JPH11162842A - 基板のリソグラフィ処理方法及び基板処理方法 - Google Patents
基板のリソグラフィ処理方法及び基板処理方法Info
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- JPH11162842A JPH11162842A JP9343966A JP34396697A JPH11162842A JP H11162842 A JPH11162842 A JP H11162842A JP 9343966 A JP9343966 A JP 9343966A JP 34396697 A JP34396697 A JP 34396697A JP H11162842 A JPH11162842 A JP H11162842A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
ずスループットの高い処理を可能とする処理方法を提供
する。 【解決手段】 基板Wにパターンを形成する工程を含む
リソグラフィ処理方法において、基板Wに付された識別
符号121と実際に第1リソグラフィ処理で基板Wが処
理された処理条件とを記憶し、第1リソグラフィ処理が
行われた基板Wの識別符号121を読み取り、識別符号
121を用いて、記憶された処理条件を呼び出し、呼び
出された処理条件に基づいて、基板Wに第2リソグラフ
ィ処理を行うリソグラフィ処理方法。記憶された第1リ
ソグラフィ処理が行われた基板Wの識別符号121を用
いて、前記処理条件を呼び出して、その条件に基づい
て、基板Wに第2リソグラフィ処理を行うので、識別符
号により、基板毎に前に行われた処理の順序などを知
り、その順序を調整した上で次の第2リソグラフィ処理
を行うことができる。
Description
ィ処理方法及び基板処理方法に関し、特に半導体素子や
液晶表示素子等の製造工程における基板のリソグラフィ
処理方法及び基板処理方法に関する。
っては、露光装置を用いてフォトマスクやレチクル(以
下、「レチクル」という)に形成された微細なパターン
の像をフォトレジスト等の感光剤を塗布した半導体ウェ
ハやガラスプレート等の基板(以下、「ウェハ」とい
う)上に投影露光することが行われる。レチクルのパタ
ーンは、例えばステップ・アンド・リピート方式の露光
装置を用い、レチクルとウェハを高精度に位置合わせ
(アライメント)して、ウェハ上に既に形成されている
パターンに重ね合わせて投影露光される。このアライメ
ントの精度に対する要求は、パターンの微細化と共に厳
しくなってきており、アライメントにはさまざまな工夫
がなされている。
をウェハ上のドット列状のアライメントマークに照射
し、そのマークにより回折または散乱された光を用いて
マーク位置を検出するLSA(Laser Step Alignment)
方式、ハロゲンランプ等を光源とする波長帯域幅の広い
光で照明して撮像したアライメントマークの画像データ
を画像処理してマーク位置を計測するFIA(Field Im
age Alignment)方式、あるいはウェハ上の回折格子状
のアライメントマークに周波数を僅かに変えたレーザ光
を2方向から照射し、発生した2つの回折光を干渉さ
せ、その位相からアライメントマークの位置を計測する
LIA(Laser Interferometric Alignment)方式等が
ある。
光のためにレジストが塗布されたウェハ上のアライメン
トマークを検出し、その位置座標を計測することで重ね
合わされるショットの位置を求める。その後、ショット
位置にレチクルのパターン像が重なるようにウェハをウ
ェハステージにより移動させて、レチクルのパターン像
を投影露光する。
3点以上の異なるショット領域のアライメントマークを
検出し、ウェハ内でショット領域がどのように配列して
いるかを計算し、配列座標を求める。各ショットは、そ
の座標に基づいてウェハステージを移動させることでウ
ェハ上のショット領域に順次露光されていく。
ークの数を増やせば、アライメント精度は向上するが、
スループットは下がる。精度が最も良いのは、ウェハ上
に形成されたアライメントマーク総てを計測することで
あるが、全てを計測していてはスループットの向上は望
めない。ここで、できるだけ精度を落とさずに計測数を
減らし、スループットを挙げることが要求される。最終
的には精度とスループットを比較較量し、いかに精度を
維持しつつスループット向上するかという問題となる。
されて連続的に処理されたウエハのような、通常連続し
て処理された一群のウエハは、一つのロットとして管理
される。これら一つのロットのウエハについても、事前
に計測するアライメントマーク位置を選び、これらのウ
エハの一枚一枚について同じアライメントマーク位置を
計測することにより露光処理を行っていた。
法は、露光等の処理をしようとするウェハが、「それ以
前の工程で同じロットである」あるいは「前工程での露
光順が同じである」という条件下においては有効であ
る。しかしながら、前工程におけるエラー処理や他の装
置でのウェハ操作によって、ウェハの順序が変わった
り、他のロットのウェハと混ざったりする可能性があ
る。そのような場合、ウエハによって最適なアライメン
ト条件が大きく異なるため、計測すべきアライメントマ
ークの数を減らすことは困難であるという問題があっ
た。
の処理履歴に拘わらず、スループットの高い処理を可能
とする処理方法を提供することを目的としている。
に、請求項1に係る発明によるリソグラフィ処理方法
は、図1に示されるように基板Wにパターンを形成する
工程を含むリソグラフィ処理方法において、前記基板W
に付された識別符号121(図5)と実際に第1リソグ
ラフィ処理で前記基板Wが処理された処理条件とを記憶
し、前記第1リソグラフィ処理が行われた前記基板Wの
前記識別符号121を読み取り、前記識別符号121を
用いて、記憶された前記処理条件を呼び出し、呼び出さ
れた前記処理条件に基づいて、前記基板Wに第2リソグ
ラフィ処理を行う。識別符号121は、ウェハ購入時か
ら描画されているウェハIDであってもよいし、前工程
である第1リソグラフィ処理で描画したウェハIDであ
ってもよい。
ソグラフィ処理が行われた基板Wの識別符号121を用
いて、やはり記憶された前記処理条件を呼び出して、そ
の処理条件に基づいて、基板Wに第2リソグラフィ処理
を行うので、識別符号により、基板毎に例えば前に行わ
れた処理の順序などを知り、その順序を調整した上で次
の第2リソグラフィ処理を行うことができる。
うに、前記処理条件は、前記基板Wが実際に前記第1リ
ソグラフィ処理で処理された処理順であってもよく、前
記処理順に基づいて、基板Wの前記第2リソグラフィ処
理を行うようにしてもよい。
処理順に基づいて、基板Wの前記第2リソグラフィ処理
を行うので、例えば処理順を前の処理と同様にすること
ができ、処理順によるアライメント誤差を容易に制御で
きる。すなわち、第1リソグラフィ処理での基板の処理
順を知り、その処理順に基づいて、第2リソグラフィ処
理での処理の順番を並べ変えて第1の処理順と同じにし
たり、あるいは第1と第2の処理順の違いに基づき、例
えば倍率の変化を知り、第2リソグラフィ処理の際に計
測するアライメントマークの数を増減することができ
る。
うに、前記基板Wの前記第1リソグラフィ処理の前記処
理順と、前記第2リソグラフィ処理を行う予定の基板W
の順序とを比較して、前記処理順と前後関係が異なる順
序の基板を排除するようにしてもよい。
関係が異なる順序の基板を排除するので、前後関係が入
れ替わった状態での処理を避けることができ、処理順に
よるアライメント誤差を抑えることができる。
記載のように、前記識別符号121に基づいて呼び出さ
れる前記第1リソグラフィ処理のときの処理条件を用い
て、前記第2リソグラフィ処理の処理条件を予測し、予
測された前記処理条件を用いて、前記第2リソグラフィ
処理を行うようにしてもよい。ここでいう位置合わせ
は、例えば倍率調整も含む。
媒介して各基板の処理条件を知ることができ、次の処理
条件を予測できるので、次の処理における例えばアライ
メント誤差を抑えることができる。
うに、前記第2リソグラフィ処理の処理条件の予測は、
識別符号121の基板Wと同一ロットで処理された基板
Wの前記第1リソグラフィ処理のときの処理条件を用い
て行うものとしてもよい。
るウエハは同様な特徴を持っており、その一群のウエハ
のうちの後の方で露光するウェハは、前の方で露光する
ウエハに比較してマーク計測数を減らすことができる。
例えばウェハの倍率、回転、直行度がロット内でほぼそ
ろっているとすると、第1露光と第2露光との間の重ね
合わせの位置ズレさえ知ればよいので、2枚目以降はウ
ェハの平行移動位置を計測するために、1点だけ測れば
すむことになる。
請求項5に記載のリソグラフィ処理方法では、前記第2
リソグラフィ処理の処理条件の予測は、前記同一ロット
で処理された基板Wの前記第1リソグラフィ処理のとき
の処理条件と前記同一ロット中で前記処理条件の変化か
ら求められる変化量とを用いて行うものとしてもよい。
求項6のいずれかに記載のリソグラフィ処理方法では、
前記第2リソグラフィ処理の処理条件の予測は、前記第
1リソグラフィ処理で前記識別符号121の基板Wと同
一処理号機で処理された基板Wの前記第1リソグラフィ
処理のときの処理条件を用いて行うようにしてもよい。
有している。例えばある露光装置はショット倍率が、露
光開始から最後の露光に到るまでに小から大に変化した
り、他の露光装置では、逆に大から小に変化する等の傾
向があり、その傾向は一定の露光条件の下では露光装置
毎に一定である。例えば露光順をそろえれば、第1と第
2の処理を同一の特性の下で行うことができる。また特
性は日によって変化することもある。
に、前記処理条件が、前記第1及び第2リソグラフィ処
理の処理のときに、前記基板Wを基板処理部に位置決め
する際の位置決め条件を含むものとしてもよい。そのよ
うな位置決め条件は、使用するアライメント系の種類で
あってもよいし、温度条件であってもよいし、露光した
のが何日前であるかのような条件であってもよい。
理条件に基づき基板の処理順の並べ替えを行うようにし
てもよいし、あるいは、基板の前の工程における処理順
を認識した上でアライメント等の処理を行うものとして
もよい。
は、基板Wを処理する第1処理工程と第2処理工程とを
行う処理方法において、前記基板Wに付された識別符号
121と実際に前記第1処理工程で前記基板が処理され
た処理条件とを記憶し、前記第1処理工程の後の前記第
2処理工程の際に、前記基板Wの前記識別符号121を
読み取り、前記識別符号121を用いて、記憶された前
記処理条件を呼び出し、前記処理条件を用いて、前記第
2処理工程の処理条件を予測し、予測された前記処理条
件を用いて、前記基板Wを前記第2処理工程で処理す
る。
て、図面を参照して説明する。なお、各図において互い
に同一あるいは相当する部材には同一符号を付し、重複
した説明は省略する。
のに適した露光装置を示す概略図である。図1におい
て、例えば超高圧水銀ランプやエキシマレーザーなどの
光源1から射出される照明光は図中上方に進むが、その
光路中に反射鏡4が光路に対してほぼ45度の角度をも
って設けられている。反射鏡4によりほぼ水平方向に偏
向された照明光の光路中に、波長選択フィルタ5が配置
されている。波長選択フィルタ5は、露光に必要な波長
の光のみを通過させるものである。
ライアイレンズ等のオプティカルインテグレータ6が配
置されている。光路中さらに先には典型的には矩形の開
口Sを有するレチクルブラインド7が配置されている。
レチクルブラインド7は、開口Sの大きさを変化させて
照明光によるレチクルR上の照明範囲を調整するもので
ある。
直方向下向きに偏向するために光路に対してほぼ45度
の角度をもって配置された反射鏡8が設けられている。
反射鏡8によって下向きに偏向された光路中には、コン
デンサーレンズ系9が配置されている。図中このレンズ
系9の下方には、レンズ系9に関してレチクルブライン
ド7と共役な位置に、レチクルRのパターン面が位置す
るように、レチクルRを載置するレチクルステージRS
Tが設けられている。
投影光学系PLが設けられており、この投影光学系PL
に関してレチクルRのパターン面と共役な位置に基板で
あるウエハWの露光面が位置するように、ウエハWを載
置するウエハステージWSTが設けられている。
Wを真空吸着するように構成されている。ウエハステー
ジWSTは、互いに直行する方向へ移動可能な一対のブ
ロックを重ね合せた構造を有し、ウエハステージWST
にはそれを駆動する、モータ等を含む駆動手段21が取
り付けられている。
ステージ移動座標系内におけるステージWSTの位置を
計測するレーザ干渉計20が設けられている。ウエハス
テージWSTには、レーザ干渉計20からのレーザ光を
受光するように、移動鏡14が固定的に搭載されてい
る。
6が、その測定値を受信するように、例えば電気的信号
を伝送する信号伝送線により接続されている。さらに、
ステージ制御系36は、その制御情報を伝送するため
に、ステージ駆動手段21に信号伝送線により接続され
ている。さらに主制御系37が、ステージ制御系36に
信号伝送線により接続されており、ステージ制御系36
から主制御系37にレーザ干渉計20の測定値の情報が
供給されるようになっている。
る露光装置の作用を説明する。光源1から射出された照
明光は、反射鏡4で反射されて波長選択フィルタ5に入
射する。波長選択フィルタ5は、露光に必要な波長の光
のみを通過させるもので、波長選択フィルタ5を通過し
た照明光は、フライアイレンズ6によって均一な強度分
布の光束に調整されてレチクルブラインド7に到達す
る。
照明光は、反射鏡8で反射されてコンデンサーレンズ系
9に入射し、このレンズ系9によってレチクルブライン
ド7の開口Sの像がレチクルR上に結像され、レチクル
Rの所望範囲が照明される。
パターン又はアライメントマークの像は、投影光学系P
Lによりレジストが塗付されたウェハW上に結像され、
これによりウェハWの特定領域にレチクルRのパターン
像が露光される。
れて保持されている。ステージWSTは、駆動手段21
で駆動することによりステージ移動座標系内でのステー
ジWSTの位置、したがって投影光学系PLの露光視野
と重なるウェハW上のショット位置が調整される。ステ
ージ移動座標系内におけるステージWSTの位置は、ス
テージWSTに固定された移動鏡14に向けてレーザを
照射するレーザ干渉計20で検出される。
系36に送られ、ステージ制御系36はその情報に基づ
いてステージ駆動手段21を制御する。また、ステージ
制御系36から主制御系37にレーザ干渉計20の測定
値の情報が供給されており、主制御系37はその情報に
基づいてステージ制御系36を制御する。
RとウェハWの位置合わせを行うための、例えばTTR
(スルー・ザ・レチクル)方式のレチクル・アライメン
トセンサ31が、レチクルRの上方からレチクルRに形
成されたアライメント用のレチクルマークを観察できる
ように、図中、レチクルステージRSTの上方に設けら
れている。図中、ウエハステージWSTの上方にはウエ
ハマークを観察できるように、オフアクシス方式のウェ
ハ・アライメントセンサ32が備えられている。
サ31のアライメント方式としては、He−Neレーザ
等を使用するLSA方式及びLIA方式、又は露光光を
使用する露光光アライメント方式が望ましい。特に、K
rF(フッ化クリプトン)、ArF(フッ化アルゴン)
エキシマレーザ用の投影光学系PLを採用した場合に
は、He−NeレーザとKrF、ArFエキシマレーザ
との波長が大きく異なるので、投影光学系PLの色収差
の関係で露光光アライメント方式が好ましい。また、露
光光アライメント方式を使うと、実際の露光光と測定光
との波長の違いによるオフセットを考慮する必要がな
く、いわゆるベースラインを管理する必要もない。
材33が設置されており、その表面はウエハWの露光面
と同一平面に位置しており、その表面にはアライメント
の基準となる基準マークが形成されている。
用の撮像素子(CCD)が用意されている。
センサ32のアライメント方式としては、FIA方式、
LSA方式、LIA方式、又は露光光を使用する露光光
アライメント方式を適用できる。オフアクシスのアライ
メント方式はプリアライメント(簡易位置決め)に使用
する事が多いので、FIA方式が好ましい。
るアライメント系の作用を説明する。この投影露光装置
に備えられたTTR方式のレチクル・アライメントセン
サ31及びオフアクシス方式のウェハ・アライメントセ
ンサ32により、レチクルRとウェハWの位置合わせを
行う。レチクル・アライメントセンサ31は、レチクル
Rに形成されたアライメントマークと、投影光学系PL
を介して観察される基準マーク部材33上の基準マーク
又はウェハWとの位置関係(ずれ量)を計測する。露光
光アライメント方式では、撮像素子(CCD)を用いて
モニタに表示することで、その位置関係を直接的に観察
できる。
31、32の何れかを用いてウェハW上に形成されたア
ライメントマークの位置を検出し、その検出結果に基づ
いて、ウェハWのショット領域に前工程で形成されたパ
ターンとレチクル上のパターンとを正確に位置合わせす
る。これらのアライメントセンサ31、32からの検出
信号はアライメント制御系35によって処理され、アラ
イメント制御系35は主制御系37により制御されてい
る。
アライメント結果を受け取り、その結果をもとにしてス
テージ駆動手段21を制御し、図5に示したようなショ
ット(S1、S2、・・)を露光する。
ハID121(図5参照)を検出して、露光を行う方法
を実施する露光装置の一例を示す概念図である。ウェハ
W上には予めウェハID121が描画されている(図5
参照)。露光装置10に隣接してウェハキャリア38が
設置される。ウエハキャリア38から露光装置10への
ウェハWの搬送ルートには、ウェハID検出部39が設
けられている。
り、制御部43に接続されており、さらに制御部43
は、制御部43で処理される或いは処理されたデータを
記憶しておく記憶装置40がデータ伝送線により接続さ
れている。
るウエハWを一旦格納するサブキャリア41、またウエ
ハID検出部39でリジェクト即ち排除されたウエハを
受け入れるリジェクトキャリア42が、ウエハID検出
部39に隣接して設けられている。
るシステムの作用と共に本発明の一実施の形態である処
理方法を説明する。先ず本発明の第1リソグラフィ処理
である1st露光が以下の手順で行われる。ウェハキャ
リア38から取り出されたウェハWはウェハID検出部
39に送られる。ここでウェハID121を読み取った
のち、露光される。ウェハID121は、制御部43を
介して、本発明の処理順としての露光した順と対応づけ
て記憶装置40に記憶される。
を経て、2nd露光される。このとき、ウェハWはウェ
ハキャリア38に格納された形で戻ってくるが、格納さ
れている順序が前回の露光時と異なっている可能性があ
る。そのような状況で行われる本発明の第2リソグラフ
ィ処理である2nd露光の手順を説明する。
ハWは、ウェハID検出部39に送られ、ウェハID1
21を読み取られる。制御部43は、記憶装置40に記
録されているウェハID121と1st露光の露光の順
番との対応づけにより、このウェハWが、どのロットで
何番目に露光されたものか判定し、露光順にサブキャリ
ア41に格納する。
のものであれば、本発明の基板の排除を行い、すなわち
リジェクトキャリア42に格納し、このウェハがどのロ
ットに属する物かをオペレータにしらせる。こうするこ
とによって、ウェハを1st露光の露光順に並べなおし
てから露光を行う事ができる。
適した、露光装置から独立した並べかえ装置の概念図で
ある。図3においては、ウエハキャリア44からのウェ
ハW搬送ルートには、ウェハID検出部45が設けられ
ており、ウェハID検出部45はデータ伝送線により、
制御部49に接続されており、さらに制御部49は、制
御部49で処理される或いは処理されたデータを記憶し
ておく記憶装置46がデータ伝送線により接続されてい
る。
るウエハWを一旦格納するサブキャリア47、またウエ
ハID検出部45でリジェクト即ち排除されたウエハを
受け入れるリジェクトキャリア48が、ウエハID検出
部45に隣接して設けられている。これらの配置の関係
は、露光装置が設けられていない点を除けば、図2の例
と同様である。
光の前に以下の手順のプロセスが行われる。ウェハキャ
リア44から取り出されたウェハWはウェハID検出部
45に送られる。ここでウェハIDを読み取り、制御装
置49を介して、露光した順とを対応づけて記憶装置4
6に記憶される。読み取りが終わったウェハは、サブキ
ャリア47に収納され、このサブキャリア47に格納さ
れた状態で露光装置にセットして露光する。
いて説明する。ウェハキャリア44から取り出されたウ
ェハWは、ウェハID検出部45に送られ、ウェハID
を読み取られる。制御装置49は、記憶装置46に記録
されているウェハIDと1st露光順との対応づけによ
り、このウェハWが、どのロットで何番目に露光された
ものか判定し、露光順にサブキャリア47に格納する。
2枚目以降のウェハWが、もし違うロットのものであれ
ば、リジェクトキャリア48に格納し、このウェハがど
のロットに属する物かをオペレータにしらせる。1st
露光と同様に、サブキャリア47を露光装置にセットし
露光を行う。このようにすることによって、ウェハWを
1st露光の露光順に並べなおした上で露光処理に回す
ことができる。
たり、リジェクトする方法を示したが、並べ替える以外
にも対応方法がある。たとえば、ウェハWが1st露光
時と異なる順序で送られてきた場合や、違うロットのウ
ェハWが送られてきた場合に、アライメントマーク計測
位置を増やしたり、ロット、順序によって予測されるウ
ェハの特徴を露光時に取り入れるなどである。これは、
本発明でいう、識別符号に基づいて呼び出される第1リ
ソグラフィ処理のときの処理条件を用いて、第2リソグ
ラフィ処理の処理条件を予測し、予測された処理条件を
用いて、第2リソグラフィ処理を行うという場合の一例
である。
取り方法については、例えば図5に示されるように数字
で描かれたものをCCDカメラなどで読み取る方法、ま
たはバーコードで描画されたものをバーコードリーダで
読み取る方法などが考えられる。
り、それぞれ、ウェハID検出部及びウェハW上に形成
されたウェハID121の一例の概略図である。
たは45の一例を説明する。図4は、ウェハID検出部
39または45を側面から見た概略図である。図中、固
定台50は送られてきたウエハWを載置する台である。
ウェハWのウェハID描画位置を照明する照明部52、
照明部52とウェハID描画位置に対応する固定台50
の部分との間には、反射ミラー54とハーフミラー53
が設けられている。固定台50から反射された光の光路
がハーフミラー53により偏向された方向の光路中には
CCDカメラ51が設けられている。
部39(図2参照)または45(図3参照)に送られた
ウェハWは、固定台50に固定載置される。ウェハWの
ウェハID描画位置には照明部52より図中水平方向に
射出された照明光が、反射ミラー54により図中下方に
偏向され、さらにハーフミラー53を介して、即ち本実
施の形態ではハーフミラー53を透過して照射される。
照らし出されたウェハID121からの反射光は、ハー
フミラー53で水平方向に偏向された後、CCDカメラ
51によって受光され読み取られる。
するウェハの計測結果のみでなく、それ以前に計測した
ウェハの計測結果を、アライメントに用いることができ
る。
ば、露光順が先頭のウェハに対しては、予め決められた
位置のアライメントマークを計測し、2枚目以降はそれ
以前の計測結果から予測される、現在の基板の情報を用
いるようにする。このようにして、マークの計測数を減
らすことができる。この方法は、ある特徴が一様である
場合だけでなく、関数として近似できるなどして、予測
することが可能であれば有効である。
た場合には、それが計測点数が少なすぎたためであると
予想される場合、例えば計測点数を増やすなどの制御が
可能となる。
性変化の特徴をもっており、露光順を同じにすれば、特
性変化を相殺することができるので重ね合わせの精度を
高く維持することができる。例えば典型的には、一つの
露光装置では倍率は小から大、あるいは大から小に変化
する等一定の傾向がある。このような傾向を把握して、
それに基づき倍率変化を予測することができ、少ない測
定点数でも露光精度を高く維持すことができる。
の制御部43、記憶装置40を備える場合を示したが、
複数の例えば10台の露光装置につき1の制御部と1の
記憶装置とを備えて、複数の露光装置を集中管理できる
ように構成したオンラインシステムとしてもよい。
統括するオンラインシステムの実施例を示す全体構成図
である。本図を参照して、そのような実施例を説明す
る。
設置されており、それらの露光装置の各々は信号伝送線
により、このオンラインシステム全体を制御するホスト
コンピュータ60に接続されている。露光装置10a〜
10nの各々は、本発明の識別符号を認識するウエハI
D認識手段(不図示)を有している。
ウエハが各露光装置に送られるたびに、ウエハID認識
手段によりウエハIDを読みとり、それをホストコンピ
ュータ60に送信する。ホストコンピュータ60は、各
ウエハの処理履歴をウエハIDと対応させて記憶する。
例えば、どの露光処理に対する露光を、いつ、どの露光
装置で、どのロットとして行ったか等である。このよう
にすることによって、各ウエハに対して次の工程のため
の露光を行う際、アライメント条件に対する事前の情報
を用いることができる。
る。
処理されたウエハが混入していた場合、このウエハに対
してのみアライメント計測点数を増やす。
など、露光状態がある予測可能な傾向を示す場合、次の
工程の露光にこれらの条件を反映させる。
ウエハのショット倍率が、SS0(x0)=S0+α0×x
0で表され、(α0は係数) その上に重ねる工程で、x1枚目に露光されるウエハの
ショット倍率が、 SS1(x1)=S1+α1×x1で表さ
れるとき、(α1は係数) レンズに倍率補正として、SS0(x0)/SS1(x1)
を乗じることによって、最も倍率誤差の少ない重ね合わ
せ露光が可能である。
あり、例えば1.00や1/5或いは1/4といった値
をとる。また、α0、α1は、倍率の変化率であり、それ
ぞれの露光装置に固有のものである場合もあり、また、
工程によっても、レチクル透過率、露光量などによって
変化するため、これらは、号機、工程の関数である。
ぞれの号機の特徴を露光装置納入時などに検査し、露光
装置の定数としてホストコンピュータに記憶させる方法
がある。工程ごとの違いは、露光時間、レチクル透過率
などから計算する方法がある。即ち、例えば次のような
式で表される。
露光時間、レチクル透過率などから算出) また、前記のSS0の式では、ショット倍率をウエハの
露光開始からの枚数xに対する1次近似で表現したが、
例えば次式のように、2次以上の項を導入することもで
きる。
があり、前工程でどの号機で露光したかによって、例え
ば直行度などをある程度予測し、アライメントに反映す
ることができる。
で重ね合わせ露光を行う場合、直行度の補正として、O
RT(A)−ORT(B)をEGA法による測定結果に
加味すれば、最も直行度誤差の小さな露光が可能であ
る。EGA法とは、統計的手法を用いた基板上のマーク
位置座標測定法であり、例えば特開昭61−44429
号公報に詳細に説明されている。
日によって変動する気圧などによる、露光状態の変動を
考慮してアライメントを行うことができる。
動する場合がある。上記2.で説明した倍率補正式の、
SS0(x0)=S0+α0×x0に、βP(Pは気圧、β
は係数)の項を加えて、次のような式を用いればよい。
する。
ばらついていれば、これから行おうとする処理工程でも
ばらつくと考えられる。そこで、これから行う処理工程
については、測定点数を増やし、変動に対応できるよう
にすることが可能である。
に対する補正量として、D(工程、ロット、ロット内
順、号機、気圧、日時)という関数を求める。また、前
の工程でパラメータのばらつきが大きかったりした場
合、測定点数を増やす。
た第1リソグラフィ処理が行われた基板の識別符号を用
いて、やはり記憶された前記処理条件を呼び出して、そ
の処理条件に基づいて、基板に第2リソグラフィ処理を
行うので、識別符号により、基板毎に例えば前に行われ
た処理の順序などを知り、その順序を調整した上で次の
第2リソグラフィ処理を行うことができる。したがっ
て、例えば処理しようとする基板の処理履歴に拘わら
ず、高い精度を維持しつつ高いスループットの処理が可
能となる。
ある。
要素、及びそれらの関係を示した概念図である。
るウェハ並べ替え装置及びその構成要素間の関係を示し
た概念図である。
る。
す、ウエハの平面図である。
オンラインシステムの実施例を示す全体構成図である。
Claims (9)
- 【請求項1】 基板にパターンを形成する工程を含むリ
ソグラフィ処理方法において、 前記基板に付された識別符号と実際に第1リソグラフィ
処理で前記基板が処理された処理条件とを記憶し、 前記第1リソグラフィ処理が行われた前記基板の前記識
別符号を読み取り、 前記識別符号を用いて、記憶された前記処理条件を呼び
出し、 呼び出された前記処理条件に基づいて、前記基板に第2
リソグラフィ処理を行うことを特徴とするリソグラフィ
処理方法。 - 【請求項2】 前記処理条件は、前記基板が実際に前記
第1リソグラフィ処理で処理された処理順を含み、 前記処理順に基づいて、前記基板の前記第2リソグラフ
ィ処理を行うことを特徴とする請求項1に記載のリソグ
ラフィ処理方法。 - 【請求項3】 前記基板の前記第1リソグラフィ処理の
前記処理順と、前記第2リソグラフィ処理を行う予定の
前記基板の順序とを比較して、前記処理順と前後関係が
異なる順序の基板を排除することを特徴とする請求項2
に記載のリソグラフィ処理方法。 - 【請求項4】 前記識別符号に基づいて呼び出される前
記第1リソグラフィ処理のときの処理条件を用いて、前
記第2リソグラフィ処理の処理条件を予測し、 予測された前記処理条件を用いて、前記第2リソグラフ
ィ処理を行うことを特徴とする請求項1乃至請求項3の
いずれかに記載のリソグラフィ処理方法。 - 【請求項5】 前記第2リソグラフィ処理の処理条件の
予測は、前記識別符号の基板と同一ロットで処理された
基板の前記第1リソグラフィ処理のときの処理条件を用
いて行うことを特徴とする請求項4に記載のリソグラフ
ィ処理方法。 - 【請求項6】 前記第2リソグラフィ処理の処理条件の
予測は、前記同一ロットで処理された基板の前記第1リ
ソグラフィ処理のときの処理条件と前記同一ロット中で
前記処理条件の変化から求められる変化量とを用いて行
うことを特徴とする請求項4または請求項5に記載のリ
ソグラフィ処理方法。 - 【請求項7】 前記第2リソグラフィ処理の処理条件の
予測は、前記第1リソグラフィ処理で前記識別符号の基
板と同一処理号機で処理された基板の前記第1リソグラ
フィ処理のときの処理条件を用いて行うことを特徴とす
る請求項4乃至請求項6のいずれかに記載のリソグラフ
ィ処理方法。 - 【請求項8】 前記処理条件が、前記第1及び第2リソ
グラフィ処理の処理のときに、前記基板を基板処理部に
位置決めする際の位置決め条件を含むことを特徴とする
請求項1乃至請求項7のいずれかに記載のリソグラフィ
処理方法。 - 【請求項9】 基板を処理する第1処理工程と第2処理
工程とを行う処理方法において、 前記基板に付された識別符号と実際に前記第1処理工程
で前記基板が処理された処理条件とを記憶し、 前記第1処理工程の後の前記第2処理工程の際に、前記
基板の前記識別符号を読みとり、 前記識別符号を用いて、記憶された前記処理条件を呼び
出し、 前記処理条件を用いて、前記第2処理工程の処理条件を
予測し、 予測された前記処理条件を用いて、前記基板を前記第2
処理工程で処理することを特徴とする基板処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9343966A JPH11162842A (ja) | 1997-11-28 | 1997-11-28 | 基板のリソグラフィ処理方法及び基板処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9343966A JPH11162842A (ja) | 1997-11-28 | 1997-11-28 | 基板のリソグラフィ処理方法及び基板処理方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11162842A true JPH11162842A (ja) | 1999-06-18 |
Family
ID=18365620
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9343966A Pending JPH11162842A (ja) | 1997-11-28 | 1997-11-28 | 基板のリソグラフィ処理方法及び基板処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11162842A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008250144A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Fujifilm Corp | 描画方法および描画システム |
US8932882B2 (en) | 2010-04-08 | 2015-01-13 | Ps4 Luxco S.A.R.L. | Method of manufacturing semiconductor device |
-
1997
- 1997-11-28 JP JP9343966A patent/JPH11162842A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008250144A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Fujifilm Corp | 描画方法および描画システム |
US8932882B2 (en) | 2010-04-08 | 2015-01-13 | Ps4 Luxco S.A.R.L. | Method of manufacturing semiconductor device |
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