JPH11156132A - 処理装置および処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 解像不良を生じさせる不純物を除去するため
のフィルタの交換タイミングを迅速に把握することがで
き、歩留り低下の問題を解消することができ、しかも信
頼性の高い処理装置および処理方法を提供すること。 【解決手段】 処理装置は、筐体25と、筐体25内に設け
られ、被処理体Wに対して処理液塗布および露光後の現
像を含む一連の処理を行なう複数の処理ユニット13 〜2
0と、各処理ユニットに対して被処理体を搬入出する搬
送機構5と、筐体25内部に取り入れられる空気中におけ
る、解像度を低下させる不純物を除去するフィルタ28a,
28bを有する空気清浄機構27と、フィルタ28a,28bの外側
の不純物の濃度を検出する濃度検出機構40と、濃度検出
機構40の検出結果に基づいて、フィルタ28a,28bの交換
寿命を予測する寿命予測手段50とを具備する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウェ
ハ等の被処理体に対して処理液塗布および露光後の現像
を含む一連の処理を行なう処理装置および処理方法に関
する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの製造においては、被処
理基板である半導体ウエハに、所定の膜を成膜した後、
フォトレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、回路
パターンに対応してレジスト膜を露光し、これを現像処
理するという、いわゆるフォトリソグラフィー技術によ
り回路パターンが形成される。

【０００３】従来より、これらの塗布・現像処理のため
の一連の処理は、各処理ユニットを一体化した塗布・現
像処理システムにより行われている。このシステムは、
洗浄処理、塗布処理、露光後の現像処理等の各処理を行
うための処理ユニットと、複数のカセットが載置された
カセットステーションとを有している。また、このシス
テムには、露光装置が取り付けられるインターフェース
を有している。

【０００４】このようなシステムにおいては、搬送機構
によりカセットから取り出された半導体ウェハが処理部
に搬送され、処理部において主搬送機構により各処理ユ
ニットに対する半導体ウエハの搬入出が行われる。

【０００５】このような塗布・現像処理は、半導体デバ
イスの高集積化のために極めて重要なプロセスであり、
例えば６４ＭＤＲＡＭから２５６ＤＲＡＭの高集積化さ
れた成品については、従来のレジストでは不十分であ
り、より微細なパターン形成が可能な化学増幅型レジス
トが必要となる。

【０００６】しかしながら、化学増幅型レジストは環境
依存性が高く、雰囲気中に、例えばアンモニアやＮＭＰ
（Ｎ−メチルピルドン）等の有機アミンのようなアルカ
リ成分が存在すると解像度不良を起こすおそれがある。
つまり、露光された半導体ウエハの表面に現像液を供給
して現像処理を施す工程において、回路パターンの正確
な線幅が得られず、高集積化に対応することができない
という問題がある。

【０００７】これら解像度不良を生じるアルカリ成分
は、未処理の半導体ウエハ表面に付着した微粒子等を除
去する洗浄液にアンモニアが使用され、レジスト液を半
導体ウエハ表面に塗布する前工程として半導体ウエハ表
面に疎水化処理を行う際の溶剤にアミン系溶剤が使用さ
れ、さらに露光処理時の異常露光の発生を防止するため
に半導体ウエハに塗布される反射防止膜にアミン系溶剤
が使用されることにより雰囲気中に存在する。そして、
これらアルカリ成分が露光工程後の加熱工程や現像工程
などの雰囲気に流入することにより、正確な線幅が得ら
れなくなるものと考えられる。したがって、ＩＣ素子の
歩留まりの低下を招く。

【０００８】このような悪影響を防止するため、塗布・
現像システムにおいては、各処理ユニットを筐体内に配
置して、筐体内を強制的に排気するとともに、筐体の上
部の各処理ユニットへの空気取り入れ口に例えばケミカ
ルフィルターを配置して、システム内に供給される空気
中のアルカリ成分等の解像度を低下させる不純物を極力
除去している。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところが、ケミカルフ
ィルタの能力は有限であり、このフィルタが劣化すると
解像度を低下させる不純物を有効に除去することができ
なくなる。その結果、各処理ユニット内の解像度を低下
させる不純物の濃度が許容値を超えてしまい、ＩＣ素子
の歩留まりの低下を招く。このため、ケミカルフィルタ
を適当な時期に交換する必要があり、そのために、筐体
内の各処理ユニット内の雰囲気をサンプリングして、解
像度を低下させる不純物の濃度を測定する方法が採用さ
れている。しかし、この方法では濃度検出に多くの時間
を要し、上記のような半導体ウエハを連続的に処理する
システムにおいては、劣化したケミカルフィルターを設
置したままシステムを長時間稼働することになり、やは
り歩留まりの低下および装置の信頼性の低下の問題が残
存する。

【００１０】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであって、解像不良を生じさせる不純物を除去するた
めのフィルタの交換タイミングを迅速に把握することが
でき、歩留り低下の問題を解消することができ、しかも
信頼性の高い処理装置および処理方法を提供することを
目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の第１の観点によれば、筐体と、筐体内に設
けられ、被処理体に対して処理液塗布および露光後の現
像を含む一連の処理を行なう複数の処理ユニットと、各
処理ユニットに対して被処理体を搬入出する搬送機構
と、前記筐体内部に取り入れられる空気中における、解
像度を低下させる不純物を除去するフィルタを有する空
気清浄機構と、前記フィルタの外側の前記不純物の濃度
を検出する濃度検出手段と、前記濃度検出手段の検出結
果に基づいて、前記フィルタの交換寿命を予測する寿命
予測手段とを具備することを特徴とする処理装置が提供
される。

【００１２】本発明の第２の観点によれば、筐体と、筐
体内に設けられ、被処理体に対して処理液塗布および露
光後の現像を含む一連の処理を行なう複数の処理ユニッ
トと、各処理ユニットに対して被処理体を搬入出する搬
送機構と、前記筐体内部に取り入れられる空気中におけ
る、解像度を低下させる不純物を除去するフィルタを有
する空気清浄機構と、前記フィルタの外側の前記不純物
の濃度を検出する第１の濃度検出手段と、装置内におけ
る前記フィルタ内側の所定部分の前記不純物の濃度を検
出する１または２以上の第２の濃度検出手段と、前記第
１の濃度検出手段の検出結果に基いて、前記フィルタの
交換寿命を予測する寿命予測手段と、前記第２の濃度検
出手段の検出信号をモニタするモニタ手段とを具備する
ことを特徴とする処理装置が提供される。

【００１３】第本発明の第３の観点によれば、筐体と、
筐体内に設けられ、被処理体に対して処理液塗布および
露光後の現像を含む一連の処理を行なう複数の処理ユニ
ットと、各処理ユニットに対して被処理体を搬入出する
搬送機構と、前記筐体内部に取り入れられる空気中にお
ける、解像度を低下させる不純物を除去するフィルタを
有する空気清浄機構と、前記フィルタの外側の前記不純
物の濃度を検出する第１の濃度検出手段と、装置内にお
ける前記フィルタ内側の所定部分において前記不純物の
濃度を検出する１または２以上の第２の濃度検出手段
と、前記第１の濃度検出手段の検出結果に基いて、前記
フィルタの交換寿命を予測する寿命予測手段と、前記第
２の濃度検出手段の検出信号と予め設定されたしきい値
とを比較演算する演算手段と、警告を発する警告手段
と、前記演算手段が、前記検出信号が前記しきい値を超
えたことを検出した際に、前記警告手段に対し、警告を
発する信号を出力する第１の制御手段とを具備すること
を特徴とする処理装置が提供される。

【００１４】本発明の第４の観点によれば、筐体と、そ
の筐体内に設けられた複数の処理ユニットと、各処理ユ
ニットに対して被処理体を搬入出する搬送機構と、前記
筐体内部に取り入れられる空気中における、解像度を低
下させる不純物を除去するフィルタを有する空気清浄機
構とを有する処理装置により、被処理体に対して処理液
塗布および露光後の現像を含む一連の処理を行なう処理
方法であって、前記フィルタの外側の前記不純物の濃度
を検出する工程と、その検出結果に基づいて、前記フィ
ルタの交換寿命を予測する工程とを具備することを特徴
とする処理方法が提供される。

【００１５】本発明の第５の観点によれば、筐体と、そ
の筐体内に設けられた複数の処理ユニットと、各処理ユ
ニットに対して被処理体を搬入出する搬送機構と、前記
筐体内部に取り入れられる空気中における、解像度を低
下させる不純物を除去するフィルタを有する空気清浄機
構とを有する処理装置により、被処理体に対して処理液
塗布および露光後の現像を含む一連の処理を行なう処理
方法であって、前記フィルタの外側の前記不純物の濃度
を検出する工程と、装置内における前記フィルタの内側
の１または２以上の部分で前記不純物の濃度を検出する
工程と、前記フィルタの外側の前記不純物の濃度の検出
結果に基いて、前記フィルタの交換寿命を予測する工程
と、前記フィルタの内側の１または２以上の部分の前記
不純物の濃度をモニタする工程とを具備することを特徴
とする処理方法が提供される。

【００１６】本発明の第６の観点によれば、筐体と、そ
の筐体内に設けられた複数の処理ユニットと、各処理ユ
ニットに対して被処理体を搬入出する搬送機構と、前記
筐体内部に取り入れられる空気中における、解像度を低
下させる不純物を除去するフィルタを有する空気清浄機
構とを有する処理装置により、被処理体に対して処理液
塗布および露光後の現像を含む一連の処理を行なう処理
方法であって、前記フィルタの外側の前記不純物の濃度
を検出する工程と、装置内における前記フィルタの内側
の１または２以上の部分で前記不純物の濃度を検出する
工程と、前記フィルタの外側の前記不純物の濃度の検出
結果に基いて、前記フィルタの交換寿命を予測する工程
と、前記フィルタの内側の１または２以上の箇所での前
記不純物の濃度と予め設定されたしきい値とを比較演算
する工程と、前記フィルタの内側の１または２以上の部
分で検出された前記不純物の濃度がしきい値を超えた場
合に、警告を発する工程とを具備することを特徴とする
処理方法が提供される。

【００１７】上記本発明の第１の観点および第４の観点
によれば、フィルタの外側における解像度低下不純物を
検出し、その結果に基づいてフィルタの交換寿命を予測
するので、予めフィルタの交換タイミングを把握するこ
とができる。したがって、歩留まりの低下をもたらすこ
とがなく、信頼性の高い処理を実現することができる。

【００１８】また、上記本発明の第２の観点および第５
の観点によれば、フィルタの外側における解像度低下不
純物の濃度を検出し、その結果に基づいてフィルタの交
換寿命を予測するとともに、装置内におけるフィルター
内側の所定部分における解像度低下不純物の濃度を検出
し、それをモニタするようにしたので、予めフィルタの
交換タイミングを把握することができるとともに、実際
の筐体内の不純物濃度を把握することができる。

【００１９】さらに、上記本発明の第３の観点および第
６の観点によれば、フィルタの外側における解像度低下
不純物の濃度を検出し、その結果に基づいてフィルタの
交換寿命を予測するとともに、装置内におけるフィルタ
内側の所定部分における解像度低下不純物の濃度を検出
し、その検出信号と予め設定されたしきい値とを比較演
算して検出信号がしきい値を超えた際に警告を発するよ
うにしたので、予めフィルタの交換タイミングを把握す
ることができるとともに、たとえ、予測された寿命の前
にフィルタが劣化して筐体内の解像度低下不純物濃度が
解像度不良をもたらすレベルになっても、確実にそれを
把握することができ、信頼性をより高めることができ
る。

【００２０】上記構成において、検出された解像度低下
不純物濃度を稼働時間に対し積算し、その積算値からフ
ィルタの寿命を予測するよことにより、フィルタの劣化
度合いを確実に把握することができ、高精度でフィルタ
の交換寿命を予測することができる。

【００２１】また、装置内におけるフィルタ内側の所定
部分の解像度低下不純物の検出における濃度検出信号が
しきい値を超えたことを検出した際に、被処理体の処理
を停止するようにすることにより、歩留まりの低下をよ
り確実に防止することができる。

【００２２】さらに、装置内におけるフィルター内側の
所定部分に対応する前記第２の濃度検出手段からの検出
信号が前記しきい値を超えたことを検出した際に、その
ユニットへの被処理体の搬入を禁止するように前記搬送
機構を制御することにより、歩留まりの低下をより確実
に防止することができるとともに、処理を停止させない
ので、スループットの低下を極力防止することができ
る。

【００２３】さらにまた、装置内におけるフィルタ内側
の所定部分において前記不純物の濃度が前記しきい値を
超えた場合に、検出動作を所定回繰り返した後、不純物
濃度が依然として前記値を超えていた場合に警告を発
し、一方、検出動作を繰り返している間に検出された不
純物濃度が前記しきい値以下になった時点で検出動作の
繰り返しを停止するように制御することにより、１回の
濃度検出結果が配管に付着した不純物等による異常値で
あった場合でも、何回か検出動作を繰り返すことによ
り、より高精度で不純物濃度を測定することができる。

【００２４】フィルタの外側において検出された不純物
濃度が予め設定された値を超えた場合にも、検出動作を
所定回数繰り返し、その後不純物濃度が依然として前記
値を超えていた場合に警告を発し、一方、検出動作を繰
り返している間に検出された不純物濃度が予め設定され
た値以下になった時点で検出動作の繰り返しを停止する
ように制御することにより、より高精度で不純物濃度を
測定することができる。

【００２５】さらにまた、いずれかの処理ユニットの扉
が開かれた際に、警告を発するようにすることにより、
装置のメンテナンス等により扉が開かれた際に、処理動
作を停止する等の必要な操作を確実に行うことができ
る。また、この場合に、扉が開いた処理ユニットへの搬
送機構のアクセスを禁止し、かつその処理ユニットの不
純物濃度の検出を停止するように制御することにより、
搬送機構が基板を搬送している際にオペレータに接触す
る等のトラブルを招くことなく、また、不要な濃度検出
を省略することにより、時間がかかる不純物濃度検出を
効率良く行うことができる。

【００２６】さらにまた、解像度低下不純物を除去する
フィルターを複数の層に積層された構造としたので、こ
のような不純物をより確実に除去することができる。ま
た、フィルタの外側の不純物濃度と、フィルタの層間の
不純物濃度とを検出することにより、各層の寿命予測を
行うことができ、複数の層のうち寿命となった層のみを
交換することができるので、装置内の清浄度を保ったま
まフィルターの交換を行うことができる。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明の実施の形態について詳細に説明する。

【００２８】図１は本発明が適用される半導体ウエハの
塗布・現像処理システムを示す平面図であり、図２は図
１のシステムのＡ−Ａ’矢視による断面図である。

【００２９】この塗布・現像システムは、複数の半導体
ウエハＷを収容する、カセットＣを載置するカセットス
テーション１と、半導体ウエハＷにレジスト塗布および
現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニット
を備えた処理部２と、カセットＣと処理部２との間で半
導体ウエハＷの搬送を行うための搬送機構３と、処理部
２を挟んでカセットステーション１と反対側に設けら
れ、露光装置２０が連設可能なインターフェイス部４と
を備えている。

【００３０】搬送機構３は、搬送路１２上をカセットの
配列方向に沿って移動可能な搬送機構１１を有し、この
搬送機構１１の搬送アーム１１ａによって、カセットス
テーション１と処理部２との間で半導体ウェハの搬入出
が行われる。

【００３１】処理部２は、そのほぼ中央部に通路７が形
成されており、この通路７の両側に配設された複数の処
理ユニットを有している。また、この処理部２には、通
路７に沿って移動可能な主搬送機構５が設けられてお
り、この主搬送機構５は、回転移動、上下移動、および
進出退避移動可能なウエハ支持アーム６を備えている。
そして、この主搬送機構５のアーム６によって、各処理
ユニットに対しての半導体ウエハＷの移送が行われる。

【００３２】通路７の一方側にはベークユニット１３、
ブラシ洗浄ユニット１４、アドヒージョン処理ユニット
１５、その下に設けられた冷却ユニット１６、およびベ
ークユニット１７が設けられており、他方側には２つの
レジスト塗布ユニット１８、水洗ユニット１９、２つの
現像処理ユニット２０がそれぞれ配置されている。この
ように、搬送路７を挟んで一方の側にレジスト塗布ユニ
ット１８および現像処理ユニット２０が設けられ、他方
側にベークユニット１３、１７が設けられているので、
レジスト塗布ユニット１８および現像処理ユニット２０
が熱的を受けることが防止される。

【００３３】インターフェース部４には半導体ウエハＷ
の受け渡しのための載置台４ａが設けられており、この
載置台４ａを介して露光装置２０との間で半導体ウエハ
Ｗの受け渡しが行われる。そして、この露光装置２０に
よって、フォトマスクなどを使用してレジスト塗布され
た半導体ウエハＷ上に所定の回路パターンが形成され
る。

【００３４】このように各処理ユニットを集約して一体
化することにより、省スペース化および処理の効率化を
図ることができる。これら処理ユニットを有する処理部
２は、その全体が筐体２５（図２参照）内に配置されて
おり、システム全体はクリーンルーム内に配置される。

【００３５】このような塗布・現像処理システムにおい
ては、カセットＣ内の半導体ウエハＷが、処理部２に搬
送され、まず、ブラシ洗浄ユニット１４および水洗ユニ
ット１７により洗浄処理され、レジストの定着性を高め
るためにアドヒージョン処理ユニット１５にて疎水化処
理され、冷却ユニット１６で冷却後、レジスト塗布ユニ
ット１８の一方で化学増幅型レジストが塗布される。そ
の後、半導体ウエハＷは、ベークユニット１３の一つで
プリベーク処理され、冷却ユニット１６で冷却された
後、インターフェース部４を介して露光装置２１に搬送
されてそこで所定のパターンが露光される。そして、再
びインターフェース部４を介して処理部２に搬入され、
ベークユニット１７でポストエクスポージャーベーク処
理が施され、レジストが化学増幅される。その後、冷却
ユニット１６で冷却された半導体ウエハＷは、現像処理
ユニット２９で現像処理されて所定の回路パターンが形
成され、リンス液により残余の現像液が洗い流される。
現像処理された半導体ウエハＷは、主搬送機構５および
搬送機構３によってカセットステーション１上の所定の
カセットＣに収容される。なお、半導体ウエハＷの表面
に反射防止膜を形成する場合には、他方のレジスト塗布
ユニット１８において反射防止膜用レジストを塗布し、
ベーキングした後、化学増感型レジストが塗布される。

【００３６】次に、本実施形態における塗布・現像シス
テムにおける空気清浄機構、および解像度を低下させる
不純物の濃度を検出する不純物濃度検出機構について説
明する。図２に示すように、処理部２の上部に、その中
へ清浄化された空気を供給するための空気清浄機構２７
が設けられている。この空気清浄機構２７は、筐体２５
の最上部に設けられたダクト３８から処理部２に空気を
導くための通路３９に設けられており、上から順に、ケ
ミカルフィルター２８、送風ファン３０、およびＵＬＰ
Ａフィルタ２９を有している。このような空気清浄機構
２７により清浄化された空気が処理部２内にダウンフロ
ー状態で供給されるが、この中でケミカルフィルター２
８は、化学増感型レジストの解像度を低下させるアンモ
ニアやＮＭＰ（Ｎ−メチルピロリドン）等の有機アミン
のようなアルカリ成分を除去し、解像度不良を防止する
機能を有している。このケミカルフィルター２８は、各
ユニット毎に配置されている。なお、ＵＬＰＡフィルタ
２９は、空気清浄機構２７の下方のレジスト塗布ユニッ
ト１８の入口部分にも設けられているが、これは省略し
ても構わない。

【００３７】また、処理部２の通路７の底部には、排気
通路３１が設けられており、この排気通路３１内に排気
ファン３２が設けられていて、上方から取り入れられた
空気が、強制的に下方へ排出されるようになっている。
したがって、処理部２内で解像度を低下させる不純物が
発生しても半導体ウエハＷに影響を及ぼすことなく装置
の下方へ排出される。

【００３８】レジスト塗布ユニット１８を例にとって説
明すると、図２に示すように、レジストの飛散を防止す
るためのカップ２２内のスピンチャック２３上に半導体
ウエハＷを真空吸着させ、その上方から空気清浄機構２
７で清浄化された空気をカップ内に取り入れつつ、パル
スモータ２４によりスピンチャック２３および半導体ウ
エハＷを回転させながら、ノズル（図示せず）からレジ
スト液を供給することにより、レジスト膜の塗布作業が
行われる。

【００３９】このような空気清浄機構２７はインターフ
ェース部４にも設けられており、インターフェース部４
にも清浄化された空気が供給される。

【００４０】図１および図２に示すように、レジスト塗
布ユニット１８、現像処理ユニット２０およびインター
フェース４の内部における空気清浄機構２７直下位置に
は、空気取り入れ口３５が設けられており、またケミカ
ルフィルター２８の外側の部分に１箇所、空気取り入れ
口３６が設けられている。これら空気取り入れ口３５、
３６は、採取管３７を介して濃度検出機構４０に接続さ
れており、この濃度検出機構４０により、採取された空
気の解像度を低下させる不純物、例えばアンモニアの濃
度を検出する。

【００４１】この濃度検出機構４０は純水４２を収容す
るタンク４１と、濃度分析部４４とを有している。ま
た、タンク４１の純水４２中には、吸気ファン（図示せ
ず）を備えた送出管４３が挿入されている。そして、空
気取り入れ口３５または３６から採取された空気は、採
取管３７を介してタンク内に至り、その中の純水中に溶
解され、アンモニアが溶解された純水が送出管４３を介
して濃度分析部４４に至る。そして、この濃度分析部４
４においてアンモニア等の分析がなされる。

【００４２】濃度分析部４４の分析結果はＣＰＵ５０に
出力されて、そこで所定の処理がなされ、表示装置５１
に所定の表示がなされるとともに、該当する場合には、
アラーム装置５２により警告表示がなされるか、または
警報が発せられるか、またはその両方がなされる。ま
た、ＣＰＵ５０は、主搬送機構５のモーターおよびスピ
ンチャック２３のモーター２４等にも接続されており、
これらを制御可能となっている。なお、現像処理ユニッ
ト２０のスピンチャックのモーターも同様に制御するこ
とが可能である。

【００４３】ケミカルフィルタ２８の外側にある空気取
り入れ口３６から採取された空気は、ケミカルフィルタ
ーで解像度低下不純物が除去される前の空気、すなわち
この塗布・現像システムが配置されているクリーンルー
ム内の空気であり、濃度検出機構４０でこの空気中の解
像度低下不純物、例えばアンモニアの濃度を検出するこ
とにより、ケミカルフィルターにどの程度の不純物がト
ラップされるかを把握することができる。ケミカルフィ
ルターの能力は、トータルの不純物のトラップ量で把握
することができるから、このように、ケミカルフィルタ
ーを通過する前の空気の不純物濃度を継続的に検出する
ことにより、ケミカルフィルターの寿命を予測すること
ができる。

【００４４】この場合に、ＣＰＵ５０はその濃度検出結
果をもとにケミカルフィルターの寿命を予測する寿命予
測手段として機能する。すなわち、ケミカルフィルター
２８の外側部分の不純物濃度検出結果がＣＰＵ５０に入
力され、それに基づいて、ケミカルフィルターの平均余
命を算出する。

【００４５】具体的には、空気取り入れ口３６から採取
された空気の不純物濃度を継続的に測定し、ＣＰＵ５０
により、以下の（１）式により平均濃度Ｃを求める。

【００４６】Ｃ＝Σ（ａ×ｂ）／Σａ ……（１） ただし、ａ：前回分析から今回分析までの日数、ｂ：一
番近い過去の分析値である。

【００４７】そして、以下の（２）式により余命日数Ｒ
を求める。

【００４８】 Ｒ＝｛α×β−Σ（ａ×ｂ）｝／Ｃ ……（２） ただし、α：日数、β：濃度であり、α×βは新品のフ
ィルターの寿命、つまりフィルターの容量を示す。つま
り、例えば濃度βが２ｐｐｂの場合にはαは１年、濃度
βが１ｐｐｂの場合にはαは２年というようにフィルタ
ーの能力を示すものである。

【００４９】つまり、図３に示すように、既に分析した
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の濃度検出結果に基づいて、平
均濃度を計算するとともに、フィルターの容量から既に
消耗した斜線の部分の面積を引いてＸの部分の面積を求
め、それを平均濃度で割って余命Ｒを求めるのである。

【００５０】ＣＰＵ５０により、このような計算を各フ
ィルター毎に行い、各フィルター毎に余命等のデーター
を表示装置５１に表示できるようにされている。具体的
には、図４の（ａ）の現在のステータスを示す画面と、
（ｂ）の設定画面の２つの画面を各フィルター毎に用意
し、フィルター寿命を管理する。このように、フィルタ
ー毎に画面を用意するのは、フィルター毎に搭載日が異
なるため、各フィルター毎に余命が異なるためである。
また、設定画面をステータス画面と分けたのは、α、β
やリセットなどを簡単に押されないようにするためであ
る。

【００５１】このように、ケミカルフィルターの寿命を
予測することができるので、予めフィルタの交換タイミ
ングを把握することができる。したがって、フィルター
の劣化に伴う不良品の発生を未然に防止することができ
るので、歩留まりの低下をもたらすことがなく、信頼性
の高い処理を実現することができる。また、アンモニア
等の解像度低下不純物濃度を稼働時間に対して積算し、
その積算値から、つまり実績値からフィルターの寿命を
予測するようにしたので、フィルターの劣化度合いを正
確に把握することができ、フィルターの交換寿命を高精
度で予測することができる。

【００５２】なお、表示装置５１により、ケミカルフィ
ルター２８ａの外側の空気、すなわちクリーンルーム内
の空気の不純物濃度をモニタして、クリーンルーム内の
解像度低下不純物の濃度の限界値、例えば１０ｐｐｂに
ならないように監視することも可能である。

【００５３】上記実施形態では、ケミカルフィルターを
１層にしたが、図５に示すように、２層のケミカルフィ
ルター２８ａ、２８ｂを設けることにより、解像度低下
不純物をより確実に除去することができる。この場合
に、上側のケミカルフィルター２８ａの外側に空気取り
入れ口３６ａが設けられ、ミカルフィルター２８ａと２
８ｂとの間に空気取り入れ口３６ｂを設けられているの
で、空気取り入れ口３６ａから取り入れられた空気の不
純物濃度を検出することにより、上述の手順でケミカル
フィルター２８ａの寿命予測を行うことができ、また空
気取り入れ口３６ｂから取り入れられた空気の不純物濃
度を検出することにより、同様の手順でケミカルフィル
ター２８ｂの寿命を予測することができる。フィルター
を３段以上に積層した場合にも、各層の間の不純物濃度
を検出することにより、同様に、各層の寿命予測を行う
ことができる。

【００５４】このようにフィルターを多層にし、各層の
寿命予測を行うことにより、装置内の清浄度を高く保っ
たまま、フィルターの交換が可能である。つまり、いず
れかの層のフィルターの交換が必要になったことが検出
された場合に、他の層のフィルターの寿命が残っていれ
ば、交換が必要になったフィルターを外しても、装置内
の清浄度が低下することがない。

【００５５】また、ケミカルフィルターは、その吸着能
力の約７０％の量の不純物を吸着すると、それ以降のフ
ィルタリングの性能が低下するため、ケミカルフィルタ
ーが１段の場合には、その能力の約７０％しか使われず
に廃棄せざるを得ないが、このように多段に配置するこ
とにより、ケミカルフィルターをその能力のほぼ１００
％まで使うことができる。つまり、最も内側のケミカル
フィルターについて、吸着能力の７０％より低い不純物
吸着量になってさえいれば、その外側のケミカルフィル
ターは吸着能力の７０％以上の不純物を吸着していても
よく、したがってケミカルフィルターの吸着能力をほぼ
１００％使うことができる。

【００５６】このような場合の具体的なケミカルフィル
ターの交換手順について、図６（ａ）〜（ｃ）を参照し
ながら説明する。図示するように、３段のケミカルフィ
ルターの搭載ポート６０ａ，６０ｂ，６０ｃを準備して
おき、そのうちの２段を使用するようにする。図６
（ａ）に示すように、ポート６０ａにケミカルフィルタ
ー６１が搭載され、ポート６０ｂにケミカルフィルター
６２が搭載されている。そして、ケミカルフィルター６
２の寿命がなくなり、それを交換する場合には、図６
（ｂ）に示すように、ケミカルフィルター６２を新しい
ケミカルフィルター６３と交換する。次に、図６（ｃ）
に示すように、ケミカルフィルター６１を外側の搭載ポ
ート６０ｃに移動させる。これにより、ケミカルフィル
ター６１が外側に配置されることとなるので、ケミカル
フィルター６１をその吸着能力のほぼ１００％まで使う
ことができる。

【００５７】なお、このようにケミカルフィルターが２
段に積層する場合には、図４の（ａ）の現在のステータ
スを示す画面と、（ｂ）の設定画面の２つの画面を各フ
ィルター毎に用意すると画面数が著しく増加するが、こ
れを回避するために、一つの画面に上下フィルターの余
命を表示して画面の数を半分にすることもできる。

【００５８】以上のようにして、ケミカルフィルターの
交換タイミングを把握することができるが、実際にレジ
スト塗布ユニット１８、現像処理ユニット２０、インタ
ーフェイス部４内の濃度をも検出するようにすれば、予
測された寿命の前にフィルターが劣化した場合にも対応
することができる。

【００５９】このため、本実施の形態では、上述したよ
うに、レジスト塗布ユニット１８、現像処理ユニット２
０およびインターフェース４の内部における空気清浄機
構２７直下位置に空気取り入れ口３５を設け、そこから
採取した空気の解像度低下不純物濃度、例えばアンモニ
ア濃度を濃度検出機構４０で検出する。

【００６０】濃度検出機構４０で検出された検出信号は
ＣＰＵ５０に入力され、モニタ装置として機能する表示
装置５１に検出された濃度が表示される。これにより、
レジスト塗布ユニット１８、現像処理ユニット２０、イ
ンターフェイス部４の実際の不純物濃度を常に把握する
ことができる。

【００６１】また、入力された検出信号は、ＣＰＵ５０
に予め設定されたしきい値と比較演算される。すなわ
ち、このような不純物の解像不良に影響を及ぼさない限
界値が例えば１ｐｐｂである場合、ＣＰＵ５０にこの値
をしきい値として設定しておき、この値と検出値とが比
較演算され、その不純物濃度が１ｐｐｂを超えると、Ｃ
ＰＵ５０からアラーム装置５２に指令が出され、アラー
ム装置５２から警告が発せられる。この警告としては、
警告表示、警報、またはこれらの両方がなされる。な
お、このような警告は、表示装置５１に表示されるよう
にしてもよい。なお、上記フィルタ２８もしくは２８ａ
の外側、またはフィルタ２８ａとフィルタ２８ｂとの間
から取り入れた空気の不純物濃度が所定値よりも高い場
合に、アラーム装置５２を作動させるようにすることも
できる。

【００６２】このように、解像度を低下させる不純物の
影響を受けるレジスト塗布ユニット１８、現像処理ユニ
ット２０、およびインターフェイス部４における不純物
濃度を検出して、その不純物濃度が許容限界、例えば１
ｐｐｂを超えたことが警告されれば、たとえ上述のよう
な寿命予測によって把握できない突発的なケミカルフィ
ルターの劣化があった場合等でも、確実にフィルターを
交換することができる。この場合に、ＣＰＵ５０に設定
するしきい値をこのような許容限界値ではなく、それよ
りも低い値、例えば０．７ｐｐｂに設定すれば、より余
裕をもってフィルターの交換を実施することができる。

【００６３】このようにして、レジスト塗布ユニット１
８、現像処理ユニット２０、およびインターフェイス部
４のいずれかの部分が、しきい値を超えた場合に、ＣＰ
Ｕ５０は、各駆動部に停止指令を発し、処理を停止させ
る。このように処理を停止することにより、歩留まりの
低下をより確実に防止することができる。

【００６４】この処理停止の態様としては、濃度検出値
がしきい値、例えば１ｐｐｂを超えた時点で、全ての処
理動作を停止する、または処理部２等に残存している未
処理のウエハを処理してから処理動作を停止する等があ
る。前者は解像不良によるウエハの歩留まり低下をより
確実に防止することができるが、処理部２に投入された
未処理ウエハが無駄になる。これに対して、後者は解像
度不良による影響は残存するが、ウエハＷの無駄をなく
すことができる。このため、状況に応じていずれかを使
用するようにする。

【００６５】また、レジスト塗布ユニット１８、現像処
理ユニット２０、およびインターフェイス部４のいずれ
かの部分の濃度検出値がしきい値を超えたことを把握し
た場合に、ＣＰＵ５０が、その部分への半導体ウエハＷ
の搬入を禁止するように主送機構５を制御するようにし
てもよい。

【００６６】この場合には、濃度検出値がしきい値を超
えた部分への半導体ウエハＷが禁止されるが、他の部分
での処理を行うことができるので、歩留まりの低下をよ
り確実に防止することができるとともに、スループット
の低下を極力防止することができる。

【００６７】また、ＣＰＵ５０は、レジスト塗布ユニッ
ト１８、現像処理ユニット２０、インターフェイス部４
において検出された不純物濃度の差が所定値以上になる
ような異常事態が生じた際に、自動的に再度検出する指
令を発する機能を有している。これにより、検出の確認
を行うとともに、トラブルの原因を究明することができ
る。

【００６８】さらに、ＣＰＵ５０は、レジスト塗布ユニ
ット１８、現像処理ユニット２０またはインターフェイ
ス部４において検出された不純物濃度が上記しきい値以
上の場合に、自動的に再度検出する指令を発する機能も
有している。具体的には、図７に示すように、まず検出
を開始して（ＳＴ１）、検出値をしきい値と比較する
（ＳＴ２）。検出値がしきい値以下であれば検出を終了
する（ＳＴ３）。検出値がしきい値を超えている場合に
は、再度検出を行う。検出をｎ回繰り返しても検出値が
しきい値を超えていた場合には、アラーム装置５２へ信
号を出力し、アラームを発生する（ＳＴ４）。その後
は、上述したような、処理を停止したり、しきい値を超
えた部分への半導体ウエハＷの搬入を禁止するといった
適宜の制御を行う。

【００６９】このように、何回か濃度検出を繰り返すこ
とにより、１回の濃度検出結果が配管に付着した不純物
等による異常値であった場合でも、何回か検出動作を繰
り返すことにより、より高精度で不純物濃度を測定する
ことができる。

【００７０】なお、このような検出動作の繰り返しは、
レジスト塗布ユニット１８、現像処理ユニット２０また
はインターフェイス部４ばかりでなく、ケミカルフィル
ター２８の外側部分の不純物の濃度検出においても採用
することができる。この場合にも濃度検出結果が所定値
を超えた場合に再度検出するようにすれば、より高精度
出不純物濃度を測定することができる。

【００７１】さらに、レジスト塗布ユニット１８および
現像処理ユニット２０には、メンテナンスのための扉が
設けられている。例えば、レジスト塗布ユニット１８を
例にとると、図８に示すように、一つのレジスト塗布ユ
ニット１８は、その搬送路７とは反対側の面にスライド
可能な２枚の扉７１を有している。なお、参照符号７３
は支柱である。そしてその開閉部分にはマグネットセン
サー７２が設けられている。図９（ａ）に示すように、
マグネットセンサー７２はマグネット７と検出部７４と
から構成され、扉７１にマグネット７３が取り付けら
れ、支柱７３に検出部７４が取り付けられており、扉７
１が開くと図９（ｂ）に示すように、閉状態では検出部
７４に近接していたマグネット７３が検出部７４から離
隔して検出部７４によって検出される磁界が変化するた
め、扉７１が開いたことが検出される。そして、メンテ
ナンスのためにこの扉７１が開かれた際に、ＣＰＵ５０
からアラーム装置５２に警告を発する信号が出力され
る。これにより、処理動作を停止する等の必要な操作を
迅速に行うことができる。

【００７２】また、扉７１が開かれた検出信号を受け取
ったＣＰＵ５０が扉が開いた処理ユニット（この場合に
はレジスト塗布ユニット１８）へのアクセスを禁止する
指令を主搬送機構５に出力し、かつその処理ユニットの
不純物濃度御検出を停止する指令を濃度検出機構４０へ
出力するようにすることもできる。このように制御する
ことにより、主搬送機構５が半導体ウエハＷを搬送して
いる際にオペレータに接触する等のトラブルを招くこと
なく、また、不要な濃度検出を省略することにより、時
間がかかる不純物濃度検出を効率良く行うことができ
る。

【００７３】なお、本発明は上記実施形態に限定される
ことなく種々変形可能である。例えば、上記実施の形態
では、１台のレジスト塗布・現像システムに対して、一
つの濃度検出機構を設けたが、複数のシステムに対して
一つの濃度検出機構を設けてもよく、逆に、各空気取り
入れ口毎に濃度検出機構を設けてもよい。

【００７４】また、レジスト塗布ユニット、現像処理ユ
ニット、インターフェイス部内の不純物を検出するよう
にしたが、必ずしもてこれら全ての濃度を検出しなくて
もよく、逆に他の部分、例えば搬送路７の濃度を測定す
るようにしてもよい。

【００７５】さらに、ケミカルフィルタの状態を示す画
面についても、図４に限らず、適宜設定することができ
る。さらにまた、ケミカルフィルタを２層積層して用い
たが、もちろん１層でもよく、３層以上積層しても構わ
ない。

【００７６】さらにまた、レジスト塗布・現像システム
における各ユニットの配置も上記実施形態に限るもので
はなく、被処理体も半導体ウエハに限らず、ＬＣＤ基板
等他の被処理体であってもよいものことはいうまでもな
い。

【００７７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
フィルタの外側における解像度低下不純物を検出し、そ
の結果に基づいてフィルタの交換寿命を予測するので、
予めフィルタの交換タイミングを把握することができ
る。したがって、歩留まりの低下をもたらすことがな
く、信頼性の高い処理を実現することができる。

【００７８】また、上述のようにフィルタの交換寿命を
予測するとともに、装置内におけるフィルタ内側の部分
における解像度低下不純物の濃度を検出し、それをモニ
タするようにしたので、予めフィルタの交換タイミング
を把握することができるとともに、実際の筐体内の不純
物濃度を把握することができる。

【００７９】さらに、上述のようにフィルタの交換寿命
を予測するとともに、装置内におけるフィルタ内側の部
分における解像度低下不純物の濃度を検出し、その検出
信号と予め設定されたしきい値とを比較演算して検出信
号がしきい値を超えた際に警告を発するようにしたの
で、予めフィルタの交換タイミングを把握することがで
きるとともに、たとえ、予測された寿命の前にフィルタ
が劣化して筐体内の解像度低下不純物濃度が解像度不良
をもたらすレベルになっても、確実にそれを把握するこ
とができ、信頼性をより高めることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明が適用される半導体ウエハの塗布・現像
処理システムを示す平面図。

【図２】図１のシステムのＡ−Ａ’矢視による断面図。

【図３】本発明におけるフィルタの寿命予測の一例を説
明するための概念図。

【図４】本発明におけるフィルターの寿命予測に用いら
れる表示装置の画面の例を示す図。

【図５】本発明の他のの実施形態に係る半導体ウエハの
塗布・現像処理システムを示す断面図。

【図６】フィルターを多段に積層して配置する場合のフ
ィルターの交換動作の一例を示す図。

【図７】本発明における不純物濃度検出の好ましい形態
を示すフローチャート。

【図８】図１のシステムにおけるレジスト塗布ユニット
を示す側面図。

【図９】レジスト塗布ユニットの扉を開いた際における
マグネットセンサーによる検出原理を説明するための
図。

【符号の説明】

１……カセットステーション ２……処理部 ４……インターフェース ５……主搬送機構 １８……レジスト塗布ユニット ２０……現像処理ユニット ２５……筐体 ２７……空気清浄機構 ２８ａ，２８ｂ……ケミカルフィルター ３５，３６……空気取り入れ口 ３７……採取管 ４０……濃度検出機構 ５０……ＣＰＵ ５１……表示装置 ５２……アラーム Ｗ……半導体ウエハ

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６４Ｃ ５６９Ｃ

Claims (26)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 筐体と、 筐体内に設けられ、被処理体に対して処理液塗布および
   露光後の現像を含む一連の処理を行なう複数の処理ユニ
   ットと、 各処理ユニットに対して被処理体を搬入出する搬送機構
   と、 前記筐体内部に取り入れられる空気中における、解像度
   を低下させる不純物を除去するフィルタを有する空気清
   浄機構と、 前記フィルタの外側の前記不純物の濃度を検出する濃度
   検出手段と、前記濃度検出手段の検出結果に基づいて、
   前記フィルタの交換寿命を予測する寿命予測手段とを具
   備することを特徴とする処理装置。
2. 【請求項２】 前記寿命予測手段は、前記濃度検出手段
   または第１の濃度検出手段が検出した濃度を稼働時間に
   対し積算し、その積算値から前記フィルタの寿命を予測
   することを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
3. 【請求項３】 前記フィルタは複数の層に積層された構
   造を有することを特徴とする請求項１または請求項２に
   記載の処理装置。
4. 【請求項４】 前記フィルタの層間に配置された、前記
   解像度を低下させる不純物の濃度を検出する１または２
   以上の他の濃度検出手段をさらに具備することを特徴と
   する請求項３に記載の処理装置。
5. 【請求項５】 筐体と、 筐体内に設けられ、被処理体に対して処理液塗布および
   露光後の現像を含む一連の処理を行なう複数の処理ユニ
   ットと、 各処理ユニットに対して被処理体を搬入出する搬送機構
   と、 前記筐体内部に取り入れられる空気中における、解像度
   を低下させる不純物を除去するフィルタを有する空気清
   浄機構と、 前記フィルタの外側の前記不純物の濃度を検出する第１
   の濃度検出手段と、装置内における前記フィルタ内側の
   所定部分の前記不純物の濃度を検出する１または２以上
   の第２の濃度検出手段と、 前記第１の濃度検出手段の検出結果に基いて、前記フィ
   ルタの交換寿命を予測する寿命予測手段と、 前記第２の濃度検出手段の検出信号をモニタするモニタ
   手段とを具備することを特徴とする処理装置。
6. 【請求項６】 筐体と、 筐体内に設けられ、被処理体に対して処理液塗布および
   露光後の現像を含む一連の処理を行なう複数の処理ユニ
   ットと、 各処理ユニットに対して被処理体を搬入出する搬送機構
   と、 前記筐体内部に取り入れられる空気中における、解像度
   を低下させる不純物を除去するフィルタを有する空気清
   浄機構と、 前記フィルタの外側の前記不純物の濃度を検出する第１
   の濃度検出手段と、装置内における前記フィルタ内側の
   所定部分において前記不純物の濃度を検出する１または
   ２以上の第２の濃度検出手段と、 前記第１の濃度検出手段の検出結果に基いて、前記フィ
   ルタの交換寿命を予測する寿命予測手段と、 前記第２の濃度検出手段の検出信号と予め設定されたし
   きい値とを比較演算する演算手段と、 警告を発する警告手段と、 前記演算手段が、前記検出信号が前記しきい値を超えた
   ことを検出した際に、前記警告手段に対し、警告を発す
   る信号を出力する第１の制御手段とを具備することを特
   徴とする処理装置。
7. 【請求項７】 前記寿命予測手段は、第１の濃度検出手
   段が検出した濃度を稼働時間に対し積算し、その積算値
   から前記フィルタの寿命を予測することを特徴とする請
   求項５または請求項６に記載の処理装置。
8. 【請求項８】 前記演算手段が、前記検出信号が前記し
   きい値を超えたことを検出した際に、前記被処理体の処
   理を停止させる第２の制御手段をさらに有することを特
   徴とする請求項６に記載の処理装置。
9. 【請求項９】 装置内における前記フィルタ内側の所定
   部分のいずれかに対応する前記第２の濃度検出手段から
   の検出信号が前記しきい値を超えたことを前記演算手段
   が検出した際に、その部分への被処理体の搬入を禁止す
   るように前記搬送機構を制御する第３の制御手段をさら
   に有することを特徴とする請求項６に記載の処理装置。
10. 【請求項１０】 前記第２の濃度検出手段において検出
    された不純物濃度が前記しきい値を超えた場合に、検出
    動作を繰り返す指令を前記第２の濃度検出手段に出力
    し、検出動作を所定回数繰り返した後、不純物濃度が依
    然として前記値を超えていた場合に前記警告手段に対
    し、警告を発する信号を出力し、一方、検出動作を繰り
    返している間に検出された不純物濃度が前記しきい値以
    下になった時点で検出動作の繰り返しを停止する信号を
    出力する第４の制御手段をさらに有することを特徴とす
    る請求項６に記載の処理装置。
11. 【請求項１１】 前記警報手段前記第４の制御手段は、
    前記第１の濃度検出手段において検出された不純物濃度
    が予め設定された値を超えた場合に、検出動作を繰り返
    す指令を前記第１の濃度検出手段に出力し、検出動作を
    所定回数繰り返した後、不純物濃度が依然として前記値
    を超えていた場合に前記警告手段に対し、警告を発する
    信号を出力し、一方、検出動作を繰り返している間に検
    出された不純物濃度が予め設定された濃度以下になった
    時点で検出動作の繰り返しを停止する信号を出力するこ
    とを特徴とする請求項１０に記載の処理装置。
12. 【請求項１２】 前記処理ユニットの少なくとも一部は
    扉を有し、被処理体の処理中は扉が閉じられており、い
    ずれかの処理ユニットの扉が開かれた際に、前記警告手
    段に対し、警告を発する信号を出力する第５の制御手段
    を有することを特徴とする請求項１ないし請求項１１の
    いずれか１項に記載の処理装置。
13. 【請求項１３】 前記第５の制御手段は、前記搬送機構
    に、扉が開いた処理ユニットへのアクセスを禁止する信
    号を出力するとともに、扉が開いた処理ユニットの第２
    の濃度検出手段に、検出を停止する信号を出力すること
    を特徴とする請求項１２に記載の処理装置。
14. 【請求項１４】 前記フィルタは複数の層に積層された
    構造を有することを特徴とする請求項５ないし請求項１
    ３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
15. 【請求項１５】 前記フィルタの層間に配置された、前
    記解像度を低下させる不純物の濃度を検出する１または
    ２以上の第３の濃度検出手段をさらに具備することを特
    徴とする請求項１４に記載の処理装置。
16. 【請求項１６】 筐体と、その筐体内に設けられた複数
    の処理ユニットと、各処理ユニットに対して被処理体を
    搬入出する搬送機構と、前記筐体内部に取り入れられる
    空気中における、解像度を低下させる不純物を除去する
    フィルタを有する空気清浄機構とを有する処理装置によ
    り、被処理体に対して処理液塗布および露光後の現像を
    含む一連の処理を行なう処理方法であって、 前記フィルタの外側の前記不純物の濃度を検出する工程
    と、その検出結果に基づいて、前記フィルタの交換寿命
    を予測する工程とを具備することを特徴とする処理方
    法。
17. 【請求項１７】 筐体と、その筐体内に設けられた複数
    の処理ユニットと、各処理ユニットに対して被処理体を
    搬入出する搬送機構と、前記筐体内部に取り入れられる
    空気中における、解像度を低下させる不純物を除去する
    フィルタを有する空気清浄機構とを有する処理装置によ
    り、被処理体に対して処理液塗布および露光後の現像を
    含む一連の処理を行なう処理方法であって、前記フィル
    タの外側の前記不純物の濃度を検出する工程と、装置内
    における前記フィルタの内側の１または２以上の部分で
    前記不純物の濃度を検出する工程と、 前記フィルタの外側の前記不純物の濃度の検出結果に基
    いて、前記フィルタの交換寿命を予測する工程と、 前記フィルタの内側の１または２以上の部分の前記不純
    物の濃度をモニタする工程とを具備することを特徴とす
    る処理方法。
18. 【請求項１８】 筐体と、その筐体内に設けられた複数
    の処理ユニットと、各処理ユニットに対して被処理体を
    搬入出する搬送機構と、前記筐体内部に取り入れられる
    空気中における、解像度を低下させる不純物を除去する
    フィルタを有する空気清浄機構とを有する処理装置によ
    り、被処理体に対して処理液塗布および露光後の現像を
    含む一連の処理を行なう処理方法であって、前記フィル
    タの外側の前記不純物の濃度を検出する工程と、装置内
    における前記フィルタの内側の１または２以上の部分で
    前記不純物の濃度を検出する工程と、 前記フィルタの外側の前記不純物の濃度の検出結果に基
    いて、前記フィルタの交換寿命を予測する工程と、 前記フィルタの内側の１または２以上の箇所での前記不
    純物の濃度と予め設定されたしきい値とを比較演算する
    工程と、 前記フィルタの内側の１または２以上の部分で検出され
    た前記不純物の濃度がしきい値を超えた場合に、警告を
    発する工程とを具備することを特徴とする処理方法。
19. 【請求項１９】 前記フィルタの交換寿命を予測する工
    程は、検出された前記フィルタの外側の前記不純物の濃
    度を稼働時間に対し積算し、その積算値から前記フィル
    タの寿命を予測することを特徴とする請求項１６ないし
    請求項１８のいずれか１項に記載の処理方法。
20. 【請求項２０】 装置内の前記フィルタの内側の１また
    は２以上の部分での前記不純物の濃度と予め設定された
    しきい値とを比較演算する工程において、前記不純物の
    濃度が前記しきい値を超えたことを検出した際に、前記
    被処理体の処理を停止する工程をさらに有することを特
    徴とする請求項１８に記載の基板処理方法。
21. 【請求項２１】 装置内におけるフィルター内側の１ま
    たは２以上の部分のうちいずれかの部分で前記不純物の
    濃度が前記しきい値を超えた際に、その部分への被処理
    体の搬入を禁止する工程をさらに有することを特徴とす
    る請求項１８に記載の処理方法。
22. 【請求項２２】 装置内におけるフィルター内側の１ま
    たは２以上の部分のうちいずれかの部分で検出された前
    記不純物の濃度が前記しきい値を超えた場合に、検出動
    作を所定回繰り返した後、不純物濃度が依然として前記
    値を超えていた場合に警告を発し、一方、検出動作を繰
    り返している間に検出された不純物濃度が前記しきい値
    以下になった時点で検出動作の繰り返しを停止する工程
    をさらに有することを特徴とする請求項１８に記載の処
    理方法。
23. 【請求項２３】 前記フィルタの外側において検出され
    た不純物濃度が予め設定された値を超えた場合に、検出
    動作を所定回数繰り返し、その後不純物濃度が依然とし
    て前記値を超えていた場合に警告を発し、一方、検出動
    作を繰り返している間に検出された不純物濃度が予め設
    定された値以下になった時点で検出動作の繰り返しを停
    止する工程をさらに有することを特徴とする請求項２２
    に記載の処理方法。
24. 【請求項２４】 前記処理ユニットの少なくとも一部は
    扉を有し、被処理体の処理中は扉が閉じられており、い
    ずれかの処理ユニットの扉が開かれた際に、警告を発す
    る工程をさらに具備することを特徴とする請求項１６な
    いし請求項２３のいずれか１項に記載の処理方法。
25. 【請求項２５】 いずれかの処理ユニットの扉が開かれ
    た際に、扉が開いた処理ユニットへの前記搬送機構のア
    クセスを禁止し、かつその処理ユニットの不純物濃度の
    検出を停止する工程をさらに具備することを特徴とする
    請求項２４に記載の処理方法。
26. 【請求項２６】 前記フィルタは複数の層に積層された
    構造を有し、フィルタの層間の前記不純物の濃度を検出
    する工程をさらに具備し、前記フィルタの交換寿命を予
    測する工程は、前記フィルタの外側の前記不純物濃度
    と、前記フィルタの層間の前記不純物濃度とを検出する
    ことを特徴とする請求項１６ないし請求項２５のいずれ
    か１項に記載の処理方法。