JPH11168049A - Manufacture of stencil mask - Google Patents
Manufacture of stencil maskInfo
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- JPH11168049A JPH11168049A JP33382697A JP33382697A JPH11168049A JP H11168049 A JPH11168049 A JP H11168049A JP 33382697 A JP33382697 A JP 33382697A JP 33382697 A JP33382697 A JP 33382697A JP H11168049 A JPH11168049 A JP H11168049A
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、感応基板（例え
ば、レジストが塗布されたウェハ）に転写すべきステン
シルパターンが形成されたメンブレンが支持部材により
支持されてなるマスク（マスク及びレチクルを含む広義
のマスク）を製造する方法に関するものである。The present invention relates to a mask (including a mask and a reticle) in which a membrane having a stencil pattern to be transferred onto a sensitive substrate (eg, a wafer coated with a resist) is supported by a support member. Of the mask).
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、半導体集積回路技術の進展は目ざ
ましく、半導体素子の微細化、高集積化の傾向も著し
い。半導体ウェハに集積回路パターンを焼き付けるため
のリソグラフィー装置としては、これまで光を用いた所
謂光ステッパー装置が一般的であった。2. Description of the Related Art In recent years, the development of semiconductor integrated circuit technology has been remarkable, and the tendency of miniaturization and high integration of semiconductor elements has been remarkable. As a lithography apparatus for printing an integrated circuit pattern on a semiconductor wafer, a so-called optical stepper apparatus using light has been generally used.
【０００３】しかし、集積回路の高集積化に伴い、長年
微細パタンを形成する手段の主流であった光を用いたフ
ォトリソグラフィー技術に代わって、荷電粒子線（例え
ば電子線やイオンビーム）やＸ線を利用する新しい露光
方式が検討され、実用化されている。このうち、電子線
を利用してパタン形成する電子線露光は、電子線そのも
のを数ｎｍにまで絞ることができるため、１μｍまたは
それ以下の微細パターンを作製できる点に大きな特徴を
有している。However, with the increase in the degree of integration of integrated circuits, instead of photolithography using light, which has been the mainstream of means for forming fine patterns for many years, charged particle beams (for example, electron beams and ion beams) and X-rays have been proposed. A new exposure method using lines has been studied and put into practical use. Among them, electron beam exposure in which a pattern is formed using an electron beam has a great feature in that a fine pattern of 1 μm or less can be produced because an electron beam itself can be reduced to several nm. .
【０００４】しかし、従来からある電子線露光方式は一
筆書きの方式であったため、微細パタンになればなるほ
ど、絞った電子線で描画せねばならず、描画時間が長く
なりスループットに大きく影響を与えることになった。
そこで考え出されたのが、所定パターンを有するマスク
に電子線を照射し、その照射範囲にあるパターンを投影
光学系によりウェハに縮小転写する（マスク上のパター
ンを部分部分一括して露光する）方式である。However, since the conventional electron beam exposure method is a one-stroke writing method, the finer the pattern, the more the pattern must be drawn with a narrower electron beam, and the longer the drawing time, which greatly affects the throughput. is what happened.
What has been devised is that a mask having a predetermined pattern is irradiated with an electron beam, and a pattern in the irradiation range is reduced and transferred to a wafer by a projection optical system (patterns on the mask are partially exposed collectively). It is a method.
【０００５】このマスクは、薄膜状の基板（メンブレ
ン）に所定のパターン形状に電子線通過部の開口（貫通
孔）を設けたステンシルタイプのマスクとなっている。
かかる縮小転写方式において使用されるステンシルマス
クの一例を図４に示す。図４のマスク２１は、シリコン
製のマスク基板２２に貫通孔２３が設けられたものであ
り、マスク基板２２は電子線を吸収するのに十分な厚さ
（例えば５０μｍ）にて形成される。This mask is a stencil type mask in which an opening (through hole) of an electron beam passage portion is provided in a predetermined pattern on a thin film substrate (membrane).
FIG. 4 shows an example of a stencil mask used in such a reduction transfer method. The mask 21 shown in FIG. 4 has a through-hole 23 formed in a mask substrate 22 made of silicon. The mask substrate 22 is formed with a thickness (for example, 50 μm) sufficient to absorb an electron beam.
【０００６】マスク２１に照射された電子線は貫通孔２
３のみを通過し、その通過した電子線ＥＢを一対の投影
レンズ２４ａ、２４ｂにて感応基板（例えば、レジスト
を塗布したシリコンウェハ）２５のレジスト面に集束さ
せると、感応基板２５に貫通孔２３の形状に対応したパ
ターンが転写される。かかるステンシルマスクは、電子
線の殆どを基板２２の非貫通孔部分により吸収すべく、
基板２２の厚さを大きくしているので、大量の熱がマス
クに発生してマスクの大きな熱変形（パターン歪み）を
引き起こす。[0006] The electron beam irradiated on the mask 21 passes through the through hole 2.
3, the electron beam EB having passed therethrough is focused on a resist surface of a sensitive substrate (eg, a silicon wafer coated with a resist) 25 by a pair of projection lenses 24a and 24b. The pattern corresponding to the shape is transferred. Such a stencil mask absorbs most of the electron beam by the non-through hole portion of the substrate 22,
Since the thickness of the substrate 22 is increased, a large amount of heat is generated in the mask, causing large thermal deformation (pattern distortion) of the mask.
【０００７】そこで、電子線が照射される基板部分の厚
さを薄くしてメンブレンとし、このメンブレンに貫通孔
パターンを形成した散乱ステンシルマスクとすれば、前
記熱変形の問題を解決することができる。この散乱ステ
ンシルマスクを用いる場合には、図４の電子光学系にお
いて、投影レンズ２４ａによる電子線のクロスオーバ像
ＣＯの近傍にアパーチャを設置すればよい。Therefore, the problem of the thermal deformation can be solved by reducing the thickness of the substrate portion to be irradiated with the electron beam to form a membrane and forming a scattering stencil mask having a through-hole pattern formed on the membrane. . When this scattering stencil mask is used, in the electron optical system shown in FIG. 4, an aperture may be provided near the crossover image CO of the electron beam by the projection lens 24a.
【０００８】即ち、メンブレンを透過して散乱する電子
線（アパーチャにより遮蔽される）と、貫通孔を通過す
る電子線（アパーチャを通過する）とで、コントラスト
が得られ、その結果、マスク上の貫通孔パターンが感応
基板２５上に転写される。この薄くしたメンブレンは、
熱的及び強度的に弱いので、これを保持する構造が必要
であり、そのため、荷電粒子線用の散乱ステンシルマス
クとして、「感応基板に転写すべきパターンをメンブレ
ン上にそれぞれ備えた多数の小領域が前記パターンが存
在しない境界領域により区分され、前記境界領域に対応
する部分に支柱が設けられたマスク（メンブレンを熱的
及び強度的に保持する構造を有するマスク）」が使用さ
れている。That is, a contrast is obtained between an electron beam transmitted through the membrane and scattered (shielded by the aperture) and an electron beam transmitted through the through-hole (passes through the aperture). The through-hole pattern is transferred onto the sensitive substrate 25. This thinned membrane
Since it is weak in terms of heat and strength, it is necessary to have a structure for holding the same. Therefore, as a scattering stencil mask for a charged particle beam, `` a large number of small areas each having a pattern to be transferred to a sensitive substrate on a membrane are provided. Is used. A mask (a mask having a structure for thermally and strength-holding a membrane) which is divided by a boundary region where the pattern does not exist, and in which a pillar is provided in a portion corresponding to the boundary region.
【０００９】例えば、電子線縮小転写装置用の散乱ステ
ンシルマスクとしては、感応基板（例えばレジストを塗
布したウェハ）に転写すべきパターンをそれぞれ備えた
多数の小領域１００ａが境界領域（パターンが存在しな
い領域）１００ｂにより格子状に区分され、境界領域に
対応する部分に格子状の支柱Ｘが設けられたものが使用
されており、その一例を図５に示す。For example, as a scattering stencil mask for an electron beam reduction transfer apparatus, a large number of small areas 100a each having a pattern to be transferred to a sensitive substrate (eg, a wafer coated with a resist) are boundary areas (no pattern exists). An area 100b is divided into a lattice shape, and a lattice-shaped support X is provided at a portion corresponding to the boundary area, and an example thereof is shown in FIG.
【００１０】図５のマスク１００は、電子線を透過させ
るメンブレン２０の上面のうち、前記多数の小領域１０
０ａのそれぞれに貫通孔パターンが形成され、またメン
ブレン２０の下面のうち、前記格子状の境界領域１００
ｂに対応する部分に格子状の支柱Ｘが設けられている
（図５（b））。各小領域１００ａは、感応基板の１チ
ップ（１チップの半導体）分の領域に転写すべきパター
ンを分割した部分パターンをそれぞれ備えている。[0010] The mask 100 shown in FIG. 5 is formed on the upper surface of the membrane 20 through which the electron beam is transmitted.
0a, a through-hole pattern is formed in each of the lattice-shaped boundary regions 100 on the lower surface of the membrane 20.
A grid-like column X is provided at a portion corresponding to b (FIG. 5B). Each small area 100a has a partial pattern obtained by dividing a pattern to be transferred to an area of one chip (one chip semiconductor) of the sensitive substrate.
【００１１】即ち、一回に電子線により露光されるマス
ク上の小領域は１ｍｍ角程度であり、半導体チップ全体
を焼くために、１ｍｍ角程度のパターン小領域をマスク
上に設けている。このような電子線縮小転写用マスク１
００を用いたパターン転写では、各小領域１００ａに対
して電子線が走査され、各小領域１００ａのパターンが
感応基板に順次、縮小転写される。That is, a small area on the mask which is exposed by an electron beam at one time is about 1 mm square, and a small pattern area of about 1 mm square is provided on the mask to burn the entire semiconductor chip. Such an electron beam reduction transfer mask 1
In the pattern transfer using 00, an electron beam is scanned for each small area 100a, and the pattern of each small area 100a is sequentially reduced and transferred to the sensitive substrate.
【００１２】以上のようなマスクを用いた転写方法によ
れば、薄膜化されたマスク基板（メンブレン）が支柱に
より強固に支持されるので、荷電粒子線照射によるマス
ク基板のたわみや熱歪みを抑制することができる。この
ステンシルマスクは、以下のような方法により一般的に
作製されている。まず、ボロンをドープした（１００）
面Ｓｉウェハの裏側から水酸化カリウム水溶液によりウ
ェットエッチングする。ここで、ウエットエッチングさ
れる場所以外は窒化シリコン等（エッチングマスク）で
保護されている。According to the transfer method using a mask as described above, the thinned mask substrate (membrane) is firmly supported by the columns, so that deflection and thermal distortion of the mask substrate due to irradiation of charged particle beams are suppressed. can do. This stencil mask is generally manufactured by the following method. First, boron doped (100)
Wet etching is performed from the back side of the surface Si wafer with an aqueous solution of potassium hydroxide. Here, the portion other than the portion to be wet-etched is protected by silicon nitride or the like (etching mask).
【００１３】（１００）面Ｓｉウェハには、所望する厚
さに１×１０20ａｔｏｍ／ｃｍ3の濃度のボロンをドー
プさせてドープ層が形成されており、該ドープ層におけ
るウェットエッチング速度を遅くできる（エッチングス
トッパーとなる）ので、ウェットエッチングによりドー
プ層からなるメンブレンが形成される。次に、メンブレ
ン上に塗布したレジストに電子線描画装置などを使用し
てパターンを露光し、そのパターンをメンブレンに転写
することにより、メンブレン上にステンシルパターンを
作製する。On a (100) plane Si wafer, a doped layer is formed by doping a desired thickness with boron at a concentration of 1 × 10 20 atoms / cm 3 , and the wet etching rate in the doped layer is reduced. As a result, the membrane composed of a doped layer is formed by wet etching. Next, a pattern is exposed to the resist applied on the membrane using an electron beam lithography apparatus or the like, and the pattern is transferred to the membrane, thereby forming a stencil pattern on the membrane.
【００１４】また、ボロンドープシリコンウェハの代わ
りに、ＳＯＩウェハや電気化学エッチング法を利用する
方法もある。There is also a method using an SOI wafer or an electrochemical etching method instead of the boron-doped silicon wafer.
【００１５】[0015]
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年のドラ
イエッチング装置においては、安定したエッチング結果
をもたらすために、或いは異方性エッチングを行なうた
めに、エッチング対象物である基板の温度を所定（また
は所定範囲）の一定温度に保持すべく、基板の裏面から
温度制御を行なっている。In recent dry etching apparatuses, the temperature of a substrate to be etched is set to a predetermined value (or to obtain a stable etching result or to perform anisotropic etching). The temperature is controlled from the back surface of the substrate in order to keep the temperature within a predetermined range.
【００１６】即ち、基板裏面に対して、一定温度のヘリ
ウムや窒素（圧力 数十ｍtorr）を流すことにより、基
板を温度制御しており、一例として、摂氏−１１０度程
度まで冷却させた窒素を用いて基板を冷却させる極低温
エッチングや、エッチング中の室温からの温度上昇を防
ぐためヘリウムを用いる場合などがある。しかし、薄い
メンブレンに貫通孔を設けるステンシルタイプのマスク
の場合には、前記ドライエッチングによる貫通孔形成時
に、基板温度制御のガス圧力によって、メンブレンが変
形したり破壊するおそれがあり、問題であった。That is, the temperature of the substrate is controlled by flowing helium or nitrogen (pressure of several tens mtorr) at a constant temperature to the back surface of the substrate. As an example, nitrogen cooled to about -110 degrees Celsius is used. Cryogenic etching for cooling the substrate by using helium to prevent temperature rise from room temperature during etching. However, in the case of a stencil-type mask in which a through-hole is provided in a thin membrane, the membrane may be deformed or broken due to a gas pressure for controlling the substrate temperature during the formation of the through-hole by the dry etching. .
【００１７】また、変形したり破壊しないときでも、貫
通と同時にステンシルパターンを通ってガスが漏れ、ド
ライエッチングに悪影響をもたらすという問題があっ
た。また、これを防ぐために、別の基板にウェハを貼り
付け、この別基板（土台基板）を前記ガスにより冷却
し、別基板を介して温度制御を行う場合には（図６）、
土台基板とエッチングするメンブレンの間に透き間が空
いてしまうため、メンブレンの温度制御が充分にできな
いという問題があった。Further, even when the gas does not deform or break, there is a problem that gas leaks through the stencil pattern at the same time as penetration and adversely affects dry etching. In order to prevent this, when a wafer is attached to another substrate, this another substrate (base substrate) is cooled by the gas, and temperature control is performed through another substrate (FIG. 6),
Since a gap is left between the base substrate and the membrane to be etched, there is a problem that the temperature of the membrane cannot be sufficiently controlled.
【００１８】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
ものであり、温度制御用ガス（冷却ガスを含む）を用い
たドライエッチングによりメンブレンに貫通孔パターン
を形成する際における、メンブレンの変形、破壊のおそ
れや、前記ガス漏れによるドライエッチングへの悪影響
がなく、また温度制御を充分に行うことができるステン
シルマスクの製造方法を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above problems, and has been made in consideration of deformation of the membrane when forming a through-hole pattern in the membrane by dry etching using a temperature control gas (including a cooling gas). It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a stencil mask that does not cause a risk of destruction and has no adverse effect on dry etching due to the gas leakage and that can sufficiently control the temperature.
【００１９】[0019]
【課題を解決するための手段】そのため、本発明は第一
に「感応基板に転写すべきステンシルパターンが形成さ
れたメンブレンが支持部材により支持されてなるステン
シルマスクを製造する方法において、表層にボロンがド
ープされ、結晶方位が（１００）のシリコン基板を用意
する工程と、前記シリコン基板の裏面上に、前記ステン
シルパターンを形成する領域に対応する開口部分を有す
るエッチングマスクパターンを形成する工程と、前記エ
ッチングマスクパターンを使用して、前記シリコン基板
の裏面をウェットエッチングすることにより、前記ボロ
ンドープの表層からなるメンブレンと、該メンブレンの
支持部材と、前記ステンシルパターンを形成する領域に
対応する開口部と、を形成する工程と、前記開口部に位
置するメンブレン部分の開口部側の表面に、メンブレン
保護膜を形成する工程と、前記メンブレン部分の開口部
側を前記メンブレン保護膜とともに、冷却ガスにより冷
却しながら、或いは温度制御ガスにより温度制御しなが
ら、前記開口部側とは反対側からメンブレンをドライエ
ッチングすることにより、メンブレン上に前記転写すべ
きステンシルパターンを形成する工程と、前記保護膜を
除去する工程と、を有することを特徴とするステンシル
マスクの製造方法（請求項１）」を提供する。Therefore, the present invention firstly provides a method for manufacturing a stencil mask in which a membrane on which a stencil pattern to be transferred to a sensitive substrate is formed is supported by a support member. Preparing a silicon substrate having a crystal orientation of (100), and forming an etching mask pattern having an opening corresponding to a region where the stencil pattern is to be formed on the back surface of the silicon substrate; Using the etching mask pattern, by wet-etching the back surface of the silicon substrate, a membrane made of the boron-doped surface layer, a support member of the membrane, and an opening corresponding to a region where the stencil pattern is formed. Forming a membrane, and a membrane located at the opening. Forming a membrane protective film on the surface on the side of the opening of the minute, and the opening side of the membrane portion together with the membrane protective film, while cooling with a cooling gas, or while controlling the temperature with a temperature control gas, A step of forming the stencil pattern to be transferred on the membrane by dry-etching the membrane from the side opposite to the opening side, and a step of removing the protective film; A manufacturing method (Claim 1) is provided.
【００２０】また、本発明は第二に「感応基板に転写す
べきステンシルパターンをメンブレン上にそれぞれ備え
た多数の小領域が前記パターンが存在しない境界領域に
より区分され、該境界領域に対応する部分に支柱が設け
られたステンシルマスクを製造する方法において、表層
にボロンがドープされ、結晶方位が（１００）のシリコ
ン基板を用意する工程と、前記シリコン基板の裏面上
に、前記小領域の各設定箇所に対応する開口部分をそれ
ぞれ有するエッチングマスクパターンを形成する工程
と、前記エッチングマスクパターンを使用して、前記シ
リコン基板の裏面をウェットエッチングすることによ
り、複数の支柱を前記境界領域の設定箇所に対応させて
形成するとともに、前記小領域の各設定箇所に対応する
各支柱間の開口部と、前記ボロンドープの表層からなる
メンブレンをそれぞれ形成する工程と、前記各支柱間の
開口部に位置する各メンブレン部分の開口部側の表面
に、メンブレン保護膜をそれぞれ形成する工程と、前記
各メンブレン部分の開口部側を前記メンブレン保護膜と
ともに、冷却ガスにより冷却しながら、或いは温度制御
ガスにより温度制御しながら、前記開口部側とは反対側
からメンブレンをドライエッチングすることにより、メ
ンブレン上における前記小領域の各設定箇所に、前記転
写すべきステンシルパターンをそれぞれ形成することに
より、前記多数の小領域及び境界領域を設ける工程と、
前記保護膜を除去する工程と、を有することを特徴とす
るステンシルマスクの製造方法（請求項２）」を提供す
る。The present invention also relates to a second aspect of the present invention wherein "a large number of small areas each having a stencil pattern to be transferred to a sensitive substrate on a membrane are divided by a boundary area where the pattern does not exist, and a portion corresponding to the boundary area is provided. In a method of manufacturing a stencil mask having columns provided thereon, there is provided a step of preparing a silicon substrate having a surface layer doped with boron and having a crystal orientation of (100), and setting each of the small regions on a back surface of the silicon substrate. Forming an etching mask pattern each having an opening corresponding to the location, and wet-etching the back surface of the silicon substrate using the etching mask pattern, so that a plurality of columns are set at the setting location of the boundary region. And an opening between each support corresponding to each set location of the small area, A step of forming a membrane made of a surface layer of boron dope, a step of forming a membrane protective film on the surface of the opening side of each membrane portion located in the opening between the columns, and the step of opening each membrane portion. By dry etching the membrane from the side opposite to the opening side while cooling the part side together with the membrane protective film while cooling with a cooling gas or controlling the temperature with a temperature control gas, the small area of the membrane on the membrane Providing a plurality of small areas and boundary areas by forming the stencil pattern to be transferred at each set location,
And a step of removing the protective film.
【００２１】また、本発明は第三に「感応基板に転写す
べきステンシルパターンが形成されたメンブレンが支持
部材により支持されてなるステンシルマスクを製造する
方法において、結晶方位が（１１１）、（２２１）、ま
たは（３３１）である第１シリコン基板と、結晶方位が
（１００）、または（１１０）である第２シリコン基板
とを接合する工程と、前記第１シリコン基板を研磨する
ことにより、メンブレン相当の厚さの薄膜層にする工程
と、前記第２シリコン基板の裏面上に、前記ステンシル
パターンを形成する領域に対応する開口部分を有するエ
ッチングマスクパターンを形成する工程と、前記エッチ
ングマスクパターンを使用して、前記第２シリコン基板
の裏面をウェットエッチングすることにより、前記ボロ
ンドープの表層からなるメンブレンと、該メンブレンの
支持部材と、前記ステンシルパターンを形成する領域に
対応する開口部と、を形成する工程と、前記開口部に位
置するメンブレン部分の開口部側の表面に、メンブレン
保護膜を形成する工程と、前記メンブレン部分の開口部
側を前記メンブレン保護膜とともに、冷却ガスにより冷
却しながら、或いは温度制御ガスにより温度制御しなが
ら、前記開口部側とは反対側からメンブレンをドライエ
ッチングすることにより、メンブレン上に前記転写すべ
きステンシルパターンを形成する工程と、前記保護膜を
除去する工程と、を有することを特徴とするステンシル
マスクの製造方法（請求項３）」を提供する。The present invention also provides a third method for producing a stencil mask in which a membrane on which a stencil pattern to be transferred to a sensitive substrate is formed is supported by a supporting member, wherein the crystal orientation is (111) or (221). Or bonding a first silicon substrate having (331) and a second silicon substrate having (100) or (110) crystal orientation, and polishing the first silicon substrate to form a membrane. Forming a thin film layer having a considerable thickness; forming an etching mask pattern having an opening corresponding to a region where the stencil pattern is formed on the back surface of the second silicon substrate; The back surface of the second silicon substrate is wet-etched so that the boron-doped surface layer Forming a membrane, a supporting member of the membrane, and an opening corresponding to a region where the stencil pattern is formed; and a membrane protective film on a surface of the membrane portion located at the opening on the opening side. And dry-etching the membrane from the side opposite to the opening while cooling the opening side of the membrane portion together with the membrane protective film with a cooling gas or controlling the temperature with a temperature control gas. A method of manufacturing a stencil mask, comprising: a step of forming the stencil pattern to be transferred on the membrane; and a step of removing the protective film.
【００２２】また、本発明は第四に「感応基板に転写す
べきステンシルパターンをメンブレン上にそれぞれ備え
た多数の小領域が前記パターンが存在しない境界領域に
より区分され、該境界領域に対応する部分に支柱が設け
られたステンシルマスクを製造する方法において、結晶
方位が（１１１）、（２２１）、または（３３１）であ
る第１シリコン基板と、結晶方位が（１００）、または
（１１０）である第２シリコン基板とを接合する工程
と、前記第１シリコン基板を研磨することにより、メン
ブレン相当の厚さの薄膜層にする工程と、前記第２シリ
コン基板の裏面上に、前記小領域の各設定箇所に対応す
る開口部分をそれぞれ有するエッチングマスクパターン
を形成する工程と、前記エッチングマスクパターンを使
用して、前記第２シリコン基板の裏面をウェットエッチ
ングすることにより、複数の支柱を前記境界領域の設定
箇所に対応させて形成するとともに、前記小領域の各設
定箇所に対応する各支柱間の開口部と、前記薄膜層から
なるメンブレンをそれぞれ形成する工程と、前記各支柱
間の開口部に位置する各メンブレン部分の開口部側の表
面に、メンブレン保護膜をそれぞれ形成する工程と、前
記各メンブレン部分の開口部側を前記メンブレン保護膜
とともに、冷却ガスにより冷却しながら、或いは温度制
御ガスにより温度制御しながら、前記開口部側とは反対
側からメンブレンをドライエッチングすることにより、
メンブレン上における前記小領域の各設定箇所に、前記
転写すべきステンシルパターンをそれぞれ形成すること
により、前記多数の小領域及び境界領域を設ける工程
と、前記保護膜を除去する工程と、を有することを特徴
とするステンシルマスクの製造方法（請求項４）」を提
供する。The present invention is also directed to a fourth aspect of the present invention in which "a large number of small regions each having a stencil pattern to be transferred to a sensitive substrate on a membrane are divided by a boundary region where the pattern does not exist, and a portion corresponding to the boundary region is formed. In the method for manufacturing a stencil mask provided with columns, a first silicon substrate having a crystal orientation of (111), (221), or (331) and a crystal orientation of (100) or (110) are provided. Bonding a second silicon substrate, polishing the first silicon substrate to form a thin film layer having a thickness equivalent to a membrane, and forming each of the small regions on the back surface of the second silicon substrate. Forming an etching mask pattern each having an opening corresponding to the set position; and using the etching mask pattern to form the second mask. By wet-etching the back surface of the substrate, a plurality of pillars are formed corresponding to the setting locations of the boundary area, and openings between the pillars corresponding to the respective setting locations of the small area, and the thin film layer Forming a membrane comprising a membrane, and forming a membrane protective film on the surface of the opening side of each membrane portion located at the opening between the columns, and the opening side of each membrane portion. With the membrane protective film, while cooling with a cooling gas, or while controlling the temperature with a temperature control gas, by dry-etching the membrane from the side opposite to the opening side,
Forming a stencil pattern to be transferred at each set location of the small area on the membrane, thereby providing a large number of small areas and a boundary area, and removing the protective film. A stencil mask manufacturing method (claim 4). "
【００２３】また、本発明は第五に「前記保護膜は、窒
化シリコン膜であることを特徴とする請求項１〜４のい
ずれかに記載の製造方法（請求項５）」を提供する。In a fifth aspect of the present invention, there is provided "the manufacturing method according to any one of claims 1 to 4, wherein the protective film is a silicon nitride film (claim 5)."
【００２４】[0024]
【発明の実施の形態】温度制御用ガス（冷却ガスを含
む）を用いたドライエッチングによりメンブレンに貫通
孔パターンを形成する工程を含む本発明（請求項１〜
５）のステンシルマスクの製造方法においては、前記ド
ライエッチングを行う前に、ステンシルパターンを形成
する領域に対応する開口部に位置するメンブレン部分の
開口部側の表面に、メンブレン保護膜を形成している。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention includes a step of forming a through-hole pattern in a membrane by dry etching using a temperature control gas (including a cooling gas).
In the stencil mask manufacturing method of 5), before performing the dry etching, a membrane protective film is formed on the surface of the membrane portion located on the opening corresponding to the region where the stencil pattern is to be formed on the opening side. I have.
【００２５】即ち、本発明においては、前記従来技術が
有する問題を解決するために、保護膜を介して温度制御
用ガス（冷却ガスを含む）により、メンブレンを温度制
御し、また保護膜を形成してメンブレンの強度を補強す
ることにより、前記ガスの圧力によるメンブレンの変形
と破壊を防止するとともに、保護膜の形成によりメンブ
レン貫通時のガス漏れも防止している。That is, in the present invention, in order to solve the problems of the prior art, the temperature of the membrane is controlled by a temperature controlling gas (including a cooling gas) via the protective film, and the protective film is formed. By reinforcing the strength of the membrane, deformation and destruction of the membrane due to the gas pressure are prevented, and gas leakage during penetration of the membrane is prevented by forming a protective film.
【００２６】従って、本発明（請求項１〜５）のステン
シルマスクの製造方法によれば、温度制御用ガス（冷却
ガスを含む）を用いたドライエッチングによりメンブレ
ンに貫通孔パターンを形成する際における、メンブレン
の変形、破壊のおそれや、ガス漏れによるドライエッチ
ングへの悪影響がなく、また温度制御を充分に行うこと
ができる。Therefore, according to the method of manufacturing a stencil mask of the present invention (claims 1 to 5), when a through-hole pattern is formed in a membrane by dry etching using a temperature control gas (including a cooling gas). In addition, there is no fear of deformation and destruction of the membrane, and no adverse effect on dry etching due to gas leakage, and the temperature can be sufficiently controlled.
【００２７】本発明にかかるメンブレン保護膜の材料と
しては、低応力膜の形成が可能であり、かつエッチング
などにより容易に剥離（除去）することができる窒化シ
リコンが好ましい（請求項５）。この窒化シリコンは、
等倍Ｘ線マスクのメンブレンに利用され、古くから研究
されており、２μｍ以上の厚さで０Ｐａに近い成膜が可
能な物質である。As the material of the membrane protective film according to the present invention, silicon nitride which can form a low stress film and which can be easily peeled off (removed) by etching or the like is preferable. This silicon nitride
It is used for a membrane of a 1: 1 X-ray mask, has been studied for a long time, and is a substance capable of forming a film near 0 Pa with a thickness of 2 μm or more.
【００２８】以下、本発明を実施例により、さらに具体
的に説明するが、本発明はこの実施例に限定されるもの
ではない。Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.
【００２９】[0029]
【実施例】図１は、本実施例の製造方法により作製され
たステンシルマスクであり、感応基板に転写すべきステ
ンシルパターン７をメンブレン１’上にそれぞれ備えた
多数の小領域１００ａが前記パターン７が存在しない境
界領域１００ｂにより区分され、該境界領域１００ｂに
対応する部分に支柱２’が設けられたステンシルマスク
の概略断面図である。FIG. 1 shows a stencil mask manufactured by the manufacturing method of the present embodiment. A large number of small areas 100a each having a stencil pattern 7 to be transferred to a sensitive substrate are provided on a membrane 1 '. FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of a stencil mask divided by a boundary region 100b where no support exists, and a support 2 ′ is provided at a portion corresponding to the boundary region 100b.
【００３０】以下、本実施例の製造方法を各工程ごとに
示す。まず、図２（ａ）に示すように、（１００）面シ
リコン基板２の表面層にボロンを深さ２μｍ、ボロン濃
度１×１０20ａｔｏｍ／ｃｍ3となるようにドープし
て、ボロンドープ層１を形成する。次に、図２（ｂ）に
示すように、前記シリコン基板２の裏面に窒化シリコン
４を成膜し、さらに窓（開口部）５を形成させたい部分
の窒化シリコンをドライエッチング法により除去してエ
ッチングマスク４’を形成する（図２（ｃ））。Hereinafter, the manufacturing method of this embodiment will be described for each step. First, as shown in FIG. 2A, boron is doped on the surface layer of the (100) plane silicon substrate 2 so as to have a depth of 2 μm and a boron concentration of 1 × 10 20 atoms / cm 3. To form Next, as shown in FIG. 2B, a silicon nitride film 4 is formed on the back surface of the silicon substrate 2, and a portion of the silicon nitride 4 where a window (opening) 5 is to be formed is removed by dry etching. Thus, an etching mask 4 'is formed (FIG. 2C).
【００３１】次に、前記エッチングマスク４’と水酸化
カリウム水溶液（エッチング液）を用いて、前記シリコ
ン基板の裏面側から前記表面層部分（ボロン濃度１×１
０20ａｔｏｍ／ｃｍ3の部分）１までウェットエッチン
グして、メンブレン１’を形成する（図２（ｄ））。次
に、ＣＶＤ法により前記シリコン基板の裏面側に低応力
の窒化シリコンを２μｍの厚さに成膜して、メンブレン
保護膜６を形成する（図３（ａ））。Next, using the etching mask 4 'and a potassium hydroxide aqueous solution (etching solution), the surface layer portion (boron concentration 1 × 1
The membrane 1 ′ is formed by wet etching up to 0 20 atom / cm 3 ) 1 (FIG. 2D). Next, a low-stress silicon nitride film is formed to a thickness of 2 μm on the back surface side of the silicon substrate by a CVD method to form a membrane protective film 6 (FIG. 3A).
【００３２】次に、メンブレン上にレジストを塗布し、
電子線描画装置によりパターニングして、基板冷却機構
のついたドライエッチング装置により（メンブレンをメ
ンブレン保護膜とともに開口部５側から冷却ガスで冷却
しながら）前記メンブレン保護膜６との境界までエッチ
ングすることにより、感応基板に転写すべきパターン７
を形成する（図３（ｂ））。Next, a resist is applied on the membrane,
Patterning by an electron beam lithography apparatus, and etching to a boundary with the membrane protective film 6 by a dry etching apparatus equipped with a substrate cooling mechanism (while the membrane is cooled with a cooling gas from the opening 5 side together with the membrane protective film). The pattern 7 to be transferred to the sensitive substrate
Is formed (FIG. 3B).
【００３３】最後に、メンブレン保護膜６と基板裏面上
の窒化シリコン膜６’をドライエッチングにより除去し
て、感応基板に転写すべきステンシルパターン７をメン
ブレン１’上にそれぞれ備えた多数の小領域１００ａが
前記パターン７が存在しない境界領域１００ｂにより区
分され、該境界領域１００ｂに対応する部分に支柱２’
が設けられたステンシルマスクが完成する（図３
（ｃ））。Finally, the membrane protective film 6 and the silicon nitride film 6 'on the back surface of the substrate are removed by dry etching, and a large number of small areas each having a stencil pattern 7 to be transferred to the sensitive substrate are provided on the membrane 1'. 100a is divided by a boundary region 100b where the pattern 7 does not exist, and a support 2 ′ is provided at a portion corresponding to the boundary region 100b.
The stencil mask provided with is completed (Fig. 3
(C)).
【００３４】以上のように、本実施例のステンシルマス
クの製造方法では、低応力の窒化シリコン膜によりメン
ブレンの裏面を保護した後に、冷却ガスで開口部５側か
ら冷却しながらメンブレンの貫通エッチングを行なって
いる。そのため、本実施例のステンシルマスクの製造方
法によれば、前記貫通エッチング時における温度制御用
ガス（冷却ガス）の漏れがなくなり、また実質的にメン
ブレンを厚くしているので、強度が上がり温度制御用ガ
スによるメンブレンの変形や破壊を防ぐことができる。As described above, in the method of manufacturing the stencil mask of this embodiment, after the back surface of the membrane is protected by the low-stress silicon nitride film, the through-etching of the membrane is performed while cooling from the opening 5 side with the cooling gas. I do. Therefore, according to the stencil mask manufacturing method of the present embodiment, there is no leakage of the temperature control gas (cooling gas) at the time of the through etching, and the membrane is made substantially thicker. The deformation and destruction of the membrane due to the use gas can be prevented.
【００３５】なお、本実施例で使用したガス、材料等は
一例であり、これに限定されるものではない。The gases, materials and the like used in the present embodiment are merely examples, and the present invention is not limited to these.
【００３６】[0036]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
温度制御用ガス（冷却ガスを含む）を用いたドライエッ
チングによりメンブレンに貫通孔パターンを形成する際
における、メンブレンの変形、破壊のおそれや、ガス漏
れによるドライエッチングへの悪影響がなく、また温度
制御を充分に行うことができる。As described above, according to the present invention,
When forming a through-hole pattern in the membrane by dry etching using a temperature control gas (including a cooling gas), there is no risk of membrane deformation or destruction, and no adverse effects on dry etching due to gas leakage, and temperature control Can be sufficiently performed.
【図１】は、実施例の製造方法により作製されたステン
シルマスクの概略断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a stencil mask manufactured by a manufacturing method according to an embodiment.
【図２】は、実施例のステンシルマスクの製造方法にか
かる前半の工程図である。FIG. 2 is a diagram illustrating the first half of a process according to a method of manufacturing a stencil mask according to an embodiment.
【図３】は、実施例のステンシルマスクの製造方法にか
かる後半の工程図である。FIG. 3 is a process chart of the latter half according to the method of manufacturing a stencil mask according to the embodiment.
【図４】は、ステンシルマスク２１と、これを用いた転
写原理の概略を示す図である。FIG. 4 is a diagram schematically showing a stencil mask 21 and a transfer principle using the stencil mask 21.
【図５】は、格子状の支柱Ｘを設けたステンシルマスク
を示す概略断面図（図４（ａ））と部分斜視（一部断
面）図（図４（ｂ））である。5 is a schematic cross-sectional view (FIG. 4A) and a partial perspective (partial cross-sectional view) (FIG. 4B) showing a stencil mask provided with a lattice-shaped support X. FIG.
【図６】は、従来の基板（エッチング対象物）冷却法の
一例をしめす概念図である。FIG. 6 is a conceptual diagram showing an example of a conventional substrate (etching target) cooling method.
１ ボロンドープ層 １’ ボロンドープ層からなるメンブレン ２ シリコンウェハ ２’ 支柱 ３ エッチング土台シリコンウェハ ４ 窒化シリコン膜 ４’ パターン化された窒化シリコン膜（エッチンク゛マスク
用） ５ 窓（開口）部 ６ 裏面保護低応力窒化シリコン（メンブレン保護
膜） ７ ステンシルパターン ２０ メンブレン ２１・・ ステンシルマスク（電子線縮小転写用マス
ク） ２２・・ マスク基板 ２３・・ 貫通孔 ２４・・ 投影レンズ（２４ａ，２４ｂ） ２５・・ 感応基板 １００ａ・・感応基板に転写すべきパターンを備えた小
領域 １００ｂ・・境界領域 ＣＯ・・クロスオーバ像 以上Reference Signs List 1 boron-doped layer 1 'membrane composed of boron-doped layer 2 silicon wafer 2' column 3 etching base silicon wafer 4 silicon nitride film 4 'patterned silicon nitride film (for etching mask) 5 window (opening) 6 back surface protection low stress Silicon nitride (membrane protective film) 7 Stencil pattern 20 Membrane 21 Stencil mask (mask for electron beam reduction transfer) 22 Mask substrate 23 Through hole 24 Projection lens (24a, 24b) 25 Sensitive substrate 100a: a small area having a pattern to be transferred to a sensitive substrate 100b: a boundary area CO: a crossover image
Claims (5)
ンが形成されたメンブレンが支持部材により支持されて
なるステンシルマスクを製造する方法において、 表層にボロンがドープされ、結晶方位が（１００）のシ
リコン基板を用意する工程と、 前記シリコン基板の裏面上に、前記ステンシルパターン
を形成する領域に対応する開口部分を有するエッチング
マスクパターンを形成する工程と、 前記エッチングマスクパターンを使用して、前記シリコ
ン基板の裏面をウェットエッチングすることにより、前
記ボロンドープの表層からなるメンブレンと、該メンブ
レンの支持部材と、前記ステンシルパターンを形成する
領域に対応する開口部と、を形成する工程と、 前記開口部に位置するメンブレン部分の開口部側の表面
に、メンブレン保護膜を形成する工程と、 前記メンブレン部分の開口部側を前記メンブレン保護膜
とともに、冷却ガスにより冷却しながら、或いは温度制
御ガスにより温度制御しながら、前記開口部側とは反対
側からメンブレンをドライエッチングすることにより、
メンブレン上に前記転写すべきステンシルパターンを形
成する工程と、 前記保護膜を除去する工程と、を有することを特徴とす
るステンシルマスクの製造方法。1. A method of manufacturing a stencil mask in which a membrane having a stencil pattern to be transferred to a sensitive substrate is supported by a support member, wherein the surface layer is doped with boron and the crystal orientation is (100). Preparing an etching mask pattern having an opening corresponding to a region where the stencil pattern is to be formed on the back surface of the silicon substrate; and using the etching mask pattern to form an etching mask pattern on the silicon substrate. A step of forming a membrane made of the boron-doped surface layer, a supporting member of the membrane, and an opening corresponding to a region where the stencil pattern is formed by wet-etching the back surface; Membrane protection on the opening side surface of the membrane part Forming a membrane, and dry-etching the membrane from the side opposite to the opening while cooling the opening side of the membrane portion together with the membrane protective film with a cooling gas or controlling the temperature with a temperature control gas. By doing
A method for manufacturing a stencil mask, comprising: a step of forming the stencil pattern to be transferred on a membrane; and a step of removing the protective film.
ンをメンブレン上にそれぞれ備えた多数の小領域が前記
パターンが存在しない境界領域により区分され、該境界
領域に対応する部分に支柱が設けられたステンシルマス
クを製造する方法において、 表層にボロンがドープされ、結晶方位が（１００）のシ
リコン基板を用意する工程と、 前記シリコン基板の裏面上に、前記小領域の各設定箇所
に対応する開口部分をそれぞれ有するエッチングマスク
パターンを形成する工程と、 前記エッチングマスクパターンを使用して、前記シリコ
ン基板の裏面をウェットエッチングすることにより、複
数の支柱を前記境界領域の設定箇所に対応させて形成す
るとともに、前記小領域の各設定箇所に対応する各支柱
間の開口部と、前記ボロンドープの表層からなるメンブ
レンをそれぞれ形成する工程と、 前記各支柱間の開口部に位置する各メンブレン部分の開
口部側の表面に、メンブレン保護膜をそれぞれ形成する
工程と、 前記各メンブレン部分の開口部側を前記メンブレン保護
膜とともに、冷却ガスにより冷却しながら、或いは温度
制御ガスにより温度制御しながら、前記開口部側とは反
対側からメンブレンをドライエッチングすることによ
り、メンブレン上における前記小領域の各設定箇所に、
前記転写すべきステンシルパターンをそれぞれ形成する
ことにより、前記多数の小領域及び境界領域を設ける工
程と、 前記保護膜を除去する工程と、を有することを特徴とす
るステンシルマスクの製造方法。2. A stencil in which a plurality of small regions each having a stencil pattern to be transferred to a sensitive substrate on a membrane are divided by a boundary region where the pattern does not exist, and a pillar is provided at a portion corresponding to the boundary region. In a method of manufacturing a mask, a step of preparing a silicon substrate having a surface layer doped with boron and having a crystal orientation of (100); and forming an opening corresponding to each set point of the small region on the back surface of the silicon substrate. A step of forming an etching mask pattern having each, and using the etching mask pattern, by wet-etching the back surface of the silicon substrate, forming a plurality of columns corresponding to the set locations of the boundary region, An opening between each support corresponding to each set point of the small region, and a surface layer of the boron dope; Forming each of the membranes comprising: a step of forming a membrane protective film on the surface of the opening side of each of the membrane portions located at the opening between each of the columns; and a step of forming the membrane side of each of the membrane portions. By performing dry etching of the membrane from the side opposite to the opening while cooling with a cooling gas or controlling the temperature with a temperature control gas together with the membrane protective film, each set point of the small area on the membrane To
A method of manufacturing a stencil mask, comprising: providing a plurality of small regions and boundary regions by forming the stencil patterns to be transferred; and removing the protective film.
ンが形成されたメンブレンが支持部材により支持されて
なるステンシルマスクを製造する方法において、 結晶方位が（１１１）、（２２１）、または（３３１）
である第１シリコン基板と、結晶方位が（１００）、ま
たは（１１０）である第２シリコン基板とを接合する工
程と、 前記第１シリコン基板を研磨することにより、メンブレ
ン相当の厚さの薄膜層にする工程と、 前記第２シリコン基板の裏面上に、前記ステンシルパタ
ーンを形成する領域に対応する開口部分を有するエッチ
ングマスクパターンを形成する工程と、 前記エッチングマスクパターンを使用して、前記第２シ
リコン基板の裏面をウェットエッチングすることによ
り、前記ボロンドープの表層からなるメンブレンと、該
メンブレンの支持部材と、前記ステンシルパターンを形
成する領域に対応する開口部と、を形成する工程と、 前記開口部に位置するメンブレン部分の開口部側の表面
に、メンブレン保護膜を形成する工程と、 前記メンブレン部分の開口部側を前記メンブレン保護膜
とともに、冷却ガスにより冷却しながら、或いは温度制
御ガスにより温度制御しながら、前記開口部側とは反対
側からメンブレンをドライエッチングすることにより、
メンブレン上に前記転写すべきステンシルパターンを形
成する工程と、 前記保護膜を除去する工程と、を有することを特徴とす
るステンシルマスクの製造方法。3. A method for manufacturing a stencil mask in which a membrane having a stencil pattern to be transferred to a sensitive substrate is supported by a support member, wherein the crystal orientation is (111), (221), or (331).
Bonding a first silicon substrate having a crystal orientation of (100) or (110) to a second silicon substrate, and polishing the first silicon substrate to obtain a thin film having a thickness equivalent to a membrane. Forming an etching mask pattern having an opening corresponding to a region where the stencil pattern is to be formed on the back surface of the second silicon substrate; (2) a step of wet-etching the back surface of the silicon substrate to form a membrane made of the boron-doped surface layer, a support member of the membrane, and an opening corresponding to a region where the stencil pattern is to be formed; Forming a membrane protective film on the surface of the membrane portion located on the opening side of the portion, Together with the membrane protective film an opening side of the membrane portion, while cooling by the cooling gas, or with temperature control by the temperature control gas, wherein the opening side by dry-etching the membrane from the opposite side,
A method for manufacturing a stencil mask, comprising: a step of forming the stencil pattern to be transferred on a membrane; and a step of removing the protective film.
ンをメンブレン上にそれぞれ備えた多数の小領域が前記
パターンが存在しない境界領域により区分され、該境界
領域に対応する部分に支柱が設けられたステンシルマス
クを製造する方法において、 結晶方位が（１１１）、（２２１）、または（３３１）
である第１シリコン基板と、結晶方位が（１００）、ま
たは（１１０）である第２シリコン基板とを接合する工
程と、 前記第１シリコン基板を研磨することにより、メンブレ
ン相当の厚さの薄膜層にする工程と、 前記第２シリコン基板の裏面上に、前記小領域の各設定
箇所に対応する開口部分をそれぞれ有するエッチングマ
スクパターンを形成する工程と、 前記エッチングマスクパターンを使用して、前記第２シ
リコン基板の裏面をウェットエッチングすることによ
り、複数の支柱を前記境界領域の設定箇所に対応させて
形成するとともに、前記小領域の各設定箇所に対応する
各支柱間の開口部と、前記薄膜層からなるメンブレンを
それぞれ形成する工程と、 前記各支柱間の開口部に位置する各メンブレン部分の開
口部側の表面に、メンブレン保護膜をそれぞれ形成する
工程と、 前記各メンブレン部分の開口部側を前記メンブレン保護
膜とともに、冷却ガスにより冷却しながら、或いは温度
制御ガスにより温度制御しながら、前記開口部側とは反
対側からメンブレンをドライエッチングすることによ
り、メンブレン上における前記小領域の各設定箇所に、
前記転写すべきステンシルパターンをそれぞれ形成する
ことにより、前記多数の小領域及び境界領域を設ける工
程と、 前記保護膜を除去する工程と、を有することを特徴とす
るステンシルマスクの製造方法。4. A stencil in which a plurality of small areas each having a stencil pattern to be transferred to a sensitive substrate on a membrane are divided by a boundary area where the pattern does not exist, and a pillar is provided at a portion corresponding to the boundary area. The method of manufacturing a mask, wherein the crystal orientation is (111), (221), or (331).
Bonding a first silicon substrate having a crystal orientation of (100) or (110) to a second silicon substrate, and polishing the first silicon substrate to obtain a thin film having a thickness equivalent to a membrane. Forming a layer, forming an etching mask pattern on the back surface of the second silicon substrate, the etching mask pattern having an opening corresponding to each set location of the small area, using the etching mask pattern, By wet-etching the back surface of the second silicon substrate, a plurality of pillars are formed corresponding to the setting locations of the boundary region, and openings between the pillars corresponding to the respective setting locations of the small area; Forming a membrane composed of a thin film layer; and providing a membrane on the opening side surface of each membrane portion located at the opening between the columns. A step of forming a membrane protective film, respectively, an opening side of each of the membrane portions, together with the membrane protective film, while being cooled by a cooling gas, or while controlling the temperature by a temperature control gas, on the side opposite to the opening side. By dry-etching the membrane from, at each set location of the small area on the membrane,
A method of manufacturing a stencil mask, comprising: providing a plurality of small regions and boundary regions by forming the stencil patterns to be transferred; and removing the protective film.
とを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の製造方
法。5. The method according to claim 1, wherein said protective film is a silicon nitride film.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33382697A JPH11168049A (en) | 1997-12-04 | 1997-12-04 | Manufacture of stencil mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33382697A JPH11168049A (en) | 1997-12-04 | 1997-12-04 | Manufacture of stencil mask |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11168049A true JPH11168049A (en) | 1999-06-22 |
Family
ID=18270383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33382697A Pending JPH11168049A (en) | 1997-12-04 | 1997-12-04 | Manufacture of stencil mask |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11168049A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980080097A (en) * | 1997-03-18 | 1998-11-25 | 요시다 쇼이치로 | Silicon Stencil Mask Manufacturing Method |
| KR20010062786A (en) * | 1999-12-27 | 2001-07-07 | 가네꼬 히사시 | Electron beam mask, production method thereof, and exposure method |
| KR100343457B1 (en) * | 1999-11-18 | 2002-07-11 | 박종섭 | Manufacturing method for stencil mask |
| US7029830B2 (en) * | 2001-08-28 | 2006-04-18 | International Business Machines Corporation | Precision and apertures for lithographic systems |
-
1997
- 1997-12-04 JP JP33382697A patent/JPH11168049A/en active Pending
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| KR20010062786A (en) * | 1999-12-27 | 2001-07-07 | 가네꼬 히사시 | Electron beam mask, production method thereof, and exposure method |
| US7029830B2 (en) * | 2001-08-28 | 2006-04-18 | International Business Machines Corporation | Precision and apertures for lithographic systems |
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