JPH11145709A - Dielectric resonator and dielectric filter and dielectric duplexer using the resonator, oscillator, and high frequency module - Google Patents
Dielectric resonator and dielectric filter and dielectric duplexer using the resonator, oscillator, and high frequency moduleInfo
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- JPH11145709A JPH11145709A JP9304355A JP30435597A JPH11145709A JP H11145709 A JPH11145709 A JP H11145709A JP 9304355 A JP9304355 A JP 9304355A JP 30435597 A JP30435597 A JP 30435597A JP H11145709 A JPH11145709 A JP H11145709A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波帯やミ
リ波帯で使用される、誘電体フィルタや発振器等に関
し、さらには、この誘電体フィルタや発振器を用いた高
周波モジュールに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a dielectric filter, an oscillator, and the like used in a microwave band or a millimeter wave band, and further relates to a high-frequency module using the dielectric filter or the oscillator.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、移動体通信システムの需要の急速
な増加およびマルチメディア化に対応して大容量で且つ
高速な通信システムが要求されている。このような通信
すべき情報量の拡大に伴って、マイクロ波帯からミリ波
帯へ使用周波数帯域が拡大されようとしている。このよ
うなミリ波帯でも、従来から知られている円柱形状の誘
電体からなるＴＥ01δ モード誘電体共振器をマイクロ
波帯と同様に使用することが可能である。しかしなが
ら、一般的なＴＥ01δ モード誘電体共振器の周波数は
円柱形状の誘電体の外形寸法で決定されていたため厳し
い加工精度が必要となっていた。また、ＴＥ01δ モー
ド誘電体共振器を複数個、所定間隔を隔てて金属ケース
内に配置することによって誘電体フィルタを構成した場
合、金属ループ等の入出力端子手段と誘電体共振器、ま
たは、誘電体共振器と誘電体共振器との結合は、相互間
の距離によって決定されるため、高い位置精度で配置さ
れることが必要とされていた。2. Description of the Related Art In recent years, a large-capacity and high-speed communication system has been demanded in response to a rapid increase in demand for a mobile communication system and multimedia. With such an increase in the amount of information to be communicated, the frequency band to be used is being expanded from the microwave band to the millimeter wave band. Even in such a millimeter-wave band, TE 01 δ made of a conventionally known cylindrical dielectric material is used. It is possible to use a mode dielectric resonator as in the microwave band. However, the general TE 01 δ Since the frequency of the mode dielectric resonator was determined by the external dimensions of the cylindrical dielectric, strict processing accuracy was required. Also, TE 01 δ When a dielectric filter is formed by arranging a plurality of mode dielectric resonators in a metal case at predetermined intervals, the input / output terminal means such as a metal loop and the dielectric resonator, or the dielectric resonator Since the coupling between the dielectric resonator and the dielectric resonator is determined by the distance between them, it is necessary to arrange them with high positional accuracy.
【０００３】そこで、本願出願人は特願平７−６２６２
５号でこれらの問題を解消した加工精度に優れた誘電体
共振器及び誘電体フィルタを提案している。Accordingly, the applicant of the present application has filed Japanese Patent Application No. 7-6262.
No. 5 proposes a dielectric resonator and a dielectric filter which solve these problems and have excellent processing accuracy.
【０００４】上記出願に係る誘電体フィルタの基本的な
構成を図９に示す。図９は上記出願に係る誘電体フィル
タの分解斜視図である。FIG. 9 shows a basic configuration of a dielectric filter according to the above-mentioned application. FIG. 9 is an exploded perspective view of the dielectric filter according to the above application.
【０００５】図９に示すように、誘電体フィルタ１０１
は、誘電体基板１０２と導電体板１０３ａ、１０３ｂか
ら構成されている。[0005] As shown in FIG.
Is composed of a dielectric substrate 102 and conductor plates 103a and 103b.
【０００６】誘電体基板１０２は、一定の比誘電率を有
しており、その両主面に２つの円形状の開口部を有する
電極１０２ａ、１０２ｂが、その開口部が互いに対向す
るように配置して形成されることにより構成されてい
る。The dielectric substrate 102 has a certain relative permittivity, and electrodes 102a and 102b having two circular openings on both main surfaces thereof are arranged such that the openings face each other. It is constituted by being formed.
【０００７】誘電体基板１０２導体１０２ａ側（図９に
おける上側）には、２つの開口部それぞれに近接するよ
うに入力端子用コプレナー線路１０４ａと出力端子用コ
プレナー線路１０４ｂが形成されている。On the conductor 102a side (upper side in FIG. 9) of the dielectric substrate 102, an input terminal coplanar line 104a and an output terminal coplanar line 104b are formed close to the two openings.
【０００８】導電体板１０３ａ、１０３ｂは、開口部付
近で基板１０２から間隔を隔てて、誘電体基板１０２を
挟むように配置固定されており、入力端子用コプレナー
線路１０４ａと出力端子用コプレナー線路１０４ｂは、
導電体板１０３ａ、１０３ｂから外方に突出している。
また、導電体板１０３ａには、入力端子用コプレナー線
路１０４ａ及び出力端子用コプレナー線路１０４ｂと接
触しないように切り欠きが設けられている。また、導電
体板１０３ａと誘電体基板１０２の電極１０２ａは電気
的に接続されており、導電体板１０３ｂと誘電体基板１
０２の電極１０２ｂは電気的に接続されている。The conductor plates 103a and 103b are arranged and fixed at a distance from the substrate 102 near the opening so as to sandwich the dielectric substrate 102. The coplanar line 104a for the input terminal and the coplanar line 104b for the output terminal. Is
It protrudes outward from the conductor plates 103a and 103b.
The conductor plate 103a is provided with a notch so as not to contact the coplanar line 104a for the input terminal and the coplanar line 104b for the output terminal. The conductor plate 103a and the electrode 102a of the dielectric substrate 102 are electrically connected, and the conductor plate 103b and the dielectric substrate 1 are electrically connected.
The 02 electrode 102b is electrically connected.
【０００９】このような構成により、対向する電極１０
２ａ、１０２ｂの開口部に挟まれた部分付近の誘電体基
板１０２に電磁界エネルギーが閉じ込められ、２つの共
振部が形成される。それぞれの共振部が個別の共振部と
なり、隣接する共振部同士で結合して２段の共振部を有
する誘電体フィルタが構成される。With such a configuration, the opposing electrode 10
Electromagnetic field energy is confined in the dielectric substrate 102 near the portion between the openings 2a and 102b, and two resonance parts are formed. Each resonating part becomes an individual resonating part, and the adjacent resonating parts are coupled to each other to form a dielectric filter having two-stage resonating parts.
【００１０】以上のように、共振部を電極の開口部の大
きさで規定できるので、製造時にエッチング等の手法を
用いることができ、周波数に対する共振部の寸法精度を
極めて正確に再現した誘電体共振器を作成することがで
きるようになり、入出力端子手段と誘電体共振器、また
は、誘電体共振器と誘電体共振器とを高い位置精度で配
置して所望の結合の強さを得ることができるようになっ
た。As described above, since the resonance part can be defined by the size of the opening of the electrode, it is possible to use a technique such as etching at the time of manufacturing, and a dielectric material which reproduces the dimensional accuracy of the resonance part with respect to the frequency very accurately. A resonator can be formed, and a desired coupling strength is obtained by arranging the input / output terminal means and the dielectric resonator, or the dielectric resonator and the dielectric resonator with high positional accuracy. Now you can do it.
【００１１】このような誘電体フィルタ１０１では、対
向する電極１０２ａ、１０２ｂの開口部に挟まれた誘電
体基板１０２により構成される共振部が電磁界エネルギ
ーの閉じ込め性が高いため、入出力端子手段をコプレナ
ー線路１０４ａ、１０４ｂで形成した場合、共振部と入
出力端子手段との結合が弱く、電極１０２ａ，１０２ｂ
の開口部とコプレナー線路１０４ａ、１０４ｂとの間隔
をできるだけ狭くすることで、共振部と入出力端子手段
との結合を強くしていた。In such a dielectric filter 101, the resonance portion formed by the dielectric substrate 102 sandwiched between the openings of the opposing electrodes 102a and 102b has high electromagnetic energy confinement. Is formed by the coplanar lines 104a and 104b, the coupling between the resonance part and the input / output terminal means is weak, and the electrodes 102a and 102b
The distance between the opening and the coplanar lines 104a and 104b is made as small as possible to increase the coupling between the resonance part and the input / output terminal means.
【００１２】また、従来、誘電体共振器を用いた装置と
して電圧制御発振器が知られている。このような電圧制
御発振器には、図１０に示すようなものがあった。A voltage controlled oscillator has been conventionally known as a device using a dielectric resonator. FIG. 10 shows such a voltage controlled oscillator.
【００１３】図１０に示すように、電圧制御発振器１１
１には円柱形状のＴＥ01δ モード誘電体共振器１１２
が用いられている。[0013] As shown in FIG.
1 has a cylindrical TE 01 δ Mode dielectric resonator 112
Is used.
【００１４】ＴＥ01δ モード誘電体共振器１１２は低
誘電率の支持台１１２ａを介して配線基板１１３上に載
置されている。配線基板１１３の下面には図示しないア
ース電極が形成されている。また、配線基板１１３は、
上金属ケース１３０と下金属ケース１３１内に収納され
ている。TE 01 δ The mode dielectric resonator 112 is mounted on a wiring board 113 via a support base 112a having a low dielectric constant. A ground electrode (not shown) is formed on the lower surface of the wiring board 113. In addition, the wiring board 113
It is housed in an upper metal case 130 and a lower metal case 131.
【００１５】配線基板１１３上には、主線路を構成する
マイクロストリップ線路１１４と副線路を構成するマイ
クロストリップ線路１１５がＴＥ01δ モード誘電体共
振器１１２と図１０の上から下を見た方向において重な
るように形成されている。On the wiring board 113, a microstrip line 114 forming a main line and a microstrip line 115 forming a sub line are TE 01 δ. It is formed so as to overlap with the mode dielectric resonator 112 in the direction viewed from above in FIG. 10.
【００１６】マイクロストリップ線路１１４はその一端
がチップ抵抗１１６を介してアース電極１１７に接続さ
れており、その他端が電界効果トランジスタ１１８のゲ
ートに接続されている。The microstrip line 114 has one end connected to a ground electrode 117 via a chip resistor 116 and the other end connected to the gate of a field effect transistor 118.
【００１７】この主線路を構成するマイクロストリップ
線路１１４とＴＥ01δ モード誘電体共振器１１２とが
電磁界結合することにより、共振回路が構成される。The microstrip line 114 constituting the main line and TE 01 δ The mode dielectric resonator 112 is electromagnetically coupled to form a resonance circuit.
【００１８】マイクロストリップ線路１１５はその一端
がバラクタダイオード１１９を介してアース電極１１７
に接続されており、他端が開放端になっている。One end of the microstrip line 115 is connected to a ground electrode 117 via a varactor diode 119.
, And the other end is an open end.
【００１９】この副線路を構成するマイクロストリップ
線路１１５とバラクタダイオード１１９により、発振周
波数可変回路を構成している。The oscillation frequency variable circuit is constituted by the microstrip line 115 and the varactor diode 119 constituting the sub line.
【００２０】電界効果トランジスタ１１８は、ドレイン
がマイクロストリップ線路１２１を介して入力端子電極
１２２に接続されており、ソースがマイクロストリップ
線路１２３の一端に接続されている。The field effect transistor 118 has a drain connected to the input terminal electrode 122 via the microstrip line 121, and a source connected to one end of the microstrip line 123.
【００２１】マイクロストリップ線路１２１には電界効
果トランジスタ１１８のドレインとの接続点に整合用の
スタブ１２４が接続されている。A matching stub 124 is connected to the microstrip line 121 at a connection point with the drain of the field effect transistor 118.
【００２２】マイクロストリップ線路１２３は、他端が
チップ抵抗１２５を介してアース電極１１７に接続され
ている。また、マイクロストリップ線路１２３は、電磁
気的に結合するように、その途中でマイクロストリップ
線路１２６と一定の間隔をおいて平行に形成されてい
る。The other end of the microstrip line 123 is connected to a ground electrode 117 via a chip resistor 125. The microstrip line 123 is formed in parallel with the microstrip line 126 at a certain interval in the middle so as to be electromagnetically coupled.
【００２３】マイクロストリップ線路１２６はチップ抵
抗１２７を介して出力端子電極１２８に接続されてい
る。The microstrip line 126 is connected to an output terminal electrode 128 via a chip resistor 127.
【００２４】入力端子電極１２２には、マイクロストリ
ップ線路１２１に並列にチップコンデンサ１２４が接続
されている。A chip capacitor 124 is connected to the input terminal electrode 122 in parallel with the microstrip line 121.
【００２５】出力端子端子１２８には、チップ抵抗１２
７に並列にチップコンデンサ１２９が接続されている。The output terminal 128 is connected to the chip resistor 12.
7, a chip capacitor 129 is connected in parallel.
【００２６】以上のような構成で、バラクタダイオード
１１９が印加電圧に応じて可変容量となり、ＴＥ01δ
モード誘電体共振器１１２の共振周波数を変化させ、発
振周波数が変化するようになっている。With the above configuration, the varactor diode 119 becomes a variable capacitor according to the applied voltage, and TE 01 δ
The oscillation frequency is changed by changing the resonance frequency of the mode dielectric resonator 112.
【００２７】[0027]
【発明が解決しようとする課題】上記したように、図９
に示す誘電体フィルタ１０１では、電極１０２ａ，１０
２ｂの開口部とコプレナー線路１０４ａ、１０４ｂとの
間隔をできるだけ狭くすることで共振部と入出力端子手
段との結合を強くしていた。As described above, FIG.
In the dielectric filter 101 shown in FIG.
The coupling between the resonance part and the input / output terminal means is increased by making the distance between the opening of 2b and the coplanar lines 104a and 104b as small as possible.
【００２８】しかしながら、電極１０２ａ、１０２ｂの
開口部とコプレナー線路１０４ａ、１０４ｂの誘電体基
板露出部分とが繋がってしまうと、共振部の電磁界が乱
れて、フィルタ特性が変化する恐れがあるため、電極１
０２ａ，１０２ｂの開口部とコプレナー線路１０４ａ、
１０４ｂとの間隔を狭くすることにも限界があった。However, if the openings of the electrodes 102a and 102b are connected to the exposed portions of the dielectric substrate of the coplanar lines 104a and 104b, the electromagnetic field of the resonating portion may be disturbed and the filter characteristics may be changed. Electrode 1
02a, 102b and coplanar line 104a,
There is also a limit to narrowing the gap with 104b.
【００２９】また、基板１０２の一方主面に形成した入
出力端子用のコプレナー線路１０４ａ、１０４ｂを形成
することにより、基板１０２の共振部配列方向の長さが
長くなるため、誘電体フィルタ１０１の長さ自体も長く
なっていた。したがって、コプレナー線路１０４ａ、１
０４ｂ等の入出力端子手段用のスペースが誘電体フィル
タ１０１を小型化する上での障害となっていた。Further, by forming the coplanar lines 104a and 104b for input / output terminals formed on one main surface of the substrate 102, the length of the substrate 102 in the resonance portion arrangement direction becomes longer. The length itself was also long. Therefore, the coplanar lines 104a, 1
The space for input / output terminal means such as 04b has been an obstacle to downsizing the dielectric filter 101.
【００３０】さらに、図１０に示す電圧制御発振器１１
１では、ＴＥ01δ モード誘電体共振器１１２と主線路
を構成するマイクロストリップ線路１１４及び副線路を
構成するマイクロストリップ線路１１５との結合の大き
さは、ＴＥ01δ モード誘電体共振器１１２とマイクロ
ストリップ線路１１４及びマイクロストリップ線路１１
５と間の相対的な距離で決定されていた。したがって、
ＴＥ01δ モード誘電体共振器１１２とマイクロストリ
ップ線路１１４及びマイクロストリップ線路１１５とを
高い位置精度で配置することが必要とされていた。Further, the voltage controlled oscillator 11 shown in FIG.
In 1, TE 01 δ The magnitude of coupling between the mode dielectric resonator 112 and the microstrip line 114 constituting the main line and the microstrip line 115 constituting the sub-line is TE 01 δ. Mode dielectric resonator 112, microstrip line 114, and microstrip line 11
5 and the relative distance was determined. Therefore,
TE 01 δ It has been necessary to arrange the mode dielectric resonator 112, the microstrip line 114, and the microstrip line 115 with high positional accuracy.
【００３１】また、ＴＥ01δ モード誘電体共振器１１
２の電磁界はＴＥ01δ モード誘電体共振器１１２の周
辺に大きく広がるので、マイクロストリップ線路１１４
及びマイクロストリップ線路１１５以外のマイクロスト
リップ線路１２１、１２３等と結合してしまうという問
題があった。このような不要結合が生じると電圧制御発
振器１１１の発振周波数が不安定になる恐れがあった。
従来では、このような不要結合による不具合を抑えるた
めに、ＴＥ01δ モード誘電体共振器１１２に結合させ
たくないマイクロストリップ線路１２１、１２３を、Ｔ
Ｅ01δ モード誘電体共振器１１２からできるだけ離す
ように配線設計していた。Further, TE 01 δ Mode dielectric resonator 11
2 is TE 01 δ The microstrip line 114 spreads greatly around the mode dielectric resonator 112.
In addition, there is a problem that the microstrip lines 121 and 123 other than the microstrip line 115 are coupled. When such unnecessary coupling occurs, the oscillation frequency of the voltage controlled oscillator 111 may become unstable.
Conventionally, TE 01 δ The microstrip lines 121 and 123 that are not to be coupled to the mode dielectric resonator 112 are
E 01 δ The wiring was designed so as to be as far away from the mode dielectric resonator 112 as possible.
【００３２】しかしながら、主線路及び副線路以外のマ
イクロストリップ線路をＴＥ01δ モード誘電体共振器１
１２からできるだけ離すようにするということは、それ
だけ配線基板１１３の大きさが大きくなるということで
あり、結果的に電圧制御発振器１１１自体の大きさも大
きくなっていた。However, other than the main line and the sub-line,
TE crossover track01δ Mode dielectric resonator 1
To keep it as far away from 12 as possible
Only that the size of the wiring board 113 becomes larger
As a result, the size of the voltage controlled oscillator 111 itself is also large.
I was nervous.
【００３３】また、ＴＥ01δ モード誘電体共振器１１
２に結合させたくないマイクロストリップ線路１２１、
１２３を、ＴＥ01δ モード誘電体共振器１１２からで
きるだけ離すという条件のもとに配線設計を行っていた
ため、配線設計の自由度が少なかった。Further, TE 01 δ Mode dielectric resonator 11
2, the microstrip line 121 that is not desired to be coupled to
123 to TE 01 δ Since the wiring was designed under the condition that it was as far away from the mode dielectric resonator 112 as possible, the degree of freedom in the wiring design was small.
【００３４】そして、ＴＥ01δ モード誘電体共振器１
１２を配線基板１１３上に配置し、配線基板１１３上を
ＴＥ01δ モード誘電体共振器１１２の電磁界を閉じ込
めるための上金属ケース１３０で覆っており、この上金
属ケース１３０の高さはＴＥ01δ モード誘電体共振器
１１２の高さよりもさらに高くする必要があったため、
電圧制御発振器１１１自体の高さも高くなっていた。Then, TE 01 δ Mode dielectric resonator 1
12 on the wiring board 113, and TE 01 δ The mode dielectric resonator 112 is covered with an upper metal case 130 for confining the electromagnetic field, and the height of the upper metal case 130 needs to be higher than that of the TE 01 δ mode dielectric resonator 112. Because
The height of the voltage controlled oscillator 111 itself has also been increased.
【００３５】本発明は、これらの問題点を鑑みてなされ
たもので、誘電体共振器に対して入出力端子手段や伝送
線路を容易にかつ高い位置精度で強く結合させることが
でき、全体的に小形化が可能で、自由に配線設計が行え
る誘電体共振器、誘電体フィルタ、誘電体デュプレク
サ、発振器、高周波モジュールを提供することを目的と
している。The present invention has been made in view of these problems, and it is possible to easily and strongly couple input / output terminal means and a transmission line to a dielectric resonator with high positional accuracy. It is an object of the present invention to provide a dielectric resonator, a dielectric filter, a dielectric duplexer, an oscillator, and a high-frequency module that can be downsized and freely designed for wiring.
【００３６】[0036]
【課題を解決するための手段】そこで、請求項１に係る
誘電体共振器は、誘電体基板と、前記誘電体基板の一方
主面に形成された第１の導体と、前記誘電体基板の他方
主面に形成された第２の導体と、前記第１の導体から前
記誘電体基板が露出するように前記第１の導体に形成さ
れた第１の開口部と、前記第２の導体から前記誘電体基
板が露出するように前記第２の導体に形成された第２の
開口部と、少なくとも前記第１の開口部を覆うように前
記第１の導体から間隔を隔てて配置された第１の導電体
板と、少なくとも前記第２の開口部を覆うように前記第
２の導体から間隔を隔てて配置された第２の導電体板
と、前記第１の開口部と前記第２の開口部により決定さ
れる共振部と、前記第１の導体または前記第２の導体の
うち少なくとも一方の上に形成された絶縁体と、前記絶
縁体上に形成された電極とを有している。Accordingly, a dielectric resonator according to a first aspect of the present invention includes a dielectric substrate, a first conductor formed on one main surface of the dielectric substrate, and a dielectric substrate. A second conductor formed on the other main surface, a first opening formed in the first conductor such that the dielectric substrate is exposed from the first conductor, and a second conductor formed from the second conductor. A second opening formed in the second conductor so that the dielectric substrate is exposed, and a second opening arranged at a distance from the first conductor so as to cover at least the first opening. A first conductor plate, a second conductor plate disposed at a distance from the second conductor so as to cover at least the second opening, the first opening and the second conductor. A resonance portion determined by an opening, and at least one of the first conductor and the second conductor Has an insulator formed in the upper, and an electrode formed on the insulator.
【００３７】請求項２に係る誘電体共振器では、前記絶
縁体を薄膜で形成している。In the dielectric resonator according to a second aspect, the insulator is formed of a thin film.
【００３８】請求項３に係る誘電体共振器では、前記電
極が前記第１の開口部または第２の開口部の少なくとも
どちらか一方に重なるように形成されている。In the dielectric resonator according to a third aspect, the electrode is formed so as to overlap at least one of the first opening and the second opening.
【００３９】請求項４に係る誘電体共振器では、前記絶
縁体が前記誘電体基板よりも低誘電率の材料で形成され
ている。In the dielectric resonator according to a fourth aspect, the insulator is made of a material having a lower dielectric constant than the dielectric substrate.
【００４０】請求項５に係る誘電体共振器では、前記第
２の導電体板は、外部端子と前記外部端子とは異なる位
置に凹部が形成され前記凹部の少なくとも底面には導電
体が形成された第１絶縁性基板と、前記第１絶縁性基板
の凹部の開口よりも大きい穴を有し前記穴から前記第１
絶縁性基板の外部端子及び凹部が露出するように第１絶
縁性基板上に積層される第２絶縁性基板と、前記第１絶
縁性基板の凹部と前記第２絶縁性基板の穴とで構成され
る収容部とから構成されており、前記電極が形成された
面を下方にして前記電極の一部と前記外部端子が直接接
続されるように前記誘電体基板が前記収容部に収容され
ている。In the dielectric resonator according to the fifth aspect, the second conductive plate has a concave portion formed at a position different from the external terminal and the external terminal, and a conductive material is formed at least on a bottom surface of the concave portion. A first insulating substrate, and a hole larger than an opening of a concave portion of the first insulating substrate.
A second insulating substrate laminated on the first insulating substrate so that the external terminals and the concave portion of the insulating substrate are exposed; and a concave portion of the first insulating substrate and a hole of the second insulating substrate. The dielectric substrate is housed in the housing so that a part of the electrode is directly connected to the external terminal with the surface on which the electrode is formed facing downward. I have.
【００４１】請求項６に係る誘電体フィルタは、誘電体
基板と、前記誘電体基板の一方主面に形成された第１の
導体と、前記誘電体基板の他方主面に形成された第２の
導体と、前記第１の導体に形成された第１の開口部と、
前記第２の導体に形成された第２の開口部と、少なくと
も前記第１の開口部を覆うように前記第１の導体から間
隔を隔てて配置された第１の導電体板と、少なくとも前
記第２の開口部を覆うように前記第２の導体から間隔を
隔てて配置された第２の導電体板と、前記第１の開口部
と前記第２の開口部により決定される共振部と、前記第
１の導体または前記第２の導体のうち少なくとも一方の
上に形成された絶縁体と、前記絶縁体上に形成され、前
記共振部に電磁界結合する入力端子電極または出力端子
電極とを有している。According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a dielectric filter, comprising: a dielectric substrate; a first conductor formed on one main surface of the dielectric substrate; and a second conductor formed on the other main surface of the dielectric substrate. A conductor, a first opening formed in the first conductor,
A second opening formed in the second conductor, a first conductor plate disposed at a distance from the first conductor so as to cover at least the first opening, A second conductor plate disposed at a distance from the second conductor so as to cover the second opening, and a resonance portion determined by the first opening and the second opening. An insulator formed on at least one of the first conductor and the second conductor, and an input terminal electrode or an output terminal electrode formed on the insulator and electromagnetically coupled to the resonance unit. have.
【００４２】請求項７記載の誘電体フィルタでは、前記
第１の開口部及び前記第２の開口部が複数存在すること
により、前記第１の開口部と前記第２の開口部により決
定される共振部が複数存在している。In the dielectric filter according to the present invention, the plurality of first openings and the plurality of second openings are determined by the first opening and the second opening. There are a plurality of resonance units.
【００４３】請求項８記載の誘電体フィルタでは、前記
絶縁体上に前記複数の共振部間を電磁界結合させる結合
電極を形成している。In the dielectric filter according to the present invention, a coupling electrode for electromagnetically coupling the plurality of resonance sections is formed on the insulator.
【００４４】請求項９に係る誘電体フィルタでは、前記
絶縁体を薄膜で形成している。In the dielectric filter according to the ninth aspect, the insulator is formed of a thin film.
【００４５】請求項１０に係る誘電体フィルタでは、前
記入力端子電極または出力端子電極は前記第１の開口部
または第２の開口部の少なくともどちらか一方に重なる
ように形成されている。In the dielectric filter according to the tenth aspect, the input terminal electrode or the output terminal electrode is formed so as to overlap with at least one of the first opening and the second opening.
【００４６】請求項１１に係る誘電体フィルタでは、前
記絶縁体は前記誘電体基板よりも低誘電率の材料で形成
されている。In the dielectric filter according to the eleventh aspect, the insulator is formed of a material having a lower dielectric constant than the dielectric substrate.
【００４７】請求項１２に係る誘電体フィルタでは、前
記第２の導電体板は、外部端子と前記外部端子とは異な
る位置に凹部が形成され前記凹部の少なくとも底面には
導電体が形成された第１絶縁性基板と、前記第１絶縁性
基板の凹部の開口よりも大きい穴を有し前記穴から前記
第１絶縁性基板の外部端子及び凹部が露出するように第
１絶縁性基板上に積層される第２絶縁性基板と、前記第
１絶縁性基板の凹部と前記第２絶縁性基板の穴とで構成
される収容部とから構成されており、前記入力端子電極
または出力端子電極が形成された面を下方にして前記入
力端子電極または出力端子電極と前記外部端子が直接接
続されるように前記誘電体基板が前記収容部に収容され
ている。In the dielectric filter according to the twelfth aspect, the second conductive plate has a concave portion formed at a position different from the external terminal and the external terminal, and a conductive material is formed on at least a bottom surface of the concave portion. A first insulating substrate, and a hole larger than the opening of the concave portion of the first insulating substrate, the external terminal and the concave portion of the first insulating substrate being exposed from the hole on the first insulating substrate. The input terminal electrode or the output terminal electrode comprises a second insulating substrate to be laminated, and a receiving portion formed by a concave portion of the first insulating substrate and a hole of the second insulating substrate. The dielectric substrate is housed in the housing so that the input terminal electrode or the output terminal electrode is directly connected to the external terminal with the formed surface facing down.
【００４８】請求項１３に係る誘電体デュプレクサは、
誘電体基板と、前記誘電体基板の一方主面に形成された
第１の導体と、前記誘電体基板の他方主面に形成された
第２の導体と、前記第１の導体に形成された複数の第１
の開口部と、前記第２の導体に形成された複数の第２の
開口部と、少なくとも前記複数の第１の開口部を覆うよ
うに前記第１の導体から間隔を隔てて配置された第１の
導電体板と、少なくとも前記複数の第２の開口部を覆う
ように前記第２の導体から間隔を隔てて配置された第２
の導電体板と、前記複数の第１の開口部と前記複数の第
２の開口部により決定される複数の共振部と、前記複数
の共振部のうちの第１の共振部群により構成される第１
のフィルタと、前記複数の共振部のうち前記第１の共振
部群とは異なる第２の共振部群により構成される第２の
フィルタと、前記第１の導体または前記第２の導体のう
ち少なくとも一方の上に形成された絶縁体と、前記絶縁
体上に形成される前記第１のフィルタの入力端子電極
と、前記絶縁体上に形成される前記第２のフィルタの出
力端子電極と、前記絶縁体上に形成され、前記第１のフ
ィルタの出力端子電極であり、かつ、前記第２のフィル
タの入力端子電極であるアンテナ端子電極とを有してい
る。The dielectric duplexer according to claim 13 is:
A dielectric substrate, a first conductor formed on one main surface of the dielectric substrate, a second conductor formed on the other main surface of the dielectric substrate, and a first conductor formed on the first conductor. Multiple first
And a plurality of second openings formed in the second conductor, and a plurality of second openings formed at a distance from the first conductor so as to cover at least the plurality of first openings. And a second conductive plate disposed at a distance from the second conductor so as to cover at least the plurality of second openings.
, A plurality of resonating portions determined by the plurality of first openings and the plurality of second openings, and a first resonating portion group of the plurality of resonating portions. First
, A second filter formed of a second resonance unit group different from the first resonance unit group among the plurality of resonance units, and a second filter formed of the first conductor or the second conductor. An insulator formed on at least one of the first filter, an input terminal electrode of the first filter formed on the insulator, and an output terminal electrode of the second filter formed on the insulator; An antenna terminal electrode formed on the insulator and serving as an output terminal electrode of the first filter and an input terminal electrode of the second filter.
【００４９】請求項１４に係る誘電体デュプレクサで
は、前記第１の共振部群を構成する前記複数の第１の開
口部及び前記複数の第２の開口部の形状と、前記第２の
共振部群を構成する前記複数の第１の開口部及び前記複
数の第２の開口部の形状とが異なっている。In the dielectric duplexer according to a fourteenth aspect, the shapes of the plurality of first openings and the plurality of second openings constituting the first resonance section group and the shape of the second resonance section are provided. The shapes of the plurality of first openings and the plurality of second openings constituting the group are different.
【００５０】請求項１５に係る誘電体デュプレクサは、
前記第１の共振部群を構成する前記複数の第１の開口部
及び前記複数の第２の開口部内で、または、前記第２の
共振部群を構成する前記複数の第１の開口部及び前記複
数の第２の開口部内で、異なる形状の前記複数の第１の
開口部及び前記複数の第２の開口部を有している。The dielectric duplexer according to claim 15 is:
In the plurality of first openings and the plurality of second openings forming the first resonance unit group, or in the plurality of first openings forming the second resonance unit group, and In the plurality of second openings, the plurality of first openings and the plurality of second openings having different shapes are provided.
【００５１】請求項１６に係る誘電体デュプレクサで
は、前記絶縁体を薄膜で形成している。In a dielectric duplexer according to a sixteenth aspect, the insulator is formed of a thin film.
【００５２】請求項１７に係る誘電体デュプレクサで
は、前記入力端子電極または出力端子電極またはアンテ
ナ端子電極は前記第１の開口部または第２の開口部の少
なくともどちらか一方に重なるように形成されている。In the dielectric duplexer according to a seventeenth aspect, the input terminal electrode, the output terminal electrode, or the antenna terminal electrode is formed so as to overlap at least one of the first opening and the second opening. I have.
【００５３】請求項１８に係る誘電体デュプレクサで
は、前記絶縁体は前記誘電体基板よりも低誘電率の材料
で形成されている。In the dielectric duplexer according to claim 18, the insulator is formed of a material having a lower dielectric constant than the dielectric substrate.
【００５４】請求項１９に係る誘電体デュプレクサで
は、前記第２の導電体板は、外部端子と前記外部端子と
は異なる位置に凹部が形成され前記凹部の少なくとも底
面には導電体が形成された第１絶縁性基板と、前記第１
絶縁性基板の凹部の開口よりも大きい穴を有し前記穴か
ら前記第１絶縁性基板の外部端子及び凹部が露出するよ
うに第１絶縁性基板上に積層される第２絶縁性基板と、
前記第１絶縁性基板の凹部と前記第２絶縁性基板の穴と
で構成される収容部とから構成されており、前記入力端
子電極または出力端子電極またはアンテナ端子電極が形
成された面を下方にして前記入力端子電極または出力端
子電極またはアンテナ端子電極と前記外部端子が直接接
続されるように前記誘電体基板が前記収容部に収容され
ている。In the dielectric duplexer according to the nineteenth aspect, the second conductor plate has a concave portion formed at a position different from the external terminal and the external terminal, and a conductor is formed at least on a bottom surface of the concave portion. A first insulating substrate;
A second insulating substrate having a hole larger than the opening of the concave portion of the insulating substrate, the second insulating substrate being laminated on the first insulating substrate such that the external terminal and the concave portion of the first insulating substrate are exposed from the hole;
A receiving portion formed by a concave portion of the first insulating substrate and a hole of the second insulating substrate, wherein a surface on which the input terminal electrode, the output terminal electrode, or the antenna terminal electrode is formed faces downward. The dielectric substrate is housed in the housing so that the input terminal electrode, output terminal electrode, or antenna terminal electrode is directly connected to the external terminal.
【００５５】請求項２０に係る発振器では、誘電体基板
と、前記誘電体基板の一方主面に形成された第１の導体
と、前記誘電体基板の他方主面に形成された第２の導体
と、前記第１の導体に形成された第１の開口部と、前記
第２の導体に形成された第２の開口部と、少なくとも前
記第１の開口部を覆うように前記第１の導体から間隔を
隔てて配置された第１の導電体板と、少なくとも前記第
２の開口部を覆うように前記第２の導体から間隔を隔て
て配置された第２の導電体板と、前記第１の開口部と前
記第２の開口部により決定される共振部と、前記第１の
導体または前記第２の導体のうち少なくとも一方の上に
形成された絶縁体と、前記絶縁体上に形成され、前記共
振部に電磁界結合することにより共振回路を構成する主
線路と、前記共振回路に接続される負性抵抗回路とを有
している。In the oscillator according to the twentieth aspect, the dielectric substrate, the first conductor formed on one main surface of the dielectric substrate, and the second conductor formed on the other main surface of the dielectric substrate A first opening formed in the first conductor, a second opening formed in the second conductor, and the first conductor so as to cover at least the first opening. A first conductor plate disposed at a distance from the first conductor plate, a second conductor plate disposed at a distance from the second conductor so as to cover at least the second opening, A resonator defined by the first opening and the second opening, an insulator formed on at least one of the first conductor and the second conductor, and formed on the insulator A main line that forms a resonance circuit by being electromagnetically coupled to the resonance unit; And a negative resistance circuit connected to the road.
【００５６】請求項２１に係る発振器は、前記共振回路
は発振周波数可変回路を有している。In the oscillator according to the twenty-first aspect, the resonance circuit has an oscillation frequency variable circuit.
【００５７】請求項２２に係る発振器は、前記発振周波
数可変回路は電圧によって制御されている。In the oscillator according to claim 22, the oscillation frequency variable circuit is controlled by a voltage.
【００５８】請求項２３に係る発振器では、前記絶縁体
を薄膜で形成している。In the oscillator according to claim 23, the insulator is formed of a thin film.
【００５９】請求項２４に係る発振器では、前記主線路
は前記第１の開口部または第２の開口部の少なくともど
ちらか一方に重なるように形成されている。[0059] In the oscillator according to claim 24, the main line is formed so as to overlap at least one of the first opening and the second opening.
【００６０】請求項２５に係る発振器では、前記絶縁体
は前記誘電体基板よりも低誘電率の材料で形成されてい
る。[0060] In the oscillator according to claim 25, the insulator is formed of a material having a lower dielectric constant than the dielectric substrate.
【００６１】請求項２６に係る発振器では、前記第２の
導電体板は、外部端子と前記外部端子とは異なる位置に
凹部が形成され前記凹部の少なくとも底面には導電体が
形成された第１絶縁性基板と、前記第１絶縁性基板の凹
部の開口よりも大きい穴を有し前記穴から前記第１絶縁
性基板の外部端子及び凹部が露出するように第１絶縁性
基板上に積層される第２絶縁性基板と、前記第１絶縁性
基板の凹部と前記第２絶縁性基板の穴とで構成される収
容部とから構成されており、前記共振回路に接続された
出力端子電極が形成された面を下方にして前記出力端子
電極の一部と前記外部端子が直接接続されるように前記
誘電体基板が前記収容部に収容されている。[0061] In the oscillator according to the twenty-sixth aspect, the second conductive plate has a concave portion formed at a position different from the external terminal and the external terminal, and a conductive material is formed on at least a bottom surface of the concave portion. An insulating substrate having a hole larger than an opening of the concave portion of the first insulating substrate, the external terminal and the concave portion of the first insulating substrate being laminated on the first insulating substrate so as to be exposed from the hole; A second insulating substrate, and an accommodating portion formed by a concave portion of the first insulating substrate and a hole of the second insulating substrate, wherein an output terminal electrode connected to the resonance circuit is provided. The dielectric substrate is housed in the housing so that a part of the output terminal electrode is directly connected to the external terminal with the formed surface facing down.
【００６２】請求項２７に係る高周波モジュールは、誘
電体基板と、前記誘電体基板の一方主面に形成された第
１の導体と、前記誘電体基板の他方主面に形成された第
２の導体と、前記第１の導体に形成された第１の開口部
と、前記第２の導体に形成された第２の開口部と、少な
くとも前記第１の開口部を覆うように前記第１の導体か
ら間隔を隔てて配置された第１の導電体板と、少なくと
も前記第２の開口部を覆うように前記第２の導体から間
隔を隔てて配置された第２の導電体板と、前記第１の導
体または前記第２の導体のうち少なくとも一方の上に形
成された絶縁体と、前記第１の開口部と前記第２の開口
部により決定される共振部と、前記絶縁体上に形成され
た配線電極と、前記配線電極に接続される電子部品素子
とを有している。A high-frequency module according to claim 27, wherein a dielectric substrate, a first conductor formed on one main surface of the dielectric substrate, and a second conductor formed on the other main surface of the dielectric substrate. A conductor, a first opening formed in the first conductor, a second opening formed in the second conductor, and the first opening so as to cover at least the first opening. A first conductor plate disposed at a distance from a conductor, a second conductor plate disposed at a distance from the second conductor so as to cover at least the second opening, An insulator formed on at least one of a first conductor and the second conductor, a resonance portion determined by the first opening and the second opening, and It has a formed wiring electrode and an electronic component element connected to the wiring electrode.
【００６３】請求項２８に係る高周波モジュールでは、
前記絶縁体を薄膜で形成している。In the high-frequency module according to claim 28,
The insulator is formed of a thin film.
【００６４】請求項２９に係る高周波モジュールでは、
前記配線電極の一部が前記第１の開口部または第２の開
口部の少なくともどちらか一方に重なるように形成され
ている。In the high-frequency module according to claim 29,
A part of the wiring electrode is formed so as to overlap with at least one of the first opening and the second opening.
【００６５】請求項３０に係る高周波モジュールでは、
前記絶縁体は前記誘電体基板よりも低誘電率の材料で形
成されている。In the high-frequency module according to claim 30,
The insulator is formed of a material having a lower dielectric constant than the dielectric substrate.
【００６６】請求項３１に係る高周波モジュールでは、
前記第２の導電体板は、外部端子と前記外部端子とは異
なる位置に凹部が形成され前記凹部の少なくとも底面に
は導電体が形成された第１絶縁性基板と、前記第１絶縁
性基板の凹部の開口よりも大きい穴を有し前記穴から前
記第１絶縁性基板の外部端子及び凹部が露出するように
第１絶縁性基板上に積層される第２絶縁性基板と、前記
第１絶縁性基板の凹部と前記第２絶縁性基板の穴とで構
成される収容部とから構成されており、前記配線電極が
形成された面を下方にして前記配線電極の一部と前記外
部端子が直接接続されるように前記誘電体基板が前記収
容部に収容されている。In the high-frequency module according to claim 31,
The second conductive plate includes a first insulating substrate having an external terminal and a concave portion formed at a position different from the external terminal, and a conductive member formed on at least a bottom surface of the concave portion; and the first insulating substrate. A second insulating substrate having a hole larger than the opening of the concave portion, the second insulating substrate being laminated on the first insulating substrate such that the external terminals and the concave portion of the first insulating substrate are exposed from the hole; A part of the wiring electrode and the external terminal, the storage part comprising a recess formed in the insulating substrate and a hole formed in the second insulating substrate; The dielectric substrate is accommodated in the accommodation portion so that is directly connected.
【００６７】上記したように、請求項１に係る誘電体共
振器、請求項６に係る誘電体フィルタ、請求項１３に係
る誘電体デュプレクサ、請求項２０に係る発振器では、
誘電体基板の導体上に絶縁体を介して電極や線路を形成
しているので、共振部と電極との間の距離を固定するこ
とができる。このように誘電体基板の導体上に絶縁体を
介して電極を形成しているので、共振部と電極や線路と
の間の距離を固定することができる。As described above, in the dielectric resonator according to claim 1, the dielectric filter according to claim 6, the dielectric duplexer according to claim 13, and the oscillator according to claim 20,
Since the electrodes and the lines are formed on the conductor of the dielectric substrate via the insulator, the distance between the resonance part and the electrodes can be fixed. Since the electrodes are formed on the conductors of the dielectric substrate via the insulator in this manner, the distance between the resonance section and the electrodes or the lines can be fixed.
【００６８】上記したように、請求項２に係る誘電体共
振器、 請求項９に係る誘電体フィルタ、請求項１６に
係るデュプレクサ、請求項２３に係る発振器、請求項２
８に係る高周波モジュールでは、絶縁体を薄膜にするこ
とで、その膜厚を制御することで共振部と電極や線路の
位置関係をより高精度に設定できる。As described above, the dielectric resonator according to claim 2, the dielectric filter according to claim 9, the duplexer according to claim 16, the oscillator according to claim 23, and the claim 2
In the high-frequency module according to No. 8, by making the insulator a thin film and controlling the film thickness, the positional relationship between the resonance part and the electrode or the line can be set with higher accuracy.
【００６９】上記したように、請求項３に係る誘電体共
振器、請求項１０に係る誘電体フィルタ、請求項１７に
係る誘電体デュプレクサ、請求項２４に係る発振器、請
求項２９に係る高周波モジュールでは、このように第１
の導体に形成された第１の開口部と前記第２の導体の開
口部との間に位置する誘電体基板とで構成される共振部
上に絶縁体を介して電極や線路を形成しているので、共
振部と電極や線路との結合を強くすることができる。As described above, the dielectric resonator according to claim 3, the dielectric filter according to claim 10, the dielectric duplexer according to claim 17, the oscillator according to claim 24, and the high-frequency module according to claim 29 Then, like this, the first
Forming an electrode or a line via an insulator on a resonating portion composed of a dielectric substrate positioned between a first opening formed in the first conductor and an opening of the second conductor. Therefore, the coupling between the resonance part and the electrode or the line can be strengthened.
【００７０】上記したように、請求項４に係る誘電体共
振器、 請求項１１に係る誘電体フィルタ、請求項１８
に係る誘電体デュプレクサ、請求項２５に係る発振器、
請求項３０に係る高周波モジュールでは、このように絶
縁体を誘電体基板よりも低誘電率の材料を用いているの
で、共振部の共振周波数や無負荷Ｑへの影響を少なくす
ることができ、誘電体基板上の絶縁体に形成された電極
間や線路間で余分な浮遊容量が発生することを抑えるこ
とができる。As described above, the dielectric resonator according to claim 4, the dielectric filter according to claim 11, and claim 18.
The dielectric duplexer according to claim 1, wherein the oscillator according to claim 25,
In the high-frequency module according to claim 30, since the insulator is made of a material having a lower dielectric constant than the dielectric substrate, it is possible to reduce the influence on the resonance frequency of the resonance unit and the no-load Q, The generation of extra stray capacitance between electrodes and lines formed on the insulator on the dielectric substrate can be suppressed.
【００７１】上記したように、請求項５に係る誘電体共
振器、 請求項１２に係る誘電体フィルタ、請求項１９
に係る誘電体デュプレクサ、請求項２６に係る発振器、
請求項３１に係る高周波モジュールでは、第２の導電体
板を外部端子を有する絶縁性パッケージにして、絶縁体
上に形成された配線電極の一部をこの絶縁性パッケージ
の外部端子に直接接続したので、接続用のワイヤー等の
部品が不要になり、高周波における不要インダクタンス
を無くすことができる。As described above, the dielectric resonator according to the fifth aspect, the dielectric filter according to the twelfth aspect, and the nineteenth aspect.
The dielectric duplexer according to claim, the oscillator according to claim 26,
In the high-frequency module according to claim 31, the second conductor plate is an insulating package having an external terminal, and a part of the wiring electrode formed on the insulator is directly connected to the external terminal of the insulating package. Therefore, components such as connection wires are not required, and unnecessary inductance at high frequencies can be eliminated.
【００７２】上記したように、請求項７に係る誘電体フ
ィルタでは、共振部が複数存在しているので、多段の共
振部を得ることができる。As described above, in the dielectric filter according to the seventh aspect, since there are a plurality of resonating portions, a multi-stage resonating portion can be obtained.
【００７３】上記したように、請求項８に係る誘電体フ
ィルタでは、絶縁体上に複数の共振部間を電磁界結合さ
せる結合電極を形成しているので、複数の共振部間の結
合を強くすることができる。As described above, in the dielectric filter according to the eighth aspect, since the coupling electrode for electromagnetically coupling the plurality of resonating parts is formed on the insulator, the coupling between the plurality of resonating parts is strengthened. can do.
【００７４】上記したように、請求項１４に係る誘電体
デュプレクサでは、前記第１の共振部群の形状と、前記
第２の共振部群の形状とが異なっているので、前記第１
の共振部群が構成する第１のフィルタの通過帯域やスプ
リアス特性と前記第２の共振部群が構成する第２のフィ
ルタの通過帯域やスプリアス特性を異ならせることがで
きる。As described above, in the dielectric duplexer according to the fourteenth aspect, since the shape of the first resonance unit group is different from the shape of the second resonance unit group,
The passband and spurious characteristics of the first filter formed by the group of resonance units can be made different from the passband and spurious characteristics of the second filter formed by the second group of resonance units.
【００７５】上記したように、請求項１５に係る誘電体
デュプレクサでは、前記第１の共振部群を構成する前記
複数の第１の開口部及び前記複数の第２の開口部内で、
または、前記第２の共振部群を構成する前記複数の第１
の開口部及び前記複数の第２の開口部内異なる形状の前
記複数の第１の開口部及び前記複数の第２の開口部を有
しているので、前記第１の共振部群が構成する第１のフ
ィルタの通過帯域特性やスプリアス特性、または、前記
第２の共振部群が構成する第２のフィルタの通過帯域特
性やスプリアス特性を、この開口部の形状や配置で所望
の値にすることができる。As described above, in the dielectric duplexer according to the fifteenth aspect, in the plurality of first openings and the plurality of second openings constituting the first resonance section group,
Alternatively, the plurality of first resonators constituting the second resonance unit group
And the plurality of first openings and the plurality of second openings having different shapes in the plurality of second openings and the plurality of second openings. The passband characteristics and spurious characteristics of the first filter or the passband characteristics and spurious characteristics of the second filter formed by the second resonance unit group are set to desired values by the shape and arrangement of the opening. Can be.
【００７６】上記したように、請求項２１に係る発振器
では、前記共振回路が発振周波数可変回路を有している
ので、発振周波数を可変することができる。As described above, in the oscillator according to claim 21, since the resonance circuit has the oscillation frequency variable circuit, the oscillation frequency can be varied.
【００７７】上記したように、請求項２２に係る発振器
では、前記発振周波数可変回路が電圧によって制御され
ているので、電圧制御発振器を得ることができる。As described above, in the oscillator according to claim 22, since the oscillation frequency variable circuit is controlled by the voltage, a voltage controlled oscillator can be obtained.
【００７８】請求項２７に係る高周波モジュールでは、
共振部を構成している誘電体基板をそのまま配線基板と
して用い、その配線電極に電子部品素子を接続している
ので、高周波モジュールを集積化することができる。In the high-frequency module according to claim 27,
Since the dielectric substrate constituting the resonance part is used as it is as the wiring substrate and the electronic component elements are connected to the wiring electrodes, the high-frequency module can be integrated.
【００７９】[0079]
【発明の実施の形態】以下、本発明の第１の実施の形態
を図１を用いて説明する。図１は第１の実施の形態に係
る誘電体共振器の分解斜視図である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. FIG. 1 is an exploded perspective view of the dielectric resonator according to the first embodiment.
【００８０】図１に示すように、誘電体共振器１は、誘
電体基板２と導電体板３ａ、３ｂから構成されている。As shown in FIG. 1, the dielectric resonator 1 includes a dielectric substrate 2 and conductive plates 3a and 3b.
【００８１】誘電体基板２は、一定の比誘電率を有して
おり、その両主面に１つの円形状の開口部を有する導体
２ａ、２ｂが両主面の開口部が互いに対向するように形
成されることにより構成されている。また、誘電体基板
２の導体２ａ、２ｂの開口部は所定の周波数に応じた大
きさに設定されている。The dielectric substrate 2 has a certain relative permittivity, and the conductors 2a and 2b having one circular opening on both main surfaces are arranged such that the openings on both main surfaces face each other. It is constituted by being formed in. The openings of the conductors 2a and 2b of the dielectric substrate 2 are set to have a size corresponding to a predetermined frequency.
【００８２】誘電体基板２の導体２ａ側には、導体２ａ
上に薄膜形成技術により絶縁体層２ｃが形成されてい
る。この絶縁体層２ｃはポリテトラフルオロエチレン等
の低誘電率の材料を用いている。さらに、絶縁体層２ｃ
上には電極４が形成されている。On the conductor 2a side of the dielectric substrate 2, the conductor 2a
An insulator layer 2c is formed thereon by a thin film forming technique. The insulator layer 2c is made of a material having a low dielectric constant such as polytetrafluoroethylene. Further, the insulator layer 2c
The electrode 4 is formed thereon.
【００８３】導電体板３ａ、３ｂは、開口部付近で誘電
体基板２から間隔を隔てて、誘電体基板２を挟むように
配置固定されており、電極４と導電体板３ａ、３ｂは絶
縁されている。また、電極４は導電体板３ａ、３ｂから
導出されている。The conductor plates 3a and 3b are arranged and fixed so as to sandwich the dielectric substrate 2 at a distance from the dielectric substrate 2 near the opening, and the electrodes 4 and the conductor plates 3a and 3b are insulated. Have been. The electrode 4 is led out of the conductor plates 3a, 3b.
【００８４】このように構成することにより、開口部及
びそれに挟まれた部分の誘電体基板が共振部として働く
ので、１つの共振部を有する誘電体共振器１が得られ
る。また、このように、本実施の形態の構成では、電極
を開口部に近付けて構成できるので、より強い入出力端
子結合が得られる。また、絶縁体層２ｃは薄膜で形成さ
れているので、その厚みを自由にコントロールすること
ができ、入出力端子電極と共振部との距離設定を高精度
に行うことができる。さらに、高誘電率の誘電体基板に
比べて絶縁体層はポリテトラフルオロエチレン等の低誘
電率の材料で構成されているため、同一面に形成された
他の電極と不要な結合が生じることによる特性劣化を防
ぐことができる。また、絶縁体層を低誘電率の材料で構
成しているので、低損失にすることができ、共振部の共
振周波数や無負荷Ｑに与える影響を少なくすることがで
きる。With this configuration, the opening and the portion of the dielectric substrate sandwiched between the openings function as a resonance portion, and thus the dielectric resonator 1 having one resonance portion is obtained. Further, as described above, in the configuration of the present embodiment, since the electrodes can be configured close to the opening, stronger input / output terminal coupling can be obtained. Further, since the insulator layer 2c is formed of a thin film, its thickness can be freely controlled, and the distance between the input / output terminal electrode and the resonance section can be set with high accuracy. Furthermore, since the insulator layer is made of a material with a low dielectric constant such as polytetrafluoroethylene as compared with a dielectric substrate with a high dielectric constant, unnecessary coupling with other electrodes formed on the same surface may occur. Characteristics can be prevented. Further, since the insulator layer is made of a material having a low dielectric constant, the loss can be reduced, and the influence on the resonance frequency of the resonance portion and the no-load Q can be reduced.
【００８５】なお、図１では絶縁体層２ｃは誘電体基板
２の導体２ａ側にのみ形成されたがこれに限るものでは
なく、例えば、図２に示すように、誘電体基板２の導体
２ｂ側に設けてもよい。In FIG. 1, the insulator layer 2c is formed only on the conductor 2a side of the dielectric substrate 2, but this is not a limitation. For example, as shown in FIG. It may be provided on the side.
【００８６】次に、本発明の第２の実施の形態を図２を
用いて説明する。図２は第２の実施の形態に係る誘電体
フィルタの分解斜視図である。Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 2 is an exploded perspective view of the dielectric filter according to the second embodiment.
【００８７】図２に示すように、誘電体フィルタ１１
は、誘電体基板１２と導電体板１３ａ、１３ｂから構成
されている。As shown in FIG. 2, the dielectric filter 11
Is composed of a dielectric substrate 12 and conductor plates 13a and 13b.
【００８８】誘電体基板１２は、一定の比誘電率を有し
ており、その両主面に２つの円形状の開口部を有する導
体１２ａ、１２ｂが両主面の開口部が互いに対向するよ
うに形成されることにより構成されている。また、誘電
体基板１２の導体１２ａ、１２ｂの開口部は所定の周波
数に応じた大きさに設定されている。The dielectric substrate 12 has a certain relative permittivity, and the conductors 12a and 12b having two circular openings on both main surfaces thereof are arranged such that the openings on both main surfaces face each other. It is constituted by being formed in. The openings of the conductors 12a and 12b of the dielectric substrate 12 are set to have a size corresponding to a predetermined frequency.
【００８９】誘電体基板１２の導体１２ａ側には、導体
１２ａ上に薄膜形成技術により絶縁体層１２ｃが形成さ
れている。この絶縁体層１２ｃはポリテトラフルオロエ
チレン等の低誘電率の材料を用いている。さらに、絶縁
体層１２ｃ上には入力端子電極１４ａ、出力端子電極１
４ｂが形成されている。On the conductor 12a side of the dielectric substrate 12, an insulator layer 12c is formed on the conductor 12a by a thin film forming technique. The insulator layer 12c is made of a material having a low dielectric constant such as polytetrafluoroethylene. Furthermore, on the insulator layer 12c, the input terminal electrode 14a and the output terminal electrode 1
4b is formed.
【００９０】導電体板１３ａ、１３ｂは、開口部付近で
誘電体基板１２から間隔を隔てて、誘電体基板１２を挟
むように配置固定されており、入力端子電極１４ａと出
力端子用電極１４ｂと導電体板１３ａ、１３ｂは絶縁さ
れている。また、入力端子電極１４ａと出力端子電極１
４ｂは導電体板１３ａ、１３ｂから導出されている。The conductor plates 13a and 13b are arranged and fixed so as to sandwich the dielectric substrate 12 at a distance from the dielectric substrate 12 in the vicinity of the opening, and the input terminal electrode 14a and the output terminal electrode 14b are fixed. The conductor plates 13a and 13b are insulated. Further, the input terminal electrode 14a and the output terminal electrode 1
4b is derived from the conductor plates 13a and 13b.
【００９１】このように構成することにより、開口部及
びそれに挟まれた部分の誘電体基板が共振部として働く
ので、２段の共振部を有する誘電体フィルタ１１が得ら
れる。また、このように、本実施の形態の構成では、従
来の構造に比べて入出力端子電極を開口部に近付けて構
成できるので、より強い入出力結合が得られる。また、
絶縁体層１２ｃは薄膜で形成されているので、その厚み
を自由にコントロールすることができ、入出力端子電極
と共振部との距離設定を高精度に行うことができる。さ
らに、高誘電率の誘電体基板に比べて絶縁体層はポリテ
トラフルオロエチレン等の低誘電率の材料で構成されて
いるため、入出力端子電極間あるいは同一面に形成され
た他の電極と不要な結合が生じることによる特性劣化を
防ぐことができる。また、絶縁体層を低誘電率の材料で
構成しているので、低損失にすることができ、共振部の
共振周波数や無負荷Ｑに与える影響を少なくすることが
できる。With this configuration, the opening and the portion of the dielectric substrate sandwiched between the openings function as a resonance section, so that the dielectric filter 11 having a two-stage resonance section can be obtained. Further, as described above, in the configuration of the present embodiment, since the input / output terminal electrode can be configured closer to the opening as compared with the conventional structure, stronger input / output coupling can be obtained. Also,
Since the insulator layer 12c is formed of a thin film, its thickness can be freely controlled, and the distance between the input / output terminal electrode and the resonance section can be set with high accuracy. Furthermore, since the insulator layer is made of a material having a low dielectric constant such as polytetrafluoroethylene as compared with a dielectric substrate having a high dielectric constant, the insulating layer can be connected to other electrodes formed between input / output terminal electrodes or on the same surface. It is possible to prevent characteristic deterioration due to generation of unnecessary coupling. Further, since the insulator layer is made of a material having a low dielectric constant, the loss can be reduced, and the influence on the resonance frequency of the resonance portion and the no-load Q can be reduced.
【００９２】なお、図２では２段の共振部を構成した誘
電体フィルタについて説明したがこれに限るものではな
く、３段以上の共振部を有する誘電体フィルタを構成し
てもよい。In FIG. 2, a dielectric filter having two stages of resonance units has been described. However, the present invention is not limited to this, and a dielectric filter having three or more stages of resonance units may be used.
【００９３】また、図２では絶縁体層１２ｃは誘電体基
板１２の導体１２ａ側にのみ形成されたがこれに限るも
のではなく、例えば、図２に示すように、誘電体基板１
２の導体１２ｂ側に設けてもよい。In FIG. 2, the insulator layer 12c is formed only on the conductor 12a side of the dielectric substrate 12, but this is not a limitation. For example, as shown in FIG.
It may be provided on the side of the second conductor 12b.
【００９４】さらに、本発明の第２の実施の形態の変形
例を図３を用いて説明する。図３は、誘電体基板１２の
導体１２ａ側及び導体１２ｂ側の両方に絶縁体層１２
ｃ、１２ｄを形成した誘電体フィルタ１１ａの分解斜視
図である。なお、図２と同じ部分には同じ符号を付し、
詳細な説明は省略する。Further, a modification of the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 3 shows that the insulator layers 12 are provided on both the conductor 12a side and the conductor 12b side of the dielectric substrate 12.
It is an exploded perspective view of dielectric filter 11a in which c and 12d were formed. The same parts as those in FIG.
Detailed description is omitted.
【００９５】図３に示すように、図２と異なる点は、絶
縁体層１２ｄが形成されている点と、結合調整用電極１
４ｃが形成されている点である。As shown in FIG. 3, the point different from FIG. 2 is that the insulator layer 12d is formed and the coupling adjusting electrode 1
4c is formed.
【００９６】誘電体基板１２の導体１２ａ側には、絶縁
体層１２ｃが形成されており、絶縁体層１２ｃ上には入
力端子電極１４ａが形成されている。さらに、誘電体基
板１２の導体１２ｂ側には、絶縁体層１２ｄが形成され
ており、絶縁体層１２ｄ上には出力端子電極１４ｂが形
成されている。On the conductor 12a side of the dielectric substrate 12, an insulator layer 12c is formed, and on the insulator layer 12c, an input terminal electrode 14a is formed. Furthermore, an insulator layer 12d is formed on the conductor 12b side of the dielectric substrate 12, and an output terminal electrode 14b is formed on the insulator layer 12d.
【００９７】また、絶縁体層１２ｃ上には、導体１２ａ
の２つの開口部に重なるように結合電極１４ｃを形成し
ている。The conductor 12a is formed on the insulator layer 12c.
The coupling electrode 14c is formed so as to overlap the two openings.
【００９８】このように、入力端子電極１４ａと出力端
子電極１４ｂとを誘電体基板１２の異なる面に形成した
ので、入出力端子電極１４ａ、１４ｂ間で電磁気的に結
合することを防止することができる。また、結合電極１
４ｃを形成することによって、２つの共振部間の結合を
強めることができる。この結合電極１４ｃの大きさを調
整することによって共振部間の結合を自由に設定でき
る。As described above, since the input terminal electrode 14a and the output terminal electrode 14b are formed on different surfaces of the dielectric substrate 12, it is possible to prevent electromagnetic coupling between the input / output terminal electrodes 14a and 14b. it can. Also, the coupling electrode 1
By forming 4c, the coupling between the two resonance units can be strengthened. By adjusting the size of the coupling electrode 14c, the coupling between the resonance parts can be set freely.
【００９９】以下、本発明の第３の実施の形態を図４を
用いて説明する。図４は第３の実施の形態に係る誘電体
デュプレクサの分解斜視図である。Hereinafter, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 4 is an exploded perspective view of the dielectric duplexer according to the third embodiment.
【０１００】図４に示すように、誘電体デュプレクサ７
１は、誘電体基板７２と導電体板７３ａ、７３ｂから構
成されている。As shown in FIG. 4, the dielectric duplexer 7
1 is composed of a dielectric substrate 72 and conductor plates 73a and 73b.
【０１０１】誘電体基板７２は、一定の比誘電率を有し
ており、その両主面に４つの円形状の開口部を有する導
体７２ａ、７２ｂが両主面の開口部が互いに対向するよ
うに形成されることにより構成されている。また、誘電
体基板７２の導体７２ａ、７２ｂの開口部は所定の周波
数に応じた大きさに設定されている。The dielectric substrate 72 has a certain relative permittivity, and conductors 72a and 72b having four circular openings on both main surfaces thereof are arranged such that the openings on both main surfaces face each other. It is constituted by being formed in. The openings of the conductors 72a and 72b of the dielectric substrate 72 are set to have a size corresponding to a predetermined frequency.
【０１０２】このように構成することにより、導体７２
ａ、７２ｂの開口部及びそれに挟まれた部分の誘電体基
板が共振するので、４つの共振部が形成されることにな
る。この４つの共振部のうち２つが第１の共振部群７５
を構成して送信フィルタとして機能し、４つの共振部の
うち残る２つが第２の共振部群７６を構成して受信フィ
ルタとして機能する。With this configuration, the conductor 72
Since the openings a and 72b and the portion of the dielectric substrate sandwiched therebetween resonate, four resonating portions are formed. Two of the four resonating units are the first resonating unit group 75
To function as a transmission filter, and the remaining two of the four resonating units form a second resonating unit group 76 and function as a receiving filter.
【０１０３】誘電体基板７２の導体７２ａ側には、導体
７２ａ上に薄膜形成技術により絶縁体層７２ｃが形成さ
れている。この絶縁体層７２ｃはポリテトラフルオロエ
チレン等の低誘電率の材料を用いている。さらに、絶縁
体層７２ｃ上には入力端子電極７４ａ、出力端子電極７
４ｂ、アンテナ端子電極７４ｃが形成されている。On the conductor 72a side of the dielectric substrate 72, an insulator layer 72c is formed on the conductor 72a by a thin film forming technique. The insulator layer 72c is made of a material having a low dielectric constant such as polytetrafluoroethylene. Further, the input terminal electrode 74a and the output terminal electrode 7 are formed on the insulator layer 72c.
4b, an antenna terminal electrode 74c is formed.
【０１０４】入力端子電極７４ａは第１の共振部群７５
に電磁界結合して送信フィルタの入力端子電極として機
能し、アンテナ端子電極７４ｃは第１の共振部群７５に
電磁界結合して送信フィルタの出力端子電極として機能
する。アンテナ端子電極７４ｃは第２の共振部群７６に
電磁界結合して受信フィルタの入力端子電極として機能
し、出力端子電極７４ｂは第２の共振部群７５に電磁界
結合して受信フィルタの出力端子電極として機能する。The input terminal electrode 74a is connected to the first resonance section group 75.
The antenna terminal electrode 74c is electromagnetically coupled to the first resonance unit group 75 and functions as an output terminal electrode of the transmission filter. The antenna terminal electrode 74c is electromagnetically coupled to the second resonance section group 76 to function as an input terminal electrode of the reception filter, and the output terminal electrode 74b is electromagnetically coupled to the second resonance section group 75 and outputs the output of the reception filter. Functions as a terminal electrode.
【０１０５】導電体板７３ａ、７３ｂは、開口部付近で
誘電体基板７２から間隔を隔てて、誘電体基板７２を挟
むように配置固定されており、入力端子電極７４ａ及び
出力端子用電極７４ｂ、アンテナ端子電極７４ｃと導電
体板７３ａ、７３ｂは絶縁されている。また、入力端子
電極７４ａ及び出力端子電極７４ｂ、アンテナ端子電極
７４ｃは導電体板７３ａ、７３ｂから導出されている。The conductor plates 73a and 73b are arranged and fixed at a distance from the dielectric substrate 72 near the opening so as to sandwich the dielectric substrate 72, and the input terminal electrode 74a and the output terminal electrode 74b, The antenna terminal electrode 74c and the conductor plates 73a and 73b are insulated. Further, the input terminal electrode 74a, the output terminal electrode 74b, and the antenna terminal electrode 74c are derived from the conductor plates 73a, 73b.
【０１０６】このように構成することにより、２段の共
振部を有する送信フィルタと２段の共振部を有する受信
フィルタとから構成される誘電体デュプレクサが得られ
る。また、このように、本実施の形態の構成では、従来
の構造に比べて入出力端子電極を開口部に近付けて構成
できるので、より強い入出力端子結合が得られる。ま
た、絶縁体層２ｃは薄膜で形成されているので、その厚
みを自由にコントロールすることができ、入出力端子電
極と共振部との距離設定を高精度に行うことができる。
したがって、送信フィルタと受信フィルタとの距離設定
も高精度に行うことができ、互いの不必要な結合を防ぐ
ことができる。With this configuration, it is possible to obtain a dielectric duplexer including a transmission filter having two stages of resonance parts and a reception filter having two stages of resonance parts. Further, as described above, in the configuration of the present embodiment, since the input / output terminal electrode can be configured closer to the opening as compared with the conventional structure, stronger input / output terminal coupling can be obtained. Further, since the insulator layer 2c is formed of a thin film, its thickness can be freely controlled, and the distance between the input / output terminal electrode and the resonance section can be set with high accuracy.
Therefore, the distance between the transmission filter and the reception filter can be set with high accuracy, and unnecessary coupling with each other can be prevented.
【０１０７】さらに、高誘電率の誘電体基板に比べて絶
縁体層はポリテトラフルオロエチレン等の低誘電率の材
料で構成されているため、入出力端子電極間、アンテナ
端子電極あるいは同一面に形成された他の電極等と不要
な結合が生じることによる特性劣化を防ぐことができ
る。また、絶縁体層を低誘電率の材料で構成しているの
で、低損失にすることができ、共振部の共振周波数や無
負荷Ｑに与える影響を少なくすることができる。Further, since the insulating layer is made of a material having a low dielectric constant such as polytetrafluoroethylene as compared with a dielectric substrate having a high dielectric constant, the insulating layer is formed between input / output terminal electrodes, an antenna terminal electrode or the same surface. It is possible to prevent characteristic deterioration due to unnecessary coupling with other formed electrodes and the like. Further, since the insulator layer is made of a material having a low dielectric constant, the loss can be reduced, and the influence on the resonance frequency of the resonance portion and the no-load Q can be reduced.
【０１０８】次に、第３の実施形態の変形例について図
５を用いて説明する。本変形例の誘電体デュプレクサ８
１は、送信フィルタを構成する第１の共振部群８５の形
状と受信フィルタを構成する第２の共振部群８６の形状
を異ならせた点で、図７で説明した誘電体デュプレクサ
７１と異なる。Next, a modification of the third embodiment will be described with reference to FIG. Dielectric duplexer 8 of the present modified example
1 is different from the dielectric duplexer 71 described with reference to FIG. 7 in that the shape of the first resonance unit group 85 forming the transmission filter is different from the shape of the second resonance unit group 86 forming the reception filter. .
【０１０９】すなわち、第１の共振部群を構成する２つ
の共振部の一つ当たりの大きさを、第２の共振部群を構
成する３つの共振部の一つ当たりの大きさよりも大きく
している。That is, the size per one of the two resonating units constituting the first resonating unit group is made larger than the size per one of the three resonating units constituting the second resonating unit group. ing.
【０１１０】このように送信フィルタを構成する第１の
共振部群８５の形状と受信フィルタを構成する第２の共
振部群８６の形状を異ならせることにより、送信フィル
タと受信フィルタの通過帯域やスプリアス特性を異なら
せることができる。By making the shape of the first resonance unit group 85 forming the transmission filter different from the shape of the second resonance unit group 86 forming the reception filter in this way, the pass band of the transmission filter and the reception filter can be improved. The spurious characteristics can be different.
【０１１１】なお、本変形例では送信フィルタを構成す
る第１の共振部群の大きさを受信フィルタを構成する第
２の共振部群の大きさよりも大きく設定しているが、こ
れに限るものではなく、逆に第１の共振部群の大きさを
第２の共振部群の大きさよりも小さくしてもよい。In this modification, the size of the first resonance unit group forming the transmission filter is set to be larger than the size of the second resonance unit group forming the reception filter. However, the present invention is not limited to this. Instead, the size of the first resonance unit group may be made smaller than the size of the second resonance unit group.
【０１１２】また、本変形例では第１の共振部群の大き
さと第２の共振部群の大きさを異ならせることにより、
送信フィルタと受信フィルタの通過帯域やスプリアス特
性を異ならせたが、これに限るものではなく、例えば、
第１の共振部群の開口部の形状を矩形にし、第２の共振
部群の開口部の形状を円形にすることにより、送信フィ
ルタと受信フィルタの通過帯域やスプリアス特性を異な
らせてもよい。In this modification, the size of the first resonance unit group and the size of the second resonance unit group are made different from each other.
Although the pass band and spurious characteristics of the transmission filter and the reception filter are different, this is not a limitation. For example,
By making the shape of the opening of the first resonance unit group rectangular and the shape of the opening of the second resonance unit group circular, the passbands and spurious characteristics of the transmission filter and the reception filter may be made different. .
【０１１３】さらに、第３の実施形態の他の変形例につ
いて図６を用いて説明する。本変形例の誘電体デュプレ
クサ９１は、送信フィルタを構成する第１の共振部群９
５内での開口部の形状を異ならせている点及び受信フィ
ルタを構成する第２の共振部群９６の開口部の形状を異
ならせている点で、図４で説明した誘電体デュプレクサ
９１と異なる。Further, another modification of the third embodiment will be described with reference to FIG. The dielectric duplexer 91 of the present modified example includes a first resonance unit group 9 forming a transmission filter.
The difference between the dielectric duplexer 91 described with reference to FIG. 4 is that the shape of the opening in the fifth duplexer 5 is different and that the shape of the opening of the second resonating unit group 96 constituting the receiving filter is different. different.
【０１１４】すなわち、第１の共振部群を構成する２つ
の共振部をそれぞれ異なる大きさにしている。また、第
２の共振部群を構成する３つの共振部を異なる大きさ及
び異なる形状にしている。That is, the two resonating units constituting the first resonating unit group are different in size. In addition, the three resonating units forming the second resonating unit group have different sizes and different shapes.
【０１１５】このように送信フィルタを構成する第１の
共振部群９５内または受信フィルタを構成する第２の共
振部群９６内の形状を異ならせることにより、送信フィ
ルタまたは受信フィルタの通過帯域やスプリアス特性を
所望の値に設定することができる。As described above, by changing the shape of the inside of the first resonance unit group 95 constituting the transmission filter or the inside of the second resonance unit group 96 constituting the reception filter, the pass band of the transmission filter or the reception filter can be improved. The spurious characteristic can be set to a desired value.
【０１１６】次に、第４の実施の形態について図７を用
いて説明する。図７は第４の実施の形態に係る電圧制御
発振器の分解斜視図である。Next, a fourth embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 7 is an exploded perspective view of the voltage controlled oscillator according to the fourth embodiment.
【０１１７】図７に示すように、電圧制御発振器２１
は、誘電体基板２２と導電体板２３ａ、２３ｂから構成
されている。As shown in FIG. 7, the voltage controlled oscillator 21
Is composed of a dielectric substrate 22 and conductive plates 23a and 23b.
【０１１８】一定の比誘電率を有する誘電体基板２２の
両主面に１つの円形状の開口部を有する電極２２ａ、２
２ｂが両主面の開口部が互いに対向するように形成され
ている。Electrodes 22a, 22a having one circular opening on both main surfaces of dielectric substrate 22 having a constant relative dielectric constant.
2b is formed such that the openings on both main surfaces face each other.
【０１１９】誘電体基板２２の導体２２ａ、２２ｂの開
口部は所定の周波数に応じた大きさに設定されている。
また、誘電体基板２２の導体２２ａ側には、ポリテトラ
フルオロエチレン等の低誘電率の絶縁体層２２ｃが形成
されている。The openings of the conductors 22a and 22b of the dielectric substrate 22 are set to have a size corresponding to a predetermined frequency.
On the conductor 22a side of the dielectric substrate 22, a low dielectric constant insulator layer 22c such as polytetrafluoroethylene is formed.
【０１２０】絶縁体層２２ｃ上には、主線路を構成する
マイクロストリップ線路２４と副線路を構成するマイク
ロストリップ線路２５が導体２２ａの開口部と図７にお
ける上下方向で重なるように形成されている。On the insulator layer 22c, a microstrip line 24 constituting a main line and a microstrip line 25 constituting a sub line are formed so as to overlap the opening of the conductor 22a in the vertical direction in FIG. .
【０１２１】マイクロストリップ線路２４はその一端が
抵抗膜２６を介してアース電極２７に接続されており、
その他端が電界効果トランジスタ２８のゲートに接続さ
れている。The microstrip line 24 has one end connected to a ground electrode 27 via a resistance film 26.
The other end is connected to the gate of the field effect transistor 28.
【０１２２】この主線路を構成するマイクロストリップ
線路２４と、導体２２ａ、２２ｂの開口部及びそれに挟
まれた部分の誘電体基板により構成される共振部とが電
磁界結合することにより、共振回路が構成される。The microstrip line 24 constituting the main line is electromagnetically coupled with the resonance portion formed by the openings of the conductors 22a and 22b and the dielectric substrate sandwiched between the openings, thereby forming a resonance circuit. Be composed.
【０１２３】マイクロストリップ線路２５はその一端が
バラクタダイオード２９を介してアース電極２７に接続
されており、他端は開放端になっている。One end of the microstrip line 25 is connected to the ground electrode 27 via the varactor diode 29, and the other end is an open end.
【０１２４】この副線路を構成するマイクロストリップ
線路２５とバラクタダイオード２９により、発振周波数
可変回路を構成している。The microstrip line 25 and the varactor diode 29 constituting the sub-line constitute an oscillation frequency variable circuit.
【０１２５】また、マイクロストリップ線路２５のバラ
クタダイオード２９の接続端には並列にインダクタ３０
が接続されており、インダクタ３０は抵抗膜３１を介し
てバイアス電圧を加えるためのバイアス電極３２に接続
されている。またバイアス電極３２には主線路を構成す
るマイクロストリップ線路２４が抵抗膜２６を介して接
続されているア−ス電極２７に接続されている。The inductor 30 is connected in parallel to the connection end of the varactor diode 29 of the microstrip line 25.
Are connected, and the inductor 30 is connected via a resistive film 31 to a bias electrode 32 for applying a bias voltage. Further, the microstrip line 24 constituting the main line is connected to the bias electrode 32 to an earth electrode 27 connected via a resistive film 26.
【０１２６】電界効果トランジスタ２８は、ドレインが
マイクロストリップ線路３４を介して入力端子電極３５
ａに接続されており、ソースがマイクロストリップ線路
３６の一端に接続されている。また、入力端子電極３５
ａは、コンデンサ４０を介してアース電極２７に接続さ
れている。The field effect transistor 28 has a drain connected to the input terminal electrode 35 via the microstrip line 34.
a, and the source is connected to one end of the microstrip line 36. Also, the input terminal electrode 35
a is connected to the ground electrode 27 via the capacitor 40.
【０１２７】マイクロストリップ線路３４には電界効果
トランジスタ２８のドレインとの接続点に整合用のスタ
ブ３７が接続されている。A matching stub 37 is connected to the microstrip line 34 at a connection point with the drain of the field effect transistor 28.
【０１２８】マイクロストリップ線路３６は、他端が抵
抗膜３８を介してアース電極２７に接続されている。ま
た、マイクロストリップ線路３６は、電磁気的に結合す
るように、マイクロストリップ線路３９と一定の間隔を
おいて平行に形成されている。The other end of the microstrip line 36 is connected to the ground electrode 27 via the resistance film 38. Further, the microstrip line 36 is formed in parallel with the microstrip line 39 at a predetermined interval so as to be electromagnetically coupled.
【０１２９】マイクロストリップ線路３９は出力端子電
極３５ｂに接続されている。The microstrip line 39 is connected to the output terminal electrode 35b.
【０１３０】さらに、すべてのアース電極２７はスルー
ホールを介して導体２２ａに接続されている。Further, all the ground electrodes 27 are connected to the conductor 22a via through holes.
【０１３１】絶縁性パッケージ２３は、第１の絶縁性基
板２３ａと第２の絶縁性基板２３ｂとから構成されてい
る。The insulating package 23 includes a first insulating substrate 23a and a second insulating substrate 23b.
【０１３２】第１の絶縁性基板２３ａは凹部２３ｃを有
しており、凹部２３ｃを取り巻くように外部端子２３ｄ
が形成されている。また、凹部２３ｃの底面には導体２
３ｅが形成されている第２の絶縁性基板２３ｂは第１の
絶縁性基板２３ａの凹部２３ｃよりも大きい穴２３ｆが
形成されており、この穴２３ｆから第１の絶縁性基板２
３ａの凹部２３ｃと外部端子２３ｄが露出するように積
層されている。The first insulating substrate 23a has a concave portion 23c, and external terminals 23d are formed so as to surround the concave portion 23c.
Are formed. The conductor 2 is provided on the bottom surface of the concave portion 23c.
In the second insulating substrate 23b on which the third insulating substrate 3e is formed, a hole 23f larger than the concave portion 23c of the first insulating substrate 23a is formed.
It is laminated so that the recess 23c of 3a and the external terminal 23d are exposed.
【０１３３】この穴２３ｆに、上記誘電体基板２２が、
絶縁層２２ｃ側を下面にして、入出力端子電極及びバイ
アス電極やアース電極が外部端子２３ｄにそれぞれ接続
されるように収納され、図示しない導電体板で封止され
る。In this hole 23f, the dielectric substrate 22 is inserted.
The input / output terminal electrode, the bias electrode, and the ground electrode are housed so as to be connected to the external terminals 23d, respectively, with the insulating layer 22c side facing down, and sealed with a conductor plate (not shown).
【０１３４】以上のような構成で、バラクタダイオード
２９が印加電圧に応じて可変容量となり、導体２２ａ、
２２ｂの開口部とその間に位置する部分の誘電体基板２
２により構成される共振部の共振周波数を変化させ、発
振周波数が変化するようになっている。With the above configuration, the varactor diode 29 becomes a variable capacitor according to the applied voltage, and the conductor 22a,
22b and the portion of the dielectric substrate 2 located between the openings
The oscillation frequency is changed by changing the resonance frequency of the resonating unit constituted by 2.
【０１３５】このように、本実施の形態の構成では、従
来構造に比べて共振部の厚みを大幅に薄くすることがで
きるので、電圧制御発振器自体の高さも従来構造に比べ
て薄くすることができる。また、共振部と主線路を構成
するマイクロストリップ線路２４及び副線路を構成する
マイクロストリップ線路２５を従来の構造よりも近付け
て構成できるので、より強い入出力端子結合が得られ
る。また、絶縁体層２２ｃは薄膜で形成されているの
で、その厚みを自由にコントロールすることができ、マ
イクロストリップ線路と共振部との距離設定を高精度に
行うことができる。As described above, in the configuration of the present embodiment, the thickness of the resonance portion can be significantly reduced as compared with the conventional structure, and therefore, the height of the voltage controlled oscillator itself can be reduced as compared with the conventional structure. it can. Further, since the microstrip line 24 forming the main line and the microstrip line 25 forming the sub line can be configured closer to the conventional structure, stronger input / output terminal coupling can be obtained. Further, since the insulator layer 22c is formed of a thin film, its thickness can be freely controlled, and the distance between the microstrip line and the resonance section can be set with high accuracy.
【０１３６】さらに、高誘電率の誘電体基板に比べて絶
縁体層はポリテトラフルオロエチレン等の低誘電率の材
料で構成されているため、配線電極間、主線路と副線路
あるいは同一面に形成された他の電極等と不要な結合が
生じることによる特性劣化を防ぐことができる。また、
絶縁体層を低誘電率の材料で構成しているので、低損失
にすることができ、共振部の共振周波数や無負荷Ｑに与
える影響を少なくすることができる。Furthermore, since the insulating layer is made of a material having a low dielectric constant such as polytetrafluoroethylene as compared with a dielectric substrate having a high dielectric constant, the insulating layer is formed between the wiring electrodes, the main line and the sub line, or on the same plane. It is possible to prevent characteristic deterioration due to unnecessary coupling with other formed electrodes and the like. Also,
Since the insulator layer is made of a material having a low dielectric constant, the loss can be reduced, and the influence on the resonance frequency of the resonance section and the no-load Q can be reduced.
【０１３７】また、本実施の形態のような共振部は従来
のＴＥ０１δモード誘電体共振器に比べてエネルギーの
閉じ込め性がよいので、主線路を構成するマイクロスト
リップ線路２４及び副線路を構成するマイクロストリッ
プ線路２５以外の線路や部品と不要な結合が生じない。
したがって、従来に比べて自由な配線設計を行うことが
できる。また、本実施の形態では、絶縁性パッケージの
外部端子に入出力端子電極及びバイアス電極やアース電
極を直接接続したので、ボンディングワイヤが不要にな
り、高周波での不要なインダクタンスを無くすことがで
きる。Also, since the resonance section as in the present embodiment has better energy confinement than the conventional TE01δ mode dielectric resonator, the microstrip line 24 forming the main line and the microstrip line forming the sub-line are formed. Unnecessary coupling with lines and components other than the strip line 25 does not occur.
Therefore, it is possible to design a wiring more freely than in the conventional case. Further, in this embodiment, since the input / output terminal electrode, the bias electrode, and the ground electrode are directly connected to the external terminals of the insulating package, a bonding wire becomes unnecessary, and unnecessary inductance at high frequencies can be eliminated.
【０１３８】なお、本実施の形態では電圧制御発振器を
用いて説明したがこれに限るものではなく、例えば制御
機能のない通常の発振器を構成することも可能である。Although the present embodiment has been described using a voltage-controlled oscillator, the present invention is not limited to this. For example, a normal oscillator having no control function can be used.
【０１３９】また、本実施の形態で説明した第２の導電
体板となる絶縁性パッケージは、発振器だけでなく、第
１の実施の形態の誘電体共振器、第２の実施の形態の誘
電体フィルタ、第３の実施の形態の誘電体デュプレクサ
にも適用できるものである。Further, the insulating package serving as the second conductive plate described in the present embodiment is not limited to the oscillator, but also includes the dielectric resonator according to the first embodiment and the dielectric resonator according to the second embodiment. It is also applicable to a body filter and the dielectric duplexer of the third embodiment.
【０１４０】次に、第５の実施の形態について図８を用
いて説明する。図８は第５の実施の形態に係る高周波送
受信モジュール４１の分解斜視図である。Next, a fifth embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 8 is an exploded perspective view of the high-frequency transceiver module 41 according to the fifth embodiment.
【０１４１】図８に示すように、高周波送受信モジュー
ル４１は、誘電体基板４２と導電体板４３ａ、４３ｂか
ら構成されている。As shown in FIG. 8, the high-frequency transmission / reception module 41 includes a dielectric substrate 42 and conductive plates 43a and 43b.
【０１４２】一定の比誘電率を有する誘電体基板４２の
両主面に９つの円形状の開口部を有する電極２２ａ、２
２ｂが両主面の開口部が互いに対向するように形成され
ている。The electrodes 22a, 22a having nine circular openings on both main surfaces of a dielectric substrate 42 having a constant relative dielectric constant.
2b is formed such that the openings on both main surfaces face each other.
【０１４３】この９つの対向する開口部及びその間に挟
まれた部分の誘電体基板４２が、間隔をおいて配置され
た導電体板４３ａ、４３ｂに挟まれることにより、共振
部となる。The nine opposing openings and the portion of the dielectric substrate 42 sandwiched between the openings are sandwiched between conductive plates 43a and 43b that are spaced apart from each other to form a resonance portion.
【０１４４】この、共振部がデュプレクサ４６やバンド
パスフィルタ４７、４８、電圧制御発振器４９に用いら
れている。なお、誘電体基板４２の導体４２ａ、４２ｂ
の開口部は所定の周波数に応じた大きさに設定されてい
る。The resonance section is used for the duplexer 46, the bandpass filters 47 and 48, and the voltage controlled oscillator 49. The conductors 42a and 42b of the dielectric substrate 42
Is set to a size corresponding to a predetermined frequency.
【０１４５】誘電体基板４２の導体４２ａ側には、ポリ
テトラフルオロエチレン等の低誘電率の絶縁体層４２ｃ
が形成されている。On the conductor 42a side of the dielectric substrate 42, a low dielectric constant insulating layer 42c such as polytetrafluoroethylene is formed.
Are formed.
【０１４６】絶縁体層４２ｃ上には、配線電極が形成さ
れており、各回路部を接続している。A wiring electrode is formed on the insulator layer 42c, and connects each circuit section.
【０１４７】導電体板４３ａにはスロットアンテナ４３
ｃが形成されている。The conductor plate 43a is provided with a slot antenna 43.
c is formed.
【０１４８】スロットアンテナ４３ｃにはデュプレクサ
４６が接続されている。The duplexer 46 is connected to the slot antenna 43c.
【０１４９】デュプレクサ４６は上記９つの共振部のう
ち４つを用いている。４つの共振部のうち２つは送信用
フィルタを構成しており、残る２つにより受信用フィル
タが構成されている。The duplexer 46 uses four of the above nine resonance parts. Two of the four resonators constitute a transmission filter, and the remaining two constitute a reception filter.
【０１５０】デュプレクサ４６の受信用フィルタにはロ
ーノイズアンプ５０が接続されており、ローノイズアン
プ５０にはバンドパスフィルタ４７が接続されている。
バンドパスフィルタ４７には、ミキサー５１が接続され
ている。ミキサー５１はバンドパスフィルタ４７からの
受信信号と電圧制御発振器４９からのローカル信号を合
成してバンドパスフィルタ５２を介して受信端子５３に
出力端子される。A low-noise amplifier 50 is connected to the receiving filter of the duplexer 46, and a band-pass filter 47 is connected to the low-noise amplifier 50.
The mixer 51 is connected to the bandpass filter 47. The mixer 51 combines the received signal from the bandpass filter 47 and the local signal from the voltage controlled oscillator 49 and outputs the combined signal to the receiving terminal 53 via the bandpass filter 52.
【０１５１】デュプレクサ４６の送信側フィルタにはパ
ワーアンプ５４が接続されており、パワーアンプ５４に
はバンドパスフィルタ４８が接続されている。バンドパ
スフィルタ４８にはミキサー５５が接続されている。ミ
キサー５５は送信端子５６からバンドパスフィルタ５７
を介して入力端子された送信信号と電圧制御発振器４９
からのローカル信号を合成してバンドパスフィルタ４８
に入力端子している。A power amplifier 54 is connected to the transmission-side filter of the duplexer 46, and a band-pass filter 48 is connected to the power amplifier 54. A mixer 55 is connected to the bandpass filter 48. The mixer 55 is connected to a band-pass filter 57 from a transmission terminal 56.
The transmission signal input through the input terminal and the voltage controlled oscillator 49
And a bandpass filter 48.
Input terminal.
【０１５２】電圧制御発振器４９には、増幅用ＦＥＴ５
８、５９が接続されており、増幅用ＦＥＴ５８はミキサ
ー５１、５５に接続されている。増幅用ＦＥＴ５９は２
つのプリスケーラ６０、６１を介してフェイズロックル
ープＩＣ６２に接続されている。フェイズロックループ
ＩＣ６２はローパスフィルタ６３を介して電圧制御発振
器４９に接続されている。The voltage controlled oscillator 49 includes an amplifying FET 5
8 and 59 are connected, and the amplification FET 58 is connected to the mixers 51 and 55. The amplification FET 59 is 2
It is connected to a phase lock loop IC 62 via two prescalers 60, 61. The phase lock loop IC 62 is connected to a voltage controlled oscillator 49 via a low pass filter 63.
【０１５３】このように構成することにより、送受信モ
ジュールの集積化が可能となり小形化が図れる。With this configuration, the transmission and reception modules can be integrated, and the size can be reduced.
【０１５４】なお、本実施の形態の第２の導電体板４３
ｂを、図７に示した第４の実施の形態の導電体板２３ｂ
のような絶縁性パッケージにしてもよい。The second conductor plate 43 of the present embodiment
b is the conductor plate 23b of the fourth embodiment shown in FIG.
Such an insulating package as described above may be used.
【０１５５】以上、本発明を第１の実施の形態から第５
の実施の形態まで説明したが、本発明は第１〜第５の実
施の形態の用途に限らず、共振部を用いた装置であれ
ば、どのような装置であっても、どのような高周波モジ
ュールであっても適用が可能である。As described above, the present invention is described in the first embodiment to the fifth embodiment.
However, the present invention is not limited to the applications of the first to fifth embodiments, and any device using a resonance unit, It can be applied to modules.
【０１５６】[0156]
【発明の効果】以上のように、本発明では、共振部を構
成した誘電体基板の上に絶縁体を設けて電極や線路を形
成することにより、共振部と電極との距離を固定するこ
とができ、共振部と電極や線路の位置関係を高精度に設
定した誘電体共振器、誘電体フィルタ、誘電体デュプレ
クサ、発振器を得ることができる。As described above, according to the present invention, the distance between the resonance part and the electrode is fixed by providing the insulator on the dielectric substrate having the resonance part and forming the electrode and the line. Thus, it is possible to obtain a dielectric resonator, a dielectric filter, a dielectric duplexer, and an oscillator in which the positional relationship between the resonator and the electrodes and the lines is set with high precision.
【０１５７】また、絶縁体に形成した配線電極を配線パ
ターンに用いることで、誘電体共振器装置の集積化がで
きるため、送受信モジュール等の高周波モジュールの小
形化が可能となる。Further, since the dielectric resonator device can be integrated by using the wiring electrode formed on the insulator for the wiring pattern, the size of a high-frequency module such as a transmission / reception module can be reduced.
【図１】第１の実施形態に係る誘電体共振器の分解斜視
図である。FIG. 1 is an exploded perspective view of a dielectric resonator according to a first embodiment.
【図２】第２の実施形態に係る誘電体フィルタの分解斜
視図である。FIG. 2 is an exploded perspective view of a dielectric filter according to a second embodiment.
【図３】第２の実施形態の変形例に係る誘電体フィルタ
の分解斜視図である。FIG. 3 is an exploded perspective view of a dielectric filter according to a modification of the second embodiment.
【図４】第３の実施形態に係る誘電体デュプレクサの分
解斜視図である。FIG. 4 is an exploded perspective view of a dielectric duplexer according to a third embodiment.
【図５】第３の実施形態の変形例に係る誘電体デュプレ
クサの分解斜視図である。FIG. 5 is an exploded perspective view of a dielectric duplexer according to a modification of the third embodiment.
【図６】第３の実施形態の他の変形例に係る誘電体デュ
プレクサの分解斜視図である。FIG. 6 is an exploded perspective view of a dielectric duplexer according to another modification of the third embodiment.
【図７】第４の実施形態に係る電圧制御発振器の分解斜
視図である。FIG. 7 is an exploded perspective view of a voltage controlled oscillator according to a fourth embodiment.
【図８】第４の実施形態に係る高周波送受信モジュール
の一部破砕斜視図である。FIG. 8 is a partially broken perspective view of a high-frequency transceiver module according to a fourth embodiment.
【図９】本願出願人が先に提案した誘電体フィルタの分
解斜視図である。FIG. 9 is an exploded perspective view of a dielectric filter previously proposed by the present applicant.
【図１０】従来の誘電体共振器を用いた電圧制御発振器
の分解斜視図である。FIG. 10 is an exploded perspective view of a conventional voltage controlled oscillator using a dielectric resonator.
１ 誘電体共振器 ２ 誘電体基板 ２ａ、２ｂ 導体 ２ｃ 絶縁体層 ３ａ、３ｂ 導電体板 ４ 電極 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Dielectric resonator 2 Dielectric substrate 2a, 2b Conductor 2c Insulator layer 3a, 3b Conductor plate 4 Electrode
フロントページの続き (72)発明者 平塚 敏郎 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 園田 富哉 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 三上 重幸 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内Continued on the front page (72) Inventor Toshiro Hiratsuka 2-26-10 Tenjin, Nagaokakyo-shi, Kyoto Inside Murata Manufacturing Co., Ltd. (72) Inventor Shigeyuki Mikami 2-26-10 Tenjin, Nagaokakyo-shi, Kyoto Murata Manufacturing Co., Ltd.
Claims (31)
記第１の導体に形成された第１の開口部と、 前記第２の導体から前記誘電体基板が露出するように前
記第２の導体に形成された第２の開口部と、 少なくとも前記第１の開口部を覆うように前記第１の導
体から間隔を隔てて配置された第１の導電体板と、 少なくとも前記第２の開口部を覆うように前記第２の導
体から間隔を隔てて配置された第２の導電体板と、 前記第１の開口部と前記第２の開口部により決定される
共振部と、 前記第１の導体または前記第２の導体のうち少なくとも
一方の上に形成された絶縁体と、 前記絶縁体上に形成された電極とを有することを特徴と
する誘電体共振器。A first conductor formed on one main surface of the dielectric substrate; a second conductor formed on the other main surface of the dielectric substrate; A first opening formed in the first conductor so that the dielectric substrate is exposed from the conductor; and a second opening formed in the second conductor so that the dielectric substrate is exposed from the second conductor. A second conductor, a first conductor plate disposed at a distance from the first conductor so as to cover at least the first opening, and to cover at least the second opening. A second conductor plate disposed at a distance from the second conductor, a resonance portion determined by the first opening and the second opening, the first conductor or the An insulator formed on at least one of the second conductors; and an insulator formed on the insulator. Dielectric resonator and having an electrode.
請求項１記載の誘電体共振器。2. The dielectric resonator according to claim 1, wherein said insulator is a thin film.
開口部の少なくともどちらか一方に重なるように形成さ
れたことを特徴とする請求項１または請求項２記載の誘
電体共振器。3. The dielectric resonator according to claim 1, wherein the electrode is formed so as to overlap at least one of the first opening and the second opening. .
率の材料で形成されたことを特徴とする請求項１、請求
項２または請求項３記載の誘電体共振器。4. The dielectric resonator according to claim 1, wherein said insulator is formed of a material having a lower dielectric constant than said dielectric substrate.
部端子とは異なる位置に凹部が形成され前記凹部の少な
くとも底面には導電体が形成された第１絶縁性基板と、
前記第１絶縁性基板の凹部の開口よりも大きい穴を有し
前記穴から前記第１絶縁性基板の外部端子及び凹部が露
出するように第１絶縁性基板上に積層される第２絶縁性
基板と、前記第１絶縁性基板の凹部と前記第２絶縁性基
板の穴とで構成される収容部とから構成されており、 前記電極が形成された面を下方にして前記電極の一部と
前記外部端子が直接接続されるように前記誘電体基板が
前記収容部に収容されたことを特徴とする請求項１、請
求項２、請求項３または請求項４記載の誘電体共振器。5. A first insulating substrate, wherein said second conductor plate has a recess formed at a position different from an external terminal and said external terminal, and a conductor is formed at least on a bottom surface of said recess.
A second insulating layer having a hole larger than the opening of the concave portion of the first insulating substrate, the second insulating layer being laminated on the first insulating substrate such that the external terminal and the concave portion of the first insulating substrate are exposed from the hole; A part of the electrode with the surface on which the electrode is formed facing downward, comprising a substrate, and a receiving part formed by a concave portion of the first insulating substrate and a hole of the second insulating substrate. 5. The dielectric resonator according to claim 1, wherein the dielectric substrate is accommodated in the accommodation portion so that the dielectric substrate is directly connected to the external terminal.
体から間隔を隔てて配置された第１の導電体板と、 少なくとも前記第２の開口部を覆うように前記第２の導
体から間隔を隔てて配置された第２の導電体板と、 前記第１の開口部と前記第２の開口部により決定される
共振部と、 前記第１の導体または前記第２の導体のうち少なくとも
一方の上に形成された絶縁体と、 前記絶縁体上に形成され、前記共振部に電磁界結合する
入力端子電極または出力端子電極と、を有することを特
徴とする誘電体フィルタ。6. A dielectric substrate, a first conductor formed on one main surface of the dielectric substrate, a second conductor formed on the other main surface of the dielectric substrate, A first opening formed in the conductor, a second opening formed in the second conductor, and spaced from the first conductor so as to cover at least the first opening A first conductor plate, a second conductor plate disposed at a distance from the second conductor so as to cover at least the second opening, A resonating part determined by a second opening; an insulator formed on at least one of the first conductor and the second conductor; a resonating part formed on the insulator; An input terminal electrode or an output terminal electrode for electromagnetically coupling. Data.
複数存在することにより、前記第１の開口部と前記第２
の開口部により決定される共振部が複数存在することを
特徴とする請求項６記載の誘電体フィルタ。7. The first opening and the second opening due to the presence of a plurality of the first opening and the second opening.
7. The dielectric filter according to claim 6, wherein there are a plurality of resonance parts determined by the openings.
界結合させる結合電極を形成することを特徴とする請求
項７記載の誘電体フィルタ。8. The dielectric filter according to claim 7, wherein a coupling electrode for electromagnetically coupling the plurality of resonance parts is formed on the insulator.
請求項６、請求項７または請求項８記載の誘電体フィル
タ。9. The dielectric filter according to claim 6, wherein said insulator is a thin film.
前記第１の開口部または第２の開口部のうち少なくとも
一つに重なるように形成されたことを特徴とする請求項
６、請求項７、請求項８または請求項９記載の誘電体フ
ィルタ。10. The device according to claim 6, wherein said input terminal electrode or output terminal electrode is formed so as to overlap at least one of said first opening and said second opening. 10. The dielectric filter according to claim 8 or claim 9.
電率の材料で形成されたことを特徴とする請求項６、請
求項７、請求項８、請求項９または請求項１０記載の誘
電体フィルタ。11. The device according to claim 6, wherein said insulator is formed of a material having a lower dielectric constant than said dielectric substrate. Dielectric filter.
外部端子とは異なる位置に凹部が形成され前記凹部の少
なくとも底面には導電体が形成された第１絶縁性基板
と、前記第１絶縁性基板の凹部の開口よりも大きい穴を
有し前記穴から前記第１絶縁性基板の外部端子及び凹部
が露出するように第１絶縁性基板上に積層される第２絶
縁性基板と、前記第１絶縁性基板の凹部と前記第２絶縁
性基板の穴とで構成される収容部とから構成されてお
り、 前記入力端子電極または出力端子電極が形成された面を
下方にして前記入力端子電極または出力端子電極と前記
外部端子が直接接続されるように前記誘電体基板が前記
収容部に収容されたことを特徴とする請求項６、請求項
７、請求項８、請求項９、請求項１０または請求項１１
記載の誘電体フィルタ。12. The second conductive plate has a first insulating substrate having an external terminal and a concave portion formed at a position different from the external terminal, and a conductive material formed on at least a bottom surface of the concave portion. A second insulating substrate having a hole larger than the opening of the concave portion of the first insulating substrate, the second insulating substrate being laminated on the first insulating substrate such that the external terminal and the concave portion of the first insulating substrate are exposed from the hole; And an accommodating portion composed of a concave portion of the first insulating substrate and a hole of the second insulating substrate, with the surface on which the input terminal electrode or the output terminal electrode is formed facing downward. 9. The dielectric substrate is housed in the housing so that the input terminal electrode or output terminal electrode is directly connected to the external terminal. 9, claim 10 or claim 11
The dielectric filter as described in the above.
１の導体から間隔を隔てて配置された第１の導電体板
と、 少なくとも前記複数の第２の開口部を覆うように前記第
２の導体から間隔を隔てて配置された第２の導電体板
と、 前記複数の第１の開口部と前記複数の第２の開口部によ
り決定される複数の共振部と、 前記複数の共振部のうちの第１の共振部群により構成さ
れる第１のフィルタと、 前記複数の共振部のうち前記第１の共振部群とは異なる
第２の共振部群により構成される第２のフィルタと、 前記第１の導体または前記第２の導体のうち少なくとも
一方の上に形成された絶縁体と、 前記絶縁体上に形成される前記第１のフィルタの入力端
子電極と、 前記絶縁体上に形成される前記第２のフィルタの出力端
子電極と、 前記絶縁体上に形成され、前記第１のフィルタの出力端
子電極であり、かつ、前記第２のフィルタの入力端子電
極であるアンテナ端子電極と、を有することを特徴とす
る誘電体デュプレクサ。13. A dielectric substrate; a first conductor formed on one main surface of the dielectric substrate; a second conductor formed on the other main surface of the dielectric substrate; A plurality of first openings formed in the conductor; a plurality of second openings formed in the second conductor; and the first conductor so as to cover at least the plurality of first openings. A first conductor plate arranged at a distance from, and a second conductor plate arranged at a distance from the second conductor so as to cover at least the plurality of second openings; A plurality of resonance units determined by the plurality of first openings and the plurality of second openings; a first filter configured by a first resonance unit group of the plurality of resonance units; A second resonating unit group that is different from the first resonating unit group among the plurality of resonating units. An insulator formed on at least one of the first conductor and the second conductor; an input terminal electrode of the first filter formed on the insulator; An output terminal electrode of the second filter formed on the body; an output terminal electrode of the first filter formed on the insulator; and an input terminal electrode of the second filter. A dielectric duplexer comprising: an antenna terminal electrode.
の第１の開口部及び前記複数の第２の開口部の形状と、
前記第２の共振部群を構成する前記複数の第１の開口部
及び前記複数の第２の開口部の形状とが異なることを特
徴とする請求項１３記載の誘電体デュプレクサ。14. A shape of the plurality of first openings and the plurality of second openings constituting the first resonance section group,
14. The dielectric duplexer according to claim 13, wherein the plurality of first openings and the plurality of second openings constituting the second resonance unit group have different shapes.
の第１の開口部及び前記複数の第２の開口部の形状内
で、異なる形状の前記複数の第１の開口部及び前記複数
の第２の開口部を有することを特徴とする請求項１３ま
たは請求項１４記載の誘電体デュプレクサ。15. The plurality of first openings having different shapes within the shapes of the plurality of first openings and the plurality of second openings constituting the first resonance section group. 15. The dielectric duplexer according to claim 13, comprising a plurality of second openings.
る請求項１３、請求項１４または請求項１５記載の誘電
体デュプレクサ。16. The dielectric duplexer according to claim 13, wherein said insulator is a thin film.
たはアンテナ端子電極は前記第１の開口部または第２の
開口部の少なくともどれか一つに重なるように形成され
たことを特徴とする請求項１３、請求項１４、請求項１
５または請求項１６記載の誘電体デュプレクサ。17. The semiconductor device according to claim 17, wherein said input terminal electrode, output terminal electrode, or antenna terminal electrode is formed so as to overlap at least one of said first opening and said second opening. 13, Claim 14, Claim 1
The dielectric duplexer according to claim 5 or claim 16.
電率の材料で形成されたことを特徴とする請求項１３、
請求項１４、請求項１５、請求項１６または請求項１７
記載の誘電体デュプレクサ。18. The semiconductor device according to claim 13, wherein said insulator is formed of a material having a lower dielectric constant than said dielectric substrate.
Claim 14, Claim 15, Claim 16, or Claim 17
The dielectric duplexer as described.
外部端子とは異なる位置に凹部が形成され前記凹部の少
なくとも底面には導電体が形成された第１絶縁性基板
と、前記第１絶縁性基板の凹部の開口よりも大きい穴を
有し前記穴から前記第１絶縁性基板の外部端子及び凹部
が露出するように第１絶縁性基板上に積層される第２絶
縁性基板と、前記第１絶縁性基板の凹部と前記第２絶縁
性基板の穴とで構成される収容部とから構成されてお
り、 前記入力端子配線または出力端子電極またはアンテナ端
子電極が形成された面を下方にして前記入力端子配線ま
たは出力端子電極またはアンテナ端子電極と前記外部端
子が直接接続されるように前記誘電体基板が前記収容部
に収容されたことを特徴とする請求項１３、請求項１
４、請求項１５、請求項１６、請求項１７または請求項
１８記載の誘電体デュプレクサ。19. A second insulating plate comprising: a first insulating substrate having an external terminal and a concave portion formed at a position different from the external terminal; and a conductive member formed on at least a bottom surface of the concave portion; A second insulating substrate having a hole larger than the opening of the concave portion of the first insulating substrate, the second insulating substrate being laminated on the first insulating substrate such that the external terminal and the concave portion of the first insulating substrate are exposed from the hole; And a receiving portion formed by a concave portion of the first insulating substrate and a hole of the second insulating substrate, and a surface on which the input terminal wiring, the output terminal electrode, or the antenna terminal electrode is formed. 14. The dielectric substrate is housed in the housing so that the input terminal wiring or the output terminal electrode or the antenna terminal electrode is directly connected to the external terminal with the surface of the dielectric substrate facing down. 1
The dielectric duplexer according to claim 15, claim 15, 16, 16, 17 or 18.
体から間隔を隔てて配置された第１の導電体板と、 少なくとも前記第２の開口部を覆うように前記第２の導
体から間隔を隔てて配置された第２の導電体板と、 前記第１の開口部と前記第２の開口部により決定される
共振部と、 前記第１の導体または前記第２の導体のうち少なくとも
一方の上に形成された絶縁体と、 前記絶縁体上に形成され、前記共振部に電磁界結合する
ことにより共振回路を構成する主線路と、 前記共振回路に接続される負性抵抗回路と、を有するこ
とを特徴とする発振器。20. A dielectric substrate; a first conductor formed on one main surface of the dielectric substrate; a second conductor formed on the other main surface of the dielectric substrate; A first opening formed in the conductor, a second opening formed in the second conductor, and spaced from the first conductor so as to cover at least the first opening A first conductor plate, a second conductor plate disposed at a distance from the second conductor so as to cover at least the second opening, A resonating part determined by a second opening; an insulator formed on at least one of the first conductor and the second conductor; a resonating part formed on the insulator; A main line forming a resonance circuit by electromagnetic field coupling; and a negative line connected to the resonance circuit. An oscillator comprising: a resistor circuit.
することを特徴とする請求項２０記載の発振器。21. The oscillator according to claim 20, wherein said resonance circuit has an oscillation frequency variable circuit.
制御されることを特徴とする請求項２１記載の発振器。22. The oscillator according to claim 21, wherein said oscillation frequency variable circuit is controlled by a voltage.
る請求項２０、請求項２１または請求項２２記載の発振
器。23. The oscillator according to claim 20, wherein said insulator is a thin film.
２の開口部の少なくともどちらか一方に重なるように形
成されたことを特徴とする請求項２０、請求項２１、請
求項２２または請求項２３記載の発振器。24. The apparatus according to claim 20, wherein the main line is formed so as to overlap at least one of the first opening and the second opening. The oscillator according to claim 23.
電率の材料で形成されたことを特徴とする請求項２０、
請求項２１、請求項２２、請求項２３または請求項２４
記載の発振器。25. The semiconductor device according to claim 20, wherein said insulator is formed of a material having a lower dielectric constant than said dielectric substrate.
Claim 21, Claim 22, Claim 23 or Claim 24
The oscillator as described.
外部端子とは異なる位置に凹部が形成され前記凹部の少
なくとも底面には導電体が形成された第１絶縁性基板
と、前記第１絶縁性基板の凹部の開口よりも大きい穴を
有し前記穴から前記第１絶縁性基板の外部端子及び凹部
が露出するように第１絶縁性基板上に積層される第２絶
縁性基板と、前記第１絶縁性基板の凹部と前記第２絶縁
性基板の穴とで構成される収容部とから構成されてお
り、 前記共振回路に接続された出力端子電極が形成された面
を下方にして前記出力端子電極の一部と前記外部端子が
直接接続されるように前記誘電体基板が前記収容部に収
容されたことを特徴とする請求項２０、請求項２１、請
求項２２、請求項２３、請求項２４または請求項２５記
載の発振器。26. The second conductive plate, wherein: a first insulating substrate having an external terminal and a concave portion formed at a position different from the external terminal, wherein a conductive material is formed on at least a bottom surface of the concave portion; A second insulating substrate having a hole larger than the opening of the concave portion of the first insulating substrate, the second insulating substrate being laminated on the first insulating substrate such that the external terminal and the concave portion of the first insulating substrate are exposed from the hole; And an accommodating portion formed by a concave portion of the first insulating substrate and a hole of the second insulating substrate, wherein a surface on which an output terminal electrode connected to the resonance circuit is formed is directed downward. The said dielectric substrate was accommodated in the said accommodating part so that a part of the said output terminal electrode and the said external terminal could be directly connected, The claim 20, Claim 21, Claim 22 characterized by the above-mentioned. An oscillator according to claim 23, claim 24 or claim 25.
体から間隔を隔てて配置された第１の導電体板と、 少なくとも前記第２の開口部を覆うように前記第２の導
体から間隔を隔てて配置された第２の導電体板と、 前記第１の導体または前記第２の導体のうち少なくとも
一方の上に形成された絶縁体と、 前記第１の開口部と前記第２の開口部により決定される
共振部と、 前記絶縁体上に形成された配線電極と、 前記配線電極に接続される電子部品素子とを有すること
を特徴とする高周波モジュール。27. A dielectric substrate, a first conductor formed on one main surface of the dielectric substrate, a second conductor formed on the other main surface of the dielectric substrate, A first opening formed in the conductor, a second opening formed in the second conductor, and spaced from the first conductor so as to cover at least the first opening A first conductor plate, a second conductor plate disposed at a distance from the second conductor so as to cover at least the second opening, and the first conductor or the second conductor plate. An insulator formed on at least one of the two conductors; a resonance unit determined by the first opening and the second opening; a wiring electrode formed on the insulator; A high-frequency module comprising: an electronic component element connected to the wiring electrode.
る請求項２７記載の高周波モジュール。28. The high-frequency module according to claim 27, wherein said insulator is a thin film.
または第２の開口部の少なくともどちらか一方に重なる
ように形成されたことを特徴とする請求項２７または請
求項２８記載の高周波モジュール。29. The method according to claim 27, wherein a part of the wiring electrode is formed so as to overlap at least one of the first opening and the second opening. High frequency module.
電率の材料で形成されたことを特徴とする請求項２７、
請求項２８または請求項２９記載の高周波モジュール。30. The semiconductor device according to claim 27, wherein said insulator is formed of a material having a lower dielectric constant than said dielectric substrate.
30. The high-frequency module according to claim 28.
外部端子とは異なる位置に凹部が形成され前記凹部の少
なくとも底面には導電体が形成された第１絶縁性基板
と、前記第１絶縁性基板の凹部の開口よりも大きい穴を
有し前記穴から前記第１絶縁性基板の外部端子及び凹部
が露出するように第１絶縁性基板上に積層される第２絶
縁性基板と、前記第１絶縁性基板の凹部と前記第２絶縁
性基板の穴とで構成される収容部とから構成されてお
り、 前記配線電極が形成された面を下方にして前記配線電極
の一部と前記外部端子が直接接続されるように前記誘電
体基板が前記収容部に収容されたことを特徴とする請求
項２７、請求項２８、請求項２９または請求項３０記載
の高周波モジュール。31. The second conductive plate, wherein a first insulating substrate having an external terminal and a concave portion formed at a position different from the external terminal and a conductive material formed on at least a bottom surface of the concave portion; A second insulating substrate having a hole larger than the opening of the concave portion of the first insulating substrate, the second insulating substrate being laminated on the first insulating substrate such that the external terminal and the concave portion of the first insulating substrate are exposed from the hole; And a receiving portion formed by a concave portion of the first insulating substrate and a hole of the second insulating substrate. 31. The high-frequency module according to claim 27, wherein the dielectric substrate is accommodated in the accommodation part such that the part and the external terminal are directly connected.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9304355A JPH11145709A (en) | 1997-11-06 | 1997-11-06 | Dielectric resonator and dielectric filter and dielectric duplexer using the resonator, oscillator, and high frequency module |
| KR1019970058565A KR100263643B1 (en) | 1996-11-06 | 1997-11-06 | Dielectric resonance device and high frequency module |
| EP97119474A EP0841714B1 (en) | 1996-11-06 | 1997-11-06 | Dielectric resonator apparatus and high-frequency module |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9304355A JPH11145709A (en) | 1997-11-06 | 1997-11-06 | Dielectric resonator and dielectric filter and dielectric duplexer using the resonator, oscillator, and high frequency module |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11145709A true JPH11145709A (en) | 1999-05-28 |
Family
ID=17932029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9304355A Pending JPH11145709A (en) | 1996-11-06 | 1997-11-06 | Dielectric resonator and dielectric filter and dielectric duplexer using the resonator, oscillator, and high frequency module |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11145709A (en) |
-
1997
- 1997-11-06 JP JP9304355A patent/JPH11145709A/en active Pending
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