JPH1098028A - プラズマ処理リアクタ用ガス注入スリットノズル - Google Patents

プラズマ処理リアクタ用ガス注入スリットノズル

Info

Publication number
JPH1098028A
JPH1098028A JP9184044A JP18404497A JPH1098028A JP H1098028 A JPH1098028 A JP H1098028A JP 9184044 A JP9184044 A JP 9184044A JP 18404497 A JP18404497 A JP 18404497A JP H1098028 A JPH1098028 A JP H1098028A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
chamber
plasma reactor
gas distribution
outer member
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP9184044A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3949232B2 (ja
Inventor
Dan Maydan
メイダン ダン
Steve S Y Mak
エス． ワイ． マク スティーヴ
Donald Olgado
オルガド ドナルド
Gerald Zheyao Yin
ゼヤオ イン ゲラルド
Timothy Driscoll
ドリスコル ティモスィー
James S Papanu
エス． パパヌ ジェイムズ
Avia Tepman
テップマン アヴィア
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of JPH1098028A publication Critical patent/JPH1098028A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3949232B2 publication Critical patent/JP3949232B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32513—Sealing means, e.g. sealing between different parts of the vessel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32899—Multiple chambers, e.g. cluster tools

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 スペースをとらず、密封表面積が小さいプラ
ズマリアクタガス注入システム。 【解決手段】 側壁を有する真空チャンバと、処理を受
ける半導体ウエハを保持するためのペデスタルと、ＲＦ
電圧をチャンバに印加するＲＦ電圧アプリケータとを持
つ、ガスをプラズマリアクタに注入するガス注入システ
ム。ガス注入システムはガスを含有する少なくともひと
つのガス供給部と、少なくとも一つのスロットアパーチ
ャがチャンバの内側に面しているガス散布装置と、一つ
か複数のガス供給部をガス散布装置に接続する一つある
いは複数のガスフィードラインとを有する。本発明によ
る放射ガス散布装置の好ましい実施例は、チャンバ側壁
に設けられ、チャンバの内側に面するスロットアパーチ
ャをそれぞれ有した複数のガス散布ノズルを含む。ガス
フィードラインを用いて、それぞれのガス散布ノズルを
それぞれ別個のガス供給部に接続する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路ウエ
ハ処理のためのプラズマリアクタに関し、特にこのよう
なリアクタで用いられるガス注入システムの改良システ
ムに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路ウエハを処理するプラズ
マリアクタは、典型的には、真空チャンバと、チャンバ
内でウエハを保持するペデスタルと、プラズマＲＦ電源
と、ガスをチャンバに供給するためのガス注入システム
とを有する。リアクタが誘導結合リアクタであれば、プ
ラズマＲＦ電源に接続されるチャンバの周りにコイルア
ンテナを含めることができる。ウエハペデスタルをまた
前記のあるいは別のＲＦ電源に接続させることができ
る。プラズマリアクタの別のタイプ（たとえば、反応性
イオンエッチングリアクタなど）では、コイルアンテナ
はなく、プラズマＲＦ電源がウエハペデスタルにのみ接
続されている。リアクタのガス注入システムは少なくと
も一つのガス散布装置を備える。多数のガス散布装置が
用いられる場合、それぞれは典型的には、チャンバ内の
それぞれ別の領域にガスを供給するためにリアクタの別
の部分に配置される。利用される（一つあるいは複数
の）ガス散布装置は処理を行う場合の特定の要件に左右
される。たとえば、あるタイプのガス散布装置は、さま
ざまな処理工程中に（たとえばプラズマ強化化学蒸着な
ど）、リアクタの側壁からチャンバ内に放射状にガスを
注入するために用いられ、典型的には、ウエハの水平面
近くにある。この放射ガス散布装置は単独で用いてもよ
いし、あるいは前述の天井タイプのような別のガス散布
装置と組み合わせて用いてもよい。
【０００３】一つの典型的な放射ガス散布装置１０を図
１に示す。この装置１０はチャンバの電源領域１２のベ
ースすなわち底面の周辺部に設けられている。装置１０
はリング１４の内側表面の周りに規則的に配置されたガ
ス注入ホール１６を持つガス散布リング１４を有する。
処理ガスなどが単一の入り口１８から供給される。指定
の作業には十分であるが、従来の放射ガス散布装置１０
はチャンバのかなり多くの部分を物理的にガス散布リン
グ構造１４専用にしなければならないという欠点があ
る。現在のプラズマリアクタ設計において、リアクタの
多数のシステムをできるだけコンパクトなユニットに実
装することが望まれている。よって、寸法が大きく、貫
入したガス散布リング１４を組み込むために必要なスペ
ースを割くことは問題である。また、リアクタ側壁２２
とガス散布リング構造１４の間の境界面２０は典型的に
は、ガスが境界面から漏れないように密封されている。
この作業を実行するために、境界面２０に関する表面領
域までも密封する必要があるので、（図示しない）比較
的大きな密封部材を用いなくてはならない。よく知られ
ているように、多くの表面を密封することには困難がと
もない、漏れる危険がある。たとえば、密封部材、たと
えば密封Ｏリングなど、が密封される表面に関する寸法
公差はリークパスの形成を防ぐために比較的正確でなく
てはならない。密封表面が大きくなればなるほど、領域
全体に求められる公差を形成するのは困難になる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】リアクタチャンバ側壁
２２と比較的大きな従来のガス散布リング１４の間の境
界面に関する別の問題は、境界面２０が壁面に作る不連
続面である。この不連続面によって、チャンバ側壁２２
に不可避で形成される堆積残留物の層にストレス点と裂
け目が生じる。また、温度差が側壁２２とリング１４の
間に生まれやすく、さらに多くの残留層にストレスによ
る裂け目を生じさせる。破断した残留物材料はリング１
４と側壁２２で剥がれやすいため、処理を受けるウエハ
を汚染する危険がある。入り込む処理ガスによって起こ
る乱れが破断した残留物をチャンバ内に散乱させやすい
ガス注入ホール１６の近くでこの剥離現象は特に顕著で
ある。
【０００５】分散リング１４からの不均一なガスの流れ
はまた、そこにある放射ガス分散装置にも悪影響を及ぼ
す。ガス分散リング１４は典型的には、ある一地点から
供給されるので、その入力部でのガス注入ホール１６か
らのガスの流れはリングの反対側よりもはるかに多くな
る。このような不均一なフローパターンは、半導体ウエ
ハへのエッチングや堆積を不均一なものとする。また、
フィード口が一つだけなので、ガスが複数のガスからな
る混合ガスである場合、リング１４に到着する前にあら
かじめ混合しておかなければならない。チャンバ内で混
合させたり、ガスの組成をチャンバのさまざまな部分で
変えたりできるように異なるガスをリング１４のさまざ
まなホール１６に供給することはまったくできない。
【０００６】よって、現在利用されているユニットほど
スペースをとらず、密封表面積が小さいプラズマリアク
タガス注入システムが望まれている。また、均一なガス
の流れをチャンバに送ることができ、異なるガスを同時
にチャンバに送り、チャンバ内で混合させたり、チャン
バの場所ごとにガスの組成を変えることができるような
ガス注入システムが望まれている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記のような要
件を満たすガス注入システムを提供するものである。特
に、本発明はチャンバ側壁に設けられ、部材の内側に対
面するスロットアパーチャをそれぞれ持った複数のガス
散布ノズルを有する放射ガス散布装置に関するものであ
る。複数のガスフィードラインは、各ガス散布ノズルを
ガス供給部のそれぞれと接続させるために用いられる。
ガス供給部はそれぞれ、それぞれのガスフィードライン
を介してノズルに供給されるガスを含んでいる。個々の
ガス供給部は同一のガス種（単一あるいは複数のガス
種）からなるガスを有していてもよいし、それぞれ異な
るガス種からなるガスを有していてもよい。実際、すべ
ての供給部がそれぞれ別の種類のガスを含んでいてもよ
い。それぞれの供給部でガスの組成を変えられること
で、各ノズルは望まれるいかなるガスも送ることができ
る。あるいは、異なるガスをチャンバに送る必要がなけ
れば、ノズルを単一のガス供給部に接続してもよい。
【０００８】ガスはチャンバ内に均一に送られることが
望ましいことが多い。このために、ガス散布ノズルはチ
ャンバの周辺に互いに均等に配置されている。放射ガス
散布装置の好ましい実施例においては、４つのガス散布
ノズルが等間隔に配置されている。また、各ノズルから
のガス流量が略同一になるように、均一なガスの散布が
典型的に求められる。本発明におけるノズルはある範囲
のガス流量を送ることができる。よって、均一なガス散
布が求められているときはいつでも、すべてのノズルが
同一のガス流量となるように構成されている。しかし、
均一なガス散布が求められていない時は、それぞれのノ
ズルが異なるガス流量となるように構成されている。た
とえば、少なくとも一つのノズルの流量を異なるように
すれば、ガス供給部に関する不均一なポンプ条件を補う
ことになる。ガス流量を変える一つの方法としては、
（別個のガス供給部が用いられている）ガス供給部のガ
ス圧力を変化させるものがある。もう一つの方法として
は、ノズル自体の構成を調整するというものがある。後
者の方法については、好ましいノズル構造に関連してこ
の後で詳しく説明する。
【０００９】好ましいガス散布ノズルは、環状の外側部
材に囲まれる円筒形の内側部材を有し、環状チャンネル
がその間に形成される。この環状チャンネルは、スロッ
トアパーチャを有した環状ギャップを持つ、内側部材の
第１の端部と外側部材の第１の端部まで延びている。ガ
スは、環状チャンネルを介して、スロットアパーチャに
流れ、チャンバ内に流入する。本発明の一つの実施例に
おいて、各ノズルはまた、ボアを有するガスフィードブ
ロックを含み、そこに外側部材と内側部材が設けられて
いる。
【００１０】外側部材には外部環状空隙があり、これが
ガスフィードブロックボアの側壁とともに、第１のマニ
ホールドチャンバを形成する。加えて、外側部材に複数
のホールがあり、それによってガスが第１のマニホール
ドチャンバから外側と内側部材の間の環状チャンネルに
まで流れるような通路ができる。好ましくは、確実にガ
スが均一に環状チャンネルに流れるようにホールを外側
部材の周辺に等間隔に配置するのがよい。これによっ
て、今度は、スロットアパーチャからのガス流量が均一
になる。また、各ノズルからの流量を好適なものとする
ために、ホールの数と直径を選択する。よって、これら
のパラメータがノズルによって異なれば、上述のように
ノズル間のガス流量を変化させることが可能になる。あ
るいは、ノズルすべてのホールの数と直径を同じにして
もよい。その場合、流れを制限する差し込みを必要なだ
けホールに設けて、各ノズルからの流量を好適なものに
することができる。外側部材と内側部材の間の環状チャ
ンネルが、複数のホールが環状チャンネルに開口する場
所に対応する第２のマニホールドチャンバを有するよう
にしてもよい。この第２のマニホールドチャンバは、ス
ロットアパーチャに最接近する端部で狭くなっており、
環状チャンネルの残りの部分はスロットアパーチャとほ
ぼ同一の断面寸法を有する。ガスフィードブロックは、
ブロックの外側に開いた第１の端部と、第１のマニホー
ルドチャンバに開いた第２の端部とを有したガスフィー
ドホールを含む。ガスフィードラインの一つは、ガスが
ガスフィードホールを通って第１のマニホールドチャン
バに流れるように、（そしてそこから第２のマニホール
ドチャンバに、環状チャンネルを下がって、スロットア
パーチャを出て、リアクタチャンバに流れるように）、
ガスフィードホールの第１の端部に接続されている。
【００１１】放射ガス散布装置は、ガスがノズルの異な
る部分の間と、ノズルとチャンバ側壁の間とから漏れな
いように密封されているのが好ましい。したがって、密
封Ｏリングなどさまざまな密封デバイスが用いられる。
このような密封デバイスのひとつは、外側部材とガスフ
ィードブロックボアの側壁の間のリアクタチャンバから
あるいはチャンバにガスが通るのを防ぐ。また別のデバ
イスは、外側と内側部材との間および／または外側部材
とガスフィードブロックボアの側壁との間の経路に沿っ
てノズルの外側に第１のマニホールドチャンバと環状チ
ャンネルのガスが逃げる（あるいは、同じ経路でノズル
の外側から内側に浸透する）のを防いでいる。さらに別
の密封デバイスを用いて、リアクタチャンバからのある
いはリアクタの外側のガスが、各ノズルの外側とチャン
バ側壁の間の境界面を通って流れるのを防ぐ。
【００１２】ガス散布ノズルのそれぞれの外側、内側部
材は、ノズルによって送られるガス、リアクタチャンバ
に存在する別のガスの侵入やあるいは部材上のプラズマ
粒子の衝突に強い材料からなるのが好ましい。この侵入
や衝突に強い材料はセラミック、石英ガラスか重合材料
であるのが好ましい。
【００１３】上述のガス散布ノズル構成のさまざまな別
の実施例もまた可能である。たとえば、外側部材をガス
フィードブロックのボアに設けてブロックをチャンバ側
壁に取り付ける代わりに、ガスブロックに関するボアを
直接側壁に形成するような本発明の別の実施例が可能で
ある。よって、ガスフィードブロックは必要ではなくな
る。ガスフィードブロックが用いられる別の実施例にお
いては、ガスフィードブロックの前面はチャンバに露出
している。この場合、ブロック面はプラズマの浸食効果
を受けやすくなる。この危険を回避する一つの方法とし
て、その面あるいはブロック全体を先に述べた浸食への
耐性がある材料で形成するというものがある。あるい
は、ガスフィードブロックをリアクタの側壁に埋め込ん
でもよい。後者の実施例では、外側と内側部材の一部だ
けが側壁を介してリアクタチャンバに突出する。ガスフ
ィードブロックの面は露出されない。
【００１４】ガス散布ノズルの上述の実施例の別の形態
では延出した外側、内側部材が備えられている。この変
形例では、リアクタチャンバに対面する外側、内側部材
の端部がウエハペデスタルの側壁から内側方向に放射状
に延出している。延出したノズル形体により、リアクタ
内で処理を受けるウエハのできるだけ近くにガスを送る
ことができる。ウエハの近くにガスを送ることにより、
ウエハ表面にわたってガスをより均一に散布させられる
ので、そのことはいくつかの処理工程では望ましいもの
である。また、この形体により、ガスの流れをチャンバ
の壁から離すことができるので、チャンバ側壁近くで、
チャンバ壁上の堆積物を乱して、チャンバ内に散乱さ
せ、処理対象のウエハを汚染しかねない乱れを取り除
く。
【００１５】本発明における放射ガス散布装置は従来の
装置の多くの欠点を解消し、これらの従来例では見られ
ない汎用性をもたらす。たとえば、本発明の比較的控え
めなノズルアセンブリでは、従来の装置に特徴的なガス
散布リングに比べると、チャンバ側壁内で必要なスペー
スははるかに少なくて済む。ノズルを用いることにより
スペースが除かれ、リアクタ全体をより小型にすること
ができる。ノズルとリアクタ側壁の境界面も、従来のガ
ス散布リングに関する大きな境界面に比べて、極めて小
さいものとなる。これらのより小さな境界面は密封する
のが容易になる。たとえば、リアクタの側壁に埋め込ま
れているガスフィードブロックを有する放射ガス散布装
置の実施例では、ノズルの端部のみが壁を介してチャン
バに延出している。リアクタ側壁とノズルアセンブリの
間の境界面を密封するのに必要なのは小さいＯリングだ
けでよい。密封面は比較的小さいので、リークパスを抑
えるのに必要な寸法公差は、従来の放射ガス散布装置の
ガス散布リングとリアクタ側壁との大きな境界面より容
易に確保できる。
【００１６】本発明のさまざまな実施例の好ましい構造
は、プラズマによる浸食に耐性のある材料からなるの
で、従来のガス散布リング構造よりも非常に有利でもあ
る。従来のリングがアルミニウムからなる場合、これが
一般的であるが、エッチングガスやプラズマの浸食効果
を受けやすいので、頻繁に取り替えなくてはならない。
ステンレススチールも従来のリングを製造するのにしば
しば用いられるが、これがプラズマにさらされると、望
ましくない重金属汚染物を処理を施されるウエハ上に散
乱させる。もちろん、この問題点も、従来のリングをセ
ラミックやそのほか本発明の実施例に類似した浸食耐性
材料で形成すれば回避することができる。しかし、比較
的サイズの大きな従来のリングでは、このような材料で
形成することは問題がある。たとえば、大きなセラミッ
ク構造物を製造することは非常に難しく、もろくなりや
すい。直径が８インチ以上のウエハを処理することを意
図した大きなリアクタチャンバでは、この問題は特に顕
著となる。本発明におけるガス注入スリットノズルはこ
のような問題を回避する。
【００１７】従来のガス散布リングに関する上述したガ
スの流れが不均一になる問題も、本発明によって回避さ
れる。ガスは単一の点にある従来例のガス散布リングに
送られるので、この入力点近くのノズルの流れは離れた
ノズルよりも強くなる。しかし、本発明によれば、各ノ
ズルはそれぞれがガス受け入力点を有する。したがっ
て、各ノズルからのガス流量は、望めば、同一にするこ
とができるので、チャンバ内に均一な流れのパターンを
作ることになる。もちろん、均一なガスの流れのパター
ンを望まなければ、本発明の放射ガス散布装置は汎用性
があるので、それぞれのノズルからの流量をユーザが望
むようにすることができる。また、実施例の中には、そ
れぞれのノズルから異なるガスあるいは異なる混合ガス
を供給することができるものがある。従来の装置には、
各ノズルごとに望ましい流量とガス組成を選択するとい
う汎用性がない。
【００１８】上述の効果のみならず、本発明の別の目的
と効果は、添付の図面を参照しながらこのあとの詳細な
説明から明らかになろう。
【００１９】
【発明の実施の形態】本発明はプラズマリアクタのため
のガス注入システムに関する。プラズマリアクタガス注
入システムはチャンバ内にガスを散布するための一つ以
上のガス散布装置を有する。たとえば、リアクタはガス
をチャンバ内に散布させるためのリアクタの頂部にある
いはその近辺に天井ガス散布装置を配置することができ
る。このような装置は本願の先願（すなわち、米国特許
出願番号０８／３０７，８８８、出願日１９９４年９月
１６日）と係属中の米国特許出願番号０８／５５１，８
８１、出願日１９９５年１０月１６日に開示されてい
る。リアクタはまた放射ガス散布装置を、ガスをチャン
バ内に放射状に散布するリアクタの側壁、あるいはその
近辺に配置してもよい。本発明における放射ガス散布装
置の好ましい実施例について次に開示する。
【００２０】放射ガス散布装置の好ましい実施例は、少
なくとも一つの円形スリットノズル１００（またはスロ
ット穴付きノズルともいう）を用いている。図２（ａ）
から図２（ｂ）はこれらのノズル１００の一つを示して
おり、しかもその好ましい外形を示している。図２
（ａ）はノズル１００を形成する部品を示したノズル１
００の拡大図であり、図２（ｂ）は組み立てられたノズ
ル構造の断面図である。ノズル１００は外側部材１０２
と、内側部材１０４と、ガスフィードブロック１０６
と、カバー１０８と、２つの密封Ｏリング１１０と１１
２とを有する。内側部材１０４は外側部材１０２の中央
ボア１１４に挿入される。このように組み合わされたア
センブリは、密封Ｏリング１１２が取り付けられたあ
と、ガスフィードブロック１０６のボア１１６に挿入さ
れる。最後に、密封Ｏリング１１０はカバー１０８の裏
面にある（図２（ｂ）に示されている）溝１２０に取り
付けられ、カバー１０８はガスフィードブロック１０６
上に取り付けられる。カバー１０８は任意のやり方で、
たとえば（図示しない）ねじによって、固定することが
できる。
【００２１】内側部材１０４は段差のある円筒形をして
いる。カバー１０８に対向する端部から始まり、内側部
材１０４は長い円筒状の端部１２２を有し、この端部１
２２は直径がこの端部より大きな、端部より短い円筒状
中間部１２４に移行する。内側部材１０４はさらに大き
な直径の円板状先端キャップ１２６で終わる。端部１２
２と、中間部１２４と先端キャップ１２６はすべて同軸
上にある。
【００２２】外側部材１０２は両側が開放された段差付
き中空円筒形状をなす。カバー１０８に対向する端部か
ら始まり、外側部材１０２は長い円筒状スリーブ１２８
を有し、このスリーブ１２８は同軸の円筒マニホールド
部１３０に移行する。マニホールド部１３０の直径はス
リーブ１２８よりも大きく、これにより（図２（ｂ）に
示す）平坦な環状面１３２が移行点に形成される。マニ
ホールド部１３０の外側は環状空隙１３４を有する。外
側部材１０２の中央ボア１１４に延出するホール１３６
がこの環状空隙１３４の底面の周囲に規則的に配置され
ている。中央ボア１１４は前述の移行点でスリーブ１２
８の内径に対応する第１の直径を有する。そこから、中
央ボア１１４は、ホール１３６がボア１１４の中に開口
される場所の近くのより大きな直径方向に外側に先細り
になっている。中央ボア１１４の残りの長さはこの大き
な直径を有する。ただし端部ポケット１３８は、さらに
大きな直径を有する。
【００２３】内側部材１０４の円板状先端キャップ１２
６と円筒状中央部１２４はそれぞれ、端部ポケット１３
８と中央ボア１１４のある部位にはめ込まれる。内側部
材の円筒状中央部１２４と中央部１２４が連結するボア
１１４の当該部位の寸法は、無理にはめ込まれてはいな
いが、密着しているのが好ましい。このサイジングによ
って、外側と内側の部材１０２と１０４を容易に組み立
てることができ、内側部材１０４の長い端部１２２を外
側部材の中央ボア１１４の長軸と同軸状の中央部１２４
から延出させることができる。この同軸位置合わせは、
内側部材と外側部材の端部によって形成される（図２
（ｂ）に示される）スロット付きアパーチャ１４０が均
一の幅を確実に持つようにするために必要である。先端
キャップ１２６と端部ポケット１３８は内側部材１０４
が外側部材１０２のさらに縦方向に移動するのを防ぐよ
うに設計されている。したがって、先端キャップ１２６
の直径がポケット１３８の裏に接合するのに十分な大き
さである限り、密着はめ込みは求められない。さらに、
先端キャップ１２６の厚さとポケット１３８の深さをほ
ぼ等しくして、カバー１０８に近接するこれらの構造の
端部が互いに面一になるようにするか、あるいは先端キ
ャップ１２６をポケット１３８よりやや厚くしてもよ
い。後者の形状は、ノズル構成要素間がいかに小さな公
差不一致であっても、密封Ｏリング１１０の力がカバー
１０８にかかるのにかかわらず、カバー１０８が十分に
先端キャップ１２６と接触し、内側部材１０４を外側部
材１０２にしっかりと押し込むことが確実に保証される
ので好ましい。内側部材１０４の中央部１２４は、ホー
ル１３６が中央ボア１１４に開口する点まで外側部材１
０２に延出する。このようにして、（あとで詳細に説明
する）ホール１３６を介したガスの流れが妨げられな
い。内側部材１０４の長い端部１２２は中央部１２４か
ら外側部材１０２のボア１１４の残りの部分まで延出す
る。長い端部１２２は外側部材１０２のスリーブ部１２
８の端部と面一になるところまで延び、その点で前述の
スロット付きアパーチャ１４０を形成する。スリーブ部
１２８の内径と長い端部１２２の直径は、これによって
形成されるアパーチャ１４０が約０．０１０から０．０
３０インチまでの幅（理想的には約０．０２０インチ）
を有し、外周から計測する直径が約０．３０から１．０
０インチまで（理想的には約０．４０インチ）となるよ
うな大きさであるのが好ましい（１インチ＝約２５．４
ｍｍ）。
【００２４】ガスフィードブロック１０６は段差中央ボ
ア１１６を有する。このボア１１６の前方部の直径はス
リーブ部１２８の外側の直径に略対応するものである
が、わずかにそれより大きくスリーブ部がブロック１０
６に挿入しやすくなっている。無理なはめ込みではない
ものの、密着したはめ込みが好ましい。加えて、ボア１
１６の前方部の長さは本発明のこの実施例におけるスリ
ーブ部１２８と略同一である。よって、取り付けられる
とき、スリーブ部１２８と内側部材１０４の長い端部１
２２の端部はガスフィードブロック１０６の前部と略面
一となる。ガスフィードブロックボア１１６はまた、前
方部よりも直径の大きい後方部を有する。このより大き
な直径は外側部材１０２のマニホールド部１３０の外径
よりやや大きいものの、ほぼ対応する。ここで再び、外
側部材１０２のマニホールド部１３０とガスフィードブ
ロックボア１１６の後方部は、無理なはめ込みではない
が密着したはめ込みであるのが好ましい。ガスフィード
ボア１１６と外側部材１０２とが無理なはめ込みではな
く密着したはめ込みであるのが好ましいのは、このよう
にはめ込むことにより、組み立てあるいは分解を妨げる
ことなく、適切にこれらの構成要素を位置合わせするこ
とができるからである。ガスフィードボア１１６の前方
部と後方部の移行部が内面１４２を形成する。この内面
１４２は密封Ｏリング１１２が取り付けられる溝１１８
を、図２（ｂ）に示すように有している。あるいは、図
示されていないが、Ｏリング１１２が、Ｏリング１１２
が部材の平坦な環状面１３２に接するまで外側部材１０
２のスリーブ部１２８上を滑動するような内径を有する
ようにしてもよい。また、ガスフィードブロックボア１
１６の内面１４２に一つも溝を形成しないこともありう
る。むしろ、Ｏリング１１２は、変形して、環状面１３
２と内面１４２との境界面を密封する圧縮Ｏリングであ
るのがよい。また、内面１４２は平坦な環状面１３２を
ストップさせ、それによって、外側部材１０２がブロッ
ク１０６にさらに挿入されるのを防ぐ。ガスフィードブ
ロックの後部ボア部の長さは、外側部材１０２のマニホ
ールド部１３０の長さにほぼ対応し、これにより、先端
キャップ１２４と、マニホールド部１３０とガスフィー
ドブロック１０６の後方で面する表面が互いに面一とな
る。また、ブロック１０６の底面を介してガスフィード
ホール１４４がある。このガスフィードホール１４４は
（ブロック１０６に取り付けられるとき）マニホールド
部１３０の環状空隙１３４の内部に開口する。
【００２５】カバー１０８の内側と外側で面する側はガ
スフィードブロック１０６の後方面と全般的なサイズと
形状が同じである。カバー１０８の内側で面する側はカ
バー１０８がガスフィードブロック１０６に固定される
前に密封Ｏリング１１０が取り付けられる環状溝１２０
を有する。カバー１０８は任意の手段（たとえばねじな
ど）によってガスフィードブロック１０６の後方面と固
定される。いったん取り付けられると、カバー１０８は
ガスフィードブロックボア１１６内で内面１４２に対し
て上方に外側部材１０２を保持して、Ｏリング１１２に
圧縮力を与える働きをする。また、カバー１０８は外側
部材１０２内で内側部材１０４を保持し、ガスフィード
ブロック１０６に密封Ｏリング１１０を付勢する。
【００２６】作動時、ガスは、ガスフィードブロック１
０６のガスフィードホール１４４の外側端部に送られ
る。ガスはホール１４４を通って移動し、外側部材１０
２の環状空隙１３４とガスフィードブロック１０６の内
面によって形成されるマニホールドチャンバ１４６内に
送られる。そののち、ガスはマニホールドチャンバ１４
６の周囲を流れ、環状空隙１３４の底面のホール１３６
を流れる。その結果、ガスはマニホールド部１３０の内
面と内側部材１０４の長い端部１２２の内面によって形
成される第２のマニホールドチャンバ１４８に入る。そ
こから、ガスは外側部材１０２のスリーブ部１２８の内
面と長い端部１２２の外面との間の環状空間に流れる。
最後に、ガスはノズル１００の前方端部に形成されたス
ロットアパーチャ１４０から出る。外側部材１０２とガ
スフィードブロック１０６との間のＯリング１１２によ
り、ガスがスリーブ部１２８とガスフィードブロック１
０６の内面との間の経路に沿って流れるのが防がれる。
ガスフィードブロック１０６の裏面とカバー１０８との
間のＯリング１１０は真空密封され、マニホールド部１
３０の外部表面とガスフィードブロック１０６の隣接す
る内面との間にガスが流れないようにされている。密封
Ｏリング１１０に求められる任務に鑑みれば、カバーを
介してリークパスを形成するいかなるカバー取り付け手
段（たとえばねじなど）は密封Ｏリング１１０の周辺外
側に取り付けられるのが好ましい。このようにして、取
り付け手段を介した考えうるいかなるリークパスも回避
される。
【００２７】図３は本発明における放射ガス散布装置を
有したプラズマリアクタ２００を示している。この場
合、４つの均等に配置されたスロットノズル１００は円
筒状リアクタハウジングの側壁２０２に取り付けられて
いる。ノズル１００は任意の手段によってリアクタハウ
ジングに固定されていてもよいし、各ノズル１００と側
壁２０２の境界面２０４はガスがその境界面２０４から
漏れないように任意の公知の方法で密封してもよい。リ
アクタ２００はまた処理対象である半導体ウエハ２０８
を支持するウエハペデスタル２０６を有する。リアクタ
ハウジングに巻き付けられたＲＦコイルアンテナ２１０
は整合ＲＦ電源２１２によって電力が投入される。ＲＦ
電源２１４がまた、ウエハペデスタル２０６に接続して
いる。しかし、別の電源構成を用いてもよい。たとえ
ば、ＲＦアンテナコイルとＲＦ電源が電磁コイルに取り
替えられて、電力がウエハペデスタル２０６にのみ入力
されるような磁気強化反応イオンエッチング装置を用い
てもよい。真空ポンプ２１６と（図示しない）スロット
ル弁がチャンバ内部ガス圧力を制御する。図３に示した
リアクタは４つのノズル１００を有するが、本発明がこ
のような実施例に限定されることを意図しているのでは
ない。むしろ、任意の数のノズル１００を、所望なよう
に用いてもよい。また、図３のリアクタは天井ガス散布
装置２１８を有するようにしてもよい。この構成要素は
任意であることを示すために点線で示してある。
【００２８】図３において、ガス供給部２２０はインレ
ット管２２２を介してスロットノズル１００のそれぞれ
に接続されている。各ノズル１００は（図示しない）そ
れぞれのガス供給部２２０を有しているか、任意の数の
ノズル１００がガス供給部を共有するようにしてもよ
い。しかし、それぞれのノズル１００がそれ自身でガス
供給部２２０を有するという実施例には、いくつかの重
要な利点、効果がある。このような構成によって、異な
るガス、あるいは混合ガスを各ノズル１００から分散さ
せることが可能となる。このような特徴の一つの可能な
利用法としては、特定のガスをそれが必要なリアクタチ
ャンバ２０５のある部分にフィード、ほかの場所には送
らないというものがある。たとえば、エッチング種の濃
度がチャンバ２０５のある領域であまりにも低いと判断
されると、その領域に最も近いノズル１００に対してほ
かのノズルに供給されるよりも濃厚な混合ガスを供給す
ることができる。異なるガス供給部を用いる別の利用法
としては、ノズル１００から異なるガスを供給するとい
うものがある。これらのガスはリアクタチャンバ２０５
内で互いに反応するようになっている。単一フィードガ
ス散布リング１４を用いた（図１に示したような）従来
の放射ガス散布装置では上記の作業を遂行することがで
きない。単一のガスフィード１８と単一のガス供給部２
４が典型的に従来装置で用いられているので、チャンバ
１２に供給されるガスはあらかじめ混ぜておかなくては
ならない。したがって、異なるガスあるいは濃縮ガスを
チャンバ１２に同時に供給することができない。
【００２９】再び図２（ａ）と図２（ｂ）を参照する
と、溝付ノズル１００の部分はノズル１００を介してリ
アクタチャンバに注入されるガスにあるプラズマやガス
種の侵入を抑える材料で形成するのが好ましい。好まし
い材料としては、セラミック、たとえばアルミナ、サフ
ァイア、窒化アルミニウム、窒化シリコンなど、や多種
のガラス−セラミック材料などが挙げられる。しかし、
石英ガラス（あるいは任意の好適な石英ガラス）と、ポ
リイミドやポリエテルイミドなどの重合材料を用いるこ
とも可能である。特に、少なくとも外側と内側部材１０
４、１０６はこのような抗浸食材料の一つから形成する
のが好ましい。図３に示したノズル１００の実施例はま
た、（図２（ａ）、２（ｂ）の）ガスフィードブロック
１０６の前方面がチャンバ２０５の内部に露出してい
る。したがって、この前方面（あるいはガスフィードブ
ロック１０６全体）を、浸食性のある処理ガスと接触す
るほかのあらゆる面同様、抗浸食材料で形成するのが好
ましい。
【００３０】あるいは、ガスフィードブロック１０６を
リアクタ側壁２０２’に埋め込んで、図４に示すよう
に、内側、外側部材１０２’、１０４’の前方端のみを
側壁２０２’を介してリアクタチャンバに突出させるよ
うにしてもよい。これによって、プラズマから分離する
ので、ガスフィードブロック１０６はスパッタリングへ
の耐性を必ずしも有さない材料で製造することもでき
る。たとえば、ガスフィードブロック１０６はステンレ
ススチールを材料とすることができる。この材料を用い
ることにより、セラミックなどと比較して比較的労力が
軽減されるので、ブロックの製造が容易になる。また、
ステンレススチールを用いるとさらに、ブロック１０６
を通って流れる処理ガスの浸食効果への耐性をできると
いう利点がある。この設計はまた、ノズル１００’とリ
アクタ側壁２０２’の間の境界面の密封を簡単にする。
図４に示すように、境界面を密封するのに必要なのは、
比較的小形のＯリング２３０だけである。しかし、リア
クタの内部に対面するノズル１００’の外側、内側部材
１０２’、１０４’の端部はガスフィードブロック１０
６の前方面を超えて延出して、側壁２０２’を介してリ
アクタの内部に突出するようにしなくてはならない。図
示した実施例において、外側、内側部材１０２’、１０
４’の端部はリアクタ側壁２０２’の内面と面一になっ
ている。また、カバー１０８’は修正を加えられて、リ
アクタ側壁２０２’の外側に取り付けられている。これ
により、ノズル１００’をリアクタの側壁２０２’に取
り付け、固定するのを簡単にする。加えて、外側部材１
０２’、内側部材１０４’の外側で対面する表面と、ガ
スフィードブロック１０６はリアクタ側壁２０２’の外
側表面と略面一にされて、密封Ｏリング１１０が依然と
してブロック１０６の表面と接触するようになってい
る。上述の利点、効果により、図４に示した本発明の実
施例が最も好ましいと思われる。
【００３１】本発明におけるノズル１００”の別の実施
例では、ガスフィードブロックが除かれている。その代
わりに、図５に示すように、リアクタ側壁２０２”それ
自体が（図２（ａ）、２（ｂ）のガスフィードブロック
１０６に関するボア１１６とガスフィードホール１４４
と同じ寸法の）ボアとガスフィードホールを組み込むよ
うに変更されている。外側部材、内側部材１０２、１０
４はそれからリアクタ側壁２０２”のボアに取り付けら
れる。この別の実施例では、カバー１０８をリアクタ側
壁２０２”の外側に取り付けてもよい。ノズルアセンブ
リ１００”とリアクタ側壁２０２”の境界面は環状溝１
１８’に設けられたＯリング１１２によって封止され
る。しかし、リアクタ側壁２０２”が陽極化アルミニウ
ムなどからなる場合は、側壁の一部分２３２が処理ガス
と直接接触し、ガスの浸食効果を受けやすいのでこの実
施例は好ましくないことに注意されたい。
【００３２】本発明のスロットノズルの前述のどの実施
例においても、（一例として図４の実施例を用いた）図
６に示すように、外側部材１０２”のスリーブ部１２
８’と内側部材１０４”の長い円筒形端部１２２’を伸
ばして、チャンバ２０５に延出するようにしてもよい。
本発明の延長したノズルの実施例により、リアクタ内で
処理される半導体ウエハに近づけてガスを散布すること
が可能になる。ウエハにできるだけ近づけて処理ガスを
送ることは、ウエハ表面にガスをより均一に散布するこ
とができるので、いくつかの処理作業工程で望ましいも
のである。また、この構成は、チャンバ側壁近くでノズ
ルからのガスの流れによって起こる乱れを実質的に取り
除く。これは、乱れがチャンバ側壁を覆う堆積残留物を
乱しやすくして、その材料の薄片をチャンバ内に分散さ
せて、処理されるウエハを汚染する原因になりうるの
で、好ましい。
【００３３】再び図２（ａ）、２（ｂ）を参照すると、
ホール１３６を用いて、ガスを第２のマニホールドチャ
ンバ１４８に均一に散布することを容易にする。好まし
くは、これらのホール１３６が外側部材１０２の周辺に
均等に配置されているのがよい。第１のマニホールドチ
ャンバ１４６を用いて、ガスフィードブロックホール１
４４からの噴射するおそれのあるガスの流れを穏やかに
し、第１のチャンバ１４６全体に散布するようにする。
同様に、第２のマニホールドチャンバ１４８を用いて、
ホール１３６から放出される噴射する危険のあるガスの
流れを穏やかにして、第２のチャンバ１４８全体にガス
を散布するようにする。２つのマニホールドチャンバ１
４６、１４８の相互作用の実効結果と、均等に配置され
たホール１３６とにより、確実にノズル１００のスロッ
トアパーチャ１４０から概して均一にガスが流れるよう
になる。
【００３４】ホール１３６の数とその直径は、スロット
アパーチャ１４０の寸法と関連して、（一定のガス供給
圧力に対する）ノズル１００からのガス流量を実質的に
決定する。よって、望ましい流量を確定する一つの方法
は、ホール１３６の数を変えることである。通常、多く
のホール１３６が用いられるほど、ガス流量は大きくな
る。好ましいガス流量を確定するもう一つの方法は、ホ
ール１３６の直径を変えることである。その場合、一般
に直径が大きいほど、ガス流量が大きくなる。しかし、
上述のように、外側部材１０２を抗浸食性のセラミッ
ク、石英ガラス、重合材料で形成することがまた好まし
い。これらの材料に関連した機械的、製造上の制約がホ
ール１３６の直径と、ホール１３６の数を制限する。特
に、（多くの金属と比較すると）このような材料に比較
的小さなホールを形成することは難しい。実際に形成で
きる最も小さいホールは、直径が約０．０３０から０．
０５０インチである。しかし、ホールにはめ込まれた、
（図示しない）流量が制約された差し込みを用いること
によって、ガス流量を制約する任務を遂行するために機
械的、製造上の制約に適応するようにより大きなホール
も形成できる。前述の任務についての適した差し込みの
設計を決定する構造と要因は、当業者には公知であり、
本発明の新規な様態とはならない。したがって、ここで
はこれらの差し込みについての詳細な説明はしない。ま
たホール１３６近辺の外側部材１０２の構造上一貫性も
考慮する必要がある。部材１０２の製造が難しくなると
か不都合にこわれやすくなるようなホール１３６をあま
り多くしてならない。前記の機械上、製造上の制約に関
係なく、ホール１３６の数、直径を変えたり、および／
または差し込みを用いることによって、ガス流量を現在
望ましいものにすることができると考えられる。
【００３５】実験を行ったこの実施例において、それぞ
れのノズルは約０．２０インチの直径の４つのホール１
３６を有していた。外側部材１０２のスリーブ部１２８
の内径と内側部材１０４の長い端部１２２の直径は、ア
パーチャが直径０．４０インチ、幅が０．０２インチと
なるように選択された。差し込みは一つも取り付けられ
なかった。この構成によってノズル１００から均一なガ
スの流れのパターンと受け入れ可能なガス流量（すなわ
ち約１５０から２００ｓｃｃｍ）とできることがわかっ
た。
【００３６】リアクタチャンバ内に均一なガスを散布す
るための好適なガス流量は各ノズル１００で通常同じで
あるが、そうでなくともよい場合がある。なかには、ノ
ズル１００ごとに流量を変えるほうが効果的である場合
もある。たとえば、図３に示す本発明の実施例では、ノ
ズル１００がそれぞれ別のガス供給部２２０を有してお
り、装置はそれぞれのノズルからそれぞれ異なるガスを
供給することができる。それぞれ好適な濃度のガスを確
実にチャンバ２０５に供給できるように個々のノズルの
ガス流量を調整することも効果的である。流量をノズル
１００ごとに変えるには、上記のようにホール１３６の
数および／または直径を変えればよい。また、上述の差
し込みをこの目的のために利用してもよい。各供給部２
２０からのガスの圧力を変えて、好ましい流量にするこ
ともできる。
【００３７】本発明を好ましい実施例について詳しく説
明してきたが、本発明の趣旨や範囲から逸脱することな
く変更や、修正もできることを理解されると思われる。
【００３８】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、スペースをとらず、密封表面積が小さいプラズマ
リアクタガス注入システムが提供される。
【図面の簡単な説明】
本発明の特定の特徴、様態、効果は以下の説明、添付の
特許請求の範囲、および添付の図面を参照すればよりよ
く理解されるであろう。図面において、
【図１】ガス散布リングを用いた典型的な放射ガス散布
装置の従来例を示すプラズマリアクタの一部の断面図で
ある。
【図２】（ａ）は、放射ガス散布装置で用いられるスリ
ットノズルの第１の実施例の斜視拡大図であり、（ｂ）
は、（ａ）の組み立てられたスリットノズルを示す断面
図である。
【図３】図２（ａ）又は（ｂ）に示されたタイプの４つ
のスリットノズルを組み込んだプラズマリアクタの一部
を示す断面図である。
【図４】ノズルがプラズマリアクタの側壁に埋め込まれ
た放射ガス散布装置で用いられるスリットノズルの第２
の実施例の断面図である。
【図５】先の実施例のガスフィードブロックが除かれて
いる放射ガス散布装置に用いられるスリットノズルの第
３の実施例を示す断面図である。
【図６】図４のスリットノズルの実施例の別の型を示す
適例の断面図で、ノズルの外部および内部部材がリアク
タチャンバに延びている。
【符号の説明】
１００…スリットノズル、１０６…ガスフィードブロッ
ク、１０８…カバー、１１０，１１２…Ｏリング、１２
２…端部、１２８…スリーブ、１３０…マニホールド。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 スティーヴ エス． ワイ． マク アメリカ合衆国， カリフォルニア州， プレザントン， モンテヴィノ ドライヴ 878 (72)発明者 ドナルド オルガド アメリカ合衆国， カリフォルニア州， パロ アルト， メルヴィル アヴェニュ ー 831 (72)発明者 ゲラルド ゼヤオ イン アメリカ合衆国， カリフォルニア州， クパティノ， ビリチ プレイス 10132 (72)発明者 ティモスィー ドリスコル アメリカ合衆国， モンタナ州， ハミル トン， フォーリー レーン 637 (72)発明者 ジェイムズ エス． パパヌ アメリカ合衆国， カリフォルニア州， サン ラファエル， ホーリー ドライヴ 351 (72)発明者 アヴィア テップマン アメリカ合衆国， カリフォルニア州， クパティノ， レインボー ドライヴ 21610

Claims (30)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 プラズマリアクタであって、 側壁を有するリアクタチャンバと、 処理しようとするウエハを保持するペデスタルと、 ガス注入システムであって、 それぞれが少なくとも１つのプロセスガスを含む複数の
    ガス供給部と、 前記チャンバ側壁に配置されるガス散布装置であって、
    前記ガス散布装置は、チャンバの内部を向くスロットア
    パーチャを有する複数のガス散布ノズルを備える、前記
    ガス散布装置と、 １つのガス散布ノズルと１つの供給部との間を介して両
    者を接続させるための、複数のガスフィードラインとを
    備えるガス注入システムとを備えるプラズマリアクタ。
  2. 【請求項２】 前記ガス散布ノズルが、相互に等しい間
    隔で前記チャンバの周囲に配置される請求項１に記載の
    プラズマリアクタ。
  3. 【請求項３】 前記ガス散布ノズルのそれぞれが、環状
    の外側部材に囲まれる円筒形の内側部材を有して、環状
    チャンネルが前記外側部材と前記内側部材の間に形成さ
    れ、前記環状チャンネルは、スロットアパーチャを有し
    た環状ギャップを有する、前記内側部材の第１の端部と
    前記外側部材の第１の端部まで延び、前記環状チャンネ
    ルは、ガスがスロットアパーチャに流れ、チャンバ内に
    流入することを可能にする請求項１に記載のプラズマリ
    アクタ。
  4. 【請求項４】前記ガス散布ノズルのそれぞれが更に、内
    部に前記外側部材が配置される貫通ボアを有するガスフ
    ィードブロックを備える請求項３に記載のプラズマリア
    クタ。
  5. 【請求項５】 前記外側部材が、 外部環状キャビティであって、前記外部環状キャビティ
    は前記ガスフィードブロックの側壁と協働して、第１の
    マニホールドチャンバを形成する、前記外部環状キャビ
    ティと、 前記第１のガスマニホールドチャンバから、前記外側部
    材と前記内側部材の間の前記環状チャンネルへと、ガス
    を流れさせる通路を与える複数のホールないし穴とを備
    える請求項４に記載のプラズマリアクタ。
  6. 【請求項６】 前記外側部材の前記ホールが、前記外側
    部材の周縁の周りに沿って均等な間隔で配置される請求
    項５に記載のプラズマリアクタ。
  7. 【請求項７】 各ノズルのスロットアパーチャからのガ
    スの所望の流量を与えるように、前記外側部材の数と直
    径が選択される請求項５に記載のプラズマリアクタ。
  8. 【請求項８】 前記外側部材と前記内側部材の間の前記
    環状チャンネルが、前記複数のホールが前記環状チャン
    ネルに開口する場所に応じて第２のマニホールドチャン
    バを備える請求項５に記載のプラズマリアクタ。
  9. 【請求項９】 前記第２のマニホールドチャンバが、ス
    ロットアパーチャに最接近する端部で狭くなっており、
    環状チャンネルの残りの部分はスロットアパーチャとほ
    ぼ同一の断面寸法を有する請求項８に記載のプラズマリ
    アクタ。
  10. 【請求項１０】 ガスフィードブロックが更に、ブロッ
    クの外側に開いた第１の端部と、第１のマニホールドチ
    ャンバに開いた第２の端部とを有したガスフィードホー
    ルを有し、 ガスフィードラインの一つが、ガスがガスフィードホー
    ルを通って第１のマニホールドチャンバに流れるよう
    に、ガスフィードホールの第１の端部に接続される請求
    項５に記載のプラズマリアクタ。
  11. 【請求項１１】 外側部材の外部とガスフィードブロッ
    クボアの側壁の間にガスの通路ができることを防止する
    ためのシール手段を更に備える請求項５に記載のプラズ
    マリアクタ。
  12. 【請求項１２】 該プラズマリアクタの外部から該ノズ
    ルの中へのガスの通路ができることを防止するためのシ
    ール手段を更に備える請求項５に記載のプラズマリアク
    タ。
  13. 【請求項１３】 該ノズルのそれぞれの外部と該チャン
    バ側壁の間のガスが該プラズマリアクタの外部へ通過す
    る通路ができることを防止するためのシール手段を更に
    備える請求項１に記載のプラズマリアクタ。
  14. 【請求項１４】 該外側部材が、該チャンバ側壁のボア
    の中に配置される請求項３に記載のプラズマリアクタ。
  15. 【請求項１５】 ガス散布ノズルのそれぞれのガスフィ
    ードブロックが該プラズマリアクタの側壁の中に埋め込
    まれ、該外側部材と該内側部材の一部だけが、該リアク
    タチャンバの側壁を突き抜けて突き出る請求項４に記載
    のプラズマリアクタ。
  16. 【請求項１６】 該外側部材と該内側部材の一部が、ペ
    デスタルの方向へ、該側壁から該チャンバの中へと放射
    方向に離れるように伸びる請求項３に記載のプラズマリ
    アクタ。
  17. 【請求項１７】 該ガス散布ノズルのそれぞれの該外側
    部材と該内側部材が、プロセスガスの少なくとも１つか
    らの攻撃及びリアクタチャンバに存在する他のガスの攻
    撃に対して、実質的に耐性を有する材料を備える請求項
    ３に記載のプラズマリアクタ。
  18. 【請求項１８】 前記実質的に耐性を有する材料が、
    （ａ）セラミックと、（ｂ）石英ガラスと、（ｃ）ポリ
    マー材料との１つを備える請求項１７に記載のプラズマ
    リアクタ。
  19. 【請求項１９】 前記複数のガス供給部のそれぞれが、
    別々のガス又は混合ガスを有することができ、また、別
    々の圧力を有することができる請求項１に記載のプラズ
    マリアクタ。
  20. 【請求項２０】 ガス散布ノズルのそれぞれが、チャン
    バ内へ流入するガス流量が異なるようにできる請求項１
    に記載のプラズマリアクタ。
  21. 【請求項２１】 ガス散布ノズルのそれぞれのスロット
    アパーチャが、約０．３０インチ〜約１．００インチな
    いし約７．６２ｍｍ〜約２５．４ｍｍの直径を有する請
    求項１に記載のプラズマリアクタ。
  22. 【請求項２２】 ガス散布ノズルのそれぞれのスロット
    アパーチャが、約０．０１０インチ〜約０．０３０イン
    チないし約２５４μｍ〜７６２μｍの幅を有する請求項
    １に記載のプラズマリアクタ。
  23. 【請求項２３】 外側部材ホールが４つ存在し、これら
    のそれぞれが、約０．２０インチないし５．０８ｍｍの
    直径を有する請求項５に記載のプラズマリアクタ。
  24. 【請求項２４】 ガス散布ノズルが４つ存在する請求項
    １に記載のプラズマリアクタ。
  25. 【請求項２５】 プラズマリアクタであって、 側壁を有するリアクタチャンバと、 処理しようとするウエハを保持するペデスタルと、 ガス注入システムであって、 少なくとも１つのプロセスガスを含むガス供給部と、 前記チャンバ側壁に配置されるガス散布装置であって、
    前記ガス散布装置は、チャンバの内部を向くスロットア
    パーチャを有する複数のガス散布ノズルを備える、前記
    ガス散布装置と、 それぞれのガス散布ノズルと供給部との間を介して両者
    を接続させるための、複数のガスフィードラインとを備
    えるガス注入システムとを備えるプラズマリアクタ。
  26. 【請求項２６】 該ガス散布ノズルのそれぞれの該外側
    部材と該内側部材が、プロセスガスの少なくとも１つか
    らの攻撃及びリアクタチャンバに存在する他のガスの攻
    撃に対して、実質的に耐性を有する材料を備える請求項
    ２５に記載のプラズマリアクタ。
  27. 【請求項２７】 前記実質的に耐性を有する材料が、
    （ａ）セラミックと、（ｂ）石英ガラスと、（ｃ）ポリ
    マー材料との１つを備える請求項２６に記載のプラズマ
    リアクタ。
  28. 【請求項２８】 ガス散布ノズルが４つ存在する請求項
    ２５に記載のプラズマリアクタ。
  29. 【請求項２９】側壁を有するリアクタチャンバと、 処理しようとするウエハを保持するペデスタルと、 ガス注入システムであって、 複数のガス供給部と、 １つが前記複数のガス供給部の１つに接続するチャンバ
    の内部を向く複数のガス散布ノズルを備えるガス散布装
    置とを有する前記ガス注入システムと、を有するプラズ
    マリアクタの中で、前記ガス注入システムを用いるため
    の方法であって、 ガス散布ノズルのそれぞれからガス流れを与えるステッ
    プであって、該ガス流れは、ノズルのそれぞれに対して
    別々の流量を与えることが可能な、前記ステップを有す
    る方法。
  30. 【請求項３０】側壁を有するリアクタチャンバと、 処理しようとするウエハを保持するペデスタルと、 ガス注入システムであって、 複数のガス供給部と、 １つが前記複数のガス供給部の１つに接続する、チャン
    バの内部を向く複数のガス散布ノズルを備えるガス散布
    装置とを有する前記ガス注入システムと、を有するプラ
    ズマリアクタの中で、前記ガス注入システムを用いるた
    めの方法であって、 ガス散布ノズルのそれぞれからガス流れを与えるステッ
    プであって、該ガスは、ノズルのそれぞれに対して、
    （ｉ）別々のガス種であるか、あるいは、（ｉｉ）別々
    のガス種混合物であるか、のいずれかであることが可能
    である、前記ステップを有する方法。
JP18404497A 1996-07-09 1997-07-09 プラズマリアクタ Expired - Fee Related JP3949232B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/682803 1996-07-09
US08/682,803 US5885358A (en) 1996-07-09 1996-07-09 Gas injection slit nozzle for a plasma process reactor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH1098028A true JPH1098028A (ja) 1998-04-14
JP3949232B2 JP3949232B2 (ja) 2007-07-25

Family

ID=24741197

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP18404497A Expired - Fee Related JP3949232B2 (ja) 1996-07-09 1997-07-09 プラズマリアクタ

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5885358A (ja)
EP (1) EP0818802A3 (ja)
JP (1) JP3949232B2 (ja)
KR (1) KR100485015B1 (ja)
TW (1) TW381299B (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100449524B1 (ko) * 2000-08-04 2004-09-21 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 플라즈마 처리방법 및 장치
JP2006332554A (ja) * 2005-05-30 2006-12-07 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
US7806078B2 (en) 2002-08-09 2010-10-05 Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. Plasma treatment apparatus
JP2017028264A (ja) * 2015-07-23 2017-02-02 ピーエスケー インコーポレイテッド 基板処理装置及び基板処理方法
JP2017092325A (ja) * 2015-11-13 2017-05-25 東京エレクトロン株式会社 処理装置

Families Citing this family (120)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6041735A (en) * 1998-03-02 2000-03-28 Ball Semiconductor, Inc. Inductively coupled plasma powder vaporization for fabricating integrated circuits
TW405156B (en) * 1998-08-24 2000-09-11 United Microelectronics Corp Micro leakage prevention device
US6230651B1 (en) * 1998-12-30 2001-05-15 Lam Research Corporation Gas injection system for plasma processing
JP2001077088A (ja) * 1999-09-02 2001-03-23 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
PT1102305E (pt) * 1999-11-17 2003-09-30 European Community Equipamento para processamento por plasma com uma parede electricamente condutora
US6426280B2 (en) 2000-01-26 2002-07-30 Ball Semiconductor, Inc. Method for doping spherical semiconductors
US7141757B2 (en) * 2000-03-17 2006-11-28 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with overhead RF source power electrode having a resonance that is virtually pressure independent
US8048806B2 (en) * 2000-03-17 2011-11-01 Applied Materials, Inc. Methods to avoid unstable plasma states during a process transition
US6894245B2 (en) * 2000-03-17 2005-05-17 Applied Materials, Inc. Merie plasma reactor with overhead RF electrode tuned to the plasma with arcing suppression
US8617351B2 (en) 2002-07-09 2013-12-31 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with minimal D.C. coils for cusp, solenoid and mirror fields for plasma uniformity and device damage reduction
US20070048882A1 (en) * 2000-03-17 2007-03-01 Applied Materials, Inc. Method to reduce plasma-induced charging damage
US7220937B2 (en) * 2000-03-17 2007-05-22 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with overhead RF source power electrode with low loss, low arcing tendency and low contamination
US7196283B2 (en) 2000-03-17 2007-03-27 Applied Materials, Inc. Plasma reactor overhead source power electrode with low arcing tendency, cylindrical gas outlets and shaped surface
AU2001247685A1 (en) * 2000-03-30 2001-10-15 Tokyo Electron Limited Method of and apparatus for tunable gas injection in a plasma processing system
US6939434B2 (en) * 2000-08-11 2005-09-06 Applied Materials, Inc. Externally excited torroidal plasma source with magnetic control of ion distribution
US7294563B2 (en) * 2000-08-10 2007-11-13 Applied Materials, Inc. Semiconductor on insulator vertical transistor fabrication and doping process
US20070042580A1 (en) * 2000-08-10 2007-02-22 Amir Al-Bayati Ion implanted insulator material with reduced dielectric constant
US7166524B2 (en) * 2000-08-11 2007-01-23 Applied Materials, Inc. Method for ion implanting insulator material to reduce dielectric constant
US7223676B2 (en) * 2002-06-05 2007-05-29 Applied Materials, Inc. Very low temperature CVD process with independently variable conformality, stress and composition of the CVD layer
US20050230047A1 (en) * 2000-08-11 2005-10-20 Applied Materials, Inc. Plasma immersion ion implantation apparatus
US7465478B2 (en) * 2000-08-11 2008-12-16 Applied Materials, Inc. Plasma immersion ion implantation process
US7288491B2 (en) * 2000-08-11 2007-10-30 Applied Materials, Inc. Plasma immersion ion implantation process
US7137354B2 (en) * 2000-08-11 2006-11-21 Applied Materials, Inc. Plasma immersion ion implantation apparatus including a plasma source having low dissociation and low minimum plasma voltage
US7037813B2 (en) * 2000-08-11 2006-05-02 Applied Materials, Inc. Plasma immersion ion implantation process using a capacitively coupled plasma source having low dissociation and low minimum plasma voltage
US7183177B2 (en) * 2000-08-11 2007-02-27 Applied Materials, Inc. Silicon-on-insulator wafer transfer method using surface activation plasma immersion ion implantation for wafer-to-wafer adhesion enhancement
US7303982B2 (en) * 2000-08-11 2007-12-04 Applied Materials, Inc. Plasma immersion ion implantation process using an inductively coupled plasma source having low dissociation and low minimum plasma voltage
US7094670B2 (en) * 2000-08-11 2006-08-22 Applied Materials, Inc. Plasma immersion ion implantation process
US7320734B2 (en) * 2000-08-11 2008-01-22 Applied Materials, Inc. Plasma immersion ion implantation system including a plasma source having low dissociation and low minimum plasma voltage
US6446572B1 (en) * 2000-08-18 2002-09-10 Tokyo Electron Limited Embedded plasma source for plasma density improvement
US6481447B1 (en) * 2000-09-27 2002-11-19 Lam Research Corporation Fluid delivery ring and methods for making and implementing the same
US20020129768A1 (en) * 2001-03-15 2002-09-19 Carpenter Craig M. Chemical vapor deposition apparatuses and deposition methods
US6758909B2 (en) * 2001-06-05 2004-07-06 Honeywell International Inc. Gas port sealing for CVD/CVI furnace hearth plates
KR100433285B1 (ko) * 2001-07-18 2004-05-31 주성엔지니어링(주) 멀티 홀 앵글드 가스분사 시스템을 갖는 반도체소자제조장치
US6677250B2 (en) 2001-08-17 2004-01-13 Micron Technology, Inc. CVD apparatuses and methods of forming a layer over a semiconductor substrate
KR100814452B1 (ko) * 2001-10-03 2008-03-17 에이에스엠엘 유에스, 인코포레이티드 표면에 가까운 액체 분배 젯트 사이의 상호 오염을 줄이기 위한 방법과 장치
US20030070620A1 (en) 2001-10-15 2003-04-17 Cooperberg David J. Tunable multi-zone gas injection system
US6586886B1 (en) * 2001-12-19 2003-07-01 Applied Materials, Inc. Gas distribution plate electrode for a plasma reactor
US6787185B2 (en) * 2002-02-25 2004-09-07 Micron Technology, Inc. Deposition methods for improved delivery of metastable species
JP4338355B2 (ja) * 2002-05-10 2009-10-07 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
TWI283899B (en) * 2002-07-09 2007-07-11 Applied Materials Inc Capacitively coupled plasma reactor with magnetic plasma control
US6887521B2 (en) * 2002-08-15 2005-05-03 Micron Technology, Inc. Gas delivery system for pulsed-type deposition processes used in the manufacturing of micro-devices
US20040231798A1 (en) * 2002-09-13 2004-11-25 Applied Materials, Inc. Gas delivery system for semiconductor processing
US7470626B2 (en) 2003-05-16 2008-12-30 Applied Materials, Inc. Method of characterizing a chamber based upon concurrent behavior of selected plasma parameters as a function of source power, bias power and chamber pressure
US7901952B2 (en) * 2003-05-16 2011-03-08 Applied Materials, Inc. Plasma reactor control by translating desired values of M plasma parameters to values of N chamber parameters
US7910013B2 (en) 2003-05-16 2011-03-22 Applied Materials, Inc. Method of controlling a chamber based upon predetermined concurrent behavior of selected plasma parameters as a function of source power, bias power and chamber pressure
US7795153B2 (en) * 2003-05-16 2010-09-14 Applied Materials, Inc. Method of controlling a chamber based upon predetermined concurrent behavior of selected plasma parameters as a function of selected chamber parameters
US7452824B2 (en) * 2003-05-16 2008-11-18 Applied Materials, Inc. Method of characterizing a chamber based upon concurrent behavior of selected plasma parameters as a function of plural chamber parameters
US7247218B2 (en) 2003-05-16 2007-07-24 Applied Materials, Inc. Plasma density, energy and etch rate measurements at bias power input and real time feedback control of plasma source and bias power
US20050059472A1 (en) * 2003-09-11 2005-03-17 Joshi Shridhar P. Gaming machine with multi-level progressive jackpot
US20060112877A1 (en) * 2003-11-03 2006-06-01 Ahn-Sik Moon Nozzle and plasma apparatus incorporating the nozzle
US20050092245A1 (en) * 2003-11-03 2005-05-05 Ahn-Sik Moon Plasma chemical vapor deposition apparatus having an improved nozzle configuration
KR20050093230A (ko) * 2004-03-18 2005-09-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 스퍼터링 장비
US20050211544A1 (en) * 2004-03-29 2005-09-29 Seagate Technology Llc Electrical biasing of gas introduction means of plasma apparatus
JP2006237479A (ja) * 2005-02-28 2006-09-07 Mitsubishi Heavy Ind Ltd プラズマ処理装置
US20060196417A1 (en) * 2005-03-03 2006-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Gas distribution systems for deposition processes
US7359177B2 (en) 2005-05-10 2008-04-15 Applied Materials, Inc. Dual bias frequency plasma reactor with feedback control of E.S.C. voltage using wafer voltage measurement at the bias supply output
US7703479B2 (en) * 2005-10-17 2010-04-27 The University Of Kentucky Research Foundation Plasma actuator
CN100377300C (zh) * 2005-12-08 2008-03-26 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种用于半导体处理的反应室
US8012366B2 (en) * 2006-10-30 2011-09-06 Applied Materials, Inc. Process for etching a transparent workpiece including backside endpoint detection steps
US7967930B2 (en) 2006-10-30 2011-06-28 Applied Materials, Inc. Plasma reactor for processing a workpiece and having a tunable cathode
US20080099437A1 (en) * 2006-10-30 2008-05-01 Richard Lewington Plasma reactor for processing a transparent workpiece with backside process endpoint detection
US7976671B2 (en) * 2006-10-30 2011-07-12 Applied Materials, Inc. Mask etch plasma reactor with variable process gas distribution
US8017029B2 (en) * 2006-10-30 2011-09-13 Applied Materials, Inc. Plasma mask etch method of controlling a reactor tunable element in accordance with the output of an array of optical sensors viewing the mask backside
US9218944B2 (en) * 2006-10-30 2015-12-22 Applied Materials, Inc. Mask etch plasma reactor having an array of optical sensors viewing the workpiece backside and a tunable element controlled in response to the optical sensors
US8002946B2 (en) * 2006-10-30 2011-08-23 Applied Materials, Inc. Mask etch plasma reactor with cathode providing a uniform distribution of etch rate
US7744720B2 (en) * 2007-12-06 2010-06-29 Tokyo Electron Limited Suppressor of hollow cathode discharge in a shower head fluid distribution system
US8409459B2 (en) * 2008-02-28 2013-04-02 Tokyo Electron Limited Hollow cathode device and method for using the device to control the uniformity of a plasma process
KR20100139092A (ko) * 2008-03-26 2010-12-31 지티 솔라 인코퍼레이티드 금-코팅된 폴리실리콘 반응기 시스템 및 방법
RU2499081C2 (ru) * 2008-03-26 2013-11-20 ДжиТиЭйТи Корпорейшн Системы и способы распределения газа в реакторе для химического осаждения из паровой фазы
US9175394B2 (en) * 2010-03-12 2015-11-03 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition chamber with multi inject
US9066412B2 (en) 2010-04-15 2015-06-23 Asml Netherlands B.V. Systems and methods for cooling an optic
US8562742B2 (en) * 2010-04-30 2013-10-22 Applied Materials, Inc. Apparatus for radial delivery of gas to a chamber and methods of use thereof
US8591709B1 (en) * 2010-05-18 2013-11-26 WD Media, LLC Sputter deposition shield assembly to reduce cathode shorting
CN103796413B (zh) 2012-11-01 2017-05-03 中微半导体设备(上海)有限公司 等离子反应器及制作半导体基片的方法
US9574268B1 (en) 2011-10-28 2017-02-21 Asm America, Inc. Pulsed valve manifold for atomic layer deposition
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
CN104798446B (zh) * 2013-03-12 2017-09-08 应用材料公司 具有方位角与径向分布控制的多区域气体注入组件
US9328420B2 (en) * 2013-03-14 2016-05-03 Sunedison Semiconductor Limited (Uen201334164H) Gas distribution plate for chemical vapor deposition systems and methods of using same
US11015244B2 (en) 2013-12-30 2021-05-25 Advanced Material Solutions, Llc Radiation shielding for a CVD reactor
US10450649B2 (en) 2014-01-29 2019-10-22 Gtat Corporation Reactor filament assembly with enhanced misalignment tolerance
JP6258184B2 (ja) * 2014-11-13 2018-01-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
WO2016204974A1 (en) * 2015-06-17 2016-12-22 Applied Materials, Inc. Gas control in process chamber
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
US10208380B2 (en) * 2015-12-04 2019-02-19 Applied Materials, Inc. Advanced coating method and materials to prevent HDP-CVD chamber arcing
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10662527B2 (en) * 2016-06-01 2020-05-26 Asm Ip Holding B.V. Manifolds for uniform vapor deposition
KR102553629B1 (ko) * 2016-06-17 2023-07-11 삼성전자주식회사 플라즈마 처리 장치
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
CN107993914B (zh) * 2016-10-26 2019-09-06 中微半导体设备(上海)股份有限公司 气体流量调节装置及其调节方法
US10431429B2 (en) 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
US10903054B2 (en) 2017-12-19 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US10854426B2 (en) 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US10886137B2 (en) 2018-04-30 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Selective nitride removal
US10892198B2 (en) 2018-09-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved performance in semiconductor processing
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
US11721527B2 (en) * 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
US10920319B2 (en) 2019-01-11 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes
US11492701B2 (en) 2019-03-19 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Reactor manifolds
CN112017932B (zh) * 2019-05-31 2022-11-29 中微半导体设备(上海)股份有限公司 等离子体处理装置中气体输送***的耐腐蚀结构
KR20210048408A (ko) 2019-10-22 2021-05-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 증착 반응기 매니폴드
US20220262600A1 (en) * 2021-02-12 2022-08-18 Applied Materials, Inc. Fast gas exchange apparatus, system, and method
KR20220118798A (ko) * 2021-02-19 2022-08-26 삼성전자주식회사 2차원 물질 증착 장치
US20220364231A1 (en) * 2021-05-11 2022-11-17 Applied Materials, Inc. Gas injector for epitaxy and cvd chamber
KR102528893B1 (ko) * 2021-05-13 2023-05-04 (주)코마테크놀로지 Hdp cvd공정용 사파이어 소재를 이용한 플라즈마 디퓨전 노즐 제조방법

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4329418A (en) * 1980-11-14 1982-05-11 Lord Corporation Organometallic semiconductor devices
US4500565A (en) * 1983-09-28 1985-02-19 Ushio Denki Kabushiki Kaisha Deposition process
US5476694A (en) * 1984-10-24 1995-12-19 Canon Kabushiki Kaisha Method for forming deposited film by separately introducing an active species and a silicon compound into a film-forming chamber
US4717584A (en) * 1985-02-07 1988-01-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of manufacturing a magnetic thin film
US5178904A (en) * 1985-02-16 1993-01-12 Canon Kabushiki Kaisha Process for forming deposited film from a group II through group VI metal hydrocarbon compound
US5244698A (en) * 1985-02-21 1993-09-14 Canon Kabushiki Kaisha Process for forming deposited film
US4612077A (en) * 1985-07-29 1986-09-16 The Perkin-Elmer Corporation Electrode for plasma etching system
US4731156A (en) * 1987-02-25 1988-03-15 Itt Avionics, A Division Of Itt Corporation Plasma processes for surface modification of fluoropolymers using ammonia
JPS63219129A (ja) * 1987-03-06 1988-09-12 Shimadzu Corp ドライエツチング装置
US5275850A (en) * 1988-04-20 1994-01-04 Hitachi, Ltd. Process for producing a magnetic disk having a metal containing hard carbon coating by plasma chemical vapor deposition under a negative self bias
JPH02294029A (ja) * 1989-05-08 1990-12-05 Nec Kyushu Ltd ドライエッチング装置
US4993358A (en) * 1989-07-28 1991-02-19 Watkins-Johnson Company Chemical vapor deposition reactor and method of operation
JPH03188627A (ja) * 1989-12-18 1991-08-16 Sharp Corp プラズマエッチング装置
US5188671A (en) * 1990-08-08 1993-02-23 Hughes Aircraft Company Multichannel plate assembly for gas source molecular beam epitaxy
US5074456A (en) * 1990-09-18 1991-12-24 Lam Research Corporation Composite electrode for plasma processes
JP3227522B2 (ja) * 1992-10-20 2001-11-12 株式会社日立製作所 マイクロ波プラズマ処理方法及び装置
KR0139876B1 (ko) * 1993-09-14 1998-08-17 사토 후미오 금속산화막의 형성방법
JPH07142394A (ja) * 1993-11-12 1995-06-02 Sony Corp Ｃｖｄ方法及びｃｖｄ装置
US5522934A (en) * 1994-04-26 1996-06-04 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus using vertical gas inlets one on top of another
JP3468859B2 (ja) * 1994-08-16 2003-11-17 富士通株式会社 気相処理装置及び気相処理方法
US5746875A (en) * 1994-09-16 1998-05-05 Applied Materials, Inc. Gas injection slit nozzle for a plasma process reactor
US5643394A (en) * 1994-09-16 1997-07-01 Applied Materials, Inc. Gas injection slit nozzle for a plasma process reactor
US5683517A (en) * 1995-06-07 1997-11-04 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with programmable reactant gas distribution
US5702530A (en) * 1995-06-23 1997-12-30 Applied Materials, Inc. Distributed microwave plasma reactor for semiconductor processing
US5702770A (en) * 1996-01-30 1997-12-30 Becton, Dickinson And Company Method for plasma processing

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100449524B1 (ko) * 2000-08-04 2004-09-21 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 플라즈마 처리방법 및 장치
US6864640B2 (en) 2000-08-04 2005-03-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Plasma processing method and apparatus thereof
US7806078B2 (en) 2002-08-09 2010-10-05 Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. Plasma treatment apparatus
JP2006332554A (ja) * 2005-05-30 2006-12-07 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP4624856B2 (ja) * 2005-05-30 2011-02-02 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP2017028264A (ja) * 2015-07-23 2017-02-02 ピーエスケー インコーポレイテッド 基板処理装置及び基板処理方法
JP2017092325A (ja) * 2015-11-13 2017-05-25 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US10669632B2 (en) 2015-11-13 2020-06-02 Tokyo Electron Limited Processing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
EP0818802A3 (en) 2001-10-10
KR100485015B1 (ko) 2005-06-16
JP3949232B2 (ja) 2007-07-25
TW381299B (en) 2000-02-01
US5885358A (en) 1999-03-23
EP0818802A2 (en) 1998-01-14
KR980011807A (ko) 1998-04-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH1098028A (ja) プラズマ処理リアクタ用ガス注入スリットノズル
JP3845154B2 (ja) プラズマリアクタ
US7252716B2 (en) Gas injection apparatus for semiconductor processing system
US5643394A (en) Gas injection slit nozzle for a plasma process reactor
US10403475B2 (en) Tunable multi-zone gas injection system
KR101911562B1 (ko) 중성입자/이온 플럭스 제어를 위한 듀얼 플라즈마 볼륨 프로세싱 장치
US7785417B2 (en) Gas injection system for plasma processing
US20060196603A1 (en) Gas baffle and distributor for semiconductor processing chamber
US20070169704A1 (en) Apparatus for shielding process chamber port having dual zone and optical access features
JP2010077537A (ja) 大面積プラズマ化学気相堆積法のためのガス分配プレートアセンブリ
CN110724938A (zh) 喷头设计
US20090218045A1 (en) Plasma processing apparatus
US6306244B1 (en) Apparatus for reducing polymer deposition on substrate support
JP4481167B2 (ja) 溶射装置
JP5659146B2 (ja) プラズマ処理装置及び方法
US20030015291A1 (en) Semiconductor device fabrication apparatus having multi-hole angled gas injection system
KR100528029B1 (ko) 박막 증착용 샤워헤드
KR200237071Y1 (ko) 화학기상증착 장치
KR20040020090A (ko) 증착 장비의 가스 분사용 노즐 어셈블리

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040430

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060727

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060815

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20061109

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20061212

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070209

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070306

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070309

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070410

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070418

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100427

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110427

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110427

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120427

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120427

Year of fee payment: 5

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees