JPH11145212A - Cleaning device for probe card - Google Patents
Cleaning device for probe cardInfo
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- 239000000523 sample Substances 0.000 title claims abstract description 104
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 63
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 51
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims abstract description 14
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 48
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 13
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 10
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 10
- 239000007921 spray Substances 0.000 abstract description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 47
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 19
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 12
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B1/00—Cleaning by methods involving the use of tools
- B08B1/20—Cleaning of moving articles, e.g. of moving webs or of objects on a conveyor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture or maintenance of measuring instruments, e.g. of probe tips
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、プローブカードの
洗浄装置に関し、詳しくは、半導体ウェハ上に形成され
た複数の半導体集積回路素子に対してウェハ状態で一括
してバーンインを行なうためのプローブカードの表面を
洗浄する洗浄装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a probe card cleaning apparatus and, more particularly, to a probe card for performing burn-in on a plurality of semiconductor integrated circuit elements formed on a semiconductor wafer at a time in a wafer state. The present invention relates to a cleaning device for cleaning the surface of a slab.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、半導体集積回路装置は、半導体集
積回路素子とリードフレームとがボンディングワイヤに
よって電気的に接続された後、半導体集積回路素子とリ
ードフレームのリードとが樹脂又はセラミックスにより
封止された状態で供給されて、プリント基板に実装され
る。2. Description of the Related Art Conventionally, in a semiconductor integrated circuit device, after a semiconductor integrated circuit element and a lead frame are electrically connected by a bonding wire, the semiconductor integrated circuit element and a lead of the lead frame are sealed with resin or ceramics. It is supplied in such a state that it is mounted on a printed circuit board.
【０００３】ところが、電子機器の小型化及び低価格化
の要求から、半導体集積回路装置を半導体ウェハから切
り出したままのベアチップ状態で回路基板に実装する方
法が開発されており、品質が保証されたベアチップを低
価格で供給することが望まれている。However, in response to demands for downsizing and cost reduction of electronic equipment, a method of mounting a semiconductor integrated circuit device on a circuit board in a bare chip state as cut out from a semiconductor wafer has been developed, and the quality has been assured. It is desired to supply bare chips at a low price.
【０００４】ベアチップに対して品質保証を行なうため
には、半導体集積回路素子の電気的特性をウェハ状態で
一括してバーンインを行なう必要がある。In order to guarantee the quality of bare chips, it is necessary to perform burn-in on the electrical characteristics of semiconductor integrated circuit elements in a wafer state.
【０００５】そこで、例えば、NIKKEI MICRODEVICES 19
97年 7月号に記載されているように、半導体集積回路素
子が形成された半導体ウェハを保持するウェハトレイ
と、該ウェハトレイに保持された半導体ウェハと対向す
るように設けられ、該半導体ウェハの半導体集積回路素
子の検査用端子と接続されるバンプを有するプローブカ
ードと、ウェハトレイとプローブカードとの間に設けら
れ、ウェハトレイ及びプローブカードと共に密封空間を
形成する環状のシール材とを備えたウェハカセットが提
案されている。Therefore, for example, NIKKEI MICRODEVICES 19
As described in the July 1997 issue, a wafer tray holding a semiconductor wafer on which semiconductor integrated circuit elements are formed, and a semiconductor tray provided to face the semiconductor wafer held on the wafer tray, A wafer cassette including a probe card having a bump connected to a test terminal of an integrated circuit element and an annular seal member provided between the wafer tray and the probe card and forming a sealed space together with the wafer tray and the probe card is provided. Proposed.
【０００６】以下、前記のウェハカセットを用いて行な
うウェハバーンイン方法について、図２及び図３を参照
しながら説明する。図２はウェハカセットの断面構造を
示しており、図３は図２の部分拡大断面構造を示してい
る。Hereinafter, a wafer burn-in method using the wafer cassette will be described with reference to FIGS. 2 and 3. FIG. 2 shows a sectional structure of the wafer cassette, and FIG. 3 shows a partially enlarged sectional structure of FIG.
【０００７】図２に示すように、半導体ウェハ１０を保
持したウェハトレイ１１と、プローブカード１２を保持
した配線基板１３とが対向するように設けられていると
共に、ウェハトレイ１１の周縁部に環状のシール材１４
が設けられており、ウェハトレイ１１とプローブカード
１２とを接近させると、ウェハトレイ１１、プローブカ
ード１２及びシール部材１４によって密封空間１５が形
成される。As shown in FIG. 2, a wafer tray 11 holding a semiconductor wafer 10 and a wiring board 13 holding a probe card 12 are provided so as to face each other, and an annular seal is provided on a peripheral portion of the wafer tray 11. Lumber 14
When the wafer tray 11 and the probe card 12 are brought close to each other, a sealed space 15 is formed by the wafer tray 11, the probe card 12, and the seal member 14.
【０００８】図３に示すように、半導体ウェハ１０上に
形成されている各半導体集積回路素子は検査用電極１６
を有している。As shown in FIG. 3, each semiconductor integrated circuit element formed on a semiconductor wafer 10 is
have.
【０００９】図２及び図３に示すように、プローブカー
ド１２における、半導体ウェハ１０上の半導体集積回路
素子の検査用電極１６と対応する部位にはバンプ１７が
設けられていると共に、プローブカード１２の周縁部は
剛性のリング１８により保持されている。As shown in FIGS. 2 and 3, bumps 17 are provided at portions of the probe card 12 corresponding to the test electrodes 16 of the semiconductor integrated circuit elements on the semiconductor wafer 10, and the probe card 12 Is held by a rigid ring 18.
【００１０】図３に示すように、配線基板１３には、一
端部が電源電圧、接地電圧又は信号電圧等の検査用電圧
を供給する図示しない検査装置に接続される多層配線２
５と、該多層配線２５の他端側とプローブカード１２の
バンプ１７とを電気的に接続する異方導電性ゴム２６と
が設けられている。As shown in FIG. 3, one end of the wiring board 13 is connected to an inspection device (not shown) for supplying an inspection voltage such as a power supply voltage, a ground voltage or a signal voltage.
5 and an anisotropic conductive rubber 26 for electrically connecting the other end of the multilayer wiring 25 to the bump 17 of the probe card 12.
【００１１】図２に示す状態で、ウェハトレイ１１、プ
ローブカード１２及びシール部材１４によって形成され
ている密封空間１５を図示しない減圧手段により減圧す
ると、ウェハトレイ１１とプローブカード１２とが一層
接近して、図３に示すように、半導体ウェハ１０上の半
導体集積回路素子の検査用電極１６とプローブカード１
２のバンプ１７とが電気的に接続する。その後、検査装
置から検査用電圧を半導体ウェハ１０上の各半導体集積
回路素子に印加したり、各半導体集積回路素子からの出
力信号を検査装置に入力したりして、検査装置は各半導
体集積回路素子の電気特性を評価する。In the state shown in FIG. 2, when the sealed space 15 formed by the wafer tray 11, the probe card 12, and the seal member 14 is decompressed by a decompression means (not shown), the wafer tray 11 and the probe card 12 come closer to each other, As shown in FIG. 3, the inspection electrode 16 of the semiconductor integrated circuit element on the semiconductor wafer 10 and the probe card 1
The two bumps 17 are electrically connected. Thereafter, the inspection apparatus applies an inspection voltage to each semiconductor integrated circuit element on the semiconductor wafer 10 or inputs an output signal from each semiconductor integrated circuit element to the inspection apparatus, and the inspection apparatus Evaluate the electrical characteristics of the device.
【００１２】[0012]
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記従来の
ウェハバーンイン装置においては、以下に説明するよう
な問題が発生する。However, the conventional wafer burn-in apparatus has the following problems.
【００１３】すなわち、ウェハバーンインにおいては、
温度加速を行なうべく半導体ウェハ１０を例えば１２５
℃に昇温する必要がある。このため、ウェハトレイ１１
に内蔵されたヒーターによって半導体ウェハ１０を昇温
させたり、又は半導体ウェハ１０上の各半導体集積回路
素子の動作に伴う熱によって半導体ウェハ１０自体を昇
温させたりする。このため、半導体ウェハ１０が熱膨張
する際に、半導体ウェハ１０上の半導体集積回路素子の
検査用電極１６とプローブカード１２のバンプ１７とは
互いに摺接するので、プローブカード１２のバンプ１７
に、検査用電極１６を構成するアルミニウム等の金属粉
よりなる異物が付着してしまう。That is, in wafer burn-in,
In order to perform temperature acceleration, the semiconductor wafer 10 is, for example, 125
It is necessary to raise the temperature to ° C. Therefore, the wafer tray 11
The temperature of the semiconductor wafer 10 is raised by a heater built in the semiconductor wafer 10, or the temperature of the semiconductor wafer 10 itself is raised by the heat accompanying the operation of each semiconductor integrated circuit element on the semiconductor wafer 10. Therefore, when the semiconductor wafer 10 thermally expands, the inspection electrodes 16 of the semiconductor integrated circuit elements on the semiconductor wafer 10 and the bumps 17 of the probe card 12 are in sliding contact with each other.
In addition, a foreign substance made of a metal powder such as aluminum which forms the inspection electrode 16 adheres.
【００１４】また、同じプローブカード１２を用いて複
数の半導体ウェハ１０に対して繰り返しウェハバーンイ
ンを行なうと、プローブカード１２のバンプ１７に付着
するアルミニウム等の金属粉よりなる異物の量が増加す
る。Further, when wafer burn-in is repeatedly performed on a plurality of semiconductor wafers 10 using the same probe card 12, the amount of foreign matters made of metal powder such as aluminum adhering to the bumps 17 of the probe card 12 increases.
【００１５】アルミニウム等の金属粉は、空気中の酸素
により表面に自然酸化膜が形成されており、導電性が低
下しているので、プローブカード１２のバンプ１７に異
物が付着すると、半導体ウェハ１０上の検査用電極１６
とプローブカード１２のバンプ１７との接触不良が発生
して、ウェハバーンインが良好に行なわれなくなるとい
う問題がある。The metal powder such as aluminum has a natural oxide film formed on the surface due to oxygen in the air, and has a reduced conductivity. Upper inspection electrode 16
And the bumps 17 of the probe card 12 cause a contact failure, and the wafer burn-in is not performed well.
【００１６】前記に鑑み、本発明は、プローブカードの
バンプに付着した金属粉等の異物を除去できるプローブ
カードの洗浄装置を提供することを目的とする。In view of the foregoing, it is an object of the present invention to provide a probe card cleaning apparatus capable of removing foreign matter such as metal powder attached to bumps of a probe card.
【００１７】[0017]
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本発明に係るプローブカードの洗浄装置は、半導体
ウェハ上に形成された複数の半導体集積回路素子の各検
査用電極と接触する複数のバンプを有し、各バンプを介
して複数の半導体集積回路素子の各検査用電極に検査用
電圧を供給して、複数の半導体集積回路素子に対してウ
ェハ状態で一括してバーンインを行なうためのプローブ
カードの洗浄装置を対象とし、プローブカードのバンプ
の表面に付着した異物を擦り取るブラッシング手段と、
プローブカードにおけるバンプが形成されている面にイ
オン化した洗浄液を吹き付けることにより、ブラッシィ
ング手段によりバンプの表面から擦り取られた異物を洗
い流すと共に、プローブカードの表面にイオン化した洗
浄液よりなる導電性の液体膜を形成してバンプの表面に
生じている静電気を除去する洗浄液供給手段と、プロー
ブカードにおけるバンプが形成されている面に気体を吹
き付けて、プローブカードの表面に形成されている導電
性の液体膜を蒸発させることにより、プローブカードの
表面を乾燥させる乾燥手段とを備えている。In order to achieve the above object, a probe card cleaning apparatus according to the present invention comprises a plurality of semiconductor integrated circuit elements formed on a semiconductor wafer, the plurality of semiconductor integrated circuit elements being in contact with test electrodes. In order to supply a test voltage to each test electrode of a plurality of semiconductor integrated circuit devices through each bump and perform burn-in collectively in a wafer state for a plurality of semiconductor integrated circuit devices A brushing means for rubbing foreign substances adhered to the surface of the bumps of the probe card;
By spraying the ionized cleaning liquid on the surface of the probe card where the bumps are formed, the brushing means is used to wash away foreign substances scraped off from the surface of the bump, and the conductive liquid comprising the ionized cleaning liquid on the surface of the probe card. A cleaning liquid supply means for forming a film to remove static electricity generated on the surface of the bump; and a conductive liquid formed on the surface of the probe card by blowing gas on the surface of the probe card on which the bump is formed. Drying means for drying the surface of the probe card by evaporating the film.
【００１８】本発明のプローブカードの洗浄装置による
と、プローブカードのバンプの表面に付着した異物を擦
り取るブラッシング手段を備えているため、プローブカ
ードのバンプが半導体ウェハ上の半導体集積回路素子の
検査用電極と摺接したときにバンプの表面に付着した金
属粉等の異物はブラッシング手段により擦り取られる。According to the probe card cleaning apparatus of the present invention, since the brushing means for rubbing foreign substances adhered to the surface of the bumps of the probe card is provided, the bumps of the probe card can be used to inspect semiconductor integrated circuit elements on the semiconductor wafer. Foreign matter such as metal powder adhered to the surface of the bump when slidingly contacting the electrode for use is scraped off by brushing means.
【００１９】また、バンプの表面から擦り取られた異物
を洗い流すと共に、プローブカードの表面にイオン化し
た洗浄液よりなる導電性の液体膜を形成してバンプの表
面に生じている静電気を除去する洗浄液供給手段を備え
ているため、バンプの表面から擦り取られた異物はプロ
ーブカードの表面から除去されると共に、プローブカー
ドのバンプがブラッシング手段により擦られる際にバン
プの表面に生じた静電気は、導電性の液体膜の内部を拡
散してバンプの表面から消える。In addition, a cleaning liquid supply for washing away foreign substances scraped off from the surface of the bump and forming a conductive liquid film of an ionized cleaning liquid on the surface of the probe card to remove static electricity generated on the surface of the bump. Means, the foreign matter scraped off from the surface of the bump is removed from the surface of the probe card, and the static electricity generated on the surface of the bump when the bump of the probe card is rubbed by the brushing means is electrically conductive. Diffuses inside the liquid film and disappears from the surface of the bump.
【００２０】さらに、プローブカードの表面に形成され
ている導電性の液体膜を蒸発させてプローブカードの表
面を乾燥させる乾燥手段を備えているため、洗浄液供給
手段により形成された液体膜を速やかに蒸発させて、プ
ローブカードの表面を乾燥させることができる。Further, since the drying means for evaporating the conductive liquid film formed on the surface of the probe card to dry the surface of the probe card is provided, the liquid film formed by the cleaning liquid supply means can be quickly removed. Evaporation can dry the surface of the probe card.
【００２１】本発明のプローブカードにおいて、乾燥手
段は、プローブカードにおけるバンプが形成されている
面にイオン化した気体を吹き付けることが好ましい。In the probe card of the present invention, it is preferable that the drying means blows ionized gas onto the surface of the probe card on which the bumps are formed.
【００２２】[0022]
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態に係る
プローブカードの洗浄装置について、図１を参照しなが
ら説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A probe card cleaning apparatus according to one embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.
【００２３】図１は、洗浄の対象となるプローブカー
ド、及び本発明の一実施形態に係るプローブカードの洗
浄装置の概略構成を示しており、図１に示すように、例
えばポリイミドよりなるプローブカード１２には、半導
体ウェハの各半導体集積回路素子の検査用電極と対応す
るようにバンプ１７が形成されており、プローブカード
１２を保持する配線基板１３には、多層配線２５及び異
方導電性ゴム２６が設けられている。尚、本実施形態に
おいては、プローブカードは図１における左方から右方
に移動するように保持されている。FIG. 1 schematically shows a probe card to be cleaned and a probe card cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. Bumps 17 are formed on the semiconductor wafer 12 so as to correspond to the test electrodes of each semiconductor integrated circuit element on the semiconductor wafer. The wiring board 13 holding the probe card 12 has a multilayer wiring 25 and an anisotropic conductive rubber. 26 are provided. In this embodiment, the probe card is held so as to move from left to right in FIG.
【００２４】プローブカードの洗浄装置は、装置本体３
０に回転可能に設けられており、プローブカード１２の
バンプ１７に付着した異物を擦り取るブラシ３１と、装
置本体３０に設けられており、プローブカード１２の表
面にイオン化した洗浄液（例えばイオン化した洗浄水）
を霧状にして吹き付ける洗浄液噴射ノズル３２と、装置
本体３０に設けられており、プローブカード１２の表面
にイオン化した気体を吹き付ける気体噴射ノズル３３と
を備えている。The apparatus for cleaning a probe card includes a main body 3 of the apparatus.
The brush 31 is provided rotatably at 0 and rubs off foreign substances attached to the bumps 17 of the probe card 12, and the cleaning liquid provided on the apparatus body 30 and ionized on the surface of the probe card 12 (for example, ionized cleaning liquid) water)
A cleaning liquid injection nozzle 32 that sprays the nozzles in the form of mist and a gas injection nozzle 33 that is provided in the apparatus main body 30 and that sprays ionized gas onto the surface of the probe card 12 are provided.
【００２５】ブラシ３１の材料は特に問わないが、ポリ
イミドよりなるプローブカード１２及び該プローブカー
ド１２に形成されているバンプ１７と摩擦したときに、
プローブカード１２やバンプ１７に静電気を生じさせ難
い性質を有している共に、バンプ１７の表面に付着した
金属粉等の異物を擦り取ることできる程度の剛性を有し
ていることが好ましい。The material of the brush 31 is not particularly limited. However, when the brush 31 rubs against the probe card 12 made of polyimide and the bumps 17 formed on the probe card 12,
It is preferable that the probe card 12 and the bump 17 have such a property that static electricity is unlikely to be generated, and that the probe card 12 and the bump 17 have such a rigidity as to be able to scrape foreign substances such as metal powder attached to the surface of the bump 17.
【００２６】洗浄液貯留槽３４には、例えば水に炭酸ガ
ス等を溶解する等の方法により得られたイオン化した洗
浄液が貯留されており、該イオン化した洗浄液は、図示
しないポンプ等の圧送手段によって、洗浄液噴射ノズル
３２に供給された後、該洗浄液噴射ノズル３２の噴射口
からプローブカード１２の表面に吹き付けられる。The cleaning liquid storage tank 34 stores an ionized cleaning liquid obtained by, for example, dissolving carbon dioxide gas or the like in water. The ionized cleaning liquid is supplied by a pumping means such as a pump (not shown). After being supplied to the cleaning liquid injection nozzle 32, it is sprayed onto the surface of the probe card 12 from the injection port of the cleaning liquid injection nozzle 32.
【００２７】一方、気体貯留槽３５には、例えば空気や
窒素ガス等の気体に高周波電力を印可する等の方法によ
り得られたイオン化した気体が貯留されており、該イオ
ン化した気体は、図示しないポンプ等の圧送手段によっ
て、気体噴射ノズル３３に供給された後、該気体噴射ノ
ズル３３の噴射口からプローブカード１２の表面に吹き
付けられる。On the other hand, the gas storage tank 35 stores an ionized gas obtained by applying a high-frequency power to a gas such as air or nitrogen gas, and the ionized gas is not shown. After being supplied to the gas ejection nozzle 33 by a pumping means such as a pump, the gas is sprayed from the ejection port of the gas ejection nozzle 33 onto the surface of the probe card 12.
【００２８】以下、本発明の一実施形態に係るプローブ
カードの洗浄装置を用いて行なう洗浄方法について説明
する。Hereinafter, a cleaning method performed by using the probe card cleaning apparatus according to one embodiment of the present invention will be described.
【００２９】まず、ブラシ３１の先端部がプローブカー
ド１２のバンプ１７の表面に接触する程度に、装置本体
３０をプローブカード１２に接近させる。First, the apparatus main body 30 is brought close to the probe card 12 to such an extent that the tip of the brush 31 contacts the surface of the bump 17 of the probe card 12.
【００３０】次に、ブラシ３１を回転すると共に洗浄液
噴射ノズル３２からイオン化された洗浄液を吹き付けな
がら、プローブカード１２を図１における左方から右方
に移動させて、プローブカード１２と装置本体３０とを
左右方向に相対移動させる。Next, the probe card 12 is moved from the left side to the right side in FIG. 1 while rotating the brush 31 and spraying the ionized cleaning liquid from the cleaning liquid injection nozzle 32, so that the probe card 12 and the apparatus main body 30 are connected to each other. Is relatively moved in the left-right direction.
【００３１】このようにすると、プローブカード１２の
バンプ１７の表面に付着している金属粉等よりなる異物
はブラシ３１により擦り取られる。そして、洗浄液噴射
ノズル３２からイオン化された洗浄液をプローブカード
１２の表面に吹き付けるため、ブラシ３１によりバンプ
１７の表面から擦り取られた異物は洗浄液によって流さ
れて、プローブカード１２の表面から除去される。In this manner, foreign matter such as metal powder adhering to the surface of the bump 17 of the probe card 12 is scraped off by the brush 31. Then, in order to spray the ionized cleaning liquid from the cleaning liquid spray nozzle 32 onto the surface of the probe card 12, the foreign matter scraped off from the surface of the bump 17 by the brush 31 is washed away by the cleaning liquid and removed from the surface of the probe card 12. .
【００３２】また、バンプ１７とブラシ３１とが摩擦す
る際にバンプ１７の表面には静電気が生じているが、洗
浄液噴射ノズル３２からイオン化された洗浄液をプロー
ブカード１２の表面に吹き付けるため、バンプ１７の表
面に生じた静電気は導電性の液体膜の内部を拡散して除
去される。When the bump 17 and the brush 31 rub against each other, static electricity is generated on the surface of the bump 17. However, since the ionized cleaning liquid is sprayed from the cleaning liquid jet nozzle 32 onto the surface of the probe card 12, the bump 17 The static electricity generated on the surface is diffused and removed inside the conductive liquid film.
【００３３】尚、ブラシ３１を回転すると同時に洗浄液
噴射ノズル３２からイオン化された洗浄液を吹き付ける
代わりに、ブラシ３１を回転してバンプ１７の表面の異
物を除去した後、洗浄液噴射ノズル３２からイオン化さ
れた洗浄液をプローブカード１２の表面に吹き付けて、
バンプ１７の表面に生じた静電気を除去してもよい。Instead of rotating the brush 31 and simultaneously spraying the ionized cleaning liquid from the cleaning liquid injection nozzle 32, the brush 31 is rotated to remove foreign matter on the surface of the bump 17 and then ionized from the cleaning liquid injection nozzle 32. A cleaning solution is sprayed on the surface of the probe card 12,
The static electricity generated on the surface of the bump 17 may be removed.
【００３４】次に、プローブカード１２と装置本体３０
とをさらに相対移動させながら、気体噴射ノズル３３か
らプローブカード１２の表面にイオン化した気体を吹き
付けて、プローブカード１２の表面に形成されている導
電性の液体膜を蒸発させることにより、プローブカード
１２の表面を乾燥させる。この場合、気体噴射ノズル３
３からプローブカード１２の表面にイオン化した気体を
吹き付けているので、プローブカード１２の表面を乾燥
させる際にバンプ１７の表面に静電気が再び生じる事態
を回避できる。Next, the probe card 12 and the apparatus body 30
By further moving ionized gas onto the surface of the probe card 12 from the gas injection nozzle 33 while further moving the substrate, the conductive liquid film formed on the surface of the probe card 12 is evaporated, whereby the probe card 12 Dry the surface. In this case, the gas injection nozzle 3
Since the ionized gas is blown onto the surface of the probe card 12 from 3, it is possible to avoid a situation where static electricity is generated again on the surface of the bump 17 when the surface of the probe card 12 is dried.
【００３５】[0035]
【発明の効果】本発明のプローブカードの洗浄装置によ
ると、プローブカードのバンプの表面に付着した金属粉
等の異物は、ブラッシング手段により擦り取られた後
に、洗浄液供給手段からプローブカードの表面に吹き付
けられる洗浄液により洗い流されるので、プローブカー
ドの表面から除去される。According to the probe card cleaning apparatus of the present invention, foreign matter such as metal powder adhered to the surface of the bumps of the probe card is scraped off by the brushing means, and then is transferred from the cleaning liquid supply means to the probe card surface. Since it is washed away by the sprayed cleaning liquid, it is removed from the surface of the probe card.
【００３６】また、洗浄液供給手段からプローブカード
の表面にイオン化された洗浄液が吹き付けられるため、
バンプの表面に生じた静電気は、プローブカードの表面
に形成された導電性の液体膜の内部を拡散して除去され
るので、バンプの表面の静電気は確実に除去される。Further, since the ionized cleaning liquid is sprayed onto the surface of the probe card from the cleaning liquid supply means,
Since the static electricity generated on the surface of the bump is diffused and removed inside the conductive liquid film formed on the surface of the probe card, the static electricity on the surface of the bump is reliably removed.
【００３７】さらに、プローブカードの表面を乾燥させ
る乾燥手段を備えているため、プローブカードの表面が
洗浄液によって濡れても速やかに乾燥させることができ
る。Further, since the drying means for drying the surface of the probe card is provided, even if the surface of the probe card becomes wet with the cleaning liquid, it can be dried quickly.
【００３８】本発明のプローブカードの洗浄装置におい
て、乾燥手段が、プローブードにおけるバンプが形成さ
れている面にイオン化した気体を吹き付けると、プロー
ブカードの表面を乾燥させる際にバンプの表面に静電気
が再度生じる事態を回避することができる。In the probe card cleaning apparatus of the present invention, when the drying means blows ionized gas onto the surface of the probed on which the bumps are formed, static electricity reappears on the surface of the bumps when the surface of the probe card is dried. A situation that occurs can be avoided.
【図１】本発明の一実施形態に係るプローブカードの洗
浄装置の概略全体図である。FIG. 1 is a schematic overall view of a probe card cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明に係るプローブカードの洗浄装置の洗浄
対象となるプローブカードを備えたウェハカセットの断
面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of a wafer cassette provided with a probe card to be cleaned by the probe card cleaning apparatus according to the present invention.
【図３】本発明に係るプローブカードの洗浄装置の洗浄
対象となるプローブカードを備えたウェハカセットの部
分拡大断面図である。FIG. 3 is a partially enlarged sectional view of a wafer cassette provided with a probe card to be cleaned by the probe card cleaning apparatus according to the present invention.
１０ 半導体ウェハ １１ ウェハトレイ １２ プローブカード １３ 配線基板 １４ シール部材 １５ 密封空間 １６ 検査用電極 １７ バンプ １８ 剛性のリング ３０ 装置本体 ３１ ブラシ ３２ 洗浄液噴射ノズル ３３ 気体噴射ノズル ３４ 洗浄液貯留槽 ３５ 気体貯留槽 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Semiconductor wafer 11 Wafer tray 12 Probe card 13 Wiring board 14 Seal member 15 Sealed space 16 Inspection electrode 17 Bump 18 Rigid ring 30 Device main body 31 Brush 32 Cleaning liquid injection nozzle 33 Gas injection nozzle 34 Cleaning liquid storage tank 35 Gas storage tank
Claims (2)
体集積回路素子の各検査用電極と接触する複数のバンプ
を有し、各バンプを介して前記複数の半導体集積回路素
子の各検査用電極に検査用電圧を供給して、前記複数の
半導体集積回路素子に対してウェハ状態で一括してバー
ンインを行なうためのプローブカードの洗浄装置であっ
て、 前記プローブカードのバンプの表面に付着した異物を擦
り取るブラッシング手段と、 前記プローブカードにおけるバンプが形成されている面
にイオン化した洗浄液を吹き付けることにより、前記ブ
ラッシィング手段によりバンプの表面から擦り取られた
異物を洗い流す共に、前記プローブカードの表面にイオ
ン化した洗浄液よりなる導電性の液体膜を形成して前記
バンプの表面に生じている静電気を除去する洗浄液供給
手段と、 前記プローブカードにおけるバンプが形成されている面
に気体を吹き付けて、前記プローブカードの表面に形成
されている導電性の液体膜を蒸発させることにより、前
記プローブカードの表面を乾燥させる乾燥手段とを備え
ていることを特徴とするプローブカードの洗浄装置。An inspection electrode of a plurality of semiconductor integrated circuit elements formed on a semiconductor wafer and having a plurality of bumps in contact with the respective inspection electrodes of the plurality of semiconductor integrated circuit elements. A probe card cleaning device for supplying a test voltage to the plurality of semiconductor integrated circuit elements and performing burn-in collectively on the plurality of semiconductor integrated circuit elements in a wafer state, wherein foreign matter adhered to bump surfaces of the probe card A brushing means for rubbing off the surface of the probe card, by spraying an ionized cleaning solution onto the surface of the probe card on which the bumps are formed, thereby washing away foreign substances rubbed off from the surface of the bumps by the brushing means and the surface of the probe card. Forming a conductive liquid film made of an ionized cleaning liquid to remove static electricity generated on the surface of the bumps Cleaning liquid supply means, and blowing gas on the surface of the probe card on which bumps are formed to evaporate a conductive liquid film formed on the surface of the probe card, thereby cleaning the surface of the probe card. A cleaning device for a probe card, comprising: drying means for drying.
おけるバンプが形成されている面にイオン化した気体を
吹き付けることを特徴とする請求項１に記載のプローブ
カードの洗浄装置。2. The probe card cleaning apparatus according to claim 1, wherein the drying unit blows ionized gas onto a surface of the probe card on which bumps are formed.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30531297A JP3366239B2 (en) | 1997-11-07 | 1997-11-07 | Probe card cleaning equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30531297A JP3366239B2 (en) | 1997-11-07 | 1997-11-07 | Probe card cleaning equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11145212A true JPH11145212A (en) | 1999-05-28 |
| JP3366239B2 JP3366239B2 (en) | 2003-01-14 |
Family
ID=17943594
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30531297A Expired - Fee Related JP3366239B2 (en) | 1997-11-07 | 1997-11-07 | Probe card cleaning equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3366239B2 (en) |
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| US11318550B2 (en) | 2019-11-14 | 2022-05-03 | International Test Solutions, Llc | System and method for cleaning wire bonding machines using functionalized surface microfeatures |
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| US11047880B2 (en) | 2019-01-16 | 2021-06-29 | Star Technologies, Inc. | Probing device |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3366239B2 (en) | 2003-01-14 |
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