JPH11126758A - 半導体素子製造方法 - Google Patents
半導体素子製造方法Info
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- JPH11126758A JPH11126758A JP30970597A JP30970597A JPH11126758A JP H11126758 A JPH11126758 A JP H11126758A JP 30970597 A JP30970597 A JP 30970597A JP 30970597 A JP30970597 A JP 30970597A JP H11126758 A JPH11126758 A JP H11126758A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 量産が容易であり、電極との接触抵抗が小さ
い半導体素子を得るための製造方法を提供すること。 【解決手段】 ２族不純物元素を添加したＧａＮ系半導
体層を積層する工程と、前記ＧａＮ系半導体層を所定温
度に加熱し、前記ＧａＮ系半導体層のエネルギー禁制帯
幅を上回るエネルギーを有する電磁波を照射する工程
と、電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
い半導体素子を得るための製造方法を提供すること。 【解決手段】 ２族不純物元素を添加したＧａＮ系半導
体層を積層する工程と、前記ＧａＮ系半導体層を所定温
度に加熱し、前記ＧａＮ系半導体層のエネルギー禁制帯
幅を上回るエネルギーを有する電磁波を照射する工程
と、電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＧａＮ系半導体を用い
た半導体素子の製造方法に関する。
た半導体素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】発光ダイオード及び半導体レーザダイオ
ード等の半導体素子の分野において、窒化物半導体（Ａ
ｌx Ｇａ1-x ）1-y Ｉｎy Ｎ （０≦ｘ≦１．０、０≦
ｙ≦１．０）等の単結晶にマグネシウム（Ｍｇ）や亜鉛
（Ｚｎ）等の２族元素が添加された半導体層を有する半
導体素子が、青色発光可能なワイドギャップ半導体素子
として注目されている。
ード等の半導体素子の分野において、窒化物半導体（Ａ
ｌx Ｇａ1-x ）1-y Ｉｎy Ｎ （０≦ｘ≦１．０、０≦
ｙ≦１．０）等の単結晶にマグネシウム（Ｍｇ）や亜鉛
（Ｚｎ）等の２族元素が添加された半導体層を有する半
導体素子が、青色発光可能なワイドギャップ半導体素子
として注目されている。
【０００３】上述の窒化物半導体のエピタキシャル成長
は、通常ＭＯＣＶＤ法（有機金属化学気相成長法）によ
って行われるが、ＭＯＣＶＤ法を用いＭｇやＺｎ等の２
族元素が添加された半導体層は、成長したまま（ａｓ−
ｇｒｏｗｎ：アズグロン）では極めて高抵抗であり、青
色発光させようとしても、電流を通ずることができな
い。
は、通常ＭＯＣＶＤ法（有機金属化学気相成長法）によ
って行われるが、ＭＯＣＶＤ法を用いＭｇやＺｎ等の２
族元素が添加された半導体層は、成長したまま（ａｓ−
ｇｒｏｗｎ：アズグロン）では極めて高抵抗であり、青
色発光させようとしても、電流を通ずることができな
い。
【０００４】近年、Ｍｇ等の２族元素を添加し高抵抗化
した窒化物半導体に特殊な処理を施すことにより、ｐ型
化する方法が報告されている。例えば、窒化物半導体に
低加速電子線照射処理を施すことにより、低抵抗ｐ型化
すること（H.Amanoetal.:Jpn.J.Appl.Phys.Vol28,1989,
pp.L2112-2114）や、窒素雰囲気大気圧下または加圧下
で８００℃で２０分程度の加熱処理を窒化物半導体に施
すことによって、やはり低抵抗ｐ型化することをも提案
されている（S.Nakamura etal.:Jpn.J.Appl.Phys.Vol.3
1,1992,ppL139-142 ）。
した窒化物半導体に特殊な処理を施すことにより、ｐ型
化する方法が報告されている。例えば、窒化物半導体に
低加速電子線照射処理を施すことにより、低抵抗ｐ型化
すること（H.Amanoetal.:Jpn.J.Appl.Phys.Vol28,1989,
pp.L2112-2114）や、窒素雰囲気大気圧下または加圧下
で８００℃で２０分程度の加熱処理を窒化物半導体に施
すことによって、やはり低抵抗ｐ型化することをも提案
されている（S.Nakamura etal.:Jpn.J.Appl.Phys.Vol.3
1,1992,ppL139-142 ）。
【０００５】低加速電子線照射処理による方法は、発現
するｐ型の室温正孔濃度として１０18ｃｍ-3台の極めて
高いものが得られるものの、処理される深さが電子線の
浸透深さで制限され、加速電圧６〜３０ＫＶに対して約
０．３μｍ程度であった（S.Nakamura etal.:Jpn.J.App
l.Phys.Vol.31,1992,ppL139-142 を参照）。また、真空
中で電子線を走査することによって処理を行うことにな
るため、装置が大がかりになる上、１枚のウェハを処理
するのに必要な時間が長くなる等の量産上の難点があっ
た。
するｐ型の室温正孔濃度として１０18ｃｍ-3台の極めて
高いものが得られるものの、処理される深さが電子線の
浸透深さで制限され、加速電圧６〜３０ＫＶに対して約
０．３μｍ程度であった（S.Nakamura etal.:Jpn.J.App
l.Phys.Vol.31,1992,ppL139-142 を参照）。また、真空
中で電子線を走査することによって処理を行うことにな
るため、装置が大がかりになる上、１枚のウェハを処理
するのに必要な時間が長くなる等の量産上の難点があっ
た。
【０００６】一方、加熱処理による方法は、処理深さに
ついては低加速電子線照射処理ほどの強い制約は無く、
また、多数のウェハを加熱炉に入れて一度に処理できる
ため量産に適している。しかしながら、加熱処理による
場合、この現象を発見したS.Nakamura等の実験結果でも
明らかなように、室温正孔濃度として３×１０17ｃｍ-3
と、低加速電子線照射処理より明らかに低い値にとどま
っている。この３×１０17ｃｍ-3という室温正孔濃度の
値は、発光ダイオードや半導体レーザの基本構成用件で
あるｐｎダイオードを形成するには十分な値であり、こ
の加熱処理により実際に発光ダイオードが製造されるに
至っている。
ついては低加速電子線照射処理ほどの強い制約は無く、
また、多数のウェハを加熱炉に入れて一度に処理できる
ため量産に適している。しかしながら、加熱処理による
場合、この現象を発見したS.Nakamura等の実験結果でも
明らかなように、室温正孔濃度として３×１０17ｃｍ-3
と、低加速電子線照射処理より明らかに低い値にとどま
っている。この３×１０17ｃｍ-3という室温正孔濃度の
値は、発光ダイオードや半導体レーザの基本構成用件で
あるｐｎダイオードを形成するには十分な値であり、こ
の加熱処理により実際に発光ダイオードが製造されるに
至っている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】こうした加熱処理によ
り、半導体素子、特に半導体レーザ素子を作製した場合
に問題となるのが、電極部分の接触抵抗である。
り、半導体素子、特に半導体レーザ素子を作製した場合
に問題となるのが、電極部分の接触抵抗である。
【０００８】一般的に、金属と半導体の界面には、電子
あるいは正孔の通過に対する電気的障壁が形成される。
この電気的障壁の高さが大きいと、その金属と半導体と
の接合は整流性となり、電流の通過に対して閾電圧を持
つようになる。このような接合（ショットキー接合と呼
ばれる）は、これを意図して用いる場合（ショットキー
ダイオード等）を除けば極めて不都合であるため、通常
は何らかの方法を用いて金属と半導体の接触をオーミッ
ク接触（線形にすること）にすることが行われる。
あるいは正孔の通過に対する電気的障壁が形成される。
この電気的障壁の高さが大きいと、その金属と半導体と
の接合は整流性となり、電流の通過に対して閾電圧を持
つようになる。このような接合（ショットキー接合と呼
ばれる）は、これを意図して用いる場合（ショットキー
ダイオード等）を除けば極めて不都合であるため、通常
は何らかの方法を用いて金属と半導体の接触をオーミッ
ク接触（線形にすること）にすることが行われる。
【０００９】オーミック接触を得る方法は何通りか存在
するが、基本的な必要条件は金属との界面近傍の半導体
層中のキャリア（ｎ型の場合は電子、ｐ型の場合は正
孔）濃度を十分高くすることである。電極直下のキャリ
ア濃度を十分高くし、フェルミ準位が伝導帯あるいは価
電子帯内に入るようにすれば、半導体はいわゆるメタリ
ックな状態となるので、電極金属の種類によらずオーミ
ック接触を得ることができる。
するが、基本的な必要条件は金属との界面近傍の半導体
層中のキャリア（ｎ型の場合は電子、ｐ型の場合は正
孔）濃度を十分高くすることである。電極直下のキャリ
ア濃度を十分高くし、フェルミ準位が伝導帯あるいは価
電子帯内に入るようにすれば、半導体はいわゆるメタリ
ックな状態となるので、電極金属の種類によらずオーミ
ック接触を得ることができる。
【００１０】しかしながら、前述した加熱処理によるｐ
型化処理では、正孔濃度が十分高くならないため、電極
部分の接触抵抗が大きくなってしまうという問題点があ
った。
型化処理では、正孔濃度が十分高くならないため、電極
部分の接触抵抗が大きくなってしまうという問題点があ
った。
【００１１】そこで、本発明では、量産が容易であり、
電極との接触抵抗が小さい半導体素子を得るための製造
方法を提供することを目的としている。
電極との接触抵抗が小さい半導体素子を得るための製造
方法を提供することを目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
２族不純物元素を添加したＧａＮ系半導体層を積層する
工程と、前記ＧａＮ系半導体層を所定温度に加熱し、前
記ＧａＮ系半導体層のエネルギー禁制帯幅を上回るエネ
ルギーを有する電磁波を照射する工程と、電極を形成す
る工程と、を含むことを特徴とする。
２族不純物元素を添加したＧａＮ系半導体層を積層する
工程と、前記ＧａＮ系半導体層を所定温度に加熱し、前
記ＧａＮ系半導体層のエネルギー禁制帯幅を上回るエネ
ルギーを有する電磁波を照射する工程と、電極を形成す
る工程と、を含むことを特徴とする。
【００１３】請求項２記載の発明は、請求項１記載の半
導体素子製造方法において、前記電磁波を前記ＧａＮ系
半導体層の表面に照射することを特徴とする。
導体素子製造方法において、前記電磁波を前記ＧａＮ系
半導体層の表面に照射することを特徴とする。
【００１４】請求項３記載の発明は、請求項１記載の半
導体素子製造方法において、前記ＧａＮ系半導体層が前
記所定温度にあるとき、前記電磁波を所定時間にわたっ
て照射することを特徴とする。
導体素子製造方法において、前記ＧａＮ系半導体層が前
記所定温度にあるとき、前記電磁波を所定時間にわたっ
て照射することを特徴とする。
【００１５】請求項４記載の発明は、請求項１、２また
は３記載の半導体素子製造方法において、前記ＧａＮ系
半導体は、（Ａｌx Ｇａ1-x ）1-y Ｉｎy Ｎ （０≦ｘ
≦１．０、０≦ｙ≦１．０）からなる３族窒化物半導体
であることを特徴とする。
は３記載の半導体素子製造方法において、前記ＧａＮ系
半導体は、（Ａｌx Ｇａ1-x ）1-y Ｉｎy Ｎ （０≦ｘ
≦１．０、０≦ｙ≦１．０）からなる３族窒化物半導体
であることを特徴とする。
【００１６】請求項５記載の発明は、請求項１ないし４
のいずれか１に記載の半導体素子製造方法において、前
記電磁波の波長は、前記ＧａＮ系化合物半導体層の最表
層の組成に対応した波長であることを特徴とする。
のいずれか１に記載の半導体素子製造方法において、前
記電磁波の波長は、前記ＧａＮ系化合物半導体層の最表
層の組成に対応した波長であることを特徴とする。
【００１７】請求項６記載の発明は、請求項１ないし４
のいずれか１に記載の半導体素子製造方法において、前
記ＧａＮ系半導体層を積層する工程は、有機金属化学気
相成長法で行われることを特徴とする。
のいずれか１に記載の半導体素子製造方法において、前
記ＧａＮ系半導体層を積層する工程は、有機金属化学気
相成長法で行われることを特徴とする。
【００１８】請求項７記載の発明は、請求項１ないし６
のいずれか１に記載の半導体素子製造方法において、前
記所定温度は３００℃以上１０００℃以下であることを
特徴とする。
のいずれか１に記載の半導体素子製造方法において、前
記所定温度は３００℃以上１０００℃以下であることを
特徴とする。
【００１９】請求項８記載の発明は、請求項１に記載の
半導体素子製造方法において、前記ＧａＮ系導体層の温
度が３００℃以下となるまで前記電磁波を継続して照射
することを特徴とする。
半導体素子製造方法において、前記ＧａＮ系導体層の温
度が３００℃以下となるまで前記電磁波を継続して照射
することを特徴とする。
【００２０】
【作用】本発明の半導体素子製造方法によれば、高い正
孔濃度を有するｐ型ＧａＮ半導体層を得ることができ、
電極との接触抵抗を小さくすることができる。
孔濃度を有するｐ型ＧａＮ半導体層を得ることができ、
電極との接触抵抗を小さくすることができる。
【００２１】また、ｐ型化のための加熱処理を紫外線な
どの電磁波を照射することにより行うので、ウェハ全体
を一度に処理することができ、電子線装置のような電子
ビームの走査や、高真空を必要とせず大量生産に有効で
ある。
どの電磁波を照射することにより行うので、ウェハ全体
を一度に処理することができ、電子線装置のような電子
ビームの走査や、高真空を必要とせず大量生産に有効で
ある。
【００２２】
【実施例】以下、本発明による半導体素子の製造方法を
図面に基づいて説明する。
図面に基づいて説明する。
【００２３】（Ｉ）半導体素子の構造 図１は本発明の製造方法における製造方法により製造さ
れた半導体素子の構成を示す図であり、サファイア基板
上にＧａＮホモ接合構造のｐｎダイオードを有するもの
である。
れた半導体素子の構成を示す図であり、サファイア基板
上にＧａＮホモ接合構造のｐｎダイオードを有するもの
である。
【００２４】図１において、１はサファイア基板、２は
窒化アルミニウム（以下、ＡｌＮとする。）からなるバ
ッファ層、３はＳｉがドープされたｎ型ＧａＮ層（また
はＳｉがドープされた（Ａｌx Ｇａ1-x ）1-y Ｉｎy Ｎ
（０≦ｘ≦１．０、０≦ｙ≦１．０））、４はＭｇが
ドープされたｐ型ＧａＮ層（またはＭｇがドープされた
（Ａｌx Ｇａ1-x ）1-y Ｉｎy Ｎ （０≦ｘ≦１．０、
０≦ｙ≦１．０））である。また、ｐ型ＧａＮ層４にド
ープされる不純物元素としては、Ｍｇに限らず、Ｂｅ、
Ｃａ等の２Ａ族元素やＺｎ等の２Ｂ族元素を用いてもよ
い。
窒化アルミニウム（以下、ＡｌＮとする。）からなるバ
ッファ層、３はＳｉがドープされたｎ型ＧａＮ層（また
はＳｉがドープされた（Ａｌx Ｇａ1-x ）1-y Ｉｎy Ｎ
（０≦ｘ≦１．０、０≦ｙ≦１．０））、４はＭｇが
ドープされたｐ型ＧａＮ層（またはＭｇがドープされた
（Ａｌx Ｇａ1-x ）1-y Ｉｎy Ｎ （０≦ｘ≦１．０、
０≦ｙ≦１．０））である。また、ｐ型ＧａＮ層４にド
ープされる不純物元素としては、Ｍｇに限らず、Ｂｅ、
Ｃａ等の２Ａ族元素やＺｎ等の２Ｂ族元素を用いてもよ
い。
【００２５】さらに、５はｎ型ＧａＮ層側の電極であ
り、６はｐ型ＧａＮ層側の電極である。ｎ型ＧａＮ層及
びｐ型ＧａＮ層の表面は酸化シリコン（以下、ＳｉＯ2
とする。）の保護層７で保護され、ｎ型ＧａＮ層側の電
極５は窓部８のみ、ｐ型ＧａＮ層側の電極６は窓部９の
みで、それぞれｎ型ＧａＮ層、ｐ型ＧａＮ層側と接触し
ている。
り、６はｐ型ＧａＮ層側の電極である。ｎ型ＧａＮ層及
びｐ型ＧａＮ層の表面は酸化シリコン（以下、ＳｉＯ2
とする。）の保護層７で保護され、ｎ型ＧａＮ層側の電
極５は窓部８のみ、ｐ型ＧａＮ層側の電極６は窓部９の
みで、それぞれｎ型ＧａＮ層、ｐ型ＧａＮ層側と接触し
ている。
【００２６】（ＩＩ）半導体素子の製造方法 次に、この半導体素子の製造方法について説明する。
【００２７】（ウェハの作製工程）サファイア基板１を
成膜用ＭＯＣＶＤ成長炉に装填し、１０５０℃の温度に
おいて水素気流中で１０分間保持し、サファイア基板１
の表面の熱クリーニングを行う。この後、サファイア基
板１をその温度が６００℃になるまで降温し、窒素原料
となるＮＨ3 と、Ａｌ原料であるＴＭＡ（トリメチルア
ルミニウム）を成長炉内に導入し、ＡｌＮからなるバッ
ファ層２を２０ｎｍの厚さに積層させる。
成膜用ＭＯＣＶＤ成長炉に装填し、１０５０℃の温度に
おいて水素気流中で１０分間保持し、サファイア基板１
の表面の熱クリーニングを行う。この後、サファイア基
板１をその温度が６００℃になるまで降温し、窒素原料
となるＮＨ3 と、Ａｌ原料であるＴＭＡ（トリメチルア
ルミニウム）を成長炉内に導入し、ＡｌＮからなるバッ
ファ層２を２０ｎｍの厚さに積層させる。
【００２８】続いてＴＭＡの供給を止め、ＮＨ3 のみを
流したまま、バッファ層２が積層されたサファイア基板
１の温度を再び１０５０℃に昇温し、ＴＭＧ（トリメチ
ルガリウム）を導入しｎ型ＧａＮ層３を積層させる。こ
のときｎ型不純物としてＳｉを添加するためＭｅ−Ｓｉ
Ｈ3 （メチルシラン）を加える。
流したまま、バッファ層２が積層されたサファイア基板
１の温度を再び１０５０℃に昇温し、ＴＭＧ（トリメチ
ルガリウム）を導入しｎ型ＧａＮ層３を積層させる。こ
のときｎ型不純物としてＳｉを添加するためＭｅ−Ｓｉ
Ｈ3 （メチルシラン）を加える。
【００２９】ｎ型ＧａＮ層３が２μｍ程度成長したとこ
ろで、Ｍｅ−ＳｉＨ3 の供給を止め、代わりにｐ型不純
物としてのＭｇの原料であるＥｔ−Ｃｐ2 Ｍｇ（エチル
シクロペンタジエニルマグネシウム）を導入する。
ろで、Ｍｅ−ＳｉＨ3 の供給を止め、代わりにｐ型不純
物としてのＭｇの原料であるＥｔ−Ｃｐ2 Ｍｇ（エチル
シクロペンタジエニルマグネシウム）を導入する。
【００３０】ＭｇがドープされたＧａＮ層を１μｍ程度
成長させたところでＮＨ3 以外の原料供給を停止し、こ
れと同時に冷却を開始する。室温近傍まで冷却後、ｎ型
ＧａＮ層及びＭｇがドープされたＧａＮ層が積層された
ウェハをＭＯＣＶＤ成長炉から取り出す。
成長させたところでＮＨ3 以外の原料供給を停止し、こ
れと同時に冷却を開始する。室温近傍まで冷却後、ｎ型
ＧａＮ層及びＭｇがドープされたＧａＮ層が積層された
ウェハをＭＯＣＶＤ成長炉から取り出す。
【００３１】（ｐ型化工程）図２は、本発明における加
熱処理炉の構成を示す図である。図２において、１０は
ステンレス製の加熱処理炉本体、１１はウェハの作成工
程で作成されたウェハ１７を設置するグラファイト製サ
セプタであり、加熱処理炉本体１０の下部より石英製窓
１２を通して図示せぬ赤外線ランプ等により加熱され
る。
熱処理炉の構成を示す図である。図２において、１０は
ステンレス製の加熱処理炉本体、１１はウェハの作成工
程で作成されたウェハ１７を設置するグラファイト製サ
セプタであり、加熱処理炉本体１０の下部より石英製窓
１２を通して図示せぬ赤外線ランプ等により加熱され
る。
【００３２】光源１３からの光は、光ファイバ１４で石
英製集光レンズ１５に導かれ、加熱処理炉本体１０上部
に設けられた石英製の光導入窓１６を通してサセプタ１
１上に照射される。光源１３としては水銀キセノンラン
プを用い可視・赤外領域を除去してから照射される。
英製集光レンズ１５に導かれ、加熱処理炉本体１０上部
に設けられた石英製の光導入窓１６を通してサセプタ１
１上に照射される。光源１３としては水銀キセノンラン
プを用い可視・赤外領域を除去してから照射される。
【００３３】照射に用いる光（電磁波）は、加熱処理を
施すべきウェハ最表面の半導体層のエネルギーギャップ
（エネルギー禁制帯幅）に相当する波長より短波長のも
のを使用する。したがって、最表面の半導体層が３．４
ｅＶのエネルギーギャップを有するＧａＮである場合は
３６５ｎｍより短い波長の紫外線を用いる。
施すべきウェハ最表面の半導体層のエネルギーギャップ
（エネルギー禁制帯幅）に相当する波長より短波長のも
のを使用する。したがって、最表面の半導体層が３．４
ｅＶのエネルギーギャップを有するＧａＮである場合は
３６５ｎｍより短い波長の紫外線を用いる。
【００３４】また、最表面の半導体層が（Ａｌx Ｇａ
1-x ）1-y Ｉｎy Ｎ（０≦ｘ≦１．０、０≦ｙ≦１．
０）である場合は、ｘ、ｙの値に応じて、ＩｎＮのエネ
ルギーギャップに対応する波長約６５０ｎｍから、Ａｌ
Ｎのエネルギーギャップに対応する波長約２００ｎｍの
間で照射に用いる電磁波の波長が変化する。よって、光
源１３に用いられるのは水銀キセノンランプに限らず、
照射すべき電磁波に応じて適宜選択される。
1-x ）1-y Ｉｎy Ｎ（０≦ｘ≦１．０、０≦ｙ≦１．
０）である場合は、ｘ、ｙの値に応じて、ＩｎＮのエネ
ルギーギャップに対応する波長約６５０ｎｍから、Ａｌ
Ｎのエネルギーギャップに対応する波長約２００ｎｍの
間で照射に用いる電磁波の波長が変化する。よって、光
源１３に用いられるのは水銀キセノンランプに限らず、
照射すべき電磁波に応じて適宜選択される。
【００３５】ウェハ１７をサセプタ１１設置した後、排
気口１８から図示せぬ真空ポンプを用いて加熱処理炉本
体１０の内部を真空にする。しかる後にガス導入口１９
から高純度窒素ガスを導入して内部を窒素ガスで置換
し、大気圧に到達すると同時にガス排出口２０を開放し
て加熱処理炉１０内に窒素フローを作る。
気口１８から図示せぬ真空ポンプを用いて加熱処理炉本
体１０の内部を真空にする。しかる後にガス導入口１９
から高純度窒素ガスを導入して内部を窒素ガスで置換
し、大気圧に到達すると同時にガス排出口２０を開放し
て加熱処理炉１０内に窒素フローを作る。
【００３６】その後、赤外線ランプでサセプタ１１を温
度８００℃まで昇温させる。ウェハ１７の温度が８００
℃に到達した後、光源１３からの紫外光をサセプタ１１
上のウェハ１７のＭｇがドープされたＧａＮ半導体層の
表面に照射する。電磁波を照射する際のウェハの温度は
３００℃から１０００℃以下が望ましい。後述するが、
Ｍｇ−Ｈの解離反応が約３００℃くらいから始まるので
３００℃以下では効果がなく、１０００℃以上の高温で
は半導体層あるいは素子構造の劣化が生じるためであ
る。
度８００℃まで昇温させる。ウェハ１７の温度が８００
℃に到達した後、光源１３からの紫外光をサセプタ１１
上のウェハ１７のＭｇがドープされたＧａＮ半導体層の
表面に照射する。電磁波を照射する際のウェハの温度は
３００℃から１０００℃以下が望ましい。後述するが、
Ｍｇ−Ｈの解離反応が約３００℃くらいから始まるので
３００℃以下では効果がなく、１０００℃以上の高温で
は半導体層あるいは素子構造の劣化が生じるためであ
る。
【００３７】このｐ型化工程においてＭｇがドープされ
たＧａＮ層内で起きている現象については後述する。
たＧａＮ層内で起きている現象については後述する。
【００３８】（素子化工程）次に、ｐ型化工程を経たウ
ェハ１７上に、一般的なフォトリソグラフィを用いてエ
ッチングマスクを形成し、ＲＩＥ（反応性イオンエッチ
ング）を用いてｐ型ＧａＮ層の不要な部分を除去し、部
分的にｎ型ＧａＮ層３を露出させる。
ェハ１７上に、一般的なフォトリソグラフィを用いてエ
ッチングマスクを形成し、ＲＩＥ（反応性イオンエッチ
ング）を用いてｐ型ＧａＮ層の不要な部分を除去し、部
分的にｎ型ＧａＮ層３を露出させる。
【００３９】エッチングマスクを除去後、フォトレジス
トを塗布し、これをフォトリソグラフィにより電極形成
部分を残して除去する。フォトレジスト上にＳｉＯ2 保
護膜をスパッタリング等の方法によって積層させる。こ
の後、リフトオフ法によって、フォトレジストとともに
不要なＳｉＯ2 保護膜を除去し、窓部８、９を形成す
る。
トを塗布し、これをフォトリソグラフィにより電極形成
部分を残して除去する。フォトレジスト上にＳｉＯ2 保
護膜をスパッタリング等の方法によって積層させる。こ
の後、リフトオフ法によって、フォトレジストとともに
不要なＳｉＯ2 保護膜を除去し、窓部８、９を形成す
る。
【００４０】ｎ型ＧａＮ層３が露出している部分に、Ｔ
ｉ（チタン）を５０ｎｍ、続いてＡｌ（アルミニウム）
を２００ｎｍ蒸着し、ｎ型ＧａＮ層側の電極５を形成す
る。ｐ型ＧａＮ層が露出している部分には、Ｎｉ（ニッ
ケル）を５０ｎｍ、Ａｕ（金）を２００ｎｍ蒸着し、ｐ
型ＧａＮ側の電極６を形成する。その後、ウェハを切断
し半導体素子を得る。
ｉ（チタン）を５０ｎｍ、続いてＡｌ（アルミニウム）
を２００ｎｍ蒸着し、ｎ型ＧａＮ層側の電極５を形成す
る。ｐ型ＧａＮ層が露出している部分には、Ｎｉ（ニッ
ケル）を５０ｎｍ、Ａｕ（金）を２００ｎｍ蒸着し、ｐ
型ＧａＮ側の電極６を形成する。その後、ウェハを切断
し半導体素子を得る。
【００４１】上述した、ウェハの作成工程−ｐ型化工程
−素子化工程を経て図１に示す構造の半導体素子を得る
ことができる。
−素子化工程を経て図１に示す構造の半導体素子を得る
ことができる。
【００４２】（ＩＩＩ）加熱処理における半導体層中の
現象 Ｍｇ等の２族元素を添加したＧａＮ系半導体層をＭＯＣ
ＶＤ法により成長させると、半導体層中に水素が取り込
まれ、アクセプタ不純物となるべきＭｇが不動態化され
る。この水素の量は、半導体層中に添加されたＭｇの量
とほぼ等しく、半導体層中にＭｇ−Ｈの形に結合した状
態で取り込まれていると推察される。
現象 Ｍｇ等の２族元素を添加したＧａＮ系半導体層をＭＯＣ
ＶＤ法により成長させると、半導体層中に水素が取り込
まれ、アクセプタ不純物となるべきＭｇが不動態化され
る。この水素の量は、半導体層中に添加されたＭｇの量
とほぼ等しく、半導体層中にＭｇ−Ｈの形に結合した状
態で取り込まれていると推察される。
【００４３】従来技術のように、窒素雰囲気中で８００
℃で２０分程度の加熱処理を行うことによってこの水素
が半導体層から脱離する。そして、Ｍｇ原子濃度と、加
熱処理後に残留している水素原子濃度の差分に相当する
量の有効アクセプタが半導体層中に現れる。このことに
よってＭｇがドープされた半導体層はｐ型化する。
℃で２０分程度の加熱処理を行うことによってこの水素
が半導体層から脱離する。そして、Ｍｇ原子濃度と、加
熱処理後に残留している水素原子濃度の差分に相当する
量の有効アクセプタが半導体層中に現れる。このことに
よってＭｇがドープされた半導体層はｐ型化する。
【００４４】図５ないし８は、ＭｇをドープしたＧａＮ
半導体層に関し、ＳＩＭＳ（２次イオン質量分析）測定
を行った結果を示している。測定に用いた試料は、Ｓｉ
をドープしたｎ型ＧａＮ半導体層上にＭｇをドープした
ＧａＮ半導体層を成膜したものである。
半導体層に関し、ＳＩＭＳ（２次イオン質量分析）測定
を行った結果を示している。測定に用いた試料は、Ｓｉ
をドープしたｎ型ＧａＮ半導体層上にＭｇをドープした
ＧａＮ半導体層を成膜したものである。
【００４５】図５及び６はアズグロンの試料の結果を、
図７及び８は８００℃で２０分の加熱処理を施した試料
のＳＩＭＳ測定の結果を示している。
図７及び８は８００℃で２０分の加熱処理を施した試料
のＳＩＭＳ測定の結果を示している。
【００４６】図５及び図７の縦軸はＭｇの１ｃｍ3 に存
在する原子数を示し、横軸は表面からの深さ（μｍ）を
示している。図６及び図８の縦軸はＨ、Ｓｉの１ｃｍ3
に存在する原子数を示し、横軸は表面からの深さ（μ
ｍ）を示している。
在する原子数を示し、横軸は表面からの深さ（μｍ）を
示している。図６及び図８の縦軸はＨ、Ｓｉの１ｃｍ3
に存在する原子数を示し、横軸は表面からの深さ（μ
ｍ）を示している。
【００４７】図５及び６から、アズグロンの試料の場
合、Ｍｇがドープされた半導体層の１．０μｍまでの水
素原子数とＭｇ原子数は２×１０19ｃｍ-3であり、水素
濃度とＭｇ濃度は較正誤差内でほぼ一致しているといえ
る。図７及び８から、加熱処理を行った試料では、Ｍｇ
原子数は図５と同一であるのに対し、水素原子数は約２
×１０19ｃｍ-3であり加熱処理前の約１／２に減少して
おり、加熱処理の効果に関する前述の推測を裏付けてい
る。
合、Ｍｇがドープされた半導体層の１．０μｍまでの水
素原子数とＭｇ原子数は２×１０19ｃｍ-3であり、水素
濃度とＭｇ濃度は較正誤差内でほぼ一致しているといえ
る。図７及び８から、加熱処理を行った試料では、Ｍｇ
原子数は図５と同一であるのに対し、水素原子数は約２
×１０19ｃｍ-3であり加熱処理前の約１／２に減少して
おり、加熱処理の効果に関する前述の推測を裏付けてい
る。
【００４８】ここで、加熱処理を行った試料について重
要であるのは、ｐ型半導体層内の水素濃度が、ｎ型半導
体層部分に於ける水素濃度（１０18ｃｍ-3、測定限界
値）までは低下してはいないということである。加熱処
理した試料の室温正孔濃度は２×１０17ｃｍ-3であり、
ｐ型半導体層中に於けるＭｇアクセプタの熱活性化率が
１０-2台であることを考慮すると、Ｍｇ濃度と水素濃度
の差が実効アクセプタ濃度であるとして計算した正孔濃
度とほぼ一致する。このことは、８００℃で２０分程度
の加熱処理の場合、最終的に得られる正孔濃度は、半導
体層中に添加されたＭｇ濃度で直接決定されているので
はなく、むしろ半導体層からどれだけの水素が脱離した
かで決定されていることを示している。
要であるのは、ｐ型半導体層内の水素濃度が、ｎ型半導
体層部分に於ける水素濃度（１０18ｃｍ-3、測定限界
値）までは低下してはいないということである。加熱処
理した試料の室温正孔濃度は２×１０17ｃｍ-3であり、
ｐ型半導体層中に於けるＭｇアクセプタの熱活性化率が
１０-2台であることを考慮すると、Ｍｇ濃度と水素濃度
の差が実効アクセプタ濃度であるとして計算した正孔濃
度とほぼ一致する。このことは、８００℃で２０分程度
の加熱処理の場合、最終的に得られる正孔濃度は、半導
体層中に添加されたＭｇ濃度で直接決定されているので
はなく、むしろ半導体層からどれだけの水素が脱離した
かで決定されていることを示している。
【００４９】図９はその縦軸に室温正孔濃度、横軸に加
熱処理時間（分）をとったものであり、８００℃の温度
条件下で加熱処理を施す時間を変化させた場合の、室温
キャリア濃度の処理時間依存性の測定結果を示してい
る。処理時間１５分で正孔濃度は飽和しており、この結
果からは２０分間の処理時間で十分であると判断され
る。
熱処理時間（分）をとったものであり、８００℃の温度
条件下で加熱処理を施す時間を変化させた場合の、室温
キャリア濃度の処理時間依存性の測定結果を示してい
る。処理時間１５分で正孔濃度は飽和しており、この結
果からは２０分間の処理時間で十分であると判断され
る。
【００５０】これらのことから、８００℃での加熱処理
時間を延長しても、添加したＭｇの量に相当する正孔濃
度までは得られないことがわかる。それはＭｇをドープ
した半導体層中の水素が脱離しきらないからであると結
論される。
時間を延長しても、添加したＭｇの量に相当する正孔濃
度までは得られないことがわかる。それはＭｇをドープ
した半導体層中の水素が脱離しきらないからであると結
論される。
【００５１】従来技術の加熱処理によるＭｇをドープし
た半導体層からの水素の脱離機構には、水素の拡散作用
が含まれていることは明らかであるから、水素の脱離の
みを考えれば、加熱処理の温度を高くすれば促進される
はずである。しかしながら、例えば１０００℃以上とい
った高温で加熱処理をおこなうと、今度はＧａＮからの
窒素の脱離が進行し、半導体層の劣化が生じてしまった
り、素子内に形成された多層構造が熱拡散により劣化し
てしまう問題点を生ずる。
た半導体層からの水素の脱離機構には、水素の拡散作用
が含まれていることは明らかであるから、水素の脱離の
みを考えれば、加熱処理の温度を高くすれば促進される
はずである。しかしながら、例えば１０００℃以上とい
った高温で加熱処理をおこなうと、今度はＧａＮからの
窒素の脱離が進行し、半導体層の劣化が生じてしまった
り、素子内に形成された多層構造が熱拡散により劣化し
てしまう問題点を生ずる。
【００５２】その対策の１つとして、半導体層の表面
に、水素透過性を有する一方窒素は透過しない性質を持
った膜を被着させた後に高温で加熱処理を行い、しかる
後に被着させた膜を除去するという工程も原理的には考
えられる。しかし、半導体表面に対し膜の被着・除去を
繰り返すことは量産に不向きである上、表面に汚染を残
しやすく、特に後工程で電極用金属を蒸着する表面に汚
染が残留することは、電極との接触抵抗を高くする恐れ
が大である。
に、水素透過性を有する一方窒素は透過しない性質を持
った膜を被着させた後に高温で加熱処理を行い、しかる
後に被着させた膜を除去するという工程も原理的には考
えられる。しかし、半導体表面に対し膜の被着・除去を
繰り返すことは量産に不向きである上、表面に汚染を残
しやすく、特に後工程で電極用金属を蒸着する表面に汚
染が残留することは、電極との接触抵抗を高くする恐れ
が大である。
【００５３】このように、半導体層の質を損ねることな
くｐ型半導体層中に取り込まれた水素を従来技術の加熱
処理だけで完全にｐ型半導体層から抜き取ることは不可
能であることを、本願の発明者達は見出した。
くｐ型半導体層中に取り込まれた水素を従来技術の加熱
処理だけで完全にｐ型半導体層から抜き取ることは不可
能であることを、本願の発明者達は見出した。
【００５４】前述の図８に示されるようにＭｇをドープ
したｐ型ＧａＮ半導体層からの水素脱離が不完全な状態
で留まってしまうのは、水素脱離過程のどこかに強い律
速過程が存在するからであると考えられる。
したｐ型ＧａＮ半導体層からの水素脱離が不完全な状態
で留まってしまうのは、水素脱離過程のどこかに強い律
速過程が存在するからであると考えられる。
【００５５】Ｍｇ−Ｈ複合体（通常ｃｏｍｐｌｅｘと呼
ばれる）の熱解離に関する障壁エネルギーの値は、理論
的に約１．５ｅＶと見積もられており（J.Neugebaueret
al:Mat.Res.Soc.Symp.Proc.Vol.423,pp619-623 を参
照）、この障壁高さからすれば３００℃程度の加熱処理
で水素脱離の効果が現れるはずである。
ばれる）の熱解離に関する障壁エネルギーの値は、理論
的に約１．５ｅＶと見積もられており（J.Neugebaueret
al:Mat.Res.Soc.Symp.Proc.Vol.423,pp619-623 を参
照）、この障壁高さからすれば３００℃程度の加熱処理
で水素脱離の効果が現れるはずである。
【００５６】これに反し、実際に加熱処理で顕著なｐ型
化効果が現れるのは６００℃以上の温度領域であること
がわかっている（S.Nakamuraetal.:Jpn.J.Appl.Phys.3
1,1992,pp1258-1266 ）。また、熱により解離したＭｇ
−Ｈ複合体は、
化効果が現れるのは６００℃以上の温度領域であること
がわかっている（S.Nakamuraetal.:Jpn.J.Appl.Phys.3
1,1992,pp1258-1266 ）。また、熱により解離したＭｇ
−Ｈ複合体は、
【数１】
【００５７】となるが、このＨ+ のＧａＮ半導体層中で
の拡散に関する障壁エネルギーは０．７ｅＶ程度と計算
されている（J.Neugebaueretal.Phys.Rev.Lett.75,199
5,p4452 を参照）。これらのことから、上述のNeugeba
uer等も半導体層からの水素脱離には更に別の障壁が存
在する可能性を示唆している（J.Neugebbauer etal:Ma
t.Res.Soc.Symp.Proc.Vol.423,p623 を参照）。
の拡散に関する障壁エネルギーは０．７ｅＶ程度と計算
されている（J.Neugebaueretal.Phys.Rev.Lett.75,199
5,p4452 を参照）。これらのことから、上述のNeugeba
uer等も半導体層からの水素脱離には更に別の障壁が存
在する可能性を示唆している（J.Neugebbauer etal:Ma
t.Res.Soc.Symp.Proc.Vol.423,p623 を参照）。
【００５８】８００℃程度の温度に加熱された、Ｍｇが
ドープされたＧａＮ半導体層中では、（１）式でしめす
ようなＭｇ−Ｈ複合体の解離が生じる。Ｍｇ−Ｈ解離反
応の障壁エネルギーは低いので、ＭｇがドープされたＧ
ａＮ半導体層中の全てのＭｇ−Ｈ複合体は上記の（１）
式にしたがって解離していると考えられる。
ドープされたＧａＮ半導体層中では、（１）式でしめす
ようなＭｇ−Ｈ複合体の解離が生じる。Ｍｇ−Ｈ解離反
応の障壁エネルギーは低いので、ＭｇがドープされたＧ
ａＮ半導体層中の全てのＭｇ−Ｈ複合体は上記の（１）
式にしたがって解離していると考えられる。
【００５９】この反応で発生したＨ+ はＭｇがドープさ
れたＧａＮ半導体層中を比較的容易に拡散するが、Ｈ+
のまま脱離することはできない。なぜなら、Ｈ+ とは陽
子そのものであり、窒素ガスで満たされた加熱処理炉内
雰囲気へそのまま出て行くことはできないからである。
つまり、ＭｇがドープされたＧａＮ半導体層表面から脱
離していくためには水素ガス分子（以下、Ｈ2 と表記す
る）の形態を取らなければならない。
れたＧａＮ半導体層中を比較的容易に拡散するが、Ｈ+
のまま脱離することはできない。なぜなら、Ｈ+ とは陽
子そのものであり、窒素ガスで満たされた加熱処理炉内
雰囲気へそのまま出て行くことはできないからである。
つまり、ＭｇがドープされたＧａＮ半導体層表面から脱
離していくためには水素ガス分子（以下、Ｈ2 と表記す
る）の形態を取らなければならない。
【００６０】Ｈ2 の脱離には更に、まずＨ+ が負電荷を
獲得し中性化する過程、
獲得し中性化する過程、
【００６１】
【数２】
【００６２】と、この中性化したＨ0 同士が会合しＨ2
になる過程、
になる過程、
【００６３】
【数３】
【００６４】とからなる反応が存在する。上記では中性
化する過程の式（２）を１方向への反応の様に記述した
が、実際には正しくない。半導体層中に於ける水素（Ｈ
+ 、Ｈ0 、Ｈ- ）の形成エネルギーを計算すると、いか
なるフェルミレベルの条件に対してもＨ+ またはＨ- と
いう荷電状態よりＨ0 の方が形成エネルギーが高い（こ
の点については、J.Neugebbaueretal:Mat.Res.Soc.Sym
p.Proc.Vol.395,p645 を参照）。つまり中性状態のＨ0
は半導体層中で不安定である。
化する過程の式（２）を１方向への反応の様に記述した
が、実際には正しくない。半導体層中に於ける水素（Ｈ
+ 、Ｈ0 、Ｈ- ）の形成エネルギーを計算すると、いか
なるフェルミレベルの条件に対してもＨ+ またはＨ- と
いう荷電状態よりＨ0 の方が形成エネルギーが高い（こ
の点については、J.Neugebbaueretal:Mat.Res.Soc.Sym
p.Proc.Vol.395,p645 を参照）。つまり中性状態のＨ0
は半導体層中で不安定である。
【００６５】このことは、（２）式において左向きの反
応の方が起こりやすいことを意味し、
応の方が起こりやすいことを意味し、
【００６６】
【数４】
【００６７】なる形で書かれるべきである。一方、
（３）式の反応は、水素の熱安定性を考慮すれば、ほと
んど右向きの反応のみと考えてよい。
（３）式の反応は、水素の熱安定性を考慮すれば、ほと
んど右向きの反応のみと考えてよい。
【００６８】これらの考察から、水素の脱離を律速する
過程とは、（２）式で示す中性化の反応過程であること
が推測される。
過程とは、（２）式で示す中性化の反応過程であること
が推測される。
【００６９】（２）式において、左辺のｅ- （電子）
は、明らかに伝導帯中の電子である。加熱処理前のＭｇ
をドープしたＧａＮ半導体層は室温ではほとんど絶縁体
であり、伝導帯の電子濃度は皆無と言ってよい。また、
フェルミレベルは禁制帯のほぼ中央にある。仮に、Ｍｇ
- の濃度とＨ+ の濃度が等しいまま（つまり水素が全く
脱離しないまま）温度が上がったと仮定すると、フェル
ミレベルの位置はほぼそのままで、図１０に示すように
フェルミ分布の裾が広がってくる（図１０において縦軸
はエネルギー、横軸は電子の占有確立を示す）。
は、明らかに伝導帯中の電子である。加熱処理前のＭｇ
をドープしたＧａＮ半導体層は室温ではほとんど絶縁体
であり、伝導帯の電子濃度は皆無と言ってよい。また、
フェルミレベルは禁制帯のほぼ中央にある。仮に、Ｍｇ
- の濃度とＨ+ の濃度が等しいまま（つまり水素が全く
脱離しないまま）温度が上がったと仮定すると、フェル
ミレベルの位置はほぼそのままで、図１０に示すように
フェルミ分布の裾が広がってくる（図１０において縦軸
はエネルギー、横軸は電子の占有確立を示す）。
【００７０】伝導帯にいる電子の密度は、伝導帯の有効
状態密度とフェルミ分布の積で近似されるので、温度の
上昇によって伝導帯の電子濃度が上昇してくる。この電
子によってＨ+ の中性化反応が進行し、結果として水素
が半導体層中から脱離する。
状態密度とフェルミ分布の積で近似されるので、温度の
上昇によって伝導帯の電子濃度が上昇してくる。この電
子によってＨ+ の中性化反応が進行し、結果として水素
が半導体層中から脱離する。
【００７１】しかし、このようにして生じた電子の濃度
は、バンドギャップの値が室温で約３．４ｅＶと大きい
ＧａＮの場合は、８００℃の温度でも１０11ｃｍ-3程度
と極めて小さな値である。
は、バンドギャップの値が室温で約３．４ｅＶと大きい
ＧａＮの場合は、８００℃の温度でも１０11ｃｍ-3程度
と極めて小さな値である。
【００７２】更に、半導体層から水素が脱離して行くに
したがい、ＭｇがドープされたＧａＮ半導体層はｐ型に
なっていくが、ｐ型になるということはＭｇがドープさ
れたＧａＮ半導体のフェルミレベルが価電子帯へと移動
していくことを意味し、伝導帯中の電子濃度は急速に減
少して行く。
したがい、ＭｇがドープされたＧａＮ半導体層はｐ型に
なっていくが、ｐ型になるということはＭｇがドープさ
れたＧａＮ半導体のフェルミレベルが価電子帯へと移動
していくことを意味し、伝導帯中の電子濃度は急速に減
少して行く。
【００７３】図１１はその縦軸に残存水素量（相対
値）、横軸に加熱処理時間をとったものであり、上記の
反応式（１）から（３）を元に、半導体層中に残留する
水素濃度の処理時間依存性を計算したものである。ここ
で、８００℃でＭｇアクセプタは全て電離しているこ
と、及びＨ+ の拡散が十分速く半導体層中にＨ+ の濃度
分布が発生しないことを仮定し、温度一定の元ではｎｐ
積（電子濃度と正孔濃度の積）が一定であると近似して
計算している。
値）、横軸に加熱処理時間をとったものであり、上記の
反応式（１）から（３）を元に、半導体層中に残留する
水素濃度の処理時間依存性を計算したものである。ここ
で、８００℃でＭｇアクセプタは全て電離しているこ
と、及びＨ+ の拡散が十分速く半導体層中にＨ+ の濃度
分布が発生しないことを仮定し、温度一定の元ではｎｐ
積（電子濃度と正孔濃度の積）が一定であると近似して
計算している。
【００７４】図１１から分かるように、加熱処理の初期
には水素が急速に脱離するが、ｐ型の発現と共に脱離速
度が急速に減少し、数割の水素が脱離して明らかなｐ型
状態（室温正孔濃度に換算して１０17ｃｍ-3程度）に到
達すると、ほとんど水素の脱離が進行しなくなるのであ
る。
には水素が急速に脱離するが、ｐ型の発現と共に脱離速
度が急速に減少し、数割の水素が脱離して明らかなｐ型
状態（室温正孔濃度に換算して１０17ｃｍ-3程度）に到
達すると、ほとんど水素の脱離が進行しなくなるのであ
る。
【００７５】加熱処理によるｐ型化工程は、このような
メカニズムで進行していると推測される。したがって、
従来の加熱処理では、大量の水素が半導体層中に残留し
てしまうため、室温キャリア濃度が十分上昇せず電極と
の接触抵抗がある程度以下にならないのである。
メカニズムで進行していると推測される。したがって、
従来の加熱処理では、大量の水素が半導体層中に残留し
てしまうため、室温キャリア濃度が十分上昇せず電極と
の接触抵抗がある程度以下にならないのである。
【００７６】（ＩＶ）電磁波（光) 照射をともなう加熱
処理 これに対し、本発明の半導体素子製造方法の加熱処理に
おいては、電磁波（光）照射を行い、半導体層の最表層
にこの光子を吸収させる点が最大の特徴である。
処理 これに対し、本発明の半導体素子製造方法の加熱処理に
おいては、電磁波（光）照射を行い、半導体層の最表層
にこの光子を吸収させる点が最大の特徴である。
【００７７】半導体にその禁制帯より高いエネルギーの
光子を照射吸収させると、伝導帯と価電子帯に熱平衡状
態を超える濃度の電子・正孔対が形成される。こうした
電子・正孔対は、熱平衡状態へ復帰すべく発光性・非発
光性再結合過程を通じて消滅して行く。結果として、照
射光の強度に対応した濃度の過剰電子（熱平衡状態に対
しての過剰電子）が伝導帯中に存在することになる。
光子を照射吸収させると、伝導帯と価電子帯に熱平衡状
態を超える濃度の電子・正孔対が形成される。こうした
電子・正孔対は、熱平衡状態へ復帰すべく発光性・非発
光性再結合過程を通じて消滅して行く。結果として、照
射光の強度に対応した濃度の過剰電子（熱平衡状態に対
しての過剰電子）が伝導帯中に存在することになる。
【００７８】本発明の半導体素子製造方法におけるｐ型
化処理は、この過剰電子によりＨ+の中性化反応を促進
することで、Ｍｇがドープされた半導体層がｐ型化する
ことによって引き起こされる処理速度の急激な低下を防
止し、従来の加熱処理に比べて水素脱離反応を促進させ
正孔濃度の高いｐ型半導体層を得ようとするものであ
る。
化処理は、この過剰電子によりＨ+の中性化反応を促進
することで、Ｍｇがドープされた半導体層がｐ型化する
ことによって引き起こされる処理速度の急激な低下を防
止し、従来の加熱処理に比べて水素脱離反応を促進させ
正孔濃度の高いｐ型半導体層を得ようとするものであ
る。
【００７９】但し、電磁波照射をおこなう加熱処理の効
果は半導体層の厚さ方向に対して均一なものではない。
Ｈ+ の拡散速度が無限大である（Ｈ+ の濃度分布が無
い）と仮定した図１１から明らかなように、従来の電磁
波照射をしない加熱処理の場合、水素の脱離速度が大き
いのは加熱処理開始後のごく初期の段階のみであり、以
降は表面からの脱離速度が極端に低下する。したがっ
て、半導体層中でのＨ+の拡散速度が遅くとも、全体と
しての水素の脱離は半導体層表面からの脱離反応によっ
て律速される。
果は半導体層の厚さ方向に対して均一なものではない。
Ｈ+ の拡散速度が無限大である（Ｈ+ の濃度分布が無
い）と仮定した図１１から明らかなように、従来の電磁
波照射をしない加熱処理の場合、水素の脱離速度が大き
いのは加熱処理開始後のごく初期の段階のみであり、以
降は表面からの脱離速度が極端に低下する。したがっ
て、半導体層中でのＨ+の拡散速度が遅くとも、全体と
しての水素の脱離は半導体層表面からの脱離反応によっ
て律速される。
【００８０】一方、電磁波照射下では、励起された伝導
帯電子の働きにより中性化したＨ0の表面における濃度
は通常の熱平衡状態よりはるかに高くなっており、半導
体層表面における水素の脱離は、従来における加熱処理
過程のごく初期期間より長い期間維持される。このた
め、半導体層中でのＨ+ の拡散速度が有限である影響が
現れ、半導体層表面近傍の水素濃度が大きく減少した分
布が形成される。
帯電子の働きにより中性化したＨ0の表面における濃度
は通常の熱平衡状態よりはるかに高くなっており、半導
体層表面における水素の脱離は、従来における加熱処理
過程のごく初期期間より長い期間維持される。このた
め、半導体層中でのＨ+ の拡散速度が有限である影響が
現れ、半導体層表面近傍の水素濃度が大きく減少した分
布が形成される。
【００８１】このようにして、半導体にその禁制帯より
高いエネルギーを有する電磁波照射をともなう加熱処理
方法の場合、半導体層の内部部分については従来による
加熱処理とほぼ同様の正孔濃度であるが、電極と接する
半導体層の表面部分は高い正孔濃度を有することにな
る。よって、電極との接触抵抗を従来の加熱処理に比べ
て低減することができる。
高いエネルギーを有する電磁波照射をともなう加熱処理
方法の場合、半導体層の内部部分については従来による
加熱処理とほぼ同様の正孔濃度であるが、電極と接する
半導体層の表面部分は高い正孔濃度を有することにな
る。よって、電極との接触抵抗を従来の加熱処理に比べ
て低減することができる。
【００８２】以下、本発明による半導体素子製造方法に
より製造された半導体素子の特性について説明する。
より製造された半導体素子の特性について説明する。
【００８３】評価対象の半導体素子は上記（ＩＩ）で述
べた方法にて製造した。なお、光源１３には可視・赤外
領域を除去した水銀キセノンランプを用いた（照射され
る電磁波は波長約３６５ｎｍ以下の紫外線である）。ま
た、処理温度は８００℃、加熱時間は２０分、雰囲気は
窒素とした。なお、サセプタ表面での照射光の強度は１
００ｍＷ／ｃｍ2 と見積もられ、電磁波の照射は８００
℃に到達後開始した。
べた方法にて製造した。なお、光源１３には可視・赤外
領域を除去した水銀キセノンランプを用いた（照射され
る電磁波は波長約３６５ｎｍ以下の紫外線である）。ま
た、処理温度は８００℃、加熱時間は２０分、雰囲気は
窒素とした。なお、サセプタ表面での照射光の強度は１
００ｍＷ／ｃｍ2 と見積もられ、電磁波の照射は８００
℃に到達後開始した。
【００８４】このｐ型化工程において２０分経過時点で
電磁波の照射を停止すると共に降温をさせたものを試料
１とし、降温中も光源１３からの照射を継続したものを
試料２とした。このようにして作製されたものを切断
し、試料１から得られた半導体素子をサンプル１とし
て、試料２から得られた半導体素子をサンプル２として
特性の測定を行った。
電磁波の照射を停止すると共に降温をさせたものを試料
１とし、降温中も光源１３からの照射を継続したものを
試料２とした。このようにして作製されたものを切断
し、試料１から得られた半導体素子をサンプル１とし
て、試料２から得られた半導体素子をサンプル２として
特性の測定を行った。
【００８５】図３はサンプル１の電圧電流特性を示す図
であり、縦軸は電流（ｍＡ）、横軸は電圧（Ｖ）であ
る。図３において、実線３１はサンプル１、破線３２
は、ＭｇをドープしたＧａＮ半導体層の表面に電磁波の
照射を行わない従来の加熱処理を用いて作製した素子の
電圧電流特性である。
であり、縦軸は電流（ｍＡ）、横軸は電圧（Ｖ）であ
る。図３において、実線３１はサンプル１、破線３２
は、ＭｇをドープしたＧａＮ半導体層の表面に電磁波の
照射を行わない従来の加熱処理を用いて作製した素子の
電圧電流特性である。
【００８６】従来の加熱処理の場合、特に電流の立ち上
がり部分での曲がりが著しく、ｐ側電極部分に何らかの
電位障壁があることを示唆している。一方、Ｍｇをドー
プしたＧａＮ半導体層の表面に電磁波の照射をともなう
加熱処理の場合では、立ち上がり部分が顕著に改善され
ており、電極の接触状態が大きく改善されたことを示し
ている。
がり部分での曲がりが著しく、ｐ側電極部分に何らかの
電位障壁があることを示唆している。一方、Ｍｇをドー
プしたＧａＮ半導体層の表面に電磁波の照射をともなう
加熱処理の場合では、立ち上がり部分が顕著に改善され
ており、電極の接触状態が大きく改善されたことを示し
ている。
【００８７】図４はサンプル２の電圧電流特性を示す図
であり、縦軸は電流（ｍＡ）、横軸は電圧（Ｖ）であ
る。図４において、実線４１はサンプル２、破線４２は
サンプル１の電圧電流特性である。
であり、縦軸は電流（ｍＡ）、横軸は電圧（Ｖ）であ
る。図４において、実線４１はサンプル２、破線４２は
サンプル１の電圧電流特性である。
【００８８】図４から、サンプル１及びサンプル２とも
に、立ち上がり部分の小電流領域ではほぼ等しい特性を
有しているものの、電流の増大した直線領域では、サン
プル２のほうが傾斜が立っている。このことは、サンプ
ル２、すなわち、降温中もＭｇをドープしたＧａＮ半導
体層の表面に電磁波の照射を継続したもののほうが更に
抵抗が低いことを示している。
に、立ち上がり部分の小電流領域ではほぼ等しい特性を
有しているものの、電流の増大した直線領域では、サン
プル２のほうが傾斜が立っている。このことは、サンプ
ル２、すなわち、降温中もＭｇをドープしたＧａＮ半導
体層の表面に電磁波の照射を継続したもののほうが更に
抵抗が低いことを示している。
【００８９】次に、降温中もＭｇをドープしたＧａＮ半
導体層の表面に電磁波の照射を継続することにより引き
起こされる現象について考察する。加熱処理により半導
体層中で解離したＨ+ は、上記の（４）式であらわされ
る反応式により、中性状態との間で平衡に達する。前述
した様に、中性状態のＨ0 は安定状態ではないものの、
電磁波照射下では、照射されている電磁波が到達してい
る深さまでの領域では励起された伝導帯電子の働きによ
り中性状態のＨ0 の濃度は通常の熱平衡状態より高くな
っている。
導体層の表面に電磁波の照射を継続することにより引き
起こされる現象について考察する。加熱処理により半導
体層中で解離したＨ+ は、上記の（４）式であらわされ
る反応式により、中性状態との間で平衡に達する。前述
した様に、中性状態のＨ0 は安定状態ではないものの、
電磁波照射下では、照射されている電磁波が到達してい
る深さまでの領域では励起された伝導帯電子の働きによ
り中性状態のＨ0 の濃度は通常の熱平衡状態より高くな
っている。
【００９０】試料１のように電磁波の照射を停止した後
に降温すると、こうした中性状態のＨ0 は速やかにＨ+
とｅ- に解離し、Ｈ+ はＭｇ- と再び結合し、ｅ- は正
孔と結合して消滅していく。
に降温すると、こうした中性状態のＨ0 は速やかにＨ+
とｅ- に解離し、Ｈ+ はＭｇ- と再び結合し、ｅ- は正
孔と結合して消滅していく。
【００９１】一方、試料２のように電磁波照射を継続し
たまま降温すると、中性状態のＨ0は安定状態ではない
ものの、電磁波照射により電子系が熱平衡からずれたま
ま半導体層が降温されるため、中性状態のＨ0 のまま準
安定な状態に凍結される。ｅ- は伝導電子であるので降
温後は通常の熱平衡状態に戻る。
たまま降温すると、中性状態のＨ0は安定状態ではない
ものの、電磁波照射により電子系が熱平衡からずれたま
ま半導体層が降温されるため、中性状態のＨ0 のまま準
安定な状態に凍結される。ｅ- は伝導電子であるので降
温後は通常の熱平衡状態に戻る。
【００９２】この結果、Ｍｇ−Ｈ複合体を形成していた
水素の内の一部が半導体層から脱離すること無く中性状
態のＨ0 という別の形態に固定されることになり、正孔
濃度が増大するのである。この反応は半導体層からの水
素脱離をともなわないため、正孔濃度が増大する深さが
サンプル１より大きくなる。このことにより、サンプル
２ではサンプル１よりｐ型半導体層全体がより低抵抗化
されるのである。
水素の内の一部が半導体層から脱離すること無く中性状
態のＨ0 という別の形態に固定されることになり、正孔
濃度が増大するのである。この反応は半導体層からの水
素脱離をともなわないため、正孔濃度が増大する深さが
サンプル１より大きくなる。このことにより、サンプル
２ではサンプル１よりｐ型半導体層全体がより低抵抗化
されるのである。
【００９３】なお、本実施例ではｐｎホモ接合ダイオー
ドについて述べたが、これは本発明を限定するものでは
なく、ダブルヘテロ構造、ＳＣＨ（分離閉じこめダブル
ヘテロ構造）、量子井戸レーザ構造といった各種の接合
構造であっても有効であり、ｐチャンネルＦＥＴ（電界
効果トランジスタ）のようなユニポーラ素子の製造にも
また同様に有効である。
ドについて述べたが、これは本発明を限定するものでは
なく、ダブルヘテロ構造、ＳＣＨ（分離閉じこめダブル
ヘテロ構造）、量子井戸レーザ構造といった各種の接合
構造であっても有効であり、ｐチャンネルＦＥＴ（電界
効果トランジスタ）のようなユニポーラ素子の製造にも
また同様に有効である。
【００９４】
【発明の効果】本発明の半導体素子製造方法によれば、
高い正孔濃度を有するｐ型ＧａＮ半導体層を得ることが
でき、電極との接触抵抗を小さくすることができる。
高い正孔濃度を有するｐ型ＧａＮ半導体層を得ることが
でき、電極との接触抵抗を小さくすることができる。
【００９５】また、低抵抗ｐ型化のための加熱処理を紫
外線などの電磁波を照射することにより行うので、ウェ
ハ全体を一度に処理することができ、電子線装置のよう
な電子ビームの走査や、高真空を必要とせず大量生産に
有効である。
外線などの電磁波を照射することにより行うので、ウェ
ハ全体を一度に処理することができ、電子線装置のよう
な電子ビームの走査や、高真空を必要とせず大量生産に
有効である。
【図１】半導体素子の構成を示す図である。
【図２】本発明の加熱処理における加熱処理炉を示す図
である。
である。
【図３】サンプル１の電流電圧特性を示す図である。
【図４】サンプル２の電流電圧特性を示す図である。
【図５】従来の加熱処理をしない半導体層中のＭｇの原
子数を示す図である。
子数を示す図である。
【図６】従来の加熱処理をしない半導体層中のＨ、Ｓｉ
の原子数を示す図である。
の原子数を示す図である。
【図７】従来の加熱処理をした半導体層中のＭｇの原子
数を示す図である。
数を示す図である。
【図８】従来の加熱処理をしない半導体層中のＨ、Ｓｉ
の原子数を示す図である。
の原子数を示す図である。
【図９】加熱処理時間と室温キャリア濃度を示す図であ
る。
る。
【図１０】半導体層のフェルミレベルを示す図である。
【図１１】加熱処理時間と残存水素量を示すための図で
ある。
ある。
１・・・・サファイア基板 ２・・・・バッファ層 ３・・・・ｎ型ＧａＮ半導体層 ４・・・・ｐ型ＧａＮ半導体層 ５・・・・ｎ側電極 ６・・・・ｐ側電極 ７・・・・保護膜 ８・・・・ｎ側電極窓部 ９・・・・ｐ側電極窓部 １０・・・加熱処理炉本体 １１・・・サセプタ １２・・・石英製窓 １３・・・光源 １４・・・光ファイバ １５・・・石英製集光レンズ １６・・・光導入窓 １７・・・ウェハ １８・・・排気口 １９・・・ガス導入口 ２０・・・ガス排出口
Claims (8)
- 【請求項１】 ２族不純物元素を添加したＧａＮ系半導
体層を積層する工程と、 前記ＧａＮ系半導体層を所定温度に加熱し、前記ＧａＮ
系半導体層のエネルギー禁制帯幅を上回るエネルギーを
有する電磁波を照射する工程と、 電極を形成する工程と、 を含むことを特徴とする半導体素子製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体素子製造方法にお
いて、 前記電磁波を前記ＧａＮ系半導体層の表面に照射するこ
とを特徴とする半導体素子製造方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の半導体素子製造方法にお
いて、 前記ＧａＮ系半導体層が前記所定温度にあるとき、前記
電磁波を所定時間にわたって照射することを特徴とする
半導体素子の製造方法。 - 【請求項４】 請求項１、２または３記載の半導体素子
製造方法において、 前記ＧａＮ系半導体は、（Ａｌx Ｇａ1-x ）1-y Ｉｎy
Ｎ （０≦ｘ≦１．０、０≦ｙ≦１．０）からなる３族
窒化物半導体であることを特徴とする半導体素子製造方
法。 - 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれか１に記載の
半導体素子製造方法において、 前記電磁波の波長は、前記ＧａＮ系化合物半導体層の最
表層の組成に対応した波長であることを特徴とする半導
体素子製造方法。 - 【請求項６】 請求項１ないし４のいずれか１に記載の
半導体素子製造方法において、 前記ＧａＮ系半導体層を積層する工程は、有機金属化学
気相成長法で行われることを特徴とする半導体素子製造
方法。 - 【請求項７】 請求項１ないし６のいずれか１に記載の
半導体素子製造方法において、 前記所定温度は３００℃以上１０００℃以下であること
を特徴とする半導体素子製造方法。 - 【請求項８】 請求項１に記載の半導体素子製造方法に
おいて、 前記ＧａＮ系導体層の温度が３００℃以下となるまで、
前記電磁波を継続して照射することを特徴とする半導体
素子製造方法。
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