JPH11163010A - Metal mold for manufacturing semiconductor device - Google Patents
Metal mold for manufacturing semiconductor deviceInfo
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- JPH11163010A JPH11163010A JP32442197A JP32442197A JPH11163010A JP H11163010 A JPH11163010 A JP H11163010A JP 32442197 A JP32442197 A JP 32442197A JP 32442197 A JP32442197 A JP 32442197A JP H11163010 A JPH11163010 A JP H11163010A
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- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体装置
のパッケージをトランスファーモールドによって成形す
る際に用いるモールド金型等の半導体装置製造用金型に
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a mold for manufacturing a semiconductor device such as a mold used for molding a package of a semiconductor device by transfer molding.
【０００２】[0002]
【従来の技術】周知の通り、半導体装置のパッケージに
使用されるモールド樹脂には、シリカ等の硬い材料が含
まれている。そして半導体装置のパッケージを形成する
モールド工程では、このシリカ等を含むモールド樹脂を
溶融させ、金型の所定形状のキャビティ内にゲートから
注入して成形を行う。金型に設けられたゲートは、成形
後の製品とランナー部との切り離しとモールド樹脂の硬
化反応促進のため、その断面積が１ｍｍ2 以下の場合が
多い。また、半導体装置のパッケージのモールド成形時
には、モールド樹脂が狭いゲートを高い圧力を持って通
過することになり、鋼材料で形成されたゲートでは摩耗
により断面積が変化し、形成される製品の成形性が低い
ものとなってしまう。2. Description of the Related Art As is well known, a mold resin used for a semiconductor device package contains a hard material such as silica. In a molding process for forming a package of a semiconductor device, the molding resin containing silica or the like is melted and injected into a cavity of a predetermined shape of a mold from a gate to perform molding. The gate provided in the mold often has a cross-sectional area of 1 mm 2 or less in order to separate the molded product from the runner portion and to promote the curing reaction of the mold resin. In addition, when molding a semiconductor device package, the molding resin passes through a narrow gate with high pressure, and the cross-sectional area of the gate formed of a steel material changes due to abrasion. It becomes a thing with low nature.
【０００３】このためモールド金型のゲート部分には、
タングステンカーバイト等の超硬材料により形成したゲ
ートブロックを組み込むようにしている。そして、ＴＳ
ＯＰ（ｔｈｉｎ ｓｍａｌｌ ｏｕｔ−ｌｉｎｅ ｐａ
ｃｋａｇｅ）に代表されるような略直方体形状のパッケ
ージを有し、パッケージの長手側面側からアウタリード
が延出する半導体装置の場合、ゲートブロックはパッケ
ージの短手側面に組み込まれる。その組み込み形態に
は、例えば下型の平面図を図６に示すように構成したも
のがある。図６（ａ）は駒形ゲートブロックを組み込ん
だ例、図６（ｂ）は丸ピンゲートブロックを組み込んだ
例、図６（ｃ）は角ピンゲートブロックを組み込んだ例
を示すものである。なお、１ａ，１ｂ，１ｃはキャビテ
ィブロック、２はキャビティ、３ａは駒形ゲートブロッ
ク、３ｂは丸ピンゲートブロック、３ｃは角ピンゲート
ブロック、４はゲート、５はエアベント、６は押切面、
７は押切逃げ面である。For this reason, the gate portion of the mold has
A gate block made of a super hard material such as tungsten carbide is incorporated. And TS
OP (thin small out-line pa)
In the case of a semiconductor device having a substantially rectangular parallelepiped package typified by a package (cage) and an outer lead extending from a longitudinal side of the package, the gate block is incorporated into the short side of the package. As a built-in form, for example, there is a form in which a plan view of a lower mold is configured as shown in FIG. 6A shows an example in which a piece gate block is incorporated, FIG. 6B shows an example in which a round pin gate block is incorporated, and FIG. 6C shows an example in which a square pin gate block is incorporated. 1a, 1b, 1c are cavity blocks, 2 is a cavity, 3a is a block gate block, 3b is a round pin gate block, 3c is a square pin gate block, 4 is a gate, 5 is an air vent, 6 is a pressed surface,
Reference numeral 7 denotes a flank of the push-off section.
【０００４】また、パッケージの短手側面にゲートブロ
ックを組み込むには、その組み込み加工の容易さから、
パッケージの短手側面の全てをゲートブロックで形成し
た駒形ゲートブロックが多く用いられている。[0004] In addition, in order to incorporate the gate block into the short side surface of the package, it is easy to assemble the gate block.
A block gate block in which the entire short side surface of the package is formed by a gate block is often used.
【０００５】以下、駒形ゲートブロックを組み込んだ半
導体装置用パッケージのモールド金型の従来技術を、図
７乃至図１１を参照して説明する。図７は第１の従来例
の下型の平面図であり、図８は図７におけるＡ−Ａ矢方
向視の断面図であり、図９は第２の従来例の下型の平面
図であり、図１０は第２の従来例の要部を拡大して示す
平面図で、図１０（ａ）は図９のＢ部分を拡大して示す
平面図、図１０（ｂ）はゲートブロックを組み込む前の
図９のＢ部分を拡大して示す平面図であり、図１１は第
３の従来例の下型の平面図である。Hereinafter, a conventional technique of a mold for a semiconductor device package incorporating a block gate block will be described with reference to FIGS. 7 to 11. FIG. FIG. 7 is a plan view of a lower mold of the first conventional example, FIG. 8 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 7, and FIG. 9 is a plan view of a lower mold of the second conventional example. FIG. 10 is an enlarged plan view showing a main part of the second conventional example, FIG. 10A is an enlarged plan view showing a portion B in FIG. 9, and FIG. FIG. 11 is an enlarged plan view showing a portion B in FIG. 9 before assembling, and FIG. 11 is a plan view of a lower die of a third conventional example.
【０００６】先ず、第１の従来例を図７及び図８により
説明する。モールド金型１１は下型１２と上型１３によ
って構成されており、下型１２と上型１３にはモールド
加工の際に組み合わされて所定形状のパッケージの成形
が行われるように、それぞれ傾斜側面１４ａ，１４ｂを
有する略直方体状のキャビティ１５ａ，１５ｂが形成さ
れている。そして下型１２はキャビティブロック１６に
ゲート１７が形成された駒形のゲートブロック１８を組
み込むようにして構成されており、キャビティ１５ａは
その一方の短手側面１４ａの全てがゲートブロック１８
によって形成され、他のほとんどの部分はキャビティブ
ロック１６に形成されている。First, a first conventional example will be described with reference to FIGS. The mold die 11 is composed of a lower mold 12 and an upper mold 13. The lower mold 12 and the upper mold 13 are combined with each other at the time of molding to form a package having a predetermined shape. Substantially rectangular parallelepiped cavities 15a and 15b having 14a and 14b are formed. The lower mold 12 is configured such that a piece-shaped gate block 18 in which a gate 17 is formed is incorporated in a cavity block 16.
And most other parts are formed in the cavity block 16.
【０００７】キャビティブロック１６には、キャビティ
１５ａの長手側面１４ａの縁に沿ってキャビティ１５ａ
の内方側と外方側とを仕切る所定幅の押切面１９ａが、
上型１３との組み合わせ面として形成されており、この
押切面１９ａの外方側には押切面１９ａに対し深さが５
０μｍ以上となる段差を設けるようにして押切逃げ面２
０が形成されている。また、キャビティブロック１６の
キャビティ１５ａの他方の短手側面側にも押切面１９ｂ
は形成されており、この他方の短手側面側には、さらに
押切面１９ｂに対し深さが４０μｍとなるエアベント２
１が形成されている。The cavity block 16 has a cavity 15a along the edge of the longitudinal side surface 14a of the cavity 15a.
The press-cut surface 19a having a predetermined width for partitioning the inner side and the outer side of the
It is formed as a combined surface with the upper die 13, and the outer side of the pressing surface 19 a has a depth of 5 to the pressing surface 19 a.
Pressing flank 2 with a step of 0 μm or more
0 is formed. Also, a pressing face 19b is provided on the other short side of the cavity 15a of the cavity block 16.
On the other short side surface, an air vent 2 having a depth of 40 μm with respect to the pressing surface 19b is further formed.
1 is formed.
【０００８】一方、キャビティ１５ａの一方の短手側面
１４ａを構成するゲートブロック１８は、図７の紙面左
右方向となるその短手方向の幅寸法が、キャビティ１５
ａの短手方向の幅寸法に両長手側面１４ａの縁に沿う押
切面１９ａの幅寸法を加えた寸法よりも大きくなるよう
に形成されている。すなわち、ゲートブロック１８は幅
寸法が、キャビティ１５ａの短手側面１４ａの幅寸法よ
りも大きなものとなっている。On the other hand, the gate block 18 forming one short side surface 14a of the cavity 15a has a width dimension in the short side direction which is the left-right direction in FIG.
It is formed to be larger than the width obtained by adding the width of the push-cut surface 19a along the edges of both long side surfaces 14a to the width of the width in the short direction of a. That is, the width of the gate block 18 is larger than the width of the short side surface 14a of the cavity 15a.
【０００９】そして、このような構成の下型１２を用い
て所定形状のパッケージの成形を行った場合、下型１２
と上型１３により形成されたキャビティ１５ａ，１５ｂ
内に溶融したモールド樹脂が高圧力で押し込まれるが、
この高圧力によりキャビティ１５ａの短手側面を形成す
るゲートブロック１８の傾斜面と、この傾斜面に当接す
るキャビティブロック１６の面との境界部分を介して溶
融したモールド樹脂が滲み出し、例えば図７に示すよう
に押切面１９ａの外方側の押切逃げ面２０にモールド樹
脂が漏れ出て点線斜線で示すような漏出バリＸができて
しまう。このため、漏出バリＸの形成を抑制する対策と
して、ゲートブロック１８の傾斜面とキャビティブロッ
ク１６の面とが当接している部分の寸法を少なくするよ
うゲートブロックを小寸法に形成することが行われてい
る。When a package having a predetermined shape is formed by using the lower mold 12 having such a structure, the lower mold 12 is formed.
And cavities 15a and 15b formed by upper mold 13
Mold resin melted in is pushed in with high pressure,
Due to the high pressure, the molten mold resin oozes through the boundary between the inclined surface of the gate block 18 forming the short side surface of the cavity 15a and the surface of the cavity block 16 which comes into contact with the inclined surface. As shown in (1), the molding resin leaks out to the pressing flank 20 on the outer side of the pressing surface 19a, and leakage burrs X as shown by dotted oblique lines are formed. Therefore, as a measure to suppress the formation of leakage burrs X, the gate block is formed to have a small size so as to reduce the size of the portion where the inclined surface of the gate block 18 and the surface of the cavity block 16 are in contact. Have been done.
【００１０】次に、第１の従来例よりもゲートブロック
を小寸法に形成し漏出バリＸの形成を抑制した第２の従
来例を図９及び図１０により説明する。下型２２は、上
記第１の従来例の上型と同様に構成された図示しない上
型とモールド加工の際に組み合わされるもので、キャビ
ティブロック２３にゲートブロック２４を組み込むよう
にして構成されており、キャビティ１５ａの一方の短手
側面１４ａは全てがゲートブロック２４によって形成さ
れている。そして、キャビティブロック２３には、キャ
ビティ１５ａの長手側面１４ａの縁に沿う方向にキャビ
ティ１５ａの内方側と外方側とを仕切るようにして所定
幅の押切面２６ａが、上型との組み合わせ面として形成
されており、この押切面２６ａの外方側には、間に段差
を設けるようにして押切逃げ面２０が形成されている。
また、キャビティブロック２３のキャビティ１５ａの他
方の短手側面側にも押切面２６ｂは形成されており、さ
らに他方の短手側面側にはエアベント２１が形成されて
いる。Next, a second conventional example in which a gate block is formed in a smaller size than the first conventional example and the formation of leakage burrs X is suppressed will be described with reference to FIGS. 9 and 10. FIG. The lower mold 22 is combined with an upper mold (not shown) configured in the same manner as the upper mold of the first conventional example at the time of molding, and is configured to incorporate the gate block 24 into the cavity block 23. The entire short side surface 14a of the cavity 15a is formed by the gate block 24. The cavity block 23 has a press-cut surface 26a having a predetermined width so as to partition the inner side and the outer side of the cavity 15a in a direction along the edge of the longitudinal side surface 14a of the cavity 15a. A press-cut flank 20 is formed on the outer side of the press-cut surface 26a so as to provide a step between them.
In addition, a pressing surface 26b is formed on the other short side of the cavity 15a of the cavity block 23, and an air vent 21 is formed on the other short side.
【００１１】一方、ゲートブロック２４は、図９の紙面
左右方向となるその短手方向の幅寸法が、キャビティ１
５ａの短手方向の幅寸法より大きく、またキャビティ１
５ａの幅寸法に両長手側面１４ａの縁に沿う押切面２６
ａの幅寸法を加えた寸法よりも小さくなるように形成さ
れている。これにより、図９のＢ部分を拡大した図１０
（ａ）に示すように、ゲートブロック２４は、その側端
部分が押切面２６ａの幅内に位置しており、その幅寸法
がキャビティ１５ａの短手側面１４ａの幅寸法よりも僅
かに大きいだけのものとなっている。On the other hand, the width of the gate block 24 in the width direction in the lateral direction of FIG.
5a is larger than the width in the short direction and the cavity 1
Pressing surface 26 along the edge of both longitudinal side surfaces 14a to the width dimension of 5a
It is formed to be smaller than the dimension obtained by adding the width dimension of “a”. As a result, FIG.
As shown in (a), the side end of the gate block 24 is located within the width of the pressing surface 26a, and its width is slightly larger than the width of the short side surface 14a of the cavity 15a. It has become.
【００１２】そして、このように構成されたものでは、
キャビティ１５ａの短手側面１４ａを形成するゲートブ
ロック２４の傾斜面とキャビティブロック２３の面とが
当接している部分の寸法を少なく、モールド加工時に溶
融したモールド樹脂が滲み出て漏出バリＸができる可能
性が非常に少なくなる。しかし、ゲートブロック２４を
組み込む前のキャビティブロック２３には、図１０
（ａ）に示す部分の組み込み前の状態を図１０（ｂ）に
示すように、押切面２６ａの中に鋭利な角度を持った小
庇状の角部Ｙが形成されることになる。[0012] Then, in such a configuration,
The dimension of the portion where the inclined surface of the gate block 24 forming the short side surface 14a of the cavity 15a and the surface of the cavity block 23 are in contact with each other is reduced. The possibilities are greatly reduced. However, before the gate block 24 is assembled, the cavity block 23 has a structure shown in FIG.
As shown in FIG. 10B, a state before the incorporation of the portion shown in FIG. 10A is formed into a small eave-shaped corner portion Y having a sharp angle in the push-cut surface 26a.
【００１３】この角部Ｙは、キャビティブロック２３に
ゲートブロック２４を組み込む際に欠ける虞があり、欠
けが発生した場合には、欠け部分を修復するといった手
段が取れないのでキャビティブロック２３は作り直さな
ければならない。このモールド金型の中で最もコストが
高く、製作期間の長いキャビティブロック２３の作り直
しは、半導体装置の開発時間の長期化、生産の立上がり
の遅れ、製品コストの増加をまねくことになる。このた
め、上記の第１の従来例及び第２の従来例の問題点を解
決するものとして、下記の第３の従来例が用いられるよ
うになった。The corner portion Y may be chipped when the gate block 24 is assembled into the cavity block 23. If a chip occurs, it is not possible to take measures such as repairing the chipped portion. Therefore, the cavity block 23 must be recreated. Must. Rebuilding the cavity block 23, which has the highest cost among the mold dies and has a long manufacturing period, leads to a prolonged development time of semiconductor devices, a delay in production start-up, and an increase in product costs. For this reason, the following third conventional example has come to be used to solve the problems of the first conventional example and the second conventional example.
【００１４】次に、第３の従来例を図１１により説明す
る。下型２７は、上記第１の従来例の上型と略同様に構
成された図示しない上型とモールド加工の際に組み合わ
されるもので、キャビティブロック２８にゲートブロッ
ク１８を組み込むようにして構成されており、キャビテ
ィ１５ａの一方の短手側面１４ａは全てがゲートブロッ
ク１８によって形成されている。そして、キャビティブ
ロック２８には、キャビティ１５ａの長手側面１４ａの
縁に沿ってキャビティ１５ａの内方側と外方側とを仕切
るように、また組み込まれたゲートブロック１８の側端
部を囲むよう屈曲部２９を設けるようにして所定幅の押
切面３０ａが、上型との組み合わせ面として形成されて
おり、この押切面３０ａの外方側には、間に段差を設け
るようにして押切逃げ面２０が形成されている。また、
キャビティブロック２８のキャビティ１５ａの他方の短
手側面側にも押切面３０ｂは形成されており、さらに他
方の短手側面側にはエアベント２１が形成されている。Next, a third conventional example will be described with reference to FIG. The lower mold 27 is combined with an upper mold (not shown) having substantially the same configuration as the upper mold of the first conventional example at the time of molding, and is configured such that the gate block 18 is incorporated into the cavity block 28. The whole short side surface 14 a of the cavity 15 a is formed by the gate block 18. The cavity block 28 is bent so as to partition the inner side and the outer side of the cavity 15a along the edge of the longitudinal side surface 14a of the cavity 15a, and to surround the side end of the built-in gate block 18. A press-cut surface 30a of a predetermined width is formed as a combination surface with the upper die so as to provide the portion 29, and a press-release flank 20 is formed on the outer side of the press-cut surface 30a by providing a step between them. Are formed. Also,
A pressing face 30b is also formed on the other short side of the cavity 15a of the cavity block 28, and an air vent 21 is formed on the other short side.
【００１５】そして、このように構成されたものでは、
第１の従来例と同様にゲートブロック１８の幅寸法が大
きく、第２の従来例におけるような小庇状の角部の形成
とならず応力が集中し難いものとなり、キャビティブロ
ック２８へゲートブロック１８を組み込む際の欠けの発
生が抑制される。またゲートブロック１８の幅寸法を大
きくしたことによるモールド加工時のモールド樹脂の滲
み出しについては、ゲートブロック１８の側端部を囲む
と共に、キャビティ１５ａの長手側面１４ａの縁に沿っ
て設けられた押切面３０ａが、屈曲部２９を有する所定
幅に形成したものであり、押切面積が極小化されるので
上型と下型２７の型閉め力を有効に使うことができるこ
とになって、モールド樹脂の滲み出しが抑制され、漏出
バリの発生が低減する。[0015] Then, with the above-mentioned structure,
As in the first conventional example, the width of the gate block 18 is large, and a small eave-shaped corner is not formed as in the second conventional example, so that stress is unlikely to be concentrated. The occurrence of chipping when assembling 18 is suppressed. Regarding the bleeding of the mold resin during the molding process due to the increase in the width of the gate block 18, the press-cut formed along the edge of the longitudinal side surface 14 a of the cavity 15 a while enclosing the side end of the gate block 18. The surface 30a is formed to have a predetermined width with the bent portion 29, and the pressing area is minimized, so that the closing force of the upper die and the lower die 27 can be used effectively, and Bleeding is suppressed, and the occurrence of leakage burrs is reduced.
【００１６】しかし、屈曲部２９を持った押切面３０ａ
をキャビティブロック２８に形成するには、押切面３０
ａの外方側の押切逃げ面２０を研磨加工により形成し、
さらに図１１中に点線斜線で示す不要部分Ｚについては
放電加工を用いて形成しなければならない。この放電加
工は加工方法として最も時間が掛かるものの一つであ
り、また加工用電極の製作をともなうもので、加工コス
トも高い。このため、半導体装置の開発に長時間を要
し、また、生産の立上がりが遅く、製品コストも高いも
のとなってしまう。However, the pressing surface 30a having the bent portion 29
Is formed on the cavity block 28 by pressing the pressing surface 30.
forming the flank 20 on the outer side of a by polishing;
Further, an unnecessary portion Z indicated by a hatched dotted line in FIG. 11 must be formed by electric discharge machining. This electric discharge machining is one of the most time-consuming machining methods, involves the production of machining electrodes, and is expensive. For this reason, it takes a long time to develop a semiconductor device, and the rise of production is slow and the product cost is high.
【００１７】[0017]
【発明が解決しようとする課題】上記のような状況に鑑
みて本発明はなされたもので、その目的とするところは
モールド加工の際の漏出バリの発生が低減すると共に、
開発や生産の立上げに長時間を要することもなく、製品
コストが低減できる半導体装置製造用金型を提供するこ
とにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object to reduce the occurrence of leakage burrs at the time of molding.
An object of the present invention is to provide a semiconductor device manufacturing mold that can reduce product cost without requiring a long time for development and production start-up.
【００１８】[0018]
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置製造
用金型は、直方体状キャビティが形成され、かつ該キャ
ビティの周囲に押切面とこの押切面の外方側に段差を設
けて押切逃げ面とが形成されたキャビティブロックと、
キャビティの一側面の全てを形成するようキャビティブ
ロックに組み合わされるゲートブロックとを備えてなる
半導体装置製造用金型において、キャビティブロック
は、押切面と押切逃げ面の間に、段差よりも小さい段差
を押切面に対し設けてなる所定幅の樹脂漏洩抑制面が形
成されていることを特徴とするものであり、さらに、樹
脂漏洩抑制面が、押切面に対し１０μｍ低くなっている
ことを特徴とするものであり、さらに、樹脂漏洩抑制面
が、ゲートブロックの幅寸法よりも広い範囲にまで形成
されていることを特徴とするものであり、さらに、樹脂
漏洩抑制面の幅が、押切面の２倍以上の幅であることを
特徴とするものである。According to the present invention, there is provided a mold for manufacturing a semiconductor device, wherein a rectangular parallelepiped cavity is formed, and a press-cutting surface is provided around the cavity and a step is provided outside the press-cutting surface to release the press-cut. A cavity block formed with a surface,
In a mold for manufacturing a semiconductor device comprising a gate block combined with a cavity block to form all of one side surface of the cavity, the cavity block has a step smaller than the step between the press-cut surface and the press-cut flank. It is characterized in that a resin leakage suppressing surface of a predetermined width provided to the pressing surface is formed, and further, the resin leakage suppressing surface is lower than the pressing surface by 10 μm. Wherein the resin leakage suppressing surface is formed to have an area wider than the width dimension of the gate block, and the width of the resin leakage suppressing surface is 2 mm of the press-cut surface. The width is twice or more.
【００１９】[0019]
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図１
乃至図５を参照して説明する。本実施形態は、例えばＴ
ＳＯＰ（ｔｈｉｎ ｓｍａｌｌ ｏｕｔ−ｌｉｎｅ ｐ
ａｃｋａｇｅ）に代表されるような実装高さが１．２７
ｍｍ以下、ピンピッチが１．２７ｍｍ以下でピン数が２
４〜６４程度の半導体装置の略直方体形状のパッケージ
を形成するモールド金型である。図１は下型の平面図で
あり、図２はゲートブロックの斜視図であり、図３は図
１におけるＰ−Ｐ矢方向視の断面図であり、図４は図１
におけるＱ−Ｑ矢方向視の断面図であり、図５は要部を
拡大して示す平面図で、図５（ａ）は図１のＲ部分を拡
大して示す平面図、図５（ｂ）はゲートブロックを組み
込む前の図１のＲ部分を拡大して示す平面図である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.
This will be described with reference to FIGS. In the present embodiment, for example, T
SOP (thin small out-line p)
package height is 1.27
mm or less, the pin pitch is 1.27 mm or less, and the number of pins is 2
This is a mold for forming a substantially rectangular parallelepiped package of about 4 to 64 semiconductor devices. 1 is a plan view of a lower die, FIG. 2 is a perspective view of a gate block, FIG. 3 is a cross-sectional view taken along a line PP in FIG. 1, and FIG.
5 is a cross-sectional view taken in the direction of arrows QQ in FIG. 5, FIG. 5 is an enlarged plan view showing a main part, FIG. 5A is an enlarged plan view showing an R portion in FIG. 2) is an enlarged plan view showing a portion R in FIG. 1 before a gate block is incorporated.
【００２０】図１乃至図５において、モールド金型３１
は下型３２と上型３３によって構成されており、下型３
２と上型３３にはモールド加工の際に図示しないリード
フレームを間に設けるようにして組み合わされ、所定形
状のパッケージの成形が行われるように、それぞれ傾斜
側面３４ａ，３４ｂを有する略直方体状のキャビティ３
５ａ，３５ｂが形成されている。そして下型３２は、キ
ャビティブロック３６にゲート３７が形成された駒形の
ゲートブロック３８を組み込むようにして構成されてお
り、例えば１０ｍｍ×２０ｍｍの開口寸法を有するキャ
ビティ３５ａは、その一方の短手側面３４ａの全てがゲ
ートブロック３８によって形成され、他のほとんどの部
分はキャビティブロック３６に形成されている。なお、
ゲートブロック３８はタングステンカーバイト等の超硬
材料によりなる縦断面形状が台形をなすもので、この台
形の傾斜側面３９の上部がキャビティ３５ａの一方の短
手側面３４ａを形成し、頂面中央部分にはゲート３７が
削設されている。In FIGS. 1 to 5, a mold 31 is shown.
Is composed of a lower mold 32 and an upper mold 33, and a lower mold 3
The upper mold 33 and the upper mold 33 are combined so that a lead frame (not shown) is provided therebetween during molding, and a substantially rectangular parallelepiped shape having inclined side surfaces 34a and 34b, respectively, so that a package having a predetermined shape is formed. Cavity 3
5a and 35b are formed. The lower mold 32 is configured to incorporate a piece-shaped gate block 38 in which a gate 37 is formed in a cavity block 36. For example, a cavity 35a having an opening size of 10 mm × 20 mm has one short side surface thereof. All of 34 a are formed by the gate block 38, and most other portions are formed by the cavity block 36. In addition,
The gate block 38 has a trapezoidal vertical cross-sectional shape made of a super hard material such as tungsten carbide. The upper part of the inclined side surface 39 of the trapezoid forms one short side surface 34a of the cavity 35a, and a central portion of the top surface. Is provided with a gate 37.
【００２１】また、キャビティブロック３６には、キャ
ビティ３５ａの長手側面３４ａの縁に沿ってキャビティ
３５ａの内方側と外方側とを仕切る押切面４０ａが幅寸
法ｌ＝０．５ｍｍで設けられ、上型３３との組み合わせ
面を形成している。さらに、この押切面４０ａの外方側
には、押切面４０ａに対し深さが１０μｍとなる第１の
段差４１を設けて幅寸法ｍ＝１．０ｍｍで樹脂漏洩抑制
面４２が形成されている。さらにまた、樹脂漏洩抑制面
４２の外方側には、樹脂漏洩抑制面４２に対し深さが４
０μｍ以上となる第２の段差４３を設けて押切逃げ面４
４が形成されている。なお、押切逃げ面４４は押切面４
０ａに対して深さ５０μｍ以上となるように形成されて
いる。そして、キャビティブロック３６のキャビティ３
５ａの他方の短手側面側にも押切面４０ｂは形成されて
いる。この押切面４０ｂはキャビティ３５ａの長手側面
３４ａに沿う押切面４０ａと同一平面を形成し、上型３
３との組み合わせ面を形成する。また、他方の短手側面
側には、さらに押切面４０ｂに対し深さが４０μｍとな
るエアベント４５が形成されている。The cavity block 36 is provided with a pushing surface 40a having a width l = 0.5 mm along the edge of the longitudinal side surface 34a of the cavity 35a and separating the inner side and the outer side of the cavity 35a. A combination surface with the upper mold 33 is formed. Further, on the outer side of the pressing surface 40a, a first step 41 having a depth of 10 μm with respect to the pressing surface 40a is provided, and a resin leakage suppressing surface 42 having a width m = 1.0 mm is formed. . Further, the outer side of the resin leakage suppressing surface 42 has a depth of 4
A second step 43 having a thickness of 0 μm or more,
4 are formed. The flank 44 is the flank 4
0a is formed to have a depth of 50 μm or more. And the cavity 3 of the cavity block 36
A press-cut surface 40b is also formed on the other short side surface of 5a. The pressing surface 40b forms the same plane as the pressing surface 40a along the longitudinal side surface 34a of the cavity 35a.
3 is formed. Further, an air vent 45 having a depth of 40 μm with respect to the press-cut surface 40b is formed on the other short side surface side.
【００２２】一方、キャビティ３５ａの一方の短手側面
を構成するゲートブロック３８は、図１の紙面左右方向
となるその短手方向の幅寸法ｎが、キャビティ３５ａの
短手方向の幅寸法ｋ（例えば、ｋ＝１０ｍｍ）に両長手
側面３４ａの縁に沿う押切面４０ａの幅寸法ｌをそれぞ
れ加えた寸法（ｌ＋ｋ＋ｌ）よりも片側で約０．５ｍ
ｍ、両側で約１．０ｍｍ大きくなるように形成され、ま
た両長手側面３４ａの押切面４０ａの外方側にそれぞれ
１．０ｍｍの幅寸法ｍで設けられた左右の樹脂漏洩抑制
面４２の左右の端辺間の幅寸法（ｍ＋ｌ＋ｋ＋ｌ＋ｍ）
より小さいものとなっている。このため、図１のＲ部分
について部分拡大して示す図５（ａ）のゲートブロック
３８を組み込んだ状態、図５（ｂ）のゲートブロック３
８が組み込まれる前の状態に見る通り、組み込み部分に
形成される庇状の角部Ｗは比較的大きいなものとなって
いる。また、ゲートブロック３８は側端部分が樹脂漏洩
抑制面４２部分に位置し、樹脂漏洩抑制面４２との間に
１０μｍの段差を有する。On the other hand, the gate block 38 which forms one short side surface of the cavity 35a has a width n in the short direction which is the left-right direction in FIG. 1 and the width k (k) in the short direction of the cavity 35a. For example, k = 10 mm) and the width dimension 1 of the push-cut surface 40a along the edges of both longitudinal side surfaces 34a are each added to about 0.5 m on one side from the dimension (l + k + 1).
m, which are formed so as to be larger by about 1.0 mm on both sides, and the left and right sides of the left and right resin leakage suppression surfaces 42 provided with a width dimension m of 1.0 mm each on the outer side of the pressing surface 40a of both longitudinal side surfaces 34a. Width between the edges of (m + l + k + l + m)
It is smaller. Therefore, the gate block 38 shown in FIG. 5A, which is a partially enlarged view of the R portion in FIG. 1, is incorporated, and the gate block 3 shown in FIG.
As can be seen from the state before 8 is incorporated, the eave-shaped corner W formed in the incorporated portion is relatively large. Further, the gate block 38 has a side end portion located at the resin leakage suppression surface 42 and has a step of 10 μm between itself and the resin leakage suppression surface 42.
【００２３】そして、このような構成とすることによ
り、ゲートブロック３８の幅寸法ｎがキャビティ３５ａ
の幅寸法ｋよりも片側で約０．５ｍｍ、両側で約１．０
ｍｍ大きく、ゲートブロック３８の組み込み部分に形成
される庇状の角部Ｗは大きく、応力が分散したものとな
る。このため、キャビティブロック３６へゲートブロッ
ク３８を組み込む際の欠けの発生が抑制される。With such a configuration, the width n of the gate block 38 is reduced by the cavity 35a.
About 0.5 mm on one side and about 1.0 on both sides
mm, the eave-shaped corners W formed at the part where the gate block 38 is incorporated are large, and the stress is dispersed. Therefore, the occurrence of chipping when the gate block 38 is assembled into the cavity block 36 is suppressed.
【００２４】また、上記のような構成の下型３２を用い
て所定形状のパッケージの成形を行った場合、下型３２
と上型３３により形成された，３５ｂ内に溶融したモー
ルド樹脂が、キャビティ３５ａ，３５ｂ内の空気をエア
ベント４５から外部に押し出しながら高圧力で押し込ま
れる。この高圧力で注入された溶融したモールド樹脂
は、キャビティ３５ａの短手側面３４ａを形成するゲー
トブロック３８の傾斜側面３９と、この傾斜側面３９に
当接するキャビティブロック３６の面との境界部分を介
して滲み出ようとするが、下型３２と上型３３を組み合
わせた時に樹脂漏洩抑制面４２によって形成される狭い
間隙Ｓに滲み出ることになるので、滲み出しによる漏出
バリの形成が、間隙Ｓより広い押切逃げ面４４の形成す
る間隙Ｔに直接滲み出る場合よりも抑制されたものとな
る。なお、樹脂漏洩抑制面４２の深さにより滲み出しの
抑制効果は変化し、押切逃げ面４４よりも浅くすること
によりその効果は生じ、樹脂漏洩抑制面４２の深さが浅
いほど効果は大となるが、また樹脂漏洩抑制面４２の深
さは、下型３２と上型３３に挟持されるリードフレーム
の厚さ等も考慮して適正な深さに決定される。When a package having a predetermined shape is formed by using the lower mold 32 having the above-described structure, the lower mold 32 is formed.
The mold resin melted in 35b formed by the upper mold 33 and the upper mold 33 is pushed in at a high pressure while pushing out the air in the cavities 35a and 35b from the air vent 45 to the outside. The molten mold resin injected under the high pressure passes through the boundary between the inclined side surface 39 of the gate block 38 forming the short side surface 34a of the cavity 35a and the surface of the cavity block 36 contacting the inclined side surface 39. However, when the lower mold 32 and the upper mold 33 are combined, they leak out into the narrow gap S formed by the resin leakage suppression surface 42. This is more suppressed than in the case where it directly oozes into the gap T formed by the wider pressing flank 44. The effect of suppressing seepage varies depending on the depth of the resin leakage suppressing surface 42, and the effect is produced by making the resin leakage suppressing surface 44 shallower than the pressing flank 44, and the effect becomes greater as the depth of the resin leakage suppressing surface 42 becomes smaller. However, the depth of the resin leakage suppressing surface 42 is determined to be an appropriate depth in consideration of the thickness of the lead frame sandwiched between the lower mold 32 and the upper mold 33 and the like.
【００２５】さらに樹脂漏洩抑制面４２は押切面４０ａ
より低いために、成形時の型閉めによって接触すること
がなく、押切面積は小さいままの状態で上型３３、下型
３２の型閉め力を有効に使うことができ、フラッシュの
発生を防止することができる。さらにまた、ゲートブロ
ック３８の幅を成形されるパッケージの短手方向の幅寸
法ｋよりも大きくすることにより、キャビティブロック
３６の庇状の角部Ｗには応力が集中し難いものとなり、
キャビティブロック３６にゲートブロック３８を組み込
む際の欠けの発生が抑制される。なおまた、キャビティ
ブロック３６の形状が、放電加工を用いずに研磨加工に
よって押切面４０ａ、樹脂漏洩抑制面４２、押切逃げ面
４４をそれぞれ形成できるものであるから、製作期間が
短くてよく、製作コストが高いものとならない。そし
て、このモールド金型３１を用いてモールド加工した場
合にはフラッシュの発生が防止できてモールド不良が低
減し、また漏出バリ等のバリ除去作業が簡単になる。Further, the resin leakage suppressing surface 42 is a pressing surface 40a.
Since it is lower, there is no contact due to the closing of the mold at the time of molding, and the closing force of the upper mold 33 and the lower mold 32 can be effectively used while keeping the pressed area small, thereby preventing the occurrence of flash. be able to. Furthermore, by making the width of the gate block 38 larger than the width dimension k in the short direction of the package to be molded, stress is less likely to concentrate on the eave-shaped corner W of the cavity block 36,
The occurrence of chipping when the gate block 38 is assembled into the cavity block 36 is suppressed. In addition, since the shape of the cavity block 36 can form the press-cut surface 40a, the resin leakage suppressing surface 42, and the press-cut flank 44 by polishing without using electric discharge machining, the manufacturing period may be short. The cost is not high. When molding is performed using the mold 31, the occurrence of flash can be prevented, mold defects are reduced, and the work of removing burrs such as leakage burrs is simplified.
【００２６】[0026]
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、キャビティブロックにゲートブロックを組み
込む際の欠け発生の抑制、モールド加工時のフラッシュ
の発生防止、キャビティブロックとゲートブロックの境
界からの漏出バリの発生の抑制が高コストを掛けること
なく実現でき、また開発や生産の立上げにも長時間を要
せず、モールド加工の歩留が向上し製品コストが低減で
きる等の効果を奏する。As is apparent from the above description, according to the present invention, the occurrence of chipping when the gate block is incorporated into the cavity block, the prevention of flash during molding, and the boundary between the cavity block and the gate block are achieved. The effects of reducing the occurrence of burrs from the product can be realized without increasing costs, and the development and production start-up does not require a long time, improving the yield of molding and reducing the product cost. To play.
【図１】本発明の一実施形態に係る下型を示す平面図で
ある。FIG. 1 is a plan view showing a lower mold according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の一実施形態の下型におけるゲートブロ
ックの斜視図である。FIG. 2 is a perspective view of a gate block in a lower mold of one embodiment of the present invention.
【図３】図１におけるＰ−Ｐ矢方向視の断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view as viewed in the direction of arrows PP in FIG. 1;
【図４】図１におけるＱ−Ｑ矢方向視の断面図である。FIG. 4 is a sectional view taken in the direction of arrows QQ in FIG. 1;
【図５】本発明の一実施形態の下型の要部を拡大して示
す平面図で、図５（ａ）は図１のＲ部分を拡大して示す
平面図、図５（ｂ）はゲートブロックを組み込む前の図
１のＲ部分を拡大して示す平面図である。FIG. 5 is an enlarged plan view showing a main part of a lower mold according to an embodiment of the present invention, FIG. 5 (a) is an enlarged plan view showing an R portion of FIG. 1, and FIG. FIG. 2 is an enlarged plan view showing an R portion of FIG. 1 before a gate block is incorporated.
【図６】従来のゲートブロックが組み込まれた下型の平
面図で、図６（ａ）は駒形ゲートブロックを組み込んだ
平面図、図６（ｂ）は丸ピンゲートブロックを組み込ん
だ平面図、図６（ｃ）は角ピンゲートブロックを組み込
んだ平面図である。6A and 6B are plan views of a lower die in which a conventional gate block is incorporated. FIG. 6A is a plan view in which a piece gate block is incorporated, and FIG. 6B is a plan view in which a round pin gate block is incorporated. FIG. 6 (c) is a plan view incorporating the square pin gate block.
【図７】第１の従来例の下型の平面図である。FIG. 7 is a plan view of a lower die of the first conventional example.
【図８】図７におけるＡ−Ａ矢方向視の断面図である。8 is a cross-sectional view as viewed in the direction of arrows AA in FIG.
【図９】第２の従来例の下型の平面図である。FIG. 9 is a plan view of a lower die of the second conventional example.
【図１０】第２の従来例の要部を拡大して示す平面図
で、図１０（ａ）は図９のＢ部分を拡大して示す平面
図、図１０（ｂ）はゲートブロックを組み込む前の図９
のＢ部分を拡大して示す平面図である。10 is an enlarged plan view showing a main part of a second conventional example, FIG. 10 (a) is an enlarged plan view showing a portion B in FIG. 9, and FIG. 10 (b) incorporates a gate block. Previous Figure 9
FIG. 4 is an enlarged plan view showing a portion B of FIG.
【図１１】第３の従来例の下型の平面図である。FIG. 11 is a plan view of a lower die of the third conventional example.
３４ａ…傾斜側面 ３５ａ…キャビティ ３６…キャビティブロック ３８…ゲートブロック ４０ａ…押切面 ４１…第１の段差 ４２…樹脂漏洩抑制面 ４３…第２の段差 ４４…押切逃げ面 34a ... Slope side surface 35a ... Cavity 36 ... Cavity block 38 ... Gate block 40a ... Pressed surface 41 ... First step 42 ... Resin leakage suppression surface 43 ... Second step 44 ... Pressed relief surface
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ // Ｂ２９Ｌ 31:34 Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification symbol FI // B29L 31:34
Claims (4)
キャビティの周囲に押切面とこの押切面の外方側に段差
を設けて押切逃げ面とが形成されたキャビティブロック
と、前記キャビティの一側面の全てを形成するよう前記
キャビティブロックに組み合わされるゲートブロックと
を備えてなる半導体装置製造用金型において、前記キャ
ビティブロックは、前記押切面と押切逃げ面の間に、前
記段差よりも小さい段差を前記押切面に対し設けてなる
所定幅の樹脂漏洩抑制面が形成されていることを特徴と
する半導体装置製造用金型。1. A cavity block in which a rectangular parallelepiped cavity is formed, and a cut-off surface is formed around the cavity, and a cut-out flank is formed by providing a step outside the cut-off surface, and one side surface of the cavity. And a gate block combined with the cavity block so as to form all of the cavity blocks, wherein the cavity block has a step smaller than the step between the press-cut surface and the press-release relief surface. A mold for manufacturing a semiconductor device, wherein a resin leakage suppressing surface having a predetermined width provided on the press-cut surface is formed.
ｍ低くなっていることを特徴とする請求項１記載の半導
体装置製造用金型。2. The resin leakage suppressing surface is 10 μm away from the pressed surface.
2. The mold for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the height of the mold is reduced by m.
寸法よりも広い範囲にまで形成されていることを特徴と
する請求項１記載の半導体装置製造用金型。3. The mold for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the resin leakage suppressing surface is formed in a range wider than a width dimension of the gate block.
上の幅であることを特徴とする請求項１記載の半導体装
置製造用金型。4. The mold for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the width of the resin leakage suppressing surface is at least twice as large as the pressing and cutting surface.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32442197A JPH11163010A (en) | 1997-11-26 | 1997-11-26 | Metal mold for manufacturing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32442197A JPH11163010A (en) | 1997-11-26 | 1997-11-26 | Metal mold for manufacturing semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11163010A true JPH11163010A (en) | 1999-06-18 |
Family
ID=18165617
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32442197A Pending JPH11163010A (en) | 1997-11-26 | 1997-11-26 | Metal mold for manufacturing semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11163010A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8029720B2 (en) * | 2005-11-25 | 2011-10-04 | Dai-Ichi Seiko Co., Ltd. | Resin sealing apparatus and resin sealing method |
| JP2016007849A (en) * | 2014-06-26 | 2016-01-18 | オリンパス株式会社 | Molding die and production method |
-
1997
- 1997-11-26 JP JP32442197A patent/JPH11163010A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8029720B2 (en) * | 2005-11-25 | 2011-10-04 | Dai-Ichi Seiko Co., Ltd. | Resin sealing apparatus and resin sealing method |
| JP2016007849A (en) * | 2014-06-26 | 2016-01-18 | オリンパス株式会社 | Molding die and production method |
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