JPH11125728A - パターン作製方法 - Google Patents
パターン作製方法Info
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Abstract
ッジ側壁を実現することができ、例えば伝搬損失の低い
光導波路の作製が可能なエッチングマスク層を形成する
パターン作製方法を提供する。 【解決手段】基板(ニオブ酸リチウム、シリコンまたは
ガリウム・ヒ素)の基板表面の一部分をエッチングし
て、基板上に突起形状のリッジパターンを形成する方法
であって、基板上に、金属材料(チタン、タンタルまた
はニッケル)よりなる薄膜層を形成し、この上に、酸化
物材料(酸化ケイ素、酸化アルミニウムまたは酸化チタ
ン)よりなる中間薄膜層を介して、金属材料よりなる薄
膜層を1回、もしくは複数回繰り返し積層する工程と、
この積層膜を一度のエッチングプロセスで、設定のパタ
ーンを有するエッチングマスク層を形成する工程を含む
パターン作製方法とする。
Description
さを掘り下げることにより、該基板上に突起部分を有す
るリッジ構造の光制御素子を作製するためのエッチング
マスク層を形成するパターン作製方法に関する。
パターンを作製し、これを利用して広帯域光変調を可能
にしたマッハツェンダ形のTi(チタン)熱拡散LiN
bO3(ニオブ酸リチウム)光変調器として、図3
(a)および図3(b)に示される速度整合形の光変調
器がある(K.Noguchi,他、“A Broadband Ti:LiNbO3 o
ptical modulator with a ridge structure,”IEEE Jou
rnal ofLightwave Technology,Vol.LT−13,pp.1164−11
68,1995)。なお、図3(a)は平面図、図3(b)
は、図3(a)のA−A断面図である。上記従来例で
は、電気光学効果を有するz軸カットLiNbO3基板
1にTi熱拡散により、マッハツェンダ形のTi熱拡散
光導波路2が形成されている。これは、LiNbO3基
板1の上に、SiO2よりなるバッファ層3が形成され
(図3(a)では省略)、さらに、そのバッファ層3の
上に中心導体(中心電極)であるCPW電極4、および
アース導体(アース電極)であるCPW電極5から構成
されているコプレーナウェーブガイド(CPW)形の進
行波電極が形成されている。6は、CPW電極4と5と
の間に接続された終端抵抗、7は、CPW電極4と5と
に接続され、変調用マイクロ波信号を、これらCPW電
極4および5に供給する変調用マイクロ波信号給電線
(給電用同軸線)である。さらに、CPW電極4を構成
する中心導体およびCPW電極5のアース導体近傍のマ
イクロ波電界強度の強い領域の基板部分を、図3(b)
に示すように、エッチングなどにより掘り込んで、リッ
ジ(突起)構造を形成している。すなわち、エッチング
などで掘り込むことにより、マイクロ波電界強度の強い
領域の基板部分を突起状に形成するものである。このよ
うにして、突起状のリッジ部分8を形成したLiNbO
3基板1の表面上に、バッファ層3を設ける。この際、
突起状のリッジ部分8上の二つのTi熱拡散光導波路2
のうちの一方を、バッファ層3を介して中心導体である
CPW電極4の真下に配置し、他方の光導波路2をアー
ス導体であるCPW電極5の真下に配置する構成とす
る。図3(a)、(b)に示したTi熱拡散LiNbO
3光変調器では、CPW電極4および5の厚みをある程
度厚くして、マイクロ波実効屈折率nmの値を下げる一
方、その時に付随して低下する特性インピーダンスZ
を、リッジ構造の掘り込み深さを3μm〜4μmと深く
することにより上昇させ、これにより外部回路とのイン
ピーダンスの整合を図っている。特に、リッジ構造を採
用しているので、マイクロ波実効屈折率nmも低下して
おり、したがってマイクロ波と光との完全な速度整合を
実現するのに必要なCPW電極4、5の厚みは、掘り込
みのない場合に比べて薄くてもよい。したがって、進行
波電極であるCPW電極4、5の厚みを厚くすることに
よって生じる特性インピーダンスZの低下も小さく抑え
ることができると共に、進行波電極であるCPW電極4
および5の作製も容易となり、さらには、マイクロ波伝
搬損失の増大を抑えることができるなどの利点が得られ
る。図3(a)、(b)に示したTi熱拡散LiNbO
3光変調器は、一例として次の図4(a)〜(f)に示
すプロセスで作製される。なお、図4は従来のリッジ構
造の光導波路の作製過程を基板の断面状態により示した
ものである。図4(a)は、LiNbO3基板1上に、
Ti熱拡散光導波路2が形成され状態を示す。これに、
厚さ1μm程度のTi膜9を全面に形成し〔図4
(b)〕、通常のフォトプロセスにより掘り込み部分が
溝となったレジストパターン10をTi膜9上に形成す
る〔図4(c)〕。その後、レジストパターン10をマ
スクとして、LiNbO3基板1上のTi膜9を、CF4
ガスプラズマ12等を用いたプラズマエッチング法でエ
ッチングし、フォトレジストを溶解することによって、
レジストパターンと同形のTiパターン11を得る〔図
4(d)〕。このTiパターン11をマスクとして、ア
ルゴンおよびフッ素系のイオンビーム13を用いたイオ
ンビームエッチング法等でLiNbO3基板1をエッチ
ングし〔図4(e)〕、Ti膜9をフッ酸等で溶解する
ことにより、図4(f)に示したような高さ数μmの突
起したリッジ部分8を有するリッジ構造の光導波路を作
製していた。
導波路の作製方法において、エッチングマスクとして蒸
着法で形成したTi薄膜を用いている。Ti薄膜は各種
基板との密着性が高く、アルゴンイオンに対するスパッ
タ率が低く、フッ素系ガスを用いたプラズマエッチング
により比較的容易にパターニングできるなどの特長を有
している。しかし、Ti薄膜を1μm程度に厚くしてパ
ターニングすると、Tiパターンのエッジの凹凸が大き
くなる。その結果、Tiパターンをエッチングマスクと
して基板をエッチングすると、リッジ部側壁に凸凹(で
こぼこ)が転写され、上述した光制御回路の例では、光
導波路の伝搬損失が増大するという問題がある。本発明
者らは、上記問題点を解決するために鋭意研究した結
果、Tiパターンのエッジの凹凸は、Ti薄膜の形成時
に、Tiの微結晶が薄膜中に形成されることが原因であ
ることを見出した。その状態を図5(a)、(b)、
(c)に示す。なお、図5(a)、(b)は、平面図で
ある図5(c)のB−B断面部を示す。 Ti薄膜は、
一般に基板温度が室温〜200℃程度の比較的低温で成
膜するとアモルファスのTi膜9が形成されるが、Li
NbO3基板1上の凹凸部などを核として微結晶領域1
4が形成される。フォトレジストパターン10を用い
て、この微結晶領域14を含むTi膜9をエッチングに
よりパターニングすると、薄膜中に形成された微結晶領
域14はアモルファス領域のTi膜9に比べてエッチン
グ速度が大きい。その結果、図5(b)および図5
(c)に示すように、サイドエッチが大きく入ったTi
パターンの欠け部15が形成される。この微結晶領域1
4は、初めに形成された結晶核を基にしてTi膜形成中
のマイグレーションにより急激に結晶が成長するため、
Ti膜9を厚くするほど微結晶領域14が大きくなり、
かつその個数が増える。上述した例に示すように、厚さ
1μm程度のTi膜9を形成する場合には、微結晶領域
14は数μm程度にも達する。そのため、Tiパターン
のサイドエッチが大きくなり、リッジ側壁の凸凹が大き
くなり光導波路の伝搬損失が増大するという問題があっ
た。
題点を解消し、マスク層のサイドエッチを抑制して滑ら
かなリッジ側壁を実現することができ、伝搬損失の低い
光導波路の作製が可能なエッチングマスク層を形成する
パターン作製方法を提供することにある。
するために、本発明は特許請求の範囲に記載のような構
成とするものである。すなわち、本発明は請求項1に記
載のように、基板表面の一部分をエッチングして、該基
板上に突起形状のリッジパターンを形成するパターン作
製方法であって、上記基板上に、エッチングマスク層で
ある金属材料よりなる薄膜層を形成し、該金属材料より
なる薄膜層上に、酸化物材料よりなる中間薄膜層を介し
て上記金属材料よりなる薄膜層を1回、もしくは複数回
繰り返し積層する工程と、上記積層した薄膜層をレジス
トパターンを用いてエッチングすることにより、設定の
パターンを有するエッチングマスク層を形成する工程を
含むパターン作製方法とするものである。また、本発明
は請求項2に記載のように、請求項1において、基板上
のリッジパターンに光導波路を形成したパターン作製方
法とするものである。また、本発明は請求項3に記載の
ように、請求項1または請求項2において、エッチング
マスク層を形成する工程は、一度のエッチングプロセス
で行うパターン作製方法とするものである。また、本発
明は請求項4に記載のように、請求項1ないし請求項3
のいずれか1項において、基板は、ニオブ酸リチウム、
シリコンもしくはガリウム・ヒ素からなり、金属材料よ
りなる薄膜層は、チタン、タンタル、ニッケルのうちよ
り選択される少なくとも1種からなり、酸化物材料より
なる薄膜層は、酸化ケイ素(SiO2等)、酸化アルミ
ニウム(Al2O3等)、酸化チタン(TiO2等)のう
ちより選択される少なくとも1種からなるパターン作製
方法とするものである。
記載のように、基板上に、エッチングマスク層である金
属材料よりなる薄膜層を形成し、該金属材料よりなる薄
膜層上に、酸化物材料よりなる中間薄膜層を介して上記
金属材料よりなる薄膜層を1回、もしくは複数回繰り返
し積層し、積層した薄膜層をレジストパターンを用いて
エッチングすることにより、設定のパターンを有するエ
ッチングマスク層を形成するパターン作製方法としてい
るため、例えば、LiNbO3基板上に、金属材料によ
り構成される薄膜層(例えばTi薄膜層)を形成した
後、その上に酸化物材料により構成される中間薄膜層
(例えばSiO2薄膜層)を薄く形成し、さらにその上
に、再び、上記Ti薄膜層を形成すると、このTi薄膜
層内に形成される微結晶の成長は上記中間薄膜層である
SiO2膜によって抑制できるので、これによりTiパ
ターンのサイドエッチを抑止することができるため、側
壁が滑らかなリッジ構造の伝搬損失の低い光導波路を作
製できる効果がある。また、請求項2に記載のように、
例えば、LiNbO3基板上のリッジパターン形成部分
に光導波路を設けた基板を用いているので、その光導波
路の上部に、リッジ側壁が滑らかで伝搬損失の低い高性
能の光導波路を歩留まり良く作製できる効果がある。ま
た、請求項3に記載のように、例えば、SiO2中間薄
膜層のエッチングも、積層したTi薄膜層のエッチング
と同時にCF4ガス等を用いて行うことができるので、
一度のエッチングプロセスでエッチングマスク層を作製
することが可能となり、パターン作製の効率をいっそう
向上できる効果がある。また、請求項4に記載のよう
に、基板として、ニオブ酸リチウムの他に、シリコンも
しくはガリウム・ヒ素を用いることができ、また、金属
材料よりなる薄膜層(マスク材料)は、チタンの他に、
タンタルまたはニッケルを用いることができ、さらに、
酸化物材料よりなる中間薄膜層は、酸化ケイ素(SiO
2等)の他に、酸化アルミニウム(Al2O3等)、酸化
チタン(TiO2等)を用いることができるので、エッ
チングマスク層の利用範囲をいっそう拡大できる効果が
ある。
て図面を引用し、さらに詳細に説明する。図1(a)〜
(f)は、本発明による光制御素子の作製手順を示す工
程図である。図において、図1(a)は、LiNbO3
基板1上に、Ti熱拡散光導波路2が形成されたもので
ある。これに、厚さ500nm程度のTi膜9a、厚さ
100nm程度のSiO2膜14、厚さ500nm程度
のTi膜9bを、それぞれ順次形成した〔図1
(b)〕。次に、通常のフォトプロセスにより掘り込み
部分を溝としたフォトレジストパターン10をTi膜9
b上に形成した〔図1(c)〕。その後、LiNbO3
基板1上のSiO2膜16およびTi膜9a、9bを、
CF4プラズマ12を用いたプラズマエッチング法等に
よりエッチングし、フォトレジストを溶解し除去するこ
とによって、フォトレジストパターン10と同形のTi
パターン11a、11b、およびSiO2パターン17
を得た。これを、アルゴンおよびフッ素系イオンビーム
13を用いたイオンビームエッチング法などでエッチン
グし〔図1(e)〕、Tiパターン11a、11b、お
よびSiO2パターン17をフッ酸で溶解することによ
り、〔図1(f)〕に示すように、突起したリッジ部分
8を有するリッジ構造の光導波路を作製した。図2
(a)〜(c)にリッジ構造の詳細を示す。なお、図2
(a)、(b)は、平面図である図2(c)のB−B断
面部を示す。図2(a)〜(c)において、LiNbO
3基板1の上に、第一のTi膜9a、SiO2膜16、さ
らに第二のTi膜9bが形成されており、Ti膜9a、
9b中には微結晶領域18が生成されている。従来の手
順と異なるところは、途中にSiO2膜16が挾まれて
いるので、Ti膜9b中の微結晶の成長は、SiO2膜
16の界面でいったん停止する。そのため、微結晶領域
18の成長を抑制することが可能となり、図2(c)に
示すように、Tiパターンの欠け部19を、従来例の図
5(c)で示したTiパターンの欠け部15よりも大幅
に小さくすることができ、側壁が滑らかな伝搬損失の低
いリッジ構造の光導波路を作製することが可能となる。
ここで、例えば電子ビーム蒸着法を用いると、第一のT
i膜9aの成膜の直後に、SiO2膜16、続いて、さ
らに第二のTi膜9bを同一の装置、かつ同一のバッチ
で形成することができる。また、SiO2膜16のエッ
チングも、Ti膜9aおよび9bのエッチングと同時
に、CF4(四フッ化炭素)ガスのCF4プラズマ12を
用いて行うことができ、さらに、エッチングマスク層の
除去もフッ酸で同時に行うことが可能である。したがっ
て、本発明の光制御素子の作製方法では、SiO2膜1
6の形成プロセスが新たに加わる外は、従来と全く同じ
装置、およびプロセスでリッジパターンを作製できるメ
リットがある。上記実施の形態では、z軸カットのLi
NbO3基板を用いたが、x軸カットのLiNbO3基板
を用いても良いし、その他の基板、例えばSi基板やG
aAs基板を用いても良い。エッチングマスク層の金属
材料よりなる薄膜層としては、Tiの他に、微結晶が生
じ易いTaやNi等の他の金属膜を用いても良い。ま
た、酸化物材料よりなる中間薄膜層としては、SiO2
等の酸化ケイ素の他に、酸化アルミニウム(Al2O
3等)や酸化チタン(TiO2等)の薄膜を用いることが
できる。上記実施の形態では、エッチングマスク層の金
属材料よりなる薄膜層として、膜厚が500nm程度の
Ti膜を用いる例を挙げたが、この金属材料よりなる薄
膜層の膜厚は、エッチングマスク層全体の膜厚(例え
ば、1μm)から適宜設定することができ、200nm
〜700nm程度が好ましい。膜厚が200nm未満と
なると、例えば1μm程度の厚さのマスク層を設定する
と、積層回数が多くなり、成膜に長時間かかり、また、
700nmを超えると、微結晶領域が成長して大きくな
り易く、また微結晶領域の数が増加し、リッジ側壁の凸
凹が大きくなるので好ましくない。また、酸化物材料よ
りなる中間薄膜層として、膜厚が100nm程度のSi
O2膜を用いる例を挙げたが、これもエッチングマスク
層全体の膜厚から適宜設定することができるが、10n
m〜200nm程度が好ましい。膜厚が10nm未満で
は薄膜に欠陥が生じ易いので微結晶領域の成長を抑制す
る効果が少なく、また、200nmを超えるとエッチン
グ抵抗が増加し、一度のエッチングプロセスでパターニ
ングすることが難しくなる。
に記載のように、基板上に、エッチングマスク層である
金属材料よりなる薄膜層を形成し、該金属材料よりなる
薄膜層上に、酸化物材料よりなる中間薄膜層を介して上
記金属材料よりなる薄膜層を1回、もしくは複数回繰り
返し積層し、積層した薄膜層をレジストパターンを用い
てエッチングすることにより、設定のパターンを有する
エッチングマスク層を形成するパターン作製方法として
いるため、例えば、LiNbO3基板上に、金属材料に
より構成される薄膜層(例えばTi薄膜層)を形成した
後、その上に酸化物材料により構成される中間薄膜層
(例えばSiO2薄膜層)を薄く形成し、さらにその上
に、再び、上記Ti薄膜層を形成すると、このTi薄膜
層内の微結晶の成長を、上記中間薄膜層であるSiO2
膜により抑制することができるため、これによりTiパ
ターンのサイドエッチを抑止することができ、側壁が滑
らかなリッジ構造の伝搬損失の低い光導波路を作製でき
る効果がある。また、請求項2に記載のように、例え
ば、LiNbO3基板上のリッジパターン部分に光導波
路を形成した基板を用いるので、その上部にリッジ側壁
が滑らかで伝搬損失の低い高性能の光導波路を歩留まり
良く作製できる。また、請求項3に記載のように、例え
ば、SiO2中間薄膜層のエッチングも、積層したTi
薄膜層のエッチングと同時にCF4ガス等を用いて行う
ことができるので、エッチングマスク層の形成が簡易と
なり、パターン作製の効率が向上する。また、請求項4
に記載のように、基板として、ニオブ酸リチウムの他
に、シリコンもしくはガリウム・ヒ素を用いることがで
き、また、マスク材料(金属材料よりなる薄膜層)とし
てチタンの他に、タンタルまたはニッケルを用いること
ができ、さらに、中間薄膜層(酸化物材料よりなる中間
層)として酸化ケイ素(SiO2等)の他に、酸化アル
ミニウム(Al2O3等)または酸化チタン(TiO
2等)を用いることができるので、エッチングマスク層
の利用範囲をいっそう拡大することができる。
制御素子の作製方法を示す工程図。
細を示す図。
式図。
す工程図。
Claims (4)
- 【請求項1】基板表面の一部分をエッチングして、該基
板上に突起形状のリッジパターンを形成するパターン作
製方法であって、上記基板上に、エッチングマスク層で
ある金属材料よりなる薄膜層を形成し、該金属材料より
なる薄膜層上に、酸化物材料よりなる中間薄膜層を介し
て上記金属材料よりなる薄膜層を1回、もしくは複数回
繰り返し積層する工程と、上記積層した薄膜層をレジス
トパターンを用いてエッチングすることにより、設定の
パターンを有するエッチングマスク層を形成する工程を
含むことを特徴とするパターン作製方法。 - 【請求項2】請求項1において、基板上のリッジパター
ンに光導波路を形成してなることを特徴とするパターン
作製方法。 - 【請求項3】請求項1または請求項2において、エッチ
ングマスク層を形成する工程は、一度のエッチングプロ
セスで行うことを特徴とするパターン作製方法。 - 【請求項4】請求項1ないし請求項3のいずれか1項に
おいて、基板は、ニオブ酸リチウム、シリコンもしくは
ガリウム・ヒ素からなり、金属材料よりなる薄膜層は、
チタン、タンタル、ニッケルのうちより選択される少な
くとも1種からなり、酸化物材料よりなる薄膜層は、酸
化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタンのうちより選
択される少なくとも1種からなることを特徴とするパタ
ーン作製方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29066797A JP3179745B2 (ja) | 1997-10-23 | 1997-10-23 | パターン作製方法 |
KR1019980031149A KR19990023275A (ko) | 1997-08-01 | 1998-07-31 | 포토레지스트 조성물 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29066797A JP3179745B2 (ja) | 1997-10-23 | 1997-10-23 | パターン作製方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11125728A true JPH11125728A (ja) | 1999-05-11 |
JP3179745B2 JP3179745B2 (ja) | 2001-06-25 |
Family
ID=17758943
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29066797A Expired - Lifetime JP3179745B2 (ja) | 1997-08-01 | 1997-10-23 | パターン作製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP3179745B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021157064A (ja) * | 2020-03-27 | 2021-10-07 | Tdk株式会社 | 光変調器の製造方法及びこれに用いるフォトマスク |
-
1997
- 1997-10-23 JP JP29066797A patent/JP3179745B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2021157064A (ja) * | 2020-03-27 | 2021-10-07 | Tdk株式会社 | 光変調器の製造方法及びこれに用いるフォトマスク |
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