JPH11157984A - 半導体単結晶搬出・搬送装置 - Google Patents
半導体単結晶搬出・搬送装置Info
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- JPH11157984A JPH11157984A JP33483897A JP33483897A JPH11157984A JP H11157984 A JPH11157984 A JP H11157984A JP 33483897 A JP33483897 A JP 33483897A JP 33483897 A JP33483897 A JP 33483897A JP H11157984 A JPH11157984 A JP H11157984A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 MCZ法を用いて育成した半導体単結晶を、
並設した他の磁場印加機構付き単結晶製造装置の磁場の
影響を受けることなく所定の場所に搬送するとともに、
前記搬送によって他の単結晶製造装置で育成中の半導体
単結晶に悪影響を及ぼさないようにする。 【解決手段】 半導体単結晶(6)または炉内品を磁場
印加機構付き単結晶製造装置から搬出する搬出装置(3
0)と、前記搬出装置を昇降させる昇降装置(20)
と、並設した複数の磁場印加機構付き単結晶製造装置か
ら遠ざかるように敷設した搬送レール(12)を含む搬
送装置とを構成する各部品に非磁性体材料を用いるか、
または前記各部品を磁気遮蔽材料で被包する。
並設した他の磁場印加機構付き単結晶製造装置の磁場の
影響を受けることなく所定の場所に搬送するとともに、
前記搬送によって他の単結晶製造装置で育成中の半導体
単結晶に悪影響を及ぼさないようにする。 【解決手段】 半導体単結晶(6)または炉内品を磁場
印加機構付き単結晶製造装置から搬出する搬出装置(3
0)と、前記搬出装置を昇降させる昇降装置(20)
と、並設した複数の磁場印加機構付き単結晶製造装置か
ら遠ざかるように敷設した搬送レール(12)を含む搬
送装置とを構成する各部品に非磁性体材料を用いるか、
または前記各部品を磁気遮蔽材料で被包する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、MCZ法による半
導体単結晶の搬出・搬送装置に関する。
導体単結晶の搬出・搬送装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体単結晶の製造手段の1つとしてM
CZ法が用いられている。MCZ法は、単結晶製造装置
の周囲に設けた電磁石により融液に磁場を印加して融液
の動粘性率を高めた上、CZ法によりシリコン単結晶を
育成する方法である。磁場の印加により融液の対流が抑
制されるため、融液表面近傍の温度変動が低減し、安定
したシリコン単結晶の育成を進めることができる。ま
た、MCZ法は、るつぼ回転の制御により融液と石英る
つぼ(SiO2 )との反応が抑制または促進されるの
で、シリコン単結晶中の酸素濃度の制御に有効な方法で
ある。
CZ法が用いられている。MCZ法は、単結晶製造装置
の周囲に設けた電磁石により融液に磁場を印加して融液
の動粘性率を高めた上、CZ法によりシリコン単結晶を
育成する方法である。磁場の印加により融液の対流が抑
制されるため、融液表面近傍の温度変動が低減し、安定
したシリコン単結晶の育成を進めることができる。ま
た、MCZ法は、るつぼ回転の制御により融液と石英る
つぼ(SiO2 )との反応が抑制または促進されるの
で、シリコン単結晶中の酸素濃度の制御に有効な方法で
ある。
【0003】一方、CZ法またはFZ法による半導体単
結晶を量産する手段として複数の単結晶製造装置を並設
し、更に、これらの製造装置で育成した単結晶を自動的
または半自動的に搬出した上、所定の場所に搬送する半
導体単結晶搬出・搬送装置が提案されている。この搬出
・搬送装置は、たとえば特許公報第2605164号に
開示されているように、床の上方または床面に配設した
レール上を走行する単結晶搬出装置を自動的または半自
動的に制御し、育成した半導体単結晶を単結晶製造装置
から取り出して所定の場所に搬送するもので、小型化し
た装置で複数の単結晶製造装置に共通に使用することが
できるようになっている。
結晶を量産する手段として複数の単結晶製造装置を並設
し、更に、これらの製造装置で育成した単結晶を自動的
または半自動的に搬出した上、所定の場所に搬送する半
導体単結晶搬出・搬送装置が提案されている。この搬出
・搬送装置は、たとえば特許公報第2605164号に
開示されているように、床の上方または床面に配設した
レール上を走行する単結晶搬出装置を自動的または半自
動的に制御し、育成した半導体単結晶を単結晶製造装置
から取り出して所定の場所に搬送するもので、小型化し
た装置で複数の単結晶製造装置に共通に使用することが
できるようになっている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】近年、MCZ法による
単結晶についても上記と同様に、複数の磁場印加機構付
き単結晶製造装置を並設して量産化を図っている。しか
しながら、磁場印加機構を有する単結晶製造装置の場合
は、育成した半導体単結晶を搬出するため搬出装置を駆
動したとき、磁場印加状態にある他の単結晶製造装置か
らの影響を受けて搬出・搬送装置が磁石に引き寄せら
れ、あるいは電気的な誤動作を起こし、搬送する半導体
単結晶の落下を引き起こすおそれがある。また、半導体
単結晶や石英るつぼ、黒鉛るつぼ等の炉内品を搬送する
際に、磁場印加状態にある他の単結晶製造装置に近接す
ると、磁場が変化して育成中の半導体単結晶の品質を低
下させたり、搬出・搬送装置が他の単結晶製造装置に衝
突することによって半導体単結晶の製造を妨げたり、電
気的誤動作による搬送物の落下を引き起こしたりするお
それがある。
単結晶についても上記と同様に、複数の磁場印加機構付
き単結晶製造装置を並設して量産化を図っている。しか
しながら、磁場印加機構を有する単結晶製造装置の場合
は、育成した半導体単結晶を搬出するため搬出装置を駆
動したとき、磁場印加状態にある他の単結晶製造装置か
らの影響を受けて搬出・搬送装置が磁石に引き寄せら
れ、あるいは電気的な誤動作を起こし、搬送する半導体
単結晶の落下を引き起こすおそれがある。また、半導体
単結晶や石英るつぼ、黒鉛るつぼ等の炉内品を搬送する
際に、磁場印加状態にある他の単結晶製造装置に近接す
ると、磁場が変化して育成中の半導体単結晶の品質を低
下させたり、搬出・搬送装置が他の単結晶製造装置に衝
突することによって半導体単結晶の製造を妨げたり、電
気的誤動作による搬送物の落下を引き起こしたりするお
それがある。
【0005】本発明は上記従来の問題点に着目してなさ
れたもので、MCZ法を用いて育成した半導体単結晶
を、稼働中の他の磁場印加機構付き単結晶製造装置の磁
場の影響を受けることなく所定の場所に搬送するととも
に、前記半導体単結晶の搬送によって他の磁場印加機構
付き単結晶製造装置で育成中の半導体単結晶に悪影響を
及ぼさないようにすることが可能な半導体単結晶搬出・
搬送装置を提供することを目的としている。
れたもので、MCZ法を用いて育成した半導体単結晶
を、稼働中の他の磁場印加機構付き単結晶製造装置の磁
場の影響を受けることなく所定の場所に搬送するととも
に、前記半導体単結晶の搬送によって他の磁場印加機構
付き単結晶製造装置で育成中の半導体単結晶に悪影響を
及ぼさないようにすることが可能な半導体単結晶搬出・
搬送装置を提供することを目的としている。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係る半導体単結晶搬出・搬送装置は、並設
した複数の磁場印加機構付き単結晶製造装置で育成した
半導体単結晶または半導体単結晶の育成に使用した炉内
品を前記単結晶製造装置から搬出して所定の場所に搬送
する装置であって、前記半導体単結晶または炉内品を磁
場印加機構付き単結晶製造装置から搬出する搬出装置
と、前記搬出装置を昇降させる昇降装置と、並設した複
数の磁場印加機構付き単結晶製造装置から遠ざかるよう
に敷設した搬送レールを含む搬送装置とを構成する各部
品に非磁性体材料を用いるか、または前記各部品を磁気
遮蔽材料で被包したことを特徴とする。上記構成によれ
ば、育成の完了した半導体単結晶を単結晶製造装置から
搬出して所定の場所に搬送する各装置に磁場対策を施し
たので、磁場印加状態にある他の単結晶製造装置の磁場
の影響を受けて前記搬出・搬送装置が誤動作することは
ない。従って、前記搬出・搬送装置を目的通りに作動さ
せることができ、半導体単結晶を落下等の事故を起こさ
ずに所定の場所に搬送することができる。また、半導体
単結晶を把持した搬出・搬送装置を、並設した複数の磁
場印加機構付き単結晶製造装置から遠ざかるように敷設
した搬送レールにより移動させるので、磁場印加状態に
ある他の単結晶製造装置への近接や衝突による磁場の攪
乱等が確実に回避され、他の単結晶製造装置で育成中の
半導体単結晶に悪影響を及ぼさない。
め、本発明に係る半導体単結晶搬出・搬送装置は、並設
した複数の磁場印加機構付き単結晶製造装置で育成した
半導体単結晶または半導体単結晶の育成に使用した炉内
品を前記単結晶製造装置から搬出して所定の場所に搬送
する装置であって、前記半導体単結晶または炉内品を磁
場印加機構付き単結晶製造装置から搬出する搬出装置
と、前記搬出装置を昇降させる昇降装置と、並設した複
数の磁場印加機構付き単結晶製造装置から遠ざかるよう
に敷設した搬送レールを含む搬送装置とを構成する各部
品に非磁性体材料を用いるか、または前記各部品を磁気
遮蔽材料で被包したことを特徴とする。上記構成によれ
ば、育成の完了した半導体単結晶を単結晶製造装置から
搬出して所定の場所に搬送する各装置に磁場対策を施し
たので、磁場印加状態にある他の単結晶製造装置の磁場
の影響を受けて前記搬出・搬送装置が誤動作することは
ない。従って、前記搬出・搬送装置を目的通りに作動さ
せることができ、半導体単結晶を落下等の事故を起こさ
ずに所定の場所に搬送することができる。また、半導体
単結晶を把持した搬出・搬送装置を、並設した複数の磁
場印加機構付き単結晶製造装置から遠ざかるように敷設
した搬送レールにより移動させるので、磁場印加状態に
ある他の単結晶製造装置への近接や衝突による磁場の攪
乱等が確実に回避され、他の単結晶製造装置で育成中の
半導体単結晶に悪影響を及ぼさない。
【0007】
【発明の実施の形態および実施例】次に、本発明に係る
半導体単結晶搬出・搬送装置の実施例について図面を参
照して説明する。図1に示すように、複数の磁場印加機
構付き単結晶製造装置(以下単結晶製造装置という)1
〜5は、所定の間隔を保って工場内に並設されている。
この工場の天井には、前記単結晶製造装置1〜5の配列
に沿って搬送装置10の構成部品である2本のX軸レー
ル11,11が平行に配設され、X軸レール11,11
上にはX軸レールと直交する1本のY軸レール12が走
行自在に架設されている。従って、Y軸レール12はX
軸方向に走行可能であり、Y軸レール12の現在位置は
図示しないY軸レール走行モータに取着したロータリエ
ンコーダが移動距離を算出することにより検出可能であ
る。そして、Y軸レール12に昇降装置20が垂設さ
れ、昇降装置20の下端に搬出装置30が装着されてい
る。
半導体単結晶搬出・搬送装置の実施例について図面を参
照して説明する。図1に示すように、複数の磁場印加機
構付き単結晶製造装置(以下単結晶製造装置という)1
〜5は、所定の間隔を保って工場内に並設されている。
この工場の天井には、前記単結晶製造装置1〜5の配列
に沿って搬送装置10の構成部品である2本のX軸レー
ル11,11が平行に配設され、X軸レール11,11
上にはX軸レールと直交する1本のY軸レール12が走
行自在に架設されている。従って、Y軸レール12はX
軸方向に走行可能であり、Y軸レール12の現在位置は
図示しないY軸レール走行モータに取着したロータリエ
ンコーダが移動距離を算出することにより検出可能であ
る。そして、Y軸レール12に昇降装置20が垂設さ
れ、昇降装置20の下端に搬出装置30が装着されてい
る。
【0008】図2に示すように、昇降装置20のガイド
フレーム21は、Y軸レール12の左右両側面を挟むよ
うに設置されたローラ13と、走行モータ14によって
駆動するギヤ15とによりY軸レール12上を走行し、
ロータリエンコーダ16が移動距離を算出することによ
りにより現在位置を検出することができる。
フレーム21は、Y軸レール12の左右両側面を挟むよ
うに設置されたローラ13と、走行モータ14によって
駆動するギヤ15とによりY軸レール12上を走行し、
ロータリエンコーダ16が移動距離を算出することによ
りにより現在位置を検出することができる。
【0009】ガイドフレーム21内には、サーボモータ
22によって回転するボールネジを備えた1対のガイド
アクチュエータ23とロータリエンコーダ24とが設置
され、前記ガイドアクチュエータ23により上下動ベー
ス25が上下動する。上下動ベース25の上下方向移動
距離は、ロータリエンコーダ24により検出される。上
下動ベース25はスリップリング26を介して上下に分
割され、下部は手動により270°の範囲で回動し、位
置決めピン27の差し換えにより90°ごとに固定する
ことができる。
22によって回転するボールネジを備えた1対のガイド
アクチュエータ23とロータリエンコーダ24とが設置
され、前記ガイドアクチュエータ23により上下動ベー
ス25が上下動する。上下動ベース25の上下方向移動
距離は、ロータリエンコーダ24により検出される。上
下動ベース25はスリップリング26を介して上下に分
割され、下部は手動により270°の範囲で回動し、位
置決めピン27の差し換えにより90°ごとに固定する
ことができる。
【0010】搬送装置制御盤17は、X軸レール11、
Y軸レール12、走行モータ14等からなる搬送装置1
0の駆動と、上下動ベース25の昇降とを制御する。こ
の搬送装置制御盤17は、磁場の影響を受けない所定の
位置に設置され、各モータ、ロータリエンコーダ等に必
要な電力を供給するとともに、ロータリエンコーダ1
6,24の出力信号に基づいて電力のON−OFFを行
う。これらに必要な電気配線・信号配線18は、X軸レ
ール11、Y軸レール12及びガイドフレーム21を介
して配設されている。
Y軸レール12、走行モータ14等からなる搬送装置1
0の駆動と、上下動ベース25の昇降とを制御する。こ
の搬送装置制御盤17は、磁場の影響を受けない所定の
位置に設置され、各モータ、ロータリエンコーダ等に必
要な電力を供給するとともに、ロータリエンコーダ1
6,24の出力信号に基づいて電力のON−OFFを行
う。これらに必要な電気配線・信号配線18は、X軸レ
ール11、Y軸レール12及びガイドフレーム21を介
して配設されている。
【0011】上記の各構成要素のうち、X軸レール1
1、Y軸レール12、ギヤ15、ガイドフレーム21、
ガイドアクチュエータ23、上下動ベース25、位置決
めピン27はいずれもSUS304等の非磁性体金属を
用いて製作され、各回転部分を支持するベアリングはS
US304またはセラミックス等の非磁性体材料を用い
て製作されている。走行モータ14、サーボモータ2
2、ロータリエンコーダ16,24は鉄製の筐体の大き
さは、周囲のMCZに影響しないように考慮された大き
さに格納され、スリップリング26は銅またはSUS3
04等の非磁性体金属を用いて製作したものを更に筐体
に格納して磁場を遮蔽している。また、電気配線・信号
配線18にはノイズ対策を施したケーブルが用いられ、
図示しないリミットスイッチには磁場に影響されない張
力をもつバネを使用するか、または鉄製の筐体に格納さ
れている。ローラ13はゴム等の非磁性体材料を用いて
製作され、その他の部品にはいずれも非磁性体材料が使
用されている。
1、Y軸レール12、ギヤ15、ガイドフレーム21、
ガイドアクチュエータ23、上下動ベース25、位置決
めピン27はいずれもSUS304等の非磁性体金属を
用いて製作され、各回転部分を支持するベアリングはS
US304またはセラミックス等の非磁性体材料を用い
て製作されている。走行モータ14、サーボモータ2
2、ロータリエンコーダ16,24は鉄製の筐体の大き
さは、周囲のMCZに影響しないように考慮された大き
さに格納され、スリップリング26は銅またはSUS3
04等の非磁性体金属を用いて製作したものを更に筐体
に格納して磁場を遮蔽している。また、電気配線・信号
配線18にはノイズ対策を施したケーブルが用いられ、
図示しないリミットスイッチには磁場に影響されない張
力をもつバネを使用するか、または鉄製の筐体に格納さ
れている。ローラ13はゴム等の非磁性体材料を用いて
製作され、その他の部品にはいずれも非磁性体材料が使
用されている。
【0012】上下動ベース25の下部には搬出装置30
と搬出装置制御盤31とが取着されている。搬出装置3
0は、プルチャンバ内に引き上げられた半導体単結晶6
を把持する1対以上の把持アーム32と、把持アーム3
2を前後移動させるエアシリンダ33及びガイド34と
を備えている。把持アーム32は、本発明者等が先に
〔 ApP0704-01 の出願または公開番号を入れる〕 で単
結晶インゴット把持装置及び把持方法として出願したも
のと同様の構造である。すなわち、図3に示すように、
1対の把持アーム32,32の対向面にシリコンゴムか
らなる把持部材35が取着され、把持部材35を挟んで
レーザセンサの発光部36と受光部37とが取着されて
いる。前記発光部36から受光部37に至るレーザセン
サの光軸SL 及びSR は、把持部材35の端面よりも約
5mm突出した位置にある。また、前記1対の把持アー
ム32,32の基部には、それぞれエアシリンダ38,
38が連結され、左右の各把持アーム32,32は左右
のエアシリンダ38,38により独立に作動する。
と搬出装置制御盤31とが取着されている。搬出装置3
0は、プルチャンバ内に引き上げられた半導体単結晶6
を把持する1対以上の把持アーム32と、把持アーム3
2を前後移動させるエアシリンダ33及びガイド34と
を備えている。把持アーム32は、本発明者等が先に
〔 ApP0704-01 の出願または公開番号を入れる〕 で単
結晶インゴット把持装置及び把持方法として出願したも
のと同様の構造である。すなわち、図3に示すように、
1対の把持アーム32,32の対向面にシリコンゴムか
らなる把持部材35が取着され、把持部材35を挟んで
レーザセンサの発光部36と受光部37とが取着されて
いる。前記発光部36から受光部37に至るレーザセン
サの光軸SL 及びSR は、把持部材35の端面よりも約
5mm突出した位置にある。また、前記1対の把持アー
ム32,32の基部には、それぞれエアシリンダ38,
38が連結され、左右の各把持アーム32,32は左右
のエアシリンダ38,38により独立に作動する。
【0013】図2、図3に示すように、上記レーザセン
サの受光部37からの出力信号を伝達する信号配線39
は、搬出装置制御盤31に接続されている。また、把持
アーム32を駆動するエアシリンダ38のエアホース4
0は上下動ベース25の下部に接続され、上下動ベース
25の下端に接続される着脱自在のエアホースから供給
されるエアにより、エアシリンダ38が駆動される。ま
た、搬出装置制御盤31には搬送装置制御盤17からX
軸レール11、Y軸レール12、ガイドフレーム21、
上下動ベース25及びスリップリング26を介して電力
が供給される。
サの受光部37からの出力信号を伝達する信号配線39
は、搬出装置制御盤31に接続されている。また、把持
アーム32を駆動するエアシリンダ38のエアホース4
0は上下動ベース25の下部に接続され、上下動ベース
25の下端に接続される着脱自在のエアホースから供給
されるエアにより、エアシリンダ38が駆動される。ま
た、搬出装置制御盤31には搬送装置制御盤17からX
軸レール11、Y軸レール12、ガイドフレーム21、
上下動ベース25及びスリップリング26を介して電力
が供給される。
【0014】これらの構成要素のうち、搬出装置制御盤
31は鉄製の筐体と磁気シールとによって磁場から保護
され、把持アーム32はSUS304等の非磁性体金属
を用いて製作されている。また、ガイド34及びエアシ
リンダ33,38はいずれもSUS304等の非磁性体
金属を用いて製作され、エアシリンダ38を駆動するソ
レノイドバルブは、磁場の影響を受けない程度にばねの
張力を強くするか、または筐体に収納することによって
磁場から遮蔽されている。レーザセンサ等の信号配線3
9にはノイズ対策を施したケーブルが使用されている。
31は鉄製の筐体と磁気シールとによって磁場から保護
され、把持アーム32はSUS304等の非磁性体金属
を用いて製作されている。また、ガイド34及びエアシ
リンダ33,38はいずれもSUS304等の非磁性体
金属を用いて製作され、エアシリンダ38を駆動するソ
レノイドバルブは、磁場の影響を受けない程度にばねの
張力を強くするか、または筐体に収納することによって
磁場から遮蔽されている。レーザセンサ等の信号配線3
9にはノイズ対策を施したケーブルが使用されている。
【0015】次に、半導体単結晶の搬出・搬送手順につ
いて、図1〜図3を参照して説明する。 (1)単結晶製造装置1〜5のうちの1つで半導体単結
晶の育成が完了し、この単結晶がプルチャンバ内に引き
上げられ、ゲートバルブが閉じられていることを確認し
た後、作業者はプルチャンバの正面扉を開き、搬送装置
制御盤17のスイッチを操作して該当する単結晶製造装
置の番号を入力する。 (2)搬送装置制御盤17の指令信号により、搬送装置
10のY軸レール12及びY軸レール11上を走行する
ガイドフレーム21が指令された位置、すなわちガイド
フレーム21が当該単結晶製造装置前方の所定位置に到
達するまで走行する。Y軸レール12及びガイドフレー
ム21は、ロータリエンコーダの検出信号に基づいて前
記所定の位置で停止する。上下動ベース25はガイドフ
レーム21内に収容されたままである。 (3)次いで、搬送装置制御盤17の指令信号によりサ
ーボモータ22が駆動し、ガイドフレーム21から上下
動ベース25が下降する。下降後の停止位置は、搬出装
置30の把持アーム32が半導体単結晶6を搬出するに
最適の高さとなる。このとき、把持アーム32は単結晶
製造装置に対して90°回転した方向を指している。 (4)作業者は位置決めピン27を抜き取り、上下動ベ
ース25の下部を90°回転させ、把持アーム32を単
結晶製造装置に対向させる。そして、位置決めピン27
を挿入して搬出装置30の向きを固定する。また、上下
動ベース25の下端にエアホースを接続する。 (5)作業者が搬出装置制御盤31のスイッチを操作す
ると、エアシリンダ33が押し出し方向に作動し、把持
アーム32はガイド34に沿って前進してプルチャンバ
内に入る。そして、左右の把持アーム32の把持部材3
5が半導体単結晶6を挟む位置まで前進した後、エアシ
リンダ33の作動が停止する。 (6)エアシリンダ38のヘッド側にエアが供給され、
把持アーム32,32は把持方向すなわち内側に移動す
る。半導体単結晶6の外周に左右いずれかの把持アーム
のレーザビームが掛かると、把持アーム32に取り付け
られた受光部37の出力信号が搬出装置制御盤31に入
力され、把持アーム32を駆動するエアシリンダ38が
停止する。他側の把持アームは、レーザビームが半導体
単結晶6の外周に掛かるまで動く。この動作が繰り返さ
れると、左右両側の把持部材35の端面は半導体単結晶
6の外周から等距離に位置し、その距離は約5mmであ
る。 (7)すべての把持アーム32が停止してから1〜2秒
経過すると搬出装置制御盤31のタイマが作動し、左右
のエアシリンダ38のヘッド側にエアが再度供給され
る。これにより、半導体単結晶6の外周から等距離の位
置に停止していた把持アーム32は同時に内側に移動
し、半導体単結晶6は静止状態を保ったまま把持部材3
5によって両側から挟持される。 (8)作業者は、把持アーム32によって半導体単結晶
6が把持されたことを確認した後、シード部6aを切断
する。そして、再度搬出装置制御盤31のスイッチを操
作すると、エアシリンダ33が引き込み側に作動し、把
持アーム32は半導体単結晶6を把持したままプルチャ
ンバの外に後退する。作業者は位置決めピン27を抜き
取り、上下動ベース25の下部を90°回転させ、把持
アーム32を単結晶製造装置の列と平行な向きに移動さ
せる。そして、位置決めピン27を挿入して搬出装置3
0の向きを固定する。 (9)作業者が搬送装置制御盤17のスイッチを操作す
ると、上下動ベース25が上限位置まで上昇した後、ガ
イドフレーム21がY軸レール12上を所定の位置まで
走行する。これにより、半導体単結晶6は単結晶製造装
置の列から所定の距離だけ遠ざかる。次にY軸レール1
2がX軸レール11上を所定の位置まで走行し、上下動
ベース25が下降した後、半導体単結晶6を把持アーム
32から取り外す。
いて、図1〜図3を参照して説明する。 (1)単結晶製造装置1〜5のうちの1つで半導体単結
晶の育成が完了し、この単結晶がプルチャンバ内に引き
上げられ、ゲートバルブが閉じられていることを確認し
た後、作業者はプルチャンバの正面扉を開き、搬送装置
制御盤17のスイッチを操作して該当する単結晶製造装
置の番号を入力する。 (2)搬送装置制御盤17の指令信号により、搬送装置
10のY軸レール12及びY軸レール11上を走行する
ガイドフレーム21が指令された位置、すなわちガイド
フレーム21が当該単結晶製造装置前方の所定位置に到
達するまで走行する。Y軸レール12及びガイドフレー
ム21は、ロータリエンコーダの検出信号に基づいて前
記所定の位置で停止する。上下動ベース25はガイドフ
レーム21内に収容されたままである。 (3)次いで、搬送装置制御盤17の指令信号によりサ
ーボモータ22が駆動し、ガイドフレーム21から上下
動ベース25が下降する。下降後の停止位置は、搬出装
置30の把持アーム32が半導体単結晶6を搬出するに
最適の高さとなる。このとき、把持アーム32は単結晶
製造装置に対して90°回転した方向を指している。 (4)作業者は位置決めピン27を抜き取り、上下動ベ
ース25の下部を90°回転させ、把持アーム32を単
結晶製造装置に対向させる。そして、位置決めピン27
を挿入して搬出装置30の向きを固定する。また、上下
動ベース25の下端にエアホースを接続する。 (5)作業者が搬出装置制御盤31のスイッチを操作す
ると、エアシリンダ33が押し出し方向に作動し、把持
アーム32はガイド34に沿って前進してプルチャンバ
内に入る。そして、左右の把持アーム32の把持部材3
5が半導体単結晶6を挟む位置まで前進した後、エアシ
リンダ33の作動が停止する。 (6)エアシリンダ38のヘッド側にエアが供給され、
把持アーム32,32は把持方向すなわち内側に移動す
る。半導体単結晶6の外周に左右いずれかの把持アーム
のレーザビームが掛かると、把持アーム32に取り付け
られた受光部37の出力信号が搬出装置制御盤31に入
力され、把持アーム32を駆動するエアシリンダ38が
停止する。他側の把持アームは、レーザビームが半導体
単結晶6の外周に掛かるまで動く。この動作が繰り返さ
れると、左右両側の把持部材35の端面は半導体単結晶
6の外周から等距離に位置し、その距離は約5mmであ
る。 (7)すべての把持アーム32が停止してから1〜2秒
経過すると搬出装置制御盤31のタイマが作動し、左右
のエアシリンダ38のヘッド側にエアが再度供給され
る。これにより、半導体単結晶6の外周から等距離の位
置に停止していた把持アーム32は同時に内側に移動
し、半導体単結晶6は静止状態を保ったまま把持部材3
5によって両側から挟持される。 (8)作業者は、把持アーム32によって半導体単結晶
6が把持されたことを確認した後、シード部6aを切断
する。そして、再度搬出装置制御盤31のスイッチを操
作すると、エアシリンダ33が引き込み側に作動し、把
持アーム32は半導体単結晶6を把持したままプルチャ
ンバの外に後退する。作業者は位置決めピン27を抜き
取り、上下動ベース25の下部を90°回転させ、把持
アーム32を単結晶製造装置の列と平行な向きに移動さ
せる。そして、位置決めピン27を挿入して搬出装置3
0の向きを固定する。 (9)作業者が搬送装置制御盤17のスイッチを操作す
ると、上下動ベース25が上限位置まで上昇した後、ガ
イドフレーム21がY軸レール12上を所定の位置まで
走行する。これにより、半導体単結晶6は単結晶製造装
置の列から所定の距離だけ遠ざかる。次にY軸レール1
2がX軸レール11上を所定の位置まで走行し、上下動
ベース25が下降した後、半導体単結晶6を把持アーム
32から取り外す。
【0016】把持アーム32を垂直面内で90°回転さ
せ、半導体単結晶6を水平姿勢にした後、把持アーム3
2から取り外す場合は、搬出装置30に公知の技術によ
る回転機構を設けておけばよい。また、炉内品の搬入・
搬出・搬送に対しては、炉内品の把持に適した把持装置
を備えた専用の昇降装置をY軸レール12に装着してお
き、半導体単結晶6の場合と同様の操作を行うものとす
る。
せ、半導体単結晶6を水平姿勢にした後、把持アーム3
2から取り外す場合は、搬出装置30に公知の技術によ
る回転機構を設けておけばよい。また、炉内品の搬入・
搬出・搬送に対しては、炉内品の把持に適した把持装置
を備えた専用の昇降装置をY軸レール12に装着してお
き、半導体単結晶6の場合と同様の操作を行うものとす
る。
【0017】上記実施例によれば、プルチャンバから搬
出した半導体単結晶は、上下動ベース25の上昇により
単結晶製造装置の上方に移動し、更にY軸レール12上
を走行して並設されている他の単結晶製造装置から遠ざ
かる方向に移動した後、X軸レール11上を走行して所
定の位置に搬送される。従って、稼動中の他の単結晶製
造装置の磁場が攪乱されることはなく、育成中の半導体
単結晶は何ら悪影響を受けない。
出した半導体単結晶は、上下動ベース25の上昇により
単結晶製造装置の上方に移動し、更にY軸レール12上
を走行して並設されている他の単結晶製造装置から遠ざ
かる方向に移動した後、X軸レール11上を走行して所
定の位置に搬送される。従って、稼動中の他の単結晶製
造装置の磁場が攪乱されることはなく、育成中の半導体
単結晶は何ら悪影響を受けない。
【0018】本実施例ではX軸レール11上にY軸レー
ル12を架設したので、このY軸レール12上に半導体
単結晶を搬出・搬送する装置のみならず、炉内品の搬入
・搬出・搬送を行う専用の装置を設置することは容易で
ある。また、工場内面積に余裕がある場合は、稼動中の
単結晶製造装置の磁場を攪乱させない程度の距離を保っ
て床面を搬送するように構成してもよい。
ル12を架設したので、このY軸レール12上に半導体
単結晶を搬出・搬送する装置のみならず、炉内品の搬入
・搬出・搬送を行う専用の装置を設置することは容易で
ある。また、工場内面積に余裕がある場合は、稼動中の
単結晶製造装置の磁場を攪乱させない程度の距離を保っ
て床面を搬送するように構成してもよい。
【0019】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、並
設された複数の磁場印加機構付き単結晶製造装置の1つ
から半導体単結晶を取り出して所定の場所に搬送するに
当たり、稼動中の他の単結晶製造装置の磁場の影響を受
けて半導体単結晶搬出・搬送装置が誤動作することがな
く、半導体単結晶の落下をはじめとする不測の事故は確
実に防止される。また、半導体単結晶の搬送時に他の単
結晶製造装置の磁場を攪乱することがないので、育成中
の半導体単結晶に悪影響を及ぼさない。従って、MCZ
法による半導体単結晶の生産性を高めることができる。
設された複数の磁場印加機構付き単結晶製造装置の1つ
から半導体単結晶を取り出して所定の場所に搬送するに
当たり、稼動中の他の単結晶製造装置の磁場の影響を受
けて半導体単結晶搬出・搬送装置が誤動作することがな
く、半導体単結晶の落下をはじめとする不測の事故は確
実に防止される。また、半導体単結晶の搬送時に他の単
結晶製造装置の磁場を攪乱することがないので、育成中
の半導体単結晶に悪影響を及ぼさない。従って、MCZ
法による半導体単結晶の生産性を高めることができる。
【図1】半導体単結晶搬出・搬送装置のX軸レール、Y
軸レールの説明図である。
軸レールの説明図である。
【図2】半導体単結晶搬出・搬送装置の概略構成を示す
縦断面図である。
縦断面図である。
【図3】搬出装置における1対の把持アームの平面図で
ある。
ある。
1〜5 単結晶製造装置 6 半導体単結晶 10 搬送装置 11 X軸レール 12 Y軸レール 17 搬送装置制御盤 20 昇降装置 21 ガイドフレーム 25 上下動ベース 30 搬出装置 31 搬出装置制御盤 32 把持アーム
Claims (1)
- 【請求項1】 並設した複数の磁場印加機構付き単結晶
製造装置で育成した半導体単結晶または半導体単結晶の
育成に使用した炉内品を前記単結晶製造装置から搬出し
て所定の場所に搬送する装置であって、 前記半導体単結晶(6) または炉内品を磁場印加機構付き
単結晶製造装置(1〜5)から搬出する搬出装置(30)と、前
記搬出装置(30)を昇降させる昇降装置(20)と、並設した
複数の磁場印加機構付き単結晶製造装置(1〜5)から遠ざ
かるように敷設した搬送レール(11,12) を含む搬送装置
(10)とを構成する各部品に非磁性体材料を用いるか、ま
たは前記各部品を磁気遮蔽材料で被包したことを特徴と
する半導体単結晶搬出・搬送装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33483897A JPH11157984A (ja) | 1997-11-20 | 1997-11-20 | 半導体単結晶搬出・搬送装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33483897A JPH11157984A (ja) | 1997-11-20 | 1997-11-20 | 半導体単結晶搬出・搬送装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11157984A true JPH11157984A (ja) | 1999-06-15 |
Family
ID=18281792
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33483897A Withdrawn JPH11157984A (ja) | 1997-11-20 | 1997-11-20 | 半導体単結晶搬出・搬送装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11157984A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010132508A (ja) * | 2008-12-05 | 2010-06-17 | Daifuku Co Ltd | 単結晶棒育成設備 |
CN108675150A (zh) * | 2018-07-17 | 2018-10-19 | 无锡市豪利金属制品有限公司 | 联排式槽罐加工吊机 |
-
1997
- 1997-11-20 JP JP33483897A patent/JPH11157984A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010132508A (ja) * | 2008-12-05 | 2010-06-17 | Daifuku Co Ltd | 単結晶棒育成設備 |
CN108675150A (zh) * | 2018-07-17 | 2018-10-19 | 无锡市豪利金属制品有限公司 | 联排式槽罐加工吊机 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050201 |