JPH1116936A - 放電ギャップ制御方法およびこれを用いたワイヤボンディング装置 - Google Patents

放電ギャップ制御方法およびこれを用いたワイヤボンディング装置

Info

Publication number
JPH1116936A
JPH1116936A JP9179128A JP17912897A JPH1116936A JP H1116936 A JPH1116936 A JP H1116936A JP 9179128 A JP9179128 A JP 9179128A JP 17912897 A JP17912897 A JP 17912897A JP H1116936 A JPH1116936 A JP H1116936A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
discharge gap
wire
discharge
amount
voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9179128A
Other languages
English (en)
Inventor
Tetsutaka Kudo
哲敬 工藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kaijo Corp
Original Assignee
Kaijo Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kaijo Corp filed Critical Kaijo Corp
Priority to JP9179128A priority Critical patent/JPH1116936A/ja
Publication of JPH1116936A publication Critical patent/JPH1116936A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/78268Discharge electrode
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301Capillary
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85009Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H01L2224/8503Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector
    • H01L2224/85035Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball"
    • H01L2224/85045Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball" using a corona discharge, e.g. electronic flame off [EFO]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8512Aligning
    • H01L2224/85148Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • H01L2224/85169Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
    • H01L2224/8518Translational movements
    • H01L2224/85181Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01004Beryllium [Be]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Discharge Heating (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ワイヤ先端と放電電極との間の放電ギャップ
量が規定範囲内に納まるように自動補正し、常に均一で
良好なボールを形成することができるようにする。 【解決手段】 ワイヤ1の先端と放電電極5との間の放
電ギャップ電圧を検出して所定の形式で取り出す放電ギ
ャップ電圧監視回路6と、該放電ギャップ電圧監視回路
6で検出した放電ギャップ電圧から規定の放電ギャップ
量を与えるためのワイヤ1のフィード量を求めるフィー
ド量変換回路8と、該フィード量変換回路8で得られた
フィード量に従ってワイヤ1の先端と放電電極5との間
の放電ギャップ量が規定値となるようにクランパ3を開
閉制御するクランパ制御回路9とを備えることにより構
成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ワイヤボンディン
グのための放電ギャップ制御方法とこの方法を利用して
構成したワイヤボンディング装置に関する。
【0002】
【従来の技術】ICなどの製造に際しては、ワイヤボン
ディング装置によって、ICチップのパッド(第1ボン
ド電極)とフレームのリード(第2ボンド電極)の間を
金線などのワイヤでボンディングしている。このワイヤ
ボンディング時、ワイヤ先端と放電電極(放電ロッド)
との間で放電を起こさせ、ワイヤ先端にボンディング用
のボールを形成しているが、このボールのでき具合はワ
イヤ先端と放電電極との間の距離(放電ギャップ量)に
よって大きく左右され、放電ギャップ量のばらつきは、
結果としてボンディング品質に大きな影響を与える。こ
のため、ワイヤボンディングに際しては、常に放電ギャ
ップの状態を監視しながらボンディング作業を進める必
要がある。
【0003】図3に、従来のワイヤボンディング装置に
おける放電ギャップの監視回路部分の回路構成を示す。
図において、1は金線などのワイヤ、2はワイヤ1を第
1ボンド電極から第2ボンド電極へ引き回すためのキャ
ピラリ、3はクランパ、4は放電用の高電圧を発生する
放電用高電圧発生回路、5は放電電極、6はワイヤ1の
先端と放電電極5との間の放電ギャップ電圧を監視して
その値から放電ギャップの異常を検出する放電ギャップ
電圧監視回路、7は放電によってワイヤ先端に形成され
たボンディング用のボールである。
【0004】上記従来装置における放電ギャップの監視
動作を簡単に説明する。なお、以下の説明は、放電電極
5側に負電圧を印加する負極性放電の場合の例である。
放電電極5側に正電圧を印加する正極性放電の場合は、
電圧の正負が逆になるだけで、放電動作自体は以下に述
べる負極性放電の場合と同じである。
【0005】放電電極5に負の放電用高電圧を印加した
時の放電特性を、図4(A)に示す。いま、図の位置
において、放電用高電圧発生回路4から放電用の高電圧
をワイヤ1と放電電極5との間に印加開始すると、この
印加電圧は図示するように急峻に立上がり、の絶縁破
壊電圧まで達した時点でワイヤ1の先端と放電電極5と
の間に火花が飛び、放電が開始される。
【0006】放電が開始されると、ワイヤ1の先端と放
電電極5との間の放電ギャップ電圧Eg は位置まで下
がり、そのときの放電ギャップ量Lg に対応した所定の
電圧Eg に落ち着く。この放電ギャップ電圧Eg は、放
電ギャップ量Lg が大きくなると負の方へ下がり(絶対
値が大きくなる)、放電ギャップが小さくなると正の方
へ上がる(絶対値が小さくなる)ように作用する。
【0007】例えば、図4(A)の場合で説明すると、
放電ギャップ量が規定値Lg0のときに放電ギャップ電圧
がEg0(−500V)であるとすると、放電ギャップ量
がこの規定値Lg0 よりも大きくなってLg1になると、
放電ギャップ電圧はそれに応じてEg1位置まで下側に下
がり(負電圧の絶対値が大きくなる)、また、放電ギャ
ップ量が規定値Lg0よりも小さくなってLg2になると、
放電ギャップ電圧はそれに応じてEg2位置まで上側に上
がる(負電圧の絶対値が小さくなる)。
【0008】したがって、前記Lg0とEg0を基点とし
て、放電ギャップ量Lg と放電ギャップ電圧Eg との関
係を描くと、図5に示すような特性となる。この図5か
ら明らかなように、放電ギャップ電圧Eg の値からその
ときの放電ギャップ量Lg を知ることができる。そこ
で、放電ギャップ電圧監視回路6は、この放電ギャップ
電圧Eg を検出し、この放電ギャップ電圧Eg を放電ギ
ャップ量Lg に変換した後、該得られた放電ギャップ量
g が規定値Lg0からどれだけずれているかを求め、そ
のずれ量が規定範囲を越えたときに異常発生としてボン
ディング動作を自動停止する。
【0009】そして、上記装置の稼働中および自動停止
後、作業員などが放電ギャップ調整用ダイヤルなどを手
で操作し、放電ギャップ量Lg が規定範囲内に納まるよ
うに再調整していた。
【0010】なお、前記放電監視回路6は、放電ギャッ
プ電圧Eg を直接検出するようにしてもよいが、判定の
信頼性を上げるために、通常は図4(B)に示すように
検出された放電ギャップ電圧を積分し、その積分出力が
所定のしきい値を越えたときに異常発生と判定するよう
にしている。これによって、放電ギャップ電圧の脈動や
瞬動が平滑化され、誤判定を低減することができる。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
においては、ワイヤ先端と放電電極との間の放電ギャッ
プ量が規定範囲から外れるとその都度ボンディング動作
を停止し、作業員などが手動操作によって放電ギャップ
量を再調整していた。このため、一旦異常が発生すると
装置の再稼働までに手間と時間がかかり、製造効率が極
端に低下するという問題があった。
【0012】本発明は、上記のような問題を解決するた
めになされたもので、ワイヤ先端と放電電極との間の放
電ギャップ量が規定範囲内に納まるように自動補正し、
常に均一で良好なボールを形成することのできる放電ギ
ャップ制御方法とこれを用いたワイヤボンディング装置
を提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の放電ギャップ制御方法は、ワイヤ先端と放
電電極との間の放電ギャップ電圧を検出し、該検出した
放電ギャップ電圧から放電ギャップ量を求め、次のボン
ディングのワイヤフィード時に、前記得られた放電ギャ
ップ量に基づいてワイヤのフィード量を制御することに
よって、ワイヤ先端と放電電極との間の放電ギャップ量
を規定値に自動補正するようにしたものである。
【0014】また、本発明のワイヤボンディング装置
は、ワイヤ先端と放電電極との間の放電によってワイヤ
先端にボンディング用のボールを形成するようにしたワ
イヤボンディング装置において、前記ワイヤ先端と放電
電極との間の放電ギャップ電圧を検出して所定の形式で
取り出す放電ギャップ電圧監視回路と、該放電ギャップ
電圧監視回路で検出した放電ギャップ電圧から規定の放
電ギャップを与えるためのワイヤのフィード量を求める
フィード量変換回路と、該フィード量変換回路で得られ
たフィード量に従ってワイヤ先端と放電電極との間の放
電ギャップ量が規定値となるようにクランパを開閉制御
するクランパ制御回路とを備えることにより構成したも
のである。
【0015】
【作用】放電ギャップ電圧監視回路は、ワイヤ先端と放
電電極との間の放電ギャップ電圧を直接あるいは積分出
力などの所定の形式で取り出し、フィード量変換回路に
送る。フィード量変換回路は、この放電ギャップ電圧か
ら規定の放電ギャップ量を与えるためのワイヤのフィー
ド量を求め、クランパ制御回路に送る。そして、クラン
パ制御回路は、次のボンディングのワイヤフィード時
に、前記送られてきたフィード量に基づいてクランパを
開閉制御し、ワイヤ先端と放電電極との間の放電ギャッ
プ量が規定値となるようにワイヤをフィード制御する。
この結果、ワイヤ先端と放電電極との間の放電ギャップ
量は常に規定値となるように自動補正される。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。図1に、本発明に係るワイ
ヤボンディング装置の一実施形態を示す。図において、
1はワイヤ、2はキャピラリ、3はクランパ、4は放電
用高電圧発生回路、5は放電電極、6は放電ギャップ電
圧監視回路、7はワイヤ先端に形成されたボールであっ
て、これらは前述した従来の装置と同一の構成になるも
のである。本発明は、この従来装置と同一の構成におい
て、フィード量変換回路8とクランパ制御回路9を付設
したものである。
【0017】フィード量変換回路8は、放電ギャップ電
圧監視回路6の出力する放電ギャップ電圧の積分出力か
ら規定放電ギャップ量を得るためのワイヤ1のフィード
量を算出する回路である。また、クランパ制御回路9
は、フィード量変換回路8で算出されたワイヤ1のフィ
ード量に従ってクランパ3の開閉動作を制御し、放電電
極5とワイヤ1の間の放電ギャップが規定の放電ギャッ
プ量となるようにワイヤ1のフィード量を制御する回路
である。
【0018】次に、図2を参照してその動作を説明す
る。なお、説明を分かり易くするため、図2(A)に示
すように、ワイヤ1の先端と放電電極5との間の放電ギ
ャップ量が規定値Lg0よりも大きなLg1となっている場
合を例に取る。
【0019】この状態において、放電用高電圧発生回路
4からワイヤ1と放電電極5との間に高電圧を印加する
と、図2(B)に示すように、ワイヤ1と放電電極5と
の間に火花が飛んで放電が開始され、所定時間の後、ワ
イヤ1の先端にはボンディング用のボール7が形成され
る。
【0020】上記放電の間、放電ギャップ電圧監視回路
6はワイヤ1と放電電極5との間の放電ギャップ電圧E
g1を検出し、これを積分する(図4(B)参照)。そし
て、放電が終了すると、放電ギャップ電圧監視回路6
は、この放電終了時の積分出力をフィード量変換回路8
に送る。
【0021】放電が終了し、ワイヤ1の先端にボンディ
ング用のボール7が形成されると、放電電極5は図示し
ない機構によってボンディングの邪魔にならない位置に
引き込められ、図2(C)に示すように、キャピラリ2
を移動制御することによって、ワイヤ1をICチップ2
1のパッド(第1ボンド電極)22とフレーム23のリ
ード(第2ボンド電極)24の間のボンディングを行な
う。
【0022】一方、前記フィード量変換回路8は、放電
ギャップ電圧監視回路6から送られてきた積分出力を基
に現在の放電ギャップ量Lg1を求め、この放電ギャップ
量Lg1から規定値Lg0を与えるためのフィード補正量Δ
g1=Lg1−Lg0を算出する。そして、この得られたフ
ィード補正量ΔLg1を前回のワイヤ1のフィード量Sに
加算してやることにより、次のボンディング時のワイヤ
1 のフィード量S+ΔLg1を得る。
【0023】図2(C)のように、リード24へのボン
ディングが終了すると、クランパ3を開いたまま、キュ
ピラリ2を前記算出したフィード量S+ΔLg1だけ上方
へ引き上げ、図2(D)の状態とする。そして、図2
(D)の状態となった時点で、クランパ制御回路9によ
ってクランパ3を閉じ、ワイヤ1,キャピラリ2,クラ
ンパ3の全体を図2(E)に示す放電位置まで引き上げ
る。その後、放電電極5が所定の位置に押し出され、次
の放電の準備が完了する。
【0024】図2(E)から明らかなように、上記ワイ
ヤ1のフィード制御の結果、ワイヤ1の先端と放電電極
5との間の放電ギャップ量はΔLg1だけ自動補正され、
ワイヤ1の先端と放電電極5との間の放電ギャップ量は
規定値Lg0となる。このワイヤ1のフィード制御は、ワ
イヤ1の先端と放電電極5との間で放電が行なわれる度
に実行される。したがって、ワイヤ1の先端と放電電極
5との間の放電ギャップ量は常に規定値LG0に維持さ
る。この結果、ワイヤ1の先端には常に均一で良好なボ
ールが形成され、高品質のワイヤボンディングが実現さ
れる。
【0025】なお、上記ワイヤ1のフィード制御が不可
能なほどに放電ギャップ量Lg が大きく変化したような
場合には、従来と同様に、放電ギャップ電圧監視回路6
から異常検知出力が発生するので、このような場合には
従来と同様に装置を自動停止させることができる。
【0026】また、上記の例においては、放電ギャップ
電圧監視回路6は検出した放電ギャップ電圧を積分して
出力するようにしたが、判定の信頼性が若干低下するこ
とを我慢できるならば、検出した放電ギャップ電圧を積
分することなくそのまま出力するようにしてよいもので
ある。
【0027】また、上記の例は、放電電極5に負電圧を
印加する負極性放電の場合について例示したが、放電電
極5に正電圧を印加する正極性放電の場合も同様に実現
できるものである。
【0028】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の放電ギャ
ップ制御方法は、ワイヤ先端と放電電極との間の放電ギ
ャップ電圧を検出し、該検出した放電ギャップ電圧から
放電ギャップ量を求め、次のボンディングのワイヤフィ
ード時に、前記得られた放電ギャップ量に基づいてワイ
ヤのフィード量を制御することによって、ワイヤ先端と
放電電極との間の放電ギャップ量を規定値に自動補正す
るようにしたので、ワイヤ先端と放電電極との間の放電
ギャップ量を常に規定範値となるように自動補正するこ
とができる。このため、常に均一で良好なボールを形成
することができ、高品質のワイヤボンディングを実現で
きる。また、放電ギャップ量が規定範囲から外れて装置
が自動停止されるというような事故がほとんどなくなる
ので、製造効率を上げることができる。
【0029】また、本発明のワイヤボンディング装置
は、ワイヤ先端と放電電極との間の放電ギャップ電圧を
検出して所定の形式で取り出す放電ギャップ電圧監視回
路と、該放電ギャップ電圧監視回路で検出した放電ギャ
ップ電圧から規定の放電ギャップを与えるためのワイヤ
のフィード量を求めるフィード量変換回路と、該フィー
ド量変換回路で得られたフィード量に従ってワイヤ先端
と放電電極との間の放電ギャップ量が規定値となるよう
にクランパを開閉制御するクランパ制御回路とを備える
ことにより構成したので、常に均一で良好なボールを形
成することができる高品質で製造効率に優れたワイヤボ
ンディング装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態を示すブロック図である。
【図2】上記実施形態のボンディング動作の説明図であ
る。
【図3】従来装置を示すブロック図である。
【図4】ワイヤボンディングにおける放電特性の説明図
である。
【図5】放電ギャップ電圧と放電ギャップ量の関係を示
す図である。
【符号の説明】
1 ワイヤ 2 キャピラリ 3 クランパ 4 放電用高電圧発生回路 5 放電電極 6 放電ギャップ電圧監視回路 7 ボール 8 フィード量変換回路 9 クランパ制御回路 21 ICチップ 22 パッド(第1ボンド電極) 23 フレーム 24 リード(第2ボンド電極) Lg 放電ギャップ量 Eg 放電ギャップ電圧

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ワイヤ先端と放電電極との間の放電によ
    ってワイヤ先端にボンディング用のボールを形成するよ
    うにしたワイヤボンディングのための放電ギャップ制御
    方法であって、 ワイヤ先端と放電電極との間の放電ギャップ電圧を検出
    し、該検出した放電ギャップ電圧から放電ギャップ量を
    求め、次のボンディングのワイヤフィード時に、前記得
    られた放電ギャップ量に基づいてワイヤのフィード量を
    制御することによって、ワイヤ先端と放電電極との間の
    放電ギャップ量を規定値に自動補正することを特徴とす
    る放電ギャップ制御方法。
  2. 【請求項2】 ワイヤ先端と放電電極との間の放電によ
    ってワイヤ先端にボンディング用のボールを形成するよ
    うにしたワイヤボンディング装置において、 前記ワイヤ先端と放電電極との間の放電ギャップ電圧を
    検出して所定の形式で取り出す放電ギャップ電圧監視回
    路と、 該放電ギャップ電圧監視回路で検出した放電ギャップ電
    圧から規定の放電ギャップを与えるためのワイヤのフィ
    ード量を求めるフィード量変換回路と、 該フィード量変換回路で得られたフィード量に従ってワ
    イヤ先端と放電電極との間の放電ギャップ量が規定値と
    なるようにクランパを開閉制御するクランパ制御回路
    と、を備えたことを特徴とするワイヤボンディング装
    置。
JP9179128A 1997-06-20 1997-06-20 放電ギャップ制御方法およびこれを用いたワイヤボンディング装置 Pending JPH1116936A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9179128A JPH1116936A (ja) 1997-06-20 1997-06-20 放電ギャップ制御方法およびこれを用いたワイヤボンディング装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9179128A JPH1116936A (ja) 1997-06-20 1997-06-20 放電ギャップ制御方法およびこれを用いたワイヤボンディング装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH1116936A true JPH1116936A (ja) 1999-01-22

Family

ID=16060487

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9179128A Pending JPH1116936A (ja) 1997-06-20 1997-06-20 放電ギャップ制御方法およびこれを用いたワイヤボンディング装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH1116936A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011103775A1 (zh) * 2010-02-23 2011-09-01 清华大学 一种标定电压的产生装置和方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011103775A1 (zh) * 2010-02-23 2011-09-01 清华大学 一种标定电压的产生装置和方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7420613B2 (en) Method for controlling flash apparatus, wherein preliminary flashing is performed one time
JP2835989B2 (ja) ワイヤボンダ用ボール形成装置
US10163845B2 (en) Method and apparatus for measuring a free air ball size during wire bonding
JPH0722456A (ja) ワイヤボンディングにおけるボール形成装置、その制御方法及びワイヤボンディング装置
US9421626B2 (en) Apparatus and method for electrical discharge machining modulation control
US6232211B1 (en) Two-step projecting bump for semiconductor chip and method for forming the same
JP2010056106A (ja) ワイヤボンディング装置、これを用いたワイヤボンディング方法
US6467678B2 (en) Wire bonding method and apparatus
JPH1116936A (ja) 放電ギャップ制御方法およびこれを用いたワイヤボンディング装置
WO2022143529A1 (zh) 一种卸料控制方法、装置及搅拌站
KR100231688B1 (ko) 와이어본딩장치
JPH06101491B2 (ja) ワイヤボンデイング方法及びその装置
US4687897A (en) Flame-off limited circuit for wire bonding ball forming apparatus
US20170330854A1 (en) Ball forming device for wire bonder
JP3311403B2 (ja) アーク溶接自動制御方法及び装置
JPH0317377B2 (ja)
JP2007105663A (ja) 液体塗布装置
KR100214012B1 (ko) 이니셜 와이어볼의 구경측정 및 보정방법
JPH0714872A (ja) ワイヤーボンディング装置
JPS63119540A (ja) ワイヤボンデイング用のボ−ル形成装置
JPH0714871A (ja) ワイヤボンディング方法
JP3908380B2 (ja) ワイヤボンディング装置及び該装置を用いた半導体装置の製造方法
JP2005268304A (ja) ボンダ用ボール形成装置およびボンダ用ボール形成方法
JPH1126492A (ja) バンプ形成におけるボンディング不良検出方法およびボンディング装置の制御方法
JPS6098635A (ja) ワイヤボンデイング方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040423

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20041201

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060801

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20061128