JPH1117092A - Manufacture of lead frame - Google Patents
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- JPH1117092A JPH1117092A JP9169142A JP16914297A JPH1117092A JP H1117092 A JPH1117092 A JP H1117092A JP 9169142 A JP9169142 A JP 9169142A JP 16914297 A JP16914297 A JP 16914297A JP H1117092 A JPH1117092 A JP H1117092A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、金属薄板を用いた
リードフレームの製造方法に関するものであり、特に薄
手の金属薄板を用いて多ピンのリードフレームを製造す
る方法に関する。The present invention relates to a method for manufacturing a lead frame using a thin metal plate, and more particularly to a method for manufacturing a multi-pin lead frame using a thin metal plate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に、フォトエッチング法により金属
薄板からなるリードフレームを製造する際には、リード
の長さの短縮、リード先端部の両隅の円形化などを防ぐ
ために、エッチングを行う前のエッチングレジストのパ
ターンとして、リード先端部を形成するパターンにおい
ては、リード先端部パターンとその両隅に略三角型状パ
ターンを延長して設けたり、またリード先端部とアイラ
ンド部の間には、周囲が直線状の細長い矩形状バリアパ
ターンを設けたりしていた。2. Description of the Related Art Generally, when a lead frame made of a thin metal plate is manufactured by a photo-etching method, in order to reduce the length of the lead and to make both corners of the tip of the lead circular, etc., the etching before etching is performed. As a pattern of the etching resist, in the pattern for forming the lead tip, a substantially triangular pattern is provided to extend at the lead tip pattern and at both corners, and a peripheral pattern is provided between the lead tip and the island. Has provided a linear and elongated rectangular barrier pattern.
【０００３】具体的には、図４（ａ）は従来法における
一例の、エッチングを行う前のエッチングレジストのパ
ターンを拡大して説明する平面図であり、アイランド部
のレジストパターン（１２）、リード先端部のレジスト
パターン（１３）、リード先端部パターンの略三角型状
パターン（２４）、バリアレジストパターン（２５）の
一部分を示したものである。More specifically, FIG. 4A is an enlarged plan view of an example of a conventional method in which an etching resist pattern before etching is performed. It shows a part of a resist pattern (13) at the tip, a substantially triangular pattern (24) of a lead tip pattern, and a barrier resist pattern (25).
【０００４】図４（ａ）に示すように、エッチングを行
う前のエッチングレジストのパターンとして、リード先
端部を形成するパターンにおいては、リード先端部のレ
ジストパターン（１３）とその両隅に略三角型状レジス
トパターン（２４）を延長して設けてある。図４（ｂ）
は従来法における一例の、エッチング後のアイランド部
（２２）とリード先端部（２３）の一部分を拡大して示
したものであるが、リードフレームとなる金属薄板とし
て、例えば板厚約０．１２５ｍｍの銅板においては、図
４（ｂ）において、エッチング後のリード先端部の幅
（Ａ）の、例えば約０．１０ｍｍ，スリットの幅（Ｂ）
の約０．１０ｍｍ程度に対し、エッチングを行う前のリ
ード先端部のレジストパターン（１３）の幅（Ａ’）
は、図４（ａ）に示すように、約０．１５ｍｍ程度であ
り，スリットの幅（Ｂ’）は約０．０５ｍｍ程度とな
る。また、図４（ａ）において、リード先端部のレジス
トパターンの両隅にある略三角型状レジストパターン
（２４）の高さは約０．０４ｍｍ程度である。図４にお
いて、Ｃはリードのピッチ、Ｃ’はリード先端部のレジ
ストパターンのピッチを示している。As shown in FIG. 4A, as a pattern of an etching resist before etching, in a pattern for forming a lead tip portion, a resist pattern (13) at the lead tip portion and a substantially triangular shape are formed at both corners thereof. The mold resist pattern (24) is provided in an extended manner. FIG. 4 (b)
Is an enlarged view of an example of the island portion (22) and a part of the tip portion (23) of the lead after etching, which is an example of a conventional method. As a thin metal plate serving as a lead frame, for example, a plate thickness of about 0.125 mm In FIG. 4B, the width (A) of the tip of the lead after etching is, for example, about 0.10 mm and the width of the slit (B) in FIG.
About 0.10 mm of the width (A ′) of the resist pattern (13) at the tip of the lead before etching.
Is about 0.15 mm as shown in FIG. 4A, and the width (B ') of the slit is about 0.05 mm. In FIG. 4A, the height of the substantially triangular resist pattern (24) at both corners of the resist pattern at the tip of the lead is about 0.04 mm. In FIG. 4, C indicates the lead pitch, and C 'indicates the resist pattern pitch at the tip of the lead.
【０００５】また、図４（ａ）に示すように、エッチン
グを行う前のエッチングレジストのパターンとして、リ
ード先端部のレジストパターン（１３）とアイランド部
のレジストパターン（１２）の間においては、バリアレ
ジストパターン（２５）が設けられている。このバリア
レジストパターン（２５）はアイランド部側、リード先
端部側共に直線状で細長い矩形である。前記のように、
例えば板厚約０．１２５ｍｍの銅板においては、図４
（ａ）において、リード先端部のレジストパターン（１
３）とアイランド部のレジストパターン（１２）の間の
距離（Ｌ’）が、例えば約０．３０ｍｍ程度の際には、
アイランド部のレジストパターン（１２）とバリアレジ
ストパターン（２５）の間の距離（Ｉ’）は約０．１０
ｍｍ程度、バリアレジストパターン（２５）とリード先
端部のレジストパターン（１３）の間の距離（Ｇ’）は
約０．１０ｍｍ程度であり、バリアレジストパターン
（２５）の幅（Ｈ’）は約０．１０ｍｍ程度となる。Further, as shown in FIG. 4A, as a pattern of an etching resist before etching, a barrier is provided between the resist pattern (13) at the tip of the lead and the resist pattern (12) at the island. A resist pattern (25) is provided. The barrier resist pattern (25) is a linear and elongated rectangle on both the island portion side and the lead tip side. As mentioned above,
For example, in a copper plate having a thickness of about 0.125 mm, FIG.
In (a), the resist pattern (1
When the distance (L ') between 3) and the resist pattern (12) in the island portion is, for example, about 0.30 mm,
The distance (I ′) between the island resist pattern (12) and the barrier resist pattern (25) is about 0.10.
mm, the distance (G ') between the barrier resist pattern (25) and the resist pattern (13) at the tip of the lead is about 0.10 mm, and the width (H') of the barrier resist pattern (25) is about It is about 0.10 mm.
【０００６】しかし、図４（ｂ）に示すように、エッチ
ング後に得られるリードフレームのアイランド部（２
２）とリード先端部（２３）の間の距離（Ｌ）は約０．
４５ｍｍ程度で、リード先端部（２３）の短縮量
（Ｌ’’）は約０．１２５ｍｍ程度となっている。ま
た、図４（ｂ）に示すように、リード先端部（２３）の
両隅は円形化している。However, as shown in FIG. 4B, the island portion (2
The distance (L) between 2) and the tip (23) of the lead is about 0.5.
The length (L ″) of the lead tip (23) is about 0.125 mm when the length is about 45 mm. As shown in FIG. 4B, both corners of the lead tip (23) are circular.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】上記のように、このよ
うな三角型の角状パターンの延長及び周囲が直線状の細
長い矩形状バリアパターンを設けることによっては、リ
ードの長さの短縮、リード先端部の両隅の円形化などを
防ぐことが十分に行われていないため、リードフレーム
を使用する際のワイヤボンデイング工程においてボンデ
イング不良などの支障をきたすことがある。本発明は、
このようなリードの長さの短縮、リード先端部の両隅の
円形化などを防ぐことを確実に行い、ボンデイング不良
などの支障をきたすことのないリードフレームを製造す
る方法を提供するものである。As described above, the length of the lead can be shortened and the length of the lead can be reduced by providing such an elongated rectangular barrier pattern in which the triangular rectangular pattern is extended and its periphery is straight. Since the rounding of the two corners of the tip is not sufficiently performed, there may be a problem such as bonding failure in a wire bonding process when using a lead frame. The present invention
It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a lead frame which reliably prevents the shortening of the length of the lead and the rounding of both corners of the leading end of the lead and does not hinder the bonding failure or the like. .
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明は、フォトエッチ
ング法により金属薄板からなるリードフレームを製造す
る方法において、エッチングを行う前のエッチングレジ
ストのパターンとして、リード先端部を形成するパター
ンにおいては、リード先端部パターンとその両隅に略角
型状パターンを延長して設け、リード先端部とアイラン
ド部との間には、アイランド部側は直線状で、リード先
端部側は各々リード先端部に対向する略台形の突出状で
あるバリアレジストパターンを、バリアレジストパター
ンとリード先端部パターンとの距離を金属薄板の厚みの
３０〜５５％として設けて、エッチングを行うことを特
徴とするリードフレームの製造方法である。According to the present invention, there is provided a method for manufacturing a lead frame made of a thin metal plate by a photo-etching method, wherein a pattern of a lead end portion is formed as an etching resist pattern before etching. An approximately square-shaped pattern is provided by extending the lead tip pattern and both corners thereof, and between the lead tip and the island, the island side is linear and the lead tip is connected to the lead tip. The lead frame is characterized in that an opposing substantially trapezoidal barrier resist pattern is provided so that the distance between the barrier resist pattern and the lead tip pattern is 30 to 55% of the thickness of the thin metal plate, and etching is performed. It is a manufacturing method.
【０００９】[0009]
【発明の実施の形態】本発明の製造方法を一実施形態に
基づいて以下に説明する。図１は、本発明によるリード
フレーム（１）の製造の一実施例を示す平面図である。
図１において、中央部にはアイランド部（２）があり、
その周辺にはリード先端部（３）が配置されている。図
２は、図１のアイランド部とリード先端部の一部分を拡
大して示す平面図である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The manufacturing method of the present invention will be described below based on one embodiment. FIG. 1 is a plan view showing one embodiment of manufacturing a lead frame (1) according to the present invention.
In FIG. 1, there is an island part (2) at the center,
A lead tip (3) is arranged around the periphery. FIG. 2 is an enlarged plan view showing a part of an island portion and a lead end portion of FIG.
【００１０】図３（ａ）は、本発明によるリードフレー
ム（１）のエッチングを行う前のエッチングレジストの
パターンを拡大して説明する平面図であり、アイランド
部のレジストパターン（１２）、リード先端部のレジス
トパターン（１３）、略角型状レジストパターン（１
４）、バリアレジストパターン（１５）の一部分を示し
たものである。図３（ｂ）は、本発明によるリードフレ
ーム（１）のエッチング後のアイランド部（２）とリー
ド先端部（３）の一部分を拡大して示したものである
が、リードフレームとなる金属薄板として、例えば板厚
約０．１２５ｍｍの銅板においては、図３（ｂ）におい
て、エッチング後のリード先端部の幅（ａ）は、例えば
約０．１０ｍｍ，スリットの幅（ｂ）は約０．１０ｍｍ
程度であり、また、リードのピッチ（ｃ）は約０．２０
ｍｍ程度で、アイランド部（２）とリード先端部（３）
の間の距離（ｌ）は約０．３５ｍｍ程度のものである。FIG. 3A is an enlarged plan view for explaining a pattern of an etching resist before etching the lead frame (1) according to the present invention. Part of the resist pattern (13), the substantially square resist pattern (1
4) shows a part of the barrier resist pattern (15). FIG. 3 (b) is an enlarged view of a portion of the island portion (2) and the tip portion (3) of the lead frame (1) after etching according to the present invention. For example, in a copper plate having a plate thickness of about 0.125 mm, in FIG. 3B, the width (a) of the tip of the lead after etching is, for example, about 0.10 mm, and the width (b) of the slit is about 0.1 mm. 10mm
And the lead pitch (c) is about 0.20.
mm, island (2) and lead tip (3)
Is about 0.35 mm.
【００１１】図３（ａ）に示すように、エッチングを行
う前のエッチングレジストのパターンとして、リード先
端部を形成するパターンにおいては、リード先端部のレ
ジストパターン（１３）とその両隅に略角型状レジスト
パターン（１４）を延長して設けてある。リードフレー
ムとなる金属薄板として、例えば板厚約０．１２５ｍｍ
の銅板においては、図３（ｂ）において、前記エッチン
グ後のリード先端部の幅（ａ）の、例えば約０．１０ｍ
ｍ，スリットの幅（ｂ）の約０．１０ｍｍ程度に対し、
エッチングを行う前のリード先端部のレジストパターン
（１３）の幅（ａ’）は、図３（ａ）に示すように、約
０．１５ｍｍ程度であり，エッチングを行う前のスリッ
トの幅（ｂ’）は約０．０５ｍｍ程度となる。また、
（ｃ’）はリード先端部のレジストパターンのピッチを
示している。As shown in FIG. 3A, as a pattern of an etching resist before etching, in a pattern for forming a lead tip portion, a resist pattern (13) at the lead tip portion and substantially corners are formed at both corners thereof. The pattern-shaped resist pattern (14) is extended. As a thin metal plate to be a lead frame, for example, a plate thickness of about 0.125 mm
3B, the width (a) of the lead end after etching is, for example, about 0.10 m.
m, about 0.10mm of slit width (b),
The width (a ′) of the resist pattern (13) at the tip of the lead before etching is about 0.15 mm as shown in FIG. 3A, and the width (b) of the slit (b) before etching is performed. ') Is about 0.05 mm. Also,
(C ′) indicates the pitch of the resist pattern at the tip of the lead.
【００１２】このエッチング前後の、例えばリード先端
部のレジストパターンの幅（ａ’）の約０．１５ｍｍと
リード先端部の幅（ａ）の約０．１０ｍｍとの差の約
０．０５ｍｍは、フォトエッチング法により金属薄板を
加工する際に、サイドエッチとして金属薄板の側面がエ
ッチングされてしまう量を予めレジストパターンにおい
て補正したものである。また、図３（ａ）において、リ
ード先端部のレジストパターンの両隅にある略角型状レ
ジストパターン（１４）の高さは約０．０４ｍｍ程度で
ある。Before and after this etching, for example, the difference between about 0.15 mm of the width (a ′) of the resist pattern at the tip of the lead and about 0.10 mm of the width (a) of the tip of the lead is about 0.05 mm. When the metal sheet is processed by the photo-etching method, the amount by which the side surface of the metal sheet is etched as a side etch is corrected in the resist pattern in advance. In FIG. 3A, the height of the substantially square resist pattern (14) at both corners of the resist pattern at the lead end is about 0.04 mm.
【００１３】また、図３（ａ）に示すように、エッチン
グを行う前のエッチングレジストのパターンとして、リ
ード先端部のレジストパターン（１３）とアイランド部
のレジストパターン（１２）の間においては、バリアレ
ジストパターン（１５）が設けられている。このバリア
レジストパターン（１５）はアイランド部側は直線状で
あり、リード先端部側は各々リード先端部に対向する略
台形の突出状となっている。As shown in FIG. 3A, as a pattern of an etching resist before etching, a barrier is provided between the resist pattern (13) at the tip of the lead and the resist pattern (12) at the island. A resist pattern (15) is provided. The barrier resist pattern (15) has a linear shape on the island portion side, and a substantially trapezoidal protruding shape on each of the lead end portions facing the lead end portions.
【００１４】前記のように、例えば板厚約０．１２５ｍ
ｍの銅板においては、図３（ｂ）において、アイランド
部（２）とリード先端部（３）の間の距離（ｌ）が例え
ば約０．３５ｍｍ程度の際には、図３（ａ）において、
リード先端部のレジストパターン（１３）とアイランド
部のレジストパターン（１２）の間の距離（ｌ’）は約
０．３０ｍｍ程度である。また、アイランド部のレジス
トパターン（１２）とバリアレジストパターン（１５）
の間の距離（ｉ’）は約０．１０ｍｍ程度、バリアレジ
ストパターン（１５）とリード先端部のレジストパター
ン（１３）の間の距離（ｇ’）は約０．１０ｍｍ程度で
あり、バリアレジストパターン（１５）の幅（ｈ’）は
約０．１０ｍｍ程度となる。また、リード先端部のレジ
ストパターン（１３）と略台形レジストパターン（１
６）の間の距離（ｅ）及び略台形レジストパターン（１
６）の高さ（ｆ）は、各々約０．０５ｍｍ程度であり、
略台形レジストパターン（１６）の底辺（ｋ）及び上辺
（ｊ）は各々約０．０８ｍｍ、約０．０５ｍｍ程度であ
る。As described above, for example, a plate thickness of about 0.125 m
3 (b), when the distance (l) between the island portion (2) and the tip portion (3) of the lead is about 0.35 mm, for example, in FIG. 3 (a). ,
The distance (l ') between the resist pattern (13) at the tip of the lead and the resist pattern (12) at the island is about 0.30 mm. Further, the resist pattern (12) and the barrier resist pattern (15) in the island portion are formed.
Is about 0.10 mm, and the distance (g ') between the barrier resist pattern (15) and the resist pattern (13) at the tip of the lead is about 0.10 mm. The width (h ′) of the pattern (15) is about 0.10 mm. The resist pattern (13) at the tip of the lead and the substantially trapezoidal resist pattern (1)
6) and the substantially trapezoidal resist pattern (1).
The height (f) of 6) is about 0.05 mm each,
The bottom side (k) and the top side (j) of the substantially trapezoidal resist pattern (16) are about 0.08 mm and about 0.05 mm, respectively.
【００１５】図５（イ）〜（ヘ）は、本発明におけるリ
ードフレーム（１）の製造工程の一実施例を示すＸ−
Ｘ’断面で表した説明図である。図５（イ）において、
リードフレーム（１）となる板状の金属薄板（４）とし
て、例えば、板厚約０．１２５ｍｍ、大きさ約５０×５
０ｃｍの銅板を用いる。FIGS. 5 (a) to 5 (f) show an embodiment of a manufacturing process of the lead frame (1) according to the present invention.
It is explanatory drawing represented by X 'cross section. In FIG.
As the plate-shaped metal thin plate (4) serving as the lead frame (1), for example, a plate thickness of about 0.125 mm and a size of about 50 × 5
Use a 0 cm copper plate.
【００１６】図５（ロ）に示すように、金属薄板（４）
上にフォトレジスト層（５）を形成する。次に、所定の
パターンを有する露光用マスク、例えば、リードフレー
ムのパターンとなる部位を光透過部とし、リードフレー
ムのパターン部位以外を遮光部とした、ほぼ同一の一対
の露光用マスク（６）、（６’）を用い、図５（ハ）に
示すように、金属薄板（４）の一方の面に一枚の露光用
マスク（６）を当て、金属薄板（４）の他方の面にもう
一枚の露光用マスク（６’）を当てる。次に、両面より
紫外線による光照射（３０）を行うことで、リードフレ
ームのパターンとなる部位のフォトレジスト層を光硬化
させる。次に、現像を行うことにより、未露光部のフォ
トレジスト層の除去を行い、図５（ニ）に示すようにリ
ードフレームのパターンとなる部位以外の金属を露出さ
せたエッチングレジスト層（７）、（７’）を得る。As shown in FIG. 5 (b), the metal sheet (4)
A photoresist layer (5) is formed thereon. Next, a pair of exposure masks having substantially the same pattern, for example, a pair of substantially identical exposure masks (6) in which a portion that becomes a pattern of the lead frame is a light transmitting portion and a portion other than the pattern portion of the lead frame is a light shielding portion. , (6 ′), as shown in FIG. 5 (c), one exposure mask (6) is applied to one surface of the thin metal plate (4), and the other surface of the thin metal plate (4) is Another exposure mask (6 ') is applied. Next, by irradiating light (30) with ultraviolet light from both surfaces, the photoresist layer at a portion to be a pattern of the lead frame is photo-cured. Next, by performing development, an unexposed part of the photoresist layer is removed, and as shown in FIG. 5D, an etching resist layer (7) exposing a metal other than a part to be a pattern of the lead frame. , (7 ′).
【００１７】次に、エッチング液（４０）を金属薄板の
表裏両面に接触させエッチングを行う。露出した金属薄
板部位、すなわちリードフレームのパターンとなる部位
以外の金属薄板が選択的に溶解除去され、またバリアレ
ジストパターン（１５）部の金属薄板はアイランド部
（２）及びリード先端部（３）から溶解分離され、図５
（ホ）のような金属薄板を得る。なお、エッチングは強
酸性のエッチング液、例えば、塩化第二鉄液を用い、ス
プレーエッチング法を採用する。次に、金属薄板を水洗
洗浄後、エッチングレジスト層（７）、（７’）の剥膜
を行い水洗乾燥し、図５（ヘ）示すリードフレーム
（１）を得るものである。Next, an etching solution (40) is brought into contact with the front and back surfaces of the metal sheet to perform etching. The exposed metal sheet portion, that is, the metal sheet other than the portion that becomes the pattern of the lead frame is selectively dissolved and removed, and the metal sheet of the barrier resist pattern (15) is an island portion (2) and a lead tip portion (3). From Fig. 5
A metal sheet as shown in (e) is obtained. The etching is performed by a spray etching method using a strongly acidic etching solution, for example, a ferric chloride solution. Next, the metal thin plate is washed and washed, the etching resist layers (7) and (7 ') are peeled off, washed and dried to obtain a lead frame (1) shown in FIG.
【００１８】このようにして得られたリードフレーム
は、図３（ｂ）に示すように、リード先端部（３）の短
縮量（ｌ’’）は約０．０２５ｍｍ程度と非常に少なく
なっている。これは前記フォトエッチング法により金属
薄板を加工する際に、サイドエッチとして金属薄板の側
面がエッチングされてしまう量、例えばリード先端部の
レジストパターンの幅（ａ’）の約０．１５ｍｍとリー
ド先端部の幅（ａ）の約０．１０ｍｍとの差の約０．０
５ｍｍの片側分約０．０２５ｍｍと同程度の量である。
また、このようにして得られたリードフレームは、図３
（ｂ）に示すように、リード先端部（３）の両隅は円形
化していない。In the lead frame thus obtained, as shown in FIG. 3 (b), the shortening amount (l ″) of the lead tip (3) is very small, about 0.025 mm. I have. This is because the side of the thin metal plate is etched as a side etch when the thin metal plate is processed by the photo-etching method, for example, about 0.15 mm of the width (a ') of the resist pattern at the tip of the lead and the tip of the lead. The difference between the width of the part (a) and about 0.10 mm is about 0.0
It is the same amount as about 0.025 mm for one side of 5 mm.
The lead frame thus obtained is shown in FIG.
As shown in (b), both corners of the lead tip (3) are not circular.
【００１９】[0019]
【発明の効果】本発明においては、エッチングを行う前
のエッチングレジストのパターンとして、リード先端部
を形成するパターンにおいては、リード先端部パターン
とその両隅に略角型状パターンを延長して設け、リード
先端部とアイランド部との間には、アイランド部側は直
線状で、リード先端部側は各々リード先端部に対向する
略台形の突出状であるバリアパターンを設けてあるの
で、リード先端部の短縮量は非常に少なくなっている。
また、リード先端部の両隅は円形化していないものが得
られる。According to the present invention, as a pattern of an etching resist before etching, in a pattern for forming a lead tip portion, a substantially rectangular pattern is provided by extending the lead tip pattern and both corners thereof. Since there is a barrier pattern between the tip of the lead and the island that is linear on the side of the island and a substantially trapezoidal projection on the side of the tip opposite to the tip of the lead, The amount of shortening of the part is very small.
In addition, both corners of the lead tip are not circular.
【図１】本発明によるリードフレームの製造の一実施例
を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing one embodiment of manufacturing a lead frame according to the present invention.
【図２】図１のアイランド部とリード先端部の一部分を
拡大して示す平面図である。FIG. 2 is an enlarged plan view showing a part of an island portion and a lead end portion of FIG. 1;
【図３】（ａ）は、本発明によるリードフレームのエッ
チングを行う前のエッチングレジストのパターンを拡大
して説明する平面図である。（ｂ）は、本発明によるリ
ードフレームのエッチング後のアイランド部とリード先
端部の一部分を拡大して示した平面図である。FIG. 3A is an enlarged plan view illustrating a pattern of an etching resist before etching a lead frame according to the present invention. (B) is an enlarged plan view showing a part of an island portion and a lead end portion after etching of a lead frame according to the present invention.
【図４】（ａ）は従来法における一例の、エッチングを
行う前のエッチングレジストのパターンを拡大して説明
する平面図である。（ｂ）は従来法における一例の、エ
ッチング後のアイランド部とリード先端部の一部分を拡
大して示した平面図である。FIG. 4A is a plan view illustrating an enlarged example of a pattern of an etching resist before etching, which is an example of a conventional method. (B) is an enlarged plan view showing an example of a portion of the island portion and the lead end portion after etching, which is an example in the conventional method.
【図５】（イ）〜（ヘ）は、本発明におけるリードフレ
ームの製造工程の一実施例を示すＸ−Ｘ’断面で表した
説明図である。5 (a) to 5 (f) are explanatory views showing one embodiment of a manufacturing process of a lead frame according to the present invention, which is represented by a XX 'section.
１…リードフレーム ２…アイランド部 ３…リード先端部 ４…金属薄板 ５…フォトレジスト層 ６…表面露光用マスク ６’…裏面露光用マスク ７…表面エッチングレジスト層 ７’…裏面エッチングレジスト層 １２…アイランド部のレジストパターン １３…リード先端部のレジストパターン １４…略角型状レジストパターン １５…バリアレジストパターン １６…略台形レジストパターン ２２…従来法におけるアイランド部 ２３…従来法におけるリード先端部 ２４…略三角型状レジストパターン ２５…従来法におけるバリアレジストパターン ３０…ＵＶ照射 ４０…エッチング液 ａ…リード先端部の幅 ｂ…スリットの幅 ｃ…リードのピッチ ａ’…リード先端部のレジストパターンの幅 ｂ’…エッチングを行う前のスリットの幅 ｃ’…リード先端部のレジストパターンのピッチ Ａ…従来法におけるリード先端部の幅 Ｂ…従来法におけるスリットの幅 Ｃ…従来法におけるリードのピッチ Ａ’…従来法におけるリード先端部のレジストパターン
の幅 Ｂ’…従来法におけるエッチングを行う前のスリットの
幅 Ｃ’…従来法におけるリード先端部のレジストパターン
のピッチ ｌ…アイランド部とリード先端部の間の距離 ｌ’…リード先端部のレジストパターンとアイランド部
のレジストパターンの間の距離 ｌ’’…リード先端部の短縮量 Ｌ…従来法におけるアイランド部とリード先端部の間の
距離 Ｌ’…従来法におけるリード先端部のレジストパターン
とアイランド部のレジストパターンの間の距離 Ｌ’’…従来法におけるリード先端部の短縮量 ｅ…リード先端部のレジストパターンと略台形レジスト
パターンの間の距離 ｆ…略台形レジストパターンの高さ ｊ…略台形レジストパターンの上辺 ｋ…略台形レジストパターンの底辺 ｉ’…アイランド部のレジストパターンとバリアレジス
トパターンの間の距離 ｈ’…バリアレジストパターンの幅 ｇ’…バリアレジストパターンとリード先端部のレジス
トパターンの間の距離 Ｉ’…従来法におけるアイランド部のレジストパターン
とバリアレジストパターンの間の距離 Ｈ’…従来法におけるバリアレジストパターンの幅 Ｇ’…従来法におけるバリアレジストパターンとリード
先端部のレジストパターンの間の距離DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Lead frame 2 ... Island part 3 ... Lead tip part 4 ... Metal thin plate 5 ... Photoresist layer 6 ... Front exposure mask 6 '... Back exposure mask 7 ... Front etching resist layer 7' ... Back etching resist layer 12 ... Resist pattern of island portion 13: Resist pattern of lead end portion 14: substantially rectangular resist pattern 15: barrier resist pattern 16: approximately trapezoidal resist pattern 22: island portion in the conventional method 23: lead end portion in the conventional method 24: approximately Triangular resist pattern 25 ... Barrier resist pattern in conventional method 30 ... UV irradiation 40 ... Etching liquid a ... Width of lead tip b ... Slit width c ... Lead pitch a '... Width of resist pattern at lead tip b '... Slit width before etching c' ... Lead A: The width of the tip of the lead in the conventional method B: The width of the slit in the conventional method C: The pitch of the lead in the conventional method A ': The width of the resist pattern at the tip of the lead in the conventional method B': The conventional Width of slit before etching in method C ': pitch of resist pattern at lead tip in conventional method l: distance between island and lead tip l': resist pattern at lead tip and resist at island part Distance between patterns l ″: amount of shortening of lead tip L: distance between island and lead tip in conventional method L ′: between resist pattern of lead tip and resist pattern of island part in conventional method Distance L '': The amount of shortening of the lead tip in the conventional method e: The resist pattern and the substantially trapezoidal register at the lead tip F: height of substantially trapezoidal resist pattern j: top side of substantially trapezoidal resist pattern k: bottom side of substantially trapezoidal resist pattern i ′: distance between resist pattern of island portion and barrier resist pattern h ′: Width of barrier resist pattern g ′: distance between barrier resist pattern and resist pattern at lead end I ′: distance between island resist pattern and barrier resist pattern in conventional method H ′: barrier resist pattern in conventional method Width G ': distance between the barrier resist pattern and the resist pattern at the tip of the lead in the conventional method
Claims (1)
るリードフレームを製造する方法において、エッチング
を行う前のエッチングレジストのパターンとして、リー
ド先端部を形成するパターンにおいては、リード先端部
パターンとその両隅に略角型状パターンを延長して設
け、リード先端部とアイランド部との間には、アイラン
ド部側は直線状で、リード先端部側は各々リード先端部
に対向する略台形の突出状であるバリアレジストパター
ンを、バリアレジストパターンとリード先端部パターン
との距離を金属薄板の厚みの３０〜５５％として設け
て、エッチングを行うことを特徴とするリードフレーム
の製造方法。In a method of manufacturing a lead frame made of a thin metal plate by a photo-etching method, a pattern of a lead tip portion is used as a pattern of an etching resist before etching. A substantially rectangular pattern is extended and provided between the tip of the lead and the island, and the island side is a straight line, and the lead end is a substantially trapezoidal projection facing each of the lead ends. A method for manufacturing a lead frame, wherein a barrier resist pattern is provided with a distance between the barrier resist pattern and the lead tip pattern being 30 to 55% of the thickness of the thin metal plate, and etching is performed.
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|---|---|
| JP (1) | JP3899598B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007224369A (en) * | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Denso Corp | Anodizing treatment method, treatment device therefor and anodizing treatment system |
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| JPS5034476A (en) * | 1973-07-30 | 1975-04-02 | ||
| JPS6218059A (en) * | 1985-07-17 | 1987-01-27 | Hitachi Cable Ltd | Manufacture of lead frame |
| JPH04321262A (en) * | 1991-04-20 | 1992-11-11 | Toppan Printing Co Ltd | Etching method |
| JPH09148503A (en) * | 1995-11-20 | 1997-06-06 | Toppan Printing Co Ltd | Manufacture of lead frame |
-
1997
- 1997-06-25 JP JP16914297A patent/JP3899598B2/en not_active Expired - Fee Related
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| JP4595830B2 (en) * | 2006-02-23 | 2010-12-08 | 株式会社デンソー | Anodized processing method and apparatus, and anodized processing system |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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