JPH11112282A - Surface acoustic wave element and its manufacture - Google Patents
Surface acoustic wave element and its manufactureInfo
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- JPH11112282A JPH11112282A JP29150697A JP29150697A JPH11112282A JP H11112282 A JPH11112282 A JP H11112282A JP 29150697 A JP29150697 A JP 29150697A JP 29150697 A JP29150697 A JP 29150697A JP H11112282 A JPH11112282 A JP H11112282A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は弾性表面波素子およ
びその製造方法に関する。The present invention relates to a surface acoustic wave device and a method for manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】弾性表面波素子（共振子、フィルタ等）
は、励振する電極面を中空かつ気密にするため、セラミ
ック等のパッケージを用いて溶接により封止している。
セラミックパッケージ等は高価なため部品としてのコス
トの大きな割合を占め、又パッケージを使用するとチッ
プ状態で処理する必要があるため、ウエハ上で処理する
よりも大きな工数が必要となる。2. Description of the Related Art Surface acoustic wave devices (resonators, filters, etc.)
Are sealed by welding using a package of ceramic or the like in order to make the exciting electrode surface hollow and airtight.
A ceramic package or the like is expensive and occupies a large proportion of the cost as a component. Further, when a package is used, it is necessary to perform processing in a chip state, so that a larger number of steps are required than processing on a wafer.
【０００３】また、図８に示したように、１チップの弾
性表面波素子２５を１つのセラミックパッケージ２２に
入れる場合には、セラミックパッケージ２２の大きさに
より部品の大きさが決定されるので小型化が困難であ
り、又弾性表面波素子２５の電極２６とパッケージ電極
２４とを接続するボンディングワイヤ２３とキャップ２
１とが接触しないように、十分な厚さが必要であり、部
品の薄型化にも制約があった。As shown in FIG. 8, when a one-chip surface acoustic wave element 25 is put in one ceramic package 22, the size of the component is determined by the size of the ceramic package 22, so that the size is small. In addition, the bonding wire 23 and the cap 2 for connecting the electrode 26 of the surface acoustic wave element 25 and the package electrode 24 are difficult.
A sufficient thickness is required so as not to come into contact with 1, and there is also a limitation in making the parts thinner.
【０００４】また、弾性表面波素子を他のＩＣ回路等と
共に封止する場合には、封止用の樹脂が励振する電極表
面に触れると所望の電気特性を満足することはできなく
なるので、励振する電極面が露出している弾性表面波素
子をそのままＩＣ回路等と共に樹脂で封止する方法を採
ることもできないという問題があった。When the surface acoustic wave element is sealed together with other IC circuits or the like, if the sealing resin touches the surface of the electrode to be excited, desired electrical characteristics cannot be satisfied. There is also a problem that it is not possible to employ a method of sealing a surface acoustic wave element having an exposed electrode surface with a resin together with an IC circuit or the like.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
技術の問題点であるパッケージの使用に伴う部品の大型
化やパッケージングによって工数がかかるという問題を
解決し、小型であってしかも低コストで製造できる弾性
表面波素子およびその製造方法を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the problems of the prior art, that is, the problem that the man-hours are required due to the increase in the size and packaging of the components due to the use of the package, and that the size and the size are reduced. It is an object of the present invention to provide a surface acoustic wave device that can be manufactured at low cost and a method for manufacturing the same.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明者らは、圧電基板表面に作られた窪み中に弾
性表面波素子の電極が、そして好ましくは、引出電極
（ボンディングパッド）が窪みの外に形成され、その窪
みを弾性表面波が振動可能であって励振および伝搬可能
な空間として利用でき、かつその空間を覆うように形成
された蓋を持つ構造の弾性表面波素子とすれば、パッケ
ージが不要となり、また、このような構造はチップ化す
る前のウエハ上で作成できるので、工数が少なくなり低
コストで製造できるということを見いだした。Means for Solving the Problems To achieve the above object, the inventors of the present invention provide an electrode for a surface acoustic wave element in a depression formed on the surface of a piezoelectric substrate, and preferably an extraction electrode (bonding pad). ) Is formed outside the depression, the depression can be used as a space in which surface acoustic waves can oscillate and can be excited and propagated, and a surface acoustic wave element having a lid formed so as to cover the space. Then, it was found that a package was not required, and such a structure could be manufactured on a wafer before being formed into chips, so that the number of steps was reduced and manufacturing could be performed at low cost.
【０００７】さらに、このような空間を持たせた構造の
弾性表面波素子は、以下の方法で好ましく製造されるこ
とを見いだした。まず、圧電基板表面に図１の如き窪み
を作成する。スパッタリングにより電極となる金属膜を
堆積させ、パターニングする。次に、圧電基板のウエハ
全体に犠牲層になる絶縁膜を窪みの深さと同程度堆積さ
せ、弾性表面波素子の電極パターンのみを覆い隠すよう
に絶縁膜をパターニングし、その後カバー膜を基板全体
に堆積させる。ボンディングパッド部分に対応する部分
に窓開けを行い、先に堆積させた絶縁膜のみを選択的に
ウエットエッチングにより除去し、弾性表面波の励振部
分に空間を持たせる。この素子を使用する際には、素子
を回路基板にダイボンディング、ワイヤボンディングし
た後、ボンディングパッド部を樹脂で覆うことで素子の
気密性を保つ。Furthermore, it has been found that a surface acoustic wave device having a structure having such a space is preferably manufactured by the following method. First, a depression as shown in FIG. 1 is formed on the surface of the piezoelectric substrate. A metal film to be an electrode is deposited by sputtering and patterned. Next, an insulating film serving as a sacrificial layer is deposited on the entire wafer of the piezoelectric substrate to the same degree as the depth of the depression, and the insulating film is patterned so as to cover only the electrode pattern of the surface acoustic wave element. To be deposited. A window is opened in a portion corresponding to the bonding pad portion, and only the previously deposited insulating film is selectively removed by wet etching, so that a space is provided in a surface acoustic wave excitation portion. When using this element, the element is die-bonded and wire-bonded to a circuit board, and then the bonding pad portion is covered with resin to maintain the airtightness of the element.
【０００８】本発明は以上の知見に基づくものであり、
請求項１によれば、圧電基板の一主面に設けられた窪み
に弾性表面波素子の電極が形成され、前記窪みを覆って
薄膜層が形成され、前記窪みと前記薄膜層との間に弾性
表面波が振動可能な空間を形成したことを特徴とする弾
性表面波素子が提供される。[0008] The present invention is based on the above findings,
According to claim 1, an electrode of the surface acoustic wave element is formed in a depression provided on one main surface of the piezoelectric substrate, a thin film layer is formed to cover the depression, and between the depression and the thin film layer. There is provided a surface acoustic wave device having a space in which a surface acoustic wave can vibrate.
【０００９】このような構造とすれば、パッケージが不
要となるので小型化が可能となり、また、これらの窪み
や薄膜層およびそれらの間の空間は、チップ化する前の
圧電基板上で作成できるので、工数が少なくなり低コス
トで製造できる。With such a structure, a package is not required, so that the size can be reduced. Further, these depressions, thin film layers, and spaces between them can be formed on a piezoelectric substrate before being formed into chips. Therefore, the number of steps is reduced and the manufacturing can be performed at low cost.
【００１０】請求項２によれば、前記弾性表面波素子の
ボンディングパッドが前記窪みの外側の前記一主面に形
成されていることを特徴とする請求項１記載の弾性表面
波素子が提供される。According to a second aspect of the present invention, there is provided the surface acoustic wave element according to the first aspect, wherein a bonding pad of the surface acoustic wave element is formed on the one main surface outside the depression. You.
【００１１】請求項３によれば、圧電基板の一主面に窪
みを形成する工程と、その後、前記窪みに弾性表面波素
子の電極を形成する工程と、その後、前記窪み内のみに
絶縁膜を選択的に形成して前記絶縁膜により前記窪みを
埋める工程と、その後、前記絶縁膜上および前記一主面
上に前記絶縁膜とエッチング速度が異なる薄膜層を形成
する工程と、その後、前記絶縁膜の一部を露出する開口
を前記薄膜層に形成する工程と、その後、前記開口を介
して前記絶縁膜を選択的にエッチング除去することによ
り、前記窪みと前記薄膜層との間に弾性表面波が振動可
能な空間を形成する工程と、を備えることを特徴とする
弾性表面波素子の製造方法が提供される。According to the third aspect, a step of forming a depression on one main surface of the piezoelectric substrate, a step of forming an electrode of a surface acoustic wave element in the depression, and thereafter, an insulating film is formed only in the depression. Selectively forming and filling the depression with the insulating film, and thereafter, forming a thin film layer having a different etching rate from the insulating film on the insulating film and the one main surface, and thereafter, Forming an opening in the thin film layer that exposes a portion of the insulating film, and then selectively etching away the insulating film through the opening to provide elasticity between the depression and the thin film layer. Forming a space in which a surface wave can vibrate, and a method for manufacturing a surface acoustic wave element.
【００１２】請求項４によれば、圧電基板の一主面に窪
みを形成する工程と、その後、前記窪みに弾性表面波素
子の電極を形成し、前記一主面上にボンディングパッド
を形成する工程と、その後、前記窪み内のみに絶縁膜を
選択的に形成して前記絶縁膜により前記窪みを埋める工
程と、その後、前記絶縁膜、前記ボンディングパッドお
よび前記一主面上に前記絶縁膜とエッチング速度が異な
る薄膜層を形成する工程と、その後、前記ボンディング
パッドおよび絶縁膜の一部を共に露出する開口を前記薄
膜層に形成する工程と、その後、前記開口を介して前記
絶縁膜を選択的にエッチング除去することにより、前記
窪みと前記薄膜層との間に弾性表面波が振動可能な空間
を形成する工程と、を備えることを特徴とする弾性表面
波素子の製造方法が提供される。According to the fourth aspect, a step of forming a depression on one principal surface of the piezoelectric substrate, thereafter, forming an electrode of a surface acoustic wave element in the depression, and forming a bonding pad on the one principal surface. And a step of selectively forming an insulating film only in the recess and filling the recess with the insulating film, and thereafter, the insulating film, the bonding pad and the insulating film on the one main surface. A step of forming a thin film layer having a different etching rate, a step of forming an opening exposing both the bonding pad and a part of the insulating film in the thin film layer, and then selecting the insulating film through the opening Forming a space in which a surface acoustic wave can oscillate between the recess and the thin film layer by etching away the surface. It is provided.
【００１３】これらの製造方法によれば、窪みに形成さ
れた弾性表面波素子の電極と、窪みを覆って形成された
薄膜層と、窪みと薄膜層との間に弾性表面波が振動可能
な空間とを備える構造を、チップ化する前の圧電基板上
で作成できるので、工数が少なくなり低コストで製造で
きるようになる。また、このような構造にして製造され
る弾性表面波素子においては、パッケージが不要となる
ので小型化が可能となる。According to these manufacturing methods, the surface acoustic wave element electrode formed in the depression, the thin film layer formed covering the depression, and the surface acoustic wave can oscillate between the depression and the thin film layer. Since a structure having a space can be formed on the piezoelectric substrate before being formed into a chip, the number of steps can be reduced and the device can be manufactured at low cost. Further, in the surface acoustic wave device manufactured with such a structure, a package is not required, so that the size can be reduced.
【００１４】なお、これらの製造方法において、窪み内
のみに絶縁膜を選択的に形成するには、好ましくは、ス
パッタリング等により全面に絶縁膜を窪みの深さと同程
度の厚さに形成しその後窪み内のみに絶縁膜が残るよう
に加工する。In these manufacturing methods, in order to selectively form the insulating film only in the recess, preferably, the insulating film is formed on the entire surface by sputtering or the like to have a thickness approximately equal to the depth of the recess. Processing is performed so that the insulating film remains only in the depression.
【００１５】[0015]
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
【００１６】図１〜図６は、本発明の一実施の形態の弾
性表面波素子およびその製造方法を説明するために製造
工程順に示した概略図であり、図２〜図６は図１のＡ部
の部分拡大図である。そして、図１Ａは概略縦断面図、
図１Ｂは上面図であり、図２Ａ〜図６Ａはそれぞれ図２
Ｂ〜図６ＢのＸＸ線部分縦断面図であり、図２Ｂ〜図６
Ｂは部分上面図である。図７は、本発明の一実施の形態
の弾性表面波素子の製造方法を説明するためのフローチ
ャートである。FIGS. 1 to 6 are schematic views showing a surface acoustic wave device according to an embodiment of the present invention and a method of manufacturing the same in the order of manufacturing steps. FIGS. It is the elements on larger scale of A part. And FIG. 1A is a schematic longitudinal sectional view,
FIG. 1B is a top view, and FIGS.
FIG. 7 is a vertical sectional view taken along the line XX of FIGS.
B is a partial top view. FIG. 7 is a flowchart illustrating a method for manufacturing a surface acoustic wave device according to one embodiment of the present invention.
【００１７】まず、本実施の形態の弾性表面波素子の製
造方法を工程順に説明する。First, a method for manufacturing a surface acoustic wave device according to the present embodiment will be described in the order of steps.
【００１８】工程１） ウエハの加工 まず、図１に示すように、ＬｉＮｂＯ3 等の圧電材料か
らなる圧電基板１１の表面を加工して複数の窪み１９を
形成する。窪み１９の深さは、２μｍである。Step 1) Wafer Processing First, as shown in FIG. 1, the surface of a piezoelectric substrate 11 made of a piezoelectric material such as LiNbO 3 is processed to form a plurality of depressions 19. The depth of the depression 19 is 2 μm.
【００１９】より詳細には、図７に示すように、まず、
圧電基板１１のウエハを洗浄し、その後、圧電基板１１
の表面上にフォトレジストを塗布しプリベークを行う。
その後、露光、現像し、ポストベークを行う。次に、フ
ォトレジストをマスクにして圧電基板１１の表面を選択
的にエッチングし、その後、レジストを剥離する。More specifically, as shown in FIG.
After cleaning the wafer of the piezoelectric substrate 11, the piezoelectric substrate 11
A photoresist is applied on the surface of the substrate and prebaked.
Thereafter, exposure, development, and post-baking are performed. Next, the surface of the piezoelectric substrate 11 is selectively etched using the photoresist as a mask, and then the resist is removed.
【００２０】工程２） 電極形成 次に、図２に示すように、電極材料として金（Ａｕ）３
２００オングストロームをウエハ全体に堆積させ、その
後パターニングして、窪み１９内には圧電振動子素子の
電極１２を、圧電基板１１の表面上にはボンディングパ
ッド１８をそれぞれ形成した。Step 2) Electrode formation Next, as shown in FIG. 2, gold (Au) 3 is used as an electrode material.
200 Å was deposited over the entire wafer and then patterned to form a piezoelectric vibrator element electrode 12 in the depression 19 and a bonding pad 18 on the surface of the piezoelectric substrate 11.
【００２１】より詳細には、図７に示すように、まず、
圧電基板１１上に金電極をスパッタで形成する。次に、
フォトレジストを塗布しプリベークを行う。その後、露
光、現像し、ポストベークを行う。次に、フォトレジス
トをマスクにして金電極を選択的にエッチングして電極
１２およびボンディングパッド１８をパターニング形成
し、その後、レジストを剥離する。More specifically, as shown in FIG.
A gold electrode is formed on the piezoelectric substrate 11 by sputtering. next,
A photoresist is applied and prebaked. Thereafter, exposure, development, and post-baking are performed. Next, the gold electrode is selectively etched using the photoresist as a mask to pattern and form the electrode 12 and the bonding pad 18, and then the resist is peeled off.
【００２２】工程３） 酸化シリコン膜１３により窪み
１９を埋める 次に、図３に示すように、酸化シリコン膜１３により窪
み１９を埋める。Step 3) Filling the depression 19 with the silicon oxide film 13 Next, as shown in FIG. 3, the depression 19 is filled with the silicon oxide film 13.
【００２３】より詳細には、図７に示すように、まず、
全面に酸化シリコン膜１３を窪み１９の深さと同程度の
厚さにスパッタで形成する。次に、フォトレジストを塗
布しプリベークを行う。その後、露光、現像し、ポスト
ベークを行う。次に、フォトレジストをマスクにして酸
化シリコン膜１３をウェットエッチングによりパターニ
ングして窪み１９内のみに酸化シリコン膜１３を残す。
その後、レジストを剥離する。More specifically, as shown in FIG.
A silicon oxide film 13 is formed on the entire surface by sputtering to a thickness approximately equal to the depth of the depression 19. Next, a photoresist is applied and prebaked. Thereafter, exposure, development, and post-baking are performed. Next, the silicon oxide film 13 is patterned by wet etching using the photoresist as a mask, and the silicon oxide film 13 is left only in the depression 19.
After that, the resist is stripped.
【００２４】工程４） ポリシリコンのカバー層の形成 次に、図４に示すように、ポリシリコンのカバー層１４
を全面に形成する。Step 4) Formation of Polysilicon Cover Layer Next, as shown in FIG.
Is formed on the entire surface.
【００２５】工程５） 素子のボンディングパッド部上
に窓開け 次に、図５に示すように、弾性表面波素子のボンディン
グパッド部１８および酸化シリコン膜１３の一部を露出
する開口１５をポリシリコンのカバー層１４に設ける。Step 5) Open a window on the bonding pad portion of the device Next, as shown in FIG. 5, an opening 15 exposing a portion of the bonding pad portion 18 and the silicon oxide film 13 of the surface acoustic wave device is made of polysilicon. On the cover layer 14.
【００２６】より詳細には、図７に示すように、ポリシ
リコンのカバー層１４上にフォトレジストを塗布しプリ
ベークを行う。その後、露光、現像し、ポストベークを
行う。次に、フォトレジストをマスクにしてポリシリコ
ン膜をウェットエッチングし、その後、レジストを剥離
する。More specifically, as shown in FIG. 7, a photoresist is applied on the polysilicon cover layer 14 and prebaked. Thereafter, exposure, development, and post-baking are performed. Next, the polysilicon film is wet-etched using the photoresist as a mask, and then the resist is removed.
【００２７】工程６） 振動用空間形成 次に、図６に示すように、開口１５を介して酸化シリコ
ン膜１３をウェットエッチングにより選択的に除去し
て、振動用空間１６を窪み１９とポリシリコンのカバー
層１４との間に形成する。Step 6) Formation of Vibration Space Next, as shown in FIG. 6, the silicon oxide film 13 is selectively removed by wet etching through the opening 15 to form the vibration space 16 with the recess 19 and the polysilicon. Between the cover layer 14 and the cover layer 14.
【００２８】このようにして製造された弾性表面波素子
においては、圧電基板の表面に設けられた窪み１９に弾
性表面波素子の電極１２が形成され、窪み１９を覆って
ポリシリコンのカバー層１４が形成され、窪み１９とポ
リシリコンのカバー層１４との間に弾性表面波が振動可
能な空間１６が形成されるので、弾性表面波素子の特性
を確保するためにセラミックパッケージ等が不要となっ
て小型化が可能となり、また、チップ化する前のウエハ
の状態で作成できるので、工数が少なくなり低コストで
製造できる。In the surface acoustic wave device manufactured as described above, the electrode 12 of the surface acoustic wave device is formed in the depression 19 provided on the surface of the piezoelectric substrate, and the polysilicon cover layer 14 covers the depression 19. Is formed, and a space 16 in which surface acoustic waves can oscillate is formed between the depression 19 and the cover layer 14 of polysilicon, so that a ceramic package or the like is not required to secure the characteristics of the surface acoustic wave element. In addition, since the wafer can be formed in a state of a wafer before being formed into chips, the number of steps can be reduced and manufacturing can be performed at low cost.
【００２９】なお、ボンディングパッド部１８を露出す
る開口１５はボンディングパッド部１８への配線のため
に使用される。The opening 15 exposing the bonding pad 18 is used for wiring to the bonding pad 18.
【００３０】また、本実施の形態の弾性表面波素子を使
用する際には、素子を回路基板にダイボンディング、ワ
イヤボンディングした後、ボンディングパッド部を樹脂
で覆うことで素子の気密性を保つ。When the surface acoustic wave device according to the present embodiment is used, the device is die-bonded and wire-bonded to a circuit board, and then the bonding pad portion is covered with resin to maintain the airtightness of the device.
【００３１】[0031]
【発明の効果】本発明によれば、セラミックや缶パッケ
ージを使用することなく弾性表面波素子を製造すること
が可能である。またウエハ単位のバッチ処理により素子
の表面に振動用の空間を形成するため、従来に比べ後工
程の工程数を大幅に少なくすることができる。以上よ
り、大幅なコスト削減が可能である。さらに、パッケー
ジを使用する必要がないので、素子の小型化が可能であ
る。According to the present invention, it is possible to manufacture a surface acoustic wave device without using a ceramic or a can package. Further, since a space for vibration is formed on the surface of the element by batch processing for each wafer, the number of post-processes can be significantly reduced as compared with the related art. As described above, significant cost reduction is possible. Further, since there is no need to use a package, the size of the device can be reduced.
【図１】本発明の一実施の形態の弾性表面波素子の製造
方法を説明するための図であり、図１Ａは概略縦断面
図、図１Ｂは上面図である。FIGS. 1A and 1B are views for explaining a method of manufacturing a surface acoustic wave device according to an embodiment of the present invention. FIG. 1A is a schematic longitudinal sectional view, and FIG. 1B is a top view.
【図２】本発明の一実施の形態の弾性表面波素子の製造
方法を説明するための図であり、図２Ａは概略部分縦断
面図、図２Ｂは概略部分上面図である。2A and 2B are views for explaining a method of manufacturing the surface acoustic wave device according to one embodiment of the present invention, wherein FIG. 2A is a schematic partial longitudinal sectional view, and FIG. 2B is a schematic partial top view.
【図３】本発明の一実施の形態の弾性表面波素子の製造
方法を説明するための図であり、図３Ａは概略部分縦断
面図、図３Ｂは概略部分上面図である。3A and 3B are views for explaining a method of manufacturing the surface acoustic wave device according to one embodiment of the present invention, wherein FIG. 3A is a schematic partial longitudinal sectional view and FIG. 3B is a schematic partial top view.
【図４】本発明の一実施の形態の弾性表面波素子の製造
方法を説明するための図であり、図４Ａは概略部分縦断
面図、図４Ｂは概略部分上面図である。4A and 4B are views for explaining a method of manufacturing the surface acoustic wave device according to one embodiment of the present invention, wherein FIG. 4A is a schematic partial longitudinal sectional view, and FIG. 4B is a schematic partial top view.
【図５】本発明の一実施の形態の弾性表面波素子の製造
方法を説明するための図であり、図５Ａは概略部分縦断
面図、図５Ｂは概略部分上面図である。5A and 5B are views for explaining a method of manufacturing the surface acoustic wave device according to one embodiment of the present invention, wherein FIG. 5A is a schematic partial longitudinal sectional view and FIG. 5B is a schematic partial top view.
【図６】本発明の一実施の形態の弾性表面波素子および
その製造方法を説明するための図であり、図６Ａは概略
部分縦断面図、図６Ｂは概略部分上面図である。6A and 6B are views for explaining a surface acoustic wave device and a method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention, wherein FIG. 6A is a schematic partial longitudinal sectional view, and FIG. 6B is a schematic partial top view.
【図７】本発明の一実施の形態の弾性表面波素子の製造
方法を説明するためのフローチャートである。FIG. 7 is a flowchart illustrating a method for manufacturing a surface acoustic wave device according to one embodiment of the present invention.
【図８】従来の弾性表面波素子のパッケージングを説明
するための縦断面図である。FIG. 8 is a longitudinal sectional view for explaining the packaging of a conventional surface acoustic wave element.
１１…圧電基板 １２…電極 １３…酸化シリコン膜 １４…ポリシリコン １５…開口 １６…振動用空間 １８…ボンディングパッド部 １９…窪み ２１…パッケージのキャップ ２２…セラミックパッケージ ２３…ボンディングワイヤ ２４…パッケージ電極 ２５…弾性表面波素子 ２６…電極 DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Piezoelectric substrate 12 ... Electrode 13 ... Silicon oxide film 14 ... Polysilicon 15 ... Opening 16 ... Vibration space 18 ... Bonding pad part 19 ... Depression 21 ... Package cap 22 ... Ceramic package 23 ... Bonding wire 24 ... Package electrode 25 ... Surface acoustic wave element 26 ... Electrode
Claims (4)
表面波素子の電極が形成され、前記窪みを覆って薄膜層
が形成され、前記窪みと前記薄膜層との間に弾性表面波
が振動可能な空間を形成したことを特徴とする弾性表面
波素子。An electrode of a surface acoustic wave element is formed in a depression provided on one principal surface of a piezoelectric substrate, a thin film layer is formed to cover the depression, and an elastic surface is provided between the depression and the thin film layer. A surface acoustic wave device having a space in which waves can oscillate.
が前記窪みの外側の前記一主面に形成されていることを
特徴とする請求項１記載の弾性表面波素子。2. The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein a bonding pad of the surface acoustic wave device is formed on the one main surface outside the depression.
と、 その後、前記窪みに弾性表面波素子の電極を形成する工
程と、 その後、前記窪み内のみに絶縁膜を選択的に形成して前
記絶縁膜により前記窪みを埋める工程と、 その後、前記絶縁膜上および前記一主面上に前記絶縁膜
とエッチング速度が異なる薄膜層を形成する工程と、 その後、前記絶縁膜の一部を露出する開口を前記薄膜層
に形成する工程と、 その後、前記開口を介して前記絶縁膜を選択的にエッチ
ング除去することにより、前記窪みと前記薄膜層との間
に弾性表面波が振動可能な空間を形成する工程と、 を備えることを特徴とする弾性表面波素子の製造方法。3. A step of forming a depression on one main surface of the piezoelectric substrate, a step of forming an electrode of a surface acoustic wave element in the depression, and then selectively forming an insulating film only in the depression. Filling the depression with the insulating film, and then forming a thin film layer having a different etching rate from the insulating film on the insulating film and on the one main surface; and then, forming a part of the insulating film. Forming an opening in the thin film layer to expose the surface, and then selectively etching away the insulating film through the opening, so that a surface acoustic wave can oscillate between the depression and the thin film layer. Forming a simple space; and a method for manufacturing a surface acoustic wave device.
と、 その後、前記窪みに弾性表面波素子の電極を形成し、前
記一主面上にボンディングパッドを形成する工程と、 その後、前記窪み内のみに絶縁膜を選択的に形成して前
記絶縁膜により前記窪みを埋める工程と、 その後、前記絶縁膜、前記ボンディングパッドおよび前
記一主面上に前記絶縁膜とエッチング速度が異なる薄膜
層を形成する工程と、 その後、前記ボンディングパッドおよび絶縁膜の一部を
共に露出する開口を前記薄膜層に形成する工程と、 その後、前記開口を介して前記絶縁膜を選択的にエッチ
ング除去することにより、前記窪みと前記薄膜層との間
に弾性表面波が振動可能な空間を形成する工程と、 を備えることを特徴とする弾性表面波素子の製造方法。4. A step of forming a depression on one main surface of the piezoelectric substrate, a step of forming an electrode of a surface acoustic wave element in the depression, and a step of forming a bonding pad on the one main surface; A step of selectively forming an insulating film only in the recess and filling the recess with the insulating film; and a thin film having a different etching rate from the insulating film on the insulating film, the bonding pad, and the one main surface. Forming a layer; thereafter, forming an opening in the thin film layer exposing both the bonding pad and a portion of the insulating film; and then selectively etching away the insulating film through the opening. Forming a space in which a surface acoustic wave can oscillate between the recess and the thin film layer, thereby producing a surface acoustic wave device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29150697A JPH11112282A (en) | 1997-10-08 | 1997-10-08 | Surface acoustic wave element and its manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29150697A JPH11112282A (en) | 1997-10-08 | 1997-10-08 | Surface acoustic wave element and its manufacture |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11112282A true JPH11112282A (en) | 1999-04-23 |
Family
ID=17769778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29150697A Withdrawn JPH11112282A (en) | 1997-10-08 | 1997-10-08 | Surface acoustic wave element and its manufacture |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11112282A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1973228A1 (en) * | 2006-01-11 | 2008-09-24 | Murata Manufacturing Co. Ltd. | Method for manufacturing surface acoustic wave device and surface acoustic wave device |
-
1997
- 1997-10-08 JP JP29150697A patent/JPH11112282A/en not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1973228A1 (en) * | 2006-01-11 | 2008-09-24 | Murata Manufacturing Co. Ltd. | Method for manufacturing surface acoustic wave device and surface acoustic wave device |
| US7629866B2 (en) | 2006-01-11 | 2009-12-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for manufacturing surface acoustic wave device and surface acoustic wave device |
| EP1973228A4 (en) * | 2006-01-11 | 2010-06-02 | Murata Manufacturing Co | Method for manufacturing surface acoustic wave device and surface acoustic wave device |
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