JPH11160441A - Radiation detecting element - Google Patents
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- JPH11160441A JPH11160441A JP9328619A JP32861997A JPH11160441A JP H11160441 A JPH11160441 A JP H11160441A JP 9328619 A JP9328619 A JP 9328619A JP 32861997 A JP32861997 A JP 32861997A JP H11160441 A JPH11160441 A JP H11160441A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、医療分野または非
破壊検査分野において、被写体に放射線を照射し、この
被写体を透過した被写体情報を取得する放射線検出素子
に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a radiation detecting element for irradiating a subject with radiation in a medical field or a nondestructive inspection field and acquiring information on the subject transmitted through the subject.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来の放射線検出装置を図７に示す。図
７において、放射線源１１から放射線を被写体Ｓに照射
すると、放射線と被写体との相互作用（吸収、散乱等）
により、被写体Ｓの内部構造に応じて放射線が強度変調
かつ散乱され、放射線検出器１３に到達し、放射線画像
となる。放射線検出器１３の前に配置するグリッド１２
は、散乱放射線を除去し、放射線画像のコントラストを
改善する。2. Description of the Related Art A conventional radiation detecting apparatus is shown in FIG. In FIG. 7, when a subject S is irradiated with radiation from the radiation source 11, the radiation interacts with the subject (such as absorption and scattering).
Accordingly, the radiation is intensity-modulated and scattered according to the internal structure of the subject S, reaches the radiation detector 13, and becomes a radiation image. Grid 12 placed in front of radiation detector 13
Removes scattered radiation and improves the contrast of the radiation image.
【０００３】一般に、放射線検出器１３は、照射放射線
量に比例した強度の蛍光を発する増感紙（Ｇｄ2 Ｏ2 Ｓ
ｉ：Ｔｂ等）と銀塩フィルムからなり、被写体は潜像と
してフィルムに記録され、現像処理の後、蛍光量の対数
に比例した濃度で表す可視画像として提示され、診断や
検査等に使用される。In general, a radiation detector 13 is provided with an intensifying screen (Gd 2 O 2 S) which emits fluorescence having an intensity proportional to the irradiation radiation dose.
i: Tb etc.) and a silver halide film, the subject is recorded on the film as a latent image, and after development processing, is presented as a visible image represented by a density proportional to the logarithm of the amount of fluorescence, and is used for diagnosis and inspection. You.
【０００４】また、輝尽性蛍光を発するＢａＦＢｒ：Ｅ
ｕ蛍光体、およびＢａＦ：Ｅｕ蛍光体を塗布したイメー
ジングプレート（以下ＩＰ）を使用したコンピューテッ
ドラジオグラフィ装置（以下ＣＲ装置）も使用され始め
ている。このＣＲ装置は、被写体の放射線画像をＩＰに
一旦記録し、その後、レーザ光等の励起光をこのＩＰに
照射して輝尽性発光させ、この光を光電的に読取って画
像信号を得、この信号に基づいて被写体の放射線画像を
銀塩フィルムやＣＲＴディスプレイに表示する装置であ
る。Further, BaFBr: E which emits stimulable fluorescence
Computed radiography devices (hereinafter CR devices) using imaging plates (hereinafter IP) coated with u-phosphor and BaF: Eu phosphor have also begun to be used. The CR device once records a radiation image of a subject in an IP, and then irradiates the IP with excitation light such as a laser beam to cause stimulable emission, and reads the light photoelectrically to obtain an image signal. This device displays a radiation image of a subject on a silver halide film or a CRT display based on this signal.
【０００５】最近では、放射線検出器１３に微小な固体
撮像素子、スイッチング素子等からなる画素を格子状に
配列した固体撮像素子と蛍光体を組み合わせたデジタル
撮影装置が開発されている。Recently, a digital photographing apparatus has been developed in which a radiation detector 13 is combined with a solid-state image sensor in which pixels composed of minute solid-state image sensors, switching elements, and the like are arranged in a lattice, and a phosphor.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来
の、固体撮像素子の受光面に銀塩フィルムとともに用い
る増感紙を密着した放射線検出器では、発光した蛍光
が、蛍光体層内の蛍光体粒子自体や蛍光体粒子同士を接
着しているバインダ等で吸収、散乱され、発光率や鮮鋭
度の低下が生じるという問題が起こる場合がある。However, in a conventional radiation detector in which an intensifying screen used together with a silver halide film is adhered to the light-receiving surface of a solid-state image sensor, the emitted fluorescent light is emitted by the phosphor particles in the phosphor layer. There is a case where a problem occurs in that the light-emitting material is absorbed and scattered by itself or a binder or the like that bonds the phosphor particles to each other, resulting in a decrease in luminous efficiency and sharpness.
【０００７】また、ヨウ化セシウム（Ｃｓｌ）、ヨウ化
ナトリウム（ＮａＩ）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）等の蛍光体
を塗布、または真空蒸着した、従来の放射線検出器の
内、ＣｓＩ結晶を柱状化して成長させたもの等は、横方
向の散乱が減少して鮮鋭度は高いものの、前者と同様、
結晶内で散乱、吸収されて発光輝度が低下するという問
題点が生じる場合がある。Further, among conventional radiation detectors coated or vacuum-deposited with a phosphor such as cesium iodide (Csl), sodium iodide (NaI), and zinc sulfide (ZnS), CsI crystals are formed into columns. As grown, the lateral scattering is reduced and the sharpness is high, but like the former,
There is a case where a problem arises in that light emission luminance is reduced due to scattering and absorption in the crystal.
【０００８】また、この柱状ＣｓＩ結晶は、特に湿気に
弱く、柱状であるため強度的にも弱い。The columnar CsI crystal is particularly vulnerable to moisture and has a low strength because it is columnar.
【０００９】更にまた、ＣｓＩ結晶をａ−Ｓｉ：Ｈ膜に
直接蒸着・焼成させて放射線検出器を形成する場合は、
このＣｓＩ結晶の焼成プロセスにおいて、ａ−Ｓｉ：Ｈ
膜を熱によって劣化させてしまうという場合があること
が、特開平０５−１８０９４５号公報で報告されてい
る。Furthermore, when a radiation detector is formed by directly depositing and firing a CsI crystal on an a-Si: H film,
In the firing process of the CsI crystal, a-Si: H
It has been reported in Japanese Patent Application Laid-Open No. 05-180945 that the film may be deteriorated by heat.
【００１０】また、従来例として、光ファイバプレート
の上部に柱状ＣｓＩ結晶等を形成し、光ファイバプレー
トを通った光を固体撮像素子で受光するものもある。Further, as a conventional example, there is one in which a columnar CsI crystal or the like is formed on an optical fiber plate and light passing through the optical fiber plate is received by a solid-state imaging device.
【００１１】しかしながら、光ファイバプレートは、高
価で、かつ大型化が困難であり、固体撮像素子の画素ピ
ッチと光ファイバプレートのピッチを同程度にすること
や画素と光ファイバのコアとの位置合わせが極めて難し
く、さらに、発光光が光ファイバプレートを通過する際
に反射吸収が起こり、固体撮像素子に入射する光量が低
下するということがあることが、特開平０７−０２７８
６３号公報で報告されている。However, the optical fiber plate is expensive and it is difficult to increase the size of the optical fiber plate. Therefore, the pixel pitch of the solid-state image sensor and the pitch of the optical fiber plate are made substantially equal, and the alignment between the pixel and the core of the optical fiber is performed. JP-A-07-02278 discloses that it is extremely difficult, and furthermore, when the emitted light passes through the optical fiber plate, reflection and absorption occur, and the amount of light incident on the solid-state imaging device is reduced.
No. 63 is reported.
【００１２】［発明の目的］本発明の目的は、上記のよ
うな問題点を鑑み、蛍光体内での蛍光の拡散および吸収
が少なく、かつ、拡散光が光電変換素子へ入射すること
がなく、耐湿性による劣化がなく、機械的強度の高い、
高感度、高解像度の放射線検出素子を提供することにあ
る。In view of the above problems, an object of the present invention is to reduce the diffusion and absorption of fluorescent light in a phosphor and to prevent diffused light from entering a photoelectric conversion element. No deterioration due to moisture resistance, high mechanical strength,
An object of the present invention is to provide a radiation detection element with high sensitivity and high resolution.
【００１３】[0013]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る放射線検出素子は、複数画素からなる
固体撮像素子と、該固体撮像素子の前面に配置した蛍光
体と、前記固体撮像素子と前記蛍光体との間に、前記固
体撮像素子の受光のための開口部に対応した開口部を有
する光遮蔽体を配置したことを特徴とする。In order to achieve the above object, a radiation detecting element according to the present invention comprises: a solid-state imaging device comprising a plurality of pixels; a phosphor disposed in front of the solid-state imaging device; A light shield having an opening corresponding to an opening for receiving light of the solid-state imaging device is arranged between the imaging device and the phosphor.
【００１４】また、前記遮光層の光学濃度が、０．７以
上であることを特徴とする放射線検出素子でもある。Further, the radiation detecting element is characterized in that the optical density of the light shielding layer is 0.7 or more.
【００１５】また、前記遮光層が、顔料及び／又は染料
を含む樹脂より形成されていることを特徴とする放射線
検出素子でもある。Further, the radiation detecting element is characterized in that the light shielding layer is formed of a resin containing a pigment and / or a dye.
【００１６】また、前記光遮蔽体は、蛍光体から発生す
る光を透過する層と蛍光体から発生する光の一部を遮蔽
する層を積層したことを特徴とする。Further, the light shielding body is characterized in that a layer for transmitting light generated from the phosphor and a layer for shielding a part of the light generated from the phosphor are laminated.
【００１７】また、前記光遮蔽体は、表面に遮光層を有
する透明なガラス板を複数枚積層して構成し、前記遮光
層は、前記固体撮像素子の受光のための開口部に対応し
た開口部を有することを特徴とする。Further, the light shielding body is formed by laminating a plurality of transparent glass plates having a light shielding layer on the surface, and the light shielding layer has an opening corresponding to an opening for receiving light of the solid-state imaging device. It has a part.
【００１８】また、前記光遮蔽体は、蛍光体から発生す
る光を遮蔽する物質の格子構造体であることを特徴とす
る。Further, the light shield is a lattice structure of a substance that shields light generated from the phosphor.
【００１９】また、前記光遮蔽体の開口形状は、前記固
体撮像素子の受光面から前記蛍光体に向かって次第に広
がる形状であることを特徴とする。Further, the aperture shape of the light shielding body is characterized in that it gradually widens from the light receiving surface of the solid-state imaging device toward the phosphor.
【００２０】また、前記光遮蔽体は、前記蛍光体と、屈
折率が１．５から２．０の透明接着剤で接着されたこと
を特徴とする。Further, the light shield is bonded to the phosphor with a transparent adhesive having a refractive index of 1.5 to 2.0.
【００２１】また、前記蛍光体は、透明であることを特
徴とする。Further, the phosphor is transparent.
【００２２】また、前記蛍光体は、該蛍光体が発する蛍
光に対して透明であることを特徴とする。Further, the phosphor is characterized by being transparent to the fluorescence emitted by the phosphor.
【００２３】また、前記蛍光体は、透明単結晶であるこ
とを特徴とする。Further, the phosphor is a transparent single crystal.
【００２４】また、前記蛍光体は、ＣｓＩ：Ｔｌ、Ｃｓ
Ｉ：Ｎａ、ＮａＩ：Ｔｌのいずれかからなることを特徴
とする。The phosphor may be CsI: Tl, Cs
It is characterized by being composed of any one of I: Na and NaI: Tl.
【００２５】また、前記蛍光体は、１００μｍから１ｍ
ｍの厚さを有することを特徴とする。The phosphor may have a thickness of 100 μm to 1 m.
m.
【００２６】また、前記蛍光体は、前記固体撮像素子の
受光面と反対側の面を光反射層で覆っていることを特徴
とする。Further, the phosphor is characterized in that a surface opposite to a light receiving surface of the solid-state imaging device is covered with a light reflecting layer.
【００２７】また、前記固体撮像素子は、光電変換膜に
ａ−Ｓｉ：Ｈを用いたことを特徴とする。Further, the solid-state imaging device is characterized in that a-Si: H is used for the photoelectric conversion film.
【００２８】［作用］本発明によれば、従来の、拡散、
吸収の大きい粒子状の蛍光体に代えて、透明な蛍光体を
用いることにより、蛍光体内での拡散および吸収を少な
くすることができる。[Operation] According to the present invention, the conventional diffusion,
By using a transparent phosphor instead of the particulate phosphor having high absorption, diffusion and absorption in the phosphor can be reduced.
【００２９】また、単結晶の蛍光体を用いることによ
り、耐湿性が良好で、硬度の高い蛍光体とすることがで
きるため、耐久性及び機械的強度を高めることができ
る。Further, by using a single crystal phosphor, a phosphor having good moisture resistance and high hardness can be obtained, so that durability and mechanical strength can be enhanced.
【００３０】さらに、固体撮像素子と蛍光体との間に、
固体撮像素子の受光のための開口部以外の領域を遮蔽す
る光遮蔽体を配置することにより、横方向の拡散光の入
射を防止し、直接光のみを固体撮像素子に入射させるこ
とができる。Further, between the solid-state imaging device and the phosphor,
By arranging a light shield that blocks an area other than the opening for receiving light of the solid-state imaging device, it is possible to prevent the diffusion of light in the horizontal direction and to allow only direct light to enter the solid-state imaging device.
【００３１】従って、本発明によれば、高感度、高解像
度で、かつ耐久性と機械的強度を向上した放射線検出素
子を提供することができる。Therefore, according to the present invention, it is possible to provide a radiation detecting element having high sensitivity, high resolution, and improved durability and mechanical strength.
【００３２】[0032]
【実施例】［実施例１］本発明の実施例を図１〜図４に
基づいて詳細に説明する。[Embodiment 1] An embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS.
【００３３】［概略構成］図１は、本発明の放射線検出
素子の概略構成を示す模式的断面図である。[Schematic Configuration] FIG. 1 is a schematic sectional view showing a schematic configuration of the radiation detecting element of the present invention.
【００３４】［蛍光体］図１において、１は、放射線
を、蛍光体から発光する光に変換する蛍光体である。[Phosphor] In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a phosphor which converts radiation into light emitted from the phosphor.
【００３５】本発明は、この蛍光体として、透明単結晶
の蛍光体を用いることを特徴の一つとする。このような
蛍光体としては、ＣｓＩ：Ｔｌ、ＣｓＩ：Ｎａ、又はＮ
ａＩ：Ｔｌを用いることができる。The present invention is characterized in that a transparent single crystal phosphor is used as the phosphor. Such phosphors include CsI: Tl, CsI: Na or NsI.
aI: Tl can be used.
【００３６】本実施例では、この蛍光体として、例え
ば、その大きさが４３０ｍｍ×４３０ｍｍで、厚さが約
５００μｍ位の単結晶のＣｓＩ：Ｔｌを用いた（結晶厚
は、特に、この値にとらわれる必要はない）。In this embodiment, as the phosphor, for example, a single crystal CsI: Tl having a size of 430 mm × 430 mm and a thickness of about 500 μm is used (the crystal thickness is particularly limited to this value. No need to be caught).
【００３７】ＣｓＩ：Ｔｌの結晶は、厚さが厚ければ厚
いほど、放射線の吸収率は高くなるが、固体撮像素子に
到達する発光光は、厚ければ厚いほど結晶内で拡散、吸
収して減衰する。よって、結晶の発光輝度は、結晶厚に
対してピーク値が存在し、発明者が検討した結果による
と、ＣｓＩ：Ｔｌの結晶は１００μｍ〜１ｍｍであるこ
とが好ましい。すなわち、１００μｍより薄くすると、
発光量が低下し、１ｍｍより厚くすると、解像力が低下
し、好ましくない場合がある。The thicker the CsI: Tl crystal, the higher the radiation absorption rate. However, the thicker the luminescent light reaching the solid-state image sensor, the more the light diffuses and absorbs in the crystal. Attenuate. Therefore, the light emission luminance of the crystal has a peak value with respect to the crystal thickness, and according to the results of studies by the inventors, it is preferable that the crystal of CsI: Tl has a thickness of 100 μm to 1 mm. That is, if the thickness is smaller than 100 μm,
When the light emission amount is reduced and the thickness is larger than 1 mm, the resolving power is reduced, which may not be preferable.
【００３８】［光遮蔽体］２は、蛍光体１と固体撮像素
子３との間に配置した光遮蔽体である。この光遮蔽体２
は、固体撮像素子３に入射する単結晶の蛍光体１の拡散
光を低減させ、固体撮像素子３に入射する全光に対する
直接光の比率を高くする性質を有している。詳しくは、
後述する。The light shield 2 is a light shield disposed between the phosphor 1 and the solid-state imaging device 3. This light shield 2
Has the property of reducing the diffused light of the single crystal phosphor 1 incident on the solid-state imaging device 3 and increasing the ratio of direct light to the total light incident on the solid-state imaging device 3. For more information,
It will be described later.
【００３９】また、この光遮蔽体は、前記蛍光体と、屈
折率が１．５から２．０の透明接着剤で接着されてい
る。透明接着剤は、蛍光体１で発光された光成分のう
ち、固体撮像素子で必要とする波長成分を充分に透過す
るものであってよく、いわゆる、透明体に必ずしも限定
されるものではない。The light shield is bonded to the phosphor with a transparent adhesive having a refractive index of 1.5 to 2.0. The transparent adhesive may be one that sufficiently transmits the wavelength component required by the solid-state imaging device among the light components emitted by the phosphor 1, and is not necessarily limited to a so-called transparent body.
【００４０】［固体撮像素子］３は、単結晶の蛍光体１
で発光した光を光電変換する複数画素からなる固体撮像
素子であり、光電変換膜にａ−Ｓｉ：Ｈなどの薄膜半導
体層を用いたものが好適に使用できる。[Solid-state image sensor] 3 is a single crystal phosphor 1
Is a solid-state imaging device composed of a plurality of pixels that photoelectrically converts light emitted by the device, and a device using a thin film semiconductor layer such as a-Si: H for a photoelectric conversion film can be suitably used.
【００４１】［光反射層］４は、蛍光体１の放射線の入
射面側を覆った光反射層である。この光反射層４は、例
えばアルミニウムまたはクロム等からなり、蛍光体１の
発光光を、固体撮像素子３方向に反射し、蛍光体の発光
輝度を高める。この光反射層４は、例えば、蛍光体１の
一面に真空蒸着により直接形成する。[Light reflection layer] 4 is a light reflection layer that covers the radiation incident surface side of phosphor 1. The light reflection layer 4 is made of, for example, aluminum or chromium, and reflects light emitted from the phosphor 1 in the direction of the solid-state imaging device 3 to increase the light emission luminance of the phosphor. The light reflection layer 4 is formed directly on one surface of the phosphor 1 by vacuum evaporation, for example.
【００４２】［回路構成］図５に、固体撮像素子３の等
価回路の一例を示す。以下の例は、２次元ａ−Ｓｉセン
サについて説明を加えていくが、検出素子は特に限定す
る必要はなく、例えばその他の固体撮像素子（電荷結合
素子など）であってもよい。[Circuit Configuration] FIG. 5 shows an example of an equivalent circuit of the solid-state imaging device 3. In the following example, a two-dimensional a-Si sensor will be described, but the detection element is not particularly limited, and may be, for example, another solid-state imaging element (such as a charge-coupled element).
【００４３】ただし、ａ−ＳｉセンサとＣｓＩ：Ｔｌの
組み合わせは、ＣｓＩ：Ｔｌの極大発光波長が５６５ｎ
ｍであり、ａ−Ｓｉセンサの感度ピークが５８０ｎｍで
ほぼ一致するので変換効率が良い。However, the combination of the a-Si sensor and CsI: Tl is such that the maximum emission wavelength of CsI: Tl is 565n.
m, and the conversion efficiency is good because the sensitivity peak of the a-Si sensor almost coincides at 580 nm.
【００４４】ここで一素子の構成について説明する。一
素子の構成は、固体撮像素子２１と電荷の蓄積および読
み取りを制御するスイッチングＴＦＴ２２とで構成さ
れ、一般には、ガラスの基板上に配されたａ−Ｓｉ：Ｈ
膜で形成される。Here, the structure of one element will be described. One element is composed of a solid-state imaging element 21 and a switching TFT 22 for controlling accumulation and reading of electric charge. Generally, a-Si: H is provided on a glass substrate.
It is formed of a film.
【００４５】固体撮像素子２１中の２１Ｃは、この例で
は単に寄生キャパシタンスを有した光ダイオードでもよ
いし、光ダイオード２１Ｄと検出器のダイナミックレン
ジを改良するように追加コンデンサ２１Ｃを並列に含ん
でいる光検出器と捉えても良い。ダイオード２１Ｄのア
ノードＡは、共通電極であるバイアス配線Ｌｂに接続さ
れ、カソードＫは、コンデンサ２１Ｃに蓄積された電荷
を読み出すための制御自在なスイッチングＴＦＴ２２に
接続されている。この例では、スイッチングＴＦＴ２２
は、ダイオード２１ＤのカソードＫと電荷読み出し用増
幅器２５との間に接続された薄膜トランジスタである。In this example, 21C in the solid-state imaging device 21 may be simply a photodiode having a parasitic capacitance, or may include an additional capacitor 21C in parallel with the photodiode 21D so as to improve the dynamic range of the detector. It may be regarded as a photodetector. The anode A of the diode 21D is connected to a bias wiring Lb, which is a common electrode, and the cathode K is connected to a controllable switching TFT 22 for reading out the charge stored in the capacitor 21C. In this example, the switching TFT 22
Is a thin film transistor connected between the cathode K of the diode 21D and the charge readout amplifier 25.
【００４６】スイッチングＴＦＴ２２と信号電荷はリセ
ット用スイッチング素子２４を操作してコンデンサ２１
Ｃをリセットした後に、放射線２６を放射することによ
り、光ダイオード２１Ｄで放射線量に応じた電荷が発生
し、コンデンサ２１Ｃに蓄積される。その後、再度、ス
イッチングＴＦＴ２２と信号電荷は、リセット用スイッ
チング素子２４を操作して容量素子２３に電荷を転送す
る。そして、光ダイオード２１Ｄにより蓄積された量を
電位信号として読み出し用増幅器２５によって読み出
し、Ａ／Ｄ変換を行うことにより入射放射線量を検出す
る。The switching TFT 22 and the signal charges are supplied to the capacitor 21 by operating the reset switching element 24.
After resetting C, the radiation 26 is emitted, so that a charge corresponding to the radiation dose is generated in the photodiode 21D and accumulated in the capacitor 21C. After that, the switching TFT 22 and the signal charges are again transferred to the capacitance element 23 by operating the reset switching element 24. The amount accumulated by the photodiode 21D is read out as a potential signal by the readout amplifier 25, and A / D conversion is performed to detect the amount of incident radiation.
【００４７】図６は、２次元に配列した固体撮像素子を
表した等価回路図である。図５で示された固体撮像素子
を具体的に２次元に拡張して構成した場合における光電
変換動作について述べる。FIG. 6 is an equivalent circuit diagram showing two-dimensionally arranged solid-state imaging devices. A photoelectric conversion operation in the case where the solid-state imaging device shown in FIG. 5 is specifically extended two-dimensionally will be described.
【００４８】固体撮像素子３の画素は、２０００×２０
００〜４０００×４０００程度の画素から構成され、セ
ンサ面積は、２００ｍｍ×２００ｍｍ〜５００ｍｍ×５
００ｍｍ程度である。図６において、固体撮像素子３は
４０９６×４０９６の画素から構成され、センサ面積は
４３０ｍｍ×４３０ｍｍである。よって、１画素のサイ
ズは、約１０５×１０５μｍである。１ブロック内の４
０９６画素を横方向に配線し、４０９６ラインを順に縦
に配置する事により各画素を２次元的に配置している。The pixels of the solid-state image sensing device 3 are 2000 × 20
It is composed of about 00 to 4000 × 4000 pixels, and the sensor area is 200 mm × 200 mm to 500 mm × 5.
It is about 00 mm. In FIG. 6, the solid-state imaging device 3 is composed of 4096 × 4096 pixels, and the sensor area is 430 mm × 430 mm. Therefore, the size of one pixel is about 105 × 105 μm. 4 in 1 block
Each of the pixels is two-dimensionally arranged by arranging 096 pixels in the horizontal direction and arranging 4096 lines sequentially in the vertical direction.
【００４９】前述の通り、１画素は、固体撮像素子２１
とスイッチングＴＦＴ２２とで構成される。２１−
（１，１）〜２１−（４０９６，４０９６）は前述の固
体撮像素子２１に対応するものであり、光検出ダイオー
ドのカソード側をＫ、アノード側をＡとして表してい
る。２２−（１，１）〜２２（４０９６，４０９６）は
スイッチングＴＦＴ２２に対応するものである。As described above, one pixel corresponds to the solid-state image pickup device 21.
And a switching TFT 22. 21-
(1,1) to 21- (4096, 4096) correspond to the above-described solid-state imaging device 21, and the cathode side of the photodetector diode is represented by K, and the anode side is represented by A. 22- (1, 1) to 22 (4096, 4096) correspond to the switching TFT 22.
【００５０】２次元ａ−Ｓｉセンサの各列の固体撮像素
子２１−（ｍ，ｎ）のＫ電極は、対応するスイッチング
ＴＦＴ２２−（ｍ，ｎ）のソース、ドレイン導電路によ
りその列に対する共通の列信号線（Ｌｃ１〜４０９６）
に接続されている。例えば、列１の固体撮像素子２１−
（１，１）〜（１，４０９６）は第１の列信号配線Ｌｃ
１に接続されている。The K electrode of the solid-state imaging device 21- (m, n) in each column of the two-dimensional a-Si sensor is connected to the source and drain conductive paths of the corresponding switching TFT 22- (m, n) in common with that column. Column signal line (Lc1-4096)
It is connected to the. For example, the solid-state imaging device 21-
(1,1) to (1,4096) are the first column signal lines Lc
1 connected.
【００５１】各行の固体撮像素子２１のＡ電極は、共通
にバイアス配線Ｌｂを通してバイアス電源３１に接続さ
れている。各行のＴＦＴ２２のゲート電極は、行選択配
線（Ｌｒ１〜４０９６）に接続されている。例えば、行
１のＴＦＴ２２−（１，１）〜（４０９６，１）は行選
択配線Ｌｒ１に接続される。行選択配線Ｌｒはラインセ
レクタ部３２を通して制御部３３に接続されている。ラ
インセレクタ部３２は最も簡単に構成するならば、単に
液晶ディスプレイなどに用いられているシフトレジスタ
によって構成することも可能である。The A electrodes of the solid-state imaging devices 21 in each row are commonly connected to a bias power supply 31 through a bias wiring Lb. The gate electrodes of the TFTs 22 in each row are connected to row selection wirings (Lr1 to 4096). For example, the TFTs 22- (1,1) to (4096,1) in row 1 are connected to a row selection wiring Lr1. The row selection line Lr is connected to the control unit 33 through the line selector unit 32. If the line selector section 32 is most simply configured, it can be simply configured by a shift register used for a liquid crystal display or the like.
【００５２】列信号配線Ｌｃは、制御部３３により制御
される信号読み出し部３４に接続されている。出力信号
は順次図示しないＡ／Ｄ変換器へ出力されディジタル値
に変換される。The column signal line Lc is connected to a signal reading section 34 controlled by the control section 33. The output signals are sequentially output to an A / D converter (not shown) and are converted into digital values.
【００５３】［複数基板の貼り合わせによる大面積基板
の作製］上記の例では、４０９６×４０９６画素の固体
撮像素子３を１枚の基板で構成した例を示したが、４０
９６×４０９６画素の固体撮像素子３を２０４８×２０
４８個の画素を持つ４枚の光検出器で構成することもで
きる。２０４８×２０４８個の検出器を４枚で１つの固
体撮像素子３を構成する場合は、分割して製作する事に
より歩留まりが向上するなどのメリットがある。[Preparation of Large Area Substrate by Bonding a plurality of Substrates] In the above example, an example in which the solid-state imaging device 3 of 4096 × 4096 pixels is constituted by one substrate has been described.
2048 × 20 solid-state imaging device 3 having 96 × 4096 pixels
It can also be composed of four photodetectors having 48 pixels. When one solid-state imaging device 3 is configured by four 2048 × 2048 detectors, there is an advantage that the yield is improved by dividing and manufacturing the solid-state imaging device 3.
【００５４】また、蛍光体も同様に、必ずしもＣｓＩ：
Ｔｌも４３０ｍｍ×４３０ｍｍの１枚の単結晶である必
要はなく、例えば、４枚を貼り合わせることで生産性を
向上することができる。２１５ｍｍ×２１５ｍｍの４枚
の結晶は、端面を接着剤等で貼り合わせてもよいし、レ
ーザ光等を用いて、結晶の一部を溶解して貼り合わせて
もよい。Similarly, the phosphor is not necessarily CsI:
Tl does not need to be a single single crystal of 430 mm × 430 mm. For example, by bonding four substrates, productivity can be improved. The four crystals of 215 mm × 215 mm may be bonded at their end faces with an adhesive or the like, or may be bonded by dissolving a part of the crystals using a laser beam or the like.
【００５５】接着剤を用いる場合は、この接着剤は蛍光
体から発生する光に対して透明で、その屈折率はＣｓ
Ｉ：Ｔｌ結晶と同等で、約１．８程度が好ましい。When an adhesive is used, the adhesive is transparent to light generated from the phosphor and has a refractive index of Cs
I: Equivalent to Tl crystal, preferably about 1.8.
【００５６】［光遮蔽体の構成］次に、蛍光体１と固体
撮像素子３の間に配置した光遮蔽体について説明する。[Structure of Light Shield] Next, the light shield disposed between the phosphor 1 and the solid-state imaging device 3 will be described.
【００５７】図２に、実施例１の光遮蔽体の構造を示
す。図２に示すように、本実施例の光遮蔽体２は、蛍光
体１と固体撮像素子３との間に配置され、蛍光体から発
生する光を透過する層４１と蛍光体から発生する光の一
部を遮蔽する層４２を積層した構成としてある。FIG. 2 shows the structure of the light shield of the first embodiment. As shown in FIG. 2, the light shield 2 of the present embodiment is disposed between the phosphor 1 and the solid-state imaging device 3, and a layer 41 that transmits light emitted from the phosphor and light emitted from the phosphor are provided. Are layered to form a layer 42 that shields a part of.
【００５８】蛍光体から発生する光を透過する層４１
は、例えばガラス板（？）からなり、本実施例では、こ
のガラス板を３枚積層してある（ただし、積層枚数は何
枚でもかまわないし、１枚だけでも、かまわない）。Layer 41 for transmitting light generated from phosphor
Is composed of, for example, a glass plate (?). In this embodiment, three glass plates are laminated (however, the number of laminated plates may be any number, or may be only one).
【００５９】また、蛍光体から発生する光遮蔽層４２
は、そのガラス板の表面に、蛍光体から発生する光に対
して不透明な物質によって、蛍光体から発生する光の一
部を遮光する形状に形成された層である。この光遮蔽層
を形成する材料は、アルミニウムやクロムなどの金属膜
あるいは金属酸化膜、顔料や染料などの着色剤を含有す
る樹脂である。The light shielding layer 42 generated from the fluorescent material
Is a layer formed on the surface of the glass plate with a material that is opaque to the light generated from the phosphor, so as to block a part of the light generated from the phosphor. The material forming the light shielding layer is a metal film such as aluminum or chromium or a metal oxide film, or a resin containing a coloring agent such as a pigment or a dye.
【００６０】本実施例では、このような蛍光体から発生
する光遮蔽層４２をそれぞれ形成したガラス板を３枚、
積層してある。また、この蛍光体から発生する光遮蔽層
は、格子状に光電変換部（開口部）３１以外の領域上に
形成されており、かつ、固体撮像素子３に近付くにした
がって、遮光幅が大きくなるようにしてある。In this embodiment, three glass plates on which the light shielding layers 42 generated from such phosphors are formed, respectively,
Laminated. In addition, the light shielding layer generated from the phosphor is formed in a grid shape on an area other than the photoelectric conversion unit (opening) 31, and the light shielding width increases as approaching the solid-state imaging device 3. It is like that.
【００６１】図３は、この光遮蔽体の断面図を模式的に
示した図である。図３において、単結晶蛍光体で発光し
た蛍光の内、直接光（実線）は固体撮像素子３の開口部
５に導光し、その他の結晶内で拡散した拡散光（点線）
は遮蔽層４２が吸収するようになっている。例えば、最
下層の遮蔽層４２は固体撮像素子３の開口部５以外の部
分、例えば、図５、図６で説明した、スイッチングＴＦ
Ｔ２２や信号配線Ｌｃや選択配線Ｌｒ等を覆うように形
成され、上層の遮蔽層４２ほどその面積が小さくなるよ
うになっているのが好ましい。FIG. 3 is a diagram schematically showing a sectional view of this light shield. In FIG. 3, of the fluorescence emitted by the single crystal phosphor, direct light (solid line) is guided to the opening 5 of the solid-state imaging device 3 and diffused light (dotted line) diffused in other crystals.
Are absorbed by the shielding layer 42. For example, the lowermost shielding layer 42 is a portion other than the opening 5 of the solid-state imaging device 3, for example, the switching TF described with reference to FIGS.
It is preferable that T22, the signal wiring Lc, the selection wiring Lr, and the like be formed so as to cover them, and that the area of the upper shielding layer 42 becomes smaller.
【００６２】ここでは、光遮蔽体としては、一枚の厚さ
が１００〜５００μｍ（未定？？）のガラス板を３枚、
積層して形成している。特に積層するガラスの厚さおよ
び積層枚数は、この例にとらわれる必要はなく、固体撮
像素子の開口面積とＣｓＩ：Ｔｌ結晶の厚さに基づいて
最適化されていればよい。Here, as the light shield, three glass plates each having a thickness of 100 to 500 μm (undecided ??)
They are formed by lamination. In particular, the thickness of the laminated glass and the number of laminated glass do not need to be limited to this example, and may be optimized based on the opening area of the solid-state imaging device and the thickness of the CsI: Tl crystal.
【００６３】そして、放射線検出素子として感度を重視
する場合は、この光遮蔽体を薄くして固体撮像素子へ多
くの光量が到達するようにし、解像力を重視する場合
は、逆に光遮蔽体を厚くして結晶内での拡散光を減少さ
せるのが好ましい。When importance is placed on the sensitivity of the radiation detecting element, the light shield is made thin so that a large amount of light reaches the solid-state image pickup element. It is preferable to increase the thickness to reduce the diffused light in the crystal.
【００６４】これにより、拡散光が固体撮像素子の光電
変換部（開口部）に入射するのを減少させることができ
る。As a result, it is possible to reduce the incidence of the diffused light on the photoelectric conversion section (opening) of the solid-state imaging device.
【００６５】［光遮蔽体の作製方法］蛍光体から発生す
る光の遮光層の材料としては、アルミニウムやクロムな
どの金属膜あるいは金属酸化膜、カーボンブラックやチ
タンブラックなどの顔料又はアゾ系の黒色染料などが上
げられる。[Manufacturing Method of Light Shield] As a material of a light shielding layer for light generated from a phosphor, a metal film or a metal oxide film such as aluminum or chromium, a pigment such as carbon black or titanium black, or an azo black is used. Dyes and the like are raised.
【００６６】遮光層の光学濃度は、再帰反射を防止する
ために、０．７以上であることが必要である。The optical density of the light shielding layer needs to be 0.7 or more in order to prevent retroreflection.
【００６７】また、作製方法としては、オフセット印刷
法、スクリーン印刷法などの印刷方法、またはフォトリ
ソプロセスなどにより、容易に作製することができる。Further, as a manufacturing method, it can be easily manufactured by a printing method such as an offset printing method and a screen printing method, or a photolithography process.
【００６８】また、このように、固体撮像素子の基板と
同等の熱膨張率の物質（ガラス）で光遮蔽体を作製すれ
ば、固体撮像素子の開口部と光遮蔽体の開口部との熱膨
張による位置ずれは生じない。When the light shield is made of a substance (glass) having the same thermal expansion coefficient as that of the substrate of the solid-state image sensor, heat between the opening of the solid-state image sensor and the opening of the light shield can be obtained. No displacement occurs due to expansion.
【００６９】また、ＣｓＩ：Ｔｌ結晶からなる蛍光体と
ガラスとの接着は、屈折率が１．５から２．０の透明接
着剤を用いて、接着面での反射を最小限にすることが好
ましい。The bonding between the phosphor composed of the CsI: Tl crystal and the glass can be achieved by using a transparent adhesive having a refractive index of 1.5 to 2.0 to minimize reflection on the bonding surface. preferable.
【００７０】［実施例２］光遮蔽体の実施例２として、
図４に蛍光体から発生する光を遮蔽する物質の格子構造
体からなる光遮蔽体を示す。[Embodiment 2] As Embodiment 2 of the light shield,
FIG. 4 shows a light shield made of a lattice structure of a substance that shields light generated from a phosphor.
【００７１】［光遮蔽体の構成］この格子構造体６１
は、例えば、フォトリソグラフィ技術により作製したも
ので、その格子の開口の数は固体撮像素子の画素数と一
致し、固体撮像素子に近い方の格子の開口形状は、固体
撮像素子の受光面の開口形状と一致し、固体撮像素子か
ら離れるにしたがい、わずかに広がっているのが好まし
い。[Structure of Light Shield] This grating structure 61
Is manufactured by, for example, a photolithography technique, and the number of openings of the lattice is equal to the number of pixels of the solid-state imaging device. It is preferable that the shape is slightly wider as the aperture shape matches and the distance from the solid-state imaging device increases.
【００７２】また、この格子構造体６１は、単結晶蛍光
体の放射線入射面付近、すなわち固体撮像素子３から遠
い面付近で発光した蛍光を固体撮像素子３に導光し、そ
の他の結晶内で拡散した拡散光は格子が吸収するように
設計されていることを特徴としている。The lattice structure 61 guides the fluorescent light emitted near the radiation incident surface of the single crystal phosphor, that is, near the surface far from the solid-state imaging device 3, to the solid-state imaging device 3, and in other crystals. It is characterized in that the diffused light is designed to be absorbed by the grating.
【００７３】［光遮蔽体の作製方法］このような、格子
構造の光遮蔽体の作製方法としては、例えば、カラーテ
レビ等のＣＲＴディスプレイ装置に用いられるシャドー
マスク製造法と同様に、フォトリソグラフィ技術により
作製することができる。[Method of Manufacturing Light Shield] As a method of manufacturing such a light shield having a lattice structure, for example, a photolithography technique similar to a method of manufacturing a shadow mask used for a CRT display device such as a color television is used. Can be produced.
【００７４】例えば、図８に示すように、光遮蔽体とな
る基材の両面にレジストを塗布し（ａ）、その両面のレ
ジストに格子のガラスマスクを用いて露光し（ｂ）、そ
の後、レジストを現像し（ｃ）、エッチングして開口し
（ｄ）、レジストを剥離して（ｅ）、格子構造を形成す
ることができる。For example, as shown in FIG. 8, a resist is applied to both sides of a substrate serving as a light shielding body (a), and the resist on both sides is exposed using a lattice glass mask (b). The resist can be developed (c), etched and opened (d), and the resist removed (e) to form a lattice structure.
【００７５】［他の実施例］実施例１では、複数のガラ
ス板を積層して構成した光遮蔽体を示したが、１枚のガ
ラス板中に、光遮蔽層を形成しても良い。[Other Embodiments] In the first embodiment, the light shield formed by laminating a plurality of glass plates is described. However, the light shield layer may be formed in one glass plate.
【００７６】[0076]
【発明の効果】以上、説明したように、本発明によれ
ば、従来の、拡散、吸収の大きい粒子状の蛍光体に代え
て、透明な蛍光体を用いることにより、蛍光体内での拡
散および吸収を少なくすることができる。As described above, according to the present invention, by using a transparent phosphor instead of the conventional particulate phosphor having large diffusion and absorption, diffusion in the phosphor can be improved. Absorption can be reduced.
【００７７】また、単結晶の蛍光体を用いることによ
り、耐湿性が良好で、硬度の高い蛍光体とすることがで
きるため、耐久性及び機械的強度を高めることができ
る。Further, by using a single-crystal phosphor, a phosphor having good moisture resistance and high hardness can be obtained, so that durability and mechanical strength can be enhanced.
【００７８】さらに、固体撮像素子と蛍光体との間に、
固体撮像素子の受光のための開口部以外の領域を遮蔽す
る光遮蔽体を配置することにより、横方向の拡散光の入
射を防止し、直接光のみを固体撮像素子に入射させるこ
とができる。Further, between the solid-state imaging device and the phosphor,
By arranging a light shield that blocks an area other than the opening for receiving light of the solid-state imaging device, it is possible to prevent the diffusion of light in the horizontal direction and to allow only direct light to enter the solid-state imaging device.
【００７９】従って、本発明によれば、蛍光体内での拡
散および吸収が少なく、かつ蛍光体内での拡散光が固体
撮像素子に入射することを低減した、高感度、高解像度
で、更に耐久性及び機械的強度に優れた放射線検出素子
を提供することができる。Therefore, according to the present invention, high sensitivity, high resolution, and further durability are obtained, in which diffusion and absorption in the phosphor are reduced, and the light diffused in the phosphor is reduced from entering the solid-state imaging device. In addition, a radiation detection element having excellent mechanical strength can be provided.
【図１】本発明の放射線検出素子の模式的断面図であ
る。FIG. 1 is a schematic sectional view of a radiation detecting element of the present invention.
【図２】本発明の光遮蔽体の一例を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing an example of a light shield of the present invention.
【図３】本発明の光遮蔽体の一例の模式断面図である。FIG. 3 is a schematic sectional view of an example of the light shield of the present invention.
【図４】本発明の他の光遮蔽体の一例を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing an example of another light shield of the present invention.
【図５】実施例の固体撮像素子の等価回路図である。FIG. 5 is an equivalent circuit diagram of the solid-state imaging device according to the embodiment.
【図６】実施例の２次元に配列した固体撮像素子を表し
た等価回路図である。FIG. 6 is an equivalent circuit diagram illustrating two-dimensionally arranged solid-state imaging devices according to the embodiment.
【図７】従来の放射線検出装置の構成図である。FIG. 7 is a configuration diagram of a conventional radiation detection device.
【図８】光遮蔽体の製造方法を説明する図である。FIG. 8 is a diagram illustrating a method of manufacturing the light shield.
１ 蛍光体 ２ 光遮蔽体 ３ 固体撮像素子 ４ 光反射層 ５ 開口部 Ｓ 被写体 １１ 放射線源 １２ グリッド １３ 放射線検出器 ２１ 固体撮像素子 ２２ スイッチングＴＦＴ ２３ 容量素子 ２４ リセット用スイッチング素子 ２５ 読み出し用増幅器 ２７ 放射線 ３１ バイアス電源 ３２ ラインセレクタ部 ３３ 制御部 ３４ 信号読み出し部 ４１ 蛍光体から発生する光透過層 ４２ 蛍光体から発生する光遮蔽層 ６１ 格子構造体 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Phosphor 2 Light shield 3 Solid-state imaging device 4 Light reflection layer 5 Opening S Subject 11 Radiation source 12 Grid 13 Radiation detector 21 Solid-state imaging device 22 Switching TFT 23 Capacitance element 24 Reset switching element 25 Reading amplifier 27 Radiation REFERENCE SIGNS LIST 31 bias power supply 32 line selector unit 33 control unit 34 signal readout unit 41 light transmitting layer generated from fluorescent material 42 light shielding layer generated from fluorescent material 61 lattice structure
─────────────────────────────────────────────────────
────────────────────────────────────────────────── ───
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成１１年１月１１日[Submission date] January 11, 1999
【手続補正１】[Procedure amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００５８[Correction target item name] 0058
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【００５８】蛍光体から発生する光を透過する層４１
は、例えばガラス板からなり、本実施例では、このガラ
ス板を３枚積層してある（ただし、積層枚数は何枚でも
かまわないし、１枚だけでも、かまわない）。Layer 41 for transmitting light generated from phosphor
, For example a glass plate or Rannahli, in this embodiment, the glass plate are stacked three (however, to the laminated number of sheets may any number of images, even just one, may).
【手続補正２】[Procedure amendment 2]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００６２[Correction target item name] 0062
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【００６２】ここでは、光遮蔽体としては、一枚の厚さ
が１００〜５００μｍのガラス板を３枚、積層して形成
している。特に積層するガラスの厚さおよび積層枚数
は、この例にとらわれる必要はなく、固体撮像素子の開
口面積とＣｓＩ：Ｔｌ結晶の厚さに基づいて最適化され
ていればよい。[0062] Here, as the light shield, the thickness of one sheet 3 sheets of glass plates 100～500Myu m, is formed by laminating. In particular, the thickness of the laminated glass and the number of laminated glass do not need to be limited to this example, and may be optimized based on the opening area of the solid-state imaging device and the thickness of the CsI: Tl crystal.
Claims (15)
素子の受光のための開口部に対応した開口部を有する光
遮蔽体を配置したことを特徴とする放射線検出素子。A solid-state image sensor comprising a plurality of pixels; a phosphor disposed in front of the solid-state image sensor; and an aperture between the solid-state image sensor and the phosphor for receiving light from the solid-state image sensor. A radiation detecting element, comprising a light shield having an opening corresponding to a portion.
る光を透過する層と前記蛍光体から発生する光の一部を
遮蔽する層を積層したことを特徴とする請求項１記載の
放射線検出素子。2. The light shielding body according to claim 1, wherein a layer that transmits light emitted from the phosphor and a layer that shields a part of light emitted from the phosphor are laminated. Radiation detection element.
透明なガラス板を複数枚積層して構成し、前記遮光層
は、前記固体撮像素子の受光のための開口部に対応した
開口部を有することを特徴とする請求項２記載の放射線
検出素子。3. The light shielding body is formed by laminating a plurality of transparent glass plates having a light shielding layer on a surface, and the light shielding layer has an opening corresponding to an opening for receiving light of the solid-state imaging device. The radiation detecting element according to claim 2, further comprising a portion.
あることを特徴とする請求項２又は３記載の放射線検出
素子。4. The radiation detecting element according to claim 2, wherein the light-shielding layer has an optical density of 0.7 or more.
む樹脂より形成されていることを特徴とする請求項２〜
４のいずれかに記載の放射線検出素子。5. The light-shielding layer is formed of a resin containing a pigment and / or a dye.
5. The radiation detecting element according to any one of 4.
を遮蔽する物質の格子構造体であることを特徴とする請
求項１記載の放射線検出素子。6. The radiation detecting element according to claim 1, wherein the light shield is a lattice structure of a substance that shields light generated from the phosphor.
光面から前記蛍光体に向かって次第に広がる形状の開口
部を有することを特徴とする請求項２〜６のいずれか１
項記載の放射線検出素子。7. The light shielding body according to claim 2, wherein the light shielding body has an opening having a shape gradually expanding from the light receiving surface of the solid-state imaging device toward the phosphor.
A radiation detecting element according to claim 1.
が１．５から２．０の透明接着剤で接着されたことを特
徴とする請求項２〜７のいずれか１項記載の放射線検出
素子。8. The light shielding body according to claim 2, wherein the light shielding body is bonded to the phosphor with a transparent adhesive having a refractive index of 1.5 to 2.0. Radiation detection element.
する請求項１〜８のいずれか１項記載の放射線検出素
子。9. The radiation detecting element according to claim 1, wherein the phosphor is transparent.
に対して透明であることを特徴とする請求項１〜９のい
ずれか１項記載の放射線検出素子。10. The radiation detecting element according to claim 1, wherein the phosphor is transparent to fluorescence emitted from the phosphor.
を特徴とする請求項９記載の放射線検出素子。11. The radiation detecting element according to claim 9, wherein the phosphor is a transparent single crystal.
Ｉ：Ｎａ、ＮａＩ：Ｔｌのいずれかからなることを特徴
とする請求項９〜１１のいずれか１項記載の放射線検出
素子。12. The phosphor according to claim 1, wherein the phosphor is CsI: Tl, CsI.
The radiation detection element according to any one of claims 9 to 11, wherein the radiation detection element is made of one of I: Na and NaI: Tl.
の厚さを有することを特徴とする請求項９〜１２のいず
れか１項記載の放射線検出素子。13. The phosphor according to claim 1, wherein the phosphor has a thickness of 100 μm to 1 mm.
The radiation detecting element according to any one of claims 9 to 12, wherein the radiation detecting element has a thickness of:
光面と反対側の面を光反射層で覆っていることを特徴と
する請求項９〜１３のいずれか１項記載の放射線検出素
子。14. The radiation detecting element according to claim 9, wherein the phosphor covers a surface opposite to a light receiving surface of the solid-state imaging device with a light reflecting layer. .
−Ｓｉ：Ｈを用いたことを特徴とする請求項１〜１４の
いずれか１項記載の放射線検出素子。15. The solid-state imaging device according to claim 1, wherein a
The radiation detection element according to any one of claims 1 to 14, wherein -Si: H is used.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9328619A JPH11160441A (en) | 1997-11-28 | 1997-11-28 | Radiation detecting element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9328619A JPH11160441A (en) | 1997-11-28 | 1997-11-28 | Radiation detecting element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11160441A true JPH11160441A (en) | 1999-06-18 |
Family
ID=18212297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9328619A Pending JPH11160441A (en) | 1997-11-28 | 1997-11-28 | Radiation detecting element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11160441A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 1997-11-28 JP JP9328619A patent/JPH11160441A/en active Pending
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