JPH11108969A

JPH11108969A - 過電流検知回路

Info

Publication number: JPH11108969A
Application number: JP32160897A
Authority: JP
Inventors: Fumiaki Mizuno; 史章水野; Takashi Hoshino; 孝志星野
Original assignee: Sumitomo Wiring Systems Ltd; Sumitomo Electric Industries Ltd; Harness System Technologies Research Ltd
Current assignee: Sumitomo Wiring Systems Ltd; AutoNetworks Technologies Ltd; Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 1997-08-08
Filing date: 1997-11-21
Publication date: 1999-04-23

Abstract

(57)【要約】【課題】電源電圧を加味した適正な過電流検知を行
う。【解決手段】シャント抵抗２等により、バッテリーＢ
からランプＬ等の負荷に供給される負荷電流を検出す
る。過電流検出回路５は、予め設定されたレベルの電流
基準値を出力する基準値出力回路を備え、この電流基準
値と検出負荷電流との比較に基づいて過電流を判定す
る。さらに、上記基準値出力回路５２に抵抗Ｒ３４を設
ける等して、バッテリー電圧に応じて上記電流基準値の
レベルを変動させるようにする。また、バッテリー電圧
を監視し、バッテリー電圧が所定の下限設定値よりも下
回った場合に外部に異常伝達信号を出力する電源電圧監
視回路９を備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ランプやモータ等
の負荷に電力を供給する回路において負荷に流れる過電
流を検知する過電流検知回路に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、自動車に装備される電装品などの
負荷へ電源から電力を供給する電力供給回路において、
過電流から負荷や電線を保護する保護手段として、２段
階の過電流検知ラインを設けることによってランプのよ
うな突入電流が生じる負荷の過電流保護を行うものが提
案されている（特公平８−１４５９８号公報）。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】一般に、自動車の電源
には、出力電圧が定格DC12Ｖに定められた鉛蓄電池等
（以下「バッテリー」という。）が使用されている。し
かし、実際の使用環境においてはバッテリーの出力電圧
は6〜16Ｖ程度の範囲で変動しており、そのバッテリー
電圧に応じて負荷電流も変動している。従って、この負
荷電流に基づいて回路異常を的確に判定するためには、
当該負荷電流だけでなくバッテリー電圧も考慮する必要
がある。

【０００４】例えば、図１６に示すグラフにおいて、検
出された負荷電流が比較的低い電流Ｉ_Aであるとする
と、このときのバッテリー電圧Ｖ_Bが6Ｖと低い場合に
は、これに見合う電流も低いため、上記負荷電流Ｉ_Aは
正常の範囲内にある（すなわち回路に異常は生じていな
い）と判断すべきであるが、バッテリー電圧Ｖ_Bが16Ｖ
の場合には、これに見合う電流も高くなるため、上記負
荷電流Ｉ_Aは正常電流の範囲よりも低い（すなわち回路
異常が発生している）と判断すべきである。逆に、負荷
電流が比較的高い電流Ｉ_Bであるとすると、バッテリー
電圧Ｖ_Bが6Ｖの場合には、これに見合う電流よりも負荷
電流Ｉ_Bが高いため、過電流であると判断すべきである
が、バッテリー電圧Ｖ_Bが16Ｖの場合には、これに見合
う電流も高いため、上記負荷電流Ｉ_Bは正常電流の範囲
内であると判断すべきである。すなわち、回路が正常な
状態にある場合に負荷電流がとり得る範囲は、バッテリ
ー電圧によって変化するのである。

【０００５】ところが、上記特公平８−１４５９８号公
報記載の過電流検知回路では、過電流検知ラインを設け
る際にバッテリー電圧の変動は考慮されていないので、
正常、異常の判断が必ずしも適切に行われない場合があ
る。特に、電線故障等に起因して回路短絡が発生し、大
電流が発生した場合、これに伴ってリレー等のスイッチ
手段とバッテリーとの間で大きな電圧降下が生じ、過電
流検知回路への電圧供給が不十分になるため、実際には
過電流が生じているにもかかわらずその検知ができなく
なるおそれがある。

【０００６】一方、車載環境においては周囲温度が−40
℃〜125℃の範囲で大きく変動するので、周囲温度に依
存しない電流基準値を生成することが望ましい。

【０００７】本発明は、上記問題を解決するものであ
り、電源電圧も加味した、より適切な過電流検知を行う
ことができる過電流検知回路を提供することを目的とす
る。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、電源から負荷
に供給される負荷電流を検出する負荷電流検出回路と、
予め設定されたレベルの電流基準値を出力する基準値出
力回路と、検出された上記負荷電流と上記電流基準値と
を比較して上記負荷電流が上記電流基準値以上になると
過電流であると判定する過電流判定手段とを備え、上記
基準値出力回路は、上記電源の電圧に応じて上記電流基
準値のレベルを変動させるレベル変動回路を備えたもの
である（請求項１）。

【０００９】この構成によれば、電源から負荷に供給さ
れる負荷電流が検出され、予め設定されたレベルの電流
基準値と、検出された負荷電流とが比較されて、負荷電
流が電流基準値以上になると過電流であると判定され
る。しかも、上記電流基準値のレベルは電源の電圧に応
じて変動するため、電源の電圧に応じて変動する負荷電
流のレベルに対応して電流基準値のレベルが変動するこ
ととなり、この電流基準値を用いて過電流の判定が精度
よく行われることとなる。

【００１０】なお、上記「電流基準値」は、電流値その
ものでなくてもよい。例えば、当該電流値に相当する基
準電圧を生成し、この基準電圧と、検出負荷電流に相当
する電圧との比較によって過電流発生を判定するように
してもよい。

【００１１】ここで、上記レベル変動回路は、変動伝達
用抵抗素子からなり、上記基準値出力回路は、第１ＮＰ
Ｎトランジスタ、第２ＮＰＮトランジスタ、第３ＮＰＮ
トランジスタ、第１抵抗素子、第２抵抗素子及び第３抵
抗素子を備え、上記第１ＮＰＮトランジスタのベースは
当該トランジスタのコレクタに接続され、エミッタは接
地され、コレクタは上記第２ＮＰＮトランジスタのベー
スに接続されるとともに、上記第１抵抗素子を介して上
記第３ＮＰＮトランジスタのコレクタに接続されてな
り、上記第２ＮＰＮトランジスタのコレクタは上記第３
ＮＰＮトランジスタのベースに接続されるとともに、上
記第２抵抗素子を介して上記第３ＮＰＮトランジスタの
コレクタに接続され、エミッタは上記第３抵抗素子を介
して接地されてなり、上記第３ＮＰＮトランジスタのエ
ミッタは接地され、コレクタは上記変動伝達用抵抗素子
を介して上記電源に接続されてなり、上記電流基準値に
相当する値として基準電圧を生成するものである構成で
は（請求項２）、第１〜第３ＮＰＮトランジスタ及び第
１〜第３抵抗素子からなる回路により周囲温度の変動に
依存しない基準電圧（電流基準値に相当する電圧）が生
成される一方、この回路が変動伝達用抵抗素子からなる
レベル変動回路を介して電源に接続されることにより、
電源の出力電圧に応じて変動する負荷電流のレベルに対
応して上記基準電圧のレベルが変動する（具体的には電
源電圧が高いほど基準電圧レベルも高くなる）こととな
り、これによって、過電流の判定が精度よく行われ、負
荷の保護が好適に行われる。

【００１２】請求項１又は２記載の過電流検知回路で
は、電源電圧を監視し、この電源電圧が所定の下限設定
値よりも下回った場合に外部に異常伝達信号を出力する
電源電圧監視回路を備えることが、より好ましい（請求
項３）。これにより、電源電圧が異常降下して適正な過
電流検知ができなくなった場合に、過電流発生が見逃さ
れて過電流が流れ続ける事態が未然に防がれる。

【００１３】なお、この電源電圧監視回路は、上記レベ
ル変動回路をもたない過電流検知回路に備えるようにし
ても、有効である（請求項４）。

【００１４】上記電源電圧監視回路は、上記異常伝達信
号の出力を開始した後、電源電圧が上記下限設定値より
も高い所定の復帰設定値以上に上昇した時に上記異常伝
達信号の出力を停止するように構成するのが、より好ま
しい（請求項５）。この構成によれば、電源電圧が復帰
設定値以上まで上昇した時点で自動的に異常伝達信号の
出力を停止させることができる。しかも、この復帰設定
値は前記下限設定値よりも高い値とされており、電源電
圧が充分に復帰してから異常伝達信号の出力が停止され
るので、信頼性が高い。

【００１５】上記電源電圧監視回路の具体的な構成は問
わないが、例えばシュミット回路が好適である（請求項
６）。

【００１６】この電源電圧監視回路を備えたものにおい
て、さらに、上記異常伝達信号が出力された時に上記電
源から負荷への電流供給を強制的に停止させる電源遮断
手段を備えれば（請求項７）、電源電圧異常降下時に自
動的に電流供給を強制停止させて過電流が流れ続けるの
を防ぐことができる。

【００１７】本発明において、過電流を検知した時の安
全動作の具体的な内容は適宜決めればよいが、上記電源
と上記負荷との接続をオンオフするスイッチ手段と、上
記過電流であると判定されると上記スイッチ手段をオフ
にするスイッチ制御手段とを備えるようにすれば（請求
項９）、負荷電流が過電流であると判定した場合に直ち
に過電流状態を停止させることができる。

【００１８】また、上記電源が自動車に搭載されたバッ
テリーとオルタネータとの並列回路又はバッテリーから
なり、上記負荷が自動車に装備された電装品である場合
には（請求項１０）、負荷電流が電流基準値以上になる
と過電流であると判定される際に、電流基準値のレベル
がバッテリーの電圧に応じて変動することにより、電圧
レベルの変動幅が大きいバッテリーから電装品への負荷
電流の供給において、バッテリーの電圧に応じて変動す
る負荷電流のレベルに対応して電流基準値のレベルが変
動することとなり、これによって過電流の判定が精度よ
く行われ、自動車に装備される電装品の保護が好適に行
われる。なお、電源は、バッテリー単独であっても、バ
ッテリーとオルタネータとの並列回路であってもよい。

【００１９】

【発明の実施の形態】本発明の第１の実施の形態を図１
〜図９に基づいて説明する。なお、この実施の形態で
は、自動車のランプ制御回路に本発明に係る過電流検知
回路が適用されたものを示すが、本発明が適用可能な回
路はこれに限られるものではない。

【００２０】図１に示すランプ制御回路は、自動車のバ
ッテリーＢからランプＬへの電力供給を制御するもの
で、半導体スイッチング素子としてのＮチャネルＭＯＳ
−ＦＥＴ（以下単に「ＦＥＴ」という。）１、シャント
抵抗２、スイッチ駆動回路３、電源回路４、過電流検知
回路５、異常電流検知回路６、短絡故障検知回路７及び
制御回路８を備えている。

【００２１】バッテリーＢは、DC12Ｖ程度の電圧Ｖ_Bを
出力する鉛蓄電池で、各部の電源として機能するもので
ある。ランプＬは、負荷を構成するもので、ヘッドラン
プ、テールランプやストップランプその他の自動車に装
備されるランプを適用することができる。ＦＥＴ１は、
バッテリーＢからランプＬへの負荷電流の供給をオンオ
フするスイッチ手段として機能するものである。シャン
ト抵抗２は、負荷電流Ｉ_Lを検出するための低抵抗であ
る。

【００２２】バッテリーＢの正極端子Ｂ１はＦＥＴ１の
ドレインに接続され、ＦＥＴ１のソースはシャント抵抗
２の一端に接続され、シャント抵抗２の他端はランプＬ
を介して接地されている。

【００２３】まず、図１の部分拡大図である図２〜図６
を用いて、各回路３〜８の回路構成について順に説明す
る。図２はスイッチ駆動回路３及び電源回路４の回路
図、図３は過電流検知回路５の回路図、図４は異常電流
検知回路６の回路図、図５は短絡故障検知回路７の回路
図、図６は制御回路８の回路図である。

【００２４】（１）スイッチ駆動回路３（図２参照）バッテリーＢの正極端子Ｂ１とＦＥＴ１のドレインとを
接続する接続ラインには、図中、左から順に、ダイオー
ドＤ０のアノードと、後述する電源回路４内のダイオー
ドＤ００のアノードとが接続されている。

【００２５】ダイオードＤ０のカソードは、ＰＮＰトラ
ンジスタＱ１のエミッタに接続されるとともに、抵抗Ｒ
１を介してトランジスタＱ１のベースに接続されてい
る。トランジスタＱ１のベースは、更に、抵抗Ｒ２を介
してＮＰＮトランジスタＱ２のコレクタに接続されてい
る。トランジスタＱ２のコレクタは、更に、抵抗Ｒ５を
介してＮＰＮトランジスタＱ３のベースに接続されると
ともに、後述する過電流検知回路５内のトランジスタＱ
３５のベースに接続されている。トランジスタＱ３のベ
ースは、更に抵抗Ｒ６を介して接地され、エミッタは接
地されている。

【００２６】トランジスタＱ２のエミッタは接地され、
ベースは、抵抗Ｒ３，Ｒ９０を介して制御回路８内の制
御部８０の出力端子Ｐ１に接続されるとともに、抵抗Ｒ
４を介して接地されている。

【００２７】トランジスタＱ１のコレクタは、抵抗Ｒ７
を介してＰＮＰトランジスタＱ６のエミッタに接続され
ている。トランジスタＱ６のエミッタは、更に、抵抗Ｒ
８を介してトランジスタＱ３のコレクタに接続されると
ともに、コンデンサＣ１を介して接地され、更に、抵抗
Ｒ１３，Ｒ１４，Ｒ１７，Ｒ１８の直列回路を介して接
地されている。この抵抗Ｒ７及びコンデンサＣ１は、遅
延回路３１を構成している。

【００２８】トランジスタＱ６のベースは、抵抗Ｒ１
３，Ｒ１４の接続点に接続され、抵抗Ｒ１４，Ｒ１７の
接続点は、ＮＰＮトランジスタＱ７のコレクタに接続さ
れている。

【００２９】トランジスタＱ７のベースは、抵抗Ｒ１
５，Ｒ９２を介して制御部８０の出力端子Ｐ２に接続さ
れるとともに、抵抗Ｒ１６を介して接地され、更に、制
御回路８内のＮＰＮトランジスタＱ８５のコレクタに接
続されている。トランジスタＱ７のエミッタは接地され
ている。

【００３０】トランジスタＱ６のコレクタは、抵抗Ｒ９を介してコンデンサＣ２の一方の電極及びＮ
ＰＮトランジスタＱ４のコレクタに接続され、抵抗Ｒ１０を介してコンデンサＣ２の他方の電極及び
ＮＰＮトランジスタＱ５のベースに接続され、抵抗Ｒ１１を介してコンデンサＣ３の一方の電極及び
トランジスタＱ４のベースに接続され、抵抗Ｒ１２を介してコンデンサＣ３の他方の電極及び
トランジスタＱ５のコレクタに接続され、ダイオードＤ１のアノードに接続されている。

【００３１】トランジスタＱ４，Ｑ５のエミッタは、接
地され、トランジスタＱ４のベースは、更に、コンデン
サＣ５を介して、抵抗Ｒ１５，Ｒ９２の接続点に接続さ
れている。抵抗Ｒ９，Ｒ１０，Ｒ１１，Ｒ１２、コンデ
ンサＣ２，Ｃ３及びトランジスタＱ４，Ｑ５は、マルチ
バイブレータ発振回路を構成している。

【００３２】ダイオードＤ１のカソードは、ダイオード
Ｄ２のアノードに接続されるとともに、コンデンサＣ４
を介してコンデンサＣ３の他方の電極に接続されてい
る。ダイオードＤ２のカソードは、抵抗Ｒ１９Ａを介し
て、ＦＥＴ１のゲートに接続されている。

【００３３】ＮＰＮトランジスタＱ８のベースは抵抗Ｒ
１７，Ｒ１８の接続点に接続され、エミッタは接地さ
れ、コレクタは抵抗Ｒ１９Ｂを介してＦＥＴ１のゲート
に接続されている。

【００３４】（２）電源回路４（図２参照）ダイオードＤ００のカソードは、ＮＰＮトランジスタＱ
１０のコレクタに接続されるとともに、抵抗Ｒ２０を介
してトランジスタＱ１０のベースに接続されている。ト
ランジスタＱ１０のベースは、順方向ダイオードＤ１０
及び逆方向ツェナーダイオードＺＤ１０の直列回路を介
して接地されるとともに、コンデンサＣ１０を介して接
地されている。

【００３５】電源回路４は、トランジスタＱ１０のエミ
ッタからツェナーダイオードＺＤ１０のツェナー電圧に
応じた一定電圧（制御回路用電源電圧であって本実施形
態では５Ｖ。以下、「制御電源電圧」と称する。）Ｖ_CC
を出力するもので、他の回路５〜８の各部がトランジス
タＱ１０のエミッタに接続されている。このエミッタ
は、制御回路用電源に相当するもので、以下、これを
「制御電源Ｂ_CC」と称する。

【００３６】（３）過電流検知回路５（図３参照）過電流検知回路５は、電流電圧変換回路５１と、基準電
圧生成回路５２と、比較器Ｕ１４とを備えている。

【００３７】電流電圧変換回路５１は、ＰＮＰトランジ
スタＱ４０，Ｑ４１及び抵抗Ｒ４１，Ｒ４２，Ｒ４３を
備えている。

【００３８】トランジスタＱ４０のエミッタは、シャン
ト抵抗２とランプＬとを接続するラインに接続されてい
る。トランジスタＱ４０のベースは、コレクタに接続さ
れるとともに、トランジスタＱ４１のベースに接続され
ている。トランジスタＱ４０のコレクタは、更に、抵抗
Ｒ４１を介して接地されている。

【００３９】トランジスタＱ４１のエミッタは、抵抗Ｒ
４２を介してシャント抵抗２とＦＥＴ１のソースとを接
続するラインに接続されている。トランジスタＱ４１の
コレクタは、抵抗Ｒ４３を介して接地されるとともに、
抵抗Ｒ４５を介して比較器Ｕ１４の反転入力端子に接続
されている。この電流電圧変換回路５１は、カレントミ
ラー回路に類似する回路を構成している。

【００４０】基準電圧生成回路５２は、抵抗Ｒ３１〜Ｒ
４０、コンデンサＣ３０、ＮＰＮトランジスタＱ３０〜
Ｑ３５及びダイオードＤ３０，Ｄ３１を備え、基準値出
力回路として機能するものである。

【００４１】トランジスタＱ３０のエミッタは接地さ
れ、ベースはコレクタに接続されて、いわゆるダイオー
ド接続されており、コレクタは抵抗Ｒ３１の一端に接続
されている。

【００４２】トランジスタＱ３１のベースは、トランジ
スタＱ３０のベースに接続され、エミッタは、抵抗Ｒ３
３を介して接地され、コレクタは、トランジスタＱ３２
のベースに接続されるとともに、抵抗Ｒ３２を介して抵
抗Ｒ３４の一端に接続されている。トランジスタＱ３２
のエミッタは接地され、コレクタは抵抗Ｒ３４の一端に
接続されている。抵抗Ｒ３５，Ｒ３６は、トランジスタ
Ｑ３２のコレクタとアースの間に直列接続されている。
そして、抵抗Ｒ３４の他端は、ＦＥＴ１のドレインとダ
イオードＤ００のアノードとを接続するラインに接続さ
れている。

【００４３】トランジスタＱ３０〜Ｑ３２及び抵抗Ｒ３
１〜Ｒ３３は、いわゆるワイドラー型バンドギャップリ
ファレンス回路に類似する回路を構成しており、トラン
ジスタＱ３２のコレクタから出力される電圧が抵抗Ｒ３
５，Ｒ３６で分割されて、抵抗Ｒ３５，Ｒ３６の接続点
（図中、Ｙ）から所定の電圧が出力される。

【００４４】上記Ｙ点は、トランジスタＱ３４のコレク
タに接続され、トランジスタＱ３４のエミッタは、順方
向ダイオードＤ３１，Ｄ３０の直列回路を介して接地さ
れ、ベースは、トランジスタＱ３５のベースに接続され
ている。

【００４５】トランジスタＱ３４のコレクタは、更に、
抵抗Ｒ４０及びコンデンサＣ３０からなる並列回路に接
続され、この並列回路は、抵抗Ｒ４６を介して比較器Ｕ
１４の非反転入力端子に接続されるとともに、抵抗Ｒ３
９を介してトランジスタＱ３３のコレクタに接続されて
いる。

【００４６】トランジスタＱ３３のベースは、抵抗Ｒ３
８を介してエミッタに接続されるとともに、抵抗Ｒ３７
を介してトランジスタＱ３５のコレクタに接続されてお
り、トランジスタＱ３３のエミッタは、ＦＥＴ１のドレ
インとダイオードＤ００のアノードとを接続するライン
に接続されている。

【００４７】トランジスタＱ３５のエミッタは接地さ
れ、ベースは、上述したように、スイッチ駆動回路３内
のトランジスタＱ２のコレクタと抵抗Ｒ２とを接続する
ラインに接続されている。

【００４８】比較器Ｕ１４の反転入力端子及び非反転入
力端子は、更にそれぞれコンデンサＣ４１，Ｃ４２を介
して接地されており、出力端子は、制御回路８内のトラ
ンジスタＱ８２のベースに接続されるとともに、抵抗Ｒ
４４及びコンデンサＣ４３からなる並列回路を介して制
御電源電圧Ｖ_CCまでプルアップされている。

【００４９】比較器Ｕ１４は、過電流判定手段として機
能するもので、電流電圧変換回路５１から反転入力端子
に入力される電圧Ｖ₅₁と、基準電圧生成回路５２から非
反転入力端子に入力される電圧Ｖ₅₂とを比較して、Ｖ₅₁
≦Ｖ₅₂のときはハイレベル信号を、Ｖ₅₁＞Ｖ₅₂のときは
ローレベル信号を出力端子から出力するものである。

【００５０】（４）異常電流検知回路６（図４参照）異常電流検知回路６は、電流電圧変換回路６１と、比較
電圧生成回路６２と、比較器Ｕ１５とを備えている。

【００５１】電流電圧変換回路６１は、ＰＮＰトランジ
スタＱ６０，Ｑ６１、抵抗Ｒ６０〜Ｒ６２、ツェナーダ
イオードＺＤ６０及びダイオードＤ６０を備えている。

【００５２】トランジスタＱ６０のエミッタは、シャン
ト抵抗２とランプＬとを接続するラインに接続されてい
る。トランジスタＱ６０のベースは、コレクタに接続さ
れるとともに、トランジスタＱ６１のベースに接続され
ている。トランジスタＱ６０のコレクタは、更に、抵抗
Ｒ６０を介して接地されている。

【００５３】トランジスタＱ６１のエミッタは、抵抗Ｒ
６１を介して、シャント抵抗２とＦＥＴ１のソースとを
接続するラインに接続されている。トランジスタＱ６１
のコレクタは、抵抗Ｒ６２を介して接地されるととも
に、抵抗Ｒ６４を介して比較器Ｕ１５の反転入力端子に
接続され、更に、ツェナーダイオードＺＤ６０のカソー
ドに接続され、ツェナーダイオードＺＤ６０のアノード
は、ダイオードＤ６０のアノードに接続され、ダイオー
ドＤ６０のカソードは接地されている。

【００５４】この電流電圧変換回路６１は、電流電圧変
換回路５１と同様にカレントミラー回路に類似する回路
を構成している。但し、電流レベルの小さい範囲を検知
するために、電流電圧変換回路５１より大きい増幅率に
なるように各抵抗の値が設定されている。このため、ツ
ェナーダイオードＺＤ６０によって比較器Ｕ１５への入
力電圧をツェナー電圧に制限することにより比較器Ｕ１
５を保護している。

【００５５】なお、ダイオードＤ６０はバッテリーＢが
逆接続されたときにトランジスタＱ６１を保護するため
のものである。

【００５６】比較電圧生成回路６２は、ＰＮＰトランジ
スタＱ５１、ＮＰＮトランジスタＱ５２及び抵抗Ｒ５１
〜Ｒ５６を備えている。

【００５７】トランジスタＱ５１のエミッタは、シャン
ト抵抗２とランプＬとを接続するラインに接続されてい
る。トランジスタＱ５１のベースは、抵抗Ｒ５１を介し
てエミッタに接続されるとともに、抵抗Ｒ５２を介して
トランジスタＱ５２のコレクタに接続されている。トラ
ンジスタＱ５１のコレクタは、抵抗Ｒ５４，Ｒ５５を介
して接地されている。

【００５８】トランジスタＱ５２のエミッタは抵抗Ｒ５
６を介して接地され、ベースは抵抗Ｒ５３を介して、シ
ャント抵抗２とランプＬとを接続するラインに接続され
ている。抵抗Ｒ５４，Ｒ５５の接続点は、抵抗Ｒ６５を
介して比較器Ｕ１５の非反転入力端子に接続されてい
る。

【００５９】比較器Ｕ１５の反転入力端子及び非反転入
力端子は、それぞれコンデンサＣ６１，Ｃ６０を介して
接地され、出力端子は、制御回路８内のトランジスタＱ
８４のベースに接続されるとともに、抵抗Ｒ６３及びコ
ンデンサＣ６２からなる並列回路を介して制御電源電圧
Ｖ_CCまでプルアップされている。

【００６０】比較器Ｕ１５は、異常電流判定手段として
機能するもので、電流電圧変換回路６１から反転入力端
子に入力される電圧Ｖ₆₁と、基準電圧生成回路６２から
非反転入力端子に入力される電圧Ｖ₆₂とを比較して、Ｖ
₆₁≦Ｖ₆₂のときはハイレベル信号を、Ｖ₆₁＞Ｖ₆₂のとき
はローレベル信号を、出力端子から出力するものであ
る。

【００６１】（５）短絡故障検知回路７（図５参照）短絡故障検知回路７は、抵抗Ｒ７０〜Ｒ７９、コンデン
サＣ７０〜Ｃ７３、ＮＰＮトランジスタＱ７０，Ｑ７
２，Ｑ７３、ＰＮＰトランジスタＱ７１及びツェナーダ
イオードＺＤ７０を備え、ＦＥＴ１のゲート電位がロー
レベルのときにＦＥＴ１のソース電位の上昇を検知する
ことによって、ＦＥＴ１に短絡故障が発生したことを検
知するものである。

【００６２】ＦＥＴ１のソースは、抵抗Ｒ７０，Ｒ７５
からなる直列回路を介して接地されている。抵抗Ｒ７
０，Ｒ７５の接続点にツェナーダイオードＺＤ７０のカ
ソードが接続され、アノードは接地されている。抵抗Ｒ
７０，Ｒ７５の接続点は、更に抵抗Ｒ７７を介してトラ
ンジスタＱ７０のベースに接続されている。

【００６３】トランジスタＱ７０のベースは、更にコン
デンサＣ７０を介して接地され、エミッタは接地され、
コレクタは、抵抗Ｒ７１を介して制御電源Ｂ_CCに接続さ
れるとともに、トランジスタＱ７１のベースに接続され
ている。

【００６４】トランジスタＱ７１のエミッタは、制御電
源Ｂ_CCに接続され、コレクタは、抵抗Ｒ７２を介して接
地されるとともに、コンデンサＣ７１を介して接地さ
れ、更に抵抗Ｒ７９を介してトランジスタＱ７３のベー
スに接続されている。

【００６５】一方、ＦＥＴ１のゲートは、抵抗Ｒ７３及
びコンデンサＣ７２からなる直列回路を介して接地され
ている。抵抗Ｒ７３とコンデンサＣ７２の接続点はトラ
ンジスタＱ７２のベースに接続され、トランジスタＱ７
２のエミッタは接地され、コレクタは、抵抗Ｒ７４を介
して制御電源Ｂ_CCに接続されるとともに、トランジスタ
Ｑ７３のコレクタに接続されている。

【００６６】そして、トランジスタＱ７３のエミッタは
抵抗Ｒ７６を介して接地されるとともに抵抗Ｒ７８を介
して制御回路８内のトランジスタＱ９１のベースに接続
されており、抵抗Ｒ７８とトランジスタＱ９１のベース
の接続点はコンデンサＣ７３を介して接地されている。

【００６７】（６）制御回路８（図６参照）制御回路８は、ＰＮＰトランジスタＱ８２，Ｑ８３と、
ＮＰＮトランジスタＱ８４，Ｑ８５，Ｑ９０，Ｑ９１
と、抵抗Ｒ８１〜Ｒ８３，Ｒ９０〜Ｒ９６と、コンデン
サＣ８０，Ｃ９０，Ｃ９１と、ツェナーダイオードＺＤ
９０，ＺＤ９１と、フリップフロップＵ３Ａと、ランプ
スイッチＳＷと、制御部８０とを備えている。

【００６８】トランジスタＱ８２のエミッタは制御電源
Ｂ_CCに接続され、コレクタは、トランジスタＱ８３のコ
レクタに接続されるとともに、抵抗Ｒ８１を介して接地
され、更に抵抗Ｒ８５を介してフリップフロップＵ３Ａ
のクロック端子ＣＬＫに接続されている。

【００６９】トランジスタＱ８３のエミッタは制御電源
Ｂ_CCに接続され、ベースは抵抗Ｒ８３を介して制御電源
Ｂ_CCに接続されるとともに、トランジスタＱ８４のコレ
クタに接続されており、トランジスタＱ８４のエミッタ
は接地されている。

【００７０】フリップフロップＵ３Ａは、スイッチ制御
手段として機能するもので、そのクロック端子ＣＬＫ
は、更にコンデンサＣ８０を介して接地されている。フ
リップフロップＵ３Ａの入力端子Ｄ及びプリセット入力
端子ＰＲＥは制御電源Ｂ_CCに接続され、クリア入力端子
ＣＬＲは、抵抗Ｒ９０を介して制御部８０の出力端子Ｐ
１に接続されている。

【００７１】フリップフロップＵ３Ａの出力端子Ｑは、
抵抗Ｒ８４を介してトランジスタＱ８５のベースに接続
されるとともに、トランジスタＱ９０のベースに接続さ
れている。トランジスタＱ８５のベースは抵抗Ｒ８２を
介して接地され、エミッタは接地されている。

【００７２】トランジスタＱ９０のベースは、更に抵抗
Ｒ９４を介して接地され、エミッタは接地され、コレク
タは制御部８０の入力端子Ｐ３に接続されるとともに、
抵抗Ｒ９５を介して制御電源Ｂ_CCに接続されている。ト
ランジスタＱ９１のコレクタは制御部８０の入力端子Ｐ
３に接続され、エミッタは接地されている。制御部８０
の入力端子Ｐ４は、抵抗Ｒ９６を介して制御電源電圧Ｖ
_CCまでプルアップされるとともに、ランプスイッチＳＷ
を介して接地されている。

【００７３】ランプスイッチＳＷは、外部から操作され
てオンオフされることにより、ランプＬの点灯消灯を指
示するためのもので、オンのときはローレベル信号が入
力端子Ｐ４に入力され、オフのときはハイレベル信号が
入力される。

【００７４】制御部８０の出力端子Ｐ１に接続された抵
抗Ｒ９０とスイッチ駆動回路３内の抵抗Ｒ３との接続点
は、ツェナーダイオードＺＤ９０、抵抗Ｒ９１及びコン
デンサＣ９０からなる並列回路を介して接地されてい
る。また、制御部８０の出力端子Ｐ２に接続された抵抗
Ｒ９２とスイッチ駆動回路３内の抵抗Ｒ１５との接続点
は、ツェナーダイオードＺＤ９１、抵抗Ｒ９３及びコン
デンサＣ９１からなる並列回路を介して接地されてい
る。

【００７５】制御部８０は、ＲＯＭ８１及びＲＡＭ８２
を備え、ＣＰＵ等からなり、このランプ制御回路の動作
を制御するものである。ＲＯＭ８１は制御プログラムや
予め設定されたデータを記憶するもので、ＲＡＭ８２は
データを一時的に保管するものである。制御部８０は、
以下の〜に示す機能を有する。

【００７６】入力端子Ｐ４の入力信号のレベルに基づ
いてランプスイッチＳＷのオンオフを判別し、ランプス
イッチＳＷがオンのときはハイレベル、オフのときはロ
ーレベルのスイッチ信号を出力端子Ｐ１から出力する。

【００７７】ランプスイッチＳＷと同様の回路構成で
制御部８０に接続された操作スイッチ（図略）のオンオ
フを判別し、ランプスイッチＳＷがオンであって操作ス
イッチがオンのときは、0.1〜1kHz程度の所定周波数で
所定のオンデューティ（本実施形態では例えば50％）の
ＰＷＭ駆動信号を、ランプスイッチＳＷがオンであって
操作スイッチがオフのときは、100％のオンデューティ
のＰＷＭ駆動信号を出力端子Ｐ２から出力する。

【００７８】入力端子Ｐ３の入力信号のレベルに基づ
いて、このランプ制御回路に異常が発生したことを判定
する。このとき、出力端子Ｐ１からローレベル信号を出
力しているときに入力端子Ｐ３がローレベルになると、
ＦＥＴ１に短絡故障が発生したと判定する。

【００７９】なお、異常であると判定してＦＥＴ１をオ
フにするようにしてもよい。このとき、その旨のステー
タス信号を出力するようにしてもよい。また、制御部８
０に接続された警告用のＬＥＤを備え、このステータス
信号によって警告用ＬＥＤを点灯させるようにしてもよ
い。

【００８０】次に、以上のような回路構成の各回路３，
５〜８の動作及び効果について順に説明する。（１）スイッチ駆動回路３（図２、図７参照）図７は遅延回路３１による突入電流の低減効果を説明す
るためのタイミングチャートである。

【００８１】図２において、ランプスイッチＳＷ（図
６）がオフの定常状態では、制御部８０の出力端子Ｐ１
がローレベルになっているので、トランジスタＱ２がオ
フになっている。

【００８２】ここで、抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ５，Ｒ６の抵
抗値Ｒ₁，Ｒ₂，Ｒ₅，Ｒ₆は、Ｒ₁≪Ｒ₅＜Ｒ₆，Ｒ₂≪Ｒ₅
となっており、トランジスタＱ２がオフのとき、トラン
ジスタＱ１のベース−エミッタ間電圧が0.6Ｖ以下にな
るように設計されている。

【００８３】従って、トランジスタＱ１がオフになって
おり、これによってコンデンサＣ１には電荷が蓄積され
ていない。

【００８４】ランプスイッチＳＷ及び図略の操作スイッ
チがオンにされると、制御部８０の出力端子Ｐ１からハ
イレベルのスイッチ信号が出力されるとともに、出力端
子Ｐ２からオンデューティ50％のＰＷＭ駆動信号が出力
される。

【００８５】このスイッチ信号により抵抗Ｒ３を介して
トランジスタＱ２がオンになり、トランジスタＱ２のオ
ンによって、トランジスタＱ３がオフにされるとともに
トランジスタＱ１がオンになる。

【００８６】トランジスタＱ１のオンによって、抵抗Ｒ
７及びコンデンサＣ１からなる遅延回路３１が動作し、
この遅延回路３１の作用によって、抵抗Ｒ１３，Ｒ１
４，Ｒ１７，Ｒ１８を通りベース電流が徐々に流れるの
で、トランジスタＱ６が緩やかにオンになる。

【００８７】トランジスタＱ６のオンによって、マルチ
バイブレータ発振回路が発振動作を開始して、コンデン
サＣ３の他方の電極（図２中、Ｘ点）にダイオードＤ１
のアノード電位に等しいレベルのパルス電圧が発生す
る。

【００８８】そして、コンデンサＣ４の作用によって、
コンデンサＣ４のＸ点と反対側の電極の電位が、このパ
ルス電圧分だけ持ち上げられることにより、ダイオード
Ｄ１のカソード側の電圧レベルがアノード側のほぼ２倍
になり、この電圧が、ダイオードＤ２及び抵抗Ｒ１９Ａ
を介してＦＥＴ１のゲートに印加されて、ＦＥＴ１がオ
ンになる。すなわち、マルチバイブレータ発振回路及び
コンデンサＣ４は、ＦＥＴ１を駆動するチャージポンプ
回路３２を構成している。

【００８９】このように、チャージポンプ回路３２の出
力側に抵抗Ｒ１９Ａを接続することによって、抵抗Ｒ１
９ＡとＦＥＴ１のゲートの容量成分とによってＣＲ回路
が形成され、これによってＦＥＴ１のゲートに印加され
る電圧信号の立上りが多少緩やかなものとされるので、
ＦＥＴ１のオン時に発生するノイズのレベルを低減する
ことができる。

【００９０】なお、ＦＥＴ１のゲートに印加される電圧
による電流の逆流は、ダイオードＤ１，Ｄ２によって阻
止される。

【００９１】一方、制御部８０の出力端子Ｐ２から出力
されるＰＷＭ駆動信号がハイレベルのときは、抵抗Ｒ９
２，Ｒ１５を介してベース電流が供給されてトランジス
タＱ７がオンになり、このトランジスタＱ７のオンによ
ってベース電流がバイパスされるので、トランジスタＱ
８がオフになる。トランジスタＱ８がオフのときは、チ
ャージポンプ回路３２によって生成された電圧がＦＥＴ
１のゲートに印加されて、ＦＥＴ１がオンになる。

【００９２】これに対して、ＰＷＭ駆動信号がローレベ
ルのときは、トランジスタＱ７はオフになるので、抵抗
Ｒ１３，Ｒ１４，Ｒ１７を通ってベース電流が供給され
てトランジスタＱ８がオンになる。トランジスタＱ８が
オンになると、ＦＥＴ１のゲートに印加されている電圧
が抵抗Ｒ１９Ｂ及びトランジスタＱ８を介してアースに
落されるので、ＦＥＴ１がオフにされる。

【００９３】このように、制御部８０の出力端子Ｐ２か
ら出力されるＰＷＭ駆動信号によりＦＥＴ１のオンオフ
を制御することによって、ランプＬの発光光量を制御す
ることができる。例えば50％デューティのＰＷＭ駆動信
号を出力すれば、ランプＬを減光点灯することができ、
100％デューティのＰＷＭ駆動信号を出力すれば、ラン
プＬをフル光量で点灯することができる。

【００９４】例えば、テールランプを50％オンデューテ
ィ、ストップランプを100％オンデューティとすること
により、同一のフィラメントを共用することができる。
この場合には、上記図略の操作スイッチは、ブレーキペ
ダル（図略）に連動するように構成すればよい。

【００９５】また、制御部８０の出力端子Ｐ１から出力
されるスイッチ信号の立上り時は、遅延回路３１の作用
によってＦＥＴ１が緩やかにオンになる。従って、図７
に示すように、ランプＬに流れる負荷電流Ｉ_Lの突入電
流のレベルを、遅延回路３１がない場合に比べて低下さ
せることができる。

【００９６】一方、ＰＷＭ駆動信号の２回目以降のパル
ス信号においては、遅延回路３１よりランプＬに近接し
た位置に配設されたトランジスタＱ７のオンオフによっ
てＦＥＴ１のオンオフを制御しているので、遅延回路３
１は動作せず、ＦＥＴ１のオンオフは遅延することなく
通常通りに行われる。

【００９７】従って、ＦＥＴ１のゲートへの印加電圧の
レベルが十分高くない場合には、ＦＥＴ１のオン抵抗が
上昇して発熱することによってＦＥＴ１の寿命が短縮し
てしまう虞れがあるが、ゲート電圧の立上りが抑制され
るのは、スイッチ信号のオン時、すなわちＰＷＭ駆動信
号の１回目のパルスだけであり、２回目以降は通常の早
い立上りのゲート電圧が印加されるので、このような虞
れを防止することができる。

【００９８】なお、ＰＷＭ駆動信号の２回目以降のパル
ス信号においては、１回目の通電によってランプＬのフ
ィラメント温度が十分に上昇しているので、遅延回路３
１による作用がなくても、突入電流のレベルが高くなる
ことはない。

【００９９】このように、ランプＬを点灯させるスイッ
チ信号を出力する回路と、ＦＥＴ１のオンオフを駆動す
るＰＷＭ駆動信号を出力する回路とを分離して個別に設
けることにより、ＦＥＴ１の寿命を低下させることな
く、ランプＬに流入する突入電流のレベルを低下させる
ことができ、これによってランプＬの長寿命化を図るこ
とができる。

【０１００】（２）過電流検知回路５（図３、図８参
照）図８は図３のＹ点の電圧の電源電圧依存性を示す特性図
である。

【０１０１】上述したように、基準電圧生成回路５２の
トランジスタＱ３０〜Ｑ３２及び抵抗Ｒ３１〜Ｒ３３
は、いわゆるワイドラー型バンドギャップリファレンス
回路に類似する回路を構成している。しかし、ワイドラ
ー型バンドギャップリファレンス回路では定電流回路及
びＮＰＮトランジスタを用いているのに対して、本実施
形態は、レベル変動回路としての抵抗Ｒ３４を用いてい
る。

【０１０２】抵抗Ｒ３４を用いることによって、図３の
Ｙ点の電圧特性は、図８に示すように、周囲温度に依存
しない点ではワイドラー型バンドギャップリファレンス
回路と同様であるが、バッテリーＢの出力電圧に依存す
る点でワイドラー型バンドギャップリファレンス回路と
異なっている。

【０１０３】このように、抵抗Ｒ３４は基準電圧のレベ
ルをバッテリー電圧Ｖ_Bに応じて変動させるレベル変動
回路として機能するものである。

【０１０４】一方、図３において、ランプスイッチＳＷ
がオフの定常状態では、トランジスタＱ２がオフになっ
ているので、ダイオードＤ０、抵抗Ｒ１，Ｒ２を介して
ベース電流が供給されてトランジスタＱ３４，Ｑ３５が
オンになっている。トランジスタＱ３５のオンによりト
ランジスタＱ３３がオンしているので、バッテリーＢの
正極端子Ｂ１から抵抗Ｒ３９を介してコンデンサＣ３０
が充電されている。

【０１０５】このとき、比較器Ｕ１４の非反転入力端子
への入力電圧は、抵抗Ｒ３９，Ｒ４０の抵抗比と、ダイ
オードＤ３１，Ｄ３０の両端電圧と、Ｙ点の電圧とによ
って決まる。

【０１０６】この状態で、ランプスイッチＳＷがオンに
されると、制御部８０の出力端子Ｐ１から出力されるス
イッチ信号によってトランジスタＱ２がオンにされ、こ
れによってトランジスタＱ３４，Ｑ３５がオフになり、
トランジスタＱ３５のオフによりトランジスタＱ３３が
オフになる。

【０１０７】従って、ランプスイッチＳＷがオンにされ
た瞬間は、Ｙ点の電圧とコンデンサＣ３０の充電電圧と
を加算した電圧が、比較器Ｕ１４の非反転入力端子に入
力される。

【０１０８】その後、コンデンサＣ３０に蓄積されてい
た電荷は抵抗Ｒ４０を介して放電され、コンデンサＣ３
０の充電電圧は低下して、比較器Ｕ１４の非反転入力端
子への入力電圧はＹ点の電圧に収束する。

【０１０９】一方、電流電圧変換回路５１において、シ
ャント抵抗２に流れる負荷電流Ｉ_Lに比例する電流が、
トランジスタＱ４０を通って抵抗Ｒ４１に流れる。

【０１１０】上述したように、電流電圧変換回路５１は
カレントミラー回路に類似する回路を構成しており、抵
抗Ｒ４１，Ｒ４３の抵抗値を等しくしておくと、トラン
ジスタＱ４０に流れる電流と等しい電流がトランジスタ
Ｑ４１に流れる。

【０１１１】従って、シャント抵抗２に流れる負荷電流
Ｉ_Lに比例した電流がトランジスタＱ４１に流れるの
で、この電流による抵抗Ｒ４２，Ｒ４３での電圧降下分
が抵抗分割されてなる負荷電流Ｉ_Lに比例した電圧が比
較器Ｕ１４の反転入力端子に入力される。

【０１１２】そして、比較器Ｕ１４により、電流電圧変
換回路５１から反転入力端子への入力電圧Ｖ₅₁と、基準
電圧生成回路５２から非反転入力端子への入力電圧Ｖ₅₂
とが比較され、Ｖ₅₁≦Ｖ₅₂、すなわち正常であれば出力
端子からハイレベル信号が出力されてトランジスタＱ８
２がオフになる。

【０１１３】一方、Ｖ₅₁＞Ｖ₅₂、すなわち負荷電流Ｉ_L
として過電流が流れれば出力端子からローレベル信号が
出力されてトランジスタＱ８２がオンになる。

【０１１４】なお、トランジスタＱ８２以降の動作につ
いては、後述の（５）制御回路８において説明する。

【０１１５】このように、比較器Ｕ１４の非反転入力端
子には、ランプスイッチＳＷのオン時には高く、その後
徐々に低下するような基準電圧を入力することができ、
これによってランプＬの突入電流を考慮した基準電圧と
することができる。

【０１１６】また、基準電圧生成回路５２の電源として
抵抗Ｒ３４を介してバッテリーＢの正極端子Ｂ１に接続
するようにしたので、生成する基準電圧をバッテリー電
圧Ｖ_Bに依存させることができ、これによって過電流か
否かを判定する電流基準値をバッテリー電圧Ｖ_Bに応じ
たレベルにすることができる。従って、バッテリー電圧
Ｖ_Bの変動に関わりなく、精度よく過電流を判定するこ
とができる。

【０１１７】（３）異常電流検知回路６（図４、図９参
照）図９は回路が断続的に開放状態になるような態様の異常
が生じたときの負荷電流を示す図である。

【０１１８】電流電圧変換回路６１では、電流電圧変換
回路５１と同様に、シャント抵抗２に流れる負荷電流Ｉ
_Lに比例した電流がトランジスタＱ６１に流れるので、
この電流による抵抗Ｒ６１，Ｒ６２での電圧降下分が抵
抗分割されてなる負荷電流Ｉ_Lに比例した電圧が比較器
Ｕ１５の反転入力端子に入力される。

【０１１９】一方、比較電圧生成回路６２において、Ｆ
ＥＴ１がオンになって負荷電流Ｉ_Lが流れると、シャン
ト抵抗２及び抵抗Ｒ５３を介してベース電流が供給され
てトランジスタＱ５２がオンになり、トランジスタＱ５
２のオンによりトランジスタＱ５１がオンになる。

【０１２０】このトランジスタＱ５１のオンによって、
シャント抵抗２から分岐して抵抗Ｒ５４，Ｒ５５に流れ
る電流による抵抗Ｒ５４，Ｒ５５での電圧降下分が抵抗
分割されてなる電圧が比較器Ｕ１５の非反転入力端子に
入力される。

【０１２１】なお、抵抗Ｒ５４，Ｒ５５の抵抗比は、抵
抗分割されてなる電圧のレベルが定常電流の範囲をある
程度下回る値に対応するように設定されている。

【０１２２】そして、比較器Ｕ１５により、電流電圧変
換回路６１から反転入力端子への入力電圧Ｖ₆₁と、比較
電圧生成回路６２から非反転入力端子への入力電圧Ｖ₆₂
とが比較され、Ｖ₆₁＞Ｖ₆₂であれば、正常とみなして出
力端子からローレベル信号が出力されてトランジスタＱ
８４がオフになる。

【０１２３】一方、負荷電流Ｉ_Lが異常に小さく、Ｖ₆₁
≦Ｖ₆₂であれば、出力端子からハイレベル信号が出力さ
れて、電源Ｖ_CCから抵抗Ｒ６３を介してベース電流が供
給されてトランジスタＱ８４がオンになる。トランジス
タＱ８４のオンにより、ＦＥＴ１がオフにされ、これに
よって、図９に示すように異常電流の通電が停止される
こととなる。

【０１２４】なお、トランジスタＱ８４以降の動作につ
いては、後述の（５）制御回路８において説明する。

【０１２５】このように、負荷電流Ｉ_Lが所定レベル以
下のときは異常が生じているとみなすようにしたので、
シャント抵抗２よりランプＬ側の範囲の電気配線Ｗ（図
４参照）が断続的に開放状態になるような態様の異常を
検知することができ、これによって、開放発生箇所にお
いてアーク放電が生じるのを未然に防止することがで
き、電気配線ＷやランプＬを確実に保護することができ
る。

【０１２６】また、単に、シャント抵抗２から分岐して
抵抗Ｒ５４，Ｒ５５に流れる電流による抵抗Ｒ５４，Ｒ
５５での電圧降下分を抵抗分割して比較電圧を生成する
のに代えて、トランジスタＱ５１，Ｑ５２のオン時間だ
け比較電圧の生成を遅延させるようにしたので、ＦＥＴ
１のオン時に、トランジスタＱ６０，Ｑ６１のオン時間
だけ遅延する電流電圧変換回路６１からの入力電圧Ｖ₆₁
に先行して比較電圧生成回路６２からの入力電圧Ｖ₆₂が
立ち上がることによって異常であると誤検知するのを未
然に防止することができる。

【０１２７】（４）短絡故障検知回路７（図５参照）ランプスイッチＳＷがオフの定常状態では、ゲート電圧
が印加されていないので抵抗Ｒ７３を介してベース電流
が供給されず、トランジスタＱ７２がオフになってい
る。従って、このとき、トランジスタＱ７３のコレクタ
には抵抗Ｒ７４を介して電源Ｖ_CCが印加されている。

【０１２８】そして、ランプスイッチＳＷのオンにより
ＦＥＴ１のゲートに電圧が印加されると、このゲート電
圧によって抵抗Ｒ７３を介してベース電流が供給されて
トランジスタＱ７２がオンになり、このトランジスタＱ
７２のオンによってトランジスタＱ７３のコレクタがロ
ーレベルになる。

【０１２９】一方、ＦＥＴ１がオン、すなわちＦＥＴ１
のソース電位が上昇しているときには、抵抗Ｒ７０，Ｒ
７７を介してベース電流が供給されてトランジスタＱ７
０がオンになり、トランジスタＱ７０のオンによって、
電源Ｖ_CCから抵抗Ｒ７１を介してベース電流が供給され
てトランジスタＱ７１がオンになり、トランジスタＱ７
１のオンにより、電源Ｖ_CCからベース電流が供給されて
トランジスタＱ７３がオンになる。

【０１３０】従って、ＦＥＴ１にゲート電圧が印加され
ていないにも拘らずＦＥＴ１がオンになっているとき、
すなわちＦＥＴ１に短絡故障が発生したときには、電源
Ｖ_CCから抵抗Ｒ７４、トランジスタＱ７３及び抵抗Ｒ７
８を介してベース電流が供給されて、制御回路８内のト
ランジスタＱ９１がオンになる。

【０１３１】なお、トランジスタＱ９１以降の動作につ
いては、以下の（５）制御回路８において説明する。

【０１３２】（５）制御回路８（図６参照）フリップフロップＵ３Ａの入力端子Ｄ及びプリセット入
力端子ＰＲＥは、制御電源Ｂ_CCに接続されており、ハイ
レベルになっている。

【０１３３】また、上記（２），（３）で説明したよう
に、本ランプ制御回路が正常状態のときはトランジスタ
Ｑ８２，Ｑ８４はオフになっている。従って、トランジ
スタＱ８４のオフによりトランジスタＱ８３はオフであ
り、トランジスタＱ８２，Ｑ８３のオフによって、フリ
ップフロップＵ３Ａのクロック端子ＣＬＫはローレベル
になっている。

【０１３４】そして、ランプスイッチＳＷがオンにされ
ると、制御部８０の出力端子Ｐ１からハイレベル信号が
出力され、これによってフリップフロップＵ３Ａのクリ
ア入力端子ＣＬＲがハイレベルになる。

【０１３５】従って、回路が正常状態のときは、フリッ
プフロップＵ３Ａのクロック端子ＣＬＫがローレベルに
保持されるのでフリップフロップＵ３Ａの出力端子Ｑは
初期状態、すなわちローレベルに保持される。

【０１３６】そして、ランプスイッチＳＷがオフにされ
ると、制御部８０の出力端子Ｐ１からローレベル信号が
出力され、これによってフリップフロップＵ３Ａのクリ
ア入力端子ＣＬＲがローレベルになるので、フリップフ
ロップＵ３Ａの出力端子Ｑはローレベルになる。

【０１３７】一方、ランプスイッチＳＷがオンのとき
に、過電流検知回路５において過電流が検知されたとき
に、トランジスタＱ８２がオフからオンに切り替わり、
トランジスタＱ８２がオンになると、電源Ｖ_CCからの電
圧が抵抗Ｒ８１の両端に印加されてフリップフロップＵ
３Ａのクロック端子ＣＬＫがローレベルからハイレベル
に切り替わる。

【０１３８】また、異常電流検知回路６において異常電
流が検知されたときに、トランジスタＱ８４がオフから
オンに切り替わり、トランジスタＱ８４がオンになる
と、電源Ｖ_CCから抵抗Ｒ８３を介してベース電流が供給
されてトランジスタＱ８３がオンになる。トランジスタ
Ｑ８３のオンによって、電源Ｖ_CCからの電圧が抵抗Ｒ８
１の両端に印加されてフリップフロップＵ３Ａのクロッ
ク端子ＣＬＫがローレベルからハイレベルに切り替わ
る。

【０１３９】そして、フリップフロップＵ３Ａのクロッ
ク端子ＣＬＫの信号レベルがローレベルからハイレベル
に切り替わると、その立ち上がりに同期して入力端子Ｄ
の入力信号、すなわちハイレベル信号が出力端子Ｑから
出力される。

【０１４０】フリップフロップＵ３Ａの出力端子Ｑから
ハイレベル信号が出力されると、抵抗Ｒ８４を介してベ
ース電流が供給されてトランジスタＱ９０がオンにな
り、これによって制御部８０の入力端子Ｐ３がローレベ
ルになるとともに、抵抗Ｒ８４を介してベース電流が供
給されてトランジスタＱ８５がオンになり、これによっ
てトランジスタＱ７のベース電流がバイパスされてオフ
にされる。

【０１４１】また、上記（４）で説明したように、短絡
故障検知回路７においてＦＥＴ１の短絡故障が検知され
ると、トランジスタＱ９１がオンになる。これによっ
て、制御部８０により、出力端子Ｐ１がローレベルのと
きに入力端子Ｐ３がローレベルになると、ＦＥＴ１の短
絡故障発生が判定される。

【０１４２】このように、各検知回路５〜７において異
常が検知されたときに制御部８０の入力端子Ｐ３の信号
レベルをローレベルにするようにしたので、回路におけ
る異常発生を判別することができる。

【０１４３】また、比較器Ｕ１４（過電流判定手段）又
は比較器Ｕ１５（異常電流判定手段）からローレベル信
号が出力されたときに、フリップフロップＵ３Ａ（スイ
ッチ制御手段）によりトランジスタＱ７をオフにするよ
うにしたので、制御部８０から出力されるスイッチ信号
やＰＷＭ駆動信号に関わりなくＦＥＴ１のゲートへの電
圧印加を停止してＦＥＴ１をオフにすることができる。

【０１４４】次に、本発明の第２の実施の形態を図１０
〜図１２に基づいて説明する。

【０１４５】ここでは、前記図１に示した制御回路８
に、電源電圧監視回路９が組み込まれている。この電源
電圧監視回路９は、入力端子Ｐｉ、出力端子Ｐｏ、及び
制御電源端子Ｐｃを有し、入力端子Ｐｉが電源回路４に
おけるトランジスタＱ１０のコレクタに接続され、出力
端子Ｐｏが制御回路８におけるトランジスタＱ９０のベ
ースに接続され、制御電源端子Ｐｃが制御電源Ｂ_CCに接
続されている。そして、制御電源端子Ｐｃに入力される
制御電源電圧Ｖ_CCを利用し、入力端子Ｐｉに入力される
電圧Ｖ_in（＝バッテリー電圧Ｖ_B）と予め設定された基
準値とを比較して、その大小関係に応じて適宜、出力端
子ＰｏからトランジスタＱ９０のベースに向けて信号
（後述の異常伝達信号）を出力するように構成されてい
る。

【０１４６】この電源電圧監視回路９の具体的な構成を
図１１に示す。この実施の形態では、電源電圧監視回路
９は、図示のトランジスタＱ１１１，Ｑ１１２，Ｑ１１
３と、抵抗Ｒ１１０，Ｒ１１１，Ｒ１１２，Ｒ１１３，
Ｒ１１４，Ｒ１１５，Ｒ１１６，Ｒ１１７，Ｒ１１８，
Ｒ１１９，Ｒ１２０，Ｒ１２１，Ｒ１２２と、コンデン
サＣ１１０，Ｃ１１１とを備え、これらによってシュミ
ット回路が構成されている。

【０１４７】具体的には、入力端子Ｐｉが抵抗Ｒ１１
０，Ｒ１１１を介してアースに接続され、その中間地点
が抵抗Ｒ１１２を介してトランジスタＱ１１１のベース
に接続されている。トランジスタＱ１１１のエミッタは
抵抗Ｒ１１３を介してアースに接続され、コレクタは、
抵抗Ｒ１１５を介して制御電源端子Ｐｃに接続されると
ともに、並列に配されたコンデンサＣ１１０及び抵抗Ｒ
１１４を介してトランジスタＱ１１２のベースに接続さ
れている。制御電源端子Ｐｃとアースとの間に３つの抵
抗Ｒ１１７，Ｒ１１８，Ｒ１１９が直列に配され、抵抗
Ｒ１１７，Ｒ１１８の間にトランジスタＱ１１２のコレ
クタが接続され、トランジスタＱ１１２のエミッタは上
記トランジスタＱ１１１のエミッタに接続されている。
トランジスタＱ１１３のベースは抵抗Ｒ１２０を介して
抵抗Ｒ１１７，Ｒ１１８の間に接続され、エミッタはア
ースに接続されており、これらエミッタ−アース間にコ
ンデンサＣ１１１が配されている。トランジスタＱ１１
３のコレクタは、抵抗Ｒ１２１を介して制御電源端子Ｐ
ｃに接続されるとともに、抵抗Ｒ１２２を介して出力端
子Ｐｏに接続されている。

【０１４８】この電源電圧監視回路９の各抵抗値等は、
次の回路動作が得られるように設定されている。

【０１４９】まず、入力電圧Ｖ_in（＝バッテリー電圧Ｖ
_B）が所定の下限基準値Ｖ₂以上の状態では、トランジス
タＱ１１１のベース電圧が高いためにトランジスタＱ１
１１がオンとなり、そのコレクタ電圧が下がる。これに
伴い、トランジスタＱ１１２のベース電圧が下がってト
ランジスタＱ１１２がオフとなり、そのコレクタ電圧が
上がる。これに伴い、トランジスタＱ１１３のベース電
圧も上がってトランジスタＱ１１３がオンとなり、その
コレクタ電圧が下がる。この電圧は抵抗Ｒ１２２を通じ
てＬ（ロー）レベルの信号として出力端子Ｐｏから出力
される。

【０１５０】この状態から、入力電圧Ｖ_inすなわちバッ
テリー電圧Ｖ_Bが低下していくと、トランジスタＱ１１
１のベース電圧も下がり、上記入力電圧Ｖ_inが所定の下
限基準値Ｖ₁を下回った時点でトランジスタＱ１１１が
オフとなる。これによりトランジスタＱ１１１のコレク
タ電圧及びトランジスタＱ１１２のベース電圧が上がっ
てトランジスタＱ１１２がオンとなり、このトランジス
タＱ１１２のコレクタ電圧及びトランジスタＱ１１３の
ベース電圧が下がってトランジスタＱ１１３がオフとな
り、その結果、トランジスタＱ１１３のコレクタ電圧が
上がって出力端子ＰｏからはＨ（ハイ）レベルの信号す
なわち異常伝達信号が出力される。

【０１５１】その後、上記入力電圧Ｖ_inすなわちバッテ
リー電圧Ｖ_Bが再上昇し、所定の復帰基準値Ｖ₂を上回る
と、トランジスタＱ１１１が再びオンとなり、初期の状
態に復帰する。すなわち、最終的にトランジスタＱ１１
３がオンとなってそのコレクタ電圧が下がり、出力信号
はＬ（ロー）レベルに戻る。

【０１５２】ここで、上記抵抗Ｒ１１３，Ｒ１１４，Ｒ
１１５，Ｒ１１６，Ｒ１１７の抵抗値をそれぞれＲ_e，
Ｒ_b1，Ｒ_c1，Ｒ_b2，Ｒ_c2とすると、下限基準値Ｖ₁及び
復帰基準値Ｖ₂の値は次のようになる。

【０１５３】

【数１】

【０１５４】そして、この実施の形態では、上記下限基
準値Ｖ₁よりも復帰基準値Ｖ₂が所定値以上高くなるよう
に、各抵抗値が定められている。すなわち、図１２に示
す入力電圧Ｖ_inと出力電圧Ｖ_outとの関係において、所
定のヒステリシス特性が得られるように、回路設計がな
されている。

【０１５５】次に、この実施の形態にかかる回路全体の
作用を説明する。

【０１５６】まず、バッテリー電圧Ｖ_B（すなわち電源
電圧監視回路９への入力電圧Ｖ_in）が下限基準値Ｖ₁以
上の正常値である間は、回路全体の作用は前記第１の実
施の形態と全く同様である。すなわち、変動伝達用抵抗
素子としての抵抗Ｒ３４の作用により、バッテリー電圧
Ｖ_Bに応じたレベルの電流基準値（実際には基準電圧）
が作成され、これと負荷電流との比較に基づいて過電流
検知回路５により過電流発生の有無が判定される。そし
て、過電流が発生したと判定されたとき、すなわち、過
電流検知回路５から制御回路８のトランジスタＱ８２の
ベースにハイレベルの信号が入力されたときに、最終的
にトランジスタＱ９０がオンに切換えられ、制御部８０
の入力端子Ｐ３の信号レベルがそれまでのハイレベルか
らローレベルに切換えられる。これを受けて制御部８０
がＦＥＴ１をオフにしてランプＬへの電源供給を強制的
に遮断する。

【０１５７】また、過電流が検知されない場合であって
も、バッテリー電圧Ｖ_Bすなわち電源電圧監視回路９の
入力電圧Ｖ_inが著しく降下して下限基準値Ｖ₁を下回る
と、同回路９の出力信号がハイレベルに切換えられ（す
なわち異常伝達信号が出力され）、トランジスタＱ９０
がオンに切換えられて制御部８０の入力端子Ｐ３はやは
りローレベルに切換えられる。従って、このバッテリー
電圧異常降下時にも制御部８０はＦＥＴ１をオフにし、
ランプＬへの電源供給を強制遮断する。このため、過電
流検知を正常に行うことが困難なバッテリー電圧異常降
下時に、過電流発生を見逃して過電流状態が続けられて
しまう不都合を未然に回避することができる。

【０１５８】その後、バッテリー電圧Ｖ_Bすなわち電源
電圧監視回路９の入力電圧Ｖ_inが再上昇して復帰基準値
Ｖ₂を上回ると、同回路９の出力信号がローレベルに戻
り（すなわち異常伝達信号の出力が停止され）、制御部
８０の入力端子Ｐ３がハイレベルに戻る。従って、制御
部８０はＦＥＴ１をオンに切換え、ランプＬへの電源供
給を復帰させる。

【０１５９】ここで、上記下限基準値Ｖ₁と復帰基準値
Ｖ₂とが同じ値であると、バッテリー電圧Ｖ_Bが充分に上
昇しきれていないうちに過電流状態で電源供給を復帰さ
せてしまう場合があり、これによりＦＥＴ１の遮断と復
帰とが短い周期で交互に繰り返され、ランプＬ側に過電
流が間欠的に流れてしまうおそれがあるが、上述のよう
に両基準値Ｖ₁，Ｖ₂の間にはヒステリシスが与えられて
いるので、バッテリー電圧Ｖ_Bを充分に高めて正常な過
電流検知ができる状態にしてから電源供給を復帰させる
ことができ、上記の不都合を未然に回避することができ
る。

【０１６０】なお、このようなヒステリシス特性をもっ
た電源電圧監視回路９としては、図１１の構成のものに
限られない。同じディスクリート構成によるシュミット
回路の例を図１３に示す。この回路では、５つのトラン
ジスタＴｒ₁，Ｔｒ₂，Ｔｒ₃,Tr₄，Ｔｒ₅が組み合わされ
てなり、入力端子ＰｉがトランジスタＴｒ₁のベース
に、出力端子ＰｏがトランジスタＴｒ₅のコレクタにそ
れぞれ接続され、制御電源端子Ｐｃは定電流ダイオード
ＣＲＤを介してトランジスタＴｒ₁，Ｔｒ₂のコレクタに
接続されている。この回路を上記電源電圧監視回路９と
して用いる場合、下限基準値Ｖ₁及び復帰基準値Ｖ₂は次
式で与えられる。

【０１６１】

【数２】

【０１６２】また、図１４に示すようなトランジスタＴ
ｒａ，Ｔｒｂとフリップフロップ回路ＦＦとの組合せに
よっても、電源電圧監視回路９を構成することが可能で
ある。図示の回路において、電源電圧である入力電圧Ｖ
_inが下限基準値Ｖ₁を下回ったときにトランジスタＴｒ
ａがオフとなり、入力電圧Ｖ_inが復帰基準値Ｖ₂を上回
ったときにトランジスタＴｒｂがオンとなるように回路
設計すれば、フリップフロップ回路ＦＦのＱ出力すなわ
ち出力電圧Ｖ_outに上記と同様の良好なヒステリシス特
性を与えることができる。

【０１６３】また、図１５に示すようなオペアンプＯＰ
を用いても電源電圧監視回路９の構築が可能である。こ
の場合も、周知のように、下限基準値Ｖ₁及び復帰基準
値Ｖ₂にヒステリシス特性をもたせることができる。

【０１６４】なお、上記電源電圧監視回路９は、必ずし
も自動復帰機能をもつものでなくてもよい。例えば、上
記復帰基準値Ｖ₂を設定する代わりに、バッテリー電圧
異常降下時に電源供給を切った後は、運転者の手動操作
等により電源供給が復帰されるようにしてもよい。

【０１６５】その他、本発明は次のような実施の形態を
とることも可能である。

【０１６６】(1) 図１や図１０に示す回路は、ディスク
リート回路であってもよいし、その全体もしくは一部を
ＩＣ化したものであってもよい。また、各検知回路５，
６，７や、電源電圧監視回路９等は、制御部８０と同様
にマイクロコンピュータ等で構成することも可能であ
る。

【０１６７】(2) 第２の実施の形態では、バッテリー電
圧Ｖ_Bの変動によって過電流検知のための電流基準値を
変化させる機能と、バッテリー電圧Ｖ_Bの異常降下時に
電源供給を強制遮断する機能とを併せもった回路を示し
たが、後者の機能のみを備えた回路であっても、バッテ
リー電圧Ｖ_Bの異常降下時（すなわち非常時）に過電流
発生が検知されなくなってしまう不都合を回避すること
が可能である。

【０１６８】(3) 第２の実施の形態では、バッテリー電
圧Ｖ_Bの異常降下時、すなわち、電源電圧監視回路９か
ら異常伝達信号が出力された時に、安全動作として電源
供給を強制遮断するものを示したが、当該安全動作はこ
れに限らない。例えば、図示のバッテリーＢとは別に非
常用のサブバッテリーを用意しておき、上記異常伝達信
号が出力された非常時にのみ、上記バッテリーＢに代え
て上記サブバッテリーを負荷につなぐといった安全制御
を行うようにしてもよい。

【０１６９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明は、電源か
ら負荷に供給される負荷電流を検出し、予め設定された
レベルの基準値と検出された負荷電流とを比較して、負
荷電流が基準値以上になると過電流であると判定する際
に、基準値のレベルを電源の電圧に応じて変動させるよ
うにしたものであるので、電源の電圧に応じて変動する
負荷電流のレベルに対応して基準値のレベルが変動する
こととなり、過電流の判定を精度よく行うことができ
る。

【０１７０】ここで、第１〜第３ＮＰＮトランジスタ及
び第１〜第３抵抗素子からなる回路を変動伝達用抵抗素
子を介して電源に接続することにより、周囲温度の変動
に依存しない基準電圧を生成することができるととも
に、電源の出力電圧に応じて変動する負荷電流のレベル
に対応して基準電圧のレベルを変動させることができ、
これによって、過電流の判定を精度よく行い、負荷の保
護を好適に行うことができる。

【０１７１】また、電源電圧を監視し、この電源電圧が
所定の下限設定値よりも下回った場合に外部に異常伝達
信号を出力する電源電圧監視回路を備えれば、電源電圧
が異常降下して適正な過電流検知ができなくなった場合
に、過電流発生が見逃されて過電流が流れ続ける事態が
未然に防止できる効果が得られる。

【０１７２】さらに、上記電源電圧監視回路を、上記異
常伝達信号の出力を開始した後、電源電圧が上記下限設
定値よりも高い所定の復帰設定値以上に上昇した時に上
記異常伝達信号の出力を停止するように構成したもので
は、電源電圧が復帰設定値以上まで上昇した時点で自動
的に異常伝達信号の出力を停止させることができるとと
もに、電源電圧が充分に復帰してから異常伝達信号の出
力を停止させることにより、過電流検知の信頼性を高め
ることができる。

【０１７３】この電源電圧監視回路を備えたものにおい
て、さらに、上記異常伝達信号が出力された時に上記電
源から負荷への電流供給を強制的に停止させる電源遮断
手段を備えたものでは、電源電圧異常降下時に自動的に
電流供給を強制停止させ、過電流が流れ続けるのを速や
かに阻止できる効果が得られる。

【０１７４】負荷電流が過電流であると判定されたとき
に電源と負荷との接続をオンオフするスイッチ手段をオ
フにするようにしたものでは、直ぐに過電流状態を停止
することができる。

【０１７５】また、電源を自動車に搭載されたバッテリ
ーとオルタネータの並列回路又はバッテリーとし、負荷
を自動車に装備された電装品とすることより、電圧レベ
ルの変動幅が大きいバッテリーから電装品への負荷電流
の供給において、バッテリーの電圧に応じて変動する負
荷電流のレベルに対応して基準値のレベルを変動させる
ことができ、これによって過電流の判定を精度よく行
い、自動車に装備される電装品の保護を好適に行うこと
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態にかかるランプ制御
回路の全体回路図である。

【図２】上記ランプ制御回路におけるスイッチ駆動回路
及び電源回路の回路図である。

【図３】上記ランプ制御回路における過電流検知回路の
回路図である。

【図４】上記ランプ制御回路における異常電流検知回路
の回路図である。

【図５】上記ランプ制御回路における短絡故障検知回路
の回路図である。

【図６】上記ランプ制御回路における制御回路の回路図
である。

【図７】上記ランプ制御回路における遅延回路による突
入電流の低減効果を説明するためのタイミングチャート
である。

【図８】図３のＹ点から出力される電圧の電源電圧依存
性を示す特性図である。

【図９】上記ランプ制御回路において回路が断続的に開
放状態になるような態様の異常が生じたときの負荷電流
を示す図である。

【図１０】本発明の第２の実施の形態にかかるランプ制
御回路の全体回路図である。

【図１１】上記ランプ制御回路における電源電圧監視回
路の回路図である。

【図１２】上記電源電圧監視回路の入出力特性を示すグ
ラフである。

【図１３】上記電源電圧監視回路の変形例を示す回路図
である。

【図１４】上記電源電圧監視回路の変形例を示す回路図
である。

【図１５】上記電源電圧監視回路の変形例を示す回路図
である。

【図１６】従来の課題を説明する図である。

【符号の説明】

１ＦＥＴ２シャント抵抗３スイッチ駆動回路３１遅延回路３２チャージポンプ回路４電源回路５過電流検知回路５１電流電圧変換回路５２基準電圧生成回路６異常電流検知回路６１電流電圧変換回路６２比較電圧生成回路７短絡故障検知回路８制御回路８０制御部９電源電圧監視回路ＢバッテリーＬランプＲ３４抵抗（変動伝達用抵抗素子）Ｕ１４，Ｕ１５比較器Ｕ３Ａフリップフロップ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者星野孝志愛知県名古屋市南区菊住１丁目７番10号株式会社ハーネス総合技術研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電源から負荷に供給される負荷電流を検
出する負荷電流検出回路と、予め設定されたレベルの電
流基準値を出力する基準値出力回路と、検出された上記
負荷電流と上記電流基準値とを比較して上記負荷電流が
上記電流基準値以上になると過電流であると判定する過
電流判定手段とを備え、上記基準値出力回路は、上記電
源の電圧に応じて上記電流基準値のレベルを変動させる
レベル変動回路を備えたものであることを特徴とする過
電流検知回路。
【請求項２】請求項１記載の過電流検知回路におい
て、上記レベル変動回路は、変動伝達用抵抗素子からな
り、上記基準値出力回路は、第１ＮＰＮトランジスタ、
第２ＮＰＮトランジスタ、第３ＮＰＮトランジスタ、第
１抵抗素子、第２抵抗素子及び第３抵抗素子を備え、上
記第１ＮＰＮトランジスタのベースは当該トランジスタ
のコレクタに接続され、エミッタは接地され、コレクタ
は上記第２ＮＰＮトランジスタのベースに接続されると
ともに、上記第１抵抗素子を介して上記第３ＮＰＮトラ
ンジスタのコレクタに接続されてなり、上記第２ＮＰＮ
トランジスタのコレクタは上記第３ＮＰＮトランジスタ
のベースに接続されるとともに、上記第２抵抗素子を介
して上記第３ＮＰＮトランジスタのコレクタに接続さ
れ、エミッタは上記第３抵抗素子を介して接地されてな
り、上記第３ＮＰＮトランジスタのエミッタは接地さ
れ、コレクタは上記変動伝達用抵抗素子を介して上記電
源に接続されてなり、上記電流基準値に相当する値とし
て基準電圧を生成するものであることを特徴とする過電
流検知回路。
【請求項３】請求項１又は２記載の過電流検知回路に
おいて、電源電圧を監視し、この電源電圧が所定の下限
設定値よりも下回った場合に外部に異常伝達信号を出力
する電源電圧監視回路を備えたことを特徴とする過電流
検知回路。
【請求項４】電源から負荷に供給される負荷電流を検
出する負荷電流検出回路と、予め設定されたレベルの電
流基準値を出力する基準値出力回路と、検出された上記
負荷電流と上記電流基準値とを比較して上記負荷電流が
上記電流基準値以上になると過電流であると判定する過
電流判定手段と、電源電圧を監視し、この電源電圧が所
定の下限設定値よりも下回った場合に外部に異常伝達信
号を出力する電源電圧監視回路とを備えたことを特徴と
する過電流検知回路。
【請求項５】請求項３または４記載の過電流検知回路
において、上記異常伝達信号の出力を開始した後、電源
電圧が上記下限設定値よりも高い所定の復帰設定値以上
に上昇した時に上記異常伝達信号の出力を停止するよう
に上記電源電圧監視回路を構成したことを特徴とする過
電流検知回路。
【請求項６】請求項５記載の過電流検知回路におい
て、上記電源電圧監視回路をシュミット回路で構成した
ことを特徴とする過電流検知回路。
【請求項７】請求項３〜６のいずれかに記載の過電流
検知回路において、上記異常伝達信号が出力された時に
上記電源から負荷への電流供給を強制的に停止させる電
源遮断手段を備えたことを特徴とする過電流検知回路。
【請求項８】請求項１〜７のいずれかに記載の過電流
検知回路において、上記電源と上記負荷との接続をオン
オフするスイッチ手段と、上記過電流であると判定され
ると上記スイッチ手段をオフにするスイッチ制御手段と
を備えたことを特徴とする過電流検知回路。
【請求項９】請求項１〜８のいずれかに記載の過電流
検知回路において、上記電源は自動車に搭載されたバッ
テリーとオルタネータとの並列回路又はバッテリーから
なり、上記負荷は自動車に装備された電装品であること
を特徴とする過電流検知回路。