JPH11108561A - 仕切り板を内装する流動層反応装置 - Google Patents
仕切り板を内装する流動層反応装置Info
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- JPH11108561A JPH11108561A JP28922797A JP28922797A JPH11108561A JP H11108561 A JPH11108561 A JP H11108561A JP 28922797 A JP28922797 A JP 28922797A JP 28922797 A JP28922797 A JP 28922797A JP H11108561 A JPH11108561 A JP H11108561A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 流動反応装置内の粒子の滞留時間を制御す
る。 【解決手段】 上部に原料粒子の供給口２、下部に流動
化ガスの供給口、側部に粒子の排出口３を有し、流動反
応装置１内下部のガス分散板７上にほぼ垂直に設けた仕
切り板１３で屈曲または螺旋状に湾曲した流路を形成
し、流動化した原料粒子の滞留時間を調整可能とした流
動層反応装置１において、流動層内濃厚層表面６直上の
スプラッシュゾーン高さより、仕切り板１３を高くした
ことを特徴とする仕切り板を内装する流動層反応装置。
る。 【解決手段】 上部に原料粒子の供給口２、下部に流動
化ガスの供給口、側部に粒子の排出口３を有し、流動反
応装置１内下部のガス分散板７上にほぼ垂直に設けた仕
切り板１３で屈曲または螺旋状に湾曲した流路を形成
し、流動化した原料粒子の滞留時間を調整可能とした流
動層反応装置１において、流動層内濃厚層表面６直上の
スプラッシュゾーン高さより、仕切り板１３を高くした
ことを特徴とする仕切り板を内装する流動層反応装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、粉体とガスとの反
応に供される反応装置である流動層反応装置に関するも
のであり、特に、流動層内の粒子の滞留時間分布を制御
するための仕切り板を有する流動層反応装置に関するも
のである。
応に供される反応装置である流動層反応装置に関するも
のであり、特に、流動層内の粒子の滞留時間分布を制御
するための仕切り板を有する流動層反応装置に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】粉体とガスとの反応には、流動層反応装
置が広く用いられている。流動層反応装置はシャフト炉
と異なり、比較的粒径の小さい粒子を反応ガスによって
流動させながら反応させるものであり、通常、粒子を塊
成化する必要がないこと、ガス流速を粒子の流動化開始
速度以上にできるため面積当たり多量のガスが導入でき
生産性を上げられることなどの利点を有する。
置が広く用いられている。流動層反応装置はシャフト炉
と異なり、比較的粒径の小さい粒子を反応ガスによって
流動させながら反応させるものであり、通常、粒子を塊
成化する必要がないこと、ガス流速を粒子の流動化開始
速度以上にできるため面積当たり多量のガスが導入でき
生産性を上げられることなどの利点を有する。
【０００３】一方、流動層反応装置に入った粒子はガス
により激しく攪拌され完全混合状態にあるため、連続し
て粒子を供給・排出する場合、未反応もしくは充分反応
していない粒子が成品にある確率で混入する。このた
め、成品の反応率をあるレベル以上に高めるためには、
粒子の供給速度および排出速度を大幅に落とす必要があ
り生産性が低下する。
により激しく攪拌され完全混合状態にあるため、連続し
て粒子を供給・排出する場合、未反応もしくは充分反応
していない粒子が成品にある確率で混入する。このた
め、成品の反応率をあるレベル以上に高めるためには、
粒子の供給速度および排出速度を大幅に落とす必要があ
り生産性が低下する。
【０００４】これらの流動層反応装置の欠点を補うた
め、図３，図４に示すような仕切り板を有する流動層反
応装置の構成が考案され、例えば米国特許ＵＳＰ５，１
１８，４７９や特開平８−２６１６５８号公報等で開示
されている。これらの先行技術は、粉体がガスにより流
動している流動層２９内に炉体２１の粒子供給口２２か
ら連続的に粉体を供給し、粒子排出口２３から排出する
流動層反応装置に関するものであるが、供給された粉体
がすぐに粒子排排出口２３から排出されないようにガス
分散板２５上に垂直に仕切り板２６を設けており、粒子
はその仕切り板２６で区切られた間を蛇行するように流
動・移動し粒子排出口２３へと向かうように流路２４を
形成したものである。つまり、粒子が完全混合状態にな
るのを仕切り板２６で防止し、押し出し流れに近い粒子
の運動状態を作ろうとしたものである。これら先行技術
においては、特開平８−２６１６５８号公報にもあるよ
うに、流動層が形成される高さよりも仕切り板２６の高
さを高くしておくことによって、屈曲した粒子の流路を
形成するとされている。
め、図３，図４に示すような仕切り板を有する流動層反
応装置の構成が考案され、例えば米国特許ＵＳＰ５，１
１８，４７９や特開平８−２６１６５８号公報等で開示
されている。これらの先行技術は、粉体がガスにより流
動している流動層２９内に炉体２１の粒子供給口２２か
ら連続的に粉体を供給し、粒子排出口２３から排出する
流動層反応装置に関するものであるが、供給された粉体
がすぐに粒子排排出口２３から排出されないようにガス
分散板２５上に垂直に仕切り板２６を設けており、粒子
はその仕切り板２６で区切られた間を蛇行するように流
動・移動し粒子排出口２３へと向かうように流路２４を
形成したものである。つまり、粒子が完全混合状態にな
るのを仕切り板２６で防止し、押し出し流れに近い粒子
の運動状態を作ろうとしたものである。これら先行技術
においては、特開平８−２６１６５８号公報にもあるよ
うに、流動層が形成される高さよりも仕切り板２６の高
さを高くしておくことによって、屈曲した粒子の流路を
形成するとされている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】流動層においては、層
の表面近傍では流動層内を上昇してきた気泡がはじけ、
粒子が吹き上げられる現象が認められる。このため、仕
切り板を設けて粒子の流路を形成しようとしても、仕切
り板を飛び越して粒子排出口にショートカットする粒子
があり、粒子滞留時間の長い操業条件の場合は仕切り板
の効果が減少して完全混合状態に近い滞留時間分布とな
ってしまう問題が生じる。流動層反応装置内の粒子の滞
留時間分布を制御するためには、流動層部分の粒子の動
きを制御するだけでは不十分であり、流動層上部空間
の、フリーボードと呼ばれる粒子濃度が希薄な領域にお
ける粒子混合を防止する必要がある。
の表面近傍では流動層内を上昇してきた気泡がはじけ、
粒子が吹き上げられる現象が認められる。このため、仕
切り板を設けて粒子の流路を形成しようとしても、仕切
り板を飛び越して粒子排出口にショートカットする粒子
があり、粒子滞留時間の長い操業条件の場合は仕切り板
の効果が減少して完全混合状態に近い滞留時間分布とな
ってしまう問題が生じる。流動層反応装置内の粒子の滞
留時間分布を制御するためには、流動層部分の粒子の動
きを制御するだけでは不十分であり、流動層上部空間
の、フリーボードと呼ばれる粒子濃度が希薄な領域にお
ける粒子混合を防止する必要がある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、原料粒子の供
給口、成品粒子の排出口、流動化ガスの供給機構を有す
る流動層反応装置内下部のガス分散板上にほぼ垂直に設
けた仕切り板で屈曲または螺旋状に湾曲した流路を成形
し、流動化した粒子の滞留時間分布の調整を可能とした
流動層反応装置において、流動層内濃厚層表面直上のス
プラッシュゾーン高さより、仕切り板を高くしたことを
特徴とする仕切り板を内装する流動層反応装置である。
給口、成品粒子の排出口、流動化ガスの供給機構を有す
る流動層反応装置内下部のガス分散板上にほぼ垂直に設
けた仕切り板で屈曲または螺旋状に湾曲した流路を成形
し、流動化した粒子の滞留時間分布の調整を可能とした
流動層反応装置において、流動層内濃厚層表面直上のス
プラッシュゾーン高さより、仕切り板を高くしたことを
特徴とする仕切り板を内装する流動層反応装置である。
【０００７】また、本発明は、仕切り板の間隔、ガスの
空塔速度から（１）式の関係で求まる流動層内濃厚層表
面直上のスプラッシュゾーン高さより、仕切り板を高く
したことを特徴とする。
空塔速度から（１）式の関係で求まる流動層内濃厚層表
面直上のスプラッシュゾーン高さより、仕切り板を高く
したことを特徴とする。
【０００８】 Ｈ＝Ｄw （０．４Ｄw -0.36−０．１）ｅｘｐ（０．７５Ｕo Ｄw -0.23） ・・・（１） ここで、Ｈはスプラッシュゾーン高さ（ｍ）、Ｄw は仕
切り板の間隔（ｍ）、Ｕo はガスの空塔速度（ｍ／ｓ）
である。
切り板の間隔（ｍ）、Ｕo はガスの空塔速度（ｍ／ｓ）
である。
【０００９】また、流動層の分野におけるスプラッシュ
ゾーンとは、流動層内濃厚層表面近傍において反応ガス
よりなる気泡の破裂時に射出された粗大粒子の上昇と落
下の現象が存在する領域である（例えば、「流動層の反
応工学」（培風館１９８４年刊行、１５５ページ））。
ゾーンとは、流動層内濃厚層表面近傍において反応ガス
よりなる気泡の破裂時に射出された粗大粒子の上昇と落
下の現象が存在する領域である（例えば、「流動層の反
応工学」（培風館１９８４年刊行、１５５ページ））。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明に従えば、流動層反応装置
内の粒子は仕切板と装置壁、もしくは隣接する仕切り板
との間で形成された屈曲または螺旋状の流路を新たな装
置に供給または排出した粒子の量に応じて移動するとと
もに、フリーボードに吹き上げられた粒子も、スプラッ
シュゾーンより上方に上端のある仕切り板により区切ら
れているため再度同じ領域に落下するため仕切り板を飛
び越して粒子が排出口へショートカットすることを防止
できる。
内の粒子は仕切板と装置壁、もしくは隣接する仕切り板
との間で形成された屈曲または螺旋状の流路を新たな装
置に供給または排出した粒子の量に応じて移動するとと
もに、フリーボードに吹き上げられた粒子も、スプラッ
シュゾーンより上方に上端のある仕切り板により区切ら
れているため再度同じ領域に落下するため仕切り板を飛
び越して粒子が排出口へショートカットすることを防止
できる。
【００１１】スプラッシュゾーンは、特別に設計された
粒子サンプラーを用いて射出された粒子を採取すること
により実測することができるが、操業条件による推定が
できれば簡便である。発明者らによる実験の結果、スプ
ラッシュゾーンの高さは、粒子物性やガス物性などへの
依存性は少なく、仕切り板の間隔と空塔ガス流速に大き
く影響を受けることが分かった。即ち、仕切り板の間隔
を大きくすると、また、ガスの空塔速度を大きくすると
スプラシュゾーンの高さが高くなることが分かった。こ
のためさらに多くの実験を繰り返し他の研究者らの実
験、検討結果も参考にして仕切り板の間隔とガス空塔速
度を変化させた場合のスプラッシュゾーンの高さを実験
に求め、仕切り板の間隔とガス空塔速度の関数でスプラ
ッシュゾーンの高さを求める関係式を求めた。この結
果、本発明における仕切り板の高さは、流動層内濃厚層
表面からさらに上方に（１）式により求まる距離Ｈより
高くすればよいとの結論を得た。また、この高さ以上に
おいては、流動層内濃厚層表面近傍において反応ガスよ
りなる気泡の破裂時に射出された粒子の上昇はほとんど
認められず、仕切り板を飛び越えて隣の領域に混入する
ことはないため、粒子が排出口へショートカットするこ
とを防ぐことができる。
粒子サンプラーを用いて射出された粒子を採取すること
により実測することができるが、操業条件による推定が
できれば簡便である。発明者らによる実験の結果、スプ
ラッシュゾーンの高さは、粒子物性やガス物性などへの
依存性は少なく、仕切り板の間隔と空塔ガス流速に大き
く影響を受けることが分かった。即ち、仕切り板の間隔
を大きくすると、また、ガスの空塔速度を大きくすると
スプラシュゾーンの高さが高くなることが分かった。こ
のためさらに多くの実験を繰り返し他の研究者らの実
験、検討結果も参考にして仕切り板の間隔とガス空塔速
度を変化させた場合のスプラッシュゾーンの高さを実験
に求め、仕切り板の間隔とガス空塔速度の関数でスプラ
ッシュゾーンの高さを求める関係式を求めた。この結
果、本発明における仕切り板の高さは、流動層内濃厚層
表面からさらに上方に（１）式により求まる距離Ｈより
高くすればよいとの結論を得た。また、この高さ以上に
おいては、流動層内濃厚層表面近傍において反応ガスよ
りなる気泡の破裂時に射出された粒子の上昇はほとんど
認められず、仕切り板を飛び越えて隣の領域に混入する
ことはないため、粒子が排出口へショートカットするこ
とを防ぐことができる。
【００１２】
【実施例】図１は本発明の一実施例の流動層反応装置の
垂直断面の構成を示す。また、図２は、図１の切断面ａ
−ａ’の水平断面の構成を示す。矩形の流動層反応装置
１の左右に粒子供給口２および粒子排出口３が設けられ
ている。流動層内粒子４は排出口へオーバーフローする
ように流れてゆき成品ホッパー５に排出されるため、流
動層内濃厚層表面６のレベルは粒子排出口３の開口部位
置とほぼ一致する。また、粒子供給口２は流動層内濃厚
層上方のフリーボード空間９に開放されている。
垂直断面の構成を示す。また、図２は、図１の切断面ａ
−ａ’の水平断面の構成を示す。矩形の流動層反応装置
１の左右に粒子供給口２および粒子排出口３が設けられ
ている。流動層内粒子４は排出口へオーバーフローする
ように流れてゆき成品ホッパー５に排出されるため、流
動層内濃厚層表面６のレベルは粒子排出口３の開口部位
置とほぼ一致する。また、粒子供給口２は流動層内濃厚
層上方のフリーボード空間９に開放されている。
【００１３】以下、鉄鉱石の流動還元装置に本発明を適
用した例について説明する。粒子供給口２からは、原料
ホッパー１０ａ、１０ｂ経由で例えば鉄鉱石（酸化鉄）
を供給する。それが粒子排出口３まで移動する際に、ガ
ス分散板７を経由して流動層に吹き込まれた流動化ガス
８である炭酸ガスと反応し還元され金属鉄となって粒子
排出口３から排出される。反応したガスは流動層反応装
置１の内部のフリーボード空間９を上昇し、排ガスダク
ト１１、サイクロン１２を経て系外に排出される。
用した例について説明する。粒子供給口２からは、原料
ホッパー１０ａ、１０ｂ経由で例えば鉄鉱石（酸化鉄）
を供給する。それが粒子排出口３まで移動する際に、ガ
ス分散板７を経由して流動層に吹き込まれた流動化ガス
８である炭酸ガスと反応し還元され金属鉄となって粒子
排出口３から排出される。反応したガスは流動層反応装
置１の内部のフリーボード空間９を上昇し、排ガスダク
ト１１、サイクロン１２を経て系外に排出される。
【００１４】この際、成品の金属鉄に原料に由来する未
反応の酸化鉄が混入すると次の溶解工程での所要電力が
増加したり鉄分歩留まりが低下するため好ましくない。
そこで、流動層反応装置内下部のガス分散板上にほぼ垂
直に設けた仕切り板で屈曲または螺旋状に湾曲した流路
を形成し、この流路内を流動化した粒子が移動するよう
にすれば、極端に滞留時間の短い粒子が無くなり滞留時
間分布幅を小さくすることができる。ガス分散板７とは
垂直に５枚の仕切り板１３を流動層反応装置内に設置し
て屈曲流路を形成し、仕切板の上端を流動層内濃厚層表
面直上のスプラッシュゾーンよりも高い所に位置させた
（図２）。例えば、ガス空塔速度を０．８ｍ／ｓとし、
２００ｍｍ間隔に仕切り板１３を設置した場合、（１）
式で求まるスプラッシュゾーンの高さは約２９０ｍｍで
あったため、仕切り板の上端が流動層内濃厚層表面より
も上方４００ｍｍの位置となる仕切り板を設けた。本発
明の効果を明確にするため、仕切り板の上端を流動層内
濃厚層表面直上のスプラッシュゾーンよりも低いところ
に設定した比較例との操業結果の差違を表１に示す。
反応の酸化鉄が混入すると次の溶解工程での所要電力が
増加したり鉄分歩留まりが低下するため好ましくない。
そこで、流動層反応装置内下部のガス分散板上にほぼ垂
直に設けた仕切り板で屈曲または螺旋状に湾曲した流路
を形成し、この流路内を流動化した粒子が移動するよう
にすれば、極端に滞留時間の短い粒子が無くなり滞留時
間分布幅を小さくすることができる。ガス分散板７とは
垂直に５枚の仕切り板１３を流動層反応装置内に設置し
て屈曲流路を形成し、仕切板の上端を流動層内濃厚層表
面直上のスプラッシュゾーンよりも高い所に位置させた
（図２）。例えば、ガス空塔速度を０．８ｍ／ｓとし、
２００ｍｍ間隔に仕切り板１３を設置した場合、（１）
式で求まるスプラッシュゾーンの高さは約２９０ｍｍで
あったため、仕切り板の上端が流動層内濃厚層表面より
も上方４００ｍｍの位置となる仕切り板を設けた。本発
明の効果を明確にするため、仕切り板の上端を流動層内
濃厚層表面直上のスプラッシュゾーンよりも低いところ
に設定した比較例との操業結果の差違を表１に示す。
【００１５】
【表１】
【００１６】ここで、実施例１と２、および、実施例３
と４は、それぞれ同じ装置において原料の供給速度すな
わち生産速度を変化させた場合の例である。比較例の場
合、成品還元率の基準である９０％を得ようとすると生
産速度を０．５〜０．７（ｔ／ｍ2 ／ｈ）以上に上げら
れないが、スプラッシュゾーンより高いところまで仕切
り板を延ばした実施例においては、同じ生産速度では還
元率が上昇し、生産速度を増やしても９０％の還元率の
成品が得られた。
と４は、それぞれ同じ装置において原料の供給速度すな
わち生産速度を変化させた場合の例である。比較例の場
合、成品還元率の基準である９０％を得ようとすると生
産速度を０．５〜０．７（ｔ／ｍ2 ／ｈ）以上に上げら
れないが、スプラッシュゾーンより高いところまで仕切
り板を延ばした実施例においては、同じ生産速度では還
元率が上昇し、生産速度を増やしても９０％の還元率の
成品が得られた。
【００１７】
【発明の効果】本発明の適用により、本来完全混合状態
になる流動層内の粒子が、流動層内粒子濃厚層のみなら
ずフリーボードにおいても粒子が混合しにくくなるため
押し出し流れに近くなり、未反応の粒子が成品に混入す
ることを避けられるため、成品の反応率を上げることが
できること、一定の反応率においては供給速度を増加で
きるため生産性が向上するなどの効果が得られ、その工
業的効果は極めて大きい。
になる流動層内の粒子が、流動層内粒子濃厚層のみなら
ずフリーボードにおいても粒子が混合しにくくなるため
押し出し流れに近くなり、未反応の粒子が成品に混入す
ることを避けられるため、成品の反応率を上げることが
できること、一定の反応率においては供給速度を増加で
きるため生産性が向上するなどの効果が得られ、その工
業的効果は極めて大きい。
【図１】本発明の一実施例の流動層反応装置の垂直断面
の構成を示す説明図である。
の構成を示す説明図である。
【図２】図１の切断面ａ−ａ’線の水平断面の構成を示
す説明図である。
す説明図である。
【図３】従来の流動層反応装置の水平断面の構成を示す
説明図である。
説明図である。
【図４】図３のｂ−ｂ’線の垂直断面の構成を示す説明
図である。
図である。
１ 流動層反応装置 ２ 粒子供給口 ３ 粒子排出口 ４ 流動層内粒子 ５ 成品ホッパー ６ 流動層内濃厚層表面 ７ ガス分散板 ８ 流動化ガス ９ フリーボード空間 １０ａ，１０ｂ 原料ホッパー １１ 排ガスダクト １２ サイクロン １３ 仕切り板 ２１ 炉体 ２２ 粒子供給口 ２３ 粒子排出口 ２４ 流路 ２５ ガス分散板 ２６ 仕切板 ２７ バブリングノズル ２８ 噴出ガス ２９ 流動層 ３２，４２ ガス吹出口
Claims (2)
- 【請求項１】 原料粒子の供給口、成品粒子の排出口、
流動化ガスの供給機構を有する流動層反応装置内下部の
ガス分散板上にほぼ垂直に設けた仕切り板で屈曲または
螺旋状に湾曲した流路を成形し、流動化した粒子の滞留
時間分布の調整を可能とした流動層反応装置において、
流動層内濃厚層表面直上のスプラッシュゾーン高さよ
り、仕切り板を高くしたことを特徴とする仕切り板を内
装する流動層反応装置。 - 【請求項２】 仕切り板の間隔、ガスの空塔速度から
（１）式の関係で求まる流動層内濃厚層表面直上のスプ
ラッシュゾーン高さより、仕切り板を高くしたことを特
徴とする請求項１記載の仕切り板を内装する流動層反応
装置。 Ｈ＝Ｄw （０．４Ｄw -0.36−０．１）ｅｘｐ（０．７５Ｕo Ｄw -0.23） ・・・（１） ここで、Ｈはスプラッシュゾーン高さ（ｍ）、Ｄw は仕
切り板の間隔（ｍ）、Ｕｏはガスの空塔速度（ｍ／ｓ）
である。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28922797A JPH11108561A (ja) | 1997-10-07 | 1997-10-07 | 仕切り板を内装する流動層反応装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28922797A JPH11108561A (ja) | 1997-10-07 | 1997-10-07 | 仕切り板を内装する流動層反応装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11108561A true JPH11108561A (ja) | 1999-04-23 |
Family
ID=17740441
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28922797A Withdrawn JPH11108561A (ja) | 1997-10-07 | 1997-10-07 | 仕切り板を内装する流動層反応装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11108561A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001053544A1 (de) * | 2000-01-20 | 2001-07-26 | Voest-Alpine Industrieanlagenbau Gmbh & Co | Wirbelbettaggregat zur reduktion von oxidhältigem material |
| KR100360110B1 (ko) * | 2000-12-20 | 2002-11-07 | 주식회사 포스코 | 고효율 및 역혼합방지용 유동층 반응로 |
| US10557091B2 (en) | 2016-07-28 | 2020-02-11 | Uop Llc | Process for increasing hydrocarbon yield from catalytic reformer |
| US10583412B1 (en) | 2019-08-26 | 2020-03-10 | Uop Llc | Apparatus for catalytic reforming hydrocarbons having flow distributor and process for reforming hydrocarbons |
| US10933395B1 (en) | 2019-08-26 | 2021-03-02 | Uop Llc | Apparatus for catalytic reforming hydrocarbons having flow distributor and process for reforming hydrocarbons |
-
1997
- 1997-10-07 JP JP28922797A patent/JPH11108561A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001053544A1 (de) * | 2000-01-20 | 2001-07-26 | Voest-Alpine Industrieanlagenbau Gmbh & Co | Wirbelbettaggregat zur reduktion von oxidhältigem material |
| KR100360110B1 (ko) * | 2000-12-20 | 2002-11-07 | 주식회사 포스코 | 고효율 및 역혼합방지용 유동층 반응로 |
| US10557091B2 (en) | 2016-07-28 | 2020-02-11 | Uop Llc | Process for increasing hydrocarbon yield from catalytic reformer |
| US10583412B1 (en) | 2019-08-26 | 2020-03-10 | Uop Llc | Apparatus for catalytic reforming hydrocarbons having flow distributor and process for reforming hydrocarbons |
| US10933395B1 (en) | 2019-08-26 | 2021-03-02 | Uop Llc | Apparatus for catalytic reforming hydrocarbons having flow distributor and process for reforming hydrocarbons |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20041207 |