JPH11126035A - Display device, liquid crystal display device and liquid crystal projector using the same - Google Patents

Display device, liquid crystal display device and liquid crystal projector using the same

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JPH11126035A
JPH11126035A JP29246797A JP29246797A JPH11126035A JP H11126035 A JPH11126035 A JP H11126035A JP 29246797 A JP29246797 A JP 29246797A JP 29246797 A JP29246797 A JP 29246797A JP H11126035 A JPH11126035 A JP H11126035A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
substrate
thin film
display device
film layer
Prior art date
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Pending
Application number
JP29246797A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Akira Okita
彰 沖田
Katsumi Kurematsu
榑松　　克巳
Osamu Koyama
理 小山
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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Publication of JPH11126035A publication Critical patent/JPH11126035A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To easily reduce the amount of warp of a glass substrate and to reduce the irregularity of gaps. SOLUTION: In this display device, a first substrate 102, which has a thin film layer 104 on the surface that opposes the surface close to a liquid state display medium, and a second substrate 101, which has a pixel region that becomes an effective display region 107, are arranged opposing to each other through a liquid crystal display medium 106. The layer 104 has a shape to directly cover the region 107 and is formed in the smaller region having an area less than the area of the one side surface of the substrate 102. Moreover, a thin film layer 105 is also formed to directly cover the region 107 of the substrate 101 and is formed in the region having the area smaller than the one side surface of the substrate 102.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は表示装置、液晶表示
装置及びそれを用いた液晶プロジェクターに係わる。本
発明は、液晶を用いて画像、文字などを表示する液晶装
置に好適に用いられ、特に、アクティブマトリックス液
晶パネルを用いた液晶表示装置およびこれを用いた液晶
プロジェクターに好適に用いられる。The present invention relates to a display device, a liquid crystal display device, and a liquid crystal projector using the same. INDUSTRIAL APPLICATION This invention is used suitably for the liquid crystal device which displays an image, a character, etc. using a liquid crystal, and is especially suitably used for the liquid crystal display device using an active matrix liquid crystal panel, and the liquid crystal projector using the same.

【０００２】[0002]

【従来の技術】一般に反射防止膜等の薄膜をガラスなど
の表面に形成する際には、例えば、特開平０６−１０２
４９９号公報に見るようにＡｌ2 Ｏ3 （酸化アルミニウ
ム）−ＺｒＯ2 （ジルコニウム）−ＭｇＦ2 （弗化マグ
ネシウム）等の３層のマルチコートや、ＳＩＯ（一酸化
シリコン）−ＭｇＦ2 等の２層のＶコートを施すが、い
ずれの場合に於いても対向ガラスとの熱膨張係数の違い
から応力を生じ、対向ガラスにそりを生じさせてしま
う。この事は透明電極として一般的に使われているＩＴ
Ｏ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜についても
同様である。2. Description of the Related Art Generally, when a thin film such as an antireflection film is formed on a surface of glass or the like, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 06-102
As seen in 499 JP Al 2 O 3 (aluminum oxide) -ZrO 2 (zirconium) MgF 2 or multi-coated three layers, such as (magnesium fluoride), SIO (silicon monoxide) MgF 2 of 2, etc. The V coating of the layer is applied, but in any case, a stress is generated due to a difference in thermal expansion coefficient from that of the opposing glass, and the opposing glass is warped. This is because IT which is generally used as a transparent electrode
The same applies to an O (Indium Tin Oxide) film.

【０００３】ガラス基板に生じたそりは、シール材を介
して能動素子基板と貼り合わせる際にギャップ（ＧＡ
Ｐ）むらとなり液晶の表示むら、色むらとして悪影響を
与えてしまう。とくに、表示素子の画素サイズが微細に
なると、有効表示領域内にスペーサを散布できないため
に、有効表示領域の外周部分でのみシール材とスペーサ
でＧＡＰを制御する場合については、顕著にその影響を
受けてしまう。また、スペーサを有効表示領域内に散布
する場合についても対向ガラスにそりがある場合は目的
とするギャップを生じさせるのに必要な圧力以上の圧力
が必要になり、シール部分の剥がれを引き起こす可能性
が高まる。The warpage generated on the glass substrate causes a gap (GA) when bonding to the active element substrate via a sealing material.
P) The liquid crystal becomes uneven, which adversely affects display unevenness and color unevenness of the liquid crystal. In particular, when the pixel size of the display element becomes fine, spacers cannot be scattered in the effective display area. Therefore, when the GAP is controlled by the sealing material and the spacer only in the outer peripheral portion of the effective display area, the effect is remarkably affected. I will receive it. Also, in the case where the spacers are scattered in the effective display area, if the facing glass has warpage, a pressure higher than the pressure required to generate the target gap is required, which may cause peeling of the seal portion. Increase.

【０００４】そり量を低減化する対策として １）ガラス基板の厚さを厚くする。As measures to reduce the amount of warpage: 1) Increase the thickness of the glass substrate.

【０００５】２）ヤング率の大きなガラス材料を用い
る。2) A glass material having a large Young's modulus is used.

【０００６】３）反射防止コートの多層膜の膜構成をそ
りの生じないコンペンセートされたものに組み合わせを
変更する。3) The combination of the multilayer structure of the anti-reflection coat is changed to a compensated one that does not warp.

【０００７】といった方法が考えられる。Such a method is conceivable.

【０００８】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
対策をとると、次のような問題点があった。However, when the above measures are taken, there are the following problems.

【０００９】１）ガラス基板の厚さを厚くすることによ
り、ガラス中を透過する光量が減少し表示したディスプ
レイの明るさが低下する。また、ガラスの厚さを厚くす
ることによりガラス基板の膜厚のバラツキの絶対値が増
加する。1) By increasing the thickness of the glass substrate, the amount of light transmitted through the glass decreases, and the brightness of the displayed display decreases. In addition, by increasing the thickness of the glass, the absolute value of the variation in the thickness of the glass substrate increases.

【００１０】２）半導体基板との熱膨張率が異なるガラ
スを用いなくてはならなくなり、熱サイクルに対する表
示素子の信頼性に悪影響を及ぼす。2) Glass having a different coefficient of thermal expansion from that of the semiconductor substrate must be used, which adversely affects the reliability of the display element with respect to thermal cycles.

【００１１】３）反射防止コートに必要以上の膜を堆積
することになり、コスト高、低歩留まりになる。3) Unnecessary films are deposited on the antireflection coat, resulting in high cost and low yield.

【００１２】本発明の目的は、ガラス基板のそり量を低
減しギャップむらを少なくすることにより表示むらの少
ない高輝度な液晶表示装置を低コスト、高歩留まりで提
供することにある。An object of the present invention is to provide a high-brightness liquid crystal display device with less display unevenness by reducing the amount of warpage of a glass substrate and reducing gap unevenness at low cost and high yield.

【００１３】[0013]

【課題を解決するための手段及び作用】本発明の第１の
表示装置は、液状表示媒体に近接する面と対向する面に
薄膜層を有する第１の基板と、有効表示領域となる画素
領域を有する第２の基板とが前記液晶表示媒体を介して
対向されてなる表示装置において、前記薄膜層が前記有
効表示領域の直上を覆う形状を有し、かつ前記薄膜層が
前記第１の基板の片面の面積よりも小さい領域に形成さ
れていることを特徴とする。A first display device according to the present invention comprises a first substrate having a thin film layer on a surface facing a surface close to a liquid display medium, and a pixel region serving as an effective display region. Wherein the thin film layer has a shape covering directly above the effective display area, and wherein the thin film layer is formed on the first substrate. Characterized by being formed in a region smaller than the area of one surface.

【００１４】また本発明の第２の表示装置は、液状表示
媒体に近接する面に少なくとも透明な電極を含む第１の
薄膜層を有し、その対向する面に第２の薄膜層を有する
第１の基板と、有効表示領域となる画素領域を有する第
２の基板とが前記液晶表示媒体を介して対向されてなる
表示装置において、前記第１の薄膜層と前記第２の薄膜
層とが前記第２の基板の有効表示領域の直上を覆う形状
を有し、かつ前記第１の薄膜層と前記第２の薄膜層との
双方が前記第１の基板の片面の面積よりも小さい領域に
形成されていることを特徴とする。Further, the second display device of the present invention has a first thin film layer including at least a transparent electrode on a surface close to a liquid display medium, and a second thin film layer having a second thin film layer on the opposite surface. In a display device in which one substrate and a second substrate having a pixel region serving as an effective display region are opposed to each other with the liquid crystal display medium interposed therebetween, the first thin film layer and the second thin film layer are The first thin film layer and the second thin film layer have a shape that covers the area immediately above the effective display area of the second substrate, and both the first thin film layer and the second thin film layer are smaller than an area of one surface of the first substrate; It is characterized by being formed.

【００１５】また本発明の第３の表示装置は、液状表示
媒体に近接する面に少なくとも透明な電極を含む第１の
薄膜層を有し、その対向する面に第２の薄膜層を有する
第１の基板と、有効表示領域となる画素領域を有する第
２の基板とが前記液晶表示媒体を介して対向されてなる
とともに、前記第１の薄膜層と前記第２の基板とを電気
的かつ空間的に接続する導電物質を備えた表示装置にお
いて、前記第１の薄膜層と前記第２の薄膜層とが前記第
２の基板の有効表示領域の直上を覆う形状を有し、かつ
第１の薄膜層と第２の薄膜層の双方が第１の基板の片面
の面積よりも小さい領域に形成され、かつ前記導電物質
と前記第１の薄膜層とを電気的に接続するための配線部
分が設けられていることを特徴とする。Further, a third display device according to the present invention has a first thin film layer including at least a transparent electrode on a surface adjacent to a liquid display medium and a second thin film layer on a surface opposite to the first thin film layer. A first substrate and a second substrate having a pixel region serving as an effective display region are opposed to each other with the liquid crystal display medium interposed therebetween, and electrically connects the first thin film layer and the second substrate to each other. In a display device including a conductive material that is spatially connected, the first thin film layer and the second thin film layer have a shape that covers a position directly above an effective display area of the second substrate; A wiring portion for electrically connecting the conductive material to the first thin film layer, wherein both the thin film layer and the second thin film layer are formed in a region smaller than the area of one surface of the first substrate. Is provided.

【００１６】また本発明の第４の表示装置は、上記第１
の表示装置において、前記第１の基板及び前記第２の基
板との間に一定の間隔を得るためのシール材を有し、該
シール材として紫外線もしくは紫外線を補助的に用いて
硬化させる材料を用い、前記薄膜層は、前記第２の基板
の有効表示領域の直上を覆う形状を有するとともに、該
シール材により囲まれた領域内に形成されていることを
特徴とする。Further, the fourth display device of the present invention is characterized in that:
In the display device of the above, having a sealing material for obtaining a certain spacing between the first substrate and the second substrate, a material that is cured by using ultraviolet light or ultraviolet light as an auxiliary material as the sealing material Preferably, the thin film layer has a shape covering an area directly above the effective display area of the second substrate, and is formed in an area surrounded by the sealing material.

【００１７】また、本発明の第５の表示装置は、上記第
２または第３の表示装置において、前記第１の基板及び
前記第２の基板との間に一定の間隔を得るためのシール
材を有し、該シール材として紫外線もしくは紫外線を補
助的に用いて硬化させる材料を用い、第２の薄膜層は、
前記第２の基板の有効表示領域の直上を覆う形状を有す
るとともに、該シール材により囲まれた領域内に形成さ
れていることを特徴とする。According to a fifth display device of the present invention, in the second or third display device, a sealing material for obtaining a constant distance between the first substrate and the second substrate. And using a material which is cured by using ultraviolet light or ultraviolet light as the sealing material, and the second thin film layer has
The second substrate has a shape that covers directly above the effective display area, and is formed in an area surrounded by the sealing material.

【００１８】本発明の液晶表示装置および液晶プロジェ
クターは上記の表示装置を用いたものである。A liquid crystal display device and a liquid crystal projector according to the present invention use the above display device.

【００１９】以下、本発明の作用について好適な実施形
態に基づいて説明する。The operation of the present invention will be described below based on a preferred embodiment.

【００２０】本発明は、第１の基板となる対向ガラスに
蒸着あるいはスパッタリング等で形成される反射防止コ
ート、あるいは透明電極の面積を減少させることにより
対向ガラスのそりをおさえ、ギャップむらを低減させ、
表示むらを低減させることにある。このことによりガラ
スの厚さ、材質、反射防止コートの構成を何ら変更する
ことなく簡便にそり量を低減することができるため、先
に述べた問題を生じることなく高輝度な液晶表示装置を
低コスト、高歩留まりで提供することができる。The present invention suppresses warpage of the opposing glass by reducing the area of the anti-reflection coating formed on the opposing glass serving as the first substrate by vapor deposition or sputtering, or the area of the transparent electrode, thereby reducing gap unevenness. ,
It is to reduce display unevenness. This makes it possible to easily reduce the amount of warpage without any change in the thickness, material, and configuration of the antireflection coat of the glass, so that a high-brightness liquid crystal display device can be manufactured without causing the problems described above. It can be provided at high cost and high yield.

【００２１】[0021]

【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
詳細に説明する。 （実施例１）図１は本発明の最も特徴をあらわしている
図面であり、同図は本発明の液晶パネルの断面図を示し
たものであり、同図に於いて、１０１は半導体基板、例
えばＳｉ基板であり半導体素子等の回路を内在し、表示
素子を形成している。１０２は対向ガラス、１０３は液
状表示媒体たる液晶を保持し、対向ガラス１０２と半導
体基板１０１を一定のギャップで保つシール材、１０４
は対向ガラス１０２に入射する入射光の反射率を低減し
透過率を高めるための反射防止膜であり、特に反射型の
液晶表示装置を用いる際にはガラス表面の反射光を低減
させコントラストを向上させる上で効果がある。また、
反射防止膜は先に述べたように３層あるいは２層の多層
膜をガラス表面に蒸着、スパッタリング等を用いて堆積
する事により構成されており、各層に用いる材質は光学
的な屈折率、機械的な強度、物理的な安定性といった面
から限られた材質、膜厚のものしか使用できないため膜
構成の変更は容易ではない。１０５は液晶層を駆動する
透明電極であり、反射防止膜を兼用してもよい。透明電
極は例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄ
ｅ）単層でもよいし、あるいは、特開平０６−１０２４
９９号公報に見るように多層の膜構成にしてもよい。ま
た、１０６は液晶であり、例えば高分子分散型の液晶を
用いる。高分子分散型の液晶は偏光板が不要なため、高
輝度なディスプレーを実現する上で有利である。１０７
は液晶表示装置の有効表示領域である。同図において、
ライトバルブの形式は反射型の場合について述べている
が透過型の場合においても、１０１を石英などの透明基
板を用いその上にＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａ
ｎｓｉｓｔｏｒ）等の能動素子を形成することにより実
現できる。また、液晶１０６については高分子分散型の
液晶に限らず、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔ Ｎｅｍａｔｉｃ）、
ＳＴＮ（Ｓｕｐｅｒ Ｔｗｉｓｔ Ｎｅｍａｔｉｃ）を
用いてもよいが、その際には透明電極１０５，有効表示
領域１０７の少なくとも一方の表面に配向膜を形成すれ
ばよいが、配向膜の屈折率にあわして透明電極１０５の
膜構成を反射防止条件に整合させることが好ましい。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. (Embodiment 1) FIG. 1 is a drawing showing the most characteristic of the present invention, and FIG. 1 is a cross-sectional view of a liquid crystal panel of the present invention. In FIG. For example, it is a Si substrate and includes a circuit such as a semiconductor element, and forms a display element. 102 is a counter glass, 103 is a sealing material that holds liquid crystal as a liquid display medium, and keeps the counter glass 102 and the semiconductor substrate 101 at a certain gap.
Is an anti-reflection film for reducing the reflectance of incident light incident on the opposite glass 102 and increasing the transmittance. Particularly when a reflective liquid crystal display device is used, the reflected light on the glass surface is reduced to improve the contrast. It is effective in making it. Also,
As described above, the antireflection film is formed by depositing a three-layer or two-layer multilayer film on the glass surface by using vapor deposition, sputtering, or the like. It is not easy to change the film configuration because only materials and films having a limited thickness can be used in terms of mechanical strength and physical stability. Reference numeral 105 denotes a transparent electrode for driving the liquid crystal layer, which may also serve as an antireflection film. The transparent electrode is made of, for example, ITO (Indium Tin Oxid).
e) It may be a single layer, or
As shown in JP-A-99-99, a multilayer film structure may be adopted. Reference numeral 106 denotes a liquid crystal, for example, a polymer-dispersed liquid crystal. Since a polymer-dispersed liquid crystal does not require a polarizing plate, it is advantageous for realizing a high-luminance display. 107
Is an effective display area of the liquid crystal display device. In the figure,
The type of the light valve is described as a reflection type, but even in the case of a transmission type, a transparent substrate such as quartz is used for 101, and a TFT (Thin Film Tra) is formed thereon.
This can be realized by forming an active element such as an nistor. The liquid crystal 106 is not limited to a polymer-dispersed liquid crystal, but may be a TN (Twist Nematic),
An STN (Super Twist Nematic) may be used. In this case, an alignment film may be formed on at least one of the surfaces of the transparent electrode 105 and the effective display area 107. It is preferable to match the film configuration of 105 with antireflection conditions.

【００２２】また、透過型のライトバルブを用いた際に
も、反射防止膜を形成することにより光の反射を抑制し
透過率を向上させることができるので、高輝度のディス
プレーが実現できることは言うまでもない。Further, even when a transmissive light valve is used, the reflection of light can be suppressed and the transmittance can be improved by forming an anti-reflection film, so that a display with high brightness can be realized. No.

【００２３】図２（ａ）は図１の平面図であり、図１は
図２（ａ）のＡ−Ａ′断面を示したものである。図２
（ａ）において、１０８は対向ガラス１０２の液晶側に
成膜されている透明電極１０５に半導体基板側からの電
位を付与するために設けられた導電性のペーストであ
る。導電性のペーストは液晶との反応を避けるために通
常シール材の外側に位置する。導電性のペーストは例え
ば銀ペーストを用いればよい。FIG. 2A is a plan view of FIG. 1, and FIG. 1 shows a section taken along the line AA 'of FIG. 2A. FIG.
In FIG. 5A, reference numeral 108 denotes a conductive paste provided for applying a potential from the semiconductor substrate side to the transparent electrode 105 formed on the liquid crystal side of the counter glass 102. The conductive paste is usually located outside the sealing material to avoid reaction with the liquid crystal. As the conductive paste, for example, a silver paste may be used.

【００２４】また、図２（ｂ）は図２（ａ）のＢ−Ｂ′
断面を示したものである。同図に示すように、半導体基
板１０１側から与えられた透明電極の電位は電極１０９
に印加され、導電性のペースト１０８を介して透明電極
１０５に伝わる。FIG. 2B is a sectional view taken along the line BB 'of FIG.
It shows a cross section. As shown in the figure, the potential of the transparent electrode provided from the semiconductor substrate 101 side is
And transmitted to the transparent electrode 105 via the conductive paste 108.

【００２５】本発明の特徴は対向ガラス１０２の表面及
び液晶面に形成された反射防止膜１０４及び透明電極１
０５の形状にある（反射防止膜は対向ガラス１０２の表
面だけでもよいが、さらに透明電極１０５が設けられて
いる液晶面に設けてもよい。）。すなわち本発明では反
射防止膜１０４の形状が有効表示領域１０７を覆う形状
であり、かつ対向ガラス１０２よりも狭い領域にコート
されていることにある。このことにより反射防止コート
の条件、ガラスの膜厚、ガラスの種類を変更することな
くそり量を低減することができる。また、同時に透明電
極１０５の形状が反射防止膜１０４と同様に有効表示領
域１０７を覆う形状でありかつ対向ガラス１０２よりも
狭い領域にコートされていればさらにその効果は増す。
さらに、導電性のペースト１０８に透明電極が接するた
めの配線部分を設けることにより、透明電極１０５の面
積を可能な限り抑制することができる。The present invention is characterized in that the antireflection film 104 and the transparent electrode 1 formed on the surface of the facing glass 102 and the liquid crystal surface are formed.
05 (the antireflection film may be provided only on the surface of the opposite glass 102, or may be provided on the liquid crystal surface on which the transparent electrode 105 is further provided). That is, in the present invention, the shape of the anti-reflection film 104 is a shape that covers the effective display area 107 and is coated in an area smaller than the facing glass 102. Thus, the amount of warpage can be reduced without changing the conditions of the antireflection coating, the thickness of the glass, and the type of the glass. At the same time, if the shape of the transparent electrode 105 covers the effective display area 107 like the anti-reflection film 104 and is coated in a smaller area than the opposing glass 102, the effect is further enhanced.
Further, by providing a wiring portion for the transparent electrode to be in contact with the conductive paste 108, the area of the transparent electrode 105 can be suppressed as much as possible.

【００２６】図３は反射防止のコート面積をガラスに対
して変化させた時のそり量を示したグラフである。同図
の横軸はガラスの面積に対する反射防止コートの面積の
比率を示しており、縦軸はガラスの片面を全て反射防止
膜が覆っている時のそり量を１００％とした時の各反射
防止コートの面積時におけるそり量の比率を示してい
る。ここで定義するそり量とは図４のガラスの断面形状
図に示したように、ガラスを平面上においた時の上端と
下端の差（ｔ1〜ｔ3）を示している。ガラスのそり形状
は反射防止膜の膜質、成膜時の条件、ガラスの材質など
から上に凸、下に凸、鞍型などをとる。図３から明らか
なようにコート面積を低減することによりそり量は低減
する。FIG. 3 is a graph showing the amount of warpage when the antireflection coating area is changed with respect to glass. The horizontal axis in the figure shows the ratio of the area of the antireflection coat to the area of the glass, and the vertical axis shows each reflection when the amount of warpage when one side of the glass is entirely covered with the antireflection film is 100%. The ratio of the amount of warpage in the area of the prevention coat is shown. The amount of warpage defined here indicates a difference (t 1 to t 3 ) between the upper end and the lower end when the glass is placed on a plane as shown in the sectional view of the glass in FIG. The warp shape of the glass may be convex upward, convex downward, saddle type, or the like, depending on the film quality of the antireflection film, the conditions at the time of film formation, the material of the glass, and the like. As is clear from FIG. 3, the amount of warpage is reduced by reducing the coat area.

【００２７】図５はそり量が異なるガラスを平坦な基板
と貼り合わせた際のセルギャップのばらつきを示したも
のであり、この際用いたスペーサのサイズは１２．５μ
ｍである。図の横軸は対向ガラスのそり量を示してお
り、縦軸はその際のＧＡＰ厚の（最大値−最小値）の値
を示したものである。図から明らかなように、対向ガラ
スのそり量を低減することによりセルギャップの面内ば
らつきを減少させることができる。FIG. 5 shows a variation in cell gap when glass having different warpage amounts is bonded to a flat substrate. The size of the spacer used in this case is 12.5 μm.
m. The horizontal axis in the figure indicates the amount of warpage of the facing glass, and the vertical axis indicates the (maximum value-minimum value) of the GAP thickness at that time. As is apparent from the figure, the in-plane variation of the cell gap can be reduced by reducing the amount of warpage of the facing glass.

【００２８】許容されるＧＡＰ差は用いる液晶、ディス
プレイの用途にもよるが、特に高分子分散型の液晶を用
いた反射型の表示装置では十分な散乱特性を得るために
は１２μｍ以上の液晶厚が求められ、セルＧＡＰ差は
１．０μｍ以内に押さえることが求められ、その際許容
される対向ガラスのそり量としては５．５μｍ以下が求
められる。また、色むら、輝度むらを小さく押さえる必
要がある用途に用いる場合には、さらには２．２５μｍ
以下のそり量に押さえることが求められる。また、ＴＮ
液晶、ＳＴＮ液晶の場合一般に０．５μｍ以内に押さえ
ることが望ましく、その際許容される対向ガラスのそり
量としては２．２μｍ以下が望ましく、さらには１．０
μｍ以下のそり量に押さえればさらに良い。The allowable GAP difference depends on the liquid crystal to be used and the application of the display. In particular, in a reflective display device using a polymer-dispersed liquid crystal, a liquid crystal thickness of 12 μm or more is required to obtain sufficient scattering characteristics. Is required to be kept within 1.0 μm, and the allowable amount of warpage of the opposing glass is required to be 5.5 μm or less. Further, when it is used for an application in which color unevenness and luminance unevenness need to be suppressed to a small value, it is further set to 2.25 μm.
It is required to keep the following amount of warpage. Also, TN
In the case of liquid crystal or STN liquid crystal, it is generally desirable to keep the thickness within 0.5 μm, and in this case, the allowable amount of warpage of the opposing glass is preferably 2.2 μm or less, and more preferably 1.0 μm or less.
It is even better if the warpage is suppressed to a value of μm or less.

【００２９】また、シール材に紫外線硬化型の樹脂、あ
るいは紫外線硬化と熱硬化の併用タイプの樹脂を用いる
場合、紫外線の透過率が反射防止膜の存在する領域とそ
れ以外の領域で３〜１０％程度減少する。特に波長の長
い赤色等の反射防止膜を形成したガラス基板では波長の
短い紫外光の反射は著しい。そのため紫外光を長く照射
する必要性から、スループットが低下するという問題
や、シール材の紫外光による硬化が不均一になりギャッ
プのバラツキ、シール材の剥がれ等の原因となることが
ある。従ってこれらのシール材料を用いる場合は反射防
止膜の領域がシール材上にかからない様にすることが好
ましい。すなわちシール材に紫外線硬化型の樹脂、ある
いは紫外線硬化と熱硬化の併用タイプの樹脂を用いる場
合には、反射防止膜の領域は、有効表示領域よりも広
く、シール材で囲まれる領域よりも狭いことが望まし
い。When an ultraviolet-curing resin or a resin of a combination of ultraviolet-curing and heat-curing is used for the sealing material, the transmittance of ultraviolet rays is 3 to 10 in the region where the antireflection film exists and in the other region. % Decrease. In particular, on a glass substrate on which an antireflection film of red or the like having a long wavelength is formed, reflection of ultraviolet light having a short wavelength is remarkable. Therefore, the necessity of irradiating ultraviolet light for a long time may cause a problem such as a decrease in throughput, a non-uniform curing of the sealing material due to the ultraviolet light, a variation in a gap, and a peeling of the sealing material. Therefore, when these sealing materials are used, it is preferable that the region of the antireflection film does not cover the sealing material. That is, when using an ultraviolet-curable resin or a resin of a combination of ultraviolet-curing and heat-curing for the sealing material, the area of the antireflection film is wider than the effective display area and smaller than the area surrounded by the sealing material. It is desirable.

【００３０】反射防止膜１０４及び透明電極１０５の面
積を低減する方法としては、 （１）マスク材を塗布した後に化学的なエッチングによ
り不要な領域を除去する方法 （２）マスク材を塗布した後にサンドブラスト法により
機械的に除去する方法 （３）反射防止膜１０４及び透明電極１０５をそれぞれ
堆積する際にマスクを施し、必要な部分にのみ成膜され
るようにする方法 がある。 （実施例２）図６は本発明の第２の実施例を示したもの
であり、図２との差異は対向ガラス１０２の表裏面の反
射防止膜１０４及び透明電極１０５が対向ガラス１０２
の中心に対しおおむね点対称になっていることにある。
すなわち透明電極１０５が導電性ペースト１０８に接続
するための配線部分２０１ａに対し点対称の位置に同一
形状の２０１ｂを形成することにより、対向ガラスが１
８０度回転して貼り合わされた場合においても、高分子
分散型液晶等の配向膜を必要としない液晶を用いる場合
や、上下の基板のうちどちらか一方のみラビングされて
いる（片側ラビング）配向膜を使用する場合など、配向
方向が一義的に決定される必要のないものに対しては、
パネル動作上何らの問題も生じない。従って貼り合わせ
を行う前にガラスの方向を確認する工程を省略すること
ができるため、コストを低減する効果がある。 （実施例３）以下に、本発明の実施形態を複数の液晶パ
ネルを挙げて記述するが、それぞれの形態に限定される
ものではない。相互の形態の技術を組み合わせることに
よって効果が増大することはいうまでもない。また、液
晶パネルの構造は、半導体基板を用いたもので記述して
いるが、必ずしも半導体基板に限定されるものはなく、
通常の透明基板上に以下に記述する構造体を形成しても
いい。また、以下に記述する液晶パネルは、すべてＭＯ
ＳＦＥＴやＴＦＴ型であるが、ダイオード型などの２端
子型であってもいい。さらに、以下に記述する液晶パネ
ルは、家庭用テレビはもちろん、プロジェクタ、ヘッド
マウントディスプレイ、３次元映像ゲーム機器、ラップ
トップコンピュータ、電子手帳、テレビ会議システム、
カーナビゲーション、飛行機のパネルなどの表示装置と
して有効である。As methods for reducing the areas of the antireflection film 104 and the transparent electrode 105, (1) a method of removing unnecessary regions by chemical etching after applying a mask material, and (2) a method of applying a mask material (3) There is a method in which a mask is applied when depositing the anti-reflection film 104 and the transparent electrode 105 so that the film is formed only on necessary portions. (Embodiment 2) FIG. 6 shows a second embodiment of the present invention. The difference from FIG. 2 is that the antireflection film 104 and the transparent electrode 105 on the front and back surfaces of the opposing glass 102
Is generally point symmetrical with respect to the center of.
That is, by forming the same shape 201b at a point symmetric position with respect to the wiring portion 201a for connecting the transparent electrode 105 to the conductive paste 108, the facing glass becomes 1
Even when they are bonded by being rotated by 80 degrees, a liquid crystal that does not require an alignment film such as a polymer-dispersed liquid crystal is used, or only one of the upper and lower substrates is rubbed (single-side rubbing). For the case where the orientation direction does not need to be uniquely determined, such as when using
There is no problem in panel operation. Therefore, the step of checking the direction of the glass before bonding can be omitted, which has the effect of reducing costs. Embodiment 3 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to a plurality of liquid crystal panels, but the present invention is not limited to each embodiment. It goes without saying that the effect is increased by combining the mutual forms of technology. In addition, the structure of the liquid crystal panel is described using a semiconductor substrate, but is not necessarily limited to the semiconductor substrate.
The structure described below may be formed on a normal transparent substrate. The liquid crystal panels described below are all MO
Although it is an SFET or TFT type, it may be a two-terminal type such as a diode type. Further, the liquid crystal panel described below is not only a home television, but also a projector, a head mounted display, a three-dimensional video game machine, a laptop computer, an electronic organizer, a video conference system,
It is effective as a display device such as a car navigation or an airplane panel.

【００３１】本実施形態の液晶パネル部の断面を図７に
示す。図において、３０１は半導体基板、３０２，３０
２′はそれぞれｐ型及びｎ型ウェル、３０３，３０
３′，３０３″はトランジスタのソース領域、３０４は
ゲート領域、３０５，３０５′，３０５″はドレイン領
域である。FIG. 7 shows a cross section of the liquid crystal panel of this embodiment. In the figure, reference numeral 301 denotes a semiconductor substrate;
2 ′ are p-type and n-type wells, 303 and 30 respectively
3 'and 303 "are source regions of the transistor, 304 is a gate region, and 305, 305' and 305" are drain regions.

【００３２】図７に示すように、表示領域のトランジス
タは、２０〜３５Ｖという高耐圧が印加されるため、ゲ
ート３０４に対して、自己整合的にソース、ドレイン層
が形成されず、オフセットをもたせ、その間にソース領
域３０３′，ドレイン領域３０５′に示す如く、ｐウェ
ル中の低濃度のｎ- 層，ｎウェル中の低濃度のｐ- 層が
設けられる。ちなみにオフセット量は０.５〜２.０μｍ
が好適である。一方、周辺回路の一部の回路部が図８に
示されているが、周辺部の一部の回路は、ゲートに自己
整合的にソース、ドレイン層が形成されている。As shown in FIG. 7, since a high withstand voltage of 20 to 35 V is applied to the transistor in the display region, the source and drain layers are not formed in a self-aligned manner with respect to the gate 304, and the transistor is offset. , a source region 303 therebetween ', the drain region 305' as shown in a low concentration in the p-well n - layer of low concentration in the n-well p - layer is provided. By the way, the offset amount is 0.5 to 2.0 μm
Is preferred. On the other hand, although a part of the peripheral circuit is shown in FIG. 8, the source and drain layers are formed in the gate in a self-aligned manner.

【００３３】ここでは、ソース、ドレインのオフセット
について述べたが、それらの有無だけでなく、オフセッ
ト量をそれぞれの耐圧に応じて変化させたり、ゲート長
の最適化が有効である。これは、周辺回路の一部は、ロ
ジック系回路であり、この部分は、一般に１.５〜５Ｖ
系駆動でよいため、トランジスタサイズの縮小及び、ト
ランジスタの駆動力向上のため、上記自己整合構造が設
けられている。本基板１は、ｐ型半導体からなり、基板
は、最低電位（通常は、接地電位）であり、ｎ型ウェル
は、表示領域の場合、画素に印加する電圧すなわち２０
〜３５Ｖがかかり、一方、周辺回路のロジック部は、ロ
ジック駆動電圧１.５〜５Ｖが印加される。この構造に
より、それぞれ電圧に応じた最適なデバイスを構成で
き、チップサイズの縮小のみならず、駆動スピードの向
上による高画素表示が実現可能になる。Here, the offset of the source and the drain has been described. However, it is effective to change not only the presence / absence of the offset but also the amount of the offset in accordance with the withstand voltage and to optimize the gate length. This is because a part of the peripheral circuit is a logic circuit, and this part is generally 1.5 to 5V.
Since the system drive is sufficient, the self-aligned structure is provided to reduce the size of the transistor and improve the driving force of the transistor. The substrate 1 is made of a p-type semiconductor, the substrate has a minimum potential (usually a ground potential), and the n-type well has a voltage applied to the pixel, that is, 20 in the case of a display region.
A logic drive voltage of 1.5 to 5 V is applied to the logic portion of the peripheral circuit. With this structure, it is possible to configure an optimum device according to each voltage, and it is possible to realize not only a reduction in chip size but also a high pixel display by improving a driving speed.

【００３４】また、図７において、３０６はフィールド
酸化膜、３１０はデータ配線につながるソース電極、３
１１は画素電極につながるドレイン電極、３１２は反射
鏡を兼ねる画素電極、３０７は表示領域、周辺領域を覆
う遮光層で、Ｔｉ，ＴｉＮ，Ｗ，Ｍｏ等が適している。
図７に示すように、上記遮光層３０７は、表示領域で
は、画素電極３１２とドレイン電極３１１との接続部を
除いて覆われているが、周辺画素領域では、一部ビデオ
線、クロック線等、配線容量が重くなる領域は、上記遮
光層３０７をのぞき、高速信号が上記遮光層３０７がの
ぞかれた部分は照明光の光が混入し、回路の誤動作を起
こす場合は画素電極３１２の層をおおう設計になってい
る転送可能な工夫がなされている。３０８′はＢＰＳＧ
膜で、３０８は遮光層３０７の下部の絶縁層で、Ｐ−Ｓ
ｉＯ層３１８上にＳＯＧにより平坦化処理を施し、その
Ｐ−ＳｉＯ層３１８をさらに、Ｐ−ＳｉＯ層３０８でカ
バーし、絶縁層３０８の安定性を確保した。ＳＯＧによ
る平坦化以外に、Ｐ−ＴＥＯＳ（Phospho-Tetraetoxy-S
ilane）膜を形成し、さらにＰ−ＳｉＯ層３１８をカバ
ーした後、絶縁層３０８をＣＭＰ処理し、平坦化する方
法を用いても良い事は言うまでもない。In FIG. 7, reference numeral 306 denotes a field oxide film; 310, a source electrode connected to a data wiring;
11 is a drain electrode connected to the pixel electrode, 312 is a pixel electrode also serving as a reflecting mirror, 307 is a light shielding layer covering a display area and a peripheral area, and is suitably made of Ti, TiN, W, Mo or the like.
As shown in FIG. 7, the light-shielding layer 307 is covered in the display region except for a connection portion between the pixel electrode 312 and the drain electrode 311. In the region where the wiring capacitance is heavy, the light-shielding layer 307 is excluded, and in the portion where the light-shielding layer 307 is exposed to high-speed signals, illumination light is mixed in. The device is designed so that it can be transferred. 308 'is BPSG
Reference numeral 308 denotes an insulating layer below the light-shielding layer 307;
The iO layer 318 was planarized by SOG, and the P-SiO layer 318 was further covered with a P-SiO layer 308 to ensure the stability of the insulating layer 308. Besides flattening by SOG, P-TEOS (Phospho-Tetraetoxy-S
It goes without saying that a method of forming an ilane) film, further covering the P-SiO layer 318, and then performing a CMP process on the insulating layer 308 to flatten the insulating layer 308 may be used.

【００３５】また、３０９は反射電極３１２と遮光層３
０７との間に設けられた絶縁層で、この絶縁層３０９を
介して反射電極３１２の電荷保持容量となっている。大
容量形成のために、ＳｉＯ2 以外に、高誘電率のＰ−Ｓ
ｉＮ、Ｔａ2 Ｏ5 、やＳｉＯ 2 との積層膜等が有効であ
る。遮光層３０７にＴｉ，ＴｉＮ，Ｍｏ，Ｗ等の平坦な
メタル上に設ける事により、５００〜５０００オングス
トローム程度の膜厚が好適である。Reference numeral 309 denotes a reflective electrode 312 and a light shielding layer 3.
07, the insulating layer 309 is
This serves as a charge holding capacitor of the reflection electrode 312 through the gate electrode. Big
In order to form a capacitor, SiOTwo Besides, high dielectric constant PS
iN, TaTwo OFive , Or SiO Two Is effective.
You. The light shielding layer 307 is made of a flat material such as Ti, TiN, Mo, W or the like.
500 to 5000 angs by providing on metal
A film thickness on the order of a troem is preferred.

【００３６】さらに、３１４は液晶材料、３１５は共通
透明電極、３１６は対向基板、３１７，３１７′は高濃
度不純物領域、３１９は表示領域、３２０は反射防止膜
である。Further, 314 is a liquid crystal material, 315 is a common transparent electrode, 316 is a counter substrate, 317 and 317 'are high concentration impurity regions, 319 is a display region, and 320 is an antireflection film.

【００３７】図７に示すように、トランジスタ下部に形
成されたウェル３０２，３０２’と同一極性の高濃度不
純物層３１７，３１７′は、ウェル３０２，３０２’の
周辺部及び内容に形成されており、高振幅な信号がソー
スに印加されても、ウェル電位は、低抵抗層で所望の電
位に固定されているため、安定しており、高品質な画像
表示が実現できた。さらにｎ型ウェル３０２’とｐ型ウ
ェル３０２との間には、フィールド酸化膜を介して上記
高濃度不純物層３１７，３１７′が設けられており、通
常ＭＯＳトランジスタの時に使用されるフィールド酸化
膜直下のチャネルストップ層を不要にしている。As shown in FIG. 7, high-concentration impurity layers 317 and 317 'having the same polarity as the wells 302 and 302' formed below the transistor are formed in the periphery and the contents of the wells 302 and 302 '. Even when a high-amplitude signal is applied to the source, the well potential is fixed at a desired potential in the low-resistance layer, so that stable and high-quality image display can be realized. Further, the high-concentration impurity layers 317 and 317 'are provided between the n-type well 302' and the p-type well 302 via a field oxide film. Channel stop layer is unnecessary.

【００３８】これらの高濃度不純物層３１７，３１７′
は、ソース、ドレイン層形成プロセスで同時にできるの
で作製プロセスにおけるマスク枚数、工数が削減され、
低コスト化が図れた。These high-concentration impurity layers 317, 317 '
Can be performed simultaneously in the source and drain layer formation process, so the number of masks and man-hours in the fabrication process are reduced,
Cost reduction was achieved.

【００３９】次に、３１３は共通透明電極３１５と対向
基板３１６との間に設けられた反射防止用膜で、界面の
液晶の屈折率を考慮して、界面反射率が軽減されるよう
に構成される。その場合、対向基板３１６と、透過電極
３１５の屈折率よりも小さい絶縁膜が好適である。Reference numeral 313 denotes an anti-reflection film provided between the common transparent electrode 315 and the counter substrate 316. The anti-reflection film is configured to reduce the interface reflectance in consideration of the refractive index of the liquid crystal at the interface. Is done. In that case, an insulating film smaller than the refractive index of the counter substrate 316 and the transmission electrode 315 is preferable.

【００４０】次に、本実施形態の平面図を図８に示す。
図において、３２１は水平シフトレジスタ、３２２は垂
直シフトレジスタ、３２３はｎチャンネルＭＯＳＦＥ
Ｔ、３２４はｐチャンネルＭＯＳＦＥＴ、３２５は保持
容量、３２６は液晶層、３２７は信号転送スイッチ、３
２８はリセットスイッチ、３２９はリセットパルス入力
端子、３３０はリセット電源端子、３３１は映像信号の
入力端子である。半導体基板３０１は図７ではｐ型にな
っているが、ｎ型でもよい。Next, FIG. 8 shows a plan view of the present embodiment.
In the figure, 321 is a horizontal shift register, 322 is a vertical shift register, and 323 is an n-channel MOSFE.
T, 324 is a p-channel MOSFET, 325 is a storage capacitor, 326 is a liquid crystal layer, 327 is a signal transfer switch,
28 is a reset switch, 329 is a reset pulse input terminal, 330 is a reset power supply terminal, and 331 is a video signal input terminal. The semiconductor substrate 301 is p-type in FIG. 7, but may be n-type.

【００４１】ウェル領域３０２’は、半導体基板３０１
と反対の導電型にする。このため、図７では、ウェル領
域３０２はｐ型になっている。ｐ型のウェル領域３０２
及びｎ型のウェル領域３０２′は、半導体基板３０１よ
りも高濃度に不純物が注入されていることが望ましく、
半導体基板３０１の不純物濃度が１０14〜１０15（ｃｍ
-3）のとき、ウェル領域３０２の不純物濃度は１０15〜
１０17（ｃｍ-3）が望ましい。The well region 302 ′ is formed on the semiconductor substrate 301.
And the opposite conductivity type. Therefore, in FIG. 7, the well region 302 is p-type. p-type well region 302
It is preferable that impurities are implanted into the n-type well region 302 ′ at a higher concentration than the semiconductor substrate 301.
The impurity concentration of the semiconductor substrate 301 is 10 14 to 10 15 (cm
In the case of -3 ), the impurity concentration of the well region 302 is 10 15 to
10 17 (cm −3 ) is desirable.

【００４２】ソース電極３１０は、表示用信号が送られ
てくるデータ配線に、ドレイン電極３１１は画素電極３
１２に接続する。これらの電極３１０，３１１には、通
常Ａｌ，ＡｌＳｉ，ＡｌＳｉＣｕ，ＡｌＧｅＣｕ，Ａｌ
Ｃｕ配線を用いる。これらの電極３１０，３１１の下部
と半導体との接触面に、ＴｉとＴｉＮからなるバイアメ
タル層を用いると、コンタクトが安定に実現できる。ま
たコンタクト抵抗も低減できる。画素電極３１２は、表
面が平坦で、高反射材が望ましく、通常の配線用金属で
あるＡｌ，ＡｌＳｉ，ＡｌＳｉＣｕ，ＡｌＧｅＣｕ，Ａ
ｌＣ以外にＣｒ，Ａｕ，Ａｇなどの材料を使用すること
が可能である。また、平坦性の向上のため、下地絶縁層
３０９や画素電極３１２の表面をケミカルメカニカルポ
リッシング（ＣＭＰ）法によって処理している。The source electrode 310 is connected to a data line to which a display signal is sent, and the drain electrode 311 is connected to the pixel electrode 3.
12 is connected. These electrodes 310 and 311 usually have Al, AlSi, AlSiCu, AlGeCu, Al
Cu wiring is used. If a via metal layer made of Ti and TiN is used for the contact surface between the lower part of these electrodes 310 and 311 and the semiconductor, the contact can be stably realized. Also, the contact resistance can be reduced. The pixel electrode 312 has a flat surface and is desirably a high-reflection material. Al, AlSi, AlSiCu, AlGeCu, A
It is possible to use materials such as Cr, Au, and Ag other than 1C. Further, in order to improve flatness, the surfaces of the base insulating layer 309 and the pixel electrode 312 are treated by a chemical mechanical polishing (CMP) method.

【００４３】保持容量３２５は、画素電極３１２と共通
透明電極３１５の間の信号を保持するための容量であ
る。ウェル領域３０２には、基板電位を印加する。本実
施形態では、各行のトランスミッションゲート構成を、
上から１行目は上がｎチャンネルＭＯＳＦＥＴ３２３
で、下がｐチャンネルＭＯＳＦＥＴ３２４、２行目は上
がｐチャンネルＭＯＳＦＥＴ３２４で、下がｎチャンネ
ルＭＯＳＦＥＴ３２３とするように、隣り合う行で順序
を入れ換える構成にしている。以上のように、ストライ
プ型ウェルで表示領域の周辺で電源線とコンタクトして
いるだけでなく、表示領域にも、細い電源ラインを設け
コンタクトをとっている。The storage capacitor 325 is a capacitor for holding a signal between the pixel electrode 312 and the common transparent electrode 315. A substrate potential is applied to the well region 302. In the present embodiment, the transmission gate configuration of each row is
The first row from the top is the n-channel MOSFET 323
The order of the adjacent rows is changed so that the lower row is the p-channel MOSFET 324 and the lower row is the p-channel MOSFET 324, and the lower row is the n-channel MOSFET 323. As described above, not only the power supply line is brought into contact with the periphery of the display area in the stripe well, but also a thin power supply line is provided in the display area to make contact.

【００４４】この時、ウェルの抵抗の安定化がカギにな
る。したがって、ｐ型基板であれば、ｎウェルの表示領
域内部でのコンタクト面積又はコンタクト数をｐウェル
のコンタクトより増強する構成を採用した。ｐウェル
は、ｐ型基板で一定電位がとられているため、基板が低
抵抗体としての役割を演ずる。したがって、島状になる
ｎウェルのソース、ドレインへの信号の入出力による振
られの影響が大きくなりやすいが、それを上部の配線層
からのコンタクトを増強することで防止できた。これに
より、安定した高品位な表示が実現できた。At this time, the stabilization of the well resistance is key. Therefore, in the case of a p-type substrate, a configuration is adopted in which the contact area or the number of contacts inside the display region of the n-well is increased compared to the contact of the p-well. Since the p-well has a constant potential in the p-type substrate, the substrate plays a role as a low-resistance body. Therefore, the influence of the swing due to the input and output of the signal to the source and drain of the n-well having the island shape tends to be large, but this can be prevented by increasing the contact from the upper wiring layer. As a result, stable and high-quality display can be realized.

【００４５】映像信号（ビデオ信号、パルス変調された
デジタル信号など）は、映像信号入力端子３３１から入
力され、水平シフトレジスタ３２１からのパルスに応じ
て信号転送スイッチ３２７を開閉し、各データ配線に出
力する。垂直シフトレジスタ３２２からは、選択した行
のｎチャンネルＭＯＳＦＥＴ３２３のゲートへはハイパ
ルス、ｐチャンネルＭＯＳＦＥＴのゲートへはローパル
スを印加する。A video signal (a video signal, a pulse-modulated digital signal, etc.) is input from a video signal input terminal 331, and opens and closes a signal transfer switch 327 in response to a pulse from the horizontal shift register 321 to connect to each data wiring. Output. From the vertical shift register 322, a high pulse is applied to the gate of the n-channel MOSFET 323 and a low pulse is applied to the gate of the p-channel MOSFET in the selected row.

【００４６】以上のように、画素部のスイッチは、単結
晶のＣＭＯＳトランスミッションゲートで構成されてお
り、画素電極へ書き込む信号が、ＭＯＳＦＥＴのしきい
値に依存せず、ソースの信号フル書き込める利点を有す
る。As described above, the switch in the pixel portion is constituted by a single-crystal CMOS transmission gate, and the signal written to the pixel electrode has the advantage that the source signal can be fully written without depending on the threshold value of the MOSFET. Have.

【００４７】又、スイッチが、単結晶トランジスタから
成り立っており、polysilicon-ＴＦＴの結晶粒界での不
安定な振まい等がなく、バラツキのない高信頼性な高速
駆動が実現できる。Further, since the switch is composed of a single crystal transistor, there is no unstable fluctuation at the crystal grain boundary of the polysilicon-TFT, and a highly reliable high-speed driving without variation can be realized.

【００４８】次にパネル周辺回路の構成について、図９
を用いて説明する。図９において、３３７は液晶素子の
表示領域、３３２はレベルシフター回路、３３３はビデ
オ信号サンプリングスイッチ、３３４は水平シフトレジ
スタ、３３５はビデオ信号入力端子、３３６は垂直シフ
トレジスタである。Next, the configuration of the panel peripheral circuit will be described with reference to FIG.
This will be described with reference to FIG. 9, 337 is a display area of a liquid crystal element, 332 is a level shifter circuit, 333 is a video signal sampling switch, 334 is a horizontal shift register, 335 is a video signal input terminal, and 336 is a vertical shift register.

【００４９】以上に示す構成により、Ｈ，Ｖともにシフ
トレジスタ等のロジック回路は、ビデオ信号入力端子３
３５から２５Ｖ，３０Ｖ程度の振幅が供給されるので、
１.５〜５Ｖ程度と極めて低い値で駆動でき、高速、低
消費電圧化が達成できた。ここでの水平、垂直ＳＲは、
走査方向は選択スイッチにより双方向可能なものとなっ
ており、光学系の配置等の変更に対して、パネルの変更
なしに対応でき、製品の異なるシリーズにも同一パネル
が使用でき低コスト化が図れるメリットがある。又、図
９においては、ビデオ信号サンプリングスイッチは、片
側極性の１トランジスタ構成のものを記述したが、これ
に限らず、ＣＭＯＳトランスミッションゲート構成にす
ることにより入力ビデオ線をすべてを信号線に書き込む
ことができることは、言うまでもない。With the configuration described above, the logic circuit such as the shift register for both H and V is connected to the video signal input terminal 3
Since an amplitude of about 35 to 25 V and 30 V is supplied,
It can be driven at an extremely low value of about 1.5 to 5 V, and high speed and low voltage consumption can be achieved. Here, the horizontal and vertical SR are
The scanning direction can be bi-directionally controlled by a selection switch, so it is possible to respond to changes in the arrangement of optical systems, etc. without changing the panel, and the same panel can be used for different series of products, reducing cost. There are merits that can be achieved. Also, in FIG. 9, the video signal sampling switch is described as having a one-transistor, one-transistor configuration. However, the invention is not limited to this, and all input video lines can be written to signal lines by using a CMOS transmission gate configuration. It goes without saying that you can do it.

【００５０】又ＣＭＯＳトランスミッションゲート構成
にした時、ＮＭＯＳゲートとＰＭＯＳゲート面積や、ゲ
ートとソードレインとの重なり容量の違いにより、ビデ
オ信号に振られが生じる課題がある。これにはそれぞれ
の極性のサンプリングスイッチのＭＯＳＦＥＴのゲート
量の約１／２のゲート量のＭＯＳＦＥＴのソースとドレ
インとを信号線にそれぞれ接続し、逆相パルスで印加す
ることにより振られが防止でき、きわめて良好なビデオ
信号が信号線に書き込れた。これにより、さらに高品位
の表示が可能になった。Further, when the CMOS transmission gate structure is used, there is a problem that a video signal is fluctuated due to a difference between an NMOS gate and a PMOS gate area and an overlap capacitance between the gate and the saw drain. This can be prevented by connecting the source and the drain of the MOSFET having a gate amount of about 1/2 of the gate amount of the MOSFET of the sampling switch of each polarity to the signal line, respectively, and applying a reverse phase pulse, thereby preventing the swing. A very good video signal was written to the signal line. As a result, higher-quality display is possible.

【００５１】次に、ビデオ信号と、サンプリングパルス
の同期を正確にとる方向について図１０を用いて説明す
る。このためには、サンプリングパルスのｄｅｌａｙ量
を変化させる必要がある。３４２はパルスｄｅｌａｙ用
インバータ、３４３はどのｄｅｌａｙ用インバータを選
択するかを決めるスイッチ、３４４はｄｅｌａｙ量が制
御された出力、３４５は容量（ｏｕｔＢは逆相出力、ｏ
ｕｔは同相出力）である。３４６は保護回路である。Next, the direction in which the video signal and the sampling pulse are accurately synchronized will be described with reference to FIG. For this purpose, it is necessary to change the delay amount of the sampling pulse. 342 is a pulse delay inverter, 343 is a switch for selecting which delay inverter to select, 344 is an output whose delay amount is controlled, 345 is a capacity (outB is a reverse phase output, o
ut is an in-phase output). 346 is a protection circuit.

【００５２】ＳＥＬ１（ＳＥＬ１Ｂ）からＳＥＬ３（Ｓ
ＥＬ３Ｂ）の組み合わせにより、ｄｅｌａｙ用インバー
タ３４２を何コ通過するかが選択できる。SEL1 (SEL1B) to SEL3 (S
EL3B) can select how many passes through the delay inverter 342.

【００５３】この同期回路がパネルに内蔵していること
により、パネル外部からのパルスのｄｅｌａｙ量が、
Ｒ．Ｇ．Ｂ３板パネルのとき、治具等の関係で対称性が
くずれても、上記選択スイッチで調整でき、Ｒ．Ｇ．Ｂ
のパルス位相高域による位置ずれがない良好な表示画像
が得られた。又、パネル内部に温度測定ダイオードを内
蔵させ、その出力によりｄｅｌａｙ量をテーブルから参
照し温度補正することも有効である事は言うまでもな
い。Since the synchronizing circuit is built in the panel, the delay amount of the pulse from the outside of the panel becomes
R. G. FIG. In the case of the B3 plate panel, even if the symmetry is lost due to the jig or the like, the symmetry can be adjusted by the selection switch. G. FIG. B
A good display image with no displacement due to the high pulse phase range was obtained. Needless to say, it is also effective to incorporate a temperature measuring diode inside the panel and to correct the temperature by referring to the delay amount from a table based on the output of the diode.

【００５４】次に、液晶材との関係について説明する。
図７では、平坦な対向基板構造のものを示したが、共通
電極基板３１６は、共通透明電極３１５の界面反射を防
ぐため、凹凸を形成し、その表面に共通透明電極３１５
を設けている。また、共通電極基板３１６の反対側に
は、反射防止膜３２０を設けている。これらの凹凸形状
の形成のために、微少な粒径の砥粒により砂ずり研磨を
おこなう方式も高コントラスト化に有効である。Next, the relationship with the liquid crystal material will be described.
Although FIG. 7 shows a flat counter substrate structure, the common electrode substrate 316 is formed with irregularities in order to prevent interface reflection of the common transparent electrode 315, and the common transparent electrode 315 is formed on the surface thereof.
Is provided. On the opposite side of the common electrode substrate 316, an antireflection film 320 is provided. In order to form these concavities and convexities, a method in which sandblasting is performed using abrasive grains having a small particle size is also effective for increasing the contrast.

【００５５】液晶材料としては、ポリマー・ネットワー
ク液晶ＰＮＬＣを用いた。ただし、ポリマー・ネットワ
ーク液晶として、ＰＤＬＣなどを用いてもいい。ポリマ
ー・ネットワーク液晶ＰＮＬＣは、重合相分離法によっ
て作製される。液晶と重合性モノマーやオリゴマーで溶
液をつくり、通常の方法でセル中に注入した後、ＵＶ重
合によって液晶と高分子を相分離させ、液晶中に網目状
に高分子を形成する。ＰＮＬＣは多くの液晶（７０〜９
０ｗｔ％）を含有している。As the liquid crystal material, a polymer network liquid crystal PNLC was used. However, PDLC or the like may be used as the polymer network liquid crystal. The polymer network liquid crystal PNLC is produced by a polymerization phase separation method. A solution is prepared from the liquid crystal and a polymerizable monomer or oligomer, and the solution is injected into a cell by a usual method. Then, the liquid crystal and the polymer are phase-separated by UV polymerization, thereby forming a polymer in the liquid crystal in a network. PNLC has many liquid crystals (70-9)
0 wt%).

【００５６】ＰＮＬＣにおいては、屈折率の異方性（Δ
ｎ）の高いネマチック液晶を用いると光散乱が強くな
い、誘電異方性（Δε）の大きいネマチック液晶を用い
ると低電圧で駆動が可能となる。ポリマー・ネットワー
クのおおきさ、すなわち網目の中心間距離が１〜１.５
（μｍ）の場合、光散乱は高コントラストを得るのに十
分強くなる。In PNLC, the refractive index anisotropy (Δ
When a nematic liquid crystal having a high n) is used, light scattering is not strong. When a nematic liquid crystal having a large dielectric anisotropy (Δε) is used, driving can be performed at a low voltage. Largeness of the polymer network, that is, the center-to-center distance of the mesh is 1 to 1.5.
(Μm), the light scattering is strong enough to obtain high contrast.

【００５７】次に、シール構造と、パネル構造との関係
について、図１１を用いて説明する。図１１において、
３５１はシール部、３５２は電極パッド、３５３はクロ
ックバッファー回路である。不図示のアンプ部は、パネ
ル電気検査時の出力アンプとして使用するものである。
また、対向基板の電位をとる不図示のＡｇペースト部が
あり、また３５６は液晶素子による表示部、３５７は水
平・垂直シフトレジスタ（ＳＲ）等の周辺回路部であ
る。シール部３５１は表示部３５６の四方周辺に半導体
基板３０１上に画素電極３１２を設けたものと共通電極
３１５を備えたガラス基板との張り合わせのための圧着
材や接着剤の接触領域を示し、シール部３５１で張り合
わせた後に、表示部３５６とシフトレジスタ部３５７に
液晶を封入する。Next, the relationship between the seal structure and the panel structure will be described with reference to FIG. In FIG.
351 is a seal portion, 352 is an electrode pad, and 353 is a clock buffer circuit. An amplifier unit (not shown) is used as an output amplifier at the time of panel electrical inspection.
In addition, there is an Ag paste portion (not shown) for taking the potential of the counter substrate, 356 is a display portion using a liquid crystal element, and 357 is a peripheral circuit portion such as a horizontal / vertical shift register (SR). The seal portion 351 indicates a contact area of a bonding material or an adhesive for bonding a pixel electrode 312 provided on the semiconductor substrate 301 around the display portion 356 to a glass substrate provided with the common electrode 315. After bonding by the unit 351, liquid crystal is sealed in the display unit 356 and the shift register unit 357.

【００５８】図１１に示すように、本実施形態では、シ
ールの内部にも、外部にも、totalchip sizeが小さくな
るように、回路が設けられている。本実施形態では、パ
ッドの引き出しをパネルの片辺側の１つに集中させてい
るが、長辺側の両辺でも又、一辺でなく多辺からのとり
出しも可能で、高速クロックをとり扱うときに有効であ
る。As shown in FIG. 11, in this embodiment, circuits are provided both inside and outside the seal so as to reduce the total chip size. In this embodiment, the pad drawers are concentrated on one side of the panel. However, both sides on the long side can be taken out from multiple sides instead of one side. Sometimes effective.

【００５９】さらに、本実施形態のパネルは、Ｓｉ基板
等の半導体基板を用いているため、プロジェクタのよう
に強力な光が照射され、基板の側壁にも光があたると、
基板電位が変動し、パネルの誤動作を引き起こす可能性
がある。したがって、パネルの側壁及び、パネル上面の
表示領域の周辺回路部は、遮光できる基板ホルダーとな
っており、又、Ｓｉ基板の裏面は、熱伝導率の高い接着
剤を介して熱伝導率の高いＣｕ等のメタルが接続された
ホルダー構造となっている。Further, since the panel of the present embodiment uses a semiconductor substrate such as a Si substrate, strong light is irradiated as in a projector, and light is applied to the side wall of the substrate.
The substrate potential may fluctuate, causing a malfunction of the panel. Therefore, the side wall of the panel and the peripheral circuit portion of the display area on the top surface of the panel are a substrate holder capable of shielding light, and the back surface of the Si substrate has a high thermal conductivity through an adhesive having a high thermal conductivity. It has a holder structure in which metals such as Cu are connected.

【００６０】次に本実施形態のポイントである反射電極
構造及びその作製方法について述べる。本実施形態の完
全平坦化反射電極構造は、メタルをパターニングしてか
ら、研磨する通常の方法とは異なり、電極パターンのと
ころにあらかじめ、溝のエッチングをしておき、そこに
メタルを成膜し、電極パターンが成形されない領域上の
メタルを研磨でとり除くとともに、電極パターン上のメ
タルも平坦化する新規な方法である。しかも、配線の幅
が配線以外の領域よりも極めて広く、従来のエッチング
装置の常識では、下記問題が発生し、本実施形態の構造
体は作製できない。Next, a description will be given of a reflective electrode structure and a manufacturing method thereof, which are the points of the present embodiment. The completely flat reflective electrode structure of the present embodiment is different from the usual method of patterning and polishing a metal, in which a groove is etched in advance at an electrode pattern, and a metal film is formed there. This is a novel method of removing the metal on the region where the electrode pattern is not formed by polishing and flattening the metal on the electrode pattern. Moreover, the width of the wiring is much wider than the region other than the wiring, and the common problem of the conventional etching apparatus causes the following problem, and the structure of the present embodiment cannot be manufactured.

【００６１】エッチングすると、エッチング中にポリマ
ーが堆積し、パターニングができなくなる。そこで、酸
化膜系エッチング（ＣＦ4 ／ＣＨＦ3 系）において、条
件を変えてみた。（図１２）ｔｏｔａｌ圧力（従来）
１．７ｔｏｒｒ時（ａ）、（今回）１．０ｔｏｒｒ時
（ｂ）を示す。When etching is performed, a polymer is deposited during etching, and patterning cannot be performed. Then, the conditions were changed in the oxide film type etching (CF 4 / CHF 3 type). (FIG. 12) total pressure (conventional)
At 1.7 torr (a), (this time) at 1.0 torr (b).

【００６２】図１２（ａ）の条件で、デポジション性の
ガスＣＨＦ3 をへらすと、たしかにポリマーの堆積は、
減少するが、レジストに近いパターンと遠いパターンで
の寸法の違い（ローディング効果）がきわめて大きくな
り、使用できない事がわかる。When the deposition gas CHF 3 is exposed under the conditions shown in FIG.
Although it decreases, the difference in dimensions (loading effect) between the pattern close to the resist and the pattern far from it becomes extremely large, indicating that the pattern cannot be used.

【００６３】図１２（ｂ）では、ローディング効果おさ
えるため、徐々に圧力を下げていき、１ｔｏｒｒ以下に
なるとローディング効果がかなり抑制され、かつＣＨＦ
3 をゼロにし、ＣＦ4 のみによるエッチングが有効であ
ることを見出した。In FIG. 12B, in order to suppress the loading effect, the pressure is gradually lowered, and when the pressure becomes 1 torr or less, the loading effect is considerably suppressed and the CHF
By setting 3 to zero, it was found that etching using only CF 4 was effective.

【００６４】さらに、画素電極領域は、ほとんどレジス
トが存在せず、周辺部にはレジストでしめられている。
構造体を形成するのは難しく、構造として、画素電極と
同等の空き電極とその形状を表示領域の周辺部まで設け
る事が有効であることがわかった。Further, there is almost no resist in the pixel electrode region, and the peripheral portion is covered with the resist.
It was found that it was difficult to form the structure, and it was found that it was effective to provide a free electrode equivalent to the pixel electrode and its shape up to the periphery of the display area.

【００６５】本構造にすることにより、従来あった表示
部と周辺部もしくはシール部との段差もなくなり、ギャ
ップ精度が高くなり、面内均一圧が高くなるだけでな
く、注入時のムラもへり、高品位の画質が歩留りよくで
きる効果が得られた。By adopting this structure, there is no step between the conventional display portion and the peripheral portion or the seal portion, the gap accuracy is increased, the in-plane uniform pressure is increased, and unevenness during injection is reduced. Thus, an effect that high-quality image quality can be obtained with good yield was obtained.

【００６６】次に本実施形態の反射型液晶パネルを組み
込む光学システムについて図１３を用いて説明する。図
１３において、３７１はハロゲンランプ等の光源、３７
２は光源像をしぼり込む集光レンズ、３７３，３７５は
平面状の凸型フレネルレンズ、３７４はＲ，Ｇ，Ｂに分
解する色分解光学素子で、ダイクロイックミラー、回折
格子等が有効である。Next, an optical system incorporating the reflection type liquid crystal panel of this embodiment will be described with reference to FIG. In FIG. 13, reference numeral 371 denotes a light source such as a halogen lamp;
Reference numeral 2 denotes a condenser lens for narrowing down a light source image, 373 and 375 denote flat convex Fresnel lenses, and 374 denotes a color separation optical element that separates light into R, G, and B, and a dichroic mirror, a diffraction grating, or the like is effective.

【００６７】また、３７６はＲ，Ｇ，Ｂ光に分離された
それぞれの光をＲ，Ｇ，Ｂ３パネルに導くそれぞれのミ
ラー、３７７は集光ビームを反射型液晶パネルに平行光
で照明するための視野レンズ、３７８は上述の反射型液
晶素子、３７９の位置にしぼりがある。また、３８０は
複数のレンズを組み合わせて拡大する投射レンズ、３８
１はスクリーンで、通常、投射光を平行光へ変換するフ
レネルレンズと上下、左右に広視野角として表示するレ
ンチキュラレンズの２板より構成されると明瞭な高コン
トラストで明るい画像を得ることができる。図１３の構
成では、１色のパネルのみ記載されているが、色分解光
学素子３７４からしぼり部３７９の間は３色それぞれに
分離されており、３板パネルが配置されている。又、反
射型液晶装置パネル表面にマイクロレンズアレーを設
け、異なる入射光を異なる画素領域に照射させる配置を
とることにより、３板のみならず、単板構成でも可能で
あることは言うまでもない。液晶素子の液晶層に電圧が
印加され、各画素で正反射した光は、３７９に示すしぼ
り部を透過しスクリーン上に投射される。A mirror 376 guides the respective lights separated into R, G, and B lights to the R, G, and B panels, and a mirror 377 illuminates the condensed beam to the reflective liquid crystal panel with parallel lights. The field lens 378 has an aperture at the position of the reflective liquid crystal element 379 described above. Reference numeral 380 denotes a projection lens that expands by combining a plurality of lenses.
Reference numeral 1 denotes a screen, which can normally provide a clear, high-contrast, bright image if it is composed of a Fresnel lens that converts projection light into parallel light and a lenticular lens that displays a wide viewing angle vertically and horizontally. . Although only one color panel is described in the configuration of FIG. 13, the space between the color separation optical element 374 and the squeezing portion 379 is separated into three colors, respectively, and a three-panel panel is arranged. Further, it is needless to say that not only three plates but also a single plate configuration is possible by providing a microlens array on the surface of the reflective liquid crystal device panel and irradiating different incident lights to different pixel regions. A voltage is applied to the liquid crystal layer of the liquid crystal element, and the light that has been specularly reflected at each pixel is transmitted through the squeezed portion 379 and projected on the screen.

【００６８】一方、電圧が印加されずに、液晶層が散乱
体となっている時、反射型液晶素子へ入射した光は、等
方的に散乱し、３７９に示す絞り部の開口を見込む角度
の中の散乱光以外は、投射レンズにはいらない。これに
より黒を表示する。以上の光学系からわかるように、偏
光板が不要で、しかも画素電極の全面が信号光が高反射
率で投射レンズにはいるため、従来よりも２−３倍明る
い表示が実現できた。上述の実施形態でも述べたよう
に、対向基板表面、界面には、反射防止対策が施されて
おり、ノイズ光成分も極めて少なく、高コントラスト表
示が実現できた。又、パネルサイズが小さくできるた
め、すべての光学素子（レンズ、ミラーｅｔｃ．）が小
型化され、低コスト、軽量化が達成された。On the other hand, when the voltage is not applied and the liquid crystal layer is a scatterer, the light incident on the reflection type liquid crystal element is isotropically scattered and the angle 379 in which the aperture of the aperture portion shown in FIG. Except for the scattered light inside, there is no need for the projection lens. Thereby, black is displayed. As can be seen from the above optical system, no polarizing plate is required, and the entire surface of the pixel electrode enters the projection lens with a high reflectance of the signal light, so that a display 2-3 times brighter than in the past can be realized. As described in the above embodiment, anti-reflection measures are taken on the surface and the interface of the counter substrate, the noise light component is extremely small, and high contrast display can be realized. In addition, since the panel size can be reduced, all optical elements (lenses, mirrors etc.) are reduced in size, and low cost and light weight are achieved.

【００６９】又、光源の色ムラ、輝度ムラ、変動は、光
源と光学系との間にインテグレタ（はえの目レンズ型ロ
ッド型）を挿入することにより、スクリーン上での色ム
ラ、輝度ムラは、解決できた。The color unevenness, luminance unevenness, and fluctuation of the light source can be reduced by inserting an integrator (fly-eye lens type rod type) between the light source and the optical system to thereby improve the color unevenness, luminance unevenness on the screen. Could be solved.

【００７０】上記液晶パネル以外の周辺電気回路につい
て、図１４を用いて説明する。図において、３８５は電
源で、主にランプ用電源とパネルや信号処理回路駆動用
システム電源に分離される。３８６はプラグ、３８７は
ランプ温度検出器で、ランプの温度の異常があれば、制
御ボード３８８によりランプを停止させる等の制御を行
う。これは、ランプに限らず、３８９のフィルタ安全ス
イッチでも同様に制御される。たとえば、高温ランプハ
ウスボックスを開けようとした場合、ボックスがあかな
くなるような安全上の対策が施されている。３９０はス
ピーカー、３９１は音声ボードで、要求に応じて３Ｄサ
ウンド、サラウンドサウンド等のプロセッサも内蔵でき
る。３９２は拡張ボード１で、ビデオ信号用Ｓ端子、ビ
デオ信号用コンポジット映像、音声等の外部装置３９６
からの入力端子及びどの信号を選択するかの選択スイッ
チ３９５、チューナ３９４からなり、デコーダ３９３を
介して拡張ボード２へ信号が送られる。一方、拡張ボー
ド２は、おもに、別系列からのビデオやコンピュータの
Ｄｓｕｂ１５ピン端子を有し、デコーダ３９３からのビ
デオ信号と切り換えるスイッチ４５０を介して、Ａ／Ｄ
コンバータ４５１でディジタル信号に変換される。A peripheral electric circuit other than the liquid crystal panel will be described with reference to FIG. In the figure, reference numeral 385 denotes a power supply, which is mainly divided into a lamp power supply and a system power supply for driving a panel and a signal processing circuit. Reference numeral 386 denotes a plug, and 387 denotes a lamp temperature detector. When there is an abnormality in the lamp temperature, the control board 388 controls the lamp to stop. This is controlled not only by the lamp but also by the 389 filter safety switch. For example, if a high-temperature lamp house box is to be opened, safety measures are taken to prevent the box from burning. Reference numeral 390 denotes a speaker, and 391 denotes an audio board. A processor for 3D sound, surround sound, or the like can be incorporated as required. Reference numeral 392 denotes an expansion board 1, which is an external device 396 for an S terminal for video signals, composite video and audio for video signals, and the like.
, A selection switch 395 for selecting which signal to select, and a tuner 394. A signal is sent to the extension board 2 via the decoder 393. On the other hand, the expansion board 2 mainly has a Dsub15 pin terminal for video from another system or a computer, and receives an A / D signal via a switch 450 for switching to a video signal from the decoder 393.
The signal is converted into a digital signal by the converter 451.

【００７１】また、４５３は主にビデオＲＡＭ等のメモ
リとＣＰＵとからなるメインボードである。Ａ／Ｄコン
バータ４５１でＡ／Ｄ変換したＮＴＳＣ信号は、一端メ
モリに蓄積され、高画素数へうまく割りあてるために、
液晶素子数にマッチしていない空き素子の不足の信号を
補間して作成したり、液晶表示素子に適したγ変換エッ
ジ階調、ブライト調整バイアス調整等の信号処理を行
う。ＮＴＳＣ信号でなく、コンピュータ信号も、たとえ
ばＶＧＡの信号がくれば、高解像度のＸＧＡパネルの場
合、その解像度変換処理も行う。一画像データだけでな
く、複数の画像データのＮＴＳＣ信号にコンピュータ信
号を合成させる等の処理もこのメインボード４５３で行
う。メインボード４５３の出力はシリアル・パラレル変
換され、ノイズの影響を受けにくい形態でヘッドボード
４５４に充られる。このヘッドボード４５４で、再度パ
ラレル／シリアル変換後、Ｄ／Ａ変換し、パネルのビデ
オ線数に応じて分割され、ドライブアンプを介して、
Ｂ，Ｇ，Ｒ色の液晶パネル４５５，４５６，４５７へ信
号を書き込む。４５２はリモコン操作パネルで、コンピ
ュータ画面も、ＴＶと同様の感覚で、簡単操作可能とな
っている。また、液晶パネル４５５，４５６，４５７の
夫々は、各色の色フィルタを備えた同一の液晶装置構成
である。各液晶装置は以上の説明のように、本実施形態
の表示結果は、きわめてきれいな画像表示が可能であ
る。 （実施例４）図１５に本発明の液晶表示装置を用いた前
面及び背面投写型液晶表示装置光学系の構成図を示す。
本図はその上面図を表す図１５（ａ）、正面図を表す図
１５（ｂ）、側面図を表す図１５（ｃ）から成ってい
る。同図において、１３０１はスクリーンに投射する投
影レンズ、１３０２はマイクロレンズ付液晶パネル、１
３０３は偏光ビームスプリッター（ＰＢＳ）、１３４０
はＲ（赤色光）反射ダイクロイックミラー、１３４１は
Ｂ／Ｇ（青色＆緑色光）反射ダイクロイックミラー、１
３４２はＢ（青色光）反射ダイクロイックミラー、１３
４３は全色光を反射する高反射ミラー、１３５０はフレ
ネルレンズ、１３５１は凸レンズ、１３０６はロッド型
インテグレーター、１３０７は楕円リフレクター、１３
０８はメタルハライド、ＵＨＰ等のアークランプであ
る。ここで、Ｒ（赤色光）反射ダイクロイックミラー１
３４０、Ｂ／Ｇ（青色＆緑色光）反射ダイクロイックミ
ラー１３４１、Ｂ（青色光）反射ダイクロイックミラー
１３４２はそれぞれ図１６に示したような分光反射特性
を有している。そしてこれらのダイクロイックミラーは
高反射ミラー１３４３とともに、図１７の斜視図に示し
たように３次元的に配置されており、後述するように白
色照明光をＲＧＢに色分解するとともに、液晶パネル１
３０２に対して各原色光が、３次元的に異なる方向から
該液晶パネル１３０２を照明するようにしている。A main board 453 mainly includes a memory such as a video RAM and a CPU. The NTSC signal that has been A / D converted by the A / D converter 451 is temporarily stored in a memory and assigned to a high pixel count.
Signal processing such as interpolation of intermittent signals of empty elements that do not match the number of liquid crystal elements, and signal processing such as gamma conversion edge gradation and brightness adjustment bias adjustment suitable for liquid crystal display elements are performed. If a VGA signal is received instead of an NTSC signal, for example, a computer signal is also subjected to a resolution conversion process for a high-resolution XGA panel. The main board 453 also performs processing such as combining a computer signal with NTSC signals of a plurality of image data as well as one image data. The output of the main board 453 is subjected to serial / parallel conversion, and is supplied to the head board 454 in a form that is not easily affected by noise. The head board 454 performs parallel / serial conversion again, performs D / A conversion, and divides the data according to the number of video lines on the panel.
A signal is written to the liquid crystal panels 455, 456, and 457 of B, G, and R colors. Reference numeral 452 denotes a remote control operation panel, and a computer screen can be easily operated with the same feeling as a TV. In addition, each of the liquid crystal panels 455, 456, and 457 has the same liquid crystal device configuration including a color filter of each color. As described above, each liquid crystal device can display an extremely clear image on the display result of the present embodiment. (Embodiment 4) FIG. 15 is a structural view of an optical system of a front and rear projection type liquid crystal display device using the liquid crystal display device of the present invention.
FIG. 15A is a top view, FIG. 15B is a front view, and FIG. 15C is a side view. In the figure, reference numeral 1301 denotes a projection lens for projecting onto a screen; 1302, a liquid crystal panel with microlenses;
303 is a polarizing beam splitter (PBS), 1340
Is an R (red light) reflecting dichroic mirror, 1341 is a B / G (blue & green light) reflecting dichroic mirror, 1
342 is a B (blue light) reflecting dichroic mirror, 13
43 is a high reflection mirror that reflects all color light, 1350 is a Fresnel lens, 1351 is a convex lens, 1306 is a rod type integrator, 1307 is an elliptical reflector, 13
08 is an arc lamp such as a metal halide or UHP. Here, R (red light) reflecting dichroic mirror 1
340, a B / G (blue & green light) reflection dichroic mirror 1341, and a B (blue light) reflection dichroic mirror 1342 each have a spectral reflection characteristic as shown in FIG. These dichroic mirrors, together with the high-reflection mirror 1343, are three-dimensionally arranged as shown in the perspective view of FIG.
Each primary color light illuminates the liquid crystal panel 1302 with respect to 302 from three-dimensionally different directions.

【００７２】ここで、光束の進行過程に従って説明する
と、まず光源のランプ１３０８からの出射光束は白色光
であり、楕円リフレクター１３０７によりその前方のイ
ンテグレータ１３０６の入り口に集光され、このインテ
グレーター１３０６内を反射を繰り返しながら進行する
につれて光束の空間的強度分布が均一化される。そして
インテグレーター１３０６を出射した光束は凸レンズ１
３５１とフレネルレンズ１３５０とにより、ｘ軸−方向
（図１５（ｂ）の正面図基準）に平行光束化され、まず
Ｂ反射ダイクロ１９イックミラー１３４２に至る。この
Ｂ反射ダイクロイックミラー１３４２ではＢ光（青色
光）のみが反射され、ｚ軸−方向つまり下側（図１５
（ｂ）の正面図基準）にｚ軸に対して所定の角度でＲ反
射ダイクロイックミラー１３４０に向かう。一方Ｂ光以
外の色光（Ｒ／Ｇ光）はこのＢ反射ダイクロイックミラ
ー１３４２を通過し、高反射ミラー１３４３により直角
にｚ軸−方向（下側）に反射され、やはりＲ反射ダイク
ロイックミラー１３４０に向かう。ここで、Ｂ反射ダイ
クロイックミラー１３４２と高反射ミラー１３４３は共
に図１５（ａ）の正面図を基にして言えば、インテグレ
ーター１３０６からの光束（ｘ軸−方向）をｚ軸−方向
（下側）に反射するように配置しており、高反射ミラー
１３４３はｙ軸方向を回転軸にｘ−ｙ平面に対して丁度
４５°の傾きとなっている。それに対してＢ反射ダイク
ロイックミラー１３４２はやはりｙ軸方向を回転軸にｘ
−ｙ平面に対して、この４５°よりも浅い角度に設定さ
れている。従って、高反射ミラー１３４３で反射された
Ｒ／Ｇ光はｚ軸−方向に直角に反射されるのに対して、
Ｂ反射ダイクロイックミラー１３４２で反射されたＢ光
はｚ軸に対して所定の角度（ｘ−ｚ面内チルト）で下方
向に向かう。ここで、Ｂ光とＲ／Ｇ光の液晶パネル１３
０２上の照明範囲を一致させるため、各色光の主光線は
液晶パネル１３０２上で交差するように、高反射ミラー
１３４３とＢ反射ダイクロイックミラー１３４２のシフ
ト量およびチルト量が選択されている。Here, a description will be given in accordance with the progress of the light beam. First, the light beam emitted from the lamp 1308 of the light source is white light, and is condensed by the elliptical reflector 1307 at the entrance of the integrator 1306 in front of the light beam. As the reflection proceeds, the spatial intensity distribution of the light beam is made uniform. The light beam emitted from the integrator 1306 is the convex lens 1
The light is converted into a parallel light beam in the x-axis direction (reference to the front view in FIG. 15B) by the 351 and the Fresnel lens 1350, and reaches the B reflection dichroic 19-thick mirror 1342 first. This B reflection dichroic mirror 1342 reflects only the B light (blue light), and is in the z-axis direction, that is, on the lower side (FIG. 15).
(Refer to the front view of (b)), the light is directed toward the R reflection dichroic mirror 1340 at a predetermined angle with respect to the z axis. On the other hand, the color light (R / G light) other than the B light passes through the B reflection dichroic mirror 1342, is reflected by the high reflection mirror 1343 at right angles in the z-axis direction (downward), and also travels toward the R reflection dichroic mirror 1340. . Here, both the B-reflection dichroic mirror 1342 and the high-reflection mirror 1343 transfer the light flux (x-axis direction) from the integrator 1306 in the z-axis direction (lower side) based on the front view of FIG. The high-reflection mirror 1343 has an inclination of exactly 45 ° with respect to the xy plane about the y-axis direction as a rotation axis. On the other hand, the B reflection dichroic mirror 1342 also has x
The angle is set to be shallower than 45 ° with respect to the −y plane. Accordingly, the R / G light reflected by the high reflection mirror 1343 is reflected at a right angle in the z-axis direction, while
The B light reflected by the B reflection dichroic mirror 1342 travels downward at a predetermined angle (tilt in the xz plane) with respect to the z axis. Here, the liquid crystal panel 13 of B light and R / G light
In order to match the illumination range on the liquid crystal panel 1302, the shift amount and the tilt amount of the high-reflection mirror 1343 and the B-reflection dichroic mirror 1342 are selected so that the principal rays of each color light intersect on the liquid crystal panel 1302.

【００７３】次に、前述のように下方向（ｚ軸−方向）
に向かったＲ／Ｇ／Ｂ光はＲ反射ダイクロイックミラー
１３４０とＢ／Ｇ反射ダイクロイックミラー１３４１に
向かうが、これらはＢ反射ダイクロイックミラー１３４
２と高反射ミラー１３４３の下側に位置し、まず、Ｂ／
Ｇ反射ダイクロイックミラー１３４１はｘ軸を回転軸に
ｘ−ｚ面に対して４５°傾いて配置されており、Ｒ反射
ダイクロイックミラー１３４０はやはりｘ軸方向を回転
軸にｘ−ｚ平面に対してこの４５°よりも浅い角度に設
定されている。従ってこれらに入射するＲ／Ｇ／Ｂ光の
うち、まずＢ／Ｇ光はＲ反射ダイクロイックミラー１３
４０を通過して、Ｂ／Ｇ反射ダイクロイックミラー１３
４１により直角にｙ軸＋方向に反射され、ＰＢＳ１３０
３を通じて偏光化された後、ｘ−ｚ面に水平に配置され
た液晶パネル１３０２を照明する。このうちＢ光は前述
したように（図１５（ａ）、図１５（ｂ）参照）、ｘ軸
に対して所定の角度（ｘ−ｚ面内チルト）で進行してい
るため、Ｂ／Ｇ反射ダイクロイックミラー１３４１によ
る反射後は、ｙ軸に対して所定の角度（ｘ−ｙ面内チル
ト）を維持し、その角度を入射角（ｘ−ｙ面方向）とし
て該液晶パネル１３０２を照明する。Next, as described above, the downward direction (the z-axis direction)
The R / G / B light directed to is directed to the R reflection dichroic mirror 1340 and the B / G reflection dichroic mirror 1341, which are the B reflection dichroic mirror 134.
2 and the lower side of the high reflection mirror 1343,
The G reflection dichroic mirror 1341 is disposed at an angle of 45 ° with respect to the x-z plane with the x axis as the rotation axis, and the R reflection dichroic mirror 1340 is also positioned with respect to the xz plane with the x axis direction as the rotation axis. The angle is set shallower than 45 °. Therefore, of the R / G / B light incident on these, first, the B / G light is converted to the R reflection dichroic mirror 13.
40, the B / G reflecting dichroic mirror 13
41, the beam is reflected at right angles in the y-axis + direction,
After being polarized through 3, the liquid crystal panel 1302 arranged horizontally on the xz plane is illuminated. As described above, the B light travels at a predetermined angle (tilt in the xz plane) with respect to the x-axis as described above (see FIGS. 15A and 15B), so that B / G After the reflection by the reflection dichroic mirror 1341, the liquid crystal panel 1302 is illuminated by maintaining a predetermined angle (tilt in the xy plane) with respect to the y axis and setting the angle as an incident angle (in the xy plane direction).

【００７４】Ｇ光についてはＢ／Ｇ反射ダイクロイック
ミラー１３４１により直角に反射し、ｙ軸＋方向に進
み、ＰＢＳ１３０３を通じて偏光化された後、入射角０
°つまり垂直に該液晶パネル１３０２を照明する。また
Ｒ光については、前述のようにＢ／Ｇ反射ダイクロイッ
クミラー１３４１の手前に配置されたＲ反射ダイクロイ
ックミラー１３４０によりＲ反射ダイクロイックミラー
１３４０にてｙ軸＋方向に反射されるが、図１５（ｃ）
（側面図）に示したようにｙ軸に対して所定の角度（ｙ
−ｚ面内チルト）でｙ軸＋方向に進み、ＰＢＳ１３０３
を通じて偏光化された後、該液晶パネル１３０２をこの
ｙ軸に対する角度を入射角（ｙ−ｚ面方向）として照明
する。また、前述と同様にＲＧＢ各色光の液晶パネル１
３０２上の照明範囲を一致させるため、各色光の主光線
は液晶パネル１３０２上で交差するように、Ｂ／Ｇ反射
ダイクロイックミラー１３４１とＲ反射ダイクロイック
ミラー１３４０のシフト量およびチルト量が選択されて
いる。さらに、図１６（ａ）に示したようにＢ反射ダイ
クロイックミラー１３４１のカット波長は４８０ｎｍ、
図１６（ｂ）に示したようにＢ／Ｇ反射ダイクロイック
ミラー１３４１のカット波長は５７０ｎｍ、図１６
（ｃ）に示したようにＲ反射ダイクロイックミラー１３
４０のカット波長は６００ｎｍであるから、不要な橙色
光はＢ／Ｇ反射ダイクロイックミラー１３４１を透過し
て捨てられる。これにより最適な色バランスを得ること
ができる。The G light is reflected at right angles by the B / G reflection dichroic mirror 1341, travels in the positive y-axis direction, is polarized through the PBS 1303,
That is, the liquid crystal panel 1302 is illuminated vertically. The R light is reflected in the y-axis + direction by the R reflection dichroic mirror 1340 by the R reflection dichroic mirror 1340 disposed in front of the B / G reflection dichroic mirror 1341 as described above. )
As shown in (side view), a predetermined angle (y
(−z-plane tilt), advance in the y-axis + direction, and
After being polarized through the liquid crystal panel 1302, the liquid crystal panel 1302 is illuminated with an angle with respect to the y-axis as an incident angle (y-z plane direction). Further, similarly to the above, the liquid crystal panel 1 of each color of RGB is used.
In order to make the illumination ranges on 302 the same, the shift amount and the tilt amount of the B / G reflection dichroic mirror 1341 and the R reflection dichroic mirror 1340 are selected so that the principal rays of each color light intersect on the liquid crystal panel 1302. . Further, as shown in FIG. 16A, the cut wavelength of the B reflection dichroic mirror 1341 is 480 nm,
As shown in FIG. 16B, the cut wavelength of the B / G reflection dichroic mirror 1341 is 570 nm.
As shown in (c), the R reflection dichroic mirror 13
Since the cut wavelength of 40 is 600 nm, unnecessary orange light passes through the B / G reflection dichroic mirror 1341 and is discarded. Thereby, an optimal color balance can be obtained.

【００７５】そして後述するように液晶パネル１３０２
にて各ＲＧＢ光は反射＆偏光変調され、ＰＢＳ１３０３
に戻り、ＰＢＳ１３０３のＰＢＳ面１３０３ａにてｘ軸
＋方向に反射する光束が画像光となり、投影レンズ１３
０１を通じて、スクリーン（不図示）に拡大投影され
る。ところで、該液晶パネル１３０２を照明する各ＲＧ
Ｂ光は入射角が異なるため、そこから反射されてくる各
ＲＧＢ光もその出射角を異にしているが、投影レンズ１
３０１としてはこれらを全て取り込むに十分な大きさの
レンズ径及び開口のものを用いている。ただし、投影レ
ンズ１３０１に入射する光束の傾きは、各色光がマイク
ロレンズを２回通過することにより平行化され、液晶パ
ネル１３０２への入射光の傾きを維持している。ところ
が図２７に示したように従来例の透過型では、液晶パネ
ルを出射した光束はマイクロレンズの集光作用分も加わ
ってより大きく広がってしまうので、この光束を取り込
むための投影レンズはさらに大きな開口数が求められ、
高価なレンズとなっていた。しかし、本例では液晶パネ
ル２からの光束の広がりはこのように比較的小さくなる
ので、より小さな開口数の投影レンズでもスクリーン上
で十分に明るい投影画像を得ることができ、より安価な
投影レンズを用いることが可能になる。また、図２８に
示す縦方向に同一色が並ぶストライプタイプの表示方式
の例を本実施形態に用いることも可能であるが、後述す
るように、マイクロレンズを用いた液晶パネルの場合は
好ましくない。Then, as described later, the liquid crystal panel 1302
The RGB light is reflected and polarization-modulated by the PBS 1303.
The light flux reflected on the PBS surface 1303a of the PBS 1303 in the + x-axis direction becomes image light, and the projection lens 13
01 is enlarged and projected on a screen (not shown). By the way, each RG that illuminates the liquid crystal panel 1302
Since the B light has a different incident angle, each of the RGB light reflected from the B light has a different emission angle.
As 301, a lens having a lens diameter and an opening large enough to capture all of them is used. However, the inclination of the light beam incident on the projection lens 1301 is made parallel by each color light passing twice through the micro lens, and the inclination of the light incident on the liquid crystal panel 1302 is maintained. However, as shown in FIG. 27, in the transmission type of the conventional example, the light beam emitted from the liquid crystal panel spreads more largely due to the condensing action of the microlens, so the projection lens for capturing this light beam is even larger. The numerical aperture is determined,
It was an expensive lens. However, in this example, since the spread of the light beam from the liquid crystal panel 2 is relatively small in this manner, a sufficiently bright projection image can be obtained on a screen even with a projection lens having a smaller numerical aperture, and a less expensive projection lens can be obtained. Can be used. Although an example of a stripe type display method in which the same colors are arranged in the vertical direction shown in FIG. 28 can be used in the present embodiment, it is not preferable in the case of a liquid crystal panel using a microlens as described later. .

【００７６】次に、ここで用いる本発明液晶パネル１３
０２について説明する。図１８に該液晶パネル１３０２
の拡大断面模式図（図１７のｙ−ｚ面に対応）を示す。
図において、１３２１はマイクロレンズ基板、１３２２
はマイクロレンズ、１３２３はシートガラス、１３２４
は透明対向電極、１３２５は液晶層、１３２６は画素電
極、１３２７はアクティブマトリックス駆動回路部、１
３２８はシリコン半導体基板である。また、１２５２は
周辺シール部である。マイクロレンズ１３２２は、いわ
ゆるイオン交換法によりガラス基板（アルカリ系ガラ
ス）１３２１の表面上に形成されており、画素電極１３
２６のピッチの倍のピッチで２次元的アレイ構造を成し
ている。１３３０は反射防止膜であり、可視光の波長領
域において反射を低減し、透過率を高めることにより、
光の利用効率が向上する。Next, the liquid crystal panel 13 of the present invention used here
02 will be described. FIG. 18 shows the liquid crystal panel 1302.
18 (corresponding to the yz plane in FIG. 17).
In the figure, 1321 is a microlens substrate, 1322
Is a micro lens, 1323 is a sheet glass, 1324
Denotes a transparent counter electrode, 1325 denotes a liquid crystal layer, 1326 denotes a pixel electrode, 1327 denotes an active matrix drive circuit unit,
328 is a silicon semiconductor substrate. Reference numeral 1252 denotes a peripheral seal portion. The micro lens 1322 is formed on the surface of a glass substrate (alkali glass) 1321 by a so-called ion exchange method,
A two-dimensional array structure is formed at a pitch twice the pitch of 26. Reference numeral 1330 denotes an anti-reflection film, which reduces reflection in the wavelength region of visible light and increases transmittance,
Light use efficiency is improved.

【００７７】液晶層１３２５は反射型に適応したいわゆ
るＤＡＰ，ＨＡＮ等のＥＣＢモードのネマチック液晶を
採用しており、不図示の配向層により所定の配向が維持
されている。この場合、液晶を駆動する電圧値が低く、
画素電極１３２６の電位の精度はさらに重要になってく
るため、本発明の回路、構成は有効であり、単板で画素
数も多く、従ってビデオ線の本数も多いため、カップリ
ング容量の削減は非常に有効となる。画素電極１３２６
はＡｌから成り、反射鏡を兼ねており、表面性を良くし
て反射率を向上させるため、パターニング後の最終工程
でいわゆるＣＭＰ処理を施している（詳しくは後述す
る）。The liquid crystal layer 1325 employs a so-called ECB mode nematic liquid crystal such as DAP or HAN adapted to the reflection type, and a predetermined alignment is maintained by an alignment layer (not shown). In this case, the voltage value for driving the liquid crystal is low,
Since the accuracy of the potential of the pixel electrode 1326 becomes even more important, the circuit and configuration of the present invention are effective. Since the number of pixels is large and the number of video lines is large in a single plate, the coupling capacitance can be reduced. Very effective. Pixel electrode 1326
Is made of Al and also serves as a reflecting mirror, and is subjected to a so-called CMP process in a final step after patterning in order to improve the surface properties and improve the reflectance (details will be described later).

【００７８】アクティブマトリックス駆動回路部１３２
７はいわゆるシリコン半導体基板１３２８上に設けられ
た半導体回路であり、上記画素電極１３２６をアクティ
ブマトリックス駆動するものであり、該回路マトリック
スの周辺部には、不図示のゲート線ドライバー（垂直レ
ジスター等）や信号線ドライバー（水平レジスター等）
が設けられている（詳しくは後述する）。これらの周辺
ドライバーおよびアクティブマトリックス駆動回路はＲ
ＧＢの各原色映像信号を所定の各ＲＧＢ画素に書き込む
ように構成されており、該各画素電極１３２６はカラー
フィルターは有さないものの、前記アクティブマトリッ
クス駆動回路にて書き込まれる原色映像信号により各Ｒ
ＧＢ画素として区別され、後述する所定のＲＧＢ画素配
列を形成している。Active matrix drive circuit section 132
Reference numeral 7 denotes a semiconductor circuit provided on a so-called silicon semiconductor substrate 1328 for driving the pixel electrode 1326 in an active matrix. A gate line driver (not shown) (not shown) is provided around the circuit matrix. And signal line driver (horizontal register etc.)
Is provided (details will be described later). These peripheral drivers and active matrix drive circuits are R
Each of the pixel electrodes 1326 does not have a color filter, but each of the RGB primary color video signals is written into the predetermined RGB pixel by the primary color video signal written by the active matrix driving circuit.
The pixels are distinguished as GB pixels, and form a predetermined RGB pixel array described later.

【００７９】ここで、液晶パネル１３０２に対して照明
するＧ光について見てみると、前述したようにＧ光はＰ
ＢＳ１３０３により偏光化されたのち該液晶パネル１３
０２に対して垂直に入射する。この光線のうち１つのマ
イクロレンズ１３２２ａに入射する光線例を図中の矢印
Ｇ（ｉｎ／ｏｕｔ）に示す。ここに図示されたように該
Ｇ光線はマイクロレンズ１３２２により集光され、Ｇ画
素電極１３２６ｇ上を照明する。そしてＡｌより成る該
画素電極１３２６ｇにより反射され、再び同じマイクロ
レンズ１３２２ａを通じてパネル外に出射していく。こ
のように液晶層１３２５を往復通過する際、該Ｇ光線
（偏光）は画素電極１３２６ｇに印加される信号電圧に
より対向電極１３２４との間に形成される電界による液
晶の動作により変調を受けて、該液晶パネルを出射し、
ＰＢＳ１３０３に戻る。Here, looking at the G light illuminating the liquid crystal panel 1302, the G light is P
The liquid crystal panel 13 after being polarized by the BS 1303
02 perpendicularly. An arrow G (in / out) in the drawing shows an example of a ray incident on one micro lens 1322a. As shown in the figure, the G light beam is collected by the micro lens 1322, and illuminates the G pixel electrode 1326g. Then, the light is reflected by the pixel electrode 1326g made of Al, and is emitted to the outside of the panel again through the same micro lens 1322a. When the G light (polarized light) reciprocates through the liquid crystal layer 1325 in this manner, the G light (polarized light) is modulated by the operation of the liquid crystal due to the electric field formed between the pixel electrode 1326g and the counter electrode 1324 by a signal voltage applied to the pixel electrode 1326g. Exit the liquid crystal panel,
It returns to PBS1303.

【００８０】ここで、その変調度合いによりＰＢＳ面１
３０３ａにて反射され、投影レンズ１３０１に向かう光
量が変化し、各画素のいわゆる濃淡階調表示がなされる
ことになる。一方、上述したように図１８中断面（ｙ−
ｚ面）内の斜め方向から入射してくるＲ光については、
やはりＰＢＳ１３０３により偏光されたのち、例えばマ
イクロレンズ１３２２ｂに入射するＲ光線に注目する
と、図中の矢印Ｒ（ｉｎ）で示したように、該マイクロ
レンズ１３２２ｂにより集光され、その真下よりも左側
にシフトした位置にあるＲ画素電極１３２６ｒ上を照明
する。そして該画素電極１３２６ｒにより反射され、図
示したように今度は隣（−ｚ方向）のマイクロレンズ１
３２２ａを通じて、パネル外に出射していく（Ｒ（ｏｕ
ｔ））。Here, the PBS surface 1 depends on the degree of modulation.
The amount of light reflected at 303a and traveling toward the projection lens 1301 changes, and so-called gray-scale gradation display of each pixel is performed. On the other hand, as described above, the section (y-
For R light incident from an oblique direction in the (z plane),
When attention is paid to, for example, an R ray incident on the microlens 1322b after being polarized by the PBS 1303, as shown by an arrow R (in) in the figure, the light is condensed by the microlens 1322b and is located on the left side immediately below. The R pixel electrode 1326r at the shifted position is illuminated. Then, the reflected light is reflected by the pixel electrode 1326r, and as shown in FIG.
322a and exits out of the panel (R (ou
t)).

【００８１】この際、該Ｒ光線（偏光）はやはり画素電
極１３２６ｒに印加される信号電圧により対向電極１３
２４との間に形成される画像信号に応じた電界による液
晶の動作により変調を受けて、該液晶パネルを出射し、
ＰＢＳ１３０３に戻る。そして、その後のプロセスは前
述のＧ光の場合と全く同じように、画像光を投影レンズ
１３０１から投影される。ところで、図１８の描写では
画素電極１３２６ｇ上と画素電極１３２６ｒ上の各Ｇ光
とＲ光の色光が１部重なり干渉しているようになってい
るが、これは模式的に液晶層の厚さを拡大誇張して描い
ているためであり、実際には該液晶層の厚さは１〜５μ
であり、シートガラス１３２３の５０〜１００μに比べ
て非常に薄く、画素サイズに関係なくこのような干渉は
起こらない。At this time, the R light (polarized light) is also applied to the opposite electrode 13 by the signal voltage applied to the pixel electrode 1326r.
The liquid crystal panel is modulated by the operation of the liquid crystal by an electric field corresponding to an image signal formed between the liquid crystal panel 24 and the liquid crystal panel, and is emitted from the liquid crystal panel.
It returns to PBS1303. In the subsequent process, the image light is projected from the projection lens 1301 in exactly the same manner as in the case of the G light described above. By the way, in the description of FIG. 18, the G light and the R light on the pixel electrode 1326g and the pixel electrode 1326r partially overlap each other and interfere with each other. This is schematically represented by the thickness of the liquid crystal layer. Is actually exaggerated, and the thickness of the liquid crystal layer is actually 1 to 5 μm.
This is very thin compared to 50-100 μm of the sheet glass 1323, and such interference does not occur regardless of the pixel size.

【００８２】次に、図１９に本例での色分解・色合成の
原理説明図を示す。ここで、図１９（ａ）は液晶パネル
１３０２の上面模式図、図１９（ｂ）、図１９（ｃ）は
それぞれ該液晶パネル上面模式図に対するＡ−Ａ′（ｘ
方向）断面模式図、Ｂ−Ｂ′（ｚ方向）断面模式図であ
る。ここで、マイクロレンズ１３２２は、図１９（ａ）
の一点鎖線に示すように、Ｇ光を中心として両隣接する
２色画素の半分ずつに対して１個が対応している。この
うち図１９（ｃ）はｙ−ｚ断面を表す上記図１８に対応
するものであり、各マイクロレンズ１３２２に入射する
Ｇ光とＲ光の入出射の様子を表している。これから判る
ように各Ｇ画素電極は各マイクロレンズの中心の真下に
配置され、各Ｒ画素電極は各マイクロレンズ間境界の真
下に配置されている。従ってＲ光の入射角はそのｔａｎ
θが画素ピッチ（Ｂ＆Ｒ画素）とマイクロレンズ・画素
電極間距離の比に等しくなるように設定するのが好まし
い。一方、図１９（ｂ）は該液晶パネル１３０２のｘ−
ｙ断面に対応するものである。このｘ−ｙ断面について
は、Ｂ画素電極とＧ画素電極とが図１９（ｃ）と同様に
交互に配置されており、やはり各Ｇ画素電極は各マイク
ロレンズ中心の真下に配置され、各Ｂ画素電極は各マイ
クロレンズ間境界の真下に配置されている。Next, FIG. 19 is a diagram for explaining the principle of color separation / color synthesis in this example. Here, FIG. 19A is a schematic top view of the liquid crystal panel 1302, and FIGS. 19B and 19C are AA ′ (x
3 is a schematic cross-sectional view of FIG. Here, the micro lens 1322 is formed as shown in FIG.
As shown by the one-dot chain line, one for each half of two adjacent two-color pixels centering on the G light. Among them, FIG. 19C corresponds to FIG. 18 showing the yz cross section, and shows how the G light and the R light incident on each micro lens 1322 enter and exit. As can be seen from this, each G pixel electrode is disposed directly below the center of each microlens, and each R pixel electrode is disposed directly below the boundary between microlenses. Therefore, the angle of incidence of the R light is
is preferably set to be equal to the ratio of the pixel pitch (B & R pixel) to the distance between the microlens and the pixel electrode. On the other hand, FIG.
This corresponds to the y section. In this xy cross section, the B pixel electrodes and the G pixel electrodes are alternately arranged as in FIG. 19C, and each G pixel electrode is arranged immediately below the center of each microlens. The pixel electrodes are arranged immediately below the boundaries between the microlenses.

【００８３】ところで該液晶パネルを照明するＢ光につ
いては、前述したようにＰＢＳ１３０３による偏光化
後、図１５中断面（ｘ−ｙ面）の斜め方向から入射して
くるため、Ｒ光の場合と全く同様に、各マイクロレンズ
１３２２から入射したＢ光線は、図示したようにＢ画素
電極１３２６ｂにより反射され、入射したマイクロレン
ズ１３２２に対して、ｘ方向に隣り合うマイクロレンズ
１３２２から出射する。Ｂ画素電極１３２６ｂ上の液晶
による変調や液晶パネルからのＢ出射光の投影について
は、前述のＧ光およびＲ光と同様である。As described above, the B light illuminating the liquid crystal panel is incident on the oblique direction of the cross section (xy plane) in FIG. 15 after being polarized by the PBS 1303 as described above. In exactly the same manner, the B ray incident from each microlens 1322 is reflected by the B pixel electrode 1326b as shown in the figure, and exits from the microlens 1322 adjacent to the incident microlens 1322 in the x direction. The modulation by the liquid crystal on the B pixel electrode 1326b and the projection of the B emission light from the liquid crystal panel are the same as the above-described G light and R light.

【００８４】また、各Ｂ画素電極１３２６ｂは各マイク
ロレンズ間境界の真下に配置されており、Ｂ光の液晶パ
ネルに対する入射角についても、Ｒ光と同様にそのｔａ
ｎθが画素ピッチ（Ｇ＆Ｂ画素）とマイクロレンズ・画
素電極間距離の比に等しくなるように設定するのが好ま
しい。ところで、本例液晶パネルでは以上述べたように
各ＲＧＢ画素の並びがｚ方向に対してはＲＧＲＧＲＧ…
の並びに、ｘ方向に対してはＢＧＢＧＢＧ…の並びとな
っているが、図１９（ａ）はその平面的な並びを示して
いる。このように各画素サイズは縦横共にマイクロレン
ズの約半分になっており、画素ピッチはｘ−ｚ両方向と
もにマイクロレンズのそれの半分になっている。また、
Ｇ画素は平面的にもマイクロレンズ中心の真下に位置
し、Ｒ画素はｚ方向のＧ画素間かつマイクロレンズ境界
に位置し、Ｂ画素はｘ方向のＧ画素間かつマイクロレン
ズ境界に位置している。また、１つのマイクロレンズ単
位の形状は矩形（画素の２倍サイズ）となっている。Each of the B pixel electrodes 1326b is disposed immediately below the boundary between the microlenses, and the incident angle of the B light to the liquid crystal panel is the same as that of the R light.
It is preferable to set nθ to be equal to the ratio between the pixel pitch (G & B pixel) and the distance between the microlens and the pixel electrode. By the way, in the liquid crystal panel of this example, as described above, the arrangement of each RGB pixel is RGRGRG in the z direction.
Are arranged in the x-direction, and FIG. 19A shows a planar arrangement thereof. As described above, each pixel size is about half of the microlens in both the vertical and horizontal directions, and the pixel pitch is half of that of the microlens in both the x and z directions. Also,
The G pixel is also located directly below the center of the microlens in plan view, the R pixel is located between the G pixels in the z direction and at the microlens boundary, and the B pixel is located between the G pixels in the x direction and at the microlens boundary. I have. Further, the shape of one microlens unit is rectangular (double the size of a pixel).

【００８５】図２０に本液晶パネルの部分拡大上面図を
示す。ここではマイクロレンズの１つは画素の３つに対
応して配されている。ここで図中の破線格子１３２９は
１つの絵素を構成するＲＧＢ画素のまとまりを示してい
る。つまり、図１８のアクティブマトリックス駆動回路
部１３２７により各ＲＧＢ画素が駆動される際、破線格
子１３２９で示されるＲＧＢ画素ユニットは同一画素位
置に対応したＲＧＢ映像信号にて駆動される。ここでＲ
画素電極１３２６ｒ、Ｇ画素電極１３２６ｇ、Ｂ画素電
極１３２６ｂから成る１つの絵素に注目してみると、ま
ずＲ画素電極１３２６ｒは矢印ｒ１で示されるようにマ
イクロレンズ１３２２ｂから前述したように斜めに入射
するＲ光で照明され、そのＲ反射光は矢印ｒ−２で示す
ようにマイクロレンズ１３２２ａを通じて出射する。Ｂ
画素電極１３２６ｂは矢印ｂ１で示されるようにマイク
ロレンズ１３２２ｃから前述したように斜めに入射する
Ｂ光で照明され、そのＢ反射光は矢印ｂ２で示すように
やはりマイクロレンズ１３２２ａを通じて出射する。ま
たＧ画素電極１３２６ｇは正面後面矢印ｇ１２で示され
るように、マイクロレンズ１３２２ａから前述したよう
に垂直（紙面奥へ向かう方向）に入射するＧ光で照明さ
れ、そのＧ反射光は同じマイクロレンズ１３２２ａを通
じて垂直に（紙面手前に出てくる方向）出射する。FIG. 20 is a partially enlarged top view of the present liquid crystal panel. Here, one of the microlenses is arranged corresponding to three of the pixels. Here, a broken-line grid 1329 in the figure indicates a group of RGB pixels constituting one picture element. That is, when each RGB pixel is driven by the active matrix driving circuit unit 1327 in FIG. 18, the RGB pixel unit indicated by the broken-line lattice 1329 is driven by the RGB video signal corresponding to the same pixel position. Where R
Focusing on one pixel composed of the pixel electrode 1326r, the G pixel electrode 1326g, and the B pixel electrode 1326b, first, the R pixel electrode 1326r is obliquely incident from the microlens 1322b as shown by the arrow r1 as described above. The reflected R light is emitted through the microlens 1322a as indicated by an arrow r-2. B
The pixel electrode 1326b is illuminated with the B light obliquely incident from the microlens 1322c as shown by the arrow b1 as described above, and the B reflected light is also emitted through the microlens 1322a as shown by the arrow b2. Further, the G pixel electrode 1326g is illuminated with the G light incident vertically (in the direction toward the back of the paper) from the micro lens 1322a as described above, as indicated by the front rear arrow g12, and the G reflected light is the same micro lens 1322a. Vertically (in the direction coming out of the page).

【００８６】このように、本液晶パネルにおいては、１
つの絵素を構成するＲＧＢ画素ユニットについて、各原
色照明光の入射照明位置は異なるものの、それらの出射
については、同じマイクロレンズ（この場合は１３２２
ａ）から行われる。そしてこのことはその他の全ての絵
素（ＲＧＢ画素ユニット）についても成り立っている。As described above, in the present liquid crystal panel, 1
Regarding the RGB pixel units constituting one picture element, although the incident illumination position of each primary color illumination light is different, their emission is the same micro lens (1322 in this case).
a). This is also true for all other picture elements (RGB pixel units).

【００８７】従って、図２１に示すように本液晶パネル
からの全出射光をＰＢＳ１３０３および投影レンズ１３
０１を通じて、スクリーン１３０９に投写するに際し
て、液晶パネル１３０２内のマイクロレンズ１３２２の
位置がスクリーン１３０９上に結像投影されるように光
学調整すると、その投影画像は図２３に示すようなマイ
クロレンズの格子内に各絵素を構成する該ＲＧＢ画素ユ
ニットからの出射光が混色した状態つまり同画素混色し
た状態の絵素を構成単位としたものとなる。そして、前
述した従来例のようないわゆるＲＧＢモザイクが無い、
質感の高い良好なカラー画像表示が可能となる。Therefore, as shown in FIG. 21, all the light emitted from the present liquid crystal panel is transmitted to the PBS 1303 and the projection lens 13.
When the image is projected onto the screen 1309 through the optical system 01, the position of the micro lens 1322 in the liquid crystal panel 1302 is optically adjusted so that the image is projected on the screen 1309. Each of the picture elements has a mixed state of the light emitted from the RGB pixel units constituting each picture element, that is, a picture element in a mixed color state of the same pixel. And there is no so-called RGB mosaic as in the conventional example described above.
Good color image display with high texture is possible.

【００８８】つぎに、図１８に示すように、アクティブ
マトリックス駆動回路部１３２７は各画素電極１３２６
の下に存在するため、図１８の回路断面図上では絵素を
構成する各ＲＧＢ画素は単純に横並びに描かれている
が、各画素ＦＥＴのドレインは、図２０に示したような
２次元的配列の各ＲＧＢ画素電極１３２６に接続してい
る。Next, as shown in FIG. 18, the active matrix driving circuit 1327 is connected to each pixel electrode 1326.
18, each RGB pixel constituting a picture element is simply drawn side by side on the circuit cross-sectional view of FIG. 18, but the drain of each pixel FET has a two-dimensional structure as shown in FIG. 20. To each of the RGB pixel electrodes 1326 in a specific arrangement.

【００８９】ところで、本投写型液晶表示装置の駆動回
路系についてその全体ブロック図を図２２に示す。ここ
で、１３１０はパネルドライバーであり、ＲＧＢ映像信
号を極性反転し、かつ所定の電圧増幅をした液晶駆動信
号を形成するとともに、対向電極１３２４の駆動信号、
各種タイミング信号等を形成している。１３１２はイン
ターフェースであり、各種映像及び制御伝送信号を標準
映像信号等にデコードしている。また、１３１１はデコ
ーダーであり、インターフェース１３１２からの標準映
像信号をＲＧＢ原色映像信号及び同期信号に、即ち液晶
パネル１３０２に対応した画像信号にデコード・変換し
ている。１３１４はバラストであり、楕円リフレクター
１３０７内のアークランプ１３０８を駆動点灯する。１
３１５は電源回路であり、各回路ブロックに対して電源
を供給している。１３１３は不図示の操作部を内在した
コントローラーであり、上記各回路ブロックを総合的に
コントロールするものである。このように本投写型液晶
表示装置は、その駆動回路系は単板式プロジェクターと
しては、ごく一般的なものであり、特に駆動回路系に負
担を掛けることなく、前述したようなＲＧＢモザイクの
無い良好な質感のカラー画像を表示することができるも
のである。FIG. 22 shows an overall block diagram of a driving circuit system of the projection type liquid crystal display device. Here, reference numeral 1310 denotes a panel driver which inverts the polarity of an RGB video signal and forms a liquid crystal drive signal obtained by a predetermined voltage amplification.
Various timing signals are formed. An interface 1312 decodes various video and control transmission signals into standard video signals and the like. Reference numeral 1311 denotes a decoder which decodes and converts a standard video signal from the interface 1312 into an RGB primary color video signal and a synchronization signal, that is, an image signal corresponding to the liquid crystal panel 1302. Reference numeral 1314 denotes a ballast for driving and lighting an arc lamp 1308 in the elliptical reflector 1307. 1
A power supply circuit 315 supplies power to each circuit block. Reference numeral 1313 denotes a controller including an operation unit (not shown), which comprehensively controls the respective circuit blocks. As described above, in the present projection type liquid crystal display device, the drive circuit system is very common as a single-panel type projector. It is possible to display a color image with a natural texture.

【００９０】ところで図２４に本実施形態における液晶
パネルの別形態の部分拡大上面図を示す。ここではマイ
クロレンズ１３２２の中心真下位置にＢ画素電極１３２
６ｂを配列し、それに対し左右方向にＧ画素１３２６ｇ
が交互に並ぶように、上下方向にＲ画素１３２６ｒが交
互に並ぶように配列している。このように配列しても、
絵素を構成するＲＧＢ画素ユニットからの反射光が１つ
の共通マイクロレンズから出射するように、Ｂ光を垂直
入射、Ｒ／Ｇ光を斜め入射（同角度異方向）とすること
により、前例と全く同様な効果を得ることができる。ま
た、さらにマイクロレンズ１３２２の中心真下位置にＲ
画素を配列しその他の色画素を左右または上下方向にＲ
画素に対してＧ，Ｂ画素を交互に並ぶようにしても良
い。 （実施例５）図２５に本発明に係わる液晶パネルの第５
の実施例を示す。同図は本液晶パネル１３２０の部分拡
大断面図である。前記第４の実施例との相違点を述べる
と、まず対向ガラス基板としてシートガラス１３２３を
用いており、マイクロレンズ１２２０については、シー
トガラス１３２３上に熱可塑性樹脂を用いたいわゆるリ
フロー法により形成している。さらに、非画素部にスペ
ーサー柱１２５１を感光性樹脂のフォトリソグラフィー
にて形成している。該液晶パネル１３２０の部分上面図
を図２６（ａ）に示す。この図から判るようにスペーサ
ー柱１２５１は所定の画素のピッチでマイクロレンズ１
２２０の角隅部の非画素領域に形成されている。このス
ペーサー柱１２５１を通るＡ−Ａ′断面図を図２６
（ｂ）に示す。このスペーサー柱１２５１の形成密度に
ついては１０〜１００画素ピッチでマトリックス状に設
けるのが好ましく、シートガラス１３２３の平面性と液
晶の注入性というスペーサー柱数に対して相反するパラ
メーターを共に満足するように設定する必要がある。ま
た本実施形態では金属膜パターンによる遮光層１２２１
を設けており、各マイクロレンズ境界部分からの漏れ光
の進入を防止している。これにより、このような漏れ光
による投影画像の彩度低下（各原色画像光の混色によ
る）やコントラスト低下が防止される。従って本液晶パ
ネル１３２０を用いて、本実施形態の如き液晶パネルを
備えた投写型表示装置を構成することにより、さらにメ
リハリのある良好な画質が得られるようになる。FIG. 24 is a partially enlarged top view of another embodiment of the liquid crystal panel according to the present embodiment. Here, the B pixel electrode 132 is located just below the center of the micro lens 1322.
6b, and G pixels 1326g in the left-right direction.
Are alternately arranged in the vertical direction so that the R pixels 1326r are alternately arranged in the vertical direction. Even with this arrangement,
By making the B light vertically incident and the R / G light obliquely incident (different directions at the same angle) so that the reflected light from the RGB pixel unit constituting the picture element is emitted from one common microlens, Exactly the same effect can be obtained. Further, R is located just below the center of the micro lens 1322.
Arrange the pixels and set the other color pixels in the
G and B pixels may be arranged alternately with respect to the pixels. (Embodiment 5) FIG. 25 shows a fifth embodiment of the liquid crystal panel according to the present invention.
The following shows an example. This figure is a partially enlarged sectional view of the present liquid crystal panel 1320. The difference from the fourth embodiment is as follows. First, a sheet glass 1323 is used as the facing glass substrate, and the microlenses 1220 are formed on the sheet glass 1323 by a so-called reflow method using a thermoplastic resin. ing. Further, spacer columns 1251 are formed in non-pixel portions by photolithography of a photosensitive resin. FIG. 26A shows a partial top view of the liquid crystal panel 1320. As can be seen from this figure, the spacer pillars 1251 are provided with the micro lens 1 at a predetermined pixel pitch.
220 are formed in the non-pixel region at the corners. FIG. 26 is a sectional view taken along the line AA ′ passing through the spacer pillar 1251.
(B). The formation density of the spacer pillars 1251 is preferably provided in a matrix at a pitch of 10 to 100 pixels, so that both the flatness of the sheet glass 1323 and the liquid crystal injection property, which are inconsistent with the number of spacer pillars, are satisfied. Must be set. In the present embodiment, the light-shielding layer 1221 formed of a metal film pattern is used.
Is provided to prevent leakage light from entering the boundary between the microlenses. As a result, a decrease in the saturation of the projected image (due to the mixing of the primary color image light) and a decrease in the contrast due to the leak light are prevented. Therefore, by using the present liquid crystal panel 1320 to configure a projection display device including the liquid crystal panel as in the present embodiment, it is possible to obtain sharper and better image quality.

【００９１】[0091]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
液晶表示装置の対向ガラスの少なくとも一方の面に形成
された反射防止膜もしくは対向電極の面積を低減化する
ことにより、対向ガラスのそりを制御し均一なギャップ
を形成し表示むらの少ない液晶表示装置を簡便かつ安価
に実現できる効果がある。As described above, according to the present invention,
Liquid crystal display device with reduced display unevenness by controlling the warpage of the opposite glass to form a uniform gap by reducing the area of the antireflection film or the opposite electrode formed on at least one surface of the opposite glass of the liquid crystal display device Can be easily and inexpensively realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の液晶表示装置の断面図である。FIG. 1 is a sectional view of a liquid crystal display device of the present invention.

【図２】本発明の液晶表示装置の平面図および断面図で
ある。FIG. 2 is a plan view and a cross-sectional view of the liquid crystal display device of the present invention.

【図３】反射防止膜の面積を変化させた時のそり量の依
存性を示したグラフである。FIG. 3 is a graph showing the dependence of the amount of warpage when the area of the antireflection film is changed.

【図４】そり量の定義を示した図である。FIG. 4 is a diagram showing a definition of a warpage amount.

【図５】セルギャップのそり量の依存性を示したグラフ
である。FIG. 5 is a graph showing the dependence of the cell gap on the amount of warpage.

【図６】本発明の液晶表示装置の平面図である。FIG. 6 is a plan view of the liquid crystal display device of the present invention.

【図７】本発明によるＣＭＰにより製造される液晶素子
の断面図である。FIG. 7 is a sectional view of a liquid crystal device manufactured by CMP according to the present invention.

【図８】本発明による液晶装置の概略的回路図である。FIG. 8 is a schematic circuit diagram of a liquid crystal device according to the present invention.

【図９】本発明による液晶装置のブロック図である。FIG. 9 is a block diagram of a liquid crystal device according to the present invention.

【図１０】本発明による液晶装置の入力部のディレイ回
路を含む回路図である。FIG. 10 is a circuit diagram including a delay circuit of an input unit of the liquid crystal device according to the present invention.

【図１１】本発明による液晶装置の液晶パネルの概念図
である。FIG. 11 is a conceptual diagram of a liquid crystal panel of a liquid crystal device according to the present invention.

【図１２】本発明による液晶装置の製造上のエッチング
処理の良否を判断するグラフである。FIG. 12 is a graph for judging pass / fail of an etching process in manufacturing a liquid crystal device according to the present invention.

【図１３】本発明による液晶装置を用いた液晶プロジェ
クターの概念図である。FIG. 13 is a conceptual diagram of a liquid crystal projector using the liquid crystal device according to the present invention.

【図１４】本発明による液晶プロジェクターの内部を示
す回路ブロック図である。FIG. 14 is a circuit block diagram showing the inside of the liquid crystal projector according to the present invention.

【図１５】本発明による投写型液晶表示装置の光学系の
実施形態を示す全体構成図である。FIG. 15 is an overall configuration diagram showing an embodiment of an optical system of a projection type liquid crystal display device according to the present invention.

【図１６】本発明による投写型液晶表示装置の光学系に
用いたダイクロイックミラーの分光反射特性図である。FIG. 16 is a spectral reflection characteristic diagram of a dichroic mirror used in an optical system of a projection type liquid crystal display device according to the present invention.

【図１７】本発明による投写型液晶表示装置の光学系の
色分解照明部の斜視図である。FIG. 17 is a perspective view of a color separation illumination unit of the optical system of the projection type liquid crystal display device according to the present invention.

【図１８】本発明による液晶パネルの一実施形態の断面
図である。FIG. 18 is a sectional view of one embodiment of a liquid crystal panel according to the present invention.

【図１９】本発明による液晶パネルの色分解・色合成の
原理説明図である。FIG. 19 is a diagram illustrating the principle of color separation and color synthesis of a liquid crystal panel according to the present invention.

【図２０】本発明による一実施形態の液晶パネルの部分
拡大上面図である。FIG. 20 is a partially enlarged top view of a liquid crystal panel according to an embodiment of the present invention.

【図２１】本発明による投写型液晶表示装置の投影光学
系を示す部分構成図である。FIG. 21 is a partial configuration diagram showing a projection optical system of a projection type liquid crystal display device according to the present invention.

【図２２】本発明による投写型液晶表示装置の駆動回路
系を示すブロック図である。FIG. 22 is a block diagram showing a driving circuit system of the projection type liquid crystal display device according to the present invention.

【図２３】本発明による投写型液晶表示装置のスクリー
ン上投影像の部分拡大図である。FIG. 23 is a partially enlarged view of a projected image on a screen of the projection type liquid crystal display device according to the present invention.

【図２４】本発明による一実施形態の液晶パネルの部分
断面図である。FIG. 24 is a partial sectional view of a liquid crystal panel according to an embodiment of the present invention.

【図２５】本発明による一実施形態の液晶パネルの部分
拡大上面図である。FIG. 25 is a partially enlarged top view of the liquid crystal panel of one embodiment according to the present invention.

【図２６】本発明による一実施形態の液晶パネルの部分
拡大上面図と断面図である。FIG. 26 is a partially enlarged top view and a sectional view of a liquid crystal panel of one embodiment according to the present invention.

【図２７】液晶装置の液晶パネルの光束進行方向を示す
概念図である。FIG. 27 is a conceptual diagram showing a light beam traveling direction of a liquid crystal panel of a liquid crystal device.

【図２８】液晶装置の液晶パネルのカラー画素構成図で
ある。FIG. 28 is a configuration diagram of a color pixel of a liquid crystal panel of a liquid crystal device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１０１ 半導体基板 １０２ 対向ガラス １０３ シール材 １０４ 反射防止膜 １０５ 透明電極 １０６ 液晶 １０７ 有効表示領域 １０８ 導電性ペースト １０９ 電極 ２０１ａ 透明電極の配線部分 ３０１ 半導体基板 ３０２，３０２’ ｐ型及びｎ型ウェル ３０３，３０３’ ソース領域 ３０４ ゲート領域 ３０５，３０５’ ドレイン領域 ３０６ ＬＯＣＯＳ絶縁層 ３０７ 遮光層 ３０８ ＰＳＧ ３０９ プラズマＳｉＮ ３１０ ソース電極 ３１１ 連結電極 ３１２ 反射電極＆画素電極 ３１３ 反射防止膜 ３１４ 液晶層 ３１５ 共通透明電極 ３１６ 対向電極 ３１７，３１７’ 高濃度不純物領域 ３１９ 表示領域 ３２０ 反射防止膜 ３２１，３２２ シフトレジスタ ３２３ ｎＭＯＳ ３２４ ｐＭＯＳ ３２５ 保持容量 ３２７ 信号転送スイッチ ３２８ リセットスイッチ ３２９ リセットパルス入力端子 ３３０ リセット電源端子 ３３１ 映像信号入力端子 ３３２ 昇圧レベルシフター ３４２ パルスｄｅｌａｙ用インバータ ３４３ スイッチ ３４４ 出力 ３４５ 容量 ３４６ 保護回路 ３５１ シール部 ３５２ 電極パッド ３５３ クロックバッファー ３７１ 光源 ３７２ 集光レンズ ３７３，３７５ フレネルレンズ ３７４ 色分解光学素子 ３７６ ミラー ３７７ 視野レンズ ３７８ 液晶装置 ３７９ 絞り部 ３８０ 投影レンズ ３８１ スクリーン ３８５ 電源 ３８６ プラグ ３８７ ランプ温度検出 ３８８ 制御ボード ３８９ フィルタ安全スイッチ ４５３ メインボード ４５４ 液晶パネルドライブヘッドボード ４５５，４５６，４５７ 液晶装置 １２２０ マイクロレンズ（リフロー熱ダレ式） １２５１ スペーサー柱 １２５２ 周辺シール部 １３０１ 投影レンズ １３０２ マイクロレンズ付液晶パネル １３０３ 偏光ビームスプリッター（ＰＢＳ） １３０６ ロッド型インテグレータ １３０７ 楕円リフレクター １３０８ アークランプ １３０９ スクリーン １３１０ パネルドライバー １３１１ デコーダー １３１２ インターフェース回路 １３１４ バラスト（アークランプ点灯回路） １３２０ マイクロレンズ付液晶パネル １３２１ マイクロレンズガラス基板 １３２２ マイクロレンズ（インデックス分布式） １３２３ シートガラス １３２４ 対向透明電極 １３２５ 液晶 １３２６ 画素電極 １３２７ アクティブマトリックス駆動回路部 １３２８ シリコン半導体基板 １３２９ 基本絵素単位 １３３０ 反射防止膜 １３４０ Ｒ反射ダイクロイックミラー １３４１ Ｂ／Ｇ反射ダイクロイックミラー １３４２ Ｂ反射ダイクロイックミラー １３４３ 高反射ミラー １３５０ フレネルレンズ（第２コンデンサーレンズ） １３５１ 第１コンデンサーレンズ Reference Signs List 101 semiconductor substrate 102 facing glass 103 sealing material 104 antireflection film 105 transparent electrode 106 liquid crystal 107 effective display area 108 conductive paste 109 electrode 201a transparent electrode wiring portion 301 semiconductor substrate 302, 302 ′ p-type and n-type wells 303, 303 'Source region 304 Gate region 305, 305' Drain region 306 LOCOS insulating layer 307 Light shielding layer 308 PSG 309 Plasma SiN 310 Source electrode 311 Connecting electrode 312 Reflecting electrode & pixel electrode 313 Antireflection film 314 Liquid crystal layer 315 Common transparent electrode 316 Counter electrode 317, 317 ′ High-concentration impurity region 319 Display region 320 Anti-reflection film 321 322 Shift register 323 nMOS 324 pMOS 325 Storage capacitor 327 Signal transfer switch 328 Set switch 329 Reset pulse input terminal 330 Reset power supply terminal 331 Video signal input terminal 332 Boost level shifter 342 Inverter for pulse delay 343 Switch 344 Output 345 Capacity 346 Protection circuit 351 Seal section 352 Electrode pad 353 Clock buffer 371 Light source 372 Condenser lens 373 , 375 Fresnel lens 374 Color separation optical element 376 Mirror 377 Field lens 378 Liquid crystal device 379 Aperture unit 380 Projection lens 381 Screen 385 Power supply 386 Plug 387 Lamp temperature detection 388 Control board 389 Filter safety switch 453 Main board 454 Liquid crystal panel drive head board 455 , 456, 457 Liquid crystal device 1220 Micro lens (reflow heat sag type) 125 Spacer pillar 1252 Peripheral seal 1301 Projection lens 1302 Liquid crystal panel with micro lens 1303 Polarizing beam splitter (PBS) 1306 Rod integrator 1307 Elliptical reflector 1308 Arc lamp 1309 Screen 1310 Panel driver 1311 Decoder 1312 Interface circuit 1314 Ballast (Ar lamp lighting circuit) 1320 Liquid crystal panel with micro lens 1321 Micro lens glass substrate 1322 Micro lens (index distribution type) 1323 Sheet glass 1324 Opposite transparent electrode 1325 Liquid crystal 1326 Pixel electrode 1327 Active matrix drive circuit section 1328 Silicon semiconductor substrate 1329 Basic picture element unit 1330 Antireflection film 1340 R reflection dichroic Kumira 1341 B / G reflecting dichroic mirror 1342 B reflecting dichroic mirror 1343 high reflection mirror 1350 Fresnel lens (second condenser lens) 1351 first condenser lens

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 液状表示媒体に近接する面と対向する面
に薄膜層を有する第１の基板と、有効表示領域となる画
素領域を有する第２の基板とが前記液晶表示媒体を介し
て対向されてなる表示装置において、 前記薄膜層が前記有効表示領域の直上を覆う形状を有
し、かつ前記薄膜層が前記第１の基板の片面の面積より
も小さい領域に形成されていることを特徴とする表示装
置。1. A first substrate having a thin film layer on a surface facing a surface close to a liquid display medium, and a second substrate having a pixel region serving as an effective display region are opposed to each other via the liquid crystal display medium. Wherein the thin film layer has a shape covering directly above the effective display area, and the thin film layer is formed in a region smaller than the area of one surface of the first substrate. Display device. 【請求項２】 液状表示媒体に近接する面に少なくとも
透明な電極を含む第１の薄膜層を有し、その対向する面
に第２の薄膜層を有する第１の基板と、有効表示領域と
なる画素領域を有する第２の基板とが前記液晶表示媒体
を介して対向されてなる表示装置において、 前記第１の薄膜層と前記第２の薄膜層とが前記第２の基
板の有効表示領域の直上を覆う形状を有し、かつ前記第
１の薄膜層と前記第２の薄膜層との双方が前記第１の基
板の片面の面積よりも小さい領域に形成されていること
を特徴とする表示装置。2. A first substrate having a first thin film layer including at least a transparent electrode on a surface close to a liquid display medium and a second thin film layer on a surface facing the first thin film layer; In a display device in which a second substrate having a pixel region is opposed to each other with the liquid crystal display medium interposed therebetween, the first thin film layer and the second thin film layer are effective display regions of the second substrate. Wherein the first thin film layer and the second thin film layer are both formed in a region smaller than the area of one surface of the first substrate. Display device. 【請求項３】 液状表示媒体に近接する面に少なくとも
透明な電極を含む第１の薄膜層を有し、その対向する面
に第２の薄膜層を有する第１の基板と、有効表示領域と
なる画素領域を有する第２の基板とが前記液晶表示媒体
を介して対向されてなるとともに、前記第１の薄膜層と
前記第２の基板とを電気的かつ空間的に接続する導電物
質を備えた表示装置において、 前記第１の薄膜層と前記第２の薄膜層とが前記第２の基
板の有効表示領域の直上を覆う形状を有し、かつ第１の
薄膜層と第２の薄膜層の双方が第１の基板の片面の面積
よりも小さい領域に形成され、かつ前記導電物質と前記
第１の薄膜層とを電気的に接続するための配線部分が設
けられていることを特徴とする表示装置。3. A first substrate having a first thin film layer including at least a transparent electrode on a surface adjacent to a liquid display medium and a second thin film layer on a surface facing the first thin film layer; A second substrate having a pixel region having a conductive material that electrically and spatially connects the first thin film layer and the second substrate with the second substrate facing the second substrate via the liquid crystal display medium. In the display device, the first thin film layer and the second thin film layer have a shape that covers the effective display area of the second substrate immediately above, and the first thin film layer and the second thin film layer Are formed in a region smaller than the area of one surface of the first substrate, and a wiring portion for electrically connecting the conductive material and the first thin film layer is provided. Display device. 【請求項４】 請求項１に記載の表示装置において、前
記第１の基板及び前記第２の基板との間に一定の間隔を
得るためのシール材を有し、該シール材として紫外線も
しくは紫外線を補助的に用いて硬化させる材料を用い、
前記薄膜層は、前記第２の基板の有効表示領域の直上を
覆う形状を有するとともに、該シール材により囲まれた
領域内に形成されていることを特徴とする表示装置。4. The display device according to claim 1, further comprising: a sealing material for obtaining a predetermined distance between the first substrate and the second substrate, wherein the sealing material is ultraviolet light or ultraviolet light. Using a material that is cured by using
The display device, wherein the thin film layer has a shape that covers the area directly above the effective display area of the second substrate, and is formed in an area surrounded by the sealant. 【請求項５】 請求項２または請求項３に記載の表示装
置において、前記第１の基板及び前記第２の基板との間
に一定の間隔を得るためのシール材を有し、該シール材
として紫外線もしくは紫外線を補助的に用いて硬化させ
る材料を用い、第２の薄膜層は、前記第２の基板の有効
表示領域の直上を覆う形状を有するとともに、該シール
材により囲まれた領域内に形成されていることを特徴と
する表示装置。5. The display device according to claim 2, further comprising: a sealing material for obtaining a fixed distance between the first substrate and the second substrate. The second thin film layer has a shape that covers just above the effective display area of the second substrate, and a region surrounded by the sealing material. A display device characterized by being formed in. 【請求項６】 請求項１に記載の表示装置であって、前
記第１の基板の液状表示媒体に近接する面に少なくとも
透明な電極を含む薄膜層を有し、該透明な電極を含む薄
膜層が前記第１の基板上で、長方形を除くおおむね点対
称な形状を有していることを特徴とする表示装置。6. The display device according to claim 1, further comprising a thin film layer including at least a transparent electrode on a surface of the first substrate close to the liquid display medium, wherein the thin film includes the transparent electrode. The display device, wherein the layer has a substantially point-symmetric shape excluding a rectangle on the first substrate. 【請求項７】 請求項２〜５のいずれかの請求項に記載
の表示装置であって、前記第１の薄膜層が前記第１の基
板上で、長方形を除くおおむね点対称な形状を有してい
ることを特徴とする表示装置。7. The display device according to claim 2, wherein the first thin-film layer has a substantially point-symmetrical shape excluding a rectangle on the first substrate. A display device, comprising: 【請求項８】 請求項１〜７のいずれかの請求項に記載
の液状表示媒体は液晶であることを特徴とする液晶表示
装置。8. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the liquid display medium is a liquid crystal. 【請求項９】 請求項８に記載の液晶表示装置が反射型
であることを特徴とする液晶表示装置。9. A liquid crystal display device according to claim 8, wherein the liquid crystal display device is of a reflection type. 【請求項１０】 請求項８または請求項９に記載の液晶
が高分子分散型液晶であることを特徴とする液晶表示装
置。10. A liquid crystal display device, wherein the liquid crystal according to claim 8 is a polymer dispersed liquid crystal. 【請求項１１】 請求項１０に記載の液晶表示装置にお
いて、前記第１の基板のそり量が５．５μｍ以下である
ことを特徴とする液晶表示装置。11. The liquid crystal display device according to claim 10, wherein the first substrate has a warpage of 5.5 μm or less. 【請求項１２】 請求項８〜１１のいずれかの請求項に
記載の液晶表示装置を用いたことを特徴とする液晶プロ
ジェクター。12. A liquid crystal projector using the liquid crystal display device according to any one of claims 8 to 11.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6812051B2 (en) * 2001-05-21 2004-11-02 Nec Corporation Method of forming an epitaxially grown nitride-based compound semiconductor crystal substrate structure and the same substrate structure
JP2007147814A (en) * 2005-11-25 2007-06-14 Seiko Epson Corp Light emitting device and its manufacturing method, and electronic equipment
JP2012190035A (en) * 2002-06-10 2012-10-04 E Ink Corp Component part and method for forming and testing electro-optical display device

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6812051B2 (en) * 2001-05-21 2004-11-02 Nec Corporation Method of forming an epitaxially grown nitride-based compound semiconductor crystal substrate structure and the same substrate structure
US7196399B2 (en) 2001-05-21 2007-03-27 Nec Corporation Epitaxially grown nitride-based compound semiconductor crystal substrate structure with low dislocation density
JP2012190035A (en) * 2002-06-10 2012-10-04 E Ink Corp Component part and method for forming and testing electro-optical display device
JP2014112250A (en) * 2002-06-10 2014-06-19 E Ink Corp Component and method for forming and testing electro-optic display device
JP2014225043A (en) * 2002-06-10 2014-12-04 イー インク コーポレイション Component and method for forming and testing electro-optical display device
US9563099B2 (en) 2002-06-10 2017-02-07 E Ink Corporation Components and methods for use in electro-optic displays
US9733540B2 (en) 2002-06-10 2017-08-15 E Ink Corporation Components and methods for use in electro-optic displays
US9778536B2 (en) 2002-06-10 2017-10-03 E Ink Corporation Components and methods for use in electro-optic displays
US11294255B2 (en) 2002-06-10 2022-04-05 E Ink Corporation Components and methods for use in electro-optic displays
JP2007147814A (en) * 2005-11-25 2007-06-14 Seiko Epson Corp Light emitting device and its manufacturing method, and electronic equipment

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