JPH11121651A - 半導体パッケージの端子形成方法及び半導体パッケージの端子形成用ブロック - Google Patents
半導体パッケージの端子形成方法及び半導体パッケージの端子形成用ブロックInfo
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- JPH11121651A JPH11121651A JP9286945A JP28694597A JPH11121651A JP H11121651 A JPH11121651 A JP H11121651A JP 9286945 A JP9286945 A JP 9286945A JP 28694597 A JP28694597 A JP 28694597A JP H11121651 A JPH11121651 A JP H11121651A
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- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
- H05K3/3478—Applying solder preforms; Transferring prefabricated solder patterns
-
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- H05K3/3485—Applying solder paste, slurry or powder
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体パッケージの端子を形成する位置に容
易に精度良く端子を形成できる半導体パッケージの端子
形成方法及びそれに用いられる端子形成用ブロックを提
供する。 【解決手段】 第１のブロック１に設けられた穴６に半
田ペースト３を充填する。該穴６の体積は、半導体パッ
ケージ５の端子を形成する位置に固着する半田１０の体
積よりも大きくしてある。次に、凹部８，９が設けられ
ている第２のブロック４を準備し、該凹部８に半導体パ
ッケージ５を嵌入し、凹部９に第１のブロック１を嵌合
する。この際、半導体パッケージ５の端子を形成する位
置とそれに対応する該穴６とが対向している。次に、第
１、第２のブロック１、４を加熱し、半田ペースト３を
溶融した後、冷却する。従って、半導体パッケージに容
易に精度良く端子を形成できる。
易に精度良く端子を形成できる半導体パッケージの端子
形成方法及びそれに用いられる端子形成用ブロックを提
供する。 【解決手段】 第１のブロック１に設けられた穴６に半
田ペースト３を充填する。該穴６の体積は、半導体パッ
ケージ５の端子を形成する位置に固着する半田１０の体
積よりも大きくしてある。次に、凹部８，９が設けられ
ている第２のブロック４を準備し、該凹部８に半導体パ
ッケージ５を嵌入し、凹部９に第１のブロック１を嵌合
する。この際、半導体パッケージ５の端子を形成する位
置とそれに対応する該穴６とが対向している。次に、第
１、第２のブロック１、４を加熱し、半田ペースト３を
溶融した後、冷却する。従って、半導体パッケージに容
易に精度良く端子を形成できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体パッケージ
の端子を形成する位置に容易に精度良く端子を形成でき
る半導体パッケージの端子形成方法及びそれに用いられ
る端子形成用ブロックに関する。
の端子を形成する位置に容易に精度良く端子を形成でき
る半導体パッケージの端子形成方法及びそれに用いられ
る端子形成用ブロックに関する。
【０００２】
【従来の技術】例えばＣＳＰ(Chip Scale Package)タイ
プやＢＧＡ(Ball Grid Array) タイプの従来の半導体パ
ッケージの端子形成方法について説明する。
プやＢＧＡ(Ball Grid Array) タイプの従来の半導体パ
ッケージの端子形成方法について説明する。
【０００３】先ず、板状体を準備する。この板状体に
は、半導体パッケージの端子を形成する位置に対応する
位置に吸着ノズルが設けられている。この吸着ノズル
に、予め大きさを揃えて球形に形成された半田ボールを
吸着する。
は、半導体パッケージの端子を形成する位置に対応する
位置に吸着ノズルが設けられている。この吸着ノズル
に、予め大きさを揃えて球形に形成された半田ボールを
吸着する。
【０００４】次に、該半田ボール上に該半導体パッケー
ジをマウントする。この際、半導体パッケージの端子を
形成する位置とそれに対応する該半田ボールとを接触さ
せる必要がある。このため、このマウントの際には高精
度な位置決めが必要となる。
ジをマウントする。この際、半導体パッケージの端子を
形成する位置とそれに対応する該半田ボールとを接触さ
せる必要がある。このため、このマウントの際には高精
度な位置決めが必要となる。
【０００５】その後、該板状体をリフロー装置内に挿入
し、半導体パッケージをマウントさせた状態でＮ2 リフ
ローを行う。即ち、半田ボールの酸化を防ぐためにリフ
ロー装置の中に窒素などの不活性ガスまたは還元ガスを
送り込みながら、該半田ボールを約２００℃に加熱し、
この半田ボールの一部を溶融させる。その後、該半田ボ
ールを冷却することにより、半導体パッケージの端子形
成位置に該半田ボールが固着する。
し、半導体パッケージをマウントさせた状態でＮ2 リフ
ローを行う。即ち、半田ボールの酸化を防ぐためにリフ
ロー装置の中に窒素などの不活性ガスまたは還元ガスを
送り込みながら、該半田ボールを約２００℃に加熱し、
この半田ボールの一部を溶融させる。その後、該半田ボ
ールを冷却することにより、半導体パッケージの端子形
成位置に該半田ボールが固着する。
【０００６】上記板状体は、複数の半導体パッケージを
同時にマウントできるように構成されている。このた
め、１回のＮ2 リフローにより複数個の半導体パッケー
ジの端子が同時に形成される。
同時にマウントできるように構成されている。このた
め、１回のＮ2 リフローにより複数個の半導体パッケー
ジの端子が同時に形成される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記端子形成方法で
は、半田ボールを用いている。この半田ボールは、予め
大きさを揃えて微小な球形に加工することが必要であ
る。この加工は難しく、高度の技術を要するため、該半
田ボールは高価なものとなってしまう。その結果、半導
体パッケージに端子を形成するコストが大きくなる。
は、半田ボールを用いている。この半田ボールは、予め
大きさを揃えて微小な球形に加工することが必要であ
る。この加工は難しく、高度の技術を要するため、該半
田ボールは高価なものとなってしまう。その結果、半導
体パッケージに端子を形成するコストが大きくなる。
【０００８】また、半田ボール上に半導体パッケージを
マウントする際、高精度な位置決めを行うための高度な
技術が必要となる。このため、半導体パッケージと半田
ボールとの接触点が該パッケージの端子位置の中心点か
らずれることがある。その結果、半田ボールが半導体パ
ッケージの端子位置の中心からずれて固着されてしま
い、それにより製品の歩留りが低下する。
マウントする際、高精度な位置決めを行うための高度な
技術が必要となる。このため、半導体パッケージと半田
ボールとの接触点が該パッケージの端子位置の中心点か
らずれることがある。その結果、半田ボールが半導体パ
ッケージの端子位置の中心からずれて固着されてしま
い、それにより製品の歩留りが低下する。
【０００９】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたものであり、その目的は、半導体パッケージの端子
を形成する位置に容易に精度良く端子を形成できる半導
体パッケージの端子形成方法及びそれに用いられる端子
形成用ブロックを提供することにある。
れたものであり、その目的は、半導体パッケージの端子
を形成する位置に容易に精度良く端子を形成できる半導
体パッケージの端子形成方法及びそれに用いられる端子
形成用ブロックを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係る半導体パッケージの端子形成方法は、
半導体パッケージの端子を形成する位置に対応する穴が
設けられた第１のブロックを準備し、該穴に半田ペース
トを充填する工程と、該半導体パッケージと該第１のブ
ロックとを該端子を形成する位置と該穴とが対向するよ
うに固定する凹部が設けられた第２のブロックを準備
し、該凹部に該半導体パッケージと該第１のブロックと
を固定する工程と、該第１及び第２のブロックを加熱す
ることにより、該半田ペーストを溶融する工程と、を具
備することを特徴とする。
め、本発明に係る半導体パッケージの端子形成方法は、
半導体パッケージの端子を形成する位置に対応する穴が
設けられた第１のブロックを準備し、該穴に半田ペース
トを充填する工程と、該半導体パッケージと該第１のブ
ロックとを該端子を形成する位置と該穴とが対向するよ
うに固定する凹部が設けられた第２のブロックを準備
し、該凹部に該半導体パッケージと該第１のブロックと
を固定する工程と、該第１及び第２のブロックを加熱す
ることにより、該半田ペーストを溶融する工程と、を具
備することを特徴とする。
【００１１】本発明に係る半導体パッケージの端子形成
用ブロックは、半導体パッケージの端子を形成する位置
に対応する穴が設けられた第１のブロックと、該半導体
パッケージと該第１のブロックとを該端子を形成する位
置と該穴とが対向するように固定する凹部が設けられた
第２のブロックと、を具備することを特徴とする。
用ブロックは、半導体パッケージの端子を形成する位置
に対応する穴が設けられた第１のブロックと、該半導体
パッケージと該第１のブロックとを該端子を形成する位
置と該穴とが対向するように固定する凹部が設けられた
第２のブロックと、を具備することを特徴とする。
【００１２】上記半導体パッケージの端子形成方法及び
端子形成用ブロックでは、第２のブロックに凹部を設
け、この凹部に半導体パッケージと第１のブロックとを
固定する際、該半導体パッケージの端子を形成する位置
とそれに対応する第１のブロックの穴とが対向するよう
に該凹部を構成している。したがって、該穴に充填され
た半田ペーストと半導体パッケージの端子を形成する位
置との間で高精度な位置決めを行う必要がなくなり、半
導体パッケージの端子位置に容易に精度良く端子を形成
できる。
端子形成用ブロックでは、第２のブロックに凹部を設
け、この凹部に半導体パッケージと第１のブロックとを
固定する際、該半導体パッケージの端子を形成する位置
とそれに対応する第１のブロックの穴とが対向するよう
に該凹部を構成している。したがって、該穴に充填され
た半田ペーストと半導体パッケージの端子を形成する位
置との間で高精度な位置決めを行う必要がなくなり、半
導体パッケージの端子位置に容易に精度良く端子を形成
できる。
【００１３】また、上記穴は、上記半導体パッケージの
端子を形成する位置に固着する半田の体積よりも大きい
体積を有することが好ましい。これにより、第２のブロ
ックの凹部に半導体パッケージと第１のブロックとを固
定した際、その穴の中心と半導体パッケージの端子位置
の中心とがずれていても、セルフアライメント効果によ
り半田をその中心が該端子位置の中心方向に移動して固
着させることができる。
端子を形成する位置に固着する半田の体積よりも大きい
体積を有することが好ましい。これにより、第２のブロ
ックの凹部に半導体パッケージと第１のブロックとを固
定した際、その穴の中心と半導体パッケージの端子位置
の中心とがずれていても、セルフアライメント効果によ
り半田をその中心が該端子位置の中心方向に移動して固
着させることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施の形態について説明する。図１（ａ）〜（ｆ）は、
本発明の実施の形態による半導体パッケージの端子形成
方法を示す断面図である。なお、この方法により端子を
形成する際に半導体パッケージの端子形成用ブロックが
用いられる。この端子形成用ブロックは、図１（ａ）に
示す第１のブロック１及び図１（ｃ）に示す第２のブロ
ック４から構成される。
実施の形態について説明する。図１（ａ）〜（ｆ）は、
本発明の実施の形態による半導体パッケージの端子形成
方法を示す断面図である。なお、この方法により端子を
形成する際に半導体パッケージの端子形成用ブロックが
用いられる。この端子形成用ブロックは、図１（ａ）に
示す第１のブロック１及び図１（ｃ）に示す第２のブロ
ック４から構成される。
【００１５】先ず、図１（ａ）に示すよううに、例えば
ステンレス製の第１のブロック１を準備する。この第１
のブロック１の上面には、後記半導体パッケージ５の下
面の端子を形成するすべての位置に対応する穴６が設け
られている。この穴６の数は、半導体パッケージ５に端
子を形成する位置の数と同じである。この穴６は、例え
ば半球状に開口される。また、穴６の体積は、後述する
半田１０の体積より大きい。具体的には、半田１０の体
積と溶剤の体積とを合わせた体積が穴６の体積となるよ
うに、該穴は開口される。
ステンレス製の第１のブロック１を準備する。この第１
のブロック１の上面には、後記半導体パッケージ５の下
面の端子を形成するすべての位置に対応する穴６が設け
られている。この穴６の数は、半導体パッケージ５に端
子を形成する位置の数と同じである。この穴６は、例え
ば半球状に開口される。また、穴６の体積は、後述する
半田１０の体積より大きい。具体的には、半田１０の体
積と溶剤の体積とを合わせた体積が穴６の体積となるよ
うに、該穴は開口される。
【００１６】次に、図１（ｂ）に示すよううに、第１の
ブロック１の上面に半田ペースト３を載せる。その後、
第１のブロック１の上面上でゴム製のスキージ２を矢符
７の方向に移動させることによって、穴６に半田ペース
ト３を充填する。この半田ペースト３は、半導体パッケ
ージ５の端子を形成するために必要な半田１０の体積と
上記溶剤とを合わせたものであり、本実施の形態では、
半田と溶剤との体積比は１：１とする。
ブロック１の上面に半田ペースト３を載せる。その後、
第１のブロック１の上面上でゴム製のスキージ２を矢符
７の方向に移動させることによって、穴６に半田ペース
ト３を充填する。この半田ペースト３は、半導体パッケ
ージ５の端子を形成するために必要な半田１０の体積と
上記溶剤とを合わせたものであり、本実施の形態では、
半田と溶剤との体積比は１：１とする。
【００１７】次に、図１（ｃ）に示すように、例えばス
テンレス製の第２のブロック４を準備する。この第２の
ブロック４には、半導体パッケージ５を嵌入できる凹部
８及び第１のブロック１を嵌合できる凹部９が設けられ
ている。
テンレス製の第２のブロック４を準備する。この第２の
ブロック４には、半導体パッケージ５を嵌入できる凹部
８及び第１のブロック１を嵌合できる凹部９が設けられ
ている。
【００１８】これら凹部８、９は、次のような位置関係
を有している。凹部８内に半導体パッケージ５をその下
面が露出するように嵌入し、凹部９内に第１のブロック
１をその上面が半導体パッケージ５の下面と接触するよ
うに嵌合した際に、半導体パッケージ５の下面の端子を
形成する位置と第１のブロック１の上面の穴６の位置と
が、それぞれ一致するような位置関係である。
を有している。凹部８内に半導体パッケージ５をその下
面が露出するように嵌入し、凹部９内に第１のブロック
１をその上面が半導体パッケージ５の下面と接触するよ
うに嵌合した際に、半導体パッケージ５の下面の端子を
形成する位置と第１のブロック１の上面の穴６の位置と
が、それぞれ一致するような位置関係である。
【００１９】次に、図１（ｄ）に示すように、第２のブ
ロック４の凹部８に半導体パッケージ５をその下面が露
出するように嵌入する。
ロック４の凹部８に半導体パッケージ５をその下面が露
出するように嵌入する。
【００２０】次に、図１（ｅ）に示すように、第１のブ
ロック１と第２のブロック４とを嵌合する。これによ
り、半田ペースト３を充填した第１のブロック１の穴６
と、第２のブロック４の凹部８に嵌入された半導体パッ
ケージ５の端子を形成する位置とが接触する。この際、
半田ペースト３は、第１のブロック１と第２のブロック
４とにより外部の空気から遮断され、ほぼ密閉される。
ロック１と第２のブロック４とを嵌合する。これによ
り、半田ペースト３を充填した第１のブロック１の穴６
と、第２のブロック４の凹部８に嵌入された半導体パッ
ケージ５の端子を形成する位置とが接触する。この際、
半田ペースト３は、第１のブロック１と第２のブロック
４とにより外部の空気から遮断され、ほぼ密閉される。
【００２１】その後、嵌合された第１のブロック１と第
２のブロック４の上下から例えば図示せぬスポットヒー
タを用いて加熱することにより、穴６に充填されている
半田ペースト３を溶融させる。その後、第１のブロック
１と第２のブロック４とを嵌合させた状態のまま冷却す
る。これにより、半導体パッケージ５の下面の端子位置
に後記半田１０が固着される。
２のブロック４の上下から例えば図示せぬスポットヒー
タを用いて加熱することにより、穴６に充填されている
半田ペースト３を溶融させる。その後、第１のブロック
１と第２のブロック４とを嵌合させた状態のまま冷却す
る。これにより、半導体パッケージ５の下面の端子位置
に後記半田１０が固着される。
【００２２】次に、図１（ｆ）に示すように、第２のブ
ロック４から第１のブロック１を取り外して、半導体パ
ッケージ５を第２のブロック４から取り出す。その結
果、半導体パッケージ５には半田１０からなる端子が形
成される。
ロック４から第１のブロック１を取り外して、半導体パ
ッケージ５を第２のブロック４から取り出す。その結
果、半導体パッケージ５には半田１０からなる端子が形
成される。
【００２３】上記実施の形態によれば、第１のブロック
１に穴６を設け、この穴６の体積が半導体パッケージ５
に形成する半田１０の体積より大きくなるよう、該穴６
を開口している。したがって、図１（ｅ）に示す工程で
穴６の中心と半導体パッケージ５の端子位置の中心とが
ずれていても、溶融した半田ペースト３を冷却した際、
セルフアライメント効果により半田１０をその中心が半
導体パッケージ５の端子位置の中心方向に移動して固着
させることができる。その結果、従来のような高精度な
マウント位置決めを行う必要がなく、半導体パッケージ
５の端子を形成する位置に、容易に精度良く端子を形成
することができる。
１に穴６を設け、この穴６の体積が半導体パッケージ５
に形成する半田１０の体積より大きくなるよう、該穴６
を開口している。したがって、図１（ｅ）に示す工程で
穴６の中心と半導体パッケージ５の端子位置の中心とが
ずれていても、溶融した半田ペースト３を冷却した際、
セルフアライメント効果により半田１０をその中心が半
導体パッケージ５の端子位置の中心方向に移動して固着
させることができる。その結果、従来のような高精度な
マウント位置決めを行う必要がなく、半導体パッケージ
５の端子を形成する位置に、容易に精度良く端子を形成
することができる。
【００２４】また、図１（ｅ）に示す工程で、第１及び
第２のブロック１、４をスポットヒータ等の簡易な設備
を用いて加熱することにより、半田ペースト３を溶融さ
せている。したがって、大がかりなリフロー装置を用い
る必要がないので、設備費を低減させることができる。
その結果、簡易かつ安価で半導体パッケージ５に端子を
形成することができる。
第２のブロック１、４をスポットヒータ等の簡易な設備
を用いて加熱することにより、半田ペースト３を溶融さ
せている。したがって、大がかりなリフロー装置を用い
る必要がないので、設備費を低減させることができる。
その結果、簡易かつ安価で半導体パッケージ５に端子を
形成することができる。
【００２５】また、第１のブロック１に一つ又は少数の
半導体パッケージ５の端子位置に対応する穴６を設ける
ことにより、少量生産や個々の半導体パッケージの端子
を修理するなどのリワークに適した半導体パッケージの
端子形成方法とすることができる。
半導体パッケージ５の端子位置に対応する穴６を設ける
ことにより、少量生産や個々の半導体パッケージの端子
を修理するなどのリワークに適した半導体パッケージの
端子形成方法とすることができる。
【００２６】また、図１（ｅ）に示す工程で第１のブロ
ック１と第２のブロック４とを嵌合した際、外気から半
田ペースト３をほぼ遮断するように第１及び第２のブロ
ック１、４を構成している。したがって、Ｎ2 リフロー
を行うための高価な設備を必要とせず、スポットヒータ
等の簡易な設備を用いて第１及び第２のブロック１、４
を加熱しても、この際に半田ペースト３が酸化されるの
を防ぐことができる。
ック１と第２のブロック４とを嵌合した際、外気から半
田ペースト３をほぼ遮断するように第１及び第２のブロ
ック１、４を構成している。したがって、Ｎ2 リフロー
を行うための高価な設備を必要とせず、スポットヒータ
等の簡易な設備を用いて第１及び第２のブロック１、４
を加熱しても、この際に半田ペースト３が酸化されるの
を防ぐことができる。
【００２７】また、従来の端子形成方法のように高価な
半田ボールを用いる必要がないので、半導体パッケージ
の端子を安価に形成することができる。
半田ボールを用いる必要がないので、半導体パッケージ
の端子を安価に形成することができる。
【００２８】尚、上記実施の形態では、ステンレス製の
端子形成用ブロック１、４を用いているが、半田と馴染
みにくく、熱に強く、加工性が良い材料であれば、他の
材料からなるブロックを用いることも可能である。
端子形成用ブロック１、４を用いているが、半田と馴染
みにくく、熱に強く、加工性が良い材料であれば、他の
材料からなるブロックを用いることも可能である。
【００２９】また、第１のブロック１に一つの半導体パ
ッケージ５の端子位置に対応する穴６を設けているが、
第１のブロック１に複数の半導体パッケージそれぞれの
端子位置に対応する穴を設けることも可能である。
ッケージ５の端子位置に対応する穴６を設けているが、
第１のブロック１に複数の半導体パッケージそれぞれの
端子位置に対応する穴を設けることも可能である。
【００３０】また、半田と溶剤を１：１の体積比で合わ
せているが、これに限定されず、体積比を適宜変更する
ことも可能である。
せているが、これに限定されず、体積比を適宜変更する
ことも可能である。
【００３１】また、第１のブロック１に半球状の穴６を
開口しているが、第１のブロック１に楕円球状、円柱
状、円錐状等の他の形状の穴６を開口することも可能で
ある。
開口しているが、第１のブロック１に楕円球状、円柱
状、円錐状等の他の形状の穴６を開口することも可能で
ある。
【００３２】また、上述した端子形成方法は、ＣＳＰタ
イプやＢＧＡタイプの半導体パッケージのみに適用され
るものではなく、広く他の種類の半導体パッケージにも
適用されるものである。
イプやＢＧＡタイプの半導体パッケージのみに適用され
るものではなく、広く他の種類の半導体パッケージにも
適用されるものである。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、第
２のブロックの凹部に半導体パッケージと第１のブロッ
クとを固定する際、該半導体パッケージの端子を形成す
る位置とそれに対応する第１のブロックの穴とが対向す
るように該凹部を構成している。したがって、半導体パ
ッケージの端子を形成する位置に容易に精度良く端子を
形成することができる。
２のブロックの凹部に半導体パッケージと第１のブロッ
クとを固定する際、該半導体パッケージの端子を形成す
る位置とそれに対応する第１のブロックの穴とが対向す
るように該凹部を構成している。したがって、半導体パ
ッケージの端子を形成する位置に容易に精度良く端子を
形成することができる。
【図１】図１（ａ）〜（ｆ）は、本発明の実施の形態に
よる半導体パッケージの端子形成方法を示す断面図であ
る。
よる半導体パッケージの端子形成方法を示す断面図であ
る。
１…第１のブロック、２…スキージ、３…半田ペース
ト、４…第２のブロック、５…半導体パッケージ、６…
穴、７…矢符、８，９…凹部、１０…半田。
ト、４…第２のブロック、５…半導体パッケージ、６…
穴、７…矢符、８，９…凹部、１０…半田。
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体パッケージの端子を形成する位置
に対応する穴が設けられた第１のブロックを準備し、該
穴に半田ペーストを充填する工程と、 該半導体パッケージと該第１のブロックとを該端子を形
成する位置と該穴とが対向するように固定する凹部が設
けられた第２のブロックを準備し、該凹部に該半導体パ
ッケージと該第１のブロックとを固定する工程と、 該第１及び第２のブロックを加熱することにより、該半
田ペーストを溶融する工程と、 を具備することを特徴とする半導体パッケージの端子形
成方法。 - 【請求項２】 半導体パッケージの端子を形成する位置
に対応する穴が設けられた第１のブロックと、 該半導体パッケージと該第１のブロックとを該端子を形
成する位置と該穴とが対向するように固定する凹部が設
けられた第２のブロックと、 を具備することを特徴とする半導体パッケージの端子形
成用ブロック。 - 【請求項３】 上記穴は、上記半導体パッケージの端子
を形成する位置に固着する半田の体積よりも大きい体積
を有することを特徴とする請求項２記載の半導体パッケ
ージの端子形成用ブロック。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9286945A JPH11121651A (ja) | 1997-10-20 | 1997-10-20 | 半導体パッケージの端子形成方法及び半導体パッケージの端子形成用ブロック |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9286945A JPH11121651A (ja) | 1997-10-20 | 1997-10-20 | 半導体パッケージの端子形成方法及び半導体パッケージの端子形成用ブロック |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11121651A true JPH11121651A (ja) | 1999-04-30 |
Family
ID=17710994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9286945A Pending JPH11121651A (ja) | 1997-10-20 | 1997-10-20 | 半導体パッケージの端子形成方法及び半導体パッケージの端子形成用ブロック |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11121651A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6575671B1 (en) | 2000-08-11 | 2003-06-10 | Kennametal Inc. | Chromium-containing cemented tungsten carbide body |
| US6612787B1 (en) | 2000-08-11 | 2003-09-02 | Kennametal Inc. | Chromium-containing cemented tungsten carbide coated cutting insert |
-
1997
- 1997-10-20 JP JP9286945A patent/JPH11121651A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6575671B1 (en) | 2000-08-11 | 2003-06-10 | Kennametal Inc. | Chromium-containing cemented tungsten carbide body |
| US6612787B1 (en) | 2000-08-11 | 2003-09-02 | Kennametal Inc. | Chromium-containing cemented tungsten carbide coated cutting insert |
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