JPH11135303A - Thick-film thermistor composition - Google Patents
Thick-film thermistor compositionInfo
- Publication number
- JPH11135303A JPH11135303A JP30011997A JP30011997A JPH11135303A JP H11135303 A JPH11135303 A JP H11135303A JP 30011997 A JP30011997 A JP 30011997A JP 30011997 A JP30011997 A JP 30011997A JP H11135303 A JPH11135303 A JP H11135303A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- powder
- thick
- conductive material
- thermistor
- paste
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、電極間に挾んで基
板上に形成される厚膜サーミスタ、いわゆるサンドウィ
ッチ型厚膜サーミスタ組成物に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a so-called sandwich type thick film thermistor composition formed on a substrate between electrodes.
【０００２】[0002]
【従来の技術】厚膜サーミスタの組成物として、従来よ
りＭｎ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉなどの金属酸化物と、導電材
料としてのＲｕＯ2と、更にガラス粉末を混合したもの
が知られている。サンドウィッチ型厚膜サーミスタは、
この組成物を第１の電極と、第２の電極との間に挾んで
絶縁基板上に形成されたものである。2. Description of the Related Art As a composition of a thick film thermistor, a composition in which a metal oxide such as Mn, Co, Fe, Ni, etc., RuO 2 as a conductive material and glass powder are further mixed has been known. The sandwich type thick film thermistor is
This composition was formed on an insulating substrate by sandwiching the composition between a first electrode and a second electrode.
【０００３】サンドウィッチ型厚膜サーミスタによれ
ば、同一平面上の電極間にサーミスタ組成物を単に印刷
をした厚膜サーミスタ（対向電極型サーミスタ）に比し
て低抵抗のものが得られるものの、上記組成物を用いた
ものの抵抗値は、せいぜい１ＫΩ／１ｍｍ2・２０μｍ
が限度であった。もっとも、第１導電性物質としてのＲ
ｕＯ2を更に加えるか、あるいはＣｏ，Ｆｅ，Ｎｉなど
の金属酸化物に直接Ｃｕ又はＣｕ酸化物を加えることに
よってそれ以下の抵抗値を得ることは可能である。しか
しながら、金属酸化物に直接Ｃｕ又はＣｕ酸化物を添加
したサーミスタ組成物は、熱安定性に欠け、また、その
添加量が増加すると、抵抗値，Ｂ定数が共に急激に低下
するという問題が生ずる。According to the sandwich-type thick-film thermistor, a thin-film thermistor having a lower resistance than that of a thick-film thermistor simply printed with a thermistor composition between electrodes on the same plane (a counter-electrode thermistor) is obtained. The resistance value of the composition was at most 1 KΩ / 1 mm 2 · 20 μm.
Was the limit. However, R as the first conductive material
It is possible to obtain a lower resistance value by further adding uO 2 or by directly adding Cu or Cu oxide to a metal oxide such as Co, Fe, or Ni. However, a thermistor composition in which Cu or Cu oxide is directly added to a metal oxide lacks thermal stability, and when the added amount increases, both the resistance value and the B constant rapidly decrease. .
【０００４】この問題を解決するための先行例の一つに
特開平６−６１０１６号があり、この先行例において
は、Ｍｎ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉのそれぞれの酸化物のうち
から選ばれたサーミスタ特性を有する少なくとも２種類
の金属酸化物と、第１の導電性物質としてのＲｕＯ
2と、第２の導電性物質としてのＣｕとＲｕ、又はＣｕ
とＲｕの酸化物、水酸化物、炭酸塩のいずれかの組み合
わせのうち少なくとも２種類を混合し、加熱焼成した化
合物と、ガラスとよりなる厚膜サーミスタ組成物を提案
し、この厚膜サーミスタ組成物によれば、熱安定性に欠
けることがなく、低抵抗でＢ定数が高く、熱に対する抵
抗変化率の厚膜サーミスタ組成物及び厚膜サーミスタを
得ることができる、という効果が強調されている。One of the prior arts for solving this problem is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-61016. In this prior art, a thermistor selected from oxides of Mn, Co, Fe and Ni is disclosed. At least two kinds of metal oxides having characteristics and RuO as a first conductive material
2 , Cu and Ru as the second conductive substance, or Cu
A thick-film thermistor composition comprising a compound obtained by mixing at least two of any combination of oxides, hydroxides, and carbonates of Ru with heat and calcining, and glass; According to the product, the effect of being able to obtain a thick-film thermistor composition and a thick-film thermistor having a low resistance, a high B constant, and a rate of change in resistance to heat without emphasizing thermal stability is emphasized. .
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、発明者
らの実験によれば、上記成分の組合せによっては、必ず
しも上記先行例に強調される所期の効果が得られなかっ
た。ところで、発明者らは、セラミック基板上に面積抵
抗値が１ＫΩ／□以下の厚膜抵抗体を形成するに際し、
焼成された抵抗体の抵抗値、抵抗温度係数のばらつきが
少なく、しかも再焼成における抵抗値変化が小さい厚膜
抵抗体形成用組成物を提供することを目的として研究を
した結果、固形分としてＲｕＯ2粉末、ガラス粉末、Ａ
ｇ：Ｐｄの重量比が９５：５〜３０：７０となるよう
に、パラジウムで被覆された銀粉、又はＡｇ／Ｐｄ合金
のフレーク状粉末を含み、ガラス粉末に対するＲｕＯ2
の重量比が０．１５〜１．５であり、ＲｕＯ2 +ガラス粉
末に対するパラジウム被覆銀粉又はＡｇ／Ｐｄ合金のフ
レーク状粉末の重量比を０．０３〜２０に設定して所期
の目的を達成できることを見出した（特開平６−６１０
０４号、特開平６−６１００５号参照）。However, according to experiments conducted by the inventors, the desired effect emphasized in the above-mentioned prior art example was not always obtained depending on the combination of the above components. By the way, when forming a thick-film resistor having a sheet resistance of 1 KΩ / □ or less on a ceramic substrate,
As a result of conducting research with the aim of providing a composition for forming a thick-film resistor having a small variation in the resistance value and the temperature coefficient of resistance of the fired resistor and a small change in the resistance value upon re-firing, the solid content of RuO was determined. 2 powder, glass powder, A
A silver powder coated with palladium or a flake-like powder of an Ag / Pd alloy is contained such that the weight ratio of g: Pd is 95: 5 to 30:70, and RuO 2 with respect to glass powder is contained.
Is 0.15 to 1.5, and the weight ratio of flake-like powder of palladium-coated silver powder or Ag / Pd alloy to RuO 2 + glass powder is set to 0.03 to 20 to achieve the intended purpose. (Japanese Patent Laid-Open No. 6-610)
04, JP-A-6-61005).
【０００６】しかしながら、この試みは、抵抗体につい
て、抵抗体焼成後の面積抵抗値、ＴＣＲのばらつき、ガ
ラスコート焼成後の抵抗値変化を測定して好ましい成分
の範囲を特定したまでのものであり、厚膜サーミスタ組
成物についての適用性については全くの未知であった。
また、当時は、パラジウム被覆銀粉、又はＡｇ／Ｐｄ合
金のフレーク状粉末、ＲｕＯ2粉末、ガラス粉末以外
に、従来から抵抗温度係数の調整に添加されているＭｎ
Ｏ2，Ｎｂ2Ｏ3，Ｓｂ2Ｏ3，ＴｉＯ2，ＣｕＯなどを添加
することが有効であると考えていた。[0006] However, this attempt has been limited to the determination of the range of preferred components of the resistor by measuring the sheet resistance after firing of the resistor, the variation in TCR, and the change in resistance after firing the glass coat. The applicability of the thick film thermistor composition was completely unknown.
At that time, in addition to palladium-coated silver powder or Ag / Pd alloy flake powder, RuO 2 powder, and glass powder, Mn conventionally added to adjust the temperature coefficient of resistance.
It has been considered that it is effective to add O 2 , Nb 2 O 3 , Sb 2 O 3 , TiO 2 , CuO and the like.
【０００７】ところが、低抵抗でＢ定数が高く、熱に対
する抵抗値変化率の少ない厚膜サーミスタ組成物を得る
ための研究を進めた結果、その性能の改善を妨げる要因
が明かになった。However, as a result of research on obtaining a thick-film thermistor composition having a low resistance, a high B constant, and a small rate of change in resistance to heat, the factors hindering the improvement of the performance became clear.
【０００８】本発明の目的は、サーミスタ膜形成後の抵
抗値が小さく、高Ｂ定数であり、熱による抵抗変化率が
小さい厚膜サーミスタ組成物を提供することにある。An object of the present invention is to provide a thick-film thermistor composition having a small resistance value after formation of a thermistor film, a high B constant, and a small rate of change in resistance due to heat.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明による厚膜サーミスタ組成物においては、金
属酸化物と、第１導電性物質と、第２導電性物質と、ガ
ラス粉末とを含む厚膜サーミスタ組成物であって、金属
酸化物は、Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｚｎ、Ｃｕなどの
うちから選ばれた少なくとも２種類の元素を含んだサー
ミスタ特性を有する複合酸化物であり、第１導電性物質
は、ＲｕＯ2であり、第２導電性物質は、Ａｇ／Ｐｄ粉
末である。In order to achieve the above object, a thick film thermistor composition according to the present invention comprises a metal oxide, a first conductive material, a second conductive material, and glass powder. A thick oxide thermistor composition, wherein the metal oxide is a composite oxide having a thermistor characteristic containing at least two kinds of elements selected from Mn, Co, Ni, Fe, Zn, Cu and the like. The first conductive material is RuO 2 , and the second conductive material is Ag / Pd powder.
【００１０】また、すくなくとも第１導電性物質と、第
２導電性物質とは、Ｃｕを含まないものである。[0010] At least the first conductive material and the second conductive material do not contain Cu.
【００１１】また、第２導電性物質は、Ａｇ／Ｐｄ合金
粉、Ａｇ／Ｐｄ共沈粉又はＰｄ被覆Ａｇ粉である。The second conductive material is an Ag / Pd alloy powder, an Ag / Pd coprecipitated powder or a Pd-coated Ag powder.
【００１２】また、Ａｇ／Ｐｄの重量比は、９５：５〜
３０：７０であり、ガラス粉末に対するＲｕＯ2の重量
比が０．０１〜０．１５であり、金属酸化物の重量比
は、ガラス粉末とＲｕＯ2とに対して０．２〜１．４で
あり、Ａｇ／Ｐｄ粉末は、ガラス粉末と、ＲｕＯ2と、
金属酸化物粉末とに対して重量比で０．０１〜１．０を
含むものである。The weight ratio of Ag / Pd is from 95: 5 to
30:70, the weight ratio of RuO 2 to glass powder is 0.01 to 0.15, and the weight ratio of metal oxide is 0.2 to 1.4 with respect to glass powder and RuO 2. Yes, Ag / Pd powders are glass powder, RuO 2 ,
It contains 0.01 to 1.0 by weight with respect to the metal oxide powder.
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】以下に本発明による実施の形態を
説明する。Embodiments of the present invention will be described below.
【００１３】本発明は、サーミスタ特性を有する金属酸
化物と、第１の導電性物質と、第２の導電性物質と、ガ
ラス粉末とを含むペーストであり、このペーストは、図
１に示すように基板１上の第１電極２と、第２電極３間
に厚膜サーミスタ層４として形成され、高温で焼成する
ことによりサンドイッチ型の厚膜サーミスタに加工され
る。The present invention is a paste containing a metal oxide having thermistor characteristics, a first conductive substance, a second conductive substance, and glass powder. This paste is as shown in FIG. First, a thick-film thermistor layer 4 is formed between the first electrode 2 and the second electrode 3 on the substrate 1, and is fired at a high temperature to be processed into a sandwich-type thick-film thermistor.
【００１４】本発明において、サーミスタ特性を有する
金属酸化物は、従来より知られた金属酸化物、例えば、
Ｍｎ3Ｏ4，Ｃｏ3Ｏ4，ＮｉＯ，Ｆｅ2Ｏ3，ＺｎＯ，Ｃｕ
Ｏ，ＣａＯ，ＴｉＯ2その他酸化物、炭酸化合物、シュ
ウ酸化合物などの中から少なくとも２種類以上のものが
選ばれる。In the present invention, the metal oxide having thermistor characteristics is a conventionally known metal oxide, for example,
Mn 3 O 4 , Co 3 O 4 , NiO, Fe 2 O 3 , ZnO, Cu
At least two or more kinds are selected from O, CaO, TiO 2 and other oxides, carbonate compounds, oxalic acid compounds and the like.
【００１５】第１の導電性物質は、ＲｕＯ2である。Ｒ
ｕＯ2には、通常の厚膜抵抗体や厚膜サーミスタに用い
られている粒径１μｍ以下、好ましくは０．２μｍ以下
の粉末を用いる。The first conductive substance is RuO 2 . R
As uO 2 , a powder having a particle diameter of 1 μm or less, preferably 0.2 μm or less, which is used for a usual thick film resistor or thick film thermistor, is used.
【００１６】第２の導電性物質は、Ａｇ／Ｐｄ合金粉、
Ａｇ共沈粉、Ｐｄ被覆のＡｇ粉である。Ａｇ／Ｐｄ合金
粉末の重量比は、９５：５〜３０：７０である。なお、
粒径は、いずれも５μｍ以下が望ましい。The second conductive substance is an Ag / Pd alloy powder,
Ag coprecipitated powder, Pd-coated Ag powder. The weight ratio of the Ag / Pd alloy powder is 95: 5 to 30:70. In addition,
The particle size is desirably 5 μm or less.
【００１７】Ａｇ／Ｐｄ合金粉は、Ａｇ／Ｐｄ合金粉末
であり、Ａｇ／Ｐｄの粉末は、平均粒径が１〜１０μｍ
好ましくは１〜３μｍのものがよい。Ａｇ／Ｐｄ合金の
粉末は均一な合金であるため、焼成時に局部的なＡｇの
溶融、蒸発は生じない。また、印刷、乾燥後の導電粉同
志の接触が安定しているため、焼成された抵抗体の抵抗
値、抵抗温度係数のばらつきが小さく、熱に対する抵抗
値の変化が小さい。The Ag / Pd alloy powder is an Ag / Pd alloy powder, and the Ag / Pd powder has an average particle size of 1 to 10 μm.
Preferably, the thickness is 1 to 3 μm. Since the Ag / Pd alloy powder is a homogeneous alloy, local melting and evaporation of Ag do not occur during firing. In addition, since the contact between the conductive powders after printing and drying is stable, variations in the resistance value and the temperature coefficient of resistance of the fired resistor are small, and the change in the resistance value with respect to heat is small.
【００１８】Ａｇ／Ｐｄ共沈粉は、共沈法によって、Ａ
ｇ／Ｐｄを析出させたものである。この共沈粉は、湿式
法によって作られるものであるため、粒径が細かく、焼
結温度が低くても安定した焼結性を示す。そのため、焼
成後の膜内粒子が均一で高温安定性を有している。Ag / Pd co-precipitated powder is prepared by co-precipitation
g / Pd. Since this coprecipitated powder is produced by a wet method, it has a small particle size and shows stable sinterability even at a low sintering temperature. Therefore, the in-film particles after firing have uniform and high-temperature stability.
【００１９】Ｐｄ被覆Ａｇ粉は、粒子形状がほぼ球形
で、平均粒径が０．１〜２μｍの銀粒子の表面が、Ａ
ｇ：Ｐｄの重量比で９５：５〜３０：７０となるように
Ｐｄで被覆されている。本発明において、第１及び第２
の導電性物質にはＣｕ又はその他の化合物を含まない。The Pd-coated Ag powder has a substantially spherical particle shape, and the surface of silver particles having an average particle size of 0.1 to 2 μm is A
It is coated with Pd so that the weight ratio of g: Pd is 95: 5 to 30:70. In the present invention, the first and second
Does not contain Cu or other compounds.
【００２０】ガラス粉には、通常の厚膜サーミスタなど
に用いられるホウケイ酸鉛系、アルミノホウケイ酸鉛系
等でよく、粒径は１０μｍ以下、好ましくは５μｍ以下
である。The glass powder may be a lead borosilicate-based or lead aluminoborosilicate-based glass used in ordinary thick film thermistors and the like, and has a particle size of 10 μm or less, preferably 5 μm or less.
【００２１】金属酸化物と第１の導電性物質にビビクル
を加えてサーミスタペーストとし、これに第２の導電性
物質ペーストを加えたものを図１、２に示すように、基
板１上の第１電極２と、第２電極３との間に印刷して厚
膜サーミスタ層４を形成し、これを高温で焼成すること
により、サンドイッチ型の厚膜サーミスタに加工する。
なお、ビビクルには、エチルセルロース、メタクリレー
ト等をタービネオール、ブチルカルビトールなどに溶解
したものが使用できる。As shown in FIGS. 1 and 2, a thermistor paste obtained by adding a vehicle to a metal oxide and a first conductive material and adding a second conductive material paste thereto is used. A thick-film thermistor layer 4 is formed by printing between the first electrode 2 and the second electrode 3, and is fired at a high temperature to be processed into a sandwich-type thick-film thermistor.
In addition, what dissolved ethyl cellulose, methacrylate, etc. in turbineol, butyl carbitol, etc. can be used for a vehicle.
【００２２】本発明において、Ａｇ：Ｐｄの重量比を９
５：５〜３０：７０とするのは、９５：５よりＰｄが少
ないと、ＮＴＣ特性が小さくなるためであり、３０：７
０よりＰｄが多いとコストが高くなるためである。ガラ
ス粉末に対するＲｕＯ2の重量比を０．０１〜０．１５
にするのは、ＲｕＯ2粉末の量が、０．１５よりも多い
とＮＴＣ特性が小さくなるためである。In the present invention, the weight ratio of Ag: Pd is 9
The reason for setting the ratio to 5: 5 to 30:70 is that if the Pd content is less than 95: 5, the NTC characteristics are reduced.
This is because if Pd is larger than 0, the cost increases. The weight ratio of RuO 2 to glass powder is 0.01 to 0.15
The reason for this is that if the amount of RuO 2 powder is more than 0.15, the NTC characteristics become smaller.
【００２３】金属酸化物の重量比をガラス粉末とＲｕＯ
2に対して０．２〜１．４にするのは、０．２以下だと
サーミスタ特性が得られなくなり、１．４以上だとサー
ミスタ膜が不安定になり、ショートなどの不具合を起こ
すためである。ガラスとＲｕＯ2と金属酸化物とに対す
るＡｇ／Ｐｄの重量比を０．０１〜１．０とするのは、
０．０１よりも少なくすると、膜中に対するＡｇ／Ｐｄ
の分散が十分でなく、不安定になり、１．０よりも多い
と導電バスがＡｇ／Ｐｄだけを通り、ショートモードに
なるためである。The weight ratio of the metal oxide to glass powder and RuO
If the ratio is set to 0.2 to 1.4 with respect to 2 , the thermistor characteristics cannot be obtained if the ratio is 0.2 or less, and if the ratio is 1.4 or more, the thermistor film becomes unstable, causing problems such as short circuit. It is. The reason why the weight ratio of Ag / Pd to glass, RuO 2 and metal oxide is 0.01 to 1.0 is as follows.
If less than 0.01, Ag / Pd relative to the film
Is not sufficient and becomes unstable, and if it is more than 1.0, the conductive bus passes only through Ag / Pd and becomes a short mode.
【００２４】[0024]
【実施例】以下に本発明の実施例を示す。Examples of the present invention will be described below.
【００２５】Ｍｎ3Ｏ4、Ｃｏ3Ｏ4，を０．４：０．６の
モル比で混合し、加熱焼成したものを粉砕機にかけて微
粉末とした。この粉末３３ｗｔ％に，ホウケイ酸鉛ガラ
ス３３ｗｔ％と，ＲｕＯ2４％と，有機ビビクルエチル
セルロースのタービネオール溶液３０ｗｔ％とを混合
し、三本ロールミルで混練してサーミスタペーストを調
整した。Mn 3 O 4 and Co 3 O 4 were mixed at a molar ratio of 0.4: 0.6, and the mixture was heated and calcined to obtain a fine powder. 33% by weight of lead borosilicate glass, 4% by weight of RuO 2, and 30% by weight of a turbineol solution of organic vehicle ethylcellulose were mixed with 33% by weight of this powder, and kneaded with a three-roll mill to prepare a thermistor paste.
【００２６】又、Ａｇ／Ｐｄ：７０：３０の粉末を用い
て、Ａｇ／Ｐｄ粉末７０ｗｔ％，エチルセルロースを含
んだターピネオール溶液３０ｗｔ％を混合し、これも三
本のロールミルで混練し、Ａｇ／Ｐｄペーストを調整し
た。以上のように調整されたサーミスタペーストとＡｇ
／Ｐｄペーストとを混合し、本発明の組成物である厚膜
サーミスタペーストを得た。得られた厚膜サーミスタペ
ーストを図１、２に示すように、基板１上の第１電極２
と、第２電極３との間に印刷した。Using a powder of Ag / Pd: 70:30, 70 wt% of the Ag / Pd powder and 30 wt% of a terpineol solution containing ethylcellulose were mixed and kneaded with three roll mills to obtain Ag / Pd. The paste was adjusted. Thermistor paste and Ag adjusted as described above
/ Pd paste to obtain a thick film thermistor paste which is a composition of the present invention. As shown in FIGS. 1 and 2, the obtained thick-film thermistor paste is
And the second electrode 3.
【００２７】第１電極２と第２電極３との対向面積は
１．０ｍｍ2、ペーストの厚さは、焼成後、２０μｍと
なるような厚みに塗布した。厚膜サーミスタペーストを
印刷後、８５０℃で５分間焼成し、サンドイッチ型の厚
膜サーミスタを得た。The facing area between the first electrode 2 and the second electrode 3 was 1.0 mm 2 , and the paste was applied to a thickness of 20 μm after firing. After printing the thick film thermistor paste, it was baked at 850 ° C. for 5 minutes to obtain a sandwich type thick film thermistor.
【００２８】得られた厚膜サーミスタ試料１〜６につい
て、の抵抗値、Ｂ定数、１２５℃，１０００時間での抵
抗変化率を表１に示す。Table 1 shows the resistance value, the B constant, and the rate of change in resistance at 125 ° C. for 1000 hours of the obtained thick film thermistor samples 1 to 6.
【００２９】[0029]
【表１】 ────────────────────────────────── 試料 サーミスタ Ａｇ／Ｐｄ ＣｕＯ Ｒ25 Ｂ25／50 １２５℃ ペースト ペースト ペースト (Ω/1mm2 （Ｋ） １０００ ・20μm) ｈｒ（％） ────────────────────────────────── １ １００ ０ ０ ３８０ ３６１０ ２．１ ２ １００ ０ ５ １７８ ３２２０ １３．８ ３ １００ １０ ０ ２１３ ３６８０ ２．８ ４ １００ ２０ ０ １４１ ３６６０ ２．６ ５ １００ ３０ ０ ７１ ３５４０ ３．０ ６ １００ ４０ ０ ４．８ １２３０ ３．２ ──────────────────────────────────TABLE 1 ────────────────────────────────── sample thermistor Ag / Pd CuO R 25 B 25 /50 125 ° C Paste Paste Paste (Ω / 1mm 2 (K) 1000 ・ 20μm) hr (%) ───────────────────────────── ───── 1 100 00 380 3610 2.1 2 100 05 178 3220 13.8 3 100 100 0 213 3680 2.8 4 100 200 0 141 3660 2.6 5 100 30 0 71 3540 3.0 6 100 400 4.8 1230 3.2
【００３０】表１において、試料１は、サーミスタペー
ストのみでＡｇ／Ｐｄペーストを加えない比較例、試料
２は、Ａｇ／Ｐｄペーストに代えてＣｕＯペーストを加
えた比較例である。なおＣｕＯペーストは、ＣｕＯ７０
ｗｔ％に対し、ビヒクルを３０ｗｔ％添加したものであ
る。試料３〜６は、いずれもサーミスタペーストとＡｇ
／Ｐｄペーストとを加えた本発明の実施例である。Ａｇ
／Ｐｄペーストの添加量が増えるにしたがって、Ｒ25，
Ｂ25定数は共に低下する傾向にあるが、Ａｇ／Ｐｄペー
ストの添加量が１０〜３０ｗｔ％の範囲ではＢ25定数は
３５００〜３６００の範囲で安定し、また、１２５℃，
１０００時間での抵抗変化率は、２．６〜３．２の範囲
内で安定していることがわかる。In Table 1, Sample 1 is a comparative example in which only the thermistor paste was used without adding an Ag / Pd paste, and Sample 2 was a comparative example in which a CuO paste was added instead of the Ag / Pd paste. The CuO paste is CuO70
30 wt% of the vehicle is added to the wt%. Samples 3 to 6 were all thermistor paste and Ag
This is an example of the present invention in which / Pd paste is added. Ag
As the amount of the / Pd paste increases, R 25 ,
B 25 constant but tends to decrease both, B 25 constant in the range amount of Ag / Pd paste is 10 to 30 wt% is stable in the range of 3500 to 3600, also, 125 ° C.,
It can be seen that the resistance change rate at 1000 hours is stable within the range of 2.6 to 3.2.
【００３１】これに対し、Ａｇ／Ｐｄペーストを添加し
ない試料１ではＲ25の値が極端に大きくなり、ＣｕＯペ
ーストを添加した試料２では、Ｒ25の値は小さくなるも
のの、２５℃，１０００時間での抵抗変化率が極端に低
下した。試料２では、ＣｕＯペーストを僅か５ｗｔ％添
加したにすぎないものであるにもかかわらず、２５℃，
１０００時間での抵抗値が、１３．８％に達しているの
が特徴的である。On the other hand, the value of R 25 was extremely large in Sample 1 to which the Ag / Pd paste was not added, and the value of R 25 was small in Sample 2 to which CuO paste was added, but at 25 ° C. for 1000 hours. , The rate of change in resistance was extremely reduced. In Sample 2, although the CuO paste was only added in an amount of only 5 wt%, the temperature was kept at 25 ° C.
It is characteristic that the resistance value at 1000 hours has reached 13.8%.
【００３２】表２は、表１の試料１〜６について、１２
５℃，１００時間での抵抗変化率を測定した例である。Table 2 shows 12 samples for samples 1 to 6 in Table 1.
This is an example in which the resistance change rate at 5 ° C. for 100 hours is measured.
【００３３】[0033]
【表２】 ─────────────────────────────── 試料 Ａｇ／Ｐｄペースト ＣｕＯペースト １２５℃１００ｈｒ％ ─────────────────────────────── １ ０ ０ １．６ ２ ０ ５ １４．６ ３ １０ ０ ２．０ ４ ２０ ０ ３．６ ５ ３０ ０ ４．２ ６ ４０ ０ ０．４ ７ ０ １０ １８ ───────────────────────────────[Table 2] Sample Ag / Pd paste CuO paste 125 ° C 100hr% １ 100 １ 1.6 205 14.6 310 2.0 ４ 420 3. 65 30 0 4.2 6 40 0 0.4 70 170 18
【００３４】表２に明らかなとおり、試料２は、１２５
℃，１００時間において、すでに他の試料に比べて極端
に高い抵抗変化率を示している。なお、表２において、
試料７は、Ａｇ／Ｐｄペーストに代えてＣｕＯペースト
を加え、しかもその添加量を１０ｗｔ％とした例であ
る。試料２のデータと比較してＣｕＯペーストの添加量
が増すにしたがって、抵抗変化率が大幅に増大すること
が分かる。ちなみに試料７のＲ25は７９Ω，Ｂ25／50は
２９４０Ｋであった。As is clear from Table 2, Sample 2 was 125
At 100 ° C. for 100 hours, the resistance change rate is already extremely high as compared with other samples. In Table 2,
Sample 7 is an example in which a CuO paste was added instead of the Ag / Pd paste, and the addition amount was 10 wt%. It can be seen that the rate of change in resistance greatly increases as the amount of CuO paste added increases as compared with the data of Sample 2. Incidentally R 25 of the sample 7 is 79Ω, B 25/50 was 2940K.
【００３５】その理由は、必ずしも明かではないが、お
そらく、ＣｕＯの酸化が進行したことによるものではな
いかと思われる。Although the reason is not clear, it is probably due to the progress of oxidation of CuO.
【００３６】[0036]
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、金属酸
化物と、第１導電性物質と、第２導電性物質と、ガラス
粉末とを含み、特に第２導電性物質にＡｇ／Ｐｄ粉末を
選定して、今までに得られなかった領域の低抵抗で、Ｂ
定数が３０００Ｋ以上の高い値を保ち、熱安定性に優れ
た厚膜サーミスタを提供できる効果を有する。As described above, according to the present invention, a metal oxide, a first conductive material, a second conductive material, and a glass powder are contained. By selecting Pd powder, it was possible to obtain B
The constant has a high value of 3000K or more, and has the effect of providing a thick-film thermistor having excellent thermal stability.
【図１】本発明の厚膜サーミスタ組成物を用いて形成さ
れた厚膜サーミスタの平面図である。FIG. 1 is a plan view of a thick-film thermistor formed using the thick-film thermistor composition of the present invention.
【図２】同上Ａ−Ａ線縦断面図である。FIG. 2 is a vertical sectional view taken along line AA in FIG.
１ 基板 ２ 第１電極 ３ 第２電極 ４ 厚膜サーミスタ層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 1st electrode 3 2nd electrode 4 Thick thermistor layer
Claims (4)
導電性物質と、ガラス粉末とを含む厚膜サーミスタ組成
物であって、 金属酸化物は、Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｚｎ、Ｃｕな
どのうちから選ばれた少なくとも２種類の元素を含んだ
サーミスタ特性を有する複合酸化物であり、第１導電性
物質は、ＲｕＯ2であり、 第２導電性物質は、Ａｇ／Ｐｄ粉末であることを特徴と
する厚膜サーミスタ組成物。A first conductive material; a second conductive material;
A thick film thermistor composition comprising a conductive substance and glass powder, wherein the metal oxide contains at least two kinds of elements selected from Mn, Co, Ni, Fe, Zn, Cu and the like. A thick-film thermistor composition comprising a composite oxide having thermistor characteristics, wherein the first conductive material is RuO 2 and the second conductive material is Ag / Pd powder.
電性物質とは、Ｃｕを含まないことを特徴とする請求項
１に記載の厚膜サーミスタ組成物。2. The thick film thermistor composition according to claim 1, wherein at least the first conductive material and the second conductive material do not contain Cu.
Ａｇ／Ｐｄ共沈粉又はＰｄ被覆Ａｇ粉であることを特徴
とする請求項１または２に記載の厚膜サーミスタ組成
物。3. The second conductive substance is an Ag / Pd alloy powder,
The thick-film thermistor composition according to claim 1, wherein the composition is an Ag / Pd coprecipitated powder or a Pd-coated Ag powder.
７０であり、ガラス粉末に対するＲｕＯ2の重量比は、
０．０１〜０．１５であり、金属酸化物の重量比は、ガ
ラス粉末とＲｕＯ2とに対して０．２〜１．４であり、
Ａｇ／Ｐｄ粉末は、ガラス粉末と、ＲｕＯ2と、金属酸
化物粉末とに対して重量比で０．０１〜１．０を含むも
のであることを特徴とする請求項１、２又は３に記載の
厚膜サーミスタ組成物。4. The weight ratio of Ag / Pd is from 95: 5 to 30:
And the weight ratio of RuO 2 to glass powder is:
0.01 to 0.15, and the weight ratio of the metal oxide is 0.2 to 1.4 with respect to the glass powder and RuO 2 ,
4. The Ag / Pd powder according to claim 1, 2, or 3, wherein the Ag / Pd powder contains 0.01 to 1.0 in weight ratio with respect to glass powder, RuO 2 , and metal oxide powder. Thick film thermistor composition.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30011997A JP4042003B2 (en) | 1997-10-31 | 1997-10-31 | Sandwich type thick film thermistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30011997A JP4042003B2 (en) | 1997-10-31 | 1997-10-31 | Sandwich type thick film thermistor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11135303A true JPH11135303A (en) | 1999-05-21 |
| JP4042003B2 JP4042003B2 (en) | 2008-02-06 |
Family
ID=17880960
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30011997A Expired - Lifetime JP4042003B2 (en) | 1997-10-31 | 1997-10-31 | Sandwich type thick film thermistor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4042003B2 (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001217102A (en) * | 2000-02-04 | 2001-08-10 | Murata Mfg Co Ltd | Negative temperature coefficient thermistor paste, negative temperature coefficient thermistor film and negative temperature coefficient thermistor component |
| JPWO2005122190A1 (en) * | 2004-06-08 | 2008-04-10 | タイコ エレクトロニクス レイケム株式会社 | Polymer PTC element |
| CN104157383A (en) * | 2014-06-27 | 2014-11-19 | 句容市博远电子有限公司 | Molecular silver added thermistor |
| JP2014239212A (en) * | 2013-05-07 | 2014-12-18 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | Resistor material, resistor film and manufacturing method therefor |
| JP2016178437A (en) * | 2015-03-19 | 2016-10-06 | 株式会社立山科学デバイステクノロジー | Crystal oscillator and manufacturing method of the same |
| CN114853448A (en) * | 2022-06-08 | 2022-08-05 | 中国振华集团云科电子有限公司 | Preparation method of negative temperature coefficient thermal sensitive ceramic material for low-temperature co-firing |
-
1997
- 1997-10-31 JP JP30011997A patent/JP4042003B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001217102A (en) * | 2000-02-04 | 2001-08-10 | Murata Mfg Co Ltd | Negative temperature coefficient thermistor paste, negative temperature coefficient thermistor film and negative temperature coefficient thermistor component |
| JPWO2005122190A1 (en) * | 2004-06-08 | 2008-04-10 | タイコ エレクトロニクス レイケム株式会社 | Polymer PTC element |
| JP4734593B2 (en) * | 2004-06-08 | 2011-07-27 | タイコエレクトロニクスジャパン合同会社 | Polymer PTC element |
| US8164414B2 (en) | 2004-06-08 | 2012-04-24 | Tyco Electronics Japan G.K. | Polymer PTC element |
| TWI383407B (en) * | 2004-06-08 | 2013-01-21 | Tyco Electronics Raychem Kk | Polymer ptc device |
| JP2014239212A (en) * | 2013-05-07 | 2014-12-18 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | Resistor material, resistor film and manufacturing method therefor |
| CN104157383A (en) * | 2014-06-27 | 2014-11-19 | 句容市博远电子有限公司 | Molecular silver added thermistor |
| JP2016178437A (en) * | 2015-03-19 | 2016-10-06 | 株式会社立山科学デバイステクノロジー | Crystal oscillator and manufacturing method of the same |
| CN114853448A (en) * | 2022-06-08 | 2022-08-05 | 中国振华集团云科电子有限公司 | Preparation method of negative temperature coefficient thermal sensitive ceramic material for low-temperature co-firing |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4042003B2 (en) | 2008-02-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0337281B2 (en) | ||
| WO2018150890A1 (en) | Resistor composition, resistor paste containing same, and thick-film resistor using same | |
| US11136257B2 (en) | Thick-film resistive element paste and use of thick-film resistive element paste in resistor | |
| US4160227A (en) | Thermistor composition and thick film thermistor | |
| JPH11135303A (en) | Thick-film thermistor composition | |
| JPH05335110A (en) | Thick-film resistor composition | |
| JPH02296734A (en) | Electrically conductive pyrochlore-type oxide and resistor material containing it | |
| JP7139691B2 (en) | Composition for thick film resistor, thick film resistor paste and thick film resistor | |
| EP0722175B1 (en) | Resistance paste and resistor comprising the material | |
| JP3580391B2 (en) | Method for manufacturing conductive chip type ceramic element | |
| KR100284785B1 (en) | Memory data processing system and method and communication system having system | |
| JPH0142612B2 (en) | ||
| JP2004088019A (en) | Electrode composite and electronic component | |
| JP2937073B2 (en) | Resistance material composition, resistance paste and resistor | |
| JP2900610B2 (en) | Thick film conductor composition | |
| JP7390103B2 (en) | Resistor compositions, resistance pastes, thick film resistors | |
| JP2013214591A (en) | Thick film composition for forming thermistor, paste composition, and thermistor using the same | |
| JP2644017B2 (en) | Resistance paste | |
| KR20230004486A (en) | Thick Film Resistor Pastes, Thick Film Resistors, and Electronic Components | |
| WO2021221172A1 (en) | Thick film resistor paste, thick film resistor, and electronic component | |
| JP2937072B2 (en) | Resistance material composition, resistance paste and resistor | |
| JPS58163102A (en) | Conductive paste | |
| JP3174534B2 (en) | Dielectric paste | |
| JPH0661016A (en) | Thick film thermistor composition and manufacture thereof as well as thick film thermistor using same and manufacture thereof | |
| JP2001118706A (en) | Paste, film, and parts of negative temperature coefficient thermistor |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041014 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060926 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061116 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071005 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071031 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101122 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101122 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111122 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111122 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121122 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131122 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |