JPH11126925A - 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 - Google Patents
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子Info
- Publication number
- JPH11126925A JPH11126925A JP30794597A JP30794597A JPH11126925A JP H11126925 A JPH11126925 A JP H11126925A JP 30794597 A JP30794597 A JP 30794597A JP 30794597 A JP30794597 A JP 30794597A JP H11126925 A JPH11126925 A JP H11126925A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- film
- substrate
- compound semiconductor
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】電極側からの光取り出し量を向上させること。
【解決手段】基板11上に,AlNから成るバッファ層12,Si
ドープのGaNから成る高キャリア濃度n+層13,Siドープの
n型GaN から成るクラッド層14,GaNから成るバリア層151
とGa0.8In0.2Nから成る井戸層152が交互に積層されたMQ
Wの発光層15,p型Al0.15Ga0.85Nから成るクラッド層16,p
型GaNから成るコンタクト層17が順次形成されている。
コンタクト層17上には金属蒸着による透光性の電極18A
が,n+層13上には電極18Bが形成され, 電極18A上の一部
に電極パッド20が形成されている。基板11の下面には,
膜厚125nmのSiO2から成る第1反射膜191と,膜厚125nmのT
iO2から成る第2反射膜192とが交互に10周期積層された
反射膜19が形成されている。発光層15による発光の波長
領域は,反射膜19による90%以上の反射率の領域内にある
ので,反射膜19により効果的に光が反射され,発光強度を
高めることができる。
ドープのGaNから成る高キャリア濃度n+層13,Siドープの
n型GaN から成るクラッド層14,GaNから成るバリア層151
とGa0.8In0.2Nから成る井戸層152が交互に積層されたMQ
Wの発光層15,p型Al0.15Ga0.85Nから成るクラッド層16,p
型GaNから成るコンタクト層17が順次形成されている。
コンタクト層17上には金属蒸着による透光性の電極18A
が,n+層13上には電極18Bが形成され, 電極18A上の一部
に電極パッド20が形成されている。基板11の下面には,
膜厚125nmのSiO2から成る第1反射膜191と,膜厚125nmのT
iO2から成る第2反射膜192とが交互に10周期積層された
反射膜19が形成されている。発光層15による発光の波長
領域は,反射膜19による90%以上の反射率の領域内にある
ので,反射膜19により効果的に光が反射され,発光強度を
高めることができる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板に対して同じ
側に電極が形成された窒化ガリウム(GaN) 系化合物半導
体発光素子に関し、特に、電極側からの光取り出し量を
向上させたものに関する。
側に電極が形成された窒化ガリウム(GaN) 系化合物半導
体発光素子に関し、特に、電極側からの光取り出し量を
向上させたものに関する。
【0002】
【従来の技術】従来、GaN 系化合物半導体発光素子で
は、絶縁性のサファイア基板上に半導体層を積層し、そ
の同じ側に正負の各電極を設けた構成としている。この
発光素子30をリードフレーム31上に配置した模式的
断面図を図9に示す。発光素子30は、所定の波長で発
光する発光層34を有し、正負の各電極35、36は基
板33に対して上側に設けられている。そして、基板3
3の下面が樹脂材で構成されたペースト32を用いてリ
ードフレーム31上にダイボンディングされている。
又、図示していないが、各電極35、36は所定の部位
とワイヤボンディングにより電気的に接続され、電極3
5、36側から光を取り出す構成としている。
は、絶縁性のサファイア基板上に半導体層を積層し、そ
の同じ側に正負の各電極を設けた構成としている。この
発光素子30をリードフレーム31上に配置した模式的
断面図を図9に示す。発光素子30は、所定の波長で発
光する発光層34を有し、正負の各電極35、36は基
板33に対して上側に設けられている。そして、基板3
3の下面が樹脂材で構成されたペースト32を用いてリ
ードフレーム31上にダイボンディングされている。
又、図示していないが、各電極35、36は所定の部位
とワイヤボンディングにより電気的に接続され、電極3
5、36側から光を取り出す構成としている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術では、発光層34から得られる発光の方向に選択
性がないので、基板33の下面における反射光が、電極
35、36側からの光取り出し量に大きく寄与すること
になるが、基板33下面に設けられたペースト32によ
り光が吸収されるために光の反射効率が良くなく、発光
強度が低いという問題がある。又、ペースト32は、雰
囲気温度や素子30の駆動により発生する熱によって経
時的に劣化(黄色に変色)するため、反射光が減少し、
経時的な光度の劣化が生ずるという問題もある。そこ
で、基板33の下面に金属層を形成して光の反射効率を
高め、高発光強度を得る方法が考えられる。通常では、
基板33の硬度が大きいために、ウエハの分離の際には
基板33を研磨して薄板化し、その後に基板33の下面
からスクライビングし、ブレーキングすることでウエハ
を分離している。ここで、スクライビングの前に基板3
3の下面に反射のための金属層を形成すれば、金属層は
透明ではないので、スクライビング時の位置合わせが困
難となる。又、スクライビングの後に金属層を形成すれ
ば、ウエハには電極35、36側に粘着シートが貼着さ
れた状態であるので、ウエハ下面の洗浄が困難となり、
金属層の形成時に加熱できないため、金属層と基板33
下面との密着性を得ることができない。言うまでもな
く、薄肉化されたウエハから粘着シートをはがすことは
困難である。
来技術では、発光層34から得られる発光の方向に選択
性がないので、基板33の下面における反射光が、電極
35、36側からの光取り出し量に大きく寄与すること
になるが、基板33下面に設けられたペースト32によ
り光が吸収されるために光の反射効率が良くなく、発光
強度が低いという問題がある。又、ペースト32は、雰
囲気温度や素子30の駆動により発生する熱によって経
時的に劣化(黄色に変色)するため、反射光が減少し、
経時的な光度の劣化が生ずるという問題もある。そこ
で、基板33の下面に金属層を形成して光の反射効率を
高め、高発光強度を得る方法が考えられる。通常では、
基板33の硬度が大きいために、ウエハの分離の際には
基板33を研磨して薄板化し、その後に基板33の下面
からスクライビングし、ブレーキングすることでウエハ
を分離している。ここで、スクライビングの前に基板3
3の下面に反射のための金属層を形成すれば、金属層は
透明ではないので、スクライビング時の位置合わせが困
難となる。又、スクライビングの後に金属層を形成すれ
ば、ウエハには電極35、36側に粘着シートが貼着さ
れた状態であるので、ウエハ下面の洗浄が困難となり、
金属層の形成時に加熱できないため、金属層と基板33
下面との密着性を得ることができない。言うまでもな
く、薄肉化されたウエハから粘着シートをはがすことは
困難である。
【0004】従って、本発明の目的は、上記課題に鑑
み、GaN 系化合物半導体発光素子において、サファイア
基板の下面側からの光の反射を経時的に良好とし、電極
側からの光取り出し量を向上させることである。合わせ
て、素子形成の容易な発光素子を実現することである。
み、GaN 系化合物半導体発光素子において、サファイア
基板の下面側からの光の反射を経時的に良好とし、電極
側からの光取り出し量を向上させることである。合わせ
て、素子形成の容易な発光素子を実現することである。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、請求項1に記載の手段によれば、基板上にGaN系
化合物半導体から成る層が積層され、所定の波長領域の
光が得られる発光素子において、基板に対して同じ側に
正負の各電極が形成され、各電極が形成された側と異な
る側の基板上に、所定の波長領域近傍の光を反射させ、
その波長領域近傍以外の光を透過させる反射膜が形成さ
れる。これにより、発光素子から基板側に出力される所
定の波長領域の光が、反射膜により反射されるので、素
子の発光強度を高めることができる。又、所定の波長領
域以外の光は反射膜を透過するので、反射膜側から基板
を認識することができ、素子の分離工程を容易に行うこ
とができる。
めに、請求項1に記載の手段によれば、基板上にGaN系
化合物半導体から成る層が積層され、所定の波長領域の
光が得られる発光素子において、基板に対して同じ側に
正負の各電極が形成され、各電極が形成された側と異な
る側の基板上に、所定の波長領域近傍の光を反射させ、
その波長領域近傍以外の光を透過させる反射膜が形成さ
れる。これにより、発光素子から基板側に出力される所
定の波長領域の光が、反射膜により反射されるので、素
子の発光強度を高めることができる。又、所定の波長領
域以外の光は反射膜を透過するので、反射膜側から基板
を認識することができ、素子の分離工程を容易に行うこ
とができる。
【0006】又、請求項2に記載の手段によれば、反射
膜を、屈折率1.5 より小さい膜と1.8 より大きな膜との
積層構造とすることにより、光を経時的に良好に反射す
ることができる。
膜を、屈折率1.5 より小さい膜と1.8 より大きな膜との
積層構造とすることにより、光を経時的に良好に反射す
ることができる。
【0007】請求項3に記載の手段によれば、基板上
に、屈折率が1.5 より小さな膜、屈折率が1.8 より大き
な膜の順次積層により、反射膜が構成される。低屈折率
材料が最初に基板上に形成されることで、光反射の入射
角への依存度を低減でき、より効果的に光を反射でき
る。
に、屈折率が1.5 より小さな膜、屈折率が1.8 より大き
な膜の順次積層により、反射膜が構成される。低屈折率
材料が最初に基板上に形成されることで、光反射の入射
角への依存度を低減でき、より効果的に光を反射でき
る。
【0008】請求項4に記載の手段によれば、屈折率が
1.5 より小さな膜をSiO2, MgF2,CaF2,LiF,AlF3から選ば
れる少なくとも1つとし、屈折率を1.8 より大きな膜が
TiO2, Y2O3, ZrO2, CeO2,HfO2,Ta2O5 から選ばれる少な
くとも1つとすることで、発光波長に対して反射率が高
く、その他の波長に対して透過率の高い波長選択性の高
い反射膜を形成することができる。
1.5 より小さな膜をSiO2, MgF2,CaF2,LiF,AlF3から選ば
れる少なくとも1つとし、屈折率を1.8 より大きな膜が
TiO2, Y2O3, ZrO2, CeO2,HfO2,Ta2O5 から選ばれる少な
くとも1つとすることで、発光波長に対して反射率が高
く、その他の波長に対して透過率の高い波長選択性の高
い反射膜を形成することができる。
【0009】請求項5に記載の手段によれば、反射膜
を、基板上に酸化珪素(SiO2)、酸化チタン(TiO2)の順に
積層した層とすることで、より具体的に、発光波長に対
して反射率が高く、その他の波長に対して透過率の高い
波長選択性の高い反射膜を形成することができる。
を、基板上に酸化珪素(SiO2)、酸化チタン(TiO2)の順に
積層した層とすることで、より具体的に、発光波長に対
して反射率が高く、その他の波長に対して透過率の高い
波長選択性の高い反射膜を形成することができる。
【0010】請求項6に記載の手段によれば、膜厚約12
5nm の酸化珪素(SiO2)と膜厚約125nm の酸化チタン(TiO
2)とが交互に2周期以上積層されて反射膜が構成される
ことで、450 〜560nm の波長領域の光に対して高い反射
率を得ることができ、640 〜780nm の波長領域の光に対
して高い透過率を得ることができる。
5nm の酸化珪素(SiO2)と膜厚約125nm の酸化チタン(TiO
2)とが交互に2周期以上積層されて反射膜が構成される
ことで、450 〜560nm の波長領域の光に対して高い反射
率を得ることができ、640 〜780nm の波長領域の光に対
して高い透過率を得ることができる。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明を具体的な実施例に
基づいて説明する。図1は、サファイア基板11上に形
成されたGaN 系化合物半導体で形成された発光素子10
0の模式的な断面構成図である。基板11の上には窒化
アルミニウム(AlN) から成る膜厚約25nmのバッファ層1
2が設けられ、その上にシリコン(Si)ドープのGaN から
成る膜厚約4.0 μmの高キャリア濃度n+ 層13が形成
されている。この高キャリア濃度n+ 層13の上にSiド
ープのn型GaN から成る膜厚約0.5 μmのクラッド層1
4が形成されている。そして、クラッド層14の上に膜
厚約35ÅのGaN から成るバリア層151と膜厚約35Åの
Ga0.8In0.2N から成る井戸層152とが交互に積層され
た多重量子井戸構造(MQW)の発光層15が形成され
ている。バリア層151は6層、井戸層152は5層で
ある。発光層15の上にはp型Al0.15Ga0.85N から成る
膜厚約50nmのクラッド層16が形成されている。さら
に、クラッド層16の上にはp型GaN から成る膜厚約10
0nm のコンタクト層17が形成されている。尚、第1反
射膜と第2反射膜の積層の周期は2周期以上あれば、そ
の効果を生ずる。望ましくは10周期以上である。
基づいて説明する。図1は、サファイア基板11上に形
成されたGaN 系化合物半導体で形成された発光素子10
0の模式的な断面構成図である。基板11の上には窒化
アルミニウム(AlN) から成る膜厚約25nmのバッファ層1
2が設けられ、その上にシリコン(Si)ドープのGaN から
成る膜厚約4.0 μmの高キャリア濃度n+ 層13が形成
されている。この高キャリア濃度n+ 層13の上にSiド
ープのn型GaN から成る膜厚約0.5 μmのクラッド層1
4が形成されている。そして、クラッド層14の上に膜
厚約35ÅのGaN から成るバリア層151と膜厚約35Åの
Ga0.8In0.2N から成る井戸層152とが交互に積層され
た多重量子井戸構造(MQW)の発光層15が形成され
ている。バリア層151は6層、井戸層152は5層で
ある。発光層15の上にはp型Al0.15Ga0.85N から成る
膜厚約50nmのクラッド層16が形成されている。さら
に、クラッド層16の上にはp型GaN から成る膜厚約10
0nm のコンタクト層17が形成されている。尚、第1反
射膜と第2反射膜の積層の周期は2周期以上あれば、そ
の効果を生ずる。望ましくは10周期以上である。
【0012】又、コンタクト層17の上には金属蒸着に
よる透光性の電極18Aが、n+ 層13上には電極18
Bが形成されている。透光性の電極18Aは、コンタク
ト層17に接合する膜厚約15Åのコバルト(Co)と、Coに
接合する膜厚約60Åの金(Au)とで構成されている。電極
18Bは膜厚約 200Åのバナジウム(V) と、膜厚約1.8
μmのアルミニウム(Al)又はAl合金で構成されている。
電極18A上の一部には、CoもしくはNiとAu、Al、又
は、それらの合金から成る膜厚約1.5 μmの電極パッド
20が形成されている。又、基板11の下面には、膜厚
約125nm の酸化珪素(SiO2)から成る第1反射膜191
と、膜厚約125nm の酸化チタン(TiO2)から成る第2反射
膜192とが交互に10周期積層された反射膜19が形成
されている。尚、第1反射膜と第2反射膜の積層周期は
2周期以上あればその効果を生ずる。望ましくは10周
期以上である。
よる透光性の電極18Aが、n+ 層13上には電極18
Bが形成されている。透光性の電極18Aは、コンタク
ト層17に接合する膜厚約15Åのコバルト(Co)と、Coに
接合する膜厚約60Åの金(Au)とで構成されている。電極
18Bは膜厚約 200Åのバナジウム(V) と、膜厚約1.8
μmのアルミニウム(Al)又はAl合金で構成されている。
電極18A上の一部には、CoもしくはNiとAu、Al、又
は、それらの合金から成る膜厚約1.5 μmの電極パッド
20が形成されている。又、基板11の下面には、膜厚
約125nm の酸化珪素(SiO2)から成る第1反射膜191
と、膜厚約125nm の酸化チタン(TiO2)から成る第2反射
膜192とが交互に10周期積層された反射膜19が形成
されている。尚、第1反射膜と第2反射膜の積層周期は
2周期以上あればその効果を生ずる。望ましくは10周
期以上である。
【0013】次に、この発光素子100の製造方法につ
いて説明する。上記発光素子100は、有機金属気相成
長法(以下「MOVPE」と略す)による気相成長によ
り製造された。用いられたガスは、アンモニア(NH3) 、
キャリアガス(H2,N2) 、トリメチルガリウム(Ga(CH3)3)
(以下「TMG 」と記す)、トリメチルアルミニウム(Al
(CH3)3)(以下「TMA 」と記す)、トリメチルインジウ
ム(In(CH3)3)(以下「TMI 」と記す)、シラン(SiH4)と
シクロペンタジエニルマグネシウム(Mg(C5H5)2) (以下
「CP2Mg 」と記す)である。まず、有機洗浄及び熱処理
により洗浄したa面を主面とした単結晶の基板11をM
OVPE装置の反応室に載置されたサセプタに装着す
る。次に、常圧でH2を反応室に流しながら温度1100℃で
基板11をベーキングした。次に、温度を400 ℃まで低
下させて、H2、NH3 及びTMA を供給してAlN のバッファ
層12を約25nmの膜厚に形成した。
いて説明する。上記発光素子100は、有機金属気相成
長法(以下「MOVPE」と略す)による気相成長によ
り製造された。用いられたガスは、アンモニア(NH3) 、
キャリアガス(H2,N2) 、トリメチルガリウム(Ga(CH3)3)
(以下「TMG 」と記す)、トリメチルアルミニウム(Al
(CH3)3)(以下「TMA 」と記す)、トリメチルインジウ
ム(In(CH3)3)(以下「TMI 」と記す)、シラン(SiH4)と
シクロペンタジエニルマグネシウム(Mg(C5H5)2) (以下
「CP2Mg 」と記す)である。まず、有機洗浄及び熱処理
により洗浄したa面を主面とした単結晶の基板11をM
OVPE装置の反応室に載置されたサセプタに装着す
る。次に、常圧でH2を反応室に流しながら温度1100℃で
基板11をベーキングした。次に、温度を400 ℃まで低
下させて、H2、NH3 及びTMA を供給してAlN のバッファ
層12を約25nmの膜厚に形成した。
【0014】次に、基板11の温度を1150℃に保持し、
H2、NH3 、TMG 及びシランを供給し、膜厚約4.0 μm、
電子濃度2 ×1018/cm3のGaN から成る高キャリア濃度n
+ 層13を形成した。次に、基板11の温度を1150℃に
保持し、N2又はH2、NH3 、TMG 、TMA 及びシランを供給
して、膜厚約0.5 μm、電子濃度1 ×1018/cm3のGaN か
ら成るクラッド層14を形成した。上記のクラッド層1
4を形成した後、続いて、N2又はH2、NH3 及びTMG を供
給して、膜厚約35ÅのGaN から成るバリア層151を形
成した。次に、N2又はH2、NH3 、TMG 及びTMI を供給し
て、膜厚約35ÅのGa0.8In0.2N から成る井戸層152を
形成した。さらに、バリア層151と井戸層152を同
一条件で4周期形成し、その上にGaN から成るバリア層
151を形成した。このようにして5周期のMQW構造
の発光層15を形成した。
H2、NH3 、TMG 及びシランを供給し、膜厚約4.0 μm、
電子濃度2 ×1018/cm3のGaN から成る高キャリア濃度n
+ 層13を形成した。次に、基板11の温度を1150℃に
保持し、N2又はH2、NH3 、TMG 、TMA 及びシランを供給
して、膜厚約0.5 μm、電子濃度1 ×1018/cm3のGaN か
ら成るクラッド層14を形成した。上記のクラッド層1
4を形成した後、続いて、N2又はH2、NH3 及びTMG を供
給して、膜厚約35ÅのGaN から成るバリア層151を形
成した。次に、N2又はH2、NH3 、TMG 及びTMI を供給し
て、膜厚約35ÅのGa0.8In0.2N から成る井戸層152を
形成した。さらに、バリア層151と井戸層152を同
一条件で4周期形成し、その上にGaN から成るバリア層
151を形成した。このようにして5周期のMQW構造
の発光層15を形成した。
【0015】次に、基板11の温度を1100℃に保持し、
N2又はH2、NH3 、TMG 、TMA 及びCP2Mg を供給して、膜
厚約50nm、マグネシウム(Mg)をドープしたp型Al0.15Ga
0.85N から成るクラッド層16を形成した。次に、基板
11の温度を1100℃に保持し、N2又はH2、NH3 、TMG 及
びCP2Mg を供給して、膜厚約100nm 、Mgをドープしたp
型GaN から成るコンタクト層17を形成した。次に、コ
ンタクト層17の上にエッチングマスクを形成し、所定
領域のマスクを除去して、マスクで覆われていない部分
のコンタクト層17、クラッド層16、発光層15、ク
ラッド層14、n+ 層13の一部を塩素を含むガスによ
る反応性イオンエッチングによりエッチングして、n+
層13の表面を露出させた。次に、以下の手順で、n+
層13に対する電極18Bと、コンタクト層17に対す
る透光性の電極18Aとを形成した。
N2又はH2、NH3 、TMG 、TMA 及びCP2Mg を供給して、膜
厚約50nm、マグネシウム(Mg)をドープしたp型Al0.15Ga
0.85N から成るクラッド層16を形成した。次に、基板
11の温度を1100℃に保持し、N2又はH2、NH3 、TMG 及
びCP2Mg を供給して、膜厚約100nm 、Mgをドープしたp
型GaN から成るコンタクト層17を形成した。次に、コ
ンタクト層17の上にエッチングマスクを形成し、所定
領域のマスクを除去して、マスクで覆われていない部分
のコンタクト層17、クラッド層16、発光層15、ク
ラッド層14、n+ 層13の一部を塩素を含むガスによ
る反応性イオンエッチングによりエッチングして、n+
層13の表面を露出させた。次に、以下の手順で、n+
層13に対する電極18Bと、コンタクト層17に対す
る透光性の電極18Aとを形成した。
【0016】(1) フォトレジストを塗布し、フォトリソ
グラフィによりn+ 層13の露出面上の所定領域に窓を
形成して、10-6Torrオーダ以下の高真空に排気した後、
膜厚約 200Åのバナジウム(V) と膜厚約 1.8μmのAlを
蒸着した。次に、フォトレジストを除去する。これによ
りn+ 層13の露出面上に電極18Bが形成される。 (2) 次に、表面上にフォトレジストを一様に塗布して、
フォトリソグラフィにより、コンタクト層17の上の電
極形成部分のフォトレジストを除去して、窓部を形成す
る。 (3) 蒸着装置にて、フォトレジスト及び露出させたコン
タクト層17上に、10-6Torrオーダ以下の高真空に排気
した後、膜厚約15ÅのCoを成膜し、このCo上に膜厚約60
ÅのAuを成膜する。
グラフィによりn+ 層13の露出面上の所定領域に窓を
形成して、10-6Torrオーダ以下の高真空に排気した後、
膜厚約 200Åのバナジウム(V) と膜厚約 1.8μmのAlを
蒸着した。次に、フォトレジストを除去する。これによ
りn+ 層13の露出面上に電極18Bが形成される。 (2) 次に、表面上にフォトレジストを一様に塗布して、
フォトリソグラフィにより、コンタクト層17の上の電
極形成部分のフォトレジストを除去して、窓部を形成す
る。 (3) 蒸着装置にて、フォトレジスト及び露出させたコン
タクト層17上に、10-6Torrオーダ以下の高真空に排気
した後、膜厚約15ÅのCoを成膜し、このCo上に膜厚約60
ÅのAuを成膜する。
【0017】(4) 次に、試料を蒸着装置から取り出し、
リフトオフ法によりフォトレジスト上に堆積したCo、Au
を除去し、コンタクト層17上に透光性の電極18Aを
形成する。 (5) 次に、透光性の電極18A上の一部にボンディング
用の電極パッド20を形成するために、フォトレジスト
を一様に塗布して、その電極パッド20の形成部分のフ
ォトレジストに窓を開ける。次に、CoもしくはNiとAu、
Al、又は、それらの合金を膜厚1.5 μm程度に、蒸着に
より成膜させ、(4) の工程と同様に、リフトオフ法によ
り、フォトレジスト上に堆積したCoもしくはNiとAu、A
l、又はそれらの合金から成る膜を除去して、電極パッ
ド20を形成する。 (6) その後、試料雰囲気を真空ポンプで排気し、O2ガス
を供給して圧力 3Paとし、その状態で雰囲気温度を約 5
50℃にして、3 分程度、加熱し、コンタクト層17、ク
ラッド層16をp型低抵抗化すると共にコンタクト層1
7と電極18Aとの合金化処理、n+ 層13と電極18
Bとの合金化処理を行った。このようにして、反射膜1
9のないウエハが形成される。
リフトオフ法によりフォトレジスト上に堆積したCo、Au
を除去し、コンタクト層17上に透光性の電極18Aを
形成する。 (5) 次に、透光性の電極18A上の一部にボンディング
用の電極パッド20を形成するために、フォトレジスト
を一様に塗布して、その電極パッド20の形成部分のフ
ォトレジストに窓を開ける。次に、CoもしくはNiとAu、
Al、又は、それらの合金を膜厚1.5 μm程度に、蒸着に
より成膜させ、(4) の工程と同様に、リフトオフ法によ
り、フォトレジスト上に堆積したCoもしくはNiとAu、A
l、又はそれらの合金から成る膜を除去して、電極パッ
ド20を形成する。 (6) その後、試料雰囲気を真空ポンプで排気し、O2ガス
を供給して圧力 3Paとし、その状態で雰囲気温度を約 5
50℃にして、3 分程度、加熱し、コンタクト層17、ク
ラッド層16をp型低抵抗化すると共にコンタクト層1
7と電極18Aとの合金化処理、n+ 層13と電極18
Bとの合金化処理を行った。このようにして、反射膜1
9のないウエハが形成される。
【0018】次に、図2〜図7を用いて、反射膜19の
形成と素子の分離について以下に説明する。まず、図2
に模式的断面図を示すように、ブレード40を用いて基
板11に達する程度の深さにダイシングし、分離溝21
を形成する。次に、図2のウエハにおいて、研磨盤を用
いて基板11の下面11bを研磨し、基板11を薄板化
する。これにより、図3に示す断面構成が得られる。
形成と素子の分離について以下に説明する。まず、図2
に模式的断面図を示すように、ブレード40を用いて基
板11に達する程度の深さにダイシングし、分離溝21
を形成する。次に、図2のウエハにおいて、研磨盤を用
いて基板11の下面11bを研磨し、基板11を薄板化
する。これにより、図3に示す断面構成が得られる。
【0019】次に、基板11の下面11bに膜厚約125n
m の酸化珪素(SiO2)から成る第1反射膜と、膜厚約125n
m の酸化チタン(TiO2)から成る第2反射膜とが交互に10
周期積層形成する。このようにして、図4に示すよう
に、反射膜19が形成される。次に、電極パッド20上
に、粘着シート22を貼着し、図5に示す構成を得る。
この状態を、反射膜19側から見ると、分離溝21の部
分が最も薄肉であるので、分離溝21を視覚的に認識す
ることができる。反射膜19側からウエハを見た状態を
示せば、図6のようになる。次に、反射膜19側から、
分離溝21に沿ってスクライバを用いて基板11に達す
る程度にスクライビングし、スクライブライン23を形
成する。この状態の断面構成を示せば、図7のようにな
る。次に、ローラを用いてウエハに荷重を作用させて、
ウエハをチップに分離し、図1の構成が得られる。
m の酸化珪素(SiO2)から成る第1反射膜と、膜厚約125n
m の酸化チタン(TiO2)から成る第2反射膜とが交互に10
周期積層形成する。このようにして、図4に示すよう
に、反射膜19が形成される。次に、電極パッド20上
に、粘着シート22を貼着し、図5に示す構成を得る。
この状態を、反射膜19側から見ると、分離溝21の部
分が最も薄肉であるので、分離溝21を視覚的に認識す
ることができる。反射膜19側からウエハを見た状態を
示せば、図6のようになる。次に、反射膜19側から、
分離溝21に沿ってスクライバを用いて基板11に達す
る程度にスクライビングし、スクライブライン23を形
成する。この状態の断面構成を示せば、図7のようにな
る。次に、ローラを用いてウエハに荷重を作用させて、
ウエハをチップに分離し、図1の構成が得られる。
【0020】上記に示すように、基板11下面に反射膜
19を形成することにより、発光層15より出力される
光を効果的に反射できる。図8は、発光層15による発
光スペクトルと、反射膜19による反射率とを示した特
性図である。この図に示されるように、発光スペクトル
の波長領域は、反射膜19による反射率が90% 以上の領
域内であることがわかる。これにより、反射膜19によ
り光を効果的に反射することができ、発光強度を高める
ことができる。尚、本実施例では、膜厚約125nm のSiO2
から成る第1反射膜191と膜厚約125nm のTiO2から成
る第2反射膜192とを交互に10周期積層することによ
り、450 〜560nm の波長領域の光に対して90% 以上の反
射率を得ると共に、640 〜780nm の波長領域の光に対し
て80% 以上の透過率を得ることができた。又、低屈折率
材料(屈折率n=1.45) のSiO2を最初に基板11上に形成
し、その上に高屈折率材料(屈折率n=2.3)のTiO2を形成
することで、光反射の入射角への依存度を低減でき、よ
り効果的に光を反射できる。又、反射膜19は透光性で
あるので、反射膜19側からダイシングによる分離溝2
1を視覚的に認識できる。よって、基板11の下面に反
射膜19を形成した後のスクライビングが可能となり、
素子100の形成を容易に行える。
19を形成することにより、発光層15より出力される
光を効果的に反射できる。図8は、発光層15による発
光スペクトルと、反射膜19による反射率とを示した特
性図である。この図に示されるように、発光スペクトル
の波長領域は、反射膜19による反射率が90% 以上の領
域内であることがわかる。これにより、反射膜19によ
り光を効果的に反射することができ、発光強度を高める
ことができる。尚、本実施例では、膜厚約125nm のSiO2
から成る第1反射膜191と膜厚約125nm のTiO2から成
る第2反射膜192とを交互に10周期積層することによ
り、450 〜560nm の波長領域の光に対して90% 以上の反
射率を得ると共に、640 〜780nm の波長領域の光に対し
て80% 以上の透過率を得ることができた。又、低屈折率
材料(屈折率n=1.45) のSiO2を最初に基板11上に形成
し、その上に高屈折率材料(屈折率n=2.3)のTiO2を形成
することで、光反射の入射角への依存度を低減でき、よ
り効果的に光を反射できる。又、反射膜19は透光性で
あるので、反射膜19側からダイシングによる分離溝2
1を視覚的に認識できる。よって、基板11の下面に反
射膜19を形成した後のスクライビングが可能となり、
素子100の形成を容易に行える。
【0021】反射膜19の構成は上記実施例に限定され
ない。即ち、第1反射膜191及び第2反射膜192の
各膜厚、積層順序、積層周期数は、任意であってもよ
く、素子100の発光波長領域近傍の光を反射できれば
よい。又、発光素子100の発光層15はMQW構造と
したが、SQWやGa0.8In0.2N 等から成る単層、その
他、任意の混晶比の4元、3元系のAlGaInN としても良
い。又、p型不純物としてMgを用いたがベリリウム(B
e)、亜鉛(Zn)等の2族元素を用いることができる。又、
本発明はLEDやLDの発光素子に利用可能であると共
に受光素子にも利用することができる。
ない。即ち、第1反射膜191及び第2反射膜192の
各膜厚、積層順序、積層周期数は、任意であってもよ
く、素子100の発光波長領域近傍の光を反射できれば
よい。又、発光素子100の発光層15はMQW構造と
したが、SQWやGa0.8In0.2N 等から成る単層、その
他、任意の混晶比の4元、3元系のAlGaInN としても良
い。又、p型不純物としてMgを用いたがベリリウム(B
e)、亜鉛(Zn)等の2族元素を用いることができる。又、
本発明はLEDやLDの発光素子に利用可能であると共
に受光素子にも利用することができる。
【図1】本発明の具体的な実施例に係わるGaN 系化合物
半導体発光素子の構造を示した模式的断面図。
半導体発光素子の構造を示した模式的断面図。
【図2】本発明の具体的な実施例に係わるGaN 系化合物
半導体発光素子の形成方法において、ウエハのダイシン
グ工程を示した模式図。
半導体発光素子の形成方法において、ウエハのダイシン
グ工程を示した模式図。
【図3】本発明の具体的な実施例に係わるGaN 系化合物
半導体発光素子の形成方法において、ウエハの研磨工程
を示した模式図。
半導体発光素子の形成方法において、ウエハの研磨工程
を示した模式図。
【図4】本発明の具体的な実施例に係わるGaN 系化合物
半導体発光素子の形成方法において、ウエハ上に反射膜
を形成する工程を示した模式図。
半導体発光素子の形成方法において、ウエハ上に反射膜
を形成する工程を示した模式図。
【図5】本発明の具体的な実施例に係わるGaN 系化合物
半導体発光素子の形成方法において、電極パッド上に粘
着シートを貼着した状態を示した模式図。
半導体発光素子の形成方法において、電極パッド上に粘
着シートを貼着した状態を示した模式図。
【図6】本発明の具体的な実施例に係わるGaN 系化合物
半導体発光素子の形成方法において、ウエハ下面から見
た状態を示した模式図。
半導体発光素子の形成方法において、ウエハ下面から見
た状態を示した模式図。
【図7】本発明の具体的な実施例に係わるGaN 系化合物
半導体発光素子の形成方法において、スクライビング工
程を示した模式図。
半導体発光素子の形成方法において、スクライビング工
程を示した模式図。
【図8】本発明の具体的な実施例に係わるGaN 系化合物
半導体発光素子の発光スペクトルを示した特性図。
半導体発光素子の発光スペクトルを示した特性図。
【図9】従来のGaN 系化合物半導体発光素子をリードフ
レーム上に固設した状態を示した模式的断面図。
レーム上に固設した状態を示した模式的断面図。
11 サファイア基板 12 バッファ層 13 高キャリア濃度n+ 層 14、16 クラッド層 15 発光層 17 コンタクト層 18A p電極 18B n電極 19 反射膜 20 電極パッド 21 分離溝 22 粘着シート 23 スクライブライン 100 発光素子 191 第1反射膜 192 第2反射膜
Claims (6)
- 【請求項1】 基板上に窒化ガリウム系化合物半導体か
ら成る層が積層され、所定の波長領域の光が得られる発
光素子において、 前記基板に対して同じ側に正負の各電極が形成され、該
各電極が形成された側と異なる側の前記基板上に、前記
波長領域近傍の光を反射させ、前記波長領域近傍以外の
光を透過させる反射膜が形成されたことを特徴とする窒
化ガリウム系化合物半導体発光素子。 - 【請求項2】 前記反射膜は、屈折率が1.5 より小さな
膜と屈折率が1.8 より大きな膜との積層構造により構成
されたことを特徴とする請求項1に記載の窒化ガリウム
系化合物半導体発光素子。 - 【請求項3】 前記反射膜は、前記基板上に屈折率が1.
5 より小さな膜、屈折率が1.8 より大きな膜の順に積層
されたことを特徴とする請求項2に記載の窒化ガリウム
系化合物半導体発光素子。 - 【請求項4】 屈折率が1.5 より小さな膜がSiO2, Mg
F2,CaF2,LiF,AlF3から選ばれる少なくとも1つであり、
屈折率が1.8 より大きな膜がTiO2, Y2O3, ZrO2,CeO2,Hf
O2,Ta2O5 から選ばれる少なくとも1つであることを特
徴とする請求項2又は3に記載の窒化ガリウム系化合物
半導体発光素子。 - 【請求項5】 前記反射膜は、前記基板上に酸化珪素(S
iO2)、酸化チタン(TiO2)の順に積層されたことを特徴と
する請求項2乃至4に記載の窒化ガリウム系化合物半導
体発光素子。 - 【請求項6】 前記反射膜は、膜厚約125nm の酸化珪素
(SiO2)と、膜厚約125nm の酸化チタン(TiO2)とが交互に
2周期以上積層されたことを特徴とする請求項5に記載
の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30794597A JPH11126925A (ja) | 1997-10-21 | 1997-10-21 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30794597A JPH11126925A (ja) | 1997-10-21 | 1997-10-21 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11126925A true JPH11126925A (ja) | 1999-05-11 |
Family
ID=17975074
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30794597A Withdrawn JPH11126925A (ja) | 1997-10-21 | 1997-10-21 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11126925A (ja) |
Cited By (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020081947A (ko) * | 2001-04-20 | 2002-10-30 | 주식회사 옵토웨이퍼테크 | 다중반사막을 포함한 발광소자 및 그 제조방법 |
EP1132977A3 (en) * | 2000-03-10 | 2003-05-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same |
KR100387099B1 (ko) * | 2001-05-02 | 2003-06-12 | 광주과학기술원 | 질화갈륨계 발광다이오드 및 그 제조방법 |
US6861281B2 (en) | 2000-05-23 | 2005-03-01 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Group III nitride compound semiconductor light-emitting device and method for producing the same |
US6956245B2 (en) | 2002-05-31 | 2005-10-18 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Group III nitride compound semiconductor light-emitting element |
US6960485B2 (en) | 2000-03-31 | 2005-11-01 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting device using a group III nitride compound semiconductor and a method of manufacture |
JP2006507654A (ja) * | 2001-10-22 | 2006-03-02 | オリオール, インク. | 反射層を有するダイオードの製造方法 |
CN100370630C (zh) * | 2003-09-30 | 2008-02-20 | 三洋电机株式会社 | 发光元件及其制造方法 |
JP2008060167A (ja) * | 2006-08-29 | 2008-03-13 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子の製造方法及び半導体発光素子、並びにそれを用いた発光装置 |
CN100379043C (zh) * | 2005-04-30 | 2008-04-02 | 中国科学院半导体研究所 | 全角度反射镜结构GaN基发光二极管及制作方法 |
JP2008153362A (ja) * | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子及び発光装置 |
WO2011016820A3 (en) * | 2009-08-03 | 2011-03-31 | Newport Corporation | High power led device architectures employing dielectric coatings and method of manufacture |
KR101100681B1 (ko) | 2009-09-10 | 2012-01-03 | 주식회사 에피밸리 | 반도체 발광소자 |
WO2012015153A2 (en) * | 2010-07-28 | 2012-02-02 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Light emitting diode having distributed bragg reflector |
KR101158075B1 (ko) * | 2010-08-10 | 2012-06-22 | 서울옵토디바이스주식회사 | 분포 브래그 반사기를 갖는 발광 다이오드 |
KR101171360B1 (ko) | 2009-12-14 | 2012-08-10 | 서울옵토디바이스주식회사 | 발광 다이오드 |
CN103840046A (zh) * | 2012-11-26 | 2014-06-04 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | Led外延片及其制造方法 |
US8907360B2 (en) | 2009-11-13 | 2014-12-09 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode chip having distributed bragg reflector, method of fabricating the same, and light emitting diode package having distributed bragg reflector |
US8963178B2 (en) | 2009-11-13 | 2015-02-24 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode chip having distributed bragg reflector and method of fabricating the same |
US9000468B2 (en) | 2001-10-26 | 2015-04-07 | Lg Innotek Co., Ltd. | Diode having vertical structure |
US9136424B2 (en) | 2001-07-17 | 2015-09-15 | Lg Innotek Co., Ltd. | Diode having high brightness and method thereof |
US9142715B2 (en) | 2010-06-24 | 2015-09-22 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode |
CN113823700A (zh) * | 2021-09-16 | 2021-12-21 | 西安交通大学 | 一种氮化镓光导半导体开关及其制备方法 |
-
1997
- 1997-10-21 JP JP30794597A patent/JPH11126925A/ja not_active Withdrawn
Cited By (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1132977A3 (en) * | 2000-03-10 | 2003-05-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same |
US6576933B2 (en) | 2000-03-10 | 2003-06-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same |
US6815725B2 (en) | 2000-03-10 | 2004-11-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device having a fluorescent material emitting light of a secondary wavelength |
US7141445B2 (en) | 2000-03-10 | 2006-11-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same |
US6960485B2 (en) | 2000-03-31 | 2005-11-01 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting device using a group III nitride compound semiconductor and a method of manufacture |
US6861281B2 (en) | 2000-05-23 | 2005-03-01 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Group III nitride compound semiconductor light-emitting device and method for producing the same |
KR20020081947A (ko) * | 2001-04-20 | 2002-10-30 | 주식회사 옵토웨이퍼테크 | 다중반사막을 포함한 발광소자 및 그 제조방법 |
KR100387099B1 (ko) * | 2001-05-02 | 2003-06-12 | 광주과학기술원 | 질화갈륨계 발광다이오드 및 그 제조방법 |
US10553744B2 (en) | 2001-07-17 | 2020-02-04 | Lg Innotek Co., Ltd. | Diode having high brightness and method thereof |
US9136424B2 (en) | 2001-07-17 | 2015-09-15 | Lg Innotek Co., Ltd. | Diode having high brightness and method thereof |
US9640713B2 (en) | 2001-07-17 | 2017-05-02 | Lg Innotek Co., Ltd. | Diode having high brightness and method thereof |
US10147841B2 (en) | 2001-07-17 | 2018-12-04 | Lg Innotek Co., Ltd. | Diode having high brightness and method thereof |
US7785908B2 (en) | 2001-10-22 | 2010-08-31 | Lg Electronics Inc. | Method of making diode having reflective layer |
US7682854B2 (en) | 2001-10-22 | 2010-03-23 | Lg Electronics Inc. | Method of making diode having reflective layer |
JP2006507654A (ja) * | 2001-10-22 | 2006-03-02 | オリオール, インク. | 反射層を有するダイオードの製造方法 |
US9406837B2 (en) | 2001-10-22 | 2016-08-02 | Lg Innotek Co., Ltd | Method of making diode having reflective layer |
US9000468B2 (en) | 2001-10-26 | 2015-04-07 | Lg Innotek Co., Ltd. | Diode having vertical structure |
US10326055B2 (en) | 2001-10-26 | 2019-06-18 | Lg Innotek Co., Ltd. | Diode having vertical structure |
US10032959B2 (en) | 2001-10-26 | 2018-07-24 | Lg Innotek Co., Ltd. | Diode having vertical structure |
US9620677B2 (en) | 2001-10-26 | 2017-04-11 | Lg Innotek Co., Ltd. | Diode having vertical structure |
US6956245B2 (en) | 2002-05-31 | 2005-10-18 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Group III nitride compound semiconductor light-emitting element |
CN100370630C (zh) * | 2003-09-30 | 2008-02-20 | 三洋电机株式会社 | 发光元件及其制造方法 |
CN100379043C (zh) * | 2005-04-30 | 2008-04-02 | 中国科学院半导体研究所 | 全角度反射镜结构GaN基发光二极管及制作方法 |
JP2008060167A (ja) * | 2006-08-29 | 2008-03-13 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子の製造方法及び半導体発光素子、並びにそれを用いた発光装置 |
JP2008153362A (ja) * | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子及び発光装置 |
WO2011016820A3 (en) * | 2009-08-03 | 2011-03-31 | Newport Corporation | High power led device architectures employing dielectric coatings and method of manufacture |
KR101100681B1 (ko) | 2009-09-10 | 2012-01-03 | 주식회사 에피밸리 | 반도체 발광소자 |
US10141480B2 (en) | 2009-11-13 | 2018-11-27 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode chip having distributed Bragg reflector and method of fabricating the same |
US10128306B2 (en) | 2009-11-13 | 2018-11-13 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode chip having distributed bragg reflector and method of fabricating the same |
US8907360B2 (en) | 2009-11-13 | 2014-12-09 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode chip having distributed bragg reflector, method of fabricating the same, and light emitting diode package having distributed bragg reflector |
US9324919B2 (en) | 2009-11-13 | 2016-04-26 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode chip having distributed Bragg reflector and method of fabricating the same |
US9343631B2 (en) | 2009-11-13 | 2016-05-17 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode chip having distributed bragg reflector and method of fabricating the same |
US9577157B2 (en) | 2009-11-13 | 2017-02-21 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode chip having distributed Bragg reflector and method of fabricating the same |
US8963178B2 (en) | 2009-11-13 | 2015-02-24 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode chip having distributed bragg reflector and method of fabricating the same |
KR101171360B1 (ko) | 2009-12-14 | 2012-08-10 | 서울옵토디바이스주식회사 | 발광 다이오드 |
US9142715B2 (en) | 2010-06-24 | 2015-09-22 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode |
WO2012015153A3 (en) * | 2010-07-28 | 2012-04-19 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Light emitting diode having distributed bragg reflector |
WO2012015153A2 (en) * | 2010-07-28 | 2012-02-02 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Light emitting diode having distributed bragg reflector |
CN103053036A (zh) * | 2010-07-28 | 2013-04-17 | 首尔Opto仪器股份有限公司 | 具有分布式布拉格反射器的发光二级管 |
US8963183B2 (en) | 2010-07-28 | 2015-02-24 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode having distributed Bragg reflector |
US8373188B2 (en) | 2010-07-28 | 2013-02-12 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Light emitting diode having distributed Bragg reflector |
KR101158075B1 (ko) * | 2010-08-10 | 2012-06-22 | 서울옵토디바이스주식회사 | 분포 브래그 반사기를 갖는 발광 다이오드 |
CN103840046A (zh) * | 2012-11-26 | 2014-06-04 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | Led外延片及其制造方法 |
CN113823700A (zh) * | 2021-09-16 | 2021-12-21 | 西安交通大学 | 一种氮化镓光导半导体开关及其制备方法 |
CN113823700B (zh) * | 2021-09-16 | 2024-03-29 | 西安交通大学 | 一种氮化镓光导半导体开关及其制备方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6727518B2 (en) | Light emitting device using group III nitride compound semiconductor | |
JPH11126925A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 | |
JP3795298B2 (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法 | |
US6576933B2 (en) | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same | |
KR100895452B1 (ko) | 반도체 발광소자용 양전극 | |
US20060202211A1 (en) | Method for fabricating light-emitting device utilizing substrate transfer by laser decomposition | |
US7915714B2 (en) | Semiconductor light emitting element and wafer | |
JP2005259820A (ja) | Iii−v族化合物半導体発光素子とその製造方法 | |
US20100308357A1 (en) | Semiconductor light emitting element and method for manufacturing the same | |
KR20070083214A (ko) | 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 | |
US20060186552A1 (en) | High reflectivity p-contacts for group lll-nitride light emitting diodes | |
JP2000277804A (ja) | 窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子、並びに発光素子 | |
JPH06296040A (ja) | 発光ダイオードの製造方法 | |
JP2000164938A (ja) | 発光装置及び発光素子の実装方法 | |
WO2005011007A1 (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法 | |
JP2003086839A (ja) | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 | |
JP2007258672A (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法 | |
TW201214780A (en) | Light emitting diode chip having distributed Bragg reflector and method of fabricating the same | |
JP2015185655A (ja) | 発光素子およびその製造方法 | |
US20110037092A1 (en) | Light-emitting element | |
JPH11126923A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法 | |
JP2008016629A (ja) | 3族窒化物系発光ダイオード素子の製造方法 | |
US20050079642A1 (en) | Manufacturing method of nitride semiconductor device | |
JP2005019424A (ja) | 発光素子及び発光素子の製造方法 | |
JP4918245B2 (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040624 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20060721 |