JPH11144614A - 電子管用含浸型陰極の製造方法 - Google Patents
電子管用含浸型陰極の製造方法Info
- Publication number
- JPH11144614A JPH11144614A JP31200997A JP31200997A JPH11144614A JP H11144614 A JPH11144614 A JP H11144614A JP 31200997 A JP31200997 A JP 31200997A JP 31200997 A JP31200997 A JP 31200997A JP H11144614 A JPH11144614 A JP H11144614A
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- electron tube
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- impregnated cathode
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電子管用含浸型陰極の量産性を高めることが
できる製造方法を提供すること。 【解決手段】 多孔質高融点金属基体である多孔質タン
グステンディスク１０に、電子放射物質１１（例えばＢ
ａ）が例えば１６５０℃で含浸され、その後、洗浄工程
３０で洗浄される。次に、多孔質タングステンディスク
１０の表面にＩｒ膜が形成される。得られた陰極はその
後、真空加熱処理工程４０で、例えば１６５０℃のもと
で５分間真空加熱処理が施され、陰極が活性化される。
続いて、キャップ５０およびスリーブ６０がろう付けさ
れ、完成した内スリーブ８０が得られる。
できる製造方法を提供すること。 【解決手段】 多孔質高融点金属基体である多孔質タン
グステンディスク１０に、電子放射物質１１（例えばＢ
ａ）が例えば１６５０℃で含浸され、その後、洗浄工程
３０で洗浄される。次に、多孔質タングステンディスク
１０の表面にＩｒ膜が形成される。得られた陰極はその
後、真空加熱処理工程４０で、例えば１６５０℃のもと
で５分間真空加熱処理が施され、陰極が活性化される。
続いて、キャップ５０およびスリーブ６０がろう付けさ
れ、完成した内スリーブ８０が得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子管用含浸型陰
極の製造方法に関するものであり、詳しくは量産性に優
れ、かつ効率的に被覆膜、例えばＩｒ膜の十分な膜厚を
得ることができ、しかも被覆膜の膜厚の増大による陰極
のエミッション特性の劣化も防止することのできる電子
管用含浸型陰極の製造方法に関するものである。
極の製造方法に関するものであり、詳しくは量産性に優
れ、かつ効率的に被覆膜、例えばＩｒ膜の十分な膜厚を
得ることができ、しかも被覆膜の膜厚の増大による陰極
のエミッション特性の劣化も防止することのできる電子
管用含浸型陰極の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の電子管用含浸型陰極は、陰極から
電子放射物質、例えばＢａが蒸発し、これがＧＵＮパー
ツに付着して第一グリッド（Ｇ１）孔径や板厚のディメ
ンジョンを変化させている。このため、カットオフ電圧
が変動してしまい、ＣＲＴにてライフ中にホワイトバラ
ンスが崩れ、またグリッドエミッションを引き起こし画
像に乱れを生じさせるという問題点があった。
電子放射物質、例えばＢａが蒸発し、これがＧＵＮパー
ツに付着して第一グリッド（Ｇ１）孔径や板厚のディメ
ンジョンを変化させている。このため、カットオフ電圧
が変動してしまい、ＣＲＴにてライフ中にホワイトバラ
ンスが崩れ、またグリッドエミッションを引き起こし画
像に乱れを生じさせるという問題点があった。
【０００３】この問題点を解決するためには、陰極から
蒸発するＢａ量を抑制することが有効であり、例えば従
来では陰極の表面に被覆膜、例えばＩｒ（イリジウム）
膜を被覆する手法が採用されている。図２は、このよう
なＩｒ膜を設けた従来の陰極の概略図である。多孔質高
融点金属基体、例えば多孔質タングステンディスク１０
には、電子放射物質１１（例えばＢａ）が含浸されてい
る。多孔質タングステンディスク１０の上部表面には、
Ｉｒ膜１２が設けられている。Ｉｒ膜１２の存在によ
り、陰極から蒸発するＢａ量が抑制され、第一グリッド
２０の孔径や板厚のディメンジョンの変化も抑制され
る。このようなＩｒ膜１２を厚くすればするほど、陰極
から蒸発するＢａ量も減少することが知られている。し
かし、Ｉｒ膜厚１２が厚くなり過ぎる（３００ｎｍ以
上）と、陰極のエミッション特性が劣化し、ＣＲＴへの
使用が不可能となる。
蒸発するＢａ量を抑制することが有効であり、例えば従
来では陰極の表面に被覆膜、例えばＩｒ（イリジウム）
膜を被覆する手法が採用されている。図２は、このよう
なＩｒ膜を設けた従来の陰極の概略図である。多孔質高
融点金属基体、例えば多孔質タングステンディスク１０
には、電子放射物質１１（例えばＢａ）が含浸されてい
る。多孔質タングステンディスク１０の上部表面には、
Ｉｒ膜１２が設けられている。Ｉｒ膜１２の存在によ
り、陰極から蒸発するＢａ量が抑制され、第一グリッド
２０の孔径や板厚のディメンジョンの変化も抑制され
る。このようなＩｒ膜１２を厚くすればするほど、陰極
から蒸発するＢａ量も減少することが知られている。し
かし、Ｉｒ膜厚１２が厚くなり過ぎる（３００ｎｍ以
上）と、陰極のエミッション特性が劣化し、ＣＲＴへの
使用が不可能となる。
【０００４】従来の電子管用含浸型陰極の製造方法の一
例を、フローチャートとして図３に示す。多孔質高融点
金属基体、例えば多孔質タングステンディスク１０は、
電子放射物質１１（例えばＢａ）が、例えば１６５０℃
で含浸され、洗浄工程３０で洗浄される。得られた陰極
はその後、真空加熱処理工程４０で、例えば１６５０℃
で５分間真空加熱処理が施され、陰極が活性化される。
続いて、キャップ５０およびスリーブ６０がろう付けさ
れ、組立済内スリーブ７０となり、次に電子放射物質１
１の表面は例えばＩｒ膜の成膜処理（Ｉｒ膜付）が施さ
れ、内スリーブ８０が完成する。このように従来の電子
管用含浸型陰極の製造は、電子放射物質を含浸させた多
孔質高融点金属基体を真空加熱処理に施し、組立済内ス
リーブとした後Ｉｒ膜を成膜していた。
例を、フローチャートとして図３に示す。多孔質高融点
金属基体、例えば多孔質タングステンディスク１０は、
電子放射物質１１（例えばＢａ）が、例えば１６５０℃
で含浸され、洗浄工程３０で洗浄される。得られた陰極
はその後、真空加熱処理工程４０で、例えば１６５０℃
で５分間真空加熱処理が施され、陰極が活性化される。
続いて、キャップ５０およびスリーブ６０がろう付けさ
れ、組立済内スリーブ７０となり、次に電子放射物質１
１の表面は例えばＩｒ膜の成膜処理（Ｉｒ膜付）が施さ
れ、内スリーブ８０が完成する。このように従来の電子
管用含浸型陰極の製造は、電子放射物質を含浸させた多
孔質高融点金属基体を真空加熱処理に施し、組立済内ス
リーブとした後Ｉｒ膜を成膜していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】したがって、Ｉｒ膜の
成膜を行う際には組立済内スリーブともどもＩｒ膜の成
膜処理に施す必要があり、十分な量産性が得られないと
いう欠点があった。さらに前記のように、陰極のエミッ
ション特性の劣化は、Ｉｒ膜厚が３００ｎｍ以上で見ら
れるが、最大限の３００ｎｍまでＩｒ膜厚を厚くして
も、今だ十分に陰極から蒸発するＢａ量を抑制すること
ができなかった。本発明は上記のような従来の課題を解
決し、量産性に優れ、かつ効率的に被覆膜、例えばＩｒ
膜の十分な膜厚を得ることができ、しかも被覆膜の膜厚
の増大による陰極のエミッション特性の劣化も防止する
ことのできる電子管用含浸型陰極の製造方法の提供を目
的とする。
成膜を行う際には組立済内スリーブともどもＩｒ膜の成
膜処理に施す必要があり、十分な量産性が得られないと
いう欠点があった。さらに前記のように、陰極のエミッ
ション特性の劣化は、Ｉｒ膜厚が３００ｎｍ以上で見ら
れるが、最大限の３００ｎｍまでＩｒ膜厚を厚くして
も、今だ十分に陰極から蒸発するＢａ量を抑制すること
ができなかった。本発明は上記のような従来の課題を解
決し、量産性に優れ、かつ効率的に被覆膜、例えばＩｒ
膜の十分な膜厚を得ることができ、しかも被覆膜の膜厚
の増大による陰極のエミッション特性の劣化も防止する
ことのできる電子管用含浸型陰極の製造方法の提供を目
的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意研究を
重ねた結果、上記のような従来の課題を解決することを
得た。すなわち本発明は、電子放射物質を含浸させた多
孔質高融点金属基体を有する電子管用含浸型陰極の製造
方法において、前記電子管用含浸型陰極の表面に被覆膜
を成膜した後、電子管に組み込む前に前記多孔質高融点
金属基体を真空中または非酸化性雰囲気中で加熱するよ
うにしたことを特徴とする。
重ねた結果、上記のような従来の課題を解決することを
得た。すなわち本発明は、電子放射物質を含浸させた多
孔質高融点金属基体を有する電子管用含浸型陰極の製造
方法において、前記電子管用含浸型陰極の表面に被覆膜
を成膜した後、電子管に組み込む前に前記多孔質高融点
金属基体を真空中または非酸化性雰囲気中で加熱するよ
うにしたことを特徴とする。
【０００７】本発明では、電子放射物質を含浸させた多
孔質高融点金属基体の表面に被覆膜を成膜し、その後真
空加熱処理を行うので、多孔質高融点金属基体を単体で
加熱することができ、電子管用陰極の量産性に優れる。
また、被覆膜成膜後に真空加熱処理し陰極の活性を行う
ことにより、従来技術と同じ被覆膜厚なら活性時間が短
くなり、逆に同じ活性時間なら被覆膜厚を増加でき、製
造効率に優れる。
孔質高融点金属基体の表面に被覆膜を成膜し、その後真
空加熱処理を行うので、多孔質高融点金属基体を単体で
加熱することができ、電子管用陰極の量産性に優れる。
また、被覆膜成膜後に真空加熱処理し陰極の活性を行う
ことにより、従来技術と同じ被覆膜厚なら活性時間が短
くなり、逆に同じ活性時間なら被覆膜厚を増加でき、製
造効率に優れる。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の電子管用含浸型陰極の製
造方法の一実施態様を、フローチャートとして図１に示
す。多孔質高融点金属基体、例えば多孔質タングステン
ディスク１０は、電子放射物質１１（例えばＢａ）が、
例えば１６５０℃で含浸され、洗浄工程３０で洗浄され
る。次に、多孔質タングステンディスク１０の表面にＩ
ｒ膜が形成される。この工程の順が本発明の特徴であ
り、図１において、Ｉｒ膜の成膜工程をＩｒ膜付１とし
て示した。得られた陰極はその後、真空加熱処理工程４
０で、例えば１６５０℃のもとで５分間真空加熱処理が
施され、陰極が活性化される。続いて、キャップ５０お
よびスリーブ６０がろう付けされ、完成した内スリーブ
８０が得られ、陰極が電子管に組み込まれる。
造方法の一実施態様を、フローチャートとして図１に示
す。多孔質高融点金属基体、例えば多孔質タングステン
ディスク１０は、電子放射物質１１（例えばＢａ）が、
例えば１６５０℃で含浸され、洗浄工程３０で洗浄され
る。次に、多孔質タングステンディスク１０の表面にＩ
ｒ膜が形成される。この工程の順が本発明の特徴であ
り、図１において、Ｉｒ膜の成膜工程をＩｒ膜付１とし
て示した。得られた陰極はその後、真空加熱処理工程４
０で、例えば１６５０℃のもとで５分間真空加熱処理が
施され、陰極が活性化される。続いて、キャップ５０お
よびスリーブ６０がろう付けされ、完成した内スリーブ
８０が得られ、陰極が電子管に組み込まれる。
【０００９】前記の真空加熱処理工程４０は、一実施態
様として１６５０℃、５分を例示したが、この条件以外
にも、加熱温度として１４００〜１８００℃の範囲が採
用でき、また加熱時間も０．１分〜６０分の範囲で適宜
選択することができる。なお、電子放射物質の蒸発量を
一層抑制するためには加熱温度を１６５０℃以下、かつ
加熱時間を５分以下にするのがよい。また真空加熱処理
４０は、真空中または非酸化性雰囲気中、例えば窒素等
の不活性雰囲気中で行うのがよい。また、前述では被覆
膜の材質としてＩｒを例示したが、この他にもＯｓやＲ
ｕ等の白金族の金属を好適に使用することができる。
様として１６５０℃、５分を例示したが、この条件以外
にも、加熱温度として１４００〜１８００℃の範囲が採
用でき、また加熱時間も０．１分〜６０分の範囲で適宜
選択することができる。なお、電子放射物質の蒸発量を
一層抑制するためには加熱温度を１６５０℃以下、かつ
加熱時間を５分以下にするのがよい。また真空加熱処理
４０は、真空中または非酸化性雰囲気中、例えば窒素等
の不活性雰囲気中で行うのがよい。また、前述では被覆
膜の材質としてＩｒを例示したが、この他にもＯｓやＲ
ｕ等の白金族の金属を好適に使用することができる。
【００１０】本発明においては、電子放射物質を含浸さ
せた多孔質高融点金属基体の表面に被覆膜を成膜し、そ
の後真空加熱処理を行っているために、多孔質高融点金
属基体を単体で加熱することができ、組立済内スリーブ
ともどもＩｒ膜の成膜処理に施す必要がないので、電子
管用陰極の量産性に優れるという利点がある。また、被
覆膜成膜後に真空加熱処理し陰極の活性を行うことによ
り、従来技術と同じ被覆膜厚、例えばＩｒ膜厚なら活性
時間が短くなり、逆に同じ活性時間ならＩｒ膜厚を増加
することができる。この点においても優れた製造効率が
認められる。さらに本発明において好ましい真空加熱処
理条件である、１６５０℃以下、かつ５分以下の加熱を
行っても十分に活性することが確認できた。
せた多孔質高融点金属基体の表面に被覆膜を成膜し、そ
の後真空加熱処理を行っているために、多孔質高融点金
属基体を単体で加熱することができ、組立済内スリーブ
ともどもＩｒ膜の成膜処理に施す必要がないので、電子
管用陰極の量産性に優れるという利点がある。また、被
覆膜成膜後に真空加熱処理し陰極の活性を行うことによ
り、従来技術と同じ被覆膜厚、例えばＩｒ膜厚なら活性
時間が短くなり、逆に同じ活性時間ならＩｒ膜厚を増加
することができる。この点においても優れた製造効率が
認められる。さらに本発明において好ましい真空加熱処
理条件である、１６５０℃以下、かつ５分以下の加熱を
行っても十分に活性することが確認できた。
【００１１】また、理由は明らかにされなかったが、被
覆膜成膜後に真空加熱処理し陰極の活性を行うことによ
り、被覆膜厚を厚くした場合、例えば、Ｉｒ膜厚を３０
０ｎｍ以上に設定した場合でも陰極のエミッション特性
の劣化を防止することができた。本発明によれば、被覆
膜の厚さは１０ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲で適宜選択す
ることができ、被覆膜厚を厚くしても陰極のエミッショ
ン特性の劣化を防止することができる。
覆膜成膜後に真空加熱処理し陰極の活性を行うことによ
り、被覆膜厚を厚くした場合、例えば、Ｉｒ膜厚を３０
０ｎｍ以上に設定した場合でも陰極のエミッション特性
の劣化を防止することができた。本発明によれば、被覆
膜の厚さは１０ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲で適宜選択す
ることができ、被覆膜厚を厚くしても陰極のエミッショ
ン特性の劣化を防止することができる。
【００１２】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように本発明は、
電子放射物質を含浸させた多孔質高融点金属基体を有す
る電子管用含浸型陰極の製造方法において、前記電子管
用含浸型陰極の表面に被覆膜を成膜した後、電子管に組
み込む前に前記多孔質高融点金属基体を真空中または非
酸化性雰囲気中で加熱するようにした。そのため、量産
性に優れ、かつ効率的に被覆膜、例えばＩｒ膜の十分な
膜厚を得ることができ、しかも被覆膜の膜厚の増大によ
る陰極のエミッション特性の劣化も防止することができ
る。
電子放射物質を含浸させた多孔質高融点金属基体を有す
る電子管用含浸型陰極の製造方法において、前記電子管
用含浸型陰極の表面に被覆膜を成膜した後、電子管に組
み込む前に前記多孔質高融点金属基体を真空中または非
酸化性雰囲気中で加熱するようにした。そのため、量産
性に優れ、かつ効率的に被覆膜、例えばＩｒ膜の十分な
膜厚を得ることができ、しかも被覆膜の膜厚の増大によ
る陰極のエミッション特性の劣化も防止することができ
る。
【図１】本発明の電子管用含浸型陰極の製造方法の一実
施態様を説明するためのフローチャートである。
施態様を説明するためのフローチャートである。
【図２】Ｉｒ膜を設けた従来の陰極の概略図である。
【図３】従来の電子管用含浸型陰極の製造方法の一例を
説明するためのフローチャートである。
説明するためのフローチャートである。
１，１００……Ｉｒ膜付、１０……多孔質タングステン
ディスク、１１……電子放射物質、１２……Ｉｒ膜、２
０……第一グリッド、３０……洗浄工程、４０……真空
加熱処理、５０……キャップ、６０……スリーブ、７０
……組立済内スリーブ、８０……内スリーブ。
ディスク、１１……電子放射物質、１２……Ｉｒ膜、２
０……第一グリッド、３０……洗浄工程、４０……真空
加熱処理、５０……キャップ、６０……スリーブ、７０
……組立済内スリーブ、８０……内スリーブ。
Claims (5)
- 【請求項１】 電子放射物質を含浸させた多孔質高融点
金属基体を有する電子管用含浸型陰極の製造方法におい
て、 前記電子管用含浸型陰極の表面に被覆膜を成膜した後、
電子管に組み込む前に、前記多孔質高融点金属基体を真
空中または非酸化性雰囲気中で加熱するようにした、 ことを特徴とする電子管用含浸型陰極の製造方法。 - 【請求項２】 前記多孔質高融点金属基体を真空中また
は非酸化性雰囲気中で加熱する際の加熱温度が、１４０
０〜１８００℃の範囲であり、かつ、加熱時間が０．１
分〜６０分の範囲であることを特徴とする請求項１記載
の電子管用含浸型陰極の製造方法。 - 【請求項３】 前記加熱する工程では多孔質高融点金属
基体を単体で加熱することを特徴とする請求項１記載の
電子管用含浸型陰極の製造方法。 - 【請求項４】 前記被覆膜がＩｒ、ＯｓまたはＲｕの白
金族の金属であることを特徴とする請求項１記載の電子
管用含浸型陰極の製造方法。 - 【請求項５】 前記被覆膜の厚さが１０ｎｍ〜１０００
ｎｍの範囲であることを特徴とする請求項１記載の電子
管用含浸型陰極の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31200997A JPH11144614A (ja) | 1997-11-13 | 1997-11-13 | 電子管用含浸型陰極の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31200997A JPH11144614A (ja) | 1997-11-13 | 1997-11-13 | 電子管用含浸型陰極の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11144614A true JPH11144614A (ja) | 1999-05-28 |
Family
ID=18024119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31200997A Pending JPH11144614A (ja) | 1997-11-13 | 1997-11-13 | 電子管用含浸型陰極の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11144614A (ja) |
-
1997
- 1997-11-13 JP JP31200997A patent/JPH11144614A/ja active Pending
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