JPH11171530A - Production of high purity silicon dioxide - Google Patents
Production of high purity silicon dioxideInfo
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- JPH11171530A JPH11171530A JP33585697A JP33585697A JPH11171530A JP H11171530 A JPH11171530 A JP H11171530A JP 33585697 A JP33585697 A JP 33585697A JP 33585697 A JP33585697 A JP 33585697A JP H11171530 A JPH11171530 A JP H11171530A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は高純度二酸化ケイ素
の製造方法に関する。更に詳しくは、高分散性を有する
高純度二酸化ケイ素の製造方法に関する。高分散性を有
する二酸化ケイ素は、樹脂のフィラー等に用いられ、特
に高純度品は半導体用の樹脂フィラーとして注目されて
いる。The present invention relates to a method for producing high-purity silicon dioxide. More specifically, the present invention relates to a method for producing high-purity silicon dioxide having high dispersibility. Silicon dioxide having high dispersibility is used for resin fillers and the like, and particularly high-purity products are receiving attention as resin fillers for semiconductors.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、二酸化ケイ素のうち、高分散性を
有する二酸化ケイ素（ヒュームドシリカ）の製造方法に
は、ハロゲン化ケイ素と蒸気を、火炎中で加水分解させ
る方法(Industrial and engneering chemistry vol51,2
32,238(1959))が広く知られている。しかし、装置の腐
食などによるメンテナンス管理が大変であり、また四塩
化ケイ素を原料とし、蒸気存在下、火炎中で加水分解さ
せる方法ではＣｌ分が残存してしまうという問題があ
る。2. Description of the Related Art Conventionally, among silicon dioxides, a method for producing silicon dioxide (fumed silica) having a high dispersibility includes a method of hydrolyzing a silicon halide and a vapor in a flame (Industrial and engineering chemistry vol. 51). , 2
32,238 (1959)) is widely known. However, maintenance management due to corrosion of the apparatus is difficult, and there is a problem that Cl content remains in a method of using silicon tetrachloride as a raw material and performing hydrolysis in a flame in the presence of steam.
【０００３】また、単一の燃焼用バーナーに揮発性のケ
イ素化合物と可燃性ガスを同伴させて燃焼する方法が一
般的に用いられているが、バーナー出口にシリカが付着
し、燃焼中に閉塞し失火するという欠点があった。[0003] In addition, a method is generally used in which a single combustion burner is burned together with a volatile silicon compound and a combustible gas. However, silica adheres to the outlet of the burner and becomes blocked during combustion. There was a drawback that the fire would be lost.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、二酸
化ケイ素を安定的かつ高純度化を図り、高純度二酸化ケ
イ素を安定的に提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to stably and highly purify silicon dioxide and to stably provide high-purity silicon dioxide.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明者らは、二酸化ケ
イ素の製造方法について鋭意検討を重ねた結果、特定す
る可燃性ケイ素化合物を、火焔に向けて噴射し、高純度
の二酸化ケイ素のできることを知見し、本発明を完成さ
せるに至った。Means for Solving the Problems The present inventors have conducted intensive studies on a method for producing silicon dioxide, and as a result, have found that a combustible silicon compound to be specified is sprayed toward a flame to produce high-purity silicon dioxide. And found that the present invention was completed.
【０００６】即ち、本発明は炭化水素の燃焼用バーナー
の火焔に、一つ以上の噴射ノズルを用いハロゲン成分を
含まない可燃性ケイ素化合物を噴射し、燃焼させて高分
散性二酸化ケイ素を製造することを特徴とする高純度二
酸化ケイ素の製造方法に関するものである。That is, the present invention produces a highly dispersible silicon dioxide by injecting a combustible silicon compound containing no halogen component into a flame of a hydrocarbon combustion burner using one or more injection nozzles and burning it. The present invention relates to a method for producing high-purity silicon dioxide.
【０００７】[0007]
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明でいうハロゲン成分を含まない可燃性ケイ素化合
物（以下、非ハロゲン可燃性ケイ素化合物という）と
は、塩素、フッ素を含まない可燃性ケイ素化合物をい
い、これらを例示するとシラン、ジシラン、アルコキシ
シラン、アルキルシシラン、ビニルシラン等が挙げられ
る。そして、これらは噴射ノズルから、炭化水素の燃焼
用バーナーの火焔に噴射し燃焼する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below in detail.
The term "flammable silicon compound containing no halogen component" (hereinafter referred to as "non-halogen combustible silicon compound") as used herein means a combustible silicon compound containing no chlorine or fluorine, and examples thereof include silane, disilane and alkoxysilane. , Alkyl silane, vinyl silane and the like. These are injected from the injection nozzle into the flame of the combustion burner for hydrocarbons and burn.
【０００８】火焔は、炭化水素と空気または酸素の混合
気を燃焼用バーナーにて、燃焼させた火焔が好ましく、
通常の場合、メタン、エタン、ブタン、プロパンが使用
される。尚、炭化水素の内、都市ガスやＬＰＧには臭い
の成分を含むので、これらの使用を避けることがより高
純度二酸化ケイ素を得る上で好ましい。The flame is preferably a flame obtained by burning a mixture of hydrocarbon and air or oxygen with a combustion burner.
Usually, methane, ethane, butane, propane are used. It should be noted that, among hydrocarbons, city gas and LPG contain odorous components. Therefore, it is preferable to avoid using these in order to obtain high-purity silicon dioxide.
【０００９】バーナー及び噴射ノズルは、反応管内に設
置される。反応管内には、通常一つバーナーとその周囲
に噴射ノズルを配置し、噴射ノズルの数量は、バーナー
の大きさや生産量によって異なり、特に限定されるもの
でないが、通常２〜６程度で均等に配置されることが好
ましい。[0009] The burner and the injection nozzle are installed in the reaction tube. In the reaction tube, usually, one burner and an injection nozzle are arranged around the burner, and the number of the injection nozzles varies depending on the size and the production amount of the burner, and is not particularly limited, but is usually about 2 to 6 evenly. Preferably, they are arranged.
【００１０】本発明に使用される噴射ノズルには、液体
を高圧で噴霧するノズルと、気体あるいは蒸気を射出す
るノズルの２種のノズルのいずれかを選択することがで
きる。通常、粒径の大きい二酸化ケイ素を得る場合は液
体高圧噴霧ノズル、また微粒の二酸化ケイ素を得る場合
は気体射出ノズルが用いられる。また、メトキシシラン
やエトキシシラン等の室温で液体のものを、気化器を用
い沸点以上に加熱して、気体射出ノズルを使用し燃焼さ
せることもできる。あるいは、Ｈｅ、Ｎ２、Ａｒ等の不
活性なガスを同伴させて混合気となし、噴射することも
できる。As the injection nozzle used in the present invention, one of two types of nozzles can be selected, a nozzle for spraying a liquid at a high pressure and a nozzle for injecting a gas or a vapor. Usually, a liquid high pressure spray nozzle is used to obtain silicon dioxide having a large particle diameter, and a gas injection nozzle is used to obtain fine silicon dioxide. Further, a liquid such as methoxysilane or ethoxysilane at room temperature may be heated to a boiling point or higher using a vaporizer and then burned using a gas injection nozzle. Alternatively, an inert gas such as He, N 2 , Ar or the like may be accompanied to form an air-fuel mixture for injection.
【００１１】このようにして得られる二酸化ケイ素は、
特に半導体用途に嫌われるＣｌを殆ど含まないことから
高純度な二酸化ケイ素となる。しかし充分な燃焼条件で
燃焼しなければ、二酸化ケイ素中に有機物が残存し、純
度の低下を招くことになる。そこで本発明者らは、更に
安定的な燃焼の持続と、高純度な二酸化ケイ素を得るた
めに、噴射ノズルの位置を以下に記す条件に配置するこ
とで、その目的を達成することを見いだした。The silicon dioxide thus obtained is
In particular, high purity silicon dioxide is obtained because it hardly contains Cl which is disliked for semiconductor applications. However, if the combustion is not carried out under sufficient combustion conditions, organic substances remain in the silicon dioxide, resulting in a decrease in purity. Therefore, the present inventors have found that in order to maintain more stable combustion and obtain high-purity silicon dioxide, the position of the injection nozzle is arranged under the following conditions to achieve the object. .
【００１２】以下、図１を用いて詳細に説明する。燃焼
用バーナー１の火焔６の中心に対する噴射ノズル４の入
射角度Ａ、外焔７と噴射ノズル４の先端の距離Ｂ、噴射
ノズル４の先端と燃焼用バーナー１の先端との距離Ｃが
不適であると短時間で噴射ノズル４の先端部に二酸化ケ
イ素が付着し、閉塞してしまったり、非ハロゲン可燃性
ケイ素化合物の一部が不完全な燃焼によって、炭化し黒
っぽい二酸化ケイ素ができてしまうなどの問題が生じる
ことを知見した。The details will be described below with reference to FIG. The incident angle A of the injection nozzle 4 with respect to the center of the flame 6 of the combustion burner 1, the distance B between the outer flame 7 and the tip of the injection nozzle 4, and the distance C between the tip of the injection nozzle 4 and the tip of the combustion burner 1 are inappropriate. In some cases, silicon dioxide adheres to the tip of the injection nozzle 4 in a short time and becomes clogged, or a part of the non-halogen combustible silicon compound is incompletely burned and carbonized to form black silicon dioxide. Was found to occur.
【００１３】まず、燃焼用バーナー１の火焔６の中心に
対し、噴射ノズル４の入射角度Ａを１０〜６０度、好ま
しくは１５〜４５度とすることである。噴射ノズル４の
先端部の二酸化ケイ素付着を防止し、安定的かつ高収率
で二酸化ケイ素を製造することができることを見出し
た。First, the incident angle A of the injection nozzle 4 with respect to the center of the flame 6 of the combustion burner 1 is set to 10 to 60 degrees, preferably 15 to 45 degrees. The present inventors have found that silicon dioxide can be stably adhered to the tip of the spray nozzle 4 at a high yield and silicon dioxide can be produced with high yield.
【００１４】この入射角度Ａを１０度未満とすると、非
ハロゲン可燃性ケイ素化合物の一部が不完全な燃焼によ
って、炭化し黒っぽい二酸化ケイ素ができてしまい、収
率への悪化にもなるので好ましくない。また、入射角度
Ａが６０度を越えた場合、火焔が不安定となり失火や不
完全な燃焼によって、黒っぽい二酸化ケイ素ができてし
まうので好ましくない。更に９０度を越えると短時間で
噴射ノズルの先端部の二酸化ケイ素が付着し、閉塞して
しまうので好ましくない。When the incident angle A is less than 10 degrees, a part of the non-halogen combustible silicon compound is incompletely burned, resulting in carbonization of black silicon dioxide, which may deteriorate the yield. Absent. On the other hand, when the incident angle A exceeds 60 degrees, the flame becomes unstable and misfire or incomplete combustion results in the formation of black silicon dioxide, which is not preferable. Further, if it exceeds 90 degrees, silicon dioxide at the tip of the spray nozzle adheres and closes in a short time, which is not preferable.
【００１５】次に噴射ノズル４の先端は、火焔中にあっ
てはならない。火焔中に噴射ノズルの先端があると、噴
射ノズルの先端部に二酸化ケイ素が付着し、長時間運転
では先端部が閉塞してしまい好ましくない。従って、燃
焼用バーナー１の火焔６の外焔７と噴射ノズル４の先端
の距離Ｂが１〜５０ｍｍ、好ましくは２〜３０ｍｍであ
り、更に好ましくは３〜２０ｍｍが好適である。Next, the tip of the injection nozzle 4 must not be in the flame. If the tip of the injection nozzle is present in the flame, silicon dioxide adheres to the tip of the injection nozzle, and the tip is blocked during long-time operation, which is not preferable. Therefore, the distance B between the outer flame 7 of the flame 6 of the combustion burner 1 and the tip of the injection nozzle 4 is 1 to 50 mm, preferably 2 to 30 mm, and more preferably 3 to 20 mm.
【００１６】また、噴射ノズル４の先端と炭化水素の燃
焼用バーナー１の先端との距離Ｃは０〜２０ｍｍ下端、
好ましくは１〜１０ｍｍ下端に位置とするのが好適であ
る。以上のように、噴射ノズルの位置を適切に配置する
ことで先端部の二酸化ケイ素付着を防止し、安定的かつ
高収率で二酸化ケイ素を製造することができるのであ
る。The distance C between the tip of the injection nozzle 4 and the tip of the burner 1 for burning hydrocarbon is 0 to 20 mm at the lower end,
Preferably, it is located at the lower end of 1 to 10 mm. As described above, by appropriately arranging the positions of the injection nozzles, adhesion of silicon dioxide at the tip can be prevented, and silicon dioxide can be manufactured stably and at a high yield.
【００１７】このように、非ハロゲン可燃性ケイ素化合
物を燃焼するが、バーナーの火焔温度や非ハロゲン可燃
性ケイ素化合物の種類、供給方法及び供給量によって任
意の粒径をコントロールすることが出来得る。非ハロゲ
ン可燃性ケイ素化合物を燃焼することにより、反応管内
で二酸化ケイ素が生成され、これの捕集にはサイクロン
またはバグフィルター等の集塵装置が用いられる。As described above, when the non-halogen combustible silicon compound is burned, an arbitrary particle size can be controlled by the flame temperature of the burner, the type of the non-halogen combustible silicon compound, the supply method and the supply amount. By burning the non-halogen combustible silicon compound, silicon dioxide is generated in the reaction tube, and a dust collector such as a cyclone or a bag filter is used for collecting the silicon dioxide.
【００１８】本発明で使用する反応管５や集塵機等の材
質は、ハロゲン成分を含まないので、腐食などの問題は
なく、装置コストがハロゲン化ケイ素化合物を原料とし
た場合に比べ安価である。燃焼排ガスと接触する部分
は、鉄またはステンレス鋼が使用され、中でも鉄分など
のコンタミを防止する上でステンレス鋼が好適に使用さ
れる。更には反応管５は、燃焼によって温度が高温とな
るので、金属の内面をシリカやアルミナを溶射し被覆し
たものも使用できる。バグフィルターを用いる際の濾布
の材質も、特に限定されるものではない。Since the material of the reaction tube 5 and the dust collector used in the present invention does not contain a halogen component, there is no problem such as corrosion, and the cost of the apparatus is lower than in the case where a silicon halide compound is used as a raw material. Iron or stainless steel is used for the portion that comes into contact with the combustion exhaust gas. Among them, stainless steel is preferably used for preventing contamination such as iron. Furthermore, since the temperature of the reaction tube 5 becomes high by combustion, a metal whose inner surface is sprayed with silica or alumina and coated can be used. The material of the filter cloth when using the bag filter is not particularly limited.
【００１９】[0019]
【実施例】以下、本発明を実施例をもって説明する。 実施例１ 内径３インチのＳＵＳ製反応管５の上部に燃焼用バーナ
ーを固定し、供給管２よりＡｉｒ５００ｃｃ／ｍｉｎ、
供給管３よりＣ３Ｈ８ガス１５０ｃｃ／ｍｉｎを各々供
給し着火して火焔を作った。噴射ノズル４は、に高圧噴
霧型のノズル２つを用い、この火焔６に対して噴射ノズ
ルの入射角度Ａを１５度、そして外焔７と噴射ノズル４
の先端の距離Ｂを５ｍｍ、噴射ノズルの先端と炭化水素
の燃焼用バーナーのノズルとの距離Ｃは３ｍｍ下端と
し、この２つの噴射ノズルはバーナーを中心に対角線上
に設置した。次いで、（ＣＨ３Ｏ）４Ｓｉ（テトラメト
キシシラン）を、吐出圧５０ｋＰａで２．４ｇ／ｍｉｎ
をそれぞれの噴射ノズルより噴射した。（ＣＨ３Ｏ）
４Ｓｉは、反応管内で安定して５時間程燃焼し、この間
得られた二酸化ケイ素は、バグフィルターで捕集した。
尚、５時間燃焼した後、燃焼用バーナーと噴射ノズルを
点検したところ、二酸化ケイ素の付着は見られなかっ
た。また、得られた二酸化ケイ素の比表面積は９３ｍ２
／ｇと微細なものであった。The present invention will be described below with reference to examples. Example 1 A combustion burner was fixed on the upper part of a SUS reaction tube 5 having an inner diameter of 3 inches, and Air 500 cc / min.
C 3 H 8 gas was supplied at 150 cc / min from the supply pipe 3 and ignited to form a flame. The injection nozzle 4 uses two high-pressure spray type nozzles, the incident angle A of the injection nozzle to the flame 6 is 15 degrees, and the outer flame 7 and the injection nozzle 4 are used.
And the distance C between the tip of the injection nozzle and the nozzle of the hydrocarbon combustion burner was 3 mm at the lower end, and the two injection nozzles were installed diagonally about the burner. Next, (CH 3 O) 4 Si (tetramethoxysilane) was supplied at a discharge pressure of 50 kPa at 2.4 g / min.
Was injected from each injection nozzle. (CH 3 O)
4 Si is stable in the reaction tube to burn about 5 hours, the obtained silicon dioxide during this time was collected in a bag filter.
After burning for 5 hours, the combustion burner and the injection nozzle were inspected, and no adhesion of silicon dioxide was observed. The specific surface area of the obtained silicon dioxide was 93 m 2.
/ G.
【００２０】実施例２ 内径３インチのＳＵＳ製反応管５の上部に燃焼用バーナ
ーを固定し、供給管２よりＡｉｒ３００ｃｃ／ｍｉｎ供
給管３よりＣ３Ｈ８ガス１００ｃｃ／ｍｉｎを各々供給
し着火して火焔を作った。噴射ノズル４には、気体用の
直進射出ノズルを２つ用い、この火焔６に対して噴射ノ
ズルの入射角度Ａを４０度、そして外焔７と噴射ノズル
４の先端の距離Ｂを４０ｍｍ、噴射ノズルの先端と炭化
水素の燃焼用バーナーのノズルとの距離Ｃは１５ｍｍ下
端とし、この２つの噴射ノズルはバーナーを中心に対角
線上に設置した。次いで、ＳｉＨ４（モノシラン）２０
０ｃｃ／ｍｉｎをそれぞれの噴射ノズルより噴射した。
ＳｉＨ４は、反応管内で安定して５時間程燃焼し、この
間得られた二酸化ケイ素は、バグフィルターで捕集し
た。尚、５時間燃焼した後、燃焼用バーナーと噴射ノズ
ルを点検したところ、二酸化ケイ素の付着は見られなか
った。また、得られた二酸化ケイ素の比表面積は２６０
ｍ２／ｇと微細なものであった。Example 2 A combustion burner was fixed on the upper part of a SUS reaction tube 5 having an inner diameter of 3 inches, and 300 cc / min of Air was supplied from the supply tube 2 and 100 cc / min of C 3 H 8 gas was supplied from the supply tube 3 to ignite. I made a flame. The injection nozzle 4 uses two gas-injection straight injection nozzles. The injection angle A of the injection nozzle is 40 degrees with respect to the flame 6, and the distance B between the outer flame 7 and the tip of the injection nozzle 4 is 40 mm. The distance C between the tip of the nozzle and the nozzle of the combustion burner for hydrocarbons was set at the lower end of 15 mm, and the two injection nozzles were arranged diagonally about the burner. Then, SiH 4 (monosilane) 20
0 cc / min was injected from each injection nozzle.
SiH 4 was stably burned in the reaction tube for about 5 hours, and the silicon dioxide obtained during this time was collected by a bag filter. After burning for 5 hours, the combustion burner and the injection nozzle were inspected, and no adhesion of silicon dioxide was observed. The specific surface area of the obtained silicon dioxide is 260
m 2 / g.
【００２１】実施例３〜８ 内径３インチのＳＵＳ製反応管５の上部に燃焼用バーナ
ーを固定し、供給管２よりＡｉｒ、供給管３よりＣ３Ｈ
８ガスを各々供給し着火して火焔を作った。噴射ノズル
４には、気体用の直進射出ノズルを２つ用い、バーナー
を中心に対角線上に設置した。尚、噴射ノズルの位置は
表１に記す。次いで、（ＣＨ３Ｏ）４Ｓｉ１．２ｇ／ｍ
ｉｎとＮ２ガス１００ｃｃ／ｍｉｎを気化器（図１には
なし）に供給し２００℃の混合気を作りこれを噴射ノズ
ルより噴射し燃焼した。結果は表１に記す如く、種々の
大きさの二酸化ケイ素が得られた。また二酸化ケイ素中
に含まれるＣｌは、１ｗｔｐｐｍ以下であった。Examples 3 to 8 A combustion burner was fixed on the upper part of a SUS reaction tube 5 having an inner diameter of 3 inches, and Air was supplied from the supply tube 2 and C 3 H was supplied from the supply tube 3.
Eight gases were supplied and ignited to form a flame. Two injection nozzles for gas were used as the injection nozzles 4 and were installed diagonally around the burner. Table 1 shows the positions of the injection nozzles. Then, (CH 3 O) 4 Si 1.2 g / m
The in and N 2 gas 100 cc / min vaporizer which creates a mixture of the supplied 200 ° C. was injected from the injection nozzle to the combustion (no in Figure 1). As shown in Table 1, various sizes of silicon dioxide were obtained. Further, Cl contained in silicon dioxide was 1 wtppm or less.
【００２２】比較例１ メチルトリクロルシラン１．２ｇ／ｍｉｎ とＮ２ガス
１００ｃｃ／ｍｉｎを気化器に供給し２００℃の混合気
を作りこれを噴射ノズルより噴射し燃焼した以外は、実
施例３と同様に行った。この結果、得られた二酸化ケイ
素中に含まれるＣｌは、２２６ｗｔｐｐｍ含まれている
ことが判明した。Comparative Example 1 The procedure of Example 3 was repeated except that 1.2 g / min of methyltrichlorosilane and 100 cc / min of N 2 gas were supplied to a vaporizer to form a mixture at 200 ° C., which was injected from an injection nozzle and burned. Performed similarly. As a result, it was found that Cl contained in the obtained silicon dioxide was 226 wtppm.
【００２３】比較例２ 実施例１と同様の反応管と燃焼用バーナーを用い、供給
管２よりＡｉｒ３００ｃｃ／ｍｉｎ、供給管３よりＣ３
Ｈ８ガス１００ｃｃ／ｍｉｎ．とＳｉＨ４ガス２００ｃ
ｃ／ｍｉｎ を各々供給し着火して、反応管内で燃焼し
た。しかし、２時間経過したところで失火した。この燃
焼用バーナーを点検したところ、バーナーの出口付近に
二酸化ケイ素の付着が見られ、これによって閉塞したこ
とが確認された。Comparative Example 2 Using the same reaction tube and combustion burner as in Example 1, Air 300 cc / min from the supply tube 2 and C 3 from the supply tube 3.
H 8 gas 100cc / min. And SiH 4 gas 200c
c / min was supplied and ignited, and burned in the reaction tube. However, the fire broke out after 2 hours. When the combustion burner was inspected, adhesion of silicon dioxide was observed near the outlet of the burner, and it was confirmed that the burner was blocked.
【００２４】比較例３〜５ 噴射ノズルの位置を表１に記す以外は、実施例３と同様
の方法で燃焼した。その結果、比較例３は、燃焼後、数
十分で噴射ノズルが閉塞したため、（ＣＨ３Ｏ）４Ｓｉ
の供給を中止した。また比較例３〜４は、不完全な燃焼
によって黒っぽい二酸化ケイ素となり、分析した結果、
二酸化ケイ素中に含まれるトータルＣは５００ｐｐｍを
越えるものであった。Comparative Examples 3 to 5 Combustion was performed in the same manner as in Example 3 except that the positions of the injection nozzles were described in Table 1. As a result, in Comparative Example 3, since the injection nozzle was blocked by several tens of minutes after combustion, (CH 3 O) 4 Si
Supply was discontinued. In Comparative Examples 3 and 4, black silicon dioxide was obtained due to incomplete combustion, and as a result of analysis,
The total C contained in the silicon dioxide exceeded 500 ppm.
【００２５】[0025]
【表１】 [Table 1]
【００２６】[0026]
【発明の効果】本発明は、炭化水素の燃焼用バーナーの
火焔に、一つ以上の噴射ノズルからハロゲン成分を含ま
ない可燃性ケイ素化合物を噴射し、燃焼させて高分散性
二酸化ケイ素を製造することで、ハロゲン成分を含まな
い高純度な二酸化ケイ素の製造方法を確立した。これに
より、半導体用の樹脂フィラー等の用途に適した二酸化
ケイ素を提供することが可能となった。The present invention produces a highly dispersible silicon dioxide by injecting a combustible silicon compound containing no halogen component from one or more injection nozzles into a flame of a hydrocarbon combustion burner and burning it. Thus, a method for producing high-purity silicon dioxide containing no halogen component was established. This has made it possible to provide silicon dioxide suitable for applications such as resin fillers for semiconductors.
【００２７】[0027]
【００２８】[0028]
【図１】 本発明の燃焼装置の概略図FIG. 1 is a schematic diagram of a combustion device of the present invention.
【００２９】[0029]
Ａ 燃焼用バーナー１の火焔の中心に対する噴射ノズ
ル４の入射角度 Ｂ 噴射ノズル４と外焔７の距離 Ｃ 噴射ノズル４の先端と燃焼用バーナー１の先端ノ
ズルとの距離 １ 燃焼用バーナー ２ Ａｉｒ／酸素供給管 ３ 炭化水素ガス供給管 ４ 噴射ノズル ５ 反応管 ６ 火焔 ７ 外焔A Incident angle of the injection nozzle 4 with respect to the center of the flame of the combustion burner 1 B Distance between the injection nozzle 4 and the outer flame 7 C Distance between the tip of the injection nozzle 4 and the tip nozzle of the combustion burner 1 1 Burner 2 Air / Oxygen supply pipe 3 Hydrocarbon gas supply pipe 4 Injection nozzle 5 Reaction pipe 6 Flame 7 External flame
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小野 隆 山口県下関市彦島迫町七丁目１番１号 三 井化学株式会社内 (72)発明者 角 哲雄 山口県下関市彦島迫町七丁目１番１号 三 井化学株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Takashi Ono 7-1-1, Hikoshimasako-cho, Shimonoseki-shi, Yamaguchi Prefecture Inside Mitsui Chemicals, Inc. (72) Tetsuo Kado 7-1, Hikoshimasako-cho, Shimonoseki-shi, Yamaguchi Prefecture No. 1 Inside Mitsui Chemicals, Inc.
Claims (4)
一つ以上の噴射ノズルからハロゲン成分を含まない可燃
性ケイ素化合物を噴射し、燃焼させて高分散性二酸化ケ
イ素を製造することを特徴とする高純度二酸化ケイ素の
製造方法。1. The flame of a burner for burning hydrocarbons,
A method for producing high-purity silicon dioxide, comprising injecting a combustible silicon compound containing no halogen component from one or more injection nozzles and burning it to produce highly dispersible silicon dioxide.
である請求項１記載の高純度二酸化ケイ素の製造方法。2. The method for producing high-purity silicon dioxide according to claim 1, wherein the injection nozzle is a high-pressure spray nozzle for liquid.
る請求項１記載の高純度二酸化ケイ素の製造方法。3. The method for producing high-purity silicon dioxide according to claim 1, wherein the injection nozzle is an injection nozzle for gas.
ーの火焔に対し、入射角度が５〜６０度で、燃焼用バー
ナーの火焔の外焔と噴射ノズルの先端の距離が１〜５０
ｍｍであり、かつ噴射ノズルの先端が燃焼用バーナーの
ノズルの０〜２０ｍｍ下端にある請求項１記載の高純度
二酸化ケイ素の製造方法。4. The injection nozzle has an incident angle of 5 to 60 degrees with respect to the flame of the hydrocarbon combustion burner, and the distance between the outer flame of the combustion burner flame and the tip of the injection nozzle is 1 to 50.
2. The method for producing high-purity silicon dioxide according to claim 1, wherein the injection nozzle is located at a lower end of 0 to 20 mm of the nozzle of the combustion burner.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33585697A JPH11171530A (en) | 1997-12-05 | 1997-12-05 | Production of high purity silicon dioxide |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33585697A JPH11171530A (en) | 1997-12-05 | 1997-12-05 | Production of high purity silicon dioxide |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11171530A true JPH11171530A (en) | 1999-06-29 |
Family
ID=18293158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33585697A Pending JPH11171530A (en) | 1997-12-05 | 1997-12-05 | Production of high purity silicon dioxide |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11171530A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006507212A (en) * | 2002-11-26 | 2006-03-02 | キャボット コーポレイション | Fumed metal oxide particles and method for producing the same |
-
1997
- 1997-12-05 JP JP33585697A patent/JPH11171530A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006507212A (en) * | 2002-11-26 | 2006-03-02 | キャボット コーポレイション | Fumed metal oxide particles and method for producing the same |
| JP2011105597A (en) * | 2002-11-26 | 2011-06-02 | Cabot Corp | Fumed metal oxide particle and method for production thereof |
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