JPH11110110A

JPH11110110A - タッチパネル用透明導電性フィルム

Info

Publication number: JPH11110110A
Application number: JP26441397A
Authority: JP
Inventors: Yoshihiro Sakai; ▲祥▼浩坂井; Masato Koyama; 正人小山; Masaaki Kikkai; 正彰吉開; Yuichiro Harada; 祐一郎原田; Akira Suzuki; 彰鈴木; Akiyoshi Nakajima; 明美中島
Original assignee: Mitsui Chemicals Inc
Current assignee: Mitsui Chemicals Inc
Priority date: 1997-09-29
Filing date: 1997-09-29
Publication date: 1999-04-23

Abstract

(57)【要約】【課題】耐筆記性、耐アルカリ性および密着性に優れ
たタッチパネル用透明導電性フィルムを提供する。【解決手段】光学的に等方機能を有する透明高分子基
体（Ａ）をコロナ放電処理あるいは／かつグロー放電処
理した後、ニッケルからなる金属薄膜あるいは金属酸化
物（Ｄ）を積層し、次に酸窒化珪素層（Ｂ）を３〜３０
ｎｍ積層し、更に透明導電膜（Ｃ）を積層してなるタッ
チパネル用透明導電性フィルム（３）。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、耐筆記性、耐アル
カリ性および密着性に優れ、透明タッチパネル用途に適
した光等方性を有し、タッチパネルの透明電極として好
適に使用できる透明導電性フィルムに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ディスプレイ画面を指で触った
り、ペンで押圧するだけで入力できる透明タッチパネル
が普及している。このタッチパネルには、アナログ式と
マトリックス式がある。前者のアナログ式は、両端に電
極を備えた２枚の透明導電性基体をスペーサを介して対
向配置させ、上下の電極に電圧を印加して押圧位置の電
圧値をＸ−Ｙ座標の位置として検知する。後者のマトリ
ックス式は、導電層をストリップ状に形成した２枚の透
明導電性基体をマトリックス状に配列し、各々の電極に
より押圧位置を検知する。

【０００３】通常のタッチパネル用透明導電性フィルム
は、液晶表示素子の最上層に重ね合わせて用いるので、
透明性については留意するが、光等方性については考慮
されていない。したがって、基本的にはガラスもしくは
高分子フィルムに導電層（主にＩＴＯ膜）を積層した構
成を有し、少なくとも可視光の透過率が８０％以上であ
り、表面抵抗が１０００Ω／□以下であり、かつ耐筆記
性に優れることが要求される。

【０００４】一方、次世代のタッチパネル用資材とし
て、光の反射の低減、視認性の向上が要求されるように
なってきているが、上述した従来の積層構造では、この
要求を十分に満たすことはできない。

【０００５】そこで、視認性を向上させるため、液晶表
示素子の偏光板の下に透明導電性フィルムを設置するこ
とが検討されはじめ、有力な方式として期待され始め
た。この方式では、偏光板の下に透明導電性フィルムを
組み込む関係上、ベースフィルムには光学的に等方機能
を有することが要求される。

【０００６】ところで従来の導電膜層としては、酸化イ
ンジウム、酸化錫に酸化珪素や酸化アルミニウム等をド
ープしたもの（特開平４−２０６４０３号）、酸化イン
ジウム、酸化錫に窒素をドープしたもの（特開平４−３
０８６１２号）がある。しかしながら、単に透明導電膜
層を透明高分子基体上に形成しただけでは、アナログ用
途として求められる２５０ｇ荷重１０万文字筆記テスト
には耐えられない。

【０００７】また、特開平６−６４１０５号には、高分
子フィルムの少なくとも片面に酸化処理を施した有機珪
素ポリマー層を積層し、導電層を一方の面に積層したガ
スバリア性透明導電性積層体が記載されている。しか
し、これらの実施例では、ＰＥＴフィルムを使用してお
り、偏光板の下に設置するタイプの次世代のタッチパネ
ル用途としては、リターデーション値が大き過ぎて不向
きである。

【０００８】また、リターデーション値の低いフィルム
としては、ポリカーボネート、ポリエーテルサルフォ
ン、ポリアリレート、ポリアクリレート等があり、耐薬
品性、腰および加工性の観点からフィルムの両面に樹脂
層を塗布したものが開発されている。しかしながら、こ
れらのフィルムに直接有機珪素ポリマーやＩＴＯ膜を形
成すると、ＰＥＴフィルム（５０ｇｆ／ｉｎｃｈ以上）
に比べて密着性が弱く（３０ｇｆ／ｉｎｃｈ程度）、こ
れまでは実用化されなかった。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】従来の透明導電性基体
は、先にも述べたように、基本的にはガラスもしくは高
分子フィルム／導電層（主にＩＴＯ膜）の層構成を有す
る。

【００１０】ガラス基体を用いる場合は、基体を高温に
加熱する事により化学的に安定な透明導電膜層を形成
し、耐筆記性および密着性に優れるが、割れる、重い、
厚いといった問題がある。一方、高分子基体（高分子フ
ィルム）を用いる場合は、ガラス基体のような問題は生
じない。しかしながら、光学的に等方性な透明高分子基
体を使用すると、透明導電膜層を形成する際の温度は高
分子基体の耐熱温度に制限され、低温化せざるを得な
い。そのため、耐筆記性および密着性に優れた透明導電
膜層を形成するのは容易でない。さらに、高分子基体と
して従来提案されているものを用いた場合、光等方性、
透明性、耐熱性、耐薬品性、密着性などの要求性能を全
て満たすことは難しい。

【００１１】すなわち、本発明は、従来解決できなかっ
た前述の課題を総合的に解決し、特に、耐筆記性、耐ア
ルカリ性および密着性に優れたタッチパネル用透明導電
性フィルムを提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上述した
課題を解決するため鋭意検討を重ねた結果、以下の本発
明を完成した。

【００１３】すなわち、本発明は、直径８ｍｍのポリア
セタールペンを用いて、２５０ｇ荷重で１０万往復（３
往復／１秒、片道距離３５ｍｍ）した後のリニアリティ
が１．５％以下であり、かつリターデーション値が１５
ｎｍ以下であるタッチパネル用透明導電性フィルムであ
り、また、上述の性能を有し、かつ透明高分子基体
（Ａ）の一方の主面に、酸窒化珪素からなる層（Ｂ）、
酸化インジウム錫からなる透明導電膜層（Ｃ）を順次積
層してなるタッチパネル用透明導電性フィルムである。

【００１４】また、望ましくは、透明高分子基体（Ａ）
の一方の主面をコロナ放電処理および／またはグロー放
電処理し、該処理面上に酸窒化珪素からなる層（Ｂ）を
積層し、また、望ましくは、透明高分子基体（Ａ）の一
方の主面に、主としてニッケルからなる金属薄膜層ある
いは金属酸化物薄膜層（Ｄ）を積層し、該層（Ｄ）上に
酸窒化珪素からなる層（Ｂ）を積層し、また、望ましく
は、透明高分子基体（Ａ）の一方の主面をコロナ放電処
理および／またはグロー放電処理し、該処理面上に主と
してニッケルからなる金属薄膜層あるいは金属酸化物薄
膜層（Ｄ）を積層し、該層（Ｄ）上に酸窒化珪素からな
る層（Ｂ）を積層し、また、望ましくは、酸窒化珪素か
らなる層（Ｂ）の厚さが３〜３０ｎｍであるタッチパネ
ル用透明導電性フィルムである。

【００１５】

【発明の実施の形態】本発明のタッチパネル用透明導電
性フィルムは、上述したような特定のリニアリティとリ
ターデーション値を有することを特徴とするものであ
る。このような特性は、具体的には、透明高分子基体
（Ａ）の一方の主面に、酸窒化珪素からなる層（Ｂ）、
酸化インジウム錫からなる透明導電膜層（Ｃ）を順次積
層することにより、良好に得ることができる。

【００１６】透明高分子基体（Ａ）は、光学的に等方機
能を有する透明フィルムであればよく、その材質等に特
に制限は無い。例えば、ポリカーボネート、ポリエーテ
ルサルフォン、ポリアリレート、ポリアクリレート、ポ
リサルフォン等のホモポリマー、およびこれら樹脂のモ
ノマーと共重合可能なモノマーとのコポリマー等から成
る高分子基体が挙げられる。

【００１７】また、透明高分子基体（Ａ）中もしくはそ
の表面上に、公知の添加剤、例えば硬化剤、易滑剤、帯
電防止剤、ハードコート剤、防湿コート剤、ガスバリア
コート剤、腐食剤などが添加もしくは積層されていても
良い。また、透明高分子基体（Ａ）の表面に公知の表面
処理、例えば、粗面化処理、アンカーコートなどが施さ
れていても良い。透明高分子基体（Ａ）の厚みに特に制
限は無いが、タッチパネル用途を考慮した場合、１０〜
２５０μｍ程度が好ましい。

【００１８】酸窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）からなる層
（Ｂ）は、２ｘ＋ｙ≦４、ｘ＝０．０５〜２、ｙ＝０．
５〜４を満足することが好ましい。成膜時の反応ガス
は、窒素／アルゴン＝０．６〜４に保つことが好まし
い。窒素／アルゴンを０．６以上にすれば透明性や耐ア
ルカリ性などの点で良好な結果が得られ、また、窒素／
アルゴンを４以下にすればスパッタ速度などの点で良好
な結果が得られる。また、屈折率の低下により透明性を
向上させるため少量の酸素を添加しても良く、また、過
度の酸化防止のために水素を添加しても良い。

【００１９】この酸窒化珪素からなる層（Ｂ）の厚さ
は、３〜３０ｎｍ程度が好ましい。厚みをこの範囲内に
することによって、表面抵抗および可視光線透過率の両
方においてより良好な結果が得られる。

【００２０】酸窒化珪素からなる層（Ｂ）の成膜方法と
しては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレー
ティング法といった従来の公知技術の何れも採用でき
る。スパッタリング法においては、ターゲットに珪素を
使用しても、窒化珪素を使用しても良い。

【００２１】透明導電膜層（Ｃ）は、酸化インジウム錫
からなるものであればよい。比抵抗や可視光線透過率を
考慮すると、錫の含有率は３〜５０重量％が好ましい。
その厚みは、表面抵抗および可視光線透過率に影響する
ので、要求される表面抵抗と可視光線透過率によって厚
みを適宜決定すれば良い。通常は、１０〜５０ｎｍ程度
が好ましい。

【００２２】また、透明導電膜層（Ｃ）の表面抵抗値は
２００〜１０００Ω／□程度が好ましい。

【００２３】透明導電膜層（Ｃ）の成膜方法としては、
真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング
法といった従来の公知技術の何れも採用できる。スパッ
タリング法においては、ターゲットに酸化インジウム錫
を使用しても、インジウム錫合金を使用しても良い。

【００２４】本発明においては、さらに、透明高分子基
体（Ａ）の一方の主面をコロナ放電処理および／または
グロー放電処理し、この処理面上に酸窒化珪素からなる
層（Ｂ）を積層することが望ましい。これらの処理によ
り、透明高分子基体（Ａ）の表面が活性化および清浄化
されて、酸窒化珪素からなる層（Ｂ）との密着性がより
良好となる。

【００２５】コロナ放電処理の条件は特に制限は無い
が、通常は、大気中で１０〜１００ｋＶの条件で行う。
グロー放電処理の条件も特に制限は無いが、通常は、２
０Ｐａ以下の減圧下で、酸素、窒素、一酸化窒素、アル
ゴン、水素等のガスを使用すれば良い。

【００２６】本発明においては、さらに、透明高分子基
体（Ａ）の一方の主面に、主としてニッケルからなる金
属薄膜層あるいは金属酸化物薄膜層（Ｄ）を積層し、こ
の層（Ｄ）上に酸窒化珪素からなる層（Ｂ）を積層する
ことが望ましい。このような層（Ｄ）を、透明高分子基
体（Ａ）と酸窒化珪素からなる層（Ｂ）の間に介在させ
ることにより、耐アルカリ性がより良好となり、エッチ
ング加工などでアルカリを使用する工程がある場合に極
めて有効である。

【００２７】この層（Ｄ）は、主としてニッケルから形
成されるものであり、クロム、鉄などの金属との合金で
も良い。また、金属薄膜でも金属酸化物薄膜でも良く、
連続膜でなくても、島状の不連続膜でも良い。その厚み
は、耐アルカリ性を損なわない範囲で、特に可視光線透
過率を考慮した薄い厚みを適宜決定すれば良い。計算上
の厚さとしては、通常０．２〜３ｎｍ程度が好ましい。
この厚さを０．２ｎｍ以上にすれば耐アルカリ性の効果
がより良好に得られ、３ｎｍ以下にすれば透明性がより
良好となる。

【００２８】この層（Ｄ）の成膜方法としては、真空蒸
着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法とい
った従来の公知技術のいずれも採用できる。

【００２９】本発明においては、さらに、透明高分子基
体（Ａ）の一方の主面をコロナ放電処理および／または
グロー放電処理し、この処理面上に主としてニッケルか
らなる金属薄膜層あるいは金属酸化物薄膜層（Ｄ）を積
層し、この層（Ｄ）上に酸窒化珪素からなる層（Ｂ）を
積層するすることが望ましい。これにより、先に説明し
た特定処理による密着性の向上、層（Ｄ）による耐アル
カリ性の向上の効果を同時に発現でき、より良好なもの
が得られる。

【００３０】本発明の透明導電性フィルムは、直径８ｍ
ｍのポリアセタールペンを用いて、２５０ｇ荷重で１０
万往復（３往復／１秒、片道距離３５ｍｍ）した後のリ
ニアリティが１．５％以下であることを特徴とする。以
下、このリニアリティの測定法（筆記特性評価法）を、
図面を参照して説明する。

【００３１】図１は、本発明のタッチパネルサンプルの
リニアリティを測定する状態を示す模式的断面図であ
る。この図において、タッチパネルサンプルは、導電膜
付きガラス１上に、スペーサー２を介して、透明導電性
フィルム３が積層され、さらにその上に接着層４を介し
てハードコート付き偏光フィルム５が積層されてなる。
このタッチパネルの透明電極として使用される透明導電
性フィルム３のリニアリティを測定する場合は、この図
１に示すように、直径８ｍｍのポリアセタールペン６を
用いて、２５０ｇ荷重で１０万往復（速度：３往復／１
秒、片道距離３５ｍｍ）する。

【００３２】図２は、本発明のタッチパネルサンプルの
リニアリティを測定する状態を示す模式的平面図であ
る。ポリアセタールペン６を摺動させる場合は、この図
２に示すように、電極９の間（摺動部８）を往復摺動さ
せる。

【００３３】図３は、リニアリティの測定法を説明する
ためのグラフである。一方の電極９から測定点までの距
離と電圧との関係を測定すると、この図３示す鎖線のよ
うに、理想的には直線となる筈である（理想電圧）。し
かし、実際には、その距離と電圧との関係は、図３に示
す実線のように曲線となる（測定電圧）。ここで、１０
万往復した後の距離と電圧との関係をグラフで表わし、
理想電圧値とのズレ（△Ｖと△Ｖ’）を算出し、△Ｖと
△Ｖ’のうち大きい方の値（△Ｖmax）と、その距離で
の理想電圧の値（Ｖ）を用いて、以下の式より、リニア
リティを算出する。

【００３４】リニアリティ（％）＝（△Ｖmax／Ｖ）×１００このリニアリティの測定は、具体的には図２に示すよう
に、５ｃｍ×９ｃｍ角に切ったサンプルの９ｃｍ方向に
電圧を５Ｖ印加し、１ｃｍ間隔で電圧を測定し、理想値
からのズレ（△Ｖと△Ｖ’）を算出すればよい。

【００３５】また、本発明の透明導電性フィルムは、リ
ターデーション値が１５ｎｍ以下であることを特徴とす
る。このリターデーション値は、基材フィルムのＴＤ方
向とＭＤ方向の屈折率の差（△ｎ）を算出し、以下の式
より算出する。

【００３６】リターデーション（ｎｍ）＝ｄ×△ｎすなわち、リターデーション値は、基材フィルムのＴＤ
方向とＭＤ方向の屈折率の差に基材フィルムの厚みをか
けた値である。

【００３７】

【実施例】以下、本発明を実施例により更に詳細に説明
する。

【００３８】＜実施例１＞キャスト法により製膜した１
００μｍ厚のポリカーボネートフィルム（帝人（株）
製）の両面にノンソルベントタイプのアクリルエステル
系硬化型樹脂（日本ゼオン（株）製、商品名クインビー
ム−７００８）を１０μｍ塗布した透明高分子基材に、
酸素グロー放電処理（１．３Ｐａ、９００Ｗ、１分間）
を施した。

【００３９】次いで、反応ガスを窒素／アルゴン＝１．
５の割合で導入し、０．５Ｐａ雰囲気下でＤＣマグネト
ロンスパッタリング法により、１６ｎｍ厚の酸窒化珪素
からなる層を形成した。

【００４０】更に連続して、錫を２０重量％含有したイ
ンジウム錫合金をターゲットとして使用し、反応ガスを
アルゴン／酸素＝４０の割合で導入し、０．４Ｐａ雰囲
気下でＤＣマグネトロンスパッタリング法により、酸化
インジウム錫を表面抵抗値が５００Ω／□になる膜厚
（２０ｎｍ）だけ成膜して透明導電膜層とし、本発明の
透明導電性フィルムを作製した。

【００４１】＜実施例２＞酸素グロー放電処理の代わり
にコロナ放電処理（印加電圧３.５ｋＶ、速度３ｍ／
分）を行なったこと以外は、実施例１と同じ条件で透明
導電性フィルムを作製した。

【００４２】＜実施例３＞アクリルエステル系硬化型樹
脂の代わりにエポキシアクリレート系樹脂（帝国化学産
業（株）製、商品名ＴＵＲ１７７６ＨＶ）を使用し、か
つ酸窒化珪素からなる層の厚みを１０ｎｍとしたこと以
外は、実施例１と同じ条件で透明導電性フィルムを作製
した。

【００４３】＜実施例４＞酸窒化珪素からなる層の厚み
を１０ｎｍとしたこと以外は、実施例１と同じ条件で透
明導電性フィルムを作製した。

【００４４】＜実施例５＞酸窒化珪素からなる層の厚み
を２０ｎｍとしたこと以外は、実施例１と同じ条件で透
明導電性フィルムを作製した。

【００４５】＜実施例６＞グロー放電処理を施した後、
酸窒化珪素からなる層の形成前に、そのグロー放電処理
を施した面上に厚さ１ｎｍのニッケルクロム合金膜を形
成したこと以外は実施例１と同じ条件で透明導電性フィ
ルムを作製した。

【００４６】＜実施例７＞ニッケルクロム合金膜の厚さ
を２ｎｍとしたこと以外は、実施例６と同じ条件で透明
導電性フィルムを作製した。

【００４７】＜実施例８＞グロー放電処理を行わないこ
と以外は、実施例１と同じ条件で透明導電性フィルムを
作製した。

【００４８】＜実施例９＞グロー放電条件を６５０Ｗ
（０．５Ａ、１３００Ｖ）にしたこと以外は、実施例１
と同じ条件で透明導電性フィルムを作製した。

【００４９】＜実施例１０＞グロー放電ガスを空気とし
たこと以外は、実施例１と同じ条件で透明導電性フィル
ムを作製した。

【００５０】＜実施例１１＞酸窒化珪素からなる層の成
膜時の反応ガスを、窒素／アルゴン＝２としたこと以外
は、実施例１と同じ条件で透明導電性フィルムを作製し
た。

【００５１】＜実施例１２＞酸窒化珪素からなる層の成
膜時の反応ガスを、窒素／アルゴン＝４としたこと以外
は、実施例１と同じ条件で透明導電性フィルムを作製し
た。

【００５２】＜実施例１３＞酸化インジウム錫からなる
透明導電膜層の表面抵抗値が３５０Ω／□になるように
成膜したこと以外は、実施例１と同じ条件で透明導電性
フィルムを作製した。

【００５３】＜比較例１＞酸窒化珪素からなる層の厚み
を２ｎｍとしたこと以外は、実施例１と同じ条件で透明
導電性フィルムを作製した。

【００５４】＜比較例２＞酸窒化珪素からなる層の成膜
時の反応ガスを、窒素／アルゴン＝０．５としたこと以
外は、実施例１と同じ条件で透明導電性フィルムを作製
した。

【００５５】＜比較例３＞酸化インジウム錫からなる透
明導電膜層の厚さを５ｎｍとし、その表面抵抗値が２ｋ
Ω／□になるように成膜したこと以外は、実施例１と同
じ条件で透明導電性フィルムを作製した。

【００５６】＜評価＞各実施例及び各比較例で作製した
透明導電性フィルムの表面抵抗、透過率、筆記特性（リ
ニアリティ）、リターデーション値、密着性、耐アルカ
リ性を、以下の手法で評価した。評価結果を下記表１に
示す。

【００５７】［表面抵抗（Ｒ、Ω／□）］４端子法によ
り測定した。

【００５８】［透過率（Ｔvis、％）］日立製作所
（株）製、分光光度計Ｕ−３５００使用して測定した。

【００５９】［筆記特性（リニアリティ％）］図１及び
図２に示したように、透明導電性フィルム３に接着剤を
設けてハードコート付き偏光フィルム５を貼り合わせ、
透明導電性フィルム３側をスペーサー２付き導電膜付き
ガラス１と重ね合せ、このサンプルの偏光フィルム５側
をポリアセタールペンでリニアリティーを評価した。摺
動条件は、２５０ｇ荷重、１０万往復（３往復／１秒、
片道距離３５ｍｍ）とした。また、導電膜付きガラス１
の導電膜はＳｎＯ₂膜、スペーサー２の材質はアクリル
系樹脂、幅は１００μｍ、高さは２００μｍ、接着剤４
の厚みは２０μｍ、ハードコート付き偏光フィルム５の
硬度は２Ｈ以上、厚みは１８０μｍとした。

【００６０】１０万往復摺動後、図２に示すように、５
ｃｍ×９ｃｍ角に切ったサンプルの９ｃｍ方向に電圧を
５Ｖ印加し、１ｃｍ間隔で電圧を測定し、理想値からの
ズレ（△Ｖと△Ｖ’）を算出し、リニアリティを求め
た。

【００６１】［リターデーション値］平行ニコル回転法
に従って、新王子製紙（株）製ＫＯＢＲＡ−２１ＡＤＨ
を用い、基材フィルムのＴＤ方向とＭＤ方向の屈折率の
差を算出し、この値に基材フィルムの厚みをかけてリタ
ーデーション値を得た。

【００６２】［密着性（ｇｆ／ｉｎｃｈ）］ＪＩＳＫ
６８５４に準じ、島津オートグラフＡＧＳ−１００Ａを
使用し、９０゜×５ｍｍ／分剥離の条件で実施した。一
般的には、５０ｇｆ／ｉｎｃｈ以上が合格基準である。

【００６３】［耐アルカリ性］３．５％ＫＯＨに３分浸
漬（２３℃）後の抵抗変化率を測定し、（Ｒ／Ｒ0）≦
１.１のものを「◎」とし、１.１＜（Ｒ／Ｒ0）＜１.３
のものを「○」とし、１.３≦（Ｒ／Ｒ0）のものを
「×」とした。

【００６４】

【表１】

【００６５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
特に、耐筆記性、耐アルカリ性および密着性に優れたタ
ッチパネル用透明導電性フィルムを提供できる。

【００６６】本発明の透明導電性フィルムは、上述の優
れた各特性を有するので、例えば、視認性を向上させる
ため液晶表示素子の偏光板の下に透明導電性フィルムを
設置する構成のタッチパネルに極めて有効に使用でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のタッチパネルサンプルのリニアリティ
を測定する状態を示す模式的断面図である。

【図２】本発明のタッチパネルサンプルのリニアリティ
を測定する状態を示す模式的平面図である。

【図３】リニアリティの測定法を説明するためのグラフ
である。

【符号の説明】

１導電膜付きガラス２スペーサー３透明導電性フィルム４接着剤５ハードコート付き偏光フィルム６ポリアセタールペン８摺動部９電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者原田祐一郎愛知県名古屋市南区丹後通２丁目１番地三井東圧化学株式会社内 (72)発明者鈴木彰愛知県名古屋市南区丹後通２丁目１番地三井東圧化学株式会社内 (72)発明者中島明美愛知県名古屋市南区丹後通２丁目１番地三井東圧化学株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】直径８ｍｍのポリアセタールペンを用い
て、２５０ｇ荷重で１０万往復（３往復／１秒、片道距
離３５ｍｍ）した後のリニアリティが１．５％以下であ
り、かつリターデーション値が１５ｎｍ以下であるタッ
チパネル用透明導電性フィルム。
【請求項２】透明高分子基体（Ａ）の一方の主面に、
酸窒化珪素からなる層（Ｂ）、酸化インジウム錫からな
る透明導電膜層（Ｃ）を順次積層してなる請求項１記載
のタッチパネル用透明導電性フィルム。
【請求項３】透明高分子基体（Ａ）の一方の主面をコ
ロナ放電処理および／またはグロー放電処理し、該処理
面上に酸窒化珪素からなる層（Ｂ）を積層する請求項２
記載のタッチパネル用透明導電性フィルム。
【請求項４】透明高分子基体（Ａ）の一方の主面に、
主としてニッケルからなる金属薄膜層あるいは金属酸化
物薄膜層（Ｄ）を積層し、該層（Ｄ）上に酸窒化珪素か
らなる層（Ｂ）を積層する請求項２記載のタッチパネル
用透明導電性フィルム。
【請求項５】透明高分子基体（Ａ）の一方の主面をコ
ロナ放電処理および／またはグロー放電処理し、該処理
面上に主としてニッケルからなる金属薄膜層あるいは金
属酸化物薄膜層（Ｄ）を積層し、該層（Ｄ）上に酸窒化
珪素からなる層（Ｂ）を積層する請求項２記載のタッチ
パネル用透明導電性フィルム。
【請求項６】酸窒化珪素からなる層（Ｂ）の厚さが３
〜３０ｎｍである請求項１ないし５の何れか一項記載の
タッチパネル用透明導電性フィルム。