JPH11168227A - 光起電力装置及びその製造方法 - Google Patents
光起電力装置及びその製造方法Info
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- JPH11168227A JPH11168227A JP9347268A JP34726897A JPH11168227A JP H11168227 A JPH11168227 A JP H11168227A JP 9347268 A JP9347268 A JP 9347268A JP 34726897 A JP34726897 A JP 34726897A JP H11168227 A JPH11168227 A JP H11168227A
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高い光電変換効率を有する光起電力装置を提
供する。また、光起電力装置が低コストで得られる製造
方法を提供する。 【解決手段】 Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物半導体から
なる光吸収層および光吸収層に接して光の入射側と反対
側に形成された導電層を有する光起電力装置において、
導電層を構成する材料の格子定数と、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ
2族化合物の格子定数との差が１５％以内である光起電
力装置。Ｉ族およびＩＩＩ族元素を含む層を少なくとも
ＶＩ族元素を含む雰囲気中で加熱することによって光吸
収層を形成する光起電力装置の製造方法。
供する。また、光起電力装置が低コストで得られる製造
方法を提供する。 【解決手段】 Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物半導体から
なる光吸収層および光吸収層に接して光の入射側と反対
側に形成された導電層を有する光起電力装置において、
導電層を構成する材料の格子定数と、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ
2族化合物の格子定数との差が１５％以内である光起電
力装置。Ｉ族およびＩＩＩ族元素を含む層を少なくとも
ＶＩ族元素を含む雰囲気中で加熱することによって光吸
収層を形成する光起電力装置の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高い光電変換効率
を有する光起電力装置及びその製造方法に関するもので
ある。
を有する光起電力装置及びその製造方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】カルコパイライト構造を有するＩ−ＩＩ
Ｉ−ＶＩ2族化合物半導体を光吸収層とする光起電力装
置は、光吸収層が薄膜であっても高い光電変換効率を示
し、また光照射による効率の劣化等が少ないことから実
用化が期待されている。上記光吸収層を形成する方法と
しては、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物半導体を構成する
各元素を別々の蒸発源から同時に蒸発させて基板上で化
合物を得る多源同時蒸着法や、化合物を構成する金属の
積層膜あるいは混合膜をカルコゲン元素を含む雰囲気中
で加熱する気相セレン化（硫化）法などが知られてい
る。特に後者は大面積に大量に製造できるため量産に向
いた方法として注目されている。従来、光吸収層である
カルコパイライト構造を有するＩ−ＩＩＩ−ＶＩ2族化
合物半導体は、上記方法などを用い金属薄膜上あるいは
金属基板上に形成されていた。この場合、形成されたＩ
−ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物半導体は、下地金属の影響を
受け配向性に問題を生じる等により、光吸収層と光吸収
層に接して該層より光の入射側に形成される半導体材料
層（バッファー層）との格子不整合により、光電変換効
率の低下を招くなどの不具合が生じていた。
Ｉ−ＶＩ2族化合物半導体を光吸収層とする光起電力装
置は、光吸収層が薄膜であっても高い光電変換効率を示
し、また光照射による効率の劣化等が少ないことから実
用化が期待されている。上記光吸収層を形成する方法と
しては、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物半導体を構成する
各元素を別々の蒸発源から同時に蒸発させて基板上で化
合物を得る多源同時蒸着法や、化合物を構成する金属の
積層膜あるいは混合膜をカルコゲン元素を含む雰囲気中
で加熱する気相セレン化（硫化）法などが知られてい
る。特に後者は大面積に大量に製造できるため量産に向
いた方法として注目されている。従来、光吸収層である
カルコパイライト構造を有するＩ−ＩＩＩ−ＶＩ2族化
合物半導体は、上記方法などを用い金属薄膜上あるいは
金属基板上に形成されていた。この場合、形成されたＩ
−ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物半導体は、下地金属の影響を
受け配向性に問題を生じる等により、光吸収層と光吸収
層に接して該層より光の入射側に形成される半導体材料
層（バッファー層）との格子不整合により、光電変換効
率の低下を招くなどの不具合が生じていた。
【０００３】これを解決するために、特開平４−１９９
８８０号公報には、カルコパイライト薄膜の下地に非晶
質導電基板または非晶質導電薄膜を用いることにより、
カルコパイライト薄膜の配向性を向上させることが開示
されている。また、特開平４−３０９２３８号公報に
は、導電性基板の表面をイオン打ち込み等の方法により
非晶質化し、その上にカルコパイライト薄膜を製膜する
ことにより、カルコパイライト薄膜の配向性を向上させ
ることが開示されている。しかしながら、これらの方法
では、下地として、非晶質材料を用いるため、格子のマ
ッチングが必ずしも良好でない、熱的安定性に劣る、経
時変化が生ずるなどにより、そのカルコパイライト薄膜
を用いた太陽電池などの光起電力装置では光電変換効率
が低下するなどの問題が生じていた。
８８０号公報には、カルコパイライト薄膜の下地に非晶
質導電基板または非晶質導電薄膜を用いることにより、
カルコパイライト薄膜の配向性を向上させることが開示
されている。また、特開平４−３０９２３８号公報に
は、導電性基板の表面をイオン打ち込み等の方法により
非晶質化し、その上にカルコパイライト薄膜を製膜する
ことにより、カルコパイライト薄膜の配向性を向上させ
ることが開示されている。しかしながら、これらの方法
では、下地として、非晶質材料を用いるため、格子のマ
ッチングが必ずしも良好でない、熱的安定性に劣る、経
時変化が生ずるなどにより、そのカルコパイライト薄膜
を用いた太陽電池などの光起電力装置では光電変換効率
が低下するなどの問題が生じていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明の課題は
このような問題点を解決し、高い光電変換効率を有する
光起電力装置を提供することにある。また、本発明の課
題は高い光電変換効率を有する光起電力装置が低コスト
で得られる製造方法を提供することにある。
このような問題点を解決し、高い光電変換効率を有する
光起電力装置を提供することにある。また、本発明の課
題は高い光電変換効率を有する光起電力装置が低コスト
で得られる製造方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、第一
に、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物半導体からなる光吸収
層およびその光吸収層に接して光の入射側と反対側に形
成された導電層を有する光起電力装置において、該導電
層を構成する材料の格子定数と、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2族
化合物の格子定数との差が１５％以内であることを特徴
とする光起電力装置が提供される。
に、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物半導体からなる光吸収
層およびその光吸収層に接して光の入射側と反対側に形
成された導電層を有する光起電力装置において、該導電
層を構成する材料の格子定数と、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2族
化合物の格子定数との差が１５％以内であることを特徴
とする光起電力装置が提供される。
【０００６】第二に、上記第一に記載の光起電力装置に
おいて、導電層を構成する材料が一軸異方性を有してい
ることを特徴とする光起電力装置が提供される。
おいて、導電層を構成する材料が一軸異方性を有してい
ることを特徴とする光起電力装置が提供される。
【０００７】第三に、上記第一または第二に記載の光起
電力装置において、導電層のシート抵抗値が５０Ω／□
以下であることを特徴とする光起電力装置が提供され
る。
電力装置において、導電層のシート抵抗値が５０Ω／□
以下であることを特徴とする光起電力装置が提供され
る。
【０００８】第四に、上記第一乃至第三のいずれかに記
載の光起電力装置において、導電層が、光吸収層と接合
する中間層と、その中間層に接して光の入射側と反対側
に形成された低抵抗層とからなることを特徴とする光起
電力装置が提供される。
載の光起電力装置において、導電層が、光吸収層と接合
する中間層と、その中間層に接して光の入射側と反対側
に形成された低抵抗層とからなることを特徴とする光起
電力装置が提供される。
【０００９】第五に、上記第一乃至第四のいずれかに記
載の光起電力装置において、光吸収層に接して光の入射
側に、該光吸収層よりバンドギャップの大きい半導体材
料層を有することを特徴とする光起電力装置が提供され
る。
載の光起電力装置において、光吸収層に接して光の入射
側に、該光吸収層よりバンドギャップの大きい半導体材
料層を有することを特徴とする光起電力装置が提供され
る。
【００１０】第六に、上記第五に記載の光起電力装置に
おいて、半導体材料層が、光吸収層と接合する半導体層
と、その半導体層に接して光の入射側に形成された透明
電極層とからなることを特徴とする光起電力装置が提供
される。
おいて、半導体材料層が、光吸収層と接合する半導体層
と、その半導体層に接して光の入射側に形成された透明
電極層とからなることを特徴とする光起電力装置が提供
される。
【００１１】第七に、上記第五または第六に記載の光起
電力装置において、光吸収層と接合する半導体材料層
が、少なくともＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＯおよびこれら
の混晶よりなる群より選択されたものを含有して構成さ
れていることを特徴とする光起電力装置が提供される。
電力装置において、光吸収層と接合する半導体材料層
が、少なくともＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＯおよびこれら
の混晶よりなる群より選択されたものを含有して構成さ
れていることを特徴とする光起電力装置が提供される。
【００１２】第八に、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物半導
体からなる光吸収層およびその光吸収層に接して光の入
射側と反対側に形成された導電層を有する光起電力装置
の製造方法において、Ｉ族およびＩＩＩ族元素を含む層
を少なくともＶＩ族元素を含む雰囲気中で加熱すること
によって、導電層を構成する材料の格子定数と、Ｉ−Ｉ
ＩＩ−ＶＩ2族化合物の格子定数との差が１５％以内で
ある光吸収層を形成することを特徴とする光起電力装置
の製造方法が提供される。
体からなる光吸収層およびその光吸収層に接して光の入
射側と反対側に形成された導電層を有する光起電力装置
の製造方法において、Ｉ族およびＩＩＩ族元素を含む層
を少なくともＶＩ族元素を含む雰囲気中で加熱すること
によって、導電層を構成する材料の格子定数と、Ｉ−Ｉ
ＩＩ−ＶＩ2族化合物の格子定数との差が１５％以内で
ある光吸収層を形成することを特徴とする光起電力装置
の製造方法が提供される。
【００１３】以下に本発明をさらに詳しく説明する。上
記第一に記載の光起電力装置は、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2族
化合物半導体からなる光吸収層およびその光吸収層に接
して光の入射側と反対側に形成された導電層を有する光
起電力装置において、導電層を構成する材料の格子定数
と、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物の格子定数との差が１
５％以内であることを特徴とするものである。
記第一に記載の光起電力装置は、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2族
化合物半導体からなる光吸収層およびその光吸収層に接
して光の入射側と反対側に形成された導電層を有する光
起電力装置において、導電層を構成する材料の格子定数
と、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物の格子定数との差が１
５％以内であることを特徴とするものである。
【００１４】導電層を構成する材料およびＩ−ＩＩＩ−
ＶＩ2族化合物を選定し、それらの格子定数の差を１５
％以内とすることによって、導電層上に形成されるＩ−
ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物薄膜をその最稠密面である（１
１２）面に配向させることができる。これにより、Ｉ−
ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物半導体からなる光吸収層におけ
る結晶欠陥が少なくなり、光キャリアの拡散長が長くな
るため、高い光電変換効率が得られる。
ＶＩ2族化合物を選定し、それらの格子定数の差を１５
％以内とすることによって、導電層上に形成されるＩ−
ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物薄膜をその最稠密面である（１
１２）面に配向させることができる。これにより、Ｉ−
ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物半導体からなる光吸収層におけ
る結晶欠陥が少なくなり、光キャリアの拡散長が長くな
るため、高い光電変換効率が得られる。
【００１５】一般に薄膜の結晶配向性は下地の影響を強
く受けることが知られており、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2族化
合物薄膜を（１１２）面に配向させるためには、その下
地層がそれに近い結晶面で構成されることが望ましい。
従って、下地層は、正方晶系の材料の（１１２）配向
（但しこの場合ａ軸の長さ：ｃ軸の長さ≒１：２の材料
を選択する）、立方晶系の材料の（１１１）配向、六方
晶系の材料の（００１）配向、及び三方晶系の材料の
（１１１）配向とするのが好適である。
く受けることが知られており、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2族化
合物薄膜を（１１２）面に配向させるためには、その下
地層がそれに近い結晶面で構成されることが望ましい。
従って、下地層は、正方晶系の材料の（１１２）配向
（但しこの場合ａ軸の長さ：ｃ軸の長さ≒１：２の材料
を選択する）、立方晶系の材料の（１１１）配向、六方
晶系の材料の（００１）配向、及び三方晶系の材料の
（１１１）配向とするのが好適である。
【００１６】これらの面とＩ−ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物
の（１１２）面の格子定数（単位格子の軸の長さ）の差
が１５％以内であると、配向性が良好なものとなる。格
子定数の差は、特に１０％以下であることが望ましい。
また、このように光吸収層の下地層として格子のマッチ
ングの良好な結晶層を用いることにより、熱的安定性が
向上し、経時変化を防止することができ常に高い光電変
換効率が得られる。
の（１１２）面の格子定数（単位格子の軸の長さ）の差
が１５％以内であると、配向性が良好なものとなる。格
子定数の差は、特に１０％以下であることが望ましい。
また、このように光吸収層の下地層として格子のマッチ
ングの良好な結晶層を用いることにより、熱的安定性が
向上し、経時変化を防止することができ常に高い光電変
換効率が得られる。
【００１７】Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物は構成元素と
して、Ｉ族としてＣｕおよびＡｇ、ＩＩＩ族としてＩ
ｎ、ＧａおよびＡｌ、ＶＩ族としてＳおよびＳｅと、数
種類の元素が選択できるため、それによって格子定数も
異なるが、ａ軸の長さは概ね５．４Å〜５．８Åの範囲
に入る。この時（１１２）面の格子定数は、３．８Å〜
４．１Åである。
して、Ｉ族としてＣｕおよびＡｇ、ＩＩＩ族としてＩ
ｎ、ＧａおよびＡｌ、ＶＩ族としてＳおよびＳｅと、数
種類の元素が選択できるため、それによって格子定数も
異なるが、ａ軸の長さは概ね５．４Å〜５．８Åの範囲
に入る。この時（１１２）面の格子定数は、３．８Å〜
４．１Åである。
【００１８】導電層を構成する材料としては、例えば
（００１）配向のＩｎＮ、及び（００１）配向のＩｎ
Ｎ，ＧａＮ，ＡｌＮ等の混晶などが好ましく、これらの
うち、（００１）面の格子定数とＩ−ＩＩＩ−ＶＩ2族
化合物の格子定数（単位格子の軸の長さ）との差が１５
％以内であるものを選択すればよい。
（００１）配向のＩｎＮ、及び（００１）配向のＩｎ
Ｎ，ＧａＮ，ＡｌＮ等の混晶などが好ましく、これらの
うち、（００１）面の格子定数とＩ−ＩＩＩ−ＶＩ2族
化合物の格子定数（単位格子の軸の長さ）との差が１５
％以内であるものを選択すればよい。
【００１９】上記第二に記載の光起電力装置は、導電層
を構成する材料が、一軸異方性を有していることを特徴
とするものである。導電層としてこのようなものを採用
することにより、上記第一に記載の光起電力装置におけ
る格子の整合がより良好に得られ、光吸収層の（１１
２）面配向性が向上し、光吸収層における結晶欠陥がよ
り少なくなり、高い光電変換効率が得られる。
を構成する材料が、一軸異方性を有していることを特徴
とするものである。導電層としてこのようなものを採用
することにより、上記第一に記載の光起電力装置におけ
る格子の整合がより良好に得られ、光吸収層の（１１
２）面配向性が向上し、光吸収層における結晶欠陥がよ
り少なくなり、高い光電変換効率が得られる。
【００２０】上記第三に記載の光起電力装置は、導電層
のシート抵抗値が５０Ω／□以下であることを特徴とす
るものである。導電層としてこのようなものを採用する
ことにより、直列抵抗成分が減少するため光キャリアを
有効に収集できるので高い光電変換効率が得られる。
のシート抵抗値が５０Ω／□以下であることを特徴とす
るものである。導電層としてこのようなものを採用する
ことにより、直列抵抗成分が減少するため光キャリアを
有効に収集できるので高い光電変換効率が得られる。
【００２１】上記第四に記載の光起電力装置は、導電層
が、光吸収層と接合を形成する中間層と、その中間層に
接して光の入射側と反対側の低抵抗層より構成されるこ
とを特徴とするものである。上記中間層は、正方晶系の
材料の（１１２）配向、立方晶系の材料の（１１１）配
向、六方晶系の材料の（００１）配向、及び三方晶系の
材料の（１１１）配向のいずれかの配向性を有し、さら
に、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物の（１１２）面の格子
定数（単位格子の軸の長さ）との差が１５％以内のもの
を選択し、いわゆるシード層としての役割を持たせるこ
とができる。また、上記低抵抗層としては、シート抵抗
値が５０Ω／□以下であることが好ましい。このよう
に、導電層を、中間層／低抵抗層の積層構造にすること
により、それぞれの役割に最も適した材料が選択できる
ようになり、光吸収層の（１１２）面配向性も向上させ
ることができ、光キャリアを有効に収集できるので高い
光電変換効率が得られる。
が、光吸収層と接合を形成する中間層と、その中間層に
接して光の入射側と反対側の低抵抗層より構成されるこ
とを特徴とするものである。上記中間層は、正方晶系の
材料の（１１２）配向、立方晶系の材料の（１１１）配
向、六方晶系の材料の（００１）配向、及び三方晶系の
材料の（１１１）配向のいずれかの配向性を有し、さら
に、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物の（１１２）面の格子
定数（単位格子の軸の長さ）との差が１５％以内のもの
を選択し、いわゆるシード層としての役割を持たせるこ
とができる。また、上記低抵抗層としては、シート抵抗
値が５０Ω／□以下であることが好ましい。このよう
に、導電層を、中間層／低抵抗層の積層構造にすること
により、それぞれの役割に最も適した材料が選択できる
ようになり、光吸収層の（１１２）面配向性も向上させ
ることができ、光キャリアを有効に収集できるので高い
光電変換効率が得られる。
【００２２】上記第五に記載の光起電力装置は、さらに
光吸収層に接して該層より光入射側に、光吸収層よりバ
ンドギャップの大きい半導体材料層を設けた構成よりな
ることを特徴とするものである。このような半導体材料
層を設けることにより、いわゆる窓効果によって、ホモ
接合の場合に比べて短波長感度が向上し、高い光電変換
効率を得ることができる。
光吸収層に接して該層より光入射側に、光吸収層よりバ
ンドギャップの大きい半導体材料層を設けた構成よりな
ることを特徴とするものである。このような半導体材料
層を設けることにより、いわゆる窓効果によって、ホモ
接合の場合に比べて短波長感度が向上し、高い光電変換
効率を得ることができる。
【００２３】上記第六に記載の光起電力装置は、光吸収
層よりバンドギャップの大きい半導体材料層が、光吸収
層と接合する半導体層と、その半導体層に接して光の入
射側に形成された透明電極層とから構成されることを特
徴とするものである。これにより、理想的な接合界面の
形成と表面再結合の抑止が可能となり、光吸収層とそれ
に接する層の接合特性が良好なものとなり、高い光電変
換効率を得ることができる。
層よりバンドギャップの大きい半導体材料層が、光吸収
層と接合する半導体層と、その半導体層に接して光の入
射側に形成された透明電極層とから構成されることを特
徴とするものである。これにより、理想的な接合界面の
形成と表面再結合の抑止が可能となり、光吸収層とそれ
に接する層の接合特性が良好なものとなり、高い光電変
換効率を得ることができる。
【００２４】上記第七に記載の光起電力装置は、光吸収
層と接合する半導体材料層が、少なくともＺｎＳ、Ｚｎ
Ｓｅ、ＺｎＯおよびこれらの混晶よりなる群より選択さ
れたものを含有して構成されていることを特徴とするも
のである。上記材料は、いずれもバンドギャップが２．
６ｅＶ以上と大きいため、大きな窓効果が期待でき、ま
た適当な混晶比を選択することによって、Ｉ−ＩＩＩ−
ＶＩ2族化合物半導体との格子不整合を小さくすること
ができるため、良好な接合特性が得られる。さらには、
従来用いられてきたＣｄＳにおけるＣｄのような有害な
物質を含まない点でも望ましい。
層と接合する半導体材料層が、少なくともＺｎＳ、Ｚｎ
Ｓｅ、ＺｎＯおよびこれらの混晶よりなる群より選択さ
れたものを含有して構成されていることを特徴とするも
のである。上記材料は、いずれもバンドギャップが２．
６ｅＶ以上と大きいため、大きな窓効果が期待でき、ま
た適当な混晶比を選択することによって、Ｉ−ＩＩＩ−
ＶＩ2族化合物半導体との格子不整合を小さくすること
ができるため、良好な接合特性が得られる。さらには、
従来用いられてきたＣｄＳにおけるＣｄのような有害な
物質を含まない点でも望ましい。
【００２５】上記第八に記載の光起電力装置の製造方法
は、Ｉ族およびＩＩＩ族元素を含む層を少なくともＶＩ
族元素を含む雰囲気中で加熱することによって光吸収層
を形成することを特徴とするものである。光吸収層をこ
のようにして形成することにより、基板（導電層）との
密着性、結晶性および導電率制御性を確保し、大面積を
有する光吸収層を大量に製造することが可能となり、光
起電力装置の製造コストを低減することができる。
は、Ｉ族およびＩＩＩ族元素を含む層を少なくともＶＩ
族元素を含む雰囲気中で加熱することによって光吸収層
を形成することを特徴とするものである。光吸収層をこ
のようにして形成することにより、基板（導電層）との
密着性、結晶性および導電率制御性を確保し、大面積を
有する光吸収層を大量に製造することが可能となり、光
起電力装置の製造コストを低減することができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面に基づ
いて以下に説明する。図１は本発明の光起電力装置の一
例を模式的に示す断面図であり、基板１、導電層２、Ｉ
−ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物半導体からなる光吸収層３、
光吸収層３と逆の伝導型である半導体層４および透明電
極層５から構成されている。図２は本発明の光起電力装
置の他の例を模式的に示す断面図であり、基板１、低抵
抗層２１、中間層（シード層）２２、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ
2族化合物半導体からなる光吸収層３、光吸収層３と逆
の伝導型である半導体層４および透明電極層５から構成
されている。基板１および導電層２は、導電層を設けた
基板でも、また導電性を備えた基板でもよい。
いて以下に説明する。図１は本発明の光起電力装置の一
例を模式的に示す断面図であり、基板１、導電層２、Ｉ
−ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物半導体からなる光吸収層３、
光吸収層３と逆の伝導型である半導体層４および透明電
極層５から構成されている。図２は本発明の光起電力装
置の他の例を模式的に示す断面図であり、基板１、低抵
抗層２１、中間層（シード層）２２、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ
2族化合物半導体からなる光吸収層３、光吸収層３と逆
の伝導型である半導体層４および透明電極層５から構成
されている。基板１および導電層２は、導電層を設けた
基板でも、また導電性を備えた基板でもよい。
【００２７】導電層２または中間層２２は、Ｉ−ＩＩＩ
−ＶＩ2族化合物の（１１２）面の格子定数（単位格子
の軸の長さ）との差が１５％以内、望ましくは１０％以
内となる材料（の配向した特定面）を選択し、例えば、
スパッタリング法、ＭＯＣＶＤ法などにより、ＩｎＮ、
Ｉｎ2Ｏ3、高濃度にドープしたＳｉおよびＳｉ−Ｇｅ混
晶等を膜厚１０〜５００ｎｍに堆積して形成する。この
際、ＩｎＮのような六方晶系の材料は（００１）面が、
Ｉｎ2Ｏ3およびＳｉのような立方晶系の材料は（１１
１）面が基板と平行に配向していることが望ましい。
−ＶＩ2族化合物の（１１２）面の格子定数（単位格子
の軸の長さ）との差が１５％以内、望ましくは１０％以
内となる材料（の配向した特定面）を選択し、例えば、
スパッタリング法、ＭＯＣＶＤ法などにより、ＩｎＮ、
Ｉｎ2Ｏ3、高濃度にドープしたＳｉおよびＳｉ−Ｇｅ混
晶等を膜厚１０〜５００ｎｍに堆積して形成する。この
際、ＩｎＮのような六方晶系の材料は（００１）面が、
Ｉｎ2Ｏ3およびＳｉのような立方晶系の材料は（１１
１）面が基板と平行に配向していることが望ましい。
【００２８】このような薄膜の配向性は製膜条件によっ
て制御することができる。例えば、反応性スパッタリン
グ法によりＩｎＮ薄膜を形成する場合には、ターゲット
に印加するＲＦ電力を小さくし、窒素ガス圧を小さくす
ることによって、基板加熱なしでも完全な（００１）面
配向が得られる。ＩｎＮは酸化物系の材料に比べて熱的
安定性も高いため導電層２または中間層２２の材料とし
て非常に好適である。また、導電層２のシート抵抗値は
５０Ω／□以下が望ましく、１０Ω／□以下がより好ま
しい。
て制御することができる。例えば、反応性スパッタリン
グ法によりＩｎＮ薄膜を形成する場合には、ターゲット
に印加するＲＦ電力を小さくし、窒素ガス圧を小さくす
ることによって、基板加熱なしでも完全な（００１）面
配向が得られる。ＩｎＮは酸化物系の材料に比べて熱的
安定性も高いため導電層２または中間層２２の材料とし
て非常に好適である。また、導電層２のシート抵抗値は
５０Ω／□以下が望ましく、１０Ω／□以下がより好ま
しい。
【００２９】これにより光キャリアを有効に収集できる
ので高い光電変換効率が得られる。ここで、シート抵抗
値は、電気抵抗率と膜厚の関係で変化するが、材料のコ
ストおよび残留応力等を考慮すると、導電層の膜厚は１
０μｍ以内程度にすることが望ましい。これより導電層
材料の電気抵抗率としては、５×１０-2Ωｃｍ以下が好
ましく、特に１×１０-2Ωｃｍ以下が好ましい。
ので高い光電変換効率が得られる。ここで、シート抵抗
値は、電気抵抗率と膜厚の関係で変化するが、材料のコ
ストおよび残留応力等を考慮すると、導電層の膜厚は１
０μｍ以内程度にすることが望ましい。これより導電層
材料の電気抵抗率としては、５×１０-2Ωｃｍ以下が好
ましく、特に１×１０-2Ωｃｍ以下が好ましい。
【００３０】導電層を低抵抗層２１と中間層（シード
層）２２の積層構造とする場合は、中間層のシート抵抗
値（中間層材料の電気抵抗率）に関してはこの限りでな
い。低抵抗層２１および中間層（シード層）２２を形成
するには、例えば、スパッタリング法、反応性スパッタ
リング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法、ＭＯ
ＣＶＤ法などを用いればよい。
層）２２の積層構造とする場合は、中間層のシート抵抗
値（中間層材料の電気抵抗率）に関してはこの限りでな
い。低抵抗層２１および中間層（シード層）２２を形成
するには、例えば、スパッタリング法、反応性スパッタ
リング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法、ＭＯ
ＣＶＤ法などを用いればよい。
【００３１】続いて、導電層または中間層上にＩ−ＩＩ
Ｉ−ＶＩ2族化合物半導体からなる光吸収層３を、多源
同時蒸着法、常圧または減圧気相硫化（セレン化）法な
どにより形成する。多源同時蒸着法は、Ｉ族、ＩＩＩ
族、ＶＩ族元素を別々の蒸発源から同時に蒸発させて、
上方に設置された基板（３００〜５００℃に加熱）上で
所望の組成の化合物を得る方法である。この場合、各元
素の蒸発速度を厳密にコントロールする必要がある。
Ｉ−ＶＩ2族化合物半導体からなる光吸収層３を、多源
同時蒸着法、常圧または減圧気相硫化（セレン化）法な
どにより形成する。多源同時蒸着法は、Ｉ族、ＩＩＩ
族、ＶＩ族元素を別々の蒸発源から同時に蒸発させて、
上方に設置された基板（３００〜５００℃に加熱）上で
所望の組成の化合物を得る方法である。この場合、各元
素の蒸発速度を厳密にコントロールする必要がある。
【００３２】気相硫化（セレン化）法は、Ｉ族およびＩ
ＩＩ族元素からなる積層膜あるいは混合膜を真空蒸着
法、スパッタリング法などで基板上に形成した後、Ｓあ
るいはＳｅを含む雰囲気、例えば不活性ガスで希釈した
Ｈ2ＳあるいはＨ2Ｓｅガス中（常圧あるいは減圧）で４
００〜６００℃に加熱して化合物を得る方法であり、こ
の方法は光吸収層の大面積化、量産化が容易である点か
ら好ましい。Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物半導体からな
る光吸収層３の膜厚としては、０．５〜５μｍが適切で
ある。このＩ−ＩＩＩ−ＶＩ2化合物半導体を構成する
元素は、Ｉ族元素としてＣｕ、Ａｇ、ＩＩＩ族元素とし
てＩｎ、Ｇａ、Ａｌ、ＶＩ族元素としてＳｅ、Ｓから各
々１種類以上を選択することが適切である。
ＩＩ族元素からなる積層膜あるいは混合膜を真空蒸着
法、スパッタリング法などで基板上に形成した後、Ｓあ
るいはＳｅを含む雰囲気、例えば不活性ガスで希釈した
Ｈ2ＳあるいはＨ2Ｓｅガス中（常圧あるいは減圧）で４
００〜６００℃に加熱して化合物を得る方法であり、こ
の方法は光吸収層の大面積化、量産化が容易である点か
ら好ましい。Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物半導体からな
る光吸収層３の膜厚としては、０．５〜５μｍが適切で
ある。このＩ−ＩＩＩ−ＶＩ2化合物半導体を構成する
元素は、Ｉ族元素としてＣｕ、Ａｇ、ＩＩＩ族元素とし
てＩｎ、Ｇａ、Ａｌ、ＶＩ族元素としてＳｅ、Ｓから各
々１種類以上を選択することが適切である。
【００３３】Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物半導体からな
る光吸収層に接して該層より光入射側に設けられる半導
体材料層（光吸収層と逆の伝導型である半導体材料層）
の材料としてはＩ−ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物半導体と同
一の化合物半導体を用いること（ホモ接合）もできる
が、それよりバンドギャップの大きい半導体を用いるこ
とが、窓効果によって短波長領域の光をより多く光吸収
層に取り込むことができる点、すなわち短波長感度を向
上させる点から望ましい。さらには、半導体材料層を半
導体層（光吸収層と逆の伝導型である半導体層）４とそ
の上の透明電極層（例えば縮退したｎ型半導体層）５の
積層として形成することが、接合特性を良好とする点か
ら望ましい。
る光吸収層に接して該層より光入射側に設けられる半導
体材料層（光吸収層と逆の伝導型である半導体材料層）
の材料としてはＩ−ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物半導体と同
一の化合物半導体を用いること（ホモ接合）もできる
が、それよりバンドギャップの大きい半導体を用いるこ
とが、窓効果によって短波長領域の光をより多く光吸収
層に取り込むことができる点、すなわち短波長感度を向
上させる点から望ましい。さらには、半導体材料層を半
導体層（光吸収層と逆の伝導型である半導体層）４とそ
の上の透明電極層（例えば縮退したｎ型半導体層）５の
積層として形成することが、接合特性を良好とする点か
ら望ましい。
【００３４】半導体層４は、例えば溶液成長法、ＭＯＣ
ＶＤ法等により、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ、ＺｎＯまたはこれ
らの混晶を膜厚１０〜２００ｎｍに堆積して形成し、透
明電極層５は、例えばスパッタリング法、イオンプレー
ティング法、真空蒸着法、ＭＯＣＶＤ法等によりＩＴ
Ｏ、ＺｎＯ：Ａｌ等を膜厚０．１〜２μｍに堆積して形
成することができる。
ＶＤ法等により、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ、ＺｎＯまたはこれ
らの混晶を膜厚１０〜２００ｎｍに堆積して形成し、透
明電極層５は、例えばスパッタリング法、イオンプレー
ティング法、真空蒸着法、ＭＯＣＶＤ法等によりＩＴ
Ｏ、ＺｎＯ：Ａｌ等を膜厚０．１〜２μｍに堆積して形
成することができる。
【００３５】
【実施例】以下に本発明を実施例により説明する。 実施例１ ガラス基板上にＭｏをスパッタリング法により堆積し膜
厚ｌμｍの低抵抗層を形成した。この低抵抗層上にＩｎ
Ｎ膜を反応性スパッタリング法により堆積し膜厚１００
ｎｍの中間層（シード層）を形成した。この反応性スパ
ッタリング時の窒素ガス圧を０．３Ｐａとし、ＲＦ電力
を２００Ｗとした。この中間層（シード層）はＸ線回折
の測定結果から完全な（００１）面配向を示した。
厚ｌμｍの低抵抗層を形成した。この低抵抗層上にＩｎ
Ｎ膜を反応性スパッタリング法により堆積し膜厚１００
ｎｍの中間層（シード層）を形成した。この反応性スパ
ッタリング時の窒素ガス圧を０．３Ｐａとし、ＲＦ電力
を２００Ｗとした。この中間層（シード層）はＸ線回折
の測定結果から完全な（００１）面配向を示した。
【００３６】ついで、ＣｕターゲットとＩｎターゲット
を用いて、スパッタリング法により中間層（シード層）
上にＣｕ／Ｉｎの積層膜を堆積し、これをＡｒで希釈し
たＨ2Ｓガス中で５００℃に加熱することにより、膜厚
２μｍのｐ型Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物半導体（Ｃｕ
ＩｎＳ2）からなる光吸収層を形成した。上記ＣｕＩｎ
Ｓ2からなる光吸収層は、Ｘ線回折の結果、（１１２）
面に優先配向していたが、それ以外の面からの回折線も
観測された。２番目に強度の大きかった（２０４）面か
らの回折線との強度比は、３６．０で極めて強く配向し
ていることがわかった。ここで、各材料の配向面の単位
軸の長さはＣｕＩｎＳ2が３．９１Å、ＩｎＮが３．５
４Åであり、ＣｕＩｎＳ2とＩｎＮの差は約１０％であ
る。
を用いて、スパッタリング法により中間層（シード層）
上にＣｕ／Ｉｎの積層膜を堆積し、これをＡｒで希釈し
たＨ2Ｓガス中で５００℃に加熱することにより、膜厚
２μｍのｐ型Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物半導体（Ｃｕ
ＩｎＳ2）からなる光吸収層を形成した。上記ＣｕＩｎ
Ｓ2からなる光吸収層は、Ｘ線回折の結果、（１１２）
面に優先配向していたが、それ以外の面からの回折線も
観測された。２番目に強度の大きかった（２０４）面か
らの回折線との強度比は、３６．０で極めて強く配向し
ていることがわかった。ここで、各材料の配向面の単位
軸の長さはＣｕＩｎＳ2が３．９１Å、ＩｎＮが３．５
４Åであり、ＣｕＩｎＳ2とＩｎＮの差は約１０％であ
る。
【００３７】次に、ｐ型Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物半
導体（ＣｕＩｎＳ2）からなる光吸収層上に、ｎ型半導
体層として、膜厚１００ｎｍのＺｎＯ−ＺｎＳ混晶膜を
ＭＯＣＶＤ法を用いて堆積した。続いて、透明電極層と
して膜厚５００ｎｍのＩＴＯ膜をスパッタリング法を用
いて堆積し光起電力装置を得た。この光起電力装置の光
電変換効率は、１１．７％であった。
導体（ＣｕＩｎＳ2）からなる光吸収層上に、ｎ型半導
体層として、膜厚１００ｎｍのＺｎＯ−ＺｎＳ混晶膜を
ＭＯＣＶＤ法を用いて堆積した。続いて、透明電極層と
して膜厚５００ｎｍのＩＴＯ膜をスパッタリング法を用
いて堆積し光起電力装置を得た。この光起電力装置の光
電変換効率は、１１．７％であった。
【００３８】比較例１ 中間層として膜厚１００ｎｍのＺｎＯを形成した以外は
実施例１と同様にしてｐ型Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物
半導体（ＣｕＩｎＳ2）からなる光吸収層を形成した。
上記ＣｕＩｎＳ2からなる光吸収層は、Ｘ線回折の結
果、（１１２）面に優先配向していたが、それ以外の面
からの回折線も観測された。２番目に強度の大きかった
（２０４）面からの回折線との強度比は、５．５であり
実施例１と比べて遥かに小さく、配向が弱いことがわか
った。ここで、各材料の配向面の単位軸の長さはＣｕＩ
ｎＳ2が３．９１Å、ＺｎＯが３．２５Åであり、Ｃｕ
ＩｎＳ2とＺｎＯの差は約１７％である。
実施例１と同様にしてｐ型Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物
半導体（ＣｕＩｎＳ2）からなる光吸収層を形成した。
上記ＣｕＩｎＳ2からなる光吸収層は、Ｘ線回折の結
果、（１１２）面に優先配向していたが、それ以外の面
からの回折線も観測された。２番目に強度の大きかった
（２０４）面からの回折線との強度比は、５．５であり
実施例１と比べて遥かに小さく、配向が弱いことがわか
った。ここで、各材料の配向面の単位軸の長さはＣｕＩ
ｎＳ2が３．９１Å、ＺｎＯが３．２５Åであり、Ｃｕ
ＩｎＳ2とＺｎＯの差は約１７％である。
【００３９】次に、ｐ型Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物半
導体（ＣｕＩｎＳ2）からなる光吸収層上に、ｎ型半導
体層として、膜厚１００ｎｍのＺｎＯ−ＺｎＳ混晶膜を
ＭＯＣＶＤ法を用いて堆積した。続いて、透明電極層と
して膜厚５００ｎｍのＩＴＯ膜をスパッタリング法を用
いて堆積し光起電力装置を得た。この光起電力装置の光
電変換効率は、９．５％であり、実施例１の光起電力装
置の光電変換効率に比べて、約２０％劣っていた。
導体（ＣｕＩｎＳ2）からなる光吸収層上に、ｎ型半導
体層として、膜厚１００ｎｍのＺｎＯ−ＺｎＳ混晶膜を
ＭＯＣＶＤ法を用いて堆積した。続いて、透明電極層と
して膜厚５００ｎｍのＩＴＯ膜をスパッタリング法を用
いて堆積し光起電力装置を得た。この光起電力装置の光
電変換効率は、９．５％であり、実施例１の光起電力装
置の光電変換効率に比べて、約２０％劣っていた。
【００４０】比較例２ 中間層として（００１）面配向していない（他の面から
の回折線も観測される）ＩｎＮ膜（膜厚１００ｎｍ）を
形成した以外は実施例１と同様にしてｐ型Ｉ−ＩＩＩ−
ＶＩ2族化合物半導体（ＣｕＩｎＳ2）からなる光吸収層
を形成した。上記ＣｕＩｎＳ2からなる光吸収層は、Ｘ
線回折の結果、（１１２）面に優先配向していたが、
（２０４）面からの回折線との強度比は、６．５であり
実施例１と比べて遥かに小さく、配向が弱いことがわか
った。
の回折線も観測される）ＩｎＮ膜（膜厚１００ｎｍ）を
形成した以外は実施例１と同様にしてｐ型Ｉ−ＩＩＩ−
ＶＩ2族化合物半導体（ＣｕＩｎＳ2）からなる光吸収層
を形成した。上記ＣｕＩｎＳ2からなる光吸収層は、Ｘ
線回折の結果、（１１２）面に優先配向していたが、
（２０４）面からの回折線との強度比は、６．５であり
実施例１と比べて遥かに小さく、配向が弱いことがわか
った。
【００４１】次に、ｐ型Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物半
導体（ＣｕＩｎＳ2）からなる光吸収層上に、ｎ型半導
体層として、膜厚１００ｎｍのＺｎＯ−ＺｎＳ混晶膜を
ＭＯＣＶＤ法を用いて堆積した。続いて、透明電極層と
して膜厚５００ｎｍのＩＴＯ膜をスパッタリング法を用
いて堆積し光起電力装置を得た。この光起電力装置の光
電変換効率は、１０．５％であった。
導体（ＣｕＩｎＳ2）からなる光吸収層上に、ｎ型半導
体層として、膜厚１００ｎｍのＺｎＯ−ＺｎＳ混晶膜を
ＭＯＣＶＤ法を用いて堆積した。続いて、透明電極層と
して膜厚５００ｎｍのＩＴＯ膜をスパッタリング法を用
いて堆積し光起電力装置を得た。この光起電力装置の光
電変換効率は、１０．５％であった。
【００４２】比較例３ 中間層（ＩｎＮ）を堆積しない以外は、実施例１と同様
にしてｐ型Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物半導体（ＣｕＩ
ｎＳ2）からなる光吸収層を形成した。次に、ｐ型Ｉ−
ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物半導体（ＣｕＩｎＳ2）からなる
光吸収層上に、ｎ型半導体層として、膜厚１００ｎｍの
ＺｎＯ−ＺｎＳ混晶膜をＭＯＣＶＤ法を用いて堆積し
た。続いて、透明電極層として膜厚５００ｎｍのＩＴＯ
膜をスパッタリング法を用いて堆積し光起電力装置を得
た。この光起電力装置の光電変換効率は、８．８％であ
った。
にしてｐ型Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物半導体（ＣｕＩ
ｎＳ2）からなる光吸収層を形成した。次に、ｐ型Ｉ−
ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物半導体（ＣｕＩｎＳ2）からなる
光吸収層上に、ｎ型半導体層として、膜厚１００ｎｍの
ＺｎＯ−ＺｎＳ混晶膜をＭＯＣＶＤ法を用いて堆積し
た。続いて、透明電極層として膜厚５００ｎｍのＩＴＯ
膜をスパッタリング法を用いて堆積し光起電力装置を得
た。この光起電力装置の光電変換効率は、８．８％であ
った。
【００４３】
【発明の効果】請求項１および２の光起電力装置によれ
ば、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物の配向性が高くなり、
光吸収層における結晶欠陥が少なくなることにより光キ
ャリアの拡散長が長くなるため、高い光電変換効率が得
られる。請求項３および４の光起電力装置によれば、光
キャリアを有効に収集できるため、高い光電変換効率が
得られる。請求項５の光起電力装置によれば、短波長感
度が向上し、高い光電変換効率が得られる。
ば、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物の配向性が高くなり、
光吸収層における結晶欠陥が少なくなることにより光キ
ャリアの拡散長が長くなるため、高い光電変換効率が得
られる。請求項３および４の光起電力装置によれば、光
キャリアを有効に収集できるため、高い光電変換効率が
得られる。請求項５の光起電力装置によれば、短波長感
度が向上し、高い光電変換効率が得られる。
【００４４】請求項６の光起電力装置によれば、光吸収
層とそれに接する層の接合特性が良好となるので、高い
光電変換効率が得られる。請求項７の光起電力装置によ
れば、高い光電変換効率が得られると共に有害物質を含
まないため、安全性の高い光起電力装置が得られる。請
求項８の光起電力装置の製造方法によれば、大面積を有
する光吸収層を大量に製造することが可能となり、光起
電力装置の製造コストを低減することができる。
層とそれに接する層の接合特性が良好となるので、高い
光電変換効率が得られる。請求項７の光起電力装置によ
れば、高い光電変換効率が得られると共に有害物質を含
まないため、安全性の高い光起電力装置が得られる。請
求項８の光起電力装置の製造方法によれば、大面積を有
する光吸収層を大量に製造することが可能となり、光起
電力装置の製造コストを低減することができる。
【図１】本発明の光起電力装置の一例を模式的に示す断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の光起電力装置の他の例を模式的に示す
断面図である。
断面図である。
１ 基板 ２ 導電層 ２１ 低抵抗層 ２２ 中間層（シード層） ３ Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物半導体からなる光吸
収層 ４ 半導体層 ５ 透明電極層
収層 ４ 半導体層 ５ 透明電極層
Claims (8)
- 【請求項１】 Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物半導体から
なる光吸収層およびその光吸収層に接して光の入射側と
反対側に形成された導電層を有する光起電力装置におい
て、該導電層を構成する材料の格子定数と、Ｉ−ＩＩＩ
−ＶＩ2族化合物の格子定数との差が１５％以内である
ことを特徴とする光起電力装置。 - 【請求項２】 導電層を構成する材料が一軸異方性を有
していることを特徴とする請求項１記載の光起電力装
置。 - 【請求項３】 導電層のシート抵抗値が５０Ω／□以下
であることを特徴とする請求項１または２記載の光起電
力装置。 - 【請求項４】 導電層が、光吸収層と接合する中間層
と、その中間層に接して光の入射側と反対側に形成され
た低抵抗層とからなることを特徴とする請求項１、２ま
たは３記載の光起電力装置。 - 【請求項５】 光吸収層に接して光の入射側に、該光吸
収層よりバンドギャップの大きい半導体材料層を有する
ことを特徴とする請求項１、２、３または４記載の光起
電力装置。 - 【請求項６】 半導体材料層が、光吸収層と接合する半
導体層と、その半導体層に接して光の入射側に形成され
た透明電極層とからなることを特徴とする請求項５記載
の光起電力装置。 - 【請求項７】 光吸収層と接合する半導体材料層が、少
なくともＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＯおよびこれらの混晶
よりなる群より選択されたものを含有して構成されてい
ることを特徴とする請求項５または６記載の光起電力装
置。 - 【請求項８】 Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物半導体から
なる光吸収層およびその光吸収層に接して光の入射側と
反対側に形成された導電層を有する光起電力装置の製造
方法において、Ｉ族およびＩＩＩ族元素を含む層を少な
くともＶＩ族元素を含む雰囲気中で加熱することによっ
て、導電層を構成する材料の格子定数と、Ｉ−ＩＩＩ−
ＶＩ2族化合物の格子定数との差が１５％以内である光
吸収層を形成することを特徴とする光起電力装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9347268A JPH11168227A (ja) | 1997-12-02 | 1997-12-02 | 光起電力装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9347268A JPH11168227A (ja) | 1997-12-02 | 1997-12-02 | 光起電力装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11168227A true JPH11168227A (ja) | 1999-06-22 |
Family
ID=18389073
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9347268A Pending JPH11168227A (ja) | 1997-12-02 | 1997-12-02 | 光起電力装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11168227A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007104547A1 (en) * | 2006-03-14 | 2007-09-20 | Corus Technology B.V. | Chalcopyrite semiconductor based photovoltaic solar cell comprising a metal substrate, coated metal substrate for a photovoltaic solar cell and manufacturing method thereof |
| JP2007335625A (ja) * | 2006-06-15 | 2007-12-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 太陽電池 |
| JP2013062547A (ja) * | 2009-06-19 | 2013-04-04 | Korea Electronics Telecommun | 太陽電池及びその製造方法 |
-
1997
- 1997-12-02 JP JP9347268A patent/JPH11168227A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007104547A1 (en) * | 2006-03-14 | 2007-09-20 | Corus Technology B.V. | Chalcopyrite semiconductor based photovoltaic solar cell comprising a metal substrate, coated metal substrate for a photovoltaic solar cell and manufacturing method thereof |
| JP2009529798A (ja) * | 2006-03-14 | 2009-08-20 | コラス、テクノロジー、ベスローテン、フェンノートシャップ | 金属基材を含んでなるカルコパイライト半導体系光起電力太陽電池、光起電力太陽電池用の被覆された金属基材、およびその製造方法 |
| JP2007335625A (ja) * | 2006-06-15 | 2007-12-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 太陽電池 |
| JP2013062547A (ja) * | 2009-06-19 | 2013-04-04 | Korea Electronics Telecommun | 太陽電池及びその製造方法 |
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