JPH1112026A - Al2o3-tic-based sintered body and base for magnetic head - Google Patents
Al2o3-tic-based sintered body and base for magnetic headInfo
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- JPH1112026A JPH1112026A JP9169052A JP16905297A JPH1112026A JP H1112026 A JPH1112026 A JP H1112026A JP 9169052 A JP9169052 A JP 9169052A JP 16905297 A JP16905297 A JP 16905297A JP H1112026 A JPH1112026 A JP H1112026A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、イオンミリング法
（Reactive IonEtching 法＝ＲＩＥ法）などのイオン照
射によって表面加工するのに適したＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ
系焼結体に関するもので、具体的には薄膜磁気ヘッド用
基板や、治具、測定用具などに用いられるＡｌ2 Ｏ3 −
ＴｉＣ系焼結体および磁気ヘッド用基板に関するもので
ある。The present invention relates to an ion milling method (Reactive Ion Etching method = RIE method) Al 2 O 3 suitable for surface processing by ion irradiation such as -TiC
More specifically, the present invention relates to Al 2 O 3 − used for a substrate for a thin film magnetic head, a jig, a measuring tool, and the like.
The present invention relates to a TiC-based sintered body and a substrate for a magnetic head.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来より、磁気ヘッドの中でも薄膜磁気
ヘッドは、所定の基板の表面にスパッタリングなどの薄
膜手法により磁気回路を形成するもので、磁気ギャップ
が小さく制御できるため高密度記録が可能であり実用化
されている。この薄膜磁気ヘッドにおいて用いられる基
板は、磁気記録媒体と対面する表面がスライダー浮上面
として機能することから、その基板表面には溝やステッ
プ部などの種々の加工が施される。2. Description of the Related Art Conventionally, among magnetic heads, a thin film magnetic head forms a magnetic circuit on a surface of a predetermined substrate by a thin film technique such as sputtering. The magnetic gap can be controlled to be small, so that high density recording is possible. Yes, it has been put to practical use. Since the surface of the substrate used in the thin-film magnetic head facing the magnetic recording medium functions as a slider floating surface, various processes such as grooves and step portions are performed on the substrate surface.
【０００３】基板材料としては、当初から、機械加工へ
の適合性から、耐摩特性が優れ、鏡面加工性に優れ、耐
チッピング性および機械加工性に優れるＡｌ2 Ｏ3 −Ｔ
ｉＣ系焼結体が多用されている。[0003] As a substrate material, Al 2 O 3 -T, which is excellent in abrasion resistance, excellent in mirror finish, and excellent in chipping resistance and machinability from the beginning due to compatibility with machining.
iC-based sintered bodies are frequently used.
【０００４】その後、磁気記録の高密度化に伴い、磁気
ヘッドの磁気記録面からの浮上量がさらに小さくなり、
これに伴い、スライダー浮上面には平面度、面粗さ、ク
ラウン、キャンバー、ブレンディング等の高い寸法精度
が要求されるようになり、加工方法としては、Ａｒ、Ｃ
Ｆ4 、ＣＣｌ4 、ＢＣｌ3 などのイオンを加工鏡面に照
射しながら加工を行う、いわゆるイオンミリング法また
はＲＥＩ法による加工が導入された。Then, as the density of the magnetic recording increases, the flying height of the magnetic head from the magnetic recording surface further decreases.
Along with this, high dimensional accuracy such as flatness, surface roughness, crown, camber, and blending is required for the slider floating surface.
Processing by the so-called ion milling method or REI method of performing processing while irradiating ions such as F 4 , CCl 4 , and BCl 3 onto a processing mirror surface has been introduced.
【０００５】特開平７−２４２４６３は、上記イオンミ
リング法による加工に適合するべく改良を施したＡｌ2
Ｏ3 −ＴｉＣ系焼結体に関する発明を記載し、この技術
では、通常、Ａｌ2 Ｏ3 とＴｉＣとのイオンミリング速
度（イオンミリングにおけるエッチングの容易さ）が異
なる［Ａｌ2 Ｏ3 ＞ＴｉＣ］ことからＡｌ2 Ｏ3 結晶粒
をＴｉＣ結晶粒より大きく設定してイオンミリング速度
を合わせ、これにより、イオンミリング加工やＲＥＩ加
工などのイオンの照射による加工において加工後の表面
品位を高めることを説明している。[0005] JP 7-242463 is, Al 2 subjected to improvement in order to conform to the processing by the ion milling method
The invention relating to an O 3 —TiC-based sintered body is described. In this technique, the ion milling speed (easiness of etching in ion milling) between Al 2 O 3 and TiC is different [Al 2 O 3 > TiC]. Therefore, it is explained that the Al 2 O 3 crystal grain is set to be larger than the TiC crystal grain and the ion milling speed is adjusted to thereby improve the surface quality after processing in the ion irradiation processing such as the ion milling processing and the REI processing. doing.
【０００６】なお、このＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ系焼結体
は、焼結体中のＡｌ2 Ｏ3 やＴｉＣの結晶粒界に焼結助
剤や、焼結助剤とＡｌ2 Ｏ3 との化合物層やガラス相の
量を少なくするため、焼結助剤の量を１％以下としてい
た。これは、イオンミリングまたはＲＥＩ加工を行う
と、粒界に存在する化合物相やガラス相がＡｌ2 Ｏ3 や
ＴｉＣと比べエッチング速度が著しく大きいため粒界相
が優先的にエッチングされたりして加工後の表面品位が
劣化するためであった。[0006] Incidentally, the Al 2 O 3 -TiC based sintered body, and sintering aids in grain boundaries as Al 2 O 3 and TiC in the sintered body, and a sintering aid Al 2 O 3 In order to reduce the amount of the compound layer and the glass phase, the amount of the sintering aid was set to 1% or less. This is because, when ion milling or REI processing is performed, the grain boundary phase is preferentially etched because the compound phase and the glass phase present at the grain boundaries are significantly higher in etching rate than Al 2 O 3 or TiC. This is because the surface quality later deteriorates.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来技
術は前記イオンミリング加工法でのＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ
系焼結体の良好なる加工を可能とし、その結果、高性能
の薄膜磁気ヘッド基板を普及たらしめた点で非常に価値
の高い技術であった。しかしながら、今後予想される磁
気記録の更なる高密度化に対応できるようにするために
も、更なる改良が望まれる。したがって、本発明は、上
記従来技術をさらに改良し、より高性能の薄膜磁気ヘッ
ド基板をもたらさんとするものである。[SUMMARY OF THE INVENTION Incidentally, the Al 2 O 3 -TiC prior art by the ion milling method
This is a very valuable technology in that it enables good processing of a sintered body, and as a result, has spread a high-performance thin-film magnetic head substrate. However, further improvements are desired in order to be able to cope with further higher densities of magnetic recording expected in the future. Accordingly, the present invention is to further improve the above-described conventional technique and to provide a thin film magnetic head substrate having higher performance.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意検討の
結果、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ系焼結体に焼結助剤としてＹ
ｂ2 Ｏ3 を用い、且つ表面部位において焼結助剤粒子の
分散性をある一定範囲とすることにより、イオンミリン
グ加工後の表面品位が格段に向上し、さらに、内部の緻
密化が十分となるので耐チッピング性も格段に向上する
ことを知見し、本発明に至った。Means for Solving the Problems As a result of intensive studies, the present inventors have found that Al 2 O 3 —TiC-based sintered bodies have a Y
By using b 2 O 3 and keeping the dispersibility of the sintering aid particles in the surface region within a certain range, the surface quality after ion milling is remarkably improved, and furthermore, the internal densification is sufficient. Therefore, the present inventors have found that the chipping resistance is also remarkably improved, and have reached the present invention.
【０００９】すなわち、本発明のＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ系
焼結体は、Ａｌ2 Ｏ3 を主成分とし、ＴｉＣを２５〜３
５重量％の割合で含有するＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ系焼結体
であって、焼結助剤としてＹｂ2 Ｏ3 を含むとともに少
なくとも該焼結体表面部位においてＹｂ2 Ｏ3 粒子の円
相当径が０．０１μｍ以上０．５μｍ未満であることを
特徴とするＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ系焼結体であることを特
徴とする。That is, the Al 2 O 3 —TiC-based sintered body of the present invention contains Al 2 O 3 as a main component and 25 to 3 TiC.
5 a Al 2 O 3 -TiC based sintered body containing at a ratio of weight%, Yb 2 O 3 equivalent circle of the particle at least the sintered body surface site with containing Yb 2 O 3 as a sintering aid An Al 2 O 3 —TiC-based sintered body characterized in that the diameter is not less than 0.01 μm and less than 0.5 μm.
【００１０】さらに本発明によれば、このようなＡｌ2
Ｏ3 −ＴｉＣ系焼結体におけるＹｂ2 Ｏ3 の含有量を他
成分に対して０．０５〜０．３重量％としたことを特徴
とするものである。Further, according to the present invention, such Al 2
O 3 is characterized in that it has 0.05 to 0.3 wt% with respect to the other components content of Yb 2 O 3 in -TiC based sintered body.
【００１１】また本発明によれば、前記Ａｌ2 Ｏ3 −Ｔ
ｉＣ系焼結体を磁気ヘッド用基板として用いたことを特
徴とするものである。Further, according to the present invention, the Al 2 O 3 -T
An iC-based sintered body is used as a substrate for a magnetic head.
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】本発明におけるＡｌ2 Ｏ3 −Ｔｉ
Ｃ系焼結体は、Ａｌ2 Ｏ3 を主成分とするものであり、
ＴｉＣを２５〜３５重量％の割合で含有するものであ
る。ＴｉＣ量を上記の範囲に限定したのは、ＴｉＣが２
５重量％より少ないと耐チッピング性が低下し、２５重
量％より少ないと耐チッピング性が低下し、３５重量％
を越えると表面品位は向上するもののイオン照射による
加工時の加工速度が遅くなり不経済となるためである。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION In the present invention, Al 2 O 3 —Ti
The C-based sintered body has Al 2 O 3 as a main component,
It contains TiC in a ratio of 25 to 35% by weight. The reason that the amount of TiC is limited to the above range is that TiC is 2%.
If the amount is less than 5% by weight, the chipping resistance is reduced. If the amount is less than 25% by weight, the chipping resistance is reduced, and 35% by weight.
If the surface roughness exceeds, the surface quality is improved, but the processing speed at the time of processing by ion irradiation becomes slow and uneconomical.
【００１３】上記組成からなる焼結体は、焼結助剤を微
量含むものであるが、その分散性の指標として少なくと
も該焼結体表面部位において焼結助剤粒子の円換算径が
最大で０．５μｍであることが重要である。焼結助剤の
上記最大粒子径が大きい場合には、凝集粒子が多いこと
となり分散性が悪く、小さい場合には凝集粒子が少なく
分散性が良いことを意味する。そして、この最大粒子径
が０．５μｍ未満である場合には、イオンミリング加工
後の表面品位が格段に向上し、さらに、耐チッピング性
も格段に向上する。これに対して、最大粒子径が０．５
μｍ以上の場合には、焼結体中にＹｂ2 Ｏ3 の偏析が生
じイオンミリング加工等の際にその部分が優先的にエッ
チングされ、加工後の表面品位が劣化する恐れがある。The sintered body having the above-mentioned composition contains a small amount of a sintering aid, and as an index of its dispersibility, the diameter of the sintering aid particles at the surface of the sintered body at least in terms of circle is 0. It is important that it is 5 μm. When the maximum particle diameter of the sintering aid is large, the number of aggregated particles is large and the dispersibility is poor. When the maximum diameter is small, it means that the aggregated particles are small and the dispersibility is good. When the maximum particle size is less than 0.5 μm, the surface quality after ion milling is remarkably improved, and the chipping resistance is also remarkably improved. In contrast, the maximum particle size is 0.5
If the thickness is not less than μm, segregation of Yb 2 O 3 occurs in the sintered body and the portion is preferentially etched during ion milling or the like, and the surface quality after the processing may be deteriorated.
【００１４】ただし、上記最大粒子径は０．０１μｍ以
上であることも重要である。これは、焼結助剤の分散性
が良すぎると、今度は焼結体内部の緻密化が不十分とな
り、イオンミリング加工等の際に緻密化されていない箇
所が優先的にエッチングされ、加工後の表面品位が劣化
する。また、その影響で耐チッピング性にも問題発生の
恐れがある。However, it is also important that the maximum particle size is not less than 0.01 μm. This is because if the dispersibility of the sintering aid is too good, then the densification inside the sintered body will be insufficient, and the parts that are not densified will be preferentially etched during ion milling, etc. Later surface quality is degraded. Further, there is a possibility that a problem may occur in the chipping resistance due to the influence.
【００１５】なお、上記焼結助剤としてはＹｂ2 Ｏ3 が
良好である。As the sintering aid, Yb 2 O 3 is preferable.
【００１６】その理由としては、微量添加で緻密焼結体
が得られることと、所定量での分散性に優れていること
がある。Ｙｂ2 Ｏ3 の添加量としては他成分に対して
０．０５〜０．３重量％であることが望ましい。The reason is that a dense sintered body can be obtained with a small amount of addition, and that the dispersibility in a predetermined amount is excellent. The amount of Yb 2 O 3 is desirably 0.05 to 0.3 wt% with respect to the other ingredients.
【００１７】本発明の上記Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ系焼結体
は、例えば、Ａｌ2 Ｏ3 粉末とＴｉＣ粉末を、さらには
所定の焼結助剤を添加した後、これをボールミルなどの
任意の混合方法により成形した後、その成形体を湿式成
形し、その成形体を１５００〜１６５０℃の温度範囲で
ホットプレス法、熱間静水圧焼成法（ＨＩＰ）法などに
より焼成すればよい。なお、焼結助剤の添加必要量を少
なくし、また、イオンミリング加工の速度を向上せしめ
るためには、出発原料としていずれも粒径の小さい原料
を選択し、また焼成温度をできるだけ低く設定すること
が望ましい。The Al 2 O 3 —TiC-based sintered body of the present invention can be prepared, for example, by adding an Al 2 O 3 powder and a TiC powder, and further adding a predetermined sintering aid, and then adding the same to a ball mill or the like. After molding by the mixing method described above, the molded body may be wet molded, and the molded body may be fired in a temperature range of 1500 to 1650 ° C. by a hot press method, a hot isostatic firing method (HIP) method, or the like. In addition, in order to reduce the required amount of the sintering aid and to improve the speed of the ion milling process, a material having a small particle size is selected as a starting material, and the firing temperature is set as low as possible. It is desirable.
【００１８】また、本発明のＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ系焼結
体をイオンミリングやＲＥＩ法などのイオンの照射によ
り加工するには、被加工品となる前記焼結体を例えば、
スパッタ装置内で１０-5ｔｏｒｒ以下の真空中にて被加
工品を陰極として、アルゴン（＋）イオンなどの不活性
ガスなどのイオンやＣＦ4 、ＣＣｌ4 、ＢＣｌ3 等の反
応性ガスのイオンを６００〜１０００Ｖのビーム電圧で
加速して照射することにより、イオンを衝突させて被加
工品の表面をエッチング処理して加工を行うことができ
る。Further, in order to process the Al 2 O 3 —TiC-based sintered body of the present invention by ion irradiation such as ion milling or REI method, for example,
Using a workpiece as a cathode in a vacuum of 10 −5 torr or less in a sputtering apparatus, ions of an inert gas such as argon (+) ion and ions of a reactive gas such as CF 4 , CCl 4 , and BCl 3 are used. Is accelerated with a beam voltage of 600 to 1000 V, whereby ions can collide with each other to etch the surface of the workpiece, thereby performing processing.
【００１９】上記の加工によれば、例えば薄膜磁気ヘッ
ドにおける磁気記録面と対向する面となるスライダー浮
上面に対して超精密加工を施すことができる。例えばＴ
ＰＣスライダーの一種としては、図１に示すように、基
板１のスライダー浮上面２に一対のレール３と溝４を有
し、さらにレール３の外側にステップ部５を有するもの
で、ステップ部の深さは０．５μｍ〜１μｍ、特に０．
７〜０．９μｍに調整される。According to the above-described processing, for example, ultra-precision processing can be performed on the slider floating surface which is the surface facing the magnetic recording surface of the thin-film magnetic head. For example, T
As one type of PC slider, as shown in FIG. 1, a slider 1 has a pair of rails 3 and a groove 4 on a slider floating surface 2 and a step portion 5 outside the rail 3. The depth is from 0.5 μm to 1 μm, in particular from 0.
It is adjusted to 7 to 0.9 μm.
【００２０】このような浮上面におけるステップ部は、
上記Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ系焼結体からなる素基板の表面
に加工すべき箇所以外を樹脂などのレジストパターンで
フォトマスクを施し、そこにイオンを照射することによ
りレジストを施さない箇所をエッチングにより加工する
ことができる。その後、そのレジストを除去することに
より形成することができる。The step on the air bearing surface is
Etching a portion of the Al except 2 O 3 portion to be machined on the surface of the element substrate made of -TiC based sintered body subjected to photo-mask with a resist pattern such as a resin, is not subjected to resist by there being irradiated with ions Can be processed. Thereafter, it can be formed by removing the resist.
【００２１】このイオンミリングやＲＩＥ法による加工
は、上記のＴＰＣスライダーのステップ部の加工の他、
精密治具、各種精密部品などの加工にも有用である。The processing by the ion milling or the RIE method is performed in addition to the above-described processing of the step portion of the TPC slider.
It is also useful for processing precision jigs and various precision parts.
【００２２】また、上記Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ系焼結体は
耐チッピング性にも優れることからイオンミリングやＲ
ＩＥ法による加工に供する場合のみでなく、機械加工に
供する場合にも有用であるので、薄膜磁気ヘッド用基板
として、様々な加工法により成形されたもので高性能を
発揮する他、これ以外の製品や部品にも有用なものであ
ることは言うまでもない。Further, since the Al 2 O 3 —TiC-based sintered body is excellent in chipping resistance, ion milling or R
It is useful not only for processing by the IE method but also for mechanical processing. Therefore, as a substrate for a thin-film magnetic head, a substrate formed by various processing methods exhibits high performance. Needless to say, it is also useful for products and parts.
【００２３】[0023]
【作用】本発明によれば、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ系焼結体
の表面部位において焼結助剤粒子の円換算径が最大で
０．５μｍの凝集粒子が少なく、つまり、焼結助剤とし
てのＹｂ2 Ｏ3 粒子の分散性を良好とすることにより、
イオンミリング加工後の表面品位が格段に向上し、さら
に、耐チッピング性も格段に向上する。従って、種々の
加工法において平滑性に優れるた加工面を形成すること
ができる。なお本発明によれば、このような焼結体は、
焼結助剤としてＹｂ2 Ｏ3 を他成分に対して０．０５〜
０．３重量％含有せしめることにより、生産性よく製造
することが可能である。According to the present invention, the number of agglomerated particles having a maximum circle-converted diameter of 0.5 μm is small at the surface of the Al 2 O 3 —TiC-based sintered body. By improving the dispersibility of Yb 2 O 3 particles as
The surface quality after ion milling is remarkably improved, and the chipping resistance is also remarkably improved. Therefore, processed surfaces having excellent smoothness can be formed by various processing methods. According to the present invention, such a sintered body is
Yb 2 O 3 as a sintering aid in an amount of 0.05 to
By containing 0.3% by weight, it is possible to produce with good productivity.
【００２４】これにより、薄膜磁気ヘッドのスライダー
として仕様した場合、例えばＴＰＣスライダーとしてイ
オン照射により加工した際に、加工後の表面部位を高め
ることができ、磁気ヘッドとして信頼性を高めることが
できる。Thus, when the slider is used as a slider for a thin film magnetic head, for example, when it is processed by ion irradiation as a TPC slider, the surface portion after processing can be increased, and the reliability as a magnetic head can be increased.
【００２５】[0025]
実施例１ Ａｌ2 Ｏ3 原料（純度９９．９％以上）、ＴｉＣ原料
（純度９９．５％以上）を使用し、これらをＡｌ2 Ｏ3
７０重量％、ＴｉＣ３０重量％となるように秤量し、そ
の中にＴｉＣに対して約１０重量％のＴｉＯ2 と焼結助
剤としてＹｂ2 Ｏ3 を他成分に対して０．１重量％を添
加後、ボールミルなどの任意の混合方法により成形した
後、その成形体を１６００℃、２５０ｋｇ／ｃｍ2 の圧
力で１時間ホットプレス焼成した。なお、実験ではＡｌ
2 Ｏ3 原料粉末として平均粒径が１．０μｍ、ＴｉＣ粉
末として１．６μｍの原料を用いた。Example 1 Al 2 O 3 raw material (purity 99.9% or more), using a TiC raw material (purity 99.5% or more), these Al 2 O 3
70% by weight and 30% by weight of TiC, and about 10% by weight of TiO 2 based on TiC and 0.1% by weight of Yb 2 O 3 as a sintering aid based on other components. After the addition, the mixture was molded by an arbitrary mixing method such as a ball mill, and the molded body was baked by hot press at 1600 ° C. and a pressure of 250 kg / cm 2 for 1 hour. In the experiment, Al
A raw material having an average particle size of 1.0 μm as a 2 O 3 raw material powder and 1.6 μm as a TiC powder was used.
【００２６】得られた焼結体に対してその表面を鏡面加
工後、ルーゼックス５００により画像処理してＹｂ2 Ｏ
3 の結晶粒を算出した。測定点は表面の任意の１０点と
し、その中から最大の結晶粒の最大円相当径値を得た。The surface of the obtained sintered body is mirror-finished and then image-processed with Luzex 500 to obtain Yb 2 O
The crystal grain of No. 3 was calculated. The measurement points were arbitrarily set at 10 points on the surface, and the maximum circle-equivalent diameter value of the largest crystal grain was obtained.
【００２７】また、このような製造方法において、Ｙｂ
2 Ｏ3 の添加量を他成分に対して０．０１、０．０３、
０．０５、０．１、０．１５、０．２、０．２５、０．
３、０．３５、０．４重量％と変化させて得られた各試
料における前記最大円相当径を表１に示す。Further, in such a manufacturing method, Yb
The added amount of 2 O 3 was 0.01, 0.03,
0.05, 0.1, 0.15, 0.2, 0.25,.
Table 1 shows the maximum circle-equivalent diameter of each sample obtained by changing it to 3, 0.35, and 0.4% by weight.
【００２８】[0028]
【表１】 [Table 1]
【００２９】さらに、この焼結体を反応性ガスＣＦ4 を
含んだ５．２×１０-4ｔｏｒｒの真空中に保持し、焼結
体の被加工面に６００Ｖ、２００ｍＡのアルゴンビーム
により、１．５μｍの深さまでエッチング加工した。そ
して、加工後の表面に対して表面品位（表面粗さ＝Ｒｍ
ａｘ）を測定した。なお、この時のエッチング速度も加
工時間から算出した。Further, this sintered body was held in a vacuum of 5.2 × 10 -4 torr containing the reactive gas CF 4, and the surface to be processed of the sintered body was irradiated with an argon beam of 600 V and 200 mA for 1 minute. Etching was performed to a depth of 0.5 μm. Then, the surface quality (surface roughness = Rm
ax) was measured. The etching rate at this time was also calculated from the processing time.
【００３０】また、焼結体の耐チッピング性については
ダイヤモンドホイル（レンジ♯３２５、１１０ｍｍφ×
厚み１ｍｍ）を回転数５５００ｒｐｍ、送り４０ｍｍ／
ｍｉｎに設定して焼結体を切断し、その切断面よりチッ
ピングの評価を得た。評価では、切断面における距離が
５００μｍの任意の２点をとり、その間でチッピング幅
の最も大きい５ポイントを選びそのチッピング幅の平均
をとり、その平均値が２５μｍ未満を○、３０μｍを越
えるものを×として表１に示した。Regarding the chipping resistance of the sintered body, a diamond foil (range: 325, 110 mmφ ×
(Thickness: 1 mm), rotation speed: 5500 rpm, feed: 40 mm /
min, the sintered body was cut, and the cut surface was evaluated for chipping. In the evaluation, the distance on the cut surface was taken at any two points of 500 μm, the five points with the largest chipping width were selected between them, and the average of the chipping widths was taken. The results are shown in Table 1 as x.
【００３１】表１によれば、Ｙｂ2 Ｏ3 の添加量が増加
するにつれＹｂ2 Ｏ3 の最大円相当径は大きくなる。し
かも、Ｙｂ2 Ｏ3 の添加量０．３５重量％および０．４
重量％の試料Ｎｏ．９およびＮｏ．１０では、Ｙｂ2 Ｏ
3 の最大円相当径が極端に大きくなり加工後の表面粗さ
が大きく表面品位が低レベルとなり、その結果、加工速
度も著しく劣ることとなった。また、Ｙｂ2 Ｏ3 の添加
量０．０１重量％および０．０３重量％の試料Ｎｏ．１
およびＮｏ．２においては、耐チッピング性が他の試料
に比べて劣り（緻密化が十分でなかったため）、表面粗
さが大きく表面品位が低レベルであった。なお、加工速
度については、Ａｌ2 Ｏ3 とＴｉＣとが同一組成比であ
り、しかも粒径も同一であることか差は認められなかっ
た。According to Table 1, the maximum equivalent circle diameter of Yb 2 O 3 increases as the amount of Yb 2 O 3 added increases. Moreover, the addition amount of Yb 2 O 3 is 0.35% by weight and 0.4% by weight.
% Of the sample No. 9 and No. 9 In 10, Yb 2 O
The maximum equivalent circle diameter of No. 3 became extremely large, the surface roughness after processing was large, and the surface quality was low, and as a result, the processing speed was extremely poor. In addition, the sample Nos. With the added amounts of Yb 2 O 3 of 0.01% by weight and 0.03% by weight were used. 1
And No. In No. 2, the chipping resistance was inferior to the other samples (due to insufficient densification), the surface roughness was large, and the surface quality was low. Regarding the processing speed, no difference was observed between Al 2 O 3 and TiC having the same composition ratio and the same particle size.
【００３２】これに対して、Ｙｂ2 Ｏ3 の添加量０．０
５重量％〜０．３重量％であり、また、Ｙｂ2 Ｏ3 の最
大円相当径が０．０１以上かつ０．５未満の試料Ｎｏ３
〜８は、表面品位が小さく、加工速度、耐チッピング性
ともに良好であった。On the other hand, the addition amount of Yb 2 O 3 is 0.0
5% to 0.3% by weight, and the maximum circle equivalent diameter of Yb 2 O 3 is 0.01 or more and less than 0.5.
No. 8 to No. 8 had low surface quality, and were excellent in both processing speed and chipping resistance.
【００３３】[0033]
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
本発明によれば、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ系焼結体の表面部
位において焼結助剤として含むＹｂ2 Ｏ3 粒子の円換算
径が最大で０．５μｍの凝集粒子が少なく、つまり、焼
結助剤の分散性を良好とすることにより、イオンミリン
グ加工後の表面品位が格段に向上し、さらに、耐チッピ
ング性も格段に向上させることができる。これにより、
薄膜磁気ヘッドのスライダーとして使用した場合、例え
ばＴＰＣスライダーとしてイオン照射により加工した際
に、加工後の表面部位を高めることができ、磁気ヘッド
として信頼性を高めることができる。As described in detail above, according to the present invention,
According to the present invention, Yb 2 O 3 particles contained as a sintering aid have a small number of aggregated particles having a maximum circle-converted diameter of 0.5 μm at the surface portion of the Al 2 O 3 —TiC-based sintered body. By improving the dispersibility of the binder, the surface quality after the ion milling process is remarkably improved, and the chipping resistance can be remarkably improved. This allows
When used as a slider for a thin-film magnetic head, for example, when processed by ion irradiation as a TPC slider, the surface portion after processing can be increased, and the reliability as a magnetic head can be increased.
【図１】磁気ヘッドにおけるＴＰＣスライダーの１例を
示す図である。FIG. 1 is a diagram showing an example of a TPC slider in a magnetic head.
１ 基板 ２ スライダー浮上面 ３ レール ４ 溝 ５ ステップ部 1 board 2 slider floating surface 3 rail 4 groove 5 step section
Claims (3)
３５重量％の割合で含有するＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ系焼結
体であって、焼結助剤として含むＹｂ2 Ｏ3 粒子の円相
当径が０．０１μｍ以上０．５μｍ未満であることを特
徴とするＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ系焼結体。1. The method according to claim 1, wherein the main component is Al 2 O 3 , and the TiC is 25 to
An Al 2 O 3 —TiC-based sintered body containing 35% by weight, wherein the equivalent circle diameter of Yb 2 O 3 particles contained as a sintering aid is 0.01 μm or more and less than 0.5 μm. A characteristic Al 2 O 3 —TiC-based sintered body.
０．３重量％含んでなる請求項１記載のＡｌ2 Ｏ3 −Ｔ
ｉＣ系焼結体。2. The method according to claim 1, wherein the amount of Yb 2 O 3 is 0.05
0.3 wt% comprising at claim 1 wherein the Al 2 O 3 -T
iC-based sintered body.
系焼結体からなることを特徴とする磁気ヘッド用基板。3. The Al 2 O 3 —TiC according to claim 1 or 2,
A magnetic head substrate comprising a sintered body.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9169052A JPH1112026A (en) | 1997-06-25 | 1997-06-25 | Al2o3-tic-based sintered body and base for magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9169052A JPH1112026A (en) | 1997-06-25 | 1997-06-25 | Al2o3-tic-based sintered body and base for magnetic head |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1112026A true JPH1112026A (en) | 1999-01-19 |
Family
ID=15879449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9169052A Pending JPH1112026A (en) | 1997-06-25 | 1997-06-25 | Al2o3-tic-based sintered body and base for magnetic head |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1112026A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1076090C (en) * | 1999-11-24 | 2001-12-12 | 段继光 | All-ceramic rolling bearing |
| JP2006347798A (en) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Kyocera Corp | Ceramic sintered compact, method of of manufacturing the same, and substrate for magnetic head |
| WO2008041383A1 (en) * | 2006-09-29 | 2008-04-10 | Nippon Tungsten Co., Ltd. | Substrate material for magnetic head and method for manufacturing the same |
| US8169731B2 (en) | 2009-08-13 | 2012-05-01 | Tdk Corporation | Near-field light transducer comprising propagation edge with predetermined curvature radius |
| US8967875B2 (en) | 2010-11-25 | 2015-03-03 | Aktiebolaget Skf | Bearing and method of inhibiting crack propagation in a bearing component |
-
1997
- 1997-06-25 JP JP9169052A patent/JPH1112026A/en active Pending
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