JPH1116882A - Photoresist peeling composition - Google Patents
Photoresist peeling compositionInfo
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- JPH1116882A JPH1116882A JP17892797A JP17892797A JPH1116882A JP H1116882 A JPH1116882 A JP H1116882A JP 17892797 A JP17892797 A JP 17892797A JP 17892797 A JP17892797 A JP 17892797A JP H1116882 A JPH1116882 A JP H1116882A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトレジスト剥
離用組成物、さらに詳しくは、液晶パネル素子やＬＳＩ
等の半導体素子の製造に使用され、導電性金属膜を腐食
することの少ないフォトレジスト剥離用組成物に関する
ものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a composition for removing a photoresist, and more particularly, to a liquid crystal panel element and an LSI.
The present invention relates to a photoresist stripping composition that is used in the manufacture of semiconductor devices such as a semiconductor device and does not corrode a conductive metal film.
【０００２】[0002]
【従来の技術】液晶パネル素子やＬＳＩ等の半導体素子
の製造においては、基板上に導電性金属膜を形成し、さ
らにＳｉＯ2 膜等の絶縁膜を形成した後、フォトレジス
トを用いてマスク成形を行ない、非マスク部分の絶縁膜
をエッチングし微細回路を形成した後、不要のフォトレ
ジスト層を剥離液で除去することが行なわれている。2. Description of the Related Art In the manufacture of semiconductor elements such as liquid crystal panel elements and LSIs, a conductive metal film is formed on a substrate, an insulating film such as an SiO 2 film is formed, and then a mask is formed using a photoresist. After forming a fine circuit by etching an insulating film in a non-mask portion, an unnecessary photoresist layer is removed with a stripping solution.
【０００３】従来、かかるフォトレジストの剥離には、
これまで各種の好適な有機あるいは無機の薬品が見出だ
され使用されている。例えば、実用的には特開昭６４−
８１９５０号公報で、有機系の剥離剤として、ジメチル
スルホキシド（以下ＤＭＳＯという）とアミノアルコー
ル類からなる剥離剤が提案されている。また、特開平４
−３５０６６０号公報では、１，３−ジメチル−２−イ
ミダゾリシンとＤＭＳＯからなる剥離剤が提案されてい
る。[0003] Conventionally, such a photoresist is stripped.
Heretofore, various suitable organic or inorganic chemicals have been found and used. For example, in practical use,
In JP-A-81950, a release agent comprising dimethyl sulfoxide (hereinafter referred to as DMSO) and amino alcohols is proposed as an organic release agent. In addition, Japanese Unexamined Patent Application Publication No.
In JP-A-350660, a release agent comprising 1,3-dimethyl-2-imidazolysine and DMSO is proposed.
【０００４】近年、集積回路の高密度化により、高精度
の微細パターン形成用のフォトレジストが使用されてい
る。またエッチング方法も、従来の有機溶剤などを用い
たケミカルエッチング方法に代わりハロゲン系ガスを用
いたドライエッチング方法が使用されている。さらに、
ドライエッチング方法の他、アッシング、イオン注入等
の処理などが行なわれている。In recent years, with the increase in the density of integrated circuits, photoresists for forming high-precision fine patterns have been used. As for the etching method, a dry etching method using a halogen-based gas is used instead of a conventional chemical etching method using an organic solvent or the like. further,
In addition to the dry etching method, processes such as ashing and ion implantation are performed.
【０００５】このようなドライエッチング、アッシン
グ、イオン注入等の処理によって、フォトレジスト膜
は、有機膜から無機的性質を示す膜へと変質する。ま
た、ドライエッチングにより、微細パターン側面にハロ
ゲンガスとアルミニウム配線とからなる堆積膜または反
応生成物である側壁保護膜が付着する。これらのフォト
レジスト変質物や側壁保護膜等の付着物は、ＤＭＳＯと
アミノアルコール類からなる通常の剥離液では必ずしも
十分剥離できなく、処理温度を８０〜１３０℃のように
高温にした処理が必要となる。また、アミノアルコール
類を使用した場合、剥離処理後に氷リンスすると、微量
のアミノアルコール類でアルミニウム配線が腐食すると
いう問題が発生する。[0005] By such processes as dry etching, ashing, and ion implantation, the photoresist film is transformed from an organic film to a film having inorganic properties. In addition, a deposited film composed of a halogen gas and aluminum wiring or a sidewall protective film, which is a reaction product, adheres to the side surface of the fine pattern by dry etching. Detergents such as these photoresists and deposits such as side wall protective films cannot be sufficiently stripped with a normal stripping solution composed of DMSO and amino alcohols, and require processing at a high processing temperature such as 80 to 130 ° C. Becomes In addition, when amino alcohols are used, there is a problem in that, when ice rinsing is performed after the peeling treatment, aluminum wiring is corroded by a trace amount of amino alcohols.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は上記の
問題を解決し、アルミニウム等の導電膜を全く腐食する
ことなく、エッチング時に形成されるレジスト変性物、
および側壁保護膜を低温で短時間で剥離処理できるフォ
トレジスト剥離用組成物を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems and to modify a resist formed at the time of etching without corroding a conductive film such as aluminum at all.
Another object of the present invention is to provide a photoresist stripping composition capable of stripping a side wall protective film at a low temperature in a short time.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成する本
発明のフォトレジスト剥離用組成物は、非プロトン性極
性溶媒、水、フッ化物および第四級アンモニウム塩もし
くはヒドロキシルアミンからなることを特徴とするもの
で、好適にはこれらの割合は、前記非プロトン性極性溶
媒が５〜９０重量％、水が１〜７０重量％、フッ化物が
０．０１〜２０重量％、第四級アンモニウム塩もしくは
ヒドロキシルアミン類が０．０１〜２０重量％、からな
るものである。According to the present invention, there is provided a photoresist stripping composition which comprises an aprotic polar solvent, water, fluoride and a quaternary ammonium salt or hydroxylamine. Preferably, these proportions are 5 to 90% by weight of the aprotic polar solvent, 1 to 70% by weight of water, 0.01 to 20% by weight of fluoride, and quaternary ammonium salt. Alternatively, the hydroxylamines are 0.01 to 20% by weight.
【０００８】そして、本発明においては、次のような好
ましい実施態様が含まれる。 ａ．前記非プロトン性極性溶媒が、ジメチルスルホキシ
ド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、γ−ブチロラクトン
またはプロピレンカーボネートであること。 ｂ．前記水が、精留水またはイオン交換水であること。 ｃ．前記フッ化物が、フッ化アンモニウムまたはフッ化
水素アンモニウムであること。 ｄ．前記第四級アンモニウム塩が、テトラメチルアンモ
ニウムヒドロキシドまたはテトラメチルアンモニウムヒ
ドロキシド五水和物であること。[0008] The present invention includes the following preferred embodiments. a. The aprotic polar solvent is dimethyl sulfoxide, N-methyl-2-pyrrolidone, γ-butyrolactone or propylene carbonate. b. The water is rectified water or ion-exchanged water. c. The fluoride is ammonium fluoride or ammonium hydrogen fluoride. d. The quaternary ammonium salt is tetramethylammonium hydroxide or tetramethylammonium hydroxide pentahydrate.
【０００９】[0009]
【発明の実施の形態】本発明で用いられる非プロトン系
極性溶媒は、特に制限されるものではないが、フオトレ
ジストとの親和性に優れていること、また側壁保護膜除
去後の水洗工程廃液処理の容易さのために、水溶性であ
ることが好ましく、特にポジ型フオトレジストを容易に
溶解し、かつ無機塩の良溶媒であることが好ましい。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The aprotic polar solvent used in the present invention is not particularly limited, but has an excellent affinity with a photoresist, and a waste water in a washing step after removing a side wall protective film. For ease of processing, it is preferably water-soluble, and particularly preferably a positive solvent which easily dissolves a positive photoresist and is a good solvent for inorganic salts.
【００１０】本発明における非プロトン系極性溶媒とし
ては、例えば、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジ
メチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、Ｎ−メチル−２−ピ
ロリドン（ＮＭＰ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルホアミド、
γ−ブチロラクトン、プロピレンカーボネート、１，３
−ジメチル−２−イミダゾリジノン、Ｎ−アセト−ε−
カプロラクタム、トリエチレングリコール等のグリコー
ル類、３−メトキシ−３−メチル−１−ブタノール等の
グリコールエーテル類、３−メトキシ−３−メチル−ブ
チルアセテート等のグリコールアセテート類、およびプ
ロピレングリコール−１−モノメチルアセテートが挙げ
られるが、フオトレジスト等に対する良溶媒ということ
から、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチル−２−ピロリ
ドン、γ−ブチロラクトン、プロピレンカーボネートが
特に好ましく用いられる。また、本発明の実施において
は、これら非プロトン系極性溶媒は１種類の使用でもよ
いが２種類以上を併用することができる。As the aprotic polar solvent in the present invention, for example, dimethyl sulfoxide (DMSO),
N, N-dimethylformamide (DMF), N, N-dimethylacetamide (DMAc), N-methyl-2-pyrrolidone (NMP), N, N-dimethylsulfonamide,
γ-butyrolactone, propylene carbonate, 1,3
-Dimethyl-2-imidazolidinone, N-aceto-ε-
Glycols such as caprolactam and triethylene glycol, glycol ethers such as 3-methoxy-3-methyl-1-butanol, glycol acetates such as 3-methoxy-3-methyl-butyl acetate, and propylene glycol-1-monomethyl Acetate is exemplified, but dimethyl sulfoxide, N-methyl-2-pyrrolidone, γ-butyrolactone, and propylene carbonate are particularly preferably used because they are good solvents for photoresists and the like. In the practice of the present invention, one kind of these aprotic polar solvents may be used, but two or more kinds may be used in combination.
【００１１】本発明における水は、精留水やイオン交換
水などの精製水が好ましく用いられる。また、水成分
は、本発明のフオトレジスト剥離用組成物の他の一成分
であるフッ化物を溶解させて、均一で安定なレジスト剥
離液とするために重要な成分である。The water used in the present invention is preferably purified water such as rectified water or ion-exchanged water. The water component is an important component for dissolving a fluoride, which is another component of the photoresist stripping composition of the present invention, to obtain a uniform and stable resist stripping solution.
【００１２】本発明における第四級アンモニウム塩は、
ポジ型フォトレジストを容易に溶解するものが好まし
く、具体的には、テトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド（ＴＭＡＨ）、テトラエチルアンモニウムヒドロキシ
ド五水和物、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、
テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド、トリメチル
エチルアンモニウムヒドロキシド、ジメチルジエチルア
ンモニウムヒドロキシド、トリメチル（２−ヒドロキシ
エチル）アンモニウムヒドロキシド、トリエチル（２−
ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド、第四級
アンモニウム炭酸塩、第四級アンモニウム重炭酸塩、第
四級アンモニウムギ酸塩、第四級アンモニウム酢酸塩、
および第四級アンモニウムシュウ酸塩等が挙げられる
が、本発明では、汎用性のある第四級アンモニウム塩と
して、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡ
Ｈ）、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド五水和物
が好ましく用いられる。また、本発明の実施において
は、これら第四級アンモニウム塩は１種類の使用でもよ
いが２種類以上を併用することができる。The quaternary ammonium salt in the present invention is
Preferred are those that readily dissolve the positive photoresist, specifically, tetramethylammonium hydroxide (TMAH), tetraethylammonium hydroxide pentahydrate, tetraethylammonium hydroxide,
Tetrapropylammonium hydroxide, trimethylethylammonium hydroxide, dimethyldiethylammonium hydroxide, trimethyl (2-hydroxyethyl) ammonium hydroxide, triethyl (2-
Hydroxyethyl) ammonium hydroxide, quaternary ammonium carbonate, quaternary ammonium bicarbonate, quaternary ammonium formate, quaternary ammonium acetate,
And quaternary ammonium oxalates. In the present invention, tetramethyl ammonium hydroxide (TMA) is used as a versatile quaternary ammonium salt.
H) and tetramethylammonium hydroxide pentahydrate are preferably used. In the practice of the present invention, one type of these quaternary ammonium salts may be used, but two or more types may be used in combination.
【００１３】また本発明においては、上記第四級アンモ
ニウム塩に代えて、あるいはこの第四級アンモニウム塩
と併用して、ヒドロキシルアミンまたはヒドロキシルア
ミン塩あるいはヒドラジン、ヒドラジン水和物またはヒ
ドラジン塩等を使用することができ、特にヒドロキシル
アミン類が好ましく用いられる。In the present invention, hydroxylamine or hydroxylamine salt, hydrazine, hydrazine hydrate or hydrazine salt is used in place of or in combination with the above quaternary ammonium salt. In particular, hydroxylamines are preferably used.
【００１４】さらに本発明におけるフッ化物はＳｉＯ2
等の酸化ケイ素の良溶媒であることが好ましく、具体的
には、フッ化アンモニウム（ＦＡ）、フッ化水素アンモ
ニウム（ＦＨＡ）、フッ化カリウム（ＫＦ）、ホウフッ
化アンモニウムおよびフッ化アンチモン等が挙げられる
が、ＦＡおよびＦＨＡが好ましく用いられる。また、本
発明の実施においては、これらフッ化物を２種以上併用
することができる。Further, the fluoride in the present invention is SiO 2
It is preferable to use a good solvent for silicon oxide such as ammonium fluoride (FA), ammonium hydrogen fluoride (FHA), potassium fluoride (KF), ammonium borofluoride, and antimony fluoride. However, FA and FHA are preferably used. In the practice of the present invention, two or more of these fluorides can be used in combination.
【００１５】本発明の実施において、上記非プロトン性
極性溶媒、水、フッ化物および第四級アンモニウム塩ま
たはヒドロキシルアミン類からなる剥離用組成物には、
本発明の効果を妨げない範囲で、他の成分を適宜添加し
て用いることができる。例えば、表面張力を低下させる
ため、あるいは素子へのレジストの再付着を防止するた
めに、例えばアルキルベンゼン硫酸塩のようなアニオン
系界面活性剤、アルキルフェノールのポリオキシエチレ
ン・エーテルのようなノニオン系界面活性剤、ドデシル
ジアミノエチルグリシン塩酸塩のような両性系界面活性
剤、アルキルジメチルベンジンアンモニウムクロライド
のようなカチオン系界面活性剤などの界面活性剤を添加
することができる。In the practice of the present invention, the stripping composition comprising the aprotic polar solvent, water, fluoride and a quaternary ammonium salt or hydroxylamine includes:
Other components can be appropriately added and used as long as the effects of the present invention are not impaired. For example, anionic surfactants such as alkyl benzene sulfate, nonionic surfactants such as polyoxyethylene ether of alkyl phenol, for example, in order to lower the surface tension or prevent the resist from re-adhering to the device. And a surfactant such as an amphoteric surfactant such as dodecyldiaminoethylglycine hydrochloride and a cationic surfactant such as alkyldimethylbenzine ammonium chloride.
【００１６】さらに本発明では、金属に対する腐食作用
を穏やかにするシュウ酸、コハク酸、カテコール、ピロ
ガロールや、金属イオンを封鎖するピロリン酸ナトリウ
ムなどの剥離液助剤を添加することができる。Further, in the present invention, a stripping liquid auxiliary such as oxalic acid, succinic acid, catechol, pyrogallol or sodium pyrophosphate for sequestering metal ions can be added to moderate the corrosive action on the metal.
【００１７】上記フォトレジスト剥離用組成物の成分の
うち、かかる非プロトン性極性溶媒の組成比は、好まし
くは５〜９０重量％であり、より好ましくは５０〜９０
重量％である。この非プロトン性極性溶媒の量が少ない
とフォトレジスト剥離性が低く、逆に多すぎると、上記
組成物中のフッ化物の溶解性が減少するので側壁保護膜
を十分好適に除去できるフッ化物量になる安定な剥離液
が得られないという傾向を示す。Among the components of the photoresist stripping composition, the composition ratio of the aprotic polar solvent is preferably from 5 to 90% by weight, more preferably from 50 to 90% by weight.
% By weight. If the amount of the aprotic polar solvent is small, the photoresist strippability is low, and if it is too large, the solubility of the fluoride in the composition decreases, so that the amount of fluoride that can sufficiently remove the sidewall protective film sufficiently Tend to be unable to obtain a stable stripper.
【００１８】また、上記フォトレジスト剥離用組成物の
成分のうち、水の組成比は、好ましくは１〜７０重量％
であり、より好ましくは５〜５０重量％である。水の量
が少ないと、フッ化物の溶解性が減少して側壁保護膜十
分好適に除去できるフッ化物量になる安定な剥離液が得
られず、逆に水の量が多すぎるとフォトレジスト剥離性
が低くなる傾向を示す。The composition ratio of water in the photoresist stripping composition is preferably 1 to 70% by weight.
And more preferably 5 to 50% by weight. When the amount of water is small, the solubility of the fluoride decreases, and a stable stripping solution having a fluoride amount that can be sufficiently removed can not be obtained. Conversely, when the amount of water is too large, the photoresist is stripped. Shows a tendency to decrease.
【００１９】さらに上記フォトレジスト剥離用組成物の
成分のうち、フッ化物の組成比は、好ましくは０．０１
〜２０重量％であり、より好ましくは０．０５〜１５重
量％である。フッ化物の量が少ないと十分に側壁保護膜
の除去ができず、逆に多すぎると側壁保護膜の除去が極
端に起こり作業幅が狭く、さらに基板素子のＳｉＯ2膜
が侵食されてしまう傾向を示す。Further, among the components of the photoresist stripping composition, the composition ratio of fluoride is preferably 0.01
-20% by weight, more preferably 0.05-15% by weight. If the amount of the fluoride is small, the side wall protective film cannot be sufficiently removed, while if it is too large, the side wall protective film is extremely removed, the working width is narrow, and the SiO 2 film of the substrate element tends to be eroded. Is shown.
【００２０】さらに上記フォトレジスト剥離用組成物の
成分のうち、第四級アンモニウム塩または／およびヒド
ロキシルアミンの組成比は、好ましくは０．０１〜２０
重量％であり、より好ましくは０．０５〜１０重量％で
ある。第四級アンモニウム塩もしくはヒドロキシルアミ
ンの量が少ないと、レジスト残渣や側壁保護膜を好適に
除去できず、逆に第四級アンモニウム塩やヒドロキシル
アミンの量が多すぎると、基板素子のアルミニウム等の
ような導電膜が腐食されやすい。Further, among the components of the photoresist stripping composition, the composition ratio of the quaternary ammonium salt and / or hydroxylamine is preferably 0.01 to 20.
%, More preferably 0.05 to 10% by weight. When the amount of the quaternary ammonium salt or hydroxylamine is small, the resist residue and the side wall protective film cannot be suitably removed. Conversely, when the amount of the quaternary ammonium salt or hydroxylamine is too large, aluminum such as aluminum of the substrate element may be used. Such a conductive film is easily corroded.
【００２１】本発明の剥離組成物が好適に使用されるフ
ォトレジストとしては、ポジ型レジスト、ネガ型レジス
ト、ポジ／ネガ型両用レジストが挙げられ、特に、ノボ
ラック系フェノール樹脂とナフトキノンジアジドからな
るポジ型フォトレジストに有効に使用される。The photoresist to which the stripping composition of the present invention is preferably used includes a positive resist, a negative resist, and a positive / negative resist. In particular, a positive resist comprising a novolak phenol resin and a naphthoquinone diazide. Effectively used for mold photoresist.
【００２２】また、本発明で使用されるドライエッチン
クガスとしては、ハロゲンガスの塩素、臭化水素、三塩
化ホウ素のいずれかに、さらに四フッ化炭素、三フッ化
ホウ素、塩化水素、四塩化炭素、四塩化ケイ素等のガス
を含んだ系にも使用することができる。The dry etching gas used in the present invention may be any of halogen gas such as chlorine, hydrogen bromide and boron trichloride, as well as carbon tetrafluoride, boron trifluoride, hydrogen chloride and tetrachloride. It can also be used in systems containing gases such as carbon chloride and silicon tetrachloride.
【００２３】本発明の剥離液でアッシング後に残るレジ
スト残渣や側壁保護膜の除去処理条件としては、８０℃
以上のような高温剥離を必要とせず、より低温での処理
が可能である。すなわち、本発明の剥離液を用いること
により８０℃以上でも剥離可能であるが、剥離液の組成
が変動しやすい傾向がある。本発明では、例えば約４０
〜７８℃、さらには約５０〜７０℃のように、８０℃未
満の比較的低温度でのレジスト除去が可能である。The conditions for removing the resist residue and the sidewall protective film remaining after ashing with the stripping solution of the present invention are as follows: 80 ° C.
The processing at a lower temperature is possible without the need for the high-temperature peeling described above. That is, by using the stripping solution of the present invention, the film can be stripped even at 80 ° C. or higher, but the composition of the stripping solution tends to fluctuate. In the present invention, for example, about 40
It is possible to remove the resist at a relatively low temperature of less than 80C, such as -78C, or even about 50-70C.
【００２４】本発明のフォトレジスト剥離用組成物は、
液晶パネル素子やＬＳＩ等の半導体素子の微細回路形成
等に使用されるレジストの剥離、側壁保護膜の除去に使
用できる。The photoresist stripping composition of the present invention comprises:
It can be used for removing a resist used for forming a fine circuit of a semiconductor element such as a liquid crystal panel element or an LSI and removing a side wall protective film.
【００２５】[0025]
（実施例１〜８、比較例１〜５）約１μｍのＡｌ−Ｓｉ
−Ｃｕ膜、およびその上に、約１μｍのＳｉＯ2 を順次
被着したＳｉ基板上に、ポジ型フォトレジストＴＨＭＲ
−ｉＰ２０００（東京応化工業株式会社製）を厚さ２μ
ｍになるように塗布した後、マスク露光し現像してポジ
型フォトレジストのマスクに形成した。(Examples 1 to 8, Comparative Examples 1 to 5) Al-Si of about 1 μm
A positive photoresist THMR on a Si film on which a Cu film and about 1 μm of SiO 2 are sequentially deposited thereon;
-IP2000 (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.)
m, and then exposed to a mask and developed to form a positive photoresist mask.
【００２６】次いで、非マスク領域のＳｉＯ2 マスク材
をドライエッチングで除去し、さらにアッシングにより
フォトレジストの大部分を除去した後、表１に示したフ
ォトレジスト剥離用組成物に７０℃で２０分間処理した
後基板を純水でリンス処理し、基板上のレジスト残渣、
側壁保護膜、およびＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜の腐食状態をＳ
ＥＭ（走査型電子顕微鏡）写真により観察し評価した。
ＳＥＭの写真観察の判定は次のとおりとした。結果を表
１に示す。 ◎・・・レジスト残渣および側壁保護膜残渣が全く認め
られない。 △・・・レジスト残渣および側壁保護膜残渣がほとんど
認められない。 ×・・・レジスト残渣および側壁保護膜残渣が全く除去
できない。 Ｇ・・・Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜の腐食なし。 Ｐ・・・Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜の腐食あり。Next, the SiO 2 mask material in the non-mask area is removed by dry etching, and most of the photoresist is removed by ashing, and then the photoresist stripping composition shown in Table 1 is added at 70 ° C. for 20 minutes. After the treatment, the substrate is rinsed with pure water, resist residue on the substrate,
The corrosion state of the side wall protective film and the Al—Si—Cu film is represented by S
It was observed and evaluated by EM (scanning electron microscope) photograph.
The SEM photograph observation was determined as follows. Table 1 shows the results. A: No resist residue and no sidewall protective film residue are observed. Δ: Resist residue and sidewall protective film residue are hardly observed. X: The resist residue and the sidewall protective film residue cannot be removed at all. G: No corrosion of the Al-Si-Cu film. P: There is corrosion of the Al-Si-Cu film.
【００２７】[0027]
【表１】 [Table 1]
【００２８】[0028]
【発明の効果】本発明のレジスト剥離用組成物は、従来
剥離困難であったドライエッチング後、およびアッシン
グ後のレジスト残渣および側壁保護膜が良好に剥離で
き、さらに腐食されやすいＡｌ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓ
ｉ−Ｃｕ等の基板を腐食しにくい効果がある。According to the resist stripping composition of the present invention, the resist residue and the side wall protective film after dry etching and ashing, which have conventionally been difficult to strip, can be stripped off satisfactorily. , Al-S
There is an effect that the substrate such as i-Cu is hardly corroded.
【００２９】また、本発明の剥離処理温度条件は、従来
の温度より低温とすることができ、生産性向上とともに
必要な他の部材を腐食等損傷することがないため高品質
性能を維持することができ、工業上利点が多い。Further, the temperature of the peeling treatment of the present invention can be made lower than the conventional temperature, and it is possible to maintain the high quality performance because the productivity is improved and other necessary members are not damaged such as corrosion. It has many industrial advantages.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５７２Ｂ ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI H01L 21/027 H01L 21/30 572B
Claims (6)
よび第四級アンモニウム塩もしくはヒドロキシルアミン
類からなることを特徴とするフォトレジスト剥離用組成
物。1. A photoresist stripping composition comprising an aprotic polar solvent, water, fluoride and a quaternary ammonium salt or hydroxylamine.
量％、水が１〜７０重量％、フッ化物が０．０１〜２０
重量％、第四級アンモニウム塩もしくはヒドロキシルア
ミンが０．０１〜２０重量％、であることを特徴とする
フォトレジスト剥離用組成物。2. The aprotic polar solvent is 5 to 90% by weight, water is 1 to 70% by weight, and fluoride is 0.01 to 20% by weight.
1% by weight, and 0.01 to 20% by weight of a quaternary ammonium salt or hydroxylamine.
スルホキシド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、γ−ブチ
ロラクトンまたはプロピレンカーボネートであることを
特徴とする請求項１または２記載のフォトレジスト剥離
用組成物。3. The photoresist stripping composition according to claim 1, wherein the aprotic polar solvent is dimethyl sulfoxide, N-methyl-2-pyrrolidone, γ-butyrolactone or propylene carbonate. .
あることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の
フォトレジスト剥離用組成物。4. The photoresist stripping composition according to claim 1, wherein the water is rectified water or ion-exchanged water.
たはフッ化水素アンモニウムであることを特徴とする請
求項１〜４のいずれかに記載のフォトレジスト剥離用組
成物。5. The photoresist stripping composition according to claim 1, wherein the fluoride is ammonium fluoride or ammonium hydrogen fluoride.
チルアンモニウムヒドロキシドまたはテトラメチルアン
モニウムドロキシド五水和物であることを特徴とする請
求項１〜５のいずれかに記載のフォトレジスト剥離用組
成物。6. The photoresist stripper according to claim 1, wherein the quaternary ammonium salt is tetramethylammonium hydroxide or tetramethylammonium droxide pentahydrate. Composition.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17892797A JPH1116882A (en) | 1997-06-19 | 1997-06-19 | Photoresist peeling composition |
| KR1019980023124A KR19990007139A (en) | 1997-06-19 | 1998-06-19 | Photoresist Peeling Composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17892797A JPH1116882A (en) | 1997-06-19 | 1997-06-19 | Photoresist peeling composition |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1116882A true JPH1116882A (en) | 1999-01-22 |
Family
ID=16057083
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17892797A Pending JPH1116882A (en) | 1997-06-19 | 1997-06-19 | Photoresist peeling composition |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1116882A (en) |
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