JPH11142887A - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置

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JPH11142887A
JPH11142887A JP31328397A JP31328397A JPH11142887A JP H11142887 A JPH11142887 A JP H11142887A JP 31328397 A JP31328397 A JP 31328397A JP 31328397 A JP31328397 A JP 31328397A JP H11142887 A JPH11142887 A JP H11142887A
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JP
Japan
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liquid crystal
pattern
crystal display
static electricity
array substrate
Prior art date
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Pending
Application number
JP31328397A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeshi Nakagawa
毅 中川
Masatane Nishihara
正胤 西原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP31328397A priority Critical patent/JPH11142887A/ja
Publication of JPH11142887A publication Critical patent/JPH11142887A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 配向膜印刷,配向膜硬化,ラビングなどのセ
ル組立を実施しても、バスラインとソース配線,画素電
極,TFT部間に発生する静電気による破壊を抑制する
ことができて、これによりアレイ基板の完成以降の静電
気による不良の発生を低減することができるようにす
る。 【解決手段】 バスライン18を2次元的に囲み込むよ
うに、導体あるいは半導体を使用して囲い込みパターン
11を形成する。この囲い込みパターン11を設けるこ
とにより、アレイ基板の完成以降の工程においてバスラ
イン18とソース配線12,TFT14との間に静電気
が発生し、その電圧差が起因して放電が生じても、その
放電が囲い込みパターン11によって遮蔽されることに
なるため、TFT14における静電気による破壊を抑制
することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、透明画素電極と薄
膜トランジスタを2次元に配してなるアレイ基板を備え
た液晶表示装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、液晶を用いた表示装置は各方面に
広く使用されており、特に薄膜トランジスタ(以下、T
FTと称する)を用いた液晶表示装置に関する技術は急
速に進歩している。
【0003】図4は従来の液晶表示装置の液晶表示パネ
ルの構成を説明するための断面図であり、41は映像信
号を書き込むためのTFTを用いたマトリクス型のアレ
イ基板、42は液晶43の動作を制御するための基準電
圧を与える対向電極(以下、CFと称する)であって、液
晶43はアレイ基板41における画素電極とCF42間
の電界により光を偏光させる。
【0004】以上のように構成された液晶表示装置にお
けるアレイ基板41の構成、すなわちガラス基板上にド
ライバ用ICチップ(TFTに信号を供給するための集
積回路)を直接実装する工法(チップ・オン・グラス工
法)を用いたアレイ基板41の構成について図3を用い
て説明する。
【0005】図3は図4のアレイ基板の配置パターンを
示す平面図であり、図3において、ソース配線12は、
TFT14に色信号を供給するための複数本の配線であ
って、ソースドライバ用IC(以下、ソースICと称す
る)16の出力部にそれぞれ結線されており、ゲート配
線13は、TFT14にオン・オフ信号を供給するため
の配線であって、ゲートドライバ用IC(以下、ゲート
ICと称する)17の出力部にそれぞれ結線されてい
る。またソースIC16やゲートIC17には、それぞ
れに対して電源,基準電圧,色信号,クロック信号,ス
タート信号などを供給するための信号供給配線(以下、
バスラインと称する)18が設けられている。なお、1
9はフレキシブルプリント基板(以下、FPCと称する)
である。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】前記従来のアレイ基板
に対して配向膜印刷,配向膜硬化,ラビングなどのセル
組立を実施する際に、配向膜印刷,基板の加熱炉,位置
規制およびラビング装置などのステージから剥離すると
き、あるいはラビングなどの摩擦時には、静電気が発生
しやすく、その静電気によって前記バスライン18と、
ソース配線12,画素電極,TFT14間に大きな電位
差が発生して、TFT14において静電気破壊が発生す
るという問題を有していた。
【0007】本発明は、前記従来の問題を解決するもの
であり、配向膜印刷,配向膜硬化,ラビングなどのセル
組立を実施しても、バスラインとソース配線,画素電
極,TFT部間に発生する静電気による破壊を抑制する
ことができて、これによりアレイ基板の完成以降の静電
気による不良の発生を低減することができるようにした
液晶表示装置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の液晶表示装置は、アレイ基板において、バ
スラインを2次元的に囲み込むパターンを導体あるいは
半導体によって形成し、静電気による放電を防止するよ
うにしたものである。このパターンの形成方法として
は、成膜,フォトリソグラフ,エッチングなどの方法を
用いる。また前記囲い込みパターンを、ソース配線ある
いはゲート配線の共通ラインに接続することにより、電
気的に同電位なシールド電極を形成したものであって、
この構成により、バスラインに発生した静電気が、万
一、ソース配線側に放電したとしても、その放電をバス
ラインを囲み込んだ導体あるいは半導体にて形成された
囲い込みパターンとの間のみにて止めることできるた
め、静電気による放電を遮蔽することが可能となり、T
FTの静電気破壊を抑制することができる。
【0009】
【発明の実施の形態】本発明の請求項1記載の発明は、
画素電極と薄膜トランジスタ(TFT)が2次元的に配さ
れ、ガラス基板上に薄膜トランジスタを駆動するための
ドライバ用集積回路チップを直接実装するアレイ基板を
備える液晶表示装置において、前記ドライバ用集積回路
の信号供給配線(バスライン)を囲い込むように導体ある
いは半導体によって囲い込みパターンを形成したことを
特徴とし、この構成によって、バスラインに発生した静
電気によるTFT側への放電が囲い込みパターンによっ
て遮断されるため、TFTの静電気破壊を抑制すること
ができる。
【0010】請求項2記載の発明は、前記囲い込みパタ
ーンを、前記アレイ基板におけるソース配線あるいはゲ
ート配線の共通ラインに電気的に接続したことを特徴と
し、この構成によって、放電遮断が良好な状態で行われ
るように、電気的に同電位なシールド電極を形成するこ
とができる。
【0011】以下、本発明の実施形態を図面を参照して
説明する。
【0012】図1は本発明の第1実施形態を説明するた
めの液晶表示装置におけるアレイ基板の配置パターンを
示す平面図であり、図1において図3に示す部材に対応
する部材には同一の符号を付している。
【0013】図1において、12はTFT14に色信号
を供給するためのソース配線、13はTFT14にオン
/オフ信号を供給するためのゲート配線、15はソース
配線12の共通ライン、16はTFT14に色信号を供
給するために実装されているソースIC、17はTFT
14にオン/オフ信号を供給するために実装されている
ゲートIC、18は、ソースIC16およびゲートIC
17にそれぞれ設けられて、駆動系信号を供給するため
のバスライン、19はFPC実装部である。
【0014】さらに、11は、バスライン18を2次元
的に囲み込むように、導体あるいは半導体を使用して、
成膜,フォトリソグラフ,エッチングなどの方法により
形成した囲い込みパターンであって、この囲い込みパタ
ーン11は、ソース配線12の共通ライン15に電気的
に接続されていて、ソース配線12と同電位になってい
る。
【0015】このように囲い込みパターン11を設ける
ことにより、アレイ基板の完成以降の工程においてバス
ライン18とソース配線12,TFT14との間に静電
気が発生し、その電圧差が起因して放電が生じても、そ
の放電が囲い込みパターン11によって遮蔽されること
になるため、TFT14における静電気による破壊を抑
制することができる。
【0016】図2は本発明の第2実施形態を説明するた
めの液晶表示装置におけるアレイ基板の配置パターンを
示す平面図であり、図2において図3に示す部材に対応
する部材には同一の符号を付している。
【0017】図2において、12はソース配線、13は
ゲート配線、14はTFT、15はソース配線12の共
通ライン、16はソースIC、17はゲートIC、18
はバスライン、19はFPC実装部である。
【0018】さらに、21は囲い込みパターンであっ
て、バスライン18だけでなく、シール印刷部のCF
(対向電極)との高さ調整用のダミー配線パターン22を
も含めて、2次元的に囲み込むように、導体あるいは半
導体を使用して成膜,フォトリソグラフ,エッチングな
どの方法により形成されたパターンである。この囲い込
みパターン21は、ソース配線12の共通ライン15に
電気的に接続されていて、ソース配線12と同電位にな
っている。
【0019】このように囲い込みパターン21を設ける
ことにより、アレイ基板の完成以降の工程でバスライン
18,高さ調整用のダミー配線パターン22と、ソース
配線12,TFT14との間に静電気が発生し、その電
圧差が起因して放電が生じても、その放電が囲い込みパ
ターン21によって遮蔽されることになるため、TFT
14における静電気による破壊を抑制することができ
る。
【0020】以上のように本実施形態によれば、ICチ
ップなどが実装され、しかもICの駆動系信号を供給す
る配線パターン(バスライン)を囲み込むようにパターン
を設けることにより、セル組立時の静電気による破壊を
防ぐことができる。
【0021】また前記実施形態においては、ソース配線
側に囲い込みパターンを形成するように説明したが、ゲ
ート配線側でも前記と同様に実施してもよいことは言う
までもない。
【0022】さらに前記実施形態においては、ガラス基
板上における1面付けの構成にて説明したが、多数個の
TFTパネルを並べた構成においても適用することがで
きる。
【0023】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
バスラインを囲み込む導体もしくは半導体にて形成され
た囲い込みパターンを設けることにより、バスラインに
発生した静電気が、万一、TFT部側に放電したとして
も、このバスラインを囲み込んだ囲い込みパターンにお
いて遮断することができるため、アレイ基板の完成以降
の工程における静電気不良の発生を抑制することが可能
になり、生産性上で静電破壊を防止することが可能な液
晶表示装置の提供を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態を説明するための液晶表
示装置のアレイ基板の平面図
【図2】本発明の第1実施形態を説明するための液晶表
示装置のアレイ基板の平面図
【図3】従来の液晶表示装置のアレイ基板の配線パター
ンの平面図
【図4】液晶表示装置における液晶表示パネルの基本構
成を示す断面図
【符号の説明】
11,21 囲い込みパターン 12 ソース配線 13 ゲート配線 14 TFT 15 ソース配線の共通ライン 16 ソースIC 17 ゲートIC 18 バスライン 19 フレキシブルプリント基板(FPC)実装部 22 ダミー配線パターン 41 アレイ基板 42 対向電極(CF) 43 液晶 44 液晶表示パネル

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 画素電極と薄膜トランジスタが2次元的
    に配され、ガラス基板上に薄膜トランジスタを駆動する
    ためのドライバ用集積回路チップを直接実装するアレイ
    基板を備える液晶表示装置において、前記ドライバ用集
    積回路の信号供給配線を囲い込むように導体あるいは半
    導体によって囲い込みパターンを形成したことを特徴と
    する液晶表示装置。
  2. 【請求項2】 前記囲い込みパターンを、前記アレイ基
    板におけるソース配線あるいはゲート配線の共通ライン
    に電気的に接続したことを特徴とする請求項1記載の液
    晶表示装置。
JP31328397A 1997-11-14 1997-11-14 液晶表示装置 Pending JPH11142887A (ja)

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