JPH11109380A - Liquid crystal display device - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent the peeling of wiring by arranging wiring for driving transistors(TRs) at the lower layer of sealing materials extended in parallel with the lateral sides of transparent substrates and forming slits in this wiring. SOLUTION: The sealing materials 73 are applied between driver circuits and the lateral sides of the liquid crystal display device evading the surfaces of the driver circuits. The driver circuits 16 to 18 are formed with the wiring consisting of Al, i.e. the source and drain electrodes of the TRs longitudinally and transverse or diagonally like a spider's web. While the Si nitrided films exposed between the Al and the Al are extremely few, the Al wiring is coarse and the Si nitrided films are formed wide between the driver circuits formed with the wiring 18 to 23 and the lateral sides of the liquid crystal display device. The angle parts of a power source line existing under the sealing materials are provided with slits to absorb distortion. The peeling of the wiring is prevented by the adhesiveness between the Si nitrided films exposed by these slits and planarization films.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に関
するものであり、特にシール材が主因となる不具合を防
止した液晶表示装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly to a liquid crystal display device in which a problem mainly caused by a sealing material is prevented.

【０００２】[0002]

【従来の技術】最近、液晶表示装置は、低消費電力、薄
型軽量、高精細な画像等が着目され、ＴＦＴを採用した
液晶表示装置が盛んに研究されている。特に、ａ−Ｓ
ｉ、ポリＳｉが中心であるが、移動度、開口率、プロセ
ス工程数等の観点からポリＳｉが最近着目され、実用化
されている。2. Description of the Related Art In recent years, attention has been paid to low power consumption, thin and lightweight, high-definition images, etc. of liquid crystal display devices, and liquid crystal display devices employing TFTs have been actively studied. In particular, a-S
i and poly-Si are mainly used, but poly-Si has recently attracted attention from the viewpoints of mobility, aperture ratio, number of process steps and the like, and has been put to practical use.

【０００３】例えば図５は、液晶表示装置の概略平面図
であり、左右に複数本延在されている配線がゲートライ
ン１０であり、上下に複数本延在されている配線がドレ
インライン１１である。そして前記ゲートライン１０と
前記ドレインライン１１によりマトリックス状に交点が
構成され、ここにそれぞれ表示電極１２、この表示電極
１２と電気的に接続されたＴＦＴ１３が対と成って表示
領域を構成している。[0005] For example, FIG. 5 is a schematic plan view of a liquid crystal display device. A plurality of wirings extending left and right are gate lines 10, and a plurality of wirings extending vertically are drain lines 11. is there. The gate lines 10 and the drain lines 11 form intersections in a matrix, and the display electrodes 12 and the TFTs 13 electrically connected to the display electrodes 12 form a pair to form a display area. .

【０００４】一方、これらが形成されるガラス基板１４
の一側辺には、端子１５が群となって配置され、この端
子群１５・・・と表示領域との間には、液晶表示装置を
駆動するドライバー回路、ここではプリチャージドライ
バー１６が形成され、対向する側辺にはドレインドライ
バー１７が形成されている。更に、左右の側辺には、ゲ
ートドライバー１８が形成されている。On the other hand, the glass substrate 14 on which these are formed is
Terminals 15 are arranged in groups on one side, and a driver circuit for driving the liquid crystal display device, here, a precharge driver 16 is formed between the terminal groups 15 and the display area. The drain driver 17 is formed on the opposite side. Further, gate drivers 18 are formed on the left and right sides.

【０００５】そしてゲートドライバ１８には、水平クロ
ック信号と水平スタート信号が入力される配線１９、２
０が、ドレインドライバー１７には、水平クロック信
号、水平スタート信号およびビデオ信号が入力される配
線２１、２２、２３が、プリチャージドライバー１６に
は、水平クロック信号および水平スタート信号が入力さ
れる配線２４、２５が、基板１４の周囲を延在して端子
１５と接続されている。またこれ以外にも端子が設けら
れているがここでは説明を省略する。The gate driver 18 has wirings 19, 2 for inputting a horizontal clock signal and a horizontal start signal.
0 is a line to which a horizontal clock signal, a horizontal start signal and a video signal are input to the drain driver 17, and a line to which the horizontal clock signal and the horizontal start signal are input to the precharge driver 16. 24 and 25 extend around the substrate 14 and are connected to the terminals 15. Although other terminals are provided, the description is omitted here.

【０００６】また表示領域内の一画素の断面図を図６で
説明する。第１の透明基板として無アルカリガラス５０
（図５の符号１４に対応する）が採用され、この上に
は、トランジスタのゲート５１およびこれと一体のゲー
トラインが形成され、また同一材料の補助容量電極５２
が形成されている。ここでは耐食性と抵抗値が考慮さ
れ、Ｃｒが採用され、この上の膜切れが考慮されてテー
パー構造が採用されている。FIG. 6 is a sectional view of one pixel in the display area. Non-alkali glass 50 as the first transparent substrate
(Corresponding to reference numeral 14 in FIG. 5), on which a gate 51 of the transistor and a gate line integral therewith are formed, and an auxiliary capacitance electrode 52 of the same material is formed.
Are formed. Here, Cr is adopted in consideration of corrosion resistance and resistance value, and a tapered structure is adopted in consideration of film breakage on this.

【０００７】また全面には、プラズマＣＶＤによりＳｉ
酸化膜５３とＳｉ窒化膜５４が形成され、トランジスタ
領域と補助容量領域に延在されるようにパターニングさ
れたポリＳｉ５５が設けられている。ここでポリＳｉに
は不純物Ｐが導入され、低濃度Ｎ−型のソース・ドレイ
ン領域５７、５８、高濃度Ｎ＋型のコンタクト領域５
９、６０が形成されている。またトランジスタのチャン
ネル領域５６は、この不純物を阻止するために、Ｓｉ酸
化膜のマスク６１が設けられている。On the entire surface, Si is formed by plasma CVD.
An oxide film 53 and a Si nitride film 54 are formed, and a poly-Si 55 patterned to extend to the transistor region and the auxiliary capacitance region is provided. Here, an impurity P is introduced into the poly-Si, and the low concentration N− type source / drain regions 57 and 58 and the high concentration N + type contact region 5 are formed.
9, 60 are formed. The channel region 56 of the transistor is provided with a mask 61 made of a Si oxide film in order to prevent this impurity.

【０００８】ここで補助容量は、補助容量電極５２まで
延在されているポリＳｉのＮ＋型のコンタクト領域６
０、Ｃｒからなる補助容量電極５２および絶縁層５３、
５４で構成されている。更には、全面にプラズマＣＶＤ
法によりＳｉ酸化膜６２、Ｓｉ窒化膜６３が被覆され、
コンタクト領域５９の一部が開口されてコンタクト孔が
形成され、Ａｌのドレイン電極６４が設けられている。
また全面には、今までの構成で成る凹凸を埋める平坦化
膜６５が設けられ、コンタクト領域６０の一部が露出さ
れたコンタクト孔を介してＩＴＯから成る表示電極６６
が設けられている。The auxiliary capacitance is a poly-Si N + type contact region 6 extending to the auxiliary capacitance electrode 52.
0, an auxiliary capacitance electrode 52 made of Cr and an insulating layer 53,
54. Furthermore, plasma CVD is performed on the entire surface.
The Si oxide film 62 and the Si nitride film 63 are covered by the method,
A contact hole is formed by partially opening the contact region 59, and an Al drain electrode 64 is provided.
A flattening film 65 is formed on the entire surface to fill the unevenness of the conventional structure, and a display electrode 66 made of ITO is formed through a contact hole in which a part of the contact region 60 is exposed.
Is provided.

【０００９】また図５に於けるドライバー回路１６、１
７、１８は、図６の構成要素を活用し、例えばボトムゲ
ートトランジスタ、ポリＳｉによる抵抗体、配線等から
構成されている。前記ボトムゲートトランジスタと画素
に形成されているトランジスタは、ほぼ同一工程でな
り、抵抗体は、トランジスタの半導体層であるポリＳｉ
５５に不純物が導入されて形成され、配線は、ドレイン
電極６４のＡｌ電極で形成されている。また配線同士の
交差部分には、ゲートのＣｒが活用されて形成されてい
る。またこれらを絶縁するのは、ゲート５１と半導体層
との間に形成される絶縁層５３、５４、半導体層の上に
形成される絶縁層６２、６３が主に使用される。従って
ドライバー回路が形成された最上面には、前記平坦化膜
６５が塗布され、硬化されている。The driver circuits 16, 1 shown in FIG.
Each of the components 7 and 18 is composed of, for example, a bottom gate transistor, a resistor made of poly-Si, a wiring, and the like, utilizing the components shown in FIG. The bottom gate transistor and the transistor formed in the pixel are formed in substantially the same process, and the resistor is made of poly-Si which is a semiconductor layer of the transistor.
55 is formed by introducing an impurity, and the wiring is formed by the Al electrode of the drain electrode 64. The intersection of the wirings is formed by utilizing the Cr of the gate. To insulate them, insulating layers 53 and 54 formed between the gate 51 and the semiconductor layer and insulating layers 62 and 63 formed on the semiconductor layer are mainly used. Therefore, the flattening film 65 is applied and hardened on the uppermost surface on which the driver circuit is formed.

【００１０】一方、第２の透明基板７０の上には、ＩＴ
Ｏからなる対向電極６７が設けられている。またここで
はカラー表示のため、Ｒ・Ｇ・Ｂのカラーフィルター６
８が表示電極６６に対応した領域に設けられると共にそ
の周囲には遮光膜６９が設けられている。また必要によ
っては、凹凸を平坦化するために対向電極６７が設けら
れる前に設けられても良い。On the other hand, on the second transparent substrate 70, an IT
A counter electrode 67 made of O is provided. In addition, here, for color display, an RGB color filter 6 is used.
8 is provided in a region corresponding to the display electrode 66, and a light shielding film 69 is provided therearound. If necessary, it may be provided before the counter electrode 67 is provided to flatten the unevenness.

【００１１】以上の構成を有した透明基板５０、７０に
は、配向膜７２、７１が設けられ、この透明基板が対向
配置される。その後、この間に液晶を封入するため、図
７のようにシール材７３が設けられ、このシール材の一
部で成る注入孔７４を介して液晶が注入され、シール材
端部７６に封止材７６が塗布されて液晶表示装置として
完了される。The transparent substrates 50 and 70 having the above-described structure are provided with alignment films 72 and 71, and the transparent substrates are arranged to face each other. Thereafter, a sealing material 73 is provided as shown in FIG. 7 in order to fill the liquid crystal during this time. Liquid crystal is injected through an injection hole 74 which is a part of the sealing material, and a sealing material 76 is applied to complete the liquid crystal display device.

【００１２】図７は、図５のシール材の位置を説明する
ものであり、一点鎖線で示す領域が前述した表示領域７
７である。FIG. 7 explains the position of the sealing material in FIG. 5, and the area indicated by the dashed line is the display area 7 described above.
7

【００１３】[0013]

【発明が解決しようとする課題】この構成に於いて、図
５を見ると判るように、シール材７３は、ドライバー回
路１６、１７、１８と重畳している。ここの断面を考え
ると、図６のＴＦＴのようにドライバー回路のトランジ
スタも形成され、Ｓｉ窒化膜６３と同一材料の絶縁層が
覆われた後、ドレイン電極材料のＡｌにより形成された
ドライバトランジスタのソース、ドレイン電極および配
線１９〜２３が形成され、更にその上には平坦化膜６５
が形成されている。In this configuration, as can be seen from FIG. 5, the seal member 73 overlaps the driver circuits 16, 17, and 18. Considering the cross section, a transistor of a driver circuit is also formed like the TFT of FIG. 6, and after an insulating layer of the same material as the Si nitride film 63 is covered, a driver transistor formed of Al as a drain electrode material is formed. Source and drain electrodes and wirings 19 to 23 are formed, and a planarizing film 65 is further formed thereon.
Are formed.

【００１４】ところがＳｉ窒化膜と平坦化膜であるアク
リル樹脂との接着性は良好であるが、アクリル樹脂とＡ
ｌの接着性はこれと比べると悪い。またアクリル樹脂と
シール材は、同じ高分子材料であるため接着性が良好で
ある。そのためＡｌ配線やＡｌ電極が縦横斜めとまるで
蜘蛛の巣のように非常に密に形成されたドライバー回路
の上にシール材７３があると、シール材の硬化時に発生
する収縮により、シール材とアクリル樹脂の接着性が良
好であることから、アクリル樹脂とＡｌ配線、アクリル
樹脂とＡｌ電極との界面が剥がれてしまい、その結果Ａ
ｌに歪みや断線を発生させ、結局トランジスタの劣化、
不良につながる問題があった。Although the adhesion between the Si nitride film and the acrylic resin as the flattening film is good, the acrylic resin and A
1 is poor in adhesion. In addition, the acrylic resin and the sealant are made of the same polymer material, and thus have good adhesiveness. Therefore, if the Al wiring and the Al electrode are vertically and horizontally inclined and the sealing material 73 is provided on a driver circuit formed very densely like a spider web, the sealing material and the acrylic material are shrunk when the sealing material is cured. Since the adhesiveness of the resin is good, the interfaces between the acrylic resin and the Al wiring and between the acrylic resin and the Al electrode are peeled off.
l causes distortion and disconnection, eventually resulting in transistor deterioration,
There was a problem that led to failure.

【００１５】[0015]

【課題を解決するための手段】本発明は、前述の課題に
鑑みてなされ、第１に、透明基板の側辺と平行に延在さ
れるシール材の下層に、前記トランジスタ駆動用の配線
を配置し、前記配線にスリットを形成することで解決す
るものである。第２に、前記スリットは、前記配線の角
部を成す領域に設けることで解決するものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and firstly, the above-mentioned transistor driving wiring is provided under a sealing material extending in parallel with a side of a transparent substrate. The problem is solved by arranging and forming a slit in the wiring. Second, the problem is solved by providing the slit in a region forming a corner of the wiring.

【００１６】第３に、前記配線は部分的に配置され、空
きスペースにダミー配線が設けられ、前記配線および前
記ダミー配線に、スリットを形成することで解決するも
のである。本来配線１９〜２３の全くない部分にシール
材を設ければ良いが、ガラス基板サイズが大きくなって
しまう問題がある。しかし駆動回路が形成されている領
域と透明基板側辺との間のＡｌ配線は、一定方向に形成
され、両側にはＳｉ窒化膜が同一方向で露出されてい
る。つまりドライバー回路のＡｌ配線や電極よりも疎に
形成されている。従ってこの部分に、シール材を設けれ
ば、Ａｌ配線の両側辺には平坦化膜との接着性の良好な
Ｓｉ窒化膜が存在し、この両側辺のＳｉ窒化膜と平坦化
膜の接着性でＡｌの剥離を防止することができる。しか
も幅の広い配線に於いては、スリットを設け、Ｓｉ窒化
膜を露出させれば、更に接着性を向上させることができ
る。Third, the problem is solved by partially disposing the wiring, providing a dummy wiring in an empty space, and forming slits in the wiring and the dummy wiring. Originally, it is sufficient to provide a sealing material in a portion where there are no wirings 19 to 23, but there is a problem that the size of the glass substrate becomes large. However, the Al wiring between the region where the drive circuit is formed and the side of the transparent substrate is formed in a certain direction, and the Si nitride films are exposed on both sides in the same direction. That is, they are formed more sparsely than the Al wirings and electrodes of the driver circuit. Therefore, if a sealing material is provided in this portion, Si nitride films having good adhesion to the flattening film exist on both sides of the Al wiring, and the adhesiveness between the Si nitride film and the flattening film on both sides of the Al wiring is present. Can prevent the peeling of Al. In addition, in the case of a wide wiring, if a slit is provided and the Si nitride film is exposed, the adhesiveness can be further improved.

【００１７】またＡｌの上に発生する平坦化膜の盛り上
がり幅、この盛り上がりに設けられるスペーサの量が、
シール材の側辺の中で、またシール材４辺で変動するた
め、ギャップが均一にならないが、ダミーパターンを設
けることで解決され、そのダミーパターンにスリットを
設けることで更に剥離性を抑えることができる。Further, the width of the protrusion of the flattening film generated on Al and the amount of the spacer provided on the protrusion are:
The gap does not become uniform because it fluctuates between the sides of the sealing material and also on the four sides of the sealing material. However, this can be solved by providing a dummy pattern, and by providing a slit in the dummy pattern, the releasability can be further suppressed. Can be.

【００１８】[0018]

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態につ
いて説明する。まず従来例でも説明したが、図１を参照
して平面的な配置について再度説明する。左右に複数本
延在されている配線がＣｒより成るゲートライン１０で
あり、上下に複数本延在されている配線がＡｌより成る
ドレインライン１１である。そして２種のライン１０、
１１によりマトリックス状に交点が構成され、ここにそ
れぞれＩＴＯより成る表示電極１２、この表示電極１２
と電気的に接続されたＴＦＴ１３が対と成って表示領域
を構成している。Embodiments of the present invention will be described below. First, although described in the conventional example, the planar arrangement will be described again with reference to FIG. A plurality of wirings extending left and right are gate lines 10 made of Cr, and a plurality of wirings extending vertically are drain lines 11 made of Al. And two kinds of lines 10,
11 form an intersection in the form of a matrix, in which a display electrode 12 made of ITO,
And the TFTs 13 electrically connected to each other constitute a display region.

【００１９】一方、これらが形成されるガラス基板１４
の一側辺には、端子１５が群となって配置され、この端
子群１５・・・と表示領域との間には、液晶表示装置を
駆動するドライバー回路、ここではプリチャージドライ
バー１６が形成され、対向する側辺にはドレインドライ
バー１７が形成されている。更に、左右の側辺には、ゲ
ートドライバー１８が形成されている。ただしドレイン
ドライバーとプリチャージドライバーの位置を交換して
も良いし、ゲートドライバーを一方の側辺にまとめて形
成しても良い。On the other hand, the glass substrate 14 on which these are formed
Terminals 15 are arranged in groups on one side, and a driver circuit for driving the liquid crystal display device, here, a precharge driver 16 is formed between the terminal groups 15 and the display area. The drain driver 17 is formed on the opposite side. Further, gate drivers 18 are formed on the left and right sides. However, the positions of the drain driver and the precharge driver may be exchanged, or the gate driver may be formed on one side.

【００２０】そしてゲートドライバ１８には、水平クロ
ック信号と水平スタート信号が入力されるＡｌ配線１
９、２０が、ドレインドライバー１７には、水平クロッ
ク信号、水平スタート信号およびビデオ信号が入力され
るＡｌ配線２１、２２、２３が、プリチャージドライバ
ー１６には、水平クロック信号および水平スタート信号
が入力されるＡｌ配線２４、２５が、基板１４の周囲を
回りながら端子１５と接続されている。The gate driver 18 has an Al wiring 1 to which a horizontal clock signal and a horizontal start signal are input.
9 and 20, a drain driver 17 receives a horizontal clock signal, a horizontal start signal, and a video signal. Al wirings 21, 22, and 23 receive a horizontal signal, and a precharge driver 16 receives a horizontal clock signal and a horizontal start signal. Al wirings 24 and 25 are connected to the terminal 15 while rotating around the substrate 14.

【００２１】続いて、画素部分の断面構造を説明する。
第１の透明基板として無アルカリガラス５０（図１の符
号１４に対応する）が採用され、この上には、トランジ
スタのゲート５１およびこれと一体のゲートライン１０
が形成され、また同一材料の補助容量電極５２が形成さ
れている。ここでは耐食性と抵抗値が考慮され、Ｃｒが
採用され、この上の膜切れが考慮されてテーパー構造が
採用されている。Next, the sectional structure of the pixel portion will be described.
Alkali-free glass 50 (corresponding to reference numeral 14 in FIG. 1) is employed as a first transparent substrate, on which a transistor gate 51 and a gate line 10 integrated therewith are provided.
Are formed, and an auxiliary capacitance electrode 52 of the same material is formed. Here, Cr is adopted in consideration of corrosion resistance and resistance value, and a tapered structure is adopted in consideration of film breakage on this.

【００２２】また全面には、プラズマＣＶＤによりＳｉ
酸化膜５３とＳｉ窒化膜５４が形成され、トランジスタ
領域と補助容量領域に延在されるようにパターニングさ
れたポリＳｉ５５が設けられている。ここでポリＳｉに
は不純物Ｐが導入され、低濃度Ｎ−型のソース・ドレイ
ン領域５７、５８、高濃度Ｎ＋型のコンタクト領域５
９、６０が形成されている。またトランジスタのチャン
ネル領域５６は、この不純物を阻止するために、Ｓｉ酸
化膜のマスク６１が設けられている。On the entire surface, Si is formed by plasma CVD.
An oxide film 53 and a Si nitride film 54 are formed, and a poly-Si 55 patterned to extend to the transistor region and the auxiliary capacitance region is provided. Here, an impurity P is introduced into the poly-Si, and the low concentration N− type source / drain regions 57 and 58 and the high concentration N + type contact region 5 are formed.
9, 60 are formed. The channel region 56 of the transistor is provided with a mask 61 made of a Si oxide film in order to prevent this impurity.

【００２３】ここで補助容量は、補助容量電極５２まで
延在されているポリＳｉのＮ＋型のコンタクト領域６
０、Ｃｒからなる補助容量電極５２および絶縁層５３、
５４で構成されている。更には、全面にプラズマＣＶＤ
法によりＳｉ酸化膜６２、Ｓｉ窒化膜６３が被覆され、
コンタクト領域５９の一部が開口されてコンタクト孔が
形成され、Ａｌのドレイン電極６４が設けられている。
また全面には、今までの構成で成る凹凸を埋めるアクリ
ル系樹脂より成る平坦化膜６５が設けられ、コンタクト
領域６０の一部が露出されたコンタクト孔を介してＩＴ
Ｏから成る表示電極６６が設けられている。The auxiliary capacitance is a poly-Si N + type contact region 6 extending to the auxiliary capacitance electrode 52.
0, an auxiliary capacitance electrode 52 made of Cr and an insulating layer 53,
54. Furthermore, plasma CVD is performed on the entire surface.
The Si oxide film 62 and the Si nitride film 63 are covered by the method,
A contact hole is formed by partially opening the contact region 59, and an Al drain electrode 64 is provided.
Further, a flattening film 65 made of an acrylic resin that fills the irregularities formed in the conventional configuration is provided on the entire surface, and the IT region is exposed through a contact hole in which a part of the contact region 60 is exposed.
A display electrode 66 made of O is provided.

【００２４】また図１に於けるドライバー回路１６、１
７、１８は、図６の構成要素を活用し、例えばボトムゲ
ートトランジスタ、ポリＳｉによる抵抗体、配線等から
構成されている。前記ボトムゲートトランジスタと画素
に形成されているトランジスタは、ほぼ同一工程でな
り、抵抗体は、トランジスタの半導体層であるポリＳｉ
５５に不純物が導入されて形成され、配線およびドライ
バー回路のトランジスタのソース・ドレイン電極は、ド
レイン電極６４のＡｌ電極で形成されている。また配線
同士の交差部分には、ゲートのＣｒが活用されて形成さ
れている。またこれらを絶縁するのは、ゲート５１と半
導体層との間に形成される絶縁層５３、５４、半導体層
の上に形成される絶縁層６２、６３が主に使用される。The driver circuits 16, 1 in FIG.
Each of the components 7 and 18 is composed of, for example, a bottom gate transistor, a resistor made of poly-Si, a wiring, and the like, utilizing the components shown in FIG. The bottom gate transistor and the transistor formed in the pixel are formed in substantially the same process, and the resistor is made of poly-Si which is a semiconductor layer of the transistor.
The source and drain electrodes of the wiring and the driver circuit transistor are formed by the Al electrode of the drain electrode 64. The intersection of the wirings is formed by utilizing the Cr of the gate. To insulate them, insulating layers 53 and 54 formed between the gate 51 and the semiconductor layer and insulating layers 62 and 63 formed on the semiconductor layer are mainly used.

【００２５】従ってドライバー回路が形成された最上面
には、前記平坦化膜６５が塗布され、硬化されている。
一方、第２の透明基板７０の上には、ＩＴＯからなる対
向電極６７が設けられている。またここではカラー表示
のため、Ｒ・Ｇ・Ｂのカラーフィルター６８が表示電極
６６に対応した領域に設けられると共にその周囲には遮
光膜６９が設けられている。また必要によっては、凹凸
を平坦化するために対向電極６７が設けられる前に設け
られても良い。Therefore, the flattening film 65 is applied and hardened on the uppermost surface on which the driver circuit is formed.
On the other hand, a counter electrode 67 made of ITO is provided on the second transparent substrate 70. Further, here, for color display, an R, G, B color filter 68 is provided in a region corresponding to the display electrode 66, and a light shielding film 69 is provided therearound. If necessary, it may be provided before the counter electrode 67 is provided to flatten the unevenness.

【００２６】以上の構成を有した第１の透明基板５０お
よび第２の透明基板７０には、配向膜７１、７２が設け
られ、この透明基板が対向配置され、この間に液晶を封
入するためのシール材が設けられ、このシール材の一部
で成る注入孔を介して液晶が注入され液晶表示装置とし
て完了される。ここで特徴とするところは、図１で示す
シール材７３のように、ドライバー回路上を避け、ドラ
イバー回路と液晶表示装置の側辺との間に塗布する所で
ある。The first transparent substrate 50 and the second transparent substrate 70 having the above-described structures are provided with alignment films 71 and 72, and the transparent substrates are arranged to face each other. A sealing material is provided, and liquid crystal is injected through an injection hole formed as a part of the sealing material, thereby completing the liquid crystal display device. The feature here is that, like the sealing material 73 shown in FIG. 1, the coating is applied between the driver circuit and the side of the liquid crystal display device, avoiding the driver circuit.

【００２７】ドライバー回路１６〜１８は、Ａｌによる
配線、つまりここに形成されるトランジスタのソース・
ドレイン電極が縦横または斜めと蜘蛛の巣状に形成さ
れ、ＡｌとＡｌの間に露出されるＳｉ窒化膜は、非常に
少ないが、配線１８〜２３が形成されるドライバー回路
と液晶表示装置の側辺の間は、Ａｌ配線が疎で成り、Ｓ
ｉ窒化膜が広く形成されている。The driver circuits 16 to 18 are made of wiring made of Al, that is, the source of a transistor formed here.
The drain electrode is formed in a spider web shape vertically and horizontally or diagonally, and the amount of the Si nitride film exposed between Al is very small, but the driver circuit on which the wirings 18 to 23 are formed and the side of the liquid crystal display device Between the sides, Al wiring is sparse, and S
The i-nitride film is formed widely.

【００２８】特に、この領域では、配線が液晶表示装置
の側辺と平行して配置されてあり、この配線の両サイド
には、あたかもＳｉ窒化膜が接着剤として露出されてい
る。つまり、平坦化膜がこの上に形成されると、Ｓｉ窒
化膜との接着性がよいことから、Ａｌの両サイドがこの
接着面で配線を全域に渡り押さえるように形成される。
従ってこの領域にシール材７３が塗布されてもＡｌ配線
の剥離が防止される。In particular, in this region, the wiring is arranged in parallel with the side of the liquid crystal display device, and on both sides of this wiring, a Si nitride film is exposed as an adhesive. That is, when the flattening film is formed thereon, since the adhesiveness with the Si nitride film is good, both sides of Al are formed so as to press down the wiring over the entire area with this bonding surface.
Therefore, even if the sealing material 73 is applied to this area, peeling of the Al wiring is prevented.

【００２９】また、幅が２２μｍの配線を何本もシール
材の下に形成し、そのピッチを変えて配線の剥離性につ
いて調べた。その結果、Ａｌ配線幅と露出されるＳｉ窒
化膜の幅の比が１以下であると剥離し易いことが判っ
た。つまりＳｉ窒化膜の露出幅の比が１を超える値であ
れば、剥離は抑制される。続いて図２で、シール材７３
の塗布方法について簡単に説明する。ここで表したもの
は、第１の透明基板１４（または符号５０）または第２
の透明基板７０がマトリックス状に形成された大板であ
る。シール材は、どちらの基板に塗布しても良いが、図
面では第１の透明板１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄを
少なくとも有する大板に形成されている。一般に液晶表
示装置は、大板から４枚取り等、マトリックス状に形成
されたものを個々に分割して作るからである。Further, a number of wirings having a width of 22 μm were formed under the sealing material, and the pitch was changed to examine the releasability of the wirings. As a result, it was found that if the ratio of the width of the Al wiring to the width of the exposed Si nitride film was 1 or less, it was easy to peel off. That is, if the ratio of the exposed width of the Si nitride film exceeds 1, the peeling is suppressed. Subsequently, referring to FIG.
A brief description will be given of a method of applying the composition. What is represented here is the first transparent substrate 14 (or reference numeral 50) or the second transparent substrate 14.
Is a large plate formed in a matrix. The sealing material may be applied to either of the substrates, but is formed on a large plate having at least the first transparent plates 14a, 14b, 14c, and 14d in the drawing. This is because a liquid crystal display device is generally made by dividing a liquid crystal display device formed in a matrix form, such as taking four sheets from a large plate.

【００３０】つまり配向膜まで形成された大板は、続い
て個々の第１の透明基板１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４
ｄの周囲を囲むようにシール材が塗布される。そして７
４で示す注入孔のように、一部液晶のはいる入り口が形
成されている。そして第１の透明基板の大板と第２の透
明基板側の大板が貼り合わされ、この後に、ダイヤモン
ドカッタの様なスクライバーを活用し、両大板の裏面に
スクライブラインＳＲの筋が形成される。そしてこのス
クライブラインＳＲに沿って分割され、液晶が注入され
る前の液晶表示装置が形成される。最後には、この注入
孔７４を介して、液晶が注入され、封止樹脂７６が塗布
され、完成する。That is, the large plate formed up to the alignment film is successively formed on the individual first transparent substrates 14a, 14b, 14c, 14c.
A sealing material is applied so as to surround d. And 7
As in the injection hole 4, an entrance into which the liquid crystal partially enters is formed. Then, the large plate of the first transparent substrate and the large plate on the second transparent substrate side are bonded to each other. After that, a streak of the scribe line SR is formed on the back surfaces of both large plates by using a scriber such as a diamond cutter. You. Then, the liquid crystal display device is divided along the scribe line SR and before the liquid crystal is injected. Finally, the liquid crystal is injected through the injection hole 74, the sealing resin 76 is applied, and the liquid crystal is completed.

【００３１】所で従来では、図７のようにシール材７３
の端部７５は、ガラス基板の側辺の手前で終端してい
た。しかしこれでは、液晶表示装置のギャップが狭いの
で、封止樹脂７６を塗布しても、シール材７３と封止材
７６の接着不良が発生していた。そのため図２のよう
に、端部７５を大幅に突出させてみたが、この場合、ス
クライブラインＳＲに沿って分割すると、分割時に分断
されたシール材の先端部７５が基板１４ｄに残ってしま
い、外観上で問題と成ったり、また分割の際、細かなガ
ラス屑がシール材と一緒に残ったり、更にはシール材が
スクライブラインと交差しているため、スクライブライ
ンから外れて分割されてしまう問題が生じた。Conventionally, as shown in FIG.
Was terminated short of the side of the glass substrate. However, in this case, since the gap of the liquid crystal display device is narrow, even if the sealing resin 76 is applied, poor adhesion between the sealing material 73 and the sealing material 76 has occurred. Therefore, as shown in FIG. 2, the end portion 75 is made to protrude significantly. In this case, when the end portion 75 is divided along the scribe line SR, the tip end portion 75 of the sealing material that is divided at the time of division remains on the substrate 14 d, A problem with the appearance, fine glass dust remains with the sealing material when dividing, and furthermore, the sealing material crosses the scribe line and is separated from the scribe line and divided. Occurred.

【００３２】そこで、シール材７３は、ディスペンサで
塗布されることから、その先端７５は、先細りの形状に
なることに着目し、図３のように、この先細りの部分が
スクライブラインＳＲを通過するように塗布した。実際
は、スクライブラインＳＲの手前で先細が始まり、スク
ライブラインＳＲから通過した先の長さは、実質１〜５
０μｍである。Therefore, since the sealing material 73 is applied with a dispenser, attention is paid to the fact that the tip 75 has a tapered shape, and this tapered portion passes through the scribe line SR as shown in FIG. Was applied as follows. Actually, the taper starts before the scribe line SR, and the length of the point passing from the scribe line SR is substantially 1 to 5
0 μm.

【００３３】このような構造にすると、先端部７５と基
板１４ｄとの接着性が弱く成るため、スクライブライン
ＳＲに沿って分割すると、基板１４ａ側にシール材７３
と一体で残存する様になる。従って、図１のように、液
晶表示装置の側辺に若干突出した形でシール材が設けら
れる構造と成るため、封止材７６を塗布してもこの封止
材がシール材と接触するので良好に接着される。また先
端部７５が分断され、基板１４ｄに付着しても目視でき
ない程度の量であり、何ら問題は発生しない。With such a structure, the adhesiveness between the front end portion 75 and the substrate 14d is weakened. Therefore, when divided along the scribe line SR, the sealing material 73
And will remain as one. Therefore, as shown in FIG. 1, the sealing material is provided so as to slightly protrude from the side of the liquid crystal display device. Therefore, even if the sealing material 76 is applied, the sealing material contacts the sealing material. Good adhesion. Further, the amount is such that the tip end portion 75 is cut off and cannot be seen even if it adheres to the substrate 14d, and no problem occurs.

【００３４】一方、シール材には、第１の透明基板と第
２の透明基板のギャップを決定するために、表示領域に
散布されるスペーサよりも径が小さいスペーサ（グラス
ファイバー）が混入されている。図１で示した配線ＤＨ
を無視して見ると、図１の下側辺のシール材の左側に２
本配置されているが、それ以外の側辺は１本、または全
く配置されていない。またこの配線の上には、平坦化膜
があり、配線の本数により平坦化膜の盛り上がり幅が異
なるため、この上に配置されるスペーサの数も異なる。
その為シール材を固着する際、両透明基板を押圧して固
着させるが、スペーサで規定されるギャップが、一側辺
全域で、また側辺間でバラツキを有するため、貼り合わ
せ時の圧力によりスペーサが平坦化膜に沈み込んだり、
平坦化膜の盛り上がり幅の違いがバラツキ発生し、ギャ
ップを全域に渡り均一にできない問題があった。On the other hand, in order to determine the gap between the first transparent substrate and the second transparent substrate, a spacer (glass fiber) smaller in diameter than the spacers scattered in the display area is mixed into the sealing material. I have. The wiring DH shown in FIG.
Is ignored, the left side of the sealing material on the lower side of FIG.
The main side is arranged, but the other side is one or not arranged at all. Further, a flattening film is provided on the wiring, and the swelling width of the flattening film is different depending on the number of wirings, so that the number of spacers disposed thereon is also different.
Therefore, when the sealing material is fixed, both transparent substrates are pressed and fixed, but the gap defined by the spacer has a variation over one side and between the sides, so that the pressure at the time of bonding is different. Spacers sink into the flattening film,
There is a problem in that the difference in the ridge width of the flattening film varies, and the gap cannot be made uniform over the entire area.

【００３５】そのた本発明では、ＤＨ１〜ＤＨ３のよう
にダミー配線を設けている。本願では、シール下に最大
２本の実配線が設けられているために、全域がダミー配
線も含めて２本となるように設けられている。まず図１
の下側辺を考えると、シール材の下には、端子からポイ
ントＰまで配線１９が設けられているだけである。従っ
てＤＨ３を設けている。In the present invention, dummy wirings are provided like DH1 to DH3. In the present application, since a maximum of two actual wirings are provided under the seal, the entire area is provided to be two including the dummy wirings. First, Figure 1
Considering the lower side, only the wiring 19 is provided from the terminal to the point P under the sealing material. Therefore, DH3 is provided.

【００３６】また右側辺には、全く配線が配置されてい
ないので、ＤＨ２，３が設けられている。更に上側辺に
は、ＤＨ１，４が設けられ、左側辺には、ＤＨ４が設け
られている。つまり信号の伝わる実配線は、下側辺の左
側に２本設けられているため、それ以外の側辺には、Ａ
ｌ配線が設けられていないので、ダミー配線を設け、こ
の上に設けられる平坦化膜の段差幅、およびこの上に散
布されるスペーサの数を実質同じにして、ギャップが４
つの側辺に渡り同等となるようにダミー配線を設けてい
る。従ってこのダミー配線も含めた平坦化膜の盛り上が
り部（凹凸部）は、その幅が全側辺に渡り実質均一とな
る。そしてこの上に設けられるスペーサの数も実質同じ
となる。Since no wiring is arranged on the right side, DH2 and DH3 are provided. Further, DH1 and DH4 are provided on the upper side, and DH4 is provided on the left side. That is, since two actual wirings for transmitting signals are provided on the left side of the lower side, A
Since no l-wiring is provided, a dummy wiring is provided.
Dummy wiring is provided so as to be equal over one side. Therefore, the width of the raised portion (concavo-convex portion) of the flattening film including the dummy wiring is substantially uniform over the entire side. The number of spacers provided thereon is also substantially the same.

【００３７】従って、両基板５０、７０を一定の力で押
圧しながら貼り合わせる製法をとつても、シール材もス
ペーサも全域に渡りバランス良く配置しているので、ギ
ャップを均一に形成することができる。この説明では、
配線幅が同じで説明しているので、全ての側辺に於いて
本数が同じになるように設けられているが、更に精度を
向上させようとすれば、設けられた配線幅の合計が同じ
になるように考えなくては成らない。例えばあるシール
材下には、幅合計（２０，２０，１０μｍ）が５０μｍ
であり、別の側辺には、２０μｍの配線が一本だけ設け
られていると、３０μｍを１本、または２０μｍと１０
μｍの２本をダミー配線として設ければ、合計幅が同一
となり、前述したバランスを更に良好とできる。Therefore, even when the two substrates 50 and 70 are bonded together while being pressed with a constant force, the sealing material and the spacer are arranged in a well-balanced manner over the entire area, so that the gap can be formed uniformly. it can. In this description,
Since the wiring width is the same, it is provided so that the number of lines is the same on all sides, but if the accuracy is to be further improved, the total of the provided wiring widths will be the same I have to think about it. For example, below a certain sealing material, the total width (20, 20, 10 μm) is 50 μm.
If only one 20 μm wire is provided on another side, one 30 μm wire, or 20 μm and 10 μm
If two μm lines are provided as dummy wirings, the total width becomes the same, and the above-mentioned balance can be further improved.

【００３８】一方、シール材下にある実際に使用される
配線幅は、主として約１０μｍ〜２２μｍであるが、電
源だけは４０μｍ程度である。他の配線と比べ電源は、
幅が２倍以上であり、また電源のコーナー部は、歪みの
集中するところであり、クラックも発生しやすい部分で
ある。そのため本願では、電源ラインの角部にスリット
ＳＬ１を設け、この歪みを吸収していると共に、スリッ
トにより、露出されているＳｉ窒化膜と平坦化膜との接
着性により、配線の剥がれを防止している。また幅が広
いことで膜剥がれがコーナー以外にも発生する場合は、
スリットＳＬ２のように設けても良い。On the other hand, the width of the wiring actually used under the sealing material is mainly about 10 μm to 22 μm, but only the power supply is about 40 μm. Power supply compared to other wiring,
The width is twice or more, and the corners of the power supply are places where distortion is concentrated and cracks easily occur. Therefore, in the present application, a slit SL1 is provided at a corner of the power supply line to absorb the distortion and prevent the wiring from peeling off due to the adhesiveness between the exposed Si nitride film and the flattening film. ing. In addition, if film peeling occurs at other than corners due to wide width,
It may be provided like a slit SL2.

【００３９】更に前述したが、ギャップコントロールの
ためにダミー配線を設けているが、このダミー配線にも
スリットをＳＬ１、ＳＬ２のように設けても良い。前述
したようにダミー配線は、２０μｍ以上の幅の広いもの
でも良く、その場合、電源ラインと同様に角部の歪みの
吸収、剥離防止の為の押圧が可能となる。Further, as described above, although dummy wirings are provided for gap control, slits may be provided in the dummy wirings as in SL1 and SL2. As described above, the dummy wiring may be a wide wiring having a width of 20 μm or more. In this case, similarly to the power supply line, it is possible to absorb distortion at the corners and press to prevent peeling.

【００４０】[0040]

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、第１
に、透明基板の側辺と平行に延在されるシール材の下層
に、前記トランジスタ駆動用の配線を配置し、前記配線
にスリットを形成することで、配線の剥離を防止でき
る。第２に、前記スリットは、前記配線の角部を成す領
域に設けることで、角部の歪みを防止できると共に、剥
離も同時に抑止できる。As is clear from the above description, the first
In addition, by disposing the transistor driving wiring below the sealing material extending in parallel with the side of the transparent substrate and forming a slit in the wiring, peeling of the wiring can be prevented. Second, by providing the slit in a region forming a corner of the wiring, distortion of the corner can be prevented, and peeling can be suppressed at the same time.

【００４１】第３に、前記配線は部分的に配置され、空
きスペースにダミー配線が設けられ、前記配線および前
記ダミー配線に、スリットを形成することで、ギャップ
のバラツキも抑えることができる。特にＡｌの上に発生
する平坦化膜の盛り上がり幅、この盛り上がりに設けら
れるスペーサの量が、シール材の側辺の中で、またシー
ル材４辺で変動するため、ギャップが均一にならない
が、ダミーパターンを設けることで解決され、同時にダ
ミーパターンにスリットを設けることで更に剥離性を抑
えることができる。Third, the wiring is partially arranged, a dummy wiring is provided in an empty space, and slits are formed in the wiring and the dummy wiring, so that variations in the gap can be suppressed. In particular, the ridge width of the flattening film generated on Al and the amount of the spacer provided on the ridge vary within the side of the seal material and at the four sides of the seal material, so that the gap is not uniform. This can be solved by providing a dummy pattern, and at the same time, by providing a slit in the dummy pattern, the releasability can be further suppressed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の液晶表示装置を説明する平面図であ
る。FIG. 1 is a plan view illustrating a liquid crystal display device of the present invention.

【図２】シール材の塗布方法を説明する図である。FIG. 2 is a diagram illustrating a method of applying a sealing material.

【図３】シール材の塗布方法を説明する図である。FIG. 3 is a diagram illustrating a method of applying a sealing material.

【図４】液晶表示装置の角部を説明する平面図である。FIG. 4 is a plan view illustrating a corner of the liquid crystal display device.

【図５】従来の液晶表示装置を説明する平面図である。FIG. 5 is a plan view illustrating a conventional liquid crystal display device.

【図６】液晶表示装置の画素部の断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view of a pixel portion of a liquid crystal display device.

【図７】従来の液晶表示装置の平面図である。FIG. 7 is a plan view of a conventional liquid crystal display device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１４ 第１透明基板 １６ プリチャージドライバー １７ ドレインドライバー １８ ゲートドライバー １９〜２５ 配線 ７３ シール材 ７６ 封止材 ＤＨ ダミー配線 ＳＬ１、ＳＬ２ スリット 14 First transparent substrate 16 Precharge driver 17 Drain driver 18 Gate driver 19-25 Wiring 73 Sealing material 76 Sealing material DH Dummy wiring SL1, SL2 Slit

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 トランジスタおよびこのトランジスタと
接続する表示電極を対としてマトリックス状に設けて成
る表示領域が設けられた第１の透明基板と、必要により
対向電極が設けられた第２の透明基板と、前記第１の透
明基板に設けられた第１の配向膜と、前記第２の透明基
板に設けられた第２の配向膜と、前記第１の透明基板と
前記第２の透明基板との間に設けられたスペーサが混入
されたシール材と、前記シール材を介して封入された液
晶とを有する液晶表示装置に於いて、 前記透明基板の側辺と平行に延在されるシール材の下層
には、前記トランジスタ駆動用の配線が配置され、前記
配線にはスリットが形成されることを特徴とした液晶表
示装置。1. A first transparent substrate provided with a display region formed by forming a transistor and display electrodes connected to the transistor in pairs in a matrix, and a second transparent substrate provided with a counter electrode as required. A first alignment film provided on the first transparent substrate, a second alignment film provided on the second transparent substrate, and the first transparent substrate and the second transparent substrate. In a liquid crystal display device having a sealing material mixed with a spacer provided therebetween and a liquid crystal sealed through the sealing material, the sealing material extending parallel to a side of the transparent substrate may be used. A liquid crystal display device, wherein the transistor driving wiring is arranged in a lower layer, and a slit is formed in the wiring. 【請求項２】 前記スリットは、前記配線の角部を成す
領域に設けられる請求項１記載の液晶表示装置。2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the slit is provided in a region forming a corner of the wiring. 【請求項３】 前記配線は部分的に配置され、空きスペ
ースにダミー配線が設けられ、前記配線および前記ダミ
ー配線には、スリットが形成される請求項１または請求
項２記載の液晶表示装置。3. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the wiring is partially arranged, a dummy wiring is provided in an empty space, and slits are formed in the wiring and the dummy wiring.