JPH1116533A - Ion implanting device - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、イオン注入装置に
係り、特に、半導体基板に所定の物質を注入する際に用
いて好適なイオン注入装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an ion implantation apparatus, and more particularly to an ion implantation apparatus suitable for use in implanting a predetermined substance into a semiconductor substrate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図３は、例えば、特開昭６２−２５４３
５２号公報に開示されているイオン打込み装置の要部を
示す断面図である。このイオン打込み装置の試料台１に
は、半導体ウェハなどの試料２が着脱自在に固定されて
おり、所定の物質のイオンビーム３が試料２の表面にほ
ぼ垂直に入射されるようになっている。2. Description of the Related Art FIG.
It is sectional drawing which shows the principal part of the ion implantation apparatus disclosed by Japanese Patent Publication No. 52-52. A sample 2 such as a semiconductor wafer is detachably fixed to a sample table 1 of the ion implantation apparatus, and an ion beam 3 of a predetermined substance is incident on the surface of the sample 2 almost perpendicularly. .
【０００３】このイオンビーム３の経路には、中央部に
透孔４ａが形成されたビームゲート４が設けられ、該ビ
ームゲート４をイオンビーム３の経路を横断する方向に
変位させることにより、該イオンビーム３の前記試料２
に対する入射および遮断が適宜制御される構成とされて
いる。そして、ビームゲート４の前後には、筒状の２次
電子捕捉電極５および２次電子捕捉電極６が配設されて
いる。In the path of the ion beam 3, a beam gate 4 having a through hole 4a formed in the center is provided. By displacing the beam gate 4 in a direction crossing the path of the ion beam 3, The sample 2 of the ion beam 3
Incident and cutoff are appropriately controlled. A cylindrical secondary electron trapping electrode 5 and a secondary electron trapping electrode 6 are disposed before and after the beam gate 4.
【０００４】２次電子捕捉電極５は、直流電源７から所
定の値の負電位が与えられており、ビームゲート４がイ
オンビーム３を遮断する際などに該ビームゲート４から
発生する２次電子を捕捉するものである。一方、２次電
子捕捉電極６は、イオンビーム３が入射される際に試料
２から発生される２次電子を捕捉するものである。さら
に、２次電子捕捉電極５、６及びビームゲート４等は、
電流計８を介して接地されており、該電流計８によって
検出される電流値から、試料２にイオンビーム３として
入射される単位時間当たりの所定の物質の量が把握され
る構成とされている。A secondary electron trapping electrode 5 is supplied with a predetermined negative potential from a DC power supply 7, and secondary electrons generated from the beam gate 4 when the beam gate 4 interrupts the ion beam 3. Is to capture. On the other hand, the secondary electron capturing electrode 6 captures secondary electrons generated from the sample 2 when the ion beam 3 is incident. Further, the secondary electron trapping electrodes 5, 6 and the beam gate 4, etc.
It is grounded via an ammeter 8, and the amount of a predetermined substance incident on the sample 2 as the ion beam 3 per unit time is grasped from the current value detected by the ammeter 8. I have.
【０００５】試料２の近傍には、該試料２に入射される
イオンビーム３を囲むような筒状の導体で構成され、可
変直流電源９から所望の正電圧が印加される電場形成手
段１０が設けられており、例えば、ビームゲート４の作
動時に発生される金属粉や処理室内の排気時に散乱され
る塵埃などからなる、処理室内を浮遊する間にイオンビ
ーム４から電荷を得て正に帯電した状態で試料２に接近
する異物などが、正電位の前記電場形成手段１０から斥
力を受け試料２の表面に到達するのを阻止する構成とさ
れている。また、従来のイオン打込み装置では、試料２
がイオンビーム３により正に帯電していることから、イ
オンビーム３の経路にエレクトロンシャワー（２次電子
補充手段）等を設けることにより、前記試料２に２次電
子を補い中和するようにしている。In the vicinity of the sample 2, there is provided an electric field forming means 10 which is constituted by a cylindrical conductor surrounding the ion beam 3 incident on the sample 2 and to which a desired positive voltage is applied from a variable DC power supply 9. It is provided with, for example, metal powder generated when the beam gate 4 operates and dust scattered when exhausting the processing chamber. In this state, a foreign substance or the like approaching the sample 2 in a depressed state is prevented from reaching the surface of the sample 2 by receiving a repulsive force from the electric field forming means 10 having a positive potential. In the conventional ion implantation apparatus, the sample 2
Is positively charged by the ion beam 3, an electron shower (secondary electron replenishing means) or the like is provided in the path of the ion beam 3 to supplement and neutralize the sample 2 with secondary electrons. I have.
【０００６】図４は、例えば、特開昭６２−２６７５６
号公報に開示されている半導体製造装置を示す断面図で
あり、図において、１１は半導体ウェハ、１２は例えば
イオン注入のためのイオン銃などの加工器、１３は半導
体ウェハ１１や加工器１２を収納する真空槽、１４は真
空槽１３内を排気する排気系、１５は半導体ウェハ１１
を取り出すための取り出し口、１６は取り出し口１５が
容易に開けられるように真空槽１３内を大気圧にするた
め外部から大気を導入するための大気導入バルブ、１７
は排気系１４と真空槽１３を分離する排気バルブ、１８
は真空槽１３内の塵埃、１９はイオン化気体導入器であ
る。FIG. 4 shows, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-26756.
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a semiconductor manufacturing apparatus disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open Publication No. H10-207, in which 11 is a semiconductor wafer, 12 is a processing device such as an ion gun for ion implantation, and 13 is a semiconductor wafer 11 or a processing device 12. A vacuum chamber to house, 14 is an exhaust system for exhausting the vacuum chamber 13, 15 is a semiconductor wafer 11
A take-out port 16 for taking out the air, an atmospheric introduction valve 17 for introducing the atmosphere from the outside to make the inside of the vacuum chamber 13 atmospheric pressure so that the take-out port 15 can be easily opened, 17
Is an exhaust valve for separating the exhaust system 14 from the vacuum chamber 13;
Is a dust in the vacuum chamber 13, and 19 is an ionized gas introducing device.
【０００７】この半導体製造装置では、半導体ウェハ１
１の取り出し時に、イオン化気体導入器１９により、帯
電している半導体ウェハ１１の電荷の符号と逆の符号の
電荷を有するイオンを含む気体を塵埃１８を巻き上げな
い程度の流量で半導体ウェハ１１に与えて、その電荷を
中和し、その後に、通常の半導体ウェハ１１の取り出し
を行なう。In this semiconductor manufacturing apparatus, the semiconductor wafer 1
At the time of taking out 1, the ionized gas introducing device 19 supplies the semiconductor wafer 11 with a gas containing ions having a charge having a sign opposite to that of the charged semiconductor wafer 11 at such a flow rate that the dust 18 is not wound up. Then, the charge is neutralized, and thereafter, the ordinary semiconductor wafer 11 is taken out.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】従来のイオン打込み装
置の問題点は、イオンビーム３の経路にエレクトロンシ
ャワー等を設けることにより前記試料２に２次電子を補
い中和しているが、このエレクトロンシャワーの効果が
無くなってしまい、前記試料２が中和され難くなり、し
たがって、試料２の取り出し時に、該試料２に塵埃等が
付着してしまう虞があるという点である。The problem with the conventional ion implantation apparatus is that secondary electrons are supplemented and neutralized in the sample 2 by providing an electron shower or the like in the path of the ion beam 3. The effect of the shower is lost, and the sample 2 is hardly neutralized. Therefore, when the sample 2 is taken out, dust or the like may adhere to the sample 2.
【０００９】その理由は、正の電圧が印加される電場形
成手段１０により、エレクトロンシャワーより発生する
２次電子が捕捉されてしまい、試料２まで届かなくなっ
てしまうからである。The reason is that the secondary electrons generated from the electron shower are trapped by the electric field forming means 10 to which a positive voltage is applied, and cannot reach the sample 2.
【００１０】また、従来の半導体製造装置の問題点は、
真空槽１３内の真空度が低い（真空度が良い）場合と比
較して、半導体ウェハ１１により多くのイオンが注入さ
れてしまうという現象が発生し、また、半導体ウェハ１
１の取り出し時に、該半導体ウェハ１１に塵埃１８が付
着する虞があるという点である。[0010] Further, a problem of the conventional semiconductor manufacturing apparatus is as follows.
As compared with the case where the degree of vacuum in the vacuum chamber 13 is low (the degree of vacuum is good), a phenomenon that more ions are implanted into the semiconductor wafer 11 occurs, and the semiconductor wafer 1
The point is that dust 18 may adhere to the semiconductor wafer 11 when the semiconductor wafer 11 is taken out.
【００１１】その理由は、イオン化気体導入器１９によ
り、半導体ウェハ１１の取り出し時に真空槽１３内に半
導体ウェハ１１の電荷の符号と逆の符号の電荷を有する
イオン化気体を導入するために、真空度が悪化し、この
イオン化気体により半導体ウェハ１１に必要以上のイオ
ンが注入されてしまうからであり、また、イオン化気体
を導入する際に僅かながらも塵埃１８を巻き上げてしま
い、この塵埃１８が半導体ウェハ１１に付着してしまう
虞があるからである。The reason is that the ionization gas introducing device 19 introduces an ionized gas having a charge opposite in sign to the charge of the semiconductor wafer 11 into the vacuum chamber 13 when the semiconductor wafer 11 is taken out. This is because the ionized gas injects unnecessarily large ions into the semiconductor wafer 11. Further, when the ionized gas is introduced, the dust 18 is slightly rolled up, and the dust 18 This is because there is a risk of adhering to the surface 11.
【００１２】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であって、試料に付着する塵埃の量を低減させることが
でき、また、２次電子補充手段の効果を低減させること
なく試料の帯電状態を電気的に中和させることができ、
さらに、試料により多くのイオンが注入されてしまうの
を防ぐことができるイオン注入装置を提供することにあ
る。The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is possible to reduce the amount of dust adhering to a sample, and to charge the sample without reducing the effect of the secondary electron replenishing means. State can be electrically neutralized,
It is still another object of the present invention to provide an ion implantation apparatus capable of preventing more ions from being implanted into a sample.
【００１３】[0013]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は次の様なイオン注入装置を採用した。すな
わち、請求項１記載のイオン注入装置は、所定の物質の
イオンビームを試料に衝突させることにより、該試料に
前記物質を注入する装置で、前記試料を着脱自在に固定
する試料台と、該試料台の前方に設けられ前記イオンビ
ームを通過させるとともに前記試料に２次電子を補い電
気的に中和させる２次電子補充手段とを備えており、前
記試料台と該２次電子補充手段との間に、前記イオンビ
ームの経路に対し進退自在なる塵埃除去手段を設けたも
のである。In order to solve the above-mentioned problems, the present invention employs the following ion implantation apparatus. That is, the ion implantation apparatus according to claim 1 is an apparatus for injecting the substance into the sample by colliding an ion beam of a predetermined substance with the sample, and a sample table for detachably fixing the sample, A secondary electron replenishing means provided in front of a sample stage to allow the ion beam to pass therethrough and supplement and electrically neutralize the sample with secondary electrons, wherein the sample stage, the secondary electron replenishing unit, And dust removing means which can move back and forth with respect to the path of the ion beam.
【００１４】請求項２記載のイオン注入装置は、前記塵
埃除去手段を、塵埃を吸着させる帯電板と、該帯電板を
前記イオンビームの経路に対して進退させる駆動部とを
備えたものである。According to a second aspect of the present invention, in the ion implantation apparatus, the dust removing unit includes a charging plate for adsorbing dust, and a driving unit for moving the charging plate forward and backward with respect to the path of the ion beam. .
【００１５】請求項３記載のイオン注入装置は、前記帯
電板を、前記イオンビームにより正に帯電したものであ
る。According to a third aspect of the present invention, in the ion implantation apparatus, the charging plate is positively charged by the ion beam.
【００１６】本発明のイオン注入装置では、試料台と２
次電子補充手段との間に、前記イオンビームの経路に対
し進退自在なる塵埃除去手段を設けたことにより、前記
イオンビームを試料に衝突させる際には、塵埃除去手段
がイオンビームの入射に対して障害となるため、該イオ
ンビームの経路から退避させておき、前記試料に必要量
の前記物質が注入された後、前記塵埃除去手段を前記イ
オンビームの経路に進入させてイオンビームを遮断す
る。In the ion implantation apparatus of the present invention, the sample table and the 2
By providing dust removing means that can move back and forth with respect to the path of the ion beam between the secondary electron replenishing means, when the ion beam collides with the sample, the dust removing means responds to the incidence of the ion beam. After the necessary amount of the substance has been injected into the sample, the dust removing means enters the path of the ion beam to block the ion beam. .
【００１７】この場合、前記塵埃除去手段は、前記イオ
ンビームにより正に帯電されるので、前記２次電子補充
手段等から発生した負に帯電した塵埃は、前記塵埃除去
手段に引き付けられて吸着されることとなり、前記試料
に付着する塵埃の量が低減される。また、試料台と２次
電子補充手段との間に電場形成手段等が無いことによ
り、２次電子補充手段の効果が減少することが無く、試
料が電気的に中和され難くなる虞もなくなる。また、試
料の取り出し時にイオン化気体を導入する必要が無いた
め、試料に必要以上のイオンが注入される虞が無くな
る。In this case, since the dust removing means is positively charged by the ion beam, the negatively charged dust generated from the secondary electron replenishing means and the like is attracted and adsorbed by the dust removing means. As a result, the amount of dust adhering to the sample is reduced. Further, since there is no electric field forming means or the like between the sample stage and the secondary electron replenishing means, the effect of the secondary electron replenishing means does not decrease, and there is no possibility that the sample is hardly electrically neutralized. . Further, since there is no need to introduce an ionized gas at the time of taking out the sample, there is no possibility that more ions than necessary are injected into the sample.
【００１８】[0018]
【発明の実施の形態】以下、本発明のイオン注入装置の
一実施形態について図面に基づき説明する。図１は本発
明の一実施形態に係るイオン注入装置を示す断面図であ
り、図において、２１は半導体ウェハ等からなる試料２
が着脱自在に固定される試料台１の前方に設けられた筒
状のエレクトロンシャワー（２次電子補充手段）、２２
は試料台１とエレクトロンシャワー２１との間に設けら
れた塵埃除去機構（塵埃除去手段）である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the ion implantation apparatus of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a sectional view showing an ion implantation apparatus according to one embodiment of the present invention. In the figure, reference numeral 21 denotes a sample 2 made of a semiconductor wafer or the like.
, A cylindrical electron shower (secondary electron replenishing means) provided in front of the sample stage 1 to which the
Denotes a dust removing mechanism (dust removing means) provided between the sample table 1 and the electron shower 21.
【００１９】エレクトロンシャワー２１は、所定の物質
のイオンビーム３を通過させるとともに、正に帯電した
試料２に２次電子を補うことにより、電気的に中和さ
せ、試料２の静電破壊を防止するものである。塵埃除去
機構２２は、イオンビーム３により正に帯電し塵埃を吸
着させる帯電板２３と、帯電板２３をイオンビーム３の
経路に対して進退させる駆動部２４とから構成されてい
る。The electron shower 21 allows the ion beam 3 of a predetermined substance to pass therethrough and supplements the positively charged sample 2 with secondary electrons to thereby electrically neutralize the sample 2 and prevent electrostatic breakdown of the sample 2. Is what you do. The dust removing mechanism 22 includes a charging plate 23 that is positively charged by the ion beam 3 and adsorbs dust, and a driving unit 24 that moves the charging plate 23 forward and backward with respect to the path of the ion beam 3.
【００２０】次に、このイオン注入装置の動作について
図１及び図２に基づき説明する。まず、試料台１に試料
２を固定し、駆動部２４により帯電板２３を下降させ、
イオンビーム３の経路より退避させる（図１）。その
後、所定の物質のイオンビーム３をエレクトロンシャワ
ー２１内を通過させた後、試料２に衝突させて試料２に
前記物質を注入する。Next, the operation of the ion implantation apparatus will be described with reference to FIGS. First, the sample 2 is fixed to the sample table 1, and the charging plate 23 is lowered by the driving unit 24.
The ion beam 3 is retracted from the path (FIG. 1). After that, the ion beam 3 of a predetermined substance is passed through the electron shower 21 and then collides with the sample 2 to inject the substance into the sample 2.
【００２１】この際、イオンビーム３が正の電荷を持っ
ているために、試料２の表面には正の電荷が帯電する
が、エレクトロンシャワー２１より発生する２次電子が
試料２に捕捉され、電気的に中和される。一方、エレク
トロンシャワー２１では、内壁がイオンビーム３により
スパッタリングされ、その一部が剥離して負の電荷を有
する塵埃２５となる。At this time, since the ion beam 3 has a positive charge, a positive charge is charged on the surface of the sample 2, but secondary electrons generated from the electron shower 21 are captured by the sample 2, It is neutralized electrically. On the other hand, in the electron shower 21, the inner wall is sputtered by the ion beam 3, and a part thereof is exfoliated to become dust 25 having a negative charge.
【００２２】必要量の前記物質の注入が終了した後、駆
動部２４により帯電板２３を上昇させ、イオンビーム３
の経路を遮るようにエレクトロンシャワー２１と試料台
１との間に挿入する（図２）。この時、イオンビーム３
が帯電板２３に当たることで該帯電板２３は正に帯電す
る。この時の電圧は１００〜４００Ｖにもなる。After the injection of the required amount of the substance is completed, the driving unit 24 raises the charging plate 23 to move the ion beam 3
Is inserted between the electron shower 21 and the sample table 1 so as to block the path (FIG. 2). At this time, the ion beam 3
Strikes the charging plate 23, the charging plate 23 is positively charged. The voltage at this time is as high as 100 to 400V.
【００２３】一方、エレクトロンシャワー２１にある塵
埃２５は、該エレクトロンシャワー２１より発生する２
次電子により負に帯電しているため、静電気力により帯
電板２３に引き付けられ吸着される。帯電板２３が吸着
した塵埃２５は、帯電板２３を定期的に交換することで
装置内から取り除かれる。On the other hand, the dust 25 in the electron shower 21 is generated by the electron shower 21.
Since it is negatively charged by the next electron, it is attracted to and attracted to the charging plate 23 by electrostatic force. The dust 25 adsorbed by the charging plate 23 is removed from the inside of the apparatus by periodically replacing the charging plate 23.
【００２４】本実施形態のイオン注入装置によれば、イ
オンビーム３により正に帯電した帯電板２３に負に帯電
した塵埃２５を引き付けて吸着させるので、試料２に付
着する塵埃２５の量を低減させることができる。According to the ion implantation apparatus of the present embodiment, the negatively charged dust 25 is attracted and adsorbed to the positively charged charging plate 23 by the ion beam 3, so that the amount of the dust 25 adhering to the sample 2 is reduced. Can be done.
【００２５】[0025]
【発明の効果】以上説明した様に、本発明のイオン注入
装置によれば、試料台と２次電子補充手段との間に、イ
オンビームの経路に対し進退自在なる塵埃除去手段を設
けたので、イオンビームにより正に帯電した塵埃除去手
段に負に帯電した塵埃を引き付け吸着させることによ
り、試料に付着する塵埃の量を低減させることができ
る。また、試料台と２次電子補充手段との間に電場形成
手段等が無いので、２次電子補充手段の効果を減少させ
ずに済み、試料が電気的に中和され難くなる虞もない。
また、試料の取り出し時にイオン化気体を導入する必要
が無いので、試料に必要以上のイオンが注入される虞も
無い。As described above, according to the ion implantation apparatus of the present invention, the dust removing means is provided between the sample stage and the secondary electron replenishing means so as to be able to advance and retreat with respect to the path of the ion beam. By attracting and attracting the negatively charged dust to the dust removing means positively charged by the ion beam, the amount of dust adhering to the sample can be reduced. Further, since there is no electric field forming means or the like between the sample stage and the secondary electron replenishing means, the effect of the secondary electron replenishing means does not need to be reduced, and there is no possibility that the sample is hardly electrically neutralized.
Further, since it is not necessary to introduce an ionized gas at the time of taking out the sample, there is no possibility that more ions than necessary are injected into the sample.
【図１】 本発明の一実施形態に係るイオン注入装置を
示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing an ion implantation apparatus according to one embodiment of the present invention.
【図２】 本発明の一実施形態に係るイオン注入装置の
動作を示す断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing an operation of the ion implantation apparatus according to one embodiment of the present invention.
【図３】 従来のイオン打込み装置を示す断面図であ
る。FIG. 3 is a sectional view showing a conventional ion implantation apparatus.
【図４】 従来の半導体製造装置を示す断面図である。FIG. 4 is a sectional view showing a conventional semiconductor manufacturing apparatus.
【符号の説明】 １ 試料台 ２ 試料 ３ イオンビーム ４ ビームゲート ４ａ 透孔 ５、６ ２次電子捕捉電極 ７ 直流電源 ８ 電流計 ９ 可変直流電源 １０ 電場形成手段 １１ 半導体ウェハ １２ イオン銃などの加工器 １３ 真空槽 １４ 排気系 １５ 取り出し口 １６ 大気導入バルブ １７ 排気バルブ １８ 塵埃 １９ イオン化気体導入器 ２１ エレクトロンシャワー（２次電子補充手段） ２２ 塵埃除去機構（塵埃除去手段） ２３ 帯電板 ２４ 駆動部[Description of Signs] 1 Sample table 2 Sample 3 Ion beam 4 Beam gate 4a Through hole 5, 6 Secondary electron capture electrode 7 DC power supply 8 Ammeter 9 Variable DC power supply 10 Electric field forming means 11 Semiconductor wafer 12 Processing of ion gun etc. Device 13 Vacuum tank 14 Exhaust system 15 Outlet 16 Atmospheric introduction valve 17 Exhaust valve 18 Dust 19 Ionized gas introducer 21 Electron shower (Secondary electron replenishment means) 22 Dust removal mechanism (Dust removal means) 23 Charging plate 24 Drive unit
Claims (3)
させることにより、該試料に前記物質を注入するイオン
注入装置であって、 前記試料を着脱自在に固定する試料台と、該試料台の前
方に設けられ前記イオンビームを通過させるとともに前
記試料に２次電子を補い電気的に中和させる２次電子補
充手段とを備え、 前記試料台と該２次電子補充手段との間に、前記イオン
ビームの経路に対し進退自在なる塵埃除去手段を設けた
ことを特徴とするイオン注入装置。1. An ion implantation apparatus for injecting a substance into a sample by colliding an ion beam of a predetermined substance with the sample, wherein the sample table detachably fixes the sample, A secondary electron replenishing unit provided in front of the ion beam and for supplementing and electrically neutralizing the sample with secondary electrons, wherein the sample stage and the secondary electron replenishing unit are provided between the sample stage and the secondary electron replenishing unit. An ion implantation apparatus, comprising: a dust removing means capable of moving back and forth with respect to an ion beam path.
帯電板と、該帯電板を前記イオンビームの経路に対して
進退させる駆動部とを備えたことを特徴とする請求項１
記載のイオン注入装置。2. The dust removing means according to claim 1, further comprising: a charging plate for adsorbing the dust; and a driving unit for moving the charging plate forward and backward with respect to the path of the ion beam.
An ion implanter according to any one of the preceding claims.
正に帯電していることを特徴とする請求項２記載のイオ
ン注入装置。3. The ion implantation apparatus according to claim 2, wherein said charging plate is positively charged by said ion beam.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9169286A JP3071730B2 (en) | 1997-06-25 | 1997-06-25 | Ion implantation apparatus and ion implantation method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9169286A JP3071730B2 (en) | 1997-06-25 | 1997-06-25 | Ion implantation apparatus and ion implantation method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1116533A true JPH1116533A (en) | 1999-01-22 |
| JP3071730B2 JP3071730B2 (en) | 2000-07-31 |
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ID=15883710
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9169286A Expired - Lifetime JP3071730B2 (en) | 1997-06-25 | 1997-06-25 | Ion implantation apparatus and ion implantation method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3071730B2 (en) |
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| JP2009004161A (en) * | 2007-06-20 | 2009-01-08 | Ebara Corp | Method of removing foreign matter on sample surface and charged particle apparatus |
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| JP3071730B2 (en) | 2000-07-31 |
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