JPH1097977A - Exposure device and production of device - Google Patents
Exposure device and production of deviceInfo
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- JPH1097977A JPH1097977A JP8252952A JP25295296A JPH1097977A JP H1097977 A JPH1097977 A JP H1097977A JP 8252952 A JP8252952 A JP 8252952A JP 25295296 A JP25295296 A JP 25295296A JP H1097977 A JPH1097977 A JP H1097977A
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子等の微
小デバイス生産に好適に使用される露光装置の技術分野
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a technical field of an exposure apparatus suitably used for producing a micro device such as a semiconductor device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、LSIなどで固体素子の集積度及び
動作速度向上のため、回路パターンの微細化が進んでい
る。これらのLSIを製造する過程の回路パターン形成で
はＸ線リソグラフィ技術を利用した微細パターンの形成
が注目されている。2. Description of the Related Art In recent years, circuit patterns have been miniaturized in order to improve the integration degree and operation speed of solid-state devices in LSIs and the like. In circuit pattern formation in the process of manufacturing these LSIs, formation of a fine pattern using X-ray lithography technology has attracted attention.
【０００３】Ｘ線露光は、真空もしくは減圧雰囲気中で
行なうため、雰囲気気体での冷却が困難でである。そこ
で特開平2-100311号公報に示す露光装置では、ウエハチ
ャックに一定温度に制御された温調媒体を流すことでウ
エハ基板やマスクの温度上昇を防ぐ方法を示している。[0003] Since X-ray exposure is performed in a vacuum or reduced-pressure atmosphere, it is difficult to cool it with an atmospheric gas. Therefore, the exposure apparatus disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. H2-100311 discloses a method of preventing a temperature rise of a wafer substrate or a mask by flowing a temperature control medium controlled at a constant temperature to a wafer chuck.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとしている課題】ところが、上記従
来例の露光装置では、一定温度の温調媒体を供給するユ
ニットからウエハチャックまでの媒体供給経路が長いた
めに、ウエハチャックの温度制御応答性が悪いという課
題を有する。However, in the above-described conventional exposure apparatus, the medium supply path from the unit for supplying a temperature-controlled medium at a constant temperature to the wafer chuck is long. It has the problem of being bad.
【０００５】また、ウエハチャックの温度を制御する
と、これに伴ってチャックに一体に設けられている干渉
計ミラーも同時に位置変動を生じて、干渉計測精度に悪
影響を及ぼすという課題を有する。In addition, when the temperature of the wafer chuck is controlled, the interferometer mirror provided integrally with the chuck simultaneously fluctuates in position, which has a problem that the accuracy of the interference measurement is adversely affected.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題の少な
くとも１つを解決するものであり、本発明の露光装置の
形態の一つは、基板を保持する保持部並びに位置計測用
部材を保持するユニットとを備えた基板保持機構と、該
保持部及びユニットに温調媒体を供給する供給機構とを
有し、該保持部に供給される温調媒体の温度を調節する
ための調節機構を該基板保持機構の近傍に設けたことを
特徴とするものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is to solve at least one of the above-mentioned problems, and one of the embodiments of the exposure apparatus of the present invention is to hold a holder for holding a substrate and a member for position measurement. And a supply mechanism for supplying a temperature control medium to the holding unit and the unit, and an adjustment mechanism for adjusting the temperature of the temperature control medium supplied to the holding unit. It is provided near the substrate holding mechanism.
【０００７】[0007]
＜実施形態１＞以下、本発明の実施形態を図面を用いて
説明する。図１はＸ線露光装置の全体概略図である。１
はシンクロトロンリング（以下、ＳＲと称する）、２は
Ｘ線ミラーで、ＳＲ１からのスリットビームのＸ線をＸ
線ミラー２で所望の方向且つ大きさに拡大する。３はＢ
ｅ金属などを材料とした薄膜からなるＸ線取出窓であ
る。４は露光装置のチャンバー、５は露光装置の露光量
制御のためのシャッターユニットである。６は不図示の
マスクステージに保持されたＸ線マスク、７はウエハ基
板でありウエハチャック８に保持されている。Ｘ線マス
ク６とウエハ基板７とはプロキシミティギャップをもっ
て近接配置される。９はウエハステージで主としてウエ
ハ基板７に転写露光を行うためのステップ＆リピート動
作に使用する。ウエハステージ９にはレーザー干渉計に
よるウエハチャック位置計測システム（不図示）があ
り、この干渉計計測システムの参照ミラーが後述するよ
うにウエハチャック８に一体に結合されている。１０は
Ｘ線マスク６と露光ショットのウエハ基板７の相対位置
関係を計測するアライメントユニットである。この計測
データと前記干渉計測システムを用いてウエハステージ
９を微小量駆動して重ね合わせ補正を行う。Embodiment 1 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is an overall schematic view of an X-ray exposure apparatus. 1
Is a synchrotron ring (hereinafter referred to as SR), 2 is an X-ray mirror, and converts the X-ray of the slit beam from SR1 to X-ray.
The line mirror 2 enlarges the image in a desired direction and size. 3 is B
e This is an X-ray extraction window made of a thin film made of metal or the like. Reference numeral 4 denotes a chamber of the exposure apparatus, and reference numeral 5 denotes a shutter unit for controlling the exposure amount of the exposure apparatus. Reference numeral 6 denotes an X-ray mask held on a mask stage (not shown). Reference numeral 7 denotes a wafer substrate, which is held by a wafer chuck 8. The X-ray mask 6 and the wafer substrate 7 are arranged close to each other with a proximity gap. Reference numeral 9 denotes a wafer stage, which is mainly used for a step-and-repeat operation for performing transfer exposure on the wafer substrate 7. The wafer stage 9 has a wafer chuck position measuring system (not shown) using a laser interferometer, and a reference mirror of the interferometer measuring system is integrally connected to the wafer chuck 8 as described later. Reference numeral 10 denotes an alignment unit for measuring a relative positional relationship between the X-ray mask 6 and the wafer substrate 7 at the exposure shot. Using this measurement data and the interference measurement system, the wafer stage 9 is driven by a very small amount to perform overlay correction.
【０００８】次に図２を用いてチャック機構の周辺をさ
らに詳細に説明する。１１はウエハチャック８の内部に
環状に張り巡らされた流路で、温度調節を行う温調媒体
（水やアルコール等の熱伝達媒体）が流れる。１２はウ
エハチャック８に一体に結合された構成されたミラーユ
ニットである。ウエハチャック８とミラーユニット１２
とは断熱部材１３を挟んで結合されている。１４はミラ
ーユニット１２のミラー保持部の内部に形成された流路
であり、一定温度の温調媒体が供給される。１５はウエ
ハチャック８のウエハ吸着面に真空を供給するための真
空ポンプである。真空ポンプは露光装置のチャンバ４の
外部に設置してチャンバ４内に振動を与えないようにし
ている。なおウエハ基板７の吸着をウエハチャック８に
真空差圧を用いたバキューム吸着で行なう代わりに静電
吸着方式を用いてもよい、１６Ａは温調媒体供給用の配
管、１６Ｂは温調媒体回収用の配管である。１７は第１
温調ユニットでありウエハチャック８及びミラー部材１
２に一定温度の温調媒体を供給する温調媒体供給手段と
して設けたもので、内部には熱交換器などを有してい
る。この第１温調ユニット１７は発熱源となるが、露光
装置本体チャンバ４の外部に配置しているためチャンバ
４内の雰囲気の温度を乱すことがない。１８は温度制御
装置、１９はウエハチャック８でウエハ基板７との接触
面近傍に埋め込められた温度センサ、２０チャック機構
の近傍に設けられた第２温調ユニット（ペルチェ素子等
を用いた熱交換器）、２１は第２温調ユニット２０から
供給される温調媒体の温度を測定する温度センサであ
る。制御装置１８では入力されるウエハ温度の指令信号
と温度センサ１９並びに温度センサ２１の検出信号をを
用いて、設定温度の温調媒体がウエハチャックに供給さ
れるように第２温調ユニットの熱交換器の能力を調節す
る。Next, the periphery of the chuck mechanism will be described in more detail with reference to FIG. Numeral 11 denotes a flow path looped around the inside of the wafer chuck 8, through which a temperature control medium (a heat transfer medium such as water or alcohol) for controlling the temperature flows. Reference numeral 12 denotes a mirror unit which is integrally connected to the wafer chuck 8. Wafer chuck 8 and mirror unit 12
Are connected to each other with the heat insulating member 13 interposed therebetween. Reference numeral 14 denotes a flow path formed inside the mirror holding portion of the mirror unit 12, and a temperature control medium having a constant temperature is supplied. Reference numeral 15 denotes a vacuum pump for supplying a vacuum to the wafer suction surface of the wafer chuck 8. The vacuum pump is installed outside the chamber 4 of the exposure apparatus so as not to vibrate the inside of the chamber 4. Instead of performing the suction of the wafer substrate 7 by the vacuum suction using the vacuum differential pressure on the wafer chuck 8, an electrostatic suction method may be used. 16A is a pipe for supplying a temperature control medium, and 16B is a pipe for collecting the temperature control medium. It is piping. 17 is the first
Temperature control unit, wafer chuck 8 and mirror member 1
2 is provided as a temperature control medium supply means for supplying a temperature control medium at a constant temperature, and has a heat exchanger and the like inside. Although the first temperature control unit 17 is a heat source, it is disposed outside the exposure apparatus main body chamber 4 and does not disturb the temperature of the atmosphere in the chamber 4. Reference numeral 18 denotes a temperature control device, 19 denotes a temperature sensor embedded in the vicinity of a contact surface of the wafer chuck 8 with the wafer substrate 7, 20 a second temperature control unit provided near the chuck mechanism (heat exchange using a Peltier element or the like). , 21 are temperature sensors for measuring the temperature of the temperature control medium supplied from the second temperature control unit 20. The controller 18 uses the input command signal of the wafer temperature and the detection signals of the temperature sensor 19 and the temperature sensor 21 so that the temperature control medium of the second temperature control unit is supplied to the wafer chuck so that the temperature control medium of the set temperature is supplied to the wafer chuck. Adjust the capacity of the exchanger.
【０００９】第１温調ユニット１７によって一定温度に
維持された温調媒体は配管１６Ａを通して供給され、途
中で２分された一方はそのままミラーユニット１２に、
他方は第２温調ユニット２０を経てウエハチャック８に
供給される。第２温調ユニットの制御によりウエハチャ
ック８の表面温度を変化させることが可能で、露光すべ
きウエハ基板7の転写倍率に補正が必要な場合は、ウエ
ハチャック８の温度を変化させることで搭載するウエハ
基板７の温度を微小変化させウエハ基板７の伸縮により
倍率補正を行う。具体的には、露光すべき前記ウエハ基
板７の転写倍率を露光装置にローディングする前に予め
計測しておき、その計測データから制御すべきウエハ最
適温度を算出する。これを指令信号として制御装置１８
に入力し、制御装置１８は温度センサ１９の出力をモニ
ターしウエハチャック８の前記ウエハチャック吸着部の
温度を所望の入力された温度に制御するため、第２温調
ユニット２０の熱交換器の能力を変化させてウエハチャ
ック８に供給される温調媒体の温度を変化させる。第２
温調ユニット２０はペルチェ素子から成る熱交換器を有
し高精度且つ高速な温度制御が可能であるため、従来に
比べウエハチャック８の吸着面の温度制御応答性が非常
に高くなる。なお、ウエハ基板露光時の露光転写倍率を
プロセス処理後のウエハから予め計測する方法の他に、
露光装置が有するアライメントユニットからの計測デー
タより露光直前に露光倍率を計測し、このデータをもと
にウエハチャックの温度制御を行うようにしても良い。The temperature control medium maintained at a constant temperature by the first temperature control unit 17 is supplied through a pipe 16A, and one half of the medium is supplied to the mirror unit 12 as it is.
The other is supplied to the wafer chuck 8 via the second temperature control unit 20. The surface temperature of the wafer chuck 8 can be changed by the control of the second temperature control unit. When the transfer magnification of the wafer substrate 7 to be exposed needs to be corrected, the mounting is performed by changing the temperature of the wafer chuck 8. The temperature of the wafer substrate 7 to be changed is minutely changed, and magnification correction is performed by expansion and contraction of the wafer substrate 7. Specifically, the transfer magnification of the wafer substrate 7 to be exposed is measured in advance before loading on the exposure apparatus, and the optimum wafer temperature to be controlled is calculated from the measured data. This is used as a command signal by the controller 18.
The controller 18 monitors the output of the temperature sensor 19 and controls the temperature of the wafer chuck suction portion of the wafer chuck 8 to a desired input temperature. The temperature of the temperature control medium supplied to the wafer chuck 8 is changed by changing the performance. Second
Since the temperature control unit 20 has a heat exchanger composed of a Peltier element and can perform high-precision and high-speed temperature control, the temperature control responsiveness of the suction surface of the wafer chuck 8 is much higher than in the past. In addition to the method of measuring in advance the exposure transfer magnification at the time of wafer substrate exposure from the wafer after the process processing,
The exposure magnification may be measured immediately before exposure from the measurement data from the alignment unit of the exposure apparatus, and the temperature control of the wafer chuck may be performed based on this data.
【００１０】以上の構成によれば、第１温調ユニット１
７で予め所定の基準温度の温調媒体を供給するので第２
の温調ユニットでの温度制御幅は微小で済む。したがっ
て第２温調ユニット２０は小型のもので良いためウエハ
チャック近傍の狭い空間に設けることが可能となる。According to the above configuration, the first temperature control unit 1
In step 7, a temperature control medium of a predetermined reference temperature is supplied in advance.
The temperature control width of the temperature control unit is small. Therefore, since the second temperature control unit 20 can be small, it can be provided in a narrow space near the wafer chuck.
【００１１】また、ミラーユニット１２には常に一定温
度の温調媒体を供給すると共に、ウエハチャック８との
結合部に断熱部材１３を挟んでウエハチャックからの熱
伝達を遮断しているので、ミラーユニット１２はウエハ
チャックの温度変化に影響を受けず常に正確な干渉計測
の精度を維持している。Further, since a temperature control medium having a constant temperature is always supplied to the mirror unit 12 and heat transfer from the wafer chuck is cut off with a heat insulating member 13 interposed between the mirror unit 12 and the wafer chuck 8, a mirror is provided. The unit 12 always maintains accurate interference measurement accuracy without being affected by the temperature change of the wafer chuck.
【００１２】また、ウエハチャック８の温度制御応答特
性を温度センサ１９、２１の２つで計測して温度制御系
の時定数を計測し、実際の使用時には該時定数を用いて
第２温調ユニット２０での指令値を過渡的に設定温度と
現状温度の差が大きくなるような温度制御方法を行うよ
うにすれば、過渡応答特性を向上させることができ、露
光装置全体のスループット向上に貢献する。The temperature control response characteristic of the wafer chuck 8 is measured by two temperature sensors 19 and 21 to measure the time constant of the temperature control system. In actual use, the second temperature control is performed using the time constant. If a temperature control method is used such that the difference between the set temperature and the current temperature becomes large transiently with the command value in the unit 20, the transient response characteristics can be improved and the throughput of the entire exposure apparatus can be improved. I do.
【００１３】また、上述のようなウエハ転写倍率補正を
行わない場合でも、第２温調ユニットを設け温度センサ
の検出に基づいてこれを制御することで、ウエハチャッ
クを高精度且つ効率的に一定温度に維持することが可能
で、従来に増して優れた露光装置が得られる。Further, even when the above-described wafer transfer magnification correction is not performed, the second temperature control unit is provided and controlled based on the detection of the temperature sensor, so that the wafer chuck can be fixed with high precision and efficiency. The exposure apparatus can be maintained at a temperature, and an excellent exposure apparatus can be obtained.
【００１４】＜実施形態２＞次に上記説明した露光装置
を利用した半導体デバイスの製造方法の実施形態を説明
する。図３は半導体デバイス（ICやLSI等の半導体チッ
プ、あるいは液晶パネルやCCD等）の製造フローを示
す。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路
設計を行う。ステップ２（マスク製作）では設計した回
路パターンを形成したマスクを製作する。ステップ３
（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを
製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼
ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラ
フィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。ス
テップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４に
よって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工
程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディン
グ）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含
む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半
導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査
を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、
これが出荷（ステップ７）される。<Embodiment 2> Next, an embodiment of a method for manufacturing a semiconductor device using the above-described exposure apparatus will be described. FIG. 3 shows a manufacturing flow of a semiconductor device (a semiconductor chip such as an IC or an LSI, or a liquid crystal panel or a CCD). In step 1 (circuit design), the circuit of the semiconductor device is designed. Step 2 is a process for making a mask on the basis of the circuit pattern design. Step 3
In (wafer manufacture), a wafer is manufactured using a material such as silicon. Step 4 (wafer process) is called a pre-process, and an actual circuit is formed on the wafer by lithography using the prepared mask and wafer. Step 5 (assembly) is called a post-process, and is a process of forming a semiconductor chip using the wafer produced in step 4, and includes processes such as an assembly process (dicing and bonding) and a packaging process (chip encapsulation). . In step 6 (inspection), inspections such as an operation confirmation test and a durability test of the semiconductor device manufactured in step 5 are performed. Through these steps, the semiconductor device is completed,
This is shipped (step 7).
【００１５】図４は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（CVD）ではウエハ表面に絶縁膜
を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハに電
極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打込
み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レ
ジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ
１６（露光）では上記説明した露光装置によってマスク
の回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ１７
（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ１８
（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削
り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチング
が済んで不要となったレジストを取り除く。これらのス
テップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に
回路パターンが形成される。FIG. 4 shows a detailed flow of the wafer process. Step 11 (oxidation) oxidizes the wafer's surface. Step 12 (CVD) forms an insulating film on the wafer surface. Step 13 (electrode formation) forms electrodes on the wafer by vapor deposition. In step 14 (ion implantation), ions are implanted into the wafer. In step 15 (resist processing), a photosensitive agent is applied to the wafer. Step 16 (exposure) uses the above-described exposure apparatus to print and expose the circuit pattern of the mask onto the wafer. Step 17
In (development), the exposed wafer is developed. Step 18
In (etching), portions other than the developed resist image are scraped off. In step 19 (resist stripping), unnecessary resist after etching is removed. By repeating these steps, multiple circuit patterns are formed on the wafer.
【００１６】[0016]
【発明の効果】本発明によれば、チャックに保持される
基板温度を高精度且つ短時間に調節することが可能であ
り、それも、チャックの位置計測の精度に悪影響を及ぼ
さずに行なうことができる。よって露光転写のスループ
ットと転写精度を高いレベルで両立させることができ
る。According to the present invention, it is possible to adjust the temperature of the substrate held by the chuck with high accuracy and in a short time, and to perform the adjustment without adversely affecting the accuracy of the position measurement of the chuck. Can be. Therefore, it is possible to achieve both the exposure transfer throughput and the transfer accuracy at a high level.
【図１】Ｘ線露光装置の全体該略図である。FIG. 1 is an overall schematic view of an X-ray exposure apparatus.
【図２】ウエハチャック機構周辺の詳細図である。FIG. 2 is a detailed view around a wafer chuck mechanism.
【図３】半導体デバイスの生産フローを示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a production flow of a semiconductor device.
【図４】ウエハプロセスの詳細なフローを示す図であ
る。FIG. 4 is a diagram showing a detailed flow of a wafer process.
１ シンクロトロンリング ２ Ｘ線ミラー ３ 放射線取出窓 ４ 露光装置ユニット ５ 露光量調節シャッタユニット ６ マスク基板 ７ ウエハ基板 ８ ウエハチャック ９ ウエハステージ １０ アライメント光学系 １１ ウエハチャックの温調水路 １２ ミラーユニット １３ 断熱部材 １４ ミラーユニットの温調水路 １５ 真空ポンプ １６ 温調媒体配管 １７ 第１温調ユニット １８ 温度制御装置 １９ 温度センサ ２０ 第２温調ユニット ２１ 温度センサ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Synchrotron ring 2 X-ray mirror 3 Radiation extraction window 4 Exposure unit 5 Exposure adjustment shutter unit 6 Mask substrate 7 Wafer substrate 8 Wafer chuck 9 Wafer stage 10 Alignment optical system 11 Wafer chuck temperature control channel 12 Mirror unit 13 Heat insulation Member 14 Temperature control water path of mirror unit 15 Vacuum pump 16 Temperature control medium pipe 17 First temperature control unit 18 Temperature control device 19 Temperature sensor 20 Second temperature control unit 21 Temperature sensor
Claims (5)
部材を保持するユニットとを備えた基板保持機構と、該
保持部及びユニットに温調媒体を供給する供給機構とを
有し、該保持部に供給される温調媒体の温度を調節する
ための調節機構を該基板保持機構の近傍に設けたことを
特徴とする露光装置。A substrate holding mechanism provided with a holding unit for holding a substrate and a unit for holding a position measuring member; and a supply mechanism for supplying a temperature control medium to the holding unit and the unit. An exposure apparatus, wherein an adjustment mechanism for adjusting the temperature of a temperature control medium supplied to the unit is provided near the substrate holding mechanism.
に、前記調節機構によって前記保持部の温度を調節する
ことを特徴とする請求項１記載の露光装置。2. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the temperature of the holding unit is adjusted by the adjusting mechanism so that the substrate to be held has a desired size.
構を経た温調媒体の温度を測定する温度検出手段を有す
ることを特徴とする請求項１記載の露光装置。3. The exposure apparatus according to claim 1, further comprising a temperature detecting unit that measures a temperature of the holding unit and / or a temperature of a temperature control medium that has passed through the adjusting mechanism.
項１乃至３のいずれか記載の露光装置。4. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the exposure apparatus performs X-ray exposure.
置を利用してデバイスを生産することを特徴とするデバ
イス生産方法。5. A method for producing a device using the exposure apparatus according to claim 1.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8252952A JPH1097977A (en) | 1996-09-25 | 1996-09-25 | Exposure device and production of device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8252952A JPH1097977A (en) | 1996-09-25 | 1996-09-25 | Exposure device and production of device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1097977A true JPH1097977A (en) | 1998-04-14 |
Family
ID=17244453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8252952A Withdrawn JPH1097977A (en) | 1996-09-25 | 1996-09-25 | Exposure device and production of device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1097977A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003081648A1 (en) * | 2002-03-22 | 2003-10-02 | Nikon Corporation | Exposure device, exposure method, and device manufacturing method |
-
1996
- 1996-09-25 JP JP8252952A patent/JPH1097977A/en not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003081648A1 (en) * | 2002-03-22 | 2003-10-02 | Nikon Corporation | Exposure device, exposure method, and device manufacturing method |
| JPWO2003081648A1 (en) * | 2002-03-22 | 2005-07-28 | 株式会社ニコン | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| US7116396B2 (en) | 2002-03-22 | 2006-10-03 | Nikon Corporation | Exposure device, exposure method and device manufacturing method |
| JP4505668B2 (en) * | 2002-03-22 | 2010-07-21 | 株式会社ニコン | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20031202 |