約
７００℃、成長圧力は約０．１気圧、キャリヤガスは水
素である。ＭＢＥ法では原料として金属ガリウム（Ｇ
ａ）、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、ホ
スヒィン（ＰＨ3 ）を、ｎ型ドーパントとしてシリコン
（Ｓｉ）、ｐ型ドーパントとして亜鉛（Ｚｎ）を利用し
た。エピタキシャル成長温度は約６５０℃、成長圧力は
約１０ -5Torrとしている。In order to realize this structure, an epitaxy
Crystal growth equipment (MOCVD method: metal organic chemical vapor deposition equipment)
Alternatively, MBE method: molecular beam epitaxy method)
+-Grow epi layers 2 to 11 on GaAs substrate 24
You. In MOVPE method, it is used as raw material for semiconductor thin film growth.
Trimethylindium (TMI), triethylgallium
(TEG), trimethylaluminum (TMA), phos
Fin (PHThree) As selenium sulfide as n-type dopant
(HTwoSe), diethyl zinc as a p-type dopant
(DEZn) was used. Epitaxial growth temperature is about
700 ° C., growth pressure is about 0.1 atm, carrier gas is water
Is prime. In the MBE method, metallic gallium (G
a), indium (In), aluminum (Al),
Suhin (PHThree) With silicon as n-type dopant
(Si), using zinc (Zn) as a p-type dopant
Was. The epitaxial growth temperature is about 650 ° C and the growth pressure is
About 10 -FiveTorr.
【００２５】成長後、ＧａＡｓコンタクト層３１並びに
クラッド層３０を加工して、幅２〜５μｍ程度のリッジ
を形成する。そのためにフォトリソグラフィーでレジス
トパターニングし、これをマスクにウエットあるいはド
ライエッチングで３１，３０層をエッチングする。リッ
ジ形成後、スパッタリング等で絶縁膜３２（ＳｉＯ
2等）を表面全体に形成し、リッジ上部のＳｉＯ2 をエ
ッチオフした後、Ｃｒ／ＡｕあるいはＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ
等のｐ電極３３、ＡｕＧｅＮｉ等のｎ電極３４を形成す
る。その後、オーミックシンターし電極部を形成する。
図８は、本発明の第二の実施例による半導体レーザの共
振器方向の断面図である。After the growth, the GaAs contact layer 31 and the cladding layer 30 are processed to form a ridge having a width of about 2 to 5 μm. For this purpose, resist patterning is performed by photolithography, and using this as a mask, 31 or 30 layers are etched by wet or dry etching. After forming the ridge, the insulating film 32 (SiO
2 ) is formed on the entire surface and SiO 2 on the ridge is etched off, and then Cr / Au or Ti / Pt / Au
And an n-electrode 34 of AuGeNi or the like. Thereafter, ohmic sintering is performed to form an electrode portion.
FIG. 8 is a sectional view of a semiconductor laser according to a second embodiment of the present invention in the direction of the resonator.
【００２６】次いで、へき開により共振器長のピッチで
レーザの端面を形成する。その後、レーザ前端面にはＡ
ｌ2 Ｏ3 反射防止膜を形成し、レーザ後端面にはＥＣＲ
スパッタ法によりＡｌ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 からなる第一の
低屈折率層、ＴｉＯ2 第一の高屈折率層、ＳｉＯ2 第二
の低屈折率層、ＴｉＯ2 第二の高屈折率層からなる図４
に記載した構成の高反射膜を形成した。ここで第一の低
屈折率層以外の各層の厚さｄは以下の式で表わされる値
とした。 ｄ＝λ／４ｎ ここで、λは発振波長、ｎは各層の屈折率である。ま
た、第一の低屈折率層のＡｌ2 Ｏ3 層の層厚ｄ１とＳｉ
Ｏ2 層の層厚ｄ２には以下の関係のもとに決定した。 λ＝4n1d1+4n2d2 ここで、ｎ1 ，ｎ2 はそれぞれＡｌ2 Ｏ3 層、ＳｉＯ2
層の屈折率である。Next, an end face of the laser is formed at a pitch of the cavity length by cleavage. Then, A
l 2 O 3 anti-reflection film is formed, and ECR is
First low-refractive index layer of Al 2 O 3 and SiO 2 by a sputtering method, TiO 2 first high refractive index layer, SiO 2 second low refractive index layer, the TiO 2 second high refractive index layer Fig. 4
The highly reflective film having the configuration described in (1) was formed. Here, the thickness d of each layer other than the first low refractive index layer was a value represented by the following equation. d = λ / 4n Here, λ is the oscillation wavelength, and n is the refractive index of each layer. The thickness d1 of the Al 2 O 3 layer of the first low refractive index layer and Si
The thickness d2 of the O 2 layer was determined based on the following relationship. λ = 4n 1 d 1 + 4n 2 d 2 where n 1 and n 2 are Al 2 O 3 layers, SiO 2
The refractive index of the layer.
【００２７】本発明の実施例１によるレーザは同一ウエ
ハを用いて高反射膜を低屈折率層としてＡｌ2 Ｏ3 を用
い、高屈折率層としてａ−Ｓｉを用いる層構成の従来の
レーザと比較して同等の発光強度を示していた。このこ
とは本実施例の高反射膜の反射率が従来の高反射膜と同
等の反射率であることを示している。The laser according to the first embodiment of the present invention uses the same wafer as the conventional laser having a layer structure in which a high-reflection film uses Al 2 O 3 as a low-refractive-index layer and a-Si as a high-refractive-index layer. In comparison, the same luminescence intensity was shown. This indicates that the reflectivity of the high-reflection film of this embodiment is equivalent to that of the conventional high-reflection film.
【００２８】さらに本実施例のレーザは従来のレーザと
比較して安定な動作が可能である。たとえば、５０℃、
５０ｍＷで出力一定の条件で、駆動電流の増加が所期値
の１．２倍になった時点を寿命とした場合、従来のレー
ザの寿命は１０００時間程度であるのに対して本実施例
のレーザは２０００時間以上の安定な動作を示してい
た。これは、高屈折率層としてａ−Ｓｉを用いていない
ため、高屈折率層自体のレーザ光の吸収に起因した発熱
により高屈折率層自体の変質による反射率の変化、半導
体レーザ後端面の劣化を防止できたためである。Further, the laser of the present embodiment can operate more stably than the conventional laser. For example, 50 ° C,
Under the condition that the output is constant at 50 mW, when the time when the increase of the drive current becomes 1.2 times the expected value is the life, the life of the conventional laser is about 1000 hours, whereas the life of the conventional laser is about 1000 hours. The laser showed stable operation for over 2000 hours. This is because a-Si is not used as the high-refractive-index layer, so that heat generated due to the absorption of laser light by the high-refractive-index layer itself causes a change in reflectance due to deterioration of the high-refractive-index layer itself, and a change in the rear end face of the semiconductor laser. This is because deterioration could be prevented.
【００２９】[0029]
【発明の効果】本発明による半導体レーザの積層構造に
よれば、低屈折率層と高屈折率層を交互に積層し構成す
る半導体レーザ用高反射膜構造において、半導体レーザ
に接する第一の低屈折率層が放熱性の高い材料から構成
され、次いで半導体レーザに近い第二の低屈折率層以降
の低屈折率層が該第一の低屈折率層より屈折率の低い材
料から構成している。これにより、高反射膜の反射率の
低下によるレーザの発光強度を劣化させることなく、従
来問題になっていた半導体レーザの後端面での発熱によ
る活性層内の転位欠陥の発生、それに伴うダークライン
劣化を抑制することと、高屈折率層のレーザ光の吸収は
発熱を伴う、高屈折率層自体の変質による高反射膜の反
射率の変化、半導体レーザ後端面の劣化を同時に抑制す
ることが可能になった。この結果、レーザの信頼性につ
いては従来技術の約５倍以上の劣化率低減効果が達成さ
れた。According to the laminated structure of a semiconductor laser according to the present invention, in a high-reflection film structure for a semiconductor laser constituted by alternately laminating a low refractive index layer and a high refractive index layer, the first low refractive index layer in contact with the semiconductor laser. The refractive index layer is composed of a material having a high heat dissipation property, and then the second low refractive index layers near the semiconductor laser are formed of a material having a lower refractive index than the first low refractive index layer. I have. As a result, the occurrence of dislocation defects in the active layer due to heat generation at the rear end face of the semiconductor laser, which has conventionally been a problem, without causing deterioration in the laser emission intensity due to a decrease in the reflectivity of the highly reflective film, and the resulting dark line In addition to suppressing deterioration, the absorption of laser light in the high-refractive-index layer involves heat generation, and simultaneously suppresses changes in the reflectivity of the high-reflection film due to deterioration of the high-refractive-index layer itself and deterioration of the rear end face of the semiconductor laser. It is now possible. As a result, with respect to the reliability of the laser, a deterioration rate reduction effect of about five times or more of the conventional technology was achieved.
【００３０】上記実施例はＧａＡｓ基板上に積層された
ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓおよびＩｎＧａＰ／ＩｎＧａＡ
ｌＰ歪量子井戸層を活性層とした０．６から１μｍ以上
の波長帯の半導体レーザに関するものであるが、同様の
効果はＧａＡｓ基板上に積層されたＧａＡｓ／ＡｌＧａ
Ａｓ、ＡｌＧａＡｓを活性層とした半導体レーザにおい
ても有効である。また、さらに短波長のＺｎＳｅ系、ま
たはＧａＮ系活性層を有する半導体レーザにおいても有
効である。In the above embodiment, InGaAs / GaAs and InGaP / InGaAs laminated on a GaAs substrate are used.
Although the present invention relates to a semiconductor laser having a wavelength band of 0.6 to 1 μm or more using an 1P strained quantum well layer as an active layer, a similar effect is obtained with GaAs / AlGa stacked on a GaAs substrate.
It is also effective in a semiconductor laser using As and AlGaAs as active layers. It is also effective for a semiconductor laser having a ZnSe-based or GaN-based active layer with a shorter wavelength.
【図１】本発明の試験例１の高反射膜構造の反射率の波
長依存性を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing the wavelength dependence of the reflectance of a highly reflective film structure of Test Example 1 of the present invention.
【図２】本発明の試験例１の高反射膜構造の断面を示す
図である。FIG. 2 is a view showing a cross section of a high reflection film structure of Test Example 1 of the present invention.
【図３】本発明の試験例２の高反射膜構造の反射率の波
長依存性を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing the wavelength dependence of the reflectance of a highly reflective film structure of Test Example 2 of the present invention.
【図４】本発明の試験例２の高反射膜構造の断面を示す
図である。FIG. 4 is a diagram showing a cross section of a high reflection film structure of Test Example 2 of the present invention.
【図５】本発明の第一の実施例による半導体レーザの積
層構造の断面を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a cross section of the laminated structure of the semiconductor laser according to the first embodiment of the present invention.
【図６】本発明の第一の実施例による半導体レーザの共
振器方向の断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view of the semiconductor laser according to the first embodiment of the present invention in a resonator direction.
【図７】本発明の第二の実施例による半導体レーザの積
層構造の断面を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a cross section of a laminated structure of a semiconductor laser according to a second embodiment of the present invention.
【図８】本発明の第二の実施例による半導体レーザの共
振器方向の断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view of a semiconductor laser according to a second embodiment of the present invention in a resonator direction.
【図９】従来の高反射膜構造の断面を示す図である。FIG. 9 is a view showing a cross section of a conventional high reflection film structure.
【図１０】改良された従来の高反射率構造の断面を示す
図である。FIG. 10 is a diagram showing a cross section of an improved conventional high reflectivity structure.
【図１１】改良された従来の高反射膜構造の反射率の波
長依存性を示す図である。FIG. 11 is a diagram showing the wavelength dependence of the reflectance of the improved conventional high reflection film structure.
１ 半導体レーザ ２ Ａｌ2 Ｏ3 第一の低屈折率層 ３ ａ−Ｓｉ第一の高屈折率層 ４ Ａｌ2 Ｏ3 第二の低屈折率層 ５ ａ−Ｓｉ第二の高屈折率層 ６ ＴｉＯ2 第一の高屈折率層 ７ ＴｉＯ2 第二の高屈折率層 ８ ＳｉＯ2 第二の低屈折率層 ９ 第一の低屈折率層Ａｌ2 Ｏ3 部 １０ 第一の低屈折率層ＳｉＯ2 部 １１ ｎ+ −ＧａＡｓ基板 １２ ｎ−ＧａＡｓバッファ層 １３ ｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層 １４ ＡｌＧａＡｓガイド層 １５ ＡｌＧａＡｓＳＣＨ層 １６ ＩｎＧａＡｓ歪量子井戸活性層 １７ ＡｌＧａＡｓＳＣＨ層 １８ ＡｌＧａＡｓガイド層 １９ ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層 ２０ ｐ+ −ＧａＡｓコンタクト層 ２１ 絶縁膜 ２２ ｐ電極 ２３ ｎ電極 ２４ ｎ+ −ＧａＡｓ基板 ２５ ｎ−ＧａＡｓバッファ層 ２６ ｎ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層 ２７ ＩｎＧａＡｌＰガイド層 ２８ ＩｎＧａＰ／ＩｎＧａＡｌＰ歪量子井戸活性層 ２９ ＩｎＧａＡｌＰガイド層 ３０ ｐ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層 ３１ ｐ+ −ＧａＡｓコンタクト層 ３２ 絶縁膜 ３３ ｐ電極 ３４ ｎ電極Reference Signs List 1 semiconductor laser 2 Al 2 O 3 first low refractive index layer 3 a-Si first high refractive index layer 4 Al 2 O 3 second low refractive index layer 5 a-Si second high refractive index layer 6 TiO 2 first high refractive index layer 7 TiO 2 second high refractive index layer 8 SiO 2 second low refractive index layer 9 first low refractive index layer Al 2 O 3 part 10 first low refractive index layer SiO 2 part 11 n + -GaAs substrate 12 n-GaAs buffer layer 13 n-AlGaAs cladding layer 14 AlGaAs guide layer 15 AlGaAsSCH layer 16 InGaAs strain quantum well active layer 17 AlGaAsSCH layer 18 AlGaAs guide layer 19 p-AlGaAs clad layer + -GaAs contact layer 21 an insulating layer 22 p electrode 23 n electrode 24 n + -GaAs substrate 25 n-GaAs buffer layer 26 n-InGaAlP cladding layer 7 InGaAlP guide layer 28 InGaP / InGaAlP strained quantum well active layer 29 InGaAlP guide layer 30 p-InGaAlP cladding layer 31 p + -GaAs contact layer 32 an insulating layer 33 p electrode 34 n electrode
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊賀 龍三 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────の Continuing on the front page (72) Ryuzo Iga Inventor, Nippon Telegraph and Telephone Corporation, 3-19-2 Nishishinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo
Claims (5)
構成する半導体レーザ用高反射膜構造において、 半導体レーザに接する第一の低屈折率層が少なくともＳ
ｉＯ2 よりも放熱性の高い材料から構成され、次いで半
導体レーザに近い第二の低屈折率層以降の低屈折率層が
該第一の低屈折率層より屈折率の低い材料から構成され
ていることを特徴とする半導体レーザ用高反射膜構造。In a high-reflection film structure for a semiconductor laser in which a low-refractive-index layer and a high-refractive-index layer are alternately stacked, at least a first low-refractive-index layer in contact with the semiconductor laser has at least S
It is composed of a material having a higher heat dissipation property than iO 2 , and then the second low refractive index layer and subsequent low refractive index layers close to the semiconductor laser are composed of a material having a lower refractive index than the first low refractive index layer. A highly reflective film structure for a semiconductor laser.
屈折率層以降の低屈折率層がＳｉＯ2 から構成されてい
ることを特徴とする半導体レーザ用高反射膜構造。2. The low-refractive-index layer according to claim 1, wherein the first low-refractive-index layer is made of Al 2 O 3, and the low-refractive-index layers subsequent to the second low-refractive-index layer are made of SiO 2. High-reflection film structure for a semiconductor laser.
構成する半導体レーザ用高反射膜構造において、 低屈折率層が少なくとも一つのＡｌ2 Ｏ3 層と少なくと
も一つのＳｉＯ2 層とから構成されていることを特徴と
する半導体レーザ用高反射膜構造。3. A high-reflection film structure for a semiconductor laser comprising low-refractive-index layers and high-refractive-index layers alternately stacked, wherein the low-refractive-index layers are at least one Al 2 O 3 layer and at least one SiO 2 layer. And a highly reflective film structure for a semiconductor laser.
膜構造において、 高屈折率層がＴｉＯ2 から構成されていることを特徴と
する半導体レーザ用高反射膜構造。4. The high-reflection film structure for a semiconductor laser according to claim 1, wherein the high-refractive-index layer is made of TiO 2 .
レーザにおいて、 請求項１から４に記載の高反射構成膜を備えていること
を特徴とする半導体レーザ。5. A semiconductor laser provided with a highly reflective film on the rear end face of the laser, comprising the highly reflective constituent film according to claim 1.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16839997A JPH1117248A (en) | 1997-06-25 | 1997-06-25 | High reflecting film structure for semiconductor laser and semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16839997A JPH1117248A (en) | 1997-06-25 | 1997-06-25 | High reflecting film structure for semiconductor laser and semiconductor laser |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1117248A true JPH1117248A (en) | 1999-01-22 |
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ID=15867405
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16839997A Pending JPH1117248A (en) | 1997-06-25 | 1997-06-25 | High reflecting film structure for semiconductor laser and semiconductor laser |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20021203 |